DE102012203596A1 - Light time sensor for light time camera, has modulation and accumulation gates that are respectively arranged in light and light insensitive regions, and absorbent layer that is formed partially outside of light sensitive regions - Google Patents

Light time sensor for light time camera, has modulation and accumulation gates that are respectively arranged in light and light insensitive regions, and absorbent layer that is formed partially outside of light sensitive regions Download PDF

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Abstract

The light time sensor (22) comprises modulation gates (Gam,Gbm) that are arranged in a light sensitive region (300). The accumulation gates (Ga,Gb) are arranged in a light insensitive region. An absorbent layer is formed partially outside of the light sensitive regions.

Description

Die Erfindung betrifft einen Lichtlaufzeitsensor für eine Lichtlaufzeitkamera nach Gattung des unabhängigen Anspruchs. The invention relates to a light transit time sensor for a light transit time camera according to the preamble of the independent claim.

Mit Lichtlaufzeitkamera sollen nicht nur Systeme umfasst sein, die Entfernungen direkt aus der Lichtlaufzeit ermitteln, sondern insbesondere auch alle Lichtlaufzeit bzw. 3D-TOF-Kamerasysteme, die eine Laufzeitinformation aus der Phasenverschiebung einer emittierten und empfangenen Strahlung gewinnen. Als Lichtlaufzeit bzw. 3D-TOF-Kameras sind insbesondere PMD-Kameras mit Photomischdetektoren (PMD) geeignet, wie sie u.a. in den Anmeldungen EP 1 777 747 , US 6 587 186 und auch DE 197 04 496 beschrieben und beispielsweise von der Firma ‚ifm electronic gmbh’ unter der Bezeichnung O3D zu beziehen sind. Die PMD-Kamera erlaubt insbesondere eine flexible Anordnung der Lichtquelle und des Detektors, die sowohl in einem Gehäuse als auch separat angeordnet werden können. Selbstverständlich sollen mit dem Begriff Kamera bzw. Kamerasystem auch Kameras bzw. Geräte mit mindestens einem Empfangspixel mit umfasst sein, wie beispielsweise das Entfernungsmessgerät O1D der Anmelderin. The purpose of the time of flight camera is not only to include systems which determine distances directly from the light transit time, but in particular also all the time of flight or 3D TOF camera systems which obtain transit time information from the phase shift of an emitted and received radiation. In particular, PMD cameras with photonic mixer detectors (PMD) are suitable as the light transit time or 3D TOF cameras, as described, inter alia, in the applications EP 1 777 747 . US Pat. No. 6,587,186 and also DE 197 04 496 described and, for example, by the company, ifm electronic gmbh 'under the name O3D relate. In particular, the PMD camera allows a flexible arrangement of the light source and the detector, which can be arranged both in a housing and separately. Of course, the term camera or camera system should also encompass cameras or devices with at least one receiving pixel, such as, for example, the distance measuring device O1D of the Applicant.

Aufgabe der Erfindung ist es, die Zuverlässigkeit und Genauigkeit der Distanzmessungen einer Lichtlaufzeitkamera zu verbessern. The object of the invention is to improve the reliability and accuracy of the distance measurements of a light runtime camera.

Die Aufgabe wird in vorteilhafter Weise durch den erfindungsgemäßen Lichtlaufzeitsensor gelöst. The object is achieved in an advantageous manner by the light transit time sensor according to the invention.

Vorteilhaft ist eine Lichtlaufzeitsensor vorgesehen, mit mindestens einem Lichtlaufzeitpixel, mit Modulationsgates in einem lichtempfindlichen Bereich und mit Akkumulationsgates in einem lichtunempfindlichen Bereich, wobei der Lichtlaufzeitsensor außerhalb der lichtempfindlichen Bereiche, zumindest teilweise eine Absorptionsschicht aufweist. Advantageously, a light transit time sensor is provided, with at least one light transit time pixel, with modulation gates in a light-sensitive area and with accumulation gates in a light-insensitive area, wherein the light transit time sensor outside the photosensitive areas, at least partially has an absorption layer.

Vorteilhaft sind zumindest die Akkumulationsgates mit einer Absorptionsschicht abgedeckt. In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist eine Deckschicht des Lichtlaufzeitsensors außerhalb der lichtempfindlichen Bereiche als Absorptionsschicht ausgebildet oder durch eine Absorptionsschicht ersetzt ist. Advantageously, at least the accumulation gates are covered with an absorption layer. In a further advantageous embodiment, a cover layer of the light transit time sensor outside of the photosensitive regions is formed as an absorption layer or replaced by an absorption layer.

Bevorzugt weist die Absorptionsschicht eine geringe Reflektivität und eine hohe Lichtabsorption auf. Preferably, the absorption layer has a low reflectivity and a high light absorption.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. The invention will be explained in more detail by means of embodiments with reference to the drawings.

Es zeigen schematisch: They show schematically:

1 das Grundprinzip einer Lichtlaufzeitkamera nach dem PMD-Prinzip, 1 the basic principle of a time-of-flight camera based on the PMD principle,

2 im Querschnitt ein Pixel eines üblichen Lichtlaufzeitsensors, 2 in cross-section a pixel of a conventional light transit time sensor,

3 einen vereinfachten Querschnitt eines üblichen Lichtlaufzeitsensors mit Oberflächenbeschichtungen, 3 a simplified cross section of a conventional light transit time sensor with surface coatings,

4 ein Lichtlaufzeitsensor mit einer lichtabsorbierenden Beschichtung, 4 a light transit time sensor with a light-absorbing coating,

5 ein Lichtlaufzeitsensor mit einer partiell lichtabsorbierenden Deckschicht, 5 a light transit time sensor with a partially light-absorbing cover layer,

6 ein Lichtlaufzeitsensor lichtundurchlässigen Absorptionsschicht. 6 a light transit time sensor opaque absorption layer.

Bei der nachfolgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder vergleichbare Komponenten. In the following description of the preferred embodiments, like reference characters designate like or similar components.

1 zeigt eine Messsituation für eine optische Entfernungsmessung mit einer Lichtlaufzeit-Kamera, wie sie beispielsweise aus der DE 197 04 496 bekannt ist. 1 shows a measurement situation for an optical distance measurement with a light transit time camera, as for example from the DE 197 04 496 is known.

Das Lichtlaufzeit-Kamerasystem 1 umfasst eine Sendeeinheit bzw. ein Beleuchtungsmodul 10 mit einer Beleuchtungslichtquelle 12 und einer dazugehörigen Strahlformungsoptik 15 sowie eine Empfangseinheit bzw. TOF-Kamera 20 mit einer Empfangsoptik 25 und einem Lichtlaufzeitsensor 22. Der Lichtlaufzeitsensor 22 weist mindestens ein Pixel, vorzugsweise jedoch ein Pixel-Array, auf und ist insbesondere als PMD-Sensor ausgebildet. Die Empfangsoptik 25 besteht typischerweise zur Verbesserung der Abbildungseigenschaften aus mehreren optischen Elementen. Die Strahlformungsoptik 15 der Sendeeinheit 10 ist vorzugsweise als Reflektor ausgebildet. Es können jedoch auch diffraktive Elemente oder Kombinationen aus reflektierenden und diffraktiven Elementen eingesetzt werden. The light transit time camera system 1 comprises a transmitting unit or a lighting module 10 with an illumination light source 12 and associated beam shaping optics 15 as well as a receiving unit or TOF camera 20 with a receiving optics 25 and a light transit time sensor 22 , The light transit time sensor 22 has at least one pixel, but preferably a pixel array, and is designed in particular as a PMD sensor. The receiving optics 25 typically consists of improving the imaging characteristics of multiple optical elements. The beam shaping optics 15 the transmitting unit 10 is preferably formed as a reflector. However, it is also possible to use diffractive elements or combinations of reflective and diffractive elements.

Das Messprinzip dieser Anordnung basiert im Wesentlichen darauf, dass ausgehend von der Phasenverschiebung des emittierten und empfangenen Lichts die Laufzeit des emittierten und reflektierten Lichts ermittelt werden kann. Zu diesem Zwecke werden die Lichtquelle 12 und der Lichtlaufzeitsensor 22 über einen Modulator 30 gemeinsam mit einer bestimmten Modulationsfrequenz mit einer ersten Phasenlage a beaufschlagt. Entsprechend der Modulationsfrequenz sendet die Lichtquelle 12 ein amplitudenmoduliertes Signal mit der Phase a aus. Dieses Signal bzw. die elektromagnetische Strahlung wird im dargestellten Fall von einem Objekt 40 reflektiert und trifft aufgrund der zurückgelegten Wegstrecke entsprechend phasenverschoben mit einer zweiten Phasenlage b auf den Lichtlaufzeitsensor 22. Im Lichtlaufzeitsensor 22 wird das Signal der ersten Phasenlage a des Modulators 30 mit dem empfangenen Signal, das die laufzeitbedingte zweiten Phasenlage b aufweist, gemischt, wobei aus dem resultierenden Signal die Phasenverschiebung bzw. die Objektentfernung d ermittelt wird. The measurement principle of this arrangement is essentially based on the fact that, based on the phase shift of the emitted and received light, the transit time of the emitted and reflected light can be determined. For this purpose, the light source 12 and the light transit time sensor 22 via a modulator 30 acted upon together with a certain modulation frequency with a first phase position a. The light source sends according to the modulation frequency 12 an amplitude modulated signal with the phase a. This signal or the electromagnetic radiation is in the illustrated case of an object 40 reflects and meets due to the distance covered correspondingly phase-shifted with a second phase position b on the light transit time sensor 22 , In the time of flight sensor 22 becomes the signal of the first phase a of the modulator 30 mixed with the received signal having the second time phase condition b, mixed, wherein the phase shift or the object distance d is determined from the resulting signal.

2 zeigt einen Querschnitt durch einen Pixel 23 eines Photomischdetektors bzw. Lichtlaufzeitsensors 22 wie er beispielsweise aus der DE 197 04 496 C2 bekannt ist. Die Modulationsphotogates Gam, G0, Gbm sind in einem lichtsensitiven Bereich eines Lichtlaufzeit bzw. PMD-Pixels angeordnet. Entsprechend der an den Modulationsgates bzw. Modulationsphotogates Gam, G0, Gbm angelegten Spannung werden die photonisch erzeugten Ladungen q entweder zum einen oder zum anderen Akkumulationsgate Ga, Gb gelenkt. Hierbei bezeichnet „Akkumulationsgate“ allgemein eine Struktur, in der die Ladungssammlung stattfindet, nicht notwendigerweise ein Gate einer MOS(Metal-Oxide- Semiconductor)-Struktur. Als konkrete Ausführungsform wird bevorzugt eine Diodenstruktur verwendet. Selbstverständlich ist der Lichtlaufzeitsensor nicht auf eine Struktur mit drei Modulationsgates Gam, Go, Gbm beschränkt, sondern kann beispielsweise auch mit zwei Modulationsgates Gam, Gbm ausgeführt werden. 2 shows a cross section through a pixel 23 a photonic mixer or light transit time sensor 22 as he for example from the DE 197 04 496 C2 is known. The modulation photogates Gam, G0, Gbm are arranged in a light-sensitive region of a light transit time or PMD pixel. According to the voltage applied to the modulation gates Gam, G0, Gbm, the photonically generated charges q are directed either to one or the other accumulation gate Ga, Gb. Here, "accumulation gate" generally refers to a structure in which the charge accumulation takes place, not necessarily a gate of a MOS (Metal Oxide Semiconductor) structure. As a specific embodiment, a diode structure is preferably used. Of course, the light transit time sensor is not limited to a structure with three modulation gates Gam, Go, Gbm, but may for example also be implemented with two modulation gates Gam, Gbm.

2b zeigt einen Potenzialverlauf bei dem die Ladungen q in Richtung des ersten Akkumulationsgates Ga abfließen, und 2c einen komplementären Potenzialverlauf, der die Ladungen q in Richtung des zweiten Akkumulationsgates Gb fließen lässt. Die Potenziale können beispielsweise entsprechend der anliegenden Modulationsfrequenz vorgegeben werden. Je nach Anwendungsfall liegen die Modulationsfrequenzen vorzugsweise in einem Bereich von 1 bis 1000 MHz. Bei einer Modulationsfrequenz von beispielsweise 1 MHz ergibt sich eine Periodendauer von einer Mikrosekunde, so dass das Modulationspotenzial dementsprechend alle 500 Nanosekunden wechselt. 2 B shows a potential curve in which the charges q flow in the direction of the first accumulation gate Ga, and 2c a complementary potential profile, which allows the charges q to flow in the direction of the second accumulation gate Gb. The potentials can be specified, for example, according to the applied modulation frequency. Depending on the application, the modulation frequencies are preferably in a range of 1 to 1000 MHz. At a modulation frequency of, for example, 1 MHz results in a period of one microsecond, so that the modulation potential changes accordingly every 500 nanoseconds.

In 2a ist ferner eine Auslesevorrichtung 400 dargestellt, die gegebenenfalls bereits Bestandteil eines als CMOS ausgebildeten Lichtlaufzeitsensors 22 bzw. PMD-Sensors sein kann. Die als Kapazitäten ausgebildeten Akkumulationsgates Ga, Gb integrieren die photonisch erzeugten Ladungen über eine Vielzahl von Modulationsperioden. In bekannter Weise kann die dann an den Akkumulationsgates Ga, Gb anliegende Spannung Ua, Ub beispielsweise über die Auslesevorrichtung 400 hochohmig abgegriffen werden. In 2a is also a readout device 400 shown, which may already be part of a designed as a CMOS light transit time sensor 22 or PMD sensor can be. The accumulation gates Ga, Gb designed as capacitances integrate the photonically generated charges over a large number of modulation periods. In a known manner, the voltage Ua, Ub which is then applied to the accumulation gates Ga, Gb can be determined, for example, via the read-out device 400 be tapped high impedance.

3 zeigt den Lichtlaufzeitsensor 22 gemäß 2 in einer vereinfachten Darstellung mitsamt einer üblichen Oberflächenbeschichtung. Die Akkumulationsgates Ga, Gb und die Modulationsgates Gam, G0, Gbm typischerweise bestehend aus einem Polysilizium sind mit einer Isolierschicht 210 abgedeckt. Die Bereiche in denen keine Photoelektronen erzeugt werden sollen, also im vorliegenden Fall oberhalb der Akkumulationsgates Ga, Gb ist eine lichtabschirmende Beschichtung 220 aufgebracht. So spannt sich im Wesentlichen zwischen den Akkumulationsgates Ga, Gb ein lichtempfindlicher Bereich 300 über die Modulationsgates Gam, G0, Gbm auf. Abschließend ist über alle Schichten eine vorzugsweise transparente Deckschicht 230 aufgebracht. Selbstverständlich sind hier auch andere Schichtabfolgen denkbar. 3 shows the light transit time sensor 22 according to 2 in a simplified representation together with a conventional surface coating. The accumulation gates Ga, Gb and the modulation gates Gam, G0, Gbm typically consisting of a polysilicon are provided with an insulating layer 210 covered. The areas in which no photoelectrons are to be generated, ie in the present case above the accumulation gates Ga, Gb is a light-shielding coating 220 applied. Thus, essentially a light-sensitive area spans between the accumulation gates Ga, Gb 300 via the modulation gates Gam, G0, Gbm. Finally, over all layers is a preferably transparent cover layer 230 applied. Of course, other layer sequences are also conceivable here.

Typischerweise wird der Sensor 22 zusätzlich mit einem Deckglas 400 vor mechanischen Beeinträchtigungen geschützt. Anstelle des Deckglases 400 kann auch eine Linse bzw. ein Objektiv angeordnet sein. Typically, the sensor becomes 22 additionally with a cover glass 400 protected against mechanical damage. Instead of the cover glass 400 can also be arranged a lens or a lens.

Die Deckschicht 230, die auf dem Lichtlaufzeitsensor 22 aufgebracht ist, hat im Allgemeinen eine glänzende Oberfläche und eine Höhenstruktur. Die Strukturbreiten liegen dabei häufig im Bereich der Wellenlänge des Lichts. Solche Strukturen haben die Eigenschaft Licht stark zu streuen. Durch das Deckglas 400 bzw. das Objektiv fällt das Licht der Szene als primäres Licht p auf den Sensor. Im lichtempfindlichen Bereich 300 wird das primäre Licht p in Photoelektronen umgesetzt und im lichtunempfindlichen Bereich durch die Lichtabschirmung 220 unterdrückt. Ein Teil des primären Lichts p wird jedoch vornehmlich an und in der Deckschicht 230 gestreut bzw. reflektiert. Das gestreute sekundäre Licht s wird im Gehäuse bzw. an dem Deckglas 400 nochmals reflektiert und verteilt sich somit als Untergrundlicht über das primäre Nutzlicht im lichtempfindlichen Bereich 300. Pixel mit geringen Primärlichtmengen können durch das Sekundärlicht stark beeinflusst werden, so dass die gemessenen Abstände vom wahren Abstand wegdriften. The cover layer 230 , which on the light transit time sensor 22 Applied, generally has a shiny surface and a height structure. The structure widths are often in the range of the wavelength of the light. Such structures have the property of scattering light strongly. Through the cover glass 400 or the lens falls the light of the scene as the primary light p on the sensor. In the light-sensitive area 300 the primary light p is converted into photoelectrons and in the light-insensitive region by the light shielding 220 suppressed. However, part of the primary light p becomes predominantly on and in the cover layer 230 scattered or reflected. The scattered secondary light s is in the housing or on the cover glass 400 once again reflected and distributed as an underground light on the primary useful light in the photosensitive area 300 , Pixels with low amounts of primary light can be strongly influenced by the secondary light, so that the measured distances drift away from the true distance.

4 zeigt eine erfindungsgemäße Ausführungsform mit einer lichtabsorbierenden Beschichtung bzw. Absorptionsschicht 240 im Bereich der Akkumulationsgates Ga, Gb. Der Hauptgedanke der Erfindung liegt darin, die nicht aktiven Bereiche des Lichtlaufzeitsensors 22, vornehmlich die Akkumulationsgates Ga, Gb und weitere photoinaktive Schaltungsbereiche, mit einer absorbierenden Schicht abzudecken. Damit kann ein großer Teil des Streulichts bzw. sekundären Lichts s reduziert werden. 4 shows an embodiment according to the invention with a light-absorbing coating or absorption layer 240 in the area of the accumulation gates Ga, Gb. The main idea of the invention lies in the non-active regions of the light transit time sensor 22 primarily the accumulation gates Ga, Gb and other photoinactive circuit areas, to cover with an absorbing layer. Thus, a large part of the scattered light or secondary light s can be reduced.

Die Absorptionsschicht 240 kann beispielsweise fotolithografisch als Positiv- oder auch als Negativresist aufgebracht werden. Die Absorptionsschicht ist vorzugsweise in der chemischen Zusammensetzung und/oder physikalischer Struktur so aufgebaut, dass das primäre Licht s zu einem hohen Anteil absorbiert wird und nur eine geringe Rückstrahlung sekundären Lichts s erfolgt. The absorption layer 240 For example, it can be applied photolithographically as a positive or as a negative resist. The absorption layer is preferably constructed in chemical composition and / or physical structure such that the primary light s becomes high Part is absorbed and only a small reversion of secondary light s occurs.

Ferner könnte die Absorptionsschicht absorbierende Partikel aufweisen, beispielsweise Pigmente, die die primäre/sekundäre Lichtenergie absorbieren. Further, the absorbent layer could include absorbent particles, for example, pigments that absorb the primary / secondary light energy.

Die Herstellung der Schicht ist selbstverständlich nicht auf ein fotolithografisches Verfahren beschränkt. Auch ist es denkbar, die Absorptionsschicht 240 als Maske auf den Sensor 22 aufzukleben. Auch sind denkbar, Siebdruck, Elektronenstrahllithografie, Mikrostempel etc. Maßgeblich ist, dass im Ergebnis eine möglichst hohe Lichtabsorption erzielt wird. Lichtempfindliche Bereich, Bondpads, Testpunkte oder sonstige offen benötigte Bereiche werden nicht maskiert. Of course, the production of the layer is not limited to a photolithographic process. It is also conceivable, the absorption layer 240 as a mask on the sensor 22 to stick. Also conceivable are screen printing, electron beam lithography, micro-stamps, etc. The decisive factor is that, as a result, the highest possible absorption of light is achieved. Photosensitive areas, bond pads, test points or other open areas are not masked.

Im dargestellten Beispiel wird das primäre Licht p in der über die Akkumulationsgates Ga, Gb liegenden Absorptionsschicht 240 zu einem großen Teil absorbiert, so dass nur noch ein geringe sekundäre Lichtmenge zurückgestrahlt wird. In the example shown, the primary light p is in the absorption layer lying over the accumulation gates Ga, Gb 240 absorbed to a large extent, so that only a small amount of secondary light is reflected back.

5 zeigt eine Variante, bei der die Deckschicht 230 im Bereich der Akkumulationsgates Ga, Gb entweder im Hinblick auf Lichtabsorption modifiziert wurde oder durch ein Absorptionsschicht 240 ersetzt ist. 5 shows a variant in which the cover layer 230 in the region of the accumulation gates Ga, Gb was modified either with regard to light absorption or through an absorption layer 240 is replaced.

6 zeigt eine weitere mögliche Ausführungsform, bei der die Absorptionsschicht 240 nicht nur im Hinblick auf Lichtabsorption, sondern auch bezüglich Lichtundurchlässigkeit optimiert ist. So ist es möglich einen Prozessschritt einzusparen, indem die Lichtabschirmung 220 durch eine lichtundurchlässige Absorptionsschicht 240 ersetzt wird. 6 shows another possible embodiment in which the absorption layer 240 is optimized not only for light absorption but also for opacity. So it is possible to save a process step by the light shielding 220 through an opaque absorption layer 240 is replaced.

Die Absorptionsschicht 240 kann insbesondere auch über die Dicke der Schicht in ihrer Zusammensetzung und Eigenschaften variieren. Beispielsweise kann die Absorptionsschicht 240 ein Dichte, Pigment- und/oder Strukturgradienten aufweisen. The absorption layer 240 In particular, it may also vary in composition and properties over the thickness of the layer. For example, the absorption layer 240 have a density, pigment and / or structure gradients.

Selbstverständlich sind auch Kombinationen der genannten Ausführungsbeispiele möglich. Auch ist es denkbar, die Deckschicht 230 im lichtempfindlichen Bereich 300 im Hinblick auf geringe Reflektivität und insbesondere auch Absorption zu optimieren, so dass auch in diesem Bereich sekundäre Strahlung verringert werden kann. Of course, combinations of said embodiments are possible. It is also conceivable, the top layer 230 in the light-sensitive area 300 in view of low reflectivity and in particular to optimize absorption, so that in this area secondary radiation can be reduced.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

1010
Sendeeinheit  transmission unit
1212
Beleuchtungslichtquelle  Illumination light source
1515
Strahlformungsoptik  Beam shaping optics
2020
Empfangseinheit, TOF-Kamera  Receiving unit, TOF camera
2222
Lichtlaufzeitsensor  Transit Time Sensor
2323
Lichtlaufzeitpixel, Pixel  Light transit time pixels, pixels
2525
Empfangsoptik  receiving optics
3030
Modulator  modulator
4040
Objekt  object
5050
Optik  optics
210210
Isolierschicht  insulating
220220
Lichtabschirmung  light shield
230230
Deckschicht  topcoat
240240
Absorptionsschicht, Lichtabsorptionsschicht  Absorption layer, light absorption layer
300300
lichtempfindlicher Bereich  photosensitive area
400400
Deckglas  cover glass
pp
primäres Licht  primary light
ss
sekundäres Licht  secondary light

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • EP 1777747 [0002] EP 1777747 [0002]
  • US 6587186 [0002] US 6587186 [0002]
  • DE 19704496 [0002, 0017] DE 19704496 [0002, 0017]
  • DE 19704496 C2 [0020] DE 19704496 C2 [0020]

Claims (5)

Lichtlaufzeitsensor (22) mit – mindestens einem Lichtlaufzeitpixel (23), – mit Modulationsgates (Gam, Gbm) in einem lichtempfindlichen Bereich, – und mit Akkumulationsgates (Ga, Gb) in einem lichtunempfindlichen Bereich, dadurch gekennzeichnet, dass der Lichtlaufzeitsensor (22) außerhalb der lichtempfindlichen Bereiche (300), zumindest teilweise eine Absorptionsschicht (240) aufweist. Light transit time sensor ( 22 ) with - at least one light time-of-flight pixel ( 23 ), With modulation gates (Gam, Gbm) in a light-sensitive region, and with accumulation gates (Ga, Gb) in a light-insensitive region, characterized in that the light transit time sensor ( 22 ) outside the photosensitive areas ( 300 ), at least partially an absorption layer ( 240 ) having. Lichtlaufzeitsensor (22) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Absorptionsschicht (240) die Akkumulationsgates (Ga, Gb) abdeckt. Light transit time sensor ( 22 ) according to one of the preceding claims, in which the absorption layer ( 240 ) covers the accumulation gates (Ga, Gb). Lichtlaufzeitsensor (22) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Deckschicht (230) des Lichlaufzeitsensors (22) außerhalb der lichtempfindlichen Bereiche (300) als Absorptionsschicht (240) ausgebildet oder durch eine Absorptionsschicht (240) ersetzt ist. Light transit time sensor ( 22 ) according to one of the preceding claims, in which a cover layer ( 230 ) of the running time sensor ( 22 ) outside the photosensitive areas ( 300 ) as absorption layer ( 240 ) or by an absorption layer ( 240 ) is replaced. Lichtlaufzeitsensor (22) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Absorptionsschicht (240) eine geringe Lichtdurchlässigkeit aufweist. Light transit time sensor ( 22 ) according to one of the preceding claims, in which the absorption layer ( 240 ) has a low light transmission. Lichtlaufzeitkamera mit einem Lichtlaufzeitsensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche. A light transit time camera with a light transit time sensor according to one of the preceding claims.
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