DE102010000388A1 - Gas inlet element with baffle plate arrangement - Google Patents

Gas inlet element with baffle plate arrangement Download PDF

Info

Publication number
DE102010000388A1
DE102010000388A1 DE102010000388A DE102010000388A DE102010000388A1 DE 102010000388 A1 DE102010000388 A1 DE 102010000388A1 DE 102010000388 A DE102010000388 A DE 102010000388A DE 102010000388 A DE102010000388 A DE 102010000388A DE 102010000388 A1 DE102010000388 A1 DE 102010000388A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
gas
mouth
baffle plate
gas inlet
process chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102010000388A
Other languages
German (de)
Inventor
Gerhard Karl 52072 Strauch
Markus 52134 Gersdorff
Martin Dr. 52074 Dauelsberg
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aixtron SE
Original Assignee
Aixtron SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron SE filed Critical Aixtron SE
Priority to DE102010000388A priority Critical patent/DE102010000388A1/en
Priority to PCT/EP2011/051739 priority patent/WO2011098420A1/en
Priority to TW100104375A priority patent/TW201142072A/en
Publication of DE102010000388A1 publication Critical patent/DE102010000388A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem in einer Prozesskammer (1) von einem Suszeptor (2) getragenen Substrat (3) mit Hilfe eines durch ein Gaseinlassorgan (4) in die Prozesskammer eingebrachten Prozessgases, wobei das Gaseinlassorgan (4) ein von einer Zuleitung (5) gespeistes Gasverteilvolumen (6), eine darin vor der Mündung (5') einer Zuleitung (5) für ein in das Gasverteilvolumen (6) bringbaren Gases angeordnete Prallplattenanordnung und eine Vielzahl von in die Prozesskammer mündende Gasaustrittsöffnungen (7) aufweist. Um das Gaseinlassorgan derart weiterzubilden, dass die laterale Schichthomogenität der abgeschiedenen Schichten verbessert wird, wird vorgeschlagen, dass die Prallplattenanordnung aus mehreren, sowohl in Einströmrichtung des Gases als auch quer dazu versetzt liegenden Prallplatten (9, 10, 11, 12) besteht.The invention relates to a device for depositing a layer on a substrate (3) carried in a process chamber (1) by a susceptor (2) with the aid of a process gas introduced into the process chamber through a gas inlet element (4), the gas inlet element (4) gas distribution volume (6) fed by a feed line (5), a baffle plate arrangement arranged therein in front of the mouth (5 ') of a feed line (5) for a gas which can be brought into the gas distribution volume (6) and a large number of gas outlet openings (7) opening into the process chamber having. In order to further develop the gas inlet member in such a way that the lateral layer homogeneity of the deposited layers is improved, it is proposed that the baffle plate arrangement consist of a plurality of baffle plates (9, 10, 11, 12) which are offset both in the inflow direction of the gas and transversely thereto.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem in einer Prozesskammer von einem Suszeptor getragenen Substrat mit Hilfe eines durch ein Gaseinlassorgan in die Prozesskammer eingebrachten Prozessgases, wobei das Gaseinlassorgan ein von einer Zuleitung gespeistes Gasverteilvolumen, eine darin vor der Mündung einer Zuleitung für ein in das Gasverteilvolumen bringbaren Gases angeordnete Prallplattenanordnung und eine Vielzahl von in die Prozesskammer mündende Gasaustrittsöffnungen aufweist.The invention relates to a device for depositing a layer on a supported in a process chamber by a susceptor substrate by means of a gas inlet member introduced into the process chamber process gas, wherein the gas inlet member fed by a supply gas distribution volume, one in front of the mouth of a supply line for a Having in the gas distribution volume broughtable gas arranged baffle plate assembly and a plurality of opening into the process chamber gas outlet openings.

Eine derartige Vorrichtung ist aus der DE 10 2006 013 801 A1 vorbekannt. Der dort beschriebene Reaktor besitzt ein Reaktorgehäuse aus Metall. Innerhalb des Reaktorgehäuses befindet sich ein Gaseinlassorgan, welches eine zylindrische Gestalt aufweist. In die Oberseite des Gaseinlassorgans mündet eine Zuleitung, die mit einem Gasmischsystem verbunden ist. Das Gasmischsystem speist das Gaseinlassorgan mit einem Trägergas und mit Prozessgasen. In Stromrichtung des einströmenden Gases liegt innerhalb eines Gasverteilvolumens des Gaseinlassorgans eine Prallplatte, gegen welche das einströmende Gas prallt, um über die Ränder der Prallplatte in den unterhalb der Prallplatte liegenden Volumenbereich zu strömen. Die Prallplatte erstreckt sich parallel zu einer Decke des Gaseinlassorgans und parallel zu einer Austrittsfläche, welche eine Vielzahl von duschkopfartig angeordneten Gasaustrittsöffnungen aufweist, die in eine Prozesskammer münden, deren Boden von einem Suszeptor gebildet ist, auf dem Substrate aufliegen, die zu beschichten sind. Hierzu wird der Suszeptor von einer unterhalb des Suszeptors angeordneten Heizung auf eine Prozesstemperatur aufgeheizt, bei der die in die Prozesskammer eingeleiteten Prozessgase pyrolytisch zerfallen und die schichtausbildend auf der Substratoberfläche kondensieren.Such a device is known from DE 10 2006 013 801 A1 previously known. The reactor described there has a reactor housing made of metal. Within the reactor housing is a gas inlet member which has a cylindrical shape. In the top of the gas inlet member opens a supply line which is connected to a gas mixing system. The gas mixing system feeds the gas inlet member with a carrier gas and with process gases. In the flow direction of the inflowing gas is within a Gasverteilvolumens the gas inlet member, a baffle plate against which the incoming gas bounces to flow over the edges of the baffle plate in the lying below the baffle volume range. The baffle extends parallel to a ceiling of the gas inlet member and parallel to an exit surface having a plurality of showerhead-like gas outlets opening into a process chamber whose bottom is formed by a susceptor on which substrates to be coated are placed. For this purpose, the susceptor is heated by a heater arranged below the susceptor to a process temperature at which the process gases introduced into the process chamber decompose pyrolytically and condense the layer-forming on the substrate surface.

Beim Betrieb eines derartigen CVD-Reaktors wurden laterale Inhomogenitäten in der abgeschiedenen Schicht beobachtet, wenn der Beschichtungsprozess im Submillibardruckbereich stattfindet.In the operation of such a CVD reactor, lateral inhomogeneities were observed in the deposited layer when the coating process takes place in the submillibal pressure range.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Gaseinlassorgan derart weiterzubilden, dass die laterale Schichthomogenität der abgeschiedenen Schichten verbessert wird.The object of the invention is to refine the gas inlet element in such a way that the lateral layer homogeneity of the deposited layers is improved.

Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung. Zunächst und im Wesentlichen ist eine Prallplattenanordnung aus mehreren Prallplatten vorgesehen. Diese Prallplattenanordnung soll sowohl in Einströmrichtung des durch die Zuleitung in das Gasverteilvolumen bringbaren Gases als auch quer dazu versetzt liegende Prallplatten aufweisen. Dabei kann vorgesehen sein, dass jede Prallplatte jeweils nur vor einer Teilfläche der Zuleitungsmündung liegt. Bevorzugt wird aber die gesamte Fläche der Mündung vollständig von den Prallplatten überfangen. Jede der Prallplatten deckt somit nur einen Teilbereich der Gesamtfläche der Zuleitungsmündung ab. Die Gesamtheit der Prallplatten überdeckt die Mündungsfläche in Einströmrichtung des Gases aber vollständig. Dies hat zur Folge, dass der aus der Mündung der Zuleitung austretende Gasstrom kaskadenartig gegen verschieden weit entfernt von der Mündung angeordnete einzelne und voneinander getrennte Prallplatten tritt. Hierzu ist eine Vielzahl, insbesondere drei oder mehr, von Teilflächen der Mündung jeweils von einer in einem anderen Abstand zur Mündung angeordneten Prallplatte überdeckt. Auch bei der erfindungsgemäßen Prallplattenanordnung ist vorgesehen, dass der auf sie strömende Gasstrom im Wesentlichen im rechten Winkel umgelenkt wird und über den Rand der jeweiligen Prallplatte in das in Strömungsrichtung nachgeordnete Volumen strömt. In einer bevorzugten Ausgestaltung haben die Prallplatten einen kreisförmigen Grundriss. Die Prallplatten können mit Haltestangen am Gehäuse des Gaseinlassorgans befestigt sein. Bei einer besonders bevorzugten Ausgestaltung sind insgesamt vier Prallplatten vorgesehen, die sich gegenseitig überlappend und insgesamt die Mündung vollständig überlappend in verschiedenen Abständen an einer oberen Wandung des Gaseinlassorgans befestigt sind. Zur Stabilisierung können die Prallplatten auch mit einem Stabilisierungssteg miteinander verbunden sein. Sie können auch an der Seitenwandung des Gaseinlassorgans oder an der Bodenwandung des Gaseinlassorgans befestigt sein. Die Bodenwandung des Gaseinlassorgans bildet bevorzugt eine Gasaustrittsfläche aus, die eine Vielzahl von regelmäßig und siebartig angeordneten Gasaustrittsöffnungen aufweist. Dieser Gasaustrittsöffnung ist die Mündung der Zuleitung gegenüberliegend zugeordnet. Die Gasaustrittsfläche erstreckt sich in Parallellage gegenüber einer Auflagefläche für Substrate eines Suszeptors. Das Volumen zwischen Gasaustrittsfläche des Gaseinlassorgans und der Auflagefläche des Suszeptors bildet die Prozesskammer aus. Der CVD-Reaktor ist mit einer Gasversorgungseinrichtung leitungsverbunden. Die Gasversorgungseinrichtung ist in der Lage, ein Trägergas und zumindest ein Prozessgas zu dosieren. Die so dosierten Gase werden über die Zuleitung in das Gaseinlassorgan gebracht, wo sie sich zufolge der Prallplattenanordnung auch bei Drucken unterhalb von 1 mbar, bevorzugt bei Drucken unterhalb von 0,1 mbar, homogen verteilen, so dass aus den Gasaustrittsöffnungen homogene Gasströme in die Prozesskammer treten. Der Suszeptor kann als Kühlblock ausgestaltet sein. Er kann bspw. mittels eines Kühlwasserstroms gekühlt werden. Auf den gekühlten Suszeptor werden Substrate aufgelegt, die mit organischen Schichten beschichtet werden. Es kann sich hierbei um OLED-Schichten handeln. Es kann sich aber auch um Polymere handeln. Alternativ dazu kann der Suszeptor aber auch von unten mittels einer IR-Heizung oder einer RF-Heizung beheizt werden. Hierdurch wird die Oberfläche der auf dem Suszeptor aufliegenden zu beschichtenden Substrate auf Prozesstemperatur gebracht. Die in die Prozesskammer eingebrachten Prozessgase, bei denen es sich um metallorganische Verbindungen der Elemente der III. Hauptgruppe und Hydride von Elementen der V. Hauptgruppe handelt, werden auf der Substratoberfläche oder in der Gasphase unmittelbar darüber pyrolytisch zerlegt, so dass die Zerlegungsprodukte eine insbesondere einkristalline III-V-Schicht auf dem Substrat bilden können. An den CVD-Reaktor ist eine Vakuumeinrichtung mit einer Vakuumpumpe angeschlossen, die in der Lage ist, innerhalb der Prozesskammer und innerhalb des Gasverteilvolumens einen konstanten Druck aufrechtzuerhalten, der niedriger ist als 1 mbar. Bevorzugt ist der Druck geringer als 0,1 mbar. Die Abstände der einzelnen, parallel zueinander angeordneten Prallplatten zueinander ist geringer als ihr Durchmesser und auch geringer als der Abstand der der Mündungsöffnung am nächstenliegenden Prallplatte zur Mündungsöffnung.The object is achieved by the invention specified in the claims. First and foremost, a baffle plate assembly is provided of a plurality of baffles. This baffle plate assembly should have both in the inflow direction of the gas can be brought through the supply line in the gas distribution volume as well as transversely offset baffles. It can be provided that each baffle plate in each case lies only in front of a partial surface of the feed mouth. Preferably, however, the entire surface of the mouth is completely covered by the baffle plates. Each of the baffles thus covers only a portion of the total area of the supply line mouth. However, the entirety of the baffle plates completely covers the mouth area in the inflow direction of the gas. This has the consequence that the gas flow emerging from the mouth of the supply line occurs cascade-like against individual and separate baffles arranged at different distances from the orifice. For this purpose, a plurality, in particular three or more, of partial surfaces of the mouth are each covered by a baffle plate arranged at a different distance from the mouth. Also in the baffle plate assembly according to the invention it is provided that the gas stream flowing thereon is deflected substantially at right angles and flows over the edge of the respective baffle plate in the downstream volume in the flow direction. In a preferred embodiment, the baffles have a circular floor plan. The baffles may be secured by handrails on the housing of the gas inlet member. In a particularly preferred embodiment, a total of four baffles are provided, which are mutually overlapping and the mouth are completely overlapping attached at different distances to an upper wall of the gas inlet member. To stabilize the baffles can also be connected to each other with a stabilizing bar. They may also be attached to the side wall of the gas inlet member or to the bottom wall of the gas inlet member. The bottom wall of the gas inlet member preferably forms a gas outlet surface which has a multiplicity of gas outlet openings arranged regularly and in a sieve-like manner. This gas outlet opening is associated with the mouth of the supply line opposite. The gas outlet surface extends in a parallel position relative to a support surface for substrates of a susceptor. The volume between the gas outlet surface of the gas inlet member and the support surface of the susceptor forms the process chamber. The CVD reactor is line connected to a gas supply device. The gas supply device is capable of metering a carrier gas and at least one process gas. The so metered gases are brought via the supply line in the gas inlet member, where they distribute even at pressures below 1 mbar, preferably at pressures below 0.1 mbar, according to the baffle plate assembly, so that from the gas outlet openings homogeneous gas streams into the process chamber to step. The susceptor may be configured as a cooling block. It can, for example, be cooled by means of a cooling water flow. On the cooled susceptor substrates are placed, which are coated with organic layers. These can be OLED layers. But they can also be polymers. Alternatively, however, the susceptor can also be heated from below by means of an IR heater or an RF heater. As a result, the surface of the susceptor resting on substrates to be coated is brought to process temperature. The introduced into the process chamber process gases, which are organometallic compounds of the elements of III. Main group and hydrides of elements of the V main group are pyrolytically decomposed on the substrate surface or in the gas phase immediately above it, so that the decomposition products can form a particular monocrystalline III-V layer on the substrate. Connected to the CVD reactor is a vacuum device having a vacuum pump capable of maintaining a constant pressure within the process chamber and within the gas distribution volume that is less than 1 mbar. Preferably, the pressure is less than 0.1 mbar. The distances between the individual, mutually parallel baffles to each other is less than their diameter and also less than the distance of the mouth of the closest baffle plate to the mouth opening.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:An embodiment of the invention will be explained below with reference to accompanying drawings. Show it:

1 einen Querschnitt durch ein Gaseinlassorgan eines CVD-Reaktors mit darunter liegendem geheizten Suszeptor, 1 a cross section through a gas inlet member of a CVD reactor with underlying heated susceptor,

2 eine Darstellung gemäß Pfeil II in 1 auf die Prallplattenanordnung 9, 10, 11, 12 und 2 a representation according to arrow II in 1 on the baffle plate assembly 9 . 10 . 11 . 12 and

3 ein Blockschaltbild einer CVD-Einrichtung. 3 a block diagram of a CVD device.

Die in der 3 dargestellte CVD-Einrichtung besitzt eine Gasversorgungseinrichtung 14, die in der Lage ist, verschiedene Gase zu dosieren. Die Einrichtung ist insbesondere in der Lage, Wasserstoff, Stickstoff oder ein Edelgas als Trägergas zu dosieren und in ein derartiges Trägergas verschiedene Prozessgase einzumischen.The in the 3 The illustrated CVD device has a gas supply device 14 , which is able to dose different gases. The device is in particular capable of metering hydrogen, nitrogen or a noble gas as the carrier gas and mixing different process gases into such a carrier gas.

Durch die Zuleitung 5 kann somit ein Trägergas zusammen mit einem Prozessgas zu einem CVD-Reaktor transportiert werden. Das Prozessgas setzt sich aus einer metallorganischen Komponente und einem Hydrid zusammen, wobei die metallorganische Komponente die Elemente Gallium, Indium oder Aluminium und das Hydrid die Elemente Arsen, Phosphor oder Stickstoff enthalten kann.Through the supply line 5 Thus, a carrier gas can be transported together with a process gas to a CVD reactor. The process gas is composed of an organometallic component and a hydride, wherein the organometallic component may contain the elements gallium, indium or aluminum and the hydride may contain the elements arsenic, phosphorus or nitrogen.

Die Zuleitung mündet in die Deckelplatte eines im CVD-Reaktor angeordneten Gaseinlassorgans 4 aus einem Metall, insbesondere aus Edelstahl. Die Mündung 5' der Zuleitung 5 besitzt einen Durchmesser von etwa 100 mm. Das Gaseinlassorgan 4 besitzt im Wesentlichen einen zylindrischen Aufbau mit einer kreisförmigen Deckelplatte, in deren Zentrum die Mündung 5' angeordnet ist. Parallel und beabstandet zur Deckelplatte bildet das Gaseinlassorgan 4 eine kreisförmige Gasaustrittsfläche 8 aus, in der eine Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen 7 angeordnet ist. Die Gasaustrittsöffnungen 7 sind dort duschkopfartig angeordnet, weshalb man bei einem derartigen Gaseinlassorgan 4 auch von einem ”Showerhead” spricht.The feed line opens into the cover plate of a gas inlet element arranged in the CVD reactor 4 Made of metal, especially stainless steel. The estuary 5 ' the supply line 5 has a diameter of about 100 mm. The gas inlet organ 4 has substantially a cylindrical structure with a circular cover plate, in the center of the mouth 5 ' is arranged. Parallel and spaced from the cover plate forms the gas inlet member 4 a circular gas outlet surface 8th out, in which a large number of gas outlet openings 7 is arranged. The gas outlet openings 7 are arranged there showerhead, which is why in such a gas inlet member 4 also speaks of a "showerhead".

Unterhalb der Gasaustrittsfläche 8 befindet sich die Prozesskammer 1, deren Boden von einem insbesondere aus Graphit bestehenden Suszeptor 2 ausgebildet ist. Die Gasaustrittsfläche 8 erstreckt sich im Wesentlichen über die gesamte zur Prozesskammer 1 weisenden Oberfläche des Suszeptors 2, auf der mehrere zu beschichtende Substrate angeordnet werden können.Below the gas outlet surface 8th is the process chamber 1 whose bottom is made of a particular graphite susceptor 2 is trained. The gas outlet surface 8th extends essentially over the entire to the process chamber 1 facing surface of the susceptor 2 on which several substrates to be coated can be arranged.

Unterhalb des Suszeptors 2 befindet sich eine Heizung 16. Es kann sich dabei um eine spiralförmige RF-Antenne handeln, die ein Wechselfeld erzeugt, welches im Suszeptor 2 Wirbelströme induziert, die den Suszeptor 2 aufheizen.Below the susceptor 2 there is a heater 16 , It may be a helical RF antenna that generates an alternating field which is in the susceptor 2 Eddy currents induced the susceptor 2 Warm up.

Der Reaktor ist über eine Gasableitung mit einer Vakuumeinrichtung 15 verbunden, die in der Lage ist, mittels einer geregelten Vakuumpumpe innerhalb der Prozesskammer 1 einen Unterdruck von weniger als 1 mbar zu erzeugen. Der Druck im Inneren des Gaseinlassorgans 4, welches ein Gasverteilvolumen 6 ausbildet, liegt ebenfalls im Bereich unter 1 mbar.The reactor is via a gas discharge with a vacuum device 15 which is capable of being controlled by means of a regulated vacuum pump within the process chamber 1 to generate a negative pressure of less than 1 mbar. The pressure inside the gas inlet 4 which is a gas distribution volume 6 is also in the range below 1 mbar.

Innerhalb des Gaseinlassorgans 4 befindet sich eine Prallplattenanordnung, die im Ausführungsbeispiel aus insgesamt vier kreisrunden Scheiben 9, 10, 11, 12 besteht. Aus der 2 ist ersichtlich, dass die Prallplatten 9 bis 12 seitlich versetzt zueinander angeordnet sind. Jede Prallplatte 9 bis 12 überlappt dabei mit einer anderen Prallplatte. Jede Prallplatte 9 bis 12 überlappt aber nur eine Teilfläche der Mündung 5' der Zuleitung. Insgesamt wird aber die gesamte Mündung 5' der Zuleitung 5 von der Gesamtheit der Prallplatten 9 bis 12 überlappt.Inside the gas inlet 4 There is a baffle plate assembly, which in the embodiment of a total of four circular discs 9 . 10 . 11 . 12 consists. From the 2 it can be seen that the baffles 9 to 12 are arranged laterally offset from one another. Each flapper 9 to 12 overlaps with another baffle plate. Each flapper 9 to 12 but overlaps only a part of the mouth 5 ' the supply line. Overall, but the entire estuary 5 ' the supply line 5 from the totality of baffles 9 to 12 overlaps.

Das Zentrum der Öffnungsfläche der Mündung 5' wird von sämtlichen der vier Prallplatten 9 bis 12 überlappt, so dass jede Prallplatte 9 bis 12 jede andere Prallplatte 9 bis 12 teilweise überdeckt. Im Zentrum ist deshalb ein Verbindungssteg 17 vorgesehen, der alle Prallplatten 9 bis 12 voneinander beabstandet. Der Verbindungssteg ist als Gewindeschraube ausgebildet, die durch Öffnung jeweils einer Prallplatte 9 bis 12 hindurch gesteckt ist, wobei zwischen den einzelnen Prallplatten 9 bis 12 von der Verbindungsschraube durchgriffene Distanzhülsen vorgesehen sind. Die Prallplatten 9 bis 12 sind voneinander gleich beabstandet. Der Abstand liegt im Bereich zwischen wenigen Millimetern und wenigen Zentimetern. Der Durchmesser der kreisrunden Prallplatten 9 bis 12 ist geringfügig größer als der Durchmesser der kreisrunden Mündungsfläche der Zuleitung 5. Der Abstand der der Mündung 5' am nächsten liegenden Prallplatte 9 ist wesentlich größer als der Abstand, den die Prallplatten 9 bis 12 untereinander haben.The center of the opening area of the estuary 5 ' gets from all of the four baffles 9 to 12 overlaps, leaving each flapper 9 to 12 every other flapper 9 to 12 partially covered. In the center is therefore a connecting bridge 17 provided, all the baffles 9 to 12 spaced apart. The connecting web is designed as a threaded screw, the opening by a respective baffle plate 9 to 12 is inserted through, being between the individual baffles 9 to 12 Provided by the connecting screw through spacers are provided. The baffles 9 to 12 are equally spaced from each other. The distance is in the range between a few millimeters and a few centimeters. The diameter of the circular baffles 9 to 12 is slightly larger than the diameter of the circular mouth surface of the supply line 5 , The distance from the mouth 5 ' closest baffle plate 9 is much larger than the distance that the baffles 9 to 12 have one another.

Aus der 1 geht hervor, dass jede der Prallplatten 9, 12 einen individuellen Abstand zur Fläche der Mündung 5' besitzt. Die einzelnen Prallplatten 9 bis 12 verlaufen aber parallel zur Fläche der Mündung 5' und parallel zur Gasaustrittsfläche 8.From the 1 it turns out that each of the baffles 9 . 12 an individual distance to the surface of the mouth 5 ' has. The individual baffles 9 to 12 but run parallel to the surface of the mouth 5 ' and parallel to the gas outlet surface 8th ,

Es sind insgesamt vier Haltestangen 13 vorgesehen, mit denen die Prallplatten 9 bis 12 an der Decke des Gaseinlassorgans 4 befestigt sind. Die Haltestangen 13 befinden sich auf den Eckpunkten eines gedachten Quadrates und außerhalb der Zentren der symmetrisch angeordneten Prallplatten 9 bis 12.There are a total of four handrails 13 provided with which the baffles 9 to 12 on the ceiling of the gas inlet 4 are attached. The handrails 13 are located on the vertices of an imaginary square and outside the centers of the symmetrically arranged baffles 9 to 12 ,

Der Grundriss des Gaseinlassorgans 4 kann kreisrund, rechteckig und insbesondere quadratisch sein. Bei einem Totaldruck von etwa 0,25 mbar innerhalb des Gaseinlassorgans bildet sich unterhalb jeder Prallplatte eine Rückströmung aus. Wegen der Versetztlage der einzelnen Prallplatten stören sich die einzelnen Rückströmungen derart, dass sich keine stabilen Strömungsmuster ausbilden, die den Gasaustritt aus den Gasaustrittsöffnungen lokal beeinflussen könnten. Aus den über die gesamte, insbesondere quadratische Gasaustrittsfläche 8 verteilten Gasaustrittsöffnungen treten gleichartige Gasströme aus, so dass sich innerhalb der Prozesskammer, in der typischerweise ein Prozessdruck von 0,1 mbar herrscht, ein homogenes Strömungsfeld ausbildet.The floor plan of the gas inlet organ 4 may be circular, rectangular and in particular square. At a total pressure of about 0.25 mbar within the gas inlet member forms below each baffle plate from a backflow. Because of the offset position of the individual baffle plates, the individual backflows interfere in such a way that no stable flow patterns are formed which could locally influence the gas outlet from the gas outlet openings. From the over the entire, in particular square gas outlet surface 8th distributed gas outlet openings occur similar gas flows, so that forms a homogeneous flow field within the process chamber, in which there is typically a process pressure of 0.1 mbar.

Die Gasaustrittsfläche kann je nach verwendeter Gasmischung, die durch das Gaseinlassorgan in die Prozesskammer eingeleitet wird, gekühlt oder beheizt werden. Selbiges gilt für die Wände und für die Deckelplatte des Gaseinlassorgans.Depending on the gas mixture used, which is introduced into the process chamber through the gas inlet element, the gas outlet surface can be cooled or heated. The same applies to the walls and the cover plate of the gas inlet member.

In einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel wird der Suszeptor 2 nicht von unten mit einer Heizung beheizt. Der Suszeptor besitzt Kühlkanäle, durch die eine Kühlflüssigkeit strömt, um den Suszeptor zu kühlen. Mit einer derartigen Vorrichtung können auf Substraten, die vom Suszeptor getragen werden, organische Schichten, insbesondere Polymere, abgeschieden werden. Bei einer derartigen Vorrichtung kann das gesamte Gaseinlassorgan beheizt werden.In one embodiment, not shown, the susceptor 2 not heated from below with a heater. The susceptor has cooling channels through which a cooling fluid flows to cool the susceptor. With such a device, organic layers, in particular polymers, can be deposited on substrates carried by the susceptor. In such a device, the entire gas inlet member can be heated.

Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren in ihrer fakultativ nebengeordneten Fassung eigenständige erfinderische Weiterbildung des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen.All disclosed features are essential to the invention. The disclosure of the associated / attached priority documents (copy of the prior application) is hereby also incorporated in full in the disclosure of the application, also for the purpose of including features of these documents in claims of the present application. The subclaims characterize in their optional sibling version independent inventive development of the prior art, in particular to make on the basis of these claims divisional applications.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
Prozesskammerprocess chamber
22
Suszeptorsusceptor
33
Substratsubstratum
44
GaseinlassorganGas inlet element
55
Zuleitungsupply
5'5 '
Mündungmuzzle
66
Gasverteilvolumengas distribution volume
77
GasaustrittsöffnungGas outlet
88th
GasaustrittsflächeDischarge area
99
Prallplatteflapper
1010
Prallplatteflapper
1111
Prallplatteflapper
1212
Prallplatteflapper
1313
HaltestangeHandrail
1414
GasversorgungseinrichtungGas supply
1515
Vakuumeinrichtungvacuum equipment
1616
Heizungheater
1717
Verbindungsstegconnecting web

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102006013801 A1 [0002] DE 102006013801 A1 [0002]

Claims (10)

Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem in einer Prozesskammer (1) von einem Suszeptor (2) getragenen Substrat (3) mit Hilfe eines durch ein Gaseinlassorgan (4) in die Prozesskammer eingebrachten Prozessgases, wobei das Gaseinlassorgan (4) ein von einer Zuleitung (5) gespeistes Gasverteilvolumen (6), eine darin vor der Mündung (5') einer Zuleitung (5) für ein in das Gasverteilvolumen (6) bringbaren Gases angeordnete Prallplattenanordnung und eine Vielzahl von in die Prozesskammer mündende Gasaustrittsöffnungen (7) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Prallplattenanordnung aus mehreren, sowohl in Einströmrichtung des Gases als auch quer dazu versetzt liegenden Prallplatten (9, 10, 11, 12) besteht.Device for depositing a layer on a in a process chamber ( 1 ) from a susceptor ( 2 ) supported substrate ( 3 ) by means of a gas inlet member ( 4 ) introduced into the process chamber process gas, wherein the gas inlet member ( 4 ) one from a supply line ( 5 ) fed gas distribution volume ( 6 ), one in front of the mouth ( 5 ' ) of a supply line ( 5 ) for a in the gas distribution volume ( 6 ) arranged gas baffle arrangement and a plurality of opening into the process chamber gas outlet openings ( 7 ), characterized in that the baffle plate arrangement consists of a plurality of baffle plates (both in the inflow direction of the gas and also offset transversely thereto) (US Pat. 9 . 10 . 11 . 12 ) consists. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass jede Prallplatte (9, 10, 11, 12) jeweils nur vor einer Teilfläche der Zuleitungsmündung (5') liegt.Device according to claim 1 or in particular according thereto, characterized in that each baffle plate ( 9 . 10 . 11 . 12 ) only in front of a partial surface of the supply mouth ( 5 ' ) lies. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Fläche der Mündung (5') vollständig von der Gesamtheit der Prallplatten (9, 10, 11, 12) überdeckt ist, wobei eine Vielzahl, insbesondere drei oder mehr von Teilflächen der Mündung (5) jeweils von einer Prallplatte (9, 10, 11, 12) überdeckt ist, wobei jede Teilfläche von einer Prallplatte (9 bis 12) überdeckt ist.Device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the surface of the mouth ( 5 ' ) completely of the entirety of the baffles ( 9 . 10 . 11 . 12 ) is covered, wherein a plurality, in particular three or more of partial surfaces of the mouth ( 5 ) each of a baffle plate ( 9 . 10 . 11 . 12 ) is covered, wherein each partial surface of a baffle plate ( 9 to 12 ) is covered. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Prallplatten (9 bis 12) einen kreisrunden Grundriss aufweisen.Device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the baffle plates ( 9 to 12 ) have a circular floor plan. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass jede Prallplatte eine größere Fläche aufweist als die Fläche der Mündung (5').Device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that each baffle plate has a larger area than the surface of the mouth ( 5 ' ). Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Prallplatten (9 bis 12) mittels Haltestangen (13) am Gehäuse des Gaseinlassorgans (4) befestigt sind.Device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the baffle plates ( 9 to 12 ) by means of handrails ( 13 ) on the housing of the gas inlet member ( 4 ) are attached. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Zuleitung (5) im Zentrum des einen kreisrunden Grundriss aufweisenden Gaseinlassorgans (4) gegenüberliegend zu den Gasaustrittsöffnungen (7) angeordnet ist und die Prallplatten (9 bis 12) parallel zueinander und parallel zur Mündungsfläche ausgerichtet sind.Device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the supply line ( 5 ) in the center of the circular plan having gas inlet member ( 4 ) opposite to the gas outlet openings ( 7 ) is arranged and the baffles ( 9 to 12 ) are aligned parallel to each other and parallel to the mouth surface. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine die Zuleitung (5) speisende Gasversorgungseinrichtung (14) und eine mit der Prozesskammer (1) leitungsverbundenen Vakuumeinrichtung (15), wobei die Vakuumeinrichtung (15) in der Lage ist, innerhalb des Gasverteilvolumens (6) einen Druck unterhalb von 0,1 mbar zu erzeugen.Device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized by a supply line ( 5 ) supplying gas supply device ( 14 ) and one with the process chamber ( 1 ) line-connected vacuum device ( 15 ), wherein the vacuum device ( 15 ) within the gas distribution volume ( 6 ) to produce a pressure below 0.1 mbar. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand der Prallplatten (9, 10, 11, 12) voneinander geringer ist als der Abstand der in Einströmrichtung des Gases der Mündung (5') nächstliegendsten Prallplatte (9) zur Mündung (5').Device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the distance of the baffle plates ( 9 . 10 . 11 . 12 ) is smaller than the distance of the in the inflow direction of the gas of the mouth ( 5 ' ) nearest baffle plate ( 9 ) to the mouth ( 5 ' ). Gaseinlassorgan mit einer Zuleitung (5) zur Speisung eines Gasverteilvolumens (6) mit Prozessgasen, mit im Gasverteilvolumen (6) vor der Mündung (5') in Einströmrichtung des durch die Zuleitung (5) in das Gasverteilvolumen (6) bringbaren Gases angeordneten Prallplattenanordnung und mit einer Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen (7) auf der der Mündung (5') gegenüberliegenden Seite, dadurch gekennzeichnet, dass die Prallplattenanordnung aus mehreren, sowohl in Einströmrichtung als auch quer dazu versetzt liegenden Prallplatten (9, 10, 11, 12) besteht.Gas inlet element with a supply line ( 5 ) for feeding a gas distribution volume ( 6 ) with process gases, with in the gas distribution volume ( 6 ) in front of the mouth ( 5 ' ) in the inflow direction of the through the supply line ( 5 ) into the gas distribution volume ( 6 ) gas arranged arranged baffle plate assembly and with a plurality of gas outlet openings ( 7 ) on the mouth ( 5 ' ) opposite side, characterized in that the baffle plate assembly consists of several, both in the inflow and transverse thereto offset baffles ( 9 . 10 . 11 . 12 ) consists.
DE102010000388A 2010-02-11 2010-02-11 Gas inlet element with baffle plate arrangement Withdrawn DE102010000388A1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010000388A DE102010000388A1 (en) 2010-02-11 2010-02-11 Gas inlet element with baffle plate arrangement
PCT/EP2011/051739 WO2011098420A1 (en) 2010-02-11 2011-02-07 Gas inlet member with baffle plate arrangement
TW100104375A TW201142072A (en) 2010-02-11 2011-02-10 Gas inlet member with baffle plate arrangement

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010000388A DE102010000388A1 (en) 2010-02-11 2010-02-11 Gas inlet element with baffle plate arrangement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102010000388A1 true DE102010000388A1 (en) 2011-08-11

Family

ID=43989843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102010000388A Withdrawn DE102010000388A1 (en) 2010-02-11 2010-02-11 Gas inlet element with baffle plate arrangement

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE102010000388A1 (en)
TW (1) TW201142072A (en)
WO (1) WO2011098420A1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012108986A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Aixtron Se Substrate holder for use in process chamber of semiconductor substrate treatment device, has recess having bearing surfaces which lie in common plane, and wall in region of projections in plan view of top face is straight
DE102017103047A1 (en) 2016-11-29 2018-05-30 Aixtron Se aerosol evaporator
WO2020245493A1 (en) * 2019-06-06 2020-12-10 Picosun Oy Substrate processing methods and apparatus

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI472645B (en) * 2013-06-26 2015-02-11 Univ Nat Central Mocvd gas diffusion system with air inlet baffles
CN111304594A (en) * 2020-04-23 2020-06-19 苏州迈正科技有限公司 Vacuum device and vacuum coating equipment
CN111627791B (en) * 2020-05-29 2022-10-18 中国电子科技集团公司第四十八研究所 Substrate precleaning chamber

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5616373A (en) * 1990-09-14 1997-04-01 Balzers Aktiengesellschaft Plasma CVD method for producing a diamond coating
US5741363A (en) * 1996-03-22 1998-04-21 Advanced Technology Materials, Inc. Interiorly partitioned vapor injector for delivery of source reagent vapor mixtures for chemical vapor deposition
US20020020767A1 (en) * 2000-06-19 2002-02-21 Pyo Sung Gyu Showerhead and liquid raw material supply apparatus using the same
US20020069969A1 (en) * 1999-12-17 2002-06-13 Rose David Jay Method and apparatus for restricting process fluid flow within a showerhead assembly
DE10232206A1 (en) * 2001-07-16 2003-02-27 Samsung Electronics Co Ltd Shower head for supplying reactant gas to process region within reaction chamber during manufacture of semiconductor device, includes top plate, face plate, first baffle plate, second baffle plate, and gap controller
US6565661B1 (en) * 1999-06-04 2003-05-20 Simplus Systems Corporation High flow conductance and high thermal conductance showerhead system and method
US20040129213A1 (en) * 2003-01-07 2004-07-08 Shreter Yury Georgievich Chemical vapor deposition reactor
WO2004073850A1 (en) * 2003-02-14 2004-09-02 Tokyo Electron Limited Gas feeding apparatus
US20040253377A1 (en) * 2002-10-24 2004-12-16 Bok Lowell D. Batch and continuous CVI densification furnace
US20050011447A1 (en) * 2003-07-14 2005-01-20 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for delivering process gas to a process chamber
DE102006013801A1 (en) 2006-03-24 2007-09-27 Aixtron Ag Device for deposition of layer on substrate, comprises reactor housing, base, process chamber, quartz gas discharge plate, gas discharge openings, broad sidewall, gas inlet device, and gas passage openings
DE102006018515A1 (en) * 2006-04-21 2007-10-25 Aixtron Ag CVD reactor with lowerable process chamber ceiling

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6010784A (en) 1998-04-13 2000-01-04 Westvaco Corporation Paperboard laminate for pharmaceutical blister packaging using a hot melt adhesive and calcium carbonate blend
SG125069A1 (en) * 2001-05-17 2006-09-29 Sumitomo Chemical Co Method and system for manufacturing III-V group compound semiconductor and III-V group compound semiconductor
US7613179B2 (en) 2003-11-26 2009-11-03 Nortel Networks Limited Technique for tracing source addresses of packets
EP2573206B1 (en) * 2004-09-27 2014-06-11 Gallium Enterprises Pty Ltd Method for growing a group (iii) metal nitride film

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5616373A (en) * 1990-09-14 1997-04-01 Balzers Aktiengesellschaft Plasma CVD method for producing a diamond coating
US5741363A (en) * 1996-03-22 1998-04-21 Advanced Technology Materials, Inc. Interiorly partitioned vapor injector for delivery of source reagent vapor mixtures for chemical vapor deposition
US6010748A (en) * 1996-03-22 2000-01-04 Advanced Technology Materials, Inc. Method of delivering source reagent vapor mixtures for chemical vapor deposition using interiorly partitioned injector
US6565661B1 (en) * 1999-06-04 2003-05-20 Simplus Systems Corporation High flow conductance and high thermal conductance showerhead system and method
US20020069969A1 (en) * 1999-12-17 2002-06-13 Rose David Jay Method and apparatus for restricting process fluid flow within a showerhead assembly
US20020020767A1 (en) * 2000-06-19 2002-02-21 Pyo Sung Gyu Showerhead and liquid raw material supply apparatus using the same
DE10232206A1 (en) * 2001-07-16 2003-02-27 Samsung Electronics Co Ltd Shower head for supplying reactant gas to process region within reaction chamber during manufacture of semiconductor device, includes top plate, face plate, first baffle plate, second baffle plate, and gap controller
US20040253377A1 (en) * 2002-10-24 2004-12-16 Bok Lowell D. Batch and continuous CVI densification furnace
US20040129213A1 (en) * 2003-01-07 2004-07-08 Shreter Yury Georgievich Chemical vapor deposition reactor
WO2004073850A1 (en) * 2003-02-14 2004-09-02 Tokyo Electron Limited Gas feeding apparatus
US20050011447A1 (en) * 2003-07-14 2005-01-20 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for delivering process gas to a process chamber
DE102006013801A1 (en) 2006-03-24 2007-09-27 Aixtron Ag Device for deposition of layer on substrate, comprises reactor housing, base, process chamber, quartz gas discharge plate, gas discharge openings, broad sidewall, gas inlet device, and gas passage openings
DE102006018515A1 (en) * 2006-04-21 2007-10-25 Aixtron Ag CVD reactor with lowerable process chamber ceiling

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012108986A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Aixtron Se Substrate holder for use in process chamber of semiconductor substrate treatment device, has recess having bearing surfaces which lie in common plane, and wall in region of projections in plan view of top face is straight
DE102017103047A1 (en) 2016-11-29 2018-05-30 Aixtron Se aerosol evaporator
WO2018099718A1 (en) 2016-11-29 2018-06-07 Aixtron Se Aerosol evaporator
WO2020245493A1 (en) * 2019-06-06 2020-12-10 Picosun Oy Substrate processing methods and apparatus
CN113906156A (en) * 2019-06-06 2022-01-07 皮考逊公司 Substrate processing method and apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
TW201142072A (en) 2011-12-01
WO2011098420A1 (en) 2011-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2408952B1 (en) Mocvd reactor having a ceiling panel coupled locally differently to a heat dissipation member
DE102010000388A1 (en) Gas inlet element with baffle plate arrangement
DE60005712T2 (en) METHOD AND DEVICE FOR SUPPLYING PRECURSORS TO SEVERAL EPITAXIAL REACTORS
DE112006003315T5 (en) Gas head and thin film manufacturing device
DE102009043840A1 (en) CVD reactor with strip-like gas inlet zones and method for depositing a layer on a substrate in such a CVD reactor
DE102015101462A1 (en) Method and apparatus for depositing a III-V semiconductor layer
DE102009044276A1 (en) CVD reactor with multi-zone gas cushion substrate holder
DE102008055582A1 (en) MOCVD reactor with cylindrical gas inlet member
DE102010016471A1 (en) Apparatus and method for simultaneously depositing multiple semiconductor layers in multiple process chambers
DE102012102661A1 (en) Method for cleaning walls of process chamber of CVD reactor, involves passing etching gas under different hydrodynamic conditions in process chamber, so that distinct surface portions of walls are subjected to different etching degrees
EP1861520B1 (en) Gas inlet element for a cvd reactor
DE102014105294A1 (en) Apparatus and method for exhaust gas purification on a CVD reactor
DE102009043848A1 (en) CVD method and CVD reactor
DE112014003693B4 (en) Epitaxial reactor
DE102011000092A1 (en) Schichtabscheidesystem, Schichtabscheideverfahren and gas supply device used therein
WO2019038327A1 (en) Treatment device for substrates and method for operating a treatment device for substrates of this kind
DE102011002146B4 (en) Apparatus and method for depositing semiconductor layers with HCI addition to suppress parasitic growth
WO2002044445A1 (en) Method for depositing especially, crystalline layers and device for carrying out the method
DE112014003341B4 (en) Epitaxial reactor
DE112010000724T5 (en) Plasma processing apparatus and plasma CVD film forming method
EP2915901B1 (en) Device for plasma processing with process gas circulation in multiple plasmas
EP3871245A1 (en) Shield plate for a cvd reactor
WO2014128045A1 (en) Cvd device and method for cleaning a processing chamber of a cvd device
DE102014115497A1 (en) Tempered gas supply with diluent gas streams fed in at several points
EP1481117B1 (en) Method and device for depositing semi-conductor layers

Legal Events

Date Code Title Description
R082 Change of representative

Representative=s name: RIEDER & PARTNER PATENTANWAELTE - RECHTSANWALT, 42

Representative=s name: RIEDER & PARTNER PATENTANWAELTE - RECHTSANWALT, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: AIXTRON SE, DE

Free format text: FORMER OWNER: AIXTRON AG, 52134 HERZOGENRATH, DE

Effective date: 20111104

R082 Change of representative

Representative=s name: RIEDER & PARTNER PATENTANWAELTE - RECHTSANWALT, DE

Effective date: 20111104

Representative=s name: RIEDER & PARTNER MBB PATENTANWAELTE - RECHTSAN, DE

Effective date: 20111104

R012 Request for examination validly filed
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee