DE102009045219A1 - Illumination system for microlithography - Google Patents
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Abstract
Wabenkondensor mit mindestens drei optischen Elementen (R1, R2, R3) mit einer Mehrzahl erster, zweiter und dritter Rasterelemente (21, 22, 23), wobei die zweiten Rasterelemente (22) die ersten Rasterelemente (21) mit einem Abbildungsmaßstab (β) in eine Ebene (P) abbilden, wobei die Größe des ausgeleuchteten Bereichs (d') des zweiten Ausleuchtungskanals in der Ebene (P) kleiner oder gleich der Größe (d) des ausgeleuchteten Bereichs unmittelbar vor den ersten Rasterelementen (21) ist und wobei eine Übertragungsoptik den dritten Rasterelementen (23) nachgeordnet ist und die dritten Rasterelemente (23) alle ausgeleuchteten Bereiche der Ebenen (P) mittels der Übertragungsoptik überlagernd in eine Ebene (F) abbilden.Honeycomb condenser with at least three optical elements (R1, R2, R3) with a plurality of first, second and third raster elements (21, 22, 23), wherein the second raster elements (22) the first raster elements (21) with an imaging scale (β) in map a plane (P), the size of the illuminated area (d ') of the second illumination channel in the plane (P) being less than or equal to the size (d) of the illuminated area immediately in front of the first raster elements (21), and with a transmission optics is arranged downstream of the third raster elements (23) and the third raster elements (23) map all the illuminated areas of the planes (P) by means of the transmission optics in a plane (F).
Description
HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION
Gebiet der ErfindungField of the invention
Die Erfindung betrifft ein Beleuchtungssystem für die Mikrolithographie.The invention relates to a lighting system for microlithography.
Stand der TechnikState of the art
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlagen werden zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Eine solche Projektionsbelichtungsanlage weist eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv auf. Im Mikrolithographieprozess wird das Bild eines mit Hilfe der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Retikels mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z. B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Retikelstruktur auf die lichtempfindliche Schicht zu übertragen.Microlithographic projection exposure equipment is used to fabricate microstructured devices such as integrated circuits or LCDs. Such a projection exposure apparatus has an illumination device and a projection objective. In the microlithography process, the image of a reticle illuminated by means of the illumination device is projected onto a photosensitive layer (photoresist) coated with a photosensitive layer (photoresist) and disposed in the image plane of the projection lens (eg, a silicon wafer) to project the reticle structure onto the photosensitive layer transferred to.
Die Leistungsfähigkeit der verwendeten Projektionsbelichtungsanlagen wird nicht nur durch die Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs, sondern auch durch ein Beleuchtungssystem bestimmt, das das Retikel beleuchtet. Die einzelnen Lichtbündel müssen dabei bestimmte Eigenschaften haben, die im Allgemeinen auf das Projektionsobjektiv und das Retikel abgestimmt sind.The performance of the projection exposure equipment used is determined not only by the imaging properties of the projection lens, but also by a lighting system that illuminates the reticle. The individual light bundles must have certain properties that are generally matched to the projection lens and the reticle.
Zu diesen Eigenschaften zählt u. a. die Beleuchtungswinkelverteilung von Lichtbündeln. Mit dem Begriff Beleuchtungswinkelverteilung beschreibt man, wie sich die gesamte Intensität eines Lichtbündels auf die unterschiedlichen Richtungen verteilt, unter denen die einzelnen Strahlen des Lichtbündels auf den betreffenden Punkt in der Retikelebene fallen. Wird die Beleuchtungswinkelverteilung speziell an das in dem Retikel enthaltene Muster angepasst, so lässt sich dieses mit höherer Abbildungsqualität auf den mit Photolack bedeckten Wafer abbilden.These properties include u. a. the illumination angle distribution of light bundles. The term illumination angle distribution describes how the total intensity of a light beam is distributed over the different directions under which the individual rays of the light beam fall onto the relevant point in the reticle plane. If the illumination angle distribution is adapted specifically to the pattern contained in the reticle, then it can be imaged with higher image quality on the photoresist-covered wafer.
Häufig beschreibt man die Beleuchtungswinkelverteilung nicht unmittelbar in der Retikelebene, in welche das zu projizierende Retikel eingebracht wird, sondern als Intensitätsverteilung in einer Pupillenebene, die zu der Retikelebene in einer Fourier-Beziehung steht. Dabei wird die Tatsache ausgenutzt, dass sich jedem Winkel zur optischen Achse, unter dem ein Lichtstrahl eine Feldebene durchtritt, in einer Fourier-transformierten Pupillenebene ein von der optischen Achse aus gemessener Radialabstand zuordnen lässt. Bei einem sogenannten konventionellen Beleuchtungssetting ist beispielsweise der in einer solchen Pupillenebene ausgeleuchtete Bereich eine zur optischen Achse konzentrische Kreisscheibe. Auf jeden Punkt in der Retikelebene fallen somit Lichtstrahlen unter Einfallswinkeln zwischen 0° und einem durch den Radius der Kreisscheibe gegebenen Maximalwinkel. Bei sogenannten nichtkonventionellen Beleuchtungssettings, z. B. Ringfeld-, Dipol- oder Quadrupolbeleuchtung, hat der in der Pupillenebene ausgeleuchtete Bereich die Form eines zur optischen Achse konzentrischen Rings bzw. mehrerer einzelner Bereiche (Pole), die beabstandet von der optischen Achse angeordnet sind. Das zu projizierende Retikel wird bei diesen nichtkonventionellen Beleuchtungssettings somit ausschließlich schief beleuchtet.Frequently, the illumination angle distribution is not described directly in the reticle plane, in which the reticle to be projected is introduced, but as an intensity distribution in a pupil plane, which is in a Fourier relation to the reticle plane. In this case, the fact is exploited that each angle to the optical axis, under which a light beam passes through a field plane, can be assigned a radial distance measured from the optical axis in a Fourier-transformed pupil plane. In a so-called conventional illumination setting, for example, the area illuminated in such a pupil plane is a circular disk concentric with the optical axis. At each point in the reticle plane, light rays thus fall at angles of incidence between 0 ° and a maximum angle given by the radius of the circular disk. In so-called non-conventional lighting settings, e.g. B. ring field, dipole or quadrupole illumination, the area illuminated in the pupil plane has the shape of a concentric to the optical axis ring or more individual areas (poles), which are spaced from the optical axis. The reticle to be projected is thus illuminated only obliquely in these non-conventional illumination settings.
Bei konventionellen Beleuchtungssettings und der Ringfeldbeleuchtung ist die Beleuchtungswinkelverteilung im Idealfall rotationssymmetrisch. Bei der Quadrupolbeleuchtung ist die Beleuchtungswinkelverteilung zwar idealerweise nicht rotationssymmetrisch, jedoch werden die Pole in der Pupillenebene im Idealfall so ausgeleuchtet, dass die Beleuchtungswinkelverteilung eine vierzählige Symmetrie hat. Somit trifft, vereinfacht gesagt, auf einen Feldpunkt in der Retikelebene aus allen vier Richtungen gleich viel Licht auf.In the case of conventional illumination settings and the ring field illumination, the illumination angle distribution is ideally rotationally symmetrical. Although the illumination angle distribution is ideally not rotationally symmetrical in quadrupole illumination, the poles in the pupil plane are ideally illuminated in such a way that the illumination angle distribution has a quadruplicate symmetry. Thus, in simple terms, the same amount of light is incident on a field point in the reticle plane from all four directions.
Diese Symmetrieeigenschaften der jeweiligen Beleuchtungswinkelverteilung sind für eine maßhaltige Abbildung der auf dem Retikel enthaltenen Strukturen von großer Bedeutung. Bei Abweichungen von diesen Symmetrieeigenschaften kann es beispielsweise dazu kommen, dass gleich breite, aber unterschiedlich (z. B. vertikal oder horizontal) auf dem Retikel orientierte Strukturen mit unterschiedlicher Breite auf den Photolack abgebildet werden. Dies kann die einwandfreie Funktion der mikrolithographisch hergestellten Bauelemente beeinträchtigen.These symmetry properties of the respective illumination angle distribution are of great importance for a dimensional representation of the structures contained on the reticle. In the case of deviations from these symmetry properties, for example, it is possible for structures of the same width but different (eg, vertical or horizontal), which are oriented on the reticle, to be imaged onto the photoresist with different widths. This can impair the proper functioning of the microlithographically produced components.
Im Beleuchtungssystem werden daher oft Filter (beispielsweise Graufilter oder polarisationsverändernde Filter) und Blenden verschiedenster Art und Form eingesetzt, um die optischen Eigenschaften des Systems, sprich die gewünschte Beleuchtung des Retikels, zu beeinflussen. Dies kann beispielsweise die Intensitätsverteilung im Feld oder auch der Pupille sein.The illumination system therefore often uses filters (for example gray filters or polarization-changing filters) and diaphragms of various types and shapes in order to influence the optical properties of the system, ie the desired illumination of the reticle. This can be, for example, the intensity distribution in the field or the pupil.
Eine wichtige Blende in vielen Beleuchtungssystemen ist die sogenannte Reticel Masking Blende (kurz REMA-Blende). In der Mikrolithographie ist die bezüglich Intensitätsverteilung homogene Ausleuchtung des abzubildenden Retikels eine wesentliche Anforderung an das Beleuchtungssystem. Für sogenannte Steppersysteme muss das gesamte ausgeleuchtete Feld der Anforderungen genügen, während bei scannenden Systemen die Intensität entlang der Scanrichtung zunächst auf integriert wird und die Variation dieses Integrals entlang der Richtung senkrecht zur Scanrichtung die entscheidende Größe ist.An important aperture in many lighting systems is the so-called Reticel Masking Aperture (REMA Aperture). In microlithography, the homogenous illumination of the reticle to be imaged with respect to intensity distribution is an essential requirement of the illumination system. For so-called stepper systems, the entire illuminated field must meet the requirements, while in scanning systems, the intensity along the scanning direction is initially integrated and the Variation of this integral along the direction perpendicular to the scanning direction is the decisive factor.
Gleichzeitig zur Anforderungen an die Homogenität der Ausleuchtung ist es erforderlich, dass die Intensität am Rand in der Retikelebene innerhalb eines schmalen Bereichs (typischerweise wenige Zehntel Millimeter) auf nahezu null abfällt. Dieser Abfall wird benötigt um zu verhindern, dass auf dem Substrat (dem Wafer) ein benachbarter Bereich vor oder nach der eigentlichen Belichtung ungewollt beleuchtet wird. Dazu wird üblicherweise eine bewegliche Blende zur scharfen Abgrenzung des zu beleuchtenden Bereichs eingesetzt. Da im Bereich des Retikels für eine derartige Blende in üblichen Beleuchtungssystemen kein Bauraum ist wird dieser scharfe Intensitätsabfall in heutigen Systemen realisiert, indem REMA Blenden, die in oder dicht bei einer Zwischenfeldebene angeordnet sind, auf das Retikel mit Hilfe eines Objektivs, dem REMA-Objektiv, abgebildet werden. Bekannte REMA-Objektive sind sehr aufwändig aus vielen optischen Elementen aufgebaut, um eine exakte Abbildung der REMA Blende zu gewährleisten.Concurrently with the requirements for homogeneity of the illumination, it is necessary that the intensity at the edge in the reticle plane falls within a narrow range (typically a few tenths of a millimeter) to almost zero. This waste is required to prevent an adjacent area on the substrate (the wafer) from being inadvertently illuminated before or after the actual exposure. For this purpose, a movable diaphragm is usually used for the sharp delimitation of the area to be illuminated. Since there is no installation space in the region of the reticle for such a diaphragm in conventional illumination systems, this sharp intensity drop is realized in today's systems by placing REMA diaphragms, which are arranged in or close to an intermediate field plane, on the reticle with the aid of a lens, the REMA objective to be imaged. Known REMA lenses are very complex constructed of many optical elements to ensure an accurate imaging of the REMA aperture.
Die vorbeschriebenen Blenden und Filter werden meist in der Pupillen- oder Feldebene angeordnet, um dort gezielt Intensitäts- oder Winkelverteilungen über die gesamte Ebene zu beeinflussen. Dabei sind derartige Elemente oft in Form und Lage manipulierbar ausgelegt. Üblicherweise ist man bei der Wahl bezüglich Anzahl und Lage der Manipulatoren eingeschränkt, da Teile der Elemente, die im den Lichtweg ragen, zu einer Abschattung oder zu unerwünschten Reflexionen führen.The above-described diaphragms and filters are usually arranged in the pupil or field plane, in order to influence selectively intensity or angular distributions over the entire plane. Such elements are often designed to be manipulated in shape and location. Usually one is limited in the choice in terms of number and position of the manipulators, since parts of the elements that protrude in the light path, lead to shading or unwanted reflections.
In der Beleuchtungseinrichtung ist zur Erzielung einer Lichtdurchmischung der Einsatz sogenannter Wabenkondensoren gebräuchlich, welche Rasteranordnungen aus einer Vielzahl strahlablenkender Elemente (z. B. Linsen mit Abmessungen im Millimeterbereich) umfassen. Der Wabenkondensor kann sowohl zur Feldhomogenisierung als auch zur Pupillenhomogenisierung eingesetzt werden. Ein üblicher Wabenkondensor umfasst mindestens zwei optische Elemente, mit ersten und zweiten Rasterelementen zwischen denen in der Regel eine Vielzahl von optischen Kanälen erzeugt wird. Die Homogenisierungswirkung wird beim Wabenkondensor dadurch erzielt, dass durch die optischen Kanäle eine Vielzahl von Bildern der Lichtquelle, sog. sekundäre Lichtquellen, gebildet werden, deren Licht anschließend überlagert wird. Diese Überlagerung führt zu einem gewissen Ausgleich räumlicher Leuchtdichteschwankungen der Lichtquelle. Über die Homogenisierung des Laserlichtes hinaus besteht dabei eine weitere wichtige Aufgabe des Wabenkondensors in der Stabilisierung, was bedeutet, dass die Lage der Ausleuchtung in einer bestimmten Ebene der Beleuchtungseinrichtung gegenüber Variationen von Ort und insbesondere Richtung der von der Laserlichtquelle ausgehenden Strahlenbündel unverändert bleibt.In the illumination device, the use of so-called honeycomb condensers, which comprise grid arrangements comprising a multiplicity of beam-deflecting elements (for example, lenses with dimensions in the millimeter range), is commonly used to achieve light mixing. The honeycomb condenser can be used both for field homogenization and for pupil homogenization. A conventional honeycomb condenser comprises at least two optical elements, with first and second raster elements between which, as a rule, a plurality of optical channels is produced. The homogenization effect is achieved in the honeycomb condenser in that a plurality of images of the light source, so-called secondary light sources, are formed by the optical channels, the light of which is then superimposed. This superposition leads to a certain compensation of spatial luminance fluctuations of the light source. In addition to the homogenization of the laser light, there is another important task of the honeycomb condenser in the stabilization, which means that the position of the illumination in a particular plane of the illumination device remains unchanged with respect to variations of location and in particular direction of the beam emanating from the laser light source.
Herkömmlichen Wabenkondensoren sind aus zwei Rasteranordnungen von strahlablenkenden Linsen aufgebaut, wobei zur Erzielung der vorstehend beschriebenen Stabilisierung die in Lichtausbreitungsrichtung erste Rasteranordnung notwendigerweise in einem Abstand von der in Lichtausbreitungsrichtung zweiten Rasteranordnung angeordnet sein muss, welcher der Brennweite der strahlablenkenden Elemente bzw. Linsen der zweiten Rasteranordnung entspricht.Conventional honeycomb condensers are constructed from two grid arrangements of beam-deflecting lenses, in order to achieve the stabilization described above, the first grid arrangement in the light propagation direction must necessarily be arranged at a distance from the second grid arrangement in the light propagation direction, which corresponds to the focal length of the beam deflecting elements or lenses of the second grid arrangement ,
Aus
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Wie im Weiteren noch detaillierter erläutert, ermöglicht es der Einsatz von Wabenkondensoren, welche aus wenigstens drei Arrays von strahlablenkenden Elementen aufgebaut sind, Einschränkungen bezüglich des Ortes und des Aufbaus von Blenden und Filter zu umgehen und gleichzeitig die gewünschten Wirkungen bei verringertem Aufwand zu erzielen.As explained in more detail below, the use of honeycomb condensers, which are constructed from at least three arrays of beam deflecting elements, allows circumventing restrictions on the location and structure of diaphragms and filters while achieving the desired effects with reduced effort.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Wabenkondensor, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, bereitzustellen, welcher die vorstehend erläuterten Nachteile zumindest weitgehend vermeidet und insbesondere eine verbesserte Homogenisierung und Stabilisierung des Beleuchtungslichtes ermöglicht.It is an object of the present invention to provide a honeycomb condenser, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus, which at least largely avoids the disadvantages explained above and in particular enables improved homogenization and stabilization of the illumination light.
Diese Aufgabe gelöst durch einen Wabenkondensor mit einem ersten optischen Element mit einer Mehrzahl erster Rasterelementen, das durch eine Lichtquelle ausgeleuchtet wird und wobei das von der Lichtquelle her einfallende Lichtbündel durch die ersten Rasterelemente in konvergente Lichtbündel mit je einem Fokuspunkt zerlegt wird, sowie einem zweiten optischen Element mit einer Mehrzahl zweiter Rasterelemente, wobei jedem Lichtbündel, welches vom ersten Rasterelement ausgebildet wird, ein zweites Rasterelement zugeordnet ist und Rasterelementpaare aus jeweils einem Rasterelement des ersten und einem Rasterelement des zweiten optischen Elements eine Mehrzahl von ersten Ausleuchtungskanälen vorgeben. Weiter ist vorgesehen ein drittes optisches Element mit dritten Rasterelementen, wobei jedem Lichtbündel, welches vom zweiten Rasterelement ausgebildet wird, ein drittes Rasterelement zugeordnet ist und Rasterelementpaare aus jeweils einem Rasterelement des zweiten und einem Rasterelement des dritten optischen Elements eine Mehrzahl von zweiten Ausleuchtungskanälen vorgeben. Dabei bilden die zweiten Rasterelemente die ersten Rasterelemente mit einem Abbildungsmaßstab in mindestens eine Ebene P ab, wobei die Größe des ausgeleuchteten Bereichs des zweiten Ausleuchtungskanals in der Ebene P kleiner oder gleich der Größe des ausgeleuchteten Bereichs unmittelbar vor den ersten Rasterelementen beträgt, und eine Übertragungsoptik den dritten Rasterelementen nachgeordnet ist und die dritten Rasterelemente alle ausgeleuchteten Bereiche der Ebenen P mittels der Übertragungsoptik überlagernd in eine Ebene F abbilden.This object is achieved by a honeycomb condenser with a first optical element having a plurality of first raster elements which is illuminated by a light source and wherein the light beam incident from the light source is decomposed by the first raster elements into convergent light bundles each having a focal point, and a second optical Element with a plurality second raster elements, wherein each light bundle, which is formed by the first raster element, a second raster element is assigned and set raster element pairs each of a raster element of the first and a raster element of the second optical element, a plurality of first illumination channels. Furthermore, a third optical element with third raster elements is provided, each light bundle formed by the second raster element being assigned a third raster element and raster element pairs each of a raster element of the second and a raster element of the third optical element prescribing a plurality of second illumination channels. The second raster elements form the first raster elements with a magnification in at least one plane P, wherein the size of the illuminated area of the second illumination channel in the plane P is less than or equal to the size of the illuminated area immediately before the first raster elements, and a transmission optics is arranged downstream of the third raster elements and the third raster elements superimpose all illuminated areas of the planes P into a plane F by means of the transmission optics.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung weist die Übertragungsoptik eine Kondensorlinse auf.In an advantageous embodiment, the transmission optics on a condenser lens.
In einer weiteren Ausgestaltung weist die Übertragungsoptik in dieser Reihenfolge auf:
Ein viertes optisches Element mit vierten Rasterelementen, wobei jedem Lichtbündel, welches vom dritten Rasterelement ausgebildet wird, ein viertes Rasterelement zugeordnet ist;
ein fünftes optisches Element mit fünften Rasterelementen, wobei jedem Lichtbündel, welches vom vierten Rasterelement ausgebildet wird, ein fünftes Rasterelement zugeordnet ist
eine Kondensorlinse, die die Lichtbündel ausgehend von den fünften Rasterelemente des optischen Elements überlagernd in die Ebene F abbildet.In a further embodiment, the transmission optics in this order:
A fourth optical element with fourth raster elements, wherein each light bundle, which is formed by the third raster element, a fourth raster element is associated;
a fifth optical element with fifth grid elements, wherein each light bundle, which is formed by the fourth grid element, a fifth grid element is associated
a condenser lens, which images the light beams superimposing on the fifth scanning elements of the optical element into the plane F.
Das hat den Vorteil, dass eine Parzellierung der Intensitätsverteilung nach dem Wabenkondensor vermieden wird.This has the advantage that a parceling of the intensity distribution after the honeycomb condenser is avoided.
In einer weiteren Ausführungsform ist mindestens ein Rasterelement oder der Kondensor entlang der optischen Achse verschiebbar angeordnet. Damit lässt sich eine Anpassung der Abbildung an vom Idealfall abweichende Bedingungen erreichen, beispielsweise eine Korrektur der Telezentrie.In a further embodiment, at least one raster element or the condenser is displaceably arranged along the optical axis. This makes it possible to adapt the image to conditions deviating from the ideal case, for example a correction of the telecentricity.
Vorteilhafterweise ist in oder in der Nähe der Ebene P in mindestens einem der zweiten Ausleuchtungskanäle eine zugeordnete Filtereinrichtung zur Manipulation des im jeweiligen zweiten Ausleuchtungskanal geführten Beleuchtungslicht angeordnet.Advantageously, an associated filter device for manipulating the illumination light guided in the respective second illumination channel is arranged in or in the vicinity of the plane P in at least one of the second illumination channels.
Zudem kann eine erste Filtereinrichtung im Beleuchtungslicht des zweiten Ausleuchtungskanals angeordnet sein und mindestens eine zweite Filtereinrichtung außerhalb des Beleuchtungslicht des zweiten Ausleuchtungskanals vorgehalten wird und in das im zweiten Ausleuchtungskanal geführten Beleuchtungslicht eingebracht werden kann.In addition, a first filter device can be arranged in the illumination light of the second illumination channel and at least one second filter device is kept outside the illumination light of the second illumination channel and can be introduced into the illumination light guided in the second illumination channel.
Damit lassen sich verschiedene Parameter des Beleuchtungslichts beispielsweise einer Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage beeinflussen.In this way, various parameters of the illumination light, for example a lighting device of a microlithographic projection exposure apparatus, can be influenced.
Vorteilhaft ist die mindestens zweite Filtereinrichtung verschieden von der ersten Filtereinrichtung, um so schnell verschiedene Filter in den Wabenkondensor einbringen zu können.Advantageously, the at least second filter device is different from the first filter device in order to be able to quickly introduce different filters into the honeycomb condenser.
In weiteren vorteilhaften Ausführungsformen umfasst die Filtereinrichtung des Wabenkondensors mindestens eine Blende zur Begrenzung des Beleuchtungslichts und ist entlang der optischen Achse oder in mindestens eine Richtung senkrecht zur optischen Achse beweglich ist.In further advantageous embodiments, the filter device of the honeycomb condenser comprises at least one diaphragm for limiting the illumination light and is movable along the optical axis or in at least one direction perpendicular to the optical axis.
Besonders vorteilhaft begrenzt die Öffnung der Blende die Größe und Form des im jeweiligen zweiten Ausleuchtungskanal geführten Beleuchtungslichts in der Ebene P.Particularly advantageously, the aperture of the aperture limits the size and shape of the illumination light guided in the respective second illumination channel in the plane P.
Damit lassen sich gezielt Intensitätsverteilungen in der Ebene F manipulieren.This makes it possible to manipulate intensity distributions in the plane F in a targeted manner.
In einer weiteren Ausführungsform weisen eine Vielzahl der zweiten Ausleuchtungskanäle die Blenden auf, wobei alle Blenden in einem Blendenraster angeordnet sind und dadurch alle Blenden gemeinsam in gleicher Weise bewegt werden können. Damit lassen sich synchron viele Ausleuchtungskanäle zugleich manipulieren.In a further embodiment, a plurality of the second illumination channels on the apertures, wherein all the apertures are arranged in a screen grid and thereby all the panels can be moved together in the same way. In this way, synchronously many illumination channels can be manipulated at the same time.
In einer weiteren Ausführungsform können die Öffnungen der Blenden in Form und Größe verändert werden, um weitere Manipulationsmöglichkeiten zu erhalten.In a further embodiment, the openings of the panels can be changed in shape and size in order to obtain further manipulation possibilities.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung des Wabenkondensors weist die Filtereinrichtung wenigstens ein Filterelement auf, das in das im zweiten Ausleuchtungskanal geführten Beleuchtungslicht eingebracht werden kann, wobei das Filterelement eine Stelleinrichtung aufweist, so dass das Filterelement mit Hilfe der Stelleinrichtung in unterschiedliche Positionen im zweiten Ausleuchtungskanal verbracht werden kann. Dabei kann die Filtereinrichtung eine Vielzahl von Filterelementen umfassen.In an advantageous embodiment of the honeycomb condenser, the filter device has at least one filter element which can be introduced into the illumination light guided in the second illumination channel, wherein the filter element has an adjusting device, so that the filter element can be moved into different positions in the second illumination channel with the aid of the adjusting device. In this case, the filter device may comprise a plurality of filter elements.
Damit kann man gezielt in einem Ausleuchtungskanal dynamisch verschiedene Manipulationen des Beleuchtungslichts im Kanal erreichen.This can be targeted in an illumination channel to achieve different manipulations of the illumination light in the channel.
Die Filterelemente können dabei als lineare oder lokal variierende Graufilterstrukturen, dielektrische Schichtstrukturen, polarisationsverändernde Filter, schaltbare Flüssigkristall-Elemente oder phasenverändernde Elemente ausgebildet sein. In einer Fortbildung sind die Filterelemente auf einem oder mehreren Filtersubstraten angeordnet. The filter elements can be designed as linear or locally varying gray filter structures, dielectric layer structures, polarization-changing filters, switchable liquid crystal elements or phase-changing elements. In a further development, the filter elements are arranged on one or more filter substrates.
Damit lassen vorteilhafterweise sich die verschiedensten Parameter des Beleuchtungslichts beeinflussen.This can advantageously affect the most varied parameters of the illumination light.
In einer weiteren Ausführung ist das Filtersubstrat vorteilhafterweise in mindestens eine Richtung senkrecht zur optischen Achse beweglich derart, dass das mindestens zweite Filterelement in das im zweiten Ausleuchtungskanal geführten Beleuchtungslicht eingebracht werden kann.In a further embodiment, the filter substrate is advantageously movable in at least one direction perpendicular to the optical axis, such that the at least second filter element can be introduced into the illumination light guided in the second illumination channel.
In einer weiteren Ausgestaltung sind die Filtersubstrate unabhängig voneinander in eine Richtung senkrecht zur optischen Achse beweglich wodurch das mindestens zweite Filterelement in das im zweiten Ausleuchtungskanal geführten Beleuchtungslicht eingebracht werden kann.In a further embodiment, the filter substrates are movable independently of one another in a direction perpendicular to the optical axis, whereby the at least second filter element can be introduced into the illumination light guided in the second illumination channel.
Damit ist man noch variabler in den Manipulationsmöglichkeiten.This one is even more variable in the manipulation possibilities.
In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform ist bzw. sind wenigstens eines der strahlablenkenden optischen Elemente des Wabenkondensors, insbesondere sämtliche dieser strahlablenkenden optischen Elemente, als Spiegel ausgebildet. Damit kann Licht manipuliert insbesondere für Anwendungen in der Mikrolithographie im EUV-Bereich werden.In a further advantageous embodiment, at least one of the beam-deflecting optical elements of the honeycomb condenser, in particular all of these beam-deflecting optical elements, is or are designed as a mirror. This allows light to be manipulated, in particular for applications in microlithography in the EUV sector.
In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform ist bzw. sind wenigstens eines der strahlablenkenden optischen Elemente des Wabenkondensors, insbesondere sämtliche dieser strahlablenkenden optischen Elemente, als refraktive Linse ausgebildet.In a further advantageous embodiment, at least one of the beam-deflecting optical elements of the honeycomb condenser, in particular all of these beam-deflecting optical elements, is or are designed as a refractive lens.
Vorteilhafterweise ist der Wabenkondensor für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 200 nm, weiter insbesondere weniger als 160 nm, und weiter insbesondere von weniger als 15 nm ausgelegt. Das hat den besonderen Vorteil, dass der Wabenkondensor für die Mikrolithographie in einem breiten Wellenlängenbereich verwendbar ist.Advantageously, the honeycomb condenser is designed for an operating wavelength of less than 200 nm, more particularly less than 160 nm, and more particularly less than 15 nm. This has the particular advantage that the honeycomb condenser can be used for microlithography in a wide wavelength range.
Vorteilhafterweise ist wenigstens ein Wabenkondensor zumindest in unmittelbarer Nähe einer Pupillenebene oder einer Feldebene einer Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage angeordnet.Advantageously, at least one honeycomb condenser is arranged at least in the immediate vicinity of a pupil plane or a field plane of a lighting device of a microlithographic projection exposure apparatus.
Damit lassen sich sowohl die Winkel- als auch die Intensitätsverteilung am Retikel einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage beeinflussen.Thus, both the angle and the intensity distribution on the reticle of a microlithographic projection exposure apparatus can be influenced.
Weiter wird die Aufgabe gelöst durch eine Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einem erfindungsgemäßen Wabenkondensor.Furthermore, the object is achieved by an illumination device of a microlithographic projection exposure apparatus having a honeycomb condenser according to the invention.
Eine weitere Lösung der Aufgabe erfolgt durch eine Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine Objektebene des Projektionsobjektivs beleuchtet und das Projektionsobjektiv diese Objektebene auf eine Bildebene abbildet, wobei Beleuchtungseinrichtung einen erfindungsgemäßen Wabenkondensor aufweist.A further solution of the object is achieved by a microlithographic projection exposure apparatus having an illumination device and a projection objective, wherein the illumination device illuminates an object plane of the projection objective during operation of the projection exposure apparatus and the projection objective images this object plane onto an image plane, illumination device having a honeycomb condenser according to the invention.
Weiter wird die Aufgabe gelöst durch eine Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage ein Retikel in einer Objektebene des Projektionsobjektivs zumindest zu einem Teil beleuchtet und das Projektionsobjektiv diesen beleuchteten Teil dieser Objektebene mit einem Maßstab M auf zumindest einen Teil des Wafers in der Bildebene abbildet, und wobei der Wafer synchron mit dem Retikel senkrecht zur optischen Achse bewegt werden kann. Dabei weist die Beleuchtungseinrichtung einen erfindungsgemäßen Wabenkondensor mit einem Blendenraster auf, wobei dass das Blendenraster senkrecht zur optischen Achse synchron zur Bewegung des Retikels bewegt werden kann.Furthermore, the object is achieved by a microlithographic projection exposure apparatus with a lighting device and a projection lens, wherein the lighting device illuminates a reticle in an object plane of the projection lens at least in part during operation of the projection exposure apparatus and the projection lens illuminates this illuminated part of this object plane with a scale M to at least one Part of the wafer is imaged in the image plane, and wherein the wafer can be moved synchronously with the reticle perpendicular to the optical axis. In this case, the illumination device has a honeycomb condenser according to the invention with a diaphragm grid, wherein the diaphragm grid can be moved perpendicular to the optical axis synchronously with the movement of the reticle.
Weiter wird die Aufgabe gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils, wobei eine Beleuchtungseinrichtung ein Retikel in einer Objektebene eines nachgeordneten Projektionsobjektivs zumindest zu einem Teil mit einem Beleuchtungslicht beleuchtet und das Projektionsobjektiv diesen beleuchteten Teil des Retikels mit einem Maßstab M auf zumindest einen Teil des Wafers abbildet. Dabei wird das Retikel mit einer Maskenstruktur in zumindest eine erste Richtung, der Scanrichtung, relativ zum Beleuchtungslicht bewegt, wobei der Wafer synchron mit dem Retikel bewegt wird mit einer Geschwindigkeit, die in einem Verhältnis M zur Geschwindigkeit des Retikels steht. Zudem wird ein Blendenraster, dass in einer Beleuchtungseinrichtung in einem Wabenkondensor in oder nahe einer zur Retikelebene optisch konjugierten Feldebene angeordnet ist, synchron zur Bewegung des Retikels bewegt, wobei der Wafer derart scannend belichtet wird, dass zu Beginn und am Ende des Belichtungsvorgangs das Blendenraster das Beleuchtungslicht vollständig blockiert und dass während des Belichtungsvorgangs das Beleuchtungslicht synchron zur Bewegung des Retikels zu Anfang freigegeben und am Ende wieder blockiert wird.Furthermore, the object is achieved by a method for producing a microstructured component, wherein a lighting device illuminates a reticle in an object plane of a downstream projection lens at least in part with an illumination light and the projection lens this illuminated part of the reticle with a scale M on at least a part of Wafers maps. In this case, the reticle is moved with a mask structure in at least a first direction, the scanning direction, relative to the illumination light, wherein the wafer is moved synchronously with the reticle at a speed that is in a ratio M to the speed of the reticle. In addition, a diaphragm grid arranged in a lighting device in a honeycomb condenser in or near a field plane optically conjugate to the reticle plane is moved synchronously with the movement of the reticle, the wafer being exposed in such a scanning manner that at the beginning and at the end of the exposure process, the shutter grid illumination light completely blocked and that during the exposure process the illumination light is released in synchronism with the movement of the reticle initially and blocked at the end again.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.Further embodiments of the invention are described in the description and the dependent claims.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.The invention will be explained in more detail with reference to embodiments shown in the accompanying drawings.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
Es zeigen:Show it:
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMENDETAILED DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS
Der Wabenkondensor umfasst zwei in z-Richtung hintereinander angeordnete Rasteranordnungen
Die Rasterelemente können beispielsweise einen runden oder auch einen rechteckigen Querschnitt aufweisen. Die Rasterelemente sind 2-dimensional in einer x-y-Ebene senkrecht zur optischen Achse, die in z-Richtung verläuft, derart angeordnet, dass jeweils ein erstes Rasterelement genau ein zweites Rasterelement ausleuchtet. Dadurch wird ein Kanalübersprechen, im Falle einer zu großen Ausleuchtung, oder eine Unterfüllung der Kanäle, im Falle einer zu kleinen Ausleuchtung, vermieden. Der Kanaldurchmesser d entspricht damit dem Durchmesser, hier beispielsweise in y-Richtung, der Rasterelemente. Die Rasterelemente sind üblicherweise lückenlos aneinandergereiht, so dass daher auch die entsprechenden Kanäle lückenlos angeordnet sind. Um diese Eigenschaft auch bei variierenden Einfallswinkeln, zum Beispiel durch Schwankungen der Laserdivergenz, auf die Rasterelemente des ersten optischen Elements
Will man nun zwischen den Rasteranordnungen
Die Erfinder haben nun erkannt, dass man einen Wabenkondensor, der aus mindestens drei Rasteranordnungen mit Rasterelementen aufgebaut ist, so auslegen kann, dass zwischen einer zweiten und einer dritten Rasteranordnung der Kanaldurchmesser kleiner als der Durchmesser des Kanals zwischen der ersten und der zweiten Rasteranordnung ist und dabei unabhängig vom Einfallswinkel auf die erste Rasteranordnung ist. Damit gewinnt man beleuchtungsfreien Bauraum, in den man zur gezielten Beeinflussung einzelner Kanäle beispielsweise Blenden oder Filter einbringen kann um diese zur Manipulation vorzuhalten.The inventors have now recognized that one can interpret a honeycomb condenser, which is composed of at least three grid arrangements with grid elements, so that between a second and a third grid arrangement, the channel diameter is smaller than the diameter of the channel between the first and the second grid arrangement and it is independent of the angle of incidence on the first grid arrangement. This gives you illumination-free space, in which you can bring in for targeted influencing of individual channels, for example, screens or filters to hold them for manipulation.
In den
Ein Rasterelement kann auch statt eines einzelnen strahlablenkenden optischen Elements, beispielsweise einer Linse, aus einer Gruppe strahlablenkender optischer Elemente bestehen.A raster element can also consist of a group of beam-deflecting optical elements instead of a single beam-deflecting optical element, for example a lens.
Beispielsweise kann das Rasterelement aus zwei plankonvexen Linsen statt aus einer bikonvexen Linse. Alle anderen für den Fachmann geeigneten Kombinationen von strahlablenkenden optischen Elementen sind ebenfalls denkbar.For example, the grid element of two plano-convex lenses instead of a biconvex lens. All other combinations of beam deflecting optical elements suitable for the person skilled in the art are also conceivable.
So können die strahlablenkenden optischen Elemente als Spiegel ausgebildet sein. Damit kann Licht manipuliert insbesondere für Anwendungen in der Mikrolithographie im EUV-Bereich werden. Weiterhin ist es möglich, die strahlablenkenden Elemente als diffraktive optische Elemente auszubilden, beispielsweise als Gitterstrukturen oder computergenerierte Hologramme.Thus, the beam deflecting optical elements may be formed as a mirror. This allows light to be manipulated, in particular for applications in microlithography in the EUV sector. Furthermore, it is possible to form the beam deflecting elements as diffractive optical elements, for example as grating structures or computer-generated holograms.
Der Wabenkondensor weist drei in Lichtausbreitungsrichtung (entsprechend der z-Richtung im eingezeichneten Koordinatensystem) hintereinander befindliche Rasteranordnungen R1, R2, R3 auf, welche jeweils eine Vielzahl von strahlablenkenden Rasterelementen
In
Die Rasterelemente
Das Rasterelement
Am ersten Rasterelement
Ziel der Auslegung der Kanäle des erfindungsgemäßen Wabenkondensors ist es, dass der Durchmesser d' der ausgeleuchteten Fläche in der Ebene P kleiner ist als der Kanaldurchmesser d am Eintritt vor dem ersten Rasterelement
In
Für den Betrag des Abbildungsmaßstabs β gilt dann:
Weiter muss als Abbildungsbedingungen gelten:
Für den Betrag des Abbildungsmaßstabs β' gilt
Es ist im allgemeinsten Fall möglich, die Brennweiten f1 bis f4 und die Abstände z1 bis z4 so zu wählen, das die Brennweiten bzw. deren Additionen nicht mit den Abständen z1 bis z4 übereinstimmen, sondern um Abstände vi abweichen. Dies ist in
Es gilt dann:
In
Die Lage der Ebene P bestimmt sich hier aus der Bildweite a' des Systems aus den beiden Rasterelementen
Die Gegenstandsweite a ist (f1 + f2) und die Bildweite a' ist β·(f1 + f2). Daher sind die Brennweite f2 und Bildweite a' im Allgemeinen ungleich.The object distance a is (f 1 + f 2 ) and the image distance a 'is β · (f 1 + f 2 ). Therefore, the focal length f2 and image width a 'are generally unequal.
Erfindungsgemäß ergibt sich für die Brennweiten daher folgender Zusammenhang:
Außerdem gilt:
Damit ist sichergestellt, dass in der Ebene P der Kanaldurchmesser nie größer als d' werden kann, auch wenn der Divergenzwinkel α am Eingang des erfindungsgemäßen Wabenkondensors an der Eintrittsfläche des ersten Rasterelements
Damit hat man zwischen den zweiten und dritten Rasterelementen
Da auf Grund der erfindungsgemäßen Auslegung des Wabenkondensors sichergestellt ist, dass der Kanaldurchmesser d' nicht überschritten wird, können die optischen Elemente ohne Abschattung des Lichtwegs vorgehalten werden. Dies kann, wie in den
Die Kanaleinschnürung in der Ebene P ist daher in vorteilhafterweise geeignet, ein optisches Element zur Manipulation von Einzelkanälen eines Beleuchtungssystems ohne Störung des Lichtwegs einzubringen und damit flexibel und gezielt optische Parameter des Beleuchtungssystems einzustellen.The Kanaleinschnürung in the plane P is therefore advantageously suitable to introduce an optical element for manipulating individual channels of a lighting system without disturbing the light path and thus flexibly and selectively set optical parameters of the lighting system.
In
In der Ausführungsform aus den
Der Wabenkondensor weist fünf in Lichtausbreitungsrichtung (entsprechend der z-Richtung im eingezeichneten Koordinatensystem) hintereinander befindliche Rasteranordnungen R1–R5 auf, welche jeweils eine Vielzahl von strahlablenkenden Rasterelementen
Die Rasterelemente
Für die Brennweiten gilt:
Außerdem gilt:
Auf Grund dieser Auslegung sind in
Der Aufbau des Kanals in
Zudem ist es möglich, in einem erfindungsgemäßen Wabenkondensor mehr als einen Bereich mit einer Kanaleinschnürung zu schaffen, in dem man weitere Rasteranordnungen in geeigneter Weise anordnet. Dies kann beispielsweise dadurch geschehen, dass man das Rasterelement nach der Kanaleinschnürung, im Beispiel des dreistufigen Wabenkondensors Rasterelement
Zum besseren Verständnis der verschiedenen Einsatzmöglichkeiten des Wabenkondensors wird zuerst ein typischer Aufbau einer Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage erklärt.To better understand the various uses of the honeycomb condenser, a typical structure of a microlithography projection exposure apparatus will first be explained.
In
Das Licht der Lichtquelle
Der aufgeweitete Laserstrahl hat eine bestimmte Querschnittsfläche mit einem Flächeninhalt beispielsweise im Bereich zwischen 100 mm 1.000 mm2 und eine bestimmte Querschnittsform, beispielsweise eine quadratische Querschnittsform. Die Divergenz des aufgeweiteten Laserstrahls ist in der Regel kleiner als die sehr geringe Divergenz des Laserstrahls vor der Strahlaufweitung. Die Divergenz kann z. B. zwischen ca. 0,3 mrad und ca. 3 mrad liegen.The expanded laser beam has a certain cross-sectional area with an area, for example, in the range between 100 mm 1000 mm 2 and a certain cross-sectional shape, for example, a square cross-sectional shape. The divergence of the expanded laser beam is usually smaller than the very small divergence of the laser beam before beam expansion. The divergence can z. B. between about 0.3 mrad and about 3 mrad are.
Der aufgeweitete Laserstrahl tritt in eine Pupillenformungseinheit
Die Pupillenformungseinheit
In unmittelbarer Nähe der Pupillenfläche
Das optische Rasterelement
Das nachfolgende Maskierungsobjektiv
Diejenigen optischen Komponenten, die das Licht des Lasers
Hinter der Retikelebene
Das zu belichtende Substrat, bei dem es sich im Beispielsfall um einen Halbleiterwafer
Die Pupillenfläche
In
In
Ein erfindungsgemäßer Wabenkondensor wie oben beschrieben, kann je nach gewünschter Aufgabe am Ort der pupillendefinierenden oder der felddefinierenden Einheit angeordnet sein. Wie oben geschildert können an diesen Orten mit optischen Elementen entweder die Intensitätsverteilung oder die Winkelverteilung am Ort des Retikels R manipuliert werden. Setzt man den erfindungsgemäßen Wabenkondensor ein, lassen sich diese Manipulationen sehr flexibel und zudem kanalbezogen durchführen.A honeycomb condenser according to the invention as described above can be arranged at the location of the pupil-defining or the field-defining unit, depending on the desired task. As described above, at these locations with optical elements, either the intensity distribution or the angular distribution at the location of the reticle R can be manipulated. If one uses the honeycomb condenser according to the invention, these manipulations can be carried out very flexibly and also channel-related.
Anhand der
Wie weiter oben angesprochen dient die REMA-Einheit dazu, eine möglichst scharfe und dynamische Begrenzung des Feldes auf dem Retikel bei scannenden Systemen, den sogenannten „step-and-scan”-Systemen zu erreichen.As mentioned above, the REMA unit serves to achieve the sharpest and most dynamic possible limitation of the field on the reticle in scanning systems, the so-called "step-and-scan" systems.
Bei einem „step-and-scan”-System wird nur ein schlitzförmiges Beleuchtungsfeld (Beleuchtungsschlitz) eingesetzt, um den Wafer zu belichten. Der Beleuchtungsschlitz wird über das Retikel geführt (scan), indem das Retikel
Da das Projektionsobjektiv üblicherweise, wie oben beschrieben, eine verkleinernde Abbildung macht, muss die Scan-Geschwindigkeit des Retikels und auch der REMA-Blenden im selben Maßstab M größer sein als die des Wafers.Since the projection lens usually makes a downsizing image as described above, the scanning speed of the reticle and also of the REMA diaphragms on the same scale M must be greater than that of the wafer.
Zum Zeitpunkt t = t1 erreicht die ,Vorderkante' des zu belichtenden Wafers
Auf diese Weise wird sichergestellt, dass nur der Bereich des Wafers
An ein REMA-Objektiv
Zudem müssen die REMA-Blenden über große Wege mit hoher Geschwindigkeit verfahren werden.In addition, the REMA diaphragms must be moved over long distances at high speed.
Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Wabenkondensors zusammen mit dem Einsatz einer speziell aufgebauten Blende ist es nun möglich, das REMA-Objektiv und die üblichen REMA-Blenden zu ersetzen.With the help of the honeycomb condenser invention together with the use of a specially constructed aperture, it is now possible to replace the REMA objective and the usual REMA diaphragms.
Dazu wird der erfindungsgemäße Wabenkondensor als felddefinierende Einheit (FDE) im Beleuchtungssystem einer Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage eingesetzt, beispielsweise in
In
Das Blendenraster
Die Abbildung durch den Kondensor K muss eine Abbildung der einzelnen Blendenöffnungen
Die Funktionsweise wird nun im Folgenden näher erläutert. The mode of operation will now be explained in more detail below.
Durch entsprechendes Verfahren des Blendenrasters
Danach werden die gepunktet gezeichneten Strahlen und zuletzt die durchgezogen gezeichneten Strahlen geblockt. Fährt das Blendenraster
Daraus folgt, dass ein Beleuchtungssystem mit dem erfindungsgemäßen Wabenkondensor bereits in der in
Ein Beleuchtungssystem
Eine Lichtquelle
Die Pupillenformungseinheit
In unmittelbarer Nähe der Pupillenfläche
Der Wabenkondensor
Der Wabenkondensor
Diejenigen optischen Komponenten, die das Licht des Lasers
Hinter der Retikelebene
Das zu belichtende Substrat, bei dem es sich im Beispielsfall um einen Halbleiterwafer
Die oben beschriebene Projektionsbelichtungsanlage ist nur beispielhaft zu sehen. Die Rasterelemente können als refraktive oder diffraktive optische Elemente ausgestaltet und z. B. aus Quarzglas (SiO2) oder Kalziumfluorid (CaF2) hergestellt sein, wobei die Herstellung aus Kalziumfluorid insbesondere im Hinblick auf die verbesserte Lichtbeständigkeit (Vermeidung von Kompaktierungseffekten etc.) vorteilhaft ist. Entsprechende refraktive Linsen zur Ausbildung der strahlablenkenden Elemente können beispielsweise Bikonvexlinsen, Plankonvexlinsen, Zylinderlinsen, Linsen mit asphärischen Oberflächen etc. sein.The projection exposure apparatus described above can only be seen as an example. The raster elements can be designed as refractive or diffractive optical elements and z. Example of quartz glass (SiO 2) or calcium fluoride (CaF 2) be prepared, the preparation of calcium fluoride, in particular with regard to the improved light resistance (avoiding Kompaktierungseffekten etc.) is advantageous. Corresponding refractive lenses for forming the beam deflecting elements may be, for example, biconvex lenses, plano-convex lenses, cylindrical lenses, lenses with aspherical surfaces, etc.
Weiterhin können einzelne oder sämtliche der strahlablenkenden Elemente auch als reflektive Elemente (Spiegel) ausgebildet sein. Die Erfindung ist somit insbesondere auch im EUV-Bereich (d. h. bei Wellenlängen kleiner als 15 nm, insbesondere etwa 13 nm oder etwa 7 nm) geeignet. Dann sind die Rasteranordnungen üblicherweise als Facettenspiegel ausgeführt.Furthermore, individual or all of the beam deflecting elements can also be designed as reflective elements (mirrors). The invention is therefore also particularly suitable in the EUV range (that is, at wavelengths less than 15 nm, in particular about 13 nm or about 7 nm). Then the grid arrangements are usually designed as a facet mirror.
Der erfindungsgemäße Wabenkondensor kann auch dazu eingesetzt werden, gezielt optische Parameter des Beleuchtungssystems einzustellen.The honeycomb condenser according to the invention can also be used to set specific optical parameters of the illumination system.
Je nachdem, ob sich die Ebene P in einer Pupillen- oder Feldebene befindet, können unterschiedliche optische Parameter des Beleuchtungssystems beeinflusst werden.Depending on whether the plane P is located in a pupil or field plane, different optical parameters of the illumination system can be influenced.
Beispielsweise kann ein Parameter die Gleichmäßigkeit der Ausleuchtung des Feldes (Uniformity) in der Feldebene (in der Retikelebene) sein. Zur Vermeidung von Fehlern beim Lithographievorgang ist es notwendig, eine möglichst uniforme Ausleuchtung des Feldes in der Feldebene zu erreichen. Aufgrund der optischen Komponenten im Strahlengang zwischen der Lichtquelle des Beleuchtungssystems und dem ausgeleuchteten Feld ist eine vollständige Uniformität der Feldausleuchtung im Allgemeinen nicht gegeben. Um den feldabhängigen Intensitätsverlauf der Ausleuchtung durch Filter minimieren zu können, muss sich in diesem Fall die Ebene P in einer zur Retikelebene konjugierten Feldebene befinden. Eine Manipulation an dieser Stelle beeinflusst den Intensitätsverlauf in der Retikelebene.For example, one parameter may be the uniformity of the field illumination (uniformity) in the field plane (in the reticle plane). To avoid errors in the lithography process, it is necessary to achieve the most uniform possible illumination of the field in the field level. Due to the optical components in the beam path between the light source of the illumination system and the illuminated field, a complete uniformity of the field illumination is generally not given. In order to be able to minimize the field-dependent intensity profile of the illumination by means of filters, in this case the plane P must be located in a field plane conjugate to the reticle plane. Manipulation at this point influences the intensity profile in the reticle plane.
Eine weitere Einstellmöglichkeit betrifft die sogenannte Pupillenelliptizität. Um Abweichungen von den oben erwähnten idealen Symmetrieeigenschaften der Beleuchtungswinkelverteilungen quantitativ besser erfassen zu können, wird häufig der Begriff der Pupillenelliptizität verwendet. Die Pupillenelliptizität entspricht, vereinfacht gesprochen, dem Verhältnis der Lichtmengen, die aus orthogonalen Richtungen während einer Belichtung auf einen Feldpunkt auf das Retikel fallen. Je stärker die Pupillenelliptizität von 1 abweicht, desto unsymmetrischer ist die Beleuchtungswinkelverteilung.Another adjustment concerns the so-called pupil ellipticity. To be able to detect deviations from the above-mentioned ideal symmetry properties of the illumination angle distributions quantitatively better, the concept of pupil ellipticity is frequently used. The pupil ellipticity, in simplified terms, corresponds to the ratio of the amounts of light that fall on the reticle from orthogonal directions during an exposure to a field point. The stronger the pupil ellipticity deviates from 1, the more asymmetrical the illumination angle distribution.
Gerade bei kleinen Aperturen bzw. Settings kommt es zu einer feldabhängigen Pupillenelliptizität, die beispielsweise durch optische Elemente verursacht werden können. Um diesen Parameter zu beeinflussen, muss sich die Ebene P in einer Pupillenebene befinden, die in einer Fourierbeziehung zu einer Feldebene steht. Eine Beeinflussung der Intensitätsverteilung in einer Pupillenebene hat Einfluss auf die Winkelverteilung in der Retikelebene und damit auf die Pupillenelliptizität.Especially with small apertures or settings, there is a field-dependent pupil ellipticity, which can be caused for example by optical elements. To influence this parameter, the plane P must be in a pupil plane which is in Fourier relation to a field plane. An influence on the intensity distribution in a pupil plane has an influence on the angular distribution in the reticle plane and thus on the pupil ellipticity.
Die Lichtbündel, die einzelnen Feldpunkte in der Retikelebene zugeordnet sind, legen im Allgemeinen unterschiedliche Wege durch die optischen Elemente des Beleuchtungssystems zurück. Da das Beleuchtungssystem nicht für alle Wege das gleiche Gesamttransmissionsvermögen hat, ist die Pupillenelliptizität in aller Regel feldabhängig. Dies bedeutet, dass die Pupillenelliptizität je nach betrachteten Feldpunkt unterschiedliche Werte annehmen kann.The light bundles associated with individual field points in the reticle plane generally travel different paths through the optical elements of the illumination system. Since the illumination system does not have the same total transmissivity for all paths, the pupil ellipticity is usually field-dependent. This means that the pupil ellipticity can assume different values depending on the observed field point.
Ein weiterer Wert für die Symmetrie der Beleuchtungswinkelverteilung ist die sogenannte Pole-Balance. Dabei wird unter Pole-Balance der Quotient aus der Differenz der Intensitäten zweier Pole (beispielsweise bei einer Quadrupol-Beleuchtung) und der Summe der Intensitäten in den Polen verstanden.Another value for the symmetry of the illumination angle distribution is the so-called pole balance. Pole-Balance is understood to mean the quotient of the difference between the intensities of two poles (for example in the case of quadrupole illumination) and the sum of the intensities in the poles.
Eine weitere Eigenschaft der auf ein optisches Element auftreffenden Lichtbündel ist die Telezentrie. Von einer telezentrischen Beleuchtung spricht man, wenn die energiemäßigen Mittelstrahlen der Lichtbündel, die in der Regel als Schwerstrahlen bezeichnet werden, parallel zur optischen Achse auf das optische Element treffen. Bei nicht-telezentrischer Beleuchtung treffen die gesamten Lichtbündel gewissermaßen schief auf. Die Telezentrie der Lichtbündel kann dabei über die Eintrittsfläche des optischen Elements variieren. Mit anderen Worten bedeutet das, dass an jedem Auftreffpunkt des optischen Elements die Schwerstrahlen der Lichtbündel einen anderen Winkel bezüglich der optischen Achse haben können.Another property of the light beam impinging on an optical element is telecentricity. A telecentric illumination is used when the energy-moderate central rays of the light bundles, which are generally referred to as heavy beams, meet the optical element parallel to the optical axis. With non-telecentric illumination, the entire light bundles hit a certain angle. The telecentricity of Light beam can vary over the entrance surface of the optical element. In other words, this means that at each point of impact of the optical element the beams of the light beams may have a different angle with respect to the optical axis.
Auch ein Telezentriefehler kann mit Hilfe eines erfindungsgemäß eingesetzten Filters korrigiert werden.A telecentricity error can also be corrected with the aid of a filter used according to the invention.
Anhand der
Im
Betrachtet man nun die Kanäle in der Ebene P in der Sicht in Richtung der optischen Achse OA, wie in
In der beschriebenen Ausführungsform werden die lichtlosen Bereiche genutzt, um dort in oder nahe der Ebene P auf einem Filtersubstrat
Die Filter
Im Beispiel sind vier verschiedene Filtertypen
Die Filter können beispielsweise gleichmäßig lineare oder lokal variierende Graufilterstrukturen, oder dielektrische Schichtstrukturen (die vom Einfallswinkel abhängige Transmission aufweisen) sein. Die Filter können auch als schaltbare Filter, beispielsweise als schaltbare Flüssigkristall-Elemente ausgeführt sein. Ebenso können die Filter polarisations- und phasenverändernde Elemente aufweisen. Die Filter können auch in Kombination verwendet werden.For example, the filters may be uniformly linear or locally varying gray filter structures, or dielectric layer structures (having transmission dependent on the angle of incidence). The filters can also be designed as switchable filters, for example as switchable liquid crystal elements. Likewise, the filters can have polarization and phase-changing elements. The filters can also be used in combination.
Beispielsweise kann der Wechsel der Filter simultan zu einem Settingwechsel im Rahmen einer Doppelbelichtung bei sogenannten Double Patterning Systemen geschehen.For example, the change of the filter can be done simultaneously to a setting change in the context of a double exposure in so-called double patterning systems.
In
Mit Hilfe dieser Filter lassen sich, wie weiter oben beschrieben, je nach Lage der Ebene P in der Feld- oder Pupillenebene verschiedene optische Parameter des Beleuchtungssystems beeinflussen. Befindet sich die Ebene P nicht genau in einer Feld- oder Pupillenebene, so ist es möglich, mehrere Parameter gleichzeitig zu beeinflussen.With the aid of these filters, as described above, depending on the position of the plane P in the field or pupil plane, various optical parameters of the illumination system can be influenced. If the plane P is not exactly in a field or pupil plane, it is possible to influence several parameters at the same time.
Die
Die Öffnung
In
Die Zahl der Stäbchen
In
Auch hier kann die Lage und Anzahl beliebig variieren und die Stäbchen
Die Form und Größe der Stäbchen
Diese Filterelemente
Dazu müssen die Filterelemente
Auch eine Kombination verschiedener Filtertypen in einem einzigen Filtersubstrat oder Trägerelement ist möglich. Zudem können auch mehrere erfindungsgemäße Wabenkondensoren im Beleuchtungssystem, beispielsweise je einer mit seiner jeweiligen Ebene P der Kanaleinschnürung in einer Pupillenebene und in einer Feldebene verwendet werden. Setzt man dort entsprechende Filter ein, so kann man mehrere optische Parameter des Beleuchtungssystems gleichzeitig und/oder kumulativ manipulieren.A combination of different filter types in a single filter substrate or carrier element is also possible. In addition, several honeycomb condenser according to the invention can also be used in the illumination system, for example one each with its respective plane P of the channel constriction in a pupil plane and in a field plane. If one uses appropriate filters there, one can manipulate several optical parameters of the illumination system simultaneously and / or cumulatively.
Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z. B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.While the invention has been described with reference to specific embodiments, numerous variations and alternative embodiments will become apparent to those skilled in the art. B. by combination and / or exchange of features of individual embodiments. Accordingly understands It will be obvious to those skilled in the art that such variations and alternative embodiments are intended to be embraced by the present invention, and the scope of the invention is to be limited only in terms of the appended claims and their equivalents.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- DE 102007026730 A1 [0014] DE 102007026730 A1 [0014]
- JP 2285628 A [0015] JP 2285628 A [0015]
- US 5343489 [0107] US 5343489 [0107]
- US 2007/0165202 A1 [0118] US 2007/0165202 A1 [0118]
Claims (29)
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Publications (1)
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DE (1) | DE102009045219A1 (en) |
WO (1) | WO2011039261A2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012028158A1 (en) | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
WO2014063719A1 (en) * | 2012-10-27 | 2014-05-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microliteographic projection exposure apparatus |
US9804499B2 (en) | 2011-01-29 | 2017-10-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2996015B1 (en) * | 2012-09-25 | 2014-09-12 | Sagem Defense Securite | PHOTOLITHOGRAPHIC DEVICE ILLUMINATOR PERMITTING CONTROLLED DIFFRACTION |
FR2996016B1 (en) * | 2012-09-25 | 2014-09-19 | Sagem Defense Securite | TELECENTRIC PHOTOLITHOGRAPHY ILLUMINATOR ACCORDING TO TWO DIRECTIONS |
NL2017493B1 (en) * | 2016-09-19 | 2018-03-27 | Kulicke & Soffa Liteq B V | Optical beam homogenizer based on a lens array |
JP6652948B2 (en) * | 2017-06-30 | 2020-02-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Illumination system for microlithography projection exposure apparatus |
US20200004013A1 (en) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Corning Incorporated | Light homogenizing elements with corrective features |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4851882A (en) * | 1985-12-06 | 1989-07-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system |
JPH02285628A (en) | 1989-04-26 | 1990-11-22 | Canon Inc | Lighting optical system |
US5343489A (en) | 1991-07-23 | 1994-08-30 | Carl-Zeiss-Stiftung | Arrangement for shaping a laser beam and for reducing the coherence thereof |
DE10062579A1 (en) * | 1999-12-15 | 2001-06-21 | Nikon Corp | Optical integrator of wave front subdividing type used for photolithographic illuminating device comprises micro-optical elements arranged two-dimensionally to form light sources by subdividing wave front of falling light beam |
WO2001061411A1 (en) * | 2000-02-16 | 2001-08-23 | Asml Us, Inc. | Zoom illumination system for use in photolithography |
EP1377037A1 (en) * | 2002-06-19 | 2004-01-02 | BODENSEEWERK GERÄTETECHNIK GmbH | Optical system with switchable fields of view |
DE102004063848A1 (en) * | 2004-02-26 | 2005-09-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Lighting for microlithography projection exposure system, includes two dimensional light distribution device with two raster devices for receiving light from primary and secondary sources |
DE102004011733A1 (en) * | 2004-03-04 | 2005-09-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Transmission filter apparatus |
US20070145853A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Electrical brush and method for making the same |
US20070165202A1 (en) | 2003-09-12 | 2007-07-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
DE102007026730A1 (en) | 2006-06-10 | 2007-12-20 | Hentze-Lissotschenko Patentverwaltungs Gmbh & Co. Kg | Laser irradiation`s homogeneous angular distribution generating apparatus, has homogenization stage with two substrates and lens array, where distance between two substrates of stage influences angular distribution |
US7538948B2 (en) * | 2004-12-22 | 2009-05-26 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Optical illumination system for creating a line beam |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6583937B1 (en) * | 1998-11-30 | 2003-06-24 | Carl-Zeiss Stiftung | Illuminating system of a microlithographic projection exposure arrangement |
JP2007150295A (en) * | 2005-11-10 | 2007-06-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical device comprising raster element, and irradiation system comprising the optical device |
-
2009
- 2009-09-30 DE DE200910045219 patent/DE102009045219A1/en not_active Ceased
-
2010
- 2010-09-29 WO PCT/EP2010/064467 patent/WO2011039261A2/en active Application Filing
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4851882A (en) * | 1985-12-06 | 1989-07-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system |
JPH02285628A (en) | 1989-04-26 | 1990-11-22 | Canon Inc | Lighting optical system |
US5343489A (en) | 1991-07-23 | 1994-08-30 | Carl-Zeiss-Stiftung | Arrangement for shaping a laser beam and for reducing the coherence thereof |
DE10062579A1 (en) * | 1999-12-15 | 2001-06-21 | Nikon Corp | Optical integrator of wave front subdividing type used for photolithographic illuminating device comprises micro-optical elements arranged two-dimensionally to form light sources by subdividing wave front of falling light beam |
WO2001061411A1 (en) * | 2000-02-16 | 2001-08-23 | Asml Us, Inc. | Zoom illumination system for use in photolithography |
EP1377037A1 (en) * | 2002-06-19 | 2004-01-02 | BODENSEEWERK GERÄTETECHNIK GmbH | Optical system with switchable fields of view |
US20070165202A1 (en) | 2003-09-12 | 2007-07-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
DE102004063848A1 (en) * | 2004-02-26 | 2005-09-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Lighting for microlithography projection exposure system, includes two dimensional light distribution device with two raster devices for receiving light from primary and secondary sources |
DE102004011733A1 (en) * | 2004-03-04 | 2005-09-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Transmission filter apparatus |
US7538948B2 (en) * | 2004-12-22 | 2009-05-26 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Optical illumination system for creating a line beam |
US20070145853A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Electrical brush and method for making the same |
DE102007026730A1 (en) | 2006-06-10 | 2007-12-20 | Hentze-Lissotschenko Patentverwaltungs Gmbh & Co. Kg | Laser irradiation`s homogeneous angular distribution generating apparatus, has homogenization stage with two substrates and lens array, where distance between two substrates of stage influences angular distribution |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012028158A1 (en) | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
US9213244B2 (en) | 2010-08-30 | 2015-12-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
US9678438B2 (en) | 2010-08-30 | 2017-06-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
US9804499B2 (en) | 2011-01-29 | 2017-10-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
WO2014063719A1 (en) * | 2012-10-27 | 2014-05-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microliteographic projection exposure apparatus |
US9671699B2 (en) | 2012-10-27 | 2017-06-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011039261A3 (en) | 2011-06-30 |
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