DE102009036953A1 - Method for stabilizing dimensions of mask in mask plane constant during lithography, involves compressing and stretching mask for stabilizing mask dimensions, and utilizing air cooling or air heating part of mask - Google Patents

Method for stabilizing dimensions of mask in mask plane constant during lithography, involves compressing and stretching mask for stabilizing mask dimensions, and utilizing air cooling or air heating part of mask Download PDF

Info

Publication number
DE102009036953A1
DE102009036953A1 DE200910036953 DE102009036953A DE102009036953A1 DE 102009036953 A1 DE102009036953 A1 DE 102009036953A1 DE 200910036953 DE200910036953 DE 200910036953 DE 102009036953 A DE102009036953 A DE 102009036953A DE 102009036953 A1 DE102009036953 A1 DE 102009036953A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mask
substrate
dimensions
temperature
during
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE200910036953
Other languages
German (de)
Inventor
Takaaki Yokohama Ishii
Thomas Dr. HÜLSMANN
Tobias Hickmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suess Micro Tec Lithography GmbH
Suess Microtec Lithography GmbH
Original Assignee
Suess Micro Tec Lithography GmbH
Suess Microtec Lithography GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suess Micro Tec Lithography GmbH, Suess Microtec Lithography GmbH filed Critical Suess Micro Tec Lithography GmbH
Priority to DE200910036953 priority Critical patent/DE102009036953A1/en
Priority to KR1020127003470A priority patent/KR20120048614A/en
Priority to EP10749622.6A priority patent/EP2465011B1/en
Priority to JP2012524208A priority patent/JP2013502063A/en
Priority to US13/261,175 priority patent/US8647797B2/en
Priority to PCT/EP2010/061479 priority patent/WO2011018418A1/en
Priority to TW099126492A priority patent/TW201133151A/en
Publication of DE102009036953A1 publication Critical patent/DE102009036953A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

The method involves exposing a mask (6) with an exposure source (1) during an exposure phase. The mask is non-exposed during a non-exposure phase by measuring temperature and dimensions of the mask. Dimensions of the mask are kept constant using thermal and mechanical processes. The mask is compressed and stretched for stabilizing the mask dimensions. An air cooling or air heating part (17) of the mask is utilized. The mask is cooled or heated by direct contact with a substrate support (11) or through contact with or in close distance to a substrate (10) i.e. wafer, on the support. An independent claim is also included for a device for stabilizing dimensions of a mask in a mask plane constant during lithography.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Konstanthalten der Maskenabmessungen einer Maske bei der Lithografie, und insbesondere ein Verfahren und eine Vorrichtung bei denen die Abmessungen der Maske konstant gehalten werden, um eine durch die Maske verursachte, thermisch bedingte Drift der belichteten Stellen auf dem Substrat zu verhindern.The The present invention relates to a method and an apparatus to keep the mask dimensions of a mask constant in lithography, and in particular a method and an apparatus in which the Dimensions of the mask are kept constant to one through the Mask caused thermally induced drift of exposed areas to prevent on the substrate.

Bei Belichtungsanlagen in der Lithografie ist die Temperatur der einzelnen Elemente einer solchen Vorrichtung ein kritischer Parameter. Vor allem die Temperatur des Substrats und der Maske sollten möglichst konstant sein. Die Änderung der Temperatur in den betreffenden Elementen der Vorrichtung führt zu einer Änderung der Abmessungen der Elemente. Dadurch kann es zu Fehlern bei der Belichtung eines Substrats kommen. Die Temperatur des Substrats kann über den Substratträger gut eingestellt und kontrolliert werden. Es ist wünschenswert, wenn beim Substratwechsel und auch sonst zwischen den einzelnen Belichtungsphasen die Abmessungen der Maske konstant bleiben. Die Belichtung der Substrate heizt die Maske jedoch auf. Die EP 0 940 718 A2 offenbart eine Luftkühlung zur Kühlung der Maske. Eine Temperaturänderung der Maske aufgrund einer Luftkühlung oder Luftheizung ist jedoch im Normalfall nur langsam möglich. Die Geschwindigkeit, mit der die Temperatur der Maske geändert werden kann, hängt entscheidend von dem Wärmegradienten zwischen Maske und Luft sowie von der Luftführung ab. Je größer der Wärmegradient und je stärker der Luftstrom desto stärker ist auch die Temperaturänderung der Maske. Eine Luftkühlung mit normalen Parametern kann auf die Temperaturveränderung und damit auf die Änderung der Abmessungen der Maske jedoch nicht schnell genug reagieren.In lithographic exposure equipment, the temperature of the individual elements of such a device is a critical parameter. Above all, the temperature of the substrate and the mask should be as constant as possible. The change in temperature in the respective elements of the device leads to a change in the dimensions of the elements. This can lead to errors in the exposure of a substrate. The temperature of the substrate can be well adjusted and controlled via the substrate carrier. It is desirable if the dimensions of the mask remain constant during the substrate change and also otherwise between the individual exposure phases. However, the exposure of the substrates heats up the mask. The EP 0 940 718 A2 discloses air cooling for cooling the mask. A change in temperature of the mask due to air cooling or air heating, however, is usually possible only slowly. The speed with which the temperature of the mask can be changed depends crucially on the thermal gradient between mask and air as well as on the air flow. The greater the thermal gradient and the stronger the air flow, the stronger the temperature change of the mask. Air cooling with normal parameters, however, can not respond quickly enough to the change in temperature and therefore to the change in the dimensions of the mask.

Im Hinblick auf die vorstehend erwähnten Probleme des Stands der Technik ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung bereitzustellen, um die Maskenabmessungen vor, während und nach einer Belichtung und insbesondere auch nach einem Substratwechsel konstant zu halten. Eine weitere Aufgabe besteht darin, einen oder mehrere hinreichend schnelle Ausgleichsmechanismen zur Verfügung zustellen, die die möglichen Abmessungsänderungen der Maske aufgrund der Belichtung schnell ausgleichen. Diese und weitere Aufgaben werden durch die Merkmale der Patentansprüche gelöst.in the In view of the above-mentioned problems of the prior art It is the object of the present invention to provide a method and provide a device to advance the mask dimensions, during and after an exposure and especially to keep constant after a substrate change. Another task It consists of one or more sufficiently fast compensation mechanisms make available the possible dimensional changes compensate the mask quickly because of the exposure. These and Other objects are achieved by the features of the claims solved.

Dabei geht die Erfindung von folgendem Grundgedanken aus: Die Abmessungen einer Maske in der Maskenebene bei der Lithografie eines Substrats werden durch thermisches Einwirken, d. h. Heizen oder Kühlen der Maske, und/oder mechanisches Einwirken, d. h. Dehnen oder Stauchen der Maske, während einer Belichtungsphase bzw. einer Nichtbelichtungsphase konstantgehalten.there The invention is based on the following basic idea: The dimensions a mask in the mask plane in the lithography of a substrate are due to thermal action, d. H. Heating or cooling the mask, and / or mechanical action, d. H. Stretching or swaging the mask, during an exposure phase or a non-exposure phase constant.

Die Vorrichtung zum Belichten des Substrats, insbesondere eines Wafers, weist eine Belichtungsquelle, eine Messvorrichtung und eine Heizung und/oder Kühlung auf. Die Maske bildet beim Belichten eine optische Struktur auf dem Substrat ab. Während einer Belichtungsphase wird das Substrat belichtet. Durch die Einwirkung der Belichtungsstrahlung wird die Maske unerwünscht erwärmt. Während einer Nichtbelichtungsphase ist die Belichtung ausgeschaltet. Dadurch kühlt die Maske während der Nichtbelichtungsphase wieder ab. Eine Messvorrichtung misst laufend die Temperatur und/oder die Abmessungen der Maske. Mit einer Heizung kann die Maske während der Nichtbelichtungsphase geheizt werden, damit die Temperatur und damit auch die Abmessungen der Maske konstant bleiben. Alternativ kann das Konstanthalten der Abmessungen der Maske in der Maskenebene auch dadurch erreicht werden, dass die Maske während der Belichtungsphase gekühlt wird.The Device for exposing the substrate, in particular a wafer, has an exposure source, a measuring device and a heater and / or Cooling up. The mask forms an optical image during exposure Structure on the substrate. During an exposure phase the substrate is exposed. By the action of the exposure radiation the mask is heated undesirably. During one Non-exposure phase, the exposure is turned off. Thereby cools the mask during the non-exposure phase again. A measuring device continuously measures the temperature and / or the dimensions of the mask. With a heater, the mask can during the non-exposure phase are heated so that the temperature and so that the dimensions of the mask remain constant. Alternatively, you can keeping the dimensions of the mask in the mask plane constant also be achieved by the mask during the Exposure phase is cooled.

Anstelle oder zusätzlich zur Heizung oder Kühlung der Maske kann eine Maskendehnvorrichtung und/oder Maskenstauchvorrichtung verwendet werden, um die Abmessungen der Maske trotz einer möglichen Temperaturänderung konstant zu halten. Insbesondere wird die Maske dabei während der Nichtbelichtungsphase gedehnt und während der Belichtungsphase gestaucht.Instead of or in addition to heating or cooling the mask may be a Maskendehnvorrichtung and / or mask compression device used to measure the dimensions of the mask despite a possible Keep temperature change constant. In particular, will the mask thereby stretched during the non-exposure phase and compressed during the exposure phase.

Die Heizung zum Heizen der Maske kann auf unterschiedliche Weise ausgebildet sein. Bevorzugt wird eine Strahlungsheizung verwendet, die im Spektralbereich der Infrarotstrahlung oder der Mikrowellenstrahlung arbeitet. Durch die Strahlung der Strahlungsheizung darf der Fotolack auf dem Substrat jedoch nicht belichtet werden.The Heating for heating the mask can be formed in different ways be. Preferably, a radiant heater is used, which in the spectral range the infrared radiation or the microwave radiation works. By The radiation of the radiant heating may be the photoresist on the substrate however, not be exposed.

Dies kann erreicht werden indem die Strahlung der Strahlungsheizung schräg auf die Maske auftrifft und damit die durch die Maske transmittierte Heizstrahlung am Substrat vorbeigeht.This can be achieved by tilting the radiant heating radiation impinges on the mask and thus the transmitted through the mask heating radiation passes the substrate.

Die Emission der Strahlungsheizung auf die Maske kann auch senkrecht zur Maskenebene in Richtung auf das Substrat erfolgen. In diesem Fall muss die Strahlung der Strahlungsheizung vollständig in der Maske absorbiert oder im Strahlengang vor dem Substrat durch eine Blende oder einen Shutter blockiert werden, damit der Fotolack auf dem Substrat nicht durch die Strahlungsheizung belichtet wird.The Emission of radiant heating on the mask can also be vertical to the mask plane in the direction of the substrate. In this Case, the radiation of radiant heating must be complete absorbed in the mask or in the beam path in front of the substrate a shutter or shutter can be blocked to allow the photoresist on the substrate is not exposed by the radiant heater.

Gemäß einer weiteren alternativen erfindungsgemäßen Ausführungsform liegt die Wellenlänge der Heizstrahlung außerhalb des Empfindlichkeitsbereichs des Fotolacks und ist z. B. länger als etwa 500 nm. In diesem Fall kann die Strahlung senkrecht zur Maskenebene verlaufen und muss dabei nicht durch einen Shutter geblockt werden.According to a further alternative embodiment of the invention, the wavelength of the heating radiation is outside the sensitivity range of the photoresist and z. B. longer than about 500 nm. In this case, the radiation can be perpendicular to the mask plane and does not have to be blocked by a shutter.

Es kann auch eine Heizung, die sich in Kontakt mit der Maske befindet, verwendet werden. Der direkte Kontakt führt zu einem guten Wärmeübertrag. Eine Vorrichtung mit einer Lücke zwischen Maske und Heizung ist aufgrund der Wärmeleitung der Luft ebenfalls möglich. Eine Induktionsheizung, mit der elektrisch leitfähige Schichten der Maske geheizt werden können, kann ebenfalls eingesetzt werden. Eine Ultraschallheizung stellt noch eine weitere Möglichkeit dar.It can also have a heater that is in contact with the mask, be used. The direct contact leads to a good one Heat transfer. A device with a gap between mask and heater is due to the heat conduction the air also possible. An induction heater, with the electrically conductive layers of the mask are heated can also be used. An ultrasound heater represents another possibility.

Zu den oben beschriebenen Methoden zum Konstanthalten der Abmessungen der Maske können zusätzlich weitere Methoden einzeln oder in Kombination hinzukommen.To the methods described above for keeping the dimensions constant The mask can also be used in addition to other methods or in combination.

Das Substrat befindet sich während der Belichtungsphasen auf einem Substratträger, über den die Temperatur des Substrats kontrolliert werden kann, wodurch ebenfalls die Abmessungen des Substrats kontrolliert werden können. Dadurch kann die Maske, wenn sie mit dem Substrat in Kontakt gebracht wird oder nur knapp oberhalb des Substrats angeordnet ist, ihrerseits ebenfalls durch den Substratträger temperiert werden. In Betriebspausen der Vorrichtung der vorliegenden Erfindung können längere Zeitabschnitte auftreten, in denen sich kein Substrat auf dem Substratträger befindet. In diesen Zeitabschnitten kann der Substratträger direkt mit der Maske in thermischen Kontakt gebracht werden, um die Maske durch direkten Kontakt mit dem Substratträger zu kühlen oder zu heizen.The Substrate is on during the exposure phases a substrate carrier over which the temperature the substrate can be controlled, which also reduces the dimensions of the substrate can be controlled. This can the mask when brought into contact with the substrate or just above the substrate is arranged, in turn also be tempered by the substrate carrier. During breaks The device of the present invention may be longer Time periods occur in which no substrate on the substrate carrier located. In these periods, the substrate carrier be brought into thermal contact with the mask directly to the Mask by direct contact with the substrate carrier too cool or heat.

Die Maske kann durch eine Luftkühlung oder Luftheizung temperiert werden. Die Temperatur der Maske kann auch über einen Maskenhalter geregelt werden. Bevorzugt wird ein Maskenmaterial verwendet, dass nur einen geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist. Elektrisch leitfähige Schichten der Maske können durch Stromfluss in diesen Schichten zum Erwärmen der Maske verwendet werden.The Mask can be tempered by air cooling or air heating become. The temperature of the mask can also be controlled via a mask holder be managed. Preferably, a mask material is used that has only a low coefficient of thermal expansion. Electrically conductive layers of the mask can by current flow in these layers to heat the mask be used.

Die Erfindung wird nachstehend mit Bezug auf die Zeichnungen näher erläutert. Dabei zeigen:The Invention will become more apparent hereinafter with reference to the drawings explained. Showing:

1 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung bei der die Abmessungen der Maske für die Lithografie mit Hilfe einer Heizung konstant gehalten werden, und 1 a schematic representation of a device according to the invention in which the dimensions of the mask for lithography by means of a heater are kept constant, and

2 eine schematische Darstellung einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung bei der die Abmessungen der Maske für die Lithografie mit Hilfe einer Vorrichtung zum Dehnen und Stauchen der Maske konstant gehalten werden. 2 a schematic representation of another embodiment of the device according to the invention in which the dimensions of the mask for lithography by means of a device for stretching and compressing the mask are kept constant.

In 1 wird eine erfindungsgemäße Vorrichtung zum Belichten eines Substrats 10, insbesondere eines Wafers, dargestellt. Die Vorrichtung weist eine Belichtungsquelle 1 auf, dessen Emission über ein optisches Abbildungssystem 2 und einen Umlenkspiegel 3 auf eine Maske 6 trifft. Die Maske 6 weist ein für die verwendete Wellenlänge der Lithografie transparentes Trägermaterial 8 und nicht transmittierende Strukturen 7, z. B. aus Chrom, auf. Das Trägermaterial 8 besteht z. B. aus Quarz, Sodalime oder Borsilikat. Die Strukturen 7 werden durch ein Projektionsobjektiv 9 auf das Substrat 10 bzw. auf den auf dem Substrat 10 befindlichen (nicht dargestellten) Fotolack abgebildet. Das Substrat 10 wird von einem Substratträger 11 gehalten, womit es mit diesem thermisch verbunden ist. Dadurch können die Temperatur und damit die Abmessungen des Substrats 10 über den Substratträger 11 geregelt werden.In 1 is a device according to the invention for exposing a substrate 10 , in particular a wafer. The device has an exposure source 1 on, whose emission via an optical imaging system 2 and a deflecting mirror 3 on a mask 6 meets. The mask 6 has a carrier material transparent to the wavelength of lithography used 8th and non-transmissive structures 7 , z. B. chrome, on. The carrier material 8th exists z. As quartz, sodalime or borosilicate. The structures 7 be through a projection lens 9 on the substrate 10 or on the on the substrate 10 pictured (not shown) photoresist imaged. The substrate 10 is from a substrate carrier 11 held what it is thermally connected to this. This allows the temperature and thus the dimensions of the substrate 10 over the substrate carrier 11 be managed.

Die Abmessungen der Maske 6 oder des Substrats 10 sind kritische Parameter bei der Lithografie. Ändern sich die Abmessungen von einem dieser Elemente oder von beiden Elementen, dann kann es zu Abbildungsfehlern von den Strukturen 7 auf das Substrat 10 kommen. Um dies zu verhindern müssen die Abmessungen von Maske 6 und Substrat 10 nahezu konstant gehalten werden. Bei dem Substrat 10 gelingt dies sehr gut mit Hilfe der Temperaturregelung des Substratträgers 11. Bei der Lithografie wechseln Belichtungsphasen, bei denen die Emission der Belichtungsquelle 1 auf die Maske 6 strahlt, mit Nichtbelichtungsphasen, bei denen keine Emission von der Belichtungsquelle 1 auf die Maske 6 strahlt. Nichtbelichtungsphasen sind z. B. Zeitabschnitte, in denen das Substrat 10 gewechselt wird. Während einer Belichtungsphase wird die Maske 6 durch die Emission der Belichtungsquelle 1 erwärmt, da ein Teil der Emission der Belichtungsquelle in der Maske 6 absorbiert wird. Während dieser Erwärmung wird sich die Maske 6 ausdehnen. In der anschließenden Nichtbelichtungsphase gibt die Maske 6 Wärme an ihre Umgebung ab. Dadurch verringern sich die Abmessungen der Maske 6 wieder. Insbesondere soll der sogenannte „Runout”, d. h. die Änderung der Position der abgebildeten Strukturen auf dem Substrat 10 aufgrund der Erwärmung während aufeinanderfolgender Belichtungszyklen, auf z. B. 0.25 μm begrenzt werden, um die Fehler bei der Lithografie gering zu halten.The dimensions of the mask 6 or the substrate 10 are critical parameters in lithography. If the dimensions of one of these elements or of both elements change, then it can lead to aberrations of the structures 7 on the substrate 10 come. To prevent this, the dimensions of Mask 6 and substrate 10 be kept almost constant. At the substrate 10 this is achieved very well with the aid of the temperature control of the substrate carrier 11 , In lithography change exposure phases, in which the emission of the exposure source 1 on the mask 6 radiates, with non-exposure phases, where no emission from the exposure source 1 on the mask 6 shine. Non-exposure phases are z. B. time periods in which the substrate 10 is changed. During an exposure phase, the mask becomes 6 by the emission of the exposure source 1 heated, as part of the emission of the exposure source in the mask 6 is absorbed. During this warming up, the mask will become 6 expand. In the subsequent non-exposure phase gives the mask 6 Heat off to their environment. This reduces the dimensions of the mask 6 again. In particular, the so-called "runout", ie the change of the position of the imaged structures on the substrate 10 due to heating during successive exposure cycles, e.g. B. 0.25 microns to keep the errors in the lithography low.

Mit der in der 1 dargestellten Strahlungsheizung 5 können die Abmessungen der Maske 6 nahezu konstant gehalten werden. Dazu werden die Änderungen der Abmessungen der Maske 6 mit einer Messvorrichtung 15 gemessen, und mit einer Steuereinrichtung 14 ausgewertet. Alternativ kann auch die Änderung der Temperatur der Maske 6 gemessen werden. Aus der Änderung der Temperatur werden dann die Änderungen der Abmessungen der Maske 6 mit Hilfe der Steuereinrichtung 14 berechnet. Die Steuereinrichtung 14 regelt die Emission der Strahlungsheizung 5, um die Abmessung über die Belichtungs- und Nichtbelichtungsphasen hinweg konstant zu halten.With the in the 1 shown radiant heater 5 can change the dimensions of the mask 6 be kept almost constant. This will be the changes in the dimensions of the mask 6 with a measuring device 15 measured, and with a control device 14 evaluated. Alternatively, the change in the temperature of the mask 6 be measured. From the change of temperature then the changes in the dimensions of the mask 6 with the help of the control device 14 calculated. The control device 14 regulates the emission of radiant heating 5 to keep the dimension constant over the exposure and non-exposure phases.

Die Strahlung der Strahlungsheizung kann über einen Umlenkspiegel 4 senkrecht auf die Maske 6 geleitet werden. Befindet sich der Umlenkspiegel 4 im Strahlengang der Belichtungsquelle 1, dann muss der Umlenkspiegel 4 bei jeder Belichtungsphase aus dem Strahlengang gefahren werden. Alternativ ist der Umlenkspiegel 4 bei der Wellenlänge der Belichtungsquelle 1, z. B. im UV-Bereich, transparent und im Wellenlängenbereich der Strahlungsheizung 5, z. B. im IR-Bereich oder im Mikrowellenbereich, reflektierend. Absorbiert die Maske 6 die Emission der Strahlungsheizung 5 nicht vollständig, dann ist vorzugsweise im Strahlengang zwischen Maske 6 und Substrat 10 eine Blende oder Shutter 12 vorgesehen, der den durch die Maske 6 transmittierten Anteil der Emission der Strahlungsheizung 5 während der Betriebsphase der Strahlungsheizung 5 unterbricht, damit dieser Emissionsanteil nicht bzw. möglichst wenig auf den auf dem Substrat 10 befindlichen (nicht dargestellten) Fotolack einwirkt.The radiation of the radiant heater can via a deflection mirror 4 perpendicular to the mask 6 be directed. Is the deflection mirror 4 in the beam path of the exposure source 1 , then the deflecting mirror 4 be driven out of the beam path at each exposure phase. Alternatively, the deflection mirror 4 at the wavelength of the exposure source 1 , z. B. in the UV range, transparent and in the wavelength range of the radiant heater 5 , z. B. in the IR range or in the microwave range, reflective. Absorbs the mask 6 the emission of radiant heating 5 not completely, then is preferably in the beam path between the mask 6 and substrate 10 a shutter or shutter 12 provided by the mask 6 transmitted portion of the emission of radiant heating 5 during the operating phase of the radiant heating 5 interrupts, so that this emission content is not or as little as possible on the substrate 10 located (not shown) photoresist acts.

Alternativ kann die Strahlungsheizung auch ohne Umlenkspiegel verwendet werden. In diesem Fall wird die Strahlungsheizung während der Nichtbelichtungsphase selbst in den Strahlengang geschwenkt und aktiviert.alternative the radiant heating can also be used without deflecting mirrors. In this case, the radiant heating becomes during the non-exposure phase even panned and activated in the beam path.

Durch die Strahlungsheizung 5 wird die Temperatur der Maske 6 konstantgehalten. Dazu kann, wie oben beschreiben, die Emission der Strahlungsheizung 5 mit Hilfe einer Messvorrichtung 15 und einer Steuereinrichtung 14 geregelt werden. Alternativ kann die absorbierte Leistung der Emission der Strahlungsheizung 5 in der Maske 6 an die absorbierte Leistung der Emission der Belichtungsquelle 1 in der Maske 6 einmal angeglichen werden. Die Strahlungsheizung 5 emittiert dann während der Nichtbelichtungsphasen kontinuierlich mit dieser ermittelten Leistung, um die Temperatur der Maske 6 während der Nichtbelichtungsphase möglichst auf dem gleichen Temperaturwert wie während der Belichtungsphase, also möglichst konstant zu halten.By the radiant heating 5 becomes the temperature of the mask 6 constant. For this purpose, as described above, the emission of radiant heating 5 with the help of a measuring device 15 and a control device 14 be managed. Alternatively, the absorbed power of the emission of the radiant heater 5 in the mask 6 to the absorbed power of the emission of the exposure source 1 in the mask 6 to be adjusted once. The radiant heating 5 then, during the non-exposure phases, continuously emits with this determined power to the temperature of the mask 6 During the non-exposure phase as possible to keep at the same temperature value as during the exposure phase, so as constant as possible.

Wie in 1 dargestellt, kann zusätzlich eine Luftheizung bzw. Luftkühlung 17 verwendet werden. Hierzu wird die Maske 6, z. B. über ein Rohr 13, mit einem warmen oder kalten Gas umspült. Da eine Luftheizung oder Luftkühlung 17 die Temperatur der Maske 6 in der Regel nur relativ langsam verändern, werden sie bevorzugt eingesetzt, um langsam veränderliche Temperaturschwankungen der Maske 6 auszugleichen.As in 1 shown, can additionally air heating or air cooling 17 be used. This is the mask 6 , z. B. via a pipe 13 , lapped with a warm or cold gas. As an air heater or air cooling 17 the temperature of the mask 6 usually only change relatively slowly, they are preferably used to slowly changing temperature fluctuations of the mask 6 compensate.

Alternativ zu der in 1 dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann sich die Maske 6 auch in direktem Kontakt mit dem Substrat 10 befinden. Oder die Maske 6 befindet sich unmittelbar über dem Substrat 10. Ein Projektionsobjektiv 9 zur Abbildung der Strukturen 7 auf das Substrat 10 ist dann nicht nötig, da die Strukturen 7 direkt auf das Substrat abgebildet werden können. Maske 6 und Substrat 10 stehen dann in thermischen Kontakt miteinander. Dadurch können die Temperatur der Maske 6 und damit auch die Abmessungen der Maske 6 zusätzlich durch den Substratträger 11 geregelt werden.Alternatively to the in 1 illustrated embodiment of the present invention, the mask can 6 also in direct contact with the substrate 10 are located. Or the mask 6 is located directly above the substrate 10 , A projection lens 9 for mapping the structures 7 on the substrate 10 is not necessary then because the structures 7 can be imaged directly on the substrate. mask 6 and substrate 10 are then in thermal contact with each other. This can change the temperature of the mask 6 and therefore the dimensions of the mask 6 additionally through the substrate carrier 11 be managed.

Die Abmessungen der Maske 6 können auch in anderer Weise konstant gehalten werden, z. B. durch Heizen mittels Ultraschall, Heizen durch Induktion bzw. Heizen durch Stromfluss, falls die Maske 6 elektrisch leitfähige Schichten aufweist, und Heizen durch eine Kontakt- oder Fast-Kontaktheizung. Bei einer Medienheizung wird die Maske 6 zum Kühlen oder Heizen von einem Gas oder einer Flüssigkeit umströmt.The dimensions of the mask 6 can also be kept constant in other ways, for. B. by heating by means of ultrasound, heating by induction or heating by current flow, if the mask 6 having electrically conductive layers, and heating by a contact or fast contact heating. In a media heating, the mask 6 flows around for cooling or heating of a gas or a liquid.

Alternativ oder zusätzlich zum Heizen der Maske 6 in der Nichtbelichtungsphase kann die Maske 6 in der Belichtungsphase gekühlt werden. Dabei wird die Kühleinrichtung bevorzugt mit der Maske 6 in Kontakt gebracht, um einen guten Wärmeübertrag zu gewährleisten.Alternatively or in addition to heating the mask 6 in the non-exposure phase, the mask can 6 be cooled in the exposure phase. In this case, the cooling device is preferred with the mask 6 brought into contact to ensure a good heat transfer.

Das Aufheizen der Maske 6 durch Absorption der Strahlungsenergie der Belichtungsquelle 1 erzeugt nicht nur eine Änderung der Abmessungen der Maske sondern im allgemeinen auch einen zusätzlichen Justierfehler. Der zusätzliche Justierfehler wird dadurch verursacht, dass die Wärmeausdehnung im allgemeinen nicht von der Mitte der Maske 6 ausgeht, da der Fixpunkt der Ausdehnung der Maske 6 irgendwo zufällig im Bereich der Maske 6 an einer Stelle liegt, an der die Maske (z. B. durch eine durch Vakuum betätigte Saughalterung) gehalten wird. Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen zum Konstanthalten der Maskenabmessungen während der Belichtungs- und Nichtbelichtungsphasen kann auch dieser zusätzliche Justierfehler vermieden werden.Heating the mask 6 by absorption of the radiation energy of the exposure source 1 not only causes a change in the dimensions of the mask but also generally an additional adjustment error. The additional adjustment error is caused by the fact that the thermal expansion is generally not from the center of the mask 6 starting because the fixed point of expansion of the mask 6 somewhere in the area of the mask 6 is at a location where the mask is held (eg, by a vacuum actuated suction mount). By means of the measures according to the invention for keeping the mask dimensions constant during the exposure and non-exposure phases, this additional adjustment error can also be avoided.

2 zeigt eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Aufgrund der großen Ähnlichkeit zu der in 1 dargestellten Ausführungsform wird an dieser Stelle nur noch auf die Unterschiede der Ausführungsformen eingegangen. Gemäß 2 befindet sich am Rand um die Maske 6 herum, z. B. in Form eines variablen Rahmens, eine in der Maskenebene wirkende Maskendehnvorrichtung 16 und/oder Maskenstauchvorrichtung 16. Damit kann die Maske 6 gedehnt bzw. gestaucht werden, damit die Maskenabmessungen konstant gehalten werden. Die Maskendehn- und Maskenstauchvorrichtung 16 wird über die Steuereinrichtung 14 geregelt. Die Maskendehn- und Maskenstauchvorrichtung 16 kann mit allen oben beschriebenen Methoden zum Konstanthalten der Maskenabmessungen kombiniert werden. 2 shows a further embodiment of the present invention. Due to the great similarity to the in 1 illustrated embodiment will be discussed at this point only on the differences of the embodiments. According to 2 is on the edge of the mask 6 around, z. B. in the form of a variable frame, acting in the mask plane Maskendehnvorrichtung 16 and / or mask upsetting device 16 , This allows the mask 6 be stretched or compressed so that the mask dimensions are kept constant. The Maskendehn- and mask compression device 16 is via the control device 14 ge regulates. The Maskendehn- and mask compression device 16 can be combined with all methods described above to keep the mask dimensions constant.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list The documents listed by the applicant have been automated generated and is solely for better information recorded by the reader. The list is not part of the German Patent or utility model application. The DPMA takes over no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - EP 0940718 A2 [0002] EP 0940718 A2 [0002]

Claims (24)

Verfahren zum Konstanthalten der Abmessungen einer Maske (6) in der Maskenebene bei der Lithografie eines Substrats (10), insbesondere eines Wafers, mit den Schritten: a) Belichten der Maske (6) mit einer Belichtungsquelle (1) während einer Belichtungsphase und b) Nichtbelichten der Maske (6) während einer Nichtbelichtungsphase, wobei während der Schritte a) und b) die Temperatur und/oder die Abmessungen der Maske (6) gemessen werden und wobei die Maske (6) zum Konstanthalten der Maskentemperatur bzw. der Maskenabmessungen in Schritt b) beheizt und/oder in Schritt a) gekühlt wird.Method for keeping the dimensions of a mask constant ( 6 ) in the mask plane in the lithography of a substrate ( 10 ), in particular a wafer, comprising the steps of: a) exposing the mask ( 6 ) with an exposure source ( 1 ) during an exposure phase and b) not exposing the mask ( 6 during a non-exposure phase, wherein during steps a) and b) the temperature and / or the dimensions of the mask ( 6 ) and wherein the mask ( 6 ) to keep the mask temperature or the mask dimensions constant in step b) heated and / or cooled in step a). Verfahren zum Konstanthalten der Abmessungen einer Maske (6) in der Maskenebene bei der Lithografie eines Substrats (10), insbesondere eines Wafers, mit den Schritten: a) Belichten der Maske (6) mit einer Belichtungsquelle (1) während einer Belichtungsphase und b) Nichtbelichten der Maske (6) während einer Nichtbelichtungsphase, wobei während der Schritte a) und b) die Temperatur und/oder die Abmessungen der Maske (6) gemessen werden, und wobei in Schritt a) oder/und in Schritt b) die Maske (6) zum Konstanthalten der Maskenabmessungen gestaucht oder gedehnt wird.Method for keeping the dimensions of a mask constant ( 6 ) in the mask plane in the lithography of a substrate ( 10 ), in particular a wafer, comprising the steps of: a) exposing the mask ( 6 ) with an exposure source ( 1 ) during an exposure phase and b) not exposing the mask ( 6 during a non-exposure phase, wherein during steps a) and b) the temperature and / or the dimensions of the mask ( 6 ) and in step a) or / and in step b) the mask ( 6 ) is compressed or stretched to keep the mask dimensions constant. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, wobei zum Konstanthalten der Abmessungen der Maske (6) eine Kombination aus dem thermischen Verfahren des Anspruchs 1 und dem mechanischen Verfahren des Anspruchs 2 angewendet wird.Method according to claims 1 and 2, wherein in order to keep the dimensions of the mask ( 6 ) a combination of the thermal process of claim 1 and the mechanical process of claim 2 is applied. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Maske (6) zusätzlich durch direkten Kontakt mit einem Substratträger (11) oder durch Kontakt mit dem Substrat (10) auf dem Substratträger (11) gekühlt oder geheizt wird.Method according to one of claims 1 to 3, wherein the mask ( 6 ) additionally by direct contact with a substrate carrier ( 11 ) or by contact with the substrate ( 10 ) on the substrate carrier ( 11 ) is cooled or heated. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei zusätzlich eine Luftkühlung (17) bzw. Luftheizung (17) zur Temperierung der Maske (6) vorgesehen ist.Method according to one of claims 1 to 4, wherein additionally an air cooling ( 17 ) or air heating ( 17 ) for tempering the mask ( 6 ) is provided. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei zusätzlich die Temperatur eines Maskenhalters zum Konstanthalten der Abmessungen der Maske (6) geregelt wird.Method according to one of claims 1 to 5, wherein additionally the temperature of a mask holder for keeping the dimensions of the mask ( 6 ) is regulated. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei ein Maskenmaterial verwendet wird, das eine geringe Wärmeausdehnung aufweist.Method according to one of claims 1 to 6, wherein a mask material is used, which has a low thermal expansion having. Verfahren nach Anspruch 1 oder 3 bis 7 soweit direkt oder indirekt abhängig von Anspruch 1, wobei die Maskentemperatur über eine Kontakt-, Fast-Kontakt-, Medien-, Induktions-, Ultraschall- oder Strahlungsheizung (5) konstant gehalten wird.Method according to claim 1 or 3 to 7 as far as directly or indirectly dependent on claim 1, wherein the mask temperature is reached via contact, fast contact, media, induction, ultrasound or radiant heating ( 5 ) is kept constant. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Emission der Strahlungsheizung (5) auf die Maske (6) in Richtung auf das Substrat (10) erfolgt.Method according to claim 8, wherein the emission of the radiant heating ( 5 ) on the mask ( 6 ) towards the substrate ( 10 ) he follows. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die durch die Maske (6) transmittierte Strahlung der Strahlungsheizung (5) durch einen Shutter (12) zwischen der Maske (6) und dem Substrat (10) geblockt wird.The method of claim 9, wherein the through the mask ( 6 ) transmitted radiation of the radiant heater ( 5 ) by a shutter ( 12 ) between the mask ( 6 ) and the substrate ( 10 ) is blocked. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Strahlung der Strahlungsheizung (5) vollständig in der Maske (6) absorbiert wird.Method according to claim 9, wherein the radiation of the radiant heating ( 5 ) completely in the mask ( 6 ) is absorbed. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die Temperatur des Substrats (10) über die Temperatur eines Substratträgers (11) gesteuert wird, um Änderungen der Abmessungen des Substrats (6) in der Substratebene zu minimieren.Method according to one of claims 1 to 11, wherein the temperature of the substrate ( 10 ) over the temperature of a substrate carrier ( 11 ) is controlled to change the dimensions of the substrate ( 6 ) in the substrate plane. Vorrichtung zum Belichten eines Substrats (10), insbesondere eines Wafers, mit: einer Belichtungsquelle (1), einer Maske (6) zum optischen Abbilden einer Struktur auf dem Substrat (10), einer Messvorrichtung (15) zum Messen der Temperatur und/oder der Abmessungen der Maske (6), und einer Heizung (5) und/oder Kühlung zum Konstanthalten der Temperatur und damit der Abmessungen der Maske (6).Device for exposing a substrate ( 10 ), in particular a wafer, with: an exposure source ( 1 ), a mask ( 6 ) for optically imaging a structure on the substrate ( 10 ), a measuring device ( 15 ) for measuring the temperature and / or the dimensions of the mask ( 6 ), and a heater ( 5 ) and / or cooling to keep the temperature constant and thus the dimensions of the mask ( 6 ). Vorrichtung zum Belichten eines Substrats (10), insbesondere eines Wafers, mit: einer Belichtungsquelle (1), einer Maske (6) zum optischen Abbilden einer Struktur auf dem Substrat (10), einer Messvorrichtung (15) zum Messen der Temperatur und/oder der Abmessungen der Maske (6), und einer Maskendehnvorrichtung (16) und/oder Maskenstauchvorrichtung (16) zum Konstanthalten der Abmessungen der Maske.Device for exposing a substrate ( 10 ), in particular a wafer, with: an exposure source ( 1 ), a mask ( 6 ) for optically imaging a structure on the substrate ( 10 ), a measuring device ( 15 ) for measuring the temperature and / or the dimensions of the mask ( 6 ), and a Maskendehnvorrichtung ( 16 ) and / or mask compression device ( 16 ) to keep the dimensions of the mask constant. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei die Heizung (5) eine Kontakt-, Fast-Kontakt-, Medien-, Induktions-, Ultraschall- oder Strahlungsheizung aufweist.Apparatus according to claim 13, wherein the heater ( 5 ) has contact, fast contact, media, induction, ultrasonic or radiant heating. Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei die Strahlungsheizung (5) im Wellenlängenbereich der Infrarot- oder der Mikrowellenstrahlung arbeitet.Apparatus according to claim 15, wherein the radiant heating ( 5 ) operates in the wavelength range of infrared or microwave radiation. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei die Maske (6) elektrisch leitfähige Schichten zum Heizen der Maske durch Stromfluss durch die Maske (6) aufweist.Apparatus according to claim 13, wherein the mask ( 6 ) electrically conductive layers for heating the mask by current flow through the mask ( 6 ) having. Vorrichtung nach Anspruch 15 oder 16, mit einem Shutter (12) im Strahlengang zwischen der Maske (6) und dem Substrat (10) zum Blockieren der Strahlung der Strahlungsheizung (5).Apparatus according to claim 15 or 16, with a shutter ( 12 ) in the beam path between the mask ( 6 ) and the substrate ( 10 ) to block the Radiation of radiant heating ( 5 ). Vorrichtung nach einem der Ansprüche 13 bis 18, mit einem Maskenhalter zum Temperieren der Maske (6).Device according to one of claims 13 to 18, with a mask holder for tempering the mask ( 6 ). Vorrichtung nach einem der Ansprüche 13 bis 19, mit einer Luftkühlung (17) bzw. Luftheizung (17) zum zusätzlichen Temperieren der Maske (6).Device according to one of claims 13 to 19, with air cooling ( 17 ) or air heating ( 17 ) for additional tempering of the mask ( 6 ). Vorrichtung nach einem der Ansprüche 13 bis 20, wobei die Maske (6) ein Material mit geringer Wärmeausdehnung aufweist.Device according to one of claims 13 to 20, wherein the mask ( 6 ) has a material with low thermal expansion. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 13 bis 21, mit einem Substratträger (11) zum Halten und Temperieren des Substrats (10).Device according to one of claims 13 to 21, with a substrate carrier ( 11 ) for holding and tempering the substrate ( 10 ). Vorrichtung nach Anspruch 22, mit dem Substratträger (11) zum Temperieren der Maske (6) durch thermischen Kontakt von Substratträger (11) und Substrat (10) und durch thermischen Kontakt zwischen Substrat (10) und Maske (6) während der Lithografie.Device according to claim 22, with the substrate carrier ( 11 ) for tempering the mask ( 6 ) by thermal contact of substrate carrier ( 11 ) and substrate ( 10 ) and by thermal contact between substrate ( 10 ) and mask ( 6 ) during lithography. Vorrichtung nach Anspruch 22, mit dem Substratträger (11) ohne Substrat (10) zum Kühlen oder Heizen der Maske (6) während der Betriebspausen durch direkten Kontakt zwischen Substratträger (11) und Maske (6).Device according to claim 22, with the substrate carrier ( 11 ) without substrate ( 10 ) for cooling or heating the mask ( 6 ) during the pauses due to direct contact between substrate carrier ( 11 ) and mask ( 6 ).
DE200910036953 2009-08-11 2009-08-11 Method for stabilizing dimensions of mask in mask plane constant during lithography, involves compressing and stretching mask for stabilizing mask dimensions, and utilizing air cooling or air heating part of mask Ceased DE102009036953A1 (en)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200910036953 DE102009036953A1 (en) 2009-08-11 2009-08-11 Method for stabilizing dimensions of mask in mask plane constant during lithography, involves compressing and stretching mask for stabilizing mask dimensions, and utilizing air cooling or air heating part of mask
KR1020127003470A KR20120048614A (en) 2009-08-11 2010-08-06 Method and device for keeping mask dimensions constant
EP10749622.6A EP2465011B1 (en) 2009-08-11 2010-08-06 Method and device for keeping mask dimensions constant
JP2012524208A JP2013502063A (en) 2009-08-11 2010-08-06 Method and apparatus for maintaining a constant mask size
US13/261,175 US8647797B2 (en) 2009-08-11 2010-08-06 Methos and device for keeping mask dimensions constant
PCT/EP2010/061479 WO2011018418A1 (en) 2009-08-11 2010-08-06 Method and device for keeping mask dimensions constant
TW099126492A TW201133151A (en) 2009-08-11 2010-08-09 Method and device for keeping the mask dimensions constant in the mask plane in lithography

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200910036953 DE102009036953A1 (en) 2009-08-11 2009-08-11 Method for stabilizing dimensions of mask in mask plane constant during lithography, involves compressing and stretching mask for stabilizing mask dimensions, and utilizing air cooling or air heating part of mask

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102009036953A1 true DE102009036953A1 (en) 2011-02-24

Family

ID=43495300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200910036953 Ceased DE102009036953A1 (en) 2009-08-11 2009-08-11 Method for stabilizing dimensions of mask in mask plane constant during lithography, involves compressing and stretching mask for stabilizing mask dimensions, and utilizing air cooling or air heating part of mask

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102009036953A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10495986B2 (en) 2016-03-24 2019-12-03 Asml Netherlands B.V. Patterning device cooling system and method of thermally conditioning a patterning device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2844368A1 (en) * 1978-10-11 1980-04-24 Siemens Ag Fine adjusting method for photo-mask - includes changing temp. of disc by, e.g. peltier element, to rectify errors between it and associated mask
US5593800A (en) * 1994-01-06 1997-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Mask manufacturing method and apparatus and device manufacturing method using a mask manufactured by the method or apparatus
EP0940718A2 (en) 1998-03-02 1999-09-08 Carl Zeiss Reticle with crystalline substrate and pellicle
US6342941B1 (en) * 1996-03-11 2002-01-29 Nikon Corporation Exposure apparatus and method preheating a mask before exposing; a conveyance method preheating a mask before exposing; and a device manufacturing system and method manufacturing a device according to the exposure apparatus and method
US20030179354A1 (en) * 1996-03-22 2003-09-25 Nikon Corporation Mask-holding apparatus for a light exposure apparatus and related scanning-exposure method
US20040053169A1 (en) * 2002-09-17 2004-03-18 International Business Machines Corporation Process and apparatus for minimizing thermal gradients across an advanced lithographic mask

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2844368A1 (en) * 1978-10-11 1980-04-24 Siemens Ag Fine adjusting method for photo-mask - includes changing temp. of disc by, e.g. peltier element, to rectify errors between it and associated mask
US5593800A (en) * 1994-01-06 1997-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Mask manufacturing method and apparatus and device manufacturing method using a mask manufactured by the method or apparatus
US6342941B1 (en) * 1996-03-11 2002-01-29 Nikon Corporation Exposure apparatus and method preheating a mask before exposing; a conveyance method preheating a mask before exposing; and a device manufacturing system and method manufacturing a device according to the exposure apparatus and method
US20030179354A1 (en) * 1996-03-22 2003-09-25 Nikon Corporation Mask-holding apparatus for a light exposure apparatus and related scanning-exposure method
EP0940718A2 (en) 1998-03-02 1999-09-08 Carl Zeiss Reticle with crystalline substrate and pellicle
US20040053169A1 (en) * 2002-09-17 2004-03-18 International Business Machines Corporation Process and apparatus for minimizing thermal gradients across an advanced lithographic mask

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10495986B2 (en) 2016-03-24 2019-12-03 Asml Netherlands B.V. Patterning device cooling system and method of thermally conditioning a patterning device
US11036148B2 (en) 2016-03-24 2021-06-15 Asml Netherlands B.V. Patterning device cooling system and method of thermally conditioning a patterning device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2465011B1 (en) Method and device for keeping mask dimensions constant
DE102019200750A1 (en) Production method for components of a projection exposure apparatus for semiconductor lithography and projection exposure apparatus
DE102017207862A1 (en) Projection exposure apparatus for semiconductor lithography with a heat light source and method for heating a component of the projection exposure apparatus
DE102009033818A1 (en) Temperature control device for an optical assembly
DE60130348T2 (en) Lithographic apparatus and method for producing an integrated circuit arrangement
DE102016209876A1 (en) Projection exposure apparatus for semiconductor lithography with a heat light source and method for heating a component of the projection exposure apparatus
DE102020204722A1 (en) OPTICAL SYSTEM, LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING AN OPTICAL SYSTEM
DE102011086513A1 (en) Projection exposure method for exposure of semiconductor wafer with image of pattern of reticle for manufacturing semiconductor component, involves heating mask corresponding to two-dimensional heating profile by heating device
DE102013215197A1 (en) Extreme UV (EUV) projection exposure system used for microlithography process, has control unit that controls heating/cooling device, so that absolute constant temperature profile is adjustable in partial region of mirrors
DE102009036953A1 (en) Method for stabilizing dimensions of mask in mask plane constant during lithography, involves compressing and stretching mask for stabilizing mask dimensions, and utilizing air cooling or air heating part of mask
DE102015200328A1 (en) Method for producing an optical element for an optical system, in particular for a coprolithographic projection exposure apparatus
WO2024061579A1 (en) Assembly for annealing at least a portion of an optical element
DE102019219231A1 (en) Projection exposure system for semiconductor lithography
DE102017009472A1 (en) Device for a laser processing system, laser processing system with the same and method for adjusting a focal position of an optical element
DE102017115240A1 (en) Method and device for measuring structures on a mask for microlithography
DE102013201805A1 (en) Lithography system has cooling element which is spaced apart and in surface contact with optical element in first and second actuator positions of actuator
DE102018208653A1 (en) Method and device for determining the heating state of a mirror in an optical system
DE102020214130A1 (en) Process for temperature control of an optical element and optical assembly
WO2021140157A1 (en) Method for compensating for a movement, and projection exposure system for photolithography
WO2021089579A1 (en) Projection exposure installation for semiconductor lithography
DE102020201723A1 (en) Projection exposure system with a thermal manipulator
DE102019111373A1 (en) Laser processing device and method for regulating a spatial light modulator
DE102017212874A1 (en) Optical system and lithography system
DE102018203241A1 (en) Optical element, and method for correcting the wavefront effect of an optical element
DE102007039671A1 (en) Projection exposure apparatus for semiconductor lithography, has temperature regulating element i.e. Peltier element, regulating temperature of regions of optical elements, where sensor is placed in edge region of optical elements

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final
R003 Refusal decision now final

Effective date: 20150122