DE102009026300A1 - Manufacturing method and apparatus for producing thin-film solar cells - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren und eine Herstellungsvorrichtung zur Herstellung von Dünnfilmsolarzellen, wobei das Verfahren einen Schritt des Anbringens eines Substrats (1) auf einer Heizplatte (5) und einen Schritt des Abscheidens eines Films (2) auf dem Substrat (1) umfasst, wobei während des Anbringungsschritts eine Pufferschicht (3) zwischen der Heizplatte (5) und einer Anbringungsfläche (12) des Substrats (1) angeordnet wird, die zumindest einen Mittelbereich (121) der Substratanbringungsfläche (12) bedeckt.The invention relates to a production method and a production device for producing thin film solar cells, the method comprising a step of attaching a substrate (1) to a heating plate (5) and a step of depositing a film (2) on the substrate (1), wherein during the application step, a buffer layer (3) is arranged between the heating plate (5) and an application surface (12) of the substrate (1), which covers at least a central region (121) of the substrate application surface (12).

Description

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren und eine Herstellungsvorrichtung zur Herstellung von Dünnfilmsolarzellen, insbesondere Kupfer-Indium-Gallium-Selenid-Dünnfilmsolarzellen (CIGS-Dünnfilmsolarzellen) und monolithischen Solarzellenmodulen.The The invention relates to a manufacturing method and a manufacturing apparatus for the production of thin-film solar cells, in particular copper indium gallium selenide thin film solar cells (CIGS thin film solar cells) and monolithic solar cell modules.

Handelsübliche Herstellungseinrichtungen zur Produktion von Dünnfilmen für Solarzellen umfassen eine Heizplatte, auf der ein Substrat angeordnet wird. Das Substrat wird mit Hilfe eines Vakuums durch Sauglöcher in der Heizplatte auf der Heizplatte gehalten. Danach werden auf dem Substrat Dünnfilmschichten abgelagert, um die Dünnfilmsolarzellen oder die monolithischen Module zu bilden. Ein Teil der CIGS-Dünnfilmsolarzellen kann durch eine chemische Badabscheidung (chemical bath deposition, CBD) abgelagert werden, beispielsweise eine Cadmiumsulfid-Pufferschicht auf einer CIGS-Schicht.Commercially available manufacturing facilities for Production of thin films for solar cells comprise a heating plate on which a substrate is placed. The substrate is vacuumed through suction holes in the heating plate held on the heating plate. After that, on the Substrate thin film layers deposited to the thin-film solar cells or to form the monolithic modules. Part of the CIGS thin film solar cells can be obtained by a chemical bath deposition (CBD) be deposited, for example, a cadmium sulfide buffer layer on a CIGS layer.

Ein wesentliches Problem nach der Herstellung der Dünnfilmsolarzellen ist die mechanische Stabilität des Substrats. Das Substrat, das gewöhnlich aus Glas besteht, ist nach dem CBD-Vorgang für Beschädigungen anfällig und hält im Besonderen häufig standardisierten Belastungsversuchen, wie sie durch den Technischen Überwachungsverein (TÜV) vorgesehen sind, nicht stand.One A major problem after the production of thin-film solar cells is the mechanical stability of the substrate. The substrate, usually is made of glass, is susceptible to damage after the CBD process and stops in Particular often standardized load tests, as provided by the Technical Inspection Association (TÜV) are not standing.

Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Herstellungsverfahren und eine Herstellungsvorrichtung zur Herstellung von Dünnfilmsolarzellen oder Modulen mit verbesserter mechanischer Stabilität bereitzustellen.It is therefore an object of the present invention, a manufacturing method and a manufacturing apparatus for producing thin-film solar cells or provide modules with improved mechanical stability.

Die Aufgabe wird bei dieser Erfindung durch das Bereitstellen eines Herstellungsverfahrens mit den Merkmalen von Anspruch 1 und einer Herstellungsvorrichtung mit den Merkmalen von Anspruch 14 erfüllt. Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.The Task is in this invention by providing a Manufacturing method with the features of claim 1 and a Manufacturing device with the features of claim 14. advantageous embodiments The invention are the subject of the dependent claims.

Die Erfindung beruht auf dem Verständnis, dass während der Bearbeitung des Substrats im Herstellungsprozess der Dünnfilmsolarzellen der direkte Kontakt des Substrats mit der Heizplatte zu kleinen Fehlern führen kann, die in das Substrat eingebracht werden. Derartige kleine Fehler können kleine Kratzer oder Sprünge in der Substratoberfläche oder im Substrat umfassen, die infolge einer Ungleichmäßigkeit des Substrats oder der Heizplatte in einem sehr kleinen Maßstab eingebracht werden können. Andererseits ist ein enger Kontakt zwischen dem Substrat und der Heizplatte erwünscht, um während des Abscheidungsprozesses für eine leistungsfähige und gesteuerte Erhitzung des Substrats zu sorgen.The Invention is based on the understanding that while the processing of the substrate in the manufacturing process of the thin film solar cells the direct contact of the substrate with the heating plate to small errors to lead can be introduced into the substrate. Such small mistakes can small scratches or cracks in the substrate surface or in the substrate due to unevenness of the substrate or the heating plate is introduced on a very small scale can be. On the other hand, a close contact between the substrate and the Hotplate desired, around during the deposition process for a powerful and controlled heating of the substrate.

Die Pufferschicht, die zwischen der Heizplatte und einer Anbringungsfläche des Substrats angeordnet wird, wird die Wärmeübertragung von der Heizplatte zum Substrat sicherstellen, während sie eine gleichmäßige Verteilung der auf die Anbringungsfläche wirkenden Kräfte bereitstellt, um unnötige Spannungen, die das Substrat beschädigen könnten, zu vermeiden. Im Besonderen ist der Mittelbereich der Substratanbringungsfläche gefährdet. Daher könnte es genügen, diesen Teil der Anbringungsfläche mit der Pufferschicht zu bedecken.The Buffer layer between the heating plate and a mounting surface of the Substrate is placed, the heat transfer from the heating plate ensure to the substrate while a uniform distribution the on the mounting surface acting forces provides unnecessary Avoid stresses that could damage the substrate. In particular the central region of the substrate attachment surface is at risk. Therefore it could sufficient this part of the mounting surface to cover with the buffer layer.

Der Mittelbereich könnte sich auf jeden beliebigen einzelnen fortlaufenden oder auf mehrere Bereiche auf der Anbringungsfläche beziehen, die nicht an den Rand des Substrats grenzen. Mit anderen Worten wird es wahrscheinlich nicht genug sein, die Pufferschicht zum Beispiel in der Form eines Rahmens nur einen Grenzbereich der Anbringungsfläche bedecken zu lassen. Vielmehr ist es nötig, dass ein Mittelbereich bedeckt wird. Dies liegt daran, dass vor allem der Mittelbereich oder der Mittelteil des Substrats einer Beanspruchung ausgesetzt ist, während er an der Heizplatte angebracht ist, da dort der größte Vakuumdruck oder Unterdruck auftritt. Daher wird eine Beschädigung des Substrats am wahrscheinlichsten in diesem Bereich oder in der Masse des Substrats über diesem Bereich auftreten.Of the Middle range could to any single consecutive or multiple Areas on the mounting surface which do not border on the edge of the substrate. In other words it will probably not be enough, for example, the buffer layer in the form of a frame cover only a border area of the mounting surface allow. Rather, it is necessary that a central area is covered. This is because, first of all the central region or the central part of the substrate of a stress is suspended while it is attached to the heating plate because there is the largest vacuum pressure or negative pressure occurs. Therefore, damage to the substrate is most likely in this area or in the bulk of the substrate above this Area occur.

Vorteilhaft umfasst der Mittelbereich zumindest einen zentralen Bereich der Anbringungsfläche des Substrats. Dies kann zum Beispiel ein Bereich um das geometrische Zentrum der Anbringungsfläche sein. Falls die Substratanbringungsfläche eine rechteckige Form aufweist, kann der zentrale Bereich ein Bereich sein, der den Kreuzungspunkt der beiden Diagonalen des Rechtecks umgibt.Advantageous the central area comprises at least one central area of the Mounting surface of the Substrate. This can be, for example, an area around the geometric Center of the mounting surface be. If the substrate attachment surface has a rectangular shape, For example, the central area may be an area that is the intersection point surrounds the two diagonals of the rectangle.

Obwohl ein Mittelbereich der Substratanbringungsfläche im Allgemeinen einem Mittelbereich der Heizplatte, auf der das Substrat angebracht ist, entspricht, könnte dies nicht der Fall sein, wenn die Heizplatte eine Fläche aufweist, die sich in der Größe und/oder in der Form von der Anbringungsfläche des Substrats unterscheidet.Even though a central region of the substrate attachment surface is generally a central region the heating plate on which the substrate is mounted corresponds, could this will not be the case if the heating plate has a surface, which are in size and / or differs in shape from the mounting surface of the substrate.

Nach dem Anbringen des Substrats an der Heizplatte, wobei dazwischen die Pufferschicht angeordnet ist, kann der Abscheidungsschritt begonnen werden, um einen oder mehrere Dünnfilme abzulagern. Als ein Beispiel können derartige Dünnfilme, die Teil von Kupfer-Indium-Gallium-Selenid(CIGS)Dünnfilmsolarzellen sind, zum Beispiel einen auf einem CIGS-Film abgelagerten Cadmiumsulfid(CdS)film beinhalten. Die Pufferschicht selbst kann Fiberglas umfassen, zum Beispiel in Form eines Glasfasergewebes. Darüber hinaus ist die Pufferschicht vorzugsweise so gestaltet, dass sie antistatisch ist.To attaching the substrate to the heating plate, with between them the buffer layer is arranged, the deposition step can be started, one or more thin films deposit. As an example Such thin films, the Part of Copper Indium Gallium Selenide (CIGS) thin-film solar cells are, for For example, a cadmium sulfide (CdS) film deposited on a CIGS film include. The buffer layer itself may comprise fiberglass, for Example in the form of a glass fiber fabric. In addition, the buffer layer is preferably designed to be antistatic.

In einer bevorzugten Ausführungsform wird die Pufferschicht zwischen der Heizplatte und dem Substrat angeordnet, wobei sie im Wesentlichen die gesamte Substratanbringungsfläche bedeckt. Im Gegensatz zu einer nur teilweisen Bedeckung der Anbringungsfläche weist dies den Vorteil auf, dass der Schutz der gesamten Fläche des Substrats gestattet wird. Es ist jedoch möglich, dass die Pufferschicht für verschiedenste Zwecke perforiert ist oder Löcher umfasst.In a preferred embodiment the buffer layer is disposed between the heating plate and the substrate, covering substantially the entire substrate mounting surface. As opposed to only partially covering the mounting surface, this has the advantage of allowing protection of the entire surface of the substrate. However, it is possible that the buffer layer is perforated for various purposes or includes holes.

In einer vorteilhaften Ausführungsform besteht die zwischen der Heizplatte und dem Substrat angeordnete Pufferschicht aus einem biegsamen Material. Zusätzlich dazu, dass es über bessere Puffereigenschaften verfügt, gestattet dieses Merkmal eine leichte Aufbringung und Entfernung der Pufferschicht, da diese gerollt oder gefaltet werden kann. Darüber hinaus kann ein Vorrat oder eine Versorgung mit der Pufferschicht auf einem Versorgungszylinder gehalten werden.In an advantageous embodiment which is arranged between the heating plate and the substrate Buffer layer of a flexible material. In addition to that it has better Has buffering properties, this feature allows easy application and removal the buffer layer, since this can be rolled or folded. Furthermore can store or supply the buffer layer on a Supply cylinders are kept.

In einer bevorzugten Ausführungsform besteht die zwischen der Heizplatte und dem Substrat angeordnete Pufferschicht aus einem Kunststoffmaterial. Die Zusammensetzung des Kunststoffs kann gemäß den benötigten Eigenschaften abgestimmt werden, zum Beispiel, um die Wärmeleitfähigkeit der Pufferschicht zu erhöhen. Die Pufferschicht kann Polytetrafluorethylen (PTFE) umfassen.In a preferred embodiment which is arranged between the heating plate and the substrate Buffer layer of a plastic material. The composition of the plastic can according to the required properties be tuned, for example, to the thermal conductivity of the buffer layer too increase. The buffer layer may comprise polytetrafluoroethylene (PTFE).

In einer vorteilhaften Ausführungsform besteht die zwischen der Heizplatte und dem Substrat angeordnete Pufferschicht aus einem Fasermaterial und/oder aus Verbundmaterialien. Das Fasermaterial, das ein Cellulosematerial wie etwa einen Papierbogen umfassen kann, weist den Vorteil auf, dass eine Vakuumsaugwirkung durch die Pufferschicht hindurch ausgeübt werden kann, ohne dass in der Schicht Löcher bereitgestellt werden müssen. Ein Verbundmaterial kann zum Beispiel eine glasfaserverstärkte Polytetrafluorethylen(PTFE)schicht oder -folie umfassen.In an advantageous embodiment which is arranged between the heating plate and the substrate Buffer layer of a fiber material and / or composite materials. The fibrous material, which is a cellulosic material such as a paper sheet has the advantage that a vacuum suction effect through the buffer layer can be exercised without in the layer of holes must be provided. A composite material may be, for example, a glass fiber reinforced polytetrafluoroethylene (PTFE) layer or foil.

In einer bevorzugten Ausführungsform weist die zwischen der Heizplatte und dem Substrat angeordnete Pufferschicht eine Dicke von weniger als etwa 1 mm, vorteilhaft von weniger als etwa 0,4 mm und noch vorteilhafter von weniger als etwa 0,15 mm auf. Dünne Pufferschichten weisen den Vorteil auf, dass eine bessere Wärmeübertragung zwischen der Heizplatte und dem Substrat gestattet wird. Vorteilhafte Pufferschichtdicken können etwa 0,07 mm, etwa 0,25 mm oder etwa 0,35 mm betragen.In a preferred embodiment has the buffer layer disposed between the heating plate and the substrate a thickness of less than about 1 mm, preferably less than about 0.4 mm and more preferably less than about 0.15 mm. Thin buffer layers have the advantage of providing better heat transfer between the heating plate and the substrate is allowed. Advantageous buffer layer thicknesses can about 0.07 mm, about 0.25 mm or about 0.35 mm.

In einer vorteilhaften Ausführungsform umfasst der Anbringungsschritt das Bereitstellen einer Saugwirkung durch Sauglöcher in der Heizplatte, um das Substrat durch ein Vakuum auf der Heizplatte zu halten. Das Halten des Substrats mit Hilfe eines Vakuums auf der Heizplatte weist den Vorteil auf, dass im Gegensatz zum Beispiel zu einer Anbringung mit anderen Mittel wie etwa Klammern ein sehr gleichmäßiger Haltedruck auf das Substrat ausgeübt werden kann.In an advantageous embodiment the attaching step comprises providing a suction effect through suction holes in the hot plate to the substrate by a vacuum on the hot plate to keep. Holding the substrate by means of a vacuum the heating plate has the advantage that, in contrast to the example a very attaching to other means such as braces even holding pressure exerted on the substrate can be.

In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst der Anbringungsschritt einen Schritt des Ausrichtens von Löchern, die in der Pufferschicht bereitgestellt sind, mit den Sauglöchern in der Heizplatte. Derartige Löcher könnten in einem regelmäßigen oder in einem regellosen Muster bereitgestellt sein.In a preferred embodiment the attaching step comprises a step of aligning holes which are provided in the buffer layer, with the suction holes in the heating plate. Such holes could in a regular or be provided in a random pattern.

In einer vorteilhaften Ausführungsform ist der Vakuumdruck zum Halten des Substrats auf der Heizplatte auf zwischen etwa 10 mbar und etwa 800 mbar eingestellt. Der Vakuumdruck kann abhängig von der Größe und vom Gewicht des Substrats und von der Größe der Heizplattenfläche eingestellt werden.In an advantageous embodiment is the vacuum pressure for holding the substrate on the hot plate set to between about 10 mbar and about 800 mbar. The vacuum pressure can be dependent on the size and of Weight of the substrate and the size of the Heizplattenfläche set become.

In einer bevorzugten Ausführungsform wird das Substrat während der Abscheidung des Films auf dem Substrat auf eine Temperatur von mehr als etwa 40°C, vorteilhaft von mehr als etwa 50°C und noch vorteilhafter von mehr als etwa 60°C erhitzt. Im Allgemeinen wird eine Temperatur von zwischen etwa 40°C und etwa 90°C bevorzugt. Die Pufferschicht muss aus einem Material bestehen, das eine ausreichende Hitzebeständigkeit aufweist. Die Hitzebeständigkeit sollte bis zu 100°C oder darüber betragen.In a preferred embodiment the substrate becomes during the deposition of the film on the substrate to a temperature of more than about 40 ° C, advantageously greater than about 50 ° C and more preferably heated above about 60 ° C. In general, will a temperature of between about 40 ° C and about 90 ° C is preferred. The buffer layer must be made of a material that has a sufficient heat resistance having. The heat resistance should be up to 100 ° C or above be.

In einer vorteilhaften Ausführungsform wird die Abscheidung des Films auf das Substrat durch eine chemische Badabscheidung (CBD) durchgeführt. Das Substrat kann aus diesem Grund entweder in ein chemisches Bad eingetaucht werden, oder es kann alternativ auf der Substratoberfläche eine flüssige Schicht des chemischen Bads eingerichtet werden.In an advantageous embodiment the deposition of the film on the substrate by a chemical Badabscheidung (CBD) performed. For this reason, the substrate can either be in a chemical bath be immersed, or it may alternatively on the substrate surface a liquid Layer of the chemical bath to be set up.

In einer bevorzugten Ausführungsform wird die Pufferschicht von Hand oder automatisch auf der Heizplatte angeordnet. Zum Beispiel kann die Pufferschicht durch das Bewegen eines Zylinders, auf den sie gewickelt ist, über die Heizplatte auf die Heizplatte gerollt werden, bevor das Substrat positioniert wird. Alternativ kann die Heizplatte unter einen gedehnten Bogen der Pufferschicht bewegt werden. Wenn nacheinander mehrere Substrate auf der Heizplatte angeordnet werden, kann die automatische oder händische Anordnung der Pufferschicht vor der Anordnung jedes Substrats auf der Heizplatte vorgenommen werden, oder es kann eine einzelne Pufferschicht für mehrere Substrate verwendet werden und nur ausgetauscht werden, nachdem sie beschädigt wurde oder wenn sie wahrscheinlich beschädigt wird.In a preferred embodiment the buffer layer is manually or automatically on the heating plate arranged. For example, the buffer layer may be moved by moving of a cylinder, on which it is wound, over the heating plate on the Heating plate to be rolled before the substrate is positioned. Alternatively, the hot plate may be under a stretched arc of the buffer layer to be moved. If successively several substrates on the heating plate can be arranged, the automatic or manual arrangement of the buffer layer before placing each substrate on the hot plate or it can be a single buffer layer for multiple Substrates are used and only exchanged after she was damaged or if it is likely to get damaged.

In einer vorteilhaften Ausführungsform umfasst die Pufferschicht eine selbstklebende Fläche, die während der Anbringung des Substrats an der Heizplatte angeordnet wird. Alternativ kann zwischen der Pufferschicht und der Heizplatte eine Klebstoffschicht angeordnet werden. Beide Fälle weisen den Vorteil auf, dass sich die Pufferschicht nicht bewegen wird, während das Substrat darauf angeordnet wird. Die Selbstklebrigkeit kann auf Bereiche oder Stellen der Pufferschicht beschränkt sein. Zum Beispiel kann ein Grenz- oder Randbereich und/oder ein mittlerer oder zentraler Bereich der Pufferschicht der einzige Teil sein, der mit einem Klebstoff bedeckt ist.In an advantageous embodiment, the buffer layer comprises a self-adhesive surface, which is placed on the heating plate during attachment of the substrate. Alternatively, an adhesive layer can be arranged between the buffer layer and the heating plate. Both cases have the advantage that the buffer layer will not move while the substrate is placed thereon. Self-tackiness may be limited to areas or locations of the buffer layer. For example, a marginal area and / or a central or central area of the buffer layer may be the only part that is covered with an adhesive.

In der folgenden Beschreibung werden unter Bezugnahme auf die beiliegenden schematischen Zeichnungen einige Beispiele für Ausführungsformen der Erfindung ausführlicher beschrieben werden, wobeiIn The following description will be made with reference to the attached schematic drawings some examples of embodiments of the invention in more detail be described, wherein

1a bis 1d das Einrichten und die Abscheidung eines Films zum Herstellen von Dünnfilmsolarzellen schematisch zeigen; und 1a to 1d schematically show the setting up and the deposition of a film for producing thin-film solar cells; and

2 eine Anordnung zur Dünnfilmsolarzellenherstellung zeigt, wobei ein Substrat auf einer Heizplatte angeordnet ist. 2 shows an arrangement for thin-film solar cell production, wherein a substrate is arranged on a heating plate.

1a bis 1d zeigen in einer Reihe von schematischen Zeichnungen die Anordnung zum Abscheiden eines Dünnfilms auf einem Substrat. In 1a ist eine Heizplatte 5 gezeigt, die ein Heizelement 55 umfasst, das hier als Widerstandsheizelement angegeben ist, welches sich über die gesamte Heizplatte 5 erstreckt. Alternativ können andere Arten von geeigneten Heizelementen 55 eingesetzt werden. Darüber hinaus wird das Heizelement 55 vorzugsweise aus kleineren Heizmodulen bestehen, die sich jeweils nur über einen Teil der Heizplatte erstrecken. 1a to 1d show in a series of schematic drawings the arrangement for depositing a thin film on a substrate. In 1a is a hot plate 5 shown a heating element 55 includes, which is indicated here as a resistance heating element, which extends over the entire heating plate 5 extends. Alternatively, other types of suitable heating elements 55 be used. In addition, the heating element 55 preferably consist of smaller heating modules, each extending over only a portion of the heating plate.

Wie in 1b gezeigt wird auf der Heizplatte 5 eine Pufferschicht 3 angeordnet. Die Pufferschicht 3 kann zum Beispiel aus einem Cellulosematerial wie etwa einem Bogen von Papier oder Pappe bestehen. Eine Dicke der Pufferschicht 3 von weniger als 0,15 mm oder geringer kann ausreichend sein. Doch abhängig vom Material der Pufferschicht 3 können dickere Schichten eingesetzt werden, zum Beispiel bis zu etwa 0,4 mm oder sogar 1 mm.As in 1b is shown on the heating plate 5 a buffer layer 3 arranged. The buffer layer 3 For example, it may be made of a cellulosic material such as a sheet of paper or paperboard. A thickness of the buffer layer 3 less than 0.15 mm or less may be sufficient. But depending on the material of the buffer layer 3 For example, thicker layers may be used, for example up to about 0.4 mm or even 1 mm.

Danach wird wie in 1c gezeigt ein Substrat 1 auf der Pufferschicht 3 angeordnet. Das Substrat 1, das vorzugsweise aus Glas oder einem ähnlichen starren Material besteht, berührt die Pufferschicht 3 mit der Anbringungsfläche 12. Bei der hier gezeigten Anordnung weisen das Substrat 1 und die Heizplatte 5 ungefähr die gleiche Größe auf und bedeckt die Pufferschicht 3 im Wesentlichen die gesamte Anbringungsfläche 12 des Substrats 1 und daher auch im Wesentlichen die gesamte Heizplatte 5.After that, as in 1c shown a substrate 1 on the buffer layer 3 arranged. The substrate 1 , which is preferably made of glass or similar rigid material, contacts the buffer layer 3 with the mounting surface 12 , In the arrangement shown here have the substrate 1 and the heating plate 5 about the same size and covers the buffer layer 3 essentially the entire mounting surface 12 of the substrate 1 and therefore essentially the entire heating plate 5 ,

Alternativ können sich die Größen der Substratanbringungsfläche 12 und der Heizplatte 5 unterscheiden. Darüber hinaus kann die Pufferschicht 3 auf eine solche Weise angeordnet werden, dass sie nur einen Mittelbereich 121 der Anbringungsfläche 12 des Substrats 1 bedeckt, wodurch ein Grenzbereich 122 der Anbringungsfläche 12 ausgespart wird oder nur ein Teil davon bedeckt wird. Das Bedecken des Mittelbereichs 122 der Anbringungsfläche 12 ist nötig, da die auf das Substrat 1 ausgeübte Beanspruchung hier höher als in der Nähe der Grenze des Substrats 1 ist. Vorzugsweise umfasst der durch die Pufferschicht 3 bedeckte Mittelbereich 121 einen zentralen Bereich, der ein geometrisches Zentrum der Anbringungsfläche 12 umgibt.Alternatively, the sizes of the substrate attachment surface 12 and the heating plate 5 differ. In addition, the buffer layer 3 be arranged in such a way that they have only one central area 121 the mounting surface 12 of the substrate 1 covered, creating a border area 122 the mounting surface 12 is left out or only part of it is covered. Covering the middle area 122 the mounting surface 12 is necessary because of the substrate 1 applied stress higher here than near the boundary of the substrate 1 is. Preferably, this comprises the buffer layer 3 covered middle area 121 a central area that is a geometric center of the mounting surface 12 surrounds.

Bei der in 1c gezeigten Anordnung wird die durch das Heizelement 55 in der Heizplatte 5 bereitgestellte Hitze durch die Pufferschicht 3 zum Substrat 1 übertragen, um die Temperatur des Substrats 1 auf einen gewünschten Wert für die Dünnfilmabscheidung, zum Beispiel auf ungefähr 40°C, 50°C, 60°C oder eine höhere Temperatur, anzuheben und bei diesem Wert zu halten. In einem anschließenden Abscheidungsschritt wird wie in 1d gezeigt ein Dünnfilm 2 auf dem Substrat 1 abgelagert. Der Dünnfilm 2 kann unter Verwendung einer chemischen Badabscheidungstechnik erzeugt werden.At the in 1c The arrangement shown by the heating element 55 in the hot plate 5 provided heat through the buffer layer 3 to the substrate 1 transferred to the temperature of the substrate 1 to a desired value for the thin film deposition, for example to about 40 ° C, 50 ° C, 60 ° C or a higher temperature, and to hold at this value. In a subsequent deposition step, as in 1d shown a thin film 2 on the substrate 1 deposited. The thin film 2 can be generated using a chemical bath deposition technique.

2 veranschaulicht eine Ausführungsform des Herstellungsverfahrens und der -vorrichtung, wobei das Substrat 1 durch ein Vakuum, das durch eine hier nur schematisch dargestellte Vakuumpumpe 7 bereitgestellt wird, auf der Heizplatte 5 gehalten wird. Die Vakuumpumpe 7 kann jede beliebige geeignete Pumpe sein, die eine ausreichende Saugwirkung bereitstellen kann, um einen Vakuumdruck zum Halten des Substrats auf der Heizplatte, vorzugsweise einen Vakuumdruck zwischen etwa 10 mbar und etwa 800 mbar, zu erzeugen. 2 illustrates an embodiment of the manufacturing method and apparatus wherein the substrate 1 by a vacuum, which by a vacuum pump shown here only schematically 7 is provided on the hot plate 5 is held. The vacuum pump 7 may be any suitable pump that can provide sufficient suction to create a vacuum pressure to hold the substrate to the hot plate, preferably a vacuum pressure between about 10 mbar and about 800 mbar.

Die Saugwirkung wird durch Sauglöcher 53 in der Heizplatte 5 erzeugt. Die Pufferschicht 3 umfasst Löcher 33, die mit den Sauglöchern 53 ausgerichtet sind, um den Vakuumdruck zur Anbringungsfläche 12 des Substrats 1 zu übertragen. Alternativ kann die Pufferschicht 3 aus einem luftdurchlässigen Material wie etwa einem Fasermaterial oder einem Stoff bestehen, in welchem Fall auf die Löcher 33 verzichtet werden kann. Wie in Verbindung mit 1 beschrieben kann die Bedeckung der Anbringungsfläche 12 mit der Pufferschicht 3 von dem, was in 2 gezeigt ist, abweichen. Darüber hinaus kann die Pufferschicht 3 aus gesonderten Pufferschichtstücken bestehen, die zwischen dem Substrat 1 und der Heizplatte 5 angeordnet sind.The suction effect is through suction holes 53 in the hot plate 5 generated. The buffer layer 3 includes holes 33 that with the suction holes 53 aligned to the vacuum pressure to the mounting surface 12 of the substrate 1 transferred to. Alternatively, the buffer layer 3 made of an air-permeable material such as a fibrous material or a fabric, in which case on the holes 33 can be waived. As in connection with 1 described may be the coverage of the mounting surface 12 with the buffer layer 3 from what is in 2 shown is different. In addition, the buffer layer 3 consist of separate buffer layer pieces, which are between the substrate 1 and the heating plate 5 are arranged.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
Substratsubstratum
1212
SubstratanbringungsflächeSubstrate mounting surface
121121
Mittelbereich der Anbringungsflächethe central region the mounting surface
122122
Grenzbereich der Anbringungsflächeborder area the mounting surface
22
abgelagerter Filmseasoned Movie
33
Pufferschichtbuffer layer
3333
Löcherholes
55
Heizplatteheating plate
5353
Sauglöchersuction holes
5555
Heizelementheating element
77
Vakuumpumpevacuum pump

Claims (14)

Herstellungsverfahren für Dünnfilmsolarzellen, umfassend einen Schritt des Anbringens eines Substrats (1) auf einer Heizplatte (5), und einen Schritt des Abscheidens eines Films (2) auf dem Substrat (1), wobei während des Anbringungsschritts eine Pufferschicht (3) zwischen der Heizplatte (5) und einer Anbringungsfläche (12) des Substrats (1) angeordnet wird, die zumindest einen Mittelbereich (121) der Substratanbringungsfläche (12) bedeckt.A thin-film solar cell manufacturing method comprising a step of mounting a substrate ( 1 ) on a hot plate ( 5 ), and a step of depositing a film ( 2 ) on the substrate ( 1 ), wherein during the attaching step a buffer layer ( 3 ) between the heating plate ( 5 ) and a mounting surface ( 12 ) of the substrate ( 1 ) is arranged, the at least one central area ( 121 ) of the substrate attachment surface ( 12 ) covered. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Pufferschicht (3) zwischen der Heizplatte (5) und dem Substrat (1) angeordnet wird, wobei im Wesentlichen die gesamte Substratanbringungsfläche (12) bedeckt wird.Manufacturing method according to claim 1, characterized in that the buffer layer ( 3 ) between the heating plate ( 5 ) and the substrate ( 1 ), wherein substantially the entire substrate mounting surface (FIG. 12 ) is covered. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die zwischen der Heizplatte (5) und dem Substrat (1) angeordnete Pufferschicht (3) aus einem biegsamen Material besteht.Manufacturing method according to claim 1 and 2, characterized in that between the heating plate ( 5 ) and the substrate ( 1 ) arranged buffer layer ( 3 ) consists of a flexible material. Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zwischen der Heizplatte (5) und dem Substrat (1) angeordnete Pufferschicht (3) aus einem Kunststoffmaterial besteht.Manufacturing method according to one of the preceding claims, characterized in that between the heating plate ( 5 ) and the substrate ( 1 ) arranged buffer layer ( 3 ) consists of a plastic material. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die zwischen der Heizplatte (5) und dem Substrat (1) angeordnete Pufferschicht (3) aus einem Fasermaterial und/oder Verbundmaterialien besteht.Manufacturing method according to one of claims 1 to 3, characterized in that between the heating plate ( 5 ) and the substrate ( 1 ) arranged buffer layer ( 3 ) consists of a fiber material and / or composite materials. Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zwischen der Heizplatte (5) und dem Substrat (1) angeordnete Pufferschicht (3) eine Dicke von weniger als etwa 1 mm, vorteilhaft von weniger als etwa 0,4 mm und noch vorteilhafter von weniger als etwa 0,15 mm aufweist.Manufacturing method according to one of the preceding claims, characterized in that between the heating plate ( 5 ) and the substrate ( 1 ) arranged buffer layer ( 3 ) has a thickness of less than about 1 mm, advantageously less than about 0.4 mm, and more preferably less than about 0.15 mm. Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Anbringungsschritt das Bereitstellen einer Saugwirkung durch Sauglöcher (53) in der Heizplatte, um das Substrat (1) durch ein Vakuum auf der Heizplatte (5) zu halten, umfasst.Manufacturing method according to one of the preceding claims, characterized in that the mounting step comprises providing suction through suction holes ( 53 ) in the hot plate to the substrate ( 1 ) by a vacuum on the heating plate ( 5 ). Herstellungsverfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Anbringungsschritt einen Schritt des Ausrichtens von Löchern (33), die in der Pufferschicht (3) bereitgestellt sind, mit den Sauglöchern (53) in der Heizplatte (5) umfasst.A manufacturing method according to claim 7, characterized in that said attaching step comprises a step of aligning holes ( 33 ) in the buffer layer ( 3 ), with the suction holes ( 53 ) in the heating plate ( 5 ). Herstellungsverfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Vakuumdruck zum Halten des Substrats (1) auf der Heizplatte (5) auf zwischen etwa 10 mbar und etwa 800 mbar eingerichtet ist.Manufacturing method according to claim 7 or 8, characterized in that the vacuum pressure for holding the substrate ( 1 ) on the heating plate ( 5 ) is set to between about 10 mbar and about 800 mbar. Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1) während der Abscheidung des Films (2) auf dem Substrat (1) auf eine Temperatur von über etwa 40°C, vorteilhaft von über etwa 50°C und noch vorteilhafter von über etwa 60°C erhitzt wird.Manufacturing method according to one of the preceding claims, characterized in that the substrate ( 1 ) during the deposition of the film ( 2 ) on the substrate ( 1 ) is heated to a temperature above about 40 ° C, preferably above about 50 ° C, and more preferably above about 60 ° C. Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheidung des Films (2) auf dem Substrat (1) durch eine chemische Badabscheidung (CBD) durchgeführt wird.Manufacturing method according to one of the preceding claims, characterized in that the deposition of the film ( 2 ) on the substrate ( 1 ) is performed by chemical bath deposition (CBD). Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Pufferschicht (3) von Hand oder automatisch auf der Heizplatte angeordnet wird.Manufacturing method according to one of the preceding claims, characterized in that the buffer layer ( 3 ) is arranged by hand or automatically on the heating plate. Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Pufferschicht (3) eine selbstklebende Fläche umfasst, die während der Anbringung des Substrats (1) an der Heizplatte (5) angeordnet wird.Manufacturing method according to one of the preceding claims, characterized in that the buffer layer ( 3 ) comprises a self-adhesive surface which during the attachment of the substrate ( 1 ) on the heating plate ( 5 ) is arranged. Herstellungsvorrichtung zur Herstellung von Dünnfilmsolarzellen, umfassend eine Heizplatte (5), die zur Anbringung eines Substrats (1) daran aufgebaut ist und Heizelemente (7) umfasst, welche dazu aufgebaut sind, ein Substrat (1) zu erhitzen, eine Abscheidungseinheit, die dazu aufgebaut ist, einen Film (2) auf dem Substrat (1) abzulagern, und eine Pufferschicht (3), die so auf der Heizplatte (5) angeordnet ist, dass sie während des Schritts des Abscheidens des Films (2) auf dem Substrat (1) zwischen einer Anbringungsfläche (12) des Substrats (1) und der Heizplatte (5) liegt, wobei sie zumindest einen Mittelbereich (121) der Substratanbringungsfläche (12) bedeckt.Manufacturing apparatus for producing thin-film solar cells, comprising a heating plate ( 5 ) used for mounting a substrate ( 1 ) and heating elements ( 7 ), which are constructed to a substrate ( 1 ), a deposition unit designed to form a film ( 2 ) on the substrate ( 1 ) and a buffer layer ( 3 ), so on the hot plate ( 5 ) is arranged during the step of depositing the film ( 2 ) on the substrate ( 1 ) between a mounting surface ( 12 ) of the substrate ( 1 ) and the heating plate ( 5 ), whereby at least one central region ( 121 ) of the substrate attachment surface ( 12 ) covered.
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