DE102008020924A1 - Electrical and/or mechanical connections manufacturing method for gamma or X-ray detectors, involves producing elevation as seed layer, metallic column and solder layer based on substrate or electronic element - Google Patents

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Harald Dr. Kuhn
Jörg ZAPF
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Abstract

The method involves producing an elevation serving for electrical and/or mechanical connection on a substrate (1) or an electronic element. The elevation is produced as a seed layer (2), metallic column (4) and a solder layer (6) based on the substrate or the electronic element. A recess is provided for a photo foil (3) pointed to the elevation on the seed layer. The column is galvanically produced in the recess on the seed layer. The solder layer is produced on the column, and the photo foil is removed, where solder paste (5) and the solder layer are made of indium, tin and bismuth alloy. An independent claim is also included for a module comprising electrical and/or mechanical connections.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Hauptanspruchs und ein Modul gemäß dem Oberbegriff des Nebenanspruchs.The The present invention relates to a method according to the Preamble of the main claim and a module according to the Generic term of the secondary claim.

Ein herkömmliches Verfahren zur Herstellung hochauflösender und hochpoliger Verbindungen von Chip zu Chip oder Chip zu Substrat ist die Erzeugung von Lotbumps durch schablonengedruckte Lotpaste und Reflow. Dieses Verfahren weist die Nachteile auf, dass die Höhentoleranzen sehr groß sind und die Lotpasten mit niedrigem Schmelzpunkt schlechter zu verarbeiten sind.One conventional process for producing high resolution and high-pole connections from chip to chip or chip to substrate is the production of solder bumps by stencil-printed solder paste and reflow. This method has the disadvantages that the height tolerances are very large and the solder pastes with low melting point worse to be processed.

Ein weiteres herkömmliches Verfahren ist das Erzeugen von Lotbumps durch Fotolithographie und galvanische Abscheidung. Dieses Verfahren weist die Nachteile auf, dass Elektrolyte zur Abscheidung von Niedertemperaturloten lediglich bedingt verfügbar sind und teuer und schwer zu prozessieren sind.One Another conventional method is the production of solder bumps by photolithography and galvanic deposition. This method points the disadvantages on that electrolytes for the deposition of low-temperature solders are only conditionally available and expensive and difficult too are processing.

Ein weiteres herkömmliches Verfahren ist das Platzieren von Lotkugeln. Dieses Verfahren ist lediglich für größere Pads und Pitches geeignet. Kleinere Lotkugeln mit einem Durchmesser von unter 200 μm in niederschmelzenden Legierungen sind lediglich bedingt verfügbar.One Another conventional method is the placement of Solder balls. This procedure is only for larger ones Pads and pitches suitable. Smaller solder balls with a diameter of less than 200 microns in low melting alloys only conditionally available.

Ein weiteres herkömmliches Verfahren ist das Erzeugen von Studbumps in Kombination mit Leitklebern oder mittels Thermosonic-Bonden. Das Studbumping ist als sequentieller Prozess teuer. Leitkleberverbindungen sind mechanisch nicht sehr stabil. Das Thermosonic-Bonden ist bei hochpoligen Verbindungen durch die erforderlichen hohen Kräfte nicht möglich.One Another conventional method is the generation of studbumps in combination with conductive adhesives or with Thermosonic bonding. Studbumping is expensive as a sequential process. Leitkleberverbindungen are not very stable mechanically. Thermosonic bonding is on high-poled connections by the required high forces not possible.

Die US 6,933,505 B2 offenbart eine Imagingvorrichtung für ein Niedertemperatur-Strahlungs-Bumpbonden. Es ist eine Röntgen- und Gammastrahlung abbildende Vorrichtung mit einem temperaturempfindlichen Halbleiterdetektorsubstrat offenbart, das zu einem Halbleiter CMOS-Auslesesubstrat bumpgebondet ist. Das temperaturempfindliche Halbleiterdetektorsubstrat verwendet Tellurium-Verbindungsmaterialien, wie beispielsweise CdTe und CdZnTe. Die Bumpbonds werden aus einer bleifreien binären Lotlegierung mit einem Schmelzpunkt in einem Niedertemperaturbereich zwischen circa 100°C und circa 180°C ausgebildet. Es ist ebenso ein Verfahren zur Ausbildung von Lotbumps unter Verwendung der bleifreien binären Lötlegierung im Niedertemperaturbereich zur Verhinderung einer Zerstörung von temperaturempfindlichem und möglicherweise sprödem Detektorsubstrat beim Zusammenbau der bildgebenden Vorrichtung beschrieben.The US 6,933,505 B2 discloses an imaging device for low temperature radiation bump bonding. There is disclosed an X-ray and gamma ray imaging apparatus having a temperature sensitive semiconductor detector substrate bump bonded to a semiconductor CMOS readout substrate. The temperature-sensitive semiconductor detector substrate uses tellurium compound materials such as CdTe and CdZnTe. The bump bonds are formed from a lead-free binary solder alloy having a melting point in a low temperature range between about 100 ° C and about 180 ° C. There is also described a method of forming solder bumps using the lead-free binary solder alloy in the low temperature region to prevent destruction of temperature sensitive and possibly brittle detector substrate in assembly of the imaging device.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung bei maximalen Temperaturen von circa 180°C eine Verbindung von elektronischem Bauelement zu elektronischem Bauelement oder elektronischem Bauelement zu Substrat, insbesondere für Gamma- und Röntgendetektoren, mit einem Mittenabstand zwischen den Kontakten, beispielsweise im Bereich größer gleich 50 μm (hochauflösend), und vielen Kontakten (hochpolig) entsprechend der Fläche des Bauelements und zuverlässig bei Temperaturwechseln bereit zu stellen.It is object of the present invention at maximum temperatures from about 180 ° C a connection of electronic component to electronic component or electronic component to substrate, especially for gamma and x-ray detectors, with a center distance between the contacts, for example in the Range greater than or equal to 50 μm (high resolution), and many contacts (high-poled) according to the area of the device and reliable with temperature changes to provide.

Die Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß dem Hauptanspruch und ein Modul gemäß dem Nebenanspruch gelöst.The Task is by a method according to the main claim and solved a module according to the independent claim.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen werden in Verbindung mit den Unteransprüchen beansprucht.Further advantageous embodiments are in conjunction with the subclaims claimed.

Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung erfolgt ein Abscheiden des Seedlayers, der eine Startschicht zur elektrolytischen Abscheidung ist, auf dem Substrat oder dem zweiten elektronischen Bauelement, ein Aufbringen einer Fotofolie auf den Seedlayer und Fotostrukturieren einer Aussparung, ein galvanisches Erzeugen der metallischen Säule in der Aussparung auf dem Seedlayer, ein Erzeugen der Lotschicht auf der metallischen Säule, ein Entfernen der Fotofolie. Mittels der Kombination von metallischen Säulen unter dem Lotdepot und einer galvanischen Abscheidung über eine fotostrukturierbare Folie wird eine vorteilhafte Ausgangssituation für eine geeignete Kontaktierung mit einem zuverlässigen Feinpitch, das heißt einem Mittenabstand zwischen den Kontakten, beispielsweise im Bereich größer gleich 50 μm, mittels Löten bereitgestellt. Mittels der Verwendung einer Fotofolie können hohe metallische Säulen, bei einem kleinen Abstand der metallischen Säulen zueinander, galvanisch erzeugt werden. Dabei kann das Verhältnis von Höhe zu Abstand beispielsweise 2:1 sein. Das heißt, die galvanische Abscheidung ist besonders vorteilhaft.According to one Advantageous embodiment, a deposition of Seedlayers, which is an electrolytic deposition starting layer the substrate or the second electronic component, an application a photo film on the seed layer and photo structuring a recess, a galvanic generation of the metallic column in the recess on the seed layer, creating the solder layer on the metallic layer Pillar, a removal of the photo film. By means of the combination of metallic pillars under the solder deposit and a galvanic Deposition on a photoimageable film becomes a advantageous starting situation for a suitable contacting with a reliable fine pitch, that is one Center distance between the contacts, for example in the area greater than 50 μm, by means of soldering provided. By using a photo film can high metallic columns, at a small distance the metallic pillars to each other, to be galvanically generated. Here, the ratio of height to distance for example 2: 1. That is, the electrodeposition is particularly advantageous.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung erfolgt eine galvanische Abscheidung der metallischen Säule derart, dass die abgeschiedene Höhe der metallischen Säule größer als die Fotofolienhöhe ist. In diesem Fall erfolgt das Erzeugen der Lotschicht auf der metallischen Säule mittels folgender Schritte, und zwar Planarisieren der metallischen Säule und optional der Fotofolie auf eine Zielhöhe, Aufdrucken einer Lotpaste auf die metallische Säule und Reflow, das heißt Umschmelzen, der Lotpaste und Erzeugen der Lotschicht. Gemäß diesem Fall wird eine lediglich schwer zu verarbeitende Niedertemperatur-Lotpaste lediglich für kleine zu druckende Volumina genutzt. Es kann die Bildung von Voids, das heißt Hohlräumen eher beherrscht werden als beim Druck oder Reflow größerer Lotdepots.According to one Another advantageous embodiment is a galvanic deposition the metallic column such that the deposited height the metallic pillar is larger than the Photographic film height is. In this case, the creation takes place the solder layer on the metallic column by means of the following Steps, namely planarizing the metallic column and optionally the photofinish to a target height, imprinting a solder paste on the metallic pillar and reflow that means remelting, the solder paste and creating the solder layer. According to this case, one becomes difficult Low-temperature solder paste for small use only utilized volumes to be printed. It can be the formation of voids, the means cavities are more likely to be mastered than when Pressure or reflow of larger solder deposits.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist in einem zweiten Fall die Höhe der abgeschiedenen metallischen Säule kleiner als die Fotofolienhöhe und es erfolgt das Erzeugen der Lotschicht auf der metallischen Säule mittels folgender Schritte, und zwar eines galvanischen Erzeugens der Lotschicht auf der metallischen Säule derart, dass die Lotschicht sich über die Fotofolie hinaus erhebt und eines Planarisierens der galvanisch erzeugten Lotschicht und optional der Fotofolie auf eine Zielhöhe.According to one Another advantageous embodiment is in a second case the Height of the deposited metallic column smaller as the Fotofolienhöhe and it is creating the Lotschicht on the metallic column by means of the following Steps, namely a galvanic generation of the solder layer on the metallic column such that the solder layer over the photo film rises out and a planarizing the galvanic produced solder layer and optionally the photo film to a target height.

Die galvanische Abscheidung einer Vielzahl von metallischen Säulen bedingt immer ebenso Höhenunterschiede zwischen den einzelnen Säulen. Derartige Höhenunterschiede werden mit Hilfe des Planarisierens beseitigt. So kann eine zuverlässige elektrische Verbindung mit einer Vielzahl von elektrischen Kontakten zwischen Kontaktpartnern bereitgestellt werden. Kontaktpartner sind beispielsweise das zweite elektronische Bauelement zum ersten elektronischen Bauelement und das zweite elektronische Bauelement zum Substrat.The galvanic deposition of a variety of metallic columns always requires height differences between the individual Columns. Such height differences are with Help of planarizing eliminated. So can a reliable electric Connection with a variety of electrical contacts between Contact partners are provided. Contact partners are, for example the second electronic component to the first electronic component and the second electronic component to the substrate.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung sind die Lotpaste und/oder die Lotschicht bei niedrigen Temperaturen kleiner als 190°C lötfähig. Die maximalen Temperaturen zur Herstellung hochauflösender, hochpoliger und bei Temperaturwechsel zuverlässiger elektrischer Verbindungen können damit besonders vorteilhaft im Niedertemperaturbereich liegen. Komponenten werden thermisch in zulässigen Bereichen beansprucht.According to one Another advantageous embodiment, the solder paste and / or the solder layer at low temperatures less than 190 ° C. solderable. The maximum temperatures for production high-resolution, high-poled and more reliable when the temperature changes electrical connections can thus be particularly advantageous lie in the low temperature range. Components become thermal claimed in permissible ranges.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weisen die Lotpaste und/oder die Lotschicht Indium oder eine Zinn/Wismut-Legierung oder InSn auf.According to one further advantageous embodiment, the solder paste and / or the solder layer indium or a tin / bismuth alloy or InSn on.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist die metallische Säule Kupfer oder Nickel auf. Auf diese Weise können niedrige Herstellungstemperaturen für die Bereitstellung der elektrischen Kontaktierungen ausreichen.According to one Further advantageous embodiment, the metallic column Copper or nickel on. This way can be low Production temperatures for the provision of electrical Sufficient contacts.

Mittels der metallischen Säulen, die beispielsweise aus Kupfer oder Nickel ausgebildet sind, wird ein notwendiger Abstand zwischen beiden Lötpartnern bereitgestellt. Beim Lötprozess zur elektrischen Kontaktierung schmilzt lediglich wenig Lot auf. Herkömmliches komplett aufschmelzendes Lot bewirkt Kurzschlüsse bei kleinen Pitches, das heißt Abständen. Der notwendige Stand Off, das heißt der Abstand zwischen den beiden zu verlötenden Partnern, wird überwiegend durch Kupfer oder Nickel gebildet.through the metallic pillars, for example made of copper or nickel are formed, a necessary distance between provided to both soldering partners. During the soldering process for electrical contact only a small amount of solder melts. conventional completely melting solder causes short circuits in small Pitches, that is distances. The necessary level Off, that is the distance between the two to be soldered Partners, is formed predominantly by copper or nickel.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung erfolgt das galvanische Erzeugen der Lotschicht mittels des wechselweisen Aufbringens einer Zinn- und Wismut-Schicht aus zwei verschiedenen Elektrolyten.According to one Further advantageous embodiment, the galvanic generating takes place the solder layer by the alternate application of a tin and bismuth layer of two different electrolytes.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung erfolgt das Planarisieren mittels Fräsen mittels des sogenannten Fly Cut-Verfahrens. Dabei wird ein Wafer auf einem Chuck fixiert und gegen eine rotierende Scheibe mit einem Schneiddiamanten entlang einer Umfangslinie planarisiert, wobei die Waferoberfläche entlang einer Richtung parallel zur Scheibe bewegt wird.According to one Further advantageous embodiment, the planarization by means of Milling by means of the so-called fly-cut method. there a wafer is fixed on a chuck and against a rotating one Slice planarized with a cutting diamond along a circumferential line, the wafer surface being parallel along one direction is moved to the disc.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird die Fotofolie mittels Strippen entfernt. Strippen ist ein nasschemisches Entschichten insbesondere alkalisch oder mittels eines Lösemittels.According to one Another advantageous embodiment, the photo film by means Stripping away. Stripping is a wet chemical stripping especially alkaline or by means of a solvent.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird der Seedlayer mittels Ätzen entfernt.According to one Another advantageous embodiment of the seed layer by means of etching away.

Die vorliegende Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Figuren näher beschrieben. Es zeigen:The The present invention will be described with reference to exemplary embodiments described in more detail in connection with the figures. Show it:

1 ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Verfahrens; 1 a first embodiment of a method according to the invention;

2 ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Verfahrens. 2 A second embodiment of a method according to the invention.

1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Verfahrens. Mit einem Schritt S1 wird ein Substrat 1 bereitgestellt. Mit einem Schritt S2 wird ein Seedlayer 2 auf dem Substrat 1 abgeschieden. Die Abscheidung erfolgt beispielsweise mittels Sputtern, die eine zur Gruppe der Physical Vapor Deposition (PVD)-Verfahren gehörende hochvakuumbasierte Beschichtungstechnik ist. Ein Abscheiden mittels Aufdampfen ist ebenso möglich. Andere Abscheideverfahren sind ebenso möglich. Mit einem Schritt S3 wird eine fotostrukturierbare Folie 3 auf den Seedlayer 2 aufgebracht. Mit einem Schritt S4 wird die fotostrukturierbare Folie 3 mittels Belichten und Entwickeln derart strukturiert, dass Aussparungen 3a erzeugt werden. Alternativ kann eine bereits vorstrukturierte und Aussparungen 3a aufweisende Folie aufgebracht werden. Mit einem Schritt S5 wird in jeder Aussparung 3a jeweils galvanisch eine metallische Säule 4 ausgebildet, die beispielsweise aus Kupfer besteht. Gemäß diesem Ausführungsbeispiel übersteigt die Höhe der abgeschiedenen Säule 4 hierbei die spätere Zielhöhe. Mit einem Schritt S6 werden anschließend die metallischen Säulen 4 und die Fotofolie 3 mechanisch plan auf die Zielhöhe gefräst. Das Fräsen kann beispielsweise mittels des sogenannten „Fly Cut”-Verfahrens ausgeführt sein. Andere Verfahren zum Planarisieren sind ebenso möglich. Mit einem Schritt S7 erfolgt danach ein Lotpastendruck mit einer bei niedrigen Temperaturen schmelzenden Lotpaste 5, die beispielsweise Sn/Bi oder In oder InSn aufweist und bei einer Löttemperatur von kleiner 190°C gelötet werden kann. Mit einem Schritt S8 erfolgt anschließend ein Reflow, das heißt Umschmelzen, der Lotpaste 5 derart, dass eine Lotschicht 6 ausgebildet wird. Zuletzt werden mit einem Schritt S9 die Fotofolie 3 entfernt und mit einem Schritt S10 der Seedlayer 2 in von der metallischen Säule 4 freien Bereichen weggeätzt. 1 shows a first embodiment of a method according to the invention. With a step S1, a substrate becomes 1 provided. A step S2 becomes a seed layer 2 on the substrate 1 deposited. The deposition takes place, for example, by means of sputtering, which is a high-vacuum-based coating technique belonging to the group of the Physical Vapor Deposition (PVD) method. Deposition by vapor deposition is also possible. Other deposition methods are also possible. In step S3, a photoimageable film is formed 3 on the Seedlayer 2 applied. In a step S4, the photoimageable film 3 structured by exposure and developing such that recesses 3a be generated. Alternatively, an already pre-structured and recesses 3a having applied film. With a step S5, in each recess 3a each galvanically a metallic column 4 formed, which consists for example of copper. According to this embodiment, the height of the deposited column exceeds 4 here the later target height. In a step S6 then the metallic columns 4 and the photo film 3 Milled mechanically plan to the target height. The milling can be carried out for example by means of the so-called "fly cut" method. Other methods of planarization are also possible. With a step S7, a solder paste pressure is then applied with a solder paste melting at low temperatures 5 , which for example has Sn / Bi or In or InSn and a solder temperature of less than 190 ° C can be soldered. With a step S8 then followed by a reflow, that is, remelting, the solder paste 5 such that a solder layer 6 is trained. Finally, in a step S9, the photo film 3 removed and with a step S10 the seed layer 2 in from the metallic pillar 4 etched away in free areas.

2 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Verfahrens. Mit einem Schritt S1 wird ein Substrat 1 bereitgestellt. Mit einem Schritt S2 wird ein Seedlayer 2 auf dem Substrat 1 insbesondere mittels Sputtern abgeschieden. Mit einem Schritt S3 wird eine fotostrukturierbare Folie 3 auf dem Seedlayer 2 aufgebracht. Mit einem Schritt S4 erfolgt eine Strukturierung der Fotofolie 3, insbesondere mittels Belichten und Entwickeln, wobei insbesondere Aussparungen 3a erzeugt werden. Nach dieser Strukturierung der Fotofolie 3 werden zunächst galvanisch metallische Säulen 4 erzeugt, die beispielsweise aus Kupfer bestehen. Anschließend wird ebenfalls galvanisch mit einem Schritt S5 eine bei niedrigen Temperaturen, und zwar kleiner 190°C lötfähige Schicht aus beispielsweise Indium oder Sn/Bi oder InSn erzeugt. Das binäre Lot Sn/Bi kann dabei entweder direkt aus einem binären Sn/Bi-Elektrolyten erzeugt werden oder durch das wechselweise Aufbringen einer Sn- und Bi-Schicht aus zwei verschiedenen Elektrolyten erzeugt werden. Gegebenenfalls wird die galvanisch abgeschiedene Schicht umgeschmolzen. Mit einem Schritt S6 erfolgt anschließend ein mechanisches, plan auf die Zielhöhe Fräsen des elektrolytisch abgeschiedenen Lots 6 und optional der Fotofolie 3. Das Fräsen kann beispielsweise mittels des sogenannten „Fly Cut”-Verfahrens ausgeführt sein. Mit einem Schritt S7 wird die Fotofolie 3 entfernt. Mit einem Schritt S8 wird der Seedlayer 2 in von der metallischen Säule 4 freien Bereichen weggeätzt. Alternativ kann der Seedlayer 2 verbleiben. 2 shows a second embodiment of a method according to the invention. With a step S1, a substrate becomes 1 provided. A step S2 becomes a seed layer 2 on the substrate 1 especially deposited by sputtering. In step S3, a photoimageable film is formed 3 on the Seedlayer 2 applied. With a step S4, a structuring of the photofilm takes place 3 , in particular by means of exposure and development, in particular recesses 3a be generated. After this structuring of the photo film 3 be first galvanic metallic columns 4 generated, which consist for example of copper. Subsequently, a layer which is solderable at low temperatures, namely less than 190 ° C., of eg indium or Sn / Bi or InSn is also produced galvanically by a step S5. The binary solder Sn / Bi can either be generated directly from a binary Sn / Bi electrolyte or generated by alternately applying an Sn and Bi layer of two different electrolytes. Optionally, the electrodeposited layer is remelted. Then, with a step S6, a mechanical, plan to the target height milling of the electrolytically deposited solder takes place 6 and optionally the photo film 3 , The milling can be carried out for example by means of the so-called "fly cut" method. In a step S7, the photo film 3 away. In a step S8, the seed layer becomes 2 in from the metallic pillar 4 etched away in free areas. Alternatively, the Seedlayer 2 remain.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - US 6933505 B2 [0006] - US 6933505 B2 [0006]

Claims (11)

Verfahren zur Herstellung mindestens einer elektrischen und/oder mechanischen Verbindung von einem ersten elektronischen Bauelement zu einem Substrat (1) oder von dem ersten elektronischen Bauelement zu einem zweiten elektronischen Bauelement, gekennzeichnet durch Erzeugen mindestens einer zu der Verbindung dienenden Erhebung auf dem Substrat (1) oder dem zweiten elektronischen Bauelement, wobei die Erhebung als eine von dem Substrat oder von dem zweiten elektronischen Bauelement ausgehende Schichtfolge Seedlayer (2), metallische Säule (4), Lotschicht (6) erzeugt wird.Method for producing at least one electrical and / or mechanical connection from a first electronic component to a substrate ( 1 ) or from the first electronic component to a second electronic component, characterized by generating at least one projection on the substrate serving for the connection ( 1 ) or the second electronic component, wherein the elevation as a layer sequence emanating from the substrate or from the second electronic component Seedlayer ( 2 ), metallic column ( 4 ), Solder layer ( 6 ) is produced. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Schritte – Abscheiden eines Seedlayers (2) auf dem Substrat (1) oder dem zweiten elektronischen Bauelement; – Bereitstellen einer eine Aussparung (3a) für die Erhebung aufweisenden Fotofolie (3) auf dem Seedlayer (2); – galvanisches Erzeugen der metallischen Säule (4) in der Aussparung (3a) auf dem Seedlayer (2); – Erzeugen der Lotschicht (6) auf der metallischen Säule (4); – Entfernen der Fotofolie (3).Method according to claim 1, characterized by the steps - depositing a seed layer ( 2 ) on the substrate ( 1 ) or the second electronic component; Providing a recess ( 3a ) for the collection of photographic film ( 3 ) on the Seedlayer ( 2 ); - galvanic generation of the metallic column ( 4 ) in the recess ( 3a ) on the Seedlayer ( 2 ); - generating the solder layer ( 6 ) on the metallic column ( 4 ); - removing the photo film ( 3 ). Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Höhe der abgeschiedenen metallischen Säule (4) größer als eine Fotofoliendicke ist und das Erzeugen der Lotschicht (6) auf der metallischen Säule (4) mittels folgender Schritte erfolgt: – Planarisieren der metallischen Säule (4) auf eine Zielhöhe; – Aufdrucken einer Lotpaste (5) auf die metallische Säule (4); – Umschmelzen der Lotpaste (5) und Erzeugen der Lotschicht (6).A method according to claim 2, characterized in that the height of the deposited metallic column ( 4 ) is greater than a photofoil thickness and generating the solder layer ( 6 ) on the metallic column ( 4 ) by means of the following steps: - planarizing the metallic column ( 4 ) to a target height; - printing a solder paste ( 5 ) on the metallic column ( 4 ); - remelting the solder paste ( 5 ) and producing the solder layer ( 6 ). Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Höhe der abgeschiedenen metallischen Säule (4) kleiner als eine Fotofoliendicke ist und das Erzeugen der Lotschicht (6) auf der metallischen Säule (4) mittels folgender Schritte erfolgt: – galvanisches Erzeugen der Lotschicht (6) auf der metallischen Säule (4) derart, dass die Lotschicht (6) sich über die Fotofolie (3) hinaus erhebt; – Planarisieren der galvanisch erzeugten Lotschicht (6) auf eine Zielhöhe.A method according to claim 2, characterized in that the height of the deposited metallic column ( 4 ) is smaller than a photofoil thickness and the generation of the solder layer ( 6 ) on the metallic column ( 4 ) by means of the following steps: - galvanic generation of the solder layer ( 6 ) on the metallic column ( 4 ) such that the solder layer ( 6 ) about the photo film ( 3 ) rises; Planarization of the galvanically produced solder layer ( 6 ) to a target height. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Lotpaste (5) und/oder die Lotschicht (6) bei niedrigen Temperaturen kleiner als 190°C lötfähig sind.A method according to claim 3 or 4, characterized in that the solder paste ( 5 ) and / or the solder layer ( 6 ) are solderable at low temperatures less than 190 ° C. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Lotpaste (5) und/oder die Lotschicht (6) Indium In oder eine Zinn Sn/Wismut Bi-Legierung oder InSn aufweisen.Method according to one of claims 1 to 5, characterized in that the solder paste ( 5 ) and / or the solder layer ( 6 ) Indium In or a tin Sn / bismuth Bi alloy or InSn have. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Säule (4) Kupfer Cu und/oder Nickel Ni aufweist.Method according to one of claims 1 to 6, characterized in that the metallic column ( 4 ) Comprises copper Cu and / or nickel Ni. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7 in Verbindung mit Anspruch 4, gekennzeichnet durch galvanisches Erzeugen der Lotschicht (6) mittels des wechselweisen Aufbringens einer Sn- und Bi-Schicht aus zwei verschiedenen Elektrolyten.A method according to claim 6 or 7 in conjunction with claim 4, characterized by galvanically generating the solder layer ( 6 ) by alternately applying an Sn and Bi layer of two different electrolytes. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Planarisieren mittels Fräsen mittels eines sogenannten Fly-Cut-Verfahrens ausgeführt wird.Method according to one of claims 3 to 8, characterized in that the planarization by means of milling executed by means of a so-called fly-cut method becomes. Modul mit einer elektrischen und/oder mechanischen Verbindung von einem ersten elektronischem Bauelement zu einem Substrat (1) oder von dem ersten elektronischen Bauelement zu einem zweiten elektronischen Bauelement, hergestellt nach einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9 gekennzeichnet durch eine Vielzahl von zur elektrischen und/oder mechanischen Kontaktierung dienenden Erhebungen, die eine von dem Substrat (1) oder von dem zweiten elektronischen Bauelement ausgehende Schichtfolge Seedlayer (2), metallische Säule (4), Lotschicht (6) aufweisen.Module with an electrical and / or mechanical connection from a first electronic component to a substrate ( 1 ) or from the first electronic component to a second electronic component, produced by a method according to one of claims 1 to 9 characterized by a plurality of electrical and / or mechanical contacting surveys, one of the substrate ( 1 ) or from the second electronic component outgoing layer sequence Seedlayer ( 2 ), metallic column ( 4 ), Solder layer ( 6 ) exhibit. Modul nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass es in einem Gamma- oder Röntgendetektor ausgebildet ist.Module according to claim 10, characterized in that that it is formed in a gamma or x-ray detector is.
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