DE102008003242B4 - Micromechanical component and method for producing a micromechanical component - Google Patents

Micromechanical component and method for producing a micromechanical component Download PDF

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Abstract

Mikromechanisches Bauelement (1), mit einem eine Haupterstreckungsebene (11) aufweisenden homogenen Substrat (2) und einer parallel zur Haupterstreckungsebene (11) ausgebildeten weiteren Schicht (3), dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) derart strukturiert ist, dass das Substrat (2) eine mikromechanische Funktionsschicht (2') aufweist, welche in einer zur Haupterstreckungsebene (11) parallel angeordneten Ebene (11') im Substrat (2) angeordnet ist und welche in einer zur Haupterstreckungsebene (11) senkrechten Richtung (10') zumindest teilweise die weitere Schicht (3) überlappt, das mikromechanische Bauelement (1) eine Verkappungsschicht (4) aufweist, wobei die Verkappungsschicht (4) auf einer ersten Seite (5) des Substrats (2) und die weitere Schicht (3) auf einer zweiten Seite (6) des Substrats (2) angeordnet ist, die weitere Schicht (3) Gräben (9) senkrecht zur Haupterstreckungsebene (11) aufweist und die weitere Schicht (3) Kontaktpads (12) aufweist.Micromechanical component (1), comprising a homogeneous substrate (2) having a main extension plane (11) and a further layer (3) formed parallel to the main extension plane (11), characterized in that the substrate (2) is structured such that the substrate (2) has a micromechanical functional layer (2 ') which is arranged in a plane (11') arranged parallel to the main extension plane (11 ') in the substrate (2) and which at least in a direction (10') perpendicular to the main extension plane (11) partially overlapping the further layer (3), the micromechanical component (1) has a capping layer (4), wherein the capping layer (4) on a first side (5) of the substrate (2) and the further layer (3) on a second Side (6) of the substrate (2) is arranged, the further layer (3) has trenches (9) perpendicular to the main extension plane (11) and the further layer (3) contact pads (12).

Description

Stand der TechnikState of the art

Die Erfindung geht aus von einem mikromechanischen Bauelement nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The invention is based on a micromechanical component according to the preamble of claim 1.

Solche Sockelelemente sind allgemein bekannt. Beispielsweise ist aus der Druckschrift DE 43 15 012 B4 ein Sensor mit einem beweglichen einkristallinen Sensorelement bekannt, wobei das bewegliche Sensorelement auf einem plattenförmigen Substrat aus einkristallinem Silizium befestigt ist und wobei die Befestigung des Sensorelements auf dem Substrat mittels einer Isolationsschicht, angeordnet zwischen dem Sensorelement und dem Substrat vorgesehen ist.Such base elements are well known. For example, from the document DE 43 15 012 B4 a sensor with a movable monocrystalline sensor element is known, wherein the movable sensor element is mounted on a plate-shaped substrate made of monocrystalline silicon and wherein the attachment of the sensor element on the substrate by means of an insulating layer, disposed between the sensor element and the substrate is provided.

Die Druckschrift US 5 243 861 A offenbart einen Halbleiter-Beschleunigungsmesser, der aus drei übereinanderliegenden Siliziumsubstraten besteht. Aus dem mittleren Substrat sind dabei mikromechanische Funktionselemente herausgebildet. Die Druckschrift US 5 846 849 A und die Druckschrift US 6 239 473 B1 offenbaren jeweils eine mikromechanische Vorrichtung mit einem Substrat und mehreren weiteren Schichten, bei der auch das Substrat strukturiert wird. Die Druckschrift DE 103 22 988 A1 offenbart ein Elektronenstrahlmasken-Substrat mit einer Substratschicht zur Ausbildung eines Membranschicht Trägers durch Rückseiten ätzen, einer auf der Substratschicht ausgebildeten Ätzstoppschicht und einer auf der Ätzstoppschicht ausgebildeten Membranschicht. Die Druckschrift DE 196 32 060 A1 offenbart einen Drehratensensor, der aus einem Dreischichtsystem aufgebaut ist. Der Drehratensensor und Leiterbahnen sind aus der dritten Schicht herausstrukturiert und über eine zweite elektrische isolierende Schicht gegen eine erste Schicht elektrisch isoliert. Die Druckschrift DE 195 26 903 A1 offenbart einen Drehratensensor aus einem mehrschichtigen Substrat, bei dem auf einem Schwinger ein Beschleunigungssensor angeordnet ist. Die Druckschrift DE 100 55 081 A1 offenbart eine oberflachen-mikromechanische Vorrichtung. Dabei ist eine mikromechanische Funktionsschicht 14 über einem Substrat 10 angeordnet. Aus der mikromechanischen Funktionsschicht 14 ist eine Mikrostruktur 18 herausstrukturiert. Die Druckschrift DE 10 2007 001 290 A1 offenbart ein Halbleitermodul aus drei gestapelten Substraten, dessen mittleres Substrat durch einen strukturierten Halbleiterchip gebildet ist. Die Druckschrift DE 10 2006 023 701 A1 offenbart ein mikromechanisches Bauelement mit einem Substrat, einer darüber angeordneten strukturierten mikromechanischen Funktionsschicht sowie einer über der Funktionsschicht angeordneten Kappe.The publication US 5 243 861 A discloses a semiconductor accelerometer consisting of three superimposed silicon substrates. Micromechanical functional elements are formed from the middle substrate. The publication US Pat. No. 5,846,849 and the publication US Pat. No. 6,239,473 B1 each discloses a micromechanical device having a substrate and a plurality of further layers, in which the substrate is also patterned. The publication DE 103 22 988 A1 discloses an electron beam mask substrate having a substrate layer for backside etching a membrane layer carrier, an etch stop layer formed on the substrate layer, and a membrane layer formed on the etch stop layer. The publication DE 196 32 060 A1 discloses a yaw rate sensor constructed from a three-layer system. The rotation rate sensor and conductor tracks are structured out of the third layer and electrically insulated against a first layer via a second electrical insulating layer. The publication DE 195 26 903 A1 discloses a yaw rate sensor made of a multilayer substrate in which an acceleration sensor is arranged on a rocker. The publication DE 100 55 081 A1 discloses a surface micromechanical device. Here is a micromechanical functional layer 14 over a substrate 10 arranged. From the micromechanical functional layer 14 is a microstructure 18 structured out. The publication DE 10 2007 001 290 A1 discloses a semiconductor module of three stacked substrates, the middle substrate of which is formed by a patterned semiconductor chip. The publication DE 10 2006 023 701 A1 discloses a micromechanical component having a substrate, a structured micromechanical functional layer arranged above it and a cap arranged above the functional layer.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Das erfindungsgemäße mikromechanische Bauelement und das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements gemäß den nebengeordneten Ansprüchen haben gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, dass mit einer vergleichsweise geringen Anzahl von Herstellungsschritten ein mikromechanisches Bauelement herstellbar ist, welches eine vergleichsweise dicke Funktionsschicht senkrecht zur Haupterstreckungsebene aufweist. Somit wird beispielsweise eine Erhöhung des Aspektverhältnisses von kapazitiven Sensoren erzielt, wodurch die benötigte Chipfläche der kapazitiven Sensoren im Vergleich zum Stand der Technik erniedrigt wird. Der Herstellungskosten des mikromechanischen Bauelements werden daher in erheblicher Weise reduziert. Die Funktionsschicht ist aus dem Material des Substrats gebildet, welches vorzugsweise ein einkristallines Silizium umfasst, und überlappt sich in einer zur Flächennormalen der Haupterstreckungsebene senkrechten Richtung mit dem Substrat.The micromechanical component according to the invention and the method according to the invention for producing a micromechanical component according to the independent claims have the advantage over a comparatively small number of production steps that a micromechanical component can be produced which has a comparatively thick functional layer perpendicular to the main extension plane. Thus, for example, an increase in the aspect ratio of capacitive sensors is achieved, whereby the required chip area of the capacitive sensors is reduced compared to the prior art. The manufacturing cost of the micromechanical device are therefore significantly reduced. The functional layer is formed from the material of the substrate, which preferably comprises a monocrystalline silicon, and overlaps with the substrate in a direction perpendicular to the surface normal of the main extension plane.

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein mikromechanisches Bauelement mit einem eine Haupterstreckungsebene aufweisendem Substrat und einer parallel zur Haupterstreckungsebene ausgebildeten weiteren Schicht, wobei das Substrat derart strukturiert ist, dass das Substrat eine mikromechanische Funktionsschicht aufweist, welche in einer zur Haupterstreckungsebene parallel angeordneten Ebene im Substrat angeordnet ist und welche in einer zur Haupterstreckungsebene senkrechten Richtung zumindest teilweise die weitere Schicht überlappt. in vorteilhafter Weise wird somit die mikromechanische Funktionsschicht durch eine entsprechende Strukturierung des Substrats ausgebildet, so dass die Strukturen der mikromechanischen Funktionsschicht insbesondere durch das Material des Substrats gebildet werden. Die mikromechanische Funktionssicht wird besonders vorteilhaft durch die weitere Schicht, welche vorzugsweise eine auf das Substrat aufgebrachte Epitaxieschicht umfasst, bedeckt, so dass bewegliche Elemente der mikromechanischen Funktionsschicht durch die weitere Schicht elektrisch kontaktiert, mechanisch fixiert und/oder vor mechanischen und/oder chemischen Einflüssen geschützt werden. Insbesondere ist es auf diese Weise erfindungsgemäß vorteilhaft möglich, dass die Funktionsschicht des mikromechanischen Bauelements auf der Seite der weiteren Schicht, durch die überlappende bzw. durchgehende weitere Schicht abgeschlossen ist, insbesondere hermetisch abgeschlossen ist und damit die Funktion einer Verkappung durch die weitere Schicht übernommen wird.A further subject matter of the present invention is a micromechanical component having a substrate having a main extension plane and a further layer formed parallel to the main extension plane, the substrate being structured such that the substrate has a micromechanical functional layer which is in a plane parallel to the main extension plane in the substrate is arranged and which at least partially overlaps the further layer in a direction perpendicular to the main extension plane. In an advantageous manner, the micromechanical functional layer is thus formed by a corresponding structuring of the substrate, so that the structures of the micromechanical functional layer are formed in particular by the material of the substrate. The micromechanical functional view is particularly advantageously covered by the further layer, which preferably comprises an epitaxial layer applied to the substrate, so that movable elements of the micromechanical functional layer are electrically contacted by the further layer, mechanically fixed and / or protected from mechanical and / or chemical influences become. In particular, it is advantageously possible in accordance with the invention in this way for the functional layer of the micromechanical component to be hermetically sealed on the side of the further layer through which the overlapping or continuous further layer is made, thus assuming the function of a capping by the further layer ,

Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen, sowie der Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen entnehmbar.Advantageous embodiments and further developments of the invention are the subclaims, and the description with reference to the drawings.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass die mikromechanische Funktionsschicht sich senkrecht zur Haupterstreckungsebene wenigstens über 50%, bevorzugt wenigstens über 75% und besonders bevorzugt wenigstens über 90% der Substratdicke erstreckt. Besonders vorteilhaft wird durch eine derartige Erhöhung der Funktionsschichtdicke das Aspektverhältnis des mikromechanischen Bauelements weiter erhöht, wodurch die Chipfläche reduziert wird und somit die Herstellungskosten sinken.According to a preferred embodiment, it is provided that the micromechanical functional layer extends perpendicular to the main extension plane at least over 50%, preferably at least over 75% and particularly preferably at least over 90% of the substrate thickness. Such an increase in the functional layer thickness particularly advantageously further increases the aspect ratio of the micromechanical component, as a result of which the chip area is reduced and thus the production costs decrease.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass die mikromechanische Funktionsschicht bewegliche Elemente aufweist und/oder dass das Substrat eine weitere Schicht aufweist. In vorteilhafter Weise sind durch die beweglichen Elemente insbesondere Elektroden realisierbar, welche bevorzugt zur kapazitiven Messung von auf die beweglichen Elemente wirkenden Trägheitskräften vorgesehen sind. Besonders bevorzugt ermöglichen die weitere Schicht und/oder Teile der weiteren Schicht die elektrische Kontaktierung der beweglichen Elemente und/oder die Bildung von Leiterbahnen. Ganz besonders bevorzugt umfassen das Substrat und/oder die Funktionsschicht Gegenelektroden bezüglich der durch die beweglichen Elemente gebildeten Elektroden.According to a further preferred development, it is provided that the micromechanical functional layer has movable elements and / or that the substrate has a further layer. In an advantageous manner, in particular electrodes can be realized by the movable elements, which are preferably provided for the capacitive measurement of inertial forces acting on the movable elements. Particularly preferably, the further layer and / or parts of the further layer allow the electrical contacting of the movable elements and / or the formation of conductor tracks. Most preferably, the substrate and / or the functional layer comprise counterelectrodes with respect to the electrodes formed by the movable elements.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das mikromechanische Bauelement eine Verkappungsschicht aufweist, wobei bevorzugt die Verkappungsschicht auf einer ersten Seite des Substrats und die weitere Schicht auf einer zweiten Seite des Substrats angeordnet ist. Die Verkappungsschicht fungiert besonders vorteilhaft zum Schutz der mikromechanischen Funktionsschicht, wobei bevorzugt die Schwingfähigkeiten der beweglichen Elemente durch den Einschluss einer speziellen Atmosphäre in der mikromechanischen Funktionsschicht eingestellt werden. Besonders vorteilhaft wird die mikromechanische Funktionsschicht auf einer der Verkappungsschicht senkrecht zur Haupterstreckungsebene gegenüberliegenden Seite durch die weitere Schicht geschützt und/oder atmosphärisch abgedichtet.In accordance with a further preferred development, it is provided that the micromechanical component has a capping layer, the capping layer preferably being arranged on a first side of the substrate and the further layer being arranged on a second side of the substrate. The capping layer functions particularly advantageously for the protection of the micromechanical functional layer, with the oscillation capabilities of the movable elements preferably being adjusted by the inclusion of a special atmosphere in the micromechanical functional layer. The micromechanical functional layer is particularly advantageously protected and / or atmospherically sealed by the further layer on a side opposite the capping layer perpendicular to the main extension plane.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Substrat eine Kaverne aufweist, wobei die Kaverne bevorzugt im Bereich der beweglichen Elemente und/oder auf der ersten Seite ausgebildet ist. Die Ausbildung der Kaverne ermöglicht in vorteilhafter Weise eine vergleichsweise präzise Festlegung der Funktionsschichtdicke senkrecht zur Haupterstreckungsebene.According to a further preferred development, it is provided that the substrate has a cavern, wherein the cavern is preferably formed in the region of the movable elements and / or on the first side. The formation of the cavern advantageously allows a comparatively precise definition of the functional layer thickness perpendicular to the main extension plane.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass zwischen dem Substrat und der weiteren Schicht zumindest teilweise eine Isolationsschicht angeordnet ist und/oder dass die weitere Schicht Gräben senkrecht zur Haupterstreckungsebene aufweist und/oder dass die weitere Schicht Kontaktpads aufweist. In vorteilhafter Weise ermöglichen Kontaktpads die elektrische Kontaktierung des mikromechanischen Bauelements, während durch die Gräben eine elektrische Isolation von Teilen der weiteren Schicht realisiert wird. Die Isolationsschicht fungiert bevorzugt zur elektrischen Isolation der Funktionsschicht und/oder des Substrats von der weiteren Schicht und/oder zur Befestigung der weiteren Schicht an der Funktionsschicht und/oder dem Substrat. Besonders bevorzugt ist die Isolationsschicht in den Gräben angeordnet, während die Isolationsschicht in der Funktionsschicht zumindest teilweise weggeätzt ist.According to a further preferred development, it is provided that at least partially an insulation layer is arranged between the substrate and the further layer and / or that the further layer has trenches perpendicular to the main extension plane and / or that the further layer has contact pads. Advantageously, contact pads allow the electrical contacting of the micromechanical device, while an electrical insulation of parts of the further layer is realized by the trenches. The insulating layer preferably functions for electrically insulating the functional layer and / or the substrate from the further layer and / or for fastening the further layer to the functional layer and / or the substrate. Particularly preferably, the insulating layer is arranged in the trenches, while the insulating layer is at least partially etched away in the functional layer.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das mikromechanische Bauelement ein Inertialsensor ist. In vorteilhafter Weise wird durch das mikromechanische Bauelement ein Inertialsensor mit vergleichsweise hohem Aspektverhältnis realisiert.According to a further preferred development, it is provided that the micromechanical component is an inertial sensor. Advantageously, an inertial sensor with a comparatively high aspect ratio is realized by the micromechanical component.

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen mikromechanischen Bauelements, wobei in einem ersten Verfahrensschritt ein Substrat bereitgestellt wird und wobei in einem zweiten Verfahrensschritt auf dem Substrat eine weitere Schicht aufgebracht wird und wobei ferner in einem dritten Verfahrensschritt das Substrat strukturiert wird. Besonders vorteilhaft wird durch die Strukturierung des Substrats selbst die Funktionsschicht aus dem Material des Substrats in dem Substrat gebildet Aufgrund der vergleichsweise großen Substratdicken senkrecht zur Haupterstreckungsebene werden somit im Vergleich zum Stand der Technik Funktionsschichten ermöglicht, welche ein deutlich größeres Aspektverhältnis aufweisen. Die weitere Schicht dient vorzugsweise zur elektrischen Kontaktierung des Substrats und/oder der Funktionsschicht.Another object of the present invention is a method for producing a micromechanical device according to the invention, wherein in a first process step, a substrate is provided and wherein in a second process step on the substrate, a further layer is applied and further wherein in a third process step, the substrate is patterned , Due to the structuring of the substrate itself, the functional layer of the material of the substrate is particularly advantageously formed in the substrate. Due to the comparatively large substrate thicknesses perpendicular to the main extension plane, functional layers which have a significantly greater aspect ratio are thus made possible in comparison to the prior art. The further layer is preferably used for electrical contacting of the substrate and / or the functional layer.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass zeitlich vor dem zweiten Verfahrensschritt das Substrat in einem vierten Verfahrensschritt wenigstens einseitig mit einer Isolationsschicht beschichtet wird und/oder vor dem dritten Verfahrensschritt die weitere. Schicht in einem fünften Verfahrensschritt mit einer weiteren Isolationsschicht beschichtet wird. Besonders vorteilhaft werden somit Teil des Substrats, der Funktionsschicht und/oder der weiteren Schicht voneinander elektrisch isoliert.According to a preferred development, it is provided that, in a fourth method step, the substrate is coated at least on one side with an insulating layer before the second method step and / or before the third method step, the further. Layer is coated in a fifth process step with a further insulating layer. Thus, part of the substrate, the functional layer and / or the further layer are particularly electrically insulated from one another.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass vor dem dritten Verfahrensschritt die weitere Schicht in einem sechsten Verfahrensschritt strukturiert und/oder das Substrat in einem siebten Verfahrensschritt geätzt wird. Besonders vorteilhaft ermöglicht die Strukturierung der weiteren Schicht die elektrische Isolation von Teilen der weiteren Schicht zur elektrischen Kontaktierung der Funktionsschicht und/oder des Substrat und/oder zur Bildung von Leiterbahnen.According to a further preferred development, it is provided that before the third method step, the further layer in a sixth Process step structured and / or the substrate is etched in a seventh process step. The structuring of the further layer particularly advantageously allows the electrical insulation of parts of the further layer for electrical contacting of the functional layer and / or of the substrate and / or for the formation of conductor tracks.

Das Ätzen des Substrats ermöglicht eine vergleichsweise präzise Festlegung der Substrat- bzw. Funktionsschichtdicke.The etching of the substrate allows a comparatively precise definition of the substrate or functional layer thickness.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass nach dem vierten Verfahrensschritt die Isolationsschicht in einem achten Verfahrensschritt strukturiert wird und/oder dass nach dem fünften Verfahrensschritt die weitere Isolationsschicht in einem neunten Verfahrensschritt strukturiert wird und/oder dass in einem zwölften Verfahrensschritt die Isolationsschicht geätzt wird. Besonders vorteilhaft ermöglicht die Strukturierung der Isolationsschicht und/oder der weiteren Isolationsschicht sowohl die Definierung von mechanisch festen Verbindungen zwischen den Isolationsschichten und des Substrats und/oder der weiteren Schicht, als auch die Definition von wegätzbaren Isolationsschichten, welche beispielsweise im Bereich der Funktionsschicht durch einen Ätzvorgang die Bildung der beweglichen Elemente ermöglichen.According to a further preferred development, it is provided that, after the fourth method step, the insulation layer is patterned in an eighth method step and / or that after the fifth method step the further insulation layer is patterned in a ninth method step and / or that the insulation layer is etched in a twelfth method step , Particularly advantageously, the structuring of the insulation layer and / or the further insulation layer allows both the definition of mechanically strong connections between the insulation layers and the substrate and / or the further layer, and the definition of wegätzbaren insulation layers, for example, in the region of the functional layer by an etching process allow the formation of the moving elements.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass nach dem dritten Verfahrensschritt das Substrat in einem zehnten Verfahrensschritt zumindest teilweise von einer Verkappungsschicht bedeckt wird und/oder auf der weiteren Schicht in einem elften Verfahrensschritt zumindest ein Kontaktpad angeordnet wird. Besonders vorteilhaft ermöglicht die Anordnung von wenigstens einem Kontaktpad die elektrische Kontaktierung des mikromechanischen Bauelements, während die Verkappungsschicht zum Schutz und/oder zur atmosphärischen Abdichtung der mikromechanischen Funktionsschicht fungiert.According to a further preferred development, it is provided that, after the third method step, the substrate is at least partially covered by a capping layer in a tenth method step and / or at least one contact pad is arranged on the further layer in an eleventh method step. Particularly advantageously, the arrangement of at least one contact pad allows the electrical contacting of the micromechanical device, while the capping layer acts to protect and / or to atmospheric sealing of the micromechanical functional layer.

Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.Embodiments of the present invention are illustrated in the drawings and explained in more detail in the following description.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

Es zeigenShow it

1a eine schematische Seitenansicht einer ersten Vorläuferstruktur zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements gemäß einer ersten Ausführungsform, 1a 1 is a schematic side view of a first precursor structure for producing a micromechanical device according to a first embodiment,

1b eine schematische Seitenansicht einer zweiten Vorläuferstruktur zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements gemäß der ersten Ausführungsform, 1b 1 is a schematic side view of a second precursor structure for producing a micromechanical device according to the first embodiment,

1c eine schematische Seitenansicht einer dritten Vorläuferstruktur zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements gemäß der ersten Ausführungsform, 1c FIG. 2 shows a schematic side view of a third precursor structure for producing a micromechanical device according to the first embodiment, FIG.

1d eine schematische Seitenansicht einer vierten Vorläuferstruktur zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements gemäß der ersten Ausführungsform, 1d FIG. 2 shows a schematic side view of a fourth precursor structure for producing a micromechanical component according to the first embodiment, FIG.

1e eine schematische Seitenansicht einer fünften Vorläuferstruktur zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements gemäß der ersten Ausführungsform, 1e FIG. 2 shows a schematic side view of a fifth precursor structure for producing a micromechanical device according to the first embodiment, FIG.

1f eine schematische Seitenansicht einer sechsten Vorläuferstruktur zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements gemäß der ersten Ausführungsform, 1f FIG. 2 shows a schematic side view of a sixth precursor structure for producing a micromechanical component according to the first embodiment, FIG.

1g eine schematische Seitenansicht eines mikromechanischen Bauelements gemäß der ersten Ausführungsform und. 1g a schematic side view of a micromechanical device according to the first embodiment and.

2 eine schematische Perspektivansicht eines mikromechanischen Bauelements gemäß einer zweiten Ausführungsform. 2 a schematic perspective view of a micromechanical device according to a second embodiment.

Ausführungsform(en) der ErfindungEmbodiment (s) of the invention

In den verschiedenen Figuren sind gleiche Teile stets mit den gleichen Bezugszeichen versehen und werden daher in der Regel auch jeweils nur einmal benannt.In the various figures, the same parts are always provided with the same reference numerals and are therefore usually named only once in each case.

In 1a ist zur Veranschaulichung eines ersten, vierten und achten Verfahrensschrittes eine schematische Seitenansicht einer ersten Vorläuferstruktur zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements 1 gemäß einer ersten Ausführungsform dargestellt, wobei in dem ersten Verfahrensschritt das Substrat 2 bereitgestellt wird. Das Substrat 2 wird in dem vierten Verfahrensschritt beidseitig mit jeweils einer Isolationsschicht 8 beschichtet, wobei eine der Isolationsschichten 8 in dem achten Verfahrensschritt strukturiert wird. Das Substrat 2 umfasst bevorzugt einen einkristallinen Siliziumwafer. Bei der Isolationsschicht 8 handelt es sich vorzugsweise um ein thermisches Oxid, welches in einem Standardverfahren, wie Tegal, LAM, strukturiert wird. Das Substrat 2 weist eine Haupterstreckungsebene 11 auf.In 1a is a schematic side view of a first precursor structure for producing a micromechanical device to illustrate a first, fourth and eighth process step 1 according to a first embodiment, wherein in the first method step, the substrate 2 provided. The substrate 2 is in the fourth step on both sides, each with an insulating layer 8th coated, wherein one of the insulating layers 8th is structured in the eighth process step. The substrate 2 preferably comprises a monocrystalline silicon wafer. At the insulation layer 8th it is preferably a thermal oxide, which is structured in a standard method, such as Tegal, LAM. The substrate 2 has a main extension plane 11 on.

In 1b ist zur Veranschaulichung eines zweiten und sechsten Verfahrensschrittes eine schematische Seitenansicht einer zweiten Vorläuferstruktur zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements 1 gemäß der ersten Ausführungsform dargestellt, wobei in dem zweiten Verfahrensschritt auf dem Substrat 2 bzw. der strukturierten Isolationsschicht 8 eine weitere Schicht 3 aufgebracht wird, welche bevorzugt ein polykristallines Silizium umfasst, welches besonders bevorzugt durch ein Epitaxieverfahren abgeschieden wird. In einem sechsten Verfahrensschritt wird die weitere Schicht 3 strukturiert, wobei insbesondere Gräben 9 in der weiteren Schicht 3 mittels Trenchverfahren gebildet werden. Bevorzugt wird die weitere Schicht 3 durch ein Standardverfahren planarisiert.In 1b is a schematic side view of a second precursor structure for producing a micromechanical device to illustrate a second and sixth method step 1 according to the first embodiment, wherein in the second method step on the substrate 2 or the structured insulation layer 8th another layer 3 is applied, which preferably comprises a polycrystalline silicon, which is particularly preferably deposited by an epitaxial process. In a sixth method step, the further layer 3 structured, in particular trenches 9 in the further layer 3 be formed by trench method. The further layer is preferred 3 planarized by a standard method.

In 1c ist zur Veranschaulichung eines fünften und neunten Verfahrensschrittes eine schematische Seitenansicht einer dritten Vorläuferstruktur zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements 1 gemäß der ersten Ausführungsform dargestellt, wobei im fünften Verfahrensschritt die weitere Schicht 3 mit einer weiteren Isolationsschicht 8' bedeckt wird, welche in einem nachfolgenden neunten Verfahrensschritt strukturiert wird. Bevorzugt werden die Gräben 9 durch weitere Isolationsschicht 8' vollständig verfüllt, wobei die weitere Isolationsschicht 8' besonders bevorzugt ein thermisches Oxid umfasst, welches ganz besonders bevorzugt mittels eines MORI-Verfahrens zur Erzeugung leitfähiger Strukturen in der weiteren Isolationsschicht 8' strukturiert wird.In 1c is a schematic side view of a third precursor structure for producing a micromechanical device to illustrate a fifth and ninth method step 1 according to the first embodiment, wherein in the fifth method step, the further layer 3 with another insulation layer 8th' is covered, which is structured in a subsequent ninth step. The trenches are preferred 9 through further insulation layer 8th' completely filled, with the further insulation layer 8th' particularly preferably comprises a thermal oxide, which very particularly preferably by means of a MORI method for producing conductive structures in the further insulating layer 8th' is structured.

In 1d ist zur Veranschaulichung eines elften Verfahrensschrittes eine schematische Seitenansicht einer vierten Vorläuferstruktur zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements 1 gemäß der ersten Ausführungsform dargestellt, wobei im elften Verfahrensschritt auf die weitere Isolationsschicht 8' Kontaktpads 12 angeordnet werden, welche zur elektrischen Kontaktierung des mikromechanischen Bauelements 1 dienen. Das Kontaktpad 12 umfasst vorzugsweise eine Metallfläche und/oder eine metallische Leiterbahn.In 1d is an illustration of an eleventh process step, a schematic side view of a fourth precursor structure for producing a micromechanical device 1 illustrated in the first embodiment, wherein in the eleventh step on the further insulating layer 8th' contact pads 12 are arranged, which for electrical contacting of the micromechanical device 1 serve. The contact pad 12 preferably comprises a metal surface and / or a metallic conductor track.

In 1e ist zur Veranschaulichung eines siebten Verfahrensschrittes eine schematische Seitenansicht einer fünften Vorläuferstruktur zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements 1 gemäß der ersten Ausführungsform dargestellt, wobei im siebten Verfahrensschritt das Substrat 2 geätzt wird. Vor dem siebten Verfahrensschritt wird die fünfte Vorläuferstruktur vorzugsweise um 180 Grad gedreht, wobei die Drehachse in der Haupterstreckungsebene 11 liegt. Besonders bevorzugt wird eine Kaverne 7 in das Substrat 2 geätzt, sodass eine gewünschte Restdicke des Substrats senkrecht zur Haupterstreckungsebene zwischen der Substratoberfläche und der Isolationsschicht 8 eingestellt wird. Der Ätzvorgang wird insbesondere auf einer ersten Seite 5 des Substrats 2 durchgeführt, welche senkrecht zur Haupterstreckungsebene 11 auf der gegenüberliegenden Seite einer zweiten Seite 6 mit der weiteren Schicht 3 bezüglich des Substrats 2 angeordnet ist.In 1e is a schematic side view of a fifth precursor structure for producing a micromechanical device to illustrate a seventh process step 1 according to the first embodiment, wherein in the seventh process step, the substrate 2 is etched. Before the seventh process step, the fifth precursor structure is preferably rotated 180 degrees, with the axis of rotation in the main plane of extension 11 lies. Particularly preferred is a cavern 7 in the substrate 2 etched, so that a desired residual thickness of the substrate perpendicular to the main plane of extension between the substrate surface and the insulating layer 8th is set. The etching process is especially on a first page 5 of the substrate 2 performed, which is perpendicular to the main plane of extension 11 on the opposite side of a second page 6 with the further layer 3 with respect to the substrate 2 is arranged.

In 1f ist zur Veranschaulichung eines dritten und zwölften Verfahrensschrittes eine schematische Seitenansicht einer sechsten Vorläuferstruktur zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements 1 gemäß der ersten Ausführungsform dargestellt, wobei im sechsten Verfahrensschritt das Substrat 2 strukturiert wird und in einem nachfolgenden zwölften Verfahrensschritt die Isolationsschicht 8 geätzt wird, vorzugsweise mittels eines Gasphasenätzprozesses. Besonders bevorzugt wird das Substrat 2 im Bereich der Kaverne 7 getrencht, so dass nach dem zwölften Verfahrensschritt im Substrat 2 bewegliche Elemente 2' aus dem Material des Substrats 2 gebildet werdenIn 1f FIG. 3 is a schematic side view of a sixth precursor structure for producing a micromechanical device, to illustrate a third and a twelfth process step. FIG 1 according to the first embodiment, wherein in the sixth method step, the substrate 2 is structured and in a subsequent twelfth process step, the insulation layer 8th is etched, preferably by means of a gas phase etching process. Particularly preferred is the substrate 2 in the area of the cavern 7 trimmed, so that after the twelfth process step in the substrate 2 movable elements 2 ' from the material of the substrate 2 be formed

In 1g ist eine schematische Seitenansicht des mikromechanischen Bauelements 1 gemäß der ersten Ausführungsform dargestellt, wobei in einem zehnten Verfahrensschritt das mikromechanische Bauelement 1 mit einer Verkappungsschicht 4 bedeckt wird. Vorzugsweise umfasst die Verkappungsschicht 4 eine Dünnschichtkappe, welche auf der ersten Seite 5 des Substrats angeordnet wird. Der Kappenwafer 4 wird besonders bevorzugt mittels einer Seal-Glas Verbindung oder mittels eines anodischen Bondprozesses an dem Substrat 2 befestigt.In 1g is a schematic side view of the micromechanical device 1 illustrated in the first embodiment, wherein in a tenth method step, the micromechanical device 1 with a capping layer 4 is covered. Preferably, the capping layer comprises 4 a thin-film cap, which is on the first page 5 of the substrate is arranged. The cap wafer 4 is particularly preferably by means of a seal-glass connection or by means of an anodic bonding process to the substrate 2 attached.

In 2 ist eine schematische Perspektivansicht eines mikromechanischen Bauelements 1 gemäß einer zweiten Ausführungsform dargestellt, wobei beispielhafte eine Kammstruktur 20 von beweglichen Elektroden 21 und festen Gegenelektroden 22 dargestellt ist, wobei die beweglichen Elektroden 21 untereinander fest und über Federstrukturen 23 mit dem Substrat 24 elastisch verbunden sind.In 2 is a schematic perspective view of a micromechanical device 1 according to a second embodiment, wherein exemplified a comb structure 20 from moving electrodes 21 and fixed counterelectrodes 22 is shown, wherein the movable electrodes 21 fixed to each other and spring structures 23 with the substrate 24 are elastically connected.

Claims (11)

Mikromechanisches Bauelement (1), mit einem eine Haupterstreckungsebene (11) aufweisenden homogenen Substrat (2) und einer parallel zur Haupterstreckungsebene (11) ausgebildeten weiteren Schicht (3), dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) derart strukturiert ist, dass das Substrat (2) eine mikromechanische Funktionsschicht (2') aufweist, welche in einer zur Haupterstreckungsebene (11) parallel angeordneten Ebene (11') im Substrat (2) angeordnet ist und welche in einer zur Haupterstreckungsebene (11) senkrechten Richtung (10') zumindest teilweise die weitere Schicht (3) überlappt, das mikromechanische Bauelement (1) eine Verkappungsschicht (4) aufweist, wobei die Verkappungsschicht (4) auf einer ersten Seite (5) des Substrats (2) und die weitere Schicht (3) auf einer zweiten Seite (6) des Substrats (2) angeordnet ist, die weitere Schicht (3) Gräben (9) senkrecht zur Haupterstreckungsebene (11) aufweist und die weitere Schicht (3) Kontaktpads (12) aufweist.Micromechanical device ( 1 ), with a main extension plane ( 11 ) homogeneous substrate ( 2 ) and one parallel to the main extension plane ( 11 ) formed further layer ( 3 ), characterized in that the substrate ( 2 ) is structured such that the substrate ( 2 ) a micromechanical functional layer ( 2 ' ), which in one to the main extension plane ( 11 ) parallel plane ( 11 ' ) in the substrate ( 2 ) is arranged and which in a to the main extension plane ( 11 ) vertical direction ( 10 ' ) at least partially the further layer ( 3 ) overlaps the micromechanical device ( 1 ) a capping layer ( 4 ), wherein the capping layer ( 4 ) on a first page ( 5 ) of the substrate ( 2 ) and the further layer ( 3 ) on a second page ( 6 ) of the substrate ( 2 ), the further layer ( 3 ) Trenches ( 9 ) perpendicular to Main extension level ( 11 ) and the further layer ( 3 ) Contact Pads ( 12 ) having. Mikromechanisches Bauelement (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mikromechanische Funktionsschicht (2') sich senkrecht zur Haupterstreckungsebene (11) wenigstens über 50%, bevorzugt wenigstens über 75% und besonders bevorzugt wenigstens über 90% der Substratdicke (10) erstreckt.Micromechanical device ( 1 ) according to claim 1, characterized in that the micromechanical functional layer ( 2 ' ) perpendicular to the main plane of extension ( 11 ) at least over 50%, preferably at least over 75%, and more preferably at least over 90% of the substrate thickness ( 10 ). Mikromechanisches Bauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mikromechanische Funktionsschicht (2') bewegliche Elemente aufweist.Micromechanical device ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the micromechanical functional layer ( 2 ' ) has movable elements. Mikromechanisches Bauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) eine Kaverne (7) aufweist, wobei die Kaverne (7) bevorzugt im Bereich der beweglichen Elemente (2') und/oder auf der ersten Seite (5) ausgebildet ist.Micromechanical device ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the substrate ( 2 ) a cavern ( 7 ), wherein the cavern ( 7 ) preferably in the region of the movable elements ( 2 ' ) and / or on the first page ( 5 ) is trained. Mikromechanisches Bauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Substrat (2) und der weiteren Schicht (3) zumindest teilweise eine Isolationsschicht (8) angeordnet ist.Micromechanical device ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that between the substrate ( 2 ) and the further layer ( 3 ) at least partially an insulating layer ( 8th ) is arranged. Mikromechanisches Bauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das mikromechanische Bauelement (1) ein Inertialsensor ist.Micromechanical device ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the micromechanical component ( 1 ) is an inertial sensor. Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in einem ersten Verfahrensschritt ein Substrat (2) bereitgestellt wird, wobei in einem zweiten Verfahrensschritt auf dem Substrat (2) eine weitere Schicht (3) aufgebracht wird und wobei in einem dritten Verfahrensschritt das Substrat (2) strukturiert wird, auf der weiteren Schicht (3) in einem elften Verfahrensschritt zumindest ein Kontaktpad (12) angeordnet wird.Method for producing a micromechanical component ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that in a first process step, a substrate ( 2 ), wherein in a second process step on the substrate ( 2 ) another layer ( 3 ) and wherein in a third process step the substrate ( 2 ), on the further layer ( 3 ) in an eleventh method step at least one contact pad ( 12 ) is arranged. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass zeitlich vor dem zweiten Verfahrensschritt das Substrat (2) in einem vierten Verfahrensschritt wenigstens einseitig mit einer Isolationsschicht (8) beschichtet wird und/oder vor dem dritten Verfahrensschritt die weitere Schicht (3) in einem fünften Verfahrensschritt mit einer weiteren Isolationsschicht (8') beschichtet wird.Method according to claim 7, characterized in that, before the second method step, the substrate ( 2 ) in a fourth method step at least on one side with an insulating layer ( 8th ) and / or before the third process step, the further layer ( 3 ) in a fifth method step with a further insulation layer ( 8th' ) is coated. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem dritten Verfahrensschritt die weitere Schicht (3) in einem sechsten Verfahrensschritt strukturiert und/oder das Substrat (2) in einem siebten Verfahrensschritt geätzt wird.Method according to claim 8, characterized in that before the third method step the further layer ( 3 ) structured in a sixth method step and / or the substrate ( 2 ) is etched in a seventh process step. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem vierten Verfahrensschritt die Isolationsschicht (8) in einem achten Verfahrensschritt strukturiert wird und/oder dass nach dem fünften Verfahrensschritt die weitere Isolationsschicht (8') in einem neunten Verfahrensschritt strukturiert wird und/oder dass in einem zwölften Verfahrensschritt die Isolationsschicht (8) geätzt wird.Method according to one of claims 8 or 9, characterized in that after the fourth process step, the insulating layer ( 8th ) is structured in an eighth method step and / or that after the fifth method step the further insulation layer ( 8th' ) is structured in a ninth method step and / or that in a twelfth method step the isolation layer ( 8th ) is etched. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem dritten Verfahrensschritt das Substrat (2) in einem zehnten Verfahrensschritt zumindest teilweise von einer Verkappungsschicht (4) bedeckt wird.Method according to one of claims 7 to 10, characterized in that after the third method step, the substrate ( 2 ) in a tenth process step at least partially from a capping layer ( 4 ) is covered.
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