DE102007019570A1 - Contacting arrangement for optical system and mirror arrangement, has component with surface and contacting material has electrically non-conducting medium, in which multiple particles are embedded - Google Patents

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Abstract

The contacting arrangement (17) has a component (9) with a surface, which has a multiple electrical conducting surface areas. The contacting material has an electrically non-conducting medium, in which multiple particles are embedded. The particles have a group of particles that have electrically non-conducting surfaces and the particles of another group of particles have electrically conducting surfaces. An independent claim is also included for a mirror arrangement for reflection of electromagnetic radiation, has a substrate.

Description

Die Erfindung betrifft eine Spiegelanordnung zur Reflexion elektromagnetischer Strahlung und ein optisches System mit einer solchen Spiegelanordnung. Ferner betrifft die Erfindung eine Kontaktierungsanordnung für elektrische und elektronische Komponenten, wobei die Kontaktierungsanordnung im Zusammenhang mit der Spiegelanordnung zum Einsatz kommen kann.The The invention relates to a mirror arrangement for reflecting electromagnetic Radiation and an optical system with such a mirror arrangement. Furthermore, the invention relates to a contacting arrangement for electrical and electronic components, wherein the contacting arrangement in Can be used in conjunction with the mirror assembly.

Die Spiegelanordnung weist eine Spiegelfläche auf, deren Geometrie die optischen Eigenschaften des durch die Spiegelanordnung bereitgestellten Spiegels bestimmt. Die Spiegelanordnung kann in ein optisches System integriert sein und dort einen Strahlengang des optischen Systems bestimmen. Das optische System kann insbesondere ein Objektiv sein, wie es in lithographischen Verfahren zur Herstellung miniaturisierter Bauelemente zum Einsatz kommt, um durch eine Maske bzw. ein Retikel bereitgestellte Strukturen auf eine photoempfindliche Schicht abzubilden.The Mirror assembly has a mirror surface whose geometry the optical properties of the mirror provided by the mirror assembly certainly. The mirror assembly can be integrated into an optical system be there and determine a beam path of the optical system. The In particular, the optical system can be a lens, as in lithographic Method for producing miniaturized components is used, structures provided by a mask or a reticle to image on a photosensitive layer.

Ein Erfolg solcher optischer Systeme hängt unter anderem davon ab, mit welcher Genauigkeit die Geometrie der Spiegelfläche der Spiegelanordnung einer vorbestimmten Geometrie der Spiegelfläche entspricht. Aus EP 1 174 770 A2 ist eine Spiegelanordnung bekannt, deren Spiegelfläche deformierbar ist, um die optischen Eigenschaften des Spiegels variabel zu gestalten und diese insbesondere an gewünschte optische Eigenschaften anpassen zu können. Bei einer aus US 2006/0018045 A1 , deren Offenbarung vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird, ist eine Spiegelanordnung bekannt, welche ein Substrat aus einem piezoelektrischen Material umfaßt, welches bereichsweise durch entsprechend vorgesehene Elektrodenstrukturen selektiv erregt werden kann, um gewünschte Deformationen der Spiegelfläche zu erzeugen.Among other things, the success of such optical systems depends on the accuracy with which the geometry of the mirror surface of the mirror arrangement corresponds to a predetermined geometry of the mirror surface. Out EP 1 174 770 A2 a mirror arrangement is known, whose mirror surface is deformable in order to make the optical properties of the mirror variable and to be able to adapt these in particular to desired optical properties. At one off US 2006/0018045 A1 , the disclosure of which is fully incorporated into the present application, a mirror assembly is known, which comprises a substrate of a piezoelectric material, which can be selectively excited in regions by appropriately provided electrode structures to produce desired deformations of the mirror surface.

Es hat sich herausgestellt, daß bei dieser bekannten Spiegelanordnung Verbesserungsbedarf im Hinblick auf die Erzielung einer gewünschten Spiegeldeformation besteht.It has been found that in this known mirror assembly Improvement needs in terms of achieving a desired Mirror deformation exists.

Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist eine Spiegelanordnung vorgesehen, welche eine gegenüber dem Stand der Technik verbesserte Kontaktierungsanordnung umfaßt und insbesondere die Kontaktierung einer Vielzahl von Elektroden zur Erregung einer Aktuatoranordnung umfaßt.According to one Embodiment of the invention is a mirror assembly provided which one over the prior art improved contacting arrangement comprises and in particular the Contacting a plurality of electrodes to energize an actuator assembly includes.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist eine Spiegelanordnung vorgesehen, bei der eine Geometrie einer Elektrodenanordnung vorteilhaft ausgelegt ist und sich insbesondere für Spiegelanordnungen eignet, welche in optische Systeme integriert sind, bei welchen die Spiegelanordnung an einem von einer optischen Achse des Systems entfernten Ort angeordnet ist.According to one Another embodiment of the invention is a mirror assembly provided in which a geometry of an electrode assembly advantageous is designed and especially for mirror assemblies which are integrated into optical systems in which the mirror assembly at one of an optical axis of the system distant place is arranged.

Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung umfaßt eine Kontaktierungsanordnung eine erste Komponente mit einer ersten Oberfläche, welche eine Mehrzahl elektrisch leitfähiger Oberflächenbereiche und wenigstens einen elektrisch nicht leitfähigen Oberflächenbereich aufweist, eine zweite Komponente mit einer mit Abstand von der ersten Oberfläche angeordneten zweiten Oberfläche, und eine zwischen der Oberfläche der ersten Komponente und der Oberfläche der zweiten Komponente angeordnete Schicht aus einem Kontaktierungsmaterial, wobei das Kontaktierungsmittel ein elektrisch im wesentlichen nicht leitfähiges Medium umfaßt, in welches eine Vielzahl von Partikeln eingebettet ist, wo bei die Partikel einer ersten Gruppe von Partikeln elektrisch im wesentlichen nicht leitende Oberflächen aufweisen und die Partikel einer zweiten Gruppe von Partikeln elektrisch leitende Oberflächen aufweisen.According to one Embodiment of the invention comprises a contacting arrangement a first component having a first surface which a plurality of electrically conductive surface areas and at least one electrically non-conductive surface area comprising a second component at a distance from the first surface arranged second surface, and one between the Surface of the first component and the surface second component layer of a bonding material, wherein the contacting means is an electrically substantially not conductive medium, into which a plurality embedded by particles, where the particles of a first group of particles have electrically substantially non-conductive surfaces and the particles of a second group of particles are electrically conductive Have surfaces.

Die Schicht aus dem Kontaktierungsmaterial hat die Eigenschaft einer anisotropen elektrischen Leitfähigkeit, indem eine elektrische Leitfähigkeit quer, insbesondere senkrecht, zur Schichtebene bereitgestellt ist, während die elektrische Leitfähigkeit in der Schichtebene vergleichsweise gering ist.The Layer of the bonding material has the property of anisotropic electrical conductivity by adding an electrical Conductivity transversely, in particular perpendicular, to the layer plane is provided while the electrical conductivity in the layer plane is comparatively low.

Die elektrische Leitfähigkeit quer, insbesondere senkrecht, zur Schichtebene wird durch die zweite Gruppe von Partikeln bereitgestellt, welche elektrisch leitende Oberflächen aufweisen. Andererseits wird die elektrische Leitung in Schichtrichtung verhindert durch die Partikel der ersten Gruppe, welche elektrisch im wesentlichen nicht leitende Oberflächen aufweisen. Somit ist es mit Hilfe dieser Kontaktierungsschicht möglich, zwei Komponenten elektrisch miteinander zu koppeln, wobei wenigstens eine der Komponenten eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Oberflächenbereichen bzw. Kontaktflächen aufweist. Die Kontaktierungsanordnung ist in einer Vielzahl von technischen Bereichen einsetzbar, wie beispielsweise der Kontaktierung von Halbleiterbauelementen. Hierbei ist es ein großes Problem, ein Halbleiterbauelement zum einen auf einem Substrat bzw. einer Platine zu befestigen und eine Vielzahl von auf dem Substrat vorgesehene Signalleitungen mit entsprechenden Kontakten auf Seite des Halbleiterbauelements elektrisch zu verbinden.The electrical conductivity transversely, in particular vertically, to the layer plane is provided by the second group of particles, which have electrically conductive surfaces. on the other hand the electrical conduction in the layer direction is prevented by the particles of the first group which are electrically substantially have non-conductive surfaces. Thus it is with Help this contacting layer possible, two components electrically couple with each other, wherein at least one of the components a variety of electrically conductive surface areas or contact surfaces. The contacting arrangement is used in a variety of technical fields, such as the contacting of semiconductor devices. Here it is big problem, a semiconductor device on the one hand to attach a substrate or a board and a variety of provided on the substrate signal lines with corresponding Electrically connect contacts on the side of the semiconductor device.

Eine weitere Anwendung der Kontaktierungsanordnung liegt in dem Bereich der adaptiven Optik, wobei eine Vielzahl von Aktuatoren beispielsweise einer Spiegelanordnung kontaktiert werden muß.A further application of the contacting arrangement is in the area the adaptive optics, wherein a plurality of actuators, for example a mirror assembly must be contacted.

Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung beträgt ein Abstand zwischen der ersten Oberfläche der ersten Komponente und der zweiten Oberfläche der zweiten Komponente, das heißt im wesentlichen eine mögliche Dicke der Schicht aus dem Kontaktierungsmaterial 50 μm bis 250 μm.According to one embodiment of the invention, a distance between the first surface of the first component and the second upper is Area of the second component, that is substantially a possible thickness of the layer of the bonding material 50 microns to 250 microns.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung entspricht der Abstand zwischen den beiden Oberflächen bzw. eine mögliche Dicke der Schicht im wesentlichen einem mittleren Durchmesser der Partikel.According to one Another embodiment of the invention corresponds to the distance between the two surfaces or a possible Thickness of the layer substantially a mean diameter of Particle.

Hierbei ist es vorteilhaft, wenn die Partikel im wesentlichen gleiche Durchmesser aufweisen, um die Schichtdicke gut zu definieren. Hierbei ist es vorteilhaft, wenn eine Gestalt der Partikel einer Kugelgestalt nahe kommt. Dies ist bei einer Ausführungsform der Erfindung dann gegeben, wenn folgende Relation erfüllt ist:

Figure 00040001
It is advantageous if the particles have substantially the same diameter in order to define the layer thickness well. In this case, it is advantageous if a shape of the particles comes close to a spherical shape. This is the case in one embodiment of the invention if the following relation is fulfilled:
Figure 00040001

Die obige Relation bedeutet, daß der relative Unterschied zwischen dem größten Durchmesser der Partikel und dem kleinsten Durchmesser der Partikel kleiner als 10% ist. Gemäß weiteren Ausführungsformen ist die Gestalt der Partikel an die Gestalt einer Kugel stärker angenähert, wobei dann insbesondere gelten soll: U ≤ 0.05, insbesondere U ≤ 0.01 und insbesondere U ≤ 0.005.The above relation means that the relative difference between the largest diameter of the particles and the smallest Diameter of the particles is less than 10%. According to others Embodiments is the shape of the particles in the shape of a Ball more closely approximated, in which case in particular is to apply: U ≤ 0.05, in particular U ≤ 0.01 and in particular U ≤ 0.005.

Gemäß einer Ausführungsform bestehen die Partikel beider Gruppen aus einem elektrisch nicht leitenden Material, wobei die Partikel der zweiten Gruppe im Unterschied zu den Partikeln der ersten Gruppe mit einer elektrisch leitfähigen Oberflächenschicht versehen sind, wobei die elektrisch leitfähige Oberflächenschicht insbesondere aus einem Metall, wie beispielsweise Gold, bestehen kann. Das Metall kann beispielsweise durch Aufdampfen auf die Partikel aufgebracht sein.According to one Embodiment consist of the particles of both groups an electrically non-conductive material, wherein the particles of the second group, unlike the particles of the first group with an electrically conductive surface layer are provided, wherein the electrically conductive surface layer in particular of a metal, such as gold exist can. The metal can, for example, by vapor deposition on the particles be upset.

Um die geringe elektrische Leitfähigkeit in Schichtrichtung bereitzustellen, ist ein signifikanter Anteil an Partikeln der ersten Gruppe vorzusehen. Ein vorteilhaftes Verhältnis des Volumenanteils der Partikel der ersten Gruppe zu einem Volumenanteil der Partikel der zweiten Gruppe kann hierbei auch in Abhängigkeit von einem Volumenanteil der Partikel beider Gruppen an dem Kontaktierungsmaterial bestimmt werden.Around the low electrical conductivity in the layer direction is a significant proportion of particles of the first Provide group. An advantageous ratio of the volume fraction the particle of the first group to a volume fraction of the particles The second group can also be dependent on a volume fraction of the particles of both groups on the contacting material be determined.

Gemäß Ausführungsformen der Erfindung liegt der Volumenanteil der Partikel beider Gruppen an dem Kontaktierungsmaterial in Bereichen von 0,1% bis 1,0% und insbesondere 0,4% bis 0,6%.According to embodiments The invention relates to the volume fraction of the particles of both groups the contacting material in ranges of 0.1% to 1.0% and in particular 0.4% to 0.6%.

Gemäß weiteren Ausführungsformen beträgt das Verhältnis des Volumenanteils der Partikel der zweiten Gruppe zu dem Volumentanteil der Partikel der ersten Gruppe 0,03 bis 0,001 und insbesondere 0,01 bis 0,001.According to others Embodiments is the ratio the volume fraction of the particles of the second group to the volume fraction the particle of the first group 0.03 to 0.001 and in particular 0.01 to 0.001.

Das Medium, in welches die Partikel eingebettet sind, weist beispielsweise einen spezifischen elektrischen Widerstand von mehr als 108 Ω/cm oder mehr als 109 Ω/cm auf. Das Medium kann auch einen noch wesentlich höheren spezifischen Widerstand von beispielsweise etwa 1013 Ω/cm oder 1014 Ω/cm aufweisen. Das Medium kann beispielsweise ein Keramikmaterial umfassen, welches beispielsweise durch ein Sol-Gel-Verfahren hergestellt ist.The medium in which the particles are embedded has, for example, a specific electrical resistance of more than 10 8 Ω / cm or more than 10 9 Ω / cm. The medium may also have a much higher resistivity of, for example, about 10 13 Ω / cm or 10 14 Ω / cm. The medium may comprise, for example, a ceramic material which is produced for example by a sol-gel process.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfaßt eine Spiegelanordnung zur Reflexion elektromagnetischer Strahlung ein Substrat mit einer der zu reflektierenden Strahlung zugewandten Spiegelseite, an der eine Spiegelfläche bereitgestellt ist, und einer von der Spiegelseite abgewandten Rückseite, eine an der Rückseite des Substrats angebrachte Aktuatoranordnung zur Erzeugung von Deformationen des Spiegelkörpers, wobei die Aktuatoranordnung wenigstens eine mit einem Bereich der Rückseite des Substrats flächig verbundene aktive Schicht umfaßt, eine Kontaktierungsanordnung zur Erregung der aktiven Schicht, wobei die Kontaktierungsanordnung eine Mehrzahl von Elektrodenfeldern aufweist, die sich jeweils parallel zu der Schicht erstrecken und, gesehen in Richtung der Schicht, mit Abstand voneinander und elektrisch isolierend voneinander angeordnet sind, wobei die Elektrodenfelder einer Gruppe von Elektrodenfeldern jeweils wenigstens einen geradlinig sich erstrecken Rand aufweisen, dessen geradlinige Verlängerung, gesehen in Projektion quer zu der Schichtrichtung, einen Kreis schneidet, dessen Mittelpunkt mit einem Abstand von dem Spiegel angeordnet ist, der wenigstens so groß ist wie eine größte Ausdehnung der Schicht in Schichtrichtung, und dessen Radius kleiner ist als die größte Ausdehnung der Schicht in Schichtrichtung, und wobei eine Anzahl der Elektrodenfelder der Gruppe gleich oder größer ist als die Hälfte einer Anzahl sämtlicher Elektrodenfelder.According to one Another embodiment comprises a mirror arrangement for reflection of electromagnetic radiation, a substrate with a the mirror side facing the reflective radiation, at the a mirror surface is provided, and one of the Mirror side averted back, one on the back of the substrate mounted actuator assembly for generating deformations the mirror body, wherein the actuator assembly at least one with a region of the back of the substrate surface connected active layer, a contacting arrangement for exciting the active layer, wherein the contacting arrangement a Has a plurality of electrode fields, each in parallel extend to the layer and, seen in the direction of the layer, spaced apart and electrically insulating from each other where the electrode pads are a group of electrode pads each have at least one rectilinear edge, its rectilinear extension, seen in projection transverse to the layer direction, a circle cuts, its center is arranged at a distance from the mirror, at least is as big as a largest expansion the layer in the layer direction, and whose radius is smaller than the largest extent of the layer in the layer direction, and wherein a number of the electrode fields of the group are equal to or larger is more than half of a number of all electrode fields.

Die Gestalten der Elektrodenfelder können hierbei von Feld zu Feld variieren, so daß durch die Elektrodenfelder ein unregelmäßiges Muster bereitgestellt ist. Unregelmäßig kann hier insbesondere bedeuten, daß das Muster unter keiner Translation in sich selbst übergeht.The Design of the electrode fields can hereby field vary to field, so that through the electrode fields a irregular pattern is provided. Irregular can mean in particular that the pattern under no Translation goes into itself.

Vorteilhaft ist diese Art der Formung der Elektrodenfelder für Spiegelanordnungen anwendbar, welche in einem optischen System eingesetzt werden, bei welchem die Spiegelanordnung mit Abstand von einer optischen Achse des optischen Systems angeordnet ist. Derartige Spiegel werden auch als "off- axis" Spiegel bezeichnet. Hierbei sind dann eine große Zahl der Ränder der Elektrodenfelder hin zu der optischen Achse des optischen Systems orientiert. Hierbei ist es nicht nötig, daß die gedachten Verlängerungen dieser Ränder die optische Achse exakt schneiden. Es ist vielmehr ausreichend, daß die Verlängerungen der Ränder der optischen Achse ausreichend nahe kommen, was bei der oben angegebenen Definition dadurch gewährleistet ist, daß diese verlangt, daß die geradlinigen Verlängerungen der Ränder einen mathematischen Kreis schneiden, dessen Mittelpunkt mit Abstand von dem Spiegel angeordnet ist und dessen Radius genügend klein gewählt ist.This type of shaping of the electrode fields is advantageously applicable to mirror arrangements which are used in an optical system in which the mirror arrangement is arranged at a distance from an optical axis of the optical system. Such mirrors are also referred to as "off-axis" mirrors. In this case, a large number of the edges of the electrode fields are oriented toward the optical axis of the optical system. Here it is not necessary that the imaginary Extensions of these edges cut the optical axis exactly. Rather, it is sufficient that the extensions of the edges of the optical axis be sufficiently close, which is ensured in the above-mentioned definition in that it requires that the rectilinear extensions of the edges intersect a mathematical circle whose center is spaced from the mirror is and whose radius is chosen small enough.

Hierbei ist es nicht notwendig, daß ein jedes Elektrodenfeld einen Rand aufweist, der hin zu der optischen Achse des optischen Systems orientiert ist. Vorteile werden bereits erzielt, wenn die Hälfte oder mehr der Elektrodenfelder oder Dreiviertel oder mehr der Elektrodenfelder wenigstens einen oder zwei Ränder aufweisen, welche hin zu der optischen Achse orientiert sind.in this connection it is not necessary for each electrode field to have one Edge toward the optical axis of the optical system is oriented. Benefits are already achieved when half or more of the electrode pads, or three quarters or more of the electrode pads have at least one or two edges, which towards are oriented to the optical axis.

Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend anhand von Figuren näher erläutert, wobeiembodiments The invention will be explained in more detail below with reference to figures explains

1 eine Spiegelanordnung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung im Schnitt zeigt, 1 shows in section a mirror arrangement according to an embodiment of the invention,

2 eine Draufsicht auf Elektrodenfelder der Spiegelanordnung der 1 zeigt, 2 a plan view of electrode pads of the mirror assembly of 1 shows,

3 eine Draufsicht auf eine Leiterbahnenstruktur der 1 zeigt, 3 a plan view of a conductor track structure of 1 shows,

4 eine Detailansicht der 1 ist, 4 a detailed view of the 1 is

5 eine schematische Darstellung eines optischen Systems gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, 5 is a schematic representation of an optical system according to an embodiment of the present invention,

6 eine Auslegung von Elektrodenfeldern einer Spiegelanordnung gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung in Draufsicht zeigt, und 6 a design of electrode fields of a mirror assembly according to another embodiment of the invention in plan view, and

7 ein Detail der 2 zeigt. 7 a detail of 2 shows.

1 zeigt eine Spiegelanordnung 1 zur Reflexion elektromagnetischer Strahlung 3 an einer Spiegelfläche 5. Die Spiegelfläche 5 ist durch eine Multilayer-Struktur dielektrischer Schichten mit unterschiedlichem Brechungsindex gebildet. Beispielsweise kann die Multilayer-Struktur 7 eine Vielzahl von Molybdänschichten und Siliziumschichten umfassen, welche abwechselnd übereinander angeordnet sind. Die Multilayer-Struktur ist auf einer Oberfläche eines Spiegelsubstrats 7 vorgesehen, welches beispielsweise aus Silizium bestehen kann. Die Oberfläche des Spiegelsubstrats 7, welche die Multilayer-Struktur 5 trägt, bestimmt die Geometrie der Spiegelfläche und kann beispielsweise eine Planfläche oder eine konvex oder konkav gekrümmte Oberfläche oder eine Oberfläche mit sowohl konkaven als auch konvexen Bereichen sein. 1 shows a mirror arrangement 1 for reflection of electromagnetic radiation 3 on a mirror surface 5 , The mirror surface 5 is formed by a multilayer structure of dielectric layers of different refractive index. For example, the multilayer structure 7 comprise a plurality of molybdenum layers and silicon layers, which are alternately stacked. The multilayer structure is on a surface of a mirror substrate 7 provided, which may for example consist of silicon. The surface of the mirror substrate 7 showing the multilayer structure 5 supports, determines the geometry of the mirror surface and may be, for example, a plane surface or a convexly or concavely curved surface or a surface having both concave and convex portions.

Um die Gestalt der Spiegelfläche 5 in gewissem Umfang zu ändern und an eine gewünschte Gestalt anzupassen, ist das Spiegelsubstrat 7 mit einer Fläche einer Aktuatorschicht 9 flächig fest verbunden, wobei die andere Fläche der Aktuatorschicht 9 mit einem Spiegelträger 11 flächig fest verbunden ist, welcher beispielsweise aus Metall oder Glas gebildet sein kann.To the shape of the mirror surface 5 to a certain extent to change and adapt to a desired shape is the mirror substrate 7 with a surface of an actuator layer 9 firmly connected surface, wherein the other surface of the actuator layer 9 with a mirror carrier 11 is firmly connected flat, which may be formed for example of metal or glass.

Die Aktuatorschicht 9 kann ein ferroelektrisches Material oder/und piezoelektrisches Material oder/und ein magnetostriktives Material oder/und eine elektrostriktives Material oder/und eine Formgedächtnislegierung umfassen. In dem vorliegend beschriebenen Beispiel ist die Aktuatorschicht 9 aus einem Piezomaterial, wie etwa Blei-Zirkonat-Titanat (PZT) gebildet.The actuator layer 9 may comprise a ferroelectric material and / or piezoelectric material and / or a magnetostrictive material and / or an electrostrictive material and / or a shape memory alloy. In the example described herein, the actuator layer is 9 formed from a piezo material such as lead zirconate titanate (PZT).

Die Aktuatorschicht 9 kann räumlich selektiv erregt werden, indem zwischen dem Substrat 7 und der Aktuatorschicht 9 eine flächig durchgehende Masseelektrode 13 vorgesehen ist und zwischen der Aktuatorschicht 9 und dem Spiegelträger 11 eine Elektrodenstruktur 15 vorgesehen ist, welche eine Vielzahl von voneinander elektrisch isolierten Elektrodenfeldern umfaßt, welchen einzeln und unabhängig voneinander elektrische Potentiale von einer Steuerung 16 zugeführt werden können. Bei Zuführung eines von dem Massepotential verschiedenen elektrischen Potentials an eines der Elektrodenfelder der Elektrodenanordnung 15 wird lokal ein elektrisches Feld zwischen der Elektrodenfläche und der Masseelektrode 13 erzeugt, was zu einer entsprechenden Deformation des Piezomaterials in diesem Bereich und damit zu einer Deformation der Spiegelfläche 5 führt.The actuator layer 9 can be spatially selectively excited by being between the substrate 7 and the actuator layer 9 a flat ground electrode 13 is provided and between the actuator layer 9 and the mirror carrier 11 an electrode structure 15 is provided, which comprises a plurality of mutually electrically insulated electrode fields, which individually and independently of each other electrical potentials from a controller 16 can be supplied. When supplying an electrical potential different from the ground potential to one of the electrode fields of the electrode arrangement 15 locally becomes an electric field between the electrode surface and the ground electrode 13 generates, resulting in a corresponding deformation of the piezoelectric material in this area and thus to a deformation of the mirror surface 5 leads.

Eine Struktur der Elektrodenanordnung 15 ist in 2 schematisch dargestellt. Die Elektrodenanordnung 15 umfaßt eine Vielzahl von Teilelektroden 19, welche voneinander elektrisch isoliert sind und durch eine nachfolgend im Detail beschriebene und zwischen der Aktuatorschicht 9 und dem Spiegelträger 11 vorgesehene Kontaktierungsanordnung 17 unabhängig voneinander mit elektrischen Potentialen versorgt werden können. Das Muster, in dem die Teilelektroden 19 in der Fläche angeordnet sind, ist folgendermaßen strukturiert: achtzehn Teilelektroden lassen sich jeweils zu einem Sechseck 21 gruppieren. Die Sechsecke 21 sind als regelmäßiges hexagonales Muster in der Fläche angeordnet. Ein jedes Sechseck 21 ist in sechs regelmäßige Dreiecke 23 unterteilbar, wobei ein jedes der Dreiecke 23 drei Teilelektroden 19 enthält, welche die Form eines Vierecks mit zwei kurzen und zwei langen Rändern aufweisen. Es hat sich gezeigt, daß die Auslegung der Elektrodenstruktur in einem solchen Muster von Teilelektroden vorteilhaft bei der Ansteuerung der Deformation der Spiegelfläche ist.A structure of the electrode assembly 15 is in 2 shown schematically. The electrode arrangement 15 includes a plurality of sub-electrodes 19 which are electrically insulated from each other and by a hereinafter described in detail and between the actuator layer 9 and the mirror carrier 11 provided contacting arrangement 17 can be supplied independently with electrical potentials. The pattern in which the sub-electrodes 19 are arranged in the surface is structured as follows: eighteen sub-electrodes can each be a hexagon 21 group. The hexagons 21 are arranged as a regular hexagonal pattern in the surface. Every hexagon 21 is in six regular triangles 23 subdividable, each one of the triangles 23 three partial electrodes 19 contains, which have the shape of a quadrilateral with two short and two long edges. It has been found that the design of the electrode structure in such a pattern of part electrodes is advantageous in the control of the deformation of the mirror surface.

7 zeigt eine Detailansicht der 2, wobei aus 7 ersichtlich ist, daß benachbarte Teilelektroden 19 voneinander durch eine elektrisch isolierende Lücke getrennt sind, welche eine Breite E aufweist. Die Breite E ist größer als ein Durchmesser der Kugeln 31, 35, insbesondere größer als 2 oder größer als 10 mal der Durchmesser der Kugeln 31, 35. 7 shows a detailed view of 2 , being out 7 it can be seen that adjacent sub-electrodes 19 separated from each other by an electrically insulating gap having a width E. The width E is larger than a diameter of the balls 31 . 35 , in particular greater than 2 or greater than 10 times the diameter of the balls 31 . 35 ,

Die Teilelektroden 19 sind auf der Oberfläche der Aktuatorschicht 9 angebracht, während Zuleitungen 27 und Kontaktflächen 25 zur Zuführung von elektrischen Potentialen an die Teilelektroden 19 auf einer Oberfläche des Spiegelträgers 11 vorgesehen sind.The partial electrodes 19 are on the surface of the actuator layer 9 attached while supply lines 27 and contact surfaces 25 for supplying electrical potentials to the sub-electrodes 19 on a surface of the mirror carrier 11 are provided.

Ein Teil der auf der Oberfläche des Spiegelträgers 11 vorgesehenen Zuleitungen 27 und Kontaktflächen 25 ist in 3 in Draufsicht schematisch dargestellt. Daraus ist ersichtlich, daß einer jeden der viereckigen Teilelektroden 19 eine Kontaktfläche 25 zugeordnet ist, welche auf der Oberfläche des Spiegelträgers 11 einen elektrischen Kontakt bereitstellt und welcher über die Zuleitungen 27 elektrische Potentiale zugeführt werden können, wobei die Zuleitungen 27 selbst gegenüber der Oberfläche des Spiegelträgers 11 isoliert sind. Die Struktur aus Zuleitungen 27 und Kontaktflächen 25 kann beispielsweise durch Dickschichttechnik herstellt werden.Part of the on the surface of the mirror carrier 11 provided supply lines 27 and contact surfaces 25 is in 3 shown schematically in plan view. It can be seen that each of the quadrangular sub-electrodes 19 a contact surface 25 is assigned, which on the surface of the mirror carrier 11 provides an electrical contact and which via the supply lines 27 electrical potentials can be supplied, the supply lines 27 even opposite the surface of the mirror carrier 11 are isolated. The structure of supply lines 27 and contact surfaces 25 can be produced for example by thick film technology.

Die elektrische Verbindung zwischen den Kontaktflächen 25 und den Elektroden 19 ist durch kugelförmige Partikel 31 gebildet, welche eine elektrisch leitende Oberfläche aufweisen und sowohl mit der Kontaktfläche 25 als auch mit der Elektrode 19 in Berührungskontakt stehen. Die Partikel 31 sind in ein elektrisch nicht leitendes Medium 33 eingebettet, welches einerseits an der Aktuatorschicht 9 und an dem Spiegelträger 11 haftet und somit auch die Aktuatorschicht 9 und den Spiegelträger 11 flächig fest miteinander verbindet. Das Medium 33 kann aus einem Keramikmaterial gebildet sein. Neben den Partikeln 31 mit der elektrisch leitenden Oberfläche sind in das Medium 33 ferner noch Partikel 35 eingebettet, welche eine elektrisch nicht leitende Oberfläche aufweisen. Beispielsweise können die Partikel 31 mit der elektrisch leitenden Oberfläche und die Partikel 35 mit der elektrisch nicht leitenden Oberfläche in einem Verhältnis von 1:1 gemischt sein, wobei ein weiter Spielraum hinsichtlich dieses Mischungsverhältnisses besteht. Da die Partikel 31 mit der elektrisch leitenden Oberfläche und die Partikel 35 mit der elektrisch nicht leitenden Oberfläche statistisch verteilt sind, soll der Anteil der Partikel 31 mit der elektrisch leitenden Oberfläche so groß gewählt sein, daß mit ausreichender Sicherheit gewährleistet ist, daß zwischen einem jeden Paar von Elektrodenflächen 25 und Teilelektroden 19 wenigstens ein und vorzugsweise mehrere Partikel 31 mit der elektrisch leitenden Oberfläche angeordnet sind, um einen Leitungsweg zwischen der Kontaktfläche 25 und der Elektrode 19 bereitzustellen. Andererseits soll der Anteil an den Partikeln 35 mit der elektrisch nicht leitenden Oberfläche so groß gewählt sein, daß mit ausreichender Sicherheit ausgeschlossen ist, daß innerhalb der Schicht 17 ein elektrischer Leitungsweg über die elektrisch leitenden Oberflächen der Partikel 31 zwischen benachbarten Elektroden 19 bzw. benachbarten Kontaktflächen 25 gebildet ist.The electrical connection between the contact surfaces 25 and the electrodes 19 is by spherical particles 31 formed, which have an electrically conductive surface and both with the contact surface 25 as well as with the electrode 19 are in contact with each other. The particles 31 are in an electrically non-conductive medium 33 embedded, which on the one hand on the actuator layer 9 and on the mirror carrier 11 adheres and thus also the actuator layer 9 and the mirror carrier 11 connects firmly together. The medium 33 may be formed of a ceramic material. In addition to the particles 31 with the electrically conductive surface are in the medium 33 also some particles 35 embedded, which have an electrically non-conductive surface. For example, the particles 31 with the electrically conductive surface and the particles 35 be mixed with the electrically non-conductive surface in a ratio of 1: 1, with a wide margin in terms of this mixing ratio. Because the particles 31 with the electrically conductive surface and the particles 35 are statistically distributed with the electrically non-conductive surface, the proportion of particles 31 be chosen so large with the electrically conductive surface that is ensured with sufficient certainty that between each pair of electrode surfaces 25 and sub-electrodes 19 at least one and preferably several particles 31 are arranged with the electrically conductive surface to a conduction path between the contact surface 25 and the electrode 19 provide. On the other hand, the proportion of the particles 35 be chosen so large with the electrically non-conductive surface that is excluded with sufficient certainty that within the layer 17 an electrical conduction path across the electrically conductive surfaces of the particles 31 between adjacent electrodes 19 or adjacent contact surfaces 25 is formed.

Die Partikel 31, 35 können beispielsweise wie folgt hergestellt werden: Ein Pulver aus mineralischem Material, beispielsweise Sand, wird in eine Kugelmühle gegeben und darin eine ausreichende Zeit gemahlen, so daß die einzelnen Partikel annähernd Kugelgestalt aufweisen. Nach diesem Mahlvorgang variieren allerdings die Durchmesser der Partikel stark, wobei die in der Kontaktierungsanordnung 17 in der Masse 33 eingebetteten Partikel 31, 35 allerdings möglichst gleiche Durchmesser aufweisen sollten, so daß möglichst sämtliche Partikel 31 mit der elektrisch leitenden Oberfläche prinzipiell dazu geeignet sind, den Abstand zwischen den Kontaktflächen 25 einerseits und den Elektroden 19 andererseits leitend zu überbrücken. Um dies zu erreichen, werden die Partikel nach dem Mahlvorgang in eine großes Volumen Wasser gegeben und mit diesem durchmischt. Die größeren Partikel werden sodann sich schnell am Boden des Wasserbehälters absetzen, während die kleineren Partikel auch nach einiger Zeit noch im Wasser schweben. Das Wasser wird mitsamt den schwebenden Partikeln abgezogen, durchmischt und es wird den Partikeln wiederum Gelegenheit gegeben, sich am Boden abzusetzen. In einem nachfolgenden Schritt werden die Partikel aus dem Bodensatz weiterverwendet, welche größer sind als die weiterhin über dem Bodensatz schwebenden Partikel. Die Partikel in diesem Bodensatz weisen folglich bereits eine relativ schmale statistische Größenverteilung mit einer unteren Grenze und einer oberen Grenze für den Durchmesser auf. Dieser Vorgang kann noch weitere Male wiederholt werden, um eine noch gleichförmigere Größenverteilung der Partikel zu erreichen. Eine relative Variation der Partikeldurchmesser kann in bestimmten Ausführungsformen der. Erfindung dann kleiner sein als 1%, insbesondere kleiner als 0,1%.The particles 31 . 35 For example, a powder of mineral material, such as sand, is placed in a ball mill and ground therein for a sufficient time so that the individual particles are approximately spherical in shape. However, after this grinding process, the diameters of the particles vary greatly, with those in the contacting arrangement 17 in the crowd 33 embedded particles 31 . 35 However, should have the same diameter as possible, so that all possible particles 31 with the electrically conductive surface are in principle suitable for the distance between the contact surfaces 25 on the one hand and the electrodes 19 on the other hand to bridge over. In order to achieve this, after the milling process, the particles are placed in a large volume of water and mixed with it. The larger particles will then settle quickly at the bottom of the water tank, while the smaller particles still float in the water after some time. The water is removed together with the floating particles, mixed and the particles are again given the opportunity to settle on the ground. In a subsequent step, the particles from the sediment which are larger than the particles which continue to float above the sediment are reused. The particles in this sediment therefore already have a relatively narrow statistical size distribution with a lower limit and an upper limit for the diameter. This process can be repeated several more times to achieve even more uniform size distribution of the particles. A relative variation of the particle diameter may in certain embodiments of the. Invention then be less than 1%, in particular less than 0.1%.

5 zeigt ein optisches System 100, welches ein in einer Objektebene 101 angeordnetes Reticle auf einen in einer Bildebene 103 des optischen Systems 100 angeordneten Wafer abbildet. Das optische System ist ein rein reflektives optisches System mit mehreren Spiegeln M1, M2, M3, M4, M5 und M6, um einen Strahlengang des Systems bereitzustellen. Hierbei ist der Spiegel M3 ein Spiegel mit einer deformierbaren Oberfläche und einem Aufbau, wie er vorangehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 4 erläutert wurde. 5 shows an optical system 100 which is one in an object plane 101 arranged reticle on one in an image plane 103 of the optical system 100 images arranged wafer. The optical system is a purely reflective optical system with multiple mirrors M1, M2, M3, M4, M5 and M6 to provide a beam path of the system. Here, the mirror M3 is a mirror having a deformable surface and a structure as previously described with reference to FIGS 1 to 4 was explained.

Hintergrundinformation zu dem in der 5 gezeigten optischen System kann beispielsweise aus der EP 0 779 528 A2 erhalten werden. Neben dem Einsatz des deformierbaren Spiegels in einem rein reflektiven optischen System ist auch ein Einsatz des deformierbaren Spiegels in einem katadioptrischen System vorgesehen. Hintergrundinformation zu katadioptrischen Abbildungssystemen kann beispielsweise aus US 6,229,647 B1 und EP 1 069 448 B1 gewonnen werden.Background information to that in the 5 shown optical system, for example, from the EP 0 779 528 A2 to be obtained. In addition to the use of the deformable mirror in a purely reflective optical system, use of the deformable mirror in a catadioptric system is also contemplated. Background information on catadioptric imaging systems may for example be US 6,229,647 B1 and EP 1 069 448 B1 be won.

Der Spiegel M3 in dem in 5 gezeigten optischen System ist ein off-axis Spiegel, da er mit Abstand von einer optischen Achse OA des Systems angeordnet ist.The mirror M3 in the in 5 shown optical system is an off-axis mirror, since it is spaced from an optical axis OA of the system.

In 6 ist eine weitere Ausführungsform einer Spiegelanordnung 1a schematisch dargestellt. Hierbei zeigt 6 in Draufsicht eine Struktur einer Elektrodenanordnung 15a zur Erregung einer Aktuatorschicht. Die Elektrodenanordnung 15a umfaßt eine Vielzahl von Elektroden 19a, welche in dieser Ausführungsform in einem Muster aus Zeilen und Spalten angeordnet sind. Die Elektroden 19a sind voneinander isoliert und weisen jeweils vier geradlinige Kanten auf, wobei sich jeweils zwei Kanten 41 gegenüberliegen, welche sich parallel zueinander erstrecken und sich jeweils Kanten 43 gegenüberliegen, welche sich unter einem Winkel zueinander erstrecken. Gedachte Verlängerungen 45 der Kanten 43 schneiden sich in dem dargestellten Ausführungsbeispiel in einem Punkt OA, welcher bei Montage der Spiegelanordnung 1a in einem optischen System vorzugsweise auf der optischen Achse des Systems liegt. Es hat sich herausgestellt, daß bei einer derartigen Auslegung des Musters der Elektroden zur Erregung der Aktuatorschicht sich die Aktuatorschicht vorteilhaft ansteuern läßt, um in dem optischen System auftretende Abbildungsfehler zu korrigieren.In 6 is another embodiment of a mirror assembly 1a shown schematically. This shows 6 in plan view, a structure of an electrode assembly 15a for exciting an actuator layer. The electrode arrangement 15a includes a plurality of electrodes 19a which are arranged in a pattern of rows and columns in this embodiment. The electrodes 19a are isolated from each other and each have four straight edges, each with two edges 41 opposite each other, which extend parallel to each other and each edges 43 opposite each other, which extend at an angle to each other. Thought extensions 45 the edges 43 intersect in the illustrated embodiment in a point OA, which during assembly of the mirror assembly 1a in an optical system, preferably on the optical axis of the system. It has been found that with such a design of the pattern of the electrodes for exciting the actuator layer, the actuator layer can be advantageously controlled in order to correct aberrations occurring in the optical system.

Hierbei ist die in 6 gezeigte Anordnung ein Sonderfall, bei dem sich die Verlängerungen der Ränder 43 exakt in dem Punkt OA schneiden. In einem allgemeineren Fall ist dies nicht erfüllt. Allerdings sollen auch in dem allgemeineren Fall die Linien 45 aufeinander zu laufen und einen Kreis 47 schneiden, welcher mit Abstand von der Spiegelfläche angeordnet ist und einen Durchmesser aufweist, der kleiner ist als eine größte Ausdehnung a der Spiegelfläche. Ein Mittelpunkt M des in 6 dargestellten Kreises ist von einem dem Kreis 47 zugewandten Rand 48 der Spiegelfläche mit einem Abstand angeordnet, der der größten Ausdehnung a der Spiegelfläche senkrecht zum Meridionalschnitt aus 5 entspricht, und der Durchmesser des Kreises 47 ist etwas größer als die Hälfte der Ausdehnung a. Sämtliche Linien 45, welche die Ränder 43 der Elektroden 19a verlängern, durchsetzen den Kreis 47.Here is the in 6 arrangement shown a special case in which the extensions of the edges 43 cut exactly at the point OA. In a more general case, this is not true. However, even in the more general case, the lines 45 to run towards each other and make a circle 47 which is arranged at a distance from the mirror surface and has a diameter which is smaller than a maximum extent a of the mirror surface. A midpoint M of the in 6 represented circle is of a circle 47 facing edge 48 the mirror surface arranged at a distance of the largest extent a of the mirror surface perpendicular to the meridional section 5 corresponds, and the diameter of the circle 47 is slightly larger than half the extent a. All lines 45 which the edges 43 the electrodes 19a extend, enforce the circle 47 ,

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - EP 1174770 A2 [0003] - EP 1174770 A2 [0003]
  • - US 2006/0018045 A1 [0003] US 2006/0018045 A1 [0003]
  • - EP 0779528 A2 [0043] EP 0779528 A2 [0043]
  • - US 6229647 B1 [0043] - US 6229647 B1 [0043]
  • - EP 1069448 B1 [0043] - EP 1069448 B1 [0043]

Claims (22)

Kontaktierungsanordnung (17), umfassend: eine erste Komponente (9) mit einer ersten Oberfläche, welche eine Mehrzahl elektrisch leitfähiger Oberflächenbereiche (19) und wenigstens einen elektrisch nicht leitfähigen Oberflächenbereich aufweist, eine zweite Komponente (11) mit einer mit Abstand von der ersten Oberfläche angeordneten zweiten Oberfläche, und eine zwischen der Oberfläche der ersten Komponente (S) und der Oberfläche der zweiten Komponente (11) angeordnete Schicht aus einem Kontaktierungsmaterial, dadurch gekennzeichnet, daß das Kontaktierungsmaterial umfaßt: ein elektrisch im wesentlichen nicht leitfähiges Medium (33), in welches eine Vielzahl von Partikeln (31, 35) eingebettet ist, wobei die Partikel (35) einer ersten Gruppe von Partikeln elektrisch im wesentlichen nicht leitende Oberflächen aufweisen und die Partikel (31) einer zweiten Gruppe von Partikeln elektrisch leitende Oberflächen aufweisen.Contacting arrangement ( 17 ), comprising: a first component ( 9 ) having a first surface having a plurality of electrically conductive surface regions ( 19 ) and at least one electrically non-conductive surface region, a second component ( 11 with a second surface spaced from the first surface, and one between the surface of the first component (S) and the surface of the second component ( 11 ) arranged layer of a contacting material, characterized in that the contacting material comprises: an electrically substantially non-conductive medium ( 33 ) into which a multiplicity of particles ( 31 . 35 ), whereby the particles ( 35 ) of a first group of particles have electrically substantially non-conductive surfaces and the particles ( 31 ) of a second group of particles have electrically conductive surfaces. Kontaktierungsanordnung nach Anspruch 1, wobei der Abstand zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche 30 μm bis 250 μm beträgt.Contacting arrangement according to claim 1, wherein the Distance between the first surface and the second Surface is 30 microns to 250 microns. Kontaktierungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Abstand zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche im wesentlichen einem mittleren Durchmesser der Partikel entspricht.Contacting arrangement according to claim 1 or 2, wherein the distance between the first surface and the second Surface substantially a mean diameter the particle corresponds. Kontaktierungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei gilt:
Figure 00160001
wobei: Dmax einen größten Durchmesser eines Partikels repräsentiert, Dmin einen kleinsten Durchmesser des Partikels repräsentiert, und <..> eine Mittelung über viele Partikel repräsentiert.Contacting arrangement according to one of claims 1 to 3, wherein the following applies:
Figure 00160001
where: D max represents a largest diameter of a particle, D min represents a smallest diameter of the particle, and <.> represents averaging over many particles. Kontaktierungsanordnung nach Anspruch 4, wobei gilt: U ≤ 0.05, insbesondere U ≤ 0.01, und insbesondere U ≤ 0.005.Contacting arrangement according to claim 4, wherein: U ≤ 0.05, in particular U ≤ 0.01, and in particular U ≤ 0.005. Kontaktierungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Partikel im wesentlichen Kugelgestalt aufweisen.Contacting arrangement according to one of the claims 1 to 5, wherein the particles have a substantially spherical shape. Kontaktierungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Partikel der zweiten Gruppe aus einem im wesentlichen nicht leitenden Material bestehen und mit einer elektrisch leitfähigen Oberflächenschicht, insbesondere einem Metall, versehen sind.Contacting arrangement according to one of the claims 1 to 6, wherein the particles of the second group of a substantially non-conductive material and with an electrically conductive Surface layer, in particular a metal, are provided. Kontaktierungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das elektrisch im wesentlichen nicht leitfähige Medium ein Keramikmaterial umfaßt.Contacting arrangement according to one of the claims 1 to 7, wherein the electrically substantially non-conductive Medium comprises a ceramic material. Kontaktierungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Partikel einen Volumenanteil von 0,1% bis 1%, insbesondere 0,4% bis 0,6%, des Kontaktierungsmaterials aufweisen.Contacting arrangement according to one of the claims 1 to 7, wherein the particles have a volume fraction of 0.1% to 1%, in particular 0.4% to 0.6% of the contacting material. Kontaktierungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei ein Verhältnis eines Volumenanteils der Partikel der zweiten Gruppe zu einem Volumenanteil der Partikel der ersten Gruppe 0,03 bis 0,001 beträgt.Contacting arrangement according to one of the claims 1 to 9, wherein a ratio of a volume fraction of Particles of the second group to a volume fraction of the particles the first group is 0.03 to 0.001. Kontaktierungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die zweite Oberfläche eine Mehrzahl elektrisch leitfähiger Oberflächenbereiche (25) und wenigstens einen elektrisch nicht leitfähigen Oberflächenbereich aufweist, wobei wenigstens ein elektrisch leitfähiger Oberflächenbereich auf der zweiten Oberfläche mit wenigstens einem elektrisch leitfähigen Oberflächenbereich auf der ersten Oberfläche elektrisch leitend verbunden ist und von einer Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Oberflächenbereichen auf der ersten Oberfläche elektrisch isoliert ist.Contacting arrangement according to one of claims 1 to 10, wherein the second surface has a plurality of electrically conductive surface areas ( 25 ) and at least one electrically non-conductive surface region, wherein at least one electrically conductive surface region on the second surface is electrically conductively connected to at least one electrically conductive surface region on the first surface and is electrically isolated from a plurality of electrically conductive surface regions on the first surface. Kontaktierungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die elektrisch leitfähigen Oberflächenbereiche die Oberfläche als ein Mosaik ausfüllen.Contacting arrangement according to one of the claims 1 to 11, wherein the electrically conductive surface areas fill in the surface as a mosaic Kontaktierungsanordnung nach Anspruch 12, wobei das Mosaik eine hexagonales Muster aufweist.Contacting arrangement according to claim 12, wherein the mosaic has a hexagonal pattern. Kontaktierungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei benachbarte elektrisch leitfähige Oberflächenbereiche mit einem Abstand (E) voneinander angeordnet sind, welcher größer als Dmax, insbesondere größer als 2·Dmax und weiter insbesondere größer als 10·Dmax ist.Contacting arrangement according to one of the claims 1 to 13, wherein adjacent electrically conductive surface areas with a distance (E) from each other, which is larger as Dmax, in particular greater than 2 · Dmax and further, in particular, greater than 10 · Dmax is. System, umfassend: eine elektrisch steuerbare Vorrichtung und eine Kontaktierungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 14.System comprising: an electrically controllable Device and a contacting arrangement according to one of the claims 1 to 14. Spiegelanordnung zur Reflexion elektromagnetischer Strahlung, umfassend: ein Substrat mit einer der zu reflektierenden Strahlung zugewandten Spiegelseite, an der eine Spiegelfläche bereitgestellt ist, und einer von der Spiegelseite abgewandten Rückseite, eine an der Rückseite des Substrats angebrachte Aktuatoranordnung zur Erzeugung von Deformationen des Spiegelkörpers, wobei die Aktuatoranordnung wenigstens eine mit einem Bereich der Rückseite des Substrats flächig verbundene aktive Schicht umfaßt, und eine Kontaktierungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die zweite Komponente die zweite Komponente der Kontaktierungsanordnung umfaßt.A mirror arrangement for reflecting electromagnetic radiation, comprising: a substrate having a mirror side facing the radiation to be reflected, on which a mirror surface is provided, and a rear side facing away from the mirror side, an actuator assembly attached to the rear side of the substrate for generating deformations the mirror body, wherein the actuator assembly comprises at least one active layer areally connected to a region of the back side of the substrate, and a contacting arrangement according to any one of claims 1 to 11, wherein the second component comprises the second component of the contacting arrangement. Spiegelanordnung nach Anspruch 16, wobei die wenigstens eine aktive Schicht wenigstens ein ferroelektrisches Material oder/und ein piezoelektrisches Material oder/und ein magnetostriktives Material oder/und ein elektrostriktives Material oder/und eine Formgedächtnislegierung umfaßt.A mirror assembly according to claim 16, wherein the at least an active layer at least one ferroelectric material and / or a piezoelectric material and / or a magnetostrictive material and / or an electrostrictive material and / or a shape memory alloy includes. Spiegelanordnung zur Reflexion elektromagnetischer Strahlung, umfassend: ein Substrat mit einer der zu reflektierenden Strahlung zugewandten Spiegelseite, an der eine Spiegelfläche bereitgestellt ist, und einer von der Spiegelseite abgewandten Rückseite, eine an der Rückseite des Substrats angebrachte Aktuatoranordnung zur Erzeugung von Deformationen des Spiegelkörpers, wobei die Aktuatoranordnung wenigstens eine mit einem Bereich der Rückseite des Substrats flächig verbundene aktive Schicht umfaßt, eine Kontaktierungsanordnung zur Erregung der aktiven Schicht, wobei die Kontaktierungsanordnung eine Mehr zahl von Elektrodenfeldern aufweist, die sich jeweils parallel zu der Schicht erstrecken und, gesehen in Richtung der Schicht, mit Abstand voneinander und elektrisch isolierend voneinander angeordnet sind, wobei die Elektrodenfelder einer Gruppe von Elektrodenfeldern jeweils wenigstens einen geradlinig sich erstrecken Rand aufweisen, dessen geradlinige Verlängerung, gesehen in Projektion quer zu der Schichtrichtung, einen mathematischen Kreis schneidet, dessen Mittelpunkt mit einem Abstand von dem Spiegel angeordnet ist, der wenigstens doppelt so groß ist wie eine größte Ausdehnung der Schicht in Schichtrichtung, und dessen Radius kleiner ist als die größte Ausdehnung der Schicht in Schichtrichtung, und wobei eine Anzahl der Elektrodenfelder der Gruppe gleich oder größer ist als die Hälfte einer Anzahl sämtlicher Elektrodenfelder.Mirror arrangement for reflection of electromagnetic Radiation comprising: a substrate with one of the to be reflected Radiation facing mirror side, at the mirror surface is provided, and a rear side facing away from the mirror side, a attached to the back of the substrate actuator assembly for generating deformations of the mirror body, wherein the actuator assembly at least one with an area of the back of the substrate comprises an areal connected active layer, a Contacting arrangement for exciting the active layer, wherein the contacting arrangement a multiple number of electrode fields each extending parallel to the layer and seen towards the layer, with distance from each other and electrically are arranged insulating from each other, the electrode fields a group of electrode fields each at least one rectilinear extending edge have its rectilinear extension, seen in projection across the layer direction, a mathematical Circle intersects whose center point with a distance from the mirror is arranged, which is at least twice as large as a maximum extent of the layer in the layer direction, and whose radius is smaller than the largest extent the layer in the layer direction, and wherein a number of electrode fields the group is equal to or greater than half a number of all electrode fields. Spiegelanordnung nach Anspruch 18, wobei die Anzahl der Elektrodenfelder der Gruppe gleich oder größer ist als die drei Viertel der Anzahl sämtlicher Elektrodenfelder.A mirror assembly according to claim 18, wherein the number the electrode fields of the group equal or greater is the three-fourths of the number of all electrode fields. Spiegelanordnung nach Anspruch 18 oder 19, wobei die Elektrodenfelder der Gruppe jeweils zwei Ränder aufweisen, deren geradlinige Verlängerung jeweils, gesehen in Projektion quer zu der Schichtrichtung, den mathematischen Kreis schneiden.A mirror assembly according to claim 18 or 19, wherein the electrode fields of the group each have two edges, whose rectilinear extension respectively, seen in projection transverse to the layer direction, to cut the mathematical circle. Spiegelanordnung nach einem der Ansprüche 18 bis 20, wobei die Elektrodenfelder jeweils dreieckige oder viereckige Gestalt aufweisen.Mirror arrangement according to one of the claims 18 to 20, wherein the electrode fields each triangular or quadrangular Have shape. Spiegelanordnung nach einem der Ansprüche 18 bis 21, wobei der Radius kleiner ist als die Hälfte der größten Ausdehnung der Schicht in Schichtrichtung.Mirror arrangement according to one of the claims 18 to 21, wherein the radius is smaller than half the largest extent of the layer in the layer direction.
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