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Technisches
Gebiet
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf die Herstellung
von Halbleiteranordnungen und insbesondere auf die Herstellung von Isolationsbereichen
in Halbleiteranordnungen und zugehörigen Strukturen.
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Hintergrund
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Halbleiteranordnungen
werden in einer Vielzahl von elektronischen Anwendungen verwendet, wie
beispielsweise Computern, Mobiltelefonen, persönlichen Datenverarbeitungsgeräten und
vielen anderen Anwendungen. Heim-, Industrie- und Kraftfahrzeug-Geräte, welche
in der Vergangenheit lediglich mechanische Komponenten aufwiesen,
besitzen beispielsweise heutzutage elektronische Teile, welche Halbleiteranordnungen
benötigen.
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Halbleiteranordnungen
werden durch Abscheiden einer Vielzahl verschiedener Arten von Materialschichten über einem
Halbleitersubstrat oder Wafer und einer Strukturierung der verschiedenen Materialschichten
unter Verwendung einer Lithographie hergestellt. Die Materialschichten
weisen üblicherweise
dünne Schichten
von leitendem, halbleitendem und isolierendem Material auf, welches
zum Ausbilden von integrierten Schaltungen (IC, Integrated Circuit)
strukturiert und geätzt
werden. Hierbei kann eine Vielzahl von Transistoren, Speicheranordnungen,
Schaltern, Leitbahnen, Dioden, Kondensatoren, logischen Schaltungen
und anderen elektronischen Komponenten auf einem einzigen Baustein oder
Chip ausgebildet werden.
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Zum
Bereitstellen einer elektrischen Isolation zwischen aktiven Gebieten
oder elektronischen Komponenten, welche in einer integrierten Schaltung
ausgebildet sind, werden Isolationsbereiche verwendet. Flache Grabenisolierung
(STI, Shallow Trench Isolation) und tiefe Grabenisolierung (DT,
Deep Trench) sind Beispiele für
einige Isolationsbereiche, die in Halbleiteranordnungen weit verbreitet
sind, obwohl auch andere Arten von Isolationsbereichen ausgebildet
werden können.
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STI-Bereiche
werden oftmals in Komplemetär-Metall-Oxid-Halbleiter
(CMOS, Complementary Metal Oxide Semiconductor)-Anordnungen verwendet,
welche sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Anordnungen in komplementären Konfigurationen
verwenden. Die p- und n-Kanal-Anordnungen von CMOS-Anordnungen werden üblicherweise
als p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter (PMOS)- und n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter (NMOS)-Transistoren
bezeichnet. Der PMOS-Transistor ist in einer n-Wanne (z.B. einer
mit n-Typ-Dotierstoffen
implantierten Wanne) und der NMOS-Transistor in einer p-Wanne ausgebildet.
Ein STI-Bereich ist zwischen der n-Wanne und der p-Wanne des jeweiligen
PMOS-Transistors
und NMOS-Transistors ausgebildet. Der STI-Bereich erstreckt sich üblicherweise
innerhalb eines Halbleitersubstrats bis ca. zur Tiefe der maximalen
n-Wannen- und p-Wannen-Dotierstoffkonzentration, z.B. bis ca. 0,2
bis 1,0 μm.
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Zum
Ausbilden von Isolationsbereichen werden üblicherweise Gräben in einem
Substrat ausgebildet und die Gräben
mit Isoliermaterialien aufgefüllt. Ätzprozesse
und chemisch-mechanische Polierverfahren (CMP, Chemical Mechanical
Polishing) werden zum Entfernen von überschüssigem Isoliermaterial von
der oberen Oberfläche
des Substrats verwendet.
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Ein
oft auftretendes Problem beim Ausbilden der Isolationsbereiche ist
die Entstehung von Aussparungen oder Divots im Isoliermaterial,
welches zum Auffüllen
der Gräben
verwendet wird. Das Fehlen von Isoliermaterial in den ausgesparten
oder ausgestochenen (divoted) Bereichen kann zu einer unzureichen den
elektrischen Isolation zwischen aktiven Bereichen und zu einer unerwünschten
Topographie führen,
welche an der oberen Oberfläche
des Substrats ausgebildet wird.
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Es
besteht daher ein Bedürfnis
beim Stand der Technik verbesserte Verfahren zum Ausbilden von Isolationsbereichen
sowie zugehörige
Strukturen zu schaffen.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Diese
und andere Probleme werden im Allgemeinen durch bevorzugte Ausführungsbeispiele der
vorliegenden Erfindung, welche neuartige Verfahren zum Ausbilden
von Isolationsbereichen in Halbleiteranordnungen sowie zugehörige Strukturen liefern,
gelöst
oder umgangen, wobei technische Vorteile allgemein erzielt werden.
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Gemäß einem
bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung weist ein Verfahren zur Herstellung einer
Halbleiteranordnung die Schritte auf: Bereitstellen eines Werkstücks, wobei
das Werkstück
eine obere Oberfläche
aufweist, und Ausbilden von zumindest einem Graben im Werkstück, wobei
der zumindest eine Graben Seitenwände und eine Bodenoberfläche aufweist.
Ein dünner
Nitridliner wird über
den Seitenwänden
und der Bodenoberfläche
des zumindest einen Grabens und über
der oberen Oberfläche
des Werkstücks
unter Verwendung einer Atomlagenabscheidung (ALD, Atomic Layer Deposition)
ausgebildet. Ein Isoliermaterial wird über der oberen Oberfläche des
Werkstücks
abgeschieden, wobei der zumindest eine Graben mit Isoliermaterial
aufgefüllt
wird. Zumindest ein Abschnitt des Isoliermaterials wird von der
oberen Oberfläche
des Werkstücks
entfernt. Nach dem Entfernen des zumindest einen Abschnitts von
Isoliermaterial über
der oberen Oberfläche
des Werkstücks
liegt der dünne Nitridliner
in dem zumindest einen Graben zumindest koplanar mit der oberen
Oberfläche
des Werkstücks. Der
dünne Nitridliner
und das Isoliermaterial bilden einen Isolationsbereich der Halbleiteranordnung.
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Das
vorstehend Beschriebene umreißt
die Merkmale und technischen Vorteile der Ausführungsbeispiele der vorliegenden
Erfindungen eher breit, damit die nachfolgende detaillierte Beschreibung
der Erfindung besser verstanden werden kann. Zusätzliche Merkmale und Vorteile
der Ausführungsbeispiele der
Erfindung werden nachfolgend beschrieben, welche den Gegenstand
der Ansprüche
der Erfindung bilden. Der Fachmann wird hierbei abschätzen können, dass
der offenbarte Aufbau und die speziellen Ausführungsbeispiele leicht als
Basis zur Modifizierung oder zum Entwerfen weiterer Strukturen oder Verfahren
verwendet werden können,
um zum gleichen Zwecke der vorliegenden Erfindung zu gelangen. Ferner
wird der Fachmann erkennen, dass äquivalente Aufbauten nicht
vom Kern und Umfang der Erfindung abweichen, wie sie in den anliegenden
Ansprüchen
dargelegt sind.
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Kurzbeschreibung
der Zeichnungen
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Für ein vollständigeres
Verständnis
der vorliegenden Erfindung und ihrer zugehörigen Vorteile wird nunmehr
auf die nachfolgende Beschreibung Bezug genommen in Verbindung mit
den begleitenden Zeichnungen, in denen:
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1 bis 4 Schnittansichten
eines herkömmlichen
Verfahrens zum Ausbilden von Isolationsbereichen in einer Halbleiteranordnung
bei verschiedenen Herstellungsstufen zeigen, wobei Aussparungen über einem
Nitridliner innerhalb des Grabens der Isolationsbereiche ausgebildet
sind;
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5 bis 9 Schnittansichten
eines Verfahrens zum Ausbilden von Isolationsbereichen in einer
Halbleiteranordnung bei verschiedenen Herstellungsstufen zeigen,
wobei ALD zum Ausbilden eines ultradünnen Nitridliners innerhalb
der Isolationsgräben
verwendet wird, wodurch die Entstehung von Aussparungen über dem
dünnen
Nitridliner in nachfolgenden Herstellungsschritten verhindert wird;
und
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10 eine
Schnittansicht eines weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung
zeigt, wobei Isolationsbereiche eine positive Stufenhöhe über der
oberen Oberfläche
des Werkstücks
aufweisen.
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Entsprechende
Nummern und Symbole beziehen sich in den verschiedenen Figuren im
Allgemeinen auf entsprechende Teile soweit nicht anders angegeben.
Die Figuren sind zur klaren Darstellung der wesentlichen Aspekte
der bevorzugten Ausführungsbeispiele
gezeichnet und nicht notwendigerweise maßstabsgetreu.
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Detaillierte
Beschreibung der dargestellten Ausführungsbeispiele
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Die
Herstellung und Verwendung der derzeit bevorzugten Ausführungsbeispiele
wird nachfolgend im Detail beschrieben. Es sollte jedoch klar sein, dass
die vorliegende Erfindung viele anwendbare erfinderische Konzepte
bereitstellt, die in einer breiten Verschiedenheit von speziellen
Zusammenhängen realisiert
werden können.
Die speziellen Ausführungsbeispiele
dienen lediglich der Illustration von bestimmten Herstellungswegen
und Verwendungsarten der Erfindung und begrenzen den Umfang der
Erfindung nicht.
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Die
vorliegende Erfindung wird mit Bezug auf die bevorzugten Ausführungsbeispiele
in einem bestimmten Zusammenhang beschrieben, nämlich dem Ausbilden von flachen
Grabenisolationsbereichen (STI, Shallow Trench Isolation) in Halbleiteranordnungen.
Die Erfindung kann jedoch auch auf die Ausbildung von anderen Arten
von Isolationsstrukturen angewendet werden, wie beispielsweise einer
tiefen Grabenisolation (DT, Deep Trench).
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Nunmehr
bezugnehmend auf die 1 bis 4 ist ein
herkömmliches
Verfahren zum Ausbilden von Isolationsbereichen in ei ner Halbleiteranordnung 100 gemäß einer
Schnittansicht für
verschiedene Herstellungsstufen dargestellt. Gemäß 1 sind in
einem Substrat 102, welches ein Padoxid 104 und ein
darauf ausgebildetes Padnitrid 106 aufweist, Gräben 108 ausgebildet.
Ein Oxidliner 110 ist über
den Seitenwänden
des Substrats 102 ausgebildet, wobei ein Nitridliner 112 unter
Verwendung einer chemischen Niederdruckgasphasenabscheidung (LPCVD, Low
Pressure Chemical Vapor Deposition) wie dargestellt über dem
Oxidliner 110 und über
dem Padoxid 104 und Padnitrid 106 ausgebildet
wird. Die Gräben 108 werden
anschließend
mit einem Isoliermaterial 114, welches Siliziumdioxid umfasst,
aufgefüllt.
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Zum
Entfernen des Padnitrids 106 über dem Substrat 102 wird
gemäß 2 ein
Phosphorsäuren-Prozess 116 verwendet.
Gemäß 3 kann
ein CMP-Prozess zum Erleichtern eines Entfernens des Padnitrids
und zum Entfernen des überschüssigen Isoliermaterials 114 von
der Oberfläche
des Substrats 102 verwendet werden.
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Ein
Problem beim herkömmlichen
Ausbilden von Isolationsbereichen besteht darin, dass der Nitridliner
112 relativ
dick ist. Beispielsweise werden herkömmliche Nitridliner
112 üblicherweise
mittels LPCVD abgeschieden, wie in der US Patentschrift
US 6,277,706 beschrieben
ist, welche am 21. August 2001 für
Ishikawa erteilt wurde und hier mit Bezug eingearbeitet ist, sowie
der Patentschrift
US 5,447,884 ,
die am 05. September 1995 für
Fahey, et. al. erteilt wurde und ebenfalls mit Bezug hier eingearbeitet
ist. Beispielsweise wird bei Ishikawa das Ausbilden eines Nitridliners
mittels LPCVD und mit einer Dicke von 5 bis 10 nm (50 bis 100 Angström) beschrieben.
Fahey et. al. beschreibt das Ausbilden eines Nitridliners mittels
LPCVD mit einer Dicke von weniger als 5 nm (50 Angström), insbesondere
mit einer Dicke von 4 nm.
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Da
das Ausbilden eines Nitridliners unter Verwendung von LPCVD einen
relativ dicken Nitridliner 112 tiefer, werden ge mäß 3 Aussparungen 120 beim
Entfernen des Padnitrids 106 und beim Entfernen des überschüssigen Isoliermaterials
von der Oberfläche
des Substrats 102 ausgebildet. Darüber hinaus neigt das Ausbilden
von Nitridlinern mit Schichtdicken kleiner 3 bis 4 nm mittels LPCVD
zu einer unvollständigen
und nicht kontinuierlichen Linerausbildung, was wiederum dazu führt, dass
eine schlechte Diffusionsbarriere ausgebildet wird. Beispielsweise
beobachtete Fahey et. al., dass ein mittels LPCVD und mit einer
Dicke von 3 nm (30 Angström)
ausgebildeter Nitridliner eine Oxidation des Substrats hinter dem
Nitridliner erlaubte.
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Die
Aussparungen 120 weisen eine Tiefe auf, die eine Funktion
der Länge
des Padnitrid-Ablöseprozesses
darstellt und darüber
hinaus teilweise eine Funktion der Dicke des Nitridliners 112 ist,
und beispielsweise auch eine Funktion der Viskosität der Phosphorsäure ist,
welche zum Entfernen des überschüssigen Isoliermaterials 114 von
der oberen Oberfläche
des Substrats 102 verwendet wird. Beispielsweise können die
Aussparungen 120 eine Tiefe aufweisen, die größer oder
gleich der Dicke des Nitridliners 112 ist. Wenn der Nitridliner 112 10
nm (100 Angström)
dick ist, so können
die Aussparungen 120 eine Tiefe unterhalb einer Oberfläche des
Substrats 102 von beispielsweise ca. 10 nm (100 Angström) aufweisen.
Die Aussparungen 120 können
beispielsweise auf Grund von ähnlichen Ätzraten
für das
Padnitrid 106 und den Nitridliner 112 ausgebildet
werden.
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Das
Ausbilden der Aussparung 120 ist dahingehend problematisch,
da es eine schlechte elektrische Isolierung der aktiven Bereiche
innerhalb des Substrats 102 verursacht. Die Ausbildung
der Aussparung 120 verursacht darüber hinaus eine ungleichmäßige und
nicht-ebene Topographie in der oberen Oberfläche des Substrats 102.
Die Aussparungen 120 erhöhen die Beanspruchung des Substrats 102,
können
Kurzschlüsse
verursachen und eine Verschlechterung der Anordnung an den Kanten
in der Nähe
der Aussparungen 120 bewirken. Somit sind zusätzli che
Prozessschritte notwendig, um den Nitridliner über den Aussparungen 120 gemäß 4 aufzufüllen.
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Beispielsweise
kann ein zusätzlicher
Nitridliner 122 abgeschieden oder rück-gefüllt werden, um die Aussparungen 120 aufzufüllen, wobei
anschließend
ein weiterer Polier- und/oder Rückbilde-Prozess
verwendet wird um den Nitridliner 122 zu entfernen, wobei
in einigen Anwendungen auch das Padoxid 104 über der
oberen Oberfläche
des Substrats 102 entfernt wird. Die hierbei auftretenden
Probleme hinsichtlich der Reparatur einer Aussparung 120 beinhalten
eine schlechte Haftung des rück-gefüllten Nitridliners 122:
der rück-gefüllte Nitridliner 122 kann sich
ablösen
und abbrechen, was ähnlich
schädliche Wirkungen
aufweist wie die vorstehend beschriebenen Aussparungen 120.
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Die
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung erzielen technische Vorteile durch die
Verwendung eines ALD-Prozesses zum Ausbilden eines Nitridliners
bei der Ausbildung eines Isolationsbereiches, wodurch sich ein ultradünner Nitridliner
mit kontinuierlicher Bedeckung ergibt, welcher beispielsweise keine
Poren oder Teilbereiche aufweist, bei denen kein Nitrid ausgebildet
wird. Die Ausbildung einer dünneren,
kontinuierlichen Schicht zum Ausbilden des Nitridliners kann unter
Verwendung von ALD eher erzielt werden als mit LPCVD. Der Nitridliner verursacht
keine Ausbildung von Aussparungen auf Grund der Viskosität der Ätzchemie,
welche beispielsweise Phosphorsäure
aufweisen kann, in der Nähe
des sehr dünnen
Nitridliners während
dem Entfernungsprozess für
eine Padnitridschicht und/oder eines überschüssigen Oxidfüllmaterials,
wie nachfolgend beschrieben wird.
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Die 5 bis 9 zeigen
Schnittansichten eines Verfahrens zum Ausbilden von Isolationsbereichen
in einer Halbleiteranordnung 250 für verschiedene Herstellungsstufen,
wobei zum Ausbilden eines ultradünnen
Nitridliners ALD verwendet wird. Neuartige mittels ALD ausgebildete
dünne Nitridliner
verhin dern die Ausbildung von Aussparungen über dem dünnen Nitridliner in nachfolgenden
Herstellungsschritten.
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Zunächst wird
unter Bezugnahme auf 5 ein Werkstück 202 bereitgestellt.
Das Werkstück 202 kann
ein Halbleitersubstrat mit Silizium oder anderen Halbleitermaterialien
aufweisen, welches beispielsweise von einer Isolierschicht bedeckt
ist. Das Werkstück 202 kann
ebenfalls nicht dargestellte andere aktive Komponenten oder Schaltungen
aufweisen. Das Werkstück 202 kann
beispielsweise Siliziumoxid über
einem kristallinen Silizium aufweisen. Das Werkstück 202 kann
andere nicht dargestellte leitende Schichten oder andere Halbleiterelemente
wie z.B. Transistoren, Dioden, Kondensatoren usw. aufweisen. Verbundhalbleiter
wie beispielsweise GaAs, InP, Si/Ge oder SiC können an Stelle von Silizium verwendet
werden. Das Werkstück 202 kann
beispielsweise Si, SiGe, Ge, SiC oder ein SOI-Substrat (Silicon-On-Insulator) aufweisen.
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Ein
Padoxid 204 ist über
dem Werkstück 202 ausgebildet.
Das Padoxid 204 kann beispielsweise ca. 4 nm von Siliziumdioxid
(SiO2) aufweisen, obwohl das Padoxid 204 alternativ
andere Materialien und Abmessungen aufweisen kann. Das Padoxid 204 wird
nachfolgend auch beispielsweise als Padoxidschicht bezeichnet.
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Über dem
Padoxid 204 ist ein Padnitrid 206 ausgebildet.
Das Padnitrid 206 kann beispielsweise ca. 100 nm von Siliziumnitrid
(SixNy) aufweisen,
obwohl das Padnitrid 206 alternativ andere Materialien und
Abmessungen aufweisen kann. Das Padnitrid 206 wird nachfolgend
auch als beispielsweise Padnitridschicht bezeichnet. Das Padnitrid 206 und
das Padoxid 204 werden gemeinsam nachfolgend auch als beispielsweise
Opfermaterial 206/204 bezeichnet.
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Gräben 208 für Isolationsbereiche
werden im Padnitrid 206, im Padoxid 204 und im
Werkstück 202 gemäß 6 ausgebildet.
Die Gräben 208 können eine
Tiefe von der oberen Oberfläche des
Werkstücks 202 von
etwa 350 nm in einigen Anwendungen aufweisen, obwohl die Tiefe beispielsweise
auch ca. 0.2 bis 1,0 μm
oder größer sein
kann. Die Gräben 108 können beispielsweise
eine Breite von ca. 20 nm bis einige μm aufweisen, obwohl die Grabenbereite auch
andere Abmessungen aufweisen kann.
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Als
Nächstes
werden Seitenwände
und Bodenoberflächen
der Gräben 208 oxidiert,
wodurch gemäß 7 beispielsweise
unter Verwendung eines thermischen Oxidationsprozesses in Anwesenheit
von O2 ein Oxidliner 210 ausgebildet
wird, obwohl andere Oxidationsverfahren alternativ verwendet werden
können.
Der Oxidliner 210 kann eine Dicke von beispielsweise ca.
5 bis 10 nm aufweisen, obwohl alternativ der Oxidliner 210 auch
andere Abmessungen aufweisen kann. Der Oxidliner 210 weist in
einigen Ausführungsbeispielen
vorzugsweise eine Dicke von ca. 10 nm (100 Angström) oder
weniger auf. Vorzugsweise weist der Oxidliner 210 Siliziumdioxid
auf, obwohl alternativ andere Oxide und Isoliermaterialien ebenfalls
verwendet werden können.
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Vorzugsweise
wird der Oxidliner 210 nur an den Seitenwänden eines
Abschnitts des Grabens 208 wie dargestellt innerhalb des
Werkstücks 202 ausgebildet.
Alternativ kann gemäß 7 der
Oxidliner 210 an den Seitenwänden des Padoxids 204 und darüber hinaus
(nicht dargestellt) auf dem Padnitrid 206 innerhalb des
Grabens 208 und über
der oberen Oberfläche
des Padnitrids 206 ausgebildet sein.
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Ein
Atomlagenabscheideprozess (ALD) 254 wird vorzugsweise zum
Ausbilden eines ultradünnen Nitridliners 252 an
den Seitenwänden
und der Bodenoberfläche
der Gräben 208 beispielsweise über dem
Oxidliner 210 innerhalb der Gräben 208 und auch über den
Seitenwänden
des Padoxids 204, des Padnitrids 206 und über der
oberen Oberfläche
des Padnitrids 206 gemäß 7 ausgebildet.
Der ultradünne
Nitridliner 252 weist vorzugsweise Siliziumnitrid auf;
beispielsweise weist der Nitridliner 252 vorzugsweise Si3N4, SixNy, oder Si3N4 oder SixNy kombiniert mit einer kleinen Menge von
Wasserstoff z.B. ca. 1% oder weniger von Wasserstoff gemäß einem bevorzugten
Ausführungsbeispiel
auf, obwohl der Nitridliner 252 beispielsweise alternativ
andere Nitridmaterialien aufweisen kann.
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Der
ALD-Prozess 254 kann einen schnellen ALD-Prozess (RAD,
Rapid ALD process) beispielsweise in einem Ausführungsbeispiel aufweisen. Gemäß einem
anderen Ausführungsbeispiel
kann der ALD-Prozess 254 eine Temperatur von ca. 100 bis 500
Grad Celsius in einem Umgebungsgas von H2, N2, Ar, He unter Verwendung eines gasförmigen oder nicht
gasförmigen
Precursors aufweisen, obwohl andere Temperaturen und Umgebungsgase
ebenfalls verwendet werden können.
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Gemäß einem
Ausführungsbeispiel
weist der ALD-Prozess 254 vorzugsweise einen Zwei-Zyklen-Prozess
auf. Beispielsweise kann ein erster Zyklus verwendet werden, der
einen Si-Ausbildezyklus aufweist, und ein zweiter Zyklus verwendet
werden, der einen N-Ausbildezyklus aufweist. Der erste Zyklus kann
einen ersten Precursor mit SiH4, Dichlorsilan
(DCS), Trichlorsilan (TCS) oder andere Silizium enthaltende Substanzen
als Si-Ausbildezyklus aufweisen, wobei der zweite Zyklus einen zweiten
Precursor mit beispielsweise NH3, N2H4 oder anderen Stickstoff
enthaltenden Substanzen als N-Ausbildezyklus aufweisen kann. Alternativ
kann der ALD-Prozess 254 einen einzigen Zyklus aufweisen
oder beispielsweise drei oder mehr Zyklen besitzen.
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Der
ALD-Prozess 254 weist einen Druck von vorzugsweise ca.
133 bis 13323 Pascal (1 bis 100 Torr) und vorzugsweise einen Druck
von ca. 133 bis 2000 Pascal (1 bis 15 Torr) auf, obwohl alternativ
andere Drücke
verwendet werden können.
Der ALD-Prozess 254 kann
beispielsweise einen oder mehrere Abscheidezyklen aufweisen. Alternativ
können
ebenfalls andere Prozessparameter verwendet werden. Der ALD-Prozess 254 kann
beispielsweise einen selbstbegrenzenden Aufwachsprozess mit ei nem
Wachstum von einer Atomschicht pro Zyklus aufweisen. Ein selbst-abschließender oder selbst-auslaufender
Precursor kann in diesem Ausführungsbeispiel
z.B. verwendet werden, wobei eine Anzahl von Zyklen zum Erreichen
der gewünschten Gesamtdicke
des dünnen
Nitridliners 252 wiederholt durchgeführt wird. Wenn ein schneller
ALD-Prozess 254 verwendet wird, so kann beispielsweise
ein nicht selbstbegrenzender Precursor verwendet werden. Die Abscheidung
einer konformalen Schicht von ca. 30 oder mehr Atomschichten kann
beispielsweise durch einen einzigen Zyklus eines schnellen ALD-Prozesses 254 erreicht
werden.
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Vorteilhafterweise
ist der Nitridliner 252 extrem dünn und weist gemäß einem
bevorzugten Ausführungsbeispiel
eine Dicke von ca. 2,5 nm (25 Angström) oder weniger auf. Gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel
weist der Nitridliner 252 darüber hinaus vorzugsweise eine
Dicke von 0,3 bis 2,5 nm ( 3 bis 25 Angström) oder weniger auf. Die Verwendung
eines ALD-Prozesses 254 zum
Ausbilden des Nitridliners 252 resultiert in der Ausbildung
einer kontinuierlichen Schicht eines Nitridmaterials (welches beispielsweise
eine vollständige
Abdeckung liefert), welches beispielsweise bei derartigen Abmessungen abgeschieden
werden kann. In anderen Ausführungsbeispielen
weist der Nitridliner 252 vorzugsweise eine Dicke von z.B.
zumindest 0,8 nm (8 Angström)
auf. Wenn der Nitridliner 252 beispielsweise eine Dicke
von ca. 0,8 nm (8 Angström)
oder größer aufweist,
so stellt der Nitridliner 252 eine effektive Barrierenschicht
zum Verhindern einer Bor-Penetration (B) dar, welches einen Vorteil
darstellt, wenn das Werkstück 202 mit
B als Dotierstoffmaterial implantiert wird. Der Nitridliner 252 mit
einer Dicke von ca. 0,8 nm (8 Angström) oder größer wirkt darüber hinaus
als eine exzellente Diffusionsbarriere gegenüber anderen Dotierstoffarten.
In diesem Ausführungsbeispiel
verhindert der Nitridliner 252 vorzugsweise eine Diffusion
von Dotierstoffmaterialien wie z.B. B aus dem Werkstück 202 in
das nachfolgend abgeschiedene Isoliermaterial 214, welches
nachfolgend beschrieben wird.
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Da
zum Ausbilden des Nitridliners 252 ein ALD- oder RAD-Prozess 254 verwendet
wird, ist der Nitridliner 252 sehr dünn, wobei er dennoch eine gleichmäßige, kontinuierliche
Abdeckung des Nitridliners 252 über den Seitenwänden von
beispielsweise zumindest dem Oxidliner 210 aufweist. In
einigen Ausführungsbeispielen
weist der dünne
Nitridliner 252 vorzugsweise einen nicht abgestuften Materialinhalt
auf, wobei z.B. der dünne
Nitridliner 252 vorzugsweise die gleiche Menge von Si und
N über
die gesamte Dicke des Liners 252 aufweist, beispielsweise von
einem Punkt innerhalb des dünnen
Nitridliners 252, der am nächsten zu den Seitenwänden und
zur Bodenoberfläche
des Grabens 208 liegt und sich nach innen in Richtung des
Isoliermaterials 219 bewegt, welches den Graben füllt (siehe 8).
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Der
Nitridliner 252 weist vorzugsweise in einem Ausführungsbeispiel
das gleiche Material auf wie das Padnitrid 206. In einigen
Ausführungsbeispielen
weist der Nitridliner 252 vorzugsweise Siliziumnitrid auf,
obwohl andere Nitridmaterialien oder Isoliermaterialien oder Diffusionsbarrieren
ebenfalls für
beispielsweise den Nitridliner 252 verwendet werden können. In
einem Ausführungsbeispiel
kann der Nitridliner 252 eine einzige Atomschicht, z.B.
eine Monoschicht, von Siliziumnitridmolekülen aufweisen. Alternativ kann
in einem anderen Ausführungsbeispiel
der Nitridliner 252 einige Monoschichten (z.B. zwei bis
zehn oder mehr Monoschichten von Siliziumnitridmolekülen) aufweisen.
Gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel
weist der Nitridliner 252 vorzugsweise eine Dicke auf,
die ca. ein Zehntel oder weniger der Dicke des Oxidliners 210 an
den Seitenwänden
und der Bodenoberfläche
der Gräben 208 ist.
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In
einem optionalen Prozess kann nach dem Ausbilden des dünnen Nitridliners 252 mittels
ALD der Nitridliner 252 zum Verbessern der Schicht-Zusammensetzung
und -Eigenschaften, wie beispielsweise Verbesserung der Barriereneigenschaften und Spannungseigenschaften,
behandelt werden. Beispielsweise kann das Werkstück 202 einer Behandlung
ausgesetzt werden, wie z.B. einem UV-Prozess (UV, Ultra Violet),
einem Plasmaprozess und/oder einem Wärmeprozess, um den Nitridliner 252 zu
behandeln. Der UV-Prozess kann beispielsweise eine Belichtung des
Werkstücks 202 mit
Licht einer ultravioletten Wellenlänge aufweisen. Der UV-Prozess wird
vorzugsweise bei einer Temperatur von ca. 250 bis 800 Grad Celsius
gemäß einem
Ausführungsbeispiel
durchgeführt,
wobei er vorzugsweise bei einer Temperatur von z.B. ca. 400 bis
550 Grad Celsius durchgeführt
wird, obwohl andere Temperaturen ebenso verwendet werden können. Der
UV-Prozess kann einen Druck von ca. 133 bis 6666 Pascal (1 bis 50
Torr) in einer Umgebung von beispielsweise Ar, N2 oder
He aufweisen, obwohl alternativ andere Drücke und Umgebungsgase ebenfalls
verwendet werden können.
Der UV-Prozess kann beispielsweise eine einzige Wellenlänge oder
eine breitbandige Lichtquelle aufweisen. Gemäß einem Ausführungsbeispiel
weist der UV-Prozess beispielsweise einen breitbandigen Bereich
auf, der zum Maximieren des UV-Behandlungseffekts
optimiert ist.
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Gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel kann
die optionale Behandlung einen Plasmaprozess aufweisen. Der Plasmaprozess
kann das Aussetzen des Werkstücks 202 in
einem Plasma bei einer Temperatur von ca. 400 bis 550 Grad Celsius
umfassen. Der Plasmaprozess kann einen Druck von ca. 133 bis 13332
Pascal (1 bis 100 Torr) aufweisen, und gemäß einem Ausführungsbeispiel
vorzugsweise einen Druck von ca. 533 bis 1066 Pascal (4 bis 8 Torr)
aufweisen. Der Plasmaprozess kann in einer Stickstoffumgebung durchgeführt werden,
obwohl alternativ He, Ar oder andere Umgebungsgase verwendet werden
können.
Der Plasmaprozess kann beispielsweise bei hochfrequenter Radiofrequenz
(HFRF, High Frequency Radio Frequency)-Leistung von ca. 20 bis 100
Watt durchgeführt
werden. Diese Prozessparameter sind beispielhaft aufgeführt; alternativ
können ebenfalls
andere Prozessparameter für
den Plasmaprozess verwendet werden.
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Gemäß einem
anderen Ausführungsbeispiel kann
die optionale Behandlung einen Wärmeprozess aufweisen.
Der Wärmeprozess
kann das Erwärmen des
Werkstücks 202 in
einem Stickstoffumgebung-Ausheilprozess bei einer Temperatur von
beispielsweise ca. 400 bis 1000 Grad Celsius für ca. 30 Minuten bis 3 Stunden
umfassen, obwohl alternativ andere Temperaturen, Zeitdauern und
Umgebungsgase verwendet werden können.
Gemäß einem
bevorzugten Ausführungsbeispiel
wird der Wärmeprozess
vorzugsweise in einer zu Sauerstoff verschiedenen Umgebung durchgeführt. Ein
Vorteil der Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung liegt darin begründet, das beispielsweise ein
Sauerstoffausheilprozess nach dem Ausbilden des Nitridliners 252 nicht
benötigt
wird.
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Alternativ
können
eine oder mehrere dieser Behandlungsprozesse und/oder beispielsweise
andere Behandlungsprozesse verwendet werden. Der optionale Behandlungsprozess
kann beispielsweise einen oder mehrere UV-Prozesse, Plasma-Prozesse und/oder
Wärme-Prozesse
aufweisen.
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Vorteilhafterweise
kann die optionale Behandlung zum Modulieren der Beanspruchung des Nitridliners 252 verwendet
werden. Der Nitridliner 252 kann auf Grund von unvollständiger Dissoziation der
SiN-Bindungen während
des Abscheideprozesses Siliziumnitrid mit Silizium und Nitrid aufweisen, welches
eine geringe Menge von Wasserstoff besitzt. Beispielsweise kann
der Nitridliner 252 unter Verwendung eine Zwei-Zyklen-Prozesses mit Silan
und Ammoniak ausgebildet werden, welche beide Wasserstoff enthalten.
Der Wasserstoff kann in geringer Menge im dünnen Nitridliner 252 vorhanden
sein. Die Behandlung, z.B. mit einem UV-Prozess, Plasma-Prozess
und/oder Wärme-Prozess,
verändert den
Wasserstoffgehalt des Nitridliners 252, und die Behandlungsparameter
können
derart gewählt
werden, dass sie die Zug- oder Druck-Beanspruchung des Nitridliners 252 verändern, z.B.
erhöhen
oder verringern. Die optionale Behandlung verändert die Bindung der Atome
des Liners 252 und kann beispielsweise die Leistungsfähigkeit
der Anordnung verbessern.
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Als
ein Beispiel kann in einem Ausführungsbeispiel
ein UV-Behandlungsprozess
zum Entfernen von zumindest einem Teilbereich des Wasserstoffs in dem
Nitridliner 252 verwendet werden, wodurch im Material des
Nitridliners 252 Hohlräume
erzeugt werden. Die Hohlräume
verursachen ein Schrumpfen des Liners 252, und das Entfernen
des Wasserstoffs wandelt die Hohlräume in Siliziumnitridbindungen um,
wodurch sich eine erhöhte
Zug-Beanspruchung des Liners 252 um beispielsweise 10 bis
300% oder mehr ergibt. Nach dem ALD-Prozess 254 kann der Nitridliner 252 Si3N4 oder SixNy kombiniert mit
ca. 1% oder weniger von Wasserstoff aufweisen, und nach dem optionalen
Behandlungsprozess kann der Nitridliner 252 Si3N4 oder SixNy kombiniert mit weniger als ca. 1% Wasserstoff
aufweisen, wobei z.B. der Nitridliner 252 eine verringerte
Menge von Wasserstoff enthält
im Vergleich zum Wasserstoffgehalt des Nitridliners 252 nach
dem ALD-Prozess 254.
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Als
Nächstes
wird ein Isoliermaterial 214 über den Gräben 208, z.B. über dem
Nitridliner 252 abgeschieden oder ausgebildet, um, wie
in 8 dargestellt, die Gräben 208 bis zu einer
Höhe von
zumindest oberhalb der oberen Oberfläche des Werkstücks 202 aufzufüllen. Wie
dargestellt, kann in einigen Ausführungsbeispielen das Isoliermaterial 214 auch
bis zu einer Höhe
oberhalb der Bodenoberfläche
beispielsweise des Padnitrids 206 ausgebildet werden. Das
Isoliermaterial 214 weist vorzugsweise ein Oxidmaterial
wie beispielsweise Siliziumdioxid auf, obwohl alternativ andere
Isoliermaterialien für das
Isoliermaterial 214 verwendet werden können.
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Als
nächstes
werden ein oder mehrere Entfernungs-Prozesse zum Entfernen des Padnitrids 206 von
der oberen Oberfläche
des Werkstücks 202 und
zum Entfernen von zumindest einem Teilbereich des überschüssigen Isoliermaterials 214 von
oberhalb zumindest einem Teilbereich der oberen Oberfläche des
Werk stücks 202 durchgeführt, wodurch sich
die Struktur gemäß 9 ergibt.
Beispielsweise kann ein erster Ätzprozess
mit Phosphorsäure
zum Entfernen des Padnitrids 206 verwendet werden. Optional
kann ein zweiter Ätzprozess
mit Flusssäure
anschließend
verwendet werden, um zumindest einen Teilbereich des überschüssigen Isoliermaterials 214 über zumindest
einem Teilbereich der oberen Oberfläche des Werkstücks 202 zu
entfernen. Alternativ kann das überschüssige Isoliermaterial 214 während beispielsweise
des ersten Ätzprozesses
mit Phosphorsäure
entfernt werden. Darüber
hinaus können beispielsweise
unterschiedliche Chemikalien zum Entfernen des Oxidmaterials und
des Nitridmaterials verwendet werden. Ein CMP-Prozess (CMP, Chemical
Mechanical Polishing) kann ebenfalls beispielsweise zum Entfernen
des überschüssigen Isoliermaterials 214 und/oder
des Padnitrids 206 verwendet werden.
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In
den Ätzprozessen
zum Entfernen des Padnitrids 206 und des überschüssigen Isoliermaterials 214 oder
in einem getrennten Ätzprozess
kann das Padoxid 204 ebenfalls entfernt werden, obwohl gemäß der strichlierten
Darstellung in 9 alternativ das Padoxid 204 auch
auf der Struktur verbleiben kann. Wenn das Padoxid 204 auf
der Struktur verbleibt, so sind das Isoliermaterial 214,
der Oxidliner 210 und der Nitridliner 252 vorzugsweise
zumindest koplanar zur oberen Oberfläche des Werkstücks 202; wie
in der strichlierten Darstellung gezeigt, kann Isoliermaterial 214,
der Oxidliner 210 und der Nitridliner 252 leicht über die
obere Oberfläche
des Werkstücks 202 um
etwa die Dicke des Padoxids 204 hinausragen.
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Gemäß einem
anderen Ausführungsbeispiel wird
das Padoxid 204 unter Verwendung eines Ätzprozesses entfernt, der vorzugsweise
selektiv zu Siliziumnitrid ist. In diesem Ausführungsbeispiel werden das Padoxid 204 und
ein oberer Teilbereich des Isoliermaterials 214 und des
Oxidliners 210 mit einer Dicke von etwa gleich der Dicke
des Padoxids 204 ebenfalls von oberhalb der oberen Oberfläche des Werkstücks 202 entfernt.
Der dünne
Nitridliner 252 muss während
dieses Ätzprozesses zum
Entfernen des beispielsweise Padoxids 204 nicht entfernt
werden. Demzufolge kann der dünne
Nitridliner 252 zumindest koplanar zur oberen Oberfläche des
Werkstücks 202 in
diesem Ausführungsbeispiel
liegen; beispielsweise kann sich der dünne Nitridliner 252 leicht über die
obere Oberfläche
des Werkstücks 202 um
einen Betrag erstrecken, der in etwa gleich der Dicke des Padoxids 204 ist.
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In
einem nochmals weiteren Ausführungsbeispiel
wird das Padoxid 204 mittels eines CMP-Prozesses entfernt,
der ebenfalls einen oberen Teilbereich des dünnen Nitridliners 252 entfernt.
In diesem Ausführungsbeispiel
besitzt der dünne
Nitridliner 252 beispielsweise eine obere Oberfläche, welche
koplanar mit der oberen Oberfläche
des Werkstücks 202 ist.
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Als
Nächstes
wird Bezug nehmend auf 10 in einigen Ausführungsbeispielen
der Überschuss-Entfernungsprozess
zum Entfernen des Padnitrids 206 und zumindest eines Teilbereichs
der Isolierschicht 214 über
dem Graben 208 derart entworfen, dass sich oberhalb des
Werkstücks 202 eine
positive Stufenhöhe
d1 ergibt, wobei die obere Oberfläche h1 des Isoliermaterials 214 um einen
Betrag d1 größer ist als die obere Oberfläche h2 des Werkstücks 202. Der Betrag
der positiven Stufenhöhe
d1 weist vorzugsweise ca. 30 nm und insbesondere
beispielsweise ca. 0 bis 40 nm oberhalb der oberen Oberfläche h2 des Werkstücks 202 oberhalb des
Grabenbereichs auf, obwohl alternativ die positive Stufenhöhe d1 andere Abmessungen aufweisen kann.
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Die
Abmessung d1 kann auf Grund von Variationen
im Ätzprozess,
welcher beispielsweise Trocken- oder Nass-Ätzprozesse aufweisen kann,
welche zum Entfernen des überschüssigen Isoliermaterials 206, 214 und
der Liner 204, 252 von der oberen Oberfläche des
beispielsweise Werkstücks 202 verwendet
werden können,
entlang einer Oberfläche
eines Werkstücks 202 um
ca. 0 bis 40 nm oder mehr variieren. In anderen Ausführungsbeispielen
kann die Abmessung d1 in etwa die gleiche
Abmessung aufweisen wie für
die Isolationsstrukturen 260 (gezeigt in 9)
und die Isolationsstrukturen 270 (gezeigt in 10)
entlang der Oberfläche
eines Werkstücks 202 und
kann beispielsweise 0 bis 40 nm aufweisen. Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung wird jedoch vorzugsweise eine negative
Stufenhöhe
nicht erzeugt, beispielsweise ist die obere Oberfläche h1 des Isoliermaterials 214 nicht
unterhalb der oberen Oberfläche h2 des Werkstücks 202, was in einigen
Anwendungsfällen
zu einer unzureichenden Isolierung der Isolationsstrukturen 260 und 270 führen würde. Das
Ziel einer positiven Stufenhöhe
d1 dient in einigen Ausführungsbeispielen vorzugsweise
der Sicherstellung, dass beispielsweise eine negative Stufenhöhe nicht hergestellt
wird.
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Die
Seitenwände
des Teilbereichs des Isoliermaterials 214, der sich oberhalb
der oberen Oberfläche
des Werkstücks 202 erstreckt,
können
in Richtung des Isoliermaterials 214 nach innen verjüngt sein,
wie in 10 dargestellt, was sich beispielsweise
auf Grund der vorangehenden Rückbildungs-
und Ätzschritte
ergibt.
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Gemäß bevorzugten
Ausführungsbeispielen der
vorliegenden Erfindung liegt im endgültigen Aufbau der Isolationsstrukturen 260 und 270 der
dünne Nitridliner 252 im
Graben 208 zumindest koplanar mit der oberen Oberfläche des
Werkstücks 202;
beispielsweise liegt der dünne
Nitridliner 252 koplanar mit der oberen Oberfläche des
Werkstücks 202 oder der
dünne Nitridliner 252 erstreckt
sich leicht über
die obere Oberfläche
des Werkstücks 202 um
ca. 0 bis 40 nm. Ferner liegt vorzugsweise im endgültigen Aufbau
der Isolationsstrukturen 260 und 270 auch das Isoliermaterial 214 im
Graben 208 zumindest koplanar zu der oberen Oberfläche des
Werkstücks 202; beispielsweise
liegt das Isoliermaterial 214 koplanar zur oberen Oberfläche des
Werkstücks 202 oder
das Isoliermaterial 214 erstreckt sich leicht über die
obere Oberfläche
des Werkstücks 202 um
ca. 0 bis 40 nm. Vorteilhafterweise werden in bevorzugten Ausführungsbeispielen
der dünne
Nitridliner 252 und das Iso tiermaterial 214 vorzugsweise
nicht unter die obere Oberfläche
des Werkstücks 202 zurückgebildet, nachdem
der hier beschriebene neuartige Herstellungsprozess durchgeführt wurde.
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Die
Isolationsstrukturen 260 und 270 weisen Isolationsstrukturen
auf, die das Isoliermaterial 214, den dünnen Nitridliner 252 und
den Oxidliner 210 aufweisen. Die Isolationsstrukturen 260 und 270 können beispielsweise
STI-Bereiche, DT-Isolationsbereiche oder
andere Arten von Isolationsstrukturen aufweisen. Vor oder nach dem
Ausbilden der hier beschriebenen neuartigen Isolationsstrukturen 260 und 270 können beispielsweise
zwei oder mehrere (nicht dargestellte) aktive Gebiete im Werkstück 202 ausgebildet
werden, wobei ein Graben 208 zwischen den zwei oder mehreren
aktiven Gebieten ausgebildet wird. Die Isolationsstrukturen 260 und 270 liefern eine
elektrische Isolation zwischen den aktiven Gebieten. Die optionalen
hier beschriebenen Behandlungsprozesse verbessern beispielsweise
die Leistungsfähigkeit
der aktiven Gebiete. Beispielsweise können die aktiven Gebiete Transistoren
aufweisen, wobei der Behandlungsprozess zu einer verbesserten Geräte-Leistungsfähigkeit
der Transistoren führen
kann, wie beispielsweise einem verringerten Leistungsverbrauch und/oder
einer erhöhten
Geschwindigkeit bei einem Wechsel zwischen den Zuständen der
Transistoren, wenn die Transistoren beispielsweise von einem „Aus"-Zustand in einen „Ein"-Zustand übergeführt werden.
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Die
Vorteile der Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung liegen im Bereitstellen neuartiger Verfahren
zum Ausbilden von Isolationsbereichen 260 und 270 sowie
zugehöriger
Strukturen, wobei beispielsweise im Bereich 256 gemäß 9 und 10 keine
Aussparungen über
dem ultradünnen Nitridliner 252 während der
verschiedenen Entfernungs-Prozesse für das Isoliermaterial 214, 206, 204 uns 252 ausgebildet
werden. Die Isolationsgebiete 260 und 270 weisen
eine glatte Topographie oder eine positive Stufenhöhe oder
Kombinationen hiervon entlang der Oberfläche eines Halbleiter-Werkstücks 202 gemäß Ausführungsbeispielen
der vorliegenden Erfindung auf. Beispielsweise können einige Isolationsbereiche 260 eine
obere Oberfläche
des Isoliermaterials 214 aufweisen, welche gemäß 9 koplanar
zur oberen Oberfläche
des Werkstücks 202 liegt,
und andere Isolationsbereiche 270 können, wie in 10 dargestellt
ist, eine positive Stufenhöhe aufweisen,
wobei beispielsweise die obere Oberfläche der Isolationsbereichs 270 sich über die
obere Oberfläche
des Werkstücks
um einen Betrag d1 erstreckt.
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Gemäß den bevorzugten
Ausführungsbeispielen
der vorliegenden Erfindung werden keine Nitridliner-Auffüllprozesse
(wie beim Stand der Technik gemäß 4)
benötigt,
wodurch die Anzahl der für die
Herstellung der Halbleiteranordnung 250 notwendigen Herstellungs-Prozessschritte
vorteilhafterweise verringert sind und somit die Kosten reduziert sind.
Da ein Nitridliner-Rückfüllprozess
nicht benötigt wird,
können
die mit den Nitridliner-Rückfüllprozessen
einhergehenden Probleme vermieden werden, wie beispielsweise der
Möglichkeit
einer schlechten Haftung des rückgefüllten Liners
und nachfolgendem Aus- beuteverlust sowie einer verringerten Möglichkeit
einer Kontamination der Isolationsbereiche 260 und 270.
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Die
hier beschriebenen optionalen Behandlungsprozesse können die
Beanspruchung des Nitridliners 252 ändern, wodurch sich eine Geräte-Leistungsfähigkeit
verbessert. Der dünne
Nitridliner 252 liefert in einigen Ausführungsbeispielen eine hervorragende
Diffusionsbarriere, wodurch Substanzen wie implantierte Dotierstoffarten
(welche beispielsweise in das Werkstück 202 implantiert
sind) daran gehindert werden in das Isoliermaterial 214 der
Isolationsbereiche 260 und 270 zu diffundieren,
wodurch beispielsweise die elektrischen Isolationseigenschaften der
neuartigen Isolationsbereiche 260 und 270 bewahrt
oder verbessert werden.
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Experimentelle
Ergebnisse zeigen, dass der hier beschriebene ultradünne Nitridliner 252 dazu führt, dass
keine Aussparun gen in der Nähe
des Nitridliners 252 ausgebildet werden. Da der extrem
dünne Nitridliner 252 ultradünn ist,
konnte erwartet werden, dass die Aussparungen mit einer geringeren Tiefe
ausgebildet werden als Aussparungen, welche mit dickeren Nitridlinern
ausgebildet werden. Vorteilhafterweise wurden jedoch unerwartete
Ergebnisse durch die experimentellen Ergebnisse der Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung dahingehend erzielt, dass überhaupt
keine Aussparungen ausgebildet werden. Es wird vermutet, dass auf Grund
der Extremen Dünnheit
des dünnen
Nitridliners 252 möglicherweise
kombiniert mit der Viskosität
der Ätzchemie
in der Nähe
des extrem dünnen
Nitridliners 252 während
des nachfolgenden Entfernungs-Prozesses, welcher beispielsweise
zum Entfernen der Padnitridschicht 204 und/oder des überschüssigen Oxidfüllmaterials 214 verwendet
wird, keine Aussparungen in der Nähe des dünnen Nitridliners 252 ausgebildet
werden.
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Obwohl
vorstehend Ausführungsbeispiele der
vorliegenden Erfindung und ihre Vorteile im Detail beschrieben wurden,
können
selbstverständlich
verschiedene Änderungen,
Ergänzungen
und Umbauten durchgeführt
werden, ohne hierbei vom Kern und Umfang der durch die angefügten Ansprüche definierten
Erfindung abzuweichen. Beispielsweise wird vom Fachmann sicherlich
verstanden, dass eine Vielzahl von Merkmalen, Funktionen, Prozessen
und Materialien, die hier beschrieben wurden, variiert werden können, während man
weiterhin innerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung bleibt.
Darüber
hinaus soll der Umfang der vorliegenden Anmeldung nicht durch die
bestimmten Ausführungsbeispiele
des in der Beschreibung beschriebenen Prozesses, der Maschine des
Herstellungsverfahrens der Zusammensetzung, der Anordnung, der Verfahren
und Schritte begrenzt sein. Wie ein Fachmann aus der Offenbarung
der vorliegenden Erfindung leicht verstehen wird, können gemäß der vorliegenden
Erfindung Prozesse, Maschinen, Herstellungsverfahren, Zusammensetzungen,
Anordnungen, Verfahren oder Schritte, welche derzeit existieren
oder später
entwickelt werden und im Wesentlichen die gleiche Funktion oder
im Wesentlichen das gleiche Ergebnis wie die entsprechenden Ausführungsbeispiele
liefern, verwendet werden. Demzufolge sollen durch die angefügten Ansprüche derartige
Prozesse, Maschinen, Herstellungsverfahren, Zusammensetzungen, Anordnungen,
Verfahren oder Schritte innerhalb ihres Schutzumfangs liegen.