DE102006031339A1 - Solid electrolyte memory structure, useful in conductive bridging random access memory, dynamic random access memory and programmable metallization cell, comprises a solid electrolyte layer, a metal layer, and a corrosion resistance layer - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine Speicherstruktur und insbesondere Festkörperelektrolyt-Speicherstrukturen und Verfahren zum Herstellen derselben.The The invention relates to a memory structure and in particular solid electrolyte memory structures and methods of making the same.
Der Strukturierungsprozess von Conductive Bridging Vielfachzugriffsspeicher-Elementen (Conductive Bridging Random Access Memory, CBRAM), welche auch als Phasen-Metallisierungszellen-Elemente (Phase Metallization Cell, PMC) bezeichnet werden, ist ein Schlüssel-Prozessschritt im Rahmen des Herstellens einer funktionsfähigen CBRAM-Einrichtung.Of the Structuring Process of Conductive Bridging Multiple Access Memory Elements (Conductive bridging random access memory, CBRAM), which also as Phase metallization cells elements (Phase Metallization Cell, PMC) is a key process step as part of the process of establishing a functioning CBRAM facility.
In dem Integrationsschema wird üblicherweise eine metallische Hartmaske bereitgestellt, welche in direktem Kontakt steht mit dem Conductive Bridging-Stapel, welcher eine Chalcogenid-Schicht enthält, wobei die Chalcogenid-Schicht beispielsweise Germanium-Selenid (GeSe) oder Germanium Sulfid (GeS) enthält, und auf der Chalcogenid-Schicht eine Silberschicht, ohne dass eine Schicht zwischen der Metall-Hartmaske und dem Conductive Bridging-Stapel vorgesehen ist.In the integration scheme becomes common a metallic hardmask provided which is in direct contact stands with the Conductive Bridging stack, which contains a chalcogenide layer, wherein the chalcogenide layer, for example germanium selenide (GeSe) or germanium sulphide (GeS), and on the chalcogenide layer a silver layer, without one Layer between the metal hardmask and the conductive bridging stack is provided.
Üblicherweise wird die Metall-Hartmasken-Schicht strukturiert unter Verwendung von Halogenplasma-Chlor oder Halogenplasma-Fluor. Ein Problem bei dem Strukturieren unter Verwenden von Halogenplasma kann darin gesehen werden, dass in diesem Prozess Silber (Ag) ziemlich große Anlagerungen ausbildet, wenn das Silber dem Halogenplasma ausgesetzt wird. Das Bilden der Anlagerungen macht den Ätzschritt im Rahmen der Herstellung des Conductive Bridging-Stapels sehr schwierig.Usually For example, the metal hard mask layer is patterned using of halogen plasma chlorine or halogen plasma fluorine. A problem with structuring Using halogen plasma can be seen in that in this process silver (Ag) forms quite large deposits, when the silver is exposed to the halogen plasma. The making of the Agglomeration makes the etching step in the context of making the Conductive Bridging stack very difficult.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, einen Conductive Bridging-Stapel in verlässlicherer Weise herzustellen.Of the Invention is based on the object, a Conductive Bridging stack in a more reliable way manufacture.
Das Problem wird durch eine Speicherstruktur sowie durch ein Verfahren zum Herstellen einer Speicherstruktur mit den Merkmalen gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst.The Problem is caused by a memory structure as well as by a method for producing a memory structure having the features according to the independent patent claims.
Eine Festkörperelektrolyt-Speicherstruktur weist auf eine Festkörperelektrolyt-Schicht, eine Metall-Schicht auf der Festkörperelektrolyt-Schicht und eine Ätzstopp-Schicht auf der Metall-Schicht.A Solid electrolyte memory structure has on a solid electrolyte layer, a metal layer on the solid electrolyte layer and an etch stop layer on the metal layer.
Beispielhafte Ausgestaltungen der Erfindungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.exemplary Embodiments of the invention will become apparent from the dependent claims.
In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist die Festkörperelektrolyt-Speicherstruktur ferner eine Hartmasken-Schicht, beispielsweise eine Metall-Hartmasken-Schicht auf, die auf der Ätzstopp-Schicht angeordnet ist. Die Metall-Hartmasken-Schicht kann hergestellt sein aus Titan (Ti), Titan-Nitrid (TiN), Tantal (Ta) oder Tantal-Nitrid (TaN) oder einer Kombination aus diesen Materialien.In an embodiment The invention features the solid electrolyte storage structure a hardmask layer, For example, a metal hardmask layer disposed on the etch stop layer is arranged. The metal hard mask layer can be made of titanium (Ti), titanium nitride (TiN), tantalum (Ta) or tantalum nitride (TaN) or a combination of these Materials.
In einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung ist die Festkörperelektrolyt-Schicht aus Chalcogenid-Material hergestellt, wobei das Chalcogenid-Material Metallionen enthalten kann. Die Metallionen können ausgewählt sein aus einer Gruppe bestehend aus Silber (Ag), Kupfer (Cu), Zink (Zn) oder einer Kombination oder einer Legierung dieser Materialien.In another embodiment The invention is the solid electrolyte layer made of chalcogenide material, the chalcogenide material May contain metal ions. The metal ions may be selected from a group of silver (Ag), copper (Cu), zinc (Zn) or a combination or an alloy of these materials.
Ferner kann das Chalcogenid-Material gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ausgewählt sein aus einer Gruppe von Materialien bestehend aus Schwefel (S), Selen (Se), Germanium (Ge), Tellur (Te), Wolfram (W) oder einer Kombination oder einer Legierung dieser Materialien.Further may be the chalcogenide material according to one embodiment selected the invention be made of a group of materials consisting of sulfur (S), Selenium (Se), germanium (Ge), tellurium (Te), tungsten (W) or one Combination or an alloy of these materials.
Das Chalcogenid-Material kann beispielsweise gebildet werden von Germanium-Selenid (GeSe), Germanium-Sulfid (GeS), Wolfram-Oxid (WOx).The chalcogenide material may be formed, for example, germanium selenide (GeSe), germanium sulfide (GeS), tungsten oxide (WO x ).
Ferner kann die Metall-Schicht aus einem Silber-enthaltenden Material gebildet werden.Further For example, the metal layer may be formed of a silver-containing material become.
Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung kann die Ätzstopp-Schicht hergestellt sein oder bestehen aus einem Material, das einen hohen Ätz-Widerstand gegenüber der Hartmasken-Ätz-Chemie hat. In anderen Worten kann die Ätzstopp-Schicht hergestellt sein oder bestehen aus einem Material, das einen Ätz-Widerstand aufweist, der größer ist als ein vorgegebener Schwellenwert, gegenüber dem Ätzmittel, welches verwendet wird zum Ätzen der Hartmaske.According to one another embodiment of the Invention may be the etch stop layer be made or consist of a material that has a high etching resistance across from hard mask etching chemistry Has. In other words, the etch stop layer be made or consist of a material that has an etching resistance which is larger as a predetermined threshold, over the etchant used becomes an etching the hard mask.
Ferner kann die Ätzstopp-Schicht derart ausgewählt werden, dass sie ferner als Diffusionsbarriere für die Metall-Schicht wirkt, in anderen Worten, für das Material, welches für die Metall-Schicht verwendet wird.Further may be the etch stop layer selected in this way be that it also acts as a diffusion barrier for the metal layer, in other words, for that Material, which for the metal layer is used.
Beispielsweise kann die Ätzstopp-Schicht hergestellt werden aus einem Material, welches ausgewählt wird aus einer Gruppe von Materialien bestehend aus Ruthenium (Ru), Kobalt (Co), Nickel (Ni), Nickel-Eisen (NiFe), Nickel-Eisen-Chrom (NiFeCr), Platin (Pt), Platin-Mangan (PtMn), Iridium (Ir), Iridium-Mangan (IrMn) oder einer Kombination oder einer Legierung dieser Materialien. Jedes andere geeignete Material kann für die Ätzstopp-Schicht verwendet werden, wenn es einen ausreichend hohen Ätzwiderstand gegenüber der verwendeten Hartmasken-Ätz-Chemie aufweist.For example For example, the etch stop layer may be prepared are made of a material that is selected from a group of Materials consisting of ruthenium (Ru), cobalt (Co), nickel (Ni), nickel-iron (NiFe), nickel-iron-chromium (NiFeCr), platinum (Pt), platinum-manganese (PtMn), iridium (Ir), iridium-manganese (IrMn) or a combination or an alloy of these materials. Any other suitable Material can for the etch stop layer used if it has a sufficiently high etching resistance across from the hardmask etch chemistry used having.
Es ist anzumerken, dass diese Materialien besonders geeignet sind als Ätzstopp-Schicht in dem Fall, dass eine Metall-Schicht aus einem Silber-enthaltenden Chalcogenid verwendet wird. Es ist jedoch zu bemerken, dass jedes andere geeignete Material verwendet werden kann für die Ätzstopp-Schicht zwischen dem Conductive Bridging-Stapel, welcher das Chalcogenid-Material, in anderen Worten, das ionenleitende Material, und die Silber-Schicht enthält, einerseits und dem Hartmasken-Material, anderseits.It should be noted that these materials are particularly suitable as an etch stop layer in the case where a metal layer of a silver-containing chalcogenide is used. However, it is Note that any other suitable material may be used for the etch stop layer between the conductive bridging stack containing the chalcogenide material, in other words, the ion conducting material, and the silver layer, on the one hand, and the hardmask material , on the other hand.
Einige vorteilhafte Eigenschaften für dieses Material, welche zumindest teilweise erfüllt werden sollten, sind:
- – das Ätzstopp-Schicht-Material sollte leitfähig sein;
- – das Ätzstopp-Schicht-Material sollte eine hohe Ätz-Selektivität bezüglich des Hartmasken-Materials während des Hartmasken-Öffnungs-Ätz-Prozesses aufweisen, so dass es ermöglicht wird, eine sehr dünne Schicht als Ätzstopp-Schicht zu verwenden in der Größenordnung von einigen wenigen Nanometern, beispielsweise in einem Bereich einer Dicke von 2 nm bis 20 nm, beispielsweise in einem Bereich einer Dicke von 2 nm bis 10 nm, beispielsweise in einem Bereich einer Dicke von 2 nm bis 5 nm;
- – das Ätzstopp-Schicht-Material sollte eine gute Haftung zu den Materialien des Conductive Bridging-Stapels aufweisen, insbesondere mit dem Silber-Material, das für die oberste Schicht dieses Conductive Bridging-Stapels verwendet wird, und zu dem Hartmasken-Material, beispielsweise Titan-Nitrid (TiN) oder Tantal-Nitrid (TaN);
- – das Ätzstopp-Schicht-Material sollte ferner geeignet sein, um als Diffusionsbarriere für das Material auf der obersten Schicht des Conductive Bridging-Stapels zu dienen, beispielsweise Silber, sowie für Halogen-Spezies;
- – das Ätzstopp-Schicht-Material sollte eine vergleichbare oder höhere Ätzrate während des Ätzens des Conductive Bridging-Stapels aufweisen während des Prozesses, der dem Strukturieren der Hartmaske folgt;
- – das Ätzstopp-Schicht-Material sollte einen allenfalls vernachlässigbaren negativen Effekt oder sogar vorteilhafte Effekte auf die Eigenschaften der Conductive Bridging-Verbindung haben.
- The etch stop layer material should be conductive;
- The etch stop layer material should have a high etch selectivity with respect to the hard mask material during the hard mask opening etch process so that it is possible to use a very thin layer as an etch stop layer on the order of a few a few nanometers, for example in a range of thickness of 2 nm to 20 nm, for example in a range of thickness of 2 nm to 10 nm, for example in a range of thickness of 2 nm to 5 nm;
- The etch stop layer material should have good adhesion to the materials of the conductive bridging stack, in particular to the silver material used for the top layer of this conductive bridging stack and to the hard mask material, for example titanium Nitride (TiN) or tantalum nitride (TaN);
- The etch stop layer material should also be able to serve as a diffusion barrier for the material on the uppermost layer of the conductive bridging stack, for example silver, as well as for halogen species;
- The etch stop layer material should have a comparable or higher etch rate during the etching of the conductive bridging stack during the process following the patterning of the hard mask;
- The etch stop layer material should have negligible negative effect or even beneficial effects on the properties of the conductive bridging compound.
Die oben-genannten Materialien Ru, NiFe, NiFeCr, Pt, PtMn, Ir, IrMn, oder dergleichen erfüllen die oben genannten Anforderungen für TiN oder TaN als Hartmasken-Material und für Ag als oberste Schicht des Conductive Bridging-Stapels.The above-mentioned materials Ru, NiFe, NiFeCr, Pt, PtMn, Ir, IrMn, or the like fulfill the above requirements for TiN or TaN as a hard mask material and Ag as the top layer of the Conductive bridging stacks.
Wie im Folgenden noch näher erläutert wird, ermöglichen die Ätzstopp-Schicht, die auf der obersten Schicht des Conductive Bridging-Stapels vorgesehen ist, und die Hartmasken-Schicht, die auf der Ätzstopp-Schicht angeordnet ist, einen verlässlichen Ätz-Stopp, wenn das Hartmasken-Schicht-Material auf der Ätzstopp-Schicht strukturiert wird, indem das Bilden von Silber-Halogenid verhindert werden kann.As in the following even closer explained will allow the etch stop layer, which is provided on the uppermost layer of the Conductive Bridging stack and the hardmask layer disposed on the etch stop layer is, a reliable etch stop, when the hardmask layer material is patterned on the etch stop layer by preventing the formation of silver halide.
In anderen Worten wird gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung eine Ätzstopp-Schicht zusätzlich vorgesehen auf dem Conductive Bridging-Stapel, wodurch das Ätz-Fenster vergrößert wird und wodurch ein physikalischer Kontakt zwischen dem Ätzmittel, allgemein der Chemie, welche verwendet wird zum öffnen der Hartmaske, und dem Conductive Bridging-Stapel-Material, beispielsweise mit Ag.In In other words, according to one embodiment The invention additionally provides an etch stop layer on the Conductive Bridging stack, increasing the etch window and whereby a physical contact between the etchant, generally the chemistry used to open the hardmask and the Conductive Bridging stack material, for example with Ag.
In einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist eine Speicherstruktur bereitgestellt, die ionenleitendes Material enthält, eine Metall-Schicht auf dem ionenleitenden Material und eine Ätzstopp-Schicht auf der Metall-Schicht, sowie eine Hartmasken-Schicht auf der Ätzstopp-Schicht.In another embodiment The invention provides a memory structure which is ion conducting Contains material, a metal layer on the ion conductive material and an etch stop layer on the metal layer, as well as a hardmask layer on the etch stop layer.
Die Hartmasken-Schicht kann eine Metall-Hartmasken-Schicht sein und sie kann hergestellt sein aus Titan (Ti), Titan-Nitrid (TiN), Tantal (Ta), oder Tantal-Nitrid (TaN).The Hard mask layer may be a metal hard mask layer and it can be made of titanium (Ti), titanium nitride (TiN), tantalum (Ta), or tantalum nitride (TaN).
Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist das ionenleitende Material hergestellt aus einem Chalcogenid-Material, wobei das ionenleitende Material hergestellt sein kann oder bestehen kann aus GeS, GeSe, WOX.According to another embodiment of the invention, the ion-conductive material is made of a chalcogenide material, wherein the ionically conductive material can be made of or may consist of GeS, GeSe, WO X.
Ferner kann die Metall-Schicht aus einem Silber-enthaltenden Material gebildet sein.Further For example, the metal layer may be formed of a silver-containing material be.
In einer anderen Ausführungsform der Erfindung kann die Ätzstopp-Schicht hergestellt sein aus einem Material, welches ausgewählt ist aus einer Gruppe von Materialien bestehend aus Ru, NiFe, NiFeCr, Pt, PtMn, Ir, IrMn, oder einer Kombination oder einer Legierung dieser Materialien.In another embodiment The invention may provide the etch stop layer be made of a material which is selected from a group of materials consisting of Ru, NiFe, NiFeCr, Pt, PtMn, Ir, IrMn, or a combination or alloy of these materials.
Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung wird eine Festkörperelektrolyt-Speicherstruktur bereitgestellt, die eine Festkörperelektrolyt-Schicht aufweist, hergestellt aus einem Chalcogenid-Material, eine Silber-Schicht auf der Festkörperelektrolyt-Schicht, eine Ätzstopp-Schicht auf der Metall-Schicht, wobei die Ätzstopp-Schicht aus einem Material hergestellt ist, welches ausgewählt ist aus einer Gruppe von Materialien bestehend aus Ru, NiFe, NiFeCr, Pt, PtMn, Ir, IrMn, und eine Metall-Hartmasken-Schicht auf der Ätzstopp-Schicht.According to one another embodiment of the The invention will be a solid electrolyte storage structure provided a solid electrolyte layer made of a chalcogenide material, a silver layer on the solid electrolyte layer, an etch stop layer on the metal layer, wherein the etch stop layer is made of a material is made, which is selected is a group of materials consisting of Ru, NiFe, NiFeCr, Pt, PtMn, Ir, IrMn, and a metal hardmask layer on the etch stop layer.
Ferner kann die Metall-Hartmasken-Schicht hergestellt sein aus Titan (Ti), Titan-Nitrid (TiN), Tantal (Ta), oder Tantal-Nitrid (TaN).Further the metal hard mask layer may be made of titanium (Ti), Titanium nitride (TiN), tantalum (Ta), or tantalum nitride (TaN).
Gemäß einer anderen Ausgestaltung der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer Festkörperelektrolyt-Speicherstruktur bereitgestellt, aufweisend:
- – Bilden einer Festkörperelektrolyt-Schicht;
- – Bilden einer Metall-Schicht auf der Festkörperelektrolyt-Schicht;
- – Bilden einer Ätzstopp-Schicht auf der Metall-Schicht;
- – Bilden einer Hartmasken-Schicht auf der Ätzstopp-Schicht;
- – Ätzen der Hartmasken-Schicht;
- – Stoppen des Ätzens unter Verwendung der Ätzstopp-Schicht als Ätz-Stopp.
- Forming a solid electrolyte layer;
- - Forming a metal layer on the solids lektrolyt layer;
- Forming an etch stop layer on the metal layer;
- Forming a hardmask layer on the etch stop layer;
- - etching the hardmask layer;
- Stop etching using the etch stop layer as an etch stop.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens weist das Bilden der Hartmasken-Schicht ein Bilden einer Metall-Hartmasken-Schicht auf.In An embodiment of the method comprises forming the hardmask layer forming a metal hardmask layer.
Ferner kann bei dem Verfahren das Bilden der Metall-Hartmasken-Schicht das Bilden der Metall-Hartmasken-Schicht aufweisen unter Verwendung eines Materials, welches ausgewählt wird aus einer Gruppe von Materialien bestehend aus Titan (Ti), Titan-Nitrid (TiN), Tantal (Ta), oder Tantal-Nitrid (TaN).Further In the method, forming the metal hard mask layer may include forming the metal hard mask layer using a material which is selected from a group of materials consisting of titanium (Ti), titanium nitride (TiN), tantalum (Ta), or tantalum nitride (TaN).
In einer anderen Ausgestaltung der Erfindung weist das Bilden der Festkörperelektrolyt-Schicht auf das Bilden von Chalcogenid-Material, beispielsweise unter Verwendung eines Materials, welches ausgewählt wird aus einer Gruppe von Materialien bestehend aus Schwefel (S), Selen (Se), Germanium (Ge), Tellur (Te), Wolfram (W) oder einer Kombination oder einer Legierung dieser Materialien.In Another embodiment of the invention comprises forming the solid electrolyte layer on the formation of chalcogenide material, for example using a material that is selected is made up of a group of materials consisting of sulfur (S), Selenium (Se), germanium (Ge), tellurium (Te), tungsten (W) or a combination or an alloy of these materials.
Ferner kann das Bilden der Metall-Schicht auf der Festkörperelektrolyt-Schicht aufweisen das Bilden der Metall-Schicht unter Verwendung eines Silber-enthaltenden Materials.Further may include forming the metal layer on the solid electrolyte layer forming the metal layer using a silver-containing material.
Ferner kann das Bilden der Ätzstopp-Schicht auf der Metall-Schicht aufweisen das Bilden der Ätzstopp-Schicht unter Verwendung eines Materials, welches ausgewählt wird aus einer Gruppe von Materialien bestehend aus Ru, Co, Ni, NiFe, NiFeCr, Pt, PtMn, Ir, IrMn, oder einer Kombination oder einer Legierung dieser Materialien.Further For example, forming the etch stop layer may occur the metal layer comprise forming the etch stop layer using a material selected from a group of Materials consisting of Ru, Co, Ni, NiFe, NiFeCr, Pt, PtMn, Ir, IrMn, or a combination or alloy of these materials.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.embodiments The invention are illustrated in the figures and will be explained in more detail below.
Es zeigenIt demonstrate
Im Rahmen dieser Beschreibung werden für gleiche oder ähnliche Elemente, soweit sinnvoll, identische Bezugszeichen verwendet.in the The scope of this description will be the same or similar Elements, where appropriate, identical reference numerals used.
Auf
einem Substrat
Gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der Erfindung ist eine Ätzstopp-Schicht
Ferner
ist eine Metall-Hartmasken-Schicht
Wie
mit Bezug auf die
Es ist anzumerken, dass aus Gründen der Einfachheit nur die Speicherzellen-Einheiten beschrieben und in den Figuren gezeigt sind. Die so genannten Front-End-of-Line (FEOL)-Module, welche Transistoren, Wortleitungen und Bitleitungen aufweisen, sind in den Figuren nicht dargestellt.It It should be noted that for reasons the simplicity described only the memory cell units and are shown in the figures. The so-called front-end-of-line (FEOL) modules, which transistors, Word lines and bit lines are not in the figures shown.
In
einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung sind die beschriebenen CBRAM-Speicherzellen verbunden
mit den Source-/Drain-Bereichen
der jeweiligen Transistoren mittels Vias, welche elektrisch mit der
unteren Elektrode
Wie
in einer ersten Struktur
In
einem nachfolgenden Schritt wird, wie in einer zweiten Struktur
Wie
in einer dritten Struktur
Ferner
wird das überschüssige Material
des Metalls oder des Polysiliziums entfernt mittels eines chemisch
mechanischen Polier-Prozesses (chemical mechanical polishing, CMP)
derart, dass das CMP gestoppt wird auf der oberen Oberfläche des
strukturierten Substrats
Nachdem
die unteren Elektroden
Anschließend wird
eine Silber-Schicht
Dann
wird eine Ätzstopp-Schicht
Wie
in
Dann
wird die Metall-Hartmasken-Schicht
Die
Hartmasken-Schicht
Wie
in
Wie
in der elften Struktur
In
dem Fall, dass die Gräben
Zum vervollständigen des CBRAM-Arrays werden herkömmliche Prozessschritte vorgesehen und durchgeführt zum Bilden der Wortleitungselemente und Bitleitungselemente und ihrer jeweiligen Kontaktierungsabschnitte und, wenn gewünscht, die jeweiligen Passivierungsschritte (in den Figuren ebenfalls nicht gezeigt).To the to complete of the CBRAM array become conventional Process steps provided and performed to form the word line elements and bit line elements and their respective contacting portions and, if desired, the respective Passivierungsschritte (also not in the figures shown).
In
einer alternativen Ausführungsform
der Erfindung ist eine gemeinsame obere Elektrode vorgesehen, welche
auf dem Zellenblock angeordnet ist, anstelle strukturierter individueller
Zellen, wie sie im Rahmen des Ausführungsbeispiels gemäß den
- 100100
- Conductive Bridging-SpeicherzelleConductive Bridging memory cell
- 102102
- Substratsubstratum
- 104104
- untere Elektrodelower electrode
- 106106
- ionenleitendes Materialion-conducting material
- 108108
- Silber-SchichtSilver layer
- 110110
- Ätzstopp-SchichtEtch-stop layer
- 112112
- Metall-HartmaskeMetal hardmask
- 200200
- erste Strukturfirst structure
- 202202
- Schicht aus dielektrischem Materiallayer made of dielectric material
- 204204
- zweite Struktursecond structure
- 206206
- strukturiertes Substratstructured substratum
- 208208
- dritte Strukturthird structure
- 210210
- Metallmetal
- 212212
- vierte Strukturfourth structure
- 214214
- untere Elektrodelower electrode
- 216216
- fünfte Strukturfifth structure
- 218218
- Chalcogenid-SchichtChalcogenide layer
- 220220
- sechste Struktursixth structure
- 222222
- Silber-SchichtSilver layer
- 224224
- siebte Strukturseventh structure
- 226226
- Ätzstopp-SchichtEtch-stop layer
- 228228
- achte Struktureighth structure
- 230230
- Metall-Hartmasken-SchichtMetal hard mask layer
- 232232
- neunte Strukturninth structure
- 234234
- strukturierte Hartmasken-Schichtstructured Hard mask layer
- 236236
- zehnte Strukturtenth structure
- 240240
- elfte Struktureleventh structure
- 242242
- strukturierte Zellenstructured cell
- 244244
- isolierende Schichtinsulating layer
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DE102006031339A DE102006031339A1 (en) | 2006-07-06 | 2006-07-06 | Solid electrolyte memory structure, useful in conductive bridging random access memory, dynamic random access memory and programmable metallization cell, comprises a solid electrolyte layer, a metal layer, and a corrosion resistance layer |
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8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |