DE102006024147B3 - Elektronisches Modul mit Halbleiterbauteilgehäuse und einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Modul (1) mit Halbleiterbauteilgehäuse (2) und mindestens einem Halbleiterchip (7) und ein Verfahren zur Herstellung desselben. In dem Halbleiterbauteilgehäuse (2) ist der Halbleiterchip (7) auf einem Schaltungsträger (8) angeordnet. Der Halbleiterchip (7) ist über Verbindungselemente (9) mit einer Oberseite (11) des Schaltungsträgers (8) verbunden. Dabei sind der Halbleiterchip (7), die Verbindungselemente (9) und teilweise der Schaltungsträger (8) in eine Kunststoffgehäusemasse (12) eingebettet. Auf der Oberseite (17) des Halbleiterbauteilgehäuses (2) ist eine in Flachleiterbahnen (18) und Kontaktanschlussflächen (19) strukturierte Metallplatte (20) vorgesehen.
Description
- Die Erfindung betrifft ein elektronisches Modul mit Halbleiterbauteilgehäuse sowie ein Verfahren zur Herstellung desselben. In dem Halbleiterbauteilgehäuse ist mindestens ein Halbleiterchip auf einem Schaltungsträger angeordnet. Der Halbleiterchip ist über Verbindungselemente mit der Oberseite des Schaltungsträgers verbunden. Dabei sind der Halbleiterchip, die Verbindungselemente und teilweise der Schaltungsträger in eine Kunststoffgehäusemasse eingebettet.
- Die flächige Erstreckung derartiger Halbleiterbauteilgehäuse nimmt aufgrund der Komplexität integrierter Schaltungen der Halbleiterchips, die in ihrer flächigen Erstreckung ebenfalls wachsen, ständig zu. Elektronische Module bestehen jedoch nicht nur aus Halbleiterbauteilgehäusen mit entsprechend darin angeordneten Halbleiterchips, sondern weisen zusätzliche diskrete Bauelemente in Form von aktiven und passiven Bauelementen auf. Diese sind entweder auf einer übergeordneten Schaltungsplatine mit dem Halbleiterbauteil angeordnet oder zusammen mit einem Halbleiterchip in einem gemeinsamen Halbleiterbauteilgehäuse integriert, indem sie mit in der Kunststoffgehäusemasse eingebettet sind.
- Ein solches Bauteil, bei dem das diskrete Bauelement zusammen mit dem Halbleiterchip in eine Kunststoffgehäusemasse eingebettet ist, ist beispielsweise aus der
DE 10 2004 036 909 A1 bekannt. Dieses Bauteil ist als Basisbauteil für einen Halbleiterbauteilstapel ausgelegt. Das Stapeln von Halbleiterbau teilen betreffen auch dieDE 10 2004 010 614 A1 und dieUS 6,407,448 B2 . - Werden die diskreten Bauelemente eines elektronischen Moduls zusätzlich auf der übergeordneten Schaltungsplatine angeordnet, so wächst mit zunehmender flächiger Erstreckung der Halbleiterbauteilgehäuse nachteilig der Platzbedarf auf der übergeordneten Schaltungsplatine. Werden hingegen die passiven Bauelemente in eine gemeinsame Kunststoffgehäusemasse des Halbleiterbauteilgehäuses eingebettet, so nimmt der Raumbedarf des elektronischen Moduls zu und ein Zugriff auf die eingebetteten diskreten Bauelemente ist praktisch nach dem Einbetten in die Kunststoffgehäusemasse nicht mehr möglich. Auch individuelle Kundenwünsche der Bestückung eines elektronischen Moduls mit unterschiedlichen diskreten Bauelementen können dann für den Kunden nicht bereitgestellt werden.
- Bei einer Integration der diskreten Bauelemente auf einem gemeinsamen Schaltungsträger innerhalb eines Kunststoffgehäuses ergibt sich ferner der Nachteil einer erschwerten Prozessführung. Werden die diskreten Komponenten vor dem Verbinden des Halbleiterchips mit dem Schaltungsträger aufgebracht, so besteht eine Verschmutzungsgefahr beispielsweise mit Flussmitteln für die Kontaktflächen bzw. Kontaktanschlussflächen. Werden die diskreten Bauelemente nach dem Fixieren der Verbindungselemente aufgebracht, so besteht die Gefahr der Beschädigung der Verbindungselemente während der Handhabung des Aufbringens und Auflötens der diskreten Bauelemente. Schließlich besteht ein weiterer Nachteil darin, dass defekt montierte und/oder nicht funktionierende diskrete Bauelemente nicht mehr aus der Kunststoffgehäusemasse entfernt oder innerhalb der Kunststoffgehäusemasse ersetzt werden können.
- Aufgabe der Erfindung ist es, ein elektronisches Modul zu schaffen, bei dem die zunehmende Erstreckung von Halbleiterbauteilgehäusen besser genutzt wird und nicht zu einem erhöhten Platzbedarf auf einer übergeordneten Schaltungsplatine des elektronischen Moduls führt und dennoch ein Zugriff auf diskrete Bauelemente des elektronischen Moduls auch nach Fertigstellung des Halbleiterbauteilgehäuses gewährleistet ist. Ferner ist es Aufgabe der Erfindung, ein elektronisches Modul bereitzustellen, bei dem kundenseitig Änderungen und Ergänzungen der diskreten Bauelemente vorgenommen werden können, ohne dass kostspielige neue geänderte und entsprechend angepasste Elektronische Module beim Hersteller zu entwickeln sind.
- Gelöst wird diese Aufgabe mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
- Erfindungsgemäß wird ein elektronisches Modul mit Halbleiterbauteilgehäuse und mindestens einem Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung desselben geschaffen. Der Halbleiterchip ist über Verbindungselemente mit einer Oberseite eines Schaltungsträgers verbunden. Dabei sind der Halbleiterchip, die Verbindungselemente und teilweise der Schaltungsträger in eine Kunststoffgehäusemasse eingebettet. Auf der Oberseite des Halbleiterbauteilgehäuses ist eine in Flachleiterbahnen und Kontaktanschlussflächen strukturierte Metallplatte vorgesehen. Dabei sind die Unterseiten der Flachleiterbahnen und die der Kontaktanschlussflächen in der Kunststoffgehäusemasse eingebettet. Mindestens ein diskretes Bauelement ist auf der strukturierten Metallplatte gestapelt.
- Die Oberseiten der Kontaktanschlussflächen der strukturierten Metallplatte sind hingegen in vorteilhafter Weise frei zugänglich. Somit hat dieses elektronische Modul den Vorteil, dass die ständig wachsende flächige Erstreckung der Halbleiterbauteilgehäuse benutzt wird, um eine strukturierte Metallplatte auf der Oberseite des Halbleiterbauteilgehäuses anzuordnen. Diese wird genutzt, um diskrete Bauelemente des elektronischen Moduls darauf in der Weise zu fixieren, dass sie kundenspezifisch und/oder kundenseitig auf der strukturierten Metallplatte angeordnet werden können und keinen zusätzlichen Platzbedarf auf einem Chipträger beanspruchen. Somit können design- und kostengünstige Schaltungsträger eingesetzt werden.
- Unter flächiger Erstreckung wird in diesem Zusammenhang eine zweidimensionale Erstreckung verstanden, in der die Halbleiterchips trotz zunehmender Schaltungsdichte ständig wachsen. Die Erfindung nutzt diese Tatsache und setzt das Halbleiterbauteilgehäuse bzw. die Oberseite des Halbleiterbauteilgehäuses als zusätzliche Bestückungsfläche für anzubringende diskrete Bauelemente platzsparend ein.
- Weiterhin ist bei dem erfindungsgemäßen elektronischen Modul eine gute thermische Anbindung des Halbleiterchips an den Schaltungsträger möglich. Ferner ist der Aufbau kundenspezifischer passiver und aktiver Bauelemente als diskrete Bauelemente auf den dafür zur Verfügung stehenden Kontaktanschlussflächen der strukturierten Metallplatte in vorteilhafter Weise möglich. Schließlich kann ein einfaches Auswechseln beschädigter diskreter Bauelemente des elektronischen Moduls gewährleistet werden.
- In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die strukturierte Metallplatte an ihren Randseiten abgewinkelte Flachleiter auf, die mit Kontaktanschlussflächen auf der Oberseite des Halbleiterbauteilgehäuses elektrisch in Verbindung stehen und derart von der Oberseite aus in Richtung auf den Schaltungsträger abgewinkelt sind, dass sich ihre freien Enden in Randbereichen der Oberseite des Schaltungsträgers abstützen. Dazu ist es vorgesehen, dass die Randbereiche der Oberseite des Schaltungsträgers in Anzahl und Anordnung Kontaktanschlussflächen aufweisen, die in Anzahl und Anordnung den abgewinkelten Flachleitern der strukturierten Metallplatte entsprechen.
- Diese Konstruktion der strukturierten Metallplatte hat den Vorteil, dass sie ähnlich einem Flachleiterrahmen herkömmlicher Bauart vorbereitet werden kann und mit dem Schaltungsträger über die abgewinkelten Flachleiter nach Aufbringen des Halbleiterchips und nach Verbinden des Halbleiterchips mit dem Schaltungsträger aufgebracht werden kann. Die unstrukturierte Metallplatte schwebt dann über dem Halbleiterchip mit seinen Verbindungselementen und stützt sich auf den abgewinkelten Flachleitern ab. Die abgewinkelten Flachleiter bilden in vorteilhafter Weise gleichzeitig Abstandshalter zwischen der Metallplatte und dem Schaltungsträger, wobei ein Abstand eingehalten wird, der größer ist als die Höhe des Halbleiterchips mit Verbindungselementen über der Oberseite des Schaltungsträgers.
- Vorzugsweise sind die freien Enden der Flachleiter, die sich von der Halbleiterbauteilgehäuse-Oberseite zu der Oberseite des Schaltungsträgers erstrecken, mit den Kontaktanschlussflächen im Randbereich des Schaltungsträgers stoffschlüssig verbunden. Eine derartige stoffschlüssige Verbindung kann durch Auflöten der Flachleiterenden und/oder durch Aufkleben der Flachleiterenden mittels eines Leitklebstoffs erreicht werden.
- Der Zwischenraum zwischen der strukturierten Metallplatte und der Oberseite des Schaltungsträgers ist unter Einbetten des Halbleiterchips und der Verbindungselemente mit einer Kunststoffgehäusemasse aufgefüllt. Dabei können in einer Ausführungsform der Erfindung die Flachleiter, die sich von der Halbleiterbauteilgehäuse-Oberseite zu der Oberseite des Schaltungsträgers erstrecken, auf den Randseiten des Halbleiterbauteilgehäuses angeordnet sein. In diesem Fall liegen die Flachleiter sowie die strukturierte Metallplatte auf der Kontur des Halbleiterbauteilgehäuses auf. Die Außenabmessungen des Halbleiterbauteilgehäuses werden demnach von der strukturierten Metallplatte, dem Verlauf der Außenflachleiter auf den Randseiten des Halbleiterbauteilgehäuses und dem Schaltungsträger bestimmt.
- In einer weiteren Ausführungsform des elektronischen Moduls sind die Flachleiter, die sich von der Halbleiterbauteilgehäuse-Oberseite zu der Oberseite des Schaltungsträgers erstrecken, in die Kunststoffgehäusemasse eingebettet. Dieses hat den Vorteil, dass durch die eingebetteten Flachleiter die Verankerung der strukturierten Metallplatte auf der Oberseite des Flachleitergehäuses verbessert wird und außerdem eine Isolation der Flachleiter geschaffen wird.
- Vorzugsweise weist der Halbleiterchip Flipchipkontakte als Verbindungselemente zu einer Verdrahtungsstruktur auf der Oberseite des Schaltungsträgers auf. Dazu sind entsprechend der Anzahl und Anordnung der Flipchipkontakte auf der Verdrahtungsstruktur des Schaltungsträgers Kontaktanschlussflächen vorgesehen. Die Flipchipkontakte sind mit diesen Kontaktanschlussflächen der Verdrahtungsstruktur auf der Oberseite des Schaltungsträgers elektrisch verbunden. Diese Verbindung ist gleichzeitig auch eine mechanische Fixierung. Dazu sind die Flipchipkontakte auf den Kontaktanschlussflächen entweder gelötet oder mit einem Leitkleber aufgebracht.
- In einer alternativen Ausführungsform der Erfindung sind die Verbindungselemente Bonddrähte, wobei über die Bonddrähte Kontaktflächen des Halbleiterchips mit Kontaktanschlussflächen der Verdrahtungsstruktur des Schaltungsträgers stoffschlüssig verbunden sind. Bei dieser Ausführungsform der Er findung ist der Halbleiterchip mit seiner Rückseite auf einer Chipkontaktfläche der Verdrahtungsstruktur auf der Oberseite des Schaltungsträgers stoffschlüssig verbunden und die Bonddrähte erstrecken sich von Kontaktflächen in Randbereichen der Oberseite des Halbleiterchips zu entsprechenden Kontaktanschlussflächen im Randbereich der Oberseite des Schaltungsträgers. Die Bonddrahtlösung vergrößert gegenüber der Flipchipkontaktlösung die flächige Erstreckung des Halbleiterbauteilgehäuses, da zusätzliche Kontaktanschlussflächen um den Halbleiterchip herum auf dem Schaltungsträger vorzusehen sind.
- Vorzugsweise ist auf der strukturierten Metallplatte mindestens ein diskretes Bauelement gestapelt, wobei die Elektroden des gestapelten Bauelements mit den Kontaktanschlussflächen der strukturierten Metallplatte auf dem Halbleiterbauteilgehäuse stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden sein können. Als diskrete Bauelemente können auf der strukturierten Metallplatte Dioden, Transistoren, Triacs, Tyristoren und/oder Varistoren gestapelt sein. Als passive Bauelemente sind vorzugsweise Widerstände, Kondensatoren oder induktive Bauelemente auf der strukturierten Metallplatte angeordnet.
- Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Moduls mit Halbleiterbauteilgehäuse weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf. Zunächst wird ein Schaltungsträger hergestellt, wobei die Unterseite des Schaltungsträgers gleichzeitig auch die Unterseite des elektronischen Moduls bildet. Außerdem werden Halbleiterchips hergestellt und anschließend wird der Schaltungsträger mit mindestens einem Halbleiterchip bestückt. Dabei und/oder danach werden Verbindungen zu einem Teil der Kontaktanschlussflächen über Verbindungselemente zwischen dem Halbleiterchip und dem Schaltungsträgers ge schaffen. Ferner wird eine Metallplatte mit an den Randseiten abgewinkelten Flachleitern hergestellt. Danach erfolgt ein freistehendes Überdecken des Halbleiterchips mit Verbindungselementen mittels der Metallplatte unter stoffschlüssigem Verbinden der freien Enden der abgewinkelten Flachleiter mit Kontaktanschlussflächen in Randbereichen des Schaltungsträgers.
- Nachdem somit die Metallplatte über dem Halbleiterchip mit Verbindungselementen fixiert ist, wird der Zwischenraum zwischen der Metallplatte und der Oberseite des Schaltungsträgers unter Einbringen einer Kunststoffgehäusemasse und unter Einbetten des Halbleiterchips mit den Verbindungselementen in eine Kunststoffgehäusemasse aufgefüllt und ein Halbleiterbauteilgehäuse unter Freilassen einer Oberseite der Metallplatte fertiggestellt. Dabei wird die Unterseite der Metallplatte von der Kunststoffgehäusemasse benetzt. Verunreinigungen der Oberseite der Metallplatte durch die Kunststoffgehäusemasse können auch noch nachträglich entfernt werden. Anschließend wird die Metallplatte auf der Oberseite des Halbleiterbauteilgehäuses in Flachleiterbahnen und Kontaktanschlussflächen strukturiert.
- Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass zunächst parallel sowohl der Schaltungsträger als auch die Halbleiterchips und die Metallplatte mit abgewinkelten Flachleitern auf ihren Randseiten fertiggestellt werden können, bevor diese drei Hauptkomponenten ohne Einbringen einer Kunststoffgehäusemasse miteinander fixiert werden. Das Einbringen der Kunststoffgehäusemasse zwischen der noch nicht strukturierten Metallplatte und der Oberseite des Schaltungsträgers kann durch Dispensen und/oder durch Molden und/oder durch Aufbringen einer Folie aus Kunststoffgehäusemasse erfolgen.
- Beim Herstellen des Schaltungsträgers kann eine Verdrahtungsstruktur sowohl auf der Oberseite des Schaltungsträgers als auch eine weitere Verdrahtungsstruktur auf der Unterseite des Schaltungsträgers angeordnet werden. Dazu wird die Verdrahtungsstruktur auf der Oberseite mit Kontaktanschlussflächen für Verbindungselemente zu dem Halbleiterchip und mit Kontaktanschlussflächen in Randbereichen der Oberseite des Schaltungsträgers für das Anbringen von Flachleitern zum Stützen der Metallplatte ausgestattet. Die Kontaktanschlussflächen der strukturierten Metallplatte sind dann über Flachleiterbahnen mit den Durchkontakten durch den Schaltungsträger elektrisch verbunden, wobei auf der Unterseite Außenkontaktflächen für das elektronische Modul vorgesehen werden, die über Leiterbahnen der Verdrahtungsstruktur der Unterseite mit den Durchkontakten elektrisch in Verbindung stehen.
- Dieses Herstellungsverfahren des Schaltungsträgers hat den Vorteil, dass eine Verbindung von den Kontaktflächen auf der strukturierten Metallplatte auf der Oberseite des Halbleiterbauteilgehäuses mit Außenkontaktflächen auf der Unterseite des elektronischen Moduls fertigungstechnisch kostengünstig hergestellt werden kann.
- Zur Herstellung eines Halbleiterchips wird zunächst eine Vielzahl von Halbleiterchippositionen eines Halbleiterwafers mit der Struktur des Halbleiterchips versehen und anschließend der Halbleiterwafer in einzelne Halbleiterchips aufgetrennt. Mit diesem Verfahren entsteht parallel eine Vielzahl von Halbleiterchips, die anschließend für ein erfindungsgemäßes elektronisches Modul eingesetzt werden können.
- Bei einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens wird beim Bestücken des Schaltungsträgers mit dem Halbleiterchip ein Halbleiterchip mit Flipchipkontakten als Verbindungselemente auf Kontaktanschlussflächen der Verdrahtungsstruktur gelötet. Dieses Löten kann ein Diffusionslöten sein oder ein Auflöten mit Hilfe eines Weichlotes bedeuten. Ferner ist es auch möglich, eine elektrische Verbindung zu den Kontaktflächen der Verdrahtungsstruktur auf dem Schaltungsträger zu schaffen, indem ein Leitklebstoff eingesetzt wird.
- In einem alternativen Verfahren wird beim Bestücken des Schaltungsträgers mit dem Halbleiterchip der Halbleiterchip mit seiner Rückseite auf einer Chipfläche der Verdrahtungsstruktur fixiert und anschließend werden Kontaktflächen der Oberseite des Halbleiterchips mit Kontaktanschlussflächen der Oberseite des Schaltungsträgers über Bonddrähte als Verbindungselemente elektrisch verbunden. Je nachdem, ob ein Halbleiterchip mit Flipchipkontakten und/oder ein Halbleiterchip für Bonddrähte vorgesehen wird, sind entsprechend die Kontaktanschlussflächen auf dem Schaltungsträger entweder unterhalb des Halbleiterchips und/oder rund um den Halbleiterchip auf der Oberseite des Schaltungsträgers vorzubereiten.
- Zum Herstellen einer Metallplatte mit an den Randseiten abgewinkelten Flachleitern wird vorzugsweise ein Stanzbiegeverfahren eingesetzt. Bei einem derartigen Stanzbiegeverfahren werden aus einer großflächigen Metallplatte die für das elektronische Modul erforderlichen Metallplatten mit Flachleitern herausgestanzt und gleichzeitig werden die Flachleiter an den Randseiten der Metallplatte abgewinkelt.
- Bei einem alternativen Verfahren werden zum Herstellen einer Metallplatte mit an den Randseiten abgewinkelten Flachleitern zunächst ein Ätzverfahren und anschließend ein Abwinklungsvorgang der Flachleiter eingesetzt. Zum freistehenden Überdecken des Halbleiterchips mit Verbindungselementen mittels der Metallplatte ist die Metallplatte an den freien Enden der abgewinkelten Flachleiter äußerst präzise in Relation zu den vorbereiteten Kontaktanschlussflächen der Verdrahtungsstruktur auf der Oberseite des Schaltungsträgers zu justieren, so dass anschließend eine stoffschlüssige Verbindung zwischen freien Enden der Flachleiter und den Kontaktanschlussflächen der Verdrahtungsstruktur hergestellt werden kann. Auch in diesem Fall können entweder Lottechniken oder Klebetechniken mit einem Leitklebstoff diese stoffschlüssige Verbindung herstellen.
- In einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens ist es vorgesehen, dass beim Einbringen der Kunststoffgehäusemasse zwischen Metallplatte und Schaltungsträger die abgewinkelten Flachleiter der Metallplatte in die Kunststoffgehäusemasse mit eingebettet werden. Der Vorteil einer derartigen Einbettung der stützenden Flachleiter in die Kunststoffgehäusemasse wurde bereits oben erörtert, so dass sich eine erneute Diskussion erübrigt.
- Zum Strukturieren der Metallplatte auf der Oberseite des Halbleiterbauteilgehäuses wird die Metallplatte photolithographisch oder drucktechnisch mit einer Schutzlackstruktur beschichtet und anschließend nasschemisch- oder trockengeätzt. Nach dem Ätzen wird der Schutzlack von der nun strukturierten Metallplatte mit Flachleiterbahnen und Kontaktanschlussflächen für ein Aufbringen von Elektroden des zu stapelnden Bauelements entfernt. Anstelle des Ätzens kann auch ein Laserablationsverfahren eingesetzt werden.
- Kundenseitig oder kundenspezifisch können auf der strukturierten Metallplatte diskrete Bauelemente unter stoffschlüssigem Verbinden der Elektroden des Bauelements mit den Kontaktanschlussflächen der strukturierten Metallplatte gestapelt werden. Zum Stapeln auf der strukturierten Metallplatte können diskrete aktive Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Triacs, Tyristoren und/oder Varistoren aufgebracht werden. Außerdem ist es möglich, auf der strukturierten Metallplatte diskrete passive Bauelemente, wie Widerstände, Kondensatoren oder induktive Bauelemente einzusetzen. Die Wahl der diskreten Bauelemente kann kundenspezifisch erfolgen und/oder direkt beim Kunden vorgenommen werden, um das elektronische Modul zu komplettieren.
- Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
-
1 bis10 zeigen schematische Ansichten von Komponenten beim Herstellen eines elektronischen Moduls einer Ausführungsform der Erfindung; -
1 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen Schaltungsträger, der mit einem Halbleiterchip bestückt ist; -
2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Schaltungsträger gemäß1 , entlang der Schnittebene A-A; -
3 zeigt eine schematische Draufsicht auf den Schaltungsträger der1 nach Aufbringen einer Metallplatte; -
4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Schaltungsträger gemäß3 entlang der Schnittebene A-A; -
5 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Halbleiterbauteilgehäuse vor einem Strukturieren der Metallplatte; -
6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Halbleiterbauteilgehäuse gemäß5 entlang der Schnittebene A-A; -
7 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Halbleiterbauteilgehäuse gemäß6 nach Strukturieren der Metallplatte; -
8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Halbleiterbauteilgehäuse gemäß7 entlang der Schnittebene A-A; -
9 zeigt eine schematische Draufsicht auf das elektronische Modul gemäß einer Ausführungsform der Erfindung; -
10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das elektronische Modul gemäß einer Ausführungsform der Erfindung entlang der Schnittebene A-A der9 . - Die
1 bis10 zeigen schematische Ansichten von Komponenten beim Herstellen eines elektronischen Moduls1 einer Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen werden in den nachfolgenden1 bis10 mit glei chen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht wiederholt erläutert. -
1 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen Schaltungsträger8 , der mit einem Halbleiterchip7 bestückt ist. Der Halbleiterchip7 ist im Zentrum der Oberseite11 des Schaltungsträgers8 angeordnet, während auf den Randbereichen35 ,36 ,37 und38 der Oberseite11 des Schaltungsträgers8 Kontaktanschlussflächen40 angeordnet sind. -
2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Schaltungsträger8 gemäß1 entlang der Schnittlinie A-A. Der Halbleiterchip7 im Zentrum des Schaltungsträgers8 weist eine Rückseite41 und eine Oberseite42 auf. Die Oberseite42 besitzt Kontaktflächen34 , auf denen als Verbindungselemente9 zum Schaltungsträger8 Flipchipkontakte33 angeordnet sind. Diese Flipchipkontakte33 sind stoffschlüssig mit Kontaktanschlussflächen28 einer Verdrahtungsstruktur10 auf der Oberseite11 des Schaltungsträgers8 verbunden. Die Verdrahtungsstruktur10 weist Leiterbahnen43 auf, welche die Kontaktanschlussflächen28 für die Flipchipkontakte33 mit Durchkontakten13 durch den Schaltungsträger8 verbinden, wobei auf der Unterseite15 des Schaltungsträgers8 eine weitere Verdrahtungsstruktur46 angeordnet ist, welche Außenkontaktflächen14 auf der Unterseite16 des Halbleiterbauteilgehäuses mit den Durchkontakten13 verbindet, so dass die Flipchipkontakte33 des Halbleiterchips7 mit den Außenkontaktflächen14 elektrisch in Verbindung stehen. Die auf den Randbereichen35 bis38 des Schaltungsträgers8 angeordneten Kontaktanschlussflächen40 sind über Durchkontakte13 ebenfalls auf der Unterseite15 des Schaltungsträgers8 mit entsprechenden Außenkontaktflächen14 elektrisch verbunden. -
3 zeigt eine schematische Draufsicht auf den Schaltungsträger8 der1 nach Aufbringen einer Metallplatte20 . Diese Metallplatte20 weist auf ihren Randseiten22 ,23 ,24 und25 abgewinkelte Flachleiter26 auf, welche auf den Kontaktanschlussflächen40 in den Randbereichen35 bis38 des Schaltungsträgers8 mit ihren freien Enden27 verbunden sind. Durch die abgewinkelten Flachleiter26 wird erreicht, dass die Metallplatte20 den darunter angeordneten Halbleiterchip7 unter Ausbildung eines Zwischenraums44 zwischen der Metallplatte20 und der Oberseite11 des Schaltungsträgers8 beabstandet abdeckt. -
4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Schaltungsträger8 gemäß3 entlang der Schnittebene A-A. Die von den abgewinkelten Flachleitern26 gestützte Metallplatte20 deckt den Halbleiterchip7 ab, wobei ein Zwischenraum44 zwischen der Rückseite41 des Halbleiterchips7 und der Abschirmplatte20 vorgesehen ist, so dass die Abschirmplatte20 den Halbleiterchip7 nicht berührt. Die freien Enden27 der abgewinkelten Flachleiter26 sind auf den Kontaktanschlussflächen40 auf der Oberseite11 des Schaltungsträgers8 aufgelötet. Somit stützen die Flachleiter26 die freitragende Metallplatte20 oberhalb des Halbleiterchips7 . Da die abgewinkelten Flachleiter26 Abstände voneinander aufweisen, bleiben zwischen den Flachleitern26 genügend Zwischenräume, durch die eine Kunststoffgehäusemasse zum Auffüllen des Zwischenraums44 eingebracht werden kann. -
5 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Halbleiterbauteilgehäuse2 vor einem Strukturieren der Metallplatte20 . Das Halbleiterbauteilgehäuse2 weist eine Kunststoffgehäusemasse12 auf, welche den Halbleiterchip mit seinen Flipchipkontakten und die abgewinkelten Flachleiter26 der Me tallplatte20 einbettet, so dass auf der Oberseite17 des Halbleiterbauteilgehäuses2 lediglich die Oberseite39 der Halbleiterplatte20 frei von Kunststoffgehäusemasse bleibt. Die Randseiten29 ,30 ,31 und32 des Kunststoffgehäuses sind in dieser Ausführungsform der Erfindung leicht angewinkelt, so dass auch die nicht sichtbaren Kontaktanschlussflächen40 und die abgewinkelten Bereiche der Flachleiter26 von Kunststoffgehäusemasse12 bedeckt sind. -
6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Halbleiterbauteilgehäuse2 gemäß5 entlang der Schnittlinie A-A.6 zeigt, dass der Zwischenraum44 zwischen der Metallplatte20 und der Oberseite11 des Schaltungsträgers8 vollständig mit Kunststoffgehäusemasse12 über die abgewinkelten Flachleiter26 hinaus reicht, so dass auch die freien Enden27 der abgewinkelten Flachleiter26 auf den Kontaktanschlussflächen40 von der Kunststoffgehäusemasse12 eingehüllt sind. Die Unterseite49 der Metallplatte20 wird dabei von der Kunststoffgehäusemasse12 benetzt. Die Oberseite39 der Metallplatte20 ist jedoch frei von Kunststoffgehäusemasse12 , so dass nun die Metallplatte20 strukturiert werden kann. In einer alternativen Ausführungsform der Erfindung ist die Kontur45 des Halbleiterbauteilgehäuses2 dem Verlauf der abgewinkelten Flachleiter26 angepasst, so dass die Flachleiter26 auf den Randseiten29 ,30 ,31 und32 des Halbleiterbauteilgehäuses2 frei zugänglich sind. -
7 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Halbleiterbauteilgehäuse2 gemäß6 nach Strukturieren der Metallplatte20 . Durch das Strukturieren der Metallplatte20 entstehen auf der Oberseite17 des Halbleiterbauteilgehäuses2 Flachleiterbahnen18 , die mit den abgewinkelten Flachleitern26 verbunden sind und Kontaktanschlussflächen19 , die derart angeordnet sind, dass zwischen ihnen diskrete Halbleiterbauteile angeordnet werden können, wobei die Elektroden dieser diskreten Halbleiterbauteile auf den Kontaktanschlussflächen19 elektrisch leitend fixiert werden können. -
8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Halbleiterbauteilgehäuse2 gemäß7 entlang der Schnittebene A-A. Wie dieser Querschnitt zeigt, sind die Unterseiten47 der Flachleiterbahnen18 und die Unterseiten48 der Kontaktanschlussflächen19 in die Kunststoffgehäusemasse12 eingebettet, während die Oberseiten und Randseiten frei von Kunststoff sind. Zwischen den Kontaktanschlussflächen19 können nun diskrete Bauelemente auf der Oberseite17 des Halbleiterbauteilgehäuses2 angeordnet bzw. gestapelt werden. -
9 zeigt eine schematische Draufsicht auf das elektronische Modul1 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Auf der strukturierten Metallplatte20 sind nun zwischen den Kontaktanschlussflächen19 gestapelte Bauelemente3 ,4 ,5 und6 mit ihren Elektroden21 angeordnet. Außerdem verbinden Leiterbahnen18 die Kontaktanschlussflächen19 teilweise untereinander und teilweise mit den abgewinkelten Flachleitern26 . Ferner stehen die Flachleiter26 mit den Kontaktanschlussflächen19 elektrisch in Verbindung. -
10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das elektronische Modul1 gemäß der Ausführungsform der Erfindung entlang der Schnittebene A-A der9 . Durch das Strukturieren der Metallplatte20 auf der Oberseite17 des Halbleiterbauteilgehäuses2 ist die Oberseite17 zwischen den Kontaktanschlussflächen19 um die Dicke d der Metallplatte20 gegenüber dem umgebenden Rand der Oberseite17 des Halbleiterbauteilgehäuses2 abgesenkt. - Die Vorteile eines derartigen elektronischen Moduls wurden bereits oben im Detail erörtert, so dass zur Vermeidung von Wiederholungen diese Vorteile nicht noch einmal aufgegriffen werden.
-
- 1
- elektronisches Modul
- 2
- Halbleiterbauteilgehäuse
- 3
- Bauelement
- 4
- gestapeltes Bauelement
- 5
- gestapeltes Bauelement
- 6
- gestapeltes Bauelement
- 7
- Halbleiterchip
- 8
- Schaltungsträger
- 9
- Verbindungselement
- 10
- Verdrahtungsstruktur der Oberseite des Schaltungsträgers
- 11
- Oberseite des Schaltungsträgers
- 12
- Kunststoffgehäusemasse
- 13
- Durchkontakt
- 14
- Außenkontaktfläche
- 15
- Unterseite des Schaltungsträgers
- 16
- Unterseite des Halbleiterbauteilgehäuses
- 17
- Oberseite des Halbleiterbauteilgehäuses
- 18
- Flachleiterbahn
- 19
- Kontaktanschlussfläche der Metallplatte
- 20
- Metallplatte
- 21
- Elektrode
- 22
- Randseite der Metallplatte
- 23
- Randseite der Metallplatte
- 24
- Randseite der Metallplatte
- 25
- Randseite der Metallplatte
- 26
- Flachleiter
- 27
- freies Ende des Flachleiters
- 28
- Kontaktanschlussfläche des Schaltungsträgers
- 29
- Randseite des Halbleiterbauteilgehäuses
- 30
- Randseite des Halbleiterbauteilgehäuses
- 31
- Randseite des Halbleiterbauteilgehäuses
- 32
- Randseite des Halbleiterbauteilgehäuses
- 33
- Flipchipkontakte
- 34
- Kontaktfläche des Halbleiterchips
- 35
- Randbereich des Schaltungsträgers
- 36
- Randbereich des Schaltungsträgers
- 37
- Randbereich des Schaltungsträgers
- 38
- Randbereich des Schaltungsträgers
- 39
- Oberseite der Metallplatte
- 40
- Kontaktanschlussfläche für Flachleiter
- 41
- Rückseite des Halbleiterchips
- 42
- Oberseite des Halbleiterchips
- 43
- Leiterbahnen
- 44
- Zwischenraum
- 45
- Kontur des Halbleiterbauteilgehäuses
- 46
- Verdrahtungsstruktur der Unterseite des
- Schaltungsträgers
- 47
- Unterseite einer Flachleiterbahn
- 48
- Unterseite einer Kontaktanschlussfläche
- 49
- Unterseite einer Metallplatte
- d
- Dicke der Metallplatte
Claims (28)
- Elektronisches Modul mit Halbleiterbauteilgehäuse (
2 ) und mindestens einem Halbleiterchip (7 ), wobei in dem Halbleiterbauteilgehäuse (2 ) der Halbleiterchip (7 ) auf einem Schaltungsträger (8 ) angeordnet ist, wobei der Halbleiterchip (7 ) über Verbindungselemente (9 ) mit dem Schaltungsträger (8 ) elektrisch verbunden ist, wobei der Halbleiterchip (7 ) die Verbindungselemente (9 ) und teilweise der Schaltungsträger (8 ) in eine Kunststoffgehäusemasse (12 ) eingebettet sind, und wobei auf der Oberseite (17 ) des Halbleiterbauteilgehäuses (2 ) eine in Flachleiterbahnen (18 ) und Kontaktanschlussflächen (19 ) strukturierte Metallplatte (20 ) vorgesehen ist, wobei die Unterseiten (47 ,48 ) der Flachleiterbahnen (18 ) und der Kontaktanschlussflächen (19 ) in der Kunststoffgehäusemasse (12 ) eingebettet sind und wobei mindestens ein diskretes Bauelement (3 ) auf der strukturierten Metallplatte (20 ) gestapelt ist. - Elektronisches Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Elektroden (
21 ) des gestapelten Bauelements (3 ) mit den Kontaktanschlussflächen (19 ) der strukturierten Metallplatte (20 ) auf dem Halbleiterbauteilgehäuse (2 ) stoffschlüssig verbunden sind. - Elektronisches Modul nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass auf der strukturierten Metallplatte (
20 ) diskrete aktive Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Triacs, Tyristoren und/oder Varistoren gestapelt sind. - Elektronisches Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass auf der strukturierten Metallplatte (
20 ) diskrete passive Bauelemente wie Widerstände, Kondensatoren oder induktive Bauelemente gestapelt sind. - Elektronisches Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Metallplatte (
20 ) an ihren Randseiten (22 bis25 ) Flachleiter (26 ) aufweist, die mit Kontaktanschlussflächen (19 ) auf der Oberseite (17 ) des Halbleiterbauteilgehäuses (2 ) elektrisch in Verbindung stehen und derart von der Oberseite (17 ) aus in Richtung auf den Schaltungsträger (8 ) abgewinkelt sind, dass sich ihre freien Enden (27 ) auf der Oberseite (11 ) des Schaltungsträgers (8 ) abstützen und mit Kontaktanschlussflächen des Schaltungsträgers elektrisch in Verbindung stehen. - Elektronisches Modul nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Flachleiter (
26 ), die sich von der Halbleiterbauteilgehäuse-Oberseite (17 ) zu der Oberseite (11 ) des Schaltungsträgers (8 ) erstrecken, auf Randseiten (29 bis32 ) des Halbleiterbauteilgehäuses (2 ) angeordnet sind. - Elektronisches Modul nach Anspruch 5 oder Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Flachleiter (
26 ), die sich von der Halbleiterbauteilgehäuse-Oberseite (17 ) zu der Oberseite (11 ) des Schaltungsträgers (8 ) erstrecken, in die Kunststoffgehäusemasse (12 ) eingebettet sind. - Elektronisches Modul nach Anspruch 5 oder Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass sich die freien Enden (
27 ) der abgewinkelten Flachleiter (26 ), die sich von der Halbleiterbauteilgehäuse-Oberseite (17 ) zu der Oberseite (11 ) des Schaltungsträgers (8 ) erstrecken, mit Kontaktanschlussflächen (28 ) des Schaltungsträgers (8 ) stoffschlüssig verbunden sind. - Elektronisches Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger (
8 ) auf seiner Oberseite eine Verdrahtungsstruktur (10 ) mit Kontaktanschlussflächen (40 ) für die abgewinkelten Flachleiter und Kontaktanschlussflächen (28 ) für Verbindungselemente (9 ) zu dem Halbleiterchip (7 ) aufweist. - Elektronisches Modul nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Verdrahtungsstruktur (
10 ) über Durchkontakte (13 ) durch den Schaltungsträger (8 ) mit Außenkontaktflächen (14 ) auf der Unterseite (15 ) des Schaltungsträgers (8 ), welche die Unterseite (16 ) des Halbleiterbauteilgehäuses (2 ) bildet, elektrisch in Verbindung steht. - Elektronisches Modul nach einem der Ansprüche 5 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Metallplatte (
20 ) und die Flachleiter (26 ) einen Flachleiterrahmen bilden, der mit abgewinkelten Flachleitern (26 ) auf Kontaktanschlussflächen (28 ) des Schaltungsträgers (8 ) fixiert ist. - Elektronisches Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungselemente (
9 ) Flipchipkontakte (33 ) des Halbleiterchips (7 ) sind, die mit Kontaktanschlussflächen (28 ) der Verdrahtungsstruktur (10 ) des Schaltungsträgers (8 ) stoffschlüssig verbunden sind. - Elektronisches Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungselemente (
9 ) Bonddrähte sind, wobei über die Bonddrähte Kontaktflächen (34 ) des Halbleiterchips (7 ) mit Kontaktanschlussflächen (28 ) der Verdrahtungsstruktur (10 ) des Schaltungsträgers (8 ) stoffschlüssig verbunden sind. - Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Moduls (
1 ) mit Halbleiterbauteilgehäuse (2 ) und mindestens einem gestapelten Bauelement (3 ), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte in zeitlicher Reihenfolge aufweist: – Herstellen eines Schaltungsträgers (8 ) mit Kontaktanschlussflächen (28 ), – Herstellen eines Halbleiterchips (7 ), – Bestücken des Schaltungsträgers (8 ) mit dem Halbleiterchip (7 ), – Herstellen von Verbindungen zu einem Teil der Kontaktanschlussflächen (28 ) über Verbindungselemente (9 ) zwischen dem Halbleiterchip (7 ) und dem Schaltungsträger (8 ), – Herstellen einer Metallplatte (20 ) mit an den Randseiten (22 bis25 ) abgewinkelten Flachleitern (27 ), – freistehendes Überdecken des Halbleiterchips (7 ) mit Verbindungselementen (9 ) mittels der Metall platte (20 ) unter stoffschlüssigem Verbinden der freien Enden (27 ) der abgewinkelten Flachleiter (26 ) mit Kontaktanschlussflächen (40 ) der Verdrahtungsstruktur (10 ) in Randbereichen (35 bis38 ) des Schaltungsträgers (8 ), – Einbringen einer Kunststoffgehäusemasse (12 ) mindestens zwischen Metallplatte (20 ) und Schaltungsträger (8 ) unter Einbetten des Halbleiterchips (7 ) mit Verbindungselementen (9 ) und Bilden eines Halbleiterbauteilgehäuses (2 ) und unter Freilassen einer Oberseite der Metallplatte (20 ), – Strukturieren der Metallplatte (20 ) auf der Oberseite (17 ) des Halbleiterbauteilgehäuses (2 ) in Flachleiterbahnen (18 ) und Kontaktanschlussflächen (19 ) für Elektroden (21 ) mindestens eines zu stapelnden Bauelements (3 ). - Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Bauelement (
3 ) auf der Oberseite (17 ) des Halbleiterbauteilgehäuses (2 ) unter stoffschlüssigem Verbinden der Elektroden (21 ) des Bauelements (3 ) mit den Kontaktanschlussflächen (19 ) der strukturierten Metallplatte (20 ) gestapelt wird. - Verfahren nach Anspruch 14 oder Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen des Schaltungsträgers (
8 ) eine Verdrahtungsstruktur (10 ) auf eine Oberseite (11 ) und eine weitere Verdrahtungsstruktur (10 ) auf eine Unterseite (15 ) eines dielektrischen Körpers angeordnet wird, wobei die Verdrahtungsstruktur (10 ) auf der Oberseite (11 ) mit Kontaktanschlussflächen (28 ) für Verbindungselemente (9 ) zu dem Halbleiterchip (7 ) und mit Kontaktanschlussflächen (40 ) in Randbereichen (35 bis38 ) der Oberseite (11 ) des Schaltungsträgers (8 ) für das Anbringen von Flachleitern (26 ) zum Stützen der Metallplatte (20 ) ausgestattet wird, und wobei die Kontaktanschlussflächen (19 ) über Flachleiterbahnen (18 ) mit Durchkontakten (13 ) durch den Schaltungsträger (8 ) verbunden werden, und wobei auf der Unterseite (15 ) Außenkontaktflächen (14 ) für das elektronische Modul (1 ) vorgesehen werden, die über Leiterbahnen der Verdrahtungsstruktur der Unterseite (15 ) mit den Durchkontakten (13 ) elektrisch verbunden werden. - Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen eines Halbleiterchips (
7 ) zunächst eine Vielzahl von Halbleiterchippositionen eines Halbleiterwafers mit der Struktur des Halbleiterchips (7 ) versehen werden und anschließend der Halbleiterwafer in einzelne Halbleiterchips (7 ) getrennt wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass beim Bestücken des Schaltungsträgers (
8 ) mit dem Halbleiterchip (7 ) ein Halbleiterchip (7 ) mit Flipchipkontakten (33 ) als Verbindungselemente (9 ) auf Kontaktanschlussflächen (28 ) der Verdrahtungsstruktur (10 ) gelötet wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass beim Bestücken des Schaltungsträgers (
8 ) mit dem Halbleiterchip (7 ) ein Halbleiterchip (7 ) mit Flipchipkon takten (33 ) als Verbindungselemente (9 ) auf Kontaktanschlussflächen (28 ) der Verdrahtungsstruktur (10 ) mit einem Leitklebstoff geklebt wird. - Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass beim Bestücken des Schaltungsträgers (
8 ) mit dem Halbleiterchip (7 ) der Halbleiterchip (7 ) mit seiner Rückseite auf der Verdrahtungsstruktur (10 ) fixiert wird und anschließend Kontaktflächen (34 ) seiner Oberseite mit Kontaktanschlussflächen (28 ) des Schaltungsträgers (8 ) über Bonddrähte als Verbindungselemente (9 ) elektrisch verbunden werden. - Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen einer Metallplatte (
20 ) mit an den Randseiten (22 bis25 ) abgewinkelten Flachleitern (26 ) ein Stanzbiegeverfahren eingesetzt wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen einer Metallplatte (
20 ) mit an den Randseiten (22 bis25 ) abgewinkelten Flachleitern (26 ) ein Ätzverfahren mit anschließendem Abwinkeln der Flachleiter (26 ) eingesetzt wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass zum freistehenden Überdecken des Halbleiterchips (
7 ) mit Verbindungselementen (9 ) mittels der Metallplatte (20 ) die Metallplatte (20 ) mit den freien Enden (27 ) der abgewinkelten Flachleiter (26 ) derart über dem Halbleiter chip (7 ) justiert wird, dass die freien Enden (27 ) über entsprechend vorbereiteten Kontaktanschlussflächen (40 ) der Verdrahtungsstruktur (10 ) in Randbereichen (35 bis38 ) des Schaltungsträgers (8 ) angeordnet und anschließend mit diesen stoffschlüssig verbunden werden. - Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass beim Einbringen einer Kunststoffgehäusemasse (
12 ) zwischen Metallplatte (20 ) und Schaltungsträger (8 ) die abgewinkelten Flachleiter (26 ) der Metallplatte (20 ) in die Kunststoffgehäusemasse (12 ) mit eingebettet werden. - Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass zum Strukturieren der Metallplatte (
20 ) auf der Oberseite (17 ) des Halbleiterbauteilgehäuses (2 ) die Metallplatte (20 ) photolithographisch oder drucktechnisch mit einer Schutzlackstruktur beschichtet und anschließend nasschemisch oder trocken geätzt wird, so dass nach Entfernen des Schutzlackes die Metallplatte (20 ) mit Flachleiterbahnen (18 ) und Kontaktanschlussflächen (19 ) für Elektroden (21 ) des Bauelements (3 ) strukturiert ist. - Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass zum Strukturieren der Metallplatte (
20 ) auf der Oberseite (17 ) des Halbleiterbauteilgehäuses (2 ) zu Flachleiterbahnen (18 ) und Kontaktanschlussflächen (19 ) für Elektroden (21 ) des Bauelements (3 ) ein Laserablationsverfahren eingesetzt wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass zum Stapeln auf der strukturierten Metallplatte (
20 ) diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Triacs, Tyristoren und/oder Varistoren eingesetzt werden. - Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass zum Stapeln auf der strukturierten Metallplatte (
20 ) passive Bauelemente wie Widerstände, Kondensatoren oder induktive Bauelemente eingesetzt werden.
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