DE102006008807B4 - Arrangement with a power semiconductor module and a cooling component - Google Patents

Arrangement with a power semiconductor module and a cooling component Download PDF

Info

Publication number
DE102006008807B4
DE102006008807B4 DE102006008807A DE102006008807A DE102006008807B4 DE 102006008807 B4 DE102006008807 B4 DE 102006008807B4 DE 102006008807 A DE102006008807 A DE 102006008807A DE 102006008807 A DE102006008807 A DE 102006008807A DE 102006008807 B4 DE102006008807 B4 DE 102006008807B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
power semiconductor
semiconductor module
frame
platelet
housing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102006008807A
Other languages
German (de)
Other versions
DE102006008807A1 (en
Inventor
Fabio Brucchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semikron GmbH and Co KG
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Original Assignee
Semikron GmbH and Co KG
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semikron GmbH and Co KG, Semikron Elektronik GmbH and Co KG filed Critical Semikron GmbH and Co KG
Priority to DE102006008807A priority Critical patent/DE102006008807B4/en
Publication of DE102006008807A1 publication Critical patent/DE102006008807A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE102006008807B4 publication Critical patent/DE102006008807B4/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Abstract

Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul (10) und einem Kühlbauteil (14), wobei das Leistungshalbleitermodul (10) mindestens ein Substrat (16), mindestens ein auf diesem angeordnetes steuerbares Leistungshalbleiter-Bauelement (26), ein rahmenartiges Gehäuse (36), und auf der vom Kühlbauteil (14) abgewandten Seite nach außen führende Anschlusselemente (30) aufweist, wobei das rahmenartige Gehäuse (36) zumindest teilweise mit einem Isolierstoff (50) verfüllt ist, und das Leistungshalbleitermodul (10) mittels eines Kunststoff-Druckkörpers (56) mit dem Kühlbauteil (14) druckkontaktiert ist, dadurch gekennzeichnet, dass das rahmenartige Gehäuse (36) einen nach innen gerichteten Bund (38) aufweist, der mit Durchgangslöchern (40) ausgebildet ist, durch die sich die Anschlusselemente (30) für die Last- und Hilfskontakte hindurch erstrecken.Arrangement with a power semiconductor module (10) and a cooling component (14), wherein the power semiconductor module (10) at least one substrate (16), at least one arranged on this controllable power semiconductor device (26), a frame-like housing (36), and on the the cooling member (14) facing away from the outside leading terminal elements (30), wherein the frame-like housing (36) at least partially filled with an insulating material (50), and the power semiconductor module (10) by means of a plastic pressure body (56) with the Cooling member (14) is pressure-contacted, characterized in that the frame-like housing (36) has an inwardly directed collar (38) which is formed with through holes (40) through which the connection elements (30) for the load and auxiliary contacts extend through.

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1.The The invention relates to an arrangement according to the preamble of the claim 1.

Aus der DE 103 16 355 B3 ist ein Leistungshalbleitermodul bekannt, bei dem das plättchenförmige Substrat an einer Grundplatte vorgesehen ist. Von dem Außenrandabschnitt der Grundplatte steht ein Gehäuserahmen weg. An der von der Grundplatte abgewandten Stirnfläche des Gehäuserahmens ist ein Deckel mit einer Leiterplatte angebracht. Zwischen der Leiterplatte und der an der zweiten Hauptfläche des plattenförmigen Substrates vorgesehenen Leiterbahnstruktur sind Federkontakte vorgesehen.From the DE 103 16 355 B3 a power semiconductor module is known in which the platelet-shaped substrate is provided on a base plate. From the outer edge portion of the base plate is a case frame away. On the side facing away from the base plate end face of the housing frame, a cover with a printed circuit board is attached. Between the printed circuit board and provided on the second major surface of the plate-shaped substrate interconnect spring contacts are provided.

Aus der US 4 574 162 A ist eine Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul bekannt, das ein Substrat aufweist, auf dem Leistungshalbleiter-Bauelemente angeordnet sind. Am Substrat ist ein Gehäuse angeordnet. Das Gehäuse bildet gleichzeitig einen Druckkörper, mittels welchem das Substrat gegen ein Kühlbauteil gedrückt wird.From the US 4 574 162 A For example, an arrangement with a power semiconductor module is known that has a substrate on which power semiconductor components are arranged. On the substrate, a housing is arranged. The housing simultaneously forms a pressure body, by means of which the substrate is pressed against a cooling member.

Eine Anordnung der eingangs genannten Art ist aus der DE 103 26 176 A1 bekannt. Bei dieser bekannten Anordnung erstrecken sich die Anschlusselemente nur durch Löcher hindurch, die im Druckkörper ausgebildet sind. Beim Zusammenbau der Anordnung, d. h. bei der Montage des Druckkörpers am rahmenartigen Gehäuse ist folglich sehr genau darauf zu achten, dass der Druckkörper mit seinen Löchern in Bezug zu den vom Substrat wegstehenden Anschlusselementen genau richtig positioniert ist.An arrangement of the type mentioned is from the DE 103 26 176 A1 known. In this known arrangement, the connection elements extend only through holes which are formed in the pressure body. When assembling the arrangement, ie during assembly of the pressure hull on the frame-like housing, it is therefore very important to ensure that the pressure hull is correctly positioned with its holes in relation to the connecting elements protruding from the substrate.

Aus der DE 101 49 886 A1 ist eine Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul bekannt, das ein Substrat aufweist, auf dem Leistungshalbleiter-Bauelemente vorgesehen sind. Diese Anordnung ist ähnlich ausgebildet, wie die oben beschriebene Anordnung gemäß der DE 103 26 176 A1 , wobei jedoch bezüglich der Anschlusselemente des Leistungshalbleitermoduls keine Ausführungen gemacht werden.From the DE 101 49 886 A1 an arrangement is known with a power semiconductor module having a substrate on which power semiconductor devices are provided. This arrangement is similar to the arrangement described above according to the DE 103 26 176 A1 However, no comments are made with respect to the connection elements of the power semiconductor module.

Die DE 101 39 287 A1 offenbart ein Leistungshalbleitermodul mit Leistungshalbleiter-Bauelementen, die auf einer Grundplatte angeordnet sind. Dieses Leistungshalbleitermodul weist einen Isolierrahmen und ein Substrat auf, das zwischen der Grundplatte und einem Kühlbauteil angeordnet ist. Der Isolierrahmen umschließt das Leistungshalbleitermodul und ist zur Befestigung auf dem Kühlbauteil vorgesehen.The DE 101 39 287 A1 discloses a power semiconductor module having power semiconductor devices disposed on a baseplate. This power semiconductor module has an insulating frame and a substrate disposed between the base plate and a cooling member. The insulating frame surrounds the power semiconductor module and is provided for attachment to the cooling member.

Ein Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat, auf dem Leistungshalbleiter-Bauelemente angeordnet sind, und mit einem Gehäuse, das gleichzeitig einen Druckkörper bildet, mittels welchem das Substrat an einem Kühlbauteil befestigbar ist, ist aus der GB 2 238 167 A bekannt. Das Gehäuse ist mit Durchgangslöchern ausgebildet, durch die sich Anschlusselemente des Leistungshalbleitermoduls hindurch erstrecken. Bezüglich des Positionieraufwandes der Anschlusselemente in Bezug zu den Durchgangslöchern gilt das oben gesagte entsprechend.A power semiconductor module with a substrate, on which power semiconductor components are arranged, and with a housing, which simultaneously forms a pressure body, by means of which the substrate can be fastened to a cooling component, is known from US Pat GB 2 238 167 A known. The housing is formed with through-holes through which connection elements of the power semiconductor module extend. With regard to the positioning effort of the connection elements with respect to the through-holes, the above applies accordingly.

Die DE 35 08 456 A1 offenbart ein Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat, auf dem Leistungshalbleiter-Bauelemente vorgesehen sind. Das Leistungshalbleitermodul weist ein Gehäuse auf, in welchem Justierschrauben angeordnet sind, die auf das Substrat und auf die Leistungshalbleiter-Bauelemente drücken, um einer Wölbung des Substrates entgegenzuwirken.The DE 35 08 456 A1 discloses a power semiconductor module having a substrate on which power semiconductor devices are provided. The power semiconductor module has a housing in which adjustment screws are arranged, which press on the substrate and on the power semiconductor components in order to counteract a curvature of the substrate.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung der eingangs genannten Art zu schaffen, die einfach und kompakt aufgebaut ist, wobei die Anschlusselemente durch das rahmenartige Gehäuse positioniert geführt werden, so dass der Zusammenbau der Anordnung preisgünstig realisierbar ist.Of the Invention is based on the object, an arrangement of the above to create said type, which is simple and compact, wherein the connection elements positioned by the frame-like housing guided be, so that the assembly of the arrangement can be realized inexpensively.

Diese Aufgabe wird bei einer Anordnung der eingangs genannten Art erfindungsgemäß durch die Merkmale des Kennzeichenteiles des Anspruchs 1 gelöst. Bevorzugte Aus- bzw. Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Anordnung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.These Task is in accordance with the invention in an arrangement of the type mentioned the features of the characterizing part of claim 1 solved. preferred Training or further developments of the arrangement according to the invention are characterized in the subclaims.

Dadurch, dass erfindungsgemäß der Gehäuserahmen vom Außenrandabschnitt der zweiten Hauptfläche des Substrates – und nicht von einer eigenen Grundplatte – weg steht, ergibt sich ein einfacherer und gleichzeitig kompakterer Aufbau der erfindungsgemäßen Anordnung, wobei durch das den vom Gehäuserahmen umschlossenen Innenraum zumindest größtenteils ausfüllende erstarrte Isoliermaterial optimale Isolationseigenschaften erreicht werden. Bei den Anschlusselementen für die Last- und Hilfskontakte handelt es sich in vorteilhafter Weise um formstabile steife dünne Stifte, deren Anschaffungskosten im Vergleich zu Federkontakten gering sind und deren Handhabung bei der Herstellung des Leistungshalbleitermoduls vergleichsweise einfach ist.Thereby, according to the invention, the housing frame from the outer edge section the second major surface of the substrate - and not from its own base plate - is gone, it results simpler and more compact design of the arrangement according to the invention, whereby by that from the housing frame enclosed interior at least largely filling solidified Insulation material optimum insulation properties can be achieved. For the connection elements for the load and auxiliary contacts are in an advantageous manner around dimensionally stable stiff thin Pens, their cost compared to spring contacts are low and their handling in the production of the power semiconductor module comparatively easy.

Weitere Vorteile der erfindungsgemäßen Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil bestehen in ihren relativ geringen Spannungsverlusten und optimalen Schalteigenschaften. Die erfindungsgemäße Anordnung findet beispielsweise als IGBT-Inverter und/oder -Konverter Anwendung.Further Advantages of the arrangement according to the invention with a power semiconductor module and a cooling component exist in their relatively low voltage losses and optimum switching properties. The inventive arrangement For example, it is used as an IGBT inverter and / or converter.

Das plättchenförmige Substrat kann eine mindestens annähernd quadratische Grundfläche und der Gehäuserahmen kann daran angepasste Grundflächenabmessungen aufweisen. Selbstverständlich ist es auch möglich, dass das plättchenförmige Substrat eine rechteckige Grundfläche und der Gehäuserahmen daran angepasste Grundflächenabmessungen aufweist.The platelet-shaped substrate may have an at least approximately square base and the housing frame may have footprint dimensions adapted thereto. Selbstver Of course, it is also possible that the platelet-shaped substrate has a rectangular base surface and the housing frame adapted base surface dimensions.

Erfindungsgemäß weist der Gehäuserahmen einen nach innen gerichteten Bund auf, der mit Durchgangslöchern ausgebildet ist, durch die sich die Anschlusselemente für die Last- und Hilfskontakte hindurch erstrecken. Dabei kann der Bund des Gehäuserahmens umlaufend oder mit Unterbrechungen ausgebildet sein. Der Bund kann sich in Höhenrichtung des Gehäuserahmens auf einer beliebigen Höhe befinden. Zweckmässig kann es jedoch sein, wenn der nach innen gerichtete Bund an dem vom plättchenförmigen Substrat abgewandten Außenrand des Gehäuserahmens ausgebildet ist.According to the invention the case frame an inwardly directed collar formed with through holes is, through which the connection elements for the load and auxiliary contacts extend through. In this case, the collar of the housing frame circumferentially or with Be formed interruptions. The federal government can be in the height direction of the case frame at any height are located. expedient It may be, however, if the inwardly directed covenant on the from the platelet-shaped substrate opposite outer edge of the housing frame is trained.

Bevorzugt ist es, wenn der Gehäuserahmen an seiner vom plättchenförmigen Substrat abgewandten Stirnfläche mit Abstandselementen für eine Leiterplatte ausgebildet ist, die gleich lang oder kürzer sind als die aus dem Gehäuserahmen vorstehenden Kontaktabschnitte der Anschlusselemente für die Last- und Hilfskontakte. Auf den Abstandselementen kann die genannte Leiterplatte angeordnet werden, wobei sich die aus dem Gehäuserahmen vorstehenden Kontaktabschnitte der Anschlusselemente für die Last- und Hilfskontakte in Durchgangslöcher der Leiterplatte hinein oder durch diese hindurch erstrecken können und mit der Schaltungsstruktur der Leiterplatte beispielsweise durch eine Verlötung kontaktiert werden können. Diese Verlötung kann in an sich bekannter Weise mit Hilfe eines Lötbades erfolgen. Es ist jedoch auch möglich, die Leiterplatte ohne Durchgangslöcher auszubilden, wenn die Abstandselemente des Gehäuserahmens und der Kontaktabschnitt der Anschlusselement gleich lang sind.Prefers is it when the case frame its from the platelet-shaped substrate opposite end face with spacers for a circuit board is formed, which are the same length or shorter than the ones out of the case frame protruding contact portions of the connection elements for the load and auxiliary contacts. On the spacer elements, said circuit board are arranged, wherein the out of the housing frame protruding contact portions the connection elements for the load and auxiliary contacts into through holes of the PCB inside or extend therethrough and with the circuit structure the circuit board can be contacted for example by soldering. These soldering can be done in a conventional manner with the help of a solder bath. However, it is also possible form the circuit board without through holes when the Spacer elements of the housing frame and the contact portion of the connecting element are the same length.

Die Abstandselemente für die Leiterplatte sind vorzugsweise an den Ecken des Gehäuserahmens ausgebildet.The Spacer elements for the circuit board are preferably at the corners of the housing frame educated.

Erfindungsgemäß ist es möglich, dass das plättchenförmige Substrat mit seiner wärmeableitenden Metallschicht mittels einer Wärmeleitkleberschicht mit dem Kühlbauteil verbunden ist. Dabei kommt beispielsweise ein Wärmeleit-Kleber mit einer Wärmeleitfähigkeit von ≥ 2,2 W/mK zur Anwendung.It is according to the invention possible, that the platelet-shaped substrate with its heat-dissipating Metal layer by means of a Wärmeleitkleberschicht with the cooling component connected is. In this case, for example, comes a heat-conducting adhesive with a thermal conductivity of ≥ 2.2 W / mK for use.

Bevorzugt ist es, wenn das plättchenförmige Substrat mit seiner wärmeableitenden Metallschicht mittels des Druckkörpers gegen das Kühlbauteil gepresst ist, wobei der Druckkörper an der vom plättchenförmigen Substrat abgewandten Stirnfläche des Gehäuserahmens anliegt und auf gegenüberliegenden Seiten Ansätze aufweist, die mit Durchgangslöchern für Befestigungselemente ausgebildet sind, mittels welchen der Druckkörper und mit diesem das Leistungshalbleitermodul an dem Kühlbauteil befestigt ist. Bei den besagten Befestigungselementen kann es sich um Gewindestifte bzw. Schrauben handeln, die in Gewindebohrungen einschraubbar sind, die im Kühlbauteil ausgebildet sind.Prefers it is when the platelet-shaped substrate with its heat-dissipating Metal layer by means of the pressure hull against the cooling component pressed, wherein the pressure body at the of the platelet-shaped substrate opposite end face of the case frame abuts and on opposite Side approaches having, with through holes for fasteners are formed, by means of which the pressure body and with this the power semiconductor module on the cooling component is attached. The said fasteners may be around threaded pins or screws act in threaded holes can be screwed, in the cooling component are formed.

Der Druckkörper kann mit Durchgangslöchern für Last- und Hilfs-Kontakt-Anschlusselemente ausgebildet sein.Of the pressure vessels can with through holes for load and auxiliary contact terminals formed be.

Desgleichen ist es möglich, dass die erfindungsgemäße Anordnung mit dem Leistungshalbleitermodul und dem Kühlbauteil mit einem Miniatur-Ventilator zu einem gekühlten Modulsystem kombiniert ist.Similarly Is it possible, that the inventive arrangement with the power semiconductor module and the cooling component with a miniature fan to a chilled Module system is combined.

Weitere Einzelheiten ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines in der Zeichnung vergrössert und nicht maßstabsgetreu verdeutlichten Ausführungsbeispieles des erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls – in Kombination mit einem abschnittweise gezeichneten Kühlbauteil bzw. Kühlkörper und einer ebenfalls nur abschnittweise verdeutlichten Leiterplatte.Further Details will be apparent from the following description of a enlarged in the drawing and not to scale clarified embodiment of the power semiconductor module according to the invention - in combination with a partially drawn cooling component or heat sink and a likewise only partially clarified circuit board.

Es zeigen:It demonstrate:

1 eine nicht zur Erfindung gehörende Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul in einer Längsschnittdarstellung in Kombination mit einer abschnittweise gezeichneten Leiterplatte und einem abschnittweise gezeichneten Kühlkörper, an dem das Leistungshalbleitermodul mit Hilfe einer Wärmeleitkleberschicht befestigt ist, 1 a not belonging to the invention arrangement with a power semiconductor module in a longitudinal sectional view in combination with a partially drawn circuit board and a section-wise drawn heat sink to which the power semiconductor module is attached by means of a Wärmeleitkleberschicht,

2 eine der 1 prinzipiell ähnliche erfindungsgemäß bevorzugte Ausbildung der Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul in Kombination mit einer abschnittweise gezeichneten Leiterplatte und einem abschnittweise gezeichneten Kühlkörper, an dem das Leistungshalbleitermodul mit Hilfe eines Druckkörpers wärmableitend verbunden ist, und 2 one of the 1 in principle similar invention preferred embodiment of the arrangement with a power semiconductor module in combination with a partially drawn circuit board and a heat sink shown in sections, to which the power semiconductor module is connected by means of a pressure-transmitting body heat dissipation, and

3 eine Ansicht des Leistungshalbleitermoduls mit dem Druckkörper in Blickrichtung der Pfeile III-III in 2. 3 a view of the power semiconductor module with the pressure body in the direction of arrows III-III in 2 ,

1 zeigt längsgeschnitten eine Ausbildung des Leistungshalbleitermoduls 10 in Kombination mit einer abschnittweise gezeichneten Leiterplatte 12 und einem abschnittweise gezeichneten Kühlkörper 14. 1 shows a longitudinal section of an embodiment of the power semiconductor module 10 in combination with a section-wise printed circuit board 12 and a section-wise drawn heat sink 14 ,

Das Leistungshalbleitermodul 10 weist ein plättchenförmiges Substrat 16 auf. Das plättchenförmige Substrat 16 besteht beispielsweise aus einer Aluminiumoxid-Keramik. Das plättchenförmige Substrat 16 weist eine erste Hauptfläche 18 und eine gegenüberliegende zweite Hauptfläche 20 auf. An der ersten Hauptfläche 18 ist eine Metallschicht 22 vorgesehen. Die zweite Hauptfläche 20 ist mit einer Leiterbahnstruktur 24 ausgebildet. Die Metallschicht 22 und die Leiterbahnstruktur 24 sind beispielsweise von Kupferschichten oder von dünnen Kupferfolien oder dergleichen gebildet.The power semiconductor module 10 has a platelet-shaped substrate 16 on. The platelet-shaped substrate 16 For example, it consists of an alumina ceramic. The platelet-shaped substrate 16 has a first major surface 18 and an opposite second major surface 20 on. At the first major surface 18 is a metal layer 22 intended. The second main area 20 is with a track structure 24 educated. The metal layer 22 and the track structure 24 are formed, for example, by copper layers or by thin copper foils or the like.

Die Leiterbahnstruktur 24 dient zur Verschaltung von Leistungshalbleiter-Bauelementen 26. Diese Verschaltung erfolgt beispielsweise durch Bonddrähte 28.The track structure 24 serves to interconnect power semiconductor devices 26 , This interconnection is done for example by bonding wires 28 ,

Anschlusselemente 30, die als formstabile, steife Stifte 32 ausgebildet sind, dienen zur elektrischen Verbindung des Leistungshalbleitermoduls 10 mit der Leiterplatte 12. Die Anschlusselemente 30 sind für Last- und Hilfskontakte des Leistungshalbleitermoduls 10 vorgesehen.connection elements 30 as dimensionally stable, stiff pins 32 are formed, serve for electrical connection of the power semiconductor module 10 with the circuit board 12 , The connection elements 30 are for load and auxiliary contacts of the power semiconductor module 10 intended.

Vom Außenrandabschnitt 34 der zweiten Hauptfläche 20 des plättchenförmigen Substrates 16 steht ein Gehäuserahmen 36 weg, der mit einem nach innen gerichteten Bund 38 ausgebildet ist. Der Bund 38 besitzt Durchgangslöcher 40, durch die sich die Anschlusselemente 30 für die Last- und Hilfskontakte hindurch erstrecken. Die Anschlusselemente 30 für die Last- und Hilfskontakte stehen mit Kontaktabschnitten 42 aus dem Gehäuserahmen 36 vor, d. h. über den ununterbrochen oder unterbrochen umlaufenden Bund 38 des Gehäuserahmens 36 über. Der Gehäuserahmen 36 ist an seiner vom plättchenförmigen Substrat 16 abgewandten Stirnfläche 44 mit Abstandselementen 46 ausgebildet, an welchen die Leiterplatte 12 anliegt. Die Abstandselemente 46 sind bei der Ausbildung gemäß 1 kürzer als die aus dem Gehäuserahmen 32 vorstehenden Kontaktabschnitte 42 der Anschlusselemente 30 für die Last- und Hilfskontakte, so dass sich im zusammengebauten Zustand die Kontaktabschnitte 42 durch die Leiterplatte 12 hindurch erstrecken. Bei der Ausbildung gemäß 2 sind die Abstandselemente 46 des Gehäuserahmens 32 und der aus diesem vorstehenden Kontaktabschnitte 42 der Anschlusselemente 30 gleich lang.From the outer edge section 34 the second major surface 20 of the platelet-shaped substrate 16 there is a case frame 36 gone, with an inward-looking waistband 38 is trained. The Bund 38 has through holes 40 through which the connection elements 30 extend for the load and auxiliary contacts. The connection elements 30 for the load and auxiliary contacts are available with contact sections 42 from the case frame 36 before, ie over the continuous or interrupted circulating collar 38 of the case frame 36 above. The case frame 36 is at its from the platelet-shaped substrate 16 opposite end face 44 with spacers 46 formed, to which the circuit board 12 is applied. The spacers 46 are in training according to 1 shorter than the one from the case frame 32 protruding contact sections 42 the connection elements 30 for the load and auxiliary contacts, so that in the assembled state, the contact sections 42 through the circuit board 12 extend through. In the training according to 2 are the spacers 46 of the case frame 32 and from this projecting contact sections 42 the connection elements 30 of equal length.

Der vom Gehäuserahmen 36 umschlossene Innenraum 48 ist zumindest größtenteils mit einem erstarrten Isoliermaterial 50 ausgefüllt, so dass sich eine gute Isolation des Leistungshalbleitermoduls 10 ergibt.The from the frame 36 enclosed interior 48 is at least mostly with a solidified insulating material 50 filled so that a good insulation of the power semiconductor module 10 results.

Wie aus 3 ersichtlich ist, sind die Abstandselemente 46 für die Leiterplatte 12 (sh. 1) an den Ecken 52 des Gehäuserahmens 36 ausgebildet.How out 3 it can be seen, are the spacers 46 for the circuit board 12 (Sh. 1 ) at the corners 52 of the case frame 36 educated.

Gemäß 1 ist das Leistungshalbleitermodul 10 mit dem Kühlkörper 14 mittels einer Wärmeleitkleberschicht 54 grossflächig verbunden. Die Wärmeleitkleberschicht 54 ist zwischen der Metallschicht 22 und dem Kühlkörper 14 vorgesehen, um die Verlustwärme des Leistungshalbleitermoduls 10 zum Kühlkörper 14 abzuführen.According to 1 is the power semiconductor module 10 with the heat sink 14 by means of a Wärmeleitkleberschicht 54 connected over a large area. The thermal adhesive layer 54 is between the metal layer 22 and the heat sink 14 provided to the heat loss of the power semiconductor module 10 to the heat sink 14 dissipate.

2 verdeutlicht in einer Längsschnittdarstellung eine der 1 ähnliche Ausbildung des Leistungshalbleitermoduls 10 in Kombination mit einem Druckkörper 56, der an gegenüberliegenden Seiten 58 jeweils einen Ansatz 60 aufweist. Der jeweilige Ansatz 60 ist mit einem abgestuften Durchgangsloch 62 für ein Befestigungselement 64 ausgebildet. Bei den Befestigungselementen 64 handelt es sich beispielsweise um Schrauben, die in Gewindebohrungen 66 einschraubbar bzw. eingeschraubt sind, die im Kühlkörper 14 ausgebildet sind. 2 illustrates in a longitudinal section one of 1 similar design of the power semiconductor module 10 in combination with a pressure hull 56 , on opposite sides 58 one approach each 60 having. The respective approach 60 is with a stepped through hole 62 for a fastener 64 educated. For the fasteners 64 For example, these are screws that are threaded into holes 66 can be screwed or screwed, in the heat sink 14 are formed.

Bei der in 2 dargestellten Ausführungsform wird das plättchenförmige Substrat 16 des Leistungshalbleitermoduls 10 mit seiner wärmeleitenden Metallschicht 22 mittels des Druckkörpers 56 grossflächig gegen den Kühlkörper 14 gepresst, wobei der Druckkörper 56 an der vom plättchenförmigen Substrat 16 abgewandten Stirnfläche 44 des Gehäuserahmens 36 eng anliegt.At the in 2 The embodiment shown is the platelet-shaped substrate 16 of the power semiconductor module 10 with its thermally conductive metal layer 22 by means of the pressure hull 56 large area against the heat sink 14 pressed, the pressure body 56 at the of the platelet-shaped substrate 16 opposite end face 44 of the case frame 36 tight.

Wie aus 3 ersichtlich ist, ist der Druckkörper 56 mit gegenüberliegenden Längsseiten 68 ausgebildet, die an den vom Gehäuserahmen 36 weg stehenden Abstandselementen 46 formschlüssig anliegen und die voneinander einen solchen Abstand besitzen, dass die an diesen Längsseiten 68 befindlichen Anschlusselemente 30 vorn Druckkörper 46 frei bleiben. Der Druckkörper 56 ist mit Durchgangslöchern 70 ausgebildet, durch die sich entsprechende Anschlusselemente 30 des Leistungshalbleitermoduls 10 hindurch erstrecken.How out 3 it can be seen, is the pressure body 56 with opposite longitudinal sides 68 formed, that of the body frame 36 away standing spacers 46 lie positively against each other and have such a distance from each other that on these long sides 68 located connection elements 30 front pressure hull 46 remain free. The pressure hull 56 is with through holes 70 formed by the corresponding connection elements 30 of the power semiconductor module 10 extend through.

Gleiche Einzelheiten sind in den 1, 2 und 3 jeweils mit denselben Bezugsziffern bezeichnet, so dass es sich erübrigt, in Verbindung mit den Figuren alle Einzelheiten jeweils detailliert zu beschreiben.Same details are in the 1 . 2 and 3 each with the same reference numerals, so that it is unnecessary, in conjunction with the figures, to describe all the details in detail.

1010
LeistungshalbleitermodulThe power semiconductor module
1212
Leiterplattecircuit board
1414
Kühlbauteilcooling component
1616
plättchenförmiges Substrat (von 10)platelet-shaped substrate (from 10 )
1818
erste Hauptfläche (von 16)first main surface (from 16 )
2020
zweite Hauptfläche (von 16)second main surface (from 16 )
2222
Metallschicht (an 18)Metal layer (on 18 )
2424
Leiterbahnstruktur (an 20 für 26)Track structure (at 20 For 26 )
2626
Leistungshalbleiter-Bauelemente (von 10 an 24)Power semiconductor devices (from 10 at 24 )
2828
Bonddrähte (zwischen 26 und 24)Bonding wires (between 26 and 24 )
3030
Anschlusselemente (von 10 für 12)Connection elements (from 10 For 12 )
3232
Stifte (von 30)Pins (from 30 )
3434
Außenrandabschnitt (von 20 bzw. 16)Outer edge section (from 20 respectively. 16 )
3636
Gehäuserahmen (von 10 an 34)Case frame (from 10 at 34 )
3838
Bund (von 36)Covenant (from 36 )
4040
Durchgangslöcher (in 38)Through holes (in 38 )
4242
Kontaktabschnitte (von 30 für 12)Contact sections (from 30 For 12 )
4444
Stirnfläche (von 36)End face (from 36 )
4646
Abstandselemente (an 44 für 12)Spacer elements (at 44 For 12 )
4848
Innenraum (von 36)Interior (from 36 )
5050
Isoliermaterial (in 48)Insulating material (in 48 )
5252
Ecken (von 36)Corners (from 36 )
5454
Wärmeleitkleberschicht (zwischen 22 und 14)Wärmeleitkleberschicht (between 22 and 14 )
5656
Druckkörper (für 10)Pressure body (for 10 )
5858
gegenüberliegende Seiten (von 56)opposite sides (from 56 )
6060
Ansatz (an 58)Approach (on 58 )
6262
Durchgangsloch (in 60 für 64)Through hole (in 60 For 64 )
6464
Befestigungselement (für 56 an 14)Fastening element (for 56 at 14 )
6666
Gewindebohrung (in 14 für 64)Threaded hole (in 14 For 64 )
6868
Längsseiten (von 56)Long sides (from 56 )
7070
Durchgangslöcher (in 56 für 30)Through holes (in 56 For 30 )

Claims (8)

Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul (10) und einem Kühlbauteil (14), wobei das Leistungshalbleitermodul (10) mindestens ein Substrat (16), mindestens ein auf diesem angeordnetes steuerbares Leistungshalbleiter-Bauelement (26), ein rahmenartiges Gehäuse (36), und auf der vom Kühlbauteil (14) abgewandten Seite nach außen führende Anschlusselemente (30) aufweist, wobei das rahmenartige Gehäuse (36) zumindest teilweise mit einem Isolierstoff (50) verfüllt ist, und das Leistungshalbleitermodul (10) mittels eines Kunststoff-Druckkörpers (56) mit dem Kühlbauteil (14) druckkontaktiert ist, dadurch gekennzeichnet, dass das rahmenartige Gehäuse (36) einen nach innen gerichteten Bund (38) aufweist, der mit Durchgangslöchern (40) ausgebildet ist, durch die sich die Anschlusselemente (30) für die Last- und Hilfskontakte hindurch erstrecken.Arrangement with a power semiconductor module ( 10 ) and a cooling component ( 14 ), wherein the power semiconductor module ( 10 ) at least one substrate ( 16 ), at least one controllable power semiconductor component ( 26 ), a frame-like housing ( 36 ), and on the of the cooling component ( 14 ) facing away from the outside leading connecting elements ( 30 ), wherein the frame-like housing ( 36 ) at least partially with an insulating material ( 50 ), and the power semiconductor module ( 10 ) by means of a plastic pressure body ( 56 ) with the cooling component ( 14 ) is pressure-contacted, characterized in that the frame-like housing ( 36 ) an inwardly directed collar ( 38 ) provided with through holes ( 40 ) is formed, through which the connection elements ( 30 ) extend for the load and auxiliary contacts. Anordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein plättchenförmiges Substrat (16), das auf einer ersten Hauptfläche (18) eine Metallschicht (22) zum Ableiten der Verlustwärme des Leistungshalbleitermoduls an das Kühlbauteil (14) aufweist und das auf der gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (20) mit einer Leiterbahnstruktur (24) ausgebildet ist, an der die Leistungshalbleiter-Bauelemente (26) und Anschlusselemente (30) für die Last- und Hilfskontakte vorgesehen sind, wobei vom Außenrandabschnitt (34) der zweiten Hauptfläche (20) des plättchenförmigen Substrats (16) der Gehäuserahmen (36) weg steht, und die Anschlusselemente (30) für die Last- und Hilfskontakte mit Kontaktabschnitten (42) aus dem Gehäuserahmen (36) vorstehen.Arrangement according to claim 1, characterized by a platelet-shaped substrate ( 16 ) on a first main surface ( 18 ) a metal layer ( 22 ) for deriving the heat loss of the power semiconductor module to the cooling component ( 14 ) and that on the opposite second main surface ( 20 ) with a conductor track structure ( 24 ) is formed, on which the power semiconductor components ( 26 ) and connection elements ( 30 ) are provided for the load and auxiliary contacts, wherein from the outer edge portion ( 34 ) of the second main surface ( 20 ) of the platelet-shaped substrate ( 16 ) of the housing frame ( 36 ), and the connection elements ( 30 ) for the load and auxiliary contacts with contact sections ( 42 ) from the housing frame ( 36 ) protrude. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das plättchenförmige Substrat (16) eine mindestens annähernd quadratische Grundfläche und der Gehäuserahmen (36) daran angepasste Grundflächenabmessungen aufweist.Arrangement according to claim 2, characterized in that the platelet-shaped substrate ( 16 ) an at least approximately square base and the housing frame ( 36 ) has adapted footprint dimensions. Anordnung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Gehäuserahmen (36) an seiner vom plättchenförmigen Substrat (16) abgewandten Stirnfläche (44) mit Abstandselementen (46) für eine Leiterplatte (12) ausgebildet ist, die gleich lang wie oder die kürzer sind als die aus dem Gehäuserahmen (36) vorstehenden Kontaktabschnitte (42) der Anschlusselemente (30) für die Last- und Hilfskontakte.Arrangement according to claim 2 or 3, characterized in that the housing frame ( 36 ) at its from the platelet-shaped substrate ( 16 ) facing away from the end face ( 44 ) with spacers ( 46 ) for a printed circuit board ( 12 ) is formed, which are the same length as or shorter than that from the housing frame ( 36 ) above contact sections ( 42 ) of the connection elements ( 30 ) for the load and auxiliary contacts. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterplatten-Abstandselemente (46) an den Ecken (52) des Gehäuserahmens (36) ausgebildet sind.Arrangement according to claim 4, characterized in that the printed circuit board spacer elements ( 46 ) at the corners ( 52 ) of the housing frame ( 36 ) are formed. Anordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das plättchenförmige Substrat (16) mit seiner wärmeableitenden Metallschicht (22) mittels einer Wärmeleitkleberschicht (54) mit dem Kühlbauteil (14) verbunden ist.Arrangement according to one of claims 2 to 5, characterized in that the platelet-shaped substrate ( 16 ) with its heat-dissipating metal layer ( 22 ) by means of a Wärmeleitkleberschicht ( 54 ) with the cooling component ( 14 ) connected is. Anordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das plättchenförmige Substrat (16) mit seiner wärmeableitenden Metallschicht (22) mittels des Druckkörpers (56) gegen das Kühlbauteil (14) gepresst ist, wobei der Druckkörper (56) an der vom plättchenförmigen Substrat (16) abgewandten Stirnfläche (44) des Gehäuserahmens (36) anliegt und auf gegenüberliegenden Seiten (58) Ansätze (60) aufweist, die mit Durchgangslöchern (62) für Befestigungselemente (64) ausgebildet sind, mittels welchen der Druckkörper (56) und mit diesem das Leistungshalbleitermodul (10) an dem Kühlbauteil (14) befestigt ist.Arrangement according to one of claims 2 to 5, characterized in that the platelet-shaped substrate ( 16 ) with its heat-dissipating metal layer ( 22 ) by means of the pressure hull ( 56 ) against the cooling component ( 14 ) is pressed, wherein the pressure body ( 56 ) on the platelet-shaped substrate ( 16 ) facing away from the end face ( 44 ) of the housing frame ( 36 ) and on opposite sides ( 58 ) Approaches ( 60 ) having through holes ( 62 ) for fasteners ( 64 ) are formed, by means of which the pressure body ( 56 ) and with this the power semiconductor module ( 10 ) on the cooling component ( 14 ) is attached. Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Druckkörper (56) mit Durchgangslöchern (70) für die Last- und Hilfskontakt-Anschlusselemente (30) ausgebildet ist.Arrangement according to claim 7, characterized in that the pressure body ( 56 ) with through holes ( 70 ) for the load and auxiliary contact connection elements ( 30 ) is trained.
DE102006008807A 2006-02-25 2006-02-25 Arrangement with a power semiconductor module and a cooling component Expired - Fee Related DE102006008807B4 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006008807A DE102006008807B4 (en) 2006-02-25 2006-02-25 Arrangement with a power semiconductor module and a cooling component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006008807A DE102006008807B4 (en) 2006-02-25 2006-02-25 Arrangement with a power semiconductor module and a cooling component

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102006008807A1 DE102006008807A1 (en) 2007-09-06
DE102006008807B4 true DE102006008807B4 (en) 2010-10-14

Family

ID=38329067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102006008807A Expired - Fee Related DE102006008807B4 (en) 2006-02-25 2006-02-25 Arrangement with a power semiconductor module and a cooling component

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102006008807B4 (en)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008033852B3 (en) * 2008-07-19 2009-09-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Power semiconductor module arrangement, has power semiconductor module with two fixing elements e.g. locking-centering-fasteners, formed such that fixing elements limit movement of substrate towards lower side of housing
DE102008034068B4 (en) * 2008-07-22 2019-07-18 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg The power semiconductor module
DE102008034148B4 (en) * 2008-07-22 2011-08-25 Infineon Technologies AG, 85579 Power semiconductor module system and method for producing a power semiconductor device
DE102008048005B3 (en) 2008-09-19 2010-04-08 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module arrangement and method for producing a power semiconductor module arrangement
DE102013214620A1 (en) * 2013-07-26 2015-01-29 Itz Innovations- Und Technologiezentrum Gmbh Stripper plate
US9305874B2 (en) 2014-04-13 2016-04-05 Infineon Technologies Ag Baseplate for an electronic module and method of manufacturing the same
WO2016005088A1 (en) 2014-07-09 2016-01-14 Abb Technology Ag Semiconductor module with a spring-loaded base plate
DE102015221062B4 (en) * 2015-10-28 2020-04-23 Vincotech Gmbh SEMICONDUCTOR CIRCUIT ARRANGEMENT WITH PRESSED GEL AND ASSEMBLY METHOD
DE102016223477A1 (en) * 2016-11-25 2018-05-30 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Circuit arrangement with power transistor and method for mounting a power transistor
CN108231706B (en) * 2017-12-27 2020-12-29 全球能源互联网研究院有限公司 Power semiconductor device packaging structure and packaging method
EP3929973B1 (en) 2020-06-22 2022-10-26 Infineon Technologies AG A power semiconductor module and a method for producing a power semiconductor module
DE102021203704A1 (en) 2021-04-14 2022-10-20 Zf Friedrichshafen Ag Half bridge, power module and inverter for an electric drive of an electric vehicle or a hybrid vehicle

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4574162A (en) * 1982-03-26 1986-03-04 Kaufman Lance R Compact circuit package with improved construction for clamping to enhance heat transfer
DE3508456A1 (en) * 1985-03-09 1986-09-11 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Power semiconductor module
GB2238167A (en) * 1989-11-16 1991-05-22 Int Rectifier Corp Insulated gate bipolar transistor power module
DE10139287A1 (en) * 2001-08-09 2003-03-13 Bombardier Transp Gmbh Semiconductor module
DE10149886A1 (en) * 2001-10-10 2003-04-30 Eupec Gmbh & Co Kg The power semiconductor module
DE10316355B3 (en) * 2003-04-10 2004-07-01 Semikron Elektronik Gmbh Flexible spring-loaded outer contact system for semiconductor module carrying heavy load has housing with frame members at sides carrying contact points for contact springs
DE10326176A1 (en) * 2003-06-10 2005-01-05 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH The power semiconductor module

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4574162A (en) * 1982-03-26 1986-03-04 Kaufman Lance R Compact circuit package with improved construction for clamping to enhance heat transfer
DE3508456A1 (en) * 1985-03-09 1986-09-11 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Power semiconductor module
GB2238167A (en) * 1989-11-16 1991-05-22 Int Rectifier Corp Insulated gate bipolar transistor power module
DE10139287A1 (en) * 2001-08-09 2003-03-13 Bombardier Transp Gmbh Semiconductor module
DE10149886A1 (en) * 2001-10-10 2003-04-30 Eupec Gmbh & Co Kg The power semiconductor module
DE10316355B3 (en) * 2003-04-10 2004-07-01 Semikron Elektronik Gmbh Flexible spring-loaded outer contact system for semiconductor module carrying heavy load has housing with frame members at sides carrying contact points for contact springs
DE10326176A1 (en) * 2003-06-10 2005-01-05 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH The power semiconductor module

Also Published As

Publication number Publication date
DE102006008807A1 (en) 2007-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006008807B4 (en) Arrangement with a power semiconductor module and a cooling component
DE102007057533B4 (en) Heat sink, method for manufacturing a heat sink and printed circuit board with heat sink
EP1648744B1 (en) Electronic unit and method for manufacturing an electronic unit
DE102009031388B4 (en) Electronic carrier device
EP0854666A2 (en) Control device comprising at least two housing parts
DE4218112B4 (en) Electrical apparatus, in particular switching and control apparatus for motor vehicles
DE19532992A1 (en) Single sided electronic component mounting conductor plate device, e.g. surface mounted device
DE4332115B4 (en) Arrangement for cooling at least one heat sink printed circuit board
DE19722357C1 (en) Control unit
WO1995011580A1 (en) Circuit-board device
DE102014102899A1 (en) Power semiconductor assembly and module
EP3841854B1 (en) Method for mounting an electrical device
DE102008015785B4 (en) Electronic substrate mounting structure
EP2006910B1 (en) Power electronics module
DE102005026233B4 (en) Electric power module
DE202016101292U1 (en) Power semiconductor device
EP0652694B1 (en) Control apparatus for vehicle
EP0751562B1 (en) Thermally conducting fastening of an electronic power device to a printed circuit board with a heat dissipator
DE10217214B4 (en) Cooling arrangement for a circuit arrangement
DE10249331A1 (en) Heat sink device for electrical component, has one-piece heat sink body with Cu contact element and metal cooling element
DE112007002337T5 (en) Electrical circuit assembly for high power electronics
DE102008034068B4 (en) The power semiconductor module
DE102016107249B4 (en) Printed circuit board with a recess for an electrical component, system with the printed circuit board and method for manufacturing the printed circuit board
EP1864557B1 (en) Method for producing an electronic appliance, and corresponding electronic appliance
DE102006001188A1 (en) Arrangement for cooling power components on printed circuit boards and method for producing the same

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee