DE102006006424A1 - Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil und zugehöriges Herstellungsverfahren - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010137 moulding (plastic) Methods 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLJCFNUYUJEXET-UHFFFAOYSA-K aluminum;trinitrite Chemical compound [Al+3].[O-]N=O.[O-]N=O.[O-]N=O QLJCFNUYUJEXET-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000009421 internal insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/2039—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
- H05K7/20436—Inner thermal coupling elements in heat dissipating housings, e.g. protrusions or depressions integrally formed in the housing
- H05K7/2049—Pressing means used to urge contact, e.g. springs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/2089—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
- H05K7/209—Heat transfer by conduction from internal heat source to heat radiating structure
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0263—High current adaptations, e.g. printed high current conductors or using auxiliary non-printed means; Fine and coarse circuit patterns on one circuit board
Abstract
Die Erfindung beschreibt eine Anordnung mit zugehörigem Herstellungsverfahren mit einem Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung und einem Kühlbauteil. Hierbei sind Lastanschlusselemente jeweils als Metallformkörper mit einem bandartigen Abschnitt und mit jeweils von diesem ausgehenden Kontaktfüßen ausgebildet. Der bandartige Abschnitt ist jeweils parallel zur Substratoberfläche und von dieser beabstand angeordnet. Die Kontaktfüße reichen von den bandartigen Abschnitten zu den Leiterbahnen des Substrats und kontaktieren diese. Das Kühlbauteil, das Gehäuse und die Druckplatte bilden eine erste Einheit, die mechanisch gekoppelt ist von der zweiten Einheit, gebildet aus Substrat und Lastanschlusselementen.
Description
- Die Erfindung beschreibt eine Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung und mit einem Kühlbauteil sowie ein zugehöriges Herstellungsverfahren. Einen Ausgangspunkt der Erfindung bilden Leistungshalbleitermodule wie sie beispielhaft aus der
DE 197 19 703 A1 bekannt sind. - Derartige Leistungshalbleitermodule bestehen nach dem Stand der Technik aus einem Gehäuse mit mindestens einem darin angeordneten elektrisch isolierenden Substrat vorzugsweise zur direkten Montage auf einem Kühlbauteil. Das Substrat seinerseits besteht aus einem Isolierstoffkörper mit einer Mehrzahl darauf befindlicher gegeneinander isolierter metallischer Verbindungsbahnen und hierauf befindlichen und mit diesen Verbindungsbahnen schaltungsgerecht verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen. Weiterhin weisen die bekannten Leistungshalbleitermodule Anschlusselemente für externe Last- und Hilfsanschlüsse sowie im Inneren angeordnete Verbindungselemente auf. Diese Verbindungselemente für schaltungsgerechte Verbindungen im Inneren des Leistungshalbleitermoduls sind meist als Drahtbondverbindungen ausgebildet.
- Ebenfalls bekannt sind Druck kontaktierte Leistungshalbleitermodule, wie sie aus der
DE 42 37 632 A1 , derDE 199 03 875 A1 oder derDE 101 27 947 C1 bekannt sind. Bei erstgenannter Druckschrift weist die Druckeinrichtung ein stabiles, vorzugsweise metallisches, Druckelement zum Druckaufbau, ein elastisches Kissenelement zur Druck Speicherung und ein Brückenelement zur Druckeinleitung auf gesonderte Bereiche der Substratoberfläche auf. Das Brückenelement ist vorzugsweise ausgestaltet als ein Kunststoffformkörper mit einer dem Kissenelement zugewandten Fläche, von der eine Vielzahl von Druckfingern in Richtung der Substratoberfläche ausgeht. - Mittels einer derartigen Druckeinrichtung wird das Substrat auf ein Kühlbauteil gedrückt und somit der Wärmeübergang zwischen dem Substrat und dem Kühlbauteil dauerhaft sicher hergestellt. Das elastische Kissenelement dient hierbei der Aufrechterhaltung konstanter Druckverhältnisse bei unterschiedlichen thermischen Belastungen und über den gesamten Lebenszyklus des Leistungshalbleitermoduls.
- Die
DE 199 03 875 A1 bildet das bekannte Druckelement derart weiter, dass es einerseits ein besonders vorteilhaftes Verhältnis aus Gewicht und Stabilität aufweist und andererseits elektrisch isolierte Durchführungen aufweist. Hierzu ist das Druckelement als ein Kunststoffformkörper mit innen liegender Metallseele ausgebildet. Diese Metallseele weist Ausnehmungen für die Durchführung von Anschlusselementen, vorzugsweise Hilfsanschlusselementen in Federkontaktausführung, auf. Der Kunststoffformkörper umschließt diese Ausnehmungen derart, dass die Hilfsanschlusselemente mittels des Kunststoffformkörpers elektrisch von der Metallseele isoliert sind. - Es sind auch weitergebildete Druckelemente bekannt, die an ihrer dem Substrat zugewandten Oberfläche eine Vielzahl von Druckfingern aufweisen. Vorzugsweise weist hierbei die Metallseele noch eine voreingestellte Durchbiegung auf. In der Kombination beider Maßnahmen kann ein derartiges Druckelement die gesamte Funktionalität einer oben genannten Druckeinrichtung bereitstellen.
- Aus der
DE 101 57 947 C1 ist ein Leistungshalbleitermodul bekannt, wobei die Lastanschlusselemente derart ausgebildet sind, dass sie in Abschnitten eng benachbart senkrecht zur Substratoberfläche verlaufen und von dort ausgehende Kontaktfüße aufweisen, die den elektrischen Kontakt zu den Leiterbahnen herstellen und gleichzeitig Druck auf das Substrat ausüben und somit dessen thermischen Kontakt zu einem Kühlbauteil herstellen. Der Druck wird hierbei mit Mitteln nach dem Stand der Technik eingeleitet und gespeichert. - Aus der
DE 10 2004 021 927 A1 ist ein Verfahren zur inneren Isolation von Leistungshalbleitermodulen bekannt, wobei diese im Gegensatz zum vorbekannten Stand der Technik nicht bis zu einer definierten Füllhöhe mit einem isolierenden Silikongel verfüllt sind. Im Gegensatz dazu wird hier ein Verfahren zur Beschichtung der zu isolierenden Bauteile und Verbindungselemente vorgestellt, welches eine erhebliche Menge an Silikongel einspart. - Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde eine Anordnung und ein zugehöriges Herstellungsverfahren für diese Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung vorzustellen, wobei eine beliebige auch thermische Ausdehnungen des Substrats nicht auf das Gehäuse des Leistungshalbleitermoduls übertragen wird.
- Die Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst, durch die Maßnahmen der Merkmale der Ansprüche 1 und 7. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen beschrieben.
- Der erfinderische Gedanke geht aus von einer Anordnung eines Leistungshalbleitermoduls in Druckkontaktausführung auf einem Kühlbauteil mit mindestens einem Substrat, mindestens zwei hierauf angeordneten steuerbaren Leistungshalbleiterbauelementen, beispielhaft bipolaren Transistoren, einem Gehäuse und nach außen führenden Last- und Steueranschlusselementen. Das Substrat selbst weist einen Isolierstoffkörper auf und auf dessen erster, dem Inneren des Leistungshalbleitermoduls zugewandten Hauptfläche Leiterbahnen mit Lastpotential. Weiterhin weist das Substrat vorzugsweise auch mindestens eine Leiterbahn mit Steuerpotential zu Ansteuerung der Leistungshalbleiterbauelemente auf.
- Das Leistungshalbleitermodul weist weiterhin Lastanschlusselemente jeweils ausgebildet als Metallformkörper mit einem bandartigen Abschnitt und mit einer Mehrzahl von diesem ausgehenden Kontaktfüßen auf. Die jeweiligen bandartige Abschnitte sind parallel zur Substratoberfläche und von dieser beabstandet angeordnet. Die Kontaktfüße, die von dem bandartigen Abschnitt ausgehen reichen zum Substrat und bilden dort schaltungsgerecht die Kontakte der Lastanschlüsse aus. Vorzugsweise kontaktieren sie hierzu auf dem Substrat die Leiterbahnen mit Lastpotential, alternativ auch direkt die Leistungshalbleiterbauelemente.
- Weiterhin kann zwischen den bandartigen Abschnitt der Lastanschlusselemente, die hierbei vorzugsweise einen Stapel ausbilden, und dem Substrat ein Isolierstoffformkörper angeordnet sein. Dieser Isolierstoffformkörper weist Ausnehmungen zur Durchführung der Kontaktfüße auf. Der Isolierstoffformkörper bildet hierbei vorzugsweise eine vollständig geschlossene Fläche aus, die ausschließlich Ausnehmungen für elektrische Anschlusselemente aufweist. Es kann weiterhin bevorzugt sein, wenn der Isolierstoffformkörper noch Ausnehmungen für Befestigungseinrichtungen des Leistungshalbleitermoduls auf dem Kühlbauteil aufweist.
- Das Gehäuse des Leistungshalbleitermoduls ist erfindungsgemäß fest mit dem Kühlbauteil verbunden. Ebenso ist die Druckplatte mechanisch fest mit dem Gehäuse verbunden. Somit bilden das Kühlbauteil, das Gehäuse und die Druckplatte eine erste Einheit der Anordnung aus. Das mindestens eine Substrat ist derart in dem rahmenartigen Gehäuse angeordnet, dass es sich beispielhaft durch thermische Einflüsse in engen Grenzen darin bewegen kann. Ebenso wenig weisen die Last- und Hilfsanschlusselemente starre Verbindungen mit dem Gehäuse auf. Diese können sich in allen Führungen gegenüber dem Gehäuse bewegen. Da die Druckeinleitung mittels des elastischen Druckspeichers erfolgt ist auch hier keine starre Verbindung gegeben. Somit ist die erste Einheit erfindungsgemäß von der zweiten Einheit gebildet aus dem mindestens einen Substrat und den Last- und Hilfsanschlusselementen mechanisch entkoppelt.
- Die Bewegungsfreiheit der zweiten innerhalb der ersten Einheit der erfinderischen Anordnung aus mindestens eine Leistungshalbleitermodul auf einem Kühlbauteil weist den wesentlichen Vorteil auf, dass beispielhaft durch thermische Einflüsse eingeprägte Bewegungen des Substrats nicht auf das Gehäuse des Leistungshalbleitermoduls übertragen werden.
- Das zugehörige Verfahren zur Herstellung einer oben genannten Anordnung weist die folgenden wesentlichen Schritte auf:
- • Anordnen der Lastanschlusselemente mit geeigneter elektrischer Isolierung gegeneinander im Gehäuse des Leistungshalbleitermoduls.
- • Anordnen des Druckspeichers oberhalb der Lastanschlusselemente.
- • Vorläufige Arretierung der Druckplatte auf dem Druckspeicher an oder im Gehäuse.
- • Anordnen mindestens eines mittels einer Isolierstoffmasse elektrisch isolierten Substrats mit hierauf angeordneten und schaltungsgerecht verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen in einer zugeordneten Ausnehmung des Gehäuses, wobei die Isolierstoffmasse eine haftenden Verbindung zwischen dem Substrat und dem Gehäuse bildet.
- • Anordnen mindestens eines Leistungshalbleitermoduls auf dem Kühlbauteil und Befestigung dessen Gehäuses auf dem Kühlbauteil.
- • Druckeinleitung auf das Leistungshalbleitermodul über den Druckspeicher auf die Lastanschlusselemente und deren Kontaktfüße auf das mindestens eine Substrat zu dessen thermischen Kontaktierung mit dem Kühlbauteil durch Verschrauben der Druckplatte mit dem Gehäuse und/oder dem Kühlbauteil.
- Die Hilfsanschlusselemente werden zwischen zwei beliebigen Schritten vor Anordnung der Druckplatte in dafür vorgesehenen Führungen angeordnet. Weiterhin kann es besonders bevorzugt sein eine vorläufige Arretierung der Druckplatte auf dem Druckspeicher im Gehäuse mittels einer Schnapp-Rast-Verbindung zwischen der Druckplatte und dem Gehäuse auszuführen. Ebenso bevorzugt ist es die Isolierstoffmasse zuerst raupenartig um die Randbereiche des jeweiligen Substrats aufzubringen und anschließend den im Inneren der Raupe liegende Bereich zu vergießen.
- Die erfinderische Lösung wird an Hand der Ausführungsbeispiele der
1 und2 weiter erläutert. -
1 zeigt einen Schnitt durch eine erfindungsgemäße Anordnung eines Leistungshalbleitermoduls mit einem Kühlbauteil. -
2 zeigt in dreidimensionaler Darstellung einen Schnitt durch eine zweite Einheit einer erfindungsgemäßen Anordnung. -
1 zeigt einen Schnitt durch eine Anordnung eines Leistungshalbleitermoduls (1 ). Dieses weist ein Gehäuse (3 ) mit einen rahmenartigen Gehäuseteil auf, der fest mit dem Kühlbauteil (2 ) der Anordnung verbunden ist. Der rahmenartige Gehäuseteil umschließt hierbei das mindestens eine Substrat (5 ). Dieses wiederum weist einen Isolierstoffkörper (52 ), vorzugsweise eine Isolierkeramik, wie Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrit auf. - Auf der, dem Inneren des Leistungshalbleitermoduls (
1 ) zugewandten, ersten Hauptfläche weist das Substrat (5 ) eine in sich strukturierte Metallkaschierung auf. Die einzelnen Abschnitte dieser vorzugsweise als Kupferkaschierung ausgestalteten Metallkaschierung bilden hierbei die Leiterbahnen (54 ) des Leistungshalbleitermoduls (1 ) aus. Die zweite Hauptfläche des Substrats (5 ) weist gemäß dem Stand der Technik eine nicht strukturierte Kupferkaschierung (58 ) auf. - Auf den Leiterbahnen (
54 ) des Substrats (5 ) sind steuerbare und/oder ungesteuerte Leistungshalbleiterbauelemente (60 ) wie beispielhaft IGBTs (insulated gate bipolar Transistor) mit jeweils antiparallel geschalteten Freilaufdioden, oder MOS-FETs angeordnet. Diese sind schaltungsgerecht mit weiteren Leiterbahnen (54 ), beispielhaft mittels Drahtbondverbindungen (62 ), verbunden. - Die Lastanschlusselemente (
40 ,42 ,44 ) mit den verschiedenen notwendigen Potentialen dienen der externen Verbindung der leistungselektronischen Schaltung im Inneren des Leistungshalbleitermoduls (1 ). Hierzu sind die Lastanschlusselemente (40 ,42 ,44 ) als Metallformkörper ausgebildet, die je einen bandartigen Abschnitt (402 ,422 ,442 ) parallel zur Substratoberfläche aufweisen. Die bandartigen Abschnitte (402 ,422 ,442 ) bilden hierbei einen Stapel, wobei die bandartigen Abschnitte der einzelnen Lastanschlusselemente (40 ,42 ,44 ) ausschließlich durch eine notwendige Isolierung, beispielhaft in Form einer Kunststofffolie (46 ), voneinander beabstandet sind. Notwendige Hilfsanschlusselemente sind aus Gründen der Übersichtlichkeit in dieser Schnittzeichnung nicht dargestellt. - Vorzugsweise weist das erfindungsgemäße Leistungshalbleitermodul (
1 ) eine als Isolierstoffformkörper (30 ) ausgebildete Zwischenlage zwischen dem Stapel der bandartigen Abschnitte (402 ,422 ,442 ) der Lastanschlusselemente (40 ,42 ,44 ) und dem Substrat (5 ) auf. Dieser Isolierstoffformkörper (30 ) ist in dieser Ausgestaltung in dem rahmenartigen Gehäuse (3 ) mittels einer Schnapp-Rast-Verbindung (90 ) angeordnet. - Der Isolierstoffformkörper (
30 ) weist seinerseits Ausnehmungen (32 ) zur Durchführung der Kontaktfüße (400 ,420 ,440 ) der Lastanschlusselemente (40 ,42 ,44 ) auf. Es ist besonders bevorzugt, wenn diese Ausnehmungen (32 ) als Führungen für diese Kontaktfüße (400 ,420 ,440 ) ausgebildet sind, wodurch die Positionierung der Lastanschlusselemente (40 ,42 ,44 ) relativ zum Substrat (5 ) bzw. dessen Leiterbahnen (54 ) nochmals gegenüber einer Anordnung mit einfachen Ausnehmungen verbessert wird. Erfindungsgemäß weisen diese Ausnehmungen (32 ) in jeglicher lateraler Richtung eine Breite auf, die geeignet ist eine Führung der Kontaktfüße (400 ,420 ,440 ) sicherzustellen und andererseits deren laterale Bewegung bis zu mindestens 0,2 mm, vorzugsweise bis zu 0,3 mm, zu gewährleisten. - Die Druckeinrichtung (
70 ) zur thermischen Verbindung des Leistungshalbleitermoduls (1 ) mit einem Kühlbauteil (2 ) und gleichzeitig zur elektrischen Kontaktierung der Lastanschlusselemente (40 ,42 ,44 ) mit den Leiterbahnen (54 ) des Substrats (5 ) wird gebildet durch ein Druckelement (72 ) zum Druckaufbau sowie, ein elastisches Kissenelement als Druckspeicher (74 ). Der Druck wird über das Kissenelement (74 ) auf den Stapel aus den bandartigen Abschnitten (402 ,422 ,442 ) der Lastanschlusselemente (40 ,42 ,44 ) eingeleitet und übt somit Druck auf die Kontaktfüße (400 ,420 ,440 ) aus. Hierdurch werden diese elektrisch leitend mit Leiterbahnen (54 ) des Substrats (5 ) verbunden. - Derartige Druckkontaktierungen (
70 ) haben sich über die Lebensdauer von Leistungshalbleitermodulen (1 ) als besonders kontaktsicher erwiesen. Weiterhin vorteilhaft für die Druckkontaktierung ist die Ausbildung der Ausnehmungen (32 ) des Isolierstoffformkörpers (32 ) als Führungen bzw. Schächte (34 ), da hierdurch die Positionierung der Kontaktfüße (400 ,420 ,440 ) besonders genau ist. - Das Druckelement (
72 ) kann gemäß dem Stand der Technik als Kunststoffformkörper mit geeigneter, beispielhaft als Bimetall ausgebildeter, innen liegender Metallseele und äußeren Versteifungsstrukturen (76 ) ausgeführt sein. Es ist weiterhin bevorzugt, wenn das Druckelement (72 ) gleichzeitig als Deckel des Leistungshalbleitermoduls (1 ) dient. - Die erste Einheit der Anordnung wird hier gebildet durch das Kühlbauteil (
2 ), das Gehäuse (3 ) und das Druckelement (72 ). Die Teile dieser Einheit sind fest miteinander verbundenen. Die zweite Einheit wird hier gebildet aus dem Substrat (5 ) mit den schaltungsgerecht verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen (60 ) und den Lastanschlusselementen (40 ,42 ,44 ). Die beiden Einheiten weisen keine mechanisch starre Verbindung zueinander auf, vielmehr kann die zweite Einheit sich in jede laterale Richtung mindestens 0,2 mm, vorzugsweise 0,3 mm, innerhalb der ersten Einheit bewegen. -
2 zeigt in dreidimensionaler Darstellung einen Schritt durch eine zweite Einheit einer erfindungsgemäßen Anordnung. Diese weist zwei Substrate (5 ) mit hierauf angeordneten und schaltungsgerecht mittels nicht dargestellter Bondverbindungen verbunden Leistungshalbleiterbauelementen (60 ,64 ) auf. Die dargestellte Schaltung ist eine Halbbrückenschaltung mit einer Mehrzahl die jeweiligen ersten und zweiten Schalter bildenden parallel geschalteten bipolaren Transistoren (60 ,64 ). Ebenfalls weist die Schaltung die notwendigen Freilaufdioden (64 ) auf. Die ersten und zweiten Schalter der Halbbrückenschaltung sind hierbei jeweils hälftig auf zwei identische Substrate (5 ) verteilt. - Die Lastanschlusselemente (
40 ,42 ,44 ) dieser zweiten Einheit einer erfindungsgemäßen Anordnung und deren Position zu den Substraten (5 ) ist ebenfalls dargestellt. Aus Gründen der Übersichtlichkeit sind die isolierenden Kunststofffolien zwischen den einzelnen Lastanschlusselementen (40 ,42 ,44 ) nicht dargestellt. - Die Lastanschlusselemente (
40 ,42 ,44 ) weisen eine Mehrzahl von Kontaktfüßen (400 ,420 ,440 ) auf, die von den zugeordneten bandartigen Abschnitten (402 ,422 ,442 ) des jeweiligen Lastanschlusselements (40 ,42 ,44 ) ausgehen. Jeweils eine Mehrzahl von Kontaktfüßen (400 ,420 ,440 ) gleicher Polarität kontaktieren hierbei die zugeordneten Leiterbahnen (54 ) der jeweiligen Polarität. Die dauerhaft kontaktsichere elektrische Verbindung wird mittels der oben beschriebenen und hier nicht dargestellten Druckeinrichtung (70 ) ausgebildet. - Dargestellt sind weiterhin Ausnehmung (
406 ,426 ,446 ) des Stapels aus Lastanschlusselementen (40 ,42 ,44 ), die vorgesehen sind für die Anordnung der Hilfsanschlusselemente. Es ist besonders bevorzugt, wenn alle Hilfsanschlusselemente in Längsrichtung des Leistungshalbleitermoduls (1 ) mittig angeordnet sind. Demgemäß ist es vorteilhaft, wenn alle Hilfsanschlusselemente auf einem Längsabschnitt des Leistungshalbleitermoduls angeordnet sind, der maximal die Halbe Länge des Leistungshalbleitermoduls (1 ) aufweist. Weiterhin ist es besonders bevorzugt, wenn die Hilfsanschlusselemente als Schraubenfedern ausgebildet sind. - Weiterhin dargestellt ist ein mechanisch flexibler Abschnitt (
408 ) im Verlauf eines Lastanschlusselements, hier des Wechselstromanschlusses (40 ) des Leistungshalbleitermoduls (1 ). Dieser flexible Abschnitt (408 ) ist angeordnet zwischen dem bandartigen Abschnitt (402 ) oberhalb der Substrate (5 ) und einer zugeordneten Kontakteinrichtung (404 ) zur externen elektrischen Verbindung der Anordnung. - Die Ausbildung diese mechanisch flexiblen Abschnitts (
408 ) ist hier als Kupfergewebe, ausgeführt, wie es für flexible Laststromverbindungen außerhalb eines Leistungshalbleitermoduls bekannt ist. Dieses Kupfergewebe ist mit der Kontakteinrichtung (404 ) und einer Fortsetzung des bandartigen Abschnitts (402 ) schweißtechnisch verbundenen. - Alternative zu diesem flexiblen Abschnitt (
408 ) wird die laterale Bewegungsfreiheit der zweiten Einheit von mindestens zwei Zehntel Millimeter im Gehäuse mittels geeignete geführter Kontakteinrichtungen (424 ,444 ) der Lastanschlusselemente hier dargestellt der Gleichstromverbindungen (42 ,44 ) erzielt.
Claims (9)
- Anordnung mindestens eines Leistungshalbleitermoduls (
1 ) in Druckkontaktausführung auf einem Kühlbauteil (50 ), wobei das Leistungshalbleitermodul mindestens ein Substrat (5 ), mindestens zwei hierauf angeordnete Leistungshalbleiterbauelemente (60 ,64 ), ein Gehäuse (3 ), nach außen führenden Last- (40 ,42 ,44 ) und Steueranschlusselementen und eine formstabilen Druckplatte (72 ) und einen elastischen Druckspeicher (74 ) aufweisenden Druckeinrichtung (70 ) aufweist, wobei das Substrat (5 ) einen Isolierstoffkörper (52 ) aufweist und auf dessen erster dem Inneren des Leistungshalbleitermoduls (1 ) zugewandten Hauptfläche Leiterbahnen (54 ) mit Lastpotential angeordnet sind und wobei die Lastanschlusselemente (40 ,42 ,44 ) jeweils als Metallformkörper mit einem bandartigen Abschnitt (402 ,422 ,442 ) und mit jeweils von diesem ausgehenden Kontaktfüßen (400 ,420 ,440 ) ausgebildet sind, der bandartige Abschnitt parallel zur Substratoberfläche und von dieser beabstandet angeordnet sind und die Kontaktfüße (400 ,420 ,440 ) von dem bandartigen Abschnitt (402 ,422 ,442 ) zu den Leiterbahnen (54 ) des Substrat (5 ) reichen und diese kontaktieren, und wobei das Kühlbauteil (2 ), das Gehäuse (3 ) und die Druckplatte (72 ) eine erste Einheit bilden, die mechanisch entkoppelt ist von der zweiten Einheit gebildet aus Substrat (5 ) und Lastanschlusselementen (40 ,42 ,44 ). - Anordnung nach Anspruch 1 wobei Hilfsanschlusselemente in Längsrichtung des Leistungshalbleitermoduls (
1 ) mittig angeordnet sind und der zugeordnete Längsabschnitt des Leistungshalbleitermoduls (1 ) maximal die Halbe Länge des Leistungshalbleitermoduls (1 ) aufweist. - Anordnung nach Anspruch 1, wobei die Lastanschlusselemente (
40 ,42 ,44 ) des Leistungshalbleitermoduls (1 ) zwischen dem bandartigen Abschnitt (402 ,422 ,442 ) oberhalb des Substrats (5 ) und einer jeweiligen Kontakteinrichtung (404 ,424 ,444 ) zur externen Verbindung einen mechanisch flexiblen Abschnitt (408 ) aufweisen. - Anordnung nach Anspruch 3, wobei der mechanisch flexible Abschnitt (
40 ) als Kupfergewebe ausgebildet ist. - Anordnung nach Anspruch 4, wobei das Kupfergewebe schweißtechnisch mit dem zugeordneten Lastanschlusselement (
40 ,42 ,44 ) verbundenen ist. - Anordnung nach einem der vorgenannten Ansprüche, wobei das jeweilige Substrat (
5 ) eine laterale Bewegungsfreiheit von mindestens zwei Zehntel Millimeter im Gehäuse (3 ) aufweist. - Verfahren zur Herstellung einer Anordnung nach Anspruch 1 gekennzeichnet durch folgende Schritte: • Anordnen der Lastanschlusselemente (
40 ,42 ,44 ) mit geeigneter elektrischer Isolierung (46 ) gegeneinander im Gehäuse (3 ) des Leistungshalbleitermoduls (1 ); • Anordnen des Druckspeichers (74 ) oberhalb der Lastanschlusselemente (40 ,42 ,44 ); • Vorläufige Arretierung der Druckplatte (72 ) auf dem Druckspeicher (74 ) an oder im Gehäuse (3 ); • Anordnen mindestens eines mittels einer Isolierstoffmasse elektrisch isolierten Substrats (5 ) mit hierauf angeordneten und schaltungsgerecht verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen (60 ,64 ) in der Ausnehmung des Gehäuses (3 ), wobei die Isolierstoffmasse eine haftenden Verbindung zwischen dem Substrat (5 ) und dem Gehäuse (3 ) bildet; • Anordnen mindestens eines Leistungshalbleitermoduls (1 ) auf dem Kühlbauteil (2 ) und Befestigung des Gehäuses (3 ) auf dem Kühlbauteil (1 ); • Druckeinleitung auf das Leistungshalbleitermodul (1 ) über die Druckplatte (72 ) und den Druckspeicher (74 ) auf die Lastanschlusselemente (40 ,42 ,44 ) und deren Kontaktfüße (400 ,420 ,440 ) auf das mindestens eine Substrat (5 ) zu dessen thermischer Kontaktierung mit dem Kühlbauteil (2 ) durch Verschrauben der Druckplatte (72 ) mit dem Gehäuse (3 ) und/oder dem Kühlbauteil (2 ); Die Hilfsanschlusselemente werden zwischen zwei beliebigen Schritten vor Anordnung der Druckplatte (72 ) in dafür vorgesehenen Führungen angeordnet. - Verfahren nach Anspruch 7 wobei die vorläufige Arretierung der Druckplatte (
72 ) auf dem Druckspeicher (74 ) im Gehäuse (3 ) mittels einer Schnapp-Rast-Verbindung zwischen der Druckplatte (72 ) und dem Gehäuse (3 ) erfolgt. - Verfahren nach Anspruch 7 wobei die Isolierstoffmasse zuerst raupenartig um die Randbereiche des Substrats (
5 ) aufgebracht wird und anschließend der im Inneren der Raupe liegende Bereich vergossen wird.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006006424A DE102006006424B4 (de) | 2006-02-13 | 2006-02-13 | Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil und zugehöriges Herstellungsverfahren |
EP07002032.6A EP1818982B1 (de) | 2006-02-13 | 2007-01-31 | Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil und zugehöriges Herstellungsverfahren |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006006424A DE102006006424B4 (de) | 2006-02-13 | 2006-02-13 | Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil und zugehöriges Herstellungsverfahren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102006006424A1 true DE102006006424A1 (de) | 2007-08-23 |
DE102006006424B4 DE102006006424B4 (de) | 2011-11-17 |
Family
ID=37966749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102006006424A Active DE102006006424B4 (de) | 2006-02-13 | 2006-02-13 | Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil und zugehöriges Herstellungsverfahren |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7592698B2 (de) |
EP (1) | EP1818982B1 (de) |
JP (1) | JP5114065B2 (de) |
DE (1) | DE102006006424B4 (de) |
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DE102016113152A1 (de) * | 2016-07-18 | 2018-01-18 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronische Schalteinrichtung und Leistungshalbleitermodul hiermit |
DE102016113152B4 (de) | 2016-07-18 | 2019-12-19 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronische Schalteinrichtung und Leistungshalbleitermodul hiermit |
DE102018129336A1 (de) | 2018-11-21 | 2020-05-28 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat und mit einem Lastanschlusselement |
DE102018129336B4 (de) | 2018-11-21 | 2021-07-08 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat und mit einem Lastanschlusselement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007221128A (ja) | 2007-08-30 |
JP5114065B2 (ja) | 2013-01-09 |
EP1818982A2 (de) | 2007-08-15 |
EP1818982A3 (de) | 2010-11-10 |
US20070194443A1 (en) | 2007-08-23 |
EP1818982B1 (de) | 2014-01-01 |
DE102006006424B4 (de) | 2011-11-17 |
US7592698B2 (en) | 2009-09-22 |
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