DE102004062992B4 - Switchable high-frequency MEMS element with movable switching element and method for its production - Google Patents
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Abstract
Schaltbares Hochfrequenz-MEMS-Element (10; 20; 30; 40; 50; 60; 70) mit einem Signalleiter (12), der aus einer Metallisierung gebildet ist, einem Substrat (11), auf dem der Signalleiter (12) angeordnet ist, und einem durch eine Metallisierung gebildeten Schaltelement (13), das getrennt vom Signalleiter (12) angeordnet ist und senkrecht zur Substratebene zwischen verschiedenen Schaltzuständen bewegbar ist, um die Impedanz des Hochfrequenz-MEMS-Elements zu verändern, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Metallisierung des Signalleiters (12) und des Schaltelements (13) in einem ersten Schaltzustand in einer einzigen Metallisierungsebene befinden und im Substrat (11) unterhalb des Signalleiters (12) und eines beweglichen Teils (13a) des Schaltelements (13) eine leitfähige Implantationszone (17) ausgebildet ist, über die eine vertikale kapazitive Kopplung mit dem Signalleiter (12) und eine vertikale kapazitive Kopplung mit dem beweglichen Teil (13a) des Schaltelements (13) erfolgt.A high frequency switchable MEMS device (10; 20; 30; 40; 50; 60; 70) having a signal conductor (12) formed from a metallization, a substrate (11) on which the signal conductor (12) is disposed , and a switching element (13) formed by a metallization, which is arranged separately from the signal conductor (12) and is movable perpendicular to the substrate plane between different switching states in order to change the impedance of the high-frequency MEMS element, characterized in that the metallization the signal conductor (12) and the switching element (13) are in a first switching state in a single metallization and in the substrate (11) below the signal conductor (12) and a movable part (13a) of the switching element (13) has a conductive implantation zone (17) is formed, via which a vertical capacitive coupling with the signal conductor (12) and a vertical capacitive coupling with the movable part (13 a) of the switching element (13).
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein schaltbares Hochfrequenz-MEMS-Element gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren zur Herstellung eines schaltbaren Hochfrequenz-MEMS-Elements gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 5.The present invention relates to a switchable high-frequency MEMS element according to the preamble of patent claim 1 and to a method for producing a switchable high-frequency MEMS element according to the preamble of patent claim 5.
MEMS-Schalter bzw. Schaltelemente in MEMS-Technologie (MEMS = Micro Electro Mechanical Systems) kommen in den verschiedensten Bereichen zur Anwendung, wie beispielsweise Automobilelektronik, Telekommunikation, Medizintechnik oder Messtechnik. Aufgrund Ihrer Miniaturisierung sind derartige, als mikroelektromechanisches System ausgestaltete Schaltelemente besonders auch für Raumfahrtanwendungen und Satellitensysteme geeignet. Insbesondere auch in Radarsystemen, Satellitenkommunikationssystemen, drahtlosen Kommunikationssystemen und Instrumentensystemen kommen Hochfrequenz-MEMS-Schalter zum Einsatz. Beispielsweise auch in Phasenantennenanlagen und bei Phasenschiebern für satellitenbasierte Radarsysteme werden Hochfrequenz-MEMS-Schalter benötigt.MEMS switches or switching elements in MEMS technology (MEMS = Micro Electro Mechanical Systems) are used in a wide variety of applications, such as automotive electronics, telecommunications, medical technology or metrology. Due to their miniaturization, such switching elements designed as microelectromechanical system are particularly suitable for space applications and satellite systems. In particular, in radar systems, satellite communication systems, wireless communication systems and instrument systems, high-frequency MEMS switches are used. For example, in phase antenna systems and phase shifters for satellite-based radar systems, high-frequency MEMS switches are required.
Aktive phasengesteuerte Antennen bestehen oftmals aus Tausenden von dicht gepackten Sende-/Empfangsmodulen. Die große Anzahl erforderlicher integrierter Schaltungen für Mikrowellen-Frequenzen (MMIC = Monolithic Microwave IC) führt in vielen Fällen zu hohen Kosten und zu einem hohen Energieverbrauch der Module. Der Energieverbrauch wiederum erfordert komplexe Architekturen zur Kühlung. Aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer guten Arbeitsweise und der geringen Kosten sind MMICs, die auf Hochfrequenz-MEMS-Schaltern basieren, ideale Schaltungen für phasengesteuerte Antennen und andere Hochfrequenz- und Mikrowellen-Systeme.Active phased array antennas often consist of thousands of densely packed transmit / receive modules. The large number of required integrated circuits for microwave frequencies (MMIC = Monolithic Microwave IC) leads in many cases to high costs and high power consumption of the modules. Energy consumption, in turn, requires complex cooling architectures. Due to their low power consumption, good operation and low cost, MMICs based on high frequency MEMS switches are ideal circuits for phased array antennas and other high frequency and microwave systems.
Hochfrequenz-MEMS-Schalter bieten eine Reihe von Vorteilen, wie z. B. einen äußerst geringen Stromverbrauch, eine gute Isolation bzw. geringe Störkapazitäten, eine geringe Einfügungsdämpfung bzw. geringe Einfügungsverluste und geringe Herstellungskosten.High-frequency MEMS switches offer a number of advantages, such as: As an extremely low power consumption, good isolation or low Störkapazitäten, low insertion loss or low insertion losses and low production costs.
In dem Artikel „RF-MEMS-Switches, Switch Circuits, and Phase Shifters, von Gabriel M. Rebeiz et al. in Revue HF No. 2/2001 werden MEMS-Schalter beschrieben, die im Hochfrequenzbereich eingesetzt werden, in einem Bereich zwischen 0,1 und 100 GHz. Diese MEMS-Schalter haben als mechanische Federn ausgestaltete freitragende Schaltarme, die durch elektrostatische Krafteinwirkung zum Öffnen oder Schließen eines Schaltkreises betätigt werden. Der freitragende Schaltarm bzw. Cantilever-Balken ist auf einem Substrat befestigt und wird durch eine Elektrode elektrostatisch angezogen, um einen Kontakt zu schließen. Ohne anliegende Spannung geht der Schaltarm durch elastische Rückstellkräfte in seine Ausgangsposition zurück und der Kontakt wird geöffnet.In the article "RF MEMS Switches, Switch Circuits, and Phase Shifters, by Gabriel M. Rebeiz et al. in Revue HF no. 2/2001 describes MEMS switches used in the high frequency range, in a range between 0.1 and 100 GHz. These MEMS switches have cantilever arms designed as mechanical springs that are actuated by electrostatic forces to open or close a circuit. The cantilever beam is mounted on a substrate and electrostatically attracted by an electrode to close a contact. Without applied voltage of the switching arm is returned by elastic restoring forces to its original position and the contact is opened.
Bei MEMS-Schaltern kann der Schaltvorgang auf verschiedene Arten bewirkt werden, die prinzipiell in den
In dem Artikel von C. Chang und P. Chang, „innovative Micromachined Microwave Switch with very Low Insertion Loss”, Proceedings of the 10th international Conference an Solid-State Sensors Actuators (Transducers 99), June 7–10, 1999, Sendai, Japan, S. 1830–33, ist ein MEMS-Schalter mit einem gebogenen Schaltelement beschrieben, das in Form eines Cantilever-Balkens als freitragendes Element ausgestaltet ist. Das Schaltelement ist oberhalb einer Bodenelektrode mit einem Ende auf einem Substrat befestigt, wobei der übrige Bereich des Schaltelements bogenförmig nach oben gerichtet ist und vom Substrat wegragt. Beim Anlegen einer Schaltspannung legt sich das nach oben gebogene Schaltelement durch elektrostatische Kräfte an die Bodenelektrode an, so dass das freie Ende des Schaltelements mit einer Signalleitung in Kontakt gerät. Ohne die anliegende Schaltspannung wird das Schaltelement durch eine elastische Zugspannung zurück in die nach oben gerichtete Position gebracht, in der es von der Signalleitung weit entfernt ist. Beim Hin- und Herschalten zwischen den beiden Schaltzuständen bewegt sich das Schaltelement wie die Zunge eines Frosches.In the article by C. Chang and P. Chang, "Innovative Micromachined Microwave Switch with Very Low Insertion Loss," Proceedings of the 10th International Conference on Solid-State Sensors Actuators (Transducers 99), June 7-10, 1999, Sendai, Japan, pp 1830-33, a MEMS switch is described with a curved switching element, which is designed in the form of a cantilever beam as a cantilevered element. The switching element is mounted above a bottom electrode with one end on a substrate, wherein the remaining portion of the switching element is directed in an arcuate upward and protrudes from the substrate. When applying a switching voltage, the upwardly bent switching element applies by electrostatic forces to the bottom electrode, so that the free end of the switching element is in contact with a signal line. Without the applied switching voltage, the switching element is brought by an elastic tension back into the upward position in which it is far away from the signal line. When switching back and forth between the two switching states, the switching element moves like the tongue of a frog.
Allgemein besteht bei den MEMS-Schaltern das Problem, dass die elastischen Rückstellkräfte in der Regel sehr klein sind, so dass die Gefahr besteht, dass das Schaltelement durch Adhäsion oder gegenseitiges Verhaken an seiner Bewegung gehindert wird. Beispielsweise haften Schaltelemente in vielen Fällen an einer Grundmetallisierung an, die z. B. eine Bodenelektrode bildet. Die übereinander liegenden Metallstrukturen können sich verkanten oder verhaken, so dass das Schaltelement nicht mehr funktionstüchtig ist. Aus diesen Gründen mangelt es vielen Schaltelementen oftmals an einer ausreichenden Zuverlässigkeit, die für Langzeiteinsätze, beispielsweise im Weltraum, notwendig ist.Generally, there is a problem with the MEMS switches that the elastic restoring forces are usually very small, so that there is a fear that the switching element is prevented from moving by adhesion or mutual entanglement. For example, in many cases, switching elements adhere to a base metallization, e.g. B. forms a bottom electrode. The superimposed metal structures can tilt or hook, so that the switching element is no longer functional. For these reasons, many switching elements often lack sufficient Reliability required for long-term use, for example in space.
Um das Problem zu lösen wurde versucht, das Schaltelement stärker auszugestalten, um dadurch stärkere Rückstellkräfte zu erzielen. Jedoch reichen die elektrostatischen Kräfte in den meisten Fällen nicht aus, um zuverlässig die Schaltvorgänge zu bewirken, wenn eine Gefahr des Verhakens oder Anhaftens besteht.In order to solve the problem, it was attempted to make the switching element stronger, in order to achieve stronger restoring forces. However, in most cases, the electrostatic forces are not sufficient to reliably effect the switching operations when there is a danger of sticking or sticking.
Aus der
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Aus der
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Aus der 6 127 908 A ist ein mikromechanischer Schalter bekannt, der ein federartiges Schaltelement umfasst, das oberhalb eines mehrschichtigen Aufbaus aus einer Gleichstromelektrode zum elektrostatischen Anziehen des Schaltelements sowie einer darunter angeordneten Kondensatorelektrode zur Ausbildung eines Kondensators mit dem Schaltelement angeordnet ist.From the 6 127 908 A a micromechanical switch is known, which comprises a spring-like switching element, which is arranged above a multilayer structure of a DC electrode for electrostatic attraction of the switching element and a capacitor electrode arranged underneath to form a capacitor with the switching element.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein schaltbares Hochfrequenz-MEMS-Element zu schaffen, das eine geringere Störanfälligkeit und höhere Langzeitzuverlässigkeit gewährleistet, wobei die Leistungsaufnahme gering ist und insbesondere ein Verhaken von Metallstrukturen verhindert wird.It is the object of the present invention to provide a switchable high-frequency MEMS element, which ensures a lower susceptibility and higher long-term reliability, the power consumption is low and in particular a snagging of metal structures is prevented.
Diese Aufgabe wird gelöst durch das schaltbare Hochfrequenz-MEMS-Element gemäß Patentanspruch 1 und durch das Verfahren zur Herstellung eines schaltbaren Hochfrequenz-MEMS-Elements gemäß Patentanspruch 5. Weitere vorteilhafte Merkmale, Aspekte und Details der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen, der Beschreibung und den Zeichnungen.This object is achieved by the switchable high-frequency MEMS element according to claim 1 and by the method for producing a switchable high-frequency MEMS element according to claim 5. Further advantageous features, aspects and details of the invention will become apparent from the dependent claims, the description and the drawings.
Das schaltbare Hochfrequenz-MEMS-Element gemäß der vorlegenden Erfindung umfasst einen Signalleiter, der aus einer Metallisierung gebildet ist, ein Substrat, auf dem der Signalleiter angeordnet ist, sowie ein durch eine Metallisierung gebildetes Schaltelement, das getrennt vom Signalleiter angeordnet ist und senkrecht zur Substratebene zwischen verschiedenen Schaltzuständen bewegbar ist, um die Impedanz des Hochfrequenz-MEMS-Elements zu verändern. Erfindungsgemäß befinden sich die Metallisierung des Signalleiters und des Schaltelements in einem ersten Schaltzustand in einer einzigen Metallisierungsebene und im Substrat ist unterhalb des Signalleiters und eines beweglichen Teils des Schaltelements eine leitfähige Implantationszone ausgebildet, über die eine vertikale kapazitive Kopplung mit dem Signalleiter und dem beweglichen Teil des Schaltelements erfolgt. The switchable high-frequency MEMS element according to the present invention comprises a signal conductor formed of a metallization, a substrate on which the signal conductor is arranged, and a switching element formed by a metallization, which is arranged separate from the signal conductor and perpendicular to the substrate plane between different switching states is movable to change the impedance of the high-frequency MEMS element. According to the invention, the metallization of the signal conductor and the switching element are in a first switching state in a single metallization and in the substrate below the signal conductor and a movable part of the switching element, a conductive implantation zone is formed, via which a vertical capacitive coupling with the signal conductor and the movable part of Switching element takes place.
Dadurch ist keine Grundmetallisierung bzw. unterhalb der Signalleitung verlaufende sogenannte „under path”-Struktur notwendig. Weiterhin ist direkt unter dem schaltbaren Signalleitungselement keine Grund- bzw. „bottom”-Elektrode vorhanden. D. h., es gibt keine übereinander liegenden Metallleitungen, weshalb die Gefahr des Verhakens der Metallstrukturen, beispielsweise an ihren Kanten, beseitigt ist. Das schaltbare Hochfrequenz-MEMS-Element kann insbesondere für Schalter-, Filter- oder Anpassfunktionen verwendet werden.As a result, no base metallization or below the signal line extending so-called "under-path" structure is necessary. Furthermore, there is no ground or "bottom" electrode directly below the switchable signal line element. In other words, there are no metal lines lying one on top of the other, which eliminates the risk of the metal structures becoming entangled, for example at their edges. The switchable high-frequency MEMS element can be used in particular for switch, filter or adjustment functions.
Durch die Ionenimplantation erfolgt eine vertikale kapazitive Kopplung vom Signalleiter in den Bereich der Implantation und von dort ebenfalls eine vertikale kapazitive Kopplung zu dem beweglichen Teil des Schaltelements. Bei geschlossenem Schaltelement erfolgt eine vertikale Kopplung über die Ionenimplantation. Die Vorteile liegen darin, dass in dem Zustand mit geschlossenem Schalter bzw. wenn der bewegbare Teilbereich des Schaltelements vollständig aufliegt, die Welle mit minimalen Verlusten fortschreiten kann.The ion implantation results in a vertical capacitive coupling from the signal conductor into the region of the implantation and from there also a vertical capacitive coupling to the moving part of the switching element. When the switching element is closed, a vertical coupling takes place via the ion implantation. The advantages are that in the closed switch state, or when the movable portion of the switch element is fully seated, the shaft can proceed with minimal losses.
Bevorzugte Anwendungsgebiete sind insbesondere elektrisch ansteuerbare Antennen, Phasenschieber, usw. Bei dem erfindungsgemäßen Element ergeben sich nur extrem geringe Verluste und eine sehr geringe Leistungsaufnahme, weshalb das MEMS-Element insbesondere für Raumfahrt-Anwendungen geeignet ist.Preferred fields of application are, in particular, electrically controllable antennas, phase shifters, etc. In the case of the element according to the invention, only extremely low losses and very low power consumption result, which is why the MEMS element is particularly suitable for space applications.
Durch die vorliegende Erfindung wird weiterhin eine besonders kleine Bauweise, eine hohe Stabilität, Hochfrequenztauglichkeit und geringe Störanfälligkeit gewährleistet.The present invention further ensures a particularly small construction, high stability, high frequency capability and low susceptibility to interference.
Bevorzugt ist das Schaltelement nur mit einem Teilstück auf dem Substrat befestigt, wobei ein weiteres Teilstück einen biegbaren Bereich aufweist, so dass es senkrecht zur Substratoberfläche bewegbar ist.Preferably, the switching element is attached only with a portion on the substrate, wherein a further portion has a bendable region, so that it is movable perpendicular to the substrate surface.
Dadurch benötigt das Schaltelement geringe Stellkräfte, wobei die Bauweise stabil ist.As a result, the switching element requires low actuating forces, the design is stable.
Vorteilhafterweise weist der Signalleiter zwei oder mehr Teilstücke auf, die durch mindestens ein Schaltelement kapazitiv miteinander gekoppelt sind.Advantageously, the signal conductor has two or more sections, which are capacitively coupled to one another by at least one switching element.
Bevorzugt umfasst das schaltbare Hochfrequenz-MEMS-Element eine Elektrodenanordnung zur Erzeugung einer elektrostatischen Kraft, um einen bewegbaren Teilbereich des Schaltelements anzutreiben.Preferably, the switchable high frequency MEMS element comprises an electrode assembly for generating an electrostatic force to drive a movable portion of the switching element.
Vorteilhafterweise ist das Schaltelement in einem ersten Schaltzustand vollständig in der Ebene des Signalleiters, während es in einem zweiten Schaltzustand über die Ebene des Signalleiters hinausragt.Advantageously, in a first switching state, the switching element is completely in the plane of the signal conductor, while in a second switching state it protrudes beyond the plane of the signal conductor.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines schaltbaren Hochfrequenz-MEMS-Elements angegeben, das die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen eines Substrates; Aufbringen einer Metallisierung auf das Substrat und Ausbilden eines Signalleiters; Ausbilden eines durch eine Metallisierung gebildeten Signalelements auf dem Substrat, so dass es senkrecht zur Substratebene zwischen verschiedenen Schaltzuständen bewegbar ist, um die Impedanz des Hochfrequenz-MEMS-Elements zu verändern. Erfindungsgemäß wird die Metallisierung des Signalleiters und des Schaltelements so ausgestaltet, dass sich das Schaltelement und der Signalleiter in einer einzigen Metallisierungsebene befinden und eine Ionenimplantation in das Substrat unterhalb des bewegbaren Schaltelements eingebettet wird.According to another aspect of the invention, there is provided a method of making a high frequency switchable MEMS device comprising the steps of: providing a substrate; Applying a metallization to the substrate and forming a signal conductor; Forming a signal element formed by a metallization on the substrate so that it is movable perpendicular to the substrate plane between different switching states in order to change the impedance of the high-frequency MEMS element. According to the invention, the metallization of the signal conductor and of the switching element is configured such that the switching element and the signal conductor are located in a single metallization plane and an ion implantation is embedded in the substrate below the movable switching element.
Vorteile und Verfahren, die im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen schaltbaren Hochfrequenz-MEMS-Element genannt sind, gelten sinngemäß auch für das erfindungsgemäße Verfahren und umgekehrt.Advantages and methods which are mentioned in connection with the switchable high-frequency MEMS element according to the invention apply mutatis mutandis to the method according to the invention and vice versa.
Bevorzugt wird ein erster Teilbereich des Schaltelements am Substrat befestigt, während ein zweiter Teilbereich des Schaltelements von der Substratoberfläche weg biegbar gestaltet wird.Preferably, a first portion of the switching element is attached to the substrate, while a second portion of the switching element is designed to be bendable away from the substrate surface.
Vorteilhafterweise wird unterhalb des zweiten Teilbereichs eine Anti-Haft-Schicht vorgesehen, um ein Anhaften des zweiten Teilbereichs an der Substratoberfläche zu verhindern Durch diese Maßnahme wird eine noch höhere Zuverlässigkeit gewährleistet, da die Gefahr des Anhaftens des zweiten Teilbereichs an der Substratoberfläche noch weiter reduziert wird. Advantageously, an anti-adhesion layer is provided underneath the second subregion in order to prevent adhesion of the second subregion to the substrate surface. By this measure, an even higher reliability is ensured since the risk of the second subregion adhering to the substrate surface is further reduced ,
Vorteilhafterweise wird unterhalb des zweiten Teilbereichs eine Opferschicht mit möglichst geringer Dicke, bevorzugt im nm-Bereich, auf das Substrat aufgebracht.Advantageously, a sacrificial layer with the smallest possible thickness, preferably in the nm range, is applied to the substrate below the second subregion.
Vorteilhaft wird auf der Substratoberfläche eine Isolatorschicht aufgebracht, auf der das Leiterelement bzw. der Signalleiter und das Schaltelement ausgebildet werden.Advantageously, an insulator layer is applied to the substrate surface on which the conductor element or the signal conductor and the switching element are formed.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wird insbesondere ein Hochfrequenz-MEMS-Element gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt.In particular, the method according to the invention produces a high-frequency MEMS element according to the present invention.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Figuren beschrieben, in denenThe invention will be described with reference to the figures, in which
Der Signalleiter
Die Metallisierung bzw. der Signalleiter
An der Unterseite des Substrats
In der nach oben gebogenen Position des bewegbaren Teils bzw. Schaltarmes des Schaltelements
Das Schaltelement
Dadurch, dass auf der Oberfläche des Substrats
Die
Die
Das Substrat
Die
Die Vorteile des Hochfrequenz-MEMS-Elements
Die Fläche des Signalleiters und somit auch die kapazitive Kopplung kann im Bereich der Implantation
Ebenso wie bei einer direkten Kopplung können beispielsweise interdigitale Fingerstrukturen realisiert werden, um die Verluste zu verringern.As with a direct coupling, for example, interdigital finger structures can be realized to reduce the losses.
Die hierin beschriebene HF-MEMS-Technologie kann beispielsweise dazu verwendet werden, bestimmte Teile einer Signalleitung anzuheben, um die elektrischen Charakteristika zu verändern, die mit diesem Teil des Signalleiters assoziiert sind. Wenn ein Teil des Übertragungspfades nicht auf der Substratoberfläche aufliegt, sondern nach oben gebogen ist bzw. in die Luft ragt, erfährt er eine reduzierte dielektrische Konstante, welche die dielektrische Länge des Übertragungspfades erhöht. Deshalb können Übertragungswege, die normalerweise in Bezug auf ihre elektrische Läge fest bzw. unveränderlich sind, nun eine veränderbare elektrische Länge erfahren. D. h., ein Teil des Übertragungspfades kann herauf und herunter geschaltet werden, indem eine Aktuatorspannung angelegt wird.For example, the RF-MEMS technology described herein may be used to boost certain portions of a signal line to alter the electrical characteristics associated with that portion of the signal conductor. When a part of the transfer path does not rest on the substrate surface but bends upwards, it experiences a reduced dielectric constant which increases the dielectric length of the transfer path. Therefore, transmission paths that are normally fixed with respect to their electrical load can now be given a variable electrical length. That is, a part of the transmission path can be switched up and down by applying an actuator voltage.
Durch Anwendung der Erfindung in HF-Mikro- und Millimeterwellen-Schaltkreisen und deren Design werden eine Vielzahl neuer Schaltkreis-Topologien ermöglicht, die als re-konfigurierbare Übertragungspfade und Schaltkreise zusammengefasst werden können. Die Erfindung kann beispielsweise sowohl auf koplanare Wellenleiter (CPW = coplanar waveguides) als auch auf sogenannte „microstrip transmission lines” angewendet werden. Einige Beispiele dieser rekonfigurierbaren Übertragungspfade bzw. transmission lines sind hier dargestellt. Diese variablen Schaltungselemente können für rekonfigurierbare anpassbare Schaltungen, Filter, Koppler und Phasenschiebeanwendungen verwendet werden.Application of the invention to RF micro and millimeter wave circuits and their design enables a variety of new circuit topologies that can be grouped together as re-configurable transmission paths and circuits. For example, the invention can be applied both to coplanar waveguides (CPW) and to so-called "microstrip transmission lines". Some examples of these reconfigurable transmission paths are shown here. These variable circuit elements can be used for reconfigurable customizable circuits, filters, couplers, and phase shifting applications.
Bei der Herstellung des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-MEMS-Elements wird zunächst ein Substrat
Bei der Ausbildung des Schaltelements wird ein erster Teilbereich des Schaltelements am Substrat
Um den zweiten Teilbereich des Schaltelements
Optional kann die Substratoberfläche mit einer Isolatorschicht versehen werden, um darauf das Leiterelement
Weiterhin wird vor dem Aufbringen der Isolatorschicht an der Substratoberfläche eine Implantationsschicht
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200410062992 DE102004062992B4 (en) | 2004-12-22 | 2004-12-22 | Switchable high-frequency MEMS element with movable switching element and method for its production |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200410062992 DE102004062992B4 (en) | 2004-12-22 | 2004-12-22 | Switchable high-frequency MEMS element with movable switching element and method for its production |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102004062992A1 DE102004062992A1 (en) | 2006-07-13 |
DE102004062992B4 true DE102004062992B4 (en) | 2012-03-01 |
Family
ID=36599256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE200410062992 Expired - Fee Related DE102004062992B4 (en) | 2004-12-22 | 2004-12-22 | Switchable high-frequency MEMS element with movable switching element and method for its production |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102004062992B4 (en) |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8172 | Supplementary division/partition in: |
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|
Q171 | Divided out to: |
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|
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
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|
R081 | Change of applicant/patentee |
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