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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf magnetische Speichervorrichtungen
und insbesondere auf Verfahren und Strukturen zum Speichern von
Daten in einer magnetischen Speichervorrichtung.
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Nichtflüchtige Speichervorrichtungen,
wie z. B. magnetische Direktzugriffsspeicher- (MRAM-) Vorrichtungen,
sind im Austausch für
flüchtige
Speichervorrichtungen, wie z. B. dynamische Direktzugriffsspeicher-
(DRAM-) Vorrichtungen, von Interesse. Derartige MRAM-Vorrichtungen
umfassen ein Array einzelner MRAM-Zellen, die Tunnelungs-Magnetowiderstands-Speicherzellen (TMR-Zellen),
Kolossal-Magnetowiderstands-Speicherzellen
(CMR-Zellen) oder Riesen-Magnetowiderstands-Speicherzellen (GMR-Zellen) sein können.
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Im
allgemeinen umfassen die MRAM-Zellen eine Datenschicht und eine
Referenzschicht. Die Datenschicht besteht aus einem magnetischen
Material und während
einer Schreiboperation kann die Magnetisierung der Datenschicht
zwischen zwei entgegengesetzten Zuständen durch ein angelegtes Magnetfeld
umgeschaltet werden und so können
Binärinformationen
gespeichert werden. Die Referenzschicht umfasst üblicherweise ein magnetisches
Material, in dem die Magnetisierung festgelegt bzw. gepinnt ist,
so dass das Magnetfeld, das an die Datenschicht angelegt wird und
das teilweise die Referenzschicht durchdringt, eine ausreichende
Stärke
aufweist, um die Magnetisierung in der Referenzschicht umzuschalten.
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In
einer TMR-Zelle z. B. sind die Datenschicht und die Referenzschicht
durch eine dünne
dielektrische Schicht getrennt, die so angeordnet ist, dass ein
Tunnelungsübergang
gebildet wird. Die Wahrscheinlichkeit, dass Elektronen durch die
dielektrische Schicht hindurch tunneln, hängt von der Richtung der Magnetisierung
in der Datenschicht relativ zu der Richtung der Magnetisierung in
der Referenzschicht ab. Deshalb ist die Struktur „magneto-resistent" bzw. „magneto-resistiv" und gespeicherte
Informationen können
aus der Größe von Tunnelungsströmen durch
die Speicherzelle hergeleitet werden.
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Im
allgemeinen ist es von Vorteil, wenn die magnetischen Speicherzellen
so klein wie möglich sind,
um die Speicherdichte zu erhöhen
und die Kosten zu reduzieren. Mit immer kleiner werdenden Zellen
jedoch werden Wärmestabilitätsprobleme
immer wichtiger. Um zu gewährleisten,
dass gespeicherte Informationen nicht aufgrund eines zufälligen Umschaltens
verloren gehen, das durch Umwelteinflüsse induziert wird, ist es
nötig,
dass die Datenschichten kleiner magnetischer Speicherzellen so angeordnet
sind, dass die Magnetfeldstärke,
die zum Umschalten der Magnetisierung erforderlich ist, höher als
die für
größere Speicherzellen
ist. Leider macht die Notwendigkeit einer Erzeugung der größeren Feldstärken ein
Umschalten der Speicherzellen während
der Schreiboperation schwieriger.
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Es
ist bekannt, dass das Erhöhen
der Temperatur der magnetischen Speicherzelle die Magnetfeldstärke, die
zum Umschalten benötigt
wird, senkt. Wenn z. B. ein elektrischer Strom durch die magnetische
Speicherzelle läuft,
entwickelt sich in der Zelle Wärme.
Die entwickelte Wärme
wird jedoch ohne weiteres durch die Bitleitungen weg von der Speicherzelle
geleitet und kann deshalb nicht verwendet werden, um ein Umschalten
der magnetischen Speicherzelle zu erleichtern.
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Deshalb
besteht ein Bedarf nach einer magnetischen Speichervorrichtung,
in der ein Verlust von Wärme
aus der magnetischen Speicherzelle reduziert ist und deshalb die
Wärme zur
Erleichterung eines Umschaltens verwendet werden kann.
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Es
ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Speichervorrichtung,
ein Computersystem oder ein Verfahren mit verbesserten Charakteristika
zu schaffen.
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Diese
Aufgabe wird durch eine Speichervorrichtung gemäß Anspruch 1, ein Computersystem gemäß Anspruch
15 oder ein Verfahren gemäß Anspruch
16 oder 19 gelöst.
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Kurz
gesagt umfasst ein Ausführungsbeispiel
eines magnetischen Direktzugriffsspeichers (MRAM) der vorliegenden
Erfindung eine magnetische Speicherzelle, die unter dem Einfluss
eines Magnetfeldes zwischen zwei Zuständen umschaltbar ist. Der MRAM
umfasst außerdem
eine elektrische Bitleitung, die mit der magnetischen Speicherzelle
gekoppelt ist, zum Erzeugen des Magnetfeldes. Die elektrische Bitleitung
umfasst eine leitfähige
Komponente und eine magnetische Komponente, um einen Magnetfluss,
der dem Magnetfeld zugeordnet ist, in Richtung der magnetischen
Speicherzelle zu führen.
Ein Wärmeisolator
bzw. thermischer Isolator ist zwischen dem leitfähigen Abschnitt und der magnetischen Speicherzelle
positioniert und das magnetische Medium weist zumindest einen Führungsabschnitt
auf, der sich von der leitfähigen
Komponente in Richtung der magnetischen Speicherzelle erstreckt,
um den Magnetfluss um zumindest einen Abschnitt des Wärmeisolators
herum zu führen.
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Bevorzugte
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf
die beiliegenden Zeichnungen näher
erläutert.
Es zeigen:
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1 eine
perspektivische Ansicht einer magnetischen Speichervorrichtung gemäß einem spezifischen
Ausführungsbeispiel;
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2 eine
schematische Querschnittsdarstellung einer Speicherzelle einer magnetischen Speichervorrichtung
gemäß einem
weiteren spezifischen Ausführungsbeispiel;
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3 eine
schematische Querschnittsdarstellung einer Speicherzelle einer magnetischen Speichervorrichtung
gemäß einem
weiteren spezifischen Ausführungsbeispiel;
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4 eine
schematische Darstellung eines Computersystems, das die in 1 gezeigte
magnetische Speichervorrichtung ausführt;
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5 ein
Flussdiagramm für
ein Verfahrensausführungsbeispiel;
und
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6 ein
Flussdiagramm für
ein weiteres Verfahrensausführungsbeispiel.
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1 stellt
einen magnetischen Direktzugriffsspeicher (MRAM) dar, der hierin
durch das allgemeine Bezugszeichen 100 bezeichnet ist.
Der MRAM 100 umfasst eine Anzahl magnetischer Speicherzellen 102.
In diesem Fall ist jede Speicherzelle 102 eine Tunnelungs-Magnetowiderstands-Speicherzelle (TMR-Zelle)
. Jede Zelle 102 ist auf einer elektrisch leitfähigen Bitleitung 104 positioniert.
Jede magnetische Speicherzelle 102 ist ebenso in Kontakt
mit einer Wortleitung 106 (zur Klarheit ist nur eine Wortleitung 106 gezeigt),
so dass die magnetischen Speicherzellen zwischen Bitleitungen 104 und
Wortleitungen 106 angeordnet sind.
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1 zeigt
schematisch eine Schaltungseinheit 108 an, die einen Strom
durch die Bitleitungen 104 erzeugt. Die Schaltungseinheit
kann auch einen Strom durch die Wortleitungen 106 erzeugen
(zur Klarheit sind elektrische Verbindungen zu der Schaltungseinheit 110 nur
für die
Bitleitungen 104 gezeigt und elektrische Verbindungen für die Wortleitungen 106 sind
nicht gezeigt). Da die magnetischen Speicherzellen 102 einen
endlichen spezifischen Widerstand aufweisen, kann auch ein Strom
zwischen der Wortleitung 106 und Bitleitun gen 104 durch
jeweilige magnetische Speicherzellen 102 fließen.
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Die
Bitleitungen 104 weisen einen leitfähigen Kern 110 und
eine magnetische Komponente 112 auf, die den leitfähigen Kern 110 umhüllt. Der
leitfähige
Kern 110 ist aus einem Material mit hoher Leitfähigkeit
gebildet, wie z.B. Kupfer, und trägt den elektrischen Strom,
der das Magnetfeld erzeugt, das zum Umschalten der Zellen 102 benötigt wird.
Die Vorrichtung umfasst außerdem
einen Wärmeisolator 114.
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Die
magnetische Umhüllung
führt einen
Magnetfluss, der dem Magnetfeld zugeordnet ist, das in dem leitfähigen Kern 110 erzeugt
wird, in Richtung der magnetischen Speicherzelle, so dass eine ausreichende
Magnetfeldstärke
verfügbar
ist, um ein Umschalten der magnetischen Speicherzelle zu ermöglichen.
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Die
Vorrichtung 100 umfasst ferner eine Leseschaltung zum Erfassen
des Widerstandswerts ausgewählter
Speicherzellen 102 während
Leseoperationen. Während
Leseoperationen wird eine konstante Versorgungsspannung oder ein
Massepotential an die Bitleitung 104 angelegt. Die konstante
Versorgungsspannung kann durch eine externe Schaltung bereitgestellt
werden. Die Leseschaltung ist nicht gezeigt, um die Beschreibung
zu vereinfachen.
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Die
Vorrichtung 100 kann ein Array aufweisen, das eine beliebige
Anzahl von Speicherzellen 102 aufweist, die in einer Anzahl
von Zeilen und Spalten angeordnet sind. Ferner kann die Vorrichtung 100 weitere
magnetische Speicherzellen aufweisen, wie z. B. Kolossal-Magnetowiderstands-Speicherzellen (CMR-Zellen)
oder Riesen-Magnetowiderstands-Speicherzellen (GMR-Zellen).
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2 stellt
ein weiteres MRAM-Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung dar und wird hierin durch das allgemeine
Bezugszeichen 200 bezeichnet. 2 zeigt
einen Ab schnitt eines MRAM 200 und einer Speicherzelle 202 detaillierter.
Die Speicherzelle 202 weist eine Datenschicht 204 und eine
Referenzschicht 206 auf. Die Referenzschicht 206 besteht
aus einem magnetischen Material, in dem die Richtung einer Magnetisierung
festgelegt bzw. gepinnt ist. Die Datenschicht 204 umfasst
ein magnetisches Material und die Richtung der Magnetisierung ist
als eine Funktion eines angelegten Magnetfelds umschaltbar. Zwischen
der Datenschicht 204 und der Referenzschicht 206 angeordnet
befindet sich eine dünne
dielektrische Schicht 208, so dass, wenn ein geeignetes
elektrisches Potential angelegt wird, ein Tunnelungsstrom durch
die dielektrische Schicht fließt.
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Im
allgemeinen kann die Magnetisierung der Datenschicht 204 zwei
entgegengesetzte Richtungen aufweisen, so dass Binärinformationen
als eine Funktion der Richtung des Magnetfeldes gespeichert werden
können.
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Die
Tunnelungswahrscheinlichkeit und deshalb der effektive Widerstandswert
der Speicherzelle hängen
von der Richtung der Magnetisierung in der Datenschicht 204 relativ
zu der der Referenzschicht 206 ab. Deshalb ist es möglich, die
Ausrichtung der Magnetisierung in der Datenschicht aus dem Tunnelungsstrom
zu bestimmen, der von dem Widerstandswert der Speicherzelle 202 abhängt.
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Die
Speicherzelle 202 ist zwischen der Wortleitung 210 und
der Bitleitung 212 angeordnet. Wenn ein Strom entlang der
Bitleitung 212 angelegt wird, umgibt ein Magnetfeld die
Bitleitung 212, das verwendet werden kann, um die Magnetisierung
der Datenschicht 204 umzuschalten. Jede magnetische Speicherzelle
kann eine Anzahl zusätzlicher
Schichten aufweisen.
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Die
Bitleitung 212 weist einen leitfähigen Kern 214 und
eine magnetische Komponente 216 auf, die den leitfähigen Kern 214 umhüllt. Der
leitfähige
Kern 214 ist aus einem Material mit hoher Leitfähigkeit
gebildet, wie z. B. Kup fer, und trägt den elektrischen Strom,
der das Magnetfeld erzeugt, das zum Umschalten der Magnetisierung
der Datenschicht 204 erforderlich ist. Die Vorrichtung
umfasst außerdem
einen Wärmeisolator 218.
Die magnetische Umhüllung 216 weist
zwei entfernte Führungsabschnitte auf,
die bei diesem Ausführungsbeispiel
in Kontakt mit der Datenschicht 204 stehen und den Wärmeisolator 218 umhüllen.
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Die
magnetische Umhüllung
führt einen
Magnetfluss, der dem Magnetfeld zugeordnet ist, das in dem leitfähigen Kern 214 erzeugt
wird, in Richtung der magnetischen Speicherzelle. Ferner kann aufgrund
der entfernten Führungsabschnitte,
die den Magnetfluss in die Nähe
der Speicherzelle führen, der
leitfähige
Kern 214 der Bitleitung etwas entfernt von der magnetischen
Speicherzelle 302 positioniert sein. Folglich ist der Bereich,
durch den Wärme
aus der magnetischen Speicherzelle in den leitfähigen Kern entweichen kann,
verglichen mit Vorrichtungen des Stands der Technik reduziert. Ein
Wärmeverlust der
Speicherzelle kann deshalb reduziert werden und mehr Wärme kann
verwendet werden, um ein Umschalten der magnetischen Speicherzelle
zu erleichtern. Ferner wird, da der Wärmeisolator 218 zwischen
dem leitfähigen
Kern 214 und der Datenschicht 204 angeordnet ist,
ein Wärmeverlust
der Speicherzelle weiter reduziert.
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Die
magnetische Umhüllung 216 der
Bitleitung 212 weist bei diesem Ausführungsbeispiel eine im wesentlichen
U-förmige
Querschnittsform auf und die Schenkel der U-förmigen Querschnittsform stehen
in Kontakt mit der Datenschicht 204, so dass der leitfähige Kern 214 durch
die magnetische Umhüllung 216 und
den Wärmeisolator 218 umgeben
ist, wobei der Wärmeisolator 218 durch
den Kern 214, die magnetische Umhüllung 216 und die
Datenschicht 204 umgeben ist.
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Zur
Klarheit zeigt 2 nur einen Abschnitt der Vorrichtung 200.
Es ist zu erkennen, dass die gesamte Vorrichtung ferner Merkmale
aufweist, wie z. B. ein Array magnetischer Speicherzellen 202,
die durch Wort- und Bitleitungen ver bunden sind, wie z. B. 210 bzw. 212.
Ferner sollte zu erkennen sein, dass jede magnetische Speicherzelle
eine Anzahl zusätzlicher
Schichten, wie z. B. Abdeck-, AF- und Keimschicht, aufweisen kann.
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Bezug
nehmend auf 3 ist ein MRAM gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel
beschrieben. 3 zeigt eine Querschnittsdarstellung
eines Abschnitts der Vorrichtung 300, die eine Speicherzelle 302 aufweist,
die eine Datenschicht 304, eine dielektrische Schicht 306 und
eine Referenzschicht 308 aufweist. Die Speicherzelle 302 wird
durch die Wortleitung 310 kontaktiert.
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Bei
diesem Ausführungsbeispiel
ist eine Bitleitung 312 vorgesehen, die einen leitfähigen Kern 314 und
eine magnetische Umhüllung 316 aufweist. Der
leitfähige
Kern 314 und die magnetische Umhüllung 316 sind analog
zu denjenigen, die in 3 gezeigt und oben beschrieben
sind. Ein Wärmeisolator 318 ist
zwischen den Kern 314 und der magnetischen Speicherzelle 302 angeordnet.
Der Wärmeisolator 318 ist
analog zu dem, der in 2 gezeigt ist. Die magnetische
Umhüllung 316 umhüllt den
leitfähigen Kern 314,
steht bei diesem Ausführungsbeispiel
jedoch nicht in Kontakt mit der Datenschicht 304.
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Eine
zusätzliche
thermisch und elektrisch isolierende Schicht 320 ist zwischen
der magnetischen Umhüllung 316,
dem Wärmeisolator 318 und der
magnetischen Speicherzelle 302 angeordnet. In diesem Fall
stehen die thermisch isolierende Schicht 320 und der Wärmeisolator 318 in
Kontakt miteinander und es sollte zu erkennen sein, dass beide wärmeisolierenden
Medien 318 und 320 einstückig aus einem Material geformt
sein können.
Ein dünner
Leseleiter 322 ist ebenso zwischen der Datenschicht 304 und
der wärmeisolierenden
Schicht 320 angeordnet.
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Bei
diesem Ausführungsbeispiel
zeigen die Schenkel der U-förmigen Querschnittsform
der Umhüllung 316 in
Richtung der Datenschicht 304 und stehen in Kontakt mit
der wärmeisolierenden
Schicht 320. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird der Magnetfluss,
der dem Magnetfeld zugeordnet ist, das in dem leitfähigen Kern 314 erzeugt
wird, durch die Schenkel der Umhüllung 316 geführt und
durchdringt dann die wärmeisolierende
Schicht 320 und den dünnen
Leseleiter 322, bevor er in die Datenschicht 304 durchdringt.
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Da
die magnetische Umhüllung 314 nicht
in Kontakt mit der Datenschicht 304 steht, kann ein Wärmeverlust
aus der magnetischen Speicherzelle 302 weiter reduziert
werden. Bei diesem Ausführungsbeispiel
steht der dünne
Leseleiter 322 in Kontakt mit der Datenschicht 304,
um eine elektrische Verbindung bereitzustellen, um die magnetische Speicherzelle
während
einer Leseoperation zu lesen. Der Leseleiter 322 weist
eine Dicke von weniger als 50 nm auf und die Dicke liegt üblicherweise
in dem Bereich zwischen 5 und 20 nm. In diesem Fall umfasst der
Leseleiter 322 Titan, das eine relativ geringe Wärmeleitfähigkeit
aufweist, so dass ein Wärmeverlust
durch den Leseleiter 322 eingeschränkt ist. Es sollte ferner zu
erkennen sein, dass weitere Schichten zwischen dem magnetischen
Material der magnetischen Speicherzelle 302 und der Bitleitung 312 angeordnet
sein können.
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Zur
Klarheit zeigt 3 nur einen Abschnitt der Vorrichtung 300.
Die Vorrichtung weist ein Array magnetischer Speicherzellen 302 auf,
die durch eine Wort- und Bitleitungen, wie z. B. 310 bzw. 312,
verbunden sind.
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Bei
beiden Ausführungsbeispielen
können die
magnetischen Umhüllungen 216 und 316 jedes geeignete
magnetische Material umfassen und umfassen in diesen Fällen Nickel-Eisen- oder Kobalt-Eisen-Legierungen.
Die leitfähigen
Kerne 214 und 314 umfassen ein geeignetes leitfähiges Material,
wie z. B. Kupfer. Bei den beschriebenen Ausführungsbeispielen weisen die
magnetischen Umhüllungen 216 und 316 eine
Dicke von etwa 10 nm auf und die Kerne 214 und 314 weisen
eine Querschnittsfläche
von etwa 100 × 200
nm auf. Das wärmeisolierende
Material 218 und 318 und die wärmeisolierende Schicht 320 umfassen
SiO2 oder Silizium-Nitrid, können jedoch
auch jedes andere geeignete wärmeisolierende Material
umfassen.
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Bei
dem in 2 gezeigten Ausführungsbeispiel weist der Wärmeisolator 218 eine
Dicke von 100 nm auf. Bei dem in 3 gezeigten
Ausführungsbeispiel
weist der Wärmeisolator 318 eine
Dicke von 100 nm auf und das wärmeisolierende
Material 320 weist eine Dicke von 50 nm auf.
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Die
Bitleitungen 212 und 312, die in den 2 bzw. 3 gezeigt
sind, können
wie folgt hergestellt werden. Bei einem Damaszener-Verfahren wird
zuerst ein Graben in ein dielektrisches Substrat geätzt. Der
Graben wird dann mit dem magnetischen Umhüllungsmaterial ausgekleidet,
gefolgt durch die Aufbringung von Kupfer, um den Graben aufzufüllen. Bei
einem chemisch-mechanischen Polier- (CMP-) Verfahren wird die Struktur
dann planar gemacht. Das Kupfer wird dann vorzugsweise von der Oberseite
der Struktur entfernt, entweder durch ein CMP-Verfahren, chemisches
Nassätzen
oder Ionenätzen.
Die Vertiefungen, die in dem Kupfer zurückbleiben, werden dann durch
das wärmeisolierende
Material gefüllt.
Der letzte Schritt beinhaltet ein weiteres CMP-Verfahren, um eine
planare Oberfläche
zu erzeugen, auf der nur magnetisches Umhüllungsmaterial und wärmeisolierendes
Material (wie bei dem Fall der Bitleitung 212) freiliegen.
In dem Fall der Bitleitung 312 beinhaltet der letzte Schritt
die Aufbringung einer isolierenden Schicht 320 auf die
planarisierte Oberfläche.
Die magnetischen Speicherzellen werden dann auf dem Substrat und über den
Bitleitungen unter Verwendung von in der Technik bekannten Herstellungstechniken
erzeugt.
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4 zeigt
ein Computersystem 400, das die in 1 gezeigte
Speichervorrichtung ausführt. Das
Computersystem 400 weist eine Hauptplatine 402,
die mit einer zentralen Verarbeitungseinheit 404 und Magnetspeichervorrichtungsarrays 406 verbunden
ist, auf. Die Magnetspeichervorrichtungsarrays 406 umfassen
eine magnetische Speichervorrichtung, wie z. B. diejenige, die in 1 gezeigt
ist. Das Magnetspeichervorrichtungsarray 406 und die zentrale
Verarbeitungseinheit 404 sind mit einem gemeinsamen Bus 408 verbunden.
Das Computersystem 404 weist einen Bereich weiterer Komponenten auf,
die zur Klarheit nicht gezeigt sind.
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5 stellt
ein Verfahrensausführungsbeispiel
zum Speichern von Daten in einer magnetischen Speichervorrichtung,
wie z. B. der in 1 gezeigten Vorrichtung 100,
dar. Das Verfahren umfasst einen Schritt 502 eines Erwärmens der
magnetischen Speicherzelle, einen Schritt 504 eines Anlegens
eines elektrischen Stroms durch die Bitleitung der Vorrichtung,
um das Magnetfeld zu erzeugen, und einen Schritt 506 eines
Führens
eines Magnetflusses, der dem Magnetfeld zugeordnet ist, durch eine
magnetische Komponente entlang eines Wärmeleiters und in Richtung
der magnetischen Speicherzelle, um ein Umschalten der Zelle zu erleichtern.
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6 stellt
ein Verfahrensausführungsbeispiel
zum Herstellen eines Leiters, wie z. B. der Bitleitung 104,
für die
magnetische Speichervorrichtung dar. Das Verfahren umfasst einen
Schritt 602 eines Ätzens
eines Grabens in ein Substrat, einen Schritt 604 eines
Umhüllens
des Grabens mit einem Umhüllungsmaterial,
einen Schritt 606 eines Füllens eines leitfähigen Materials
in den umhüllten
Graben, einen Schritt 608 eines Entfernens eines Abschnitts
des leitfähigen
Materials aus dem gefüllten
Graben, um einen Kanal innerhalb des leitfähigen Materials zu erzeugen,
und einen Schritt 610 eines Füllens des Kanals mit einem
wärmeisolierenden
Material.
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Obwohl
die Erfindung Bezug nehmend auf bestimmte Beispiele beschrieben
wurde, sollte für Fachleute
auf diesem Gebiet zu erkennen sein, dass die Erfindung in vielen
anderen For men ausgeführt sein
kann. Die magnetischen Speicherzellen können z. B. Kolossal-Magnetowiderstands-Speicherzellen (CMR-Zellen)
oder Riesen-Magnetowiderstands-Speicherzellen (GMR-Zellen) sein.
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Ferner
umhüllt
die magnetische Komponente unter Umständen den Kern der Bitleitung
nicht. Die Bitleitung kann z. B. auch keinen Kern aufweisen und kann
selbst die magnetische Komponente umfassen. Zusätzlich kann ein isolierendes
Material zwischen Wortleitungen und den magnetischen Speicherzellen angeordnet
sein und die Wortleitungen können
außerdem
ein Umhüllungsmaterial
aufweisen, das einen Abschnitt des Wärmeisolierers umgibt. Ebenso sollte
zu erkennen sein, dass es unter Umständen nicht notwendig ist, die
Schichten der Vorrichtungen 200 und 300, wie in
den 2 und 3 gezeigt, auszurichten. Zumindest
einer der entfernten Führungsabschnitte
jeder magnetischen Komponente 216 bzw. 316 kann
z. B. nicht in Kontakt mit den isolierenden Materialien 218 bzw. 318 stehen,
so dass der Magnetfluss asymmetrisch in Richtung der jeweiligen
magnetischen Speicherzellen geführt
wird.