DE102004059395A1 - Transmitting and / or receiving device - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Sende- und/oder Empfangseinrichtung, insbesondere für Radaranwendungen in einem Kraftfahrzeug, umfassend einen Halbleiterchip, welcher über Leadframes mit einem Schaltungsträger kontaktierbar ist, und zeichnet sich dadurch aus, dass ein Teil der Leadframes als Antenne ausgebildet ist. DOLLAR A Die direkte Realisierung einer Antenne als Teil eines Halbleiterchips erlaubt vorteilhaft die Realisierung eines sog. "Single-Chip-HF-Systems": Mit der Antenne können weitere Funktionen verbunden werden, wie z. B. Ersatz einer Induktivität/Koppeltransformator/Symmetrierer in der HF-Ausgangsstufe oder gar die Nutzung eines Mittelabgriffes für symmetrische Ausgangs-/Eingangsstufen. DOLLAR A Die vorliegende Erfindung vermeidet damit vorteilhaft teuere Modultechnologien mit speziellen Träger-Materialien durch Einsatz als "add on" auf normalen Leiterplattentechnologien. Sie eignet sich insbesondere für Radaranwendungen in einem Kraftfahrzeug.The invention relates to a transmitting and / or receiving device, in particular for radar applications in a motor vehicle, comprising a semiconductor chip which can be contacted via leadframes with a circuit carrier, and is characterized in that a part of the leadframes is designed as an antenna. DOLLAR A The direct realization of an antenna as part of a semiconductor chip advantageously allows the realization of a so-called. "Single-chip RF system": With the antenna other functions can be connected, such. B. Replacement of an inductance / coupling transformer / balancer in the RF output stage or even the use of a center tap for symmetrical output / input stages. DOLLAR A The present invention thus advantageously avoids expensive module technologies with special carrier materials by being used as an "add on" to normal circuit board technologies. It is particularly suitable for radar applications in a motor vehicle.
Description
Die Erfindung betrifft eine Sende- und/oder Empfangseinrichtung, insbesondere für Radaranwendungen in einem Kraftfahrzeug, umfassend einen Halbleiterchip, welcher über Leadframes mit einem Schaltungsträger kontaktierbar ist.The The invention relates to a transmitting and / or receiving device, in particular for radar applications in a motor vehicle, comprising a semiconductor chip, which has lead frames with a circuit carrier is contactable.
Durch Fortschritte in der Halbleitertechnologie werden immer höhere Frequenzen für die breite technische Nutzung erschlossen. Bereits verfügbar sind III/V-Halbleiter, insbes. GaAs, für Frequenzen bis etwa 110 GHz. In einer stürmischen Weiterentwicklung befinden sich derzeit Silizium-basierte Bipolartransistoren, hier insbesondere SiGe-Heterostrukturen, mit Grenzfrequenzen bis zu mehreren 100GHz. Oder generell auch CMOS-Feldeffekttransistoren, welche mit stetig abnehmenden Strukturgrößen ebenfalls zu immer höheren Grenzfrequenzen vorstoßen.By Advances in semiconductor technology are becoming ever higher frequencies for the wide technical use. Already available III / V semiconductors, especially GaAs, for frequencies up to about 110 GHz. In a stormy Further development are currently silicon-based bipolar transistors, here in particular SiGe heterostructures, with cut-off frequencies up to to several 100GHz. Or in general also CMOS field effect transistors, which with steadily decreasing feature sizes also leads to ever higher cutoff frequencies advance.
Derzeit verdrängen auf dem „Handie"-Stückzahlen-Markt auf breiter Front SiGe-Heterostruktur-Bipolartransistoren mit Grenzfrequenzen im Bereich 40-80GHz die bislang hauptsächlich eingesetzten GaAs-Technologien. Die Vorteile der SiGe-Technologien sind insbesondere das unterstellte günstigere Preis/Leistungsverhältnis, welches nicht zuletzt durch die Integrierbarkeit dieser Technologie in die Standard-Mainstream-Silizium-Technologien zustande kommt, ferner die höhere erreichbare Integrationsdichte in Elemente pro Chip. In naher Zukunft wird daher eine den Handie-Anwendungen vergleichbare Integrationsdichte auch bei höheren Frequenzen einsetzbar sein, insbesondere auch bei den für Automotive-Radar interessanten 24GHz bzw. 77GHz -Frequenzen.Currently repress on the "Handie" Pieces Market on a broad front SiGe heterostructure bipolar transistors with cut-off frequencies in the 40-80GHz range, the most commonly used GaAs technologies to date. The benefits of SiGe technologies are in particular the imputed cheaper price / performance ratio, which not least because of the integration of this technology into the standard mainstream silicon technologies comes, and the higher achievable integration density in elements per chip. In the near future will therefore an integration density comparable to the Handie applications even at higher Frequencies can be used, especially in those interesting for automotive radar 24GHz or 77GHz frequencies.
System-Lösungen, welche z.B. ein komplett auf einem einzigen Halbleiter-Chip integriertes 24GHz Radar-HF-Frontend beinhalten, mit allen daraus ableitbaren Vorteilen, rücken damit in das Interesse der Entwickler.System solutions which e.g. a completely integrated on a single semiconductor chip 24GHz Radar RF frontend, with all the benefits derived from it, move thus in the interest of the developers.
Neben der reinen Halbleiter-Technologie ist bei diesen hohen Frequenzen (z.B. 24GHz, 77GHz) bzw. kleinen Wellenlängen (mm-Bereich) auch die Aufbau- und Verbindungstechnik – also die elektrische Verbindung der HF-Chips mit der Umgebung, die Kontaktierung mit der notwendigen Beschaltung, mit Zu- und Wegleitungen und den Antennen – eine Herausforderung.Next Pure semiconductor technology is at these high frequencies (For example, 24GHz, 77GHz) or small wavelengths (mm range), the construction and connection technology - so the electrical connection of the RF chips with the environment, the contacting with the necessary wiring, with supply and routing lines and the Antennas - a challenge.
Übliche Aufbautechniken sind z.B. HF-Module auf Basis spezieller Kunststoffe oder Keramiken. Diese Materialien dienen als Träger (Schaltungsträger) für die im Wesentlichen planare Modul-Verdrahtung und die darauf befestigten aktiven und passiven Bauelemente. Ein solches Modul kann ein oder mehrere HF-Halbleiterchips – Komplexität von einzelnen Elementen wie Dioden oder Transistoren bis hin zu kompletten Funktions-ASIC (MMIC) -, weitere (Sub-) Module und passive Bauelemente wie Widerstände, Kondensatoren und Induktivitäten enthalten. Wichtige elektrische Bestandteile eines HF-Modules sind auch die Verbindungsleitungen, welche bei hohen Frequenzen als impedanzangepasste Leitungen (z.B. Microstrip) ausgeführt sind. Auf Basis dieser Leitungsstrukturen können weitere HF-Funktionselemente wie Hybridkoppler (Rat-Race-Coupler), Richtkoppler, Filter, Antennen (insbes. Patch-Antennen) etc. realisiert werden. Eine sehr wichtige Anwendung dieser Strukturen bei hohen Frequenzen sind die Impedanzanpassung für optimal arbeitende Verstärkerstufen und hochwertige Mischerstufen (Hybridmischer auf Basis Rat-Race-Coupler).Common construction techniques are e.g. HF modules based on special plastics or ceramics. These Materials serve as carriers (Circuit carrier) for the essentially planar module wiring and the ones mounted thereon active and passive components. Such a module can be an or multiple RF semiconductor chips - complexity of individual elements like diodes or transistors up to complete function ASIC (MMIC) -, other (sub) modules and passive components such as resistors, capacitors and inductors contain. Important electrical components of an RF module are also the connecting lines, which at high frequencies as impedance-matched Lines (e.g., microstrip) are executed. Based on these line structures can additional HF functional elements like hybrid couplers (Rat-Race-Coupler), directional couplers, filters, antennas (Especially patch antennas) etc. are realized. A very important one Application of these structures at high frequencies are the impedance matching for optimal working amplifier stages and high-quality mixer stages (hybrid mixer based on rat race coupler).
Die Halbleiter-Chips werden auf diesen Trägern direkt oder gehäust montiert. Die elektrische Verbindung der Modul-Verdrahtung mit den Kontaktflächen der Chips (Pads) erfolgt z.B. über Bonddrahtverbindungen oder mittels Flip-Chip-Verbindungstechnologie. Bei nierigeren Anforderungen können nahezu normal SMD-Gehäuste Bauelemente eingesetzt werden.The Semiconductor chips are mounted directly or housed on these carriers. The electrical connection of the module wiring with the contact surfaces of the Chips (pads) are e.g. above Bond wire connections or via flip-chip connection technology. At lower levels Requirements can almost normal SMD case Components are used.
Hiervon ausgehend und auf Basis der anfangs aufgeführten Weiterentwicklungen der Halbleiter-Technologieen liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, die breite Anwendung hochintegrierter, kompletter Sende und/oder Empfangs-Systeme mit Arbeitsfrequenzen im GHz-Bereich bzw. Wellenlängen im mm-Bereich bereitzustellen.Of these, Based on the initially mentioned developments of the Semiconductor technology is the object of the present invention underlying, the broad application of highly integrated, complete transmission and / or receiving systems with operating frequencies in the GHz range or wavelengths in the mm range.
Diese
Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine
Sende- und Empfangseinrichtung mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruches
Die Erfindung baut auf gattungsgemäßen Sende- und/oder Empfangseinrichtungen umfassend einen Halbleiterchip, welcher über Leadframes mit einem Schaltungsträger kontaktierbar ist, dadurch auf, dass ein Teil der Leadframes als Antenne ausgebildet ist.The Invention is based on generic transmission and / or receiving devices comprising a semiconductor chip, which via lead frames with a circuit carrier is contactable, characterized in that a part of the leadframes as Antenna is formed.
Zwar ist auch die aus dem Stand der Technik bekannte Aufbau- und Verbindungs-Technologie an sich effizient und erprobt; nachteilig jedoch sind der hohe Preis und die empfindliche Fertigungstechnologie. Insbesondere stellt diese Aufbau- und Verbindungstechnologie keine adäquate Ergänzung/Partitionierung für zukünftige hochintegrierte HF-Halbleiter-IC-Systeme dar.Although the known from the prior art construction and connection technology is efficient and proven in itself; However, the disadvantageous are the high price and the delicate manufacturing technology. In particular, this packaging and interconnection technology is not an adequate complement / partitioning for future highly integrated RF semiconductor IC systems.
Die Erklärung dafür ist, dass Chipfläche in der Regel erheblich kostenintensiver als Modulfläche ist; daher können auf Chips nur sehr eingeschränkt Leitungsstrukturen, wie sie z.B. für Hybrid-Mischer oder Antennen benötigt werden, eingesetzt werden.The statement for that is, that chip area usually considerably more expensive than module area; therefore you can on chips only very limited line structures, as they are e.g. For Hybrid mixer or antennas needed will be used.
Wenn aber außerhalb des Chips solche Strukturen benötigt werden – für Radare insbesondere Antennen – und effizient in Modultechnik realisiert werden können, werden diese Funktionsteile aus dem Chip herausgenommen und in Modultechnik realisiert; damit ist die resultierende Lösung aber kein vollständig Halbleiter-Integriertes System mehr, sondern eher mit den vorgestellten Modul-Lösungen vergleichbar, weshalb dessen Nachteile voll zum Tragen kommen und andere wesentliche Vorteile einer integrierten Systemlösung gleichzeitig zunichte gemacht werden.If but outside of the chip needs such structures be - for radars especially antennas and can be efficiently implemented in module technology, these functional parts taken out of the chip and realized in module technology; in order to is the resulting solution but not completely Semiconductor integrated system more, but rather with the featured Module solutions comparable, which is why its disadvantages fully come to fruition and other key benefits of an integrated system solution at the same time be nullified.
Konkrete Anwendungen könnten in naher Zukunft Single-Chip-Radarmodule, z.B. mit Arbeitsfrequenzen um 24GHz oder 77GHz, sein, aber auch weitere Module drahtloser Verbindungstechnologien (WLAN) etc..concrete Applications could in the near future single-chip radar modules, e.g. with working frequencies around 24GHz or 77GHz, but also others Modules of wireless connection technologies (WLAN) etc.
Die Wellenlänge der erfindungsgemäß vorgeschlagenen Anwendungen liegt im mm-Bereich, im Vergleich mit den Chip-Strukturen eine extrem große Dimension, aber im Bereich typischer Abmessungen der Gehäuse integrierter Schaltungen.The wavelength the invention proposed Applications are in the mm range, compared to the chip structures an extremely big one Dimension, but in the range of typical dimensions of the housing integrated Circuits.
Die für Abstrahlung und/oder Empfang der elektromagnetischen Wellen notwendigen Antennen auf dem Chip zu integrieren ist daher insbesondere unter kommerziellen Aspekten nicht vertretbar.The for radiation and / or receiving the electromagnetic waves necessary antennas to integrate the chip is therefore particularly under commercial Aspects unreasonable.
Hier setzt die Erfindung an, welche in einer üblichen Chip-Gehäusetechnik zum Einsatz kommende Strukturen geeignet zur Nutzung als Antennen umformt. Insbesondere die in den Standard-IC-Gehäusen zum Einsatz kommende sog. Leadframe-Technik kann direkt für dedizierte HF-Funktionen genutzt werden, insbesondere z.B. als Antenne, HF-Koppler etc..Here uses the invention, which in a conventional chip housing technology used structures suitable for use as antennas reshapes. In particular, the so-called lead frame technology used in the standard IC packages can directly for dedicated RF functions are used, in particular e.g. as an antenna, RF coupler etc.
Beispielsweise kann ein Teil der Leadframes an beiden Stirnseiten des Halbleiterchips je zu einer Antenne ausgebildet sein.For example may be a part of the leadframes on both ends of the semiconductor chip each be formed to an antenna.
Alternativ oder kumulativ hierzu kann ein Teil der Leadframes an einer und/oder beiden der PIN-Seiten des Halbleiterchips zu einer Antenne ausgebildet sein.alternative or cumulatively, part of the leadframes may be on and / or both of the PIN sides of the semiconductor chip are formed into an antenna be.
Bewährt hat sich insbesondere die Ausbildung eines Teils der Leadframes als Dipol-Antenne.Has proven In particular, the training of part of the leadframes as Dipole antenna.
Alternativ oder kumulativ kommen aber auch sog. Patch- und/oder Yagi-Antennen in Frage.alternative or cumulatively but so-called. Patch and / or Yagi antennas come into question.
Erfindungsgemäß bevorzugt ist schließlich die Antenne korrespondierend zu einer symmetrischen Ausgangsstufe des Halbleiterchips ausgebildet.According to the invention preferred is finally the Antenna corresponding to a symmetrical output stage of Semiconductor chips formed.
Die
Vorteile der erfindungsgemäßen „Leadframe-Antenne" lassen sich wie
folgt zusammenfassen:
Das „Single-Chip-HF-System" lässt sich
direkt in ein HF-Modul umsetzen. Es kann damit vollständig bei nur
einem Halbleiterhersteller produziert werden. Es beinhaltet ferner
alle kritischen HF-Übergänge der Aufbau-
und Verbindungstechnologie.The advantages of the "leadframe antenna" according to the invention can be summarized as follows:
The "single-chip RF system" can be directly implemented in an RF module, allowing it to be fully fabricated by a single semiconductor manufacturer and incorporating all critical RF transitions in packaging and interconnect technology.
Derartige Einheiten lassen sich mit klaren Schnittstellen gesamthaft testen. An Endanwender lässt sich ein vollständig geprüftes, direkt einsetzbares Modul ausliefern, welches als unkritische Einheit einfach in das gewünschte HF-System integriert bzw. eingesetzt werden kann.such Units can be tested in their entirety with clear interfaces. To end users a complete one proved, Deliver directly usable module, which as an uncritical unit easy in the desired HF system can be integrated or used.
Die direkte Realisierung einer Antenne als Teil eines Halbleiterchips erlaubt vorteilhaft die Realisierung eines sog. „Single-Chip-HF-Systems": mit der Antenne können weitere Funktionen verbunden werden, wie z.B. Ersatz einer Induktivität/Koppeltransformator/Symmetrierer in der HF-Ausgangsstufe oder gar die Nutzung eines Mittelabgriffes für Symmetrische Ausgangs-/Eingangsstufen.The direct realization of an antenna as part of a semiconductor chip advantageously allows the realization of a so-called "single-chip RF system": with the antenna can additional functions are connected, such as Replacement of an inductance / coupling transformer / balancer in the RF output stage or even the use of a Mittelabgriffes for symmetric Output / input stages.
Die vorliegende Erfindung vermeidet damit vorteilhaft teuere Modultechnologien mit speziellen Träger-Materialien durch Einsatz als „add on" auf normaler Leiterplattentechnologien. Sie eignet sich insb. Radaranwendungen in einem Kraftfahrzeug.The The present invention thus advantageously avoids expensive module technologies with special carrier materials through use as "add on "on normal PCB technologies. It is especially suitable for radar applications in a motor vehicle.
Zusätzliche Einzelheiten und weitere Vorteile der Erfindung werden nachfolgend an Hand bevorzugter Ausführungsbeispiele sowie in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung beschrieben.additional Details and further advantages of the invention are given below on hand preferred embodiments and in conjunction with the accompanying drawings.
Darin zeigen beispielhaft:In this show by way of example:
Bei der nachfolgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder vergleichbare Komponenten.at the following description of the preferred embodiments In the present invention, like reference characters designate like or comparable components.
Detailausführungen
in
Detailausführungen
in
Die nachfolgenden Abbildungen zeigen verschiedene Möglichkeiten auf, wie das Leadframe erfindungsgemäß ausgebildet werden kann, um Antennenstrukturen auszubilden:The The following illustrations show various possibilities, such as the leadframe designed according to the invention can be used to form antenna structures:
Statt der bisher gezeigten Falt-Dipolantennen mit Mittelanzapfung sind ebenso weitere Antennenstrukturen wie z.B. einfache λ/4-Dipole, n·λ/4-Dipole, Schmetterlings-Dipole, Schlitzstrahler usw. möglich. Diesbezüglich sei beispielsweise auf Rothammel, Antennenbuch, verwiesen.Instead of are the center-tapped folding dipole antennas shown so far as well as other antenna structures such as e.g. simple λ / 4 dipoles, n · λ / 4 dipoles Butterfly dipoles, slot radiators, etc. possible. In this regard For example, on Rothammel, antenna book referenced.
Alternativ oder kumulativ zur den elektrisch symmetrischen Antennen-Strukturen können auch asymmetrische Antennen-Strukturen realisiert werden.alternative or cumulatively to the electrically symmetric antenna structures can also asymmetric antenna structures will be realized.
Als
Beispiel hierzu zeigen
Da Antennen oft spezielle Anforderungen bezüglich der Richtcharakteristik und des Wirkungsquerschnittes erfüllen müssen, lassen sich die oben angeführten Leadframe-Antennenstrukturen ggf. geeignet wie folgt erweitert.There Antennas often special requirements with respect to the directional characteristic and the cross section, the above leadframe antenna structures can be if necessary expanded as follows.
Insbesondere können zur Verbesserung der Abstrahlcharakteristik der Leadframe-Antenne weitere Teile des Leadframe-Materials zur Bildung weiterer Elemente der Antennen-Struktur herangezogen werden, um damit z.B. Reflektoren und/oder Direktoren (Yagi-Antennenprinzip) auszubilden.Especially can to improve the emission characteristics of the leadframe antenna more parts of the leadframe material be used to form further elements of the antenna structure, so as to be e.g. Reflectors and / or directors (Yagi antenna principle) train.
Alternativ oder kumulativ kann die gesamte Antennenstruktur kann in ein geeignetes Material geeigneter Form teilweise oder ganz eingebettet werden, um damit Eigenschaften sog. „Dielektrischer Antennen" zu erzielen.alternative or cumulatively, the entire antenna structure can be transformed into a suitable one Material of suitable form may be partially or completely embedded, so that properties so-called "Dielectric Antennas "to achieve.
Ferner kann die Leadframe-Antenne in einer geeigneten Position zu geeigneten Reflektorflächen platziert werden, um damit durch einfache Reflektorwände, durch sog. Corner-Reflektoren oder durch sog. Parabolspiegel eine weitere Strahlformung zu realisieren.Further The leadframe antenna may be suitable in a suitable position Reflector surfaces placed be so as by simple reflector walls, by so-called. Corner reflectors or by so-called parabolic mirror to realize a further beam shaping.
Auch kann allgemein die erfindungsgemäße Leadframe-Antenne in einfacher oder erweiterter Form in geeigneter Position zu anderen geeigneten Elementen platziert werden, welche durch ihre Wechselwirkung mit den relevanten elektromagnetischen Feldbestandteilen eine Optimierung der Abstrahlcharakteristik gegenüber der ursprünglichen Abstrahlrichtung bewirken. Stichworte hierzu: Reflektoren, Direktoren, Schlitzstrahler, Schlitzelemente, dielektrische Elemente, dielektrische Linsen.Also In general, the leadframe antenna according to the invention in a simple or extended form in a suitable position to others suitable elements are placed, which by their interaction with the relevant electromagnetic field components an optimization the radiation characteristic opposite the original one Effect emission direction. Keywords: reflectors, directors, Slot radiators, slot elements, dielectric elements, dielectric Lenses.
Nicht üblich, aber für Radaranwendung interessant zur Dämpfung von Reflexionen, ist schließlich der Einsatz von dämpfenden Elementen in der Umgebung der Antennen. Bei den vorgeschlagenen Leadframe-Antennen könnte diese Dämpfungsfunktion z.B. durch einen geeigneten Kunststoff der ASIC-Umhüllung realisiert werden.Not common, but for radar application interesting for damping of reflections, is finally the use of damping Elements in the environment of the antennas. In the proposed leadframe antennas could this damping function e.g. realized by a suitable plastic of the ASIC enclosure become.
Im Weiteren wird auf einige der aufgeführten Punkte im Detail eingegangen.in the Further, some of the listed items are discussed in detail.
Eine erste Möglichkeit wäre, einen Teil der verbliebenen Leadframe-Beinchen als Strahlformer einzusetzen, wie es z.B. in Yagi-Antennen oder ähnlichen Antennenstrukturen erfolgtA first option would be, one Use part of the remaining leadframe legs as a beam former, as it is e.g. in Yagi antennas or similar antenna structures he follows
Ein
Ausführungsbeispiel
dieser Möglichkeit zeigt
Auch eine geeignete, ggf. ausgeweitete, Form des Kunststoffes erlaubt die weitere Strahlführung in der Art der „Dielektrischen Antennen" (auch dielektrische Linsen etc.).Also a suitable, possibly expanded, shape of the plastic allowed the further beam guidance in the way of "dielectric Antennas "(also dielectric Lenses etc.).
Das Prinzip der Yagi-Antennen kann natürlich auch mit entsprechenden Elementen außerhalb des Leadframes realisiert werden. Dabei wäre aber – nach üblichen Definitionen – die Leadframe Antenne nicht mehr die Antenne schlechthin, sondern sie nimmt die begriffliche Position einer Primär-Antenne oder Erregerantenne ein.The Principle of Yagi antennas can of course also with appropriate Elements outside the Leadframes are realized. But it would - according to usual definitions - the leadframe Antenna no longer the antenna par excellence, but she takes the conceptual position of a primary antenna or Exciter antenna.
Der Einsatz dieser Leadframe-Antennen-Technologie als Erregerantenne ist praktisch in allen bekannten Antennensystemen möglich, darüber hinaus auch als Erreger in „geschlossenen" Systemen, wie z.B. Hohlraum-Resonatoren oder Hohlraum-Wellenleitern einsetzbar.The use of this leadframe antenna technology as an exciter antenna is practically possible in all known antenna systems, in addition, as a pathogen in "closed" Sys Temen, such as cavity resonators or cavity waveguides used.
Besonders
günstig
hinsichtlich des Einbaus in Geräte
und Fahrzeuge ist die Leadframe-Antenne als Erreger in passiven
Parabol-Reflektor-Antennen (als weniger leistungsfähige Antennenvarianten
kämen Corner-Reflektoren
oder Reflektorwände
in Frage); der Parabolspiegel kann dabei ein eigenständiges Blechteil
sein, oder aber als Teil des Fahrzeug-Bleches er stellt werden. Ein
Ausführungsbeispiel
dieser Kombinationsmöglichkeit
zeigt
Die enge Verzahnung der Antenne mit dem Halbleiter-Chip bei der Leadframe-Antenne ermöglicht die Wahl vorteilhafter Schaltungskonzepte.The close integration of the antenna with the semiconductor chip in the leadframe antenna allows the choice of advantageous circuit concepts.
- – die symmetrische Dipol-Antenne dieses Beispieles erlaubt einen günstigen, symmetrischen „Differenz"- bzw. Gegentakt-Betrieb der ASIC-Schaltung (besonders gut und vorteilhaft in Silizium-Schaltung integrierbar).
- – die Mittelanzapfung ermöglicht den Verzicht sonst notwendiger spezieller Lastelemente (z.B. Übertrager) der Verstärkerstufe und damit einen höheren Wirkungsgrad bei geringerem Bauteilebedarf, ohne nennenswerten Mehraufwand des Leadframes.
- - The symmetric dipole antenna of this example allows a cheap, symmetric "differential" - or push-pull operation of the ASIC circuit (particularly good and advantageous integrated in silicon circuit).
- - The center tap allows the elimination of otherwise necessary special load elements (eg transformer) of the amplifier stage and thus a higher efficiency with lower component requirements, without significant additional effort of the lead frame.
Die
Vorteile der erfindungsgemäßen „Leadframe-Antenne" in der in den
Das „Single-Chip-HF-System" lässt sich
direkt in ein HF-Modul umsetzen. Es kann damit vollständig bei nur
einem Halbleiterhersteller produziert werden. Es beinhaltet ferner
alle kritischen HF-Übergänge der Aufbau-
und Verbindungstechnologie.The advantages of the invention "lead frame antenna" in the in
The "single-chip RF system" can be directly implemented in an RF module, allowing it to be fully fabricated by a single semiconductor manufacturer and incorporating all critical RF transitions in packaging and interconnect technology.
Derartige Einheiten lassen sich mit klaren Schnittstellen gesamthaft testen. An Endanwender lässt sich ein vollständig geprüftes, direkt einsetzbares Modul ausliefern, welches als unkritische Einheit einfach in das gewünschte HF-System integriert bzw. eingesetzt werden kann.such Units can be tested in their entirety with clear interfaces. To end users a complete one proved, Deliver directly usable module, which as an uncritical unit easy in the desired HF system can be integrated or used.
Die
direkte Realisierung einer Antenne als Teil eines Halbleiterchipos
erlaubt vorteilhaft die Realisierung eines sog. „Single-Chip-HF-Systems": mit der Antenne
können
weitere Funktionen verbunden werden, wie z.B. Ersatz einer Induktivität/Koppeltransformator/Symmetrierer
in der HF-Ausgangsstufe oder gar die Nutzung eines Mittelabgriffes
für Symmetrische
Ausgangs-/Eingangsstufen (siehe dazu
Die vorliegende Erfindung vermeidet vorteilhaft teuere Modultechnologien mit speziellen Träger-Materialien durch Einsatz als „add on" auf normaler Leiterplattentechnologien. Sie stellt vorteilhaft eine kleine resultierende Bauform bereit, welche einfach in der Anwendung und gut in einem Kraftfahrzeug unterzubringen ist. Sie eignet sich insbesondere für diesbezügliche Radaranwendung.The The present invention advantageously avoids expensive module technologies with special carrier materials through use as "add on "on normal PCB technologies. It provides a small resulting advantage Design ready, which is easy to use and good in one To accommodate motor vehicle. It is particularly suitable for related radar application.
Claims (8)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004059395A DE102004059395A1 (en) | 2004-12-09 | 2004-12-09 | Transmitting and / or receiving device |
PCT/EP2005/056361 WO2006061345A1 (en) | 2004-12-09 | 2005-11-30 | Transmitting and/or receiving device comprising a leadframe antenna |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004059395A DE102004059395A1 (en) | 2004-12-09 | 2004-12-09 | Transmitting and / or receiving device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102004059395A1 true DE102004059395A1 (en) | 2006-06-14 |
Family
ID=35945103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102004059395A Ceased DE102004059395A1 (en) | 2004-12-09 | 2004-12-09 | Transmitting and / or receiving device |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102004059395A1 (en) |
WO (1) | WO2006061345A1 (en) |
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---|---|
WO2006061345A1 (en) | 2006-06-15 |
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