DE102004057499A1 - Ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Erzeugen von unverfärbtem, weissem Licht unter Verwendung von gebrochen weissen Lichtemittierungsdioden - Google Patents

Ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Erzeugen von unverfärbtem, weissem Licht unter Verwendung von gebrochen weissen Lichtemittierungsdioden Download PDF

Info

Publication number
DE102004057499A1
DE102004057499A1 DE102004057499A DE102004057499A DE102004057499A1 DE 102004057499 A1 DE102004057499 A1 DE 102004057499A1 DE 102004057499 A DE102004057499 A DE 102004057499A DE 102004057499 A DE102004057499 A DE 102004057499A DE 102004057499 A1 DE102004057499 A1 DE 102004057499A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
white
emitting
emitting diode
diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102004057499A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102004057499B4 (de
Inventor
Soo Ghee Lee
Kee Yean Ng
Meng Ee Lee
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
Agilent Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agilent Technologies Inc filed Critical Agilent Technologies Inc
Publication of DE102004057499A1 publication Critical patent/DE102004057499A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102004057499B4 publication Critical patent/DE102004057499B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/20—Controlling the colour of the light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]

Abstract

Eine Weißlicht-emittierende Vorrichtung unter Verwendung von Dioden, die gebrochen weißen Licht emittieren (LEDs). Anstatt nur rein weiße LEDs zu verwenden, ordnet die Weißlicht-emittierende Vorrichtung diese LEDs an, die gebrochen weiße Farbe aufweisen, auf eine Weise, derart, dass die Kombination aus Licht, das aus diesen gebrochen weißen LEDs austritt, eine Strahlung erzeugt, die im Wesentlichen rein weiß für das menschliche Auge erscheint.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Erzeugen von unverfärbtem weißem Licht unter Verwendung von gebrochen weißen Lichtemittierungsdioden (LEDs). Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Möglichkeit zum Kombinieren von unterschiedlichen Farbtönen von weißem Licht aus komplementären LEDs zum Erzeugen eines „reineren" weißen Lichts.
  • Eine weiße LED koppelt zwei lichtemittierende Materialien. Das Erste ist eine blaue lichtemittierende Diode hergestellt aus Halbleitermaterial, die in der Lage zum Emittieren von Strahlung ist (d. h. der „Anfangsstrahlung"), wenn elektrischer Strom durch dieselbe fließt. Das Zweite ist ein gelbes fluoreszierendes oder lumineszierendes Wellenlängenumwandlungsmaterial, das einen Abschnitt der Anfangsstrahlung absorbiert und Licht (d. h. die „zweite Strahlung") einer Wellenlänge emittiert, die sich von der anfänglichen Strahlung unterscheidet. Das resultierende Licht ist die Kombination der zweiten Strahlung mit dem nicht umgewandelten Abschnitt der anfänglichen Strahlung. Bei einer weißen LED emittiert die Diode blaues Licht für die anfängliche Strahlung, und das Wellenlängenumwandlungsmaterial emittiert gelbes Licht für die zweite Strahlung.
  • Eine gewünschte resultierende Strahlung bei weißen LEDs ist ein unverfärbtes weißes Licht. Es gibt viele unterschiedliche Typen von weißem Licht, zum Beispiel bläulich weiß, ebenfalls bekannt als Kühl-Weiß, und gelblich weiß, ebenfalls bekannt als Warm-Weiß. „Reines" weißes Licht, das heißt unverfärbtes weißes Licht, ist erwünscht in Situationen, wo die Entsprechung von Tageslicht benötigt wird, wie zum Beispiel der Blitz für eine Bilderfassungsvorrichtung.
  • „Reines" weißes Licht wurde quantitativ bestimmt. 1 ist das 1931 CIE- (Commission International d'Elchairge) Farbart-Diagramm. Die gestrichelte Linie 110 stellt die Schwarzkörperkurve dar. Die Farbe der Strahlung von einem schwarzen Körper ist ausschließlich abhängig von seiner Temperatur. In der Beleuchtungsindustrie ist es üblich, eine weiße Farbe mit seiner zugeordneten Farbtemperatur zu bezeichnen. Punkt 100 ist „reines", unverfärbtes weißes Licht, und seine zugeordnete Farbtemperatur ist 6500 Kelvin. Dies ist nebenbei bemerkt das Bezugs-Weiß für das National Television System Committee. Punkt 100 ist der gewünschte Farbton für eine Weißlicht-emittierende Vorrichtung, wie zum Beispiel eine Bilderfassungsvorrichtung.
  • Die meisten weißen LEDs verwenden ein allgemein übliches gelbes Phosphor, wie zum Beispiel Cerium-aktiviertes Yttrium-Aluminium-Granat (YAG:Ce), als das Wellenlängenumwandlungsmaterial. Um ein unverfärbtes weißes Licht mit diesem Phosphor zu erreichen, weist die blaue anfängliche Strahlung üblicherweise eine Wellenlänge auf, die zwischen 465 und 470 Nanometer fällt. Wenn die anfängliche Strahlung zu grünlich-blau ist (z. B. mehr als 470 nm), ist das resultierende weiße Licht grünlich. Wenn die anfängliche Strahlung zu rötlich-blau ist (d. h. weniger als 465 nm), ist das resultierende weiße Licht rötlich. Beide dieser verfärbten Farbtöne von Weiß können von dem menschlichen Auge wahrgenommen werden und sind als „unreines" Weiß bekannt. Diese verfärbten Farbtöne haben Farbkoordinaten, die distal von der Schwarzkörperkurve in 1 liegen. Wenn eines dieser unreinen Weißlichte in dem Blitz für eine Bilderfassungsvorrichtung verwendet wird, ist das resultierende Bild ebenfalls verfärbt.
  • Die Farbe des Blaulichts, das durch das blaue Halbleitermaterial emittiert wird, wie es durch epiaxiale Halbleiteraufwachsprozesse erzeugt wird, reicht üblicherweise von 460-480 nm, trotz einem gesteuerten Prozess. Folglich kann nur ungefähr 25% des verfügbaren blauen Halbleitermateri als, das durch diesen Prozess hergestellt wird, in Dioden für „reine" weiße LEDs verwendet werden. Die verbleibenden 75% emittieren blaues Licht, das entweder zu grünlich oder zu rötlich ist und zu diesem Zweck nicht verwendet werden kann. Daher sind die Herstellungskosten von „reinen" weißen LEDs sehr hoch.
  • Es besteht somit ein Bedarf in der Industrie nach einem Verfahren und einer Vorrichtung zum Erzeugen eines unverfärbten weißen Lichts aus LEDs auf eine ökonomisch besser durchführbare Weise. Die vorliegende Erfindung schafft eine eindeutige, neue Lösung für dieses Problem.
    •
  • Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine lichterzeugende Vorrichtung, eine lichtemittierende Vorrichtung und eine Weißlicht-emittierende Vorrichtung mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
  • Diese Aufgabe wird durch eine lichterzeugende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß 11 oder 22 und eine Weißlicht-emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 23 gelöst.
  • Eine Weißlicht-emittierende Vorrichtung, Dioden (LEDs) verwendet, die gebrochen weißes Licht emittieren, wird offenbart. Statt auf die Verwendung von nur rein weißen LEDs beschränkt zu sein, ordnet die Weißlicht-emittierende Vorrichtung jene LEDs, die gebrochen weiße Farben aufweisen, auf eine solche Weise an, dass die Kombination von Licht, das aus diesem gebrochen weißen LEDs ausstrahlt, eine Strahlung erzeugt, die im Wesentlichen rein weiß für das menschliche Auge erscheint.
    •
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine Darstellung des 1931 CIE- (Commission International d'Elchairge) Farbart-Diagramms;
  • 2A ein Flussdiagramm, das einen Prozess zum Teilen von blauen Dioden, Anordnen von weißen LEDs mit denselben und Anordnen der LEDs derart darstellt, dass ihr zusammengesetztes Licht „reines" weißes Licht ist;
  • 2B ein Flussdiagramm, das einen Prozess zum Teilen von gebrochen weißen LEDs und zum Anordnen der LEDs derart darstellt, dass ihr zusammengesetztes Licht „reines" weißes Licht ist.
  • 3A eine Draufsicht eines 1 × 3-Arrays aus weißen LEDs auf einem Substrat;
  • 3B eine Seitenansicht eines 1 × 3-Arrays aus weißen LEDs auf einem Substrat;
  • 4A eine Draufsicht eines 2 × 2-Arrays aus weißen LEDs auf einem Substrat;
  • 4B eine Seitenansicht eines 2 × 2-Arrays aus weißen LEDs auf einem Substrat;
  • 5A eine Draufsicht eines Arrays aus weißen LEDs in Hohlräumen auf einem Substrat;
  • 5B eine Seitenansicht eines Array aus weißen LEDs in Hohlräumen auf einem Substrat; und
  • 6 eine Darstellung eines exemplarischen Ausführungsbeispiels der Erfindung, einer Bilderfassungsvorrichtung. In diesem Fall ist die Bilderfassungsvorrichtung ein Zellulartelefon mit einer Kamera an demselben, wobei der Blitz für dieselbe ein 1 × 3 aus LEDs ist, wie in 3.
  • Das Ergebnis des Kombinierens der Erst- und Zweit-Strahlung in einer LED kann auf dem Farbartdiagramm (1) dargestellt werden. Eine Linie ist zwischen den Punkten gezeichnet, die die Farbe der Erst-Strahlung und der Zweit-Strahlung darstellt, in diesem Fall blau beziehungsweise gelb. Das resultierende Licht hat einen Farbkoordinatenpunkt, der entlang dieser Linie liegt. Der Punkt „B" ist blaues Licht. Der Punkt „Y" ist gelbes Licht. Der Farbkoordinatenpunkt von „reinen" weißen Licht liegt entlang der Linie B-Y, in der Nähe der Schwarzkörperkurve. Der Punkt „GB" ist grünlich blaues Licht. Der Punkt „GW" oder grünlich weißes Licht, liegt entlang der Linie GB-Y. Der Punkt „PB" ist rötlich blaues Licht. Der Punkt „PW" oder rötlich weißes Licht liegt entlang der Linie PB-Y.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung sind die LEDs derart ausgewählt, dass eine LED, die eine Farbkoordinate auf einer Seite der Schwarzkörperkurve aufweist, in der Nähe einer anderen LED angeordnet ist, die eine Farbkoordinate aufweist, die auf der anderen Seite der Schwarzkörperkurve liegt. Die resultierende Farbe liegt entlang des geometrischen Orts der geraden Linie, die diese Farbkoordinaten verbindet, und liegt daher näher an der Schwarzkörperkurve. Weiße LEDs mit grünlich weißer und rötlich weißer Farbe können geeignet angeordnet sein, um eine Strahlung zu ergeben, die für das Auge im Wesentlichen weiß erscheint.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist die grünlich weiße LED unter Verwendung einer blauen Diode mit 480 nm Farbe hergestellt, und die rötlich weiße LED ist unter Verwendung einer blauen Diode mit 460 nm Farbe hergestellt. Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel ist die grünlich weiße LED unter Verwendung einer blauen Diode mit 475 nm Farbe hergestellt und die rötlich weiße LED ist unter Verwendung einer blauen Diode mit 465 nm Farbe hergestellt.
  • Auf diese Weise ist der Bereich von blauen Dioden, der verwendet werden kann, breiter als 5 nm. Folglich wird die Verwendungsrate von blauen Dioden erhöht und die Kosten der Herstellung werden gesenkt.
  • Unter Verwendung von 1 liegen die Farbkoordinaten der Kombination von beliebigen zwei Punkten auf dem Farbart-Diagramm entlang der Linie, die diese zwei Punkte verbindet. Somit liegt Punkt 100 auf der Linie GW-PW in der Nähe der Schwarzkörperkurve und ist im Wesentlichen ein „reines" weißes Licht. Die Proportionen des grünlich weißen Lichts und des rötlich weißen Lichts sind im Wesentlichen derart ausgewählt, um ein weißes Licht bei Punkt 100 zu ergeben, in der Nähe der oder auf der Schwarzkörperkurve.
  • 2A stellt ein System zum Sortieren von blauen Dioden gemäß der Wellenlänge des Lichts dar, das sie emittieren. Weiße LEDs werden dann unter Verwendung der geteilten blauen Dioden angeordnet. Die LEDs werden dann auf einer Vorrichtung derart angeordnet, dass ihr kombiniertes Licht ein unverfärbtes Weiß ist. Somit können weiße LEDs unter Verwendung von 100% blauem Halbleitermaterial hergestellt werden, das durch herkömmliche Prozesse erzeugt wird. Blaue Dioden werden in drei Gruppen unterteilt, PB, B und GB, abhängig von der Wellenlänge des blauen Lichts von jeder derselben. Die Gruppe PB besteht aus rötlich blauen Dioden, die Licht im Bereich von 460-465 nm emittieren. Die Gruppe B besteht aus blauen Dioden, die Licht im Bereich von 465-470 nm emittieren. Die Gruppe GB besteht aus grünlich blauen Dioden, die Licht in dem Bereich von 470-480 nm emittieren.
  • 2B stellt ein alternatives System zum Sortieren von gebrochen weißen und weißen LEDs dar, die verwendet werden sollen, um „reines" weißes Licht zu erzeugen. Auf diese Weise können weiße LEDs unter Verwendung von 100% blauem Halbleitermaterial hergestellt werden, erzeugt durch herkömmliche Prozesse. Weiße LEDs werden in drei Gruppen un terteilt, PW, W und GW, abhängig von den Farbkoordinaten des resultierenden weißen Lichts jeder LED. Die Gruppe PW besteht aus rötlich weißen LEDs, hergestellt mit Dioden, die Licht im Bereich von 460-465 nm emittieren. Die Gruppe W besteht aus „reinen" weißen LEDs, hergestellt mit Dioden, die Licht im Bereich von 465-470 nm emittieren. Die Gruppe GW besteht aus grünlich weißen LEDs, hergestellt mit Dioden, die Licht im Bereich von 470-480 nm emittieren.
  • 3 stellt eine mögliche Anordnung von drei weißen LEDs dar, eine aus jeder Gruppe. Das Array 300 ist eine 1 × 3-Matrix. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die LED 310 aus der Gruppe GW, die LED 320 ist aus der Gruppe PW und die LED 330 ist aus der Gruppe W (siehe 2). Die Kombination des Lichts dieser drei LEDs ist reines weißes Licht, wie in dem Farbart-Diagramm dargestellt ist. Eine Untersuchung hat gezeigt, dass die tatsächliche Anordnung von LEDs 310, 320 & 330 nicht wichtig ist, und das resultierende Licht jeder Anordnung reines Weiß ist.
  • In 3 sind die Dioden mit einem Substrat 302 gekoppelt, das elektrisch leitfähige Spuren aufweist (nicht gezeigt). Bonddrähte 304 sind aus jedem Ende des LED-Anschlusses mit einer leitfähigen Spur auf dem Substrat hergestellt. Eine Schicht eines Kapselungsmaterials und einer Phosphormischung 306 deckt die Dioden ab.
  • 5 stellt ein bevorzugtes alternatives Ausführungsbeispiel dar, bei dem die Dioden in Hohlräumen in dem Substrat platziert sind. Die Hohlräume wirken als Reflektoren, die Licht sammeln und es in der gewünschten Richtung herausleiten. Der Hohlraum wirkt ferner als eine Aufnahmeeinrichtung, wodurch derselbe zuerst mit der Kapselungsmaterial/Phosphor-Mischung gefüllt werden kann, und die Diode wird sandwichartig zwischen derselben und eine Linse aus ausschließlich Kapselungsmaterial angeordnet. Eine sekundäre optische Linse, die vorteilhaft über der Diode platziert ist, steuert und verbessert ferner das Strahlungsmuster des Lichts. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird eine Fresnel-Linse verwendet.
  • Das Kapselungsmaterial ist vorzugsweise ein Epoxid-Material, aber allgemein sind Polymere, wie z. B. Thermoplaste und Duroplaste, geeignet. Silizium oder Glas könnte ebenfalls verwendet werden. Das Kapselungsmaterial wird vorzugsweise durch Einspritz- oder Spritz-Formen erzeugt. Ein Gießverfahren könnte ebenfalls verwendet werden. Alternativ kann das Kapselungsmaterial eine Abdeckung sein, die über den Dioden platziert ist.
  • In 5 sind die Dioden mit einem Substrat 502 gekoppelt, das elektrisch leitfähige Spuren aufweist (nicht gezeigt). Das Substrat weist Hohlräume 501 auf, die als Reflektoren wirken. Bonddrähte 504 sind von einem Ende des LED-Anschlusses zu einer leitfähigen Spur an dem Substrat hergestellt. Eine Schicht einer Kapselungsmaterial/Phosphor-Mischung deckt die Dioden ab und füllt die Hohlräume zumindest teilweise. Eine zweite, linsenförmige Schicht aus Kapselungsmaterial deckt nur 506 zumindest teilweise jede Diode ab. Alternativ weist das Kapselungsmaterial 506 die Kapselungsmaterial/Phosphor-Mischung auf. Eine sekundäre Linse 508 ist an der Linsenseite des LED-Arrays abgeordnet.
  • Die Anordnung aus LEDs ist nicht auf 1 × 3- oder 2 × 2-Matrizen beschränkt. Ein beliebiges Array aus m × n-Zeilen kann verwendet werden, solange LEDs aus der Gruppe PW durch LEDs aus der Gruppe GW ergänzt werden und umgekehrt (siehe 2). Das Minimum sind zwei LEDs, angeordnet in einer 1 × 2-Matrix. LEDs aus der Gruppe W erfordern keine komplementäre LED, da sie alleine rein weißes Licht erzeugen. Ferner ist die Erfindung nicht auf ein geordnetes Zeilen- und -Spalten-Array beschränkt, sondern ist gleichermaßen wirksam in LED-Arrays einer systematischen zwei-dimensionalen oder drei-dimensionalen Art.
  • Ergänzende weiße LEDs können auf einem Substrat angeordnet sein, wie zum Beispiel einem Leiterrahmen, einer gedruckten Schaltungsplatine, einem flexiblen Substrat, Glas oder Keramik. Alternativ kann eine Mehrzahl von ergänzenden weißen LED-Vorrichtungskomponenten, wie zum Beispiel Lampen vom Durchgangslochtyp oder eine Chip-LED und PLCC vom Oberflächenbefestigungstyp auf einem anderen Substrat angeordnet sein, wie zum Beispiel einer gedruckten Schaltungsplatine, um reines weißes Licht zu erzeugen. Diese Komponenten werden üblicherweise auf das Substrat unter Verwendung einer automatischen Nehmen- und Platzieren-Ausrüstung platziert und dann vor Ort durch Wärmeeinwirkung gelötet.
  • 6 ist eine Darstellung eines exemplarischen Ausführungsbeispiels der Erfindung, einer Bilderfassungsvorrichtung. Die Bilderfassungsvorrichtung, die hier gezeigt ist, ist ein Zellulartelefon, das eine digitale Kamera an demselben aufweist. Ein 1 × 3-Array 601 (siehe 3) liefert ein Blitzlicht, sodass Fotografien in nebligen, dunklen oder Nacht-Bedingungen gemacht werden können.

Claims (27)

  1. Lichterzeugende Vorrichtung (300), die folgende Merkmale aufweist: eine erste lichtemittierende Diode (310), die Licht in einem ersten Frequenzband emittiert; eine zweite lichtemittierende Diode (320), die Licht in einem zweiten Frequenzband emittiert, wobei eine Kombination aus Licht, das aus der ersten lichtemittierenden Diode und der zweiten lichtemittierenden Diode austritt, für das menschliche Auge im Wesentlichen weiß erscheint.
  2. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der die erste lichtemittierende Diode (310) rötlich weißes lichtemittiert, das dem ersten Frequenzband entspricht, und die zweite lichtemittierende Diode (320) grünlich weißes Licht emittiert, das dem zweiten Frequenzband entspricht.
  3. Vorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der die erste lichtemittierende Diode (310) Farbkoordinaten aufweist, die auf einer Seite einer Schwarzkörperkurve (110) liegen, und die zweite lichtemittierende Diode (320) Farbkoordinaten aufweist, die auf der anderen Seite der Schwarzkörperkurve (110) liegen.
  4. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der die Kombination aus Licht aus der ersten lichtemittierenden Diode (310), die rötlich weißes Licht ausstrahlt, und aus der zweiten lichtemittierenden Diode (320), die grünlich weißes Licht ausstrahlt, zu einem rein weißen Licht (100) resultiert.
  5. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der die erste lichtemittierende Diode (310) eine blaulicht-emittierende Diode aufweist, die mit einem Kapselungsmaterial (306) abgedeckt ist, das ein gelbes Phosphorwellenlängenumwandlungsmaterial enthält.
  6. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der die zweite lichtemittierende Diode (320) mit einem Kapselungsmaterial (306) abgedeckt ist, das ein gelbes Phosphorwellenlängenumwandlungsmaterial enthält.
  7. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 2 bis 6, bei der die erste lichtemittierende Diode (310) eine Wellenlänge aus rötlich blauem Licht von zwischen 460-465 Nanometern aufweist.
  8. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 2 bis 7, bei der die zweite lichtemittierende Diode (320) eine Wellenlänge aus dem grünblauen Licht von zwischen 470-480 Nanometern aufweist.
  9. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, die ferner eine Mehrzahl von rötlich weißen lichtemittierenden Dioden (410 & 420) und eine gleiche Anzahl von grünlich weißen lichtemittierenden Dioden (430 & 440) aufweist, die auf eine Weise angeordnet sind, um die Mehrzahl von rötlich weißem Licht zu ergänzen, um das rein weiße Licht zu erzeugen.
  10. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, bei der das Licht, das durch die erste (310) und die zweite (320) lichtemittierende Diode erzeugt wird, verwendet wird, um ein Objekt für eine Bilderfassungsvorrichtung zu beleuchten.
  11. Lichtemittierende Vorrichtung, die folgende Merkmale aufweist: ein Array aus lichtemittierenden Dioden (300), die angeordnet sind, wobei eine lichtemittierende Diode (310), die Farbkoordinaten aufweist, die auf einer Seite einer Schwarzkörperkurve (110) liegen, in der Nähe einer lichtemittierenden Diode (320) platziert ist, die Farbkoordinaten aufweist, die auf der anderen Seite der Schwarzkörperkurve (110) liegen, und wobei die resultierende Farbe entlang eines geometrischen Orts einer geraden Linie liegt, die die Farbkoordinaten verbindet.
  12. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 11, bei der die Farbkoordinaten einem Colorimetrie-Standard definiert durch CIE entsprechen.
  13. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 11 oder 12, bei der das Licht, das durch die lichtemittierenden Dioden erzeugt wird, komplementäre Strahlungen sind.
  14. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, bei der die lichtemittierenden Dioden mit grünlich weißer (310) und rötlich weißer (320) Farbe in dem Array angeordnet sind, um eine Strahlung zu erzeugen, die für das menschliche Auge im Wesentlichen als Weiß erscheint.
  15. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 14, bei der weißes Licht eine Farbtemperatur aufweist, die ungefähr eines von 6500 Kelvin (100) oder 9300 Kelvin ist.
  16. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 11 bis 15, bei der eine Diode (310), die grünlich weißes Licht emittiert, aus einer Diode aufgebaut ist, die blaues Licht mit 480 nm Farbe emittiert, und eine Diode (320), die rötlich weißes Licht emittiert eine Diode aufweist, die blaues Licht mit 460 nm Farbe emittiert.
  17. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 16, bei der die Diode (310), die grünlich weißes Licht emittiert, aus einer Diode aufgebaut ist, die blaues Licht von mehr als 470 nm Farbe emittiert, und die Diode, die rötlich weißes Licht emittiert, eine Diode aufweist, die Blaulicht emittiert, mit weniger als 465 nm Farbe.
  18. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 11 bis 17, bei der das Array eine 1 × 3-Matrix aus lichtemittierenden Dioden (300) aufweist, die eine erste lichtemittierende Diode (310) mit einer Farbkoordinate, die auf einer Oberseite der Schwarzkörperkurve (110) liegt, und eine zweite lichtemittierende Diode (320) mit einer Farbkoordinate, die in der Nähe der Schwarzkörperkurve (110) liegt, und eine dritte lichtemittierende Diode (330) aufweist, mit einer Farbkoordinate, die auf der Unterseite der Schwarzkörperkurve (110) liegt.
  19. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 11 bis 18, bei der das Array zumindest eine 1 × 2-Matrix aus lichtemittierenden Dioden aufweist, die eine erste lichtemittierende Diode mit einer Farbkoordinate, die auf einer Oberseite der Schwarzkörperkurve (110) liegt, und eine zweite lichtemittierende Diode aufweist, mit einer Farbkoordinate, die auf einer Unterseite der Schwarzkörperkurve (110) liegt.
  20. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 11 bis 19, bei der das Array LED-Vorrichtungskomponenten aufweist.
  21. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 11 bis 20, bei der das Array eine 2× 2-Matrix aus lichtemittierenden Dioden (400) aufweist, die folgende Merkmale aufweist: eine erste lichtemittierende Diode (410) in einer oberen linken Ecke mit einer Farbkoordinate, die auf einer oberen Seite der Schwarzkörperkurve (110) liegt; eine zweite lichtemittierende Diode (420) in einer unteren rechten Ecke mit einer Farbkoordinate, die auf der oberen Seite der Schwarzkörperkurve (110) liegt; eine dritte lichtemittierende Diode (430) in einer oberen rechten Ecke mit einer Farbkoordinate, die unten an der Schwarzkörperkurve (110) liegt; eine vierte lichtemittierende Diode (440) in einer unteren linken Ecke mit einer Farbkoordinate, die unten an der Schwarzkörperkurve (110) liegt.
  22. Lichtemittierende Vorrichtung, die ein Array aus weißlicht-emittierenden Dioden (300) mit Farbkoordinaten aufweist, entfernt von einer Schwarzkörperkurve (110), wobei ein zusammengesetztes Licht eine Farbkoordinate aufweist, die weniger distal von der Schwarzkörperkurve (110) ist.
  23. Weißlicht-emittierende Vorrichtung, die folgende Merkmale aufweist: ein Substrat (302) mit elektrisch leitfähigen Spuren (304); ein Array, das zumindest eine grün-blaue LED (310) und eine rot-blaue LED (320) für jede grün-blaue- LED (310) aufweist, wobei die grün-blaue LED (310) und die rot-blaue LED (320) an das Substrat (302) angebracht sind; ein Kapselungsmaterial (306), das ein Gelb-Phosphor-Wellenlängenumwandlungsmaterial enthält, das jede LED abdeckt; eine Schaltung zum Liefern von elektrischem Strom zu jeder LED.
  24. Weißlicht-emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 23, bei der das Substrat (502) Hohlräume (505) aufweist, auf die die grün-blaue LED (510) und die rot-blaue LED (530) auf demselben angeordnet sind, wobei die Hohlräume (505) als ein Reflektor zum Sammeln und Richten von Licht hinaus in eine gewünschte Richtung wirken.
  25. Weißlicht-emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 23 oder 24, bei der das Kapselungsmaterial (306) und das Gelb-Phosphor-Wellenlängenumwandlungsmaterial in eine Linsenkonfiguration geformt sind, um ein gewünschtes Strahlungsmuster aus emittiertem Licht auszuüben.
  26. Weißlicht-emittierende Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 23 bis 25, die ferner eine optische Linse (508) platziert über dem Array aus LEDs (500) aufweist, die verwendet wird, um ein Strahlungsmuster aus emittiertem Licht zu verbessern.
  27. Weißlicht-emittierende Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 23 bis 26, bei der Licht, das durch die grünbla ue LED und die rot-blaue LED erzeugt wird, verwendet wird, um ein Objekt für eine Bilderfassungsvorrichtung zu beleuchten.
DE102004057499A 2003-12-19 2004-11-29 Ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Erzeugen von unverfärbtem, weissem Licht unter Verwendung von gebrochen weissen Lichtemittierungsdioden Active DE102004057499B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/742,688 2003-12-19
US10/742,688 US7066623B2 (en) 2003-12-19 2003-12-19 Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102004057499A1 true DE102004057499A1 (de) 2005-07-14
DE102004057499B4 DE102004057499B4 (de) 2010-07-29

Family

ID=34678512

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102004057499A Active DE102004057499B4 (de) 2003-12-19 2004-11-29 Ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Erzeugen von unverfärbtem, weissem Licht unter Verwendung von gebrochen weissen Lichtemittierungsdioden

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7066623B2 (de)
JP (1) JP4947610B2 (de)
KR (1) KR101216878B1 (de)
CN (1) CN100541837C (de)
DE (1) DE102004057499B4 (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009152916A1 (de) * 2008-05-29 2009-12-23 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh Led-modul für die allgemeinbeleuchtung
DE102009015313A1 (de) * 2009-03-27 2010-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Anzeigeeinrichtung
US9115852B2 (en) 2008-12-19 2015-08-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a plurality of LED illumination devices and a plurality of LED chipsets for illumination devices, and LED illumination device
DE102008015712B4 (de) * 2007-03-26 2017-04-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Lichtquelle mit mehreren weißen LEDs mit verschiedenen Ausgabespektren
DE102016102596A1 (de) * 2016-02-15 2017-08-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Betreiben einer Halbleiterlichtquelle und Halbleiterlichtquelle

Families Citing this family (158)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101556985B (zh) * 2003-04-30 2017-06-09 克利公司 具有小型光学元件的高功率发光器封装
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
KR100655894B1 (ko) * 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
KR100665298B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100665299B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
US8308980B2 (en) * 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US7404652B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-29 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Light-emitting diode flash module with enhanced spectral emission
US20060132431A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 Eliezer Oren E Multi-function digital device as a human-input-device for a computer
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
KR101138944B1 (ko) * 2005-01-26 2012-04-25 서울옵토디바이스주식회사 직렬 연결된 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및그것을 제조하는 방법
US20100141172A1 (en) * 2005-02-14 2010-06-10 Mitsubishi Chemical Corporation Light Source, Solid State Light Emitting Element Module, Fluorescent Module, Light Orientation Element Module, Illumination Device, Image Display Device, and Light Source Adjustment Method
WO2007103310A2 (en) 2006-03-07 2007-09-13 Qd Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8215815B2 (en) 2005-06-07 2012-07-10 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8272758B2 (en) 2005-06-07 2012-09-25 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
WO2006131924A2 (en) 2005-06-07 2006-12-14 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus
US7230222B2 (en) * 2005-08-15 2007-06-12 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Calibrated LED light module
KR101258397B1 (ko) * 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
KR101361883B1 (ko) * 2005-11-18 2014-02-12 크리 인코포레이티드 고상 발광 타일들
KR101055772B1 (ko) * 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
US7213940B1 (en) 2005-12-21 2007-05-08 Led Lighting Fixtures, Inc. Lighting device and lighting method
TWI421438B (zh) 2005-12-21 2014-01-01 克里公司 照明裝置
EP2372223A3 (de) 2005-12-21 2012-08-01 Cree, Inc. Beleuchtungsvorrichtung und Beleuchtungsverfahren
KR20090009772A (ko) 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
KR100771811B1 (ko) * 2005-12-27 2007-10-30 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
US20070153495A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-05 Wang Michael Dongxue Illumination mechanism for mobile digital imaging
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
US7828460B2 (en) 2006-04-18 2010-11-09 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9084328B2 (en) * 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US8998444B2 (en) * 2006-04-18 2015-04-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US7821194B2 (en) * 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US9921428B2 (en) 2006-04-18 2018-03-20 Cree, Inc. Light devices, display devices, backlighting devices, edge-lighting devices, combination backlighting and edge-lighting devices
US7997745B2 (en) 2006-04-20 2011-08-16 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
WO2007142947A2 (en) 2006-05-31 2007-12-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device with color control, and method of lighting
EP2029936B1 (de) 2006-05-31 2015-07-29 Cree, Inc. Beleuchtungsvorrichtung und beleuchtungsverfahren
US7661840B1 (en) 2006-06-21 2010-02-16 Ilight Technologies, Inc. Lighting device with illuminated front panel
EP3624560A1 (de) * 2006-08-23 2020-03-18 IDEAL Industries Lighting LLC Beleuchtungsvorrichtung und beleuchtungsverfahren
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US8029155B2 (en) * 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
WO2008067441A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US9441793B2 (en) * 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
CN101611259B (zh) * 2006-12-07 2012-06-27 科锐公司 照明装置和照明方法
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US20080169746A1 (en) * 2007-01-12 2008-07-17 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode
US7686478B1 (en) 2007-01-12 2010-03-30 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode with color-converting insert
US8109656B1 (en) 2007-01-12 2012-02-07 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode with modified inner cavity
TWI336962B (en) * 2007-02-08 2011-02-01 Touch Micro System Tech White light emitting diode package structure having silicon substrate and method of making the same
TWI560405B (en) * 2007-02-22 2016-12-01 Cree Inc Lighting devices, methods of lighting, light filters and methods of filtering light
WO2008137975A1 (en) * 2007-05-08 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
EP2142844B1 (de) * 2007-05-08 2017-08-23 Cree, Inc. Beleuchtungsvorrichtung und beleuchtungsverfahren
CN101688644B (zh) * 2007-05-08 2011-06-15 科锐Led照明科技公司 照明装置及照明方法
BRPI0811561A2 (pt) * 2007-05-08 2015-06-16 Cree Led Lighting Solutions Dispositivo de iluminação e método de iluminação
JP2010527156A (ja) * 2007-05-08 2010-08-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
KR100818162B1 (ko) 2007-05-14 2008-03-31 루미마이크로 주식회사 색온도 조절이 가능한 백색 ｌｅｄ 장치
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US7663315B1 (en) 2007-07-24 2010-02-16 Ilight Technologies, Inc. Spherical bulb for light-emitting diode with spherical inner cavity
US7863635B2 (en) 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
RU2467051C2 (ru) * 2007-08-22 2012-11-20 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Люминофоры на основе нестехиометрических тетрагональных силикатов меди и щелочноземельного металла и способ их получения
US11114594B2 (en) * 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
KR101055769B1 (ko) * 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
US7841759B2 (en) 2007-10-10 2010-11-30 Apple Inc. LED backlight for display systems
CN101821544B (zh) * 2007-10-10 2012-11-28 科锐公司 照明装置及制造方法
US9634191B2 (en) * 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
US8267542B2 (en) * 2007-11-15 2012-09-18 Cree, Inc. Apparatus and methods for selecting light emitters
US8866410B2 (en) 2007-11-28 2014-10-21 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods of manufacturing the same
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US8172447B2 (en) 2007-12-19 2012-05-08 Oree, Inc. Discrete lighting elements and planar assembly thereof
US20090161369A1 (en) 2007-12-19 2009-06-25 Keren Regev Waveguide sheet and methods for manufacturing the same
CN101463975A (zh) * 2007-12-19 2009-06-24 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 固态光源装置
WO2009093895A1 (en) * 2008-01-21 2009-07-30 Eldolab Holding B.V. A method for producing a led assembly and led assembly produced by the method
WO2009109974A2 (en) * 2008-03-05 2009-09-11 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
KR100986359B1 (ko) * 2008-03-14 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
US8350461B2 (en) 2008-03-28 2013-01-08 Cree, Inc. Apparatus and methods for combining light emitters
WO2009151515A1 (en) 2008-05-06 2009-12-17 Qd Vision, Inc. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
KR101280390B1 (ko) * 2008-05-13 2013-07-01 엘지디스플레이 주식회사 엘이디 백라이트 유닛 및 이를 이용한 액정표시장치모듈
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
KR101269592B1 (ko) * 2008-07-09 2013-06-05 엘지디스플레이 주식회사 액정표시모듈의 엘이디 백라이트 구성방법
US8301002B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US8297786B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
JP5196262B2 (ja) * 2008-09-30 2013-05-15 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
DE102008051256B4 (de) * 2008-10-10 2018-05-24 Ivoclar Vivadent Ag Halbleiter-Strahlungsquelle
US8075165B2 (en) 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
JP5263515B2 (ja) * 2008-10-20 2013-08-14 東芝ライテック株式会社 照明装置
KR101081246B1 (ko) * 2008-11-21 2011-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 그 제조방법
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
JP5344149B2 (ja) * 2009-01-28 2013-11-20 東芝ライテック株式会社 Ｌｅｄ装置の製造方法
US8333631B2 (en) * 2009-02-19 2012-12-18 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
US7967652B2 (en) 2009-02-19 2011-06-28 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
US8339029B2 (en) 2009-02-19 2012-12-25 Cree, Inc. Light emitting devices and systems having tunable chromaticity
US8624527B1 (en) 2009-03-27 2014-01-07 Oree, Inc. Independently controllable illumination device
US7985000B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-26 Ledengin, Inc. Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers
US8328406B2 (en) 2009-05-13 2012-12-11 Oree, Inc. Low-profile illumination device
TWI383345B (zh) * 2009-05-22 2013-01-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 顯示器與其所使用的光源裝置
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
JP5133459B2 (ja) * 2009-06-15 2013-01-30 シャープ株式会社 照明装置、表示装置、及びテレビ受信装置
DE102009030205A1 (de) * 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
WO2010150202A2 (en) 2009-06-24 2010-12-29 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus with high conversion efficiency and methods of forming the same
KR101055762B1 (ko) * 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
US8384114B2 (en) 2009-06-27 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. High efficiency LEDs and LED lamps
KR20120062773A (ko) 2009-08-14 2012-06-14 큐디 비젼, 인크. 조명 장치, 조명 장치용 광학 요소, 및 방법
US8648546B2 (en) * 2009-08-14 2014-02-11 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more saturated light emitters, and method of lighting
TWI354365B (en) * 2009-08-26 2011-12-11 Quasioptical led package structure for increasing
US8901845B2 (en) 2009-09-24 2014-12-02 Cree, Inc. Temperature responsive control for lighting apparatus including light emitting devices providing different chromaticities and related methods
EP2480816A1 (de) 2009-09-25 2012-08-01 Cree, Inc. Beleuchtungsvorrichtung mit geringem blendeffekt und hoher lichtstärkenuniformität
KR101640813B1 (ko) * 2009-09-29 2016-07-19 엘지디스플레이 주식회사 백색 광원모듈 및 이를 적용한 액정표시장치
EP2491766B1 (de) * 2009-12-04 2015-02-25 OSRAM GmbH Led-beleuchtungsvorrichtung zur erzeugung von multichromatischer lichtstrahlung
US9480133B2 (en) 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
US8653539B2 (en) 2010-01-04 2014-02-18 Cooledge Lighting, Inc. Failure mitigation in arrays of light-emitting devices
US8508116B2 (en) 2010-01-27 2013-08-13 Cree, Inc. Lighting device with multi-chip light emitters, solid state light emitter support members and lighting elements
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
KR100999809B1 (ko) * 2010-03-26 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR101683888B1 (ko) * 2010-03-29 2016-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
JP2011254064A (ja) * 2010-05-06 2011-12-15 Funai Electric Co Ltd 面発光装置
WO2011143197A2 (en) 2010-05-13 2011-11-17 Cree, Inc. Lighting device and method of making
US8339472B2 (en) * 2010-05-28 2012-12-25 Research In Motion Limited Composite flash for a mobile device
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
EP2589082B1 (de) 2010-06-29 2018-08-08 Cooledge Lighting Inc. Elektronische vorrichtungen mit nachgebenden substraten
US20120092862A1 (en) * 2010-10-13 2012-04-19 Shih-Jen Chuang Structure of light-emitting diode (led) having high color rendering index
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
TWI431813B (zh) * 2011-02-24 2014-03-21 Genesis Photonics Inc Light emitting diode components
US8513900B2 (en) 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
EP2523534B1 (de) * 2011-05-12 2019-08-07 Ledengin, Inc. Vorrichtung und Verfahren zur Abstimmung eines Senders mit mehreren LEDs zu einer Einzelfarbklassifizierung
KR101872253B1 (ko) * 2011-08-09 2018-06-28 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지, 발광 장치 및 조명 장치
US20140246990A1 (en) * 2011-09-08 2014-09-04 LG Inntotek Co., Ltd. Lighting device and lighting control method
US8591072B2 (en) 2011-11-16 2013-11-26 Oree, Inc. Illumination apparatus confining light by total internal reflection and methods of forming the same
EP2834842B1 (de) * 2012-04-06 2018-07-04 Philips Lighting Holding B.V. Weisslicht emittierendes modul
DE102012207185A1 (de) * 2012-04-30 2013-10-31 Zumtobel Lighting Gmbh Anordnung zur Erzeugung von weißem Licht mit einstellbarer Farbtemperatur
US9231178B2 (en) 2012-06-07 2016-01-05 Cooledge Lighting, Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
US9857519B2 (en) 2012-07-03 2018-01-02 Oree Advanced Illumination Solutions Ltd. Planar remote phosphor illumination apparatus
US20140042470A1 (en) 2012-08-09 2014-02-13 Epistar Corporation Method of making light emitting device and light emitting device made thereof
US9353917B2 (en) 2012-09-14 2016-05-31 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
CN102969437A (zh) * 2012-12-06 2013-03-13 上海顿格电子贸易有限公司 Led发光元器件
US8928219B2 (en) * 2013-03-05 2015-01-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Lighting device with spectral converter
US8876312B2 (en) 2013-03-05 2014-11-04 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Lighting device and apparatus with spectral converter within a casing
TWI476383B (zh) * 2013-04-17 2015-03-11 Nat Univ Tsing Hua 以黑體輻射光譜相似性分析光源品質之方法
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
JP6396295B2 (ja) * 2013-06-18 2018-09-26 シャープ株式会社 光源装置および発光装置
CN103839935A (zh) * 2014-03-14 2014-06-04 无锡实益达电子有限公司 一种具有高色彩表现能力的集成式白光led光源
DE202014103052U1 (de) * 2014-03-27 2015-07-03 Tridonic Jennersdorf Gmbh Beleuchtungsvorrichtung zur Erzeugung von weißem Licht
KR101616193B1 (ko) * 2014-09-03 2016-04-29 송인실 혼합광 생성장치
KR102261955B1 (ko) 2015-02-02 2021-06-24 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
CN107946441A (zh) 2016-10-12 2018-04-20 亿光电子工业股份有限公司 发光装置及发光二极管封装结构
US10219345B2 (en) 2016-11-10 2019-02-26 Ledengin, Inc. Tunable LED emitter with continuous spectrum
WO2018160743A1 (en) * 2017-02-28 2018-09-07 Quarkstar Llc Lifetime color stabilization of color-shifting artificial light sources
JP6912732B2 (ja) * 2018-08-31 2021-08-04 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP7007595B2 (ja) * 2019-05-31 2022-01-24 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US11912918B2 (en) * 2020-06-29 2024-02-27 Lumileds Llc Phosphor particle coating

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3649748B2 (ja) * 1993-03-22 2005-05-18 三洋電機株式会社 発光ダイオードランプ
US5803579A (en) * 1996-06-13 1998-09-08 Gentex Corporation Illuminator assembly incorporating light emitting diodes
JPH1011002A (ja) * 1996-06-19 1998-01-16 Toyoda Gosei Co Ltd ２色発光ダイオード及び２色発光ダイオードディスプレイ装置
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JPH10163535A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
US7014336B1 (en) * 1999-11-18 2006-03-21 Color Kinetics Incorporated Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
JPH11149262A (ja) * 1997-11-17 1999-06-02 Copal Co Ltd 白色発光素子及び電光表示ユニット
JP2000294834A (ja) * 1999-04-09 2000-10-20 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP2000349345A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
ATE301802T1 (de) 1999-11-18 2005-08-15 Color Kinetics Systeme und verfahren zur erzeugung und modulierung von beleuchtungsbedingungen
FR2801386A1 (fr) * 1999-11-19 2001-05-25 Adiatec Sa Dispositif de test pour l'analyse de faibles volumes d'echantillons par des methodes immunochromatographiques
US6513949B1 (en) * 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
US6538371B1 (en) * 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
JP2002057376A (ja) * 2000-05-31 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄランプ
US6577073B2 (en) * 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
TW557373B (en) * 2000-10-25 2003-10-11 Lumileds Lighting Bv Illumination system and display device
JP2003046131A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 色度補正機能を有する半導体発光装置
JP2003152227A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄの色補正手段および色補正方法
JP2002252374A (ja) * 2002-01-31 2002-09-06 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオードランプ
US20040120140A1 (en) * 2002-03-27 2004-06-24 Fye Michael E. Illuminated graphics using fluorescing materials
DE10216395B4 (de) * 2002-04-12 2004-09-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Festlegung der Farbgruppe einer LED und LED-Modul
KR100567548B1 (ko) * 2002-04-22 2006-04-05 서울반도체 주식회사 백색 칩 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100449502B1 (ko) * 2002-05-29 2004-09-22 서울반도체 주식회사 백색 발광 다이오드 및 그 제작 방법
KR100449503B1 (ko) * 2002-05-29 2004-09-22 서울반도체 주식회사 백색 칩 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100632659B1 (ko) * 2002-05-31 2006-10-11 서울반도체 주식회사 백색 발광 다이오드
US6794686B2 (en) * 2002-06-06 2004-09-21 Harvatek Corporation White light source
JP2004071807A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Sharp Corp 照明装置、カメラ装置及び携帯機器
JP2004356116A (ja) * 2003-05-26 2004-12-16 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
KR101131648B1 (ko) * 2003-09-24 2012-03-28 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 연색성이 개선된 ｌｅｄ-기반 고효율 조명 시스템
JP4458804B2 (ja) * 2003-10-17 2010-04-28 シチズン電子株式会社 白色ｌｅｄ
DE10351081A1 (de) * 2003-10-31 2005-06-09 Lite-On Technology Co. Weißlicht-emittierende Vorrichtung

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008015712B4 (de) * 2007-03-26 2017-04-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Lichtquelle mit mehreren weißen LEDs mit verschiedenen Ausgabespektren
WO2009152916A1 (de) * 2008-05-29 2009-12-23 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh Led-modul für die allgemeinbeleuchtung
US9115852B2 (en) 2008-12-19 2015-08-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a plurality of LED illumination devices and a plurality of LED chipsets for illumination devices, and LED illumination device
DE102009015313A1 (de) * 2009-03-27 2010-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Anzeigeeinrichtung
WO2010108761A1 (de) 2009-03-27 2010-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil und anzeigeeinrichtung
US8698385B2 (en) 2009-03-27 2014-04-15 Osram Opto Semiconductor Gmbh Optoelectronic semiconductor component and display means
DE102009015313B4 (de) 2009-03-27 2022-02-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Anzeigeeinrichtung
DE102016102596A1 (de) * 2016-02-15 2017-08-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Betreiben einer Halbleiterlichtquelle und Halbleiterlichtquelle
US10638578B2 (en) 2016-02-15 2020-04-28 Osram Oled Gmbh Method of operating a semiconductor light source, and semiconductor light source

Also Published As

Publication number Publication date
DE102004057499B4 (de) 2010-07-29
KR101216878B1 (ko) 2012-12-28
US7206507B2 (en) 2007-04-17
KR20050062433A (ko) 2005-06-23
US7066623B2 (en) 2006-06-27
US20050135094A1 (en) 2005-06-23
US20060198137A1 (en) 2006-09-07
JP2005183986A (ja) 2005-07-07
JP4947610B2 (ja) 2012-06-06
CN1629536A (zh) 2005-06-22
CN100541837C (zh) 2009-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102004057499B4 (de) Ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Erzeugen von unverfärbtem, weissem Licht unter Verwendung von gebrochen weissen Lichtemittierungsdioden
EP2287925B1 (de) Ausdehnungskompensiertes optoelektronisches Halbleiter-Bauelement, insbesondere UV-emittierende Leuchtdiode
DE102007058703B4 (de) Lichtemittierende Vorrichtung mit hohem Farbwiedergabeindex
DE102015100631A1 (de) Licht emitierende Vorrichtung, Lichtquelle zur Beleuchtung und Beleuchtungseinrichtung
DE112018006831T5 (de) Vielkanalsysteme zum bereitstellen von einstellbarem licht mit hoher farbwiedergabe und biologischen wirkungen
DE10335077A1 (de) LED-Modul
DE112011103148T5 (de) Multichip-LED-Vorrichtungen mit hoher Dichte
DE19919381A1 (de) Mehrfachverkapselung von Phosphor-LED-Bauelementen
DE102017119888A1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE102014118238A1 (de) Licht emittierende Vorrichtung, dieselbe beinhaltende Beleuchtungsvorrichtung und Montiersubstrat
DE112015002289T5 (de) Festkörper-Beleuchtungseinrichtungen mit einem zu einer Schwarzkörper-Ortskurve nicht übereinstimmenden Farbpunkt
WO2015144492A1 (de) Led-modul zur abgabe von weisslicht
DE102014109647A1 (de) Lichtemittierendes Modul und Beleuchtungsvorrichtung
DE112015001928T5 (de) Festkörperbeleuchtung mit verbesserter Leuchtkraft und hohem Cri Wert
DE102016116000A1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
WO2002005351A1 (de) Led-lichtquelle
EP2625927A1 (de) Leuchtdiodenmodul mit einem ersten bauelement und einem zweiten bauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE10230105B4 (de) Weiße LED-Lichtquelle
DE102016102784A1 (de) Beleuchtungsvorrichtung
DE102013112498B4 (de) Leuchtvorrichtungen von lichtemittierenden Dioden und deren Betriebsverfahren
DE202017105788U1 (de) Leuchtmittel zur Erfüllung wenigstens einer Lichtfunktion in einer von Rot abweichenden Lichtfarbe durch eine rote Lichtscheibe einer Fahrzeugleuchte hindurch sowie Fahrzeugleuchte mit roter Lichtscheibe und entsprechendem Leuchtmittel
DE102016114277B4 (de) Lichtemittierendes Bauteil
DE102015113743A1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung, Beleuchtungslichtquelle und Beleuchtungsvorrichtung
DE112019003822T5 (de) Schaltbare Systeme für weisses Licht mit hoher Farbtreue und biologischen Wirkungen
DE102009033915A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels und Leuchtmittel

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES ECBU IP (SINGAPORE) PTE. LTD.,

8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: DILG HAEUSLER SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESELLSCHA

8364 No opposition during term of opposition
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: EPISTAR CORPORATION, TW

Free format text: FORMER OWNER: AVAGO TECHNOLOGIES ECBU IP (SINGAPORE) PTE. LTD., SINGAPORE, SG

Effective date: 20110624

Owner name: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD., TW

Free format text: FORMER OWNER: AVAGO TECHNOLOGIES ECBU IP (SINGAPORE) PTE. LTD., SINGAPORE, SG

Effective date: 20110624

R082 Change of representative

Representative=s name: DILG HAEUSLER SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESELL, DE

Effective date: 20110624

Representative=s name: DILG HAEUSLER SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESELLSCHA

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: EPISTAR CORPORATION, TW

Free format text: FORMER OWNER: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD., HSINCHU, TW

R082 Change of representative

Representative=s name: DILG HAEUSLER SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESELL, DE