DE102004055223A1 - Stempel für die Prägelithographie - Google Patents

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Abstract

Stempel mit einer strukturierten Schicht, bestehend aus einem harten Material und einer Rückseitenschicht eines komprimierbaren Materials. Die Rückseitenschicht kann aus einem Elastomer bestehen. Der Stempel kann verwendet werden, um eine prägbare Schicht, die über einem Substrat angeordnet ist, für die Herstellung einer Magnetaufzeichnungsplatte zu prägen.

Description

  • Ausführungsformen dieser Erfindung beziehen sich auf das Gebiet von Herstellungsverfahren und insbesondere auf Stempel für die Prägelithographie.
  • Stempel werden in zahlreichen Anwendungsbereichen und für unterschiedliche Zwecke verwendet. Die Gebiete der Verwendung von Stempeln umfassen das Micro-Kontaktdrucken (μCP) und das Nano-Transferdrucken (nTP). Das Kontakt- oder Transferdrucken stützt sich auf die Oberflächenchemie zum Übertragen dünner Filme von den erhabenen Bereichen eines Stempels auf ein Substrat, wenn diese beiden Elemente in einen physikalischen Kontakt gebracht werden. Bei dieser Technik handelt es sich um einen additiven Vorgang, bei dem Strukturierungsverfahren angewendet werden, die als Soft-Lithografie bezeichnet werden. Ein Aufsatz mit dem Titel "Printing meets Lithography: Soft approaches to high-resolution patterning" von Michel et al., IBM J.Res & Dev. Ausgabe 45 No. 5, September 2001 beschreibt die Verwendung eines Elastomerstempels beim Micro-Kontaktdrucken. Der beschriebene Elastomerstempel (auch als hybrider Druckstempel bekannt) besteht aus einer strukturierten Elastomerschicht, die an einer komprimierbaren Rückseite eines Trägermaterials (wie etwa eines Metalls) angebracht ist, wie es in 1A dargestellt ist. Die strukturierte Elastomerschicht des Stempels wird mit Farbe benetzt und anschließend auf ein hartes Substrat gedruckt, wodurch eine Farb-Monoschicht auf dem harten Substrat ausgebildet wird, wie es in 1B gezeigt ist. Das Transferdrucken, bei dem ein derartiger Stempel zur Verwendung kommt, wird unter Aufwendung eines nur geringen Drucks ausgeführt.
  • Im Gegensatz zum Kontaktdrucken ist das Prägen ein Druckvorgang, bei dem eine Materialschicht mit einem Stempel verdrängt oder verformt wird. Der Druckvorgang benötigt einen höheren Druck als bei Stempeln, die beim Kontaktdrucken verwendet werden. Ein Trend beim Prägen besteht in der Entwicklung der Techniken der Nano-Prägelithografie (NIL). Die NIL-Techniken finden in der Plattenlaufwerksindustrie Anwendung um DTR-Magnetplatten (DTR = discrete track recording) herzustellen. DTR-Platten verfügen normalerweise über eine Abfolge konzentrischer erhabener Bereiche (auch als Hügel, Stege, Erhebungen und dergleichen bekannt), die Daten speichern, und über vertiefte Bereiche (auch als Übergänge, Täler, Rillen und dergleichen bekannt), die die Spuren trennen, um das Rauschen zu verringern. Derartige vertiefte Bereich können auch Servo-Informationen speichern. Die vertieften Bereiche trennen die erhabenen Bereiche, um eine unbeab sichtigte Speicherung von Daten in den vertieften Bereichen zu unterbinden oder zu vermeiden.
  • Die NIL beinhaltet die Verwendung eines vorgeprägten Hartverformungswerkzeugs (auch als Stempel, Prägeeinrichtung und dergleichen bekannt), das eine Umkehrung (Negative Replik) einer DTR-Struktur aufweist. Der Stempel wird auf eine Dünnschicht eines Polymers auf einem Plattensubstrat gedrückt. Der Stempel und das Polymer/Substrat können jeweils erwärmt und verbunden werden, worauf der Stempel entfernt wird und einen Abdruck des DTR-Musters auf der Polymerschicht hinterlässt.
  • Eine Voraussetzung einer NIL-Technik bei der Herstellung von DTR-Magnetplatten ist die Möglichkeit, dass Merkmale im Sub-100-Nanometerbereich (nm) auf zuverlässige Art und Weise erzeugt werden können. Beim Prägevorgang kann die Dicke des Polymers normalerweise im Bereich von 40 bis 500 nm liegen, was geringer ist als die Dickenunterschiede eines Stempels und der Polymer-/Substratfläche. Die NIL erfordert die Verwendung eines Stempels, der eine gute Anpassung oder Parallelausrichtung von Polymer-/Substratfläche und Stempelfläche ermöglicht. Die Anpassung zwischen den Oberflächen ist durch die Oberflächenmorphologie der geprägten Oberfläche und zudem durch die Dicke des Stempels beschränkt. Ein Problem bei den herkömmlichen NIL-Stempeln, die normalerweise eine Dicke im Bereich von 300 μm haben, besteht darin, dass sie infolge ihrer Dicke keine gute Anpassung zwischen der Plattenfläche und der Stempelfläche zulassen. Wenngleich es möglich ist, die Anpassung dadurch zu verbessern, dass die Dicke des Stempels verringert wird, kann ein derartiger Ansatz inakzeptabel sein, da ein sehr dünner Stempel während seiner Herstellung (wie etwa während eines Plattierungsvorgangs) wie auch bei der Anbringung des Stempels in einem Drucksystem schwierig zu handhaben ist.
  • Ein Problem der oben beschriebenen strukturierten Elastomerschicht-Druckstempel oder der hybriden Druckstempel bei der Verwendung von Druckvorgängen besteht darin, dass derartige Stempel für den Prägevorgang nicht über die entsprechende Härte verfügen. Derartige Stempel können zu weich sein, um scharfe und feine Rillen oder andere ähnliche Prägestrukturen zu erzeugen, die für Prägevorgänge erforderlich sind, und nicht über die erforderliche Dauerhaftigkeit für eine große Zahl von Prägungen verfügen, die beim Herstellungsverfahren ausgeführt werden. Derartige Stempel sind auf die Verwendung bei Kontaktdruckvorgängen beschränkt, bei denen ein geringer Stempeldruck verwendet wird.
  • Ein Patent, das US-Patent 6.517.995, beschreibt die Verwendung eines Elastomerstempels bei einem Flüssig-Prägevorgang. Bei einem derartigen Prägevorgang wird ein Dünnfilm eines Mate rials auf einem Substrat abgeschieden. Das abgeschiedene Material ist entweder ursprünglich als Flüssigkeit vorhanden, oder wird nachträglich vor dem Prägen verflüssigt. Das Material wird durch Prägen mit geringem Druck unter Verwendung eines strukturierten Elastomerstempels strukturiert. Anschließend wird die strukturierte Flüssigkeit gehärtet, um eine Funktionsschicht zu bilden. Ein derartiger Stempel kann jedoch darauf beschränkt sein, dass er lediglich bei einem Flüssig-Prägevorgang verwendet werden kann, bei dem eine geringer Stempeldruck und eine flüssige Prägesubstanz Verwendung finden.
  • Die Erfindung ist in den unabhängigen Ansprüchen charakterisiert, während vorteilhafte Ausgestaltungen in den Unteransprüchen angegeben sind.
  • Die Erfindung bezieht sich demnach auf einen Stempel mit einer strukturierten Schicht, bestehend aus einem harten Material und einer Rückseitenschicht eines komprimierbaren Materials. Die Rückseitenschicht kann aus einem Elastomer bestehen. Der Stempel kann verwendet werden, um eine prägbare Schicht, die über einem Substrat angeordnet ist, für die Herstellung einer Magnetaufzeichnungsplatte zu prägen.
  • Die vorliegende Erfindung ist beispielhaft und nicht einschränkend in den Figuren der beiliegenden Zeichnungen dargestellt.
  • 1A zeigt einen Stempel nach dem Stand der Technik, der aus einem strukturierten Elastomermaterial besteht, das an einer komprimierbaren Rückseite eines Trägermaterials angebracht ist.
  • 1B zeigt einen Kontaktdruckvorgang, mit dem eine Farbschicht auf einem harten Substrat unter Verwendung des Stempels von 1A ausgebildet wird.
  • 2A2E sind Querschnittsansichten, die eine Ausführungsform der Aufbauten eines zusammengesetzten Stempels während seiner Herstellung zeigen.
  • 3 stellt eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen eines zusammengesetzten Stempels dar.
  • 4 zeigt eine Ausführungsform eines Prägeverfahrens unter Verwendung des zusammengesetzten Stempels von 2E.
  • 5A5C sind Querschnittsansichten einer alternativen Ausführungsform der Aufbauten eines zusammengesetzten Stempels in unterschiedlichen Fertigungsstadien.
  • Bei der folgenden Beschreibung werden zahlreiche spezielle Details, wie etwa Beispiele spezieller Materialien oder Bestandteile beschrieben, damit die vorliegende Erfindung umfassend verständlich wird. Der Fachmann wird jedoch verstehen, dass diese speziellen Details nicht verwendet werden müssen, um die vorliegende Erfindung in die Praxis umzusetzen. In anderen Fällen wurden hinreichend bekannte Bestandteile oder Verfahren nicht im Detail beschrieben, um die vorliegende Erfindung nicht unnötig unverständlich zu machen.
  • Die Begriffe "über", "auf", "unter" werden hier verwendet, um eine Relativposition einer Schicht oder eines Bestandteils im Bezug auf die anderen Schichten oder Bestandteile zu bezeichnen. Als solches kann eine Schicht oder ein Bestandteil über oder auf einer weiteren Schicht oder einem Bestandteil in direktem Kontakt mit der weiteren Schicht oder dem Bestandteil stehen, oder kann eine oder mehrere dazwischenliegende Schichten oder Bestandteile aufweisen. Darüber hinaus kann eine Schicht oder ein Bestandteil, der zwischen Schichten oder Bestandteilen angeordnet ist, in direktem Kontakt mit den Schichten/Bestandteilen stehen oder über eine oder mehrere dazwischenliegende Schichten/Bestandteile verfügen.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass die Vorrichtung und die Verfahren, die hier beschrieben sind, verwendet werden können, um unterschiedliche Arten von Platten herzustellen. Bei einer Ausführungsform können die beschriebene Vorrichtung und das Verfahren verwendet werden, um eine Magnet-Aufzeichnungsplatte herzustellen. Alternativ dazu können die Vorrichtung und das Verfahren, die hier beschrieben werden, zur Herstellung anderer Arten digitaler Aufzeichnungsplatten verwendet werden, wie etwa für optische Aufzeichnungsplatten in Gestalt einer CD (Compact Disc) und einer DVD (Digital Versatile Disk). Schließlich können bei weiteren Ausführungsformen die Vorrichtung und das Verfahren, die hier beschrieben werden, beispielsweise zur Fertigung von Halbleitervorrichtungen und Flüssigkristallanzeigeeinrichtungen verwendet werden.
  • Es wird ein zusammengesetzter Stempel mit einer komprimierbaren Rückseitenschicht beschrieben, die mit einem Prägeaufbau eines harten Materials verbunden ist. Das harte Material kann auch ein starres Material sein. Bei einer Ausführungsform kann der Prägeaufbau des Stempels durch Elektroplattieren einer Form mit einem harten Material, wie etwa Nickel (Ni) ausgebildet werden, um eine strukturierte Schicht eines harten Materials herzustellen, und anschließend eine polymerisierte Elastomerschicht auf der Rückseite (auf der entgegengesetzten Seite der Prägestruktur) der harten Schicht aufgebracht werden. Das Befestigen eines derartigen Elastomers auf der strukturierten Schicht des harten Materials gestattet eine einfache Handhabung des Stempels und stellt zudem eine gleichmäßige Druckverteilung und gute Anpassung während des Prägens sicher. Bei einer Ausführungsform kann die strukturierte Schicht im Bezug auf eine dickere Elastomerschicht relativ dünn sein. Der Stempel oder das Pragwerkzeug kann verwendet werden um eine Struktur diskreter Spuren auf einem prägbaren Schichtmaterial (z.B. eine verformbarer Festkörper), das über einem Substrat angeordnet ist, für die Herstellung magnetischer Aufzeichnungsplatten auszubilden. Wenn der Stempel zum Prägen einer prägbaren Schicht auf einem plattenförmigen Substrat (wie etwa einem Magnetaufzeichnungsplattensubstrat) verwendet werden soll, kann der Stempel eine entsprechend Plattenform haben. Bei einer derartigen Ausführungsform, kann die Abmessung des Stempels als Durchmesser bezeichnet werden. Alternativ dazu kann der Stempel im Bezug auf die Größe und Form des Substrats und/oder der prägbaren Schicht, die geprägt werden soll, größer und/oder in anderer Gestalt ausgebildet sein. Bei alternativen Ausführungsformen kann der Stempel andere Formen und andere entsprechende Abmessungen (z.B. Breite und Länge) haben.
  • Die Vorrichtung und die Verfahren die hier beschrieben sind, ermöglichen beispielsweise die Herstellung von Merkmalen im Sub-100-Nanometerbereich (nm) in einer prägbaren Schicht auf zuverlässige Art und Weise. Beim Prägevorgang kann die Dicke der prägbaren Schicht beispielsweise im Bereich von 10 bis 500 nm liegen, was weniger ist als die Dickeschwankungen eines Stempels und der prägbaren Schicht-/Substratfläche. Die Vorrichtung und die Verfahren, die hier beschrieben sind, ermöglichen eine gute Anpassung oder Parallelausrichtung zwischen einer prägbaren Schicht-/Substratfläche und einer Stempelfläche. Es wird darauf hingewiesen, dass, wenngleich die Vorrichtung und die Verfahren im Bezug auf die Nano-Prägelithografie beschrieben sind, die Vorrichtung und die Verfahren auch bei Prägelithografietechniken eines anderen Maßstabes (z.B. Micro) verwendet werden können.
  • Die folgende Beschreibung erfolgt unter Bezugnahme auf 2A2E und 3, die eine Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung eines zusammengesetzten Stempels und dessen Aufbau erläutern. Bei einer Ausführungsform kann eine harte strukturierte Schicht 210 eines zusammengesetzten Stempels 200 von einer Vorlagenschablone 110 von 2A ausgebildet werden. Die Herstellung der Vorlagenschablone ist nach dem Stand der Technik bekannt; demzufolge wird auf eine detaillierte Beschreibung verzichtet. Für das Medium mit diskreten Spuren wird die Form der Vorlagenschablone 110 die gewünschte Struktur sein, die in eine prägbare Schicht (z.B. ein Polymer) einer Magnet-Aufzeichnungsplatte geprägt werden soll. Als solches wird die Oberflächenbeschaffenheit der Vorlagenschablone 110 verwendet, um die Gestalt der strukturierten Schicht 210 zu erzeugen, die eine Umkehrung der Struktur ist, die in die prägbare Schicht 210 der Magnet-Aufzeichnungsplatte geprägt werden soll. Die strukturierte Schicht 210 kann beispielsweise derart beschaffen sein, dass ihre seitlichen Abmessungen geringer als etwa 100nm sind. Alternativ dazu kann die strukturierte Schicht 210 Merkmale haben, die größer als 100 um sind.
  • Bei einer Ausführungsform wird eine strukturierte Schicht 210 beispielsweise durch Galvanoformung eines harten Materials (z.B. Ni) auf der Oberseite der Vorlagenschablone 110 in Schritt 310 erzeugt. Die Ni-Metallegierung kann beispielsweise auf die Vorlagenschablone 110 elektroplattiert werden. Bei einer alternativen Ausführungsform kann NiP auf der Vorlagenschablone 110 (beispielsweise durch Elektro-Abscheidung oder stromloses Abscheiden) plattiert werden. Alternativ dazu können andere harte Metalle oder Metallegierungen für die strukturierte Schicht 210 verwendet werden, wie etwa Chrom. Bei einer Ausführungsform kann die Härte des Materials für die strukturierte Schicht 210 beispielsweise im Bereich von HV100 bis HV1000 der Härteprüfung nach Vickers und HK60 bis HK1000 der Härteprüfung nach Knoop liegen. Beispielhafte Härtewerte für unterschiedliche Metalle und Metallegierungen, die verwendet werden können, sind wie folgt: Ni HK550, Cr ~HK930 und NiP (nach dem Plattieren) ~HK500-HK600. Diese Härtewerte sind lediglich exemplarisch, wobei diese Metalle/Metallegierungen auch andere Härtewerte haben können.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass das Plattieren eines mehrerer additiver Verfahren ist, die ausgeführt werden können, um die plattierte Schicht 210 auszubilden. Alternativ dazu können andere additive Verfahren, wie etwa das Rotationsbeschichten, das Tauchbeschichten, CVD und die Kathodenzerstäubung angewandt werden. Bei alternativen Ausführungsformen können subtraktive Verfahren, wie etwa das reaktive Ionenätzen (etwa von Quarz oder eines Ni-Materials) angewandt werden.
  • Zudem können andere harte Materialien ebenfalls für die strukturierte Schicht 210 verwendet werden, wie etwa Glas und Keramik. Bei einer Ausführungsform kann die strukturierte Schicht 210 nach der Ausbildung von der Vorlage 110, getrennt werden. Alternativ kann die strukturierte Schicht 210 von der Vorlage zu einem anderen Zeitpunkt getrennt werden, wie etwa nachdem die Rückseite 220 ausgehärtet ist, wie es unten beschrieben wird. Die getrennte strukturierte Schicht 210 ist in 2B dargestellt. Bei einer Ausführungsform können die erhabenen Bereiche der strukturierten Schicht 210 eine Höhe im Bereich von beispielsweise 0,1 μm haben. Alternativ können die erhabenen Bereiche der strukturierten Schicht 210 andere Höhen haben.
  • Als nächstes kann bei einer Ausführungsform eine Maskierschicht 217 auf die Rückseitenoberfläche 215 der strukturierten Schicht 210 in Schritt 330 aufgebracht werden, wie es in 2C gezeigt ist. Die Maskierschicht 217 ermöglicht die Ausbildung einer Außenwand auf der Rück seitenfläche 215 der strukturierten Schicht in Schritt 340, wie es in 2D dargestellt ist. Die Maskierschicht 217 kann aus unterschiedlichen Materialien bestehen, wie etwa einem Fotolack. Maskierschichten sind nach dem Stand der Technik bekannt; demzufolge wird auf eine detaillierte Beschreibung verzichtet. Bei einer Ausführungsform kann die Außenwand 211 auf der Rückseitenoberfläche 215 der strukturierten Schicht 210 um die Maskierschicht 217 durch Plattieren ausgebildet werden. Alternativ können andere Verfahren angewandt werden, um die Außenwand 210 auszubilden. Die Verwendung der Außenwand 211 auf dem Stempel 200 kann verhindern, dass das komprimierbare Material 220 während des Pressens des Stempels 200 in ein prägbares Material an den Seiten herausgedrückt wird, wie es im folgenden unter Bezugnahme auf 4 beschrieben wird.
  • Als nächstes wird die Maskierschicht 217 in Schritt 350 entfernt und in Schritt 360 anschließend ein komprimierbares Material 220 im Bereich der Rückseitenfläche 215 der strukturierten Schicht 210 innerhalb der Vertiefung 211 angeordnet, die durch die Außenwand 211 ausgebildet ist, wie es in 2E dargestellt ist. Das komprimierbare Material der Rückseite 220 kann an Ort und Stelle hergestellt werden, oder alternativ unter Anwendung anderer Techniken aufgebracht werden.
  • Es können beispielsweise die Oberseiten der Wand 211 maskiert werden und anschließend ein vertiefter Bereich der Oberfläche 215 mit einer Flüssigkeit beschichtet werden, die anschließend aushärtet. Alternativ kann die Rückseite der strukturierten Schicht mit anderen Techniken, wie etwa der chemischen Bedampfung (CVD), der Tauchbeschichtung oder der Rotationsbeschichtung beschichtet werden, wenn ein äußerst dünner Film verwendet werden soll.
  • Als nächstes kann das Material der Rückseitenschicht 220 in Schritt 370 gehärtet werden.
  • Bei einer Ausführungsform kann das Aushärten durch Erwärmen des Stempels 200 bewerkstelligt werden, um die Rückseitenschicht 220 für eine bestimmte Dauer einer erhöhten Temperatur auszusetzen. Das Erwärmen kann durchgeführt werden, um eine starke Haftung zwischen dem Rückseitenmaterial und dem harten Material der strukturierten Schicht 210 zu erreichen. Bei einer Ausführungsform kann das Aushärten etwa im Bereich zwischen Raumtemperatur und 150 °C erfolgen, wobei die Aushärtungszeit etwa zwischen 24 Stunden bzw. 15 Minuten liegt. Bei anderen Ausführungsformen können andere Temperaturen und Aushärtungszeiten verwendet werden. Alternativ kann das Material der Rückseitenschicht 220 ohne Erwärmung gehärtet werden, indem beispielsweise eine bestimmte Zeit bis zur Verwendung des Stempels 200 gewartet wird. Sofern sie noch nicht getrennt ist, kann die strukturierte Schicht 210 von der Vorlage 110 in Schritt 380 getrennt werden.
  • Bei einer Ausführungsform kann die komprimierbare Rückseitenschicht 220 aus einem Siliziumelastomer, wie etwa Sylgard 184TM, bestehen, das von der Dow Corning Corporation in Michigan vertrieben wird. Alternativ können andere Arten von Elastomeren verwendet werden, wie etwa Urethane. Das Elastomer, das für die Rückseitenschicht 220 verwendet wird, kann beispielsweise einen Härtewert etwa im Bereich von 20 bis 55 auf der Shore-00-Skala und zwischen 10 und 100 auf der Shore-A-Skala haben. Alternativ können andere komprimierbare Materialien anderer Härtewerte Verwendung finden. Es wird darauf hingewiesen, dass, obwohl die Schicht 220 zeitweise im Bezug auf einen Elastomer beschrieben ist, andere Arten von Materialien, wie etwa ein UV-härtendes Material (wobei ein derartiges Material in entsprechender Weise in Schritt 370 durch UV-Strahlung aushärtet), für die komprimierbare Rückseitenschicht 220 verwendet werden können. Die Wahl des einzelnen Materials für die komprimierbare Rückseitenschicht 220 kann auf unterschiedlichen Faktoren beruhen, wie etwa dessen Hitzebeständigkeit, Härte, Haftung am Material der strukturierten Schicht und der Elastizität im Bezug auf das wiederholte Auftreten von Druck.
  • Bei einer Ausführungsform kann die Dicke 222 der Rückseitenschicht 220 etwa größer oder gleich der Dicke 212 der strukturierten Schicht 210 sein. Die Dicke 212 der strukturierten Schicht 210 kann beispielsweise im Bereich von etwa 1 bis 100 μm und die Dicke 222 der Rückseitenschicht 220 im Bereich von etwa 100 μm bis 5 mm liegen. Die Verwendung einer dünnen strukturierten Schicht 210 mit einer Dicke größer oder gleich der Dicke der komprimierbaren Rückseitenschicht (z.B. Elastomermaterial) 220 kann eine einfache Handhabung des Stempels 200 ermöglichen und eine gleichmäßigere Druckverteilung sowie eine gute Anpassung während des Prägens einer prägbaren Schicht sicherstellen, wie es in 4 gezeigt ist.
  • 4 zeigt eine Ausführungsform eines Prägeverfahrens unter Verwendung des zusammengesetzten Stempels aus 2E. Ein Grundaufbau 400 mit einer auf ihm angebrachten Schicht 410 befindet sich in einem Nest 430. Bei einer Ausführungsform kann die prägbare Schicht 410 eine verformbarer Festkörper sein. Bei einer Ausführungsform kann das Substrat 400 eine Substrat sein, das für eine Magnetaufzeichnungsplatte verwendet wird. Bei einer derartigen Ausführungsform kann der Stempel 200 zum Prägen der prägbaren Schicht 410 zur Herstellung von Magnetaufzeichnungsplatten Verwendung finden. Die Magnetaufzeichnungsplatte kann beispielsweise eine Längs-Magnetaufzeichnungsplatte mit diskreten Spuren sein, die beispielsweise ein nickelphosphorplattiertes (NiP) Substrat als Grundaufbau 400 hat. Alternativ dazu kann die Magnetaufzeichnungs platte eine Senkrecht-Magnetaufzeichnungsplatte mit direkten Spuren sein, die einen weichen Magnetfilm aufweist, der über einem Substrat für den Grundaufbau 400 angeordnet ist. Bei der Ausführungsform, bei der der Grundaufbau 400 Plattenförmig ist, kann das Nest ein Ring sein, der etwa dieselbe Dicke hat wie die prägbare Schicht 410/Grundaufbau 400, um den Grundaufbau 400 zu sichern. Bei Ausführungsformen, bei denen der Grundaufbau andere Formen hat (z.B, rechteckig, quadratisch und dergleichen), kann das Nest 400 in ähnlicher Weise ausgebildet sein, um den Grundaufbau zu sichern. Ein derartiges Nest 400 kann verhindern, dass sich der Stempel um den Rand der prägbaren Schicht 410/Grundaufbau 400 windet, und eine größere Anpassung in der Nähe des Außenrandes der prägbaren Schicht 410 bewirken.
  • Nachdem der Grundaufbau 400 im Nest 430 angeordnet wurde, kann der Stempel über dem Grundaufbau positioniert und ausgerichtet werden. Der Stempel 200 wird mit der prägbaren Schicht 410 in Berührung gebrach und eine Presse 440 verwendet, um auf den Stempel 200 Druck auszuüben und so die prägbare Schicht 410 mit der strukturierten Schicht 210 zu prägen. Bei einer Ausführungsform kann der Druck, der auf den Stempel 200 einwirkt, im Bereich von etwa 10 bis 200 psi liegen. Alternativ kann eine anderer Druck verwendet werden. Bei einer Ausführungsform kann der Durchmesser der Presse 440 etwa derselbe sein, wie der Durchmesser 421 der Rückseitenschicht 220. Alternativ kann der Durchmesser der Presse 440 kleiner oder größer als der Durchmesser 421 der Rückseitenschicht 220 sein. Bei einer Ausführungsform kann die Dicke der prägbaren Schicht 410 beispielsweise im Bereich von etwa 40 bis 500 nm liegen, was weniger sein kann als die Dickenunterschiede der Stempels 200 und der Oberfläche der prägbaren Schicht 410/Grundaufbaus 400.
  • Bei der dargestellten Ausführungsform von 4 wird lediglich eine einzige Seite des Grundaufbaus 400, der die prägbare Schicht 410 aufweist, geprägt. Bei einer derartigen Ausführungsform kann der Block 440 eine harte, flache, ebene Oberfläche haben. Alternativ kann das Prägen gleichzeitig auf prägbaren Schichten ausgeführt werden, die sich auf beiden Seiten des Grundaufbaus 400 befinden. Bei einem derartigen Aufbau stellt der Block 440 einen Stempel und eine Presse zum Prägen einer prägbaren Schicht auf dieser Seite des Grundaufbaus 440 dar.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform kann der Durchmesser 421 der Rückseitenschicht 220 etwa gleich oder größer als der Durchmesser 411 der Fläche der prägbaren Schicht 410 sein, die von der strukturierten Schicht 210 geprägt werden soll. Alternativ kann der Durchmesser 421 der Rückseitenschicht 220 kleiner als der Durchmesser 411 der Fläche der prägbaren Schicht 410 sein, die durch die strukturierte Schicht 210 geprägt werden soll.
  • Bei einer Ausführungsform kann eine Löseschicht (nicht gezeigt) auf der strukturierten Schicht 210 des Stempels 200 und/oder der prägbaren Schicht 410 vor dem Prägen angeordnet werden, um eine Trennung des Stempels 200 von der prägbaren Schicht 410 nach dem Prägen zu erleichtern.
  • 5A5C zeigen eine alternative Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung eines zusammengesetzten Stempels und dessen Aufbau. Die strukturierte Schicht 210 von 5A kann in ähnlicher Art und Weise ausgebildet sein, wie jene, die oben im Bezug auf 2A und 2B beschrieben wurde. Bei dieser Ausführungsform kann eine Seitenwand 511 um den Rand der strukturierten Schicht 210 ausgebildet sein, die eine Vertiefung über dem gesamten Bereich der Rückseitenfläche 215 der Schicht 210 bildet. Ein komprimierbares Material 220 wird auf der gesamten Rückseitenfläche 215 der strukturierten Schicht 210 innerhalb der Seitenwand 511 angeordnet, wie es in 5B gezeigt ist. Die komprimierbare Rückseitenschicht 220 kann in einer Weise ähnlich jener erzeugt werden, die oben unter Bezugnahme auf 2E beschrieben wurde. Die Seitenwand 511 kann anschließend entfernt werden, um einen Stempel 200 zu erzeugen, bei dem die komprimierbare Rückseitenschicht 220 entlang des gesamten Durchmessers 515 des Stempels 220 angeordnet ist, wie es in 5C gezeigt ist.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass die strukturierte Schicht 210 mit erhabener Struktur über den Großteil ihres Durchmessers lediglich zu Darstellungszwecken gezeigt wurde. Die strukturierte Schicht 210 kann einen Prägeaufbau entlang nur bestimmter Abschnitte ihres Durchmessers oder einer anderen Abmessung aufweisen. Die strukturierte Schicht 210 kann beispielsweise derart aufgebaut sein, dass sich ein Prägeaufbau für einen Bereich der prägbaren Schicht 410 ergibt, der sich über einem Abschnitt des Grundaufbaus 400 befindet, der für eine Datenzone einer Magnetaufzeichnungsplatte verwendet werden soll, wenngleich er keinen Prägeaufbau hat, oder ein anderer Prägeaufbau (z.B. mit einem anderen Verhältnis von erhabenen zu vertieften Bereichen) für einen Bereich der prägbaren Schicht 410, der sich über einem Abschnitt des Grundaufbaus 400 befindet, der für eine Parkzone und/oder eine Übergangszone verwendet werden soll. Es wird zudem darauf hingewiesen, dass das Verhältnis der erhabenen Bereiche zu den vertieften Bereichen der strukturierten Schicht 210 über die gesamte strukturierte Schicht 210 nicht gleichmäßig sein muss.
  • Wie es zuvor erwähnt wurde, können das Gerät und die Verfahren, die hier beschrieben wurden, mit unterschiedlichen Typen von Grundaufbauten (z.B. z.B. Wafer- und Plattenoxidsub strate) verwendet werden, auf denen sich eine prägbare Schicht befindet. Bei einer alternativen Ausführungsform können die Prägevorrichtung und die Verfahren, die hier beschrieben wurden, beispielsweise verwendet werden, um Halbleitervorrichtungen, wie etwa einen Transistor herzustellen. Bei einer derartigen Fertigung kann ein prägbares Material über einem Grundaufbau, wie etwa einer Oxidschicht (z.B. SiO2) auf der Oberseite eines Siliziumwafersubstrates, angeordnet werden. Es kann ein Stempel mit einem strukturierten Aufbau für aktive Bereiche des Transistors ausgebildet werden. Der Stempel wird in das prägbare Material gedrückt, wodurch das geprägte Muster auf die Oxidschicht unter Anwendung von Ätztechniken (z.B. reaktives Ionenätzen) übertragen wird. Anschließend werden Halbleiterwafer-Herstellungstechniken, die nach dem Stand der Technik hinreichend bekannt sind, verwendet, um den Transistor zu fertigen.
  • Bei einer alternativen Ausführungsform können die Prägevorrichtung und die Verfahren, die hier beschrieben sind, beispielsweise dazu verwendet werden, Pixelmatrizes für Flachbildschirme herzustellen. Bei einer derartigen Fertigung kann ein prägbares Material über dem Grundaufbau beispielsweise einer Indiumzinnoxidschicht (ITO) auf der Oberseite eines Substrates angeordnet werden. Der Stempel weist eine strukturierte Schicht auf, die eine Umkehrung der Struktur der Pixelmatrix ist. Der Stempel wird in das prägbare Material gedrückt, wodurch die geprägte Struktur auf das ITO unter Verwendung von Ätztechniken übertragen wird, um die ITO-Schicht zu strukturieren. Infolge dessen ist jedes Pixel der Anordnung durch fehlendes ITO-Material (durch das Ätzen entfernt) auf der ansonsten durchgehenden ITO-Anode getrennt. Weiterführende Herstellungstechniken, die nach dem Stand der Technik hinreichend bekannt sind, werden angewandt, um die Pixelmatrix herzustellen.
  • Schließlich können bei einer weiteren Ausführungsform als weiteres Beispiel die Prägevorrichtung und die Verfahren, die hier erläutert wurden, verwendet werden, um Laser herzustellen. Bei einer derartigen Fertigung werden prägbare Materialbereiche, die mit Hilfe des Stempels strukturiert werden, als Maske verwendet, um Laserhohlräume für lichtabstrahlende Materialien zu abzugrenzen. Weiterführende Fabrikationstechniken, die nach dem Stand der Technik hinreichend bekannt sind, finden zur Herstellung des Lasers Anwendung. Bei weiteren Ausführungsformen können die Vorrichtung und die Verfahren, die hier erläutert wurden bei anderen Anwendungen verwendet werden, wie etwa der Herstellung mehrschichtiger elektronischer Pakete, der Herstellung optischer Kommunikationsvorrichtungen und dem Kontakt-/Transferdrucken.

Claims (50)

  1. Stempel, gekennzeichnet durch: eine strukturierte Schicht, die ein hartes Material enthält, wobei die strukturierte Schicht eine Rückseite hat; und eine Rückseitenschicht mit der Rückseite der strukturierten Schicht verbunden ist, wobei die Rückseitenschicht ein komprimierbares Material enthält.
  2. Stempel nach Anspruch 1, bei dem das harte Material ein starres Material enthält.
  3. Stempel nach Anspruch 1, bei dem das komprimierbare Material ein Elastomer enthält.
  4. Stempel nach Anspruch 1, bei dem das harte Material ein Metall enthält.
  5. Stempel nach Anspruch 4, bei dem das harte Material Nickel enthält.
  6. Stempel nach Anspruch 4, bei dem das harte Material NiP enthält.
  7. Stempel nach Anspruch 1, bei dem die strukturierte Schicht eine erste Dicke hat und die Rückseitenschicht eine zweite Dicke aufweist, die etwa gleich oder größer als die erste Dicke der strukturierten Schicht ist.
  8. Stempel nach Anspruch 7, bei dem die erste Dicke etwa im Bereich von 1 bis 300 μm liegt.
  9. Stempel nach Anspruch 7, bei dem die zweite Dicke etwa in einem Bereich von 300 μm bis 5 mm liegt.
  10. Stempel nach Anspruch 3, bei dem die strukturierte Schicht eine erste Dicke hat und die Rückseitenschicht eine zweite Dicke aufweist, die etwa gleich oder größer als die erste Dicke der strukturierten Schicht ist.
  11. Stempel nach Anspruch 10, bei dem die erste Dicke etwa in einem Bereich von 1 bis 300 μm liegt und die zweite Dicke etwa im Bereich von 300 μm bis 5 mm liegt.
  12. Stempel nach Anspruch 10, bei dem das harte Material Nickel enthält.
  13. Stempel nach Anspruch 1, weiterhin gekennzeichnet durch eine Außenwand, die eine Vertiefung bildet, wobei sich die Rückseitenschicht innerhalb der Vertiefung der Außenwand befindet.
  14. Stempel nach Anspruch 13, bei dem die strukturierte Schicht einen ersten Durchmesser hat und die Rückseitenschicht einen zweiten Durchmesser aufweist, der geringer ist als der erste Durchmesser.
  15. Stempel nach Anspruch 14, bei dem die Rückseitenschicht einen Elastomer enthält.
  16. Stempel nach Anspruch 15, bei dem das harte Material ein Metall enthält.
  17. Stempel nach Anspruch 1, bei dem die strukturierte Schicht einen ersten Durchmesser hat und die Rückseitenschicht einen zweiten Durchmesser aufweist, der etwa gleich dem ersten Durchmesser der strukturierten Schicht ist.
  18. Stempel nach Anspruch 17, bei dem die Rückseitenschicht einen Elastomer enthält.
  19. Stempel nach Anspruch 18, bei dem das harte Material Nickel enthält.
  20. Stempel nach Anspruch 1, bei dem die strukturierte Schicht Merkmale enthält, deren seitliche Abmessungen geringer als etwa 100 nm sind.
  21. Stempel nach Anspruch 4, bei dem das harte Material einen Härtewert etwa im Bereich von HV100 bis HV1000 hat.
  22. Stempel nach Anspruch 15, bei dem das Elastomer einen Härtewert etwa im Bereich von 20 bis 25 auf der Shore-00-Skala hat.
  23. Stempel nach Anspruch 18, bei dem das Elastomer einen Härtewert etwa im Bereich von 20 bis 25 auf der Shore-00-Skala hat.
  24. Stempel nach Anspruch 15, bei dem das Elastomer einen Härtewert etwa im Bereich von 10 bis 100 auf der Shore-A-Skala hat.
  25. Stempel nach Anspruch 18, bei dem das Elastomer einen Härtewert etwa im Bereich von 10 bis 100 auf der Shore-A-Skala hat.
  26. Verfahren, umfassend: Bereitstellen eines Stempels, wobei der Stempel umfasst: eine strukturierte Schicht, die ein hartes Material enthält, wobei die strukturierte Schicht eine Rückseite hat; und eine Rückseitenschicht mit der Rückseite der strukturierten Schicht verbunden ist, wobei die Rückseitenschicht ein komprimierbares Material enthält; und Prägen der strukturierten Schicht in eine prägbare Schicht, wobei die prägbare Schicht über dem Substrat angeordnet ist.
  27. Verfahren nach Anspruch 26, bei dem das harte Material ein starres Material enthält.
  28. Verfahren nach Anspruch 26, bei dem das komprimierbare Material ein Elastomer enthält.
  29. Verfahren nach Anspruch 26, bei dem die prägbare Schicht einen verformbaren Festkörper enthält.
  30. Verfahren nach Anspruch 26, bei dem der Stempel verwendet wird, um die prägbare Schicht für die Herstellung einer Magnetaufzeichnungsplatte zu prägen.
  31. Verfahren nach Anspruch 28, bei dem der Stempel verwendet wird, um die präagbare Schicht für die Herstellung einer Magnetaufzeichnungsplatte zu prägen.
  32. Verfahren nach Anspruch 26 bei dem das Prägen das Ausüben eines Drucks auf die Rückseitenschicht etwa in einem Bereich von 10 bis 2000 psi umfasst.
  33. Verfahren nach Anspruch 26, bei dem der Stempel verwendet wird, um die prägbare Schicht für die Herstellung einer optischen Aufzeichnungsplatte zu prägen.
  34. Verfahren nach Anspruch 26, bei dem der Stempel verwendet wird, um die prägbare Schicht für die Herstellung einer Anzeigeeinrichtung zu prägen.
  35. Verfahren nach Anspruch 26, bei dem der Stempel verwendet wird, um die prägbare Schicht für die Herstellung einer Halbleitervorrichtung zu prägen.
  36. Verfahren nach Anspruch 26, bei dem die prägbare Schicht mit einem Merkmal geprägt wird, dessen seitliche Abmessungen geringer sind als etwa 100 nm.
  37. Verfahren zum Herstellen eines Stempels, umfassend: Erzeugen einer strukturierten Schicht, die eine Rückseite hat, wobei die strukturierte Schicht ein hartes Material enthält; und Anordnen eines komprimierbaren Materials auf der Rückseite der strukturierten Schicht.
  38. Verfahren nach Anspruch 37, bei dem das harte Material ein starres Material enthält.
  39. Verfahren nach Anspruch 37, weiterhin umfassend das Härten des komprimierbaren Materials.
  40. Verfahren nach Anspruch 37, bei dem das Erzeugen der strukturierten Schicht das Elektroplattieren einer Vorlage mit einem Metall umfasst.
  41. Verfahren nach Anspruch 37, weiterhin umfassend: Anordnen einer Maskierschicht auf der Rückseite der strukturierten Schicht; Ausbilden einer Außenwand auf der Rückseite um die Maskierschicht herum; und Anordnen des komprimierbaren Materials auf der Rückseite innerhalb der Außenwand.
  42. Verfahren nach Anspruch 40, weiterhin umfassend das Härten des komprimierbaren Materials, nachdem das komprimierbare Material auf der Rückseite angeordnet wurde.
  43. Verfahren nach Anspruch 42, bei dem das Härten bei einer Temperatur etwa im Bereich von Raumtemperatur bis 150°C ausgeführt wird.
  44. Verfahren nach Anspruch 37, weiterhin umfassend: Ausbilden einer Außenwand um die strukturierte Schicht herum, um eine Vertiefung über der Rückseite der strukturierten Schicht auszubilden; und Anordnen des komprimierbaren Materials auf der Rückseite der strukturierten Schicht innerhalb der Außenwand.
  45. Verfahren nach Anspruch 44, weiterhin gekennzeichnet durch das Härten des komprimierbaren Materials.
  46. Verfahren nach Anspruch 37, bei dem das harte Material einen Härtewert etwa im Bereich von HV100 bis HV1000 hat.
  47. Verfahren nach Anspruch 37, bei dem das komprimierbare Material einen Härtewert etwa im Bereich von 20 bis 25 auf der Shore-00-Skala hat.
  48. Verfahren nach Anspruch 37, bei dem das komprimierbare Material einen Härtewert etwa im Bereich von 10 bis 100 auf der Shore-A-Skala hat.
  49. Vorrichtung, gekennzeichnet durch: eine Einrichtung zum Prägen einer Struktur in eine prägbare Schicht unter Verwendung ei ner harten strukturierten Materialschicht: und eine Einrichtung zum Ausüben eines gleichmäßigen Drucks auf die prägbare Schicht während des Prägens unter Verwendung eines komprimierbaren Materials, das auf der Rückseite der Einrichtung zum Prägen angeordnet ist.
  50. Verfahren nach Anspruch 49, bei dem die Einrichtung zum Prägen weiterhin eine Einrichtung enthält, die eine Anpassung beim Prägen eines Merkmals im Sub-100-nm-Bereich in die prägbare Schicht erzeugt.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007019268A1 (de) * 2007-04-24 2008-10-30 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Vorrichtung zum Bedrucken und/oder Prägen von Substraten
DE102013111372A1 (de) 2013-10-15 2015-04-16 Technische Universität Braunschweig Verfahren zur Herstellung eines oberflächenstrukturierten Gegenstands und Verwendung einer adhäsiven Folie

Families Citing this family (132)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080160129A1 (en) * 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
US7632087B2 (en) * 2003-12-19 2009-12-15 Wd Media, Inc. Composite stamper for imprint lithography
US9307648B2 (en) 2004-01-21 2016-04-05 Microcontinuum, Inc. Roll-to-roll patterning of transparent and metallic layers
US8535041B2 (en) * 2006-07-28 2013-09-17 Microcontinuum, Inc. Addressable flexible patterns
KR100590727B1 (ko) * 2004-02-24 2006-06-19 한국기계연구원 임프린트된 나노구조물을 이용한 미세접촉 인쇄기법과이의 나노 구조물
US7435074B2 (en) * 2004-03-13 2008-10-14 International Business Machines Corporation Method for fabricating dual damascence structures using photo-imprint lithography, methods for fabricating imprint lithography molds for dual damascene structures, materials for imprintable dielectrics and equipment for photo-imprint lithography used in dual damascence patterning
EP1742893B1 (de) * 2004-04-27 2012-10-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Verbundstrukturierungsvorrichtungen für weiche lithografie
US20080055581A1 (en) * 2004-04-27 2008-03-06 Rogers John A Devices and methods for pattern generation by ink lithography
CN102097458B (zh) 2004-06-04 2013-10-30 伊利诺伊大学评议会 用于制造并组装可印刷半导体元件的方法和设备
US7799699B2 (en) 2004-06-04 2010-09-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling
US7331283B2 (en) * 2004-12-16 2008-02-19 Asml Holding N.V. Method and apparatus for imprint pattern replication
US7399422B2 (en) * 2005-11-29 2008-07-15 Asml Holding N.V. System and method for forming nanodisks used in imprint lithography and nanodisk and memory disk formed thereby
US7410591B2 (en) * 2004-12-16 2008-08-12 Asml Holding N.V. Method and system for making a nano-plate for imprint lithography
US7363854B2 (en) 2004-12-16 2008-04-29 Asml Holding N.V. System and method for patterning both sides of a substrate utilizing imprint lithography
US7409759B2 (en) * 2004-12-16 2008-08-12 Asml Holding N.V. Method for making a computer hard drive platen using a nano-plate
KR101174771B1 (ko) * 2005-06-24 2012-08-17 엘지디스플레이 주식회사 소프트 몰드 및 이의 제조방법
TW200705541A (en) * 2005-07-25 2007-02-01 Li Bing Huan Manufacturing method of nano-sticker
KR101265321B1 (ko) * 2005-11-14 2013-05-20 엘지디스플레이 주식회사 스탬프 제조 방법, 그를 이용한 박막트랜지스터 및액정표시장치의 제조 방법
WO2007100849A2 (en) 2006-02-27 2007-09-07 Microcontinuum, Inc. Formation of pattern replicating tools
JP4995478B2 (ja) * 2006-04-18 2012-08-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ ナノインプリント用スペーサ、及びこれを用いた電子顕微鏡調整用試料の製造方法、並びに電子顕微鏡調整用試料、及びこれを備えた電子顕微鏡
US20070257396A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Jian Wang Device and method of forming nanoimprinted structures
US7498183B2 (en) * 2006-05-18 2009-03-03 Southwall Technologies, Inc. Fabrication of conductive micro traces using a deform and selective removal process
DE102006030267B4 (de) * 2006-06-30 2009-04-16 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Nano-Einprägetechnik mit erhöhter Flexibilität in Bezug auf die Justierung und die Formung von Strukturelementen
US20080110363A1 (en) * 2006-11-14 2008-05-15 National Chung Cheng University Physisorption-based microcontact printing process capable of controlling film thickness
US8940117B2 (en) 2007-02-27 2015-01-27 Microcontinuum, Inc. Methods and systems for forming flexible multilayer structures
ATE484773T1 (de) 2007-03-21 2010-10-15 Erich Thallner Verfahren und vorrichtung zur erzeugung einer nanostrukturierten scheibe
JP2008287762A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Canon Inc 透光性スタンパ及びその原盤
JP4448868B2 (ja) 2007-06-29 2010-04-14 株式会社日立産機システム インプリント用スタンパとその製造方法
WO2009032815A1 (en) * 2007-09-06 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Tool for making microstructured articles
CN101796443A (zh) * 2007-09-06 2010-08-04 3M创新有限公司 具有提供输出光区域控制的光提取结构的光导装置
US9102083B2 (en) 2007-09-06 2015-08-11 3M Innovative Properties Company Methods of forming molds and methods of forming articles using said molds
CN101821659B (zh) * 2007-10-11 2014-09-24 3M创新有限公司 色差共聚焦传感器
US8455846B2 (en) * 2007-12-12 2013-06-04 3M Innovative Properties Company Method for making structures with improved edge definition
US20100264560A1 (en) * 2007-12-19 2010-10-21 Zhuqing Zhang Imprint lithography apparatus and method
US8605256B2 (en) 2008-02-26 2013-12-10 3M Innovative Properties Company Multi-photon exposure system
JP5117895B2 (ja) 2008-03-17 2013-01-16 ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド 磁気記録媒体及びその製造方法
JP2009238299A (ja) 2008-03-26 2009-10-15 Hoya Corp 垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法
JP5453666B2 (ja) 2008-03-30 2014-03-26 ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド 磁気ディスク及びその製造方法
JP2010049745A (ja) * 2008-08-21 2010-03-04 Fuji Electric Device Technology Co Ltd ナノインプリント用モールドおよびこれを用いて作製された磁気記録媒体
WO2010038773A1 (ja) 2008-09-30 2010-04-08 Hoya株式会社 磁気ディスク及びその製造方法
US8886334B2 (en) 2008-10-07 2014-11-11 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices using stretchable or flexible electronics for medical applications
US8097926B2 (en) 2008-10-07 2012-01-17 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
US8389862B2 (en) 2008-10-07 2013-03-05 Mc10, Inc. Extremely stretchable electronics
EP2349440B1 (de) 2008-10-07 2019-08-21 Mc10, Inc. Katheterballon mit dehnbarer integrierter schaltung und sensoranordnung
US8372726B2 (en) 2008-10-07 2013-02-12 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
US20110217409A1 (en) 2008-10-28 2011-09-08 John Christopher Rudin Composite stamp for embossing
TWI367821B (en) * 2008-11-14 2012-07-11 Au Optronics Corp Mold and method for manufacturing the same
WO2010064724A1 (ja) 2008-12-05 2010-06-10 Hoya株式会社 磁気ディスク及びその製造方法
WO2010116908A1 (ja) 2009-03-28 2010-10-14 Hoya株式会社 磁気ディスク用潤滑剤化合物及び磁気ディスク
JP2010257567A (ja) 2009-03-30 2010-11-11 Wd Media Singapore Pte Ltd 垂直磁気記録媒体およびその製造方法
US20100300884A1 (en) 2009-05-26 2010-12-02 Wd Media, Inc. Electro-deposited passivation coatings for patterned media
US9723122B2 (en) 2009-10-01 2017-08-01 Mc10, Inc. Protective cases with integrated electronics
US9330685B1 (en) 2009-11-06 2016-05-03 WD Media, LLC Press system for nano-imprinting of recording media with a two step pressing method
US8496466B1 (en) 2009-11-06 2013-07-30 WD Media, LLC Press system with interleaved embossing foil holders for nano-imprinting of recording media
US8402638B1 (en) * 2009-11-06 2013-03-26 Wd Media, Inc. Press system with embossing foil free to expand for nano-imprinting of recording media
US9936574B2 (en) 2009-12-16 2018-04-03 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Waterproof stretchable optoelectronics
US10441185B2 (en) 2009-12-16 2019-10-15 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Flexible and stretchable electronic systems for epidermal electronics
US10918298B2 (en) 2009-12-16 2021-02-16 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois High-speed, high-resolution electrophysiology in-vivo using conformal electronics
JP5643516B2 (ja) 2010-01-08 2014-12-17 ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド 垂直磁気記録媒体
EP2547258B1 (de) 2010-03-17 2015-08-05 The Board of Trustees of the University of Illionis Implantierbare biomedizinische vorrichtungen auf bioresorbierbaren substraten
JP5574414B2 (ja) 2010-03-29 2014-08-20 ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド 磁気ディスクの評価方法及び磁気ディスクの製造方法
JP5645476B2 (ja) 2010-05-21 2014-12-24 ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド 垂直磁気ディスク
JP5634749B2 (ja) 2010-05-21 2014-12-03 ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド 垂直磁気ディスク
JP2011248968A (ja) 2010-05-28 2011-12-08 Wd Media (Singapore) Pte. Ltd 垂直磁気ディスク
JP2011248969A (ja) 2010-05-28 2011-12-08 Wd Media (Singapore) Pte. Ltd 垂直磁気ディスク
JP2011248967A (ja) 2010-05-28 2011-12-08 Wd Media (Singapore) Pte. Ltd 垂直磁気ディスクの製造方法
JP2012009086A (ja) 2010-06-22 2012-01-12 Wd Media (Singapore) Pte. Ltd 垂直磁気記録媒体及びその製造方法
US8889275B1 (en) 2010-08-20 2014-11-18 WD Media, LLC Single layer small grain size FePT:C film for heat assisted magnetic recording media
KR101678057B1 (ko) * 2010-10-04 2016-12-06 삼성전자 주식회사 패터닝 몰드 및 그 제조방법
US8845912B2 (en) 2010-11-22 2014-09-30 Microcontinuum, Inc. Tools and methods for forming semi-transparent patterning masks
US8743666B1 (en) 2011-03-08 2014-06-03 Western Digital Technologies, Inc. Energy assisted magnetic recording medium capable of suppressing high DC readback noise
US8711499B1 (en) 2011-03-10 2014-04-29 WD Media, LLC Methods for measuring media performance associated with adjacent track interference
US8491800B1 (en) 2011-03-25 2013-07-23 WD Media, LLC Manufacturing of hard masks for patterning magnetic media
US9028985B2 (en) 2011-03-31 2015-05-12 WD Media, LLC Recording media with multiple exchange coupled magnetic layers
US9765934B2 (en) 2011-05-16 2017-09-19 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Thermally managed LED arrays assembled by printing
JP2014523633A (ja) 2011-05-27 2014-09-11 エムシー10 インコーポレイテッド 電子的、光学的、且つ/又は機械的装置及びシステム並びにこれらの装置及びシステムを製造する方法
EP2713863B1 (de) 2011-06-03 2020-01-15 The Board of Trustees of the University of Illionis Anpassbare aktiv multiplexierte elektrodenanordnung mit hochdichter oberfläche zur elektrophysiologischen messung am gehirn
EP2786644B1 (de) 2011-12-01 2019-04-10 The Board of Trustees of the University of Illionis Transiente vorrichtungen für programmierbare transformationen
US8565050B1 (en) 2011-12-20 2013-10-22 WD Media, LLC Heat assisted magnetic recording media having moment keeper layer
US9029308B1 (en) 2012-03-28 2015-05-12 WD Media, LLC Low foam media cleaning detergent
US9269480B1 (en) 2012-03-30 2016-02-23 WD Media, LLC Systems and methods for forming magnetic recording media with improved grain columnar growth for energy assisted magnetic recording
CN105283122B (zh) 2012-03-30 2020-02-18 伊利诺伊大学评议会 可共形于表面的可安装于附肢的电子器件
US8941950B2 (en) 2012-05-23 2015-01-27 WD Media, LLC Underlayers for heat assisted magnetic recording (HAMR) media
US8993134B2 (en) 2012-06-29 2015-03-31 Western Digital Technologies, Inc. Electrically conductive underlayer to grow FePt granular media with (001) texture on glass substrates
JP5384709B2 (ja) * 2012-07-25 2014-01-08 コマツ産機株式会社 ダイセット
US9171794B2 (en) 2012-10-09 2015-10-27 Mc10, Inc. Embedding thin chips in polymer
US9034492B1 (en) 2013-01-11 2015-05-19 WD Media, LLC Systems and methods for controlling damping of magnetic media for heat assisted magnetic recording
US10115428B1 (en) 2013-02-15 2018-10-30 Wd Media, Inc. HAMR media structure having an anisotropic thermal barrier layer
US9153268B1 (en) 2013-02-19 2015-10-06 WD Media, LLC Lubricants comprising fluorinated graphene nanoribbons for magnetic recording media structure
US9183867B1 (en) 2013-02-21 2015-11-10 WD Media, LLC Systems and methods for forming implanted capping layers in magnetic media for magnetic recording
US9196283B1 (en) 2013-03-13 2015-11-24 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a magnetic recording transducer using a chemical buffer
US9190094B2 (en) 2013-04-04 2015-11-17 Western Digital (Fremont) Perpendicular recording media with grain isolation initiation layer and exchange breaking layer for signal-to-noise ratio enhancement
US9093122B1 (en) 2013-04-05 2015-07-28 WD Media, LLC Systems and methods for improving accuracy of test measurements involving aggressor tracks written to disks of hard disk drives
US8947987B1 (en) 2013-05-03 2015-02-03 WD Media, LLC Systems and methods for providing capping layers for heat assisted magnetic recording media
US8867322B1 (en) 2013-05-07 2014-10-21 WD Media, LLC Systems and methods for providing thermal barrier bilayers for heat assisted magnetic recording media
US9589797B2 (en) 2013-05-17 2017-03-07 Microcontinuum, Inc. Tools and methods for producing nanoantenna electronic devices
US9296082B1 (en) 2013-06-11 2016-03-29 WD Media, LLC Disk buffing apparatus with abrasive tape loading pad having a vibration absorbing layer
US9406330B1 (en) 2013-06-19 2016-08-02 WD Media, LLC Method for HDD disk defect source detection
US9607646B2 (en) 2013-07-30 2017-03-28 WD Media, LLC Hard disk double lubrication layer
US9389135B2 (en) 2013-09-26 2016-07-12 WD Media, LLC Systems and methods for calibrating a load cell of a disk burnishing machine
US9177585B1 (en) 2013-10-23 2015-11-03 WD Media, LLC Magnetic media capable of improving magnetic properties and thermal management for heat-assisted magnetic recording
US9581510B1 (en) 2013-12-16 2017-02-28 Western Digital Technologies, Inc. Sputter chamber pressure gauge with vibration absorber
US9382496B1 (en) 2013-12-19 2016-07-05 Western Digital Technologies, Inc. Lubricants with high thermal stability for heat-assisted magnetic recording
US9824711B1 (en) 2014-02-14 2017-11-21 WD Media, LLC Soft underlayer for heat assisted magnetic recording media
US9447368B1 (en) 2014-02-18 2016-09-20 WD Media, LLC Detergent composition with low foam and high nickel solubility
JP2014179630A (ja) * 2014-04-16 2014-09-25 Hoya Corp インプリントモールドの製造方法
US9431045B1 (en) 2014-04-25 2016-08-30 WD Media, LLC Magnetic seed layer used with an unbalanced soft underlayer
US9042053B1 (en) 2014-06-24 2015-05-26 WD Media, LLC Thermally stabilized perpendicular magnetic recording medium
US9159350B1 (en) 2014-07-02 2015-10-13 WD Media, LLC High damping cap layer for magnetic recording media
US10054363B2 (en) 2014-08-15 2018-08-21 WD Media, LLC Method and apparatus for cryogenic dynamic cooling
US9082447B1 (en) 2014-09-22 2015-07-14 WD Media, LLC Determining storage media substrate material type
US9685184B1 (en) 2014-09-25 2017-06-20 WD Media, LLC NiFeX-based seed layer for magnetic recording media
US9227324B1 (en) 2014-09-25 2016-01-05 WD Media, LLC Mandrel for substrate transport system with notch
US8995078B1 (en) 2014-09-25 2015-03-31 WD Media, LLC Method of testing a head for contamination
US9449633B1 (en) 2014-11-06 2016-09-20 WD Media, LLC Smooth structures for heat-assisted magnetic recording media
WO2016077790A1 (en) * 2014-11-14 2016-05-19 Beth Israel Deaconess Medical Center, Inc. Method and system to access inapparent conduction abnormalities to identify risk of ventricular tachycardia
US9818442B2 (en) 2014-12-01 2017-11-14 WD Media, LLC Magnetic media having improved magnetic grain size distribution and intergranular segregation
US9401300B1 (en) 2014-12-18 2016-07-26 WD Media, LLC Media substrate gripper including a plurality of snap-fit fingers
US9218850B1 (en) 2014-12-23 2015-12-22 WD Media, LLC Exchange break layer for heat-assisted magnetic recording media
US9257134B1 (en) 2014-12-24 2016-02-09 Western Digital Technologies, Inc. Allowing fast data zone switches on data storage devices
US9990940B1 (en) 2014-12-30 2018-06-05 WD Media, LLC Seed structure for perpendicular magnetic recording media
US9280998B1 (en) 2015-03-30 2016-03-08 WD Media, LLC Acidic post-sputter wash for magnetic recording media
US9275669B1 (en) 2015-03-31 2016-03-01 WD Media, LLC TbFeCo in PMR media for SNR improvement
US9822441B2 (en) 2015-03-31 2017-11-21 WD Media, LLC Iridium underlayer for heat assisted magnetic recording media
CN107851208B (zh) 2015-06-01 2021-09-10 伊利诺伊大学评议会 具有无线供电和近场通信能力的小型化电子系统
WO2016196673A1 (en) 2015-06-01 2016-12-08 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Alternative approach to uv sensing
US11074934B1 (en) 2015-09-25 2021-07-27 Western Digital Technologies, Inc. Heat assisted magnetic recording (HAMR) media with Curie temperature reduction layer
US10236026B1 (en) 2015-11-06 2019-03-19 WD Media, LLC Thermal barrier layers and seed layers for control of thermal and structural properties of HAMR media
US10925543B2 (en) 2015-11-11 2021-02-23 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Bioresorbable silicon electronics for transient implants
US9406329B1 (en) 2015-11-30 2016-08-02 WD Media, LLC HAMR media structure with intermediate layer underlying a magnetic recording layer having multiple sublayers
US10121506B1 (en) 2015-12-29 2018-11-06 WD Media, LLC Magnetic-recording medium including a carbon overcoat implanted with nitrogen and hydrogen
US11076519B1 (en) * 2018-03-30 2021-07-27 Facebook Technologies, Llc Selective inking head for semiconductor devices

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2621591A (en) * 1950-01-26 1952-12-16 Royal China Inc Stamping means
FR2430057A1 (fr) * 1978-06-29 1980-01-25 Thomson Csf Dispositif de pressage de disques souples et procede de pressage mettant en oeuvre un tel dispositif
FR2441475A1 (fr) * 1978-11-16 1980-06-13 Tech Audio Viduelles Dispositif pour le pressage d'objets en matiere thermoplastique, et notamment de disques phonographiques
US4262875A (en) 1979-08-17 1981-04-21 Rca Corporation Information record stampers
EP0032005B1 (de) * 1979-12-21 1983-11-16 EMI Limited Herstellung von Aufzeichnungsträgerplatten
JPS6262450A (ja) * 1985-09-13 1987-03-19 Fujitsu Ltd スタンパの製法
DE3719200A1 (de) * 1987-06-09 1988-12-29 Ibm Deutschland Optische speicherplatte und verfahren zu ihrer herstellung
JP2570402B2 (ja) * 1988-09-30 1997-01-08 日本ビクター株式会社 光学式情報記録媒体成型装置
DE69022647D1 (de) * 1989-07-12 1995-11-02 Canon Kk Gerät zur Herstellung einer Substratschicht für optische Aufzeichnungsmedien, Verfahren zur Herstellung einer Substratschicht für optische Aufzeichnungsmedien, das Gebrauch davon macht, Gerät zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums und Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums, das Gebrauch davon macht.
JPH03278337A (ja) * 1990-03-27 1991-12-10 Nikon Corp スタンパの製造方法
NL9100366A (nl) * 1991-02-28 1992-09-16 Philips & Du Pont Optical Werkwijze voor het vervaardigen van een schijfvormige informatiedrager, informatiedrager vervaardigd volgens de werkwijze en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
JPH0516323A (ja) * 1991-07-15 1993-01-26 Toppan Printing Co Ltd 印刷版の製造方法
US5900160A (en) * 1993-10-04 1999-05-04 President And Fellows Of Harvard College Methods of etching articles via microcontact printing
US5597613A (en) * 1994-12-30 1997-01-28 Honeywell Inc. Scale-up process for replicating large area diffractive optical elements
JP3372258B2 (ja) * 1995-08-04 2003-01-27 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン リソグラフィ・プロセス用のスタンプ
JP3415850B2 (ja) 1995-08-04 2003-06-09 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン リソグラフィによる表面または薄層の改変
US6309580B1 (en) * 1995-11-15 2001-10-30 Regents Of The University Of Minnesota Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography
US5772905A (en) * 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
US6482742B1 (en) * 2000-07-18 2002-11-19 Stephen Y. Chou Fluid pressure imprint lithography
GB9601289D0 (en) * 1996-01-23 1996-03-27 Nimbus Manufacturing Uk Limite Manufacture of optical data storage disc
US5795596A (en) * 1996-02-07 1998-08-18 Acushnet Company Compression mold with rubber shims
JPH10235655A (ja) * 1997-02-28 1998-09-08 Sony Corp 基板成形用金型及びその製造方法並びに磁気ディスク
JP3577903B2 (ja) * 1997-08-12 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 樹脂板製造用鋳型の製造方法および樹脂板の製造方法
US6017657A (en) * 1997-11-26 2000-01-25 Bridgestone Graphic Technologies, Inc. Method for embossing holograms into aluminum and other hard substrates
US6472451B2 (en) 1998-03-27 2002-10-29 Dsm N.V. Radiation curable adhesive for digital versatile disc
US6190838B1 (en) * 1998-04-06 2001-02-20 Imation Corp. Process for making multiple data storage disk stampers from one master
US6027595A (en) 1998-07-02 2000-02-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of making optical replicas by stamping in photoresist and replicas formed thereby
US6517995B1 (en) 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
JP2001283471A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Seiko Epson Corp 光ディスク用スタンパーの製造方法
US6596346B2 (en) 2000-09-29 2003-07-22 International Business Machines Corporation Silicone elastomer stamp with hydrophilic surfaces and method of making same
US6949199B1 (en) * 2001-08-16 2005-09-27 Seagate Technology Llc Heat-transfer-stamp process for thermal imprint lithography
JP2003086537A (ja) * 2001-09-13 2003-03-20 Tdk Corp 構造体を用いた薄膜パターン製造方法および構造体
MXPA04006628A (es) * 2002-01-07 2005-06-08 Alan John Fawcett Una lamina de troquel para una troqueladora de hoja delgada de metal.
US6946332B2 (en) 2002-03-15 2005-09-20 Lucent Technologies Inc. Forming nanoscale patterned thin film metal layers
US6869557B1 (en) * 2002-03-29 2005-03-22 Seagate Technology Llc Multi-level stamper for improved thermal imprint lithography
KR100981692B1 (ko) * 2002-05-27 2010-09-13 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 스탬프로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법 및 디바이스
EP1702359B1 (de) * 2003-09-29 2009-12-09 International Business Machines Corporation Herstellungsverfahren
GB0323902D0 (en) * 2003-10-11 2003-11-12 Koninkl Philips Electronics Nv Method for patterning a substrate surface
US7632087B2 (en) 2003-12-19 2009-12-15 Wd Media, Inc. Composite stamper for imprint lithography

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007019268A1 (de) * 2007-04-24 2008-10-30 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Vorrichtung zum Bedrucken und/oder Prägen von Substraten
US7722350B2 (en) 2007-04-24 2010-05-25 Erich Thallner Apparatus for imprinting and/or embossing substrates
DE102007019268B4 (de) * 2007-04-24 2015-10-22 Erich Thallner Vorrichtung zum Bedrucken und/oder Prägen von Substraten
DE102013111372A1 (de) 2013-10-15 2015-04-16 Technische Universität Braunschweig Verfahren zur Herstellung eines oberflächenstrukturierten Gegenstands und Verwendung einer adhäsiven Folie

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Publication number Publication date
US20070245909A1 (en) 2007-10-25
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