DE102004054320A1

DE102004054320A1 - Method and device for removing impurities and using a cleaning agent

Info

Publication number: DE102004054320A1
Application number: DE200410054320
Authority: DE
Inventors: Paul Prof. Dr. Leiderer; Johannes Graf; Mario Mosbacher; Boris Prof. Lukiyanchuk; Minghui Prof. Hong; Tow Chong Prof. Chong
Original assignee: Universitaet Konstanz; Agency for Science Technology and Research Singapore
Current assignee: Universitaet Konstanz; Agency for Science Technology and Research Singapore
Priority date: 2004-11-10
Filing date: 2004-11-10
Publication date: 2006-05-11
Also published as: WO2006050950A1

Abstract

Zusammengefaßt umfaßt die vorliegende Erfindung Verfahren zum Entfernen von Verunreinigungen an einer Fläche (14) eines Gegenstandes (12), umfassend die Schritte:
- Bereitstellen eines Reinigungsmaterials (22);
- Anbringen des Reinigungsmaterials (22) als Festkörper an zumindest einem Teil der Fläche (14) des zu reinigenden Gegenstandes (12);
- Einstrahlen von Strahlung (24), wobei die Strahlungsenergie der Strahlung (24) von dem Gegenstand (12) und/oder dem Reinigungsmaterial (22) zumindest teilweise absorbiert wird, derart, daß das Reinigungsmaterial (22) erhitzt wird und in den gasförmigen Zustand im wesentlichen sublimiert (S; L),
sowie eine Vorrichtung zum Entfernen von Verunreinigungen an einer Fläche eines Gegenstandes und die Verwendung eines Reinigungsmittels zum Entfernen von Verunreinigungen an einer Fläche eines Gegenstandes.In summary, the present invention includes methods of removing contaminants from a surface (14) of an article (12) comprising the steps of:
- Providing a cleaning material (22);
- Attaching the cleaning material (22) as a solid on at least a portion of the surface (14) of the object to be cleaned (12);
- Injecting radiation (24), wherein the radiation energy of the radiation (24) from the object (12) and / or the cleaning material (22) is at least partially absorbed, such that the cleaning material (22) is heated and in the gaseous state essentially sublimated (S; L),
and an apparatus for removing contaminants from a surface of an article and the use of a cleaning agent to remove contaminants from a surface of an article.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen von Verunreinigungen einer Fläche eines Gegenstandes, eine Vorrichtung zum Entfernen von Verunreinigungen einer Fläche eines Gegenstandes und die Verwendung eines Reinigungsmittels zum Entfernen von Verunreinigungen einer Fläche eines Gegenstandes.The The present invention relates to a method for removing impurities a surface an article, a device for removing impurities a surface an article and the use of a cleaning agent for Removing contaminants from a surface of an object.

Die Reinigung von verunreinigten Oberflächen ist in vielen technologischen Bereichen ein gravierendes Problem. Insbesondere in der Nanotechnologie, beispielsweise in der Herstellung von Halbleiterwafern zur Chipherstellung, können verunreinigte Oberflächen bzw. Fremdpartikel, wie etwa Staubpartikel, an einer Oberfläche des Halbleiterwafers die Wirkungsweise eines elektronischen Bauelements, wie etwa eines Halbleiterchips, stark beschränken bzw. diesen untauglich machen. Hinsichtlich der Größenordnung gängiger und zukünftiger Nanostrukturen, insbesondere in der Halbleiterfertigung, welche zur Zeit in Größenbereichen kleiner etwa 100nm liegen und ständig geringer werden, ist es notwendig auch Fremdpartikel mit Größen bzw. Durchmesser von etwa 50nm und kleiner zu entfernen.The Cleaning of contaminated surfaces is in many technological A serious problem. Especially in nanotechnology, for example, in the manufacture of semiconductor wafers for chip production, can contaminated surfaces or foreign particles, such as dust particles, on a surface of the Semiconductor wafer, the operation of an electronic device, such as For example, a semiconductor chip, severely restrict or disabled do. Regarding the order of magnitude common and future Nanostructures, in particular in the semiconductor production, which zur Time in size ranges less than 100nm and constantly smaller, it is necessary also foreign particles with sizes or Diameter of about 50nm and smaller to remove.

Es wurden eine Vielzahl von Methoden zum Reinigen von Halbleiteroberflächen bzw. zum Entfernen von Fremdpartikeln von einer Halbleiteroberfläche entwickelt. Beispielsweise sind in der Halbleiterfertigung naßchemische Reinigungsverfahren bekannt, welche für Fremdpartikel größer als etwa 100nm angewandt werden können. Naßchemische Reinigungsverfahren können jedoch nicht lokal, d.h. nicht für ausgewählte Oberflächenbereiche eines Gegenstandes, in welchen beispielsweise Verunreinigungen auftreten, angewandt werden. Vielmehr können naßchemische Verfahren lediglich über die gesamte Oberfläche angewandt werden. Naßchemische Verfahren sind weiterhin nachteilig, da die zu reinigende Fläche sehr leicht beschädigt werden kann und in der Regel die Entsorgung der meist umweltschädlichen Chemikalien bzw. Reinigungsmittel kostenintensiv ist.It have been a variety of methods for cleaning semiconductor surfaces or designed to remove foreign particles from a semiconductor surface. For example, in semiconductor manufacturing wet-chemical Cleaning method known which for foreign particles larger than about 100nm can be applied. Wet chemical cleaning process can but not locally, i. not for selected surface areas an object in which, for example, impurities occur, be applied. Rather, you can wet chemical Procedures only about the entire surface be applied. Wet chemical Methods are still disadvantageous because the surface to be cleaned very slightly damaged can be and usually the disposal of the most environmentally harmful Chemicals or cleaning agents is expensive.

Weiterhin können Fremdpartikel beispielsweise von der Oberfläche einer Halbleiterstruktur durch Einstrahlung von Laserlicht entfernt werden, wobei zwischen zwei gängigen Verfahren Unterschieden wird, dem Dry Laser Cleaning (DLC) und dem Steam Laser Cleaning (SLC). Bei dem DLC-Verfahren wird die Halbleiterstruktur mit Laserstrahlung bestrahlt und die Halbleiterstruktur insbesondere oberflächennah sehr schnell erhitzt. Aufgrund der thermischen Ausdehnung der Halbleiterstruktur werden Fremdpartikel von der Oberfläche geschleudert. Diese Methode hat jedoch den Nachteil, daß die zu reinigende Oberfläche beispielsweise durch optische Nahfeldeffekte in der Regel beschädigt wird bzw. eine Ablation der Oberfläche stattfindet. Ferner können mit diesem Verfahren lediglich Fremdpartikel mit einer Größe bzw. Durchmesser von etwa 100nm und mehr entfernt werden.Farther can Foreign particles, for example, from the surface of a semiconductor structure Radiation of laser light are removed, with between two common Procedures will differ, the Dry Laser Cleaning (DLC) and the Steam Laser Cleaning (SLC). In the DLC method, the semiconductor structure becomes irradiated with laser radiation and the semiconductor structure in particular near the surface heated very quickly. Due to the thermal expansion of the semiconductor structure foreign particles are thrown off the surface. This method However, has the disadvantage that the surface to be cleaned For example, is damaged by optical near field effects in the rule or an ablation of the surface takes place. Furthermore, can with this method only foreign particles with a size or Diameter of about 100nm and more are removed.

Ein weiteres Verfahren zum Entfernen von Fremdpartikeln stellt das SLC-Verfahren dar, welches beispielsweise in dem US Patent US 4 987 286 beschrieben ist. Bei dem SLC-Verfahren wird die Oberfläche des zu reinigenden Gegenstandes, beispielsweise einer Halbleiterstruktur, mit einer Flüssigkeit, wie beispielsweise einem Wasser-Alkohol-Gemisch, benetzt, wobei die Flüssigkeit insbesondere in Zwischenräume zwischen der Oberfläche der Halbleiterstruktur und einem Fremdpartikel eindringt. Anschließend wird der zu reinigende Gegenstand mit Laserlicht bestrahlt und erhitzt, wobei die Flüssigkeit explosionsartig verdampft und dadurch die Fremdpartikel von der Oberfläche der Halbleiterstruktur geschleudert werden. Mit dem SLC-Verfahren können derzeitig Fremdpartikel mit einer minimalen Größe bzw. Durchmesser von etwa 60nm entfernt werden. Auch das SLC-Verfahren birgt eine Vielzahl von Nachteilen. Beispielsweise können Flüssigkeitströpfchen an der zu reinigenden Oberfläche kondensieren, wodurch das Laserlicht fokussiert wird und aufgrund der damit verbundenen Erhöhung der Energiedichte eine Beschädigung der Oberfläche auftreten kann. Ferner ist es bei Verwendung eines herkömmlichen SLC-Verfahrens nicht immer möglich festzustellen, ob alle Fremdpartikel von der Flüssigkeit bedeckt sind bzw. in die Flüssigkeit eingebettet sind. Ferner können bei Verwendung von Flüssigkeiten, wie z.B. Wasser, Trocknungsflecken bzw. "Watermarks" entstehen. Insbesondere sind flüssige Filme mit einer Dicke im Nanometerbereich technisch nicht einfach zu präparieren Zusätzlich wird die Benetzung des Substrats vorausgesetzt.Another method for removing foreign particles is the SLC method, which is described, for example, in US Pat US 4,987,286 is described. In the SLC method, the surface of the object to be cleaned, for example a semiconductor structure, is wetted with a liquid, such as a water-alcohol mixture, the liquid in particular penetrating into intermediate spaces between the surface of the semiconductor structure and a foreign particle. Subsequently, the object to be cleaned is irradiated with laser light and heated, wherein the liquid evaporates explosively and thereby the foreign particles are thrown from the surface of the semiconductor structure. With the SLC process, foreign particles with a minimum size or diameter of about 60 nm can currently be removed. The SLC process also has a number of disadvantages. For example, liquid droplets may condense on the surface to be cleaned, whereby the laser light is focused and surface damage may occur due to the associated increase in energy density. Furthermore, when using a conventional SLC method, it is not always possible to determine whether all foreign particles are covered by the liquid or embedded in the liquid. Furthermore, when using liquids, such as water, drying marks or "watermarks" can arise. In particular, liquid films with a thickness in the nanometer range are technically not easy to prepare. In addition, the wetting of the substrate is required.

Folglich ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung in einfacher und effektiver Weise Fremdpartikel insbesondere mit Größen bzw. Durchmesser kleiner als etwa 50nm von einer Fläche eines Gegenstandes zu entfernen, wobei die Fläche des Gegenstandes möglichst unbeschädigt bleibt.consequently It is an object of the present invention in a simple and effectively foreign particles in particular with sizes or Diameter less than about 50nm from a surface of an object to remove the area the object as possible undamaged remains.

Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zum Entfernen von Verunreinigungen gemäß Anspruch 1, eine Vorrichtung zum Entfernen von Verunreinigungen gemäß Anspruch 12 und eine Verwendung eines Reinigungsmittels gemäß Anspruch 24. Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.These Task is solved by a method of removing contaminants according to claim 1, a device for removing impurities according to claim 12 and a use of a cleaning agent according to claim 24. Preferred embodiments The present invention is the subject of the dependent claims.

Die vorliegende Erfindung umfaßt ein Verfahren zum Entfernen von Verunreinigungen einer Fläche bzw. an oder auf einer Fläche eines Gegenstandes umfassend die Schritte:

– Bereitstellen eines Reinigungsmaterials bzw. zu entfernenden Materials;
– Anbringen des Reinigungsmaterials als Festkörper bzw. in der festen Phase an zumindest einem Teil der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes;
– Einstrahlen von Strahlung bzw. Einbringen von Energie, wobei die Strahlungsenergie der Strahlung bzw. die Energie von dem Gegenstand und/oder dem Reinigungsmaterial zumindest teilweise absorbiert wird, derart, daß das Reinigungsmaterial insbesondere auf kurzer Zeitskala erhitzt wird und in den gasförmigen Zustand im wesentlichen sublimiert.

The present invention includes an Ver drive to remove contaminants from a surface or on or on a surface of an object, comprising the steps:

- Providing a cleaning material or material to be removed;
- Attachment of the cleaning material as a solid or in the solid phase on at least a portion of the surface of the object to be cleaned;
- Radiation or introduction of energy, wherein the radiation energy of the radiation or the energy of the object and / or the cleaning material is at least partially absorbed, such that the cleaning material is heated in particular on a short time scale and in the gaseous state substantially sublimated.

Bei dem Übergangsschritt des Reinigungsmaterials vom Festkörper in den gasförmigen Zustand handelt es sich im wesentlichen um einen Sublimationsübergang. In anderen Worten kann während des Schritts der Einstrahlung der Strahlung bzw. des Einbringens der Energie der Druck und die Temperatur des Reinigungsmaterials bzw. in dessen Umgebung so geregelt werden, daß ein Phasenübergang des Reinigungsmaterials lediglich vom festen Zustand in den gasförmigen Zustand möglich ist. Folglich werden Druck und Temperatur des Reinigungsmaterials so geregelt, daß hinsichtlich eines herkömmlichen Druck-Temperatur-Diagramms ein Phasenübergang im wesentlichen die Sublimationskurve kreuzt, d.h. im wesentlichen lediglich ein Sublimationsübergang möglich ist.at the transition step of the cleaning material from the solid state to the gaseous state it is essentially a sublimation transition. In other words, during the Step of irradiation of the radiation or the introduction of the Energy the pressure and the temperature of the cleaning material or be regulated in the environment so that a phase transition of the Cleaning material only from the solid state to the gaseous state possible is. Consequently, pressure and temperature of the cleaning material become so regulated that with regard to a conventional one Pressure-temperature diagram a phase transition essentially crosses the sublimation curve, i. essentially only a sublimation transition possible is.

Insbesondere versteht man in der vorliegenden Erfindung unter dem Begriff „im wesentlichen sublimiert" bevorzugt, daß überwiegend ein Phasenübergang von der festen in die gasförmige Phase stattfindet, d.h., daß das feste Reinigungsmaterial überwiegend von dem festen Zustand in den gasförmigen Zustand übergeht, ohne daß das Reinigungsmaterial den flüssigen Zustand annimmt. Ferner versteht man in der vorliegenden Anmeldung unter dem Begriff „im wesentlichen sublimiert" bevorzugt, daß beim Übergang vom festen in den gasförmigen Zustand ein transienter flüssiger Nichtgleichgewichtszustand angenommen werden kann. In anderen Worten findet ein Phasenübergang von der festen in die gasförmige Phase statt, wobei kurzzeitig ein flüssiger Zustand fernab vom thermischen Gleichgewicht angenommen werden kann.Especially In the present invention, the term "substantially sublimated" is understood to mean predominantly a phase transition from the solid to the gaseous Phase takes place, that is solid cleaning material predominantly from the solid state to the gaseous state, without that Cleaning material the liquid State assumes. Furthermore, it is understood in the present application under the term "im essential sublimated "preferred that at the transition from solid to gaseous Condition a transient fluid Non-equilibrium state can be assumed. In other words, finds a phase transition from the solid to the gaseous Phase, with a short-term liquid state far away from the thermal Balance can be assumed.

Ferner handelt es sich bei dem Schritt des Anbringens des Reinigungsmittels an dem zu reinigenden Gegenstand vorzugsweise um einen Adsorptions- bzw. Resublimationsschritt. In anderen Worten werden Druck und Temperatur des Reinigungsmittels derart geregelt, daß beim Anbringen des Reinigungsmaterials und im wesentlichen bis zum Schritt des Einstrahlens der Strahlung der Tripelpunkt des Reinigungsmittels im wesentlichen unterschritten ist. Vorzugsweise wird die Temperatur des Reinigungsmittels im wesentlichen solange unterhalb der Temperatur des Tripelpunktes gehalten, bis die Strahlung eingestrahlt wird und das Reinigungsmaterial in den gasförmigen Zustand im wesentlichen sublimiert. Analog wird vorzugsweise der Druck des Reinigungsmittels bzw. in dessen Umgebung im wesentlichen solange unterhalb dem Druck des Tripelpunktes gehalten, bis die Strahlung eingestrahlt wird und das Reinigungsmaterial in den gasförmigen Zustand im wesentlichen sublimiert.Further it is the step of attaching the cleaning agent preferably on the object to be cleaned by an adsorption or resublimation step. In other words, pressure and temperature of the cleaning agent regulated such that when attaching the cleaning material and substantially until the step of irradiating the radiation the triple point of the cleaning agent substantially below is. Preferably, the temperature of the cleaning agent becomes substantially as long as kept below the temperature of the triple point, until the radiation is irradiated and the cleaning material in the gaseous state essentially sublimated. Analog is preferably the pressure of the Cleaning agent or in the environment essentially as long held below the pressure of the triple point until the radiation is irradiated and the cleaning material in the gaseous state essentially sublimated.

Bei dem Übergang des Reinigungsmaterials vom festen in den gasförmigen Zustand wird das Reinigungsmaterial vorzugsweise unvollständig im wesentlichen sublimiert. Insbesondere wird vorzugsweise Reinigungsmaterial sublimiert, welches an die Fläche des zu reinigenden Gegenstandes angrenzt. Das Reinigungsmaterial wird im wesentlichen in Form einer Lage, welche die Fläche des zu reinigenden Gegenstandes zumindest teilweise bedeckt, an der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes angebracht. Die Dicke des Reinigungsmaterials bzw. der Lage des Reinigungsmaterials in einer Normalenrichtung zu der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes beträgt bevorzugt zwischen etwa 10nm und etwa 400nm, besonders bevorzugt zwischen etwa 50nm und etwa 200nm. Beim Schritt des Einstrahlens der Strahlung wird Reinigungsmaterial in einem Bereich bevorzugt bis etwa 50nm Entfernung von der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes, bevorzugt bis etwa 10nm Entfernung von der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes, besonders bevorzugt bis etwa 1 nm Entfernung von der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes, im wesentlichen sublimiert. Es ist auch möglich, daß vorzugsweise etwa 5% bis etwa 50%, besonders bevorzugt etwa 10% bis etwa 20% der Lage bzw. Schicht des Reinigungsmaterials von der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes an im wesentlichen sublimiert werden. Vorzugsweise bildet sich folglich während des Schritts der Einstrahlung der Strahlung zumindest kurzzeitig eine Lage bzw. Schicht gasförmigen Reinigungsmaterials zwischen der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes und dem verbleibenden im wesentlichen festen Reinigungsmaterial. Aufgrund von Impulsübertragung des gasförmigen Reinigungsmaterials auf das feste Reinigungsmaterial bzw. die Verunreinigung bzw. aufgrund der Ausdehnung des gasförmigen Reinigungsmaterials wird das feste Reinigungsmaterial und/oder die Verunreinigung in Richtung weg von der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes beschleunigt und von der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes geschleudert. Hierbei kann das feste Reinigungsmaterial vorzugsweise im wesentlichen vollständig, d.h. im wesentlichen die ganze Lage bzw. Schicht des verbleibenden festen Reinigungsmaterials von der Fläche geschleudert werden. Es ist aber auch möglich, daß die Lage bzw. Schicht des Reinigungsmaterials in zumindest zwei Teile zerbricht, welche von der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes geschleudert werden. Vorteilhafterweise sind hierbei die Fremdpartikel mit dem festen Reinigungsmaterial verbunden, wodurch auch die Fremdpartikel von der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes entfernt werden.In the transition of the cleaning material from the solid to the gaseous state, the cleaning material is preferably incompletely substantially sublimated. In particular, preferably cleaning material is sublimed, which adjoins the surface of the object to be cleaned. The cleaning material is attached substantially in the form of a layer which at least partially covers the surface of the object to be cleaned on the surface of the object to be cleaned. The thickness of the cleaning material or the position of the cleaning material in a direction normal to the surface of the object to be cleaned is preferably between about 10 nm and about 400 nm, more preferably between about 50 nm and about 200 nm. In the step of irradiating the radiation, cleaning material is in a range preferably about 50 nm away from the surface of the object to be cleaned, preferably up to about 10 nm away from the surface of the object to be cleaned, more preferably up to about 1 nm away from the surface of the object to be cleaned Subject, essentially sublimated. It is also possible that preferably from about 5% to about 50%, more preferably from about 10% to about 20%, of the layer of cleaning material is substantially sublimated from the surface of the article to be cleaned. Consequently, during the step of irradiation of the radiation, a layer or gaseous cleaning material is at least temporarily formed between the surface of the object to be cleaned and the remaining substantially solid cleaning material. Due to momentum transfer of the gaseous cleaning material to the solid cleaning material or due to the expansion of the gaseous cleaning material, the solid cleaning material and / or the contaminant is accelerated away from the surface of the object to be cleaned and from the surface of the object to be cleaned spun. In this case, the solid cleaning material may preferably be thrown from the surface substantially completely, ie substantially the whole layer or layer of the remaining solid cleaning material. But it is also possible that the layer or layer of the cleaning material breaks into at least two parts, which are thrown from the surface of the object to be cleaned. Advantageously, in this case the foreign particles are connected to the solid cleaning material, whereby the foreign particles are removed from the surface of the object to be cleaned.

Ferner können aufgrund der Schersteifigkeit des festen Reinigungsmaterials Fremdpartikel einfacher und effektiver entfernt werden, als dies beispielsweise mit einem flüssigen Reinigungsmittel möglich ist.Further can due to the shear stiffness of the solid cleaning material foreign particles removed more easily and effectively than this, for example with a liquid Cleaning agent possible is.

Mit dem Verfahren der vorliegenden Erfindung ist es insbesondere möglich, Fremdpartikel mit einer Größe bzw. einem Durchmesser kleiner oder gleich etwa 50nm im wesentlichen vollständig von der Fläche des Gegenstandes zu entfernen. Hierbei ist es insbesondere nicht notwendig, die gesamte Fläche des Gegenstandes zu bestrahlen. Vielmehr kann die Fläche auf Verunreinigungen untersucht werden und diese Verunreinigungen können gezielt entfernt werden.With In particular, in the process of the present invention, it is possible to use foreign particles with a size or a diameter less than or equal to about 50nm substantially Completely from the area to remove the object. This is not the case in particular necessary, the entire area of the object to be irradiated. Rather, the area can be up Impurities are examined and these impurities can be removed selectively become.

Vorzugsweise wird während des Einstrahlungsschritts elektromagnetische Strahlung, insbesondere Laserstrahlung eingestrahlt.Preferably is during the irradiation step electromagnetic radiation, in particular Laser radiation irradiated.

Anhand des Verfahrens der vorliegenden Erfindung kann insbesondere Laserstrahlung mit einem geringeren Strahlungsfluß eingestrahlt werden, als beispielsweise in herkömmlichen DLC Verfahren. Dadurch können Schäden an der zu reinigenden Fläche des Gegenstandes aufgrund einer zu hohen Einstrahlungsenergie vermieden werden.Based The method of the present invention may in particular be laser radiation be irradiated with a lower radiation flux, as for example in conventional DLC procedure. Thereby can damage on the surface to be cleaned of the object due to excessive insolation energy avoided become.

Weiterhin kommt es insbesondere nicht zu Tropfenbildung, wie sie beispielsweise im SLC-Verfahren auftreten können, wodurch eine ungewollte optische Fokussierung der eingestrahlten Strahlung vermieden wird und folglich Beschädigung der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes vorteilhafterweise ausgeschlossen werden kann.Farther In particular, droplets are not formed, as they are, for example can occur in the SLC process, whereby an unwanted optical focusing of the irradiated Radiation is avoided and therefore damage to the surface of the be advantageously excluded to be cleaned object can.

Weiterhin ist das Reinigungsmittel in Form eines Festkörpers einfacher zu kontrollieren als beispielsweise ein Flüssigkeitsfilm eines Reinigungsmittels, wodurch in einfacher Weise sichergestellt werden kann, daß alle Fremdpartikel von dem Reinigungsmittel bedeckt bzw. in das Reinigungsmittel eingebettet sind.Farther the detergent in the form of a solid is easier to control as, for example, a liquid film a cleaning agent, thereby ensuring in a simple manner can be that all Foreign particles are covered by the cleaning agent or embedded in the cleaning agent are.

Im Vergleich zu den herkömmlichen DLC- bzw. SLC-Verfahren ist weiterhin die Differenz des Brechungsindex eines Fremdpartikels mit dem Brechungsindex des Reinigungsmaterials in der Regel vorzugsweise geringer als beispielsweise die Differenz der Brechungsindizes zwischen Luft und einem zu entfernenden Fremdpartikel (DLC-Verfahren) oder der Differenz des Brechungsindex einer verwendeten Flüssigkeit, wie einem Wasser-Alkohol-Gemisch, und dem Brechungsindex des zu entfernenden Fremdpartikels (SLC-Verfahren). Daher wird vorteilhafterweise die optische Feldverstärkung an den Fremdpartikeln reduziert und eine Beschädigung der Fläche des zu reinigenden Gegenstands vermieden. Ebenfalls werden dadurch Adhäsionskräfte zwischen einem Fremdpartikel und der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes reduziert.in the Compared to the conventional ones DLC or SLC method is still the difference of the refractive index a foreign particle with the refractive index of the cleaning material usually preferably less than, for example, the difference the refractive indices between air and a foreign particle to be removed (DLC method) or the difference in the refractive index of a liquid used, like a water-alcohol mixture, and the refractive index of the removing foreign particle (SLC method). Therefore, advantageously the optical field enhancement reduced to the foreign particles and damage to the surface of the cleansing object avoided. Adhesion forces also become between them a foreign particle and the surface reduced the object to be cleaned.

Ferner können vorteilhafterweise durch die Verwendung eines festen Reinigungsmaterials Trocknungsflecken an der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes, wie sie bei der Verwendung von Flüssigkeiten entstehen können, vermieden werden.Further can advantageously by the use of a solid cleaning material drying spots on the surface of the object to be cleaned, as in the use of liquids can arise be avoided.

Weiterhin vorzugsweise kann die Strahlungsenergie der eingestrahlten Strahlung im wesentlichen von dem zu reinigenden Gegenstand absorbiert werden und/oder im wesentlichen von dem Reinigungsmaterial absorbiert werden. Folglich kann das Reinigungsmaterial bevorzugt entweder indirekt erhitzt werden, indem der zu reinigende Gegenstand durch Absorption der Strahlungsenergie der eingestrahlten Strahlung erhitzt wird. Es ist jedoch auch möglich, daß das Reinigungsmaterial vorzugsweise direkt erhitzt wird, indem die Strahlungsenergie der eingestrahlten Strahlung im wesentlichen von dem Reinigungsmaterial absorbiert wird. Wird die Strahlungsenergie im wesentlichen direkt von dem Reinigungsmaterial absorbiert, kann vorteilhafterweise ein beliebiger Gegenstand bzw. eine Fläche davon gereinigt werden bzw. Fremdpartikel bzw. Verunreinigungen von einer Fläche eines beliebigen Gegenstandes entfernt werden.Farther Preferably, the radiation energy of the irradiated radiation be substantially absorbed by the object to be cleaned and / or substantially absorbed by the cleaning material. Consequently, the cleaning material may preferably be heated either indirectly be by the object to be cleaned by absorption of the Radiation energy of the irradiated radiation is heated. It but it is also possible that this Cleaning material is preferably heated directly by the radiant energy the radiated radiation substantially from the cleaning material is absorbed. The radiation energy is essentially direct absorbed by the cleaning material may advantageously be any Object or an area be cleaned of it or foreign particles or impurities from a surface be removed from any object.

Weiterhin vorzugsweise ist es jedoch auch möglich, daß Druck und Temperatur des Reinigungsmaterials derart geregelt werden, daß aufgrund der Einstrahlung der Strahlung das Reinigungsmaterial beim Übergang vom festen in den gasförmigen Phasenzustand kurzzeitig einen flüssigen Nichtgleichgewichtszustand durchläuft. Die Verweildauer in einem solchen Zustand liegt bevorzugt im Bereich von wenigen Nanosekunden oder weniger, bevorzugt weniger als etwa 100ns, vorzugsweise zwischen etwa 0,001 ns und etwa 100ns, besonders bevorzugt weniger als etwa 10ns, vorzugsweise zwischen etwa 0,01ns und etwa 10ns. In anderen Worten werden Druck und Temperatur im wesentlichen nicht im Bereich des Sublimationsübergangs eingestellt bzw. geregelt bzw. gesteuert. Vielmehr treten kurzzeitig Druck-Temperatur-Paare auf, welche sich in einem herkömmlichen Gleichgewichtsphasendiagramm oberhalb des Tripelpunktes befinden würden.Farther Preferably, however, it is also possible that pressure and temperature of the Cleaning material can be controlled so that due to the irradiation the radiation the cleaning material at the transition from the solid to the gaseous phase state briefly a liquid Undergoes non-equilibrium state. The length of stay in such a State is preferably in the range of a few nanoseconds or less, preferably less than about 100 ns, preferably between about 0.001 ns and about 100 ns, more preferably less than about 10ns, preferably between about 0.01ns and about 10ns. In other In words, pressure and temperature are essentially not in the range the sublimation transition set or regulated or controlled. Rather, short-term pressure-temperature pairs occur on which is in a conventional Equilibrium phase diagram above the triple point would.

Weiterhin bevorzugt wird das Reinigungsmaterial im wesentlichen entlang der Fläche des Gegenstandes bzw. auf die Fläche des Gegenstandes zu bewegt.Further preferably, the cleaning material is substantially along the surface of the counter standes or moved to the surface of the object.

Vorzugsweise wird das Reinigungsmaterial im gasförmigen Zustand bereitgestellt. Beispielsweise kann das bevorzugt gasförmige Reinigungsmaterial an der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes entlang geblasen werden, bzw. auf die Fläche des zu reinigenden Gegenstandes zu geblasen werden. Der zu reinigende Gegenstand wird vorzugsweise auf eine Temperatur kleiner bzw. geringer als der Gefrierpunkt des gasförmigen Reinigungsmaterials bei vorbestimmtem Druck des gasförmigen Reinigungsmaterials gekühlt, wodurch das gasförmige Reinigungsmaterial als Festkörper an der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes abgeschieden wird. Besonders bevorzugt werden Druck und Temperatur des Systems aus Reinigungsmittel und zu reinigenden Gegenstandes derart gewählt, daß sich das bevorzugt gasförmige Reinigungsmittel beim Anbringen an den zu reinigenden Gegenstand nahe bei dem Tripelpunkt des Reinigungsmittels befindet. In anderen Worten werden Druck und Temperatur des bevorzugt gasförmigen Reinigungsmittels so geregelt, daß es sich bei dem Schritt des Anbringens des Reinigungsmittels an dem zu reinigenden Gegenstand im wesentlichen um einen Resublimationsschritt handelt. Vorzugsweise wird hierbei der zu reinigende Gegenstand auf eine Temperatur kleiner oder gleich der Temperatur des Reinigungsmittels am Tripelpunkt geregelt.Preferably the cleaning material is provided in the gaseous state. For example, the preferred gaseous cleaning material the area be blown along the object to be cleaned, or on the area to be blown to the object to be cleaned. The to be cleaned The article is preferably made smaller or lower in temperature as the freezing point of the gaseous Cleaning material at a predetermined pressure of the gaseous cleaning material cooled, whereby the gaseous cleaning material as a solid on the surface of the object to be cleaned is deposited. Especially preferred be pressure and temperature of the system of detergent and to be cleaned object selected so that the preferred gaseous cleaning agent when attached to the object to be cleaned near the triple point of the cleaning agent is located. In other words, pressure and Temperature of the preferred gaseous Cleaning agent regulated so that it is at the step of Attaching the cleaning agent to the object to be cleaned is essentially a Resublimationsschritt. Preferably In this case, the object to be cleaned is reduced to a temperature or equal to the temperature of the cleaning agent at the triple point regulated.

Vorteilhafterweise kann ein gasförmiges Reinigungsmaterial während des Schritts des Anbringens des Reinigungsmaterials in Öffnungen des Fremdpartikels eindringen bzw. in Öffnungen zwischen dem Fremdpartikel und der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes eindringen und anschließend dort im wesentlichen resublimiert werden. Während des im wesentlichen explosionsartigen Übergangs des Reinigungsmittels vom festen in den gasförmigen Zustand kommt es zu einer Impulsübertragung des Reinigungsmittels auf die Fremdpartikel, wobei es sich bei der Richtung des übertragenen Impulses aufgrund der Anordnung des Reinigungsmittels zwischen dem Fremdpartikel und der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes im wesentlichen um eine Richtung weg von der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes handelt. In anderen Worten wird das Fremdpartikel von der Fläche des zu reinigenden Gegenstandes geschleudert.advantageously, can be a gaseous Cleaning material during the step of attaching the cleaning material in openings penetrate the foreign particle or in openings between the foreign particles and the area penetrate the object to be cleaned and then there be substantially resublimiert. During the essentially explosive transition the cleaning agent from the solid to the gaseous state it comes to a pulse transmission of the cleaning agent on the foreign particles, wherein it is in the Direction of the transferred Pulse due to the arrangement of the detergent between the Foreign particles and the surface of the object to be cleaned substantially by one direction away from the plane of the object to be cleaned. In other words that will Foreign particles from the surface the object to be cleaned flung.

Weiterhin vorzugsweise wird das Reinigungsmaterial im fluiden bevorzugt flüssigen Zustand bereitgestellt. Hierbei kann das Reinigungsmaterial an die Fläche des zu reinigenden Gegenstandes gesprüht werden, wobei, nach Anbringen des flüssigen Reinigungsmaterials, das Reinigungsmaterial zu einem Festkörper gefriert. Vorzugsweise werden Druck und Temperatur des Reinigungsmittels derart geregelt, daß nach dem Anbringen des Reinigungsmaterials und im wesentlichen bis zum Schritt des Einstrahlens der Strahlung der Tripelpunkt des Reinigungsmittels im wesentlichen unterschritten ist. Vorzugsweise wird die Temperatur des Reinigungsmittels im wesentlichen solange unterhalb der Temperatur des Tripelpunktes gehalten, bis die Strahlung eingestrahlt wird und das Reinigungsmaterial in den gasförmigen Zustand im wesentlichen sublimiert. Analog wird vorzugsweise der Druck des Reinigungsmittels im wesentlichen solange unterhalb dem Druck des Tripelpunktes gehalten, bis die Strahlung eingestrahlt wird und das Reinigungsmaterial in den gasförmigen Zustand im wesentlichen sublimiert.Farther Preferably, the cleaning material is in the fluid preferably liquid state provided. Here, the cleaning material to the surface of the be sprayed to be cleaned object, wherein, after attachment of the liquid Cleaning material that freezes cleaning material to a solid. Preferably, pressure and temperature of the cleaning agent are so regulated that after attaching the cleaning material and substantially until Step of irradiating the radiation of the triple point of the cleaning agent is substantially below. Preferably, the temperature of the cleaning agent substantially as long as below the temperature held the triple point until the radiation is irradiated and the cleaning material in the gaseous state substantially sublimated. Analog preferably, the pressure of the cleaning agent essentially kept below the pressure of the triple point, until the radiation is irradiated and the cleaning material in the gaseous Condition substantially sublimated.

Weiterhin vorzugsweise kann das Reinigungsmaterial in Form von Festkörperpartikel bereitgestellt werden. So kann beispielsweise eine Vielzahl von kleinen Festkörperpartikeln an die Fläche des zu reinigenden Gegenstandes geblasen werden und bei Kontakt mit dem zu reinigenden Gegenstand mit Strahlung bestrahlt werden.Farther Preferably, the cleaning material in the form of solid particles to be provided. For example, a variety of small solid particles to the surface be blown on the object to be cleaned and on contact be irradiated with the object to be cleaned with radiation.

Besonders bevorzugt handelt es sich bei dem zu reinigenden Gegenstand um ein Metall, ein Dielektrikum oder einen Halbleiterwafer, besonders bevorzugt um einen Silizium- bzw. Germaniumwafer mit einer eventuell vorhandenen Oxidschicht. Weiterhin kann es sich bei dem zu reinigenden Gegenstand um einen Halbleiterwafer mit bereits vorhandenen metallischen Strukturen, wie z.B. Leiterbahnen und/oder Strukturen anderer Materialien, wie z.B. "low-k-Materialien", d.h. Materialien mit einer geringen Dielektrizitätskonstante, insbesondere mit einer Dielektrizitätskonstante geringer als 3, handeln.Especially Preferably, the object to be cleaned is a Metal, a dielectric or a semiconductor wafer, particularly preferred around a silicon or germanium wafer with any existing Oxide layer. Furthermore, the object to be cleaned may be a semiconductor wafer with already existing metallic structures, such as. Tracks and / or structures of other materials, such as e.g. "low-k materials", i. materials with a low dielectric constant, in particular with a dielectric constant less than 3, act.

Weiterhin besonders bevorzugt handelt es sich bei dem Reinigungsmaterial um CO₂ und/oder Naphthalin und/oder ein Edelgas. Vorteilhafterweise liegt die Sublimationslinie im herkömmlichen Druck-Temperaturdiagramm bei CO₂ in Bereichen, welche technisch leicht verwirklicht werden können. Insbesondere kann vorteilhafterweise der Tripelpunkt von CO₂, welcher bei einer Temperatur von T = 216,45K und einem Druck von p = 5200hPa liegt, leicht unterschritten werden.With particular preference, the cleaning material is CO ₂ and / or naphthalene and / or a noble gas. Advantageously, the sublimation line in the conventional pressure-temperature diagram for CO ₂ in areas which can be easily realized technically. In particular, advantageously, the triple point of CO ₂ , which is at a temperature of T = 216.45 K and a pressure of p = 5200 hPa, are easily exceeded.

Vorzugsweise ist die Temperatur des Gegenstandes während des Schritts des Anbringens des Reinigungsmaterials kleiner bzw. geringer als der Sublimationspunkt des Reinigungsmaterials.Preferably is the temperature of the article during the step of attaching of the cleaning material is less than or less than the sublimation point of Cleaning material.

Besonders bevorzugt wird während des Einstrahlungsschritts Laserstrahlung eingestrahlt.Especially is preferred during of the irradiation step irradiated laser radiation.

Die vorliegende Erfindung umfaßt weiterhin eine Vorrichtung zum Entfernen von Verunreinigungen an bzw. auf einer Fläche eines Gegenstandes umfassend:

– eine Bereitstellungsvorrichtung zum Bereitstellen eines Reinigungsmaterials bzw. zu entfernenden Materials und
– eine Strahlungsquelle für Strahlung bzw. eine Energiequelle, wobei das Reinigungsmaterial anhand der Bereitstellungsvorrichtung bereitgestellt wird, das Reinigungsmaterial an der Fläche des Gegenstandes als Festkörper bzw. in der festen Phase angebracht wird und das Reinigungsmaterial durch zumindest teilweise Absorption der Strahlungsenergie der Strahlung durch den Gegenstand und/oder durch zumindest teilweise Absorption der Strahlungsenergie der Strahlung durch das Reinigungsmaterial bzw. durch Einbringen von Energie in den Gegenstand und/oder durch Einbringen von Energie in das Reinigungsmaterial derart erhitzt wird, daß es in den gasförmigen Zustand im wesentlichen sublimiert.

The present invention further includes an apparatus for removing contaminants on a surface of an article, comprising:

A provisioning device for providing len of a cleaning material or material to be removed and
A source of radiation for radiation or an energy source, wherein the cleaning material is provided by means of the provision device, the cleaning material is attached to the surface of the object as a solid or in the solid phase and the cleaning material by at least partial absorption of the radiation energy of the radiation by the object and / or by at least partially absorbing the radiation energy of the radiation through the cleaning material or by introducing energy into the article and / or by introducing energy into the cleaning material such that it substantially sublimates into the gaseous state.

Weiterhin vorzugsweise wird das Reinigungsmaterial im wesentlichen entlang der Fläche des Gegenstandes bzw. auf die Fläche des Gegenstandes zu bewegt.Farther Preferably, the cleaning material is substantially along the area of the Object or on the surface of the object to move.

Besonders bevorzugt ist die Bereitstellungsvorrichtung ausgelegt, das Reinigungsmaterial im gasförmigen Zustand und/oder im fluiden bevorzugt flüssigen Zustand und/oder in Form von Festkörperpartikel bereitzustellen.Especially Preferably, the delivery device is designed to be the cleaning material in gaseous form Condition and / or in the fluid preferably liquid state and / or in Form of solid particles provide.

Besonders bevorzugt handelt es sich bei dem Anbringungsprozeß bzw. Abscheidungsprozeß des Reinigungsmaterials um einen Sublimationsprozeß.Especially it is preferably the attachment process or deposition process of the cleaning material a sublimation process.

Weiterhin vorzugsweise handelt es sich bei dem Gegenstand um ein Metall, ein Dielektrikum oder einen Halbleiterwafer, besonders bevorzugt um einen Silizium bzw. Germaniumwafer mit einer eventuell vorhandenen Oxidschicht. Weiterhin kann es sich bei dem zu reinigenden Gegenstand um einen Halbleiterwafer mit bereits vorhandenen metallischen Strukturen, wie z.B. Leiterbahnen und/oder Strukturen anderer Materialien, wie z.B. "low-k-Materialien", handeln.Farther Preferably, the article is a metal Dielectric or a semiconductor wafer, more preferably one Silicon or germanium wafer with a possibly existing oxide layer. Furthermore, the object to be cleaned may be a semiconductor wafer with already existing metallic structures, e.g. conductor tracks and / or structures of other materials, e.g. "low-k materials", act.

Weiterhin bevorzugt handelt es sich bei dem Reinigungsmaterial um CO₂ und/oder Naphthalin und/oder ein Edelgas.Further preferably, the cleaning material is CO ₂ and / or naphthalene and / or a noble gas.

Besonders bevorzugt ist die Temperatur des Gegenstandes zur Abscheidung bzw. Anbringung des Reinigungsmaterials kleiner bzw. geringer als der Sublimationspunkt des Reinigungsmaterials.Especially Preferably, the temperature of the article for deposition or Attachment of the cleaning material smaller or less than that Sublimation point of the cleaning material.

Weiterhin bevorzugt handelt es sich bei der Strahlungsquelle um eine Laserstrahlungsquelle.Farther Preferably, the radiation source is a laser radiation source.

Weiterhin umfaßt die vorliegende Erfindung die Verwendung eines Reinigungsmaterials, insbesondere von CO₂ und/oder Naphthalin und/oder einem Edelgas zum Entfernen von Verunreinigungen bzw. Fremdpartikeln, wie beispielsweise Staubpartikel, von einer Fläche eines Gegenstandes, wobei das Reinigungsmaterial als Festkörper an zumindest einem Teil der Fläche des Gegenstandes angebracht wird und durch Einstrahlung von Strahlung derart erhitzt wird, daß das Reinigungsmaterial in den gasförmigen Zustand im wesentlichen sublimiert.Furthermore, the present invention comprises the use of a cleaning material, in particular CO ₂ and / or naphthalene and / or a noble gas for removing impurities, such as dust particles, from a surface of an object, wherein the cleaning material as a solid on at least one part the surface of the object is attached and is heated by irradiation of radiation such that the cleaning material substantially sublimated in the gaseous state.

Es ist auch möglich, daß das Reinigungsmaterial durch Einbringen von Energie erhitzt wird. Beispielsweise kann der zu reinigende Gegenstand vorzugsweise anhand von elektrischem Strom, welcher durch den zu reinigenden Gegenstand fließt erhitzt werden. Ferner kann auch das Reinigungsmittel direkt geheizt werden, wobei Energie in das Reinigungsmaterial vorzugsweise anhand von elektrischem Strom oder weiterhin vorzugsweise durch Teilchenstrahlung auf das Reinigungsmaterial übertragen werden kann.It is possible, too, that this Cleaning material is heated by introducing energy. For example the object to be cleaned can be preferably based on electrical Stream, which flows through the object to be cleaned flows. Furthermore, the cleaning agent can be heated directly, wherein Energy in the cleaning material preferably based on electrical Stream or further preferably by particle radiation on the Transfer cleaning material can be.

Vorzugsweise handelt es sich bei dem Übergang des Reinigungsmaterials vom Festkörper in einen gasförmigen Zustand um einen Sublimationsübergang.Preferably is it at the transition of the cleaning material from the solid state to a gaseous state a sublimation transition.

Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsvarianten des Verfahrens der vorliegenden Erfindung anhand begleitender Zeichnungen beispielhaft beschrieben.following are preferred embodiments the method of the present invention with reference to accompanying drawings described by way of example.

Es zeigtIt shows

1: eine schematische Schnittansicht einer bevorzugten Ausführungsform der Reinigungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung während des Schritts des Anbringens von Reinigungsmaterial; 1 Fig. 1 is a schematic sectional view of a preferred embodiment of the cleaning device of the present invention during the step of applying cleaning material;

2: ein herkömmliches Druck-Temperatur Diagramm von CO₂; 2 : a conventional pressure-temperature diagram of CO ₂ ;

3: eine Schnittansicht gemäß 1, während des Schritts der Einstellung von Strahlung. 3 : a sectional view according to 1 during the step of setting radiation.

1 zeigt eine schematische Schnittansicht einer Einrichtung 10 zum Entfernen von Verunreinigungen von einem Halbleitersubstrat 12 bzw. vorzugsweise von einer Fläche 14 des Halbleitersubstrats 12. Bei dem Halbleitersubstrat 12 kann es sich beispielsweise um einen herkömmlichen Silizium-Halbleiterwafer handeln, welcher zur Herstellung von Halbleiterchips, beispielsweise Speicherchips, in der Computerindustrie verwendet bzw. hergestellt wird. Das Halbleitersubstrat 12 umfaßt die im wesentlichen plane Fläche 14, wobei die im wesentlichen plane Fläche 14 auch Strukturen und/oder Topographien aufweisen kann. An der im wesentlichen planen Fläche 14 des Halbleitersubstrats 12 sind Fremdpartikel 16 angeordnet. Bei den Fremdpartikeln 16 kann es sich beispielsweise um Staub handeln, welcher sich während des Fertigungsprozesses, z.B. beim Schleifen, des Halbleitersubstrats 12 bzw. des Speicherchips an der Fläche 14 angesammelt hat. Ferner zeigt 1 eine Strahlungsquelle 18. Bei der Strahlungsquelle 18 kann es sich beispielsweise um einen Laser 18, z.B. einen Nd:YAG-Laser oder einen Excimer-Laser handeln. Ferner zeigt 1 eine Bereitstellungsvorrichtung 20 zum Bereitstellen von Reinigungsmaterial 22. Bei der Bereitstellungsvorrichtung 20 kann es sich beispielsweise um einen Druckbehälter mit einer Öffnung bzw. einem Ventil bzw. einer Gaszuleitung bzw. einer Düse handeln, mit welchem beispielsweise CO₂-Gas 22 als bevorzugtes Reinigungsmittel 22 auf das Halbleitersubstrat 12 zugeblasen werden kann. Die Bereitstellungsvorrichtung 20 ist in 1 im wesentlichen senkrecht zur Fläche 14 des Halbleitersubstrats 12 angeordnet, so daß das CO₂-Gas 22 im wesentlichen senkrecht zu einer Normalenrichtung NR der Fläche 14 auf der Fläche 14 auftrifft. Es ist jedoch auch möglich, daß die Bereitstellungsvorrichtung 20 im wesentlichen parallel zu der Fläche 14, d.h. im wesentlichen senkrecht zur Normalenrichtung NR der Fläche 14 angeordnet ist. In diesem Fall bewegt sich das CO₂-Gas 22 zumindest teilweise im wesentlichen parallel zur Fläche 14 entlang dem Halbleitersubstrat 12. Ferner kann die Bereitstellungsvorrichtung 20 bewegbar angeordnet sein, wodurch ermöglicht wird, das Reinigungsmaterial 22 an beliebigen Bereichen der Fläche 14 anzubringen. Wird beispielsweise ein flüssiges Reinigungsmittel 22 verwendet, ist die Bereitstellungsvorrichtung 20 entsprechend ausgeführt. 1 shows a schematic sectional view of a device 10 for removing contaminants from a semiconductor substrate 12 or preferably from a surface 14 of the semiconductor substrate 12 , In the semiconductor substrate 12 For example, it may be a conventional silicon semiconductor wafer used to manufacture semiconductor chips, such as memory chips, in the computer industry. The semiconductor substrate 12 includes the substantially planar surface 14 , wherein the substantially planar surface 14 also structures and / or topogra may have phien. At the essentially flat surface 14 of the semiconductor substrate 12 are foreign particles 16 arranged. For the foreign particles 16 it may be, for example, dust, which is during the manufacturing process, such as when grinding, the semiconductor substrate 12 or the memory chip on the surface 14 has accumulated. Further shows 1 a radiation source 18 , At the radiation source 18 For example, it can be a laser 18 , eg a Nd: YAG laser or an excimer laser. Further shows 1 a delivery device 20 for providing cleaning material 22 , In the delivery device 20 It may, for example, be a pressure vessel with an opening or a valve or a gas supply or a nozzle, with which, for example, CO ₂ gas 22 as a preferred cleaning agent 22 on the semiconductor substrate 12 can be blown. The delivery device 20 is in 1 essentially perpendicular to the surface 14 of the semiconductor substrate 12 arranged so that the CO ₂ gas 22 substantially perpendicular to a normal direction NR of the surface 14 on the surface 14 incident. However, it is also possible that the delivery device 20 essentially parallel to the surface 14 ie, substantially perpendicular to the normal direction NR of the surface 14 is arranged. In this case, the CO ₂ gas moves 22 at least partially substantially parallel to the surface 14 along the semiconductor substrate 12 , Furthermore, the provisioning device 20 be movably arranged, thereby allowing the cleaning material 22 at any areas of the area 14 to install. For example, a liquid detergent 22 used is the delivery device 20 executed accordingly.

In der bevorzugten Ausführungsvariante der vorliegenden Erfindung wird das Halbleitersubstrat 12 auf eine Temperatur T unterhalb des Gefrierpunkts des CO₂-Gases 22 bei einem vorbestimmten Druck p gekühlt. Vorteilhafterweise kann beispielsweise in einer Stickstoff- bzw. Argonatmosphäre gearbeitet werden, wodurch vermieden wird, daß sich Wasser aus Wasserdampf, welcher in der Arbeitsatmosphäre vorhanden ist, an dem zu reinigenden Gegenstand 12 anlagert. In diesem Fall kann vorteilhafterweise im wesentlichen bei Atmosphärendruck gearbeitet werden. In anderen Worten befindet sich der zu reinigende Gegenstand 12 in einer Gasatmosphäre, welche im wesentlichen beispielsweise aus Argongas und/oder Stickstoffgas und/oder beispielsweise einem anderen Edelgas besteht, wobei die Gasatmosphäre im wesentlichen auf Umgebungsdruck gehalten wird, d.h. in etwa 1013hPa. Das CO₂-Gas 22 wird hierbei in Form eines Festkörpers an dem Halbleitersubstrat 12 abgeschieden. Hierbei werden Druck p und Temperatur T des CO₂-Gases 22 vorzugsweise so gewählt, daß bei dem festen CO₂ 22 der Tripelpunkt TP unterschritten wird. In dem in 2 gezeigten herkömmlichen Phasendiagramm für CO₂-Gas 22 sind dies im wesentlichen Druck-Temperatur Paare, welche sich in dem schraffierten Bereich befinden. Insbesondere gilt für diese Druck-Temperatur Paare bei der Temperatur T, daß p_SK(T) < p < p_TP ist, wobei p_SK einem Druck entlang der Sublimationskurve SK entspricht und p_TP dem Druck am Tripelpunkt TP entspricht. Ferner gilt für diese Druck-Temperatur Paare bei gegebenem Druck p die Beziehung T < T_SK(p) ≤ T_TP, wobei T_SK der Temperatur entlang der Sublimationskurve SK entspricht und T_TP der Temperatur am Tripelpunkt TP entspricht. Ferner sind in 2 eine Schmelzkurve SchK und eine Siedekurve SdK von CO₂ 22 dargestellt.In the preferred embodiment of the present invention, the semiconductor substrate 12 to a temperature T below the freezing point of the CO ₂ gas 22 cooled at a predetermined pressure p. Advantageously, it is possible to work, for example, in a nitrogen or argon atmosphere, which avoids that water from water vapor, which is present in the working atmosphere, on the object to be cleaned 12 attaches. In this case, it is advantageously possible to work substantially at atmospheric pressure. In other words, there is the object to be cleaned 12 in a gas atmosphere consisting essentially of, for example, argon gas and / or nitrogen gas and / or, for example, another noble gas, the gas atmosphere being maintained at substantially ambient pressure, ie, about 1013 hPa. The CO ₂ gas 22 is here in the form of a solid on the semiconductor substrate 12 deposited. In this case, pressure p and temperature T of the CO ₂ gas 22 preferably chosen so that in the solid CO ₂ 22 the triple point TP is exceeded. In the in 2 shown conventional phase diagram for CO ₂ gas 22 these are essentially pressure-temperature pairs which are in the hatched area. In particular, this applies to pressure-temperature pairs at the temperature T that p _SK (t) <p <p _TP, where p _SK corresponds to a pressure along the sublimation SK and p _TP corresponds to the pressure at the triple point TP. Further, pairs applies to this pressure-temperature at a given pressure P, the relationship T <T _SK (p) ≤ T _TP, where T _SK corresponds to the temperature along the sublimation SK and T the temperature _TP at the triple point TP corresponds. Furthermore, in 2 a melting curve SchK and a boiling curve SdK of CO ₂ 22 shown.

3 zeigt eine Schnittansicht gemäß 1, wobei CO₂ 22 als Festkörper an der Fläche 14 des Halbleitersubstrats 12 angebracht bzw. abgeschieden wurde. Bei dem Abscheidungs- bzw. Anbringvorgang handelt es sich vorzugsweise um einen Resublimationsvorgang RS. Die Dicke der abgeschiedenen festen CO₂ 22 Lage bzw. Schicht kann in situ kontrolliert werden, wobei typischerweise Dicken von etwa 10nm bis etwa 400nm erzeugt werden. Die Kontrolle der Dicke des abgeschiedenen CO₂ 22 kann beispielsweise anhand von interferometrischen Verfahren bestimmt werden. Insbesondere kann die Kontrolle der Dicke des abgeschiedenen CO₂ 22 sowohl während des Vorgangs des Abscheidens als auch nach Abschluß des Abscheidens erfolgen. 3 shows a sectional view according to 1 where CO ₂ 22 as a solid on the surface 14 of the semiconductor substrate 12 was attached or deposited. The deposition or attachment process is preferably a resublimation process RS. The thickness of the deposited solid CO ₂ 22 Layer can be controlled in situ, typically producing thicknesses of about 10nm to about 400nm. Control of the thickness of the deposited CO ₂ 22 can be determined, for example, by interferometric methods. In particular, the control of the thickness of the deposited CO ₂ 22 both during the process of deposition and after completion of the deposition.

Mittels der Laserstrahlungsquelle 18 wird elektromagnetische Laserstrahlung 24 auf das feste CO₂ 22 gestrahlt. Das feste CO₂ 22 wird überwiegend im wesentlichen sublimiert, d.h., daß das feste CO₂ 22 in Bereichen, welche mit der Laserstrahlung 24 bestrahlt werden im wesentlichen sublimiert. In Randbereichen, auf welche die Laserstrahlung 24 nicht auftritt und/oder welche an bestrahlte Bereiche angrenzen ist es insbesondere möglich, daß kurzzeitig ein flüssiger Phasenzustand fernab vom thermischen Gleichgewicht angenommen werden kann. In der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung handelt es sich bei der Laserstrahlungsquelle 18 um eine Nd:YAG-Laser, welcher elektromagnetische Laserstrahlung 24 mit einer Wellenlänge von 532nm und einer Energiedichte von vorzugsweise etwa 50mJ/cm² bis etwa 300mJ/cm² einstrahlt. Das feste CO₂ 22 ist für Laserstrahlung 24 mit dieser Wellenlänge im wesentlichen transparent, so daß die Laserstrahlung 24 im wesentlichen von dem Halbleitersubstrat absorbiert wird. Die Laserstrahlungsquelle 18 ist vorzugsweise beweglich angeordnet, so daß die eingestrahlte Laserstrahlung 24 im wesentlichen auf Bereiche der Fläche 14 des Halbleitersubstrats 12 bzw. des festen CO₂ 22 auftritt, an welchem sich Fremdpartikel 16, wie beispielsweise Staubpartikel, befinden. Vorteilhafterweise können daher anhand der bevorzugten Ausführungsvariante der vorliegenden Erfindung Verunreinigungen wie beispielsweise Fremdpartikel 16 gezielt lokal entfernt werden. Eine Reinigung der vollständigen Fläche 14 des Halbleitersubstrats 12 ist daher nicht notwendig, wodurch der Durchsatz deutlich erhöht werden kann und die bevorzugte Ausführungsvariante der vorliegenden Erfindung effektiv und kostengünstig eingesetzt werden kann.By means of the laser radiation source 18 becomes electromagnetic laser radiation 24 on the solid CO ₂ 22 blasted. The solid CO ₂ 22 is predominantly substantially sublimated, ie, that the solid CO ₂ 22 in areas associated with the laser radiation 24 are irradiated essentially sublimated. In edge areas on which the laser radiation 24 does not occur and / or which are adjacent to irradiated areas, it is particularly possible that a liquid phase state can be assumed for a short time far away from the thermal equilibrium. In the preferred embodiment of the present invention, the laser radiation source is 18 to a Nd: YAG laser, which electromagnetic laser radiation 24 irradiated with a wavelength of 532nm and an energy density of preferably about 50mJ / cm ² to about 300mJ / cm ² . The solid CO ₂ 22 is for laser radiation 24 with this wavelength substantially transparent, so that the laser radiation 24 is substantially absorbed by the semiconductor substrate. The laser radiation source 18 is preferably arranged movably, so that the irradiated laser radiation 24 essentially on areas of the area 14 of the semiconductor substrate 12 or the solid CO ₂ 22 occurs at which foreign particles 16 , such as dust particles, are located. Advantageously, therefore, based on the preferred embodiment of the present the invention impurities such as foreign particles 16 targeted to be removed locally. A cleaning of the entire area 14 of the semiconductor substrate 12 is therefore not necessary, whereby the throughput can be significantly increased and the preferred embodiment of the present invention can be used effectively and inexpensively.

Die Laserstrahlung 24 wird von dem Halbleitersubstrat 12 im wesentlichen absorbiert und erhitzt somit das Halbleitersubstrat 12. Vorzugsweise ist die Energiedichte der eingestrahlten Laserstrahlung 24 geringer als die sogenannte Anschmelzschwelle des Halbleitersubstrats 12, d.h. die Energiedichte, die notwendigerweise zugeführt werden muß, damit das Halbleitersubstrat 12 gerade zu schmelzen beginnt. In der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform liegt die Anschmelzschwelle des Siliziumhalbleitersubstrats bei etwa 310 mJ/cm². Vorteilhafterweise wird die Laserstrahlung 24 durch das feste CO₂ 22 im wesentlichen nicht fokussiert, wodurch ein Anschmelzen des Halbleitersubstrats 12 und somit eine Beschädigung der Fläche 14 bei einer eingestrahlten Energiedichte unterhalb der Anschmelzschwelle des Halbleitersubstrats 12 vermieden wird. Aufgrund der in dem Halbleitersubstrat 12 erzeugten Hitze wird das feste CO₂ 22 „explosionsartig" in die gasförmige Phase überführt, wobei aufgrund des gewählten Drucks ein Sublimationsübergang S (siehe 2) von festen CO₂ 22 in den gasförmigen Zustand stattfindet. Aufgrund von Impulsübertragung des sublimierenden CO₂ 22 werden die Fremdpartikel 16 von der Fläche 14 des Halbleitersubstrats 12 geschleudert.The laser radiation 24 is from the semiconductor substrate 12 essentially absorbs and thus heats the semiconductor substrate 12 , Preferably, the energy density of the irradiated laser radiation 24 less than the so-called melting threshold of the semiconductor substrate 12 that is, the energy density that must be necessarily supplied to the semiconductor substrate 12 just starts to melt. In the present preferred embodiment, the fusion threshold of the silicon semiconductor substrate is about 310 mJ / cm ² . Advantageously, the laser radiation 24 through the solid CO ₂ 22 not substantially focused, thereby melting the semiconductor substrate 12 and thus damage to the surface 14 at an irradiated energy density below the melting threshold of the semiconductor substrate 12 is avoided. Due to the in the semiconductor substrate 12 generated heat becomes the solid CO ₂ 22 Transferred "explosively" in the gaseous phase, wherein due to the selected pressure, a sublimation transition S (see 2 ) of solid CO ₂ 22 takes place in the gaseous state. Due to momentum transfer of sublimating CO ₂ 22 become the foreign particles 16 from the area 14 of the semiconductor substrate 12 spun.

Alternativ zu der oben ausgeführten Ausführungsvariante der vorliegenden Erfindung kann die Wellenlänge der Laserstrahlung 24 derart gewählt werden, daß die Laserstrahlung 24 von dem Reinigungsmaterial 22 absorbiert wird, d.h. die Strahlungsenergie der Laserstrahlung 24 das Reinigungsmaterial unmittelbar erhitzt und in die gasförmige Phase überführt. Beispielsweise kann bei Verwendung von CO₂ 22 als Reinigungsmittel ein CO₂-Laser verwendet werden, welcher Laserstrahlung mit einer Wellenlänge von 10,6μm erzeugt. Laserstrahlung dieser Wellenlänge wird von dem festen CO₂ 22 im wesentlichen absorbiert und somit das feste CO₂ 22 im wesentlichen direkt erhitzt. Vorteilhafterweise können daher Fremdpartikel 16 von einem beliebigen Gegenstand als zu reinigende Fläche entfernt werden. Insbesondere kann dabei auch vermieden werden, daß die Fläche 14 des Halbleitersubstrats 12 aufgrund der Laserstrahlung beschädigt wird, da durch die Absorption im Reinigungsmaterial 22 die Laserstrahlung 24 bereits abgeschwächt wurde. Zusätzlich besitzen Halbleitermaterialien für infrarote Laserstrahlung einen geringeren Absorptionskoeffizienten, als für den sichtbaren Bereich, wodurch die Wahrscheinlichkeit einer Substratschädigung durch den Laser zusätzlich verringert wird.As an alternative to the above-described embodiment of the present invention, the wavelength of the laser radiation 24 be chosen such that the laser radiation 24 from the cleaning material 22 is absorbed, ie the radiation energy of the laser radiation 24 the cleaning material heated immediately and transferred to the gaseous phase. For example, when using CO ₂ 22 As a cleaning agent, a CO ₂ laser can be used, which generates laser radiation with a wavelength of 10.6 microns. Laser radiation of this wavelength is from the solid CO ₂ 22 essentially absorbed and thus the solid CO ₂ 22 heated substantially directly. Advantageously, therefore, foreign particles 16 be removed from any object as a surface to be cleaned. In particular, it can also be avoided that the area 14 of the semiconductor substrate 12 due to the laser radiation is damaged because of the absorption in the cleaning material 22 the laser radiation 24 already weakened. In addition, semiconductor materials for infrared laser radiation have a lower absorption coefficient than for the visible region, which further reduces the likelihood of substrate damage by the laser.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsvariante der vorliegenden Erfindung wird beim Übergang des festen Reinigungsmittels 22, d.h. beispielsweise des festen CO₂ 22, in den gasförmigen Zustand kurzzeitig auch der flüssige Nichtgleichgewichtszustand angenommen. Dies wird beispielsweise durch Strichlinie L in 2 angedeutet. Der flüssige Zustand fernab vom thermischen Gleichgewicht wird dabei kurzzeitig, d.h. für eine geringe Zeitdauer von wenigen Nanosekunden oder weniger bevorzugt zwischen etwa 1 ns bis etwa 100ns, besonders bevorzugt zwischen etwa 5ns und etwa 10ns angenommen. Aufgrund der Kürze der Verweildauer in der flüssigen Phase und der Tatsache, daß es sich bei diesem Zustand nicht um einen thermischen Gleichgewichtszustand handelt, wird von „im wesentlichen Sublimation" gesprochen. In diesem Zusammenhang soll darauf hingewiesen werden, daß die Strichlinie L im wesentlichen einen Übergang von der festen Phase in die gasförmige Phase andeuten soll, da ein Phasendiagramm per Definition lediglich im Gleichgewichtszustand gültig ist. Während dieses Übergangs wird genügend Impuls auf die Fremdpartikel 16, wie etwa Staubpartikel, übertragen, so daß die Fremdpartikel 16 von der Fläche 14 des Halbleitersubstrats 12 geschleudert werden.In a further preferred embodiment of the present invention, the transition of the solid detergent 22 ie, for example, the solid CO ₂ 22 , in the gaseous state briefly assumed the liquid non-equilibrium state. This is for example indicated by dashed line L in 2 indicated. The liquid state away from the thermal equilibrium is assumed to be short-lived, ie for a short period of a few nanoseconds or less, preferably between about 1 ns to about 100 ns, more preferably between about 5 ns and about 10 ns. Due to the shortness of the residence time in the liquid phase and the fact that this state is not a thermal equilibrium state, it is referred to as "substantially sublimation." In this connection, it should be noted that the dashed line L is substantially one Transition from the solid phase to the gaseous phase, since a phase diagram is by definition only valid in the equilibrium state, during which transition there is sufficient impulse to the foreign particles 16 , such as dust particles, transferred so that the foreign particles 16 from the area 14 of the semiconductor substrate 12 be hurled.

Weiterhin umfaßt die bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wie sie in 1 und 3 beispielhaft dargestellt ist, eine Blaseinrichtung bzw. Ansaugeinrichtung 26. Mittels der Blaseinrichtung 26 können Fremdpartikel 16 bzw. Bruchstücke des festen CO₂ 22 bzw. Zusammenschlüsse von Fremdpartikeln 16 mit festem CO₂ 22, welche aufgrund des obig beispielhaft beschriebenen bevorzugten Verfahrens der Erfindung von der Fläche 14 des zu reinigenden Halbleitersubstrats 12 geschleudert werden, von der Fläche 14 des zu reinigenden Halbleitersubstrats 12 bzw. von dem zu reinigenden Halbleitersubstrats 12 weggeblasen bzw. angesaugt werden. Eine Verunreinigung der Fläche 14 des zu reinigenden Halbleitersubstrats 12 aufgrund von bereits entfernten Fremdpartikeln 16 wird somit im wesentlichen verhindert. Vorzugsweise sind die oben beschriebenen bevorzugten Bestandteile der Vorrichtung 10 in einem Gehäuse bzw. einer Kammer 28 angeordnet, in welcher Druck und Temperatur geregelt bzw. gesteuert bzw. eingestellt werden können, bzw. eine geeignete Atmosphäre, wie beispielsweise eine Stickstoff- und/oder Argonatmosphäre hergestellt werden kann.Furthermore, the preferred embodiment of the present invention, as in 1 and 3 is exemplified, a blowing device or suction 26 , By means of the blowing device 26 can foreign particles 16 or fragments of solid CO ₂ 22 or mergers of foreign particles 16 with solid CO ₂ 22 which, due to the preferred method of the invention described above by the surface 14 of the semiconductor substrate to be cleaned 12 be hurled from the plane 14 of the semiconductor substrate to be cleaned 12 or of the semiconductor substrate to be cleaned 12 be blown away or sucked. A contamination of the area 14 of the semiconductor substrate to be cleaned 12 due to already removed foreign particles 16 is thus substantially prevented. Preferably, the preferred components described above are the device 10 in a housing or a chamber 28 arranged, in which pressure and temperature can be controlled or adjusted, or a suitable atmosphere, such as a nitrogen and / or argon atmosphere can be prepared.

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen beispielhaften Ausführungsvarianten bzw. Ausführungsformen beschränkt. Vielmehr umfaßt die vorliegende Erfindung auch weitere Abwandlungen dieser Ausführungsformen. Beispielsweise kann die Laserstrahlungsquelle 18 im wesentlichen senkrecht zu der Fläche 14 des Halbleitersubstrats angeordnet sein, wobei die Blas- bzw. Saugeinrichtung 26 vorzugsweise im wesentlichen unter einem Winkel von etwa 45° bezüglich der Normalenrichtung NR der Fläche 14 angeordnet ist. Weiterhin bevorzugt kann die Laserstrahlungsquelle 18 unter einem anderen Winkel als etwa 45° bezüglich der Normalenrichtung NR der Fläche 14 angeordnet sein. Weiterhin kann es sich bei der Laserstrahlungsquelle 18 um einen anderen als einen Nd:YAG-Laser handeln.The present invention is not limited to the above-described exemplary embodiments. Rather, the present invention also includes other modifications of these embodiments. For example, the laser radiation source 18 in essence perpendicular to the surface 14 be arranged of the semiconductor substrate, wherein the blowing or suction device 26 preferably substantially at an angle of about 45 ° with respect to the normal direction NR of the surface 14 is arranged. Further preferred may be the laser radiation source 18 at an angle other than about 45 ° with respect to the normal direction NR of the surface 14 be arranged. Furthermore, the laser radiation source may be 18 to act other than an Nd: YAG laser.

1010: Einrichtung zum Entfernen von VerunreinigungenFacility for removing impurities
1212: HalbleitersubstratSemiconductor substrate
1414: Flächearea
1616: Fremdpartikelforeign particles
1818: LaserstrahlungsquelleLaser radiation source
2020: BereitstellungsvorrichtungProviding device
2222: Reinigungsmaterialcleaning material
2424: Laserstrahlunglaser radiation
2626: Blas- bzw. SaugeinrichtungWind or suction device
2828: Kammer bzw. Gehäusechamber or housing
NRNO: Normalenrichtungnormal direction
SS: Linie eines im wesentlichen Sublimationsübergangsline a substantially sublimation transition
LL: Linie eines im wesentlichen Sublimationsübergangsline a substantially sublimation transition
RSRS: Linie eines Resublimationsübergangsline a resublimation transition
SKSK: Sublimationskurvesublimation
SchKSCHK: Schmelzkurvemelting curve
SdKSdK: Siedekurveboiling curve
TPTP: Tripelpunkttriple
PTPPTP: Druck am Tripelpunktprint at the triple point
TTPTTP: Temperatur am Tripelpunkttemperature at the triple point

Claims

Method for removing impurities from a surface ( 14 ) of an object ( 12 ) comprising the steps: - providing a cleaning material ( 22 ); - Attaching the cleaning material ( 22 ) as a solid on at least part of the surface ( 14 ) of the object to be cleaned ( 12 ); - radiation of radiation ( 24 ), the radiation energy of the radiation ( 24 ) of the object ( 12 ) and / or the cleaning material ( 22 ) is at least partially absorbed, such that the cleaning material ( 22 ) and substantially sublimed to the gaseous state (S; L).

Process according to claim 1, wherein the cleaning material ( 22 ) substantially along the surface ( 14 ) of the object ( 12 ) or on the surface ( 14 ) of the object ( 12 ) is moved.

Method according to one of the preceding claims, wherein the cleaning material ( 22 ) is provided in the gaseous state.

Method according to one of the preceding claims, wherein the cleaning material ( 22 ) is provided in the liquid and / or fluid state.

Method according to one of the preceding claims, wherein the cleaning material ( 22 ) is provided in the form of solid particles.

Method according to one of the preceding claims, wherein the deposition process Resublimation process is.

Method according to one of the preceding claims, wherein the article ( 12 ) is a metal and / or a dielectric and / or a semiconductor wafer.

The method of claim 7, wherein the Semiconductor wafer to a silicon or germanium wafer with a possibly existing oxide layer, in particular with already existing metallic structures and / or structures of other materials, is.

Method according to one of the preceding claims, wherein the cleaning material ( 22 ) is CO ₂ and / or naphthalene and / or a noble gas.

Method according to one of the preceding claims, wherein the temperature of the article ( 12 ) smaller than the sublimation point of the cleaning material ( 22 ).

Method according to one of the preceding claims, wherein In the irradiation step laser radiation is radiated.

Contraption ( 10 ) for removing impurities ( 16 ) on a surface ( 14 ) of an object ( 12 ) comprising: - a delivery device ( 20 ) for providing a cleaning material ( 22 ) and - a radiation source ( 18 ) for radiation ( 24 ), the cleaning material ( 22 ) using the delivery device ( 20 ), the cleaning material ( 22 ) on the surface ( 14 ) of the object ( 12 ) is attached as a solid and the cleaning material ( 22 ) by at least partial absorption of the radiation energy of the radiation ( 24 ) through the object ( 14 ) and / or by at least partial absorption of the radiation energy of the radiation ( 24 ) by the cleaning material ( 22 ) is heated so as to substantially sublime into the gaseous state (S; L).

Contraption ( 10 ) according to claim 12, wherein the cleaning material ( 22 ) substantially along the surface ( 14 ) of the object ( 12 ) or on the surface ( 14 ) of the object ( 12 ) is moved.

Contraption ( 10 ) according to claim 12 or 13, wherein the delivery device ( 20 ), the cleaning material ( 22 ) in the gaseous state.

Contraption ( 10 ) according to one of claims 12 to 14, wherein the delivery device ( 20 ), the cleaning material ( 22 ) in the liquid and / or fluid state.

Contraption ( 10 ) according to one of claims 12 to 15, wherein the delivery device ( 20 ), the cleaning material ( 22 ) in the form of solid particles.

Contraption ( 10 ) according to one of claims 12 to 16, wherein the deposition process is a resublimation process.

Contraption ( 10 ) according to one of claims 12 to 17, wherein the article ( 12 ) is a metal and / or a dielectric and / or a semiconductor wafer.

Contraption ( 10 ) according to claim 18, wherein the semiconductor wafer is a silicon or germanium wafer with a possibly present oxide layer, in particular with already existing metallic structures and / or structures of other materials.

Contraption ( 10 ) according to any one of claims 12 to 19, wherein the cleaning material ( 22 ) is CO ₂ and / or naphthalene and / or a noble gas.

Contraption ( 10 ) according to any one of claims 12 to 20, wherein the temperature of the article ( 12 ) smaller than the sublimation point of the cleaning material ( 22 ).

Contraption ( 10 ) according to any one of claims 12 to 21, wherein the cleaning material ( 22 ) at normal pressure substantially along the surface ( 14 ) of the object ( 12 ) or on the surface ( 14 ) of the object ( 12 ) is moved.

Contraption ( 10 ) according to any one of claims 12 to 22, wherein the radiation source ( 18 ) is a laser radiation source.

Use of a cleaning material ( 22 ), in particular of CO ₂ , naphthalene or a noble gas, for removing impurities ( 16 ) on a surface ( 14 ) of an object ( 12 ), the cleaning material ( 22 ) as a solid on at least part of the surface ( 14 ) of the object ( 12 ) and by irradiation of radiation ( 24 ) is heated so that the cleaning material ( 22 ) is substantially sublimed to the gaseous state (S; L).