DE102004014971A1 - Inspecting crude wafers comprises providing marking points on the surface of the wafer, inspecting the wafer using a first inspecting device, inserting the wafer into a second coordinate system, and further processing - Google Patents

Inspecting crude wafers comprises providing marking points on the surface of the wafer, inspecting the wafer using a first inspecting device, inserting the wafer into a second coordinate system, and further processing Download PDF

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Harald Bloess
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Abstract

Process for inspecting crude wafers comprises providing a number of marking points (M1-M4) on the surface of the wafer (1), inspecting the wafer using a first inspecting device to which is assigned a first coordinate system in relation to the wafer, inserting the wafer into a second coordinate system (K2) in relation to the wafer, determining a coordinate transformation from the first coordinate system into the second coordinate system based on the coordinates of the marking points in the first coordinate system and in the second coordinate system, and inspecting the wafer on the inspection point using the second inspection device using the coordinate transformation system.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Inspektion von Rohwafern 2a,b zeigen die wesentlichen Schritte eines beispielhaften Verfahrens zur Inspektion von Rohwafern zur Illustration der der vorliegenden Erfindung zugrundeliegenden Problematik.The present invention relates to a method for inspecting raw wafers 2a , b show the essential steps of an exemplary method for inspecting raw wafers for illustrating the problem underlying the present invention.

In 2a bezeichnet Bezugszeichen 1 einen Rohwafer, der an seinem Umfang eine Markierungskerbe 5, auch als Notch bezeichnet, aufweist. Unter Rohwafer soll hier ein Wafer verstanden werden, der noch keine Mikro- bzw. Nano-Strukturierungsprozesse durchlaufen hat. Ganzflächige Prozesse, wie z.B. eine Abscheidung, Oxidation oder Temperung, sollen durch den Begriff Rohwafer jedoch nicht ausgeschlossen sein.In 2a denotes reference numeral 1 a raw wafer having a marking notch on its periphery 5 , also referred to as Notch, has. Under raw wafers should be understood here a wafer that has not gone through any micro- or nano-structuring processes. Full-surface processes, such as deposition, oxidation or tempering, should not be excluded by the term raw wafer.

Der Rohwafer 1 ist auf einer nicht gezeigten Einspannvorrichtung einer ersten Inspektionsvorrichtung S1 eingespannt, welche ein erstes ebenes Koordinatensystem K1 definiert. Dabei ist die Kerbe 5 hinsichtlich der nicht gezeigten Einspannvorrichtung ausgerichtet, und zwar im vorliegenden Fall so, daß sie im wesentlichen entlang der Y-Achse des Koordinatensystems K1 angeordnet ist.The raw wafer 1 is clamped on a clamping device, not shown, a first inspection device S1, which defines a first planar coordinate system K1. Here's the score 5 is aligned with respect to the jig, not shown, in the present case so that it is arranged substantially along the Y-axis of the coordinate system K1.

Mittels der ersten Inspektionsvorrichtung S1 wird der Rohwafer 1 in an sich bekannter Weise optisch gescannt, um Defekte auf der Oberfläche des Rohwafers 1 zu lokalisieren. Im vorliegenden Fall wird der Punkt D mit den Koordinaten X1, Y1 im Koordinatensystem K1 als Ort eines Defekts, z.B. eines Grübchens, erfasst.By means of the first inspection device S1, the raw wafer 1 visually scanned in a conventional manner to defects on the surface of the raw wafer 1 to locate. In the present case, the point D with the coordinates X1, Y1 in the coordinate system K1 is detected as the location of a defect, for example a dimple.

In diesem Zusammenhang sei erwähnt, dass üblicherweise eine Mehrzahl von Defekten auf einer solchen Oberfläche eines Roh wafers 1 erfasst werden, hier aber der Einfachheit halber nur ein einziger Defekt dargestellt ist.In this context, it should be mentioned that usually a plurality of defects on such a surface of a raw wafer 1 be detected, but here for the sake of simplicity, only a single defect is shown.

Nachdem die gesamte Oberfläche des Rohwafers 1 optisch gescannt worden ist und alle Defektkoordinaten vorliegen, wird der Rohwafer 1 aus der ersten Inspektionsvorrichtung S1 entfernt und in eine zweite Inspektionsvorrichtung S2 gebracht, wo er ebenfalls auf einer (nicht gezeigten) Einspannvorrichtung eingespannt wird. Auch hier wird die Kerbe 5 im wesentlichen entlang der Y'-Achse des durch die Einspannvorrichtung der zweiten Inspektionsvorrichtung S2 definierten Koordinatensystems K2 ausgerichtet. Die zweite Inspektionsvorrichtung S2 ist im vorliegenden Fall ein Scanning-Elektronenmikroskop.After the entire surface of the raw wafer 1 has been optically scanned and all defect coordinates are present, the raw wafer 1 removed from the first inspection device S1 and placed in a second inspection device S2, where it is also clamped on a (not shown) jig. Again, the score will be 5 aligned substantially along the Y 'axis of the coordinate system K2 defined by the jig of the second inspection device S2. The second inspection device S2 in the present case is a scanning electron microscope.

Wie in 2b angedeutet, ist jedoch die Möglichkeit der Orientierung des Rohwafers 1 unter Verwendung der Kerbe 5 in Bezug auf das zweite Koordinatensystem K2 mit einer gewissen Ungenauigkeit behaftet. Diese Ungenauigkeit drückt sich im vorliegenden Fall durch einen Winkelversatz Δφ aus, welcher bewirkt, dass der Punkt D mit dem Defekt im zweiten Koordinatensystem K2 nicht mehr die Koordinaten X1, Y1 aufweist, sondern die davon verschiedenen Koordinaten X2, Y2.As in 2 B indicated, however, is the possibility of orientation of the raw wafer 1 using the score 5 with respect to the second coordinate system K2 with a certain inaccuracy. This inaccuracy is expressed in the present case by an angular offset Δφ, which causes the point D with the defect in the second coordinate system K2 no longer has the coordinates X1, Y1, but the different coordinates X2, Y2.

Wird nunmehr versucht, die Optik des Scanning-Elektronenmikroskops auf den Punkt mit den Koordinaten X1, Y1 zu fokussieren, wobei diese Koordinaten beispielsweise elektronisch oder per Datenträger von der ersten Inspektionsvorrichtung S1 an die zweite Inspektionsvorrichtung S2 übermittelt wurden, so kann es sein, dass der Defekt, welcher sich tatsächlich am Punkt mit den Koordinaten X2, Y2 befindet, nicht mehr aufgefunden wird. Ist dies der Fall, so ist es nicht möglich, den Defekt unter Verwendung des Scanning-Elektronenmikroskops feinzuanalysieren.Becomes now trying on the optics of the scanning electron microscope to focus the point with the coordinates X1, Y1, these being Coordinates, for example, electronically or by data carrier from the first inspection device S1 to the second inspection device S2 were transmitted, so it may be that the defect, which is actually on Point with coordinates X2, Y2 is no longer found becomes. If this is the case, then it is not possible to use the defect of the Scanning Electron Microscope.

Größenordnungsmäßig sei erwähnt, dass die Koordinatengenauigkeit einer derartigen Ausrichtung unter Verwendung der Kerbe 5 am Rohwafer 1 in der Größenordnung von ca. 30 μm in jeder Richtung liegt. Somit ergibt sich in der Praxis eine Grenze zur Wiedererkennung von Defekten, welche bei einer Defektgröße von ca. 2 μm liegt. Kleinere Defekte können bei einem derartigen Verfahren nicht wiedererkannt und zugeordnet werden.By order of magnitude, it should be noted that the coordinate accuracy of such alignment using the notch 5 on the raw wafer 1 in the order of about 30 microns in each direction. This results in practice a limit to the recognition of defects, which is at a defect size of about 2 microns. Minor defects can not be recognized and assigned in such a method.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein verbessertes Verfahren zur Inspektion von Rohwafern zu schaffen, bei dem das Wiederauffinden von Inspektionspunkten bei einem Gerätewechsel erleichtert ist.It Object of the present invention, an improved method for the inspection of raw wafers, in which the retrieval of Inspection points during a device change is relieved.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch das in Anspruch 1 angegebene Verfahren zur Inspektion von Rohwafern gelöst.According to the invention this Task by the specified in claim 1 method for inspection solved by raw wafers.

Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Idee besteht im Bestimmen einer Koordinatentransformation vom ersten Koordinatensystem ins zweite Koordinatensystem anhand der festgelegten Koordinaten der Markierungspunkte im ersten Koordinatensystem und im zweiten Koordinatensystem, woraufhin ein Inspizieren des Rohwafers am Inspektionspunkt mittels der zweiten Inspektionsvorrichtung unter Berücksichtigung der Koordinatentransformation stattfindet.The The idea underlying the present invention is to determine a coordinate transformation from the first coordinate system to the second Coordinate system based on the specified coordinates of the marker points in the first coordinate system and in the second coordinate system, whereupon Inspecting the raw wafer at the inspection point by means of the second Inspection device under consideration the coordinate transformation takes place.

In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des erfindungsgemäßen Verfahrens Inspektion von Rohwafern.In the dependent claims find advantageous developments and improvements of inventive method Inspection of raw wafers.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung werden die Koordinaten des mindestens einen Inspektionspunktes im zweiten Koordinatensystem anhand der bestimmten Koordinatentransformation ermittelt, wobei das Inspizieren des Rohwafers (1) am Inspektionspunkt im zweiten Koordinatensystem an der ermittelten Koordinaten durchgeführt wird. Mit anderen Worten wird die Lage des zweiten Koordinatensystems bei dieser Variante nicht geändert.According to a preferred refinement, the coordinates of the at least one inspection point in the second coordinate system are determined on the basis of the determined coordinate transformation, wherein the inspection of the raw wafer (FIG. 1 ) is performed at the inspection point in the second coordinate system at the determined coordinates. In other words, the position of the second coordinate system is not changed in this variant.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das zweite Koordinatensystem unter Berücksichtigung der Koordinatentransformation derart verschoben wird, dass es mit dem ersten Koordinatensystem zusammenfällt und das Inspizieren des Rohwafers am Inspektionspunkt im ersten Koordinatensystem an den in der ersten Inspektionsvorrichtung festgelegten Koordinaten durchgeführt wird.According to one Another preferred development is the second coordinate system considering the coordinate transformation is shifted so that it with coinciding with the first coordinate system and inspecting the raw wafer at the inspection point in the first coordinate system to the one in the first Inspection device specified coordinates is performed.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden die Markierungspunkte auf der Oberfläche des Rohwafers durch einen oder mehrere der folgenden Prozesse vorgesehen: fokussiertes abrasives oder additives Ionenstrahlverfahren, Laserbehandlung, lokale Ätzung oder Abscheidung.According to one Another preferred development will be the marker points on the surface of the raw wafer by one or more of the following processes: focused abrasive or additive ion beam process, laser treatment, local etching or deposition.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung sind die erste Inspektionsvorrichtung und die zweite Inspektionsvorrichtung über ein Netzwerk miteinander verbunden sind und die erste Inspektionsvorrichtung die Koordinaten der Markierungspunkte sowie dir Koordinaten des mindestens einen Inspektionspunktes im ersten Koordinatensystem elektronisch an die zweite Inspektionsvorrichtung übermittelt.According to one Another preferred embodiment is the first inspection device and the second inspection device via a network with each other are connected and the first inspection device the coordinates the marker points as well as the coordinates of the at least one Inspection point in the first coordinate system electronically to the transmitted second inspection device.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung sind das erste und das zweite Koordinatensystem durch eine Einspannvorrichtung für den Rohwafer definiert.According to one Another preferred development is the first and the second Coordinate system by a clamping device for the raw wafer Are defined.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das Festlegen der Koordinaten der Markierungspunkte im zweiten Koordinatensystem automatisch in der zweiten Inspektionsvorrichtung durchgeführt.According to one Another preferred development is setting the coordinates the marker points in the second coordinate system automatically in performed the second inspection device.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird zum Inspizieren des Rohwafers am Inspektionspunkt eine Ausrichtung der zweiten Inspektionsvorrichtung bezüglich des Inspektionspunktes durchgeführt wird.According to one Another preferred development is to inspect the Rohwafers at the inspection point, an orientation of the second inspection device in terms of of the inspection point becomes.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung beinhaltet die Ausrichtung eine Verschiebung einer optischen Komponente bezüglich des Inspektionspunktes.According to one Another preferred embodiment, the orientation includes a Displacement of an optical component with respect to the inspection point.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung geben der oder die Inspektionspunkte Defekte an der Oberfläche des Rohwafers an, welche in der ersten Inspektionsvorrichtung in einem Scanverfahren lokalisiert und in der zweiten Inspektionsvorrichtung elektronisch und/oder optisch feinanalysiert werden.According to one Another preferred development give the or the inspection points Defects on the surface of the raw wafer, which in the first inspection device in located in a scanning process and in the second inspection device electronically and / or optically fine-analyzed.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die erste Inspektionsvorrichtung gleich der zweiten Inspektionsvorrichtung.According to one Another preferred development is the first inspection device same as the second inspection device.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.One embodiment The invention is illustrated in the drawings and in the following Description closer explained.

1a, b zeigen die wesentlichen Schritte eines Verfahrens zur Inspektion von Rohwafern als Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und 1a , b show the essential steps of a method for inspecting raw wafers as an embodiment of the present invention; and

2a,b zeigen die wesentlichen Schritte eines beispielhaften Verfahrens zur Inspektion von Rohwafern zur Illustration der der vorliegenden Erfindung zugrundeliegenden Problematik. 2a , b show the essential steps of an exemplary method for inspecting raw wafers for illustrating the problem underlying the present invention.

In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Bestandteile.In the same reference numerals designate the same or functionally identical Ingredients.

Wie in 1a dargestellt, sind im Unterschied zu dem mit Bezug auf 2a, 2b erläuterten Verfahren bei der Ausführungsform der Erfindung Markierungspunkte M1 bis M4 in Form von Kreuzen auf der Oberfläche des Rohwafers 1 vor dem Einbringen in die erste Inspektionsvorrichtung S1 aufgebracht worden. Im vorliegenden Fall wurden die Markierungspunkte M1 bis M4 durch ein fokussiertes additives Ionen-Streuverfahren aufgebracht. Dies hat einerseits den Vorteil, dass die Markierungspunkte relativ klein und genau gestaltet werden können, also im Bereich von einigen Mikrometern Durchmesser, und zum anderen, dass diese Markierungspunkte später, falls erwünscht, einfach von der Wafer-Oberfläche wieder entfernt werden können, um zu vermeiden, dass sie sich bei Prozessen zur Herstellung von integrierten Schaltungen störend auswirken.As in 1a are different from those with reference to 2a . 2 B explained method in the embodiment of the invention marking points M1 to M4 in the form of crosses on the surface of the raw wafer 1 before being introduced into the first inspection device S1. In the present case, the marker points M1 to M4 were applied by a focused additive ion scattering method. This has the advantage on the one hand that the marking points can be made relatively small and accurate, that is in the range of a few micrometers in diameter, and on the other hand, that these marking points can later be easily removed from the wafer surface, if desired, in order to avoid interfering with integrated circuit manufacturing processes.

Weiter mit Bezug auf 1a werden beim optischen Scannen der Oberfläche des Rohwafers 1 gemäß dieser Ausführungsform nicht nur etwaige Defekte, wie z.B. der Punkt D mit den Koordinaten X1, Y1, sondern auch die Markierungspunkte M1, M2, M3, M4 koordinatenmäßig erfasst. Hierbei ist es zweckmäßig, wenn die Markierungspunkte M1 bis M4 eine Form aufweisen, die sich von der Form der Defekte unterscheidet, beispielsweise eine Kreuzform wie im vorliegenden Fall oder eine Rechteckform.Continue with reference to 1a when optical scanning the surface of the raw wafer 1 According to this embodiment, not only any defects, such as the point D with the coordinates X1, Y1, but also the marker points M1, M2, M3, M4 coordinates detected. It is expedient here for the marking points M1 to M4 to have a shape which differs from the shape of the defects, for example a cross shape as in the present case or a rectangular shape.

Auch bei der vorliegenden Ausführungsform wird im übrigen die Kerbe 5 des Rohwafers 1 zur Grobausrichtung herangezogen, obwohl dies nicht unbedingt notwendig ist.Also in the present embodiment By the way, this is the score 5 of the raw wafer 1 used for coarse alignment, although this is not absolutely necessary.

Weiter mit Bezug auf 1d erfolgt nach dem optischen Scannen der Oberfläche des Rohwafers 1 der Wechsel in die zweite Inspektionsvorrichtung S2, das Scanning-Elektronenmikroskop, wo die Koordinaten der Markierungspunkte M1 bis M4 im zweiten Koordinatensystem K2, das durch die nicht gezeigte Einspannvorrichtung der zweiten Inspektionsvorrichtung S2 festgelegt ist, ermittelt werden. Diese Ermittlung kann beispielsweise durch ein an sich bekanntes automatisches Verfahren erfolgen, und zwar unter Verwendung einer Mustererkennungsroutine.Continue with reference to 1d takes place after the optical scanning of the surface of the raw wafer 1 the change into the second inspection device S2, the scanning electron microscope, where the coordinates of the marker points M1 to M4 in the second coordinate system K2, which is determined by the jig of the second inspection device S2 not shown, are determined. This determination can be made, for example, by an automatic method known per se, using a pattern recognition routine.

Anhand der ermittelten Koordinaten der Markierungspunkte M1 bis M4 im zweiten Koordinatensystem K2 lässt sich nunmehr ei ne Koordinatentransformation vom ersten Koordinatensystem K1 in das zweite Koordinatensystem bzw. die Umkehrtransformation davon ermitteln, welche die Ungenauigkeit bei der Ausrichtung des Rohwafers 1 unter Verwendung der Kerbe 5 mathematisch beschreibt. Daran anschließend kann entweder die Einspannvorrichtung verschoben bzw. verdreht werden, um das zweite Koordinatensystem K2 auf das erste Koordinatensystem K1 zu legen, d.h. die Ungenauigkeit auszugleichen.On the basis of the determined coordinates of the marker points M1 to M4 in the second coordinate system K2 can now ei ne coordinate transformation from the first coordinate system K1 in the second coordinate system or the reverse transformation thereof determine which the inaccuracy in the orientation of the raw wafer 1 using the score 5 describes mathematically. Subsequently, either the jig can be moved or rotated in order to place the second coordinate system K2 on the first coordinate system K1, ie to compensate for the inaccuracy.

Daran anschließend kann der Punkt D mit den Koordinaten X1, Y1 im zweiten Koordinatensystem angefahren werden, um den dort befindlichen Defekt feinzuanalysieren.it subsequently can the point D with the coordinates X1, Y1 in the second coordinate system be approached to feinzuanalysieren the defect located there.

Eine alternative Möglichkeit bestünde darin, die Einspannvorrichtung der zweiten Inspektionsvorrichtung S2 nicht zu verändern, sondern unter Zuhilfenahme der Koordinatentransformation die übermittelten Koordinaten X1, Y1 in Koordinaten X2, Y2 zu transformieren, wo sich der in der ersten Inspektionsvorrichtung S1 ermittelte Defekt nunmehr im zweiten Koordinatensystem in der zweiten Inspektionsvorrichtung S2 befindet. Anschließend könnte der Punkt D an den Koordinaten X2, Y2 im zweiten Koordinatensystem angefahren werden, um feinanalysiert zu werden.A alternative possibility would therein, the jig of the second inspection device S2 not to change, but with the help of the coordinate transformation the transmitted To transform coordinates X1, Y1 into coordinates X2, Y2 where the detected in the first inspection device S1 defect now in the second coordinate system in the second inspection device S2 is located. Subsequently could the point D at the coordinates X2, Y2 in the second coordinate system be approached to be fine-analyzed.

Beide Vorgehensweisen haben den gleichen wesentlichen Vorteil, nämlich die Beseitigung der Ungenauigkeit infolge der Grobausrichtung unter Verwendung der Kerbe 5 und somit ermöglichen sie ein müheloses Auffinden von in der ersten Inspektionsvorrichtung aufgefundenen Defekten, welche in der Praxis auch kleiner als 2 μm sein können. Mit anderen Worten wird die Ausrichtgenauigkeit von typischerweise 30 μm in jeder Koordinatenrichtung auf einige wenige Mikrometer in jeder Koordinatenrichtung verbessert.Both approaches have the same significant advantage, namely the elimination of inaccuracy due to the coarse alignment using the notch 5 and thus enable easy finding of defects found in the first inspection device, which in practice may also be less than 2 μm. In other words, the alignment accuracy is improved from typically 30 μm in each coordinate direction to a few micrometers in each coordinate direction.

Durch ein derartiges Verfahren ist es beispielsweise auch einfach möglich, die Entwicklung von Defekten bei zwischengeschalteten Prozessstufen zu verfolgen. Beispielsweise könnte zunächst die Defektdichte in der ersten Inspektionsvorrichtung S1 gemessen werden, dann ein Annealprozess zwischengeschaltet werden, und dann die Defektdichte wiederum bestimmt werden. In diesem Fall wäre die zweite Inspektionsvorrichtung S2 gleich der ersten Inspektionsvorrichtung S1.By For example, such a method is also easily possible, the Development of defects in intermediate process stages to pursue. For example, could first the defect density measured in the first inspection device S1 then an anneal process will be interposed, and then the defect density in turn be determined. In this case, the second would be Inspection device S2 equal to the first inspection device S1.

Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modifizierbar.Even though the present invention above based on preferred embodiments It is not limited to this, but in many ways and modifiable.

Insbesondere kann die Erfindung auf beliebige Inspektionsvorrichtungen angewendet werden.Especially The invention can be applied to any inspection devices become.

11
Rohwaferraw wafers
55
Kerbescore
M1-M4M1-M4
Markierungspunktemarkers
DD
Defektpunktdefective point
x, y, x', y'x, y, x ', y'
Koordinatencoordinates
K1,K2K1, K2
Koordinatensystemecoordinate systems
ΔφΔφ
Winkelversatzangular displacement
S1,S2S1, S2
Inspektionsvorrichtunginspection device

Claims (11)

Verfahren zur Inspektion von Rohwafern mit den Schritten: Vorsehen einer Mehrzahl von Markierungspunkten (M1-M4) auf der Oberfläche eines Rohwafers (1); Inspizieren des Rohwafers (1) mittels einer ersten Inspektionsvorrichtung (S1), der ein erstes Koordinatensystem (K1) in Bezug auf dem Rohwafer (1) zugeordnet ist, und Festlegen der Koordinaten der Markierungspunkte (M1-M4) sowie der Koordinaten (x1,y1) mindestens eines Inspektionspunktes (D) im ersten Koordinatensystem (K1); Einbringen des Rohwafers (1) in eine zweite Inspektionsvorrichtung (S2), der ein zweites Koordinatensystem (K2) in Bezug auf den Rohwafer (1) zugeordnet ist, und Festlegen der Koordinaten der Markierungspunkte (M1-M4) im zweiten Koordinatensystem (K2); Bestimmen einer Koordinatentransformation (TK) vom ersten Koordinatensystem (K1) ins zweite Koordinatensystem (K2) anhand der festgelegten Koordinaten der Markierungspunkte (M1-M5) im ersten Koordinatensystem (K1) und im zweiten Koordinatensystem (K2); Inspizieren des Rohwafers (1) am Inspektionspunkt (D) mittels der zweiten Inspektionsvorrichtung (S2) unter Berücksichtigung der Koordinatentransformation (TK).Method for inspecting raw wafers, comprising the steps of: providing a plurality of marking points (M1-M4) on the surface of a raw wafer ( 1 ); Inspecting the raw wafer ( 1 ) by means of a first inspection device (S1), which has a first coordinate system (K1) with respect to the raw wafer ( 1 ) and setting the coordinates of the marker points (M1-M4) and the coordinates (x1, y1) of at least one inspection point (D) in the first coordinate system (K1); Introduction of the raw wafer ( 1 ) in a second inspection device (S2), the second coordinate system (K2) with respect to the raw wafer ( 1 ), and setting the coordinates of the marker points (M1-M4) in the second coordinate system (K2); Determining a coordinate transformation (TK) from the first coordinate system (K1) to the second coordinate system (K2) based on the fixed coordinates of the marker points (M1-M5) in the first coordinate system (K1) and in the second coordinate system (K2); Inspecting the raw wafer ( 1 ) at the inspection point (D) by means of the second inspection device (S2) taking into account the coordinate transformation (TK). Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Koordinaten (x2,y2) des mindestens einen Inspektionspunktes (D) im zweiten Koordinatensystem (K2) anhand der bestimmten Koordinatentransformation (TK) ermittelt werden und das Inspizieren des Rohwafers (1) am Inspektionspunkt (D) im zweiten Koordinatensystem (K2) an der ermittelten Koordinaten (x2,y2) durchgeführt wird.Method according to claim 1, characterized in that the coordinates (x2, y2) of the at least one inspection point (D) in the second coordinate system (K2) are determined on the basis of the determined coordinate transformation (TK) and the inspection of the raw wafer ( 1 ) at the inspection point (D) in the second coordinate system (K2) at the determined coordinates (x2, y2). Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Koordinatensystem (K2) unter Berücksichtigung der Koordinatentransformation (TK) derart verschoben wird, dass es mit dem ersten Koordinatensystem (K1) zusammenfällt und das Inspizieren des Rohwafers (1) am Inspektionspunkt (D) im ersten Koordinatensystem (K1) an den in der ersten Inspektionsvorrichtung (S1) festgelegten Koordinaten (x1,y1) durchgeführt wird.A method according to claim 1, characterized in that the second coordinate system (K2) is moved in consideration of the coordinate transformation (TK) such that it coincides with the first coordinate system (K1) and the inspection of the raw wafer ( 1 ) at the inspection point (D) in the first coordinate system (K1) at the coordinates (x1, y1) set in the first inspection device (S1). Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Markierungspunkte (M1-M4) auf der Oberfläche des Rohwafers (1) durch einen oder mehrere der folgenden Prozesse vorgesehen werden: fokussiertes abrasives oder additives Ionenstrahlverfahren, Laserbehandlung, lokale Ätzung oder Abscheidung.Method according to at least one of the preceding claims, characterized in that the marking points (M1-M4) on the surface of the raw wafer ( 1 ) may be provided by one or more of the following processes: focused abrasive or additive ion beam method, laser treatment, local etching or deposition. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Inspektionsvorrichtung (S1) und die zweite Inspektionsvorrichtung (S2) über ein Netzwerk miteinander verbunden sind und die erste Inspektionsvorrichtung (S1) die Koordinaten der Markierungspunkte (M1-M4) sowie dir Koordinaten (x1,y1) des mindestens einen Inspektionspunktes (D) im ersten Koordinatensystem (K1) elektronisch an die zweite Inspektionsvorrichtung (S2) übermittelt.Method according to at least one of the preceding Claims, characterized in that the first inspection device (S1) and the second inspection device (S2) via a network with each other and the first inspection device (S1) are the coordinates the marker points (M1-M4) as well as the coordinates (x1, y1) of the at least one inspection point (D) in the first coordinate system (K1) transmitted electronically to the second inspection device (S2). Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und das zweite Koordinatensystem (K1, K2) durch eine Einspannvorrichtung für den Rohwafer (1) definiert sind.Method according to at least one of the preceding claims, characterized in that the first and the second coordinate system (K1, K2) by a clamping device for the raw wafer ( 1 ) are defined. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Festlegen der Koordinaten der Markierungspunkte (M1-M4) im zweiten Koordinatensystem (K2) automatisch in der zweiten Inspektionsvorrichtung (S2) durchgeführt wird.Method according to at least one of the preceding Claims, characterized in that the setting of the coordinates of the marker points (M1-M4) in the second Coordinate system (K2) automatically in the second inspection device (S2) performed becomes. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zum Inspizieren des Rohwafers (1) am Inspektionspunkt (D) eine Ausrichtung der zweiten Inspektionsvorrichtung (S2) bezüglich des Inspektionspunktes (D) durchgeführt wird.Method according to at least one of the preceding claims, characterized in that for inspecting the raw wafer ( 1 ) at the inspection point (D) an alignment of the second inspection device (S2) with respect to the inspection point (D) is performed. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausrichtung eine Verschiebung einer optischen Komponente bezüglich des Inspektionspunktes (D) beinhaltet.Method according to claim 8, characterized in that that the alignment is a shift of an optical component in terms of of the inspection point (D). Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der oder die Inspektionspunkte (D) Defekte an der Oberfläche des Rohwafers (1) angeben, welche in der ersten Inspektionsvorrichtung (S1) in einem Scanverfahren lokalisiert und in der zweiten Inspektionsvorrichtung (S2) elektronisch und/oder optisch feinanalysiert werden.Method according to at least one of the preceding claims, characterized in that the inspection point or points (D) defects on the surface of the raw wafer ( 1 ), which are localized in the first inspection device (S1) in a scanning process and finely analyzed electronically and / or optically in the second inspection device (S2). Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Inspektionsvorrichtung (S1) gleich der zweiten Inspektionsvorrichtung (S2) ist.Method according to at least one of the preceding Claims, characterized in that the first inspection device (S1) is equal to the second inspection device (S2).
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