DE102004014733A1

DE102004014733A1 - Verfahren zum Herstellen einer Aufzeichnungsplatte mit diskreten Spuren mit Hilfe eines zweilagigen Abdeckmaterials zum Abheben von Metall

Info

Publication number: DE102004014733A1
Application number: DE102004014733A
Authority: DE
Inventors: Christopher H. Los Gatos Bajorek; Gerardo A. Redwood City Bertero; Andrew Morgan Hill Homola
Original assignee: Komag Inc
Current assignee: WD Media LLC
Priority date: 2003-04-17
Filing date: 2004-03-25
Publication date: 2004-11-04
Also published as: JP2004319074A; US20040209470A1; US20040209123A1

Abstract

Eine DTR-strukturierte Magnetaufzeichnungsplatte mit einer Kohlenstoffbeschichtung wird beschrieben. Die Kohlenstoffbeschichtung kann auf den Datenspeicherschichten abgeschieden werden, um die Kantenüberdeckung der Bereiche der diskreten Spur zu maximieren. Das DTR-Muster kann mit Hilfe einer zweilagigen Abdeckschicht gebildet werden, um darüber abgeschiedenes Metall und Kohlenstoffschichten abzuheben.

Description

Technisches Gebiet
Ausführungsformen dieser Erfindung betreffen das Gebiet der Magnetaufzeichnungsplatten und insbesondere die Herstellung von Magnetaufzeichnungsplatten.
Hintergrund
Ein Plattenlaufwerksystem umfasst eine oder mehrere Magnetaufzeichnungsplatten und Steuermechanismen zum Speichern von Daten auf den Platten. Das Lesen und Schreiben von Daten wird durchgeführt, indem ein Lese-/Schreibkopf über die Platte schwebt, um die Eigenschaften der Magnetschicht der Platte zu verändern. Der Lese-/Schreibkopf ist typischerweise Teil eines größeren Körpers oder mit einem größeren Körper verbunden, der über der Platte schwebt und als Schieber bezeichnet wird.
Der Trend beim Design von Magnetfestplattenlaufwerken ist es, die Aufzeichnungsdichte eines Plattenlaufwerksystems zu erhöhen. Die Aufzeichnungsdichte ist ein Maß der Menge von Daten, die in einem bestimmten Bereich einer Platte gespeichert werden können. Um die Aufzeichnungsdichte zu erhöhen, hat sich die Kopftechnologie zum Beispiel von Ferrit-Köpfen zu Schichtköpfen und anschließend zu magnetoresistiven Köpfen (MR-Köpfen) und giant-magnetoresistiven Köpfen (GMR-Köpfen) geändert.
Um höhere Flächendichten (das ist die Anzahl von gespeicherten Bits pro Oberflächeneinheit) zu erreichen, ist es notwendig, daß die Datenspuren nahe beieinander liegen. Auch weil die Spurbreiten sehr klein sind, kann jede Abweichung einer Spur (z.B. durch thermische Ausdehnung) das Schreiben und/oder Lesen durch den Kopf durch eine benachbarte Spur beeinflusst werden. Dieses Verhalten wird im Allgemeinen als Interferenz zwischen benachbarten Spuren (ATI) bezeichnet. Ein Verfahren, ATI zu begegnen, ist die Oberfläche der Platte zu strukturieren, um diskrete Datenspuren zu bilden, wobei das Verfahren als Aufzeichnen von diskreten Spuren (DTR) bezeichnet wird.
Eine bekannte DTR-Struktur verwendet ein Muster von konzentrischen Erhebungs- und Senkungszonen unter einer Magnetaufzeichnungsschicht. Die Erhebungszonen (auch als Hügel, Land, Erhebungen usw. bekannt) werden zum Speichern von Daten benutzt, und die Senkungszonen (auch als Mulden, Täler, Gräben usw. bekannt) schaffen die Isolation zwischen den Spuren, um Rauschen zu reduzieren. Die Erhebungszonen weisen eine Breite auf, die kleiner ist als die Breite des Aufzeichnungskopfes, so dass sich Teile des Kopfes während des Betriebs über die Senkungszonen erstrecken. Die Senkungszonen weisen eine Tiefe auf, die relativ zu der Schwebehöhe eines Aufzeichnungskopfes und den Erhebungszonen ist. Die Senkungszonen sind von dem Kopf ausreichend entfernt, um das Speichern von Daten Mit Hilfe des Kopfes in der direkt unterhalb der Senkungszonen befindlichen Magnetschicht zu blockieren. Die Erhebungszonen befinden sich ausreichend nahe an dem Kopf, um das Schreiben von Daten in der direkt an den Erhebungszonen angeordneten Magnetschicht zu ermöglichen.
Somit entsprechen die Erhebungszonen den Datenspuren, wenn Daten auf das Aufzeichnungsmedium geschrieben werden. Die Senkungszonen isolieren die Erhebungszonen (z.B. die Datenspuren) voneinander, was zu Datenspuren führt, die sowohl physikalisch als auch magnetisch definiert sind. Solche Senkungszonen können auch Servoinformationen speichern. Wenn die Daten durch den Kopf auf eine bestimmten Datenspur (Erhebungszonen) geschrieben werden, wird das Schreiben von Daten auf benachbarte Senkungszonen blockiert, weil die Magnetschicht unterhalb der Senkungszone zu weit von dem Kopf entfernt ist, um Wechsel der Magnetisierung zu induzieren.
Ein weiterer Typ einer DTR-Struktur verwendet ein Muster von konzentrischen diskreten Zonen als Aufzeichnungsmedium. Die diskreten magnetischen Zonen sind an den Senkungsflächen eines nicht magnetischen Substrates angeordnet. Wenn Daten in das Aufzeichnungsmedium geschrieben werden, entsprechen die diskreten magnetischen Flächen den Datenspuren. Die Substratoberflächenbereiche, die kein magnetisches Material enthalten, isolieren die Datenspuren voneinander.
Bei beiden Typen von bekannten DTR-Strukturen wird die magnetische Aufzeichnungsplatte durch eine Kohlenstoffbeschichtung geschützt, die über der gesamten Oberfläche der Platte angeordnet ist. Die schützende Beschichtung übernimmt viele Funktionen, wie z.B. das Schützen der Magnetschicht gegen Kontakte, die während Plattenoperationen zwischen dem Aufzeichnungskopf und der Platte auftreten. Die Beschichtung dient auch dazu, das magnetische Medium vor Korrosion in Umweltbedingungen zu schützen, in denen das Plattenlaufwerk betrieben wird.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Die vorliegende Erfindung wird beispielhaft und nicht einschränkend in den Figuren der beigefügten Zeichnungen dargestellt, in denen:
1a eine Querschnittsansicht ist, die eine Ausführungsform einer zweilagigen Abdeckschicht darstellt, der über einem Plattensubstrat angeordnet ist;
1b eine Querschnittsansicht ist, die eine Ausführungsform des Prägens einer zweilagigen Abdeckschicht durch einen Prägestempel darstellt;
1c eine Querschnittsansicht ist, die eine Ausführungsform einer vorteilhaft selektiv entfernten zweilagigen Abdeckschicht darstellt;
1d ist eine Querschnittsansicht, die eine Ausführungsform eines Stapels einer Magnetschicht darstellt, der auf einem strukturierten Substrat aufgebracht ist;
1e eine Querschnittsansicht ist, die eine Ausführungsform einer strukturierten Magnetschicht nach dem Abheben darstellt;
2 ist ein Flussdiagramm, das eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Bilden einer strukturierten Magnetaufzeichnungsplatte mit diskreten Spuren mit Hilfe einer zweilagigen Abdeckschicht für das Abheben einer Magnetschicht darstellt;
3 eine Ausführungsform eines chemischen Aufdampfprozesses darstellt;
4 eine Ausführungsform der Abscheidung der Schutzschicht darstellt;
5a eine Querschnittsansicht ist, die eine Ausführungsform einer strukturierten Aufzeichnungsplatte mit diskreten Spuren mit einer nicht durchgängigen Schutzschicht darstellt;
5b eine Querschnittsansicht ist, die eine alternative Ausführungsform einer strukturierten Aufzeichnungsplatte mit diskreten Spuren mit einer nicht durchgängigen Schutzschicht und einer durchgängigen Schutzschicht darstellt; und
6 eine Ausführungsform eines Plattenlaufwerksystems darstellt.
Ausführliche Beschreibung
In der nachfolgenden Beschreibung werden zahlreiche spezifische Details, z.B. spezifische Materialien oder Komponenten beschrieben, um ein gründliches Verständnis der vorliegenden Erfindung zu ermöglichen. Es ist jedoch für einen Fachmann selbstverständlich, daß diese spezifischen Details nicht angewendet werden müssen, um die Erfindung auszuführen. In anderen Beispielen sind gut bekannte Komponenten oder Verfahren nicht ausführlich beschrieben worden, um ein unnötiges Verschleiern der vorliegenden Erfindung zu vermeiden.
Die Begriffe „über", „unter", „zwischen", „unter" und „ober", die hierin benutzt, beziehen sich auf die relative Position einer Schicht mit Bezug auf die anderen Schichten. Wenn z.B. eine Schicht über oder unter einer anderen Schicht abgeschieden oder aufgebracht wird, kann diese direkt in Kontakt mit der anderen Schicht sein, oder es können eine oder mehrere Zwischenschichten angeordnet sein. Weiterhin kann eine Schicht, die zwischen Schichten abgeschieden oder angeordnet ist, direkt in Kontakt mit den Schichten sein oder eine oder mehrere Zwischenschichten aufweisen.
Ein Verfahren zum Herstellen einer Aufzeichnungsplatte mit diskreten Spuren mit Hilfe einer zweilagigen Schichttechnik zum Abheben von Metall wird nachfolgend beschrieben. Bei einer Ausführungsform kann das Verfahren verwendet werden, um eine DTR-Längsmagnetisierungs-Magnetaufzeichnungsplatte mit einer mit Nickelphosphid (NiP) beschichtetes Substrat als Basisstruktur herzustellen. Das Verfahren kann auch verwendet werden, um eine DTR-Vertikalmagnetisierungs-Magnetaufzeichnungsplatte mit einer Weichmagnetschicht, die auf einem Substrat für die Basisstruktur aufgebracht wird, herzustellen. Die Weichmagnetische Schicht in der Basisstruktur kann aus einer einfachen weichmagnetischen Unterschicht oder mehreren weichmagnetischen Unterschichten zusammengesetzt sein, die Ruthenium (Ru)-Zwischenschichten, die dazwischen angeordnet sind, aufweisen.
Eine zweilagige Schicht für eine Abhebe-Technik umfasst das Abscheiden einer zweilagigen Abdeckschicht auf der Basisstruktur, Prägen der zweilagigen Schicht, Selektives Enfernen der Schicht, Abscheiden eines Metallschichtenstapels und Abheben der zweilagigen Schicht und des darüber angeordneten Schichtenstapels. Die Zweilagenschicht-Technik umfasst das Unterschneiden einer der Abdeckschichten, um einen nicht durchgängig abgeschiedenen Magnetschichtenstapel zu erzeugen. Der Magnetschichtenstapel, der auf der zweilagigen Schicht abgeschieden ist, kann nachfolgend abgehoben werden, indem eine oder beide der Abdeckschichten der zweilagigen Schicht selektiv geätzt werden, was zu einem strukturierten DTR-Magnetschichtenstapel auf der Basisstruktur führt.
Der Metallschichtenstapel kann zumindest eine Schutzschicht aufweisen, die ein Material wie beispielsweise Kohlenstoff enthält. Das nachfolgende Abheben der Schutzschicht bzw. der Schutzschichten (z.B. der Kohlenstoffschicht) in dem Metallschichtenstapel, erzeugt eine magnetische Aufzeichnungsplatte mit einer nicht durchgängigen Schutzschicht. Bei einer alternativen Ausführungsform kann die Schutzschicht nach dem Abheben abgeschieden sein, um eine magnetische Aufzeichnungsplatte mit einer durchgängigen Schutzschicht zu erzeugen. In einer weiteren Ausführungsform kann das Abscheiden einer zusätzlichen Schutzschicht nach dem Abheben durchgeführt werden, um eine magnetische Aufzeichnungsplatte mit sowohl durchgängigen als auch nicht durchgängigen Schutzschichten zu erzeugen.
Die 1a bis 1e und 2 stellen eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen einer Aufzeichnungsplatte mit diskreten Spuren mit Hilfe eines zweilagigen Abdeckmaterials zum Abheben von Metall dar. Insbesondere ist die 1a eine Querschnittsansicht, die eine Ausführungsform einer zweilagigen Abdeckschicht darstellt, der auf einer Basisstruktur einer Platte aufgebracht ist. Das zweilagige Abdeckmaterial 30 dient zum Unterschneiden einer der Abdeckschichten, um einen nicht durchgängigen Schichtenstapel 50 auf der Basisstruktur 10 zu erzeugen. Der Schichtenstapel 50, der über der zweilagigen Schicht 30 abgeschieden wird, kann nachfolgend durch Ätzen der unteren Abdeckschicht 32 der zweilagigen Schicht 30 abgehoben werden, was zu Schichtenstapeln in diskreten Bereichen auf der Basisstruktur führt. Bei einer Ausführungsform kann eine Zweilagen-Nanoprägelitographie-Technik, wie nachfolgend beschrieben, verwendet werden, die teilweise ähnlich zu derjenigen ist, die in „Bilayer, Nanoimprint Lithographie", Bria Faircloth et al., J. VAC. SCI. Technology B 18(4), July/August 2000" beschrieben ist.
Eine zweilagige Abdeckschicht 30 wird auf einer Basisstruktur 10 gemäß Schritt 110 aufgebracht. Bei einer Ausführungsform kann die Basisstruktur 10 beispielsweise aus einem Substrat 15 und einer galvanisierten NiP-Schicht 20 zusammengesetzt sein. Das Substrat 15 kann z.B. aus einem Glas oder einem Metall/Metalllegierungsmaterial hergestellt sein. Glassubstrate die verwendet werden können, umfassen beispielsweise ein Silika-enthaltendes Glas, wie z.B. Borosilikatglas und Aluminosilikatglas.
Metallegierungssubstrate, die verwendet werden können, umfassen z.B. Aluminium-Magnesium-Substrate (AlMg). Bei einer alternativen Ausführungsform können andere Substratmaterialien, die Polymere und Keramiken umfassen, verwendet werden.
Die NiP-Schicht 20 kann durch Galvanisierung, stromloses Abscheiden oder durch andere, aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren, gebildet werden. Das Beschichten des Plattensubstrats 15 mit einem festen oder metallischen Material, wie z.B. NiP, schafft eine mechanische Verstärkung für das Plattensubstrat 15, z.B. für nachfolgende Polier- oder Prägeprozesse. Die NiP-Schicht 20 kann poliert, planarisiert oder strukturiert werden. Die NiP-Schicht 20 kann poliert werden z.B. durch eine einheitliche Ätz- oder andere Poliertechnik, die aus dem Stand der Technik bekannt sind. Die NiP-Schicht 20 kann auch mit Hilfe vielfältiger Verfahren wie beispielsweise mechanisches Strukturieren mit Hilfe von festen oder freien Schleifpartikeln (z.B. Diamant) mit einem Muster strukturiert werden. Alternativ können andere Arten von Strukturierungsverfahren, wie z.B. Laserstrukturieren, verwendet werden. Das Beschichten des Plattensubstrats 15 ist jedoch nicht notwendig, wenn das Plattensubstrat 15 aus einem ausreichend festen und harten Material, wie beispielsweise Glas, zusammengesetzt ist. Dementsprechend kann das Substrat 15 direkt mit Hilfe der oben beschriebenen Verfahren poliert, planarisiert und/oder strukturiert werden.
Bei einer alternativen Ausführungsform kann die Basisstruktur 10 aus einem Substrat 15 mit anderen Schichten, die darauf abgeschieden sind, wie beispielsweise einer Weichmagnetschicht, zusammengesetzt sein. Die Schicht 20 kann als Weichmagnetschicht oder als Weichmagnetschicht, die auf einer NiP-Schicht aufgebracht ist, ausgebildet sein. Eine Weichmagnetschicht kann verwendet werden, um die geeigneten magnetischen Eigenschaften zu erreichen, die mit der Vertikalmagnetaufzeichnung verbunden sind. Die Weichmagnetschicht 25 kann eine Schicht eines Eisen-Kupfer-Nickel-Materials (FeCuNi) sein. Andere Materialien, die für die Weichmagnetschicht verwendet werden können, umfassen Kupfer-Eisen (CuFe), Nickel-Eisen (NiFe) und Legierungen Weichmagnetschichten und Materialien, die zum Herstellen einer Weichmagnetschicht verwendet werden können, sind in dem Gebiet der magnetischen Aufzeichnungsplatten gut bekannt, daher werden dies nicht ausführlicher diskutiert. Die Weichmagnetschicht kann poliert und/oder strukturiert werden. Die Weichmagnetschicht kann mit einem Muster mit Hilfe von zahlreichen Verfahren beispielsweise mechanischem Strukturieren mit Hilfe von festen oder freien Schleifpartikeln (z.B. Diamant) strukturiert werden. Alternativ können andere Typen von Strukturierungsverfahren, wie beispielsweise ein Laserstrukturieren, verwendet werden, um die Weichmagnetschicht zu strukturieren. In einer weiteren Ausführungsform kann eine dünne NiP-Schicht auf der Weichmagnetschicht abgeschieden und poliert und/oder strukturiert werden. In einer weiteren Ausführungsform kann die Weichmagnetschicht aus einer oder mehrerer Weichmagnetunterschichten und einer oder mehreren Ru-Zwischenschichten, die zwischen den Weichmagnetunterschichten angeordnet sind, zusammengesetzt sein.
Wie zuvor beschrieben, wird in Schritt 110 die zweilagige Abdeckschicht 30 auf der Basisstruktur 10 angeordnet, um eine bedruckbare (prägbare) Schicht zu bilden. Die zweilagige Abdeckschicht 30 ist aus einer oberen Abdeckschicht 31 und einer unteren Abdeckschicht 32 zusammengesetzt. Die untere Abdeckschicht 32 weist ein Abdeckmaterial auf, das weniger widerstandsfähig gegenüber Ätzen (z.B. Trocken- oder Naßätzen) als die obere Abdeckschicht ist. Zahlreiche Abdeckmaterialien können verwendet werden, um die zweilagige Abdeckschicht 30 zu bilden. Bei einer Ausführungsform kann z.B. Polymethylmethacrylat (PMMA) für die untere Abdeckschicht 32 und ein Co-Polymer – Polymethylmethacrylat-Metacrylsäure-Copolymer (P(MMA-MAA) – für die obere Abdeckschicht 31 verwendet werden. Alternativ können andere Abdeckmaterialien verwendet werden, z.B. PMMA und ein temperatureingestelltes Polymer, wie beispielsweise MR-I9000, das von Micro Resists Technology aus Deutschland erhältlich ist. Das besondere Abdeckmaterial für die zwei Schichten 31 und 32 sollte so ausgewählt sein, daß die Materialien sich im Wesentlichen nicht während eines Niedertemperatur-Einbrennprozesses oder wenn sie über ihre Übergangstemperatur (TG) erwärmt werden, vermischen.
Bei einer Ausführungsform können die Schichten 31 und 32 z.B. auf die Basisstruktur 10 mit Hilfe einer Rotationsbeschichtung aufgebracht werden, um die zweilagigen Schicht 30 zu erzeugen. Die untere Abdeckschicht 32 ist zuerst mit Hilfe der Rotationsbeschichtung auf der Basisstruktur 10 aufgebracht. Ein Niedertemperatur-Einbrennvorgang kann dann durchgeführt werden, um die Lösungsmittel auszutreiben. Als nächstes wird das Material der oberen Abdeckschicht 31 (z.B. P(MMA-MAA)Co-Polymer) mit Hilfe der Rotationsbeschichtung auf der unteren Schicht 32 (z.B. PMMA) aufgebracht. Die obere Abdeckschicht 31 kann auch in einem Niedertemperatur-Einbrennvorgang behandelt werden. Bei einer Ausführungsform kann die obere, bzw. die untere Abdeckschicht 31, 32 so gebildet werden, dass jede Schicht z.B. im Bereich von ungefähr 10 bis 50 nm-Dicke liegt, um eine Gesamtschichtdicke im Bereich von ungefähr 20 bis 100 nm zu erreichen. Andere Beschichtungsmethoden, wie beispielsweise Tauchbeschichtung, Tauch- und Rotationsbeschichtung, Sprühbeschichtung, Sputterbeschichtung und Vakuumabscheidung (z.B. CVD) können verwendet werden.
Die zweilagige Schicht 30 wird über seine Übergangstemperatur gemäß Schritt 130 erwärmt, bei der sie viskoelastisch wird. Ein Prägestempel 90 wird dann in die zweilagige Schicht 30 gemäß Schritt 135 gedrückt. Bei einer Ausführungsform wird das System gemäß Schritt 143 gekühlt, um ein eingeprägtes Muster von Grabenbereichen (auch bekannt als Senkungsbereiche, Gräben, Täler, usw.) und Plateaus (auch bekannt als Erhebungsbereiche) in der zweilagige Schicht 30 (wie in 1b dargestellt) zu bilden, und anschließend wird der Prägestempel 90 von der zweilagige Schicht 30 gemäß Schritt 140 getrennt. Alternativ kann der Prägestempel 90 von der zweilagigen Schicht 30 gemäß Schritt 140 getrennt und dann gemäß Schritt 143 nach der Trennung gekühlt werden. Das Trennen des Prägestempels 90 von der zweilagigen Schicht 30 vor dem Kühlen kann teilweise von dem Unterschied des relativen Temperaturausdehnungskoeffizienten des Materials des Prägestempels 90 und des Materials der zweilagigen Schicht 30 abhängen.
Bei einer Ausführungsform kann der Prägestempel 90 vor der Verwendung mit einem Formtrennpolymer beschichtet werden, um die Trennung des Prägestempels 90 von der zweilagige Schicht 30 nach dem Prägen zu erleichtern. Alternative Verfahren können verwendet werden, um die Gräben z.B. mit Hilfe eines flachen Prägens, auf das ein Ätzvorgang folgt, der die Muster tiefer in das Abdeckmaterial schneidet, zu bilden.
Nachdem der Prägestempel 90 von der zweilagigen Schicht 30 getrennt ist, kann eine kleine Restmenge des Formtrennpolymers (nicht gezeigt) auf dem Boden der Gräben verbleiben. In dem Schritt 145 können die Gräben z.B. mit einem Sauerstoffplasmaätzen oder durch ein Nassätzen mit einem Lösungsmittel selektiv entfernt werden, um jeglichen Rest des Formtrennpolymers zu entfernen, wie in 1c dargestellt ist. Sogar wenn der Prägestempel vertikale Seitenwände aufweist, was zu Gräben mit vertikalen Seitenwänden führt, wird der Schritt 145 des selektiven Entfernens die Kanten der beabsichtigten Struktur abrunden, was zu leicht abgeschrägten Seitenwänden, wie in 1c dargestellt ist, führt.
Nach dem Entfernen des Restes des Formtrennpolymers verbleibt eine dünne Membran 36 des oberen Abdeckmaterials 31 (z.B. P(MMA-MAA)), der die Innenseite des Grabens bedeckt. Diese dünne Membran 36 kann gemäß Schritt 150 entfernt werden, um ein nachfolgendes Unterschneiden des unteren Abdeckmaterials 32 zu verbessern. Die Membran 36 kann z.B. mit Hilfe eines naßchemischen Ätzverfahrens entfernt werden. Ein Lösungsmittel (z.B. Methanol) wird gewählt, um die obere Abdeckmaterial-Membran (z.B. die P(MMA-MAA)Polymer-Membran) zu ätzen, während das untere Abdeckmaterial 32 (z.B. PMMA-Polymer) nicht angegriffen wird. Dies ist ein isotropes Ätzen, das nicht nur die dünne Abdeckmaterial-Membran 36 der oberen Schicht in den Gräben eliminiert, sondern auch die Dicke der oberen Abdeckschicht 31 des zweilagigen Abdeckmaterials 30 reduziert. Es sollte angemerkt werden, dass die Membran 36 durch andere Arten von Ätzverfahren (z.B. Plasma-, Elektronenstrahl-, Ionenstrahl- und Sputterätzen) entfernt werden kann.
Der nächste Schritt 155 des Vorbereitens der Platte für die Metallabscheidung und das Abheben dient dazu, die untere Abdeckschicht 32 (z.B. PMMA) von dem Boden der Gräben zu entfernen, wobei die untere Abdeckschicht 32 auch unterschnitten wird. Das Abhebeverfahren kann erheblich verbessert werden, wenn die zweilagige Schicht 30 zu einem bestimmten Grad unterschnitten wird.
Elektronenstrahllithographie und Fotolithographie führen natürlicherweise zu einem Unterschnitt (in Positiv-Abdeckmaterialien) aufgrund von Beugungseffekten bei der Fotolithographie und Elektronenstreuung und Sekundärelektronenerzeugung in dem Fotolack bei der Elektronenstrahllithographie. Bei der Prägelithographie wird der Unterschnitt mit Hilfe einer zweilagigen Schicht 30 erreicht. Die beiden Materialien, die für das zweilagige Abdeckmaterial 30 verwendet werden, PMMA und P(MMA-MAA) sind ausgewählt, so dass sie erheblich verschiedene chemische Eigenschaften aufweisen. Z.B. gibt es einen großen Bereich von Lösungsmitteln, die PMMA angreifen, jedoch nicht P(MMA-MAA) und umgekehrt. Ebenso kann das Entfernen und Unterschneiden mit Hilfe eines Lösungsmittels durchgeführt werden (z.B. einer Chlorbenzollösung) die vorzugsweise das untere Abdeckmaterial (z.B. PMMA) ätzt, während die obere Abdeckschicht 31 nicht angegriffen wird. Gemäß Schritt 155 wird die Platte einem Lösungsmittel ausgesetzt, das zumindest die untere Abdeckschicht 32 angreift und vielleicht auch die obere Abdeckschicht. Auf diese Weise kann der Unterschnitt in den geprägten Strukturen erzeugt werden, wie in 1c dargestellt ist. Zusätzlich wird eine nachfolgend aufgedampfte Metallschicht keine durchgängige Schicht bilden, da die Dicke des abgeschiedenen Metalls geringer ist als die der unteren Abdeckschicht 32. Der Grad des Unterschnitts kann durch eine zeitliche Steuerung des Lösungsmittelätzvorgangs durchgeführt werden.
Im Schritt 165 wird ein Metallschichtenstapel 50 mit einer oder mehreren Metallschichten 53 auf der unterschnittenen zweilagigen Schicht 30 abgeschieden, wie in 1d dargestellt. Bei einer Ausführungsform kann der magnetische Schichtenstapel 50 eine oder mehrere Keimbildungsschichten 51 aufweisen, um ein bestimmtes Kristallwachstum innerhalb der magnetischen Schichten 53 zu erleichtern. Diese Schichten können aus Materialien sein, die eine einigermaßen gute Übereinstimmung mit dem Gitter des Materials, das für die magnetischen Schichten 53 verwendet wird, zur Verfügung stellen. Die Herstellung und Zusammensetzung der magnetischen- und Keimbildungsschichten sind aus dem Stand der Technik bekannt, daher wird auf eine ausführliche Diskussion verzichtet.
Der Magnetschichtenstapel kann auch eine oder mehrere Schutzschichten 58 umfassen, die auf den Magnetschichten 53 aufgebracht sind. Z.B. ein Doppelschutzschicht 58 kann auf die Magnetschichten 53 abgeschieden werden, um Eigenschaften zur Verfügung zu stellen, die ausreichend sind, um den Reibungsanforderungen zu genügen, wie beispielsweise Kontakt-Start-Stop-Schutz (CSS)und Korrosionsschutz. Vorherrschende Materialien für die Schutzschicht sind Kohlenstoff-basierte Materialien, z.B. hydrogenierter oder nitrogenierter Kohlenstoff. Die Schutzschichten können eine zusammengesetzte Dicke von beispielsweise weniger als ungefähr 50 Angström aufweisen, wobei die Dicke der oberen Schutzschicht z.B. weniger als ungefähr 50 Angström beträgt. Alternativ können die Schutzschichten andere Dicken aufweisen. Bei einer alternativen Ausführungsform kann der Schutzschicht 58 mehr oder weniger als zwei Schutzschichten aufweisen. Die Schutzschichten können über den Magnetschichten 53 z.B. mit Hilfe chemischen Aufdampfens (CVD) aufgebracht werden, wie weiter unten in Verbindung mit 3 beschrieben ist.
In Schritt 170 wird ein Abheben des magnetischen Schichtenstapels 50 mit Hilfe eines Lösungsmittels durchgeführt, das zumindest die untere Abdeckschicht 32 ätzt. Das Abheben hinterläßt den Schichtenstapel 50 in diskreten Bereichen über der Basisstruktur 10, wie in 1e dargestellt ist. Dies erzeugt eine DTR-strukturierte Magnetaufzeichnungsplatte mit einer nicht durchgängigen Schutzschicht. Bei einer alternativen Ausführungsform können eine oder mehrere Schutzschichten nicht in dem Schichtenstapel 50 enthalten sein, jedoch nach dem Abheben des Schichtenstapel 50 abgeschieden werden. Eine Gleitschicht 59 kann auf der gesamten Oberfläche der Platte aufgebracht sein, wie in Verbindung mit den 5a und 5b nachfolgend beschrieben wird, um die Reibungseigenschaften weiter zu verbessern. Die Gleitschicht 59 kann z.B. aus einem Perfluorpolyäther oder einem Phosphozen-Gleitmittel zusammengesetzt sein. Alternativ können andere Gleitmaterialien für die Gleitschicht 59 verwendet werden. Die Gleitsschicht 59 kann auf der Platte gemäß Schritt 175 mit Hilfe zahlreicher Verfahren, wie beispielsweise Rotationsbeschichtung, Tauchbeschichtung, Rotations- und Tauchbeschichtung usw. aufgebracht werden. Die Gleitsschichten und -materialien sind gemäß dem Stand der Technik bekannt, daher wird auf eine ausführliche Beschreibung verzichtet.
Es wird angemerkt, daß zahlreiche Reinigungs- und/oder Polieroperationen zwischen den oben beschriebenen Verfahrensständen durchgeführt werden können, z.B. um Rauhheiten von der Oberfläche von einer oder mehreren der Schichten zu entfernen.
Die 3 zeigt eine Ausführungsform eines chemischen Aufdampfverfahrens. Bei einer besonderen Ausführungsform kann ein plasmaverstärktes CVD-System (PECVD) 300 verwendet werden. PECVD-Systeme sind kommerziell verfügbar, z.B. von Anelva Corporation aus Tokio, Japan. Bei dieser beispielhaften Ausführungsform verwendet der PECVD-Prozeß eine Radiofrequenzanregung 310 (RF) eines Kohlenstoff enthaltenden Gases 320, um ein Plasma 330 zu erzeugen, das ionisierte Kohlenstoffmoleküle 335 enthält, wie in 3 dargestellt ist. Bei einer besonderen Ausführungsform kann beispielsweise ein hydrogeniertes Kohlenstoffgas z.B. Äthylenacetylen, Butannaphtalen oder andere verwendet werden. 3 zeigt lediglich eine einzige Seite der Abscheidungskammer 305 zur vereinfachten Darstellung. Die nicht dargestellte Seite der Kammer wird ähnlich zu der dargestellten Seite betrieben und weist ähnliche Komponente auf, so dass beide Seiten einer Platte 301 gleichzeitig beschichtet werden können, um eine doppelseitige Platte zu erzeugen. Die Hochfrequenzleistung wird an eine Kohlenstoffplatte 340 angelegt, die als Kathode arbeitet. Die Hochfrequenzleistung erzeugt ein Plasma 330, das vor der Kathodenplatte 340 gebildet wird, um positiv geladene Hydrocarbongas-Ionen 335 zu erzeugen. Ein Anelva-PECVD-System ist ein statisches Abscheidungssystem, bei dem das Substrat stationär vor der Kathode gehalten wird. Bei einer Ausführungsform werden die Platten 301 auf eine Temperatur im Bereich von ungefähr 170 bis 500°C erwärmt und das System mit einem Druck im Bereich von ungefähr 15 bis 50 Milli-Torr versehen. Alternativ kann das System mit einem Druck von mehr als 50 oder weniger als 15 Milli-Torr versehen werden. Die ionisierten Hydrocarbonmoleküle 335 zerfallen in Kohlenstoff auf der Oberfläche der Platten 301. Bei einer Ausführungsform wird ein Vorspannungspotential 350 (z.B. – 200 Volt bis – 400 Volt) an die Platten 301 angelegt, um eine Anziehung auf die positiv geladenen Ionenmoleküle 335 zu der Oberfläche der Platte und insbesondere zu der Oberfläche nahe der unterschnittenen Flanken der oberen Abdeckschicht 31 hervorzurufen. Alternativ kann ein größeres Vorspannungspotential z.B. bis zu – 600 Volt verwendet werden.
Wie oben beschrieben, wird das CVD-Abscheidungssystem während des Betriebs mit einem Druck versehen. Der Druck des Abscheidungssystems beeinflußt den durchschnittlichen freien Weg der ionisierten Hydrocarbonmoleküle 335. Je höher der Druck des Systems während der Abscheidung ist, desto größer ist der Grad der nicht linearen Abscheidung (z.B. gestrichelte Linien 360). Eine nicht lineare Abscheidung kann zur Bildung der Kohlenstoffschicht unterhalb der unterschnittenen Flanken der oberen Abdeckschicht 31 führen, wie in 4 dargestellt ist. Ein statisches CVD-Abscheidungssystem arbeitet üblicherweise bei höheren Drücken als ein Sputter- oder IBD-System. Ein Sputter- oder IBD-System arbeitet typischerweise bei einem Druck von weniger als 3 Milli-Torr Jedoch können Sputterverfahren (DC, AC oder AC/DC-Sputterverfahren) Hochenergiesputterverfahren (gepulstes Sputtern) und Ionenstrahlabscheidung (IBD), die entweder statische oder Inline-Systeme verwenden, auch für die Abscheidung der einen oder mehreren Schutzschichten verwendet werden.
Statische Sputtersysteme sind von Herstellern wie beispielsweise Intevac Inc. aus Santa Clara, Kalifornien, Balzers Process Systems, Inc. aus Altenau, Deutschland, erhältlich. Bei Inline Sputtersystemen werden die Plattensubstrate auf eine Palette geladen, die eine Reihe von Abscheidungskammern durchläuft, die nacheinander Schichten auf die Substrate abscheiden. Inline Sputtersysteme sind von Ulvac Corporation aus Japan erhältlich. Es wird angemerkt, dass andere Temperaturen, Drücke, Vorspannungen und Dicken verwendet werden können als in der beispielhaften Ausführungsform beschrieben wurden, insbesondere, wenn andere Systeme und Verfahren verwendet werden.
Bei einer alternativen Ausführungsform können die typischen Drücke, bei denen die Systeme betrieben werden, erhöht werden, um die mittlere freie Weglänge der Moleküle zu verändern, um einen größeren Abscheidegrad in einer nicht linearen Richtung zu erhalten, so dass die Bildung der Schutzschicht (z.B. Kohlenstoffschicht) unter den unterschnittenen Flanken der oberen Abdeckschicht 31 gefördert wird. Z.B. kann bei einem PECVD-System der Druck des Abscheidungssystems bis zu ungefähr 60 Milli-Torr erhöht werden. Erhöhte Drücke können auch in anderen Typen von Abscheidungssystemen verwendet werden, z.B. bis zu 3 Milli-Torr bei Sputter- oder IBD-Systemen.
5a zeigt einen Querschnitt, der eine Ausführungsform einer Platte mit einer nicht durchgehenden Schutzschicht darstellt. Bei einer Ausführungsform umfasst die Magnetaufzeichnungsplatte 530 eine Basisstruktur 10, Datenspeicherschichten 55, eine oder mehrere Schutzschichten 58 und eine Gleitschicht 59. Bei einer Ausführungsform können die Datenspeicherschichten 55, die Keimbildungsschicht 51 und/oder eine oder mehrere der Magnetschichten 53 umfassen, wie oben mit Bezug auf 1d beschrieben worden ist. Die eine oder mehreren Schutzschichten 58 können eine oder mehrere Schutzschichten enthalten, die nicht durchgängig auf der Basisstruktur 10 aufgebracht sind. Bei einer Ausführungsform können die Schutzschichten 58 die Kanten 551 der Datenspeicherschichten 55 bedecken und die Basisstruktur 10 kontaktieren. Die Basisstruktur 10 kann aus zahlreichen Schichten und Materialien wie oben beschrieben, zusammengesetzt sein. Bei einer alternativen Ausführungsform können eine oder mehrere durchgängige Schutzschichten 561 unter der Gleitschicht 59 und auf den nicht durchgängigen Schutzschichten 58, wie in 5b dargestellt ist, angeordnet sein. In einer weiteren Ausführungsform kann eine Schutzschicht durchgängig auf der Basisstruktur 10 und den Datenspeicherschichten 55 aufgebracht sein.
6 stellt ein Plattenlaufwerk mit einer Platte (z.B. die Platte 530) mit einer nicht durchgängigen Schutzschicht dar. Das Plattenlaufwerk 500 kann eine oder mehrere Platten aufweisen, um Daten zu speichern. Die eine oder mehreren Platten 530 sind auf einer Wellenanordnung 160 angeordnet, die an dem Plattengehäuse 580 befestigt ist. Daten können entlang den Spuren in der magnetischen Aufzeichnungsschicht der einen oder mehreren Platten 530 gespeichert werden. Das Lesen und Schreiben von Daten wird mit dem Kopf 550 durchgeführt, der sowohl ein Lese- als auch ein Schreibelement aufweist. Das Schreibelement wird verwendet, um die Eigenschaften der Magnetaufzeichnungsschicht der Platte 530 zu verändern. Bei einer Ausführungsform kann der Lesekopf 550 ein magnetoresistives Leseelement (MR) und insbesondere ein giant magnetoresistives Leseelement (GMR) sein. Bei einer alternativen Ausführungsform kann der Kopf 550 ein anderer Typ eines Kopfes sein, z.B. ein Kopf, der ein induktives Leseelement oder einen Hall-Effekt-Kopf aufweist. Ein Wellenmotor (nicht gezeigt) dreht die Wellenanordnung 560 und dadurch die eine oder mehreren Platten 530, um den Kopf 550 an einer besonderen Position entlang einer gewünschten Plattenspur zu positionieren. Die Position des Kopfes 550 bezüglich der Platte kann durch einen Positionssteuerschaltkreis 570 gesteuert werden.
In der vorangehenden Beschreibung wird die Erfindung mit Bezug auf die besonderen beispielhaften Ausführungsformen beschrieben. Es ist jedoch offensichtlich, daß zahlreiche Modifikationen und Änderungen durchgeführt werden können, ohne von dem breiteren Bereich der Erfindung, die in den nachfolgenden Ansprüchen beansprucht ist, abzuweichen. Die Beschreibung und Figuren sind sinngemäß eher beschreibend als einschränkend anzusehen.

Claims

Herstellungsverfahren mit folgenden Schritten: Aufbringen einer zweilagigen Abdeckschicht auf einer Basisstruktur, wobei die Basisstruktur ein Substrat umfasst; und Bilden einer Aufzeichnungsstruktur für eine diskrete Spur auf einer Magnetaufzeichnungsplatte mit der Basisstruktur, wobei die Struktur für die diskrete Spur mit Hilfe einer zweilagigen Abdeckschicht gebildet wird, um eine Magnetschicht, die auf der zweilagigen Abdeckschicht aufgebracht wird, abzuheben.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bilden folgende Schritte umfasst: Prägen der zweilagigen Abdeckschicht; Selektives Ätzen der Schichten der zweilagigen Abdeckschicht, um eine Struktur von Bereichen auf der Basisstruktur zu bilden, auf denen sich kein zweilagiges Abdeckmaterial befindet; und Aufbringen einer Magnetschicht auf der Basisstruktur in den Bereichen, auf denen sich kein zweilagiges Abdeckmaterial befindet.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Verfahren weiterhin umfasst: Abscheiden einer Schutzschicht auf der Magnetschicht in zumindest den Bereichen, auf denen sich kein zweilagiges Abdeckmaterial befindet, um eine nicht durchgängige Schutzschicht auf dem Substrat zu bilden, wobei die Schutzschicht Kohlenstoff enthält.
Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Magnetschicht Kanten aufweist, und wobei das Verfahren das Aufbringen der Schutzschicht auf den Kanten der Magnetschicht umfasst.
Verfahren nach Anspruch 4, das weiterhin das Aufbringen der Schutzschicht direkt auf die Basisstruktur umfasst.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Basisstruktur eine NiP-Schicht umfasst, mit der das Substrat beschichtet ist und wobei das Aufbringen der Schutzschicht das Aufbringen der Schutzschicht in direktem Kontakt mit der NiP-Schicht umfasst.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Basisstruktur eine weichmagnetische Unterschicht aufweist, die auf dem Substrat aufgebracht ist, und wobei das Aufbringen der Schutzschicht das Aufbringen der Schutzschicht in direktem Kontakt mit der weichmagnetischen Unterschicht umfasst.
Verfahren nach Anspruch 3, wobei das Bilden des diskreten Spurmusters weiterhin umfasst: Aufbringen der Magnetschicht auf die zweilagige Schicht; Aufbringen der Schutzschicht auf der Magnetschicht, die sich auf der zweilagigen Schicht befindet.
Verfahren nach Anspruch 8, wonach das Bilden weiterhin das Abheben der Schutzschicht, die auf der zweilagigen Abdeckschicht aufgebracht ist, umfasst.
Verfahren nach Anspruch 9, das weiterhin das Aufbringen einer Gleitschicht auf der nicht durchgängigen Schutzschicht umfasst.
Verfahren nach Anspruch 9, das weiterhin das Aufbringen einer durchgängigen Schutzschicht, die Kohlenstoff enthält, auf der nicht durchgängigen Schutzschicht umfasst.
Verfahren nach Anspruch 10, das das Aufbringen einer Gleitschicht auf der durchgängigen Schutzschicht umfasst.
Verfahren nach Anspruch 3, wobei das Aufbringen der Schutzschicht das Abscheiden der Schutzschicht mit Hilfe eines chemischen Aufdampfens bei einem Druck von größer als 40 Milli-Torr umfasst.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei das Aufbringen der Schutzschicht weiterhin das Vorspannen der Basisstruktur auf ein Potential von ungefähr 220 Volt umfasst.
Verfahren nach Anspruch 14, wobei das Aufbringen der Schutzschicht weiterhin das Vorspannen der Basisstruktur auf ein Potential im Bereich von ungefähr -400 bis -600 Volt umfasst.
Verfahren nach Anspruch 3, wobei das Aufbringen der Schutzschicht das Abscheiden der Schutzschicht mit Hilfe eines chemischen Aufdampfens bei einem Druck von ungefähr 60 Milli-Torr umfasst.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bilden umfasst: Prägen des zweilagigen Abdeckmaterials mit einem Prägestempel; und Trennen des Prägestempels von dem zweilagigen Abdeckmaterial; Kühlen des Prägestempels und des zweilagigen Abdeckmaterials nach dem Trennen.
Vorrichtung umfassend: Mittel zum Aufbringen einer zweilagigen Abdeckschicht auf einer Basisstruktur, wobei die Basisstruktur ein Substrat umfasst; und Mittel zum Bilden einer Aufzeichnungsstruktur für eine diskrete Spur auf einer Magnetaufzeichnungsplatte mit der Basisstruktur, wobei die Struktur für die diskrete Spur mit Hilfe einer zweilagigen Abdeckschicht gebildet ist, um eine Magnetschicht, die auf der zweilagigen Abdeckschicht aufgebracht ist, abzuheben.
Vorrichtung nach Anspruch 18, wobei die Mittel zum Bilden umfassen: Mittel zum Prägen der zweilagigen Abdeckschicht; Mittel zum selektiven Ätzen der Schichten der zweilagigen Abdeckschicht, um eine Struktur von Bereichen auf dem Substrat zu bilden, auf denen sich keine zweilagige Abdeckschicht befindet; und Mittel zum Aufbringen einer Magnetschicht auf der Basisstruktur in den Bereichen, auf denen sich keine zweilagige Abdeckschicht befindet.
Vorrichtung nach Anspruch 19, die weiterhin Mittel zum Aufbringen einer Schutzschicht auf der Magnetschicht in Bereichen umfasst, die keine zweilagige Abdeckschicht aufweisen, um eine nicht durchgängige Schutzschicht auf dem Substrat zu bilden, wobei die Schutzschicht Kohlenstoff enthält.
Vorrichtung nach Anspruch 20, wobei die Magnetschicht Kanten aufweist und wobei die Vorrichtung Mittel zum Aufbringen der Schutzschicht auf den Kanten der Magnetschicht umfasst.
Magnetaufzeichnungsplatte umfassend: eine Magnetaufzeichnungsschicht mit einer Aufzeichnungsstruktur für eine diskrete Spur; und eine nicht durchgängige Schutzschicht, die auf der Magnetaufzeichnungsschicht aufgebracht ist, wobei die Schutzschicht Kohlenstoff enthält.
Magnetaufzeichnungsplatte nach Anspruch 22, wobei die Magnetaufzeichnungsschicht Kanten aufweist und die Schutzschicht die Kanten der Magnetaufzeichnungsschicht abdeckt.
Magnetaufzeichnungsplatte nach Anspruch 23, die weiterhin eine Gleitschicht auf der Schutzschicht umfasst.
Magnetaufzeichnungsplatte nach Anspruch 23, die weiterhin eine weichmagnetische Schicht unter der Magnetaufzeichnungsschicht umfasst, wobei die Schutzschicht in Kontakt mit der weichmagnetischen Unterschicht steht.
Magnetaufzeichnungsplatte nach Anspruch 25, die weiterhin eine Gleitschicht auf der Schutzschicht umfasst.
Magnetaufzeichnungsplatte nach Anspruch 23, die weiterhin eine NiP-Schicht unter der Magnetaufzeichnungsschicht umfasst, wobei die Schutzschicht in Kontakt mit der NiP-Schicht steht.
Magnetaufzeichnungsplatte nach Anspruch 26, die weiterhin eine Gleitschicht auf der Schutzschicht umfasst.
Magnetaufzeichnungsplatte nach Anspruch 23, die weiterhin ein Substrat unter der Magnetaufzeichnungsschicht umfasst, wobei die Schutzschicht in Kontakt mit dem Substrat steht.
Magnetaufzeichnungsplatte nach Anspruch 29, die weiterhin eine Gleitschicht auf der Schutzschicht umfasst.
Magnetaufzeichnungsplatte nach Anspruch 22, die weiterhin umfasst: eine durchgehende Schutzschicht, die auf der nicht durchgängigen Schutzschicht aufgebracht ist, wobei die durchgängige Schutzschicht Kohlenstoff enthält.
Magnetaufzeichnungsplatte nach Anspruch 22, wobei die Magnetschicht Kanten aufweist und die nicht durchgängige Schutzschicht die Kanten der Magnetschicht abdeckt.
Magnetaufzeichnungsplatte nach Anspruch 32, die weiterhin eine Gleitschicht auf der Schutzschicht umfasst.
Plattenlaufwerk umfassend: – eine Magnetaufzeichnungsplatte, umfassend: eine Magnetaufzeichnungsschicht mit einer Aufzeichnungsstruktur für eine diskrete Spur; und eine nicht durchgängige Schutzschicht, die auf der Magnetaufzeichnungsschicht aufgebracht ist, wobei die Schutzschicht Kohlenstoff enthält; und – einen Kopf mit einem magnetoresistiven Leseelement, welches operativ mit der Magnetaufzeichnungsplatte gekoppelt ist.
Plattenlaufwerk nach Anspruch 34, wobei die Magnetaufzeichnungsschicht Kanten aufweist und die nicht durchgängige Schutzschicht die Kanten der Magnetaufzeichnungsschicht abdeckt.
Plattenlaufwerk nach Anspruch 35, wobei die Magnetaufzeichnungsplatte weiterhin eine weichmagnetische Schicht unter der Magnetaufzeichnungsschicht aufweist, wobei die Schutzschicht in Kontakt mit der weichmagnetischen Unterschicht steht.
Plattenlaufwerk nach Anspruch 35, wobei die Magnetaufzeichnungsplatte weiterhin eine NiP-Schicht unter der Magnetaufzeichnungsschicht aufweist, wobei die Schutzschicht in Kontakt mit der NiP-Schicht steht.
Plattenlaufwerk nach Anspruch 35, wobei die Magnetaufzeichnungsplatte weiterhin ein Substrat unter der Magnetaufzeichnungsschicht umfasst, wobei die Schutzschicht in Kontakt mit dem Substrat steht.
Plattenlaufwerk nach Anspruch 34, wobei die Magnetaufzeichnungsplatte weiterhin eine durchgängige Schutzschicht umfasst, die auf der nicht durchgängigen Schutzschicht angeordnet ist, wobei die durchgängige Schutzschicht Kohlenstoff aufweist.
Plattenlaufwerk nach Anspruch 34, wobei die Magnetschicht Kanten aufweist und die nicht durchgängige Schutzschicht die Kanten der Magnetschicht abdeckt.