DE10162576B4 - Ätzmittel und Verfahren zum Bilden eines Matrixsubstrats für Flüssigkristallanzeigevorrichtungen - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 30
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 title 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 57
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 16
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 14
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims abstract description 6
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims abstract description 6
- CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M potassium bisulfate Chemical compound [K+].OS([O-])(=O)=O CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 5
- 229910000343 potassium bisulfate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 4
- FJVZDOGVDJCCCR-UHFFFAOYSA-M potassium periodate Chemical compound [K+].[O-]I(=O)(=O)=O FJVZDOGVDJCCCR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 8
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017315 Mo—Cu Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 2
- 229910017945 Cu—Ti Inorganic materials 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Cu].[Mo] WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
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- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
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- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
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- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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- C23F1/02—Local etching
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- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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- C23F1/16—Acidic compositions
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- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Abstract
Ätzmittel zum Ätzen einer metallischen Doppelschicht mit einer Kupferschicht oder einer Kupferlegierungsschicht und einer Molybdänschicht, aufweisend: Wasserstoffperoxid; und eine Mischlösung, welche wenigstens Essigsäure, Kaliumchlorid, Natriumchlorid, Kaliumhydrogensulfat oder Kaliummetaperiodat aufweist.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Ätzmittel zum Ätzen einer metallischen Doppelschicht mit einer Kupferschicht oder einer Kupferlegierungsschicht und einer Molybdänschicht und ein Verfahren zum Bilden eines Matrixsubstrats zur Verwendung in einer Dünnschichttransistor-Flüssigkristallanzeigevorrichtung.
- Metallische Leitungen in elektronischen Geräten dienen im allgemeinen dazu, Signale an elektronische Bauelemente anzulegen. Die metallischen Leitungen tragen zu den Produktionskosten und der Stabilität der elektronischen Geräte bei. Dementsprechend sollte das zur Bildung der metallischen Leitungen verwendete Material preiswert sein und einen geringen elektrischen Widerstand sowie einen hohen Widerstand gegen Korrosion aufweisen.
- Matrixsubstrate werden im allgemeinen in Flüssigkristallanzeigevorrichtungen (LCD = „Liquid Crystal Display Devices”) verwendet. Die Leistungskennlinien und Betriebseigenschaften der Matrixsubstrate werden zum Teil durch das Material bestimmt, aus dem die Einzelelemente der Matrixsubstrate gebildet werden. Beispielsweise haben Gate- und Datenleitungen des Matrixsubstrates einen wesentlichen Einfluss auf die Leistungskennlinien und Betriebseigenschaften des Matrixsubstrates. Obwohl der elektrische Widerstand der zur Bildung der Gate- und Datenleitungen verwendeten Materialien bei kleindimensionierten LCD-Vorrichtungen relativ unbedeutend ist, bestimmt der elektrische Widerstand der Gate- und Datenleitungen in großdimensionierten LCD-Vorrichtungen, großdimensionierten LCD-Vorrichtungen hoher Auflösung als Materialien zur Ausbildung der Gate- und Datenleitungen Aluminium (Al) oder Aluminiumlegierungen verwendet, da diese einen niedrigen elektrischen Widerstand aufweisen.
- Reines Aluminium ist jedoch chemisch anfällig, wenn es einer Säurebehandlung ausgesetzt wird, was während einer Hochtemperaturbearbeitung zur Bildung von Erhebungen auf den Oberflächen der Gateleitungen und der Gatelektrode führen kann. Außerdem kann das Auftreten von Erhebungen zu einem übermäßigen Wachstum der auf der Gateleitung und der Gateelektrode gebildeten Gateisolationsschicht führen. Infolgedessen kann die Gateisolationsschicht zerstört werden, und zwischen Gateelektrode und einer auf der Gateisolationsschicht gebildeten aktiven Schicht kann ein elektrischer Kurzschluss auftreten. Dementsprechend weisen Dünnschichttransistoren (TFTs = „Thin Film Transistors”) mit aus reinem Aluminium gebildeten Gateleitungen und Gateelektroden eine unzureichende Wirkungsweise als Schaltelemente auf.
- Zur Überwindung dieser Probleme werden Aluminiumlegierungen wie beispielsweise Aluminiumneodym (AlNd) zur Ausbildung der Gateleitung und der Gateelektrode verwendet. Außerdem wird eine Vielfachschicht-Aluminiumstruktur zur Ausbildung der Gateleitung und der Gateelektrode verwendet. Insbesondere wird die Aluminium (Al) Schicht mit einer Molybdän (Mo) Schicht von hohem Korrosionswiderstand und großer Härte aufgeschichtet. Wenn die mehrschichtige Aluminiumstruktur zur Ausbildung der Gateleitung verwendet wird, sind jedoch zusätzliche Herstellungsschritte erforderlich. Daher wird Kupfer (Cu), welches billig ist und einen niedrigen elektrischen Widerstand aufweist, zur Verwendung als Gateleitung vorgeschlagen, wodurch die Gesamtzahl der Herstellungsschritte vermindert wird.
- In
1 ist eine schematische Teildraufsicht eines Matrixsubstrats zur Verwendung in einer bekannten Flüssigkristallanzeigevorrichtung und in2 eine Querschnittsansicht entlang der Linie II-II aus1 dargestellt. In1 und2 weist ein Matrixsubstrat10 einen Pixelbereich „P” mit einem entsprechenden Dünnschichttransistor (TFT) „T” und einer Pixelelektrode42 auf. Gateleitungen13 sind in einer transversalen Richtung und Datenleitungen15 sind in einer longitudinalen Richtung angeordnet, so dass jedes Paar von Gateleitungen13 und Datenleitungen15 einen Pixelbereich „P” definiert. Der TFT „T” weist eine Gateelektrode32 , eine Sourceelektrode34 , eine Drainelektrode36 und eine Halbleiterschicht38 auf. Die Gateelektrode32 des TFT „T” erstreckt sich von der Gateleitung13 , wohingegen die Sourceelektrode34 des TFT „T” sich von der Datenleitung15 aus erstreckt. Auf dem Substrat10 ist eine Gateisolationsschicht24 ausgebildet, so dass sie die Gateelektrode32 und die Gateleitung13 bedeckt. Die Drainelektrode36 ist von der Sourceelektrode34 beabstandet, und die Halbleiterschicht38 ist auf der Gateisolationsschicht24 , insbesondere über der Gateelektrode32 angeordnet. Die Halbleiterschicht38 ist in eine aktive Schicht38a und eine ohmsche Kontaktschicht38b unterteilt. Die aktive Schicht38a ist aus reinem amorphen Silizium hergestellt, wohingegen die ohmsche Kontaktschicht38b aus mit Verunreinigungen versehenem amorphen Silizium ausgebildet ist. Da die ohmsche Kontaktschicht38b auf der Sourceelektrode34 und der Drainelektrode36 aufgebracht ist, vermindert die ohmsche Kontaktschicht38b den Kontaktwiderstand zwischen der aktiven Schicht38a , der Sourceelektrode34 und der Drainelektrode36 . Die Sourceelektrode34 und die Drainelektrode36 überlappen gegenüberliegende Enden der Gateelektrode32 . Eine Passivierungsschicht39 ist auf der gesamten Oberfläche des Substrates10 zum Schutz des TFT „T” und der Datenleitung15 ausgebildet. Die Passivierungsschicht39 weist ein Drainkontaktloch40 über der Drainelektrode36 auf, so dass ein Abschnitt der Pixelelektrode42 einen Abschnitt der Drainelektrode36 überlappt und die Drainelektrode36 durch das Drainkontaktloch40 elektrisch kontaktiert. - In der in
1 und2 dargestellten Struktur und Konfiguration der Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtung (AM-LCD = „Active Matrix-Liquid Crystal Display”) wird üblicherweise Aluminium (Al) zur Ausbildung der Gateleitung13 verwendet, um die RC-Verzögerung zu verringern. - In
3 ist eine Tabelle dargestellt, welche die Merkmale der Metalle zeigt, die zur Ausbildung von Leitungen in elektronischen Geräten gemäß dem Stand der Technik verwendet werden können. Unter den in3 gezeigten metallischen Materialien werden Aluminium (Al) oder Chrom (Cr) als metallische Leitungen in einem herkömmlichen Matrixsubstrat verwendet. Obwohl Aluminium (Al) einen geringen elektrischen Widerstand und eine hohe Adhäsionsfestigkeit aufweist, ist Aluminiumgegenüber Beschädigungen durch Wärme und Säure anfällig. Daher wird vorgeschlagen, Kupfer (Cu), welches einen geringen elektrischen Widerstand aufweist und billig ist, als Material für die metallischen Leitungen in dem Matrixsubstrat zu verwenden. - Bei der Ausbildung der Gateleitungen unter Verwendung von Kupfer (Cu) wird im allgemeinen Ammoniumpersulfat ((NH4)2S2O8) als Ätzmittel zum Ätzen der Cu-Schicht zur Ausbildung der Cu-Gateleitung verwendet. Die Ausbildung der Datenleitung unter Verwendung von Kupfer (Cu) ist jedoch problematisch. Zunächst werden, wenn die Datenleitung unter Verwendung von Kupfer (Cu) ausgebildet wird, die Source- und Drainelektroden ebenfalls aus Kupfer (Cu) ausgebildet. Allerdings reagiert eine Siliziumkomponente einer entsprechenden Halbleiterschicht mit der Kupferkomponente der Source- und Drainelektroden, wodurch eine Zwischenschicht zwischen den Kupfer-, Source- und Drainelektroden und der Halbleitersiliziumschicht gebildet wird. Die Zwischenschicht hat auf die elektrischen Eigenschaften des entsprechenden Dünnschichttransistors (TFT) einen negativen Einfluss.
- Zweitens muss, wenn ein anderes Metall als Titan (Ti) oder Molybdän (Mo) zwischen der Kupferschicht und der Halbleiterschicht zur Überwindung des obengenannten Problems aufgebracht wird, das Ätzmittel gleichzeitig die beiden Metallschichten (Cu-Ti oder Cu-Mo) ätzen. Zum Ätzen der doppelschichtigen metallischen Schichten (Cu-Ti oder Cu-Mo) ist es weithin bekannt, Fluorwasserstoff (HF) oder eine sauerstoffbasierende Ätzlösung als Ätzmittel zu verwenden. Allerdings ätzt das HF-Ätzmittel nicht nur die doppelschichtigen metallischen Schichten, sondern auch das Glassubstrat und die aus Siliziumnitrid (SiN) oder Siliziumoxid (SiOx) hergestellte Isolationsschicht. Im Ergebnis bewirkt das HF-Ätzmittel eine beträchtliche Beschädigung der Isolationsschicht, wodurch die Leistungskennlinien der Gateleitung und der Gateelektrode, die durch die Isolationssicht geschützt werden, beeinträchtigt werden. Dementsprechend ist es sehr schwierig, die Datenleitung, die Sourceelektrode und die Drainelektrode aus Kupfer (Cu) herzustellen.
- Die US-Patentschrift
US 4 220 706 A offenbart Ätzlösung für mehrschichtige Metallschichten, die eine Lösung mit 0,5 bis 50 Gewichtsprozent HNO3, 0,03 bis 1 Gewichtsprozent HF, 0,05 bis 0,5 Gewichtsprozent H2O2 und 0,1 bis 1 Gewichtsprozent H2SO4 aufweist, so dass die Ätzlösung drei oder mehrere Metalle auf Siliziumsubstraten gleichförmig ätzt. -
DE 29 06 644 A1 offenbart eine stabilisierte wässrige Wasserstoffperoxyd-Lösung, die wirksam gegen eine Zersetzung durch Metallionen stabilisiert ist, wobei diese Lösung für Metallauflösungsverfahren Schwefelsäure aufweisen kann. - Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind daher ein Ätzmittel und ein Verfahren zum Bilden eines Matrixsubstrats, bei dem das Ätzmittel verwendet wird, bei denen die obengenannten Probleme vermieden werden.
- Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Ätzmittel zu schaffen, welches eine doppelschichtige Metallschicht gleichzeitig ätzt.
- Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Ausbilden eines Matrixsubstrats zu schaffen.
- Die Erfindung stellt ein Ätzmittel gemäß Anspruch 1 und ein Verfahren zum Bilden eines Matrixsubstrats zur Verwendung in einer Dünnschichttransistor-Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß Anspruch 3 bereit. Weitere Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen beschrieben.
- Gemäß der Erfindung ist ein Ätzmittel vorgesehen, wobei das Ätzmittel Wasserstoffperoxid (H2O2) und eine Mischlösung enthält, welche Essigsäure (CH3COOH), Kaliumchlorid (KCl), Natriumchlorid (NaCl), Kaliumhydrogensulfat (KHSO4) oder Kaliummetaperiodat (KIO4) aufweist.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist eine Anwendung des Ätzmittels zum Bilden eines Matrixsubstrats zur Verwendung in einer Dünnschichttransistor-Flüssigkristallanzeigevorrichtung (TFT-LCD) folgende Schritte auf: Ausbilden einer ersten metallischen Schicht auf einem Substrat, Strukturieren der ersten metallischen Schicht zum Bilden einer Gateleitung und einer sich von der Gateleitung erstreckenden Gateelektrode, Ausbilden einer Gateisolationsschicht auf dem Substrat zum Bedecken der strukturierten ersten metallischen Schicht, Bilden einer aktiven Schicht auf der Gateisolationsschicht und über der Gateelektrode, Bilden einer ohmschen Kontaktschicht auf der aktiven Schicht, Bilden einer zweiten metallischen Schicht auf der Gateisolationsschicht zum Bedecken der ohmschen Kontaktschicht und der aktiven Schicht, Bilden einer dritten metallischen Schicht auf der zweiten metallischen Schicht, gleichzeitiges Strukturieren der zweiten metallischen Schicht und der dritten metallischen Schicht zum Bilden einer doppelschichtigen Datenleitung, einer doppelschichtigen Sourceelektrode und einer doppelschichtigen Drainelektrode unter Verwendung des Ätzmittels, welches ferner einen H2O2-Stabilisator aufweist, und Bilden einer Pixelelektrode, welche die doppelschichtige Drainelektrode kontaktiert.
- Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
-
1 eine schematische Teildraufsicht eines Matrixsubstrats zur Verwendung in einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach dem Stand der Technik; -
2 eine Querschnittsansicht entlang der Linie II-II aus1 gemäß dem Stand der Technik; -
3 eine Tabelle, in welcher die Eigenschaften der Metalle dargestellt sind, die zur Ausbildung der elektrischen Leitungen in elektronischen Geräten gemäß dem Stand der Technik verwendet werden; -
4 zeigt ein Diagramm eines Vergleichsbeispiels zur Darstellung einer beispielhaften Abhängigkeit zwischen der Ätzzeit von Kupferschichten und einem Molverhältnis zwischen Wasserstoffperoxid (H2O2) und Schwefelsäure (H2SO4); -
5 ein Diagramm zur Darstellung einer weiteren beispielhaften Abhängigkeit zwischen Ätzrate und Konzentration an Wasserstoffperoxid (H2O2) gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und -
6a bis6c Querschnittsansichten entlang der Linie VI-VI aus1 zur Darstellung eines Herstellungsprozesses gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. - In der nachfolgenden Beschreibung werden, wo immer dies möglich ist, dieselben Bezugszeichen zur Darstellung ähnlicher Bauteile verwendet.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung können Datenleitungen eines Matrixsubstrates sowie Source- und Drainelektroden eines Dünnschichttransistors beispielsweise aus einer Kupfer-Molybdän(Cu-Mo)-Doppelschicht gebildet werden. Außerdem kann ein nachfolgend beschriebenes Ätzmittel zum Ätzen der Cu-Mo-Doppelschicht gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden.
- Bei der vorliegenden Erfindung kann das Ätzmittel eine Mischlösung aus Wasserstoffperoxid (H2O2), einem H2O2 Stabilisator und entweder Essigsäure oder einem neutralen Salz, ausgewählt aus KCl, NaCl, KHSO4 und KIO4 sein und gleichzeitig die Cu-Mo-Doppelschicht ätzen. Der Reaktionsmechanismus von Mo und H2O2 des Ätzmittels ist der folgende:
Mo + 3H2O2 = MoO3 + 3H2O (1) - Im Ergebnis von Gleichung (1) kann MoO3 hergestellt werden. Da jedoch MoO3 (H2O) leicht löslich ist, ist die Herstellung von MoO3 unproblematisch. Daher kann ein Ätzen der Mo-Schicht durchgeführt werden. Alternativ kann die Mo-Schicht unter alleiniger Verwendung von Wasserstoffperoxid (H2O2) geätzt werden.
- Der Reaktionsmechanismus von Cu und H2O2 des Ätzmittels lässt sich durch die folgende Gleichung darstellen.
Cu + H2O2 = CuO + H2O (2) - In Gleichung (2) kann, obwohl eine Kupferverbindung CuO erzeugt werden kann, das Reaktionsprodukt (d. h. oxidiertes Kupfer CuO) mit Anionen der Essigsäure oder dem neutralen Salz, die in dem Ätzmittel enthalten sind, reagieren. Daher können die Kupferverbindung CuO und H2O gemäß der vorliegenden Erfindung durch das Ätzmittel gebildet werden. Außerdem können oxidiertes Metall oder Metall-Ionen erzeugt werden.
- Um die Cu-Schicht zu ätzen, sind H2O2 und einer der Bestandteile Essigsäure und neutrales Salz erforderlich. Dementsprechend benötigt beim Ätzen der metallischen Schichten das Ätzmittel den H2O2-Stabilisator, um eine Selbstzersetzung von H2O2 zu verhindern.
- Ein erstes Ätzmittel gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung enthält beispielsweise Essigsäure (CH3COOH), H2O2 und den H2O2-Stabilisator, und reagiert mit Kupfer (Cu) folgendermaßen:
Cu + H2O2 = CuO + H2O → CuO + 2CH3COOH = Cu(CH3COO)2 + H2O (3) - Ein zweites Ätzmittel gemäß einem Vergleichsbeispiel kann H2O2, den H2O2-Stabilisator und einen der Bestandteile Schwefelsäure (H2SO4), Salpetersäure (HNO3), Salzsäure (HCl) und Phosphorsäure (H3PO4) enthalten. Daher kann das zweite Ätzmittel mit Kupfer (Cu) folgendermaßen reagieren.
- Für den Fall, dass das zweite Ätzmittel Schwefelsäure (H2SO4) enthalten kann:
Cu + H2O2 = CuO + H2O → CuO + H2SO4 = CuSO4 + H2O (4) - Für den Fall, dass das zweite Ätzmittel Salpetersäure (HNO3) enthalten kann:
Cu + H2O2 = CuO + H2O → CuO + 2HNO3 = Cu(NO3)2 + H2O (5) - Für den Fall, dass das zweite Ätzmittel Salzsäure (HCl) enthalten kann:
Cu + H2O2 = CuO + H2O → CuO + 2HCl = CuCl2 + H2O (6) - Für den Fall, dass das zweite Ätzmittel Phosphorsäure (H3PO4) enthalten kann:
Cu + H2O2 = CuO + H2O → 3CuO + 2(H3PO4) = Cu3(PO4)2 + 3H2O (7) - Ein drittes Ätzmittel gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung H2O2, den H2O2-Stabilisator und einen der Bestandteile Kaliumchlorid (KCl), Natriumchlorid (NaCl), Kaliumhydrogensulfat (KHSO4) und Kaliummetaperiodat (KIO4) enthalten. Daher reagiert beispielsweise das Kaliumhydrogensulfat (KHSO4) enthaltende dritte Ätzmittel mit Kupfer (Cu) folgendermaßen:
Cu + H2O2 = CuO + H2O → CuO + 2KHSO4 = CuSO4 + K2SO4 + H2O (8) - Das Ätzmittel gemäß der vorliegenden Erfindung weist wenigstens einen der Bestandteile Essigsäure und neutrales Salz, ausgewählt aus KCl, NaCl, KHSO4 und KIO4, auf. Zwei oder drei neutrale Salze können auch mit dem Ätzmittel gemischt werden, wenn das neutrale Salz in dem Ätzmittel enthalten ist.
-
4 zeigt ein Diagramm eines Vergleichsbeispiels, in dem eine beispielhafte Relation zwischen einer Ätzzeit von Kupfer(Cu)-Schichten und Molververhältnissen zwischen Wasserstoffperoxid (H2O2) und Schwefelsäure (H2SO4) dargestellt ist, und5 zeigt eine weitere beispielhafte Relation zwischen der Ätzrate und der Konzentration an Wasserstoffperoxid (H2O2). - Gemäß
4 besitzt eine Kupferschicht eine Dicke von etwa 100 nm, und Schwefelsäure (H2SO4) ist mit einem Gewichtsanteil von etwa 5 Gew.-% vorhanden. Wie in4 gezeigt ist, wächst, wenn das Molverhältnis an Wasserstoffperoxid (H2O2) anwächst, auch die Ätzzeit der Cu-Schicht an. Insbesondere wird die Erzeugung von oxidiertem Kupfer (CuO) erhöht, wenn der molare Anteil an Wasserstoffperoxid (H2O2) in dem Ätzmittel anwächst. Daher benötigt die Reaktion des oxidierten Kupfers (CuO) mit der Schwefelsäure (H2SO4) mehr Zeit. - Gemäß
5 wächst die Ätzrate von Molybdän (Mo) an, wenn die Konzentration von Wasserstoffperoxid (H2O2) ansteigt. Nachdem eine bestimmte Konzentration von H2O2 erreicht worden ist, nähert sich die Ätzrate von Mo jedoch einem gleichbleibenden Wert an. Dementsprechend können bei Steuerung des Wasserstoffperoxid(H2O2)-Anteils auf einen bestimmten Wert sowohl die Cu-Schicht als auch die Mo-Schicht gleichzeitig geätzt werden. Da außerdem Molybdänoxid (MoO3) in Wasser (H2O) löslich ist, variiert die Ätzrate auch dann nicht, wenn Essigsäure und ein neutrales Salz dem Ätzmittel hinzugefügt werden. Darüber hinaus können das Ätzmittel und das Verfahren zum Verwenden des Ätzmittels in anderen elektronischen Geräten mit Cu-Schichten verwendet werden. -
6a bis6c zeigen Querschnittsansichten entlang der Linie VI-VI aus1 , um einen Herstellungsprozess gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darzustellen. - Gemäß
6a kann eine erste metallische Schicht auf einem Substrat100 aufgebracht und anschließend zur Bildung einer Vielzahl von Gateleitungen (13 in1 ) und einer Vielzahl von Gateelektroden132 strukturiert werden. Die erste metallische Schicht kann Aluminium (Al), eine Aluminiumlegierung wie beispielsweise Aluminiumneodym (AlNd), Chrom (Cr), Wolfram (W), Molybdän (Mo) oder Kupfer (Cu) aufweisen. Die Vielzahl von Gateleitungen kann in transversaler Richtung angeordnet sein, und jede Gateelektrode132 erstreckt sich von jeder Gateleitung auf dem Substrat100 . Anschließend kann auf einer Oberfläche des Substrates100 eine Gateisolationsschicht124 gebildet werden, um die strukturierte erste metallische Schicht zu bedecken. Die Gateisolationsschicht124 kann ein anorganisches Material wie beispielsweise Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) oder ein organisches Material wie beispielsweise Benzocyclobuten (BCB) oder ein Acrylbasierendes Harz aufweisen. Nach dem Ausbilden der Gateisolationsschicht124 auf dem Substrat100 zum Bedecken der strukturierten ersten metallischen Schicht können eine aktive Schicht138a , die reines amorphes Silizium (a-Si:H) enthalten kann, und eine ohmsche Kontaktschicht138b , die ein dotiertes amorphes Silizium (n+a-Si:H) enthalten kann, nacheinander auf der Gateisolationsschicht124 , insbesondere über der Gateelektrode132 gebildet werden. Folglich enthält eine Halbleiterschicht138 die aktive Schicht138a und die ohmsche Kontaktschicht138b . Die aktive Schicht138a kann als aktiver Kanal dienen, wenn der Dünnschichttransistor aktiviert ist. Die ohmsche Kontaktschicht138b kann einen Kontaktwiderstand zwischen der aktiven Schicht138a und den in einem späteren Schritt ausgebildeten Elektroden reduzieren. - Gemäß
6b kann eine zweite metallische Schicht auf der gesamten Oberfläche der Gateisolationsschicht124 ausgebildet werden, wodurch die aktive Schicht138a und die ohmsche Kontaktschicht138b bedeckt werden. Anschließend kann eine dritte metallische Schicht darauf folgend auf der zweiten metallischen Schicht gebildet werden. Die zweite metallische Schicht kann beispielsweise Molybdän (Mo) und die dritte metallische Schicht kann beispielsweise Kupfer (Cu) oder eine Kupferlegierung aufweisen. Die zweite metallische Schicht kann verhindern, dass die dritte metallische Schicht mit den Siliziumkomponenten der Halbleiterschicht138 chemisch reagiert. Wenn die dritte metallische Schicht mit der Halbleiterschicht138 reagiert, wird zwischen der dritten metallischen Schicht und der Halbleiterschicht eine Zwischenschicht erzeugt, wodurch die Leistungskennlinien des Dünnschichttransistors verschlechtert werden. - Außerdem können gemäß
6b die zweite und die dritte metallische Schicht gleichzeitig unter Verwendung des oben beschriebenen Ätzmittels strukturiert werden. Nach Synthetisieren von H2O2, dem H2O2-Stabilisator und einer der Komponenten Essigsäure und neutrales Salz, führt das Ätzmittel insbesondere gleichzeitig ein Ätzen und Strukturieren der metallischen Doppelschicht (Mo-Cu-Schicht) zum Ausbilden einer doppelschichtigen Datenleitung115 , einer doppelschichtigen Sourceelektrode134 und einer doppelschichtigen Drainelektrode130 aus. Die doppelschichtige Datenleitung115 kann senkrecht zur Gateleitung (13 in1 ) angeordnet sein, um einen Pixelbereich „P” (1 ) mit der doppelschichtigen Datenleitung115 zu definieren. Die doppelschichtige Sourceelektrode134 kann sich von der doppelschichtigen Datenleitung115 erstrecken, und die doppelschichtige Drainelektrode136 kann von der doppelschichtigen Sourceelektrode134 beabstandet sein. Die doppelschichtige Sourceelektrode134 und die doppelschichtige Drainelektrode136 können an gegenüberliegenden Endabschnitten der Gateelektrode132 überlappen. Außerdem kann ein auf der aktiven Schicht138a angeordneter Abschnitt der ohmschen Kontaktschicht138b unter Verwendung der Sourceelektrode134 und der Drainelektrode136 als Masken geätzt werden, wodurch ein Kanalbereich in der aktiven Schicht138b zwischen der Sourceelektrode134 und der Drainelektrode136 gebildet wird. - Gemäß
6c kann eine Passivierungsschicht139 auf dem TFT „T” und auf der Gateisolationsschicht124 ausgebildet werden. Die Passivierungsschicht139 kann ein anorganisches Material wie beispielsweise Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) oder ein organisches Material wie beispielsweise Benzocyclobuten (BCB) oder ein Acryl-basierendes Harz enthalten. Daher kann die Passivierungsschicht139 zur Ausbildung eines Drain-Kontaktloches140 zum Freilegen eines Abschnittes der doppelschichtigen Drainelektrode136 strukturiert werden. Als nächstes kann ein transparentes leitendes Material auf der strukturierten Passivierungsschicht139 aufgebracht werden. Das transparente leitende Material kann beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) enthalten. Anschließend kann das transparente leitende Material strukturiert werden, um eine Pixelelektrode142 in dem Pixelbereich „P” auszubilden. Ein Abschnitt der Pixelelektrode142 kann einen Abschnitt der Drainelektrode136 überlappen und die Drainelektrode136 durch das Drainkontaktloch140 elektrisch kontaktieren. Obwohl das beschriebene Verfahren nur die Mo-Cu-Schicht als Datenleitung, Sourceelektrode und Drainelektrode verwendet, kann die Mo-Cu-Schicht in der Gateleitung und der Gateelektrode verwendet werden.
Claims (9)
- Ätzmittel zum Ätzen einer metallischen Doppelschicht mit einer Kupferschicht oder einer Kupferlegierungsschicht und einer Molybdänschicht, aufweisend: Wasserstoffperoxid; und eine Mischlösung, welche wenigstens Essigsäure, Kaliumchlorid, Natriumchlorid, Kaliumhydrogensulfat oder Kaliummetaperiodat aufweist.
- Ätzmittel nach Anspruch 1, ferner aufweisend einen Wasserstoffperoxid-Stabilisator.
- Verfahren zum Bilden eines Matrixsubstrats (
100 ) zur Verwendung in einer Dünnschichttransistor-Flüssigkristallanzeigevorrichtung, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Ausbilden einer ersten metallischen Schicht auf einem Substrat (100 ); Strukturieren der ersten metallischen Schicht zum Bilden einer Gateleitung (13 ) und einer sich von der Gateleitung (13 ) erstreckenden Gateelektrode (132 ); Ausbilden einer Gateisolationsschicht (124 ) auf dem Substrat (100 ) zum Bedecken der strukturierten ersten metallischen Schicht; Bilden einer aktiven Schicht (138a ) auf der Gateisolationsschicht (124 ) und über der Gateelektrode (132 ); Bilden einer ohmschen Kontaktschicht (138b ) auf der aktiven Schicht (138a ); Bilden einer zweiten metallischen Schicht auf der Gateisolationsschicht (124 ) zum Bedecken der ohmschen Kontaktschicht (138b ) und der aktiven Schicht (138a ); Bilden einer dritten metallischen Schicht auf der zweiten metallischen Schicht; Bilden einer Pixelelektrode (142 ), welche die doppelschichtige Drainelektrode (136 ) kontaktiert; und den Schritt: gleichzeitiges Strukturieren der zweiten metallischen Schicht und der dritten metallischen Schicht zum Bilden einer doppelschichtigen Datenleitung (115 ), einer doppelschichtigen Sourceelektrode (134 ) und einer doppelschichtigen Drainelektrode (136 ) unter Verwendung eines Ätzmittels, dadurch gekennzeichnet, dass ein Ätzmittel gemäß Anspruch 2 verwendet wird. - Verfahren nach Anspruch 3, wobei das erste Metall Kupfer aufweist.
- Verfahren nach Anspruch 3, wobei das zweite Metall Molybdän aufweist.
- Verfahren nach Anspruch 3, wobei das dritte Metall Kupfer aufweist.
- Verfahren nach Anspruch 3, wobei das dritte Metall eine Kupferlegierung aufweist.
- Verfahren nach Anspruch 3, wobei die doppelschichtige Datenleitung (
115 ), die doppelschichtige Sourceelektrode (134 ) und die doppelschichtige Drainelektrode (136 ) eine Kupfer-Schicht und eine Molybdän-Schicht aufweisen. - Verfahren nach Anspruch 3, wobei die doppelschichtige Datenleitung (
115 ), die doppelschichtige Sourceelektrode (134 ) und die doppelschichtige Drainelektrode (136 ) eine Kupfer-Legierungsschicht und eine Molybdän-Schicht aufweisen.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR79355/00 | 2000-12-20 | ||
KR10-2000-0079355A KR100379824B1 (ko) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | 식각용액 및 식각용액으로 패턴된 구리배선을 가지는전자기기용 어레이기판 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10162576A1 DE10162576A1 (de) | 2002-07-04 |
DE10162576B4 true DE10162576B4 (de) | 2014-09-04 |
Family
ID=19703341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10162576.6A Expired - Lifetime DE10162576B4 (de) | 2000-12-20 | 2001-12-19 | Ätzmittel und Verfahren zum Bilden eines Matrixsubstrats für Flüssigkristallanzeigevorrichtungen |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6780784B2 (de) |
JP (1) | JP4282927B2 (de) |
KR (1) | KR100379824B1 (de) |
CN (1) | CN1257313C (de) |
DE (1) | DE10162576B4 (de) |
GB (1) | GB2370251B (de) |
Families Citing this family (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002266087A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅のエッチング液およびそれを用いたプリント配線板の製造方法 |
KR100459271B1 (ko) * | 2002-04-26 | 2004-12-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 구리 단일막 또는 구리 몰리브덴막의 식각용액 및 그식각방법 |
KR100853216B1 (ko) * | 2002-06-25 | 2008-08-20 | 삼성전자주식회사 | 배선용 식각액, 이를 이용한 배선의 제조 방법, 그 배선을포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
KR100866976B1 (ko) * | 2002-09-03 | 2008-11-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법 |
KR100883769B1 (ko) * | 2002-11-08 | 2009-02-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
KR100536593B1 (ko) * | 2002-12-05 | 2005-12-14 | 삼성전자주식회사 | 선택적인 막 제거를 위한 세정 용액 및 그 세정 용액을사용하여 실리사이드 공정에서 막을 선택적으로 제거하는방법 |
KR100505328B1 (ko) * | 2002-12-12 | 2005-07-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법 |
KR100905053B1 (ko) * | 2003-02-05 | 2009-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 구리배선을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
KR100905052B1 (ko) * | 2003-02-26 | 2009-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 몰리브덴/구리 배선의 제조 방법 |
KR100971950B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2010-07-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법 |
KR100938885B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2010-01-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법 |
US7455787B2 (en) * | 2003-08-01 | 2008-11-25 | Sunpower Corporation | Etching of solar cell materials |
US7063800B2 (en) * | 2003-11-10 | 2006-06-20 | Ying Ding | Methods of cleaning copper surfaces in the manufacture of printed circuit boards |
KR100635065B1 (ko) * | 2004-05-17 | 2006-10-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
US7276453B2 (en) * | 2004-08-10 | 2007-10-02 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Methods for forming an undercut region and electronic devices incorporating the same |
KR101171175B1 (ko) * | 2004-11-03 | 2012-08-06 | 삼성전자주식회사 | 도전체용 식각액 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법 |
US7166860B2 (en) * | 2004-12-30 | 2007-01-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic device and process for forming same |
KR101191405B1 (ko) | 2005-07-13 | 2012-10-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법 |
KR20070017762A (ko) * | 2005-08-08 | 2007-02-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 식각액 조성물, 이를 이용한 도전막의 패터닝 방법 및평판표시장치의 제조 방법 |
KR101152139B1 (ko) | 2005-12-06 | 2012-06-15 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치용 세정제 및 이를 사용하는 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법 |
SG133443A1 (en) * | 2005-12-27 | 2007-07-30 | 3M Innovative Properties Co | Etchant formulations and uses thereof |
KR101266077B1 (ko) * | 2006-05-08 | 2013-06-04 | 주식회사 동진쎄미켐 | 알루미늄, 몰리브덴, 인듐 틴 옥사이드를 식각하기 위한식각액 |
KR101347446B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2014-01-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속배선 형성을 위한 저점도 식각용액 |
KR101473964B1 (ko) * | 2006-05-29 | 2014-12-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 알루미늄, 몰리브덴, 인듐-틴-옥사이드를 식각하기 위한식각액 |
US20080041813A1 (en) * | 2006-08-21 | 2008-02-21 | Atmel Corporation | Methods and compositions for wet etching |
US8012883B2 (en) * | 2006-08-29 | 2011-09-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Stripping method |
TWI378989B (en) * | 2006-09-01 | 2012-12-11 | Taiwan Tft Lcd Ass | Etchant for patterning composite layer and method of fabricating thin film transistor using the same |
CN101139713B (zh) * | 2006-09-07 | 2010-06-09 | 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会 | 蚀刻液以及使用此蚀刻液的图案化导电层的制造方法 |
CN100466182C (zh) * | 2007-01-04 | 2009-03-04 | 北京京东方光电科技有限公司 | 金属导线、电极及薄膜晶体管阵列基板的制造方法 |
TWI348766B (en) * | 2007-10-04 | 2011-09-11 | Taiwan Tft Lcd Ass | Method of fabricating thin film transistor |
KR101345171B1 (ko) * | 2007-11-14 | 2013-12-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR20100098409A (ko) * | 2007-11-22 | 2010-09-06 | 간또 가가꾸 가부시끼가이샤 | 에칭액 조성물 |
KR101294694B1 (ko) * | 2007-12-04 | 2013-08-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
KR101495683B1 (ko) * | 2008-09-26 | 2015-02-26 | 솔브레인 주식회사 | 액정표시장치의 구리 및 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄합금 전극용 식각조성물 |
JP2009041112A (ja) * | 2008-10-16 | 2009-02-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅のエッチング液およびそれを用いたプリント配線板の製造方法 |
CN102227761A (zh) * | 2008-12-26 | 2011-10-26 | 夏普株式会社 | 显示面板用的基板和具有它的显示面板 |
JP5604056B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2014-10-08 | 関東化学株式会社 | 銅含有積層膜用エッチング液 |
CN102471688A (zh) * | 2009-08-13 | 2012-05-23 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 用于形成铜互连的蚀刻组合物 |
CN102834547B (zh) | 2010-01-28 | 2014-08-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 铜/钛系多层薄膜用蚀刻液 |
CN102762770B (zh) * | 2010-02-15 | 2014-07-16 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液 |
KR102219398B1 (ko) * | 2010-02-26 | 2021-02-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8270178B2 (en) * | 2010-03-22 | 2012-09-18 | Au Optronics Corporation | Active device array substrate |
KR101825493B1 (ko) * | 2010-04-20 | 2018-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 배선용 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법 |
US9580818B2 (en) | 2010-06-18 | 2017-02-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Etching liquid for film of multilayer structure containing copper layer and molybdenum layer |
TWI416498B (zh) | 2010-12-30 | 2013-11-21 | Au Optronics Corp | 液晶顯示裝置與其驅動方法 |
JP5735811B2 (ja) | 2011-01-25 | 2015-06-17 | 関東化学株式会社 | 銅を主成分とする金属薄膜のエッチング液組成物 |
CN102286288B (zh) * | 2011-05-23 | 2014-06-11 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | 一种醋酸系ito蚀刻液和制备工艺 |
WO2013015322A1 (ja) * | 2011-07-26 | 2013-01-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 銅/モリブデン系多層薄膜用エッチング液 |
KR101776923B1 (ko) | 2011-08-05 | 2017-09-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물, 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 및 표시 기판의 제조 방법 |
US8858755B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-10-14 | Tel Nexx, Inc. | Edge bevel removal apparatus and method |
CN103014708A (zh) * | 2011-09-21 | 2013-04-03 | 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司 | 一种单晶叶片表面晶粒腐蚀方法 |
CN102629591B (zh) * | 2012-02-28 | 2015-10-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示器 |
CN102703902B (zh) * | 2012-06-26 | 2014-01-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板铜导线的蚀刻液 |
CN102891108B (zh) * | 2012-10-24 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制造方法 |
CN103000627A (zh) * | 2012-12-06 | 2013-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
KR102000726B1 (ko) | 2013-07-09 | 2019-07-16 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 인듐, 갈륨, 아연, 및 산소로 이루어진 산화물(igzo)의 표면으로부터 구리를 포함하는 부착물을 세정·제거하는 액체 조성물, 및 그 액체 조성물을 이용한 igzo표면의 세정방법, 그리고 그 세정방법에 의해 세정되는 기판 |
TWI510676B (zh) * | 2013-07-10 | 2015-12-01 | Daxin Materials Corp | Metal etchant compositions for etching copper and molybdenum and their use for etching Metal etching method for copper and molybdenum |
US9276128B2 (en) | 2013-10-22 | 2016-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and etchant used for the same |
CN105765107B (zh) * | 2013-11-25 | 2017-12-19 | 松下知识产权经营株式会社 | 多层膜用蚀刻液和蚀刻浓缩液及蚀刻方法 |
TWI536464B (zh) * | 2014-01-15 | 2016-06-01 | 友達光電股份有限公司 | 電晶體及其製造方法 |
CN104109908B (zh) * | 2014-07-23 | 2016-08-24 | 深圳市宇顺电子股份有限公司 | 蓝宝石玻璃蚀刻液及蓝宝石玻璃蚀刻方法 |
CN104152902A (zh) * | 2014-08-01 | 2014-11-19 | 东莞劲胜精密组件股份有限公司 | 一种多孔金属处理液及复合体材料的制备方法 |
KR102255577B1 (ko) * | 2014-08-25 | 2021-05-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 |
JP6494254B2 (ja) | 2014-11-18 | 2019-04-03 | 関東化學株式会社 | 銅、モリブデン金属積層膜エッチング液組成物、該組成物を用いたエッチング方法および該組成物の寿命を延ばす方法 |
KR102293675B1 (ko) * | 2015-03-24 | 2021-08-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
CN104934330A (zh) * | 2015-05-08 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板 |
JP6454605B2 (ja) | 2015-06-01 | 2019-01-16 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6337922B2 (ja) | 2015-08-03 | 2018-06-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 銅層およびチタン層を含む多層薄膜をエッチングするためのエッチング液およびこれを用いたエッチング方法、並びに該エッチング方法を用いて得られた基板 |
JP2017139295A (ja) | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、および基板処理液 |
CN106498398A (zh) * | 2016-12-01 | 2017-03-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于铜/钼膜层的金属蚀刻液及其蚀刻方法 |
CN108754497A (zh) * | 2018-07-02 | 2018-11-06 | 景瓷精密零部件(桐乡)有限公司 | 一种钼栅极产品的刻蚀液配方及生产方法 |
KR102577915B1 (ko) | 2021-02-23 | 2023-09-14 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 금속막 식각액 조성물 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2906644A1 (de) * | 1978-02-21 | 1979-08-30 | Dart Ind Inc | Stabilisierte wasserstoffperoxydloesung |
US4220706A (en) * | 1978-05-10 | 1980-09-02 | Rca Corporation | Etchant solution containing HF-HnO3 -H2 SO4 -H2 O2 |
DE3874411T2 (de) * | 1987-05-18 | 1993-04-08 | Philips Nv | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einer schicht aus titan-wolfram. |
US6130729A (en) * | 1996-08-30 | 2000-10-10 | Lg Electronics Inc. | Method of making an AMLCD where the etch stopper is formed without first preparing a pattern mask |
US6157430A (en) * | 1997-03-24 | 2000-12-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Active matrix liquid crystal device including brush-clearable multiple layer electrodes and a method of manufacturing the same |
US6160270A (en) * | 1996-03-27 | 2000-12-12 | Hyundai Electronics America, Inc. | Performance matrix, method of making an active matrix displays incorporating an improved TFT |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE425007B (sv) * | 1976-01-05 | 1982-08-23 | Shipley Co | Stabil etslosning omfattande svavelsyra och veteperoxid samt anvendning av densamma |
US4306933A (en) * | 1980-02-11 | 1981-12-22 | Chemline Industries | Tin/tin-lead stripping solutions |
US4410772A (en) * | 1981-04-23 | 1983-10-18 | Olympus Optical Company Limited | Superminiature microphone device |
US4378270A (en) * | 1981-10-29 | 1983-03-29 | Learonal, Inc. | Method of etching circuit boards and recovering copper from the spent etch solutions |
JPS58197277A (ja) * | 1982-05-08 | 1983-11-16 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 金属の化学的溶解処理液 |
US4401509A (en) * | 1982-09-07 | 1983-08-30 | Fmc Corporation | Composition and process for printed circuit etching using a sulfuric acid solution containing hydrogen peroxide |
US4462861A (en) * | 1983-11-14 | 1984-07-31 | Shipley Company Inc. | Etchant with increased etch rate |
JPS61591A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-06 | Fujitsu Ltd | 銅のエツチング方法 |
SU1458430A1 (ru) | 1987-07-30 | 1989-02-15 | Ярославское научно-производственное объединение "Электронприбор" | Раствор дл фотохимического фрезеровани меди и медных сплавов |
CA2006597A1 (en) * | 1988-12-26 | 1990-06-26 | Kazuo Kogure | Method for manufacturing compound semiconductor devices and a compound semiconductor device |
GB8922504D0 (en) | 1989-10-05 | 1989-11-22 | Interox Chemicals Ltd | Hydrogen peroxide solutions |
JP2869893B2 (ja) * | 1989-11-07 | 1999-03-10 | カシオ計算機株式会社 | 半導体パネル |
DE4100839A1 (de) | 1991-01-14 | 1992-07-16 | Basf Ag | Waessriges saures bad zur entfernung von zinn- und zinn/blei-schichten von kupferoberflaechen |
US5248386A (en) * | 1991-02-08 | 1993-09-28 | Aluminum Company Of America | Milling solution and method |
EP0539973A3 (en) * | 1991-11-01 | 1995-07-12 | Furukawa Electric Co Ltd | A surface-protection method during etching |
JP2585936B2 (ja) * | 1991-11-15 | 1997-02-26 | 住友電気工業株式会社 | 弗素樹脂被覆物の製造方法 |
JPH0613608A (ja) * | 1992-06-25 | 1994-01-21 | Sharp Corp | 薄膜アクテイブ素子 |
GB9425090D0 (en) * | 1994-12-12 | 1995-02-08 | Alpha Metals Ltd | Copper coating |
JP2793515B2 (ja) | 1995-01-30 | 1998-09-03 | 富山日本電気株式会社 | 銅及び銅合金の表面処理剤 |
EP0733931B1 (de) * | 1995-03-22 | 2003-08-27 | Toppan Printing Co., Ltd. | Mehrschichtiger, elektrisch leitender Film, transparentes Elektrodensubstrat und Flüssigkristallanzeige die diesen benutzen |
US5800726A (en) * | 1995-07-26 | 1998-09-01 | International Business Machines Corporation | Selective chemical etching in microelectronics fabrication |
JP2923524B2 (ja) * | 1995-08-01 | 1999-07-26 | メック株式会社 | 銅および銅合金のマイクロエッチング剤並びにマイクロエッチング方法 |
JP2809153B2 (ja) * | 1995-09-28 | 1998-10-08 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
TW374802B (en) * | 1996-07-29 | 1999-11-21 | Ebara Densan Ltd | Etching composition, method for roughening copper surface and method for producing printed wiring board |
GB9620877D0 (en) * | 1996-10-07 | 1996-11-27 | Solvay Interox Ltd | Metal surface treatment |
US5954997A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-21 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
EP0989962A4 (de) * | 1997-06-13 | 2005-03-09 | Mattson Technology Ip Inc | Verfahren zur behandlung von halbleiterscheiben |
JPH1129883A (ja) | 1997-07-08 | 1999-02-02 | Mec Kk | 銅および銅合金のマイクロエッチング剤 |
JP2000082588A (ja) * | 1997-09-22 | 2000-03-21 | Fuji Electric Co Ltd | 有機発光素子およびその製造方法 |
KR100476622B1 (ko) * | 1997-10-13 | 2005-08-23 | 삼성전자주식회사 | 몰리브덴-텅스턴합금을사용한배선을이용한액정표시장치및그제조방법 |
KR100257812B1 (ko) * | 1997-10-17 | 2000-06-01 | 구본준 | 액정표시장치 금속막의 에칭방법 |
US6015505A (en) * | 1997-10-30 | 2000-01-18 | International Business Machines Corporation | Process improvements for titanium-tungsten etching in the presence of electroplated C4's |
JP3654485B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2005-06-02 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3107055B2 (ja) * | 1998-09-03 | 2000-11-06 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
KR100356452B1 (ko) * | 1998-10-02 | 2002-10-18 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP3974305B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2007-09-12 | エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド | エッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法と電子機器 |
US6630433B2 (en) * | 1999-07-19 | 2003-10-07 | Honeywell International Inc. | Composition for chemical mechanical planarization of copper, tantalum and tantalum nitride |
CA2300492A1 (en) | 2000-03-13 | 2001-09-13 | Henkel Corporation | Removal of "copper kiss" from pickling high copper alloys |
KR100396696B1 (ko) * | 2000-11-13 | 2003-09-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 저저항 배선을 갖는 액정 디스플레이 패널 |
-
2000
- 2000-12-20 KR KR10-2000-0079355A patent/KR100379824B1/ko active IP Right Grant
-
2001
- 2001-12-17 US US10/015,650 patent/US6780784B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-18 GB GB0130263A patent/GB2370251B/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-19 CN CNB011444959A patent/CN1257313C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-19 DE DE10162576.6A patent/DE10162576B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-20 JP JP2001387785A patent/JP4282927B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-07-13 US US10/889,052 patent/US7850866B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-12-22 US US12/654,494 patent/US8236704B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2906644A1 (de) * | 1978-02-21 | 1979-08-30 | Dart Ind Inc | Stabilisierte wasserstoffperoxydloesung |
US4220706A (en) * | 1978-05-10 | 1980-09-02 | Rca Corporation | Etchant solution containing HF-HnO3 -H2 SO4 -H2 O2 |
DE3874411T2 (de) * | 1987-05-18 | 1993-04-08 | Philips Nv | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einer schicht aus titan-wolfram. |
US6160270A (en) * | 1996-03-27 | 2000-12-12 | Hyundai Electronics America, Inc. | Performance matrix, method of making an active matrix displays incorporating an improved TFT |
US6130729A (en) * | 1996-08-30 | 2000-10-10 | Lg Electronics Inc. | Method of making an AMLCD where the etch stopper is formed without first preparing a pattern mask |
US6157430A (en) * | 1997-03-24 | 2000-12-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Active matrix liquid crystal device including brush-clearable multiple layer electrodes and a method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB0130263D0 (en) | 2002-02-06 |
JP4282927B2 (ja) | 2009-06-24 |
KR100379824B1 (ko) | 2003-04-11 |
US8236704B2 (en) | 2012-08-07 |
US6780784B2 (en) | 2004-08-24 |
KR20020050020A (ko) | 2002-06-26 |
US20020081847A1 (en) | 2002-06-27 |
GB2370251B (en) | 2003-12-03 |
US20040242000A1 (en) | 2004-12-02 |
DE10162576A1 (de) | 2002-07-04 |
US7850866B2 (en) | 2010-12-14 |
CN1417383A (zh) | 2003-05-14 |
GB2370251A (en) | 2002-06-26 |
US20100116781A1 (en) | 2010-05-13 |
CN1257313C (zh) | 2006-05-24 |
JP2002302780A (ja) | 2002-10-18 |
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Date | Code | Title | Description |
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: LG DISPLAY CO., LTD., SEOUL, KR |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: C23F0011180000 Ipc: C23F0001180000 |
|
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: C23F0011180000 Ipc: C23F0001180000 Effective date: 20131023 |
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R016 | Response to examination communication | ||
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R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R071 | Expiry of right |