DE10145765B4 - Semiconductor structure with highly doped channel line area and method for producing a semiconductor structure - Google Patents
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Abstract
Halbleiteraufbau zur Steuerung eines Stroms (2) umfassend mindestens:
a) ein erstes Halbleitergebiet (2) eines ersten Leitungstyps,
b) ein innerhalb des ersten Halbleitergebiets (2) zumindest teilweise vergrabenes Inselgebiet (3) eines zweiten gegenüber dem ersten Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps,
c) einen zumindest teilweise innerhalb des ersten Halbleitergebiets (2) verlaufenden Strompfad und
d) ein Kanalgebiet (22),
d1) das Teil des ersten Halbleitergebiets (2) ist,
d2) das eine Grunddotierung aufweist, und
d3) innerhalb dessen der Strom (I) mittels wenigstens einer Verarmungszone (23, 24) beeinflussbar ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
d4) das Kanalgebiet (22) ein zur Stromführung bestimmtes Kanalleitungsgebiet (225), das den ersten Leitungstyp und eine verglichen mit der Grunddotierung höhere Dotierung aufweist, umfasst.Semiconductor structure for controlling a current (2) comprising at least:
a) a first semiconductor region (2) of a first conductivity type,
b) an island region (3), at least partially buried within the first semiconductor region (2), of a second line type opposite to the first line type,
c) a current path running at least partially within the first semiconductor region (2) and
d) a channel area (22),
d1) is part of the first semiconductor region (2),
d2) which has a basic funding, and
d3) within which the current (I) can be influenced by means of at least one depletion zone (23, 24),
characterized in that
d4) the channel region (22) comprises a channel line region (225) intended for current conduction, which has the first line type and a higher doping compared to the basic doping.
Description
Die Erfindung betrifft einen Halbleiteraufbau zur
Steuerung eines Stroms, wobei der Halbleiteraufbau mindestens ein
erstes Halbleitergebiet eines ersten Leitungstyps (n oder p), ein
innerhalb des ersten Halbleitergebiets zumindest teilweise vergrabenes Inselgebiet
eines zweiten gegenüber
dem ersten Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps, einen zumindest
teilweise innerhalb des ersten Halbleitergebiets verlaufenden Strompfad
und ein Kanalgebiet, das Teil des ersten Halbleitergebiets ist,
das eine Grunddotierung aufweist, und innerhalb dessen der Strom
mittels wenigstens einer Verarmungszone beeinflussbar ist, umfasst.
Ein solcher Halbleiteraufbau ist beispielsweise aus der
Zum Versorgen eines elektrischen Verbrauchers mit einem elektrischen Nennstrom wird der Verbraucher üblicherweise über ein Schaltgerät an ein elektrisches Versorgungsnetz geschaltet. Beim Einschaltvorgang und auch im Falle eines Kurzschlusses tritt ein Überstrom auf, der deutlich über dem Nennstrom liegt. Zum Schutz des elektrischen Verbrauchers muss das zwischen den Verbraucher und das elektrische Netz geschaltete Schaltgerät diesen Überstrom begrenzen und auch abschalten können. Weiterhin gibt es beispielsweise in der Umrichtertechnik Anwendungen, bei denen der Verbraucher im Falle einer in Sperrrichtung anliegenden Spannung auch sicher vom Versorgungsnetz getrennt werden soll. Für die beschriebenen Funktionen sind strombegrenzende Schalter in Form eines Halbleiteraufbaus bekannt.For supplying an electrical Consumer with an electrical nominal current, the consumer is usually over a switchgear connected to an electrical supply network. When switching on and even in the event of a short circuit, an overcurrent occurs that is significantly higher than the Rated current is. To protect the electrical consumer, this must be done Switching device connected between the consumer and the electrical network this overcurrent limit and also switch off. There are also applications in converter technology, where the consumer is in the reverse direction Voltage should also be safely disconnected from the supply network. For the described Functions are current-limiting switches in the form of a semiconductor structure known.
So wird in der
Ein ähnlicher Halbleiteraufbau wird
in der
Mit der
Weiterhin wird mit der
Weiterhin ist aus der
In der
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zu Grunde, einen Halbleiteraufbau der eingangs bezeichneten Art anzugeben, der bei der Herstellung unempfindlich gegenüber technologiebedingten Schwankungen ist und eine hohe Ausbeute ermöglicht. Außerdem soll ein Herstellungsverfahren für einen solchen Halbleiteraufbau angegeben werden.The object of the invention is now based on a semiconductor structure of the type mentioned to indicate that the manufacturing is insensitive to technology-related Fluctuations and a high yield is possible. In addition, a manufacturing process is said to for one Such semiconductor structure can be specified.
zur Lösung der den Halbleiteraufbau betreffenden Aufgabe wird ein Halbleiteraufbau entsprechend den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 angegeben. Zur Lösung der das Verfahren betreffenden Aufgabe wird ein Verfahren entsprechend den Merkmalen des Anspruchs 16 angegeben.to solve the the semiconductor structure relevant task is a semiconductor structure according to the Characteristics of the independent Claim 1 specified. To solve those related to the procedure The object is a method according to the features of the claim 16 specified.
Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiteraufbau zur Steuerung eines Stroms handelt es sich um einen Halbleiteraufbau der eingangs bezeichneten Art, der dadurch gekennzeichnet ist, dass das Kanalgebiet ein zur Stromführung bestimmtes Kanalleitungsgebiet, das den ersten Leitungstyp und eine verglichen mit der Grunddotierung höhere Dotierung aufweist, umfasst.In the semiconductor structure according to the invention to control a current is a semiconductor structure of the type described at the outset, which is characterized in that the canal area for power supply specific channel line area that compared the first line type and one with the basic funding higher Has doping comprises.
Die Erfindung beruht dabei auf der Erkenntnis, dass durch eine zusätzlich in dem Kanalgebiet vorgesehene Zone mit einer verglichen mit dem restlichen Kanalgebiet höheren Dotierstoffkonzentration die Empfindlichkeit des Halbleiteraufbaus gegenüber technologiebedingten Schwankungen bei der Herstellung erheblich reduziert, wenn nicht sogar vollständig beseitigt werden kann. Die zusätzlich vorgesehene Zone, die hier als Kanalleitungsgebiet bezeichnet wird, ist mit Dotierstoffen vom gleichen Ladungsträgertyp (n oder p) wie auch das Kanalgebiet dotiert. Sie bestimmt im Wesentlichen die elektrischen Eigenschaften des Kanalgebiets. So wird der Strom im Durchlassbetrieb aufgrund der höheren Dotierung und der damit einhergehenden höheren Leitfähigkeit bevorzugt in dem Kanalleitungsgebiet geführt. Das restliche Kanalgebiet bleibt dagegen weitgehend stromfrei, so dass hier etwa vorhandene Schwankungen der Grunddotierung oder der Dicke dann keine oder nur noch eine untergeordnete Rolle spielen. Das Kanalleitungsgebiet kann beispielsweise mittels einer Innenimplantation mit sehr hoher Genauigkeit und geringen Schwankungen in der Dotierstoffkonzentration sowie der Dicke hergestellt werden. Durch diese so gewonnene neue Unabhängigkeit gegenüber den technologiebedingten Schwankungen ergibt sich eine erhöhte Ausbeute beim Herstellungsprozess des Halbleiteraufbaus.The invention is based on the Realization that through an additional zone provided in the channel area with a compared to that remaining channel area higher Dopant concentration the sensitivity of the semiconductor structure towards technology-related Production fluctuations are significantly reduced if not even completely can be eliminated. The additional intended zone, which is referred to here as the sewer line area, is with dopants of the same charge carrier type (n or p) as well doped the channel area. It essentially determines the electrical ones Characteristics of the canal area. This is how the current is in forward operation due to the higher Doping and the associated higher conductivity preferred in the channel line area guided. The rest of the canal area remains largely without electricity, so that there are any fluctuations in the basic funding or the Thickness then play no or only a subordinate role. The duct line area can be, for example, by means of an internal implantation with very high accuracy and small fluctuations in the dopant concentration as well as the thickness. Through this new one won independence across from The technology-related fluctuations result in an increased yield in the manufacturing process of the semiconductor structure.
Vorteilhafte Ausgestaltungen des Halbleiteraufbaus gemäß der Erfindung ergeben sich aus den vom Anspruch 1 abhängigen Ansprüchen.Advantageous embodiments of the Semiconductor structure according to the invention result from the claims dependent on claim 1.
Bei einer günstigen Ausführungsform enthält das Kanalleitungsgebiet mindestens 80 % der insgesamt in dem Kanalgebiet vorhandenen Gesamtladung des ersten Leitungstyps. Damit sind höchstens nur noch die restlichen 20 % der Gesamtladung, die sich außerhalb des Kanalleitungsgebiets im Kanalgebiet befinden, den technologiebedingten Schwankungen unterworfen. Dieser positive Effekt lässt sich weiter steigern, indem sogar mindestens 90 % der innerhalb des Kanalgebiets vorhandenen Gesamtladung des ersten Leitungstyps im Kanalleitungsgebiet vorgesehen sind.In a favorable embodiment contains that Channel area at least 80% of the total in the channel area existing total charge of the first line type. At most, that is only still the remaining 20% of the total charge that is outside of the sewer pipe area are in the sewer area, the technology-related Subject to fluctuations. This positive effect can be seen further increase by even at least 90% of that within the canal area existing total charge of the first line type in the sewer line area are provided.
Günstig ist ein sogenannter vertikaler Halbleiteraufbau, bei dem der Strom im Wesentlichen in vertikaler Richtung durch den Halbleiteraufbau geführt wird. Diese Ausführungsform ist in der Lage, im Sperrfall eine besonders hohe Sperrspannung zu tragen.Cheap is a so-called vertical semiconductor structure in which the current essentially in the vertical direction through the semiconductor structure guided becomes. This embodiment is able to withstand a particularly high reverse voltage to wear.
Die Stromsteuerung erfolgt mittels eines vorzugsweise lateralen Kanalgebiets. In dieser Ausführungsform kann sowohl der zu führende Strom sicher an- und abgeschaltet werden, als auch eine hohe Sperrspannung vom Halbleiteraufbau aufgenommen werden.The current is controlled by a preferably lateral channel area. In this embodiment can both lead Current can be switched on and off safely, as well as a high reverse voltage be taken up by the semiconductor structure.
Bei einer weiteren bevorzugten Variante liegt der Halbleiteraufbau in Form eines Feldeffekttransistors, insbesondere in Form eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors (JFET), vor. Diese Transistorart eignet sich besonders gut für die im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung gewünschte Stromsteuerung.In another preferred variant the semiconductor structure is in the form of a field effect transistor, in particular in the form of a junction field effect transistor (JFET), in front. This type of transistor is particularly suitable for the Current control desired in connection with the present invention.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung besteht der Halbleiteraufbau teilweise oder auch komplett aus einem Halbleitermaterial, das einen Bandabstand von wenigstens 2 eV aufweist. Geeignete Halbleitermaterialien sind beispielsweise Diamant, Galliumnitrit (GaN), Indiumphosphit (InP) oder vorzugsweise Siliciumcarbid (SiC). Auf Grund der extrem niedrigen intrinsischen Ladungsträgerkonzentration (= Ladungsträgerkonzentration ohne Dotierung) und des sehr geringen Durchlassverlusts sind die genannten Halbleitermaterialien, insbesondere SiC, sehr vorteilhaft. Die genannten Halbleitermaterialien weisen außerdem im Vergleich zu dem „Universalhalbleiter" Silicium eine deutlich höhere Durchbruchsfestigkeit auf, so dass der Halbleiteraufbau bei einer höheren Spannung eingesetzt werden kann. Das bevorzugte Halbleitermaterial ist Siliciumcarbid, insbesondere einkristallines Siliciumcarbid vom 3C- oder 4H- oder 6H- oder 15R-Polytyp.In an advantageous embodiment, the semiconductor structure consists partly or completely of a semiconductor material which has a band gap of at least 2 eV. Suitable semiconductor materials are, for example, diamond, gallium nitrite (GaN), indium phosphite (InP) or preferably silicon carbide (SiC). Because of the extremely low intrinsic charge carrier concentration (= charge carrier concentration without doping) and the very low transmission loss, the semiconductor materials mentioned, in particular SiC, are very advantageous. The semiconductor materials mentioned also have a significantly higher breakdown strength than the “universal semiconductor” silicon, so that the semiconductor structure can be used at a higher voltage. The preferred semiconductor material is silicon carbide, in particular monocrystalline silicon carbide of 3C- or 4H or 6H or 15R poly type.
Bei einer anderen vorteilhaften Ausführungsform ist innerhalb des Kanalleitungsgebiets mindestens ein Kanalkompensationsgebiet angeordnet. Vorzugsweise enthält das Kanalleitungsgebiet mehrere dieser Kanalkompensationsgebiete. Das Kanalkompensa tionsgebiet weist insbesondere eine Dotierung mit einem zweiten gegenüber dem ersten Leitungstyp (n oder p) entgegengesetzten Leitungstyp (p oder n) auf. Die in den Kanalkompensationsgebieten vorhandene Ladung kompensiert bei anliegender Sperr-Steuerspannung die im Kanalleitungsgebiet vorhandene Ladung, so dass die Dotierstoffkonzentration des ersten Ladungsträgertyps im Kanalleitungsgebiet weiter erhöht werden kann. Dank der Kompensation führt dies nicht zu einer Verschlechterung des elektrischen Verhaltens des Halbleiteraufbaus, insbesondere nicht zu einer unerwünschten Erhöhung der zur vollständigen Abschnürung des Kanalgebiets erforderlichen Steuerspannung (= Abschnürspannung). Dies bietet insbesondere dann Vorteile, wenn eine kleine Abschnürspannung beispielsweise von unter 15 V gefordert ist. Ab einer Erhöhung der Dotierstoffkonzentration des ersten Leitungstyps im Kanalleitungsgebiet um mindestens den Faktor 2 verglichen mit der Ausführungsform ohne Kanalkompensationsgebiete wird der durch die Kompensationsgebiete bedingte Flächenverlust aufgrund der dann erheblich gesteigerten Leitfähigkeit im Kanalleitungsgebiet zumindest wettgemacht, wenn nicht sogar überkompensiert.In another advantageous embodiment is at least one channel compensation area within the sewer line area arranged. Preferably contains the sewer pipe area several of these sewer compensation areas. The channel compensation area has in particular a doping opposite a second line type opposite to the first line type (n or p) (p or n). The charge present in the channel compensation areas compensates the existing in the sewer line area when the blocking control voltage is present Charge, so the dopant concentration of the first charge carrier type can be further increased in the sewer area. Thanks to the compensation does this not to deteriorate the electrical behavior of the Semiconductor structure, especially not an undesirable increase to complete constriction of the channel area required control voltage (= pinch-off voltage). This is particularly advantageous when there is a small pinch-off voltage for example, below 15 V is required. From an increase in Dopant concentration of the first conductivity type in the channel conduction area by at least a factor of 2 compared to the embodiment without Channel compensation areas is the through the compensation areas conditional loss of area due to the then significantly increased conductivity in the sewer area at least made up for, if not overcompensated.
Vorteilhaft ist es, wenn das mindestens eine Kanalkompensationsgebiet oder, im Fall mehrerer Kanalkompensationsgebiete, die einzelnen Kanalkompensationsgebiete jeweils eine höhere Dotierstoffkonzentration als das Kanalleitungsgebiet hat bzw. haben. Der Flächenanteil des Kanalleitungsgebiets ist dann größer als der aller Kanalkompensationsgebiete. Dies ist günstig, da der Strom innerhalb des Kanalleitungsgebiets geführt werden soll und deshalb auch ein möglichst großer Anteil des Kanalleitungsgebiets hierfür verfügbar sein sollte. Gleichzeitig bleibt die beschriebene vorteilhafte kompensierende Wirkung im Sperrfall erhalten.It is advantageous if at least one channel compensation area or, in the case of several channel compensation areas, the individual channel compensation areas each have a higher dopant concentration than the sewer pipe area has. The area share the duct area is then larger than that of all duct compensation areas. This is convenient because the electricity will be carried within the sewer area should and therefore as possible greater Share of the sewer line area should be available for this. simultaneously remains the described advantageous compensating effect in the event of blocking receive.
Bevorzugt ist eine Ausgestaltung, bei der die in dem Kanalleitungsgebiet insgesamt vorhandene Gesamtladung des ersten Leitungstyps in etwa gleich groß ist wie die in allen Kanalkompensationsgebieten vorhandene Gesamtladung des zweiten Leitungstyps. Dann wird eine sehr gute Kompensationswirkung erreicht.An embodiment is preferred in which the total charge present in the sewer line area of the first line type is approximately the same size as that in all channel compensation areas existing total charge of the second line type. Then one very good compensation effect achieved.
Bei einer anderen vorteilhaften Variante ist das Kanalgebiet innerhalb einer Epitaxieschicht angeordnet. Die technologiebedingten Schwankungen der Dotierstoffkonzentration und der Dicke innerhalb der Epitaxieschicht spielen aufgrund des zusätzlich vorhandenen Kanalleitungsgebiets aus den vorstehend genannten Gründen keine Rolle. Weiterhin ist es möglich, dass das erste Halbleitergebiet eine zweite Epitaxieschicht aufweist, die insbesondere als eine im Sperrfall einen wesentlichen Teil der anliegenden Sperrspannung aufnehmende Driftzone ausgebildet ist. Die beiden Epitaxieschichten erfüllen jeweils unterschiedliche Aufgaben. Die eine dient der Stromsteuerung, die andere der Sperrspannungsaufnahme. Günstigerweise können dennoch beide Epitaxieschichten bei einer weiteren Variante eine im Wesentlichen gleiche Grunddotierung aufweisen. Dank des das Stromsteuerungsverhalten maßgeblich bestimmenden Kanalleitungsgebiets kann die Grunddotierung der Epitaxieschicht, in der das Kanalgebiet angeordnet ist, nach anderen Gesichtspunkten ausgelegt werden. Günstig ist es nämlich, wenn es an der Grenzfläche zwischen den beiden Epitaxieschichten zu keinem Dotierungssprung kommt. Der Halbleiteraufbau kann dann eine höhere Sperrspannung tragen.In another advantageous variant the channel region is arranged within an epitaxial layer. The technology-related fluctuations in the dopant concentration and the thickness within the epitaxial layer play due to the additionally existing Channel area for the reasons given above none Role. It is also possible that the first semiconductor region has a second epitaxial layer, which in particular as an essential part of the in the event of a ban applied reverse voltage receiving drift zone is formed. Meet the two epitaxial layers different tasks each. One is for power control, the other of reverse voltage absorption. Conveniently you can in another variant, both epitaxial layers essentially one have the same basic funding. Thanks to the power control behavior essential determining channel area, the basic doping of the epitaxial layer, in which the channel area is arranged, from other points of view be interpreted. Cheap because it is if it's at the interface no doping jump between the two epitaxial layers comes. The semiconductor structure can then carry a higher reverse voltage.
Weiterhin gibt es eine Variante, bei der das erste Halbleitergebiet auf einem Substrat angeordnet ist, das den zum ersten Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyp aufweist. Dann sind an der Stromführung beide Ladungsträgertypen – Elektronen und Löcher – beteiligt. Aufgrund der bipolaren Modulation stellt sich ein sehr günstiges Stromleitungsverhalten ein. Außerdem bedingt der zusätzliche p-n-Übergang zwischen dem ersten Halbleitergebiet und dem Substrat eine Eignung für eine hohe Sperrspannung.There is also a variant in which the first semiconductor region is arranged on a substrate, which has the opposite line type to the first line type. Then are on the power supply both types of charge carriers - electrons and holes - involved. Because of the bipolar modulation, this is a very cheap one Power line behavior. Moreover requires the additional p-n transition between the first semiconductor region and the substrate are suitable for high Blocking voltage.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines Halbleiteraufbaus zur Steuerung eines Stroms handelt es sich um ein Verfahren, bei dem mindestens ein Halbleitersubstrat bereitgestellt wird, eine Epitaxieschicht mit einer Grunddotierung auf das Halbleitersubstrat aufgebracht wird, wobei die Epitaxieschicht ein Kanalgebiet, innerhalb dessen der Strom beeinflussbar ist, beinhaltet, und ein zur Stromführung bestimmtes Kanalleitungsgebiet mit verglichen mit der Grunddotierung höherer Dotierung zumindest im Bereich des Kanalgebiets in die Epitaxieschicht implantiert wird.In the method according to the invention for the production of a semiconductor structure for controlling a current is a method in which at least one semiconductor substrate is provided, an epitaxial layer with a basic doping the semiconductor substrate is applied, the epitaxial layer contains a channel area within which the current can be influenced, and one for power supply certain channel area with compared to the basic doping higher Doping into the epitaxial layer at least in the region of the channel region is implanted.
Dieses Verfahren ist insbesondere deshalb vorteilhaft, da sich mittels eines Epitaxieverfahrens üblicherweise nur eine Grunddotierung mit einer relativ hohen Schwankungsbreite beispielsweise von etwa ± 15 %, herstellen lässt. Mittels einer Ionenimplantation, die zur Herstellung des Kanalleitungsgebiets eingesetzt wird, lässt sich die Dotierung dagegen wesentlich genauer einstellen. Das Kanalleitungsgebiet, das für die Stromsteuerung maßgeblich ist, hat dann nur eine sehr geringe Schwankung in seiner Dotierstoffkonzentration.This procedure is special therefore advantageous, since an epitaxy method is usually used only a basic funding with a relatively high fluctuation range for example, about ± 15 %, can be produced. By means of an ion implantation, which is used to manufacture the duct area is used on the other hand, the doping is set much more precisely. The sewer area, that for the current control is decisive, then has only a very slight fluctuation in its dopant concentration.
Vorteilhaft sind Ausgestaltungen des Verfahrens entsprechend den von Anspruch 16 abhängigen Ansprüchen.Refinements are advantageous of the method according to the claims dependent on claim 16.
Insbesondere vorteilhaft ist eine Verfahrensvariante, bei der eine weitere Epitaxieschicht auf das Halbleitersubstrat aufgebracht wird. Die beiden Epitaxieschichten werden vorzugsweise sukzessive und übereinander auf das Halbleitersubstrat aufgebracht. Günstig ist es außerdem, wenn die beiden Epitaxieschichten im Wesentlichen die gleiche Grunddotierung aufweisen. Die Ionenimplantation des Kanalleitungsgebiets findet nach Abschluss der epitaktischen Verfahrensschritte zum Aufbringen der beiden Epitaxieschichten statt. Dieses Verfahren ermöglicht bei hoher Ausbeute die Herstellung eines zur Stromsteuerung bestimmten Halbleiteraufbaus, der insbesondere die vorstehend genannten Vorzüge aufweist.A method variant in which a further epitaxial layer is applied to the semiconductor substrate is particularly advantageous. The two epitaxial layers are preferably applied successively and one above the other to the semiconductor substrate. It is also favorable if the two epitaxial layers are essentially the same basic doo exhibit. The ion implantation of the channel conduction area takes place after completion of the epitaxial process steps for the application of the two epitaxial layers. This method enables high-yield production of a semiconductor structure intended for current control, which in particular has the advantages mentioned above.
Bevorzugte, jedoch keinesfalls einschränkende Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nunmehr anhand der Zeichnung näher erläutert. Zur Verdeutlichung ist die Zeichnung nicht maßstäblich ausgeführt, und gewisse Aspekte sind schematisiert dargestellt. Im Einzelnen zeigen:Preferred, but in no way limiting, exemplary embodiments The invention will now be explained in more detail with reference to the drawing. For clarification the drawing is not to scale, and certain aspects are shown schematically. Show in detail:
Einander entsprechende Teile sind
in den
In
Der aktive Teil, in dem die Stromsteuerung im
Wesentlichen stattfindet, ist in einem n-leitenden (Elektronenleitung)
ersten Halbleitergebiet
An der zweiten Oberfläche
Als Halbleitermaterial kommt in dem
Halbleiteraufbau
Vorzugsweise werden das vergrabene
Inselgebiet
Innerhalb der zweiten Epitaxieschicht
Auf einer von der ersten Oberfläche
Seitlich (= lateral) neben dem Kontaktloch
In lateraler Richtung ist das laterale
Kanalgebiet
Die erste Verarmungszone
Typischerweise beträgt die Länge (= laterale Ausdehnung)
des lateralen Kanalgebiets
Das laterale Kanalgebiet
Eine derartige Kanalabschnürung kann
auch erreicht werden, indem eine Steuerspannung an den Halbleiteraufbau
Der Strompfad zwischen der ersten
und der zweiten Elektrode
Bei Anlegen einer Betriebsspannung
in Rückwärtsrichtung
erfolgt der Stromfluss dagegen im Wesentlichen über eine Rückwärtsdiode
Das für die Stromsteuerung maßgebliche
laterale Kanalgebiet
Um diesen Einfluss zu beheben, ist
in der zweiten Epitaxieschicht
Das Kanalleitungsgebiet
Ein weiterer Vorteil des Halbleiteraufbaus
Aufgrund des innenimplantierten Kanalleitungsgebiets
Die Verarmungszone
Weiterhin kann auch wie bei einem
in
Der Halbleiteraufbau
In
Durch das Kanalleitungsgebiet
In
Diese Flächenverhältnisse gehen aus der in
Die vorteilhafte Wirkung des Kanalgebiets
Neben den in den
Günstig
ist weiterhin, dass im Durchlassbetrieb über den Kontakt
Um zu verhindern, dass das p-leitende
Inselgebiet
Die Dotierstoffkonzentration des
Abschirmgebiets
Einen ähnlich positiven Abschirmeffekt
wie das Abschirmgebiet
Die bei allen gezeigten Halbleiteraufbauten
Bei jeder Ausführungsform wirkt sich das Kanalleitungsgebiet
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