DE10051465A1 - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis

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Abstract

Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Mehrzahl von GaN-basierenden Schichten, das vorzugsweise der Strahlungserzeugung dient. Dabei wird eine Mehrzahl GaN-basierender Schichten (4) auf ein Verbundsubstrat aufgebracht, das einen Substratkörper (1) und eine Zwischenschicht (2) aufweist, wobei der thermische Ausdehnungskoeffizient des Substratkörpers (1) ähnlich oder vorzugsweise größer ist als der thermische Ausdehnungskoeffizient der GaN-basierenden Schichten (4) und die GaN-basierenden Schichten (4) auf der Zwischenschicht (2) abgeschieden werden. Bevorzugt ist die Zwischenschicht und der Substratkörper durch ein Waferbonding-Verfahren verbunden.

Description

Die Erfindung, bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis nach dem Oberbe­ griff des Patentanspruchs 1.
Halbleiterbauelemente auf GaN-Basis dienen vorwiegend der Strahlungserzeugung im blaugrünen Spektralbereich und weisen eine Mehrzahl von Schichten auf, die aus einem GaN-basieren­ den Material bestehen. Solche Materialien sind neben GaN selbst von GaN abgeleitete oder mit GaN verwandte Materialien sowie darauf aufbauende ternäre oder quaternäre Mischkri­ stalle. Insbesondere fallen hierunter die Materialien AlN, InN, AlGaN (Al1-xGaxN, 0 ≦ x ≦ 1), InGaN (In1-xGaxN, 0 ≦ x ≦ 1), InAlN (In1-xAlxN, 0 ≦ x ≦ 1) und AlInGaN (Al1-x-yInxGayN, 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1). Die Bezeichnung "GaN-basierend" bezieht sich im folgenden ne­ ben GaN selbst auf diese Materialsysteme.
Zur Herstellung von GaN-basierenden Halbleiterbauelementen werden üblicherweise Epitaxieverfahren herangezogen. Die Aus­ wahl des Epitaxiesubstrats ist dabei sowohl für den Herstel­ lungsprozeß wie auch die Funktion des Bauelements von ent­ scheidender Bedeutung.
Häufig werden hierfür Saphir- oder SiC-Substrate verwendet, die jedoch beide gewisse Nachteile mit sich bringen. So ist beispielsweise die Gitterfehlanpassung bei Saphir bezüglich GaN-basierenden Schichten vergleichsweise groß.
SiC-Substrate weisen diesbezüglich eine bessere Gitteranpas­ sung an GaN-basierende Materialien auf. Allerdings ist die Herstellung von SiC-Substraten mit ausreichender Kristallqua­ lität mit sehr hohen Kosten verbunden. Zudem ist die Ausbeute an GaN-basierenden Halbleiterbauelementen vergleichsweise gering, da die Größe von SiC-Wafern auf Durchmesser begrenzt ist, die typischerweise deutlich unter 150 mm liegen.
Aus der Patentschrift US 5,786,606 ist ein Herstellungsver­ fahren für strahlungsemittierende Halbleiterbauelemente auf GaN-Basis bekannt, bei dem auf einem SIMOX-Substrat (Separa­ tion by IMplantation of OXygen) oder einem SOI-Substrat (Si­ licon On Isolator) zunächst eine SiC-Schicht epitaktisch auf­ gewachsen wird. Auf dieser SiC-Schicht wird danach eine Mehr­ zahl von GaN-basierenden Schichten abgeschieden.
Durch die SiC-Schicht wird jedoch die Strahlungsausbeute des Bauelements reduziert, da in der SiC-Schicht ein Teil der er­ zeugten Strahlung absorbiert wird. Weiterhin erfordert auch die epitaktische Ausbildung einer SiC-Schicht mit ausreichen­ der Kristallqualität einen hohen Herstellungsaufwand.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein technisch ein­ faches und kostengünstiges Herstellungsverfahren für GaN-ba­ sierende Halbleiterbauelemente anzugeben. Weiterhin ist es Aufgabe der Erfindung, ein Herstellungsverfahren für Halblei­ terbauelemente mit einer erhöhten Strahlungsausbeute zu ent­ wickeln.
Diese Aufgabe wird durch ein Herstellungsverfahren nach Pa­ tentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Er­ findung sind Gegenstand der Unteransprüche 2 bis 22.
Bei dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren wird eine Mehrzahl von GaN-basierenden Schichten epitaktisch auf ein Verbundsubstrat aufgebracht, das einen Substratkörper und eine Zwischenschicht aufweist, wobei der thermische Ausdeh­ nungskoeffizient des Substratkörpers ähnlich oder größer ist als der thermische Ausdehnungskoeffizient der GaN-basierenden Schichten. Unter einem Verbundsubstrat ist hierbei ein Sub­ strat zu verstehen, das mindestens zwei Bereiche, den Sub­ stratkörper und die Zwischenschicht, enthält und als solches das Ausgangssubstrat für das Epitaxieverfahren darstellt. Insbesondere ist die Zwischenschicht nicht epitaktisch auf den Substratkörper aufgebracht, sondern vorzugsweise durch ein Waferbonding-Verfahren.
Bei einem solchen Verbundsubstrat sind die thermischen Eigen­ schaften vor allem durch den Substratkörper bestimmt, während davon weitgehend unabhängig die Epitaxieoberfläche und insbe­ sondere deren Gitterkonstante durch die Zwischenschicht fest­ gelegt ist. Somit kann mit Vorteil die Zwischenschicht opti­ mal an die Gitterkonstante der aufzubringenden Schichten an­ gepaßt werden. Zugleich wird durch die Verwendung eines Sub­ stratkörpers mit einem ausreichend hohen thermischen Ausdeh­ nungskoeffizienten verhindert, daß nach der Aufbringung der GaN-basierenden Schichten diese in der Abkühlphase zugver­ spannt werden und sich dadurch Risse in den Schichten bilden. Vorzugsweise wird daher die Zwischenschicht so dünn ausgebil­ det, daß der thermische Ausdehnungskoeffizient des gesamten Verbundsubstrats im wesentlichen dem Ausdehnungskoeffizienten des Substratkörpers entspricht. Typischerweise ist dabei der Substratkörper mindestens zwanzigmal dicker als die Zwischen­ schicht.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung enthält der Substratkörper SiC, vorzugsweise polykristallin (Poly- SiC), Saphir, GaN oder AlN. Der thermische Ausdehnungskoeffi­ zient von SiC ist ähnlich dem Ausdehnungskoeffizienten von GaN-basierenden Materialien, die übrigen genannten Materia­ lien weisen einen größeren thermischen Ausdehnungskoeffizien­ ten als GaN-basierende Materialien auf. Damit wird mit Vor­ teil eine Rissbildung bei der Abkühlung der epitaktisch auf­ gebrachten Schichten vermieden.
Bei einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung enthält die Zwischenschicht SiC, Silizium, Saphir, MgO, GaN oder AlGaN. Diese Materialien eignen sich insbesondere zur Ausbildung ei­ ner im wesentlichen monokristallinen Oberfläche mit einer an GaN angepaßten Gitterkonstante. Bevorzugt wird als Epitaxie­ oberfläche eine Si(111)-Oberfläche oder eine monokristalline SiC-Oberfläche verwendet, auf der die GaN-basierenden Schich­ ten aufgewachsen werden.
Bei einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung werden die GaN-basierenden Schichten auf einem Verbundsubstrat abge­ schieden, bei dem die Zwischenschicht durch ein Waferbonding- Verfahren auf den Substratkörper aufgebracht ist. Vorzugs­ weise wird zwischen Substratkörper und Zwischenschicht eine Haftschicht, beispielsweise aus Siliziumoxid, ausgebildet.
Mit Waferbonding-Verfahren kann mit Vorteil eine Vielzahl von Materialsystemen kombiniert werden, ohne durch Materialunver­ träglichkeiten, wie sie beispielsweise beim epitaktischen Aufbringen einer Zwischenschicht auf einen Substratkörper auftreten, limitiert zu sein.
Um eine ausreichend dünne Zwischenschicht zu erhalten, kann dabei auch zunächst eine dickere Zwischenschicht auf den Sub­ stratkörper aufgebondet werden, die dann, beispielsweise durch Schleifen oder Spalten, auf die erforderliche Dicke ab­ gedünnt wird.
Bei einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung wird vor der Abscheidung der GaN-basierenden Schichten auf dem Ver­ bundsubstrat eine Maskenschicht ausgebildet, so daß nur auf den von der Maske unbedeckten Bereichen der Epitaxieoberflä­ che die GaN-basierenden Schichten aufwachsen. Dadurch werden mit Vorteil die GaN-basierenden Schichten in der Schichtebene unterbrochen und so ein zusätzlicher Schutz gegen Zugverspan­ nung und die damit einhergehende Rissbildung erreicht.
Eine weiter bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, die GaN-basierenden Schichten nach der Abscheidung auf dem Verbundsubstrat in einzelne Halbleiterschichtstapel zu strukturieren. Danach wird auf die GaN-basierenden Halbleiterschichtstapel ein Träger aufgebracht und das Verbundsub­ strat abgelöst. Das Verbundsubstrat kann so zumindest zu Tei­ len wiederverwendet werden. Dies stellt einen besonderen Vor­ teil bei SiC-Substratkörpern dar, deren Herstellung mit sehr hohen Kosten verbunden ist. Weiterhin wird auf diese Art und Weise ein Dünnschichtbauelement hergestellt. Unter einem Dünnschichtbauelement ist dabei ein Bauelement zu verstehen, das kein Epitaxiesubstrat enthält.
Im Falle von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen wird so eine Erhöhung der Strahlungsausbeute erzielt, da eine Absorption der erzeugten Strahlung im Epitaxiesubstrat, wie sie insbesondere bei SiC-Substraten auftritt, vermieden wird.
Das eben beschriebene sogenannte Umbonden der Halbleiter­ schichtstapel von dem Verbundsubstrat auf einen Träger kann bei der Erfindung auch in zwei Schritten erfolgen, wobei die GaN-basierenden Halbleiterschichtstapel zunächst auf einen Zwischenträger und dann auf den eigentlichen Träger gebondet werden, so daß abschließend der eigentliche Träger an die Stelle des Verbundsubstrats tritt. Mit Vorteil weisen so her­ gestellte Halbleiterschichtstapel eine entsprechende Schich­ tenfolge wie GaN-basierendes Halbleiterkörper mit Epitaxie­ substrat nach dem Stand der Technik auf, so daß für beide Schichtstapel dieselben nachfolgenden Verarbeitungsschritte wie beispielsweise Vereinzeln, Kontaktieren und Einbau in ein Gehäuse herangezogen werden können.
Bei einer besonders bevorzugten Weiterbildung des Herstel­ lungsverfahrens für strahlungsemittierende Halbleiterkörper auf GaN-Basis wird auf dem Halbleiterschichtstapel zur Stei­ gerung der Strahlungsausbeute eine Reflektorschicht ausgebil­ det. Die Strahlungsausbeute bei GaN-basierenden Halbleiter­ bauelementen wird aufgrund des hohen Brechungsindex von GaN- basierenden Materialien zum Großteil durch Reflexion an den Grenzflächen des Halbleiterkörpers begrenzt. Bei strahlungs­ emittierenden Halbleiterkörpern ohne absorbierendem Substrat können mit Vorteil durch eine Reflektorschicht die an der Auskoppelfläche reflektierten Strahlungsanteile wiederum auf die Auskoppelfläche zurückgerichtet werden. Damit wird die Strahlungsausbeute weiter erhöht.
Vorzugsweise wird die Reflektorschicht als Metallschicht, die beispielsweise Aluminium, Silber oder eine entsprechende Alu­ minium- oder Silberlegierung enthält, ausgebildet.
Mit Vorteil kann eine solche Metallschicht zugleich als Kon­ taktfläche verwendet werden. Alternativ kann die Reflektor­ schicht auch durch eine dielektrische Verspiegelung in Form einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten ausgebildet wer­ den.
Bei einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung wird zu­ mindest eine Teil der Oberfläche des Halbleiterschichtstapels aufgerauht. Dadurch wird eine Totalreflexion an der Oberflä­ che gestört und so eine Erhöhung der Strahlungsausbeute er­ zielt. Vorzugsweise erfolgt die Aufrauhung durch Ätzen oder ein Sandstrahlverfahren.
Weitere Merkmale, Vorteile und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von drei Aus­ führungsbeispielen in Verbindung mit den Fig. 1 bis 3.
Es zeigen
Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung eines ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Her­ stellungsverfahrens,
Fig. 2 eine schematische Schnittdarstellung eines zweiten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Her­ stellungsverfahrens und
Fig. 3 eine schematische Schnittdarstellung eines dritten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Her­ stellungsverfahrens.
Gleiche oder gleich wirkende Elemente sind hierbei mit den­ selben Bezugs eichen versehen.
Bei dem in Fig. 1 dargestellten Herstellungsverfahren wird ein Verbundsubstrat mit einem Substratkörper 1 aus Poly-SiC verwendet, auf den in bekannter Weise eine monokristalline SiC-Zwischenschicht 2 aufgebondet ist. Hierzu ist zwischen dem Substratkörper 1 und der Zwischenschicht 2 eine Haft­ schicht 3, beispielsweise aus Siliziumoxid, ausgebildet, Fig. 1a.
Auf dieses Verbundsubstrat wird epitaktisch eine Mehrzahl von GaN-basierenden Schichten 4 aufgewachsen, Fig. 1b. Die Struktur der Schichtenfolge ist keinen prinzipiellen Be­ schränkungen unterworfen.
Vorzugsweise wird hierbei eine aktive, der Strahlungserzeu­ gung dienende Schicht ausgebildet, die von einer oder mehre­ ren Mantelschichten und/oder Wellenleiterschichten umgeben ist.
Die aktive Schicht kann dabei durch eine Mehrzahl von dünnen Einzelschichten in Form einer Einfach- oder Mehrfachquanten­ topfstruktur ausgebildet sein.
Weiterhin ist es vorteilhaft, auf der Zwischenschicht 2 zu­ nächst eine Pufferschicht, beispielsweise auf AlGaN-Basis, auszubilden, durch die eine verbesserte Gitteranpassung und eine höhere Benetzbarkeit hinsichtlich der folgenden Schich­ ten erreicht werden kann. Um die elektrische Leitfähigkeit einer solchen Pufferschicht zu erhöhen, können in die Puffer­ schicht elektrisch leitfähige Kanäle, beispielsweise auf InGaN-Basis, eingeschlossen werden.
Anschließend werden die GaN-basierenden Schichten 4 durch eine laterale Strukturierung, vorzugsweise durch eine Mesa- Ätzung, in einzelne Halbleiterschichtstapel 5 unterteilt, Fig. 1c.
Auf diese Halbleiterschichtstapel 5 wird im nächsten Schritt, Fig. 1d, ein Träger 6, beispielsweise aus GaAs oder einem für die erzeugte Strahlung durchlässigen Material, aufge­ bracht.
Daraufhin wird das Verbundsubstrat einschließlich der Zwi­ schenschicht 2 von den Halbleiterschichtstapeln 5 abgelöst, Fig. 1e. Dies kann beispielsweise durch ein Ätzverfahren er­ folgen, bei dem die Zwischenschicht 2 oder die Haftschicht 3 zerstört wird. Mit Vorteil kann der Substratkörper 1 in einem weiteren Herstellungszyklus wiederverwendet werden.
Nachfolgend werden auf die so gebildeten Dünnschichthalblei­ terkörper 5 Kontaktflächen 10 aufgebracht, Fig. 1f. Ab­ schließend werden die Halbleiterschichtstapel 5 vereinzelt, Fig. 1g, und in üblicher Weise weiterverarbeitet.
Bei dem in Fig. 2 dargestellten Herstellungsverfahren wird wiederum ein Verbundsubstrat verwendet, das im wesentlichen von einem Poly-SiC-Substratkörper 1 und einer Si(111)-Zwi­ schenschicht 2 gebildet wird. Die Zwischenschicht 2 ist mit Hilfe eines Waferbonding-Verfahrens auf den Substratkörper 1 unter Ausbildung einer Siliziumoxid-Haftschicht 3 aufge­ bracht, Fig. 2a.
Auf dieses Verbundsubstrat wird wiederum eine Mehrzahl von GaN-basierenden Schichten aufgewachsen, Fig. 2b, die ab­ schließend mit einer Kontaktschicht 8, beispielsweise aus Platin, versehen wird, Fig. 2c.
Nachfolgend werden die GaN-basierenden Schichten 4 durch eine Ätzstrukturierung in einzelne Halbleiterschichtstapel 5 un­ terteilt, Fig. 2d.
Auf diese so gebildeten Halbleiterschichtstapel 5 wird zum Schutz eine Passivierungsschicht 11, vorzugsweise auf Sili­ ziumnitrid-Basis, aufgebracht, Fig. 2e.
Auf den nicht von der Passivierungsschicht bedeckten Berei­ chen der Kontaktschicht 8 wird nun jeweils ein Bondlot 12 und darauf ein Reflektor 9 aus einer Silber- oder Aluminiumlegie­ rung abgeschieden, Fig. 2f.
Anschließend werden die Halbleiterschichtstapel 5 mit dem Re­ flektor 9 eutektisch auf einen Träger 6 umgebondet, Fig. 2g.
Im nachfolgenden Schritt, Fig. 2h, wird der Substratkörper 1 entfernt und kann so wiederverwendet werden.
Abschließend werden die einzelnen Halbleiterschichtstapel oberseitig mit Kontaktflächen 10 versehen, Fig. 21. Nachfol­ gend können die Halbleiterschichtstapel vereinzelt und gege­ benenfalls in ein Gehäuse eingebaut werden (nicht darge­ stellt).
Das in Fig. 3 dargestellt Ausführungsbeispiel eines erfin­ dungsgemäßen Herstellungsverfahrens stellt eine Variante der vorigen Ausführungsbeispiele dar.
Wiederum wird, wie bereits beschrieben, als Epitaxiesubstrat ein Verbundsubstrat verwendet, Fig. 3a.
Vor der Abscheidung der GaN-basierenden Schichten 4 wird auf die Epitaxieoberfläche der Zwischenschicht 2 eine Masken­ schicht 7 aufgebracht, Fig. 3b. Die GaN-basierenden Schich­ ten 4 wachsen so nur auf den Bereichen der Epitaxieoberfläche auf, die von der Maskenschicht 7 nicht bedeckt sind (Epitaxiefenster), Fig. 3c. Dadurch werden die GaN-basierenden Schichten 4 in Richtung der Schichtebene unterbrochen. So wird zusätzlich eine Zugverspannung in den eptiaktisch abge­ schiedenen Schichten in der Abkühlphase vermieden.
Nachfolgend kann das Herstellungsverfahren wie in den anderen Ausführungsbeispielen fortgesetzt werden.
Die Erläuterung der Erfindung anhand der beschriebenen Aus­ führungsbeispiele ist selbstverständlich nicht als Beschrän­ kung der Erfindung hierauf zu verstehen, sondern umfaßt alle Ausführungsformen, die von dem erfinderischen Gedanken Ge­ brauch machen.

Claims (22)

1. verfahren zum epitaktischen Herstellen eines Halbleiter­ bauelements mit einer Mehrzahl von GaN-basierenden Schichten (4), dadurch, gekennzeichnet, daß die GaN-basierenden Schichten (4) auf ein Verbundsubstrat aufgebracht werden, das einen Substratkörper (1) und eine Zwischenschicht (2) aufweist, wobei der thermische Ausdeh­ nungskoeffizient des Substratkörpers (1) ähnlich oder vor­ zugsweise größer ist als der thermische Ausdehnungskoeffizi­ ent der GaN-basierenden Schichten (4) und die GaN-basierenen Schichten (4) auf der Zwischenschicht (2) abgeschieden wer­ den.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Zwischenschicht (2) so gering ist, daß der thermische Ausdehnungskoeffizient des Verbundsubstrats im we­ sentlichen durch den Substratkörper (1) bestimmt ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Substratkörper (1) SiC, Poly-SiC, Saphir, GaN oder AlN enthält.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (2) SiC, Silizium, Saphir, MgO, GaN oder AlGaN enthält.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (2) zumindest in Teilbereichen eine mono­ kristalline Oberfläche aufweist.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die GaN-basierenden Schichten (4) auf einer Si(111)-Oberflä­ che oder einer zumindest in Teilbereichen monokristallinen SiC-Oberfläche der Zwischenschicht (2) abgeschieden werden.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (2) durch ein Waferbonding-Verfahren auf den Substratkörper (1) aufgebracht ist.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Substratkörper (1) und Zwischenschicht (2) eine Haftschicht (3) ausgebildet ist.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Haftschicht (3) Siliziumoxid enthält.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen der GaN-basierenden Schichten auf dem Ver­ bundsubstrat eine Maskenschicht (7) mit Epitaxiefenstern aus­ gebildet wird, wobei die Epitaxieoberfläche des Verbundsub­ strats innerhalb der Epitaxiefenster unbedeckt bleibt.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die GaN-basierenden Schichten (4) nach der Aufbringung auf das Verbundsubstrat in einzelne Halbleiterschichtstapel (5) strukturiert werden.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren fortgesetzt wird mit den Schritten:
  • - Aufbringen eines Trägers (6) auf die Halbleiterschicht­ stapel (5),
  • - Ablösen des Verbundsubstrats.
13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch, gekennzeichnet, daß das Verfahren fortgesetzt wird mit den Schritten:
  • - Aufbringen eines Zwischenträgers auf die Halbleiter­ schichtstapel (5),
  • - Ablösen des Verbundsubstrats,
  • - Aufbringen eines Trägers (6) auf der Seite der Halblei­ terschichtstapel (5), von der das Verbundsubstrat abge­ löst wurde,
  • - Ablösen des Zwischenträgers.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13 dadurch gekennzeichnet, daß auf den Halbleiterschichtstapeln (5) eine Reflektorschicht (9) ausgebildet wird.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflektorschicht (9) durch Aufbringen einer Metallschicht gebildet wird.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht Silber, Aluminium oder eine Silber- oder Aluminiumlegierung enthält.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflektorschicht (9) zugleich als Kontaktfläche dient.
18. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflektorschicht (9) durch eine dielektrische Verspiege­ lung gebildet wird.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der Halbleiterschichtstapel (5) zumindest be­ reichsweise aufgerauht wird.
20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der Halbleiterschichtstapel (5) durch Ätzen aufgerauht wird.
21. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der Halbleiterschichtstapel (5) durch ein Sandstrahlverfahren aufgerauht wird.
22. Verwendung eines Verbundsubstrats mit einem Substratkör­ per (1) und einer Zwischenschicht (2) zur epitaktischen Her­ stellung eines Halbleiterbauelements mit einer Mehrzahl GaN- basierender Schichten (4), dadurch gekennzeichnet, daß der Substratkörper (1) und die Zwischenschicht (2) durch ein Waferbonding-Verfahren verbunden werden.
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