CN1930630A - 改进的磁性切换 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有改进的切换特性的磁阻设备和操作方法。通过磁阻片的各片端的局部磁性方向朝着对准该片的难磁化轴的平行旋转，促进该片的磁性层的磁性方向的切换。因此，在一个实施例，通过例如改变片形状或者进行掺杂来扩大各片端的难磁化轴磁容量，以支持难磁化轴磁化。还提供一种方法，该方法施加难磁化轴磁场到各片端以用于启动切换，以及施加易磁化轴磁场以用于完成切换。

Description

改进的磁性切换
政府权利：
美国政府已经根据DTRA授予的合同No.DTRA01-00-C-0002而获得本发明的某些权利。
技术领域
本发明总体涉及磁存储器，更具体而言，涉及磁阻存储器元件。
背景技术
巨磁阻(GMR)效应的发现已经导致大量基于自旋的电子装置的发展。在由铁磁层和非磁性层交替配置而成的某些薄膜装置中观测到该GMR效应。在典型的装置中，铁磁层的磁性方向的相对指向限定该装置的二元状态。当铁磁层的磁性方向为平行指向时，该装置两端的电阻通常最低，而当磁性方向为反平行指向时，该装置的电阻最高。
一种GMR装置通常被称为“自旋阀(spin valve)”。包括自旋阀的GMR装置能够被用作磁性随机存取存储器(MRAM)装置中的数据存储元件。关于这一点，GMR装置的示例性MRAM应用在以下美国专利中得以描述：No.6,147,922；6,175,525；6,178,111；以及6,493,258。所有这些专利文献在此被引用以作为参考。
自旋阀通常包括两个铁磁层，这两个铁磁层由非磁性金属(通常为铜)的薄层隔开，该自旋阀还包括反铁磁层，该反铁磁层“钉牢(pin)”其中一个铁磁层的磁化方向。图1a从侧面示出(以简化形式)典型的自旋阀10中的各层。如图1a所示，自旋阀10包括由非磁性层16隔开的铁磁层12和14。在一种典型结构中，其中一个磁性层被配置成固定层14。固定层14邻近反铁磁层18，以使得固定层14的磁化方向被“钉牢”的特定指向。固定层14中的箭头表示示例性钉牢指向，但是该指向通常还可以被钉牢到另一方向。因此，当操作磁场被施加到自旋阀10时，固定层14的磁化方向保持相对固定。第二磁性层12被称为自由层12。和固定层14相反，自由层12的磁化方向可以在平行和反平行指向之间进行自由切换，如自由层12中的双箭头符号所示。通过施加合适的磁场到自旋阀10，自由层12的磁化方向能够被反转，而固定层14的磁化方向仍然保持不变。然而，需要一种更具鲁棒性的装置来用于反转铁磁层(12和14)的磁化方向。
图1b示出图1a的自旋阀10的三维视图。如图所示，自旋阀10具有难磁化轴(短轴)和易磁化轴(长轴)。通常，自由层12和固定层14的磁化方向基本上平行于易磁化轴。
图1c示出现有技术中的磁阻片(magnetoresistive bit)20的顶视图，其基本上类似于图1a和1b的自旋阀。该片20具有由拉长主体26互连的第一片端22和第二片端24。如图所示，片端(22和24)成锥形。片20的磁性层的磁化方向28如图所示指向第二片端24并且平行于片20的易磁化轴。难磁化轴如图所示垂直于易磁化轴。该磁化方向28表示该片的逻辑状态。因此，指向第二片端24的磁化方向28可以表示第一逻辑状态。相反，该磁化方向28也可以被反转为沿易磁化轴指向第一片端22，因此表示第二逻辑状态。片端22和24沿易磁化轴成锥形。在一种典型结构中，片20沿难磁化轴和易磁化轴对称。
发明内容
研究表明，磁阻片的逻辑状态的切换(反转)至少由每个片端上的局部磁化方向部分地驱动。利用这个发现，提出一种具有改进的切换特性的磁阻设备和操作方法。
根据本发明的一个方面，磁阻片具有改进的切换性能。该片包括夹在两个磁性层之间的非磁性层。每个磁性层具有第一片端和第二片端，以及连接这两个片端的拉长主体。所述片端均具有用于支持难磁化轴端磁化的扩大的磁容量，以用于驱动切换处理。类似地，所述拉长主体被配置成沿着所述片的易磁化轴支持体磁化，以便存储该片的二元状态。该扩大的磁容量例如可以通过“C形”、“S形”或者“I形”片结构来实现。此外，扩大的磁容量可以通过沿着所述片的难磁化轴从每个片端延伸出去的锥形突起来产生。扩大的磁容量也可以通过磁性硬化所述片端来实现。另一个实施例还包括沿着每个片端的扩大的表面积。
根据本发明的另一个方面，还提出一种用于切换平面内电流磁阻片的逻辑状态的方法。该方法包括施加三个磁场到该片。第一磁场沿着该片的第一端的难磁化轴施加，其中第一端具有用于支持难磁化轴磁化的扩大的磁容量。第二磁场沿着该片的第二端的难磁化轴施加，其中第二端具有用于支持难磁化轴磁化的扩大的磁容量。第三磁场被施加到该片的主体，其中该主体被配置成支持易磁化轴磁化。在一个实施例中，施加第一和第二磁场是为了确保第一和第二片端都具有难磁化轴磁化。例如可以通过使得电流通过设置在该片附近的导线来施加第一和第二磁场。另一个实施例还包括去除该第三磁场，并且在去除第三磁场之后，沿着易磁化轴保持主体磁化方向。该主体磁化方向表示该片的逻辑状态。
在本发明的另一个方面中，提供一种磁阻单元，其包括磁阻片、字线以及感测线。该片还包括中间夹有非磁性层的第一磁性层和第二磁性层。每个磁性层都具有一对片端，所述片端具有沿着该片的难磁化轴的扩大的可磁化性，并且每个层都具有沿着该片的易磁化轴的中心磁化方向。所述字线设置在该片附近，用于施加第一磁场到该片。所述感测线电连接到该片，以用于将读取电流传送到该片以确定该片的逻辑状态。此外，该感测线可以施加第二磁场到该片。在另一个实施例中，第一磁性层的中心磁化方向被固定，而第二磁性层的中心磁化方向可以响应于施加到该片的磁场而自由旋转其方向。
另一个方面还提供了一种磁阻装置，其包括磁阻片，该磁阻片在两个片端处均具有扩大的难磁化轴磁化容量，以用于支持启动状态切换处理。
附图说明
图1a是现有技术的自旋阀的各层的示意图。
图1b是现有技术的自旋阀的三维视图。
图1c是现有技术的磁阻片的顶视图。
图2是磁性层中的磁性切换处理的顺序图。
图3是在每个片端中均具有扩大的磁容量的磁阻片的一个实施例的顶视图。
图4是在每个片端中均具有扩大的磁容量的磁阻片的另一个实施例的顶视图。
图5是在每个片端中均具有扩大的磁容量的磁阻片的又一个实施例的顶视图。
图6是根据一个实施例的磁阻单元的三维视图。
图7是磁性切换方法的流程图。
具体实施方式
1.磁性切换处理
在具有一对磁性层的磁阻片中，该片的逻辑状态可以根据各磁性层的磁化方向来确定。通过切换(或者反转)其中一个磁性层的磁化方向，该逻辑状态可以从第一状态被切换成第二状态。参照图2，一系列框架按照时间顺序记录了磁阻片的磁性层中的磁性切换处理的有限分析。通常来说，该序列示出所述切换处理涉及磁性层内的基本磁化方向的协调旋转(或者逆转)。
首先看框架(a)，如图所示，磁性层202为具有锥形片端(204和206)的拉长元件。为了简便起见，各片端被标记为第一片端204和第二片端206。磁性层202的易磁化轴(长轴)如图所示平行于磁性层202的拉长方向。难磁化轴(短轴)排列在磁性层202的平面内，并且垂直于易磁化轴。在磁性层202内，基本磁化方向如图所示为沿着易磁化轴指向第二片端206的小箭头。该片的各片端和主体之间的磁交换往往会使得磁化变得均匀和单向。(磁化交换是往往在给定方向上磁化原子集合的磁域的铁磁交换。)
概要箭头208示出磁性层202的一般化的磁化方向，其沿着易磁化轴指向第二片端206。如图所示，在框架(a)中的沿着易磁化轴的均匀磁化表示第一逻辑状态。
框架(b)、(c)、(d)和(e)表示在切换处理的各顺序场景中的磁性层202。因此，以平行方式，第一片端204位于每个框架内的磁性层的最左端，而第二片端206位于每个框架内的磁性层的最右端。
跳到框架(e)，即最后一个框架，基本磁化方向如图所示沿着易磁化轴指向第一片端204。框架(e)的概要箭头236示出一般化的磁化方向，其指向框架(a)的概要箭头208的相反方向。如图所示，在框架(e)中沿着易磁化轴的均匀磁化表示第二逻辑状态。因此，切换处理的目的在于将磁性层202的逻辑状态从第一逻辑状态切换成第二逻辑状态。框架(b)、(c)和(d)给出了切换处理的其它细节。
在框架(b)中，由磁性层中的小箭头示出的基本磁化方向不再沿整个磁性层均匀分布。具体来说，片端处的基本磁化方向已经开始向着难磁化轴顺时针旋转。然而，磁性层的拉长部分中的基本磁化方向继续指向第二片端206。框架(b)的概要箭头(210、212和214)反映基本磁化的情况。在框架(b)中可以看到，该切换处理在各片端(204和206)中启动。
在框架(c)中，基本磁化方向显示出进一步的旋转。框架(c)的概要箭头(216-224)反映基本磁化方向的旋转。片端概要箭头(216和218)表示片端(204和206)处的基本磁化方向的进一步旋转。磁性层的拉长部分的中心已经开始顺时针旋转，如中心概要箭头220所示。边缘概要箭头(222和224)显示出很小的旋转，并且表示沿着拉长部分的边缘的基本磁化方向继续基本上指向第二片端206。
在框架(d)中，片端概要箭头(226和228)表示各片端(204和206)中的基本磁化方向的继续旋转。拉长部分的中心继续旋转，如概要箭头230所示。边缘概要箭头(232和234)表示沿着边缘的基本磁化方向已经开始真正的旋转。
最后，框架(e)示出整个磁性层的基本磁化方向的完整旋转和均匀性重组。图2从整体上示出磁性层的磁化方向的切换如何在各片端中启动通过该层的中心继续以及完成边缘的反转。
本领域技术人员将会理解，可以任意选择第一和第二逻辑状态。因此，将磁性层从第二逻辑状态切换成第一逻辑状态涉及从第一逻辑状态切换成第二逻辑状态的镜像程序。图2用作切换处理的一个示例，并且不应当被理解为是限制性的。
2.磁阻片体系结构
在一个优选实施例中，所述磁阻片被配置成三层元件，在两个磁性层之间夹有非磁性层(例如铜)。每个磁性层设置有拉长主体，该拉长主体互连第一片端和第二片端。每个片端均具有扩大的磁容量，以便支持沿着该片的难磁化轴的磁化，其中各片端处的难磁化轴磁化有助于改进该片的磁性切换特性。该拉长主体被配置成支持沿着该片的易磁化轴进行的磁化，以便存储该片的逻辑状态。
参照图3，其中示出磁阻片300的一个实施例的顶视图。第一片端302和第二片端304由拉长主体306互连。该磁阻片300如图所示具有沿着易磁化轴的“C形””不对称性。设计该形状是为了增加每个片端(302和304)处的难磁化轴磁容量。概要箭头(308、310以及312)表示该片300中的各基本磁化方向，并且大致与图2的框架(d)相关。
在一个实施例中，扩大的难磁化轴磁容量可以改进从框架(a)到框架(b)以及从框架(b)到框架(c)的过渡。在典型的磁阻片中，拉长主体312的磁化沿着易磁化轴方向，并且在各片端处产生去磁场。在另一个实施例中，各片端的扩大的难磁化轴磁容量被配置成克服该去磁场。
每个片端(302和304)还示出沿着难磁化轴延伸的锥形突起。该突起有助于增加片端磁容量，并且可以用于除了“C形”之外的其它片形状。
参照图4，其中示出根据一个实施例的对称磁阻片400的顶视图。片端402和404均具有扩大的磁容量，并且两个端部由主体406互连。因为其形状，片端402和404被称为“I形”结构。(该片400的形状大致类似于I形束(I-beam)。)片端402和404具有扩大的端表面积。在另一个实施例中，各片端的表面积可以相对于片端体积而被最大化。该最大化确保了由磁化感应的磁表面电荷相对于磁容量的最大分布。在一个实施例中，片端402和404的扩大的磁容量通过沿着每个片端的扩大的表面积来实现。
参照图5，其中示出根据一个实施例的“S形”磁阻片500的顶视图。每个片端(502和504)都具有沿着该片500的难磁化轴的扩大的磁容量。拉长主体506互连片端502和504。该实施例所示例性示出的片沿着该片的难磁化轴和易磁化轴都不对称。
这里特别公开的多种片形状应当被视为阐述性而非限制性的。对于本领域技术人员来说，很明显还可以采用其他的片形状，不论是对称的还是不对称的，其都可以用于在片端处扩大难磁化轴磁容量。此外，所示出的这些形状的变型也是可以采用的。例如，根据具体的设计目标和约束条件，可以改变曲率角度和不对称程度。可以采用在难磁化轴的方向上增大片端磁容量的其他结构。
在另一个实施例中，各片端被磁性硬化或者被掺杂，以便扩大片端的磁化容量。可以对几个到几百个单层进行硬化。在一个实施例中，大约0.5纳米至500纳米之间的厚度被硬化。更典型的是，在片端处的大约50纳米至100纳米之间的硬化厚度被硬化。
在一个示例性实施例中，尽管扩大了难磁化轴磁容量，但是各片端的磁化方向不稳定。因此，如图2的各框架所示，在难磁化轴方向上的片端的平行磁化仅仅出现在切换处理期间，但是在框架(a)和(e)所示的逻辑状态中却都不明显。
3.磁阻单元体系结构
图6示出一个示例性平面内电流(CIP)磁阻(MR)装置的等角图。在该实施例中，MR元件602被示为三层元件，其在两个铁磁层之间夹有非磁性层。该MR元件具有难磁化轴(短轴)和易磁化轴(长轴)。可以看到，MR元件602具有扩大的片端和拉长主体。字线604被设置在MR元件602附近。如图所示，字线604平行于难磁化轴。绝缘体(未示出)将字线604与MR元件602隔开。位线610被设置在MR元件602附近。位线610与MR元件602绝缘。如图所示，位线610沿着易磁化轴并且垂直于字线604。第一感测线612和第二感测线614邻接MR元件602。通常来说，两条感测线612和614电连接到MR元件602的非磁性层的相对边缘。两条感测线612和614还被称为单感测线。
将字线604和位线610设置成使得通过其中之一(或者两者)的电流产生作用到MR元件602上的磁场。根据基本物理原理的“右手法则”，由通过一条线的电流产生的磁场的磁性方向垂直于电流的流向。此外，由通过感测线612和614的电流还可以产生另一个磁场。
将字线604设置成使得通过其中的电流将产生沿着MR元件602的易磁化轴的第一磁场。同样地，将位线610设置成使得通过其中的电流将产生沿着MR元件602的难磁化轴的第二磁场。在一个实施例中，这两个磁场还加性组合以形成作用在MR元件602上的合成磁场。在写入序列期间，产生合成磁场以便反转MR元件602的至少一层的磁化方向。或者，沿着难磁化轴施加的磁场作用在各片端上以便驱动磁性切换处理，而沿着易磁化轴施加的磁场则用于完成该磁性切换处理。
在一个实施例中，将字线604和位线610的结构设置成使得通过单线的电流不会切换MR元件的层的磁化方向。这可以被称为“半选择”系统，其中每条线“半选择”MR元件602以用于写入。当两条“写入”线604和610都提供电流时，则这两个“半选择”加性组合，以便全选择该MR元件。当MR元件因此被选择时，MR元件的层的磁化方向被切换。
在一个优选实施例中，字线604和位线610是平面导线，它们都具有大大超过高度的宽度。字线604和位线610的宽度仅仅被示为示例，每条线可以采用不同宽度，并且还应当根据设计参数(例如所用的MR元件和板尺寸)来调节所述宽度。
在图6中示出MR元件正交于字线604和位线610。该定位不是必需的。在另一个实施例中，例如该MR装置可以旋转30度以获得更好的切换性能。通常，该MR装置可以被配置成旋转任意角度，以便改变读取或者写入特性。
该MR装置被配置成使得在读取序列期间感测电流(is)被从第一感测线612通过MR元件602传递到第二感测线614。该感测电流(is)被用于获得表示该MR元件602两端的电阻的度量。因为该感测电流在MR元件602的各层的平面中流动，所以该装置被称为平面内电流(CIP)装置。
在另一个实施例中，仅仅在读取序列期间施加偏置电流。在这种情况下，写入驱动器不会在偏置驱动器施加电流到字线604的同时施加电流到字线604。
4.切换逻辑状态的方法
磁阻片的逻辑状态可以根据该片的各磁性层的磁化方向来确定。因此，可以通过切换所述磁性层的磁化方向来切换该片的状态。图2示出各片端的磁化方向的旋转导致该片的主体的磁化方向旋转的示例。利用图2所示的序列，图7示出切换磁阻片的磁化方向的改进方法。该方法包括：在步骤702，沿着难磁化轴施加第一磁场到第一片端，其中第一片端具有扩大的难磁化轴磁容量；在步骤704，沿着难磁化轴施加第二磁场到第二片端，其中第二片端具有扩大的难磁化轴磁容量；以及在步骤706，施加第三磁场到该片的主体，其中该主体被配置成支持易磁化轴磁化。
在一个实施例中，第一磁场用于旋转第一片端的磁化方向，以确保第一片端具有沿着难磁化轴的磁化。同样地，第二磁场用于旋转第二片端的磁化方向，以确保第二片端具有沿着难磁化轴的磁化。作为示例，通过图2的框架(b)-(d)的片端概要箭头示出上述内容。在另一个实施例中，通过使电流流过设置在该片附近的导线来施加第一和第二磁场。例如，在图6的实施例中，位线610可以载送电流以便产生第一和第二磁场。
根据本发明的另一个实施例，将所述片端配置成使得在休息状态(没有施加磁场)期间所述片端相对于彼此具有沿着难磁化轴的反平行磁化。在切换期间，例如，作用在各片端上的磁场强制各片端沿着难磁化轴的平行磁化，如图3所示。因此，当施加难磁化轴磁场时，片端状态变成平行，从而易磁化轴磁场现在能够切换该片的磁化方向。当难磁化轴磁场被去除时，各片端再次变成反平行状态。因此，在该实施例中，片端磁化是易失性的。
5.结论
上面已经描述了多个实施例。更一般来说，本领域技术人员将会理解，在不脱离本发明的实质范围和精神的情况下，可以对这些实施例进行改变和变型，本发明的实质范围和精神由权利要求书来限定。因此，例如对于具体厚度、材料和制造方法的参考都仅是阐述性的而非限制性的。装置设计、处理以及测试条件都会影响磁化切换特性，因此应当予以考虑。

Claims (10)

1、一种磁阻(MR)片，包括：
夹在两个磁性层之间的非磁性层，每个磁性层包括：
第一片端，其具有扩大的磁容量，以用于支持沿着该MR片的难磁化轴的第一片端磁化；
第二片端，其具有扩大的磁容量，以用于支持沿着该MR片的难磁化轴的第二片端磁化；以及
拉长主体，其互连第一和第二片端，以用于支持沿着该MR片的易磁化轴的主体磁化。
2、根据权利要求1所述的MR片，其中，第一和第二片端均具有沿着易磁化轴的不对称性。
3、根据权利要求2所述的MR片，其中，所述不对称性是“C形”不对称性。
4、根据权利要求2所述的MR片，其中，所述不对称性是“S形”不对称性。
5、根据权利要求1所述的MR片，其中，第一和第二片端被设置成“I形”结构。
6、根据权利要求1所述的MR片，其中，第一和第二片端的扩大的磁容量是通过沿着难磁化轴从每个片端延伸的锥形突起而产生的。
7、根据权利要求1所述的MR片，其中，每个片端的扩大的磁容量被配置成克服由所述主体磁化感应的去磁场。
8、根据权利要求1所述的MR片，其中，第一和第二片端的扩大的磁容量是通过沿着每个片端的扩大的表面积而实现的。
9、根据权利要求1所述的MR片，其中，第一和第二片端被磁性硬化，以便沿着难磁化轴扩大所述片端的磁化容量。
10、根据权利要求9所述的MR片，其中，所述片端的磁性硬化的部分均具有50至100纳米范围内的厚度。
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US10/754,995 2004-01-10
US10/754,995 US6798690B1 (en) 2004-01-10 2004-01-10 Magnetic switching with expanded hard-axis magnetization volume at magnetoresistive bit ends

Publications (1)

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WO (1) WO2005071689A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023087824A1 (zh) * 2021-11-19 2023-05-25 上海矽睿科技股份有限公司 抗干扰磁场传感器

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004296859A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Renesas Technology Corp 磁気記録素子及び磁気記録素子の製造方法
US6798690B1 (en) * 2004-01-10 2004-09-28 Honeywell International Inc. Magnetic switching with expanded hard-axis magnetization volume at magnetoresistive bit ends
US7123506B2 (en) * 2004-02-13 2006-10-17 Applied Spintronics Technology, Inc. Method and system for performing more consistent switching of magnetic elements in a magnetic memory
US20070019337A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Dmytro Apalkov Magnetic elements having improved switching characteristics and magnetic memory devices using the magnetic elements
US7894249B2 (en) * 2006-02-27 2011-02-22 Nec Corporation Magnetoresistive element and magnetic random access memory
US7715224B2 (en) 2007-04-16 2010-05-11 Magic Technologies, Inc. MRAM with enhanced programming margin
US8154913B2 (en) * 2007-10-25 2012-04-10 Nec Corporation Magnetoresistance effect element and magnetic random access memory
US7885094B2 (en) * 2008-04-25 2011-02-08 Magic Technologies, Inc. MRAM with cross-tie magnetization configuration
US8169816B2 (en) * 2009-09-15 2012-05-01 Magic Technologies, Inc. Fabrication methods of partial cladded write line to enhance write margin for magnetic random access memory
US8422287B2 (en) 2010-09-09 2013-04-16 Magic Technologies, Inc. Pulse field assisted spin momentum transfer MRAM design
KR101946457B1 (ko) * 2012-07-10 2019-02-11 삼성전자주식회사 열적으로 안정한 자기터널접합 셀 및 이를 포함하는 메모리 소자

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03130910A (ja) * 1989-07-10 1991-06-04 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US5756366A (en) 1995-12-21 1998-05-26 Honeywell Inc. Magnetic hardening of bit edges of magnetoresistive RAM
US6269027B1 (en) * 1998-04-14 2001-07-31 Honeywell, Inc. Non-volatile storage latch
US6455177B1 (en) 1999-10-05 2002-09-24 Seagate Technology Llc Stabilization of GMR devices
US6178111B1 (en) * 1999-12-07 2001-01-23 Honeywell Inc. Method and apparatus for writing data states to non-volatile storage devices
US6493258B1 (en) * 2000-07-18 2002-12-10 Micron Technology, Inc. Magneto-resistive memory array
JP3576111B2 (ja) * 2001-03-12 2004-10-13 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子
JP4458703B2 (ja) * 2001-03-16 2010-04-28 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ランダムアクセスメモリ、携帯端末装置、磁気ヘッド及び磁気再生装置
JP4646485B2 (ja) * 2002-06-25 2011-03-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 薄膜磁性体記憶装置
US6798690B1 (en) * 2004-01-10 2004-09-28 Honeywell International Inc. Magnetic switching with expanded hard-axis magnetization volume at magnetoresistive bit ends

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023087824A1 (zh) * 2021-11-19 2023-05-25 上海矽睿科技股份有限公司 抗干扰磁场传感器

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