CN1914746A - 垂直纳米管半导体器件结构及其形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及包括至少一个纳米管的垂直器件结构以及用于通过化学气相沉积制造这样的器件结构的方法。每个纳米管通过利用催化剂垫催化的化学气相沉积生长并被包在电介质材料的涂层内。垂直场效应晶体管可以通过在被包住的纳米管周围形成栅极电极使得被包住的纳米管穿过所述栅极电极的厚度垂直延伸而形成。可以形成电容器，其中被包住的纳米管和支承所述被包住的纳米管的相应催化剂垫形成一个电容器板。

Description

垂直纳米管半导体器件结构及其形成方法
技术领域
本发明涉及半导体器件制造，更特别地，涉及诸如场效应晶体管和电容器的包括纳米管作为器件元件的垂直半导体器件结构以及制造这样的垂直半导体器件结构的方法。
背景技术
传统场效应晶体管(FET)是一般作为基本构件块包括在集成电路(IC)芯片的复杂电路中的常见常规器件。单个IC芯片可包含数千至数百万个FET，以及其它无源部件诸如电阻器和电容器，它们通过导电路径互连。FET通过改变隔开源极和漏极的沟道区中的沟道电阻来运行。载流子与电阻改变成比例地从源极经过沟道流到漏极。在n沟道FET中电子是造成沟道导电的原因，而在p沟道FET中空穴是造成沟道导电的原因。FET的输出电流通过向位于源极和漏极之间的沟道区之上的静电耦合的栅极电极施加电压而改变。薄的栅极电介质使栅极电极与沟道区电绝缘。栅极电压的小的改变能够导致从源极流到漏极的电流的大的变化。
FET可分为水平构造和垂直构造。水平FET表现出沿与其上形成它们的衬底的水平平面平行的方向从源极到漏极的载流子流。垂直FET表现出沿与其上形成它们的衬底的水平平面垂直的方向从源极到漏极的载流子流。由于垂直FET的沟道长度不依赖于光刻设备和方法可解析的最小特征尺寸，所以垂直FET与水平FET相比能够以更短的沟道长度被制造。因此，与水平FET相比，垂直FET可以更快地开关且具有更高的功率处理能力。
碳纳米管是碳原子的纳米级高深宽比(high-aspect-ratio)圆筒，其被建议用于形成混合器件。碳纳米管在其导电态有效地导电并且在其半导体态用作半导体。利用单个半导体碳纳米管作为沟道区并且在位于衬底表面上的金源极电极和金漏极电极之间延伸的碳纳米管的相对两端形成欧姆接触，已经制造了水平FET。栅极电极定义在碳纳米管下面的衬底中并通常在源极和漏极电极之间。衬底的氧化的暴露表面定义掩埋的栅极电极与碳纳米管之间的栅极电介质。由于碳纳米管的小尺寸，与相当的硅基器件结构相比消耗显著更小的功率时，这样的水平FET应当可靠地开关。通过利用原子力显微镜操纵单个碳纳米管或者来自散布的纳米管组的单个纳米管的一致放置，已经在实验室条件下成功地形成了水平FET。然而，形成这样的水平FET器件结构的这些方法不适于批量生产技术。
因此，所需的是与批量生产技术相容的包括一个或更多半导体碳纳米管作为沟道区的垂直FET结构。
发明内容
根据本发明，一种垂直半导体器件结构包括：衬底，定义基本水平的平面；栅极电极，从所述衬底垂直突出；以及至少一个半导体纳米管，其在相对的第一和第二端之间经过所述栅极电极垂直延伸。可以设置在所述至少一个半导体纳米管上的栅极电介质使所述至少一个半导体纳米管与所述栅极电极电绝缘。源极与所述至少一个半导体纳米管的所述第一端电耦接，漏极与所述至少一个半导体纳米管的所述第二端电耦接。
在本发明的另一方面，一种形成半导体器件结构的方法包括：在衬底上形成导电垫，然后生长至少一个半导体纳米管，其在与所述导电垫电耦接的第一端与第二自由端之间从所述导电垫基本垂直地延伸。该方法还包括：用栅极电介质电绝缘所述至少一个半导体纳米管；以及形成栅极电极，其与所述导电垫电绝缘并覆在所述导电垫上面，所述至少一个半导体纳米管穿过所述栅极电极垂直延伸。形成接触，其与所述至少一个半导体纳米管的所述第二端电耦接并与所述栅极电极电绝缘。
每个半导体纳米管定义具有沟道的场效应晶体管的沟道区，所述沟道通过向所述栅极电极施加控制电压而被控制。在本发明的一个示例中，源极与漏极之间沟道区的长度由栅极电极的垂直尺寸或厚度定义，不受形成常规场效应晶体管中的沟道区的半导体器件制造中使用的常规光刻工艺带来的限制。
在本发明的一个优选实施例中，半导体器件结构包括：衬底，定义基本水平的平面；导电的第一板，设置在所述衬底上；以及至少一个纳米管，从所述第一板垂直突出。可具有导电分子结构或半导体分子结构的每个纳米管与所述第一板电耦接。位于所述第一板和所述纳米管垂直上方的是导电的第二板，其通过电介质层与所述第一板和所述碳纳米管电隔离。
在本发明的另一方面，一种形成半导体器件结构的方法包括：在衬底上形成导电的第一板以及生长至少一个纳米管，所述至少一个纳米管与所述第一板电耦接并从所述第一板基本垂直地延伸。该方法还包括用电介质层包住每个纳米管且覆盖所述第一板，以及形成覆在所述第一板上面的第二板，其通过所述电介质层与所述每个纳米管和所述第一板电隔离。
附图说明
包括在本说明书中并作为其一部分的附图示出了本发明的实施例，并与上面给出的本发明的一般说明以及下面给出的实施例的详细描述一起用于说明本发明的原理。
图1是具有垂直生长在构图的导电催化剂垫上的碳纳米管的衬底的一部分的剖视图；
图2是在后续制造阶段与图1类似的剖视图；
图3是在后续制造阶段与图2类似的剖视图；
图4是在后续制造阶段与图3类似的剖视图；
图5是在后续制造阶段与图4类似的剖视图；
图6是在后续制造阶段与图5类似的剖视图；
图7是在后续制造阶段与图6类似的剖视图；
图8是在后续制造阶段与图7类似的剖视图；
图9是根据本发明一供选实施例的在后续制造阶段与图2类似的剖视图；以及
图10是在后续制造阶段与图9类似的剖视图。
具体实施方式
本发明的例子针对垂直场效应晶体管(FET)，其利用碳纳米管作为用于沟道区的半导体材料，当电压施加到静电耦合的栅极电极时，该沟道区提供源极和漏极之间的选择性导电路径。在本发明的一个优选实施例中，源极和漏极之间沟道区的长度由基本等于纳米管长度的栅极电极厚度定义，且不依赖于分辨率受限的光刻工艺。碳纳米管不必被单独操纵以用于源极和漏极之间的放置，器件制造也不依赖于随机散布在器件表面上的一个或更多纳米管的与源极和漏极的一致对齐。
参照图1，适于支持碳纳米管14的生长的催化剂材料的催化剂垫(catalystpad)10在绝缘衬底12的区域上形成为许多垫10的图案的一部分。碳纳米管14取向为从催化剂垫10基本垂直地向上延伸。绝缘衬底12可以形成在由任何合适的半导体材料构成的晶片(未示出)上，所述合适的半导体材料包括但不限于硅(Si)和砷化镓(GaAs)，其上可形成诸如氧化硅的绝缘衬底12。催化剂垫10可以利用任何传统沉积技术通过在绝缘层12上沉积催化剂材料的毯层以及然后采用常见光刻和减蚀刻工艺来构图所述毯层而形成，所述传统沉积技术包括但不限于利用合适的前体例如金属卤化物和羰基金属的化学气相沉积(CVD)、溅镀、以及物理气相沉积(PVD)。催化剂垫10中的催化剂材料是当在适于促进纳米管生长的化学反应条件下暴露于适合的反应物时能够成核且支持碳纳米管14的生长的任何材料。例如，适合的催化剂材料包括但不限于铁、铂、镍、钴、这些金属的每种的化合物、以及这些金属的每种的合金诸如金属硅化物。
通过任何合适的生长或沉积技术，碳纳米管14生长在催化剂垫10上。在本发明的一个实施例中，在适于促进碳纳米管在形成催化剂垫10的催化剂材料上的生长的生长条件下，利用任何合适的气体或蒸发了的含碳反应物通过化学气相沉积(CVD)或等离子体增强CVD生长碳纳米管14，所述反应物包括但不限于一氧化碳(CO)、乙烯(C2H4)、甲烷(CH4)、乙炔(C2H4)、乙炔和氨(NH3)的混合物、乙炔和氮(N2)的混合物、乙炔和氢(H2)的混合物、二甲苯(C6H4(CH3)2)、二甲苯与二茂铁(Fe(C5H5)2)的混合物。含碳反应物和催化剂垫10可被加热至足以促进和/或加速CVD生长的温度。反应物与催化剂垫10的催化剂材料化学反应从而成核碳纳米管14并在成核后维持它们的生长。通过减小用于使形成碳纳米管14的反应发生的活化能(activation energy)，催化剂垫10的催化剂材料参与纳米管生长而其自身没有被发生在其暴露表面的化学反应转变或消耗。
碳纳米管14为由精确布置的包括键接的碳原子构成的六角环的组构成的中空圆筒管。所述圆筒管具有在约0.5nm至约20nm范围内的直径和约0.5nm至约3nm的侧壁厚度。预期碳纳米管14具有每个在自由端或前尖端16与结合端或基部18之间测量的高度或长度的统计分布。碳纳米管14平均上以与催化剂垫10的水平表面垂直或至少近似垂直的取向从催化剂垫10基本垂直地向上延伸。一个或全部碳纳米管14可以从垂直方向稍微倾斜，如这里定义的，且纳米管的取向可以具有平均上基本垂直的统计分布的特征。其它变量中，纳米管密度和相邻碳纳米管14之间的间距将依赖于生长条件。碳纳米管14通常生长在催化剂垫10的暴露表面区域上在基本随机的空间位置。
选择CVD或等离子体增强CVD工艺的生长条件以优选地生长具有半导体电子结构或分子结构的碳纳米管14。供选地，通过例如施加足够高的电流来破坏具有金属性(例如导电的)分子结构的纳米管14，具有半导体分子结构的碳纳米管14可以优选地从包括金属性和半导体分子结构的生长时的纳米管14的随机集合中被选择。共同受让的美国专利No.6423583描述了导电碳纳米管的合成后破坏，在此引用其全部内容作为参考。纳米管14可以由碳以外的材料构成，该材料特征在于带隙(band gap)和半导体特性。
这里使用的术语“水平”定义为平行于绝缘衬底12和下面的晶片的常规平面或表面的平面，与取向无关。术语“垂直”指的是与刚才定义的水平垂直的方向。诸如“上”、“上方”、“下方”、“侧”(如“侧壁”中)、“更高”、“更低”、“之上”、以及“之下”的术语相关于水平平面定义。
参照图2，薄电介质层20保形地沉积在催化剂垫10和绝缘衬底12上。电介质层20可由利用原硅酸四乙酯(TEOS)作为硅前体源通过低压化学气相沉积(LPCVD)沉积的二氧化硅(SiO2)构成。电介质层20还沿着碳纳米管14各自的高度或长度涂覆其每个的外部。很多其它材料可以替代TEOS基氧化物被使用，只要能保证电隔离。碳纳米管14上的涂覆将定义各栅极电介质22，其作为一特征参与场效应晶体管(FET)器件结构的结构，如下所述。
沉积在绝缘衬底12上的导电材料的毯层24填充相邻碳纳米管14之间的未占用空间并覆盖碳纳米管14、绝缘衬底12、以及催化剂垫10。毯层24通过部分电介质层20与绝缘衬底12电隔离。用于毯层24的适合的导电材料包括但不限于掺杂的多晶体硅(多晶硅)和金属例如铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、钼(Mo)、钽(Ta)、钛(Ti)、以及钨(W)。毯层24可以通过任何合适的沉积工艺来沉积，例如通过含金属的前体例如金属卤化物和羰基金属的热分解/热解的CVD、PVD、或溅镀。毯层24的厚度应完全覆盖绝缘体覆盖的碳纳米管14的自由端。每个栅极电介质22从毯层24电隔离相应的碳纳米管14。
参照图3，毯层24的暴露表面26通过化学机械抛光(CMP)或任何其它适合的平坦化技术被抛平。通常，CMP工艺包括抛光垫与毯层24之间引入的浆化学辅助的抛光或机械研磨作用。毯层24的厚度通过将材料去除至一深度而减小，使得显著数量的碳纳米管14的前尖端16与暴露的表面26基本共面并且是对于后续处理是可达到的。
参照图4，毯层24的暴露表面26相对于碳纳米管14被选择性去除从而前尖端16突出在暴露表面26上方。用于使暴露表面26凹进的技术包括反应离子蚀刻(RIE)和利用合适的蚀刻剂溶液的湿法蚀刻。例如，构成毯层24的多晶硅或铝可以利用已知对SiO2为选择性的含氯气体、含溴气体、或其混合物通过RIE被蚀刻。毯层24的剩余厚度确定FET器件结构的沟道长度。
参照图5，凹陷(recess)28形成在毯层24中，其从暴露表面26垂直延伸至电介质层20的深度。凹陷28通过常见的光刻和蚀刻工艺形成，所述工艺构图毯层24从而暴露未遮蔽的区域和遮蔽的区域，所述未遮蔽的区域中凹陷28和用于其它类似器件结构的其它类似凹陷将被形成，然后利用例如NH3通过例如干法蚀刻工艺蚀刻从而去除未遮蔽区域中的导电材料。电介质层20用作蚀刻停止层。毯层24也通过与形成凹陷28的光刻和蚀刻工艺可以相同的常见光刻和蚀刻工艺分区或分开为单独的栅极电极30，所述栅极电极30定义单独的FET器件结构42(图8)的未来位置。出现在毯层24的未遮蔽区域中的任何碳纳米管14通过形成凹陷28的蚀刻工艺被去除或者可以通过能够从凹陷28去除碳纳米管14的任何其它合适工艺消除。本发明预期参照图4和5描述的工艺步骤的顺序可以反过来从而在使暴露表面26凹进从而暴露碳纳米管14的前尖端16之前形成单独的栅极电极30。
参照图6，保形地设置电介质材料的绝缘层32，其填充凹陷28并覆盖毯层24的暴露区域从而覆盖碳纳米管14的前尖端16。绝缘层32可以由例如硅氮化物(Si3N4)或SiO2构成，硅氮化物利用NH3和硅烷(SiH4)作为前体源利用LPCVD或等离子体增强CVD沉积，SiO2可以利用TEOS作为前体源通过CVD工艺沉积。绝缘层32的填充凹陷28的部分使相邻的栅极电极30彼此电隔离。
参照图7，每个碳纳米管14的前尖端16被暴露在绝缘层32的平坦的凹进的暴露表面33上方并且相关的栅极电介质22的长度被从其去除。为此，绝缘层32通过CMP工艺或任何其它合适的平坦化技术被抛平从而定义暴露表面33。然后利用对于碳纳米管14选择性的一个或更多REI工艺，使暴露表面33相对于碳纳米管14进一步凹进，所述RIE工艺去除绝缘层32和栅极电介质22至凹进的暴露表面33的深度。供选地，可以使用利用合适的蚀刻剂溶液例如缓冲氢氟酸(HF)溶液的湿法蚀刻工艺。碳纳米管14可以具有长度分布，并且尽管未示出，特定碳纳米管14可以在暴露表面33凹进之后保持掩埋在绝缘层32和/或栅极电极30中。
参照图8，栅极接触36和源极接触38通过利用常见的光刻和蚀刻工艺在适当位置在绝缘层32中定义接触开口并用导电材料填充该接触开口而形成。光刻和蚀刻工艺还定义作为漏极接触工作的导电材料的区域。每个栅极接触36与栅极电极30中的一个电耦接，优选地欧姆耦接，并且每个源极接触38与催化剂垫10中的一个电耦接，优选地欧姆耦接。每个漏极接触40与延伸穿过相关的一个栅极电极30的碳纳米管14的前尖端16电耦接，优选地欧姆耦接。接触36、38和40彼此电隔离，且通过例如CVD、PVD或溅镀由任何合适的导电材料形成，所述合适的导电材料包括但不限于Au、Al、Cu、Mo、Ta、Ti和W。常见的生产线后端(BEOL)处理用于制造和耦接将接触36、38和40与相邻FET的相应接触链接(link)的互连结构。
所完成的器件结构42形成具有由栅极电极30的一个定义的栅极或栅极区、由催化剂垫10和源极接触38定义的源极或源极区、由漏极接触40定义的漏极或漏极区、沿着相对于绝缘衬底12的水平平面以垂直取向延伸穿过相关的栅极电极30的碳纳米管14的长度共同定义的半导体沟道区、以及由覆盖纳米管14的各栅极电介质22的每个定义的栅极电介质。尽管仅两个完成的器件结构42在图8中可见，但是应理解，结构42的多个复制品如这里详细描述的那样设置在绝缘衬底12上。每个完成的器件结构42与支承在绝缘衬底12的相邻区域上的其它电路部件(未示出)电耦接以用于器件工作。当电压通过相应的栅极接触36施加到栅极电极30之一从而在穿过其延伸的碳纳米管14中产生沟道时，载流子选择性地从催化剂垫10经过碳纳米管14流到漏极接触40。催化剂垫10和源极接触38可以用作漏极区且漏极接触40可用作源极区。
参照根据本发明一供选实施例的图9和10，其中相似的附图标记表示与图1和2中相似的特征，通过图2所示的器件制造阶段之后进行的一组不同的处理步骤可以形成电容器器件结构50(图10)。具体地，导电材料的毯层24被平坦化至在电介质覆盖的碳纳米管14的前尖端16上方的深度，且导电材料的层52施加到平坦化了的毯层24。接触(未示出)与催化剂垫10电耦接使得催化剂垫10和碳纳米管14提供电容器器件结构50的一个电极或板，并且层52提供电容器器件结构50的相对电极或板。电介质层20电隔离所述两个板。被电介质层20覆盖的碳纳米管14的存在增加了板之一的有效表面积。
由于碳纳米管14是半导体的，叠加的恒定偏置电压必须施加到电容器器件结构50的板，使得碳纳米管14传导电流。在本发明的一个供选实施例中，碳纳米管14可以在适于提供导电分子结构的生长条件下生长，从而不需要恒定的偏置电压。
尽管通过各种实施例的描述示出了本发明，且同时详细描述了这些实施例，但是申请人不意图将所附权利要求的范围限制于或以任何方式限制于这些细节。另外的优点和修改对本领域技术人员是显而易见的。因此，本发明在更广的方面不限制于具体细节、代表性设备和方法、以及所示出和描述的示例。因此，可以偏离这些细节而不偏离申请人一般发明概念的范围。

Claims (32)

1.一种垂直半导体器件结构，包括：衬底，其定义基本水平的平面；栅极电极，其从所述衬底垂直突出；至少一个半导体纳米管，其在相对的第一和第二端之间穿过所述栅极电极垂直延伸；栅极电介质，其使所述至少一个半导体纳米管与所述栅极电极电绝缘；源极，其与所述至少一个半导体纳米管的所述第一端电耦接；以及漏极，其与所述至少一个半导体纳米管的所述第二端电耦接。
2.如权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述源极由对于生长所述至少一个半导体纳米管有效的催化剂材料构成。
3.如权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述漏极由对于生长所述至少一个半导体纳米管有效的催化剂材料构成。
4.如权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：绝缘层，其设置在所述漏极与所述栅极电极之间用于从所述栅极电极电隔离所述漏极。
5.如权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：绝缘层，其设置在所述源极与所述栅极电极之间用于从所述栅极电极电隔离所述源极。
6.如权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述至少一个半导体纳米管由排列的碳原子构成。
7.如权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述至少一个半导体纳米管定义具有沟道的场效应晶体管的沟道区，通过向所述栅极电极应用控制电压沿着所述沟道调整电流。
8.如权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述至少一个半导体纳米管取向为基本垂直于所述水平平面。
9.如权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：穿过所述栅极电极垂直延伸的多个半导体纳米管。
10.如权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述栅极电介质设置在所述至少一个半导体纳米管上。
11.一种形成半导体器件结构的方法，包括：在衬底上形成导电垫；生长至少一个半导体纳米管，其在与所述导电垫电耦接的第一端与第二自由端之间从所述导电垫基本垂直地延伸；利用栅极电介质电绝缘所述至少一个半导体纳米管；形成栅极电极，其与所述导电垫电绝缘并覆在所述导电垫上面，所述至少一个半导体纳米管穿过所述栅极电极垂直延伸；以及形成接触，其与所述至少一个半导体纳米管的所述第二端电耦接并与所述栅极电极电绝缘。
12.如权利要求11所述的方法，其中电绝缘所述至少一个半导体纳米管包括：将所述至少一个半导体纳米管包在所述栅极电介质内。
13.如权利要求11所述的方法，其中形成所述接触包括：从所述至少一个半导体纳米管的所述自由端去除所述栅极电介质；以及设置作为所述接触工作的金属特征。
14.如权利要求13所述的方法，还包括：在所述栅极电极上形成绝缘层；以及使所述绝缘层凹进从而暴露所述至少一个半导体纳米管的所述自由端。
15.如权利要求11所述的方法，其中所述至少一个半导体纳米管是碳纳米管并且所述导电垫由适合用于生长碳纳米管的催化剂材料形成，且生长所述至少一个半导体纳米管还包括：在对将碳原子组合成具有半导体分子结构的所述碳纳米管有效的条件下将所述导电垫暴露于含碳反应物。
16.如权利要求11所述的方法，其中生长所述至少一个半导体纳米管还包括：通过化学气相沉积技术生长所述至少一个半导体纳米管。
17.如权利要求11所述的方法，其中所述至少一个半导体纳米管的所述自由端突出到构成所述接触的金属中。
18.如权利要求11所述的方法，其中所述至少一个半导体纳米管特征在于排列的碳原子。
19.如权利要求11所述的方法，其中所述至少一个半导体纳米管定义具有沟道的场效应晶体管的沟道区，通过向所述栅极电极应用控制电压控制所述沟道。
20.如权利要求11所述的方法，其中形成所述栅极电极包括：在所述导电垫上应用绝缘层；应用导电层覆在所述绝缘层上面；以及构图所述导电层从而定义所述栅极电极。
21.如权利要求20所述的方法，其中形成所述接触包括：使所述绝缘层凹进从而暴露所述至少一个半导体纳米管的所述自由端。
22.如权利要求21所述的方法，还包括：从所述至少一个半导体纳米管的所述自由端去除所述栅极电介质；以及设置作为所述接触工作的金属特征。
23.如权利要求11所述的方法，其中所述至少一个半导体纳米管定义具有沟道的场效应晶体管的沟道区，通过向所述栅极电极应用控制电压沿着所述沟道调整电流。
24.如权利要求11所述的方法，还包括：生长从所述导电垫基本垂直延伸的至少一个导电纳米管；以及在形成所述栅极电极之前破坏所述至少一个导电纳米管。
25.一种半导体器件结构，包括：衬底，其定义基本水平的平面；导电的第一板，其设置在所述衬底上，至少一个纳米管从所述第一板垂直突出并与所述第一板电耦接；导电的第二板，其位于所述第一板的垂直上方；以及电介质层，其将所述第二板与所述第一板和所述至少一个碳纳米管电隔离。
26.如权利要求25所述的半导体器件结构，其中所述至少一个纳米管具有导电分子结构。
27.如权利要求25所述的半导体器件结构，其中所述至少一个纳米管具有半导体分子结构。
28.如权利要求25所述的半导体器件结构，其中所述电介质层定义包住所述至少一个纳米管的涂层。
29.一种形成半导体器件结构的方法，包括：在衬底上形成导电第一板；生长至少一个纳米管，其与所述第一板电耦接并从所述第一板基本垂直地延伸；用电介质层覆盖所述至少一个纳米管和所述第一板；以及形成覆在所述第一板上面的第二板，所述第二板通过所述电介质层与所述至少一个纳米管和所述第一板电绝缘。
30.如权利要求29所述的方法，其中所述至少一个纳米管具有导电分子结构。
31.如权利要求29所述的方法，其中所述至少一个纳米管具有半导体分子结构。
32.如权利要求29所述的方法，其中覆盖所述至少一个纳米管和所述第一板包括：将所述至少一个纳米管包在所述电介质层中。
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