CN1898791A - 用于半导体晶片的支承系统及其方法 - Google Patents
用于半导体晶片的支承系统及其方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1898791A CN1898791A CNA2004800389565A CN200480038956A CN1898791A CN 1898791 A CN1898791 A CN 1898791A CN A2004800389565 A CNA2004800389565 A CN A2004800389565A CN 200480038956 A CN200480038956 A CN 200480038956A CN 1898791 A CN1898791 A CN 1898791A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor wafer
- supporting system
- wafer supporting
- bearing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
- Y10T29/53961—Means to assemble or disassemble with work-holder for assembly
Abstract
在其单独的芯片被封装之前,半导体晶片经历了不同的处理。这样的处理的非穷尽例举有晶片背面打磨、晶片背面金属化、用激光和锯的晶片切割、测试、好芯片标记、芯片排出和在胶带上的芯片放置。在处理的过程中需要对晶片进行机械支承。晶片也需要在制造工厂(FAB)中的处理器具或封装设备之间进行运输。该半导体晶片可具有例如300毫米的直径和例如762微米的厚度。在背面打磨之后,可将晶片的厚度减少到例如在大约50到大约100微米之间的厚度范围。这样的晶片是易碎的,并需要仔细的装卸。
Description
背景技术
在其单独的芯片被封装之前,半导体晶片经过不同的处理。这种处理的非穷尽例举有晶片背面打磨、晶片背面金属化、用激光和锯的晶片切割、测试、好芯片标记、芯片排出和胶带上的芯片放置。在处理过程中需要对晶片进行机械支承。晶片也需要在制造工厂(FAB)中的处理器具或封装设备之间进行运输。
半导体晶片可具有例如300毫米的直径和例如762微米的厚度。在背面打磨之后,可将晶片的厚度减少到例如在大约50到大约100微米之间的厚度范围。具有这种厚度的晶片是易碎的,并需要仔细的装卸。
附图说明
本发明的实施例作为示例示出,且不限于附图中的图形,在附图中,同样的标号指示对应的、相似或类似的元件,其中:
图1是依照本发明某些实施例的示例性半导体晶片和示例性晶片支承系统的分解图;
图2是依照本发明某些实施例的图1的部分半导体晶片和图1的部分晶片支承系统的剖视图;
图3是依照本发明某些实施例的图1的部分晶片支承系统的剖视图;
图4是依照本发明某些实施例的用于将半导体晶片固定到晶片支承系统的方法的流程图;
图5是依照本发明某些实施例的用于将半导体晶片固定到晶片支承系统的另一方法的流程图;
图6是依照本发明某些实施例的用于将半导体晶片固定到晶片支承系统的再一种方法的流程图;
图7是依照本发明某些实施例的用于将半导体晶片固定到晶片支承系统的还一种方法的流程图;
图8A、8B、8C和8D是依照本发明某些实施例的用于将半导体晶片从晶片支承系统释放的替换方法的流程图;
将要理解的是,为了简化和使说明清楚,在图中示出的元件不一定是按照比例画出的。例如,为了清楚,某些元件的尺寸相对于其它元件已经被放大。
具体实施方式
在下面的详细描述中,陈述了许多特定的细节,以便提供对本发明实施例的透彻理解。然而,本领域普通技术人员将理解的是,可以在没有这些细节的情况下来实施本发明的实施例。在其它情况下,没有详细描述公知的方法、程序、组件和电路,以使不会混淆本发明。
参照图1和图2,示出了依照本发明某些实施例的示例性半导体晶片2和晶片支承系统4。图1是半导体晶片2和晶片支承系统4的分解图,而图2是部分半导体晶片2和部分晶片支承系统4沿着横截面A的剖视图,图3是沿着横截面B的晶片支承系统4的一部分的剖视图。
如图1所示,半导体晶片2具有圆盘形状,尽管也可设想任何其它形状的半导体晶片2。半导体晶片2包括通过划片线(也称为“街”)分开的芯片,诸如示例的划片线8分隔的芯片6。芯片6可具有矩形形状,尽管也可设想任何其它形状的芯片6。此外,尽管未在图1中明确地示出,半导体晶片2可包括不同形状和尺寸的芯片。
半导体晶片2可经过不同的处理,诸如表面打磨和表面金属化。此外,诸如被标注为6”的芯片的特殊芯片6可由例如激光锯或机械锯从半导体晶片2中锯下。锯掉的芯片6”可从半导体晶片2排出,并可放置在胶带上(未示出)。
半导体晶片2直径的非穷尽例举包括大约150毫米、大约200毫米和大约300毫米。半导体晶片2的厚度在例如大约700微米到大约800微米的范围之内,例如厚度约为762微米。表面打磨处理可将半导体晶片2的厚度减少到例如大约50到大约100微米的范围内。
晶片支承系统4可具有拥有开口12的充分刚性的穿孔面10。开口12可集中在由和半导体晶片2基本具有相同形状的曲线14所限定的区域内。开口12可具有基本为圆形的形状,尽管也可设想开口12的任何其它形状。
通过放置与穿孔面10相接触的半导体晶片2的受支承面16使得开口12基本由半导体晶片2阻挡,且此外通过使半导体晶片2的暴露表面18处于比透过开口12施加给支承面16的气压更高的气压,可将半导体晶片2固定到晶片支承系统4。
在将半导体晶片2固定到晶片支承系统4的同时,可将半导体晶片2与晶片支承系统4一起运送。此外,在将半导体晶片2固定到晶片支承系统4的同时,可将诸如晶片背面打磨、晶片背面金属化、用激光和锯的晶片切割、测试、好芯片标记、芯片排出和在胶带上的芯片放置的处理施加于半导体晶片2。在装卸、运输和处理的过程中,穿孔面10的刚形会降低或消除半导体晶片2的可挠性。
通过使暴露的表面18处于比透过开口12施加给支承面16的气压更低或基本相等的气压,可将已固定的半导体晶片2从晶片支承系统4释放。
此外,在保持透过其它开口12施加给支承面16的气压的同时,通过增加透过由那些锯掉的芯片所阻挡的开口(例如开口12”)施加给支承面16的气压,已固定的半导体晶片2的一个或多个锯掉的芯片(例如芯片6”)可以从晶片支承系统4释放出。在从晶片支承系统4中释放出之后,可通过芯片挑选工具(未示出)使晶片支承系统4与锯掉的芯片6”分离。由于没有将锯掉的芯片6”保持到晶片支承系统4的粘合剂,用芯片挑选工具移去锯掉的芯片6”不涉及从粘合表面移去芯片通常所需的拉、剥离或撬。
如图2所示,晶片支承系统4可包括作为具有穿孔面10和开口12的基本刚性的穿孔板30的第一部分。此外,晶片支承系统4可包括具有多个腔34的第二部分32。
如图3所示,腔34可以蜂窝结构排列,尽管也可设想其它腔的排列。例如,腔34可具有六边形的形状,尽管可设想腔34的任何其它形状,诸如矩形、圆形等。
根据本发明的第一实施例,对于穿孔板30中的所有开口12,部分32可具有相对应的腔34。例如,腔34”可对应于开口12”。
根据本发明的第二实施例,对于穿孔板30中的所有开口12,部分32可具有多个对应的腔34。根据本发明的第三实施例,对于部分32中的所有腔34,穿孔板30可具有多个开口12。
可选择腔34的数量、大小、形状和排列以适合半导体晶片上的芯片的排列。此外,腔34中的最小者在面积上可基本上等于半导体晶片2上的芯片中的最小者的面积。
腔34在部分32的表面38上可具有孔36。根据本发明的一个实施例,腔34可具有一个对应的孔36。根据本发明的第二实施例,腔34可具有一个以上的对应孔36。
可附着穿孔板30和部分32,使得穿孔板30的表面40和部分32的表面42相接触。或者,可将穿孔板30和部分32制造成具有带开口12的表面10和带孔36的相对表面38的单一体,其中开口和孔由腔连接。
如果:
a.半导体晶片2的支承面16与穿孔面10相接触,使得开口12被半导体晶片2基本阻挡,其中穿孔板30起到在支承面16和部分32的表面42之间的衬垫的作用。
b.将隔膜50附着到部分32,使得孔36基本被密封。气体可以基本上被封闭在腔34内。
封闭在腔34中的气体可透过开口12将力施加到支承面16。此外,在腔34外部的气体可将力施加给暴露的表面18。
图4是依照本发明某些实施例的用于将半导体晶片2固定到晶片支承系统4的方法的流程图。可将半导体晶片2和晶片支承系统4放置在第一环境中,例如真空室,且使支承面16与穿孔面10接触,使得开口12基本被阻挡(-402-)。可减小第一环境内的气压(-404-)。可将隔膜50附贴到部分32,使得孔36基本被密封(-406-)。然后,可将晶片支承系统4和半导体晶片2从第一环境移到气压高于第一环境内气压的第二环境(-408-)。从而,腔34内的气压可低于暴露表面18上的气压。
图5是依照本发明某些实施例的用于将半导体晶片2固定到晶片支承系统4的另一种方法的流程图。隔膜50可以是柔韧的,并可以被附贴部分32,使得孔36基本被密封(-502-)。可将隔膜50向内推进腔34(-504-)。然后,可将支承面16放置成与穿孔面10相接触,使得开口12基本被阻挡(-506-),而隔膜50可被释放,使得它不再被推进腔34(-508-)。从而,在腔34内的气压可低于在暴露表面18上的气压。
图6是依照本发明某些实施例的用于将半导体晶片2固定到晶片支承系统4的另一种方法的流程图。在本发明的某些实施例中,部分32可选地具有延伸超出表面38的围墙54,而隔膜50可以是刚性的。可将隔膜50附贴到部分32,使得孔36基本被密封(-602-)。可将支承面16放置成与穿孔面10接触,使得开口12基本被阻挡(-604-)。然后可将隔膜50从表面38脱出,使得隔膜50仍在围墙54内以形成空隙56(-606-)。空隙56和腔34可以由隔膜50和围墙54密封。从而,在腔34和空隙56内的气压可低于在暴露表面18上的气压。
图7是依照本发明某些实施例的用于将半导体晶片2固定到晶片支承系统4的还一种方法的流程图。可将半导体晶片2和晶片支承系统4放在处于第一温度的第一环境中,且支承面16被放置成与穿孔面10接触,使得开口12基本被阻挡(-702-)。可将隔膜50附贴到部分32,使得孔36被充分密封(-704-)。然后,将半导体晶片2和晶片支承系统4从第一环境移到处于低于第一温度的第二温度的第二环境(-706-)。由于在第一环境中的空气没有第二环境中的空气稠密,一旦晶片支承系统4和半导体晶片2处于第二环境中,腔34内的气压会低于暴露表面18上的气压。
图8A、8B、8C和8D是依照本发明某些实施例的用于将半导体晶片2从晶片支承系统4释放出的替换方法的流程图。
在图8A中,可以从晶片支承系统4移开隔膜50(-802-),以使在腔34内的气压变为基本上等于在暴露表面18上的气压,因此从晶片支承系统释放出半导体晶片2。
在图8B中,可穿透隔膜50(-804-),在腔34内的气压可变得与暴露表面18上的气压相等。在本方法的修改版本中,一个或多个锯掉的芯片可从晶片支承系统4单独地释放。例如,以这样的方式,即在腔34”中气压可变成等于或高于在晶片支承系统4周围的气压而不影响在其它腔34中的气压,通过将柔韧的隔膜50穿透进入孔36”,锯掉的芯片6”可以从晶片支承系统4中单独地释放。
在图8C中,若隔膜50是柔韧的,可将隔膜50向内推进腔34(-806-),而在腔34内的气压可以变得等于或高于在暴露表面18上的气压。在本方法的修改版本中,一个或多个锯掉的芯片可以从晶片支承系统4被单独地释放。例如,通以这样的方式,即在腔34”中气压可变成等于或高于在晶片支承系统4周围的气压而不影响在其它腔34中的气压,通过将柔韧的隔膜50推进孔36”,锯掉的芯片6”可以从晶片支承系统4被单独地释放。
例如,如果部分32具有延伸超过表面38的围墙54且隔膜50是刚性的隔膜,图8D是可适用的。隔膜50可以被向内移向表面38(-808-)。在腔34和空隙56内的气压可以增加并可变得等于或高于在暴露表面18上的气压。
尽管已经在这里例示和描述了本发明的某些特征,对本领域普通技术人员而言,现在将出现许多修改、替换、改变和等效。因此,要理解的是,所附的权利要求书旨在覆盖落入本发明精神范围内的所有这样的修改和变化。
Claims (21)
1.一种方法,包括:
通过使半导体晶片的支承面处在低于所述半导体晶片的暴露表面的气压,将所述半导体晶片固定到晶片支承系统。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,使所述支承面处在所述的较低气压至少包括:
在真空室内将所述半导体晶片的所述支承面放置成与所述晶片支承系统的穿孔面相接触;
将所述真空室内的气压降到基本上为所述的较低气压;
密封所述晶片支承系统的相对表面;以及
从所述真空室移去所述晶片支承系统和所述固定的半导体晶片。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,使所述支承面处在所述的较低气压至少包括:
在处于第一温度的第一环境中将所述半导体晶片的所述支承面放置成与所述晶片支承系统的穿孔面相接触;
密封所述晶片支承系统的相对表面;以及
将所述晶片支承系统和所述固定的半导体晶片从所述第一环境移到处于低于所述第一温度的第二温度的第二环境。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,使所述支承面处在所述的较低气压至少包括:
将所述晶片支承系统的柔韧表面向内推向所述晶片支承系统的穿孔面;
将所述半导体晶片的支承面放置成与所述晶片支承系统的所述穿孔面相接触;以及
释放所述柔韧表面。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,使所述支承面处在所述的较低气压至少包括:
将所述半导体晶片的所述支承面放置成与所述晶片支承系统的穿孔面相接触;以及
将所述支承系统的相对表面从所述穿孔面向外拖出。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
通过增加所述的较低气压,从所述晶片支承系统释放所述半导体晶片。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述支承面由所述晶片支承系统的穿孔面支承,且增加所述较低气压至少包括:
移除所述晶片支承系统的相对表面。
8.如权利要求6所述的方法,其特征在于,增加所述较低气压至少包括:
将所述晶片支承系统的柔韧表面向内推向所述半导体晶片。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
通过使所述暴露表面处在低于或基本上等于所述较低气压的气压,将所述半导体晶片从所述晶片支承系统释放。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
在保持在所述半导体晶片其它部分的支承面上的所述较低气压的同时,通过增加在一个或多个芯片的支承表面上所述较低气压,从所述晶片支承系统释放所述半导体晶片的所述一个或多个芯片。
11、如权利要求10所述的方法,其特征在于,增加所述一个或多个芯片的支承面上的所述较低气压至少包括:
将所述晶片支承系统的柔韧表面的一个或多个部分向内推向所述半导体晶片的所述一个或多个芯片。
12.如权利要求10所述的方法,其特征在于,增加所述一个或多个芯片的支承面上的所述较低气压至少包括:
穿透对应于所述半导体晶片的所述一个或多个芯片的所述晶片支承系统的柔韧表面的一个或多个部分。
13.如权利要求10所述的方法,其特征在于,还包括:
通过将芯片拣选设备耦合到所述一个或多个芯片中的一个的暴露表面,从所述半导体晶片中分离所述一个或多个芯片中的所述一个。
14.一种晶片支承系统,包括:
具有支承半导体晶片的穿孔面的主体,所述主体具有在所述穿孔面和所述主体相对表面之间的多个腔,其中所述腔具有到所述相对表面的孔;以及
附贴到所述主体以密封所述孔的隔膜。
15.如权利要求14所述的晶片支承系统,其特征在于,最小的所述腔在面积上可基本等于所述半导体晶片上的最小芯片的面积。
16.如权利要求14所述的晶片支承系统,其特征在于,所述腔具有到所述穿孔面的开口,且所述腔的数量基本上等于所述开口的数量。
17.如权利要求14所述的晶片支承系统,其特征在于,所述主体至少包括具有所述穿孔面的第一部分和具有所述相对表面的第二部分。
18.如权利要求14所述的晶片支承系统,其特征在于,所述隔膜是可移动的。
19.如权利要求14所述的晶片支承系统,其特征在于,所述隔膜是柔韧的。
20.如权利要求14所述的晶片支承系统,其特征在于,所述隔膜是刚性的。
21.如权利要求14所述的晶片支承系统,其特征在于,所述穿孔面是刚性的。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/748,170 US7055229B2 (en) | 2003-12-31 | 2003-12-31 | Support system for semiconductor wafers and methods thereof |
US10/748,170 | 2003-12-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1898791A true CN1898791A (zh) | 2007-01-17 |
CN100449726C CN100449726C (zh) | 2009-01-07 |
Family
ID=34700852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2004800389565A Expired - Fee Related CN100449726C (zh) | 2003-12-31 | 2004-12-28 | 用于半导体晶片的支承系统及其方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7055229B2 (zh) |
JP (1) | JP4408900B2 (zh) |
CN (1) | CN100449726C (zh) |
DE (1) | DE112004002610T5 (zh) |
TW (1) | TWI284956B (zh) |
WO (1) | WO2005067030A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102962762A (zh) * | 2012-12-07 | 2013-03-13 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 晶圆研磨用承载盘组件 |
CN105097501A (zh) * | 2015-07-09 | 2015-11-25 | 无锡中微高科电子有限公司 | Mpw芯片背面金属化方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7055229B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-06-06 | Intel Corporation | Support system for semiconductor wafers and methods thereof |
EP2004366A2 (en) * | 2006-01-27 | 2008-12-24 | Camtek Ltd. | Diced wafer adaptor and a method for transferring a diced wafer |
DE102009044305A1 (de) * | 2009-10-21 | 2011-05-05 | Fooke Gmbh | Verfahren zum Halten und Bearbeiten eines Werkstückes mit Spannplatte, sowie Vorrichtung zum Aussteifen eines Werkstückes mit Spannplatte |
JP5776090B2 (ja) * | 2010-07-21 | 2015-09-09 | 株式会社 天谷製作所 | 成膜プロセス |
CN103003039A (zh) * | 2010-07-23 | 2013-03-27 | 住友化学株式会社 | 固定夹具、固定方法以及蜂窝过滤器的制造方法 |
JP5617659B2 (ja) * | 2011-01-25 | 2014-11-05 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
US8376334B1 (en) * | 2011-10-26 | 2013-02-19 | Swedcord Development AB | Glue free vacuum sealing gasket structure |
GB2502303A (en) | 2012-05-22 | 2013-11-27 | Applied Microengineering Ltd | Method of handling a substrate using a pressure variance |
JP7370201B2 (ja) * | 2019-09-20 | 2023-10-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN114783931B (zh) * | 2022-04-06 | 2023-03-21 | 苏州汉天下电子有限公司 | 一种半导体样片承载台以及半导体样片探针测试装置 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4551192A (en) * | 1983-06-30 | 1985-11-05 | International Business Machines Corporation | Electrostatic or vacuum pinchuck formed with microcircuit lithography |
US4556362A (en) * | 1983-12-21 | 1985-12-03 | At&T Technologies, Inc. | Methods of and apparatus for handling semiconductor devices |
US4603466A (en) | 1984-02-17 | 1986-08-05 | Gca Corporation | Wafer chuck |
US4535834A (en) * | 1984-05-02 | 1985-08-20 | Varian Associates, Inc. | Method and apparatus for controlling thermal transfer in a cyclic vacuum processing system |
US5584746A (en) * | 1993-10-18 | 1996-12-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of polishing semiconductor wafers and apparatus therefor |
US5423716A (en) * | 1994-01-05 | 1995-06-13 | Strasbaugh; Alan | Wafer-handling apparatus having a resilient membrane which holds wafer when a vacuum is applied |
CN2218627Y (zh) * | 1994-10-19 | 1996-01-31 | 张允清 | 真空吸盘式多孔码片机 |
JPH09181156A (ja) | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Sony Corp | 真空チャック |
JPH09326385A (ja) * | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板冷却方法 |
US6056632A (en) * | 1997-02-13 | 2000-05-02 | Speedfam-Ipec Corp. | Semiconductor wafer polishing apparatus with a variable polishing force wafer carrier head |
TW524873B (en) * | 1997-07-11 | 2003-03-21 | Applied Materials Inc | Improved substrate supporting apparatus and processing chamber |
US6173948B1 (en) * | 1999-01-20 | 2001-01-16 | International Business Machines Corporation | Dimensional compensating vacuum fixture |
US6241825B1 (en) * | 1999-04-16 | 2001-06-05 | Cutek Research Inc. | Compliant wafer chuck |
KR100565138B1 (ko) | 1999-07-26 | 2006-03-30 | 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 웨이퍼 상에 에피택셜 층을 성장시키는 장치 |
US6484790B1 (en) * | 1999-08-31 | 2002-11-26 | Cummins Inc. | Metallurgical bonding of coated inserts within metal castings |
JP2001093864A (ja) | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハ固定治具及び半導体装置の製造方法 |
US6283693B1 (en) | 1999-11-12 | 2001-09-04 | General Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for semiconductor chip handling |
EP1174910A3 (en) * | 2000-07-20 | 2010-01-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for dechucking a substrate |
WO2002015237A2 (en) | 2000-08-11 | 2002-02-21 | Rodel Holdings, Inc. | Changing local compressibility of a wafer support member |
JP2002187060A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-07-02 | Ebara Corp | 基板保持装置、ポリッシング装置、及び研磨方法 |
JP4021614B2 (ja) * | 2000-12-11 | 2007-12-12 | 株式会社東芝 | 半導体素子のピックアップ用治具、半導体素子のピックアップ装置、半導体素子のピックアップ方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
JP2002270571A (ja) | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハの処理装置及びその処理方法 |
CN2470953Y (zh) * | 2001-03-29 | 2002-01-09 | 中国科学院微电子中心 | 硅片抛光机头吸盘 |
US6641462B2 (en) * | 2001-06-27 | 2003-11-04 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for distributing fluid to a polishing surface during chemical mechanical polishing |
US6896929B2 (en) * | 2001-08-03 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Susceptor shaft vacuum pumping |
US6779226B2 (en) | 2001-08-27 | 2004-08-24 | Applied Materials, Inc. | Factory interface particle removal platform |
US7018268B2 (en) * | 2002-04-09 | 2006-03-28 | Strasbaugh | Protection of work piece during surface processing |
US6638391B1 (en) * | 2002-06-19 | 2003-10-28 | United Microelectronics Corp. | Wafer carrier assembly for a chemical mechanical polishing apparatus and a polishing method using the same |
JP3817733B2 (ja) | 2003-09-30 | 2006-09-06 | セイコーエプソン株式会社 | 表面処理用治具 |
JP4574980B2 (ja) | 2003-12-11 | 2010-11-04 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法、研削用補強部材、及びその貼り付け方法 |
US7055229B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-06-06 | Intel Corporation | Support system for semiconductor wafers and methods thereof |
MX2009001504A (es) * | 2006-08-10 | 2009-08-31 | California Inst Of Techn | Valvula microfluidica con un miembro de libre flotacion y su metodo de fabricacion. |
-
2003
- 2003-12-31 US US10/748,170 patent/US7055229B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-05-28 TW TW093115318A patent/TWI284956B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-12-28 JP JP2006547434A patent/JP4408900B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-28 WO PCT/US2004/043517 patent/WO2005067030A1/en active Application Filing
- 2004-12-28 CN CNB2004800389565A patent/CN100449726C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-28 DE DE112004002610T patent/DE112004002610T5/de not_active Ceased
-
2006
- 2006-04-07 US US11/399,530 patent/US7757363B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102962762A (zh) * | 2012-12-07 | 2013-03-13 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 晶圆研磨用承载盘组件 |
CN105097501A (zh) * | 2015-07-09 | 2015-11-25 | 无锡中微高科电子有限公司 | Mpw芯片背面金属化方法 |
CN105097501B (zh) * | 2015-07-09 | 2017-10-31 | 无锡中微高科电子有限公司 | Mpw芯片背面金属化方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112004002610T5 (de) | 2006-11-16 |
US20050139228A1 (en) | 2005-06-30 |
TW200522246A (en) | 2005-07-01 |
US20060179632A1 (en) | 2006-08-17 |
JP4408900B2 (ja) | 2010-02-03 |
TWI284956B (en) | 2007-08-01 |
CN100449726C (zh) | 2009-01-07 |
US7055229B2 (en) | 2006-06-06 |
JP2007517409A (ja) | 2007-06-28 |
US7757363B2 (en) | 2010-07-20 |
WO2005067030A1 (en) | 2005-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7757363B2 (en) | Support system for semiconductor wafers | |
US9595504B2 (en) | Methods and systems for releasably attaching support members to microfeature workpieces | |
US6319354B1 (en) | System and method for dicing semiconductor components | |
KR100338983B1 (ko) | 웨이퍼분리도구및이를이용하는웨이퍼분리방법 | |
KR20070011472A (ko) | 칩 부품 반송 방법 및 장치, 및 외관 검사 방법 및 장치 | |
US7520309B2 (en) | Method for adhering protecting tape of wafer and adhering apparatus | |
US10211181B2 (en) | Devices and methods related to singulated radio-frequency devices | |
KR100476591B1 (ko) | 웨이퍼 테이블과, 이를 이용한 웨이퍼 쏘잉/소자 접착장치와, 웨이퍼 쏘잉/소자 분류 장치 | |
CN108292647B (zh) | 与屏蔽的模块的制造相关的装置和方法 | |
US7169248B1 (en) | Methods for releasably attaching support members to microfeature workpieces and microfeature assemblies formed using such methods | |
JP2017022269A (ja) | 吸着機構及び吸着方法並びに製造装置及び製造方法 | |
US6683378B2 (en) | System for singulating semiconductor components utilizing alignment pins | |
US20070134471A1 (en) | Methods and apparatuses for releasably attaching microfeature workpieces to support members | |
JP6745136B2 (ja) | 電子部品の製造方法および処理システム | |
US20020139235A1 (en) | Singulation apparatus and method for manufacturing semiconductors | |
JP2001196448A (ja) | 半導体ウエハ又は半導体素子の固定具及び半導体ウエハ又は半導体素子の加工方法 | |
KR102007709B1 (ko) | 반도체칩의 제조방법 | |
US7070490B2 (en) | Vacuum suction membrane for holding silicon wafer | |
US7531432B2 (en) | Block-molded semiconductor device singulation methods and systems | |
US7241642B2 (en) | Mounting and dicing process for wafers | |
RU2743451C1 (ru) | Способ разделения герметизированной с помощью эпоксидного компаунда мультиплицированной подложки на отдельные микросхемы | |
KR102639129B1 (ko) | 웨이퍼 디척킹 장치 및 방법 | |
US20030201549A1 (en) | Pickup apparatus, pickup method and method for manufacturing semiconductor device | |
JPH08293538A (ja) | ピックアップ方法および装置 | |
US10615057B1 (en) | Encapsulation process for semiconductor devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090107 Termination date: 20171228 |