CN1813341A - 采用反应性气体从基片上去除有机层的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了从基片表面去除层的系统和方法。该方法包括提供至少一个封装传输包，其中所述封装传输包包含至少一些反应性气体。至少一个密封传输包施加到层上，该层是化学反应性层。密封传输包在所述化学反应性层上破裂，释放所述反应性气体与反应引发剂的结合在该化学反应性层上，便于从基片表面去除层。

Description

采用反应性气体从基片上去除有机层的方法和装置
发明背景
1、技术领域
本发明涉及半导体制造，尤其涉及输送用于清洁硅晶片表面的反应性气体的方法。
2、相关技术
在硅晶片上制造电子器件的工艺涉及沉积和去除多个层的复杂工艺。这些层例如包括介电层、金属层、多晶硅层和其它层，所有这些层在图案化步骤中都可以全部或部分去除。通常，层材料的图案化包括在硅晶片上施加有机光刻胶。随后，在进行等离子体蚀刻之前将光刻胶图案化。在等离子体化学蚀刻了该目标材料后，需要清洁硅晶片以去除有机光刻胶。如果没有去除有机光刻胶，它就会对硅晶片造成污染，导致硅晶片上的电子器件受到损坏。因此，清洁操作限定了一个非常重要的步骤，在限定半导体器件的多个层的处理循环中要重复多次该步骤。
一种去除有机光刻胶的方法是采用臭氧(O3)。将臭氧和有机光刻胶接触。从而在臭氧和有机光刻胶之间发生反应，将该有机光刻胶氧化成CO2。所以，该反应能够去除有机光刻胶污染物。具体而言，氧化反应需要H2O。氧化速率取决于臭氧在去离子水(DIW)中的溶解度和温度的结合。众所周知，臭氧在低温时溶解度高，但反应速率低。在高温时臭氧的反应速率高，但溶解度较低。
Matthews的美国专利No.5464480公开了一种硅晶片清洁工艺，即将成批硅晶片浸入冷的、臭氧饱和的含水溶液中。由于高度饱和，所以和有机光刻胶有强烈的氧化反应。将整个硅晶片浸入含水溶液也确保了整个硅晶片暴露在含水溶液里。虽然低温提高了臭氧的溶解度极限值，但是低温也减慢了氧化速率，因而和采用高温的工艺相比，清洁时间变长。而且，该工艺采用水时效率奇低，因为它采用数加仑的水仅仅能去除极少量的污染物。
Bergman等的美国专利No.6267125公开了一种硅晶片清洁工艺，在晶片表面喷上去离子水并且旋转晶片。旋转的离心力将去离子水铺展或分布成非常薄的层。然后，该工艺在硅晶片上引入高浓度臭氧。由于臭氧必须扩散通过极薄去离子水层，所以它几乎立刻和有机光刻胶发生反应并使其氧化。在采用厚去离子水层的情况下，由于臭氧的溶解度低限制了臭氧扩散通过厚水层，所以去除光刻胶需要较长的时间。
Bergman等的问题在于该工艺在硅晶片表面中心喷洒去离子水，由于旋转，在晶片中心比晶片边缘集中了更多的去离子水。换而言之，旋转并没有将去离子水均匀分布在硅晶片表面上。因此，去离子水的非均匀分布(例如，厚度)导致光刻胶污染物去除性差和/或不均匀。不均匀去除的原因在于在某些厚区域反应慢，而在薄的涂覆区域反应快。
从上述内容可以发现，所需要的是采用最少量的去离子水将最大浓度的反应性气体有效、均匀并快速分布到硅晶片表面上的半导体清洁工艺。
发明综述
广而言之，本发明通过提供从基片表面去除层的系统和方法满足了这些需求。应该认识到，本发明可以以无数种方式实施，包括作为工艺、装置、系统、计算机可读取介质或者器件。下面将给出本发明的多个创造性的实施方案。
一个实施方案提供了从基片表面去除层的方法。该方法包括提供至少一种密封传输包(encapsulating transport)，该密封传输包包括至少一些反应性气体。至少一个密封传输包施加在该层上，该层是化学反应层。密封传输包在该化学反应层上破裂，将反应性气体释放到该化学反应层上，便于从基片表面去除该层。
可替换的实施方案提供了从基片表面去除层的方法。该方法将反应性气体和反应引发剂混合在一起形成至少一个密封传输包，该密封传输包包含至少一些所述反应性气体。
随后，该方法将该密封传输包施加到化学反应层上。密封传输包在化学反应层上破裂，将反应性气体释放到该化学反应层上，便于从基片表面去除该层。
另一种实施方案包括用于从基片表面去除层的装置。该装置包括被配置用以接收至少一个密封传输包的施加单元。密封传输包包含至少一些反应性气体，而且该密封传输包可以施加到该层上。当该密封传输包破裂时，导致该层和反应性气体发生反应。
可替换的实施方案包括用于从基片表面去除层的装置。该装置包括反应性气体源、反应引发剂源和施加单元。施加单元被配置用以接收来自反应性气体源的反应性气体和来自反应引发剂源的反应引发剂的组合。而且，该装置制备至少一个包含至少一些该反应性气体的密封传输包。密封传输包可以施加到该层上，当密封传输包破裂时，导致该层和反应性气体之间发生反应。
附图简述
根据下面的描述并结合附图，将很容易理解本发明，附图中的相同附图标记表示相同的结构元件。
图1示出了根据本发明一个实施方案的限定泡沫的多个密封传输包。
图2A示出了根据本发明一个实施方案的两个密封传输包之间界面的细节图或放大图。
图2B示出了根据本发明一个实施方案的破裂在有机材料上的密封传输包。
图3A、3B、3C和3D示出了根据本发明各个实施方案生成泡沫的各种方法。
图4A、4B、4C和4D示出了根据本发明各个实施方案将泡沫施加到有机材料层上的各个实施方案。
图5示出了根据本发明一个实施方案用于从基片表面去除有机材料层的接近头(proximity head)。
图6示出了根据本发明一个实施方案用以从基片表面去除层的方法操作流程图。
示例性实施方案详述
本发明公开了便于从基片去除层材料的方法和装置。在下面的描述中，为了便于对本发明的整体理解，提供了多个具体细节。但是本领域技术人员会认识到，无需某些或全部这些具体细节，也可以实施本发明。在其它情况下，为了避免不必要地使本发明变得晦涩，公知的工艺操作并没有详细描述。
图1示出了多个限定泡沫100的密封传输包101。如图所示，可以认为一个或多个密封传输包限定了气泡或泡沫，具体取决于相互之间的排列。在图1的示例中，多个密封传输包101以集中方式结合在一起，限定其成为泡沫100。当然，如果一个或多个密封传输包101与泡沫100分开，那么每个密封传输包101可以认为是一个气泡。
根据本发明一个实施方案，密封传输包101是两相系统，其中反应性气体106被反应引发剂102封闭。反应引发剂102限定了保持和围绕反应性气体106的膜或薄膜。反应性气体106优选是当和另一种材料直接接触时发生化学反应或促进化学反应的气体或气体组合。反应性气体106的例子包括与污染物反应的气体，比如臭氧(O3)、氧气(O2)、氢氯酸(HCl)和氢氟酸(HF)，以及非反应性气体，比如氮气(N2)和氩气(Ar)。反应性气体106也可以包括任何气体组合，比如臭氧(O3)和氮气(N2)；臭氧(O3)和氩气(Ar)；臭氧(O3)、氧气(O2)和氮气(N2)；臭氧(O3)、氧气(O2)和氩气(Ar)；臭氧(O3)、氧气(O2)、氮气(N2)和氩气；氧气(O2)和氩气(Ar)；氧气(O2)和氮气(N2)；以及氧气(O2)、氩气(Ar)和氮气(N2)。本发明实施方案采用臭氧作为反应气体106，因为臭氧和水(H2O)结合时会与有机材料发生化学反应。在一个实施方案中，有机材料可以是常用于半导体光刻法操作中的有机光刻胶材料。在另一实施方案中，氮气也可以和臭氧组合以提高密封传输包101中臭氧的浓度。
在一个实施方案中，反应引发剂102是当和另一种材料直接接触时发生化学反应或促进发生化学反应的液体(例如水或去离子水)。反应引发剂102可以是含有适当清洁流体的去离子水的含水溶液，或者含有适当清洁流体的半含水溶液。反应引发剂的例子包括水(H2O)；去离子水(DIW)；水(H2O)和清洁流体；水(H2O)和表面活性剂108；水(H2O)、清洁流体和表面活性剂108；去离子水(DIW)和表面活性剂108；以及去离子水(DIW)、清洁流体和表面活性剂108。本发明实施方案采用水作为反应引发剂102，因为水能使或者促进臭氧和有机光刻胶材料之间的化学反应。反应引发剂102围绕着反应性气体106，反应引发剂102也可以位于密封传输包101之间的空间里。
如图1简化所示，该空间形成有限宽度的通道104，反应引发剂102从通道104流过。相信极少量的反应引发剂102围绕着反应性气体106，大多数反应引发剂102存在于通道104里。但是，通道104不是一定要在两个密封传输包101之间形成。在该情况下，反应引发剂102围绕着反应性气体106。而且，在各种情况下，包括新制备的泡沫100由其达到平衡状态的工艺下，重力或其它力使反应引发剂102通过通道104从泡沫100中泄漏出来。
图2A示例了两个密封传输包101之间的界面的细节图或放大图105。这张图显示了由反应引发剂102的通道104隔开的反应性气体106。大多数泡沫100的存在是源于表面活性剂108的存在。表面活性剂108的例子是由脂和油制成的皂。脂和油转变成脂肪酸，通常以钠盐形式结合进来。通常，表面活性剂108降低了与密封传输包101表面相关的表面能或张力。更重要的是，表面活性剂108使密封传输包101的表面稳定以防破裂。另一种常见添加剂是甘油(高浓度)，用以提高粘度继而抑制泡沫100中的反应引发剂102的泄漏(drainage)。商用泡沫制品还包含少量称作助泡剂的成分，该成分已知能够改善表面活性剂108的性能。图2B示出了密封传输包101在有机材料层112上破裂的本发明实施方案。该实施方案采用有机光刻胶作为有机材料，因为基片110的图案化包括将有机光刻胶施加到基片110上。本实施方案中的基片110是硅晶片。但是，基片110不限于硅晶片。有机光刻胶可以施加到用于进行图案化的各个基片层上。基片层的例子包括介电层、金属层、多晶硅层和其它层，所有层在图案化过程中可以整体或者部分去除。有机材料还可以源自已经采用合适的干剥离工艺或合适的湿剥离工艺处理后的光刻胶。
大多数密封传输包101和泡沫100具有有限的存在时间。通常，密封传输包101的外露表面一旦破裂，就终止了密封传输包101的寿命。导致破裂的因素可以举出很多。反应引发剂102的泄漏是密封传输包101厚度减小的重要因素。挥发可以进一步降低厚度。另外，表面活性剂浓度可能不合适，灰尘可能影响密封传输包101，或者杂质和添加剂可能加剧了其不稳定性。反应性气体106还可以和密封传输包101的表面反应，限制泡沫的存在时间。
在一个实施方案中，当密封传输包101破裂时，释放出反应性气体106和反应引发剂102，使它们和有机材料层112在密封传输包101和有机材料层112之间的界面114上直接接触。通过使反应性气体106和反应引发剂102与有机材料层112直接接触，在反应性气体106、反应引发剂102和有机材料层112之间发生化学反应，从而便于从基片表面111上去除有机材料层112。最后，将反应引发剂102直接和有机材料层112接触并不要求密封传输包101破裂。如上所述，反应引发剂102从泡沫100中泄漏出来也导致反应引发剂102和有机材料层112接触。
虽然有许多生成泡沫100的方式，但是图3A-3D示出了便于生成的各种示例性方法。图3A示出了密封传输包发生器120a的一个实施方案，包括精细喷嘴305，该喷嘴部分浸没在容器310里的反应引发剂102里。密封传输包发生器120a通过在恒压下通过精细喷嘴305的输入端301供给反应性气体106来形成密封传输包101。供给反应性气体106在精细喷嘴305的输出端302处形成密封传输包101，其中所述精细喷嘴305浸没在反应引发剂102里。随后，密封传输包101浮到反应引发剂102的顶部。在一个实施方案中，另一个位于精细喷嘴305输出端302的容器315捕获位于反应引发剂102顶部的密封传输包101，该密封传输包101就此结合在一起，其结合方式限定其成为泡沫100。
图3B示出了密封传输包发生器120b的另一个实施方案，包括浸没在容器311中的反应引发剂102中的起泡装置320。密封传输包发生器120b通过在压力下通过连接到起泡装置320的输入导管321供给反应性气体106来形成密封传输包101。反应性气体106通过起泡装置320扩散到反应引发剂102中，形成密封传输包101。密封传输包101随后浮到反应引发剂102的顶部并结合在一起，其结合方式限定其成为泡沫100。图3C示出了密封传输包发生器120c的另一个实施方案，包括具有反应性气体输入导管331和反应引发剂输入导管332的起泡装置322。密封传输包发生器120c通过在压力下通过导管331、332供给反应性气体106和反应引发剂102到起泡装置332来形成泡沫100。反应性气体106和反应引发剂102在起泡装置中混合，其结合方式形成了泡沫100。
图3D示出了密封传输包发生器120e的另一种实施方案，其包括机械搅拌器325，所述搅拌器325的形式为旋转轴配上辐射状的叶片341。叶片341浸没在含有饱和反应性气体106的反应引发剂102里。旋转辐射状叶片341转动时搅拌含有饱和反应性气体106的反应引发剂102，从而生成密封传输包101。密封传输包101浮到含有饱和反应性气体106的反应引发剂102的顶部并结合在一起，其结合方式限定其为泡沫100。
另外，在其它实施方案中，机械搅拌器325可以不一定配置成辐射状叶片的形式，而可以是任何合适的构造、形状和/或尺寸，比如例如棍形、棒形、管形、板形等，只要该机械搅拌器325的配置方式会搅拌含有饱和反应性气体106的反应引发剂102即可。在另一实施方案中，没有采用机械搅拌器325来实施对含有饱和反应性气体106的反应引发剂102的搅拌。相反，是通过摇晃或振动含有饱和反应性气体106的反应引发剂102来实施搅拌，以生成密封传输包101。
有各种其它生成泡沫100的方法和装置。例如，密封传输包在含有饱和反应性气体106的反应引发剂102中的成核反应也会生成泡沫100。图4A-4E示出了将泡沫100施加到有机材料层112上的各种示例性实施方案。当然，也预见了其它实施方案，只要实现了将泡沫100施加到有机材料层112表面的功能即可。图4A示出了一种实施方案，其中施加器405直接将泡沫100施加到有机材料层112上。在该实施方案中，施加器405是中空圆柱形管，用来传导泡沫100。施加器405接收泡沫100，并将泡沫100传到有机材料层112上。将泡沫100施加到有机材料层112上，使得密封传输包101铺展在有机材料层112的整个表面上。当密封传输包破裂时，使得反应性气体106和薄层反应引发剂102的组合和有机材料层112直接接触。由于反应性气体106必须扩散通过极薄层的反应引发剂102，所以反应性气体106几乎立刻和有机材料层112反应，从而便于从基片表面111上去除有机材料层112。而且，由于反应引发剂层在整个有机材料层112表面上厚度均匀，所以相信有机材料层是均匀去除的。
在一个实施方案中，如图4A所示，施加器405可以以线形方式从基片110中心部分移到基片110的边缘。应该认识到可以采用其它实施方案，其中施加器405以线性方式从基片110的一边移到基片110的另一直径相对边，或者可以采用其它非线性移动，比如例如半径方向移动(radical motion)、环形移动、螺旋移动、锯齿形移动等。
另外，施加器405的构造不必一定是圆柱形管，而可以是任何合适的构造、形状和/或尺寸，比如例如歧管形、圆盘形、棒形、方形、椭圆盘形、板形等，只要施加器405经配置后允许施加泡沫100即可。图4B给出了实施方案的另一个实施例，其中施加器410是圆盘形。施加器的宽度横跨基片110的宽度，但施加器410可以变成任一合适的尺寸，具体取决于所需的应用。在一个实施方案中，施加器410接收泡沫100并将泡沫100在一次施加中均匀施加到有机材料层112的整个表面。
图4C示出了另一种实施方案，其中通过将基片110浸入泡沫100来将泡沫100施加到有机材料层112上。图4C示出了全部浸没在容器415所含泡沫100中的硅晶片110’形式的基片110的侧剖视图。图4D示出了浸在泡沫100中的硅晶片的顶视图。将整个硅晶片110’浸没在泡沫100中使无机材料层的整个表面暴露于泡沫100。如上所述，当密封传输包101破裂时，使得反应性气体106和反应引发剂102直接与有机材料接触，便于从硅晶片110’上去除有机材料层112。由于该实施方案使有机材料层112的整个表面暴露到大量泡沫100中，所以这种浸入从硅晶片110’上彻底而均匀地去除了有机材料层112。
图4E示出了另一种实施方案，其中多于一个的晶片110’浸在泡沫100中。图4E示出了三个硅晶片110’浸在泡沫100中的顶视图。在泡沫100中浸入成批硅晶片110’，和在泡沫100中浸入一个硅晶片相比，一次清洁多个硅晶片110’，由此提高了效率。
在其它实施方案中，硅晶片110’可以于任何方向或位置放置在容器415的泡沫100中，只要有机材料层112的一些表面直接和泡沫100接触即可。另外，在另一实施方案中，容器415不必要一定是矩形盒式构造，而可以是任何合适的构造、形状和/或大小，只要该容器经配置后可以容纳泡沫100即可。
如图5所示，本发明另一实施方案采用接近头501去除基片表面111上的有机材料层112。接近头501包括具有头表面515的头，该头表面515接近有机材料层112。在一个实施方案中，起泡装置320是接近头501的部件，其中该起泡装置和反应引发剂入口管510和反应性气体入口管505相连。反应性气体106和反应引发剂102在压力下分别通过反应性气体管505和反应入口管510供给起泡装置320。反应性气体106和反应引发剂102在起泡装置320里混合，其方式使得在接近头501和有机材料层112表面之间生成泡沫100。另外，在其它实施方案中，如图4A和4B所示，起泡装置320可以不是接近头501的部件。在该实施方案中，接近头不生成泡沫100，相反可以具有任何合适数量的入口管来供给泡沫100，其中所述泡沫100由其它方法或装置生成。
在另一实施方案中，接近头501被配置成可以具有至少一个排出管520，该排出管被配置成通过施加真空从位于晶片和接近头501之间的区域输出液体、气体、泡沫和/或有机材料(也称作真空出口)。应该认识到，可以采用任何合适数量的起泡装置、排出管和/或泡沫入口管，具体取决于装置的构造。在又一个其它实施方案中，接近头501可以包括其它入口，用于输送其它流体，比如空气、异丙醇(IPA)、去离子水、化学物质等。另外，也可以包括其它出口，具体取决于应用。因此，为了简化，仅仅示出了一套排出管520。
另外，接近头501可以不必是“头”状构造，而可以是任何适当的构造、形状和/或尺寸，比如例如歧管形、圆盘形、棒形、方形、椭圆盘形、管形、板形等，只要接近装置经配置后可以施加泡沫100即可。在一个实施方案中，接近头501可以是如图5所示的圆盘形。接近头501的尺寸可以根据所需应用变成任何适当的尺寸。
在所示实施方案中，接近头501可以以直线方式从基片110中心部分移到基片110的边缘。应该认识到，可以采用其它实施方案，其中接近头501以线性方式从基片110的一边移到基片110的另一直径相对边，或者可以采用其它非线性移动，比如例如半径方向移动、环形移动、螺旋移动、锯齿形移动等。移动也可以是用户所需的任何合适的指定移动轨迹。在另一实施方案中，基片10可以旋转而且接近头501可以以线性方式移动，使得接近头501可以处理基片110的所有部分。应该认识到，其它实施方案也可以采用，其中基片110不旋转而将接近头501配置成在基片110上移动，其移动方式使得基片110的所有部分都可以被处理。另外，可以采用接近头501将泡沫100施加到任何形状和尺寸的基片110上，例如200mm晶片、300mm晶片、平板等。
图6是示出了示例性功能块的方块图，其阐述了从基片表面111上去除有机材料层112的方法的实施方案。首先，在操作605中，该方法提供至少一个密封传输包101。如上所述，有多种方法和装置可以生成密封传输包101和泡沫100。在操作610中，该方法将密封传输包101施加到有机材料层112。在操作615中，当密封传输包101在有机材料层112上破裂时，反应性气体106和反应引发剂102的薄膜与有机材料层112直接接触，从而便于从基片110上去除有机材料层112。
随后，用清洁流体冲掉基片110上的副产物并干燥。可以进行任意次数的清洁处理，而且这种清洁操作中所用的流体也可以改变。在简单清洁操作中，清洁流体可以是去离子水、去离子水和各种酸和碱比如氢氟酸(HF)、氢氯酸(HCL)、氢氧化铵的混合物，或者任何多个专有的含水或半含水化学物质。在一个实施方案中，干燥操作可以采用旋转脱水干燥(SRD)技术。在这种干燥技术中，硅晶片形式的基片110以高速旋转。众所周知，在SRD技术中，离心力推动清洁流体和所有颗粒从晶片表面移到晶片边缘并最终离开晶片。在另一实施方案中，可以采用接近头清洁和干燥来进行最终的清洁操作。
虽然为了便于理解详细描述了上述发明，但显然可以在所附权利要求的范围内进行一定的改变和修改。因此，本实施方案应该被认为是示例性而非限制性的，而且本发明不限于此处给出的细节，而是可以在所附权利要求的范围和等同方案里进行修改。

Claims (20)

1.从基片表面去除层的方法，包括：
提供至少一个密封传输包，所述密封传输包包含至少一些反应性气体；
将所述至少一个密封传输包施加到层上，所述层是化学反应性层；和
其中所述密封传输包在所述化学反应层上破裂并将所述反应性气体释放到化学反应性层，便于从基片表面去除层。
2.权利要求1的从基片表面去除层的方法，其中将所述化学反应性气体释放到所述化学反应性层上使得反应性气体和反应引发剂的组合与该化学反应性层直接接触。
3.权利要求2的从基片表面去除层的方法，其中反应引发剂是以下中的一个：水(H2O)、去离子水(DIW)、水(H2O)和清洁流体、水(H2O)和表面活性剂、水(H2O)和清洁流体和表面活性剂、去离子水(DIW)和清洁流体、去离子水(DIW)和表面活性剂、以及去离子水(DIW)和清洁流体和表面活性剂。
4.权利要求1的从基片表面去除层的方法，其中所述至少一个密封传输包和其它密封传输包结合，以限定泡沫。
5.权利要求1的从基片表面去除层的方法，其中所述至少一个密封传输包是气泡。
6.权利要求1的从基片表面去除层的方法，其中所述反应性气体是以下中的一个：臭氧(O3)、氧气(O2)、氢氯酸(HCl)、氢氟酸(HF)、氮气(N2)、氩气(Ar)、臭氧(O3)和氮气(N2)、臭氧(O3)和氩气(Ar)、臭氧(O3)和氧气(O2)和氮气(N2)、臭氧(O3)和氧气(O2)和氩气(Ar)、臭氧(O3)和氧气(O2)和氮气(N2)和氩气(Ar)、氧气(O2)和氩气(Ar)、氧气(O2)和氮气(N2)、以及氧气(O2)和氩气(Ar)和氮气(N2)。
7.从基片表面去除层的方法，包括：
提供反应性气体；
提供反应引发剂；
混合反应性气体和反应引发剂以生成至少一个密封传输包，所述密封传输包包含至少一些所述反应性气体；和
将所述至少一个密封传输包施加到层上，所述层是化学反应性层；
其中所述密封传输包在所述化学反应性层上破裂并释放所述反应性气体到化学反应性层上，便于从基片表面去除所述层。
8.权利要求7的从基片表面去除层的方法，其中将所述化学反应性气体释放到所述化学反应性层上使得反应性气体和反应引发剂的组合与化学反应性层直接接触。
9.权利要求7的从基片表面去除层的方法，其中所述化学反应性层是有机材料。
10.用于从基片表面去除层的装置，包含：
施加单元，所述施加单元被配置成接收至少一个密封传输包，所述至少一个密封传输包包含至少一些反应性气体；
其中密封传输包能够被施加到所述层上，当其在所述层上破裂时导致所述层和所述反应性气体发生反应。
11.权利要求10的用于从基片表面去除层的装置，其中所述密封传输包能够被施加到所述层上，当其在所述层上破裂时导致所述层与反应性气体和反应引发剂的组合之间发生反应。
12.权利要求11的用于从基片表面去除层的装置，其中反应引发剂是以下中的一个：水(H2O)、去离子水(DIW)、水(H2O)和清洁流体、水(H2O)和表面活性剂、水(H2O)和清洁流体和表面活性剂、去离子水(DIW)和清洁流体、去离子水(DIW)和表面活性剂、以及去离子水(DIW)和清洁流体和表面活性剂。
13.权利要求10的用于从基片表面去除层的装置，其中所述施加单元是容器。
14.权利要求10的用于从基片表面去除层的装置，其还包括密封传输包生成单元。
15.权利要求10的用于从基片表面去除层的装置，其中所述反应性气体是以下中的一个：臭氧(O3)、氧气(O2)、氢氯酸(HCl)、氢氟酸(HF)、氮气(N2)、氩气(Ar)、臭氧(O3)和氮气(N2)、臭氧(O3)和氩气(Ar)、臭氧(O3)和氧气(O2)和氮气(N2)、臭氧(O3)和氧气(O2)和氩气(Ar)、臭氧(O3)和氧气(O2)和氮气(N2)和氩气(Ar)、氧气(O2)和氩气(Ar)、氧气(O2)和氮气(N2)、以及氧气(O2)和氩气(Ar)和氮气(N2)。
16.权利要求10的用于从基片表面去除层的装置，其中所述层是有机材料。
17.权利要求10的用于从基片表面去除层的装置，其中所述至少一个密封传输包和其它密封传输包结合，以限定泡沫。
18.用于从基片表面去除层的装置，包括：
反应性气体源；
反应引发剂源；和
施加单元，所述施加单元被配置成接收来自反应性气体源的反应性气体和来自反应引发剂源的反应引发剂的组合，以生成至少一个密封传输包，所述至少一个密封传输包包含至少一些所述反应性气体；
其中密封传输包能够被施加到所述层上，当其在所述层上破裂时导致所述层和所述反应性气体发生反应。
19.权利要求18的用于从基片表面去除层的装置，其中所述密封传输包能够被施加到所述层上，当其在所述层上破裂时导致所述层与反应性气体和反应引发剂的组合之间发生反应。
20.权利要求18的用于从基片表面去除层的装置，其中所述施加单元是接近头。
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