CN1811601B - 光刻装置和器件制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种浸没光刻装置,在所述装置中,一个或多个液体分流器设置在液体限制结构所包围的间隙中。液体分流器的功能是阻止一个或多个浸没液体回流区的形成,回流区可以导致在所述间隙中的浸没液体的折射率改变,进而造成成像错误。
Description
技术领域
本发明涉及光刻装置和器件制造方法。
背景技术
光刻装置是施加预定图案到衬底上且通常是到衬底的靶部分上的装置。例如,在集成电路(IC)的制造中使用光刻装置。在该场合中,构图装置或是可以称为掩模,或是称为标线片,其可被用来产生要形成在IC的单层上的电路图案。该图案可以被转移到衬底上(如硅晶片)的靶部分(例如,包括一个或几个芯片的部分)。图案转移通常是在形成于衬底上的辐射敏感材料层(抗蚀剂)上形成图像。一般,单个衬底包括一个由相邻的连续图案化的靶部分构成的网络。已知的光刻装置包括所谓的光刻步进电机和所谓的扫描机,在光刻步进电机中,通过一次性将整个图案曝光到靶部分上来辐照每个靶部分,在所述扫描机中,按照以下方式来照射每个靶部分,即用射线束在某个方向(扫描方向)上扫描图案,同时,与该方向平行地同步扫描衬底。通过印刷图案到衬底上,也可以将图案从构图装置转印到衬底上。
有人曾提出,在光刻投射装置中,将衬底浸没到具有较高的折射率的液体例如水中,以便填充在投射装置的最终元件和衬底之间的间隙。由于曝光射线在水中具有比较小的波长,所以,这样做能够形成形成更小特征的图案。(液体效应也可以被认为是增强了系统的有效NA值并且增大了焦深)。其它可以采用的浸没液体包括带有悬浮固体颗粒(例如石英)的水。
然而,将衬底或者将衬底和衬底台浸没在液池中(例如参见美国专利US4,509,852,在此引用合并其全文)意味着在扫描曝光期间内必须加速大量液体。这需要额外的或更大功率的电机,而且液体中的紊流可能导致不希望有的且不可预测的效果。
有人曾为液体供应系统提出这样一个解决方案,即仅在衬底的局部表面上并且在投射装置和衬底之间,利用液体封闭装置来施加液体(衬底一般具有比投射装置的最终元件更大的表面积)。在PCT申请号WO 99/49504中公开了为此曾提出的一种实施方式,在此作为参考并入该文献。如图2、3所示,通过至少一个入口IN将水供给衬底,优选沿着衬底相对最终元件移动的方向,并且在通过投射装置下面之后,至少通过一个出口OUT排出水。就是说,当在元件下面沿-X方向扫描衬底时,在元件的+X侧供应液体并且在-X侧排出。图2示出的布局是示意性的,在这里,通过入口IN供应液体,并且通过连接低压源的出口OUT在元件的另一侧排出液体。尽管不一定要如此安排,但如图2所示,可以沿衬底相对最终元件移动的方向供应液体。设置在最终元件的周围的入口和出口的方向和数量可以是各种各样的,在图3所举的例子中,按照围绕最终元件的正规图案,设置了四组入口和在每一侧上的出口。
在浸没光刻装置中,由于浸没液体的折射率对温度的依赖关系,浸没液体中的温度梯度可能引起成像缺陷。由于通过浸没液体吸收投射束并且由于从装置的其它部分如衬底和液体封闭装置传出热量,可能出现温度梯度。滤掉进入浸没液体中的抗蚀剂和输送抗蚀剂到投射装置的最终元件上也会带来麻烦。
发明内容
因此,例如提供一种能减小或避免浸没液体中的温度梯度的浸没光刻装置是有利的。
根据本发明的一个方面,提供一种光刻投射装置,它被布置成从构图装置中经过被限制在衬底附近间隙的液体地向衬底投射图案,该光刻投射装置包括在间隙中的液体分流器,用于促使液体流过该间隙。
根据本发明的一个方面,提供一种器件制造方法,它包括通过布置在衬底附近的间隙中的液体向衬底投射图案化的射线束,其中通过在间隙中的液体分流器促使液体流过间隙。
附图说明
现在仅通过例子的方式说明本发明的实施例,参考附图,其中对应的参考符合表明相应部分,其中:
图1描绘了根据本发明实施例的光刻装置;
图2和3描绘了用在光刻投射装置中的液体供应系统;
图4描绘了用于在光刻投射装置中使用的另一液体供应系统;
图5描绘了用于在光刻装置中使用的另外的液体供应系统;
图6a以平面图描绘了根据本发明的实施例的液体供应系统;
图6b说明了图6a的液体供应系统的剖面;
图7a和7b说明根据本发明的实施例的液体供应系统各自地剖面和平面图;
图8a和8b说明根据本发明的另外的实施例的液体供应系统各自地剖面和平面图;和
图9a和9b说明根据本发明的另外的实施例的液体供应系统各自地剖面和平面图。
具体实施方式
图1示意表示根据发明的一个实施例的光刻装置。该装置包括:
照射系统IL(照射器),其配置成能产生射线束B(如UV射线或DUV射线)。
支持结构MT(例如掩模台),其被构造成能支持构图装置MA(如掩模)并且被连接到第一定位器PM上,第一定位器能根据某些参数来准确地定位构图装置;
衬底台(如晶片台)WT,其被构造成能支持衬底(如涂有抗蚀剂的晶片)W并且被连接到第二定位器PM上,第二定位器能根据某些参数来准确地定位衬底;和
投射装置PS(例如折射投射透镜系统),其被构造成能将通过构图装置MA赋予射线束B的图案投射到衬底W的靶部分C(例如包括一个或多个芯片)上。
照射系统可以包括用于引导、成形或控制射线的不同类型的光学元件,如折射型、反射型、磁力型、电磁型、静电型或其它类型的光学元件,或其任意组合。
支持结构支持构图装置,即支撑构图装置的重量,其根据构图装置的方向、光刻装置的设计和其它条件如是否该构图装置保持在真空中来保持构图装置。支持结构可采用机械的、真空的、静电的或其它的夹持技术来保持构图装置。支持结构可以是支架或台,例如,根据需要其可以是固定的或活动的。支持结构可以保证构图装置例如相对投射装置处于预定位置上。在这里使用术语“划线片”或“掩模”可以被认为与上位术语“构图装置”是同意的。
在此所用的术语“构图装置”应该被广泛地解释为涉及任何装置,它可以被用于赋予射线束的截面一个图案,以便在衬底的靶部分中产生图案。应该注意的是,赋予射线束的图案不一定准确地对应于衬底靶部分的预定图案,例如,如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征。通常,赋予射线束的图案对应于在正制造的器件中的靶部分中的特定功能层,诸如集成电路。
构图装置可以是透射型的或反射型的。构图装置的例子包括掩模、可编程的镜阵列和可编程的LCD面板。在光刻技术中的掩模是众所周知的,它包括诸如二元的、可交替相移的和衰减相移的掩模类型,或者各种混合型掩模。可编程的镜阵列例如采用以矩阵方式设置的小镜子,每个镜子能各自倾斜,以便在不同的方向上反射入射的射线束。倾斜的镜子在由镜阵列所反射的射线束中带来了图案。所用术语“投射装置”应该被广义地解释为包含任何类型的投射装置,包括折射型、反射型、反折射型、磁力型、电磁型和静电型的光学系统或其任何组合,其适合于所用的曝光射线,或者适合于其它因素如浸没液体的使用或采用真空。在此使用的术语“投射透镜”可以被认为与上位术语“投射装置”是同意的。
如在此描述的那样,该装置是透射型的(例如采用透射掩模)。或者,该装置可以是反射型的(如采用上述类型的可编程的镜阵列,或采用反射掩模)。
光刻装置可以属于具有两个(双级)或更多个衬底台(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在“多级”设备中,可以同时使用附加的台,或者在正将一个或多个台用于曝光时,可以对一个或多个其它的台进行准备工作。
参考图1,照射器IL接收来自辐照源SO的射线束。例如当该源是准分子激光器时,辐照源和光刻装置可以独立的装置。在这种情况下,不认为辐照源是构成光刻装置的一部分,并且射线束在射束传递系统BD的辅助下从辐照源SO到达照射器IL,该传送系统BD例如包括适当的导向镜和/或束扩展器。在其它情况下,辐照源可以是该光刻装置的组成部分,例如当辐照源是汞灯时。如果需要,辐照源SO和照射器IL与射束传送系统BD一起被称作照射系统。
照射器IL可包括用于调整射线束的三角形光强分布的调整器AD。通常,在照射器的光瞳面中,强度分布的至少外部和/或内部的半径长短(通常分别指σ-外部和σ-内部)是可调的。另外,照射器IL可包括各种其它的部件,例如积分器N和聚光器CO。可以使用照射器来调整射线束,以便在其横截面中具有理想的均匀性和强度分布。
射线束B入射到保持在支持结构(例如,掩模台MT)上的构图装置(例如掩模MA)上并通过构图装置被图案化。横贯过掩模MA后,射线束B通过投射装置PS,其将射线束聚焦到衬底W的靶部分C。在第二定位器PW和定位传感器IF(例如干涉器件,线性编码器或电容传感器)的辅助下,可以准确地移动衬底台WT,例如用于在射线束B的路径中定位不同的靶部分C。在机械从掩模库返回后或者在扫描期间内,相似地,可以用第一定位器PM和其它的定位传感器(其没有在图1中清楚地描绘)将掩模MA准确定位在射线束B的路径中。一般,可在长行程模式(粗略定位)和短行程模式(精确定位)的辅助下实现掩模台MT的移动,其形成第二定位器PW的一部分。在光刻步进电机的情况下(与扫描器相反),掩模台MT可以仅连接到短行程致动器上,或被固定住。可以利用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2将掩模MA和衬底W相互对准。尽管衬底对准标记如图所示地占据了专用的靶部分,但它们可位于靶部分之间间隙内(划线道对准标记是公知的),类似地,在掩模MA上提供多于一个芯片的情况下,掩模对准标记可位于芯片之间。
所述装置可以按照其中一个下述模式来使用:
1.在步进模式中,掩模台MT和衬底台MT基本上保持静止不动,同时,赋予射线束的整个图案被投射到靶部分C上(即单静态曝光)。接着,在X和/或Y方向上移动衬底台WT,以使不同的靶部分C可以被曝光。在步进模式中,在单静态曝光中,曝光区的最大尺寸限制了所成像的靶部分的尺寸。
2.在扫描模式中,同步扫描掩模台MT和衬底台WT,同时,赋予射线束的整个图案被投射到靶部分C上(即单动态曝光)。投射装置PS的放大率(缩倍)和图像转换特性决定了衬底台MT相对掩模台MT的速度和方向。在扫描模式中,在单动态曝光中,曝光区的最大尺寸限制了靶部分的宽度(在非扫描方向),而扫描运动的长度决定了靶部分的高度(在扫描方向)。
3.在其它模式中,掩模台MT基本上保持静止不同,由此保持可编程的构图装置静止不动,移动或扫描衬底台WT,同时,赋予射线束的整个图案被投射到靶部分C上。在这种模式中,通常采用脉动式辐照源,并且根据需要,在衬底台WT每次移动之后或者在一次扫描中的先后照射脉冲之间,更新可编程的构图装置。这种工作模式可简单地被用于利用可编程的构图装置(如上述类型的可编程的镜阵列)的无掩模光刻技术设备中。
可以使用组合和/或修改上述说明的模式或完全不同的模式。
此外,在图4中示出带局部的液体供应系统的浸没光刻方案。通过在投射装置PL任一侧的两个槽入口IN供应液体并通过设置在入口IN直径外部的多个单独的出口OUT排出液体。可在中心有孔的板上设置入口IN和出口OUT,投射束投射穿过该中心的孔。通过一个在投射装置PL一侧的槽入口IN供给液体,通过在投射装置PL另一侧的多个单独的出口OUT排出液体,由此造成在投射装置PL和衬底W之间的液体薄膜流动。选择使用哪种入口和出口的组合方案取决于衬底W的移动方向(其它的入口IN和出口OUT的组合方案待用)。
已经提出的带有局部液体供应系统的另一个浸没光刻方案是要给液体供应系统配备液体限制结构,该液体限制结构沿投射装置的最终元件和衬底台之间间隙的边界的至少一部分分布。在图5中说明此方案的例子。液体限制结构在XY平面内相对投射装置基本上静止不动,尽管在Z方向(在光轴的方向)有些相对的运动。在液体限制结构和衬底表面之间形成密封。在一个实施例中,密封是诸如气密的不接触式密封。带有气密密封的这种系统在美国专利申请号US10/705,783中公开了,在此作为参考纳入其全文。
图5示出了这样的结构,即设有液池11,它限于填充在衬底的主要表面之间的间隙,该液池面向投射装置PL和投射装置PL的最终元件。围绕投射的图像区域地对衬底形成无接触密封,这有利于限制液池11中的液体。一液体限制结构12定位在投射装置PL的最终元件之下并环绕该最终元件,该液体限制结构构成液池。于是,液体供应系统10仅在衬底局部区域提供液体。液体限制结构12形成了液体供应系统的一部分,其被布置成用液体填充在投射装置的最终元件和衬底W(或衬底台WT)之间的间隙。液体被注入投射装置下面的间隙和液体限制结构12内。液体限制结构12在投射装置的最终元件之上延伸出一段,液面高于最终元件,结果,产生液体缓冲效果。液体限制结构12具有内部边缘,内部边缘的上端部优选紧密吻合投射装置或其最终元件的形状,例如可以是圆的。在底部,内部边缘紧密依照图像区域的形状,例如方形,尽管不一定要这样做。图案化的射束通过这些孔。
通过液体限制结构12底部和衬底W表面之间的气体密封16将液体限制在池中。通过气体,例如空气、人造空气、N2或惰性气体形成气体密封,这些气体在压力下通过入口15被送入在液体限制结构12和衬底W之间的间隙中,并通过出口14被排出。气体入口15上的过压、出口14上的真空度和几何形状被布置成能形成一个限制液体的向内的高速气流。本领域的技术人员应该清楚,可以使用其它类型的密封以限制液体,例如仅仅一个用于排出液体和/或气体的出口。当用任何密封时,一些液体可能会逸出,例如向出口14。欧洲专利申请公开no.EP1477856公开了驱动式液体供应系统,其中的液体限制结构在光轴方向上自由移动。
图5的液体供应系统的潜在问题是在液池11的浸没液体内可能形成一个或多个回流区。回流液体从衬底多次浸出抗蚀剂,因此可能造成不象预计的那样的(光学)性能。扫描运动可将一个或多个这种回流区输送到TP的靶部分,这可能会影响投射的图像。而且,图案化的射线束B可能加热靶部分中的回流液体,不只液体被快速置换,而且因为浸没液体的折射率依赖温度,这可能导致图像偏差。因此,考虑控制浸没液体的温度。
一个用于促进液体流过间隙11(间隙在平面图中比衬底更小)并且没有导致回流发生的方案是,仅从液体限制结构12的一侧提供液体给间隙11,而从另一侧抽出液体。液体流动方向可以跟着衬底扫描方向而变,并且通过环绕光轴旋转液体限制结构12来实现。对此的一个实现方式是,将液体限制结构12布置成是直流电机的转子。这会导致质量减小并可能利于以磁力来支持液体限制结构12。该布置方案允许浸没液体流从任一方向通过间隙11,但复杂性增大了。可使用控制器来参与扫描方向的改变(例如,如果在投射装置PL下衬底弯曲),并且可以旋转液体限制结构12,以便保证流动方向相对衬底W正相对液体限制结构12流动的那个方向是正确定向的。另一方法是通过使用如2004年11月12日美国专利申请号10/986,187所述的分配器来垂直分割间隙,在此作为参考纳入其全部内容。
图6到图9说明被动的实施例,液体分流器50、60、62、64、66、68、70促进浸没液体流20从液体限制结构12的一侧到限定结构12的另一侧。这样,可促进浸没液体的层流通过间隙11和这样可减少或基本上阻挡或阻止浸没液体的回流。在实施例中浸没液体流20以基本上垂直于扫描方向100的方向通过间隙11。然而这不是必须的,尤其当衬底从一行已成像的衬底W的靶部分移动到靶部分的下一行时,衬底W在投射装置PL下蜿蜒经过的路线可能导致不能以垂直于浸没液体流20的方向移动衬底W。在一个可能的实施方式中,图6到图9的实施例是完全被动的,即它们没有移动部件。然而,可以设置一个或多个液体分流器50、60、62、64、66、68、70,它们能相对投射装置PL旋转并且或许也能相对液体限制结构12转动,从而可以相对投射系统PL来改变浸没液体流20通过间隙11的方向。它可以如前段所述的方式来安排。
现在,详细描述图6到图9的实施例,随后将描述关于液体分流器50、60、62、64、66、68、70的概括介绍。
图6a以平面图示出了液体限制结构12和液体分流器50。液体限制结构12限定了充满浸没液体的内部间隙11。
液体分流器50定位在衬底W上的靶部分TP的任一侧。靶部分TP是衬底W的要成像部分。于是,图案化的射线束B通过其剖面与靶部分TP系统的图像区并穿过浸没液体。液体分流器50定位在图像区的任一侧,以至图案化的射线束B无阻挡地穿过浸没液体而到达衬底W。应避免或尽量减小的间隙11中区域是图像区,并且液体分流器50被布置成能促进浸没液体的层流20在图像区通过间隙11。在图6a的实施例中,其做法是,提供两个异型的流动阻挡体50,其体积相当于间隙11体积的一部分(例如,间隙11体积的20%)并具有促进浸没液体流过间隙的作用,特别是在靶部分TP上的图像区,并且阻止或减少产生回流和温度波动(例如这是由扫描移动或具有不同温度的表面造成的)。浸没液体通过分流器直接流过两个分流器50之间的间隙,因此促进(层)流从液体限制结构12的一侧流到另一侧。另外,液体分流器可阻止或减小扰流传到靶部分上并且也可阻止或减少在靶部分的任一侧上出现回流。
图6b说明了图6a的实施例的剖面图。在图6b中可以看到,投射装置PL的最终元件15支持液体分流器50。液体分流器50可以与最终元件15集成的形成(例如,沿着最终元件15材料块的外部机械加工形成)或可以通过其它的方法与最终元件15匹配。液体分流器50可以不与最终元件15集成地形成,但是尽管如此,用与最终元件15相同的材料制成是有好处的。独立于液体分流器50支持液体限制结构12和也可独立于投射装置PL。
图7a和7b说明本发明的另一实施例,除了下述内容外,其余的与图6a的实施例相同。在该实施例中,液体分流器成多个翼或鳍60、62、64、66、68、70的形式,替代了图6a实施例的液体分流器50并且也促使浸没液体流过间隙11。浸没液体在翼60、62、64、66、68、70之间流动,这些翼定位在图像区的任一侧上并且在在图像区内促进浸没液体的层流和因而阻止或减少浸没液体流回流方面具有与图6a所示实施例中的液体分流器50同样的效果。可参见图6b,翼60、62、64、66、68、70也可与投射装置的最终元件15连接。
图8a和8b说明又一个实施例,除了下述内容外,其余的与图6a的实施例相同。在该实施例中,液体分流器50在液体限制结构12的内部周边上被连接在液体限制结构12上,该液体限制结构至少部分限定出间隙11。该实施例使有利的,因为液体限制结构12可接着在Z方向上无阻碍地移动,而无需担心衬底W与液体分流器50会接触到。相反,图6a的实施例的最好工作条件是液体限制结构12被固定在Z方向上并因而不能在Z方向上移动。
图9a和9b说明本发明的另一个实施例,除了下述内容外,其余的与图7a和7b的实施例相同。在该实施例中,参见图9a,翼60、62、64、66、68、70是弯曲的,而不是如实施例7a中的直的。液体分流器50、60、62、64、66、68、70的精确形状不像液体分流器50的那样重要,只要液体分流器的功能是促进浸没液体流过间隙并由此阻止或减少回流。形状在图9中示出了,在两组相对翼之间的主通道的横截面从浸没液体进入间隙11的入口点到离开间隙的出口点减小,这可能对防止或者减小图像区内的回流区有效,因为它能产生稳定的流动。
参见图9b,就液体分流器连接到液体限制结构12上而不是连接在投射装置PL上来说,该实施例与图8a的实施例相似。
液体分流器50、60、62、64、66、68、70的结构或配置方式(例如曲的或直的)不是重要的,只要能实现促进浸没液体流过间隙并由此阻止或减小回流的功能。另外,液体分流器可阻止或减小在间隙中产生的温度波动(例如,由扫描移动和/或具有不同温度的表面产生的)。分流器也可以阻止或减少从间隙侧输送到靶部分TP的扰动。在一个实施例中,液体分流器的表面经过表面处理,以促进浸没液体层流过它们。在一个实施例中,液体分流器用多孔材料制成,该材料有效避免在液体分流器的任一侧之间的压力差。另外,分流器可连接到低压源上,并且被构造和设置成从分流器表面上的一个或多个部分抽出浸没液体,因此从分流器的表面除去液体边界层。
液体分流器可以是实心的。在一个实施例中,液体分流器可是中空的,其具有减少重量的优点,特别是在液体分流器安装在液体限制结构12上的实施例中。在一个实施例中,液体分流器由与浸没液体亲和的材料制成(即不产生离子)和/或耐投射光束。例如材料是不锈钢、陶瓷或与投射装置的最终元件相同的材料,如石英或氟化钙。诸如Zerodur(RTM)或ULE(RTM)的低热膨胀系数材料也适用。
因此,可以看到液体分流器通常以基本平行于衬底平面的方向分流浸没液体。也可想象到,液体分流器具有垂直部分,以便在水平平面内(该面基本上平行衬底W)分割间隙12。
在欧洲专利申请No.03257072.3中,公开了两级(双级)浸没光刻装置的设想。该装置提供具有两个用于支持衬底的台。在没有浸没液体时,一个台在第一位置上执行水平测量,而在存在浸没液体时,一个台在第二位置上执行曝光。或者,该装置仅有一个台。
尽管可以在本文中特别关注利用光刻装置来制造IC中,但应该清楚的是,在此描述的光刻装置可以有其它的应用,如制造集成光学系统、引导和检测用于磁畴储存器的图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域的技术人员将会理解到,在这些可选的应用场合中,在此所用的术语“晶片”或“芯片”应被认为分别与上位术语“衬底”或“靶部分”同意。在这里提到的衬底可以在曝光之前或之后被处理,例如在一个轨(工具,其经常施加一层抗蚀剂到衬底上并曝光抗蚀剂)、测量工具和/或检测工具中。如果适用的话,在此的公开内容可适用于这样的和其它的衬底处理工具。另外,可以多次处理衬底,例如为了制造多层IC,因此,在此使用的术语“衬底”也可指包括多个已处理层的衬底。
尽管以上内容是参照本发明的实施例被特定用于光刻技术领域来描述的,但应该理解的是,本发明可以在其它的领域使用,例如印痕印刷,以及相关领域,而不限于光刻。在印痕印刷中,在构图装置中的形貌限定了在衬底上制作的图案。构图装置的形貌可转印到形成于衬底上的抗蚀剂层,通过施加电磁辐照、热、压或者组合实施例这些手段,使抗蚀剂固化。在抗蚀剂固化后,从构图装置上去除抗蚀剂留下图案。
在此使用的术语“射线”和“射线束”包括所有类型的电磁射线,包括紫外线(UV)(例如有或大约有365、248、193、157或126nm的波长)和超紫外线(EUV)(例如具有5至20nm范围的波长),还有诸如离子束或电子束的粒子束。
在本文中,术语“透镜”可以指任一或不同的光学元件类型的组合,包括折射型、反射型、磁力型、电磁型和静电型光学元件。
尽管以上描述了本发明的具体实施例,但应该理解的是,本发明可以按照不同于所述情况的方式来实施。例如,本发明可采取包含描述上述方法的一个或多个序列的可机读指令的计算机程序的形式,或其中储存有此类计算机程序的数据储存媒体(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。
本发明的至少一个实施例可被应用到任何浸没光刻装置,例如上述提到的类型,不管是否以液池形式提供浸没液体或者仅在衬底的局部表面区提供浸没液体。液体供应系统可是任一装置,其可提供液体给在投射装置和衬底和/或衬底台之间的间隙。本发明包括一个或多个结构的组合,或一个或多个液体入口,一个或多个气体入口,一个或多个气体出口,一个和/或多个液体出口,这些组合结构提供并限定了液体位于间隙中。在一个实施例中,间隙的表面可以被限制到衬底和/衬底台的一部分,间隙的表面可完全覆盖衬底和/或衬底台,或所述间隙可密封衬底或衬底台。
以上描述只是示范性的,而不是限制性的。因此,本领域的技术人员显然可以在不脱离以下描述的权利要求书保护范围的情况下修改本发明。
Claims (17)
1.一种光刻投射装置,它被布置成能从构图装置起经过被限制在衬底附近的间隙中的液体地将图案投射到衬底上,所述光刻投射装置包括在所述间隙中的、用于促进液体流过所述间隙的多个液体分流器,其中,所述多个液体分流器中的至少一个能够转动,所述液体分流器被构造成在一个基本平行于所述衬底的平面的方向上分流所述液体,所述液体在垂直于衬底的扫描方向的方向上流过所述间隙。
2.根据权利要求1的装置,其特征是,所述液体分流器在垂直于所述衬底的平面的方向上延伸。
3.根据权利要求1的装置,其特征是,经过图像区投射所述投射图案,并且在所述图像区的每一侧上设置所述液体分流器。
4.根据权利要求1的装置,其特征是,所述液体分流器是阻挡体,其体积与所述间隙的体积相比占相当大的一部分。
5.根据权利要求4的装置,其特征是,所述液体分流器促进所述液体从所述间隙的一侧流到相对的另一侧。
6.根据权利要求4的装置,其特征是,所述液体分流器是弯曲的,以促使所述液体以弯曲路径流动。
7.根据权利要求1的装置,其特征是,所述液体分流器安装在投射装置的最终元件上,所述投射装置被构造成能将图案化的光束投射到所述衬底上。
8.根据权利要求1的装置,其特征是,所述液体分流器是具有细长的垂直剖面的翼。
9.根据权利要求5的装置,其特征是,所述液体分流器具有细长的水平剖面。
10.根据权利要求1的装置,其特征是,还包括液体限制结构,其被构造成将所述液体限定在所述间隙中,所述液体分流器安装在所述液体限制结构上。
11.根据权利要求1的装置,其特征是,所述液体分流器是中空的。
12.根据权利要求1的装置,其特征是,所述液体分流器是固体的。
13.根据权利要求1的装置,其特征是,所述液体分流器是多孔的。
14.根据权利要求1的装置,其特征是,所述液体分流器的表面光洁度能促进液体层流。
15.根据权利要求1的装置,其特征是,所述液体分流器在水平平面内将所述间隙分为独立的通道。
16.根据权利要求1的装置,其特征是,在所述液体分流器的表面上设有抽取口,用于从所述液体分流器的表面上除去液体边界层。
17.一种利用权利要求1的光刻投射装置制造器件的方法,包括通过设置在衬底附近的间隙中的液体将图案化的射线束投射到衬底上,其中通过在所述间隙中的液体分流器促进所述液体流过所述间隙。
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Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004053955A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP2613193B1 (en) | 2003-04-11 | 2016-01-13 | Nikon Corporation | Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine |
TWI536430B (zh) | 2003-06-19 | 2016-06-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP1768169B9 (en) * | 2004-06-04 | 2013-03-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device producing method |
US8717533B2 (en) * | 2004-06-10 | 2014-05-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8373843B2 (en) * | 2004-06-10 | 2013-02-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8508713B2 (en) * | 2004-06-10 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US20070139628A1 (en) * | 2004-06-10 | 2007-06-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
EP2624282B1 (en) | 2004-06-10 | 2017-02-08 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and method, and methods for producing a device |
US7474379B2 (en) | 2005-06-28 | 2009-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7834974B2 (en) | 2005-06-28 | 2010-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR100655165B1 (ko) * | 2005-11-28 | 2007-02-28 | 서만승 | 마스크리스 리소그래피를 위한 점유면적기반 패턴 생성방법 |
US7830498B2 (en) * | 2006-10-10 | 2010-11-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Hydraulic-facilitated contact lithography apparatus, system and method |
US8300207B2 (en) | 2007-05-17 | 2012-10-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, immersion system, exposing method, and device fabricating method |
NL1036253A1 (nl) * | 2007-12-10 | 2009-06-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2004102A (en) * | 2009-02-25 | 2010-08-26 | Asml Holding Nv | A fluid handling device, an immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2007498A (en) | 2010-12-23 | 2012-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method of modifying a beam of radiation within a lithographic apparatus. |
NL2008183A (en) * | 2011-02-25 | 2012-08-28 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method. |
US11086209B2 (en) * | 2017-04-27 | 2021-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV lithography mask with a porous reflective multilayer structure |
Family Cites Families (136)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
EP0023231B1 (de) | 1979-07-27 | 1982-08-11 | Tabarelli, Werner, Dr. | Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4390273A (en) | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
US5040020A (en) | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
US5121256A (en) | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
WO1998009278A1 (en) | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Digital Papyrus Technologies | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
AU1505699A (en) | 1997-12-12 | 1999-07-05 | Nikon Corporation | Projection exposure method and projection aligner |
TWI242111B (en) | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
TW591653B (en) | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
WO2002091078A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6600547B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
CN1791839A (zh) | 2001-11-07 | 2006-06-21 | 应用材料有限公司 | 光点格栅阵列光刻机 |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
US7092069B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
CN1650401B (zh) | 2002-04-09 | 2010-04-21 | 株式会社尼康 | 曝光方法与曝光装置、以及器件的制造方法 |
TWI242691B (en) | 2002-08-23 | 2005-11-01 | Nikon Corp | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
CN101713932B (zh) | 2002-11-12 | 2012-09-26 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
CN101470360B (zh) | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10253679A1 (de) | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
WO2004053955A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR20050085026A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학 소자 및 그 광학 소자를 사용한 투영 노광 장치 |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
WO2004053953A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4595320B2 (ja) | 2002-12-10 | 2010-12-08 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
AU2003289237A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
AU2003302831A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
US7242455B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
KR101037057B1 (ko) | 2002-12-10 | 2011-05-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
EP1571701A4 (en) | 2002-12-10 | 2008-04-09 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS |
KR101101737B1 (ko) | 2002-12-10 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
CN100370533C (zh) | 2002-12-13 | 2008-02-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于照射层的方法和用于将辐射导向层的装置 |
US7010958B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
ES2268450T3 (es) | 2002-12-19 | 2007-03-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Metodo y dispositivo para irradiar puntos en una capa. |
WO2004057589A1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
US7090964B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6943941B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
DE602004020200D1 (de) * | 2003-04-07 | 2009-05-07 | Nippon Kogaku Kk | Belichtungsgerät und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
KR101177331B1 (ko) | 2003-04-09 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
CN1771463A (zh) * | 2003-04-10 | 2006-05-10 | 株式会社尼康 | 用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道 |
JP4428115B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2010-03-10 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィシステム |
JP4582089B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
JP2004321968A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Nec Corp | 廃棄物処理システムおよび廃棄物処理方法 |
JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
EP2270599A1 (en) | 2003-05-13 | 2011-01-05 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7274472B2 (en) | 2003-05-28 | 2007-09-25 | Timbre Technologies, Inc. | Resolution enhanced optical metrology |
DE10324477A1 (de) | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
US7684008B2 (en) | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
TWI536430B (zh) | 2003-06-19 | 2016-06-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP2005019616A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP4343597B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1494079B1 (en) * | 2003-06-27 | 2008-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic Apparatus |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
EP1494074A1 (en) | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1639391A4 (en) | 2003-07-01 | 2009-04-29 | Nikon Corp | USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS |
SG109000A1 (en) | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7579135B2 (en) | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7700267B2 (en) | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
EP3223074A1 (en) * | 2003-09-03 | 2017-09-27 | Nikon Corporation | Apparatus and method for immersion lithography for recovering fluid |
JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
TW200513809A (en) | 2003-09-29 | 2005-04-16 | Nippon Kogaku Kk | Liquid-soaked lens system and projecting exposure apparatus as well as component manufacturing method |
US7369217B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
US7678527B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
EP2267537B1 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-13 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus |
JP2005159322A (ja) | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
US7924397B2 (en) | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
KR100524312B1 (ko) | 2003-11-12 | 2005-10-28 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 초기화 제어방법 및 장치 |
US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4747263B2 (ja) | 2003-11-24 | 2011-08-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | オブジェクティブにおける光学素子のための保持装置 |
US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
JP2005175016A (ja) | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
JP2005191381A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
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