CN1742066A - 抛光含硅电介质的方法 - Google Patents
抛光含硅电介质的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1742066A CN1742066A CNA2004800027634A CN200480002763A CN1742066A CN 1742066 A CN1742066 A CN 1742066A CN A2004800027634 A CNA2004800027634 A CN A2004800027634A CN 200480002763 A CN200480002763 A CN 200480002763A CN 1742066 A CN1742066 A CN 1742066A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- acid
- polishing
- substrate
- chemical
- additive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title abstract description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 title abstract description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 218
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 64
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 61
- -1 aliphatic amines Chemical class 0.000 claims abstract description 49
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 34
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 23
- NEAQRZUHTPSBBM-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3,3-dimethyl-7-nitro-4h-isoquinolin-1-one Chemical class C1=C([N+]([O-])=O)C=C2C(=O)N(O)C(C)(C)CC2=C1 NEAQRZUHTPSBBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 17
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical class NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 claims abstract description 15
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 38
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 34
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 31
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 claims description 31
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 31
- RWZYAGGXGHYGMB-UHFFFAOYSA-N anthranilic acid Chemical compound NC1=CC=CC=C1C(O)=O RWZYAGGXGHYGMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 21
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 20
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 18
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N Methanethiol Chemical class SC LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- FDDDEECHVMSUSB-UHFFFAOYSA-N sulfanilamide Chemical class NC1=CC=C(S(N)(=O)=O)C=C1 FDDDEECHVMSUSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- NZNMSOFKMUBTKW-UHFFFAOYSA-N cyclohexanecarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1 NZNMSOFKMUBTKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 claims description 10
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 10
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 claims description 9
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims description 8
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LJOODBDWMQKMFB-UHFFFAOYSA-N cyclohexylacetic acid Chemical compound OC(=O)CC1CCCCC1 LJOODBDWMQKMFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 6
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N Picolinic acid Natural products OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 5
- HNYOPLTXPVRDBG-UHFFFAOYSA-N barbituric acid Chemical compound O=C1CC(=O)NC(=O)N1 HNYOPLTXPVRDBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229960002989 glutamic acid Drugs 0.000 claims description 5
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 claims description 5
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N tetramethyltin Chemical compound C[Sn](C)(C)C VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GJAWHXHKYYXBSV-UHFFFAOYSA-N pyridinedicarboxylic acid Natural products OC(=O)C1=CC=CN=C1C(O)=O GJAWHXHKYYXBSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 3
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 claims description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 claims description 3
- LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N quinaldic acid Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C(=O)O)=CC=C21 LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003831 tetrazolyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LVPMIMZXDYBCDF-UHFFFAOYSA-N isocinchomeronic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)N=C1 LVPMIMZXDYBCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoferriooxy)iron hydrate Chemical compound O.O=[Fe]O[Fe]=O NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical group O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 abstract 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N methanol Natural products OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BRARRAHGNDUELT-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypicolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=NC=CC=C1O BRARRAHGNDUELT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 7
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910004013 NO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 6
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 6
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- ZAJAQTYSTDTMCU-UHFFFAOYSA-N 3-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1 ZAJAQTYSTDTMCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940090248 4-hydroxybenzoic acid Drugs 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 description 4
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 4
- OPTASPLRGRRNAP-UHFFFAOYSA-N cytosine Chemical compound NC=1C=CNC(=O)N=1 OPTASPLRGRRNAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N thiophenol Chemical compound SC1=CC=CC=C1 RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CWLKGDAVCFYWJK-UHFFFAOYSA-N 3-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC(O)=C1 CWLKGDAVCFYWJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940018563 3-aminophenol Drugs 0.000 description 3
- PRBMONXTZBFIHB-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)O.NS Chemical compound C1(=CC=CC=C1)O.NS PRBMONXTZBFIHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 3
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 3
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229960003151 mercaptamine Drugs 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- NIONDZDPPYHYKY-SNAWJCMRSA-N (2E)-hexenoic acid Chemical compound CCC\C=C\C(O)=O NIONDZDPPYHYKY-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 2
- RHUYHJGZWVXEHW-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dimethyhydrazine Chemical compound CN(C)N RHUYHJGZWVXEHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-triazole Chemical compound N1NC=CN1 SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFBJCMHMOXMLKC-UHFFFAOYSA-N 2,4-dinitrophenol Chemical compound OC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O UFBJCMHMOXMLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VMKPDXOZTSISIW-UHFFFAOYSA-N 2-aminobenzenecarbohydroxamic acid Chemical compound NC1=CC=CC=C1C(=O)NO VMKPDXOZTSISIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ICSNLGPSRYBMBD-UHFFFAOYSA-N 2-aminopyridine Chemical compound NC1=CC=CC=N1 ICSNLGPSRYBMBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUYKNJBYIJFRCU-UHFFFAOYSA-N 3-aminopyridine Chemical compound NC1=CC=CN=C1 CUYKNJBYIJFRCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTMUXJBJCMRWPG-UHFFFAOYSA-N 3-chloropyridine-2-carboxylic acid Chemical class OC(=O)C1=NC=CC=C1Cl XTMUXJBJCMRWPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJFXRHURBJZNAO-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(O)=C1 IJFXRHURBJZNAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRFNBEZIAWKNCO-UHFFFAOYSA-N 3-pyridinol Chemical compound OC1=CC=CN=C1 GRFNBEZIAWKNCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PLIKAWJENQZMHA-UHFFFAOYSA-N 4-aminophenol Chemical compound NC1=CC=C(O)C=C1 PLIKAWJENQZMHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKNQCJSGGFJEIZ-UHFFFAOYSA-N 4-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=NC=C1 FKNQCJSGGFJEIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 2
- GJSURZIOUXUGAL-UHFFFAOYSA-N Clonidine Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1NC1=NCCN1 GJSURZIOUXUGAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTYJJOPFIAHURM-UHFFFAOYSA-N Histamine Chemical compound NCCC1=CN=CN1 NTYJJOPFIAHURM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000008365 aqueous carrier Substances 0.000 description 2
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 2
- 150000001558 benzoic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- CUBCNYWQJHBXIY-UHFFFAOYSA-N benzoic acid;2-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1.OC(=O)C1=CC=CC=C1O CUBCNYWQJHBXIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- UFULAYFCSOUIOV-UHFFFAOYSA-N cysteamine Chemical compound NCCS UFULAYFCSOUIOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N glyoxal Chemical compound O=CC=O LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N monofluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC=C1 PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBXVOQPAMPBADW-UHFFFAOYSA-N nitrous acid;phenol Chemical class ON=O.OC1=CC=CC=C1 RBXVOQPAMPBADW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-N picric acid Chemical compound OC1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVJHJDDKYZXRJI-UHFFFAOYSA-N pyrroline Natural products C1CC=NC1 ZVJHJDDKYZXRJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QZAYGJVTTNCVMB-UHFFFAOYSA-N serotonin Chemical compound C1=C(O)C=C2C(CCN)=CNC2=C1 QZAYGJVTTNCVMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Chemical class 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- SKIVFJLNDNKQPD-UHFFFAOYSA-N sulfacetamide Chemical compound CC(=O)NS(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 SKIVFJLNDNKQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960002673 sulfacetamide Drugs 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229950002929 trinitrophenol Drugs 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000003021 water soluble solvent Substances 0.000 description 2
- CDQDMLWGTVLQEE-UHFFFAOYSA-N (1-methylimidazol-2-yl)methanol Chemical compound CN1C=CN=C1CO CDQDMLWGTVLQEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWXMGUDVXFXRIG-WESIUVDSSA-N (4s,4as,5as,6s,12ar)-4-(dimethylamino)-1,6,10,11,12a-pentahydroxy-6-methyl-3,12-dioxo-4,4a,5,5a-tetrahydrotetracene-2-carboxamide Chemical compound C1=CC=C2[C@](O)(C)[C@H]3C[C@H]4[C@H](N(C)C)C(=O)C(C(N)=O)=C(O)[C@@]4(O)C(=O)C3=C(O)C2=C1O NWXMGUDVXFXRIG-WESIUVDSSA-N 0.000 description 1
- 125000004642 (C1-C12) alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001373 (E)-2-methylpent-2-enoic acid Substances 0.000 description 1
- NQBWNECTZUOWID-UHFFFAOYSA-N (E)-cinnamyl (E)-cinnamate Natural products C=1C=CC=CC=1C=CC(=O)OCC=CC1=CC=CC=C1 NQBWNECTZUOWID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTXSIJUGVMTTMU-JTQLQIEISA-N (S)-anabasine Chemical compound N1CCCC[C@H]1C1=CC=CN=C1 MTXSIJUGVMTTMU-JTQLQIEISA-N 0.000 description 1
- MYKUKUCHPMASKF-VIFPVBQESA-N (S)-nornicotine Chemical compound C1CCN[C@@H]1C1=CC=CN=C1 MYKUKUCHPMASKF-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- AGNGYMCLFWQVGX-AGFFZDDWSA-N (e)-1-[(2s)-2-amino-2-carboxyethoxy]-2-diazonioethenolate Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CO\C([O-])=C\[N+]#N AGNGYMCLFWQVGX-AGFFZDDWSA-N 0.000 description 1
- DEVUYWTZRXOMSI-UHFFFAOYSA-N (sulfamoylamino)benzene Chemical compound NS(=O)(=O)NC1=CC=CC=C1 DEVUYWTZRXOMSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHBZRQXIRAEMRO-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetramethylhydrazine Chemical compound CN(C)N(C)C DHBZRQXIRAEMRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFZHGQSUNAKKSN-UHFFFAOYSA-N 1,1-diethylhydrazine Chemical compound CCN(N)CC IFZHGQSUNAKKSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWGIINOTSOHDFH-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydroimidazo[2,1-a]isoindol-2-one Chemical compound C1=C2C=CC=CC2=C2N1CC(=O)N2 QWGIINOTSOHDFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAIPHJJURHTUIC-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazol-2-amine Chemical compound NC1=NC=CS1 RAIPHJJURHTUIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPKNDHZQPGMLCJ-UHFFFAOYSA-N 1-(3-aminophenyl)ethanol Chemical compound CC(O)C1=CC=CC(N)=C1 QPKNDHZQPGMLCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLOLXKMKUIJUIX-UHFFFAOYSA-N 1-cyclohexyl-2,3-dihydropyrrole Chemical compound C1=CCCN1C1CCCCC1 DLOLXKMKUIJUIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPUAYOJTHRDUTK-UHFFFAOYSA-N 1-ethylpyrrole Chemical compound CCN1C=CC=C1 VPUAYOJTHRDUTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-1H-imidazole Chemical compound CN1C=CN=C1 MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVUOLADPCWQTTE-UHFFFAOYSA-N 1h-1,2-benzodiazepine Chemical compound N1N=CC=CC2=CC=CC=C12 SVUOLADPCWQTTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOMATQMEHRJKLO-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazol-2-ylmethanol Chemical compound OCC1=NC=CN1 ZOMATQMEHRJKLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXBKZAYVMSNKHA-UHFFFAOYSA-N 1h-tetrazol-1-ium-5-olate Chemical compound OC=1N=NNN=1 JXBKZAYVMSNKHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPJUNDFVDDCYIH-UHFFFAOYSA-M 2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutanoate Chemical class [O-]C(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YPJUNDFVDDCYIH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEUMBMHMMCOFAG-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrooxadiazole Chemical compound N1NC=CO1 VEUMBMHMMCOFAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 2,4-D Chemical compound OC(=O)COC1=CC=C(Cl)C=C1Cl OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMGHIGVFLOPEHJ-UHFFFAOYSA-N 2,5-dihydro-1h-pyrrol-1-ium-2-carboxylate Chemical compound OC(=O)C1NCC=C1 OMGHIGVFLOPEHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYOANZBNGDEJFH-UHFFFAOYSA-N 2,5-dihydro-1h-triazole Chemical compound C1NNN=C1 SYOANZBNGDEJFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXIIDOIPHUUCBF-UHFFFAOYSA-N 2,6-dinitrophenol Chemical compound [N+](=O)([O-])C1=C(C(=CC=C1)[N+](=O)[O-])O.[N+](=O)([O-])C1=C(C(=CC=C1)[N+](=O)[O-])O UXIIDOIPHUUCBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOJFAKBEASOYNM-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminophenoxy)aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1OC1=CC=CC=C1N GOJFAKBEASOYNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOFVVUAUYSEHGV-UHFFFAOYSA-N 2-(7-chloro-4-oxo-1h-quinolin-2-yl)acetic acid Chemical compound C1=C(Cl)C=C2NC(CC(=O)O)=CC(=O)C2=C1 JOFVVUAUYSEHGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RANKPAATSBWOOC-UHFFFAOYSA-N 2-(8-hydroxyquinolin-2-yl)acetic acid Chemical compound C1=CC=C(O)C2=NC(CC(=O)O)=CC=C21 RANKPAATSBWOOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVPZSMIBSMMLPI-UHFFFAOYSA-N 2-(diethylamino)acetonitrile Chemical compound CCN(CC)CC#N LVPZSMIBSMMLPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBDSNEVSFQMCTL-UHFFFAOYSA-N 2-(diethylamino)ethanethiol Chemical compound CCN(CC)CCS YBDSNEVSFQMCTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKFXHYYEYJRTCE-UHFFFAOYSA-N 2-(diethylamino)propanenitrile Chemical compound CCN(CC)C(C)C#N KKFXHYYEYJRTCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DENMGZODXQRYAR-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)ethanethiol Chemical compound CN(C)CCS DENMGZODXQRYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUABZJZJXPSZCN-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)phenol Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1O AUABZJZJXPSZCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWQYQGBSIFODKK-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylaminomethyl)propanedinitrile Chemical compound CCNCC(C#N)C#N QWQYQGBSIFODKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGEXYNBHYVEWKT-UHFFFAOYSA-N 2-(hydroxymethyl)-5-phenylmethoxypyran-4-one Chemical compound O1C(CO)=CC(=O)C(OCC=2C=CC=CC=2)=C1 ZGEXYNBHYVEWKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJYWRQLLQAKNAD-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-2-pentenoic acid Natural products CCC=C(C)C(O)=O JJYWRQLLQAKNAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSESINPOYJDFIR-UHFFFAOYSA-N 2-[butylamino(diethoxyphosphoryl)methyl]phenol Chemical compound CCCCNC(P(=O)(OCC)OCC)C1=CC=CC=C1O VSESINPOYJDFIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAZSBRQTAHVVGE-UHFFFAOYSA-N 2-aminobenzenesulfonamide Chemical compound NC1=CC=CC=C1S(N)(=O)=O YAZSBRQTAHVVGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJYWRQLLQAKNAD-PLNGDYQASA-N 2-methyl-2-pentenoic acid Chemical compound CC\C=C(\C)C(O)=O JJYWRQLLQAKNAD-PLNGDYQASA-N 0.000 description 1
- YZVWMFBVTTUSAW-UHFFFAOYSA-N 2-morpholin-4-ylethanethiol Chemical compound SCCN1CCOCC1 YZVWMFBVTTUSAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOBYKYZJUGYBDK-UHFFFAOYSA-N 2-naphthoic acid Chemical class C1=CC=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 UOBYKYZJUGYBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDMZHPUPLWQIBD-UHFFFAOYSA-N 2-pyrrol-1-ylaniline Chemical class NC1=CC=CC=C1N1C=CC=C1 GDMZHPUPLWQIBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSEBUVRVKCANEP-UHFFFAOYSA-N 2-pyrroline Chemical compound C1CC=CN1 RSEBUVRVKCANEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQFQYOHHVAEHPL-UHFFFAOYSA-N 3-(diethylamino)propane-1-thiol Chemical compound CCN(CC)CCCS XQFQYOHHVAEHPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTPJEFOSTIKRSS-UHFFFAOYSA-N 3-(dimethylamino)propanenitrile Chemical compound CN(C)CCC#N MTPJEFOSTIKRSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRMWTNUJHUMWMS-UHFFFAOYSA-N 3-Methylhistidine Natural products CN1C=NC(CC(N)C(O)=O)=C1 BRMWTNUJHUMWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULUIMLJNTCECJU-UHFFFAOYSA-N 3-amino-4-hydroxybenzenesulfonate;hydron Chemical compound NC1=CC(S(O)(=O)=O)=CC=C1O ULUIMLJNTCECJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YERHKEWRHQIXFY-UHFFFAOYSA-N 3-benzoylpyridine-2-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=NC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 YERHKEWRHQIXFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRPMHFHMXOUTTI-UHFFFAOYSA-N 3-ethylhex-2-enoic acid Chemical compound CCCC(CC)=CC(O)=O WRPMHFHMXOUTTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMHIBYREWJHKNZ-UHFFFAOYSA-N 3-methylpyridine-2-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC=CN=C1C(O)=O LMHIBYREWJHKNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXVONLUNISGICL-UHFFFAOYSA-N 4,6-dinitro-o-cresol Chemical compound CC1=CC([N+]([O-])=O)=CC([N+]([O-])=O)=C1O ZXVONLUNISGICL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKFROQCFVXOUPW-UHFFFAOYSA-N 4-(methylthio) aniline Chemical compound CSC1=CC=C(N)C=C1 YKFROQCFVXOUPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHZLNPMOSADWGC-UHFFFAOYSA-N 4-amino-N-(2-quinoxalinyl)benzenesulfonamide Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CN=C(C=CC=C2)C2=N1 NHZLNPMOSADWGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSNSCYSYFYORTR-UHFFFAOYSA-N 4-chloroaniline Chemical compound NC1=CC=C(Cl)C=C1 QSNSCYSYFYORTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005274 4-hydroxybenzoic acid group Chemical group 0.000 description 1
- MXXLHBCSVDDTIX-UHFFFAOYSA-N 4-oxo-1h-pyridine-2-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=CC=N1 MXXLHBCSVDDTIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYJFNDQBESEHJQ-UHFFFAOYSA-N 5,5-dimethyloxazolidine-2,4-dione Chemical compound CC1(C)OC(=O)NC1=O JYJFNDQBESEHJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STCIUNWNDZWJRK-UHFFFAOYSA-N 5-acetyl-3-bromo-6-methyl-1h-pyridin-2-one Chemical compound CC(=O)C=1C=C(Br)C(=O)NC=1C STCIUNWNDZWJRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOMBXHCJYIMCPC-UHFFFAOYSA-N 5-cyclopropyl-2h-tetrazole Chemical compound C1CC1C1=NNN=N1 JOMBXHCJYIMCPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2h-tetrazole Chemical compound CC=1N=NNN=1 XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHELEJSJZGCLEJ-UHFFFAOYSA-N 5-nitroquinoline-2-carboxylic acid Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC2=NC(C(=O)O)=CC=C21 PHELEJSJZGCLEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XURXQNUIGWHWHU-UHFFFAOYSA-N 6-bromopyridine-2-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(Br)=N1 XURXQNUIGWHWHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLKMOIHCHCMSFW-UHFFFAOYSA-N 6-chloropyridine-2-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(Cl)=N1 ZLKMOIHCHCMSFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTUUGSGSUZRPRV-UHFFFAOYSA-N 6-methylpyridine-2-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC=CC(C(O)=O)=N1 LTUUGSGSUZRPRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical class CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEGZRTMZYUDVBF-UHFFFAOYSA-N Benz[a]acridine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC4=CC=CC=C4N=C3C=CC2=C1 JEGZRTMZYUDVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Natural products CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRYRORQUOLYVBU-VBKZILBWSA-N Carnosic acid Natural products CC([C@@H]1CC2)(C)CCC[C@]1(C(O)=O)C1=C2C=C(C(C)C)C(O)=C1O QRYRORQUOLYVBU-VBKZILBWSA-N 0.000 description 1
- 108010087806 Carnosine Proteins 0.000 description 1
- DGYVKLFZSMFHPO-UHFFFAOYSA-N ClC(C1=NC2=CC=CC=C2C(=C1)O)C(=O)O Chemical compound ClC(C1=NC2=CC=CC=C2C(=C1)O)C(=O)O DGYVKLFZSMFHPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZMCDFZZKTWFGF-UHFFFAOYSA-N Cyanamide Chemical compound NC#N XZMCDFZZKTWFGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- GHASVSINZRGABV-UHFFFAOYSA-N Fluorouracil Chemical compound FC1=CNC(=O)NC1=O GHASVSINZRGABV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGMPVYSXXIOGJY-UHFFFAOYSA-N Fusaric acid Natural products CCCCC1=CC=C(C(O)=O)N=C1 DGMPVYSXXIOGJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- HXEACLLIILLPRG-YFKPBYRVSA-N L-pipecolic acid Chemical compound [O-]C(=O)[C@@H]1CCCC[NH2+]1 HXEACLLIILLPRG-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- TYMRLRRVMHJFTF-UHFFFAOYSA-N Mafenide Chemical compound NCC1=CC=C(S(N)(=O)=O)C=C1 TYMRLRRVMHJFTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJAJPNHVVFWKKL-UHFFFAOYSA-N Methoxamine Chemical group COC1=CC=C(OC)C(C(O)C(C)N)=C1 WJAJPNHVVFWKKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWGBHCRJGXAGEU-UHFFFAOYSA-N Methylthiouracil Chemical compound CC1=CC(=O)NC(=S)N1 HWGBHCRJGXAGEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDHILDINMRGULE-LURJTMIESA-N N(pros)-methyl-L-histidine Chemical compound CN1C=NC=C1C[C@H](N)C(O)=O JDHILDINMRGULE-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- CQOVPNPJLQNMDC-UHFFFAOYSA-N N-beta-alanyl-L-histidine Natural products NCCC(=O)NC(C(O)=O)CC1=CN=CN1 CQOVPNPJLQNMDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N N-methylaniline Chemical compound CNC1=CC=CC=C1 AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAOZLNLYTGMSAV-UHFFFAOYSA-N NN.CN(C)C Chemical compound NN.CN(C)C UAOZLNLYTGMSAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTXSIJUGVMTTMU-UHFFFAOYSA-N Neonicotine Natural products N1CCCCC1C1=CC=CN=C1 MTXSIJUGVMTTMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYKUKUCHPMASKF-UHFFFAOYSA-N Nornicotine Natural products C1CCNC1C1=CC=CN=C1 MYKUKUCHPMASKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXOFVDLJLONNDW-UHFFFAOYSA-N Phenytoin Chemical compound N1C(=O)NC(=O)C1(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 CXOFVDLJLONNDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N Tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylenediamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CCN(CC(C)O)CC(C)O NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M Trifluoroacetate Chemical class [O-]C(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N Valeric acid Natural products CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIONDZDPPYHYKY-UHFFFAOYSA-N Z-hexenoic acid Natural products CCCC=CC(O)=O NIONDZDPPYHYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPLOKIFXJVNKGW-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Zn+2].[Si](=O)=O Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Si](=O)=O MPLOKIFXJVNKGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- RRUDCFGSUDOHDG-UHFFFAOYSA-N acetohydroxamic acid Chemical compound CC(O)=NO RRUDCFGSUDOHDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001171 acetohydroxamic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- YIYBQIKDCADOSF-UHFFFAOYSA-N alpha-Butylen-alpha-carbonsaeure Natural products CCC=CC(O)=O YIYBQIKDCADOSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008361 aminoacetonitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229950002705 arsanilic acid Drugs 0.000 description 1
- 229950011321 azaserine Drugs 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- VDEUYMSGMPQMIK-UHFFFAOYSA-N benzhydroxamic acid Chemical compound ONC(=O)C1=CC=CC=C1 VDEUYMSGMPQMIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940049706 benzodiazepine Drugs 0.000 description 1
- NHOWLEZFTHYCTP-UHFFFAOYSA-N benzylhydrazine Chemical compound NNCC1=CC=CC=C1 NHOWLEZFTHYCTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGSPXMVUFBBBMO-UHFFFAOYSA-N beta-aminopropionitrile Chemical compound NCCC#N AGSPXMVUFBBBMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- MZJUGRUTVANEDW-UHFFFAOYSA-N bromine fluoride Chemical compound BrF MZJUGRUTVANEDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008364 bulk solution Substances 0.000 description 1
- UOFFEDRAIFYOBS-UHFFFAOYSA-N butan-1-imine Chemical compound CCCC=N UOFFEDRAIFYOBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical class [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- CQOVPNPJLQNMDC-ZETCQYMHSA-N carnosine Chemical compound [NH3+]CCC(=O)N[C@H](C([O-])=O)CC1=CNC=N1 CQOVPNPJLQNMDC-ZETCQYMHSA-N 0.000 description 1
- 229940044199 carnosine Drugs 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- NQBWNECTZUOWID-QSYVVUFSSA-N cinnamyl cinnamate Chemical group C=1C=CC=CC=1\C=C/C(=O)OC\C=C\C1=CC=CC=C1 NQBWNECTZUOWID-QSYVVUFSSA-N 0.000 description 1
- 229960002896 clonidine Drugs 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- YMGUBTXCNDTFJI-UHFFFAOYSA-N cyclopropanecarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CC1 YMGUBTXCNDTFJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940104302 cytosine Drugs 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- GJQPMPFPNINLKP-UHFFFAOYSA-N diclofenamide Chemical compound NS(=O)(=O)C1=CC(Cl)=C(Cl)C(S(N)(=O)=O)=C1 GJQPMPFPNINLKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005081 diclofenamide Drugs 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009503 electrostatic coating Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- MPAYEWNVIPXRDP-UHFFFAOYSA-N ethanimine Chemical compound CC=N MPAYEWNVIPXRDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019439 ethyl acetate Nutrition 0.000 description 1
- LNOQURRKNJKKBU-UHFFFAOYSA-N ethyl piperazine-1-carboxylate Chemical compound CCOC(=O)N1CCNCC1 LNOQURRKNJKKBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHRIKZCFRVTHJH-UHFFFAOYSA-N ethylhydrazine Chemical compound CCNN WHRIKZCFRVTHJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N glycine betaine Chemical compound C[N+](C)(C)CC([O-])=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940015043 glyoxal Drugs 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- UYXAWHWODHRRMR-UHFFFAOYSA-N hexobarbital Chemical compound O=C1N(C)C(=O)NC(=O)C1(C)C1=CCCCC1 UYXAWHWODHRRMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002456 hexobarbital Drugs 0.000 description 1
- 229960001340 histamine Drugs 0.000 description 1
- 229960002885 histidine Drugs 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- UVNXNSUKKOLFBM-UHFFFAOYSA-N imidazo[2,1-b][1,3,4]thiadiazole Chemical compound N1=CSC2=NC=CN21 UVNXNSUKKOLFBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000002563 ionic surfactant Substances 0.000 description 1
- MGIYRDNGCNKGJU-UHFFFAOYSA-N isothiazolinone Chemical compound O=C1C=CSN1 MGIYRDNGCNKGJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXEACLLIILLPRG-RXMQYKEDSA-N l-pipecolic acid Natural products OC(=O)[C@H]1CCCCN1 HXEACLLIILLPRG-RXMQYKEDSA-N 0.000 description 1
- NCBZRJODKRCREW-UHFFFAOYSA-N m-anisidine Chemical compound COC1=CC=CC(N)=C1 NCBZRJODKRCREW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229960002545 methylthiouracil Drugs 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N monomethylhydrazine Chemical compound CNN HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEQCHLVBRHGAQL-UHFFFAOYSA-N n,4-dihydroxybenzamide Chemical compound ONC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 QEQCHLVBRHGAQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRKPYFLIYNGWTE-UHFFFAOYSA-N n,o-dimethylhydroxylamine Chemical compound CNOC KRKPYFLIYNGWTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVEKCXOJTLDBFE-UHFFFAOYSA-N n-dodecyl-n,n-dimethylglycinate Chemical compound CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC([O-])=O DVEKCXOJTLDBFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGEVIFOJNNPCNI-UHFFFAOYSA-N n-hydroxy-2-nitrobenzamide Chemical compound ONC(=O)C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O LGEVIFOJNNPCNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUMZQPHTWYZQAO-UHFFFAOYSA-N n-hydroxy-3-nitrobenzamide Chemical compound ONC(=O)C1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1 IUMZQPHTWYZQAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NORABPMBUQMZLT-UHFFFAOYSA-N n-hydroxy-4-nitrobenzamide Chemical compound ONC(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 NORABPMBUQMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPQCSJYYDADLCZ-UHFFFAOYSA-N n-methylhydroxylamine Chemical compound CNO CPQCSJYYDADLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYWYRSMBCFDLJT-UHFFFAOYSA-N nimesulide Chemical compound CS(=O)(=O)NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1OC1=CC=CC=C1 HYWYRSMBCFDLJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000965 nimesulide Drugs 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- HEGSGKPQLMEBJL-RKQHYHRCSA-N octyl beta-D-glucopyranoside Chemical compound CCCCCCCCO[C@@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O HEGSGKPQLMEBJL-RKQHYHRCSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHAAPTBBJKJZER-UHFFFAOYSA-N p-anisidine Chemical compound COC1=CC=C(N)C=C1 BHAAPTBBJKJZER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229960004554 phenglutarimide Drugs 0.000 description 1
- VUNXBQRNMNVUMV-UHFFFAOYSA-N phenyl(piperazin-1-yl)methanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)N1CCNCC1 VUNXBQRNMNVUMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKOOXMFOFWEVGF-UHFFFAOYSA-N phenylhydrazine Chemical compound NNC1=CC=CC=C1 HKOOXMFOFWEVGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940067157 phenylhydrazine Drugs 0.000 description 1
- 229940075930 picrate Drugs 0.000 description 1
- OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-M picrate anion Chemical class [O-]C1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229940093916 potassium phosphate Drugs 0.000 description 1
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- LXNHXLLTXMVWPM-UHFFFAOYSA-N pyridoxine Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CO)=C1O LXNHXLLTXMVWPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008160 pyridoxine Nutrition 0.000 description 1
- 239000011677 pyridoxine Substances 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBROZNQEVUILML-UHFFFAOYSA-N salicylhydroxamic acid Chemical compound ONC(=O)C1=CC=CC=C1O HBROZNQEVUILML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- SEEPANYCNGTZFQ-UHFFFAOYSA-N sulfadiazine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)NC1=NC=CC=N1 SEEPANYCNGTZFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004306 sulfadiazine Drugs 0.000 description 1
- ZZORFUFYDOWNEF-UHFFFAOYSA-N sulfadimethoxine Chemical compound COC1=NC(OC)=CC(NS(=O)(=O)C=2C=CC(N)=CC=2)=N1 ZZORFUFYDOWNEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000973 sulfadimethoxine Drugs 0.000 description 1
- ASWVTGNCAZCNNR-UHFFFAOYSA-N sulfamethazine Chemical compound CC1=CC(C)=NC(NS(=O)(=O)C=2C=CC(N)=CC=2)=N1 ASWVTGNCAZCNNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VACCAVUAMIDAGB-UHFFFAOYSA-N sulfamethizole Chemical compound S1C(C)=NN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 VACCAVUAMIDAGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005158 sulfamethizole Drugs 0.000 description 1
- DZQVFHSCSRACSX-UHFFFAOYSA-N sulfaperin Chemical compound N1=CC(C)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 DZQVFHSCSRACSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000277 sulfaperin Drugs 0.000 description 1
- GECHUMIMRBOMGK-UHFFFAOYSA-N sulfapyridine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=CC=N1 GECHUMIMRBOMGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002211 sulfapyridine Drugs 0.000 description 1
- 229960003097 sulfaquinoxaline Drugs 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical class [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIYBQIKDCADOSF-ONEGZZNKSA-N trans-pent-2-enoic acid Chemical compound CC\C=C\C(O)=O YIYBQIKDCADOSF-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- VPYJNCGUESNPMV-UHFFFAOYSA-N triallylamine Chemical compound C=CCN(CC=C)CC=C VPYJNCGUESNPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVCXRBARSPBVMC-UHFFFAOYSA-N triazolopyridine Chemical compound C=1N2C(C(C)C)=NN=C2C=CC=1C=1OC=NC=1C1=CC=C(F)C=C1 OVCXRBARSPBVMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical class OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004418 trolamine Drugs 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C19/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by mechanical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
Abstract
本发明涉及抛光含硅介电层的方法，包括使用含有下列物质的化学－机械抛光体系：(a)无机研磨剂、(b)抛光添加剂、和(c)液体载体，其中该抛光组合物的pH值为约4－约6。该抛光添加剂含有pKa为约3－约9的官能团并选自芳基胺、氨基醇、脂族胺、杂环胺、氧肟酸、氨基羧酸、环状一元羧酸、不饱和一元羧酸、取代酚、磺酰胺、硫醇、其盐、及其组合。本发明进一步涉及化学－机械抛光体系，其中该无机研磨剂为氧化铈。
Description
技术领域
本发明涉及抛光含硅电介质衬底的方法。
背景技术
用于平面化或抛光衬底平面的组合物和方法是本领域公知的。抛光组合物(也称作抛光浆液)一般在水溶液中含有研磨材料并通过将该表面与充满抛光组合物的抛光垫相接触而涂覆到表面上。研磨材料一般包括二氧化硅、氧化铈、氧化铝、氧化锆、和氧化锡。美国专利5,527,423，例如，描述了一种通过将表面与在含水介质中含有高纯度微细金属氧化物颗粒的抛光浆液相接触来化学-机械抛光金属层的方法。该抛光浆液一般与抛光垫(例如，抛光布或抛光盘)共同使用。适宜的抛光垫描述在美国专利6,062,968、6,117,000、和6,126,532中，其公开了具有开孔多孔网络的烧结聚氨酯抛光垫的应用，和美国专利5,489,233，其公开了具有表面组织或图样的固体抛光垫的应用。可选择地，可将该研磨材料引入抛光垫中。美国专利5,958,794公开了固定的研磨抛光垫。
常规抛光体系和抛光方法一般不能完全满足使半导体晶片平面化。具体地说，抛光组合物和抛光垫可具有低于期望的抛光率或抛光选择性，且它们在化学-机械抛光半导体表面中的应用可以导致差的表面质量。由于半导体晶片的性能直接与其表面的平面度有关，使用能够导致高抛光效率、选择性、均匀性、和去除率并获得具有最小表面缺陷的高质量抛光的抛光组合物和方法是至关重要的。
产生用于半导体晶片的有效抛光体系的困难在于半导体晶片的复杂性。半导体晶片一般由在其上形成许多晶体管的衬底组成。通过衬底中的图样区和衬底上的各层，将集成电路化学和物理地连接进衬底。为了生产可操作的半导体晶片并使晶片的产率、性能、和可靠性最大化，期望抛光晶片的选择表面，而不对下层结构或外形产生不利影响。实际上，如果不在充分平面化的晶片表面上进行这些处理步骤，可以出现半导体制造中的各种问题。
一般地，用于抛光介电材料的抛光组合物要求碱性pH值，以获得充分的电介质去除率。例如，美国专利4,169,337、4,462,188、和4,867,757公开了用于去除二氧化硅的抛光组合物，其包括碱性pH值的二氧化硅研磨剂。类似地，WO00/25984、WO01/56070、和WO02/01620公开了用于浅沟槽隔离(STI)抛光的抛光组合物，其含有碱性pH值的热解二氧化硅。EP853110A1公开了pH值为11-13的抛光组合物，据称其提高了STI抛光的选择性。美国专利申请公开2001/0051433A1公开了用于电介质化学-机械抛光(CMP)的抛光组合物，其含有pH值为7或更大的热解二氧化硅和铯盐。虽然这种碱性抛光组合物能够有效地去除二氧化硅介电材料，但其对于既含有二氧化硅又含有氮化硅层的衬底(例如STI衬底)提供差的选择性。使用螯合酸性添加剂以改善STI抛光的选择性是本领域已知的。例如，美国专利5,738,800、6,042,741、6,132,637、和6,218,305公开了含酸络合剂在含有研磨剂(例如，氧化铈或二氧化硅)的抛光组合物中的应用。美国专利5,614,444公开了化学酸性添加剂的应用，该化学酸性添加剂含有阴离子、阳离子、或非离子极性基团和非极性有机组分，从而抑制介电材料的去除。EP1061111A1公开了用于STI抛光的抛光组合物，其含有氧化铈研磨剂和包含羧酸或磺酸基团的有机化合物。
然而，仍需要在介电衬底的抛光和平面化期间，表现出期望的平面化效率、选择性、均匀性、和去除率，同时在抛光和平面化期间，使缺陷(例如表面缺陷和对下层结构和外形的损伤)最小化的抛光体系和抛光方法。本发明提供了这种化学-机械抛光体系和方法。根据在此提供的本发明的描述，本发明的这些和其它优势将变得明晰。
发明内容
本发明提供一种抛光衬底的方法，包括(i)将含有含硅介电层的衬底与化学-机械抛光体系相接触和(ii)研磨至少一部分含硅介电层以抛光该衬底。该化学-机械抛光体系含有(a)无机研磨剂，(b)具有pKa为约3-约9的官能团的抛光添加剂，和(c)液体载体。该抛光添加剂是选自芳基胺、氨基醇、脂族胺、杂环胺、氧肟酸、氨基羧酸、环状一元羧酸、不饱和一元羧酸、取代酚、磺酰胺、硫醇、其盐、及其组合的化合物。该抛光组合物的pH值为约7或更小且不含有显著量的与无机研磨剂颗粒静电缔合的交联聚合物研磨剂颗粒。该官能团期望选自胺、羧酸、醇、硫醇、磺酰胺、酰亚胺、氧肟酸、巴比妥酸、其盐、及其组合。
本发明进一步提供一种化学-机械抛光组合物，包括(a)平均粒度为约150nm或更小的氧化铈研磨剂，(b)具有pKa为约3-约9的官能团的抛光添加剂，其中该抛光添加剂是选自芳基胺、氨基醇、脂族胺、杂环胺、氧肟酸、氨基羧酸、环状一元羧酸、不饱和一元羧酸、取代酚、磺酰胺、硫醇、其盐、及其组合的化合物，和(c)液体载体。该化学-机械抛光组合物的pH值为约3-约6。
具体实施方式
本发明涉及一种化学-机械抛光(CMP)体系，其包括(a)研磨剂，(b)具有pKa为约3-约9的官能团的抛光添加剂，和(c)液体载体，及涉及使用该CMP体系抛光含有含硅介电层的衬底的方法。
在此公开的该CMP体系含有无机研磨剂。该无机研磨剂可以为任何适宜的形式(例如，研磨剂颗粒)且可以悬浮在液体载体中或可以固定在抛光垫的抛光表面上。该抛光垫可以为任何适宜的抛光垫。该抛光添加剂和悬浮在液体载体中的任何其它组分(例如，研磨剂)形成该CMP体系的抛光组合物。
在第一个实施方式中，该无机研磨剂可以为任何适宜的无机研磨剂。例如，该无机研磨剂可以为金属氧化物研磨剂，其选自氧化铝(例如，α-氧化铝、γ-氧化铝、δ-氧化铝、和热解氧化铝)、二氧化硅(例如，胶体分散缩聚二氧化硅、沉淀二氧化硅、和热解二氧化硅)、氧化铈、二氧化钛、氧化锆、氧化铬、氧化铁、氧化锗、氧化镁、其共形成产物、及其组合。该无机研磨剂还可以为碳化硅、氮化硼，等。金属氧化物研磨剂任选地可以由带反向电荷的聚电解质进行静电涂覆，例如，聚电解质-涂覆氧化铝研磨剂(如聚苯乙烯磺酸-涂覆氧化铝)。该CMP体系不含有任何显著量的与无机研磨剂颗粒静电缔合的交联聚合物研磨剂颗粒。交联聚合物研磨剂的引入可以降低总抛光去除率。因而，在CMP体系中存在的交联聚合物研磨剂颗粒的量应充分低，从而不对无机研磨剂的抛光特性产生干扰。优选，该CMP体系含有的交联聚合物颗粒的量小于无机颗粒的量的约10重量％(例如，小于约5重量％或小于约1重量％)。优选该CMP体系不含有任何与无机研磨剂颗粒静电缔合的交联聚合物研磨剂颗粒。
优选，无机研磨剂为阳离子研磨剂，更优选为氧化铈。可以通过任何适宜的方法生产氧化铈。常用于半导体抛光(具体地说为浅沟槽隔离处理)的一种类型的氧化铈研磨剂为通过汽相合成法生产的氧化铈，例如美国专利5,460,701、5,514,349、和5,874,684中所描述的。这种氧化铈研磨剂由Nanophase Technologies(例如，Nano Tek_氧化铈)和Ferro Corporation销售。其它适宜的氧化铈研磨剂包括通过热液处理形成的沉淀氧化铈研磨剂，例如由Advanced Nano Products和Rhodia销售。
无机研磨剂可以具有任何适宜的初级粒径。一般地，研磨剂的平均初级粒径为约200nm或更小(例如，约180nm或更小)。优选，无机研磨剂的平均初级粒径为约160nm或更小(例如，约140nm或更小)。通过激光衍射法测定期望的初级粒径。优选CMP组合物对颗粒附聚具有耐受性，以使平均附聚粒径为约300nm或更小(例如，250nm或更小，乃至200nm或更小)。附聚的不存在还体现在粒度分布的总宽度上，其一般为平均初级粒径的±约35％(例如，±约25％，乃至±约15％)。
在第二个实施方式中，无机研磨剂含有(由其组成或基本由其组成)氧化铈。优选，氧化铈研磨剂不含有任何显著量的与氧化铈静电缔合的交联聚合物研磨剂颗粒。更优选，氧化铈研磨剂不含有任何与氧化铈静电缔合的交联聚合物研磨剂颗粒。优选氧化铈研磨剂的平均初级粒径为约180nm或更小，更优选约150nm或更小(乃至约140nm或更小)。一般地，氧化铈研磨剂的平均粒径为约20nm或更大(例如，约50nm或更大)。优选粒度分布的总宽度为平均初级粒径的±约50％(例如，±约40％、±约30％、乃至±约20％)。对于某些应用，优选氧化铈悬浮在液体载体中。在其它应用中，优选氧化铈固定在抛光垫的抛光表面上。
当悬浮在液体载体中时，优选第一个或第二个实施方式的无机研磨剂为胶体稳定的。术语胶体指研磨剂颗粒在液体载体中的悬浮。胶体稳定性指随着时间的延长的这种悬浮保持。在本发明中，如果当将研磨剂放进100ml量筒中并在不搅拌下保持2小时时，在量筒的底部50ml中的颗粒浓度([B]以g/ml表示)和在量筒的上部50ml中的颗粒浓度([T]以g/ml表示)之间的差除以研磨剂组合物中的颗粒初始浓度([C]以g/ml表示)小于或等于0.5(即，{[B]-[T]}/[C]0.5)，则研磨剂被认为是胶体稳定的。更优选，期望的[B]-[T]/[C]的值小于或等于0.3，且优选小于或等于0.1。
在抛光组合物的pH值下，第一个或第二个实施方式的无机研磨剂一般具有正ζ电势。优选，与抛光组合物中的抛光添加剂相结合时，保持无机研磨剂的正ζ电势。研磨剂的ζ电势指研磨剂周围离子的电荷和本体溶液的电荷(例如，液体载体和任何其它溶解在其中的组分)之间的差值。无机研磨剂的ζ电势随着pH值而变化。在40mMKCl中pH值为5的氧化铈的ζ电势为约+32mV。期望，抛光添加剂不与研磨剂强烈的相互作用，从而导致ζ电势反转，该ζ电势反转可导致研磨剂颗粒的附聚和沉淀。优选，抛光组合物具有低电导率(例如，离子强度)，例如pH值为约5时，电导率值小于约2000μS/cm(例如，小于约1500μS/cm)和pH值为约4时，电导率值小于约500μS/cm。低电导率值反映出仅需要少量的碱以调节pH值至期望的范围。
当研磨剂悬浮在液体载体中时，抛光组合物一般含有约0.01重量％-约10重量％(例如，约0.02重量％-约5重量％，或约0.05重量％-约1重量％)无机研磨剂，基于液体载体和任何溶解或悬浮在其中的组分的重量。优选，抛光组合物含有约0.1重量％-约0.5重量％无机研磨剂。
在抛光组合物中含有抛光添加剂以改变抛光的含硅介电层表面特性，从而使该表面更易于接受与研磨剂颗粒的相互作用。抛光组合物的pH值在决定抛光添加剂和含硅介电层表面之间相互作用方面具有重要作用。抛光组合物的pH值一般为约7或更小，优选约2-约6.5，更优选约3-约6(例如，约3.5-约5.5)。为了使抛光添加剂与含硅介电层在该pH值范围内相互作用，期望抛光添加剂具有pKa(在水中)为约3-约9(例如，约3-约8、或约3-约7)的官能团。抛光添加剂优选具有pKa(在水中)为约4-约9的官能团，更优选具有pKa(在水中)为约4-约8(例如，约4-约7、或约4-约6)的官能团。此外，期望该抛光添加剂具有比约-1更正的总净电荷(例如，净电荷＝+0、+1、+2，等)。当pKa为约3-约9(特别是约4-约9、或约4-约8)的官能团被质子化时，确定净电荷为抛光添加剂的电荷。
抛光添加剂的官能团可以为任何适宜的官能团，且一般选自胺、羧酸、醇、硫醇、磺酰胺、酰亚胺、氧肟酸、巴比妥酸、肼、amidoxines、其盐、及其组合。具有这些官能团且具有适宜的pKa的抛光添加剂包括选自芳基胺、氨基醇、脂族胺、杂环胺、氧肟酸、氨基羧酸、环状一元羧酸、不饱和一元羧酸、取代酚、磺酰胺、硫醇、及其组合的化合物。优选，抛光添加剂选自芳基胺、杂环胺、氨基羧酸、及其组合。任何上述抛光添加剂可以盐的形式存在，例如选自盐酸盐、氢溴酸盐、硫酸盐、磺酸盐、三氟甲烷磺酸盐、醋酸盐、三氟醋酸盐、苦味酸盐、全氟丁酸盐、钠盐、钾盐、铵盐、卤化物盐，等的盐。
芳基胺可以为任何适宜的芳基胺。优选，芳基胺为伯芳基胺。芳基胺任选地可以由一个或多个取代基进行取代，这些取代基选自C1-12烷基、C1-12烷氧基、C6-12芳基、羧酸、磺酸、膦酸、羟基、硫醇、磺酰胺、乙酰胺、其盐、及其组合。例如，芳基胺可以为苯胺、4-氯苯胺、3-甲氧基苯胺、N-甲基苯胺、4-甲氧基苯胺、对-甲苯胺、邻氨基苯甲酸、3-氨基-4-羟基苯磺酸、氨基苯甲醇、氨基苄胺、1-(2-氨基苯基)吡咯、1-(3-氨基苯基)乙醇、2-氨基苯基醚、2，5-二-(4-氨基苯基)-1，3，4-噁二唑、2-(2-氨基苯基)-1H-1，3，4-三唑、2-氨基苯酚、3-氨基苯酚、4-氨基苯酚、二甲基氨基苯酚、2-氨基硫羟苯酚、3-氨基硫羟苯酚、4-氨基硫羟苯酚、4-氨基苯基甲基硫醚、2-氨基苯磺酰胺、邻氨基苯磺酸、3-氨基苯硼酸(boronic acid)、5-氨基异酞酸、乙酰磺胺、间胺酸、磺胺酸、邻-或对-对氨苯基胂酸、(3R)-3-(4-三氟甲基苯基氨基)戊酸酰胺、其盐、及其组合。
氨基醇可以为任何适宜的氨基醇。例如氨基醇可以选自三乙醇胺、苯甲基二乙醇胺、三(羟甲基)氨基甲烷、羟胺、四环素、其盐、及其组合。优选，氨基醇为叔氨基醇。
脂族胺可以为任何适宜的脂族胺。优选，脂族胺选自甲氧胺、羟胺、N-甲基羟胺、N，O-二甲基羟胺、β-二氟乙胺、乙二胺、三乙二胺、二乙基((丁基氨基)(2-羟苯基)甲基)膦酸酯、亚氨基乙烷、亚氨基丁烷、三烯丙基胺、氰基胺(例如，氨基乙腈、二乙基氨基乙腈、2-氨基-2-氰基丙烷、异丙基氨基丙腈、二乙基氨基丙腈、氨基丙腈、二氰基二乙基胺)、3-(二甲基氨基)丙腈)、其盐、及其组合。脂族胺还可以为肼。优选，肼选自肼、甲肼、四甲基肼、N，N-二乙基肼、苯肼、N，N-二甲基肼、三甲基肼、乙肼、其盐(例如，盐酸盐)、及其组合。
杂环胺可以为任何适宜的杂环胺，包括单环、双环、和三环胺。一般地，环状胺为含有一个或多个氮原子的3-、4-、5-或6-元环状结构。优选，环状胺为5-或6-元环状结构。杂环胺任选地由一个或多个取代基进行取代，这些取代基选自H、OH、COOH、SO3H、PO3H、Br、Cl、I、F、NO2、肼、C1-8烷基(任选地由OH、COOH、Br、Cl、I、或NO2进行取代)、C6-12芳基(任选地由OH、COOH、Br、I、或NO2进行取代)、C(O)H、C(O)R(其中R为C1-8烷基或C6-12芳基)、和C1-8链烯基。期望，杂环胺含有至少一个未取代杂环氮。例如，杂环胺可为咪唑、1-甲基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-羟甲基咪唑、1-甲基-2-羟甲基咪唑、苯并咪唑、喹啉、异喹啉、羟基喹啉、三聚氰胺、吡啶、二吡啶、2-甲基吡啶、4-甲基吡啶、2-氨基吡啶、3-氨基吡啶、2，3-吡啶二羧酸、2，5-吡啶二羧酸、2，6-吡啶二羧酸、5-丁基-2-吡啶羧酸、4-羟基-2-吡啶羧酸、3-羟基-2-吡啶羧酸、2-吡啶羧酸、3-苯甲酰-2-吡啶羧酸、6-甲基-2-吡啶羧酸、3-甲基-2-吡啶羧酸、6-溴-2-吡啶羧酸、6-氯-2-吡啶羧酸、3，6-二氯-2-吡啶羧酸、4-肼基-3，5，6-三氯-2-吡啶羧酸、喹啉、异喹啉、2-喹啉羧酸、4-甲氧基-2-喹啉羧酸、8-羟基-2-喹啉羧酸、4，8-二羟基-2-喹啉羧酸、7-氯-4-羟基-2-喹啉羧酸、5，7-二氯-4-羟基-2-喹啉羧酸、5-硝基-2-喹啉羧酸、1-异喹啉羧酸、3-异喹啉羧酸、吖啶、苯并喹啉、苯吖啶、氯压定、新烟碱、降烟碱、三唑并吡啶、吡哆醇、血清素、组胺、苯并二氮、氮丙啶、吗啉、1，8二氮杂双环(5，4，0)十一烯-7(DABCO)，六亚甲基四胺、哌嗪、N-苯甲酰哌嗪、1-甲苯磺酰基哌嗪、N-乙氧甲酰基哌嗪、1，2，3-三唑、1，2，4-三唑、2-氨基噻唑、吡咯、吡咯-2-羧酸及其烷基、卤代、或羧酸-取代衍生物、3-吡咯啉-2-羧酸、乙基吡咯啉、苯甲基吡咯啉、环己基吡咯啉、甲苯基吡咯啉、四唑、5-环丙基四唑、5-甲基四唑、5-羟基四唑、5-苯氧基四唑、5-苯基四唑、其盐、及其组合。杂环胺还可以为酰亚胺、aminidine、或巴比妥酸化合物。例如，适宜的酰亚胺包括选自氟尿嘧啶、甲硫氧嘧啶、5，5-二苯基乙内酰脲、5，5-二甲基-2，4-噁唑烷二酮、邻苯二甲酰亚胺、丁二酰亚胺、3，3-甲基苯基戊二酰亚胺、3，3-二甲基丁二酰亚胺、其盐、及其组合的那些。适宜的aminidine包括选自咪唑并[2，3-b]噻噁唑(thioxazole)、羟基咪唑并[2，3-a]异吲哚、其盐、及其组合的那些。适宜的巴比妥酸包括选自5，5-甲基苯基巴比妥酸、1，5，5-三甲基巴比妥酸、环己烯巴比妥、5，5-二甲基巴比妥酸、1，5-二甲基-5-苯基巴比妥酸、其盐、及其组合的那些。
氧肟酸可以为任何适宜的氧肟酸。优选，氧肟酸选自甲酰氧肟酸、乙酰氧肟酸、苯并氧肟酸、水杨基氧肟酸、2-氨基苯并氧肟酸、2-氯苯并氧肟酸、2-氟苯并氧肟酸、2-硝基苯并氧肟酸、3-硝基苯并氧肟酸、4-氨基苯并氧肟酸、4-氯苯并氧肟酸、4-氟苯并氧肟酸、4-硝基苯并氧肟酸、4-羟基苯并氧肟酸、其盐、及其组合。
氨基羧酸可以为任何适宜的氨基羧酸。常规氨基羧酸化合物(例如脯氨酸、甘氨酸、苯基甘氨酸，等)的pKa对于羧酸部分为约2-2.5且对于氨基部分为约9-10且不适宜用于本发明。相反地，选自谷氨酸、β-羟基谷氨酸、天冬氨酸、天冬酰胺、重氮丝氨酸、组氨酸、3-甲基组氨酸、胞嘧啶、7-氨基头孢子菌素酸、和肌肽的氨基羧酸含有pKa在约3-约8的范围内的官能团。
环状一元羧酸可以为任何适宜的环状一元羧酸。以前建议用于抛光含硅介电层的二-和多-羧酸可以具有在期望范围内的pKa，但具有导致无机研磨剂颗粒的不期望的附聚、粘着、和/或快速沉淀的总电荷。期望，环状羧酸化合物含有C4-12环烷基或C6-12芳基。环状羧酸化合物任选地由一个或多个取代基进行取代，这些取代基选自H、OH、COOH、Br、Cl、I、F、NO2、肼、C1-8烷基(任选地以OH、COOH、Br、Cl、I、或NO2进行取代)、C6-12芳基(任选地以OH、COOH、Br、I、或NO2进行取代)、C(O)H、C(O)R(其中R为C1-8烷基或C6-12芳基)、和C1-8链烯基。优选，环状羧酸化合物不是二-或多-羟基苯甲酸。适宜的环状一元羧酸化合物包括选自苯甲酸、C1-12-烷基-取代苯甲酸、C1-12-烷氧基-取代苯甲酸、萘2-羧酸、环己烷羧酸、环己基乙酸、2-苯乙酸、4-羟基苯甲酸、3-羟基苯甲酸、2-哌啶羧酸、环丙烷羧酸(例如，顺-和反-2-甲基环丙烷羧酸)、其盐、及其组合的那些。特别优选抛光添加剂为4-羟基苯甲酸、环己烷羧酸、苯甲酸、其盐、及其组合。
不饱和一元羧酸可以为任何适宜的不饱和一元羧酸(例如，烯烃羧酸)。一般地，不饱和一元羧酸为C3-6-链-2-烯酸。优选，不饱和一元羧酸选自肉桂酸、丙烯酸类(例如，丙烯酸，3-氯丙-2-烯羧酸)、丁烯酸(例如，巴豆酸、3-氯丁-2-烯羧酸、4-氯丁-2-烯羧酸)、戊烯酸(例如，顺-或反-2-戊烯酸、2-甲基-2-戊烯酸)、己烯酸(例如，2-己烯酸、3-乙基-2-己烯酸)、其盐、及其组合。
取代酚可以为任何适宜的取代酚。优选，取代酚含有取代基，该取代基选自硝基、氯基、溴基、氟基、氰基、烷氧羰基、烷酰基、酰基、烷基磺酰基、及其组合。适宜的硝基苯酚包括选自硝基苯酚、2，6-二卤代-4-硝基苯酚、2，6-二-C1-12-烷基-4-硝基苯酚、2，4-二硝基苯酚、2，6-二硝基苯酚、3，4-二硝基苯酚、2-C1-12-烷基-4，6-二硝基苯酚、2-卤代-4，6-二硝基苯酚、二硝基-邻-甲酚、三硝基苯酚例如苦味酸、其盐、及其组合的那些。
磺酰胺可以为任何适宜的磺酰胺。优选，磺酰胺选自N-氯甲苯基磺酰胺、二氯phenamide、高磺胺、尼美舒利、磺胺甲基硫代二嗪、磺胺培苯、乙酰磺胺、磺胺嘧啶、磺胺二甲氧哒嗪、磺胺二甲嘧啶、磺胺吡啶、磺胺喹噁啉、其盐、及其组合。
硫醇可以为任何适宜的硫醇。优选，硫醇选自二硫化二氢(hydrogendisulfide)、半胱胺、半胱氨酰基半胱氨酸、甲基半胱氨酸、苯硫酚、对-Cl-苯硫酚、邻-氨基苯硫酚、邻-巯基苯乙酸、对-硝基苯硫醇、2-巯基乙磺酸酯、N-二甲基半胱胺、二丙基半胱胺、二乙基半胱胺、巯基乙基吗啉、甲基巯基乙酸酯、巯基乙胺、N-三甲基半胱氨酸、谷胱甘肽、mercaptoethylepiperidine、二乙基氨基丙硫醇、其盐、及其组合。
当抛光添加剂为芳基胺时，优选抛光添加剂选自苯胺、邻氨基苯甲酸、间胺酸、氨基苯酚、邻氨基苯磺酸、其盐、及其组合。当抛光添加剂为杂环胺化合物时，优选抛光添加剂选自咪唑、喹啉、吡啶、2-甲基吡啶、2-吡啶羧酸、吡啶二羧酸、2-喹啉羧酸、吗啉、哌嗪、三唑、吡咯、吡咯-2-羧酸、四唑、其盐、及其组合。当抛光添加剂为氨基羧酸化合物时，优选抛光添加剂选自谷氨酸、天冬氨酸、半胱氨酸、组氨酸、其盐、及其组合。当抛光添加剂为环状一元羧酸化合物时，优选抛光添加剂选自苯甲酸、环己烷羧酸、环己基乙酸、2-苯乙酸、其盐、及其组合。
抛光组合物一般含有约5重量％或更小(例如，约2重量％或更小)抛光添加剂。期望抛光组合物含有约0.005重量％或更大例(例如，约0.01重量％或更大)抛光添加剂。优选，抛光组合物含有约1重量％或更小(例如，约0.5重量％或更小)抛光添加剂。
使用液体载体以促进将研磨剂、抛光添加剂、和任何其它溶解或悬浮在其中的组分涂覆到适宜的待抛光(例如，平面化)衬底表面。液体载体一般为含水载体且可以单独为水，可以含有水和适宜的水溶性溶剂，或可以为乳液。适宜的水溶性溶剂包括醇例如甲醇、乙醇，等。在某些实施方式中，液体载体含有超临界流体。优选，含水载体由水，更优选由去离子水组成。液体载体任选地进一步含有溶剂或表面活性剂以促进抛光添加剂的增溶，从而提高衬底表面上抛光添加剂的量。
抛光组合物任选地进一步含有一种或多种组分例如pH调整剂(adjuster)、调节剂(regulator)、或缓冲剂，等，其进一步帮助保持抛光组合物的pH值在期望的范围内。适宜的pH调整剂、调节剂、或缓冲剂可以包括，例如，氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铵、碳酸钠、碳酸钾、硫酸、盐酸、硝酸、磷酸、柠檬酸、磷酸钾、其混合物，等。
抛光组合物任选地进一步含有其它组分，例如生物杀灭剂、消泡剂，等。生物杀灭剂可以为任何适宜的生物杀灭剂，例如异噻唑啉酮生物杀灭剂。用于抛光组合物的生物杀灭剂的量一般为约1-约50ppm，优选为约10-约20ppm，基于液体载体和任何溶解或悬浮于其中的组分。消泡剂可以为任何适宜的消泡剂。例如，消泡剂可以为聚二甲基硅氧烷聚合物。抛光组合物中存在的消泡剂的量一般为约40-约140ppm，基于液体载体和任何溶解或悬浮于其中的组分。
抛光组合物任选地进一步含有醇。优选，该醇为甲醇、乙醇、或丙醇。更优选，醇为甲醇。一般地，存在于抛光组合物中的醇的量为约0.01重量％或更大，基于液体载体和任何溶解或悬浮于其中的组分。该醇一般还以约2重量％或更小的量存在于抛光组合物中，基于液体载体和任何溶解或悬浮于其中的组分。
抛光组合物任选地进一步含有表面活性剂以改进抛光选择性和/或平面度。表面活性剂可以为任何适宜的表面活性剂且可以为阳离子表面活性剂，阴离子表面活性剂(例如，聚丙烯酸酯)、两性离子表面活性剂、非离子表面活性剂、或其组合。优选，表面活性剂为两性离子表面活性剂或非离子表面活性剂。适宜的两性离子表面活性剂包括羧酸铵、硫酸铵、氧化胺、N-十二烷基-N，N-二甲基甜菜碱、甜菜碱、磺基甜菜碱、烷基氨基丙基硫酸酯(alkylammoniopropyl sulfate)，等。适宜的非离子表面活性剂包括炔属二醇表面活性剂例如2，4，7，9-四甲基-5-癸炔-4，7-二醇乙氧基化物表面活性剂、聚氧化乙烯C6-30烷基醚、聚氧化乙烯C6-30烷基酸酯、聚氧化乙烯C6-30烷基苯基醚、聚氧化乙烯C6-30烷基环己基醚、山梨聚糖C6-30烷基酸酯、聚氧化乙烯山梨聚糖C6-30烷基酸酯、乙二胺聚氧化乙烯、等。表面活性剂的量一般为约0.01重量％-约5重量％，基于液体载体和任何溶解或悬浮于其中的组分。
使用CMP体系以抛光(例如，平面化)衬底的含硅介电层。该抛光衬底的方法包括(i)提供CMP体系，(ii)将衬底与CMP体系相接触，和(iii)研磨至少一部分衬底以抛光该衬底。优选，介电层包含(即，组成)衬底总表面积的约95％或更大(例如，约97％或更大，乃至约99％或更大)。衬底可以为任何适宜的衬底(例如，集成电路、层间介电器件(ILD)、预金属(premetal)介电衬底、玻璃衬底、光学部件、硬磁盘、半导体、微-电子-机械系统、及低和高介电常数薄膜)且可以含有任何适宜的介电层(例如，绝缘层)。衬底一般为微电子(例如，半导体)衬底。介电层可以为任何适宜的介电材料且一般具有约4或更小的介电常数。例如，介电材料可以含有二氧化硅或氧化二氧化硅如碳掺杂二氧化硅和硅铝酸盐。介电层还可以为多孔金属氧化物、玻璃、或任何其它适宜的高或低-κ介电层。优选介电层含有氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、多晶硅、或任何其它介电常数为约3.5或更小的含硅材料。衬底任选地进一步含有次生层(secondary layer)(例如，抛光停止层)。该次生层可以为金属层或第二介电层，且可以含有钨、铝、钽、铂、铑、氮化硅、碳化硅，等。在某些实施方式中，衬底不包含任何暴露的金属表面。根据一个优选实施方式，衬底含有二氧化硅层和氮化硅层。根据另一个优选实施方式，衬底仅含有二氧化硅(如在ILD衬底中)。根据再一个优选实施方式，衬底含有多晶硅、二氧化硅、和氮化硅。当衬底含有二氧化硅层和氮化硅层时，一般以相对于氮化硅层为约80或更大的选择性(即，氧化物对氮化物的选择性为约80或更大)，对二氧化硅层进行抛光。优选，氧化物对氮化物的选择性为约100或更大(例如，约120或更大乃至约150或更大)。
CMP体系特别适合与化学-机械抛光(CMP)设备共同使用。一般地，该设备包括压板，当使用时，压板运动并具有由轨道运动、线性运动、或圆周运动产生的速度，与压板相接触并在运动时与压板一起移动的抛光垫，和通过相对于抛光垫表面来接触和移动衬底以保持待抛光衬底的载体，该抛光垫用于与待抛光衬底相接触。通过将衬底与抛光垫相接触放置，然后相对于衬底移动抛光垫，进行衬底的抛光，一般在其之间具有本发明的抛光组合物，从而研磨至少一部分衬底以抛光该衬底。抛光组合物可以制备为输送给CMP设备的单一浆液(例如，在输送时以水稀释的单一浓缩浆液)，或可以制备为含有不同化学组分的两种浆液，其同时输送给CMP设备的抛光垫。
CMP设备可以为任何适宜的CMP设备，其中很多为本领域已知的。CMP设备任选地含有一个以上压板，从而能够以交替的抛光条件对衬底进行抛光。抛光过程可以包括改变抛光的周期。CMP设备任选地进一步含有终端检测系统，其中很多为本领域已知的。抛光垫可以为任何适宜的抛光垫，其中很多为本领域已知的。期望，抛光垫含有具有由凹槽和/或孔隙组成的表面组织的抛光层。在某些实施方式中，可以期望地调节抛光垫。这种抛光垫调节可以在原位或不在原位进行，例如通过金刚石砂粒。在某些实施方式中，可以期望地定期转换为向CMP设备供给去离子水以代替抛光组合物，从而实现对抛光组合物进行定期稀释。
下列实施例进一步说明本发明，但不应理解为限定本发明的范围。
实施例1
该实施例表明包括具有pKa为约3-约9的抛光添加剂的pH值为约5的抛光组合物具有良好的二氧化硅去除率和高的二氧化硅对氮化硅的选择性。
以不同的抛光组合物(抛光组合物1A-1W)对类似的含有二氧化硅和氮化硅层的衬底进行抛光。这些抛光组合物中的每一种均含有0.5重量％氧化铈和足够的KOH或HNO3，以调节pH值至5。抛光组合物1A(对照)不含有抛光添加剂。抛光组合物1B-1O(本发明)分别含有0.1重量％3-氨基苯酚、邻氨基苯甲酸、哌嗪、吡啶、咪唑、吡咯-2-羧酸、2，3-吡啶二羧酸、3-羟基吡啶甲酸、2-吡啶羧酸、4-羟基苯甲酸、环己烷羧酸、2-苯乙酸、苯甲酸、和谷氨酸。抛光组合物1P-1W(比较)分别含有0.1重量％甘氨酸、脯氨酸、和苯磺酸、苹果酸、柠檬酸、草酸、对苯二酸、水杨酸。
抛光添加剂的官能团的pKa、二氧化硅去除率(RR)、氮化硅去除率(RR)、和二氧化硅对氮化硅的选择性总结在表1中。
表1
| 抛光组合物 | 抛光添加剂 | pKa | SiO2RR(_/分钟) | Si3N4RR(_/分钟) | 选择性 |
| 1A | 无 | - | 1810 | 641 | 2.8 |
| 1B | 3-氨基苯酚 | 4.3，10 | 979 | 55 | 18 |
| 1C | 邻氨基苯甲酸 | 2.1，5 | 320 | 6 | 51 |
| 1D | 哌嗪 | 5.3，9.7 | 873 | 22 | 40 |
| 1E | 吡啶 | 5.2 | 1742 | 45 | 39 |
| 1F | 咪唑 | 7 | 874 | 7 | 125 |
| 1G | 吡咯-2-羧酸 | 4.5 | 511 | 12 | 44 |
| 1H | 2，3-吡啶二羧酸 | 3.0，5.1 | 225 | 21 | 11 |
| 1I | 3-羟基-2-吡啶羧酸 | 1.1，5.2 | 826 | 10 | 83 |
| 1J | 2-吡啶羧酸 | 1，5.4 | 4794 | 24 | 200 |
| 1K | 4-羟基苯甲酸 | 4.5，9.3 | 3705 | 29 | 127 |
| 1L | 环己烷羧酸 | 4.9 | 254 | 6 | 43 |
| 1M | 2-苯乙酸 | 4.3 | 294 | 8 | 36 |
| 1N | 苯甲酸 | 4.2 | 253 | 11 | 24 |
| 1O | 谷氨酸 | 2.2，4.4，10 | 5025 | 19 | 266 |
| 1P | 甘氨酸 | 2.4，9.8 | 2704 | 822 | 3 |
| 1Q | 脯氨酸 | 2，10.6 | 2513 | 824 | 3 |
| 1R | 苯磺酸 | 0.7 | 1532 | 560 | 3 |
| 1S | 苹果酸 | 3.5，5.1 | 103 | 98 | 1.1 |
| 1T | 柠檬酸 | 3.1，4.8 | 92 | 157 | 0.6 |
| 1U | 草酸 | 1.3，4.3 | 121 | 406 | 0.3 |
| 1V | 对苯二酸 | 3.5，4.8 | 598 | 508 | 1.2 |
| 1W | 水杨酸 | 3，13.7 | 734 | 493 | 1.5 |
表1中总结的数据表明，抛光组合物中pKa为约3-约9的抛光添加剂可以在pH值为约7或更小时对氧化物和氮化物去除率以及氧化物对氮化物选择性产生显著影响。
实施例2
该实施例表明衬底层去除率和选择性与抛光组合物中抛光添加剂剂量的相关性。
以不同的抛光组合物(抛光组合物2A-2C)对类似的含有二氧化硅和氮化硅层的衬底进行抛光。这些抛光组合物中的每一种均具有0.3重量％氧化铈，浓度为500ppm、1000ppm、和3000ppm的氧化铈抛光添加剂，和足够的KOH或HNO3，以调节pH值至5.3。抛光组合物2A-2C(本发明)分别含有邻氨基苯甲酸、吡咯-2-羧酸、和3-羟基-2-吡啶羧酸。
测定每种抛光组合物的二氧化硅去除率(RR)、氮化物去除率(RR)、和二氧化硅对氮化硅的选择性，并将结果总结于表2中。
表2
| 抛光组合物 | 抛光添加剂 | SiO2RR(_/分钟) | Si3N4RR(_/分钟) | 选择性 | ||||||
| 浓度(ppm)→ | 500 | 1000 | 3000 | 500 | 1000 | 3000 | 500 | 1000 | 3000 | |
| 2A | 邻氨基苯甲酸 | 1842 | 895 | 610 | ＜10 | ＜10 | ＜10 | 184 | 89 | 61 |
| 2B | 吡咯-2-羧酸 | 1380 | 881 | 760 | 342 | ＜10 | ＜10 | 4 | 88 | 76 |
| 2C | 3-羟基吡啶羧酸 | 845 | 485 | 120 | ＜10 | ＜10 | ＜10 | 85 | 48 | 12 |
表2中总结的数据表明，在抛光添加剂浓度为约1000ppm时，氧化物和氮化物去除率以及氧化物对氮化物的选择性得以优化，且增加抛光添加剂的浓度实际上可降低抛光选择性。
实施例3
该实施例表明硅基介电层去除率和选择性与抛光组合物的pH值的相关性。
以不同的抛光组合物(抛光组合物3A-3C)对类似的含有二氧化硅和氮化硅层的衬底进行抛光。这些抛光组合物中的每一种均含有0.15重量％氧化铈和足够的KOH或HNO3，将pH值调节至所示的4.4、5.0、或5.6。抛光组合物3A-3C(本发明)还分别含有0.1重量％邻氨基苯甲酸、吡咯-2-羧酸、和3-羟基吡啶甲酸。
测定每种抛光组合物的二氧化硅去除率(RR)、氮化硅去除率(RR)、和选择性，并将结果总结于表3中。
表3
| 抛光组合物 | 抛光添加剂 | SiO2RR(_/分钟) | Si3N4RR(_/分钟) | 选择性 | ||||||
| pH→ | 4.4 | 5.0 | 5.6 | 4.4 | 5.0 | 5.6 | 4.4 | 5.0 | 5.6 | |
| 3A | 邻氨基苯甲酸 | 170 | 895 | 1023 | 38 | ＜10 | 282 | 4.47 | 89 | 3.63 |
| 3B | 吡咯-2-羧酸 | 95 | 881 | 1007 | ＜10 | ＜10 | 149 | 9.5 | 88 | 6.76 |
| 3C | 3-羟基吡啶羧酸 | 270 | 485 | 599 | ＜10 | ＜10 | 19 | 27 | 48 | 31.5 |
表3中总结的结果表明，衬底去除率和选择性作为抛光组合物的pH值的函数而变化，该pH值优选为约5。
实施例4
该实施例表明硅基介电层去除率和选择性与抛光组合物的pH值的相关性。
以不同的抛光组合物(抛光组合物4A-4C)对类似的含有二氧化硅和氮化硅层的衬底进行抛光。这些抛光组合物中的每一种均含有0.15重量％氧化铈和足够的KOH或HNO3，将pH值调节至所示的4或5。抛光组合物4A-4C(本发明)还分别含有0.1重量％邻氨基苯磺酸、间胺酸、和邻氨基苯甲酸。
测定每种抛光组合物的二氧化硅去除率(RR)、氮化硅去除率(RR)、和选择性，并将结果总结于表4中。
表4
| 抛光组合物 | 抛光添加剂 | SiO2RR(_/分钟) | Si3N4RR(_/分钟) | 选择性 | |||
| pH→ | 4 | 5 | 4 | 5 | 4 | 5 | |
| 4A | 邻氨基苯磺酸 | 981 | 2014 | 10 | 516 | 98 | 4 |
| 4B | 间胺酸 | 674 | 1924 | 10 | 489 | 67 | 4 |
| 4C | 邻氨基苯甲酸 | 173 | 416 | 15 | 55 | 12 | 7.5 |
表4中总结的结果表明，衬底去除率和选择性作为抛光组合物的pH值的函数而变化，该pH值优选为约4。
所有在此引用的参考文献，包括出版物、专利申请、及专利，作为参考文献引入，其参考程度如同单独并具体说明每个参考文献全部内容在此引入作为参考。
在描述本发明的范围(特别是权利要求的范围)中使用术语“一个(a)”和“一个(an)”和“该(the)”和类似的指示物理解为包含单数和复数，除非本文中另有说明或上下文明显矛盾。术语“包含”、“具有”、“包括”、和“含有”应理解为开放式术语(即，意味着“包括，但不限于”)，除非另有说明。本文中数值的范围的列举仅仅用作涉及的单独落在该范围内的每个独立值的简写方法，除非本文中另有说明，且在说明书中引入每个独立值，就如同其在这里被单独引用。本文描述的所有方法可以任何顺序进行，除非另有说明或上下文明显矛盾。本文中提供的任何和所有实施例，或示例性语言(例如，“例如”)的使用仅用来更好地说明本发明，而不是对本发明的范围提出限定，除非另有说明。说明书中没有语言应被理解为指示对本发明的实践必要的任何非要求保护的要素。
本文中描述了本发明的优选实施方式，包括发明人已知的进行本发明的最佳方式。通过阅读上述说明书，那些优选实施方式的变化对于本领域的普通技术人员来说是明显的。本发明人希望技术人员适当的采用这种变化，且本发明人希望本发明用不同于本文具体描述的方式进行实践。因此，本发明包括通过适用法律允许的这里附加的权利要求中引用主题的所有修改和等价物。此外，在其所有可能变化中的上述要素的任意组合包括在本发明中，除非本文另有说明或上下文明显矛盾。
Claims (33)
1.一种抛光衬底的方法，包括：
(i)将含有含硅介电层的衬底与化学-机械抛光体系相接触，该化学-机械抛光体系包括：
(a)无机研磨剂，
(b)具有pKa为约3-约9的官能团的抛光添加剂，其中该抛光添加剂选自芳基胺、氨基醇、脂族胺、杂环胺、氧肟酸、氨基羧酸、环状一元羧酸、不饱和一元羧酸、取代酚、磺酰胺、硫醇、其盐、及其组合，和
(c)液体载体，
其中该抛光体系的pH值为约7或更小且不含有显著量的与无机研磨剂静电缔合的交联聚合物研磨剂颗粒，和
(ii)研磨至少一部分含硅介电层以抛光该衬底。
2.权利要求1的方法，其中该抛光添加剂具有pKa为约4-约9的官能团。
3.权利要求2的方法，其中该抛光添加剂具有pKa为约3-约8的官能团。
4.权利要求2的方法，其中该官能团选自胺、羧酸、醇、硫醇、磺酰胺、酰亚胺、氧肟酸、肼、巴比妥酸、及其组合。
5.权利要求2的方法，其中该衬底包括二氧化硅层和氮化硅层。
6.权利要求2的方法，其中该抛光体系的pH值为约2-约6.5。
7.权利要求6的方法，其中该抛光体系的pH值为约3.5-约5.5。
8.权利要求2的方法，其中该抛光添加剂为芳基胺化合物。
9.权利要求8的方法，其中该芳基胺化合物进一步含有选自羧酸、磺酸、膦酸、羟基、硫醇基团、磺酰胺、其盐、及其组合的一个或多个取代基。
10.权利要求9的方法，其中该芳基胺化合物选自苯胺、邻氨基苯甲酸、邻氨基苯磺酸、氨基苯酚、其盐、及其组合。
11.权利要求2的方法，其中该抛光添加剂为杂环胺化合物。
12.权利要求11的方法，其中该杂环胺化合物选自咪唑、喹啉、吡啶、2-甲基吡啶、2-吡啶羧酸、吡啶二羧酸、2-喹啉羧酸、吗啉、哌嗪、三唑、吡咯、吡咯-2-羧酸、四唑、其盐、及其组合。
13.权利要求2的方法，其中该抛光添加剂为氨基羧酸化合物。
14.权利要求13的方法，其中该氨基羧酸化合物选自谷氨酸、天冬氨酸、组氨酸、其盐、及其组合。
15.权利要求2的方法，其中该抛光添加剂为含有C4-12环烷基或C6-12芳基的环状一元羧酸化合物。
16.权利要求15的方法，其中该环状一元羧酸选自苯甲酸、环己烷羧酸、环己基乙酸、2-苯乙酸、其盐、及其组合。
17.权利要求2的方法，其中该抛光添加剂选自不饱和一元羧酸、氧肟酸、及其组合。
18.权利要求2的方法，其中该抛光添加剂选自取代酚、硫醇、磺酰胺、或其组合。
19.权利要求2的方法，其中该无机研磨剂具有正ζ电势。
20.权利要求2的方法，其中该抛光组合物具有约2000μS/cm或更小的电导率。
21.权利要求2的方法，其中向抛光垫的抛光表面上固定该无机研磨剂。
22.权利要求2的方法，其中该无机研磨剂选自氧化铝、氧化铈、二氧化硅、二氧化钛、氧化铬、氧化锆、碳化硅、氮化硼、氧化镁、氧化铁、其共形成产物、及其组合。
23.权利要求22的方法，其中该无机研磨剂为氧化铈。
24.权利要求2的方法，其中该抛光体系包括约2重量％或更少的无机研磨剂。
25.权利要求24的方法，其中该抛光体系包括约0.5重量％或更少的无机研磨剂。
26.权利要求2的方法，其中该抛光体系在至少24小时的期间内是胶体稳定的。
27.权利要求2的方法，其中该抛光体系进一步含有表面活性剂。
28.化学-机械抛光体系，包括：
(a)平均粒径为约180nm或更小且具有正ζ电势的氧化铈研磨剂，
(b)具有pKa为约3-约9的官能团的抛光添加剂，其中该抛光添加剂选自芳基胺、氨基醇、脂族胺、杂环胺、氧肟酸、氨基羧酸、环状一元羧酸、不饱和一元羧酸、取代酚、磺酰胺、硫醇、其盐、及其组合，和
(c)液体载体，
其中该化学-机械抛光体系的pH值为约4-约6。
29.权利要求28的抛光体系，其中该抛光添加剂具有pKa为约4-约9的官能团。
30.一种浅沟槽隔离处理方法，包括(i)提供权利要求28的化学-机械抛光体系，(ii)将含有二氧化硅层和氮化硅层的浅沟槽隔离衬底与该化学-机械抛光体系相接触，和(iii)研磨至少一部分衬底以抛光该衬底。
31.一种抛光层间介电器件或预金属介电器件的方法，包括(i)提供权利要求28的化学-机械抛光体系，(ii)将层间介电层与该化学-机械抛光体系相接触，和(iii)研磨至少一部分层间介电器件以抛光该层间介电预金属介电器件。
32.一种浅沟槽隔离处理方法，包括(i)提供权利要求29的化学-机械抛光体系，(ii)将含有二氧化硅层和氮化硅层的浅沟槽隔离衬底与该化学-机械抛光体系相接触，和(iii)研磨至少一部分衬底以抛光该衬底。
33.一种抛光层间介电器件或预金属介电器件的方法，包括(i)提供权利要求29的化学-机械抛光体系，(ii)将层间介电层与该化学-机械抛光体系相接触，和(iii)抛光至少一部分层间介电器件以抛光该层间介电预金属介电器件。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/356,970 US7071105B2 (en) | 2003-02-03 | 2003-02-03 | Method of polishing a silicon-containing dielectric |
| US10/356,970 | 2003-02-03 | ||
| PCT/US2004/002908 WO2004069947A1 (en) | 2003-02-03 | 2004-02-02 | Method of polishing a silicon-containing dielectric |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1742066A true CN1742066A (zh) | 2006-03-01 |
| CN1742066B CN1742066B (zh) | 2015-10-21 |
Family
ID=32770920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200480002763.4A Expired - Lifetime CN1742066B (zh) | 2003-02-03 | 2004-02-02 | 抛光含硅电介质的方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US7071105B2 (zh) |
| EP (1) | EP1601735B1 (zh) |
| JP (1) | JP4927526B2 (zh) |
| KR (2) | KR20050098288A (zh) |
| CN (1) | CN1742066B (zh) |
| TW (1) | TWI283022B (zh) |
| WO (1) | WO2004069947A1 (zh) |
Cited By (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102604541A (zh) * | 2006-03-13 | 2012-07-25 | 卡伯特微电子公司 | 用于抛光氮化硅的组合物及方法 |
| CN101568613B (zh) * | 2006-12-20 | 2013-02-06 | 3M创新有限公司 | 化学-机械平面化组合物、系统及使用方法 |
| CN103131330A (zh) * | 2008-02-01 | 2013-06-05 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物以及使用其的研磨方法 |
| CN103249525A (zh) * | 2010-12-06 | 2013-08-14 | 株式会社Moresco | 玻璃基板抛光用组合物和抛光浆料 |
| CN101492592B (zh) * | 2008-01-25 | 2014-01-29 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN104073170A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-10-01 | 江苏天恒纳米科技股份有限公司 | 一种铝合金表面超精密加工专用纳米浆料及其制备方法 |
| CN104471015A (zh) * | 2012-07-11 | 2015-03-25 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 用于氮化硅材料的选择性抛光的组合物及方法 |
| CN105579196A (zh) * | 2013-09-24 | 2016-05-11 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 聚合物膜的化学机械平坦化 |
| CN105829488A (zh) * | 2013-10-10 | 2016-08-03 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 用于抛光基材的湿法铈土组合物、及其相关方法 |
| CN105829487A (zh) * | 2013-10-10 | 2016-08-03 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 用于选择性地抛光基材的湿法铈土组合物、以及与其相关的方法 |
| CN107109136A (zh) * | 2015-01-12 | 2017-08-29 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于化学机械平面化组合物的复合磨料颗粒及其使用方法 |
| CN108026412A (zh) * | 2015-09-03 | 2018-05-11 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 用于加工介电基板的方法及组合物 |
| CN109251680A (zh) * | 2017-07-13 | 2019-01-22 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN109251677A (zh) * | 2017-07-13 | 2019-01-22 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN109476954A (zh) * | 2016-08-26 | 2019-03-15 | 福禄公司 | 选择性硅石抛光的浆料组合物和方法 |
| CN109609035A (zh) * | 2017-10-05 | 2019-04-12 | 富士胶片平面解决方案有限责任公司 | 包含带电磨料的抛光组合物 |
| CN110461970A (zh) * | 2017-03-29 | 2019-11-15 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 抛光组合物及其使用方法 |
| CN110520493A (zh) * | 2017-04-17 | 2019-11-29 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 自停止性抛光组合物及用于块状氧化物平坦化的方法 |
| CN110857380A (zh) * | 2018-08-09 | 2020-03-03 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于抛光氧化物材料的化学机械平面化组合物及其使用方法 |
| CN110964440A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 抛光二氧化硅多于氮化硅的化学机械抛光组合物和方法 |
| CN111117492A (zh) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 对于浅沟槽隔离(STI)工艺抑制SiN去除速率并减少氧化物沟槽凹陷 |
| CN111334193A (zh) * | 2018-12-19 | 2020-06-26 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 抛光组合物及其使用方法 |
| CN111500197A (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-07 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 具有可调节的氧化硅和氮化硅去除速率的浅沟槽隔离化学机械平面化抛光 |
| CN113004798A (zh) * | 2019-12-19 | 2021-06-22 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN113302256A (zh) * | 2018-12-31 | 2021-08-24 | 株式会社东进世美肯 | 化学-机械研磨粒子以及包含其的研磨浆料组合物 |
| CN113388328A (zh) * | 2020-03-13 | 2021-09-14 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法、研磨方法及半导体基板的制造方法 |
| CN113767155A (zh) * | 2019-04-29 | 2021-12-07 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 选择性化学机械平面化抛光 |
| CN114599750A (zh) * | 2019-10-22 | 2022-06-07 | Cmc材料股份有限公司 | 用于硅氧化物和碳掺杂的硅氧化物的化学机械抛光的组合物及方法 |
| WO2022121822A1 (zh) * | 2020-12-11 | 2022-06-16 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液及其使用方法 |
| CN114958207A (zh) * | 2021-02-24 | 2022-08-30 | 爱思开海力士有限公司 | 用于对氧化硅膜进行抛光的cmp浆料组合物 |
| CN115160933A (zh) * | 2022-07-27 | 2022-10-11 | 河北工业大学 | 一种用于钴互连集成电路钴cmp的碱性抛光液及其制备方法 |
| CN115710464A (zh) * | 2022-11-11 | 2023-02-24 | 博力思(天津)电子科技有限公司 | 一种低表面粗糙度的氧化硅介质层化学机械抛光液 |
| CN115746711A (zh) * | 2022-11-08 | 2023-03-07 | 东莞领航电子新材料有限公司 | 一种铝合金镜面抛光液以及抛光方法 |
| CN116063928A (zh) * | 2021-11-01 | 2023-05-05 | 凯斯科技股份有限公司 | 抛光浆料组合物 |
| US11680186B2 (en) | 2020-11-06 | 2023-06-20 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions and methods of using same |
Families Citing this family (134)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7097541B2 (en) * | 2002-01-22 | 2006-08-29 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP method for noble metals |
| US7316603B2 (en) | 2002-01-22 | 2008-01-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for tantalum CMP |
| JP2004101849A (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-02 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 洗浄剤組成物 |
| US7071105B2 (en) * | 2003-02-03 | 2006-07-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a silicon-containing dielectric |
| US20050028450A1 (en) * | 2003-08-07 | 2005-02-10 | Wen-Qing Xu | CMP slurry |
| US7514363B2 (en) * | 2003-10-23 | 2009-04-07 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Chemical-mechanical planarization composition having benzenesulfonic acid and per-compound oxidizing agents, and associated method for use |
| US20050189322A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-01 | Lane Sarah J. | Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride |
| TW200613485A (en) * | 2004-03-22 | 2006-05-01 | Kao Corp | Polishing composition |
| US20060021972A1 (en) * | 2004-07-28 | 2006-02-02 | Lane Sarah J | Compositions and methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride |
| JP4814502B2 (ja) | 2004-09-09 | 2011-11-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| JP5026665B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2012-09-12 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| US20060097219A1 (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Applied Materials, Inc. | High selectivity slurry compositions for chemical mechanical polishing |
| JP4027929B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2007-12-26 | 花王株式会社 | 半導体基板用研磨液組成物 |
| US7208325B2 (en) * | 2005-01-18 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Refreshing wafers having low-k dielectric materials |
| US7449124B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-11-11 | 3M Innovative Properties Company | Method of polishing a wafer |
| US7081041B1 (en) | 2005-02-28 | 2006-07-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Manufacturing method for forming a write head top pole using chemical mechanical polishing with a DLC stop layer |
| US20060205218A1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Mueller Brian L | Compositions and methods for chemical mechanical polishing thin films and dielectric materials |
| US7497938B2 (en) * | 2005-03-22 | 2009-03-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Tribo-chronoamperometry as a tool for CMP application |
| JP2006269910A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属用研磨液及びこれを用いた研磨方法 |
| JP2006318952A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
| US7731864B2 (en) * | 2005-06-29 | 2010-06-08 | Intel Corporation | Slurry for chemical mechanical polishing of aluminum |
| US8353740B2 (en) | 2005-09-09 | 2013-01-15 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Conductive hydrocarbon fluid |
| US7708904B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-05-04 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Conductive hydrocarbon fluid |
| US7803203B2 (en) | 2005-09-26 | 2010-09-28 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for CMP of semiconductor materials |
| US7842193B2 (en) * | 2005-09-29 | 2010-11-30 | Fujifilm Corporation | Polishing liquid |
| US20070077865A1 (en) * | 2005-10-04 | 2007-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for controlling polysilicon removal |
| WO2007120259A2 (en) * | 2005-11-08 | 2007-10-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations for removing copper-containing post-etch residue from microelectronic devices |
| US20070129682A1 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Tracee Eidenschink | Guidewire with perfusion capability |
| US7732393B2 (en) * | 2006-03-20 | 2010-06-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Oxidation-stabilized CMP compositions and methods |
| KR100800481B1 (ko) * | 2006-08-16 | 2008-02-04 | 삼성전자주식회사 | 화학기계적 연마방법 및 이를 이용한 소자 분리막 형성방법 |
| US20080182413A1 (en) * | 2006-08-16 | 2008-07-31 | Menk Gregory E | Selective chemistry for fixed abrasive cmp |
| US7776230B2 (en) * | 2006-08-30 | 2010-08-17 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP system utilizing halogen adduct |
| US7723234B2 (en) | 2006-11-22 | 2010-05-25 | Clarkson University | Method for selective CMP of polysilicon |
| US7629258B2 (en) | 2006-11-22 | 2009-12-08 | Clarkson University | Method for one-to-one polishing of silicon nitride and silicon oxide |
| US20080116171A1 (en) * | 2006-11-22 | 2008-05-22 | Clarkson University | Method For The Preferential Polishing Of Silicon Nitride Versus Silicon Oxide |
| KR100725803B1 (ko) * | 2006-12-05 | 2007-06-08 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼 최종 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한실리콘 웨이퍼 최종 연마 방법 |
| US9343330B2 (en) * | 2006-12-06 | 2016-05-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions for polishing aluminum/copper and titanium in damascene structures |
| DE102006061891A1 (de) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Basf Se | Zusammensetzung zum Polieren von Oberflächen aus Siliziumdioxid |
| WO2008095078A1 (en) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Stabilization of polymer-silica dispersions for chemical mechanical polishing slurry applications |
| KR100807220B1 (ko) * | 2007-02-01 | 2008-02-28 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치의 제조 방법 |
| DE102007035992A1 (de) * | 2007-05-25 | 2008-11-27 | Evonik Degussa Gmbh | Ceroxid, Siliciumdioxid oder Schichtsilikat und Aminosäure enthaltende Dispersion |
| US20080314872A1 (en) * | 2007-06-19 | 2008-12-25 | Ferro Corporation | Chemical-Mechanical Polishing Compositions Containing Aspartame And Methods Of Making And Using The Same |
| US20100261632A1 (en) * | 2007-08-02 | 2010-10-14 | Advanced Technology Materials, Inc. | Non-fluoride containing composition for the removal of residue from a microelectronic device |
| US20090031636A1 (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-05 | Qianqiu Ye | Polymeric barrier removal polishing slurry |
| SG184772A1 (en) * | 2007-09-21 | 2012-10-30 | Cabot Microelectronics Corp | Polishing composition and method utilizing abrasive particles treated with an aminosilane |
| JP2009123880A (ja) | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Showa Denko Kk | 研磨組成物 |
| US7955520B2 (en) * | 2007-11-27 | 2011-06-07 | Cabot Microelectronics Corporation | Copper-passivating CMP compositions and methods |
| JP5306644B2 (ja) * | 2007-12-29 | 2013-10-02 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 |
| US7922926B2 (en) * | 2008-01-08 | 2011-04-12 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing nickel-phosphorous-coated aluminum hard disks |
| JP5326492B2 (ja) * | 2008-02-12 | 2013-10-30 | 日立化成株式会社 | Ｃｍｐ用研磨液、基板の研磨方法及び電子部品 |
| JP5375025B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2013-12-25 | 日立化成株式会社 | 研磨液 |
| DE102008002321A1 (de) | 2008-06-10 | 2009-12-17 | Evonik Degussa Gmbh | Ceroxid und partikuläres Additiv enthaltende Dispersion |
| JP5369506B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2013-12-18 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用研磨剤 |
| WO2009150938A1 (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-17 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用研磨剤 |
| CN102105267B (zh) * | 2008-06-18 | 2016-08-03 | 福吉米株式会社 | 抛光组合物及利用该抛光组合物的抛光方法 |
| US8247327B2 (en) * | 2008-07-30 | 2012-08-21 | Cabot Microelectronics Corporation | Methods and compositions for polishing silicon-containing substrates |
| EP2334749B1 (en) * | 2008-10-03 | 2012-08-29 | Basf Se | Chemical mechanical polishing (cmp) polishing solution with enhanced performance |
| CN103333661B (zh) | 2008-12-11 | 2015-08-19 | 日立化成株式会社 | Cmp用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法 |
| CN101475791B (zh) * | 2009-01-20 | 2012-08-29 | 江苏工业学院 | 氧化铈/氧化硅复合磨料的制备方法和用途 |
| WO2010139603A1 (en) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | Basf Se | RASPBERRY-TYPE METAL OXIDE NANOSTRUCTURES COATED WITH CeO2 NANOPARTICLES FOR CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION (CMP) |
| CN101906359A (zh) * | 2009-06-08 | 2010-12-08 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光清洗液 |
| CN101906270A (zh) * | 2009-06-08 | 2010-12-08 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| JP5827221B2 (ja) * | 2009-06-22 | 2015-12-02 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | ポリシリコン除去速度の抑制のためのｃｍｐ組成物および方法 |
| US9255214B2 (en) * | 2009-11-13 | 2016-02-09 | Basf Se | Chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising inorganic particles and polymer particles |
| JP2011110637A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Asahi Glass Co Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
| KR101675378B1 (ko) * | 2010-02-25 | 2016-11-23 | 삼성전자주식회사 | 연마 슬러리 및 그를 이용한 절연막 평탄화 방법 |
| JP5648567B2 (ja) * | 2010-05-07 | 2015-01-07 | 日立化成株式会社 | Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法 |
| JP5141792B2 (ja) * | 2010-06-29 | 2013-02-13 | 日立化成工業株式会社 | Ｃｍｐ研磨液及び研磨方法 |
| KR101906135B1 (ko) | 2010-09-08 | 2018-10-10 | 바스프 에스이 | 수성 연마 조성물 및 산화규소 유전체 및 폴리실리콘 필름을 함유하는 기판의 화학적 기계적 연마 방법 |
| CN103210047B (zh) | 2010-09-08 | 2018-07-17 | 巴斯夫欧洲公司 | 含n取代的二氮烯*二氧化物和/或n’-羟基-二氮烯*氧化物盐的含水抛光组合物 |
| MY164859A (en) | 2010-09-08 | 2018-01-30 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrate materials for electrical, mechanical and optical devices |
| JP2012069785A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Fujimi Inc | 研磨用組成物および研磨方法 |
| US8497210B2 (en) | 2010-10-04 | 2013-07-30 | International Business Machines Corporation | Shallow trench isolation chemical mechanical planarization |
| JP6096670B2 (ja) | 2010-12-10 | 2017-03-15 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | 酸化ケイ素誘電体膜およびポリシリコン膜を含有する基板を化学的機械的に研磨するための水性研磨組成物および方法 |
| MY163010A (en) * | 2011-01-11 | 2017-07-31 | Cabot Microelectronics Corp | Metal-passivating cmp compositions and methods |
| US8986524B2 (en) | 2011-01-28 | 2015-03-24 | International Business Machines Corporation | DNA sequence using multiple metal layer structure with different organic coatings forming different transient bondings to DNA |
| CN102268225B (zh) * | 2011-05-30 | 2014-03-26 | 上海百兰朵电子科技有限公司 | 永悬浮钻石研磨液 |
| EP2568024A1 (en) | 2011-09-07 | 2013-03-13 | Basf Se | A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a glycoside |
| WO2013035034A1 (en) | 2011-09-07 | 2013-03-14 | Basf Se | A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a glycoside |
| KR101411019B1 (ko) * | 2011-12-29 | 2014-06-24 | 제일모직주식회사 | Ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 |
| KR101385044B1 (ko) * | 2011-12-30 | 2014-04-15 | 제일모직주식회사 | Ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 |
| TWI573864B (zh) * | 2012-03-14 | 2017-03-11 | 卡博特微電子公司 | 具有高移除率及低缺陷率之對氧化物及氮化物有選擇性之ｃｍｐ組成物 |
| US10029915B2 (en) * | 2012-04-04 | 2018-07-24 | International Business Machines Corporation | Functionally switchable self-assembled coating compound for controlling translocation of molecule through nanopores |
| US8778212B2 (en) * | 2012-05-22 | 2014-07-15 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP composition containing zirconia particles and method of use |
| US9039914B2 (en) | 2012-05-23 | 2015-05-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition for nickel-phosphorous-coated memory disks |
| EP2858097B1 (en) | 2012-05-30 | 2019-02-27 | Kuraray Co., Ltd. | Slurry for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing method |
| EP2682440A1 (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-08 | Basf Se | A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a non-ionic surfactant and a carbonate salt |
| US8859428B2 (en) | 2012-10-19 | 2014-10-14 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical mechanical polishing (CMP) composition for shallow trench isolation (STI) applications and methods of making thereof |
| JP6321022B2 (ja) * | 2012-11-02 | 2018-05-09 | ローレンス リバモア ナショナル セキュリティー， エルエルシー | 表面活性を失うことなく荷電コロイドの凝集を阻止する方法 |
| US9340706B2 (en) | 2013-10-10 | 2016-05-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed abrasive polishing compositions |
| JP6191433B2 (ja) * | 2013-12-11 | 2017-09-06 | 旭硝子株式会社 | 研磨剤および研磨方法 |
| US9238754B2 (en) * | 2014-03-11 | 2016-01-19 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition for tungsten CMP |
| KR102458508B1 (ko) * | 2014-06-25 | 2022-10-26 | 씨엠씨 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 콜로이드성 실리카 화학적-기계적 연마 농축액 |
| JP6435689B2 (ja) | 2014-07-25 | 2018-12-12 | Ａｇｃ株式会社 | 研磨剤と研磨方法、および研磨用添加液 |
| US9530655B2 (en) * | 2014-09-08 | 2016-12-27 | Taiwan Semiconductor Manufacting Company, Ltd. | Slurry composition for chemical mechanical polishing of Ge-based materials and devices |
| CN104263320B (zh) * | 2014-09-10 | 2016-03-02 | 句容金猴机械研究所有限公司 | 一种机械设备耐高温研磨剂及其制备方法 |
| JP5893700B1 (ja) | 2014-09-26 | 2016-03-23 | 花王株式会社 | 酸化珪素膜用研磨液組成物 |
| JP6694674B2 (ja) | 2014-11-07 | 2020-05-20 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法およびポリシング用組成物 |
| CN104650740B (zh) * | 2014-12-10 | 2017-07-14 | 深圳市力合材料有限公司 | 一种可实现快速稳定抛光的抛光液 |
| US9803107B2 (en) | 2015-02-12 | 2017-10-31 | Asahi Glass Company, Limited | Polishing agent, polishing method and method for manufacturing semiconductor integrated circuit device |
| WO2016132952A1 (ja) * | 2015-02-20 | 2016-08-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US9758697B2 (en) | 2015-03-05 | 2017-09-12 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition containing cationic polymer additive |
| US10414947B2 (en) | 2015-03-05 | 2019-09-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition containing ceria particles and method of use |
| US9505952B2 (en) | 2015-03-05 | 2016-11-29 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition containing ceria abrasive |
| US10032644B2 (en) * | 2015-06-05 | 2018-07-24 | Versum Materials Us, Llc | Barrier chemical mechanical planarization slurries using ceria-coated silica abrasives |
| US10619075B2 (en) * | 2015-07-13 | 2020-04-14 | Cabot Microelectronics Corporation | Self-stopping polishing composition and method for bulk oxide planarization |
| JP6879995B2 (ja) * | 2015-07-13 | 2021-06-02 | シーエムシー マテリアルズ，インコーポレイティド | 誘電体基板を加工するための方法及び組成物 |
| US10144850B2 (en) * | 2015-09-25 | 2018-12-04 | Versum Materials Us, Llc | Stop-on silicon containing layer additive |
| KR102543680B1 (ko) | 2015-12-17 | 2023-06-16 | 솔브레인 주식회사 | 화학기계적 연마 슬러리 조성물 |
| JP6657935B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2020-03-04 | 日立化成株式会社 | 研磨液 |
| WO2017117404A1 (en) * | 2015-12-29 | 2017-07-06 | Cabot Microelectronics Corporation | Cmp processing composition comprising alkylamine and cyclodextrin |
| WO2018075409A2 (en) | 2016-10-17 | 2018-04-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Cmp compositions selective for oxide and nitride with improved dishing and pattern selectivity |
| US10570315B2 (en) * | 2016-11-08 | 2020-02-25 | Fujimi Incorporated | Buffered slurry formulation for cobalt CMP |
| CN108117839B (zh) | 2016-11-29 | 2021-09-17 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种具有高氮化硅选择性的化学机械抛光液 |
| CN108117840B (zh) * | 2016-11-29 | 2021-09-21 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种氮化硅化学机械抛光液 |
| US10286518B2 (en) | 2017-01-31 | 2019-05-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method for tungsten |
| US9984895B1 (en) | 2017-01-31 | 2018-05-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method for tungsten |
| US20180244955A1 (en) * | 2017-02-28 | 2018-08-30 | Versum Materials Us, Llc | Chemical Mechanical Planarization of Films Comprising Elemental Silicon |
| US10319601B2 (en) * | 2017-03-23 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Slurry for polishing of integrated circuit packaging |
| WO2018179061A1 (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-04 | 日立化成株式会社 | 研磨液、研磨液セット及び研磨方法 |
| CN110462791B (zh) | 2017-03-27 | 2023-06-16 | 株式会社力森诺科 | 悬浮液和研磨方法 |
| KR102533083B1 (ko) * | 2017-12-18 | 2023-05-17 | 주식회사 케이씨텍 | 다결정실리콘을 함유하는 웨이퍼의 연마 슬러리 조성물 |
| KR20190074597A (ko) | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 주식회사 케이씨텍 | Sti 공정용 연마 슬러리 조성물 |
| US10584266B2 (en) * | 2018-03-14 | 2020-03-10 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP compositions containing polymer complexes and agents for STI applications |
| WO2020021680A1 (ja) | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 日立化成株式会社 | スラリ及び研磨方法 |
| US11572490B2 (en) | 2018-03-22 | 2023-02-07 | Showa Denko Materials Co., Ltd. | Polishing liquid, polishing liquid set, and polishing method |
| US11643599B2 (en) | 2018-07-20 | 2023-05-09 | Versum Materials Us, Llc | Tungsten chemical mechanical polishing for reduced oxide erosion |
| US10988635B2 (en) * | 2018-12-04 | 2021-04-27 | Cmc Materials, Inc. | Composition and method for copper barrier CMP |
| US20200172759A1 (en) * | 2018-12-04 | 2020-06-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for cobalt cmp |
| US10759970B2 (en) | 2018-12-19 | 2020-09-01 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions and methods of using same |
| US20200270479A1 (en) * | 2019-02-26 | 2020-08-27 | Versum Materials Us, Llc | Shallow Trench Isolation Chemical And Mechanical Polishing Slurry |
| US20220251422A1 (en) * | 2019-06-06 | 2022-08-11 | Showa Denko Materials Co., Ltd. | Polishing solution and polishing method |
| WO2023013059A1 (ja) * | 2021-08-06 | 2023-02-09 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | Ｃｍｐ用研磨液、ｃｍｐ用研磨液セット及び研磨方法 |
| WO2023149925A1 (en) * | 2022-02-07 | 2023-08-10 | Araca, Inc. | Chemical mechanical planarization slurry processing techniques and systems and methods for polishing substrate using the same |
Family Cites Families (53)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4169337A (en) | 1978-03-30 | 1979-10-02 | Nalco Chemical Company | Process for polishing semi-conductor materials |
| US4462188A (en) | 1982-06-21 | 1984-07-31 | Nalco Chemical Company | Silica sol compositions for polishing silicon wafers |
| US4867757A (en) | 1988-09-09 | 1989-09-19 | Nalco Chemical Company | Lapping slurry compositions with improved lap rate |
| US5391258A (en) | 1993-05-26 | 1995-02-21 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing |
| US5460701A (en) | 1993-07-27 | 1995-10-24 | Nanophase Technologies Corporation | Method of making nanostructured materials |
| US5489233A (en) | 1994-04-08 | 1996-02-06 | Rodel, Inc. | Polishing pads and methods for their use |
| US5527423A (en) | 1994-10-06 | 1996-06-18 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry for metal layers |
| US5860848A (en) * | 1995-06-01 | 1999-01-19 | Rodel, Inc. | Polishing silicon wafers with improved polishing slurries |
| US5614444A (en) | 1995-06-06 | 1997-03-25 | Sematech, Inc. | Method of using additives with silica-based slurries to enhance selectivity in metal CMP |
| US5763325A (en) * | 1995-07-04 | 1998-06-09 | Fujitsu Limited | Fabrication process of a semiconductor device using a slurry containing manganese oxide |
| US5958794A (en) | 1995-09-22 | 1999-09-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer |
| EP0786504A3 (en) | 1996-01-29 | 1998-05-20 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| US5733176A (en) * | 1996-05-24 | 1998-03-31 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad and method of use |
| WO1998004646A1 (en) * | 1996-07-25 | 1998-02-05 | Ekc Technology, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and process |
| US6132637A (en) | 1996-09-27 | 2000-10-17 | Rodel Holdings, Inc. | Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride |
| US5738800A (en) | 1996-09-27 | 1998-04-14 | Rodel, Inc. | Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride |
| US5968239A (en) | 1996-11-12 | 1999-10-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing slurry |
| US5759917A (en) | 1996-12-30 | 1998-06-02 | Cabot Corporation | Composition for oxide CMP |
| DE69830676D1 (de) | 1997-01-10 | 2005-08-04 | Texas Instruments Inc | CMP Suspension mit hoher Selektivität |
| US6126532A (en) | 1997-04-18 | 2000-10-03 | Cabot Corporation | Polishing pads for a semiconductor substrate |
| ES2187960T3 (es) | 1997-04-18 | 2003-06-16 | Cabot Microelectronics Corp | Tampon para pulir para un sustrato semiconductor. |
| US6322600B1 (en) | 1997-04-23 | 2001-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Planarization compositions and methods for removing interlayer dielectric films |
| US6194317B1 (en) * | 1998-04-30 | 2001-02-27 | 3M Innovative Properties Company | Method of planarizing the upper surface of a semiconductor wafer |
| JPH10321570A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Tokuyama Corp | 半導体ウェーハポリッシング用研磨剤及びその製造方法、ポリッシング方法 |
| US6168823B1 (en) * | 1997-10-09 | 2001-01-02 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Production of substantially pure kappa casein macropeptide |
| WO1999043761A1 (fr) * | 1998-02-24 | 1999-09-02 | Showa Denko K.K. | Composition abrasive de polissage d'un dispositif semiconducteur et procede de production d'un dispositif semiconducteur afferent |
| US6359471B1 (en) | 1998-03-09 | 2002-03-19 | Infineon Technologies North America Corp. | Mixed swing voltage repeaters for high resistance or high capacitance signal lines and methods therefor |
| US6114249A (en) | 1998-03-10 | 2000-09-05 | International Business Machines Corporation | Chemical mechanical polishing of multiple material substrates and slurry having improved selectivity |
| US6117000A (en) | 1998-07-10 | 2000-09-12 | Cabot Corporation | Polishing pad for a semiconductor substrate |
| US6299659B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-10-09 | Showa Denko K.K. | Polishing material composition and polishing method for polishing LSI devices |
| US6863593B1 (en) | 1998-11-02 | 2005-03-08 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing a substrate having a filler layer and a stop layer |
| SG78405A1 (en) * | 1998-11-17 | 2001-02-20 | Fujimi Inc | Polishing composition and rinsing composition |
| US6740590B1 (en) | 1999-03-18 | 2004-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aqueous dispersion, aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used for manufacture of semiconductor devices, method for manufacture of semiconductor devices, and method for formation of embedded writing |
| JP2001007059A (ja) | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
| JP3957924B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2007-08-15 | 株式会社東芝 | Ｃｍｐ研磨方法 |
| US6488730B2 (en) | 1999-07-01 | 2002-12-03 | Cheil Industries, Inc. | Polishing composition |
| TWI227726B (en) | 1999-07-08 | 2005-02-11 | Eternal Chemical Co Ltd | Chemical-mechanical abrasive composition and method |
| JP4555936B2 (ja) | 1999-07-21 | 2010-10-06 | 日立化成工業株式会社 | Ｃｍｐ研磨液 |
| US6855266B1 (en) * | 1999-08-13 | 2005-02-15 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing system with stopping compound and method of its use |
| TW499471B (en) * | 1999-09-01 | 2002-08-21 | Eternal Chemical Co Ltd | Chemical mechanical/abrasive composition for semiconductor processing |
| US6350393B2 (en) | 1999-11-04 | 2002-02-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Use of CsOH in a dielectric CMP slurry |
| US6468910B1 (en) | 1999-12-08 | 2002-10-22 | Ramanathan Srinivasan | Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide |
| US6491843B1 (en) | 1999-12-08 | 2002-12-10 | Eastman Kodak Company | Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide |
| JP2001269859A (ja) | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
| JP2003530713A (ja) | 2000-04-11 | 2003-10-14 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 酸化ケイ素の優先除去系 |
| US6593240B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-07-15 | Infineon Technologies, North America Corp | Two step chemical mechanical polishing process |
| JP2002241739A (ja) | 2001-02-20 | 2002-08-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤及び基板の研磨方法 |
| US6786945B2 (en) * | 2001-02-20 | 2004-09-07 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Polishing compound and method for polishing substrate |
| JP2003017445A (ja) | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
| JP2003017447A (ja) | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
| JP4972829B2 (ja) | 2001-06-28 | 2012-07-11 | 日立化成工業株式会社 | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
| US6776810B1 (en) | 2002-02-11 | 2004-08-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP |
| US7071105B2 (en) * | 2003-02-03 | 2006-07-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a silicon-containing dielectric |
-
2003
- 2003-02-03 US US10/356,970 patent/US7071105B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-02-02 WO PCT/US2004/002908 patent/WO2004069947A1/en active Application Filing
- 2004-02-02 KR KR1020057014199A patent/KR20050098288A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-02-02 CN CN200480002763.4A patent/CN1742066B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-02 KR KR1020117028628A patent/KR101281967B1/ko active IP Right Grant
- 2004-02-02 US US10/543,848 patent/US7442645B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-02 EP EP04707432.3A patent/EP1601735B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-02 JP JP2006503246A patent/JP4927526B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-03 TW TW093102405A patent/TWI283022B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-03-07 US US11/370,077 patent/US20060144824A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-09-26 US US12/239,249 patent/US8486169B2/en active Active
Cited By (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102604541A (zh) * | 2006-03-13 | 2012-07-25 | 卡伯特微电子公司 | 用于抛光氮化硅的组合物及方法 |
| CN101568613B (zh) * | 2006-12-20 | 2013-02-06 | 3M创新有限公司 | 化学-机械平面化组合物、系统及使用方法 |
| CN101492592B (zh) * | 2008-01-25 | 2014-01-29 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN103131330A (zh) * | 2008-02-01 | 2013-06-05 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物以及使用其的研磨方法 |
| US10144849B2 (en) | 2008-02-01 | 2018-12-04 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and polishing method using the same |
| CN103131330B (zh) * | 2008-02-01 | 2015-09-23 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物以及使用其的研磨方法 |
| CN103249525B (zh) * | 2010-12-06 | 2016-01-06 | 株式会社Moresco | 玻璃基板抛光用组合物和抛光浆料 |
| CN103249525A (zh) * | 2010-12-06 | 2013-08-14 | 株式会社Moresco | 玻璃基板抛光用组合物和抛光浆料 |
| CN104471015B (zh) * | 2012-07-11 | 2018-08-17 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 用于氮化硅材料的选择性抛光的组合物及方法 |
| CN104471015A (zh) * | 2012-07-11 | 2015-03-25 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 用于氮化硅材料的选择性抛光的组合物及方法 |
| CN105579196B (zh) * | 2013-09-24 | 2018-01-16 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 聚合物膜的化学机械平坦化 |
| CN105579196A (zh) * | 2013-09-24 | 2016-05-11 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 聚合物膜的化学机械平坦化 |
| CN105829487A (zh) * | 2013-10-10 | 2016-08-03 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 用于选择性地抛光基材的湿法铈土组合物、以及与其相关的方法 |
| CN105829488A (zh) * | 2013-10-10 | 2016-08-03 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 用于抛光基材的湿法铈土组合物、及其相关方法 |
| CN105829488B (zh) * | 2013-10-10 | 2018-02-16 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 用于抛光基材的湿法铈土组合物、及其相关方法 |
| CN105829487B (zh) * | 2013-10-10 | 2018-04-17 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 用于选择性地抛光基材的湿法铈土组合物、以及与其相关的方法 |
| CN104073170A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-10-01 | 江苏天恒纳米科技股份有限公司 | 一种铝合金表面超精密加工专用纳米浆料及其制备方法 |
| CN104073170B (zh) * | 2014-06-24 | 2015-11-18 | 江苏天恒纳米科技股份有限公司 | 一种铝合金表面超精密加工专用纳米浆料及其制备方法 |
| CN107109136A (zh) * | 2015-01-12 | 2017-08-29 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于化学机械平面化组合物的复合磨料颗粒及其使用方法 |
| CN108026412B (zh) * | 2015-09-03 | 2021-08-31 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 用于加工介电基板的方法及组合物 |
| CN108026412A (zh) * | 2015-09-03 | 2018-05-11 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 用于加工介电基板的方法及组合物 |
| CN109476954A (zh) * | 2016-08-26 | 2019-03-15 | 福禄公司 | 选择性硅石抛光的浆料组合物和方法 |
| CN110461970B (zh) * | 2017-03-29 | 2022-02-11 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 抛光组合物及其使用方法 |
| CN110461970A (zh) * | 2017-03-29 | 2019-11-15 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 抛光组合物及其使用方法 |
| CN114456717A (zh) * | 2017-03-29 | 2022-05-10 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 抛光组合物及其使用方法 |
| US11499071B2 (en) | 2017-03-29 | 2022-11-15 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions and methods of use thereof |
| CN110520493A (zh) * | 2017-04-17 | 2019-11-29 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 自停止性抛光组合物及用于块状氧化物平坦化的方法 |
| CN113637412A (zh) * | 2017-04-17 | 2021-11-12 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 自停止性抛光组合物及用于块状氧化物平坦化的方法 |
| CN110520493B (zh) * | 2017-04-17 | 2022-11-22 | Cmc材料股份有限公司 | 自停止性抛光组合物及用于块状氧化物平坦化的方法 |
| CN109251680A (zh) * | 2017-07-13 | 2019-01-22 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN109251677A (zh) * | 2017-07-13 | 2019-01-22 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN109251677B (zh) * | 2017-07-13 | 2021-08-13 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN109609035A (zh) * | 2017-10-05 | 2019-04-12 | 富士胶片平面解决方案有限责任公司 | 包含带电磨料的抛光组合物 |
| US11034861B2 (en) | 2017-10-05 | 2021-06-15 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions containing charged abrasive |
| CN109609035B (zh) * | 2017-10-05 | 2022-11-29 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 包含带电磨料的抛光组合物 |
| US11674056B2 (en) | 2017-10-05 | 2023-06-13 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions containing charged abrasive |
| CN110857380A (zh) * | 2018-08-09 | 2020-03-03 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于抛光氧化物材料的化学机械平面化组合物及其使用方法 |
| CN110964440A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 抛光二氧化硅多于氮化硅的化学机械抛光组合物和方法 |
| CN111117492A (zh) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 对于浅沟槽隔离(STI)工艺抑制SiN去除速率并减少氧化物沟槽凹陷 |
| CN111334193A (zh) * | 2018-12-19 | 2020-06-26 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 抛光组合物及其使用方法 |
| CN111334193B (zh) * | 2018-12-19 | 2022-05-24 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 抛光组合物及其使用方法 |
| US11424131B2 (en) | 2018-12-19 | 2022-08-23 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions and methods of using same |
| CN113302256B (zh) * | 2018-12-31 | 2023-07-28 | 株式会社东进世美肯 | 化学-机械研磨粒子以及包含其的研磨浆料组合物 |
| CN113302256A (zh) * | 2018-12-31 | 2021-08-24 | 株式会社东进世美肯 | 化学-机械研磨粒子以及包含其的研磨浆料组合物 |
| CN111500197A (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-07 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 具有可调节的氧化硅和氮化硅去除速率的浅沟槽隔离化学机械平面化抛光 |
| CN113767155A (zh) * | 2019-04-29 | 2021-12-07 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 选择性化学机械平面化抛光 |
| CN114599750A (zh) * | 2019-10-22 | 2022-06-07 | Cmc材料股份有限公司 | 用于硅氧化物和碳掺杂的硅氧化物的化学机械抛光的组合物及方法 |
| CN113004798A (zh) * | 2019-12-19 | 2021-06-22 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN113388328A (zh) * | 2020-03-13 | 2021-09-14 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法、研磨方法及半导体基板的制造方法 |
| US11680186B2 (en) | 2020-11-06 | 2023-06-20 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions and methods of using same |
| WO2022121822A1 (zh) * | 2020-12-11 | 2022-06-16 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液及其使用方法 |
| CN114958207A (zh) * | 2021-02-24 | 2022-08-30 | 爱思开海力士有限公司 | 用于对氧化硅膜进行抛光的cmp浆料组合物 |
| CN114958207B (zh) * | 2021-02-24 | 2024-01-19 | 爱思开海力士有限公司 | 用于对氧化硅膜进行抛光的cmp浆料组合物 |
| CN116063928A (zh) * | 2021-11-01 | 2023-05-05 | 凯斯科技股份有限公司 | 抛光浆料组合物 |
| CN115160933A (zh) * | 2022-07-27 | 2022-10-11 | 河北工业大学 | 一种用于钴互连集成电路钴cmp的碱性抛光液及其制备方法 |
| CN115160933B (zh) * | 2022-07-27 | 2023-11-28 | 河北工业大学 | 一种用于钴互连集成电路钴cmp的碱性抛光液及其制备方法 |
| CN115746711A (zh) * | 2022-11-08 | 2023-03-07 | 东莞领航电子新材料有限公司 | 一种铝合金镜面抛光液以及抛光方法 |
| CN115710464A (zh) * | 2022-11-11 | 2023-02-24 | 博力思(天津)电子科技有限公司 | 一种低表面粗糙度的氧化硅介质层化学机械抛光液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8486169B2 (en) | 2013-07-16 |
| TWI283022B (en) | 2007-06-21 |
| KR101281967B1 (ko) | 2013-07-03 |
| US20040152309A1 (en) | 2004-08-05 |
| KR20120006563A (ko) | 2012-01-18 |
| WO2004069947A1 (en) | 2004-08-19 |
| JP4927526B2 (ja) | 2012-05-09 |
| JP2006520530A (ja) | 2006-09-07 |
| TW200426932A (en) | 2004-12-01 |
| US7071105B2 (en) | 2006-07-04 |
| US20060144824A1 (en) | 2006-07-06 |
| EP1601735A1 (en) | 2005-12-07 |
| EP1601735B1 (en) | 2019-09-11 |
| CN1742066B (zh) | 2015-10-21 |
| KR20050098288A (ko) | 2005-10-11 |
| US20090029633A1 (en) | 2009-01-29 |
| US20060196848A1 (en) | 2006-09-07 |
| US7442645B2 (en) | 2008-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1742066A (zh) | 抛光含硅电介质的方法 | |
| RU2573672C2 (ru) | Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния | |
| US11034861B2 (en) | Polishing compositions containing charged abrasive | |
| TWI398917B (zh) | 用於拋光含矽基板之方法及組合物 | |
| JP2006520530A5 (zh) | ||
| RU2608890C2 (ru) | Водные полирующие композиции, содержащие n-замещенные диазений диоксиды и/или соли n -замещенных n'-гидрокси-диазений оксидов | |
| TW201137098A (en) | Polishing liquid for cmp and polishing method using the same | |
| JP2001007061A (ja) | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 | |
| JP4195212B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| WO2015019911A1 (ja) | Ｃｍｐ用研磨液 | |
| KR20170073857A (ko) | 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 기판의 연마 방법 | |
| KR20200092270A (ko) | 결함 억제를 향상시킨 산 폴리싱 조성물 및 기판 폴리싱 방법 | |
| JP2001007059A (ja) | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 | |
| WO2021162111A1 (ja) | Ｃｍｐ研磨液及び研磨方法 | |
| US20080274618A1 (en) | Polishing composition and method for high selectivity polysilicon cmp | |
| JP2003158101A (ja) | Ｃｍｐ研磨剤及び製造方法 | |
| JP4491857B2 (ja) | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 | |
| JP2003064351A (ja) | Ｃｍｐ研磨液 | |
| KR20170073858A (ko) | 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 기판의 연마 방법 | |
| JP2015035519A (ja) | Ｃｍｐ用研磨液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Illinois, USA Patentee after: CMC Materials Co.,Ltd. Address before: Illinois, USA Patentee before: CABOT MICROELECTRONICS Corp. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Illinois, America Patentee after: CMC Materials Co.,Ltd. Address before: Illinois, America Patentee before: CMC Materials Co.,Ltd. |
|
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20151021 |