CN1717817A - 低温处理钝化应用的方法 - Google Patents

低温处理钝化应用的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1717817A
CN1717817A CNA2003801044933A CN200380104493A CN1717817A CN 1717817 A CN1717817 A CN 1717817A CN A2003801044933 A CNA2003801044933 A CN A2003801044933A CN 200380104493 A CN200380104493 A CN 200380104493A CN 1717817 A CN1717817 A CN 1717817A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
pecvd
reative cell
organic light
cathode layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2003801044933A
Other languages
English (en)
Inventor
乔马克
竹原孝子
尚泉源
威廉·R·哈什巴杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN1717817A publication Critical patent/CN1717817A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02142—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates

Abstract

一种有机电激发光装置，包含位于基板上的阳极层、位于该阳极层上的有机层以及位于该有机层上的阴极层。在一实施例中，在该阴极上沉积保护层之前先对该阴极层施以氢气等离子体处理。在另一实施例中，该有机电激发光装置是以位于该阴极层上的内封装层以及位于该内封装层上的外封装层来封装。该内层是经最佳化以附着在该阴极层上。

Description

低温处理钝化应用的方法
技术领域
本发明主张于2002年12月11日申请，标题为Low temperature processfor passivation application的美国专利申请案第10/317,774号的优先权，其全文合并于此以供参考。
本发明是关于改良的有机电激发光装置以及用来制造有机电激发光装置的改良的方法。有机电激发光装置包含有机发光二极管和高分子发光二极管，其应用在许多装置中，例如车用收音机、移动电话、数码相机、摄影机(camcorders)以及个人数字助理。
背景技术
在过去二十年中，出现了基于来自小型有机分子(有机发光二极管或OLEDs)或导电高分子(高分子发光二极管或PLEDs)薄层所发射的光线的新颖的平面显示器技术。与液晶显示器(LCDs)相比，此技术以较低的能量耗损提供对比度较高的显示器，并且提供速度足以用于影像应用的响应时间。以OLED和PLED技术为基础的显示器展现出比液晶显示器(LCDs)宽广许多的视角。目前，全球有多于七十家公司正在研发基于OLED或PLED结构的显示器技术。预测以OLEDs为基础的显示器的销售，例如车用收音机、移动电话、数码相机、摄影机、个人数字助理、导航系统、游戏机以及次笔记型(subnotebook)个人计算机，在2005年会成长至高于十亿美元。
OLED和PLED两者的基本装置配置是多层或三明治型结构，包含一玻璃基板、一透明阳极、两层或多层具有不同的电荷传导或发光特性的有机层以及一金属阴极。该有机层的型态一般是从半结晶型至非晶型。与无机LEDs不同，对于OLEDs和PLEDs并没有晶格适配的要求，这大大放宽了可用的基板类型以及可合并入装置内的材料类型。在装置结构中使用多重有机层会促进有机-电极接口处的电荷注入(charge injection)，而导致较低的驱动电压。此外，多重有机层的使用让电子和电洞(因此，发射区域的位置)的建构远离该电极，这显著改进该装置的效能。
图1标出根据先前技术的典型的有机发光装置30。该有机发光装置30包含基板32、位于基板32上的阳极34、位于阳极34上由电洞传输材料(HTM)构成的电洞传输区域36、位于电洞传输区域36上包含电洞传输材料及电子传输材料的混合物的混合区域38、位于混合区域38上由一电子传输材料(ETM)构成的电子传输区域40、位于电子传输区域40上的阴极42以及位于阴极42上的保护层44。并非所有的电激发光装置都精确地具有在图1的有机发光装置30中所示的各层。为了方便，此后运用“有机层”一词来表示多层结构，例如区域36、38、40以及与区域36、38和40相同的所有一层或多层有机层结构。在混合区域38中，电洞传输材料和电子传输材料的其中之一是发射器。在应用电流时，该有机发光装置发射出由电子和电洞在用来制造区域36、38、和40的有机材料中再结合所产生的光线。
用来形成电洞传输区域36和混合区域38的电洞传输材料通常是导电材料，例如聚苯胺(polyaniline)、聚咯(polypyrrole)、聚苯基乙烯基(poly(phenylene vinylene)、在美国专利第4,356,429号中所公开的紫质衍生物(porphyrin derivatives)，其全文合并于此以供参考，铜花青(copperphthalocyanine)、铜四甲基花青(copper tetramethyl phthalocyanine)、锌花青(zinc phthalocyanine)、二氧化钛花青(titanium oxide phthalocyanine)、镁花青(magnesium phtalocyanine)或其混合物。其它电洞传输材料包含芳香三级胺类(aromatic tertiary amines)、多核芳香胺类(polynucleararomatic amines)以及在美国专利第4,539,507号和美国专利第6,392,339号中所公开的其它化合物，其全文合并于此以供参考。该电洞传输材料可以利用，例如，等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)、常压化学气相沉积(CVD)、溅镀或旋转涂布法来沉积在该阳极上。参见，例如，凡·赞特(Van Zant)的微芯片制造(Microchip Fabrication)，麦格罗·西尔出版公司(McGraw-Hill)，2000年，其全文合并于此以供参考。
可用在混合区域38和电子传输区域40中的电子传输材料的例示实例包含，但不限于，8-羟基(8-hydroxyquinoline)的金属螯合物，如在美国专利第4,539,507号、第5,151,629号、第5,150,006号以及第5,141,671号中所公开的，每一篇其全文均合并于此以做参考。用在电子传输区域40和混合区域38中的另一种电子传输材料包含二苯乙烯(stilbene)衍生物，例如在美国专利第5,516,577号中所公开的，其全文合并于此以供参考。另一种电子传输材料是金属有机硫氧化物(thioxinoid)，在美国专利第5,846,666号中说明，其全文合并于此以供参考。又另一种适合用来形成电子传输区域40和混合区域38的电子传输材料是在美国专利第6,392,339号中所公开的恶二唑(oxadiazole)金属螯合物。
在某些例子中，混合区域38含有从约10重量百分比至约90重量百分比的电洞传输材料，以及从约90重量百分比至约10重量百分比的电子传输材料。该混合区域可以利用上述任何适合的例示电洞传输材料及电子传输材料的混合物，或其它在技术中已知的适合材料来形成。该混合区域38可以利用能够形成电洞传输材料及电子传输材料的选择性混合物的任何适合方法来形成。例如，该混合区域可以利用共蒸镀一电洞传输材料以及一电子传输材料来形成。该混合区域38的厚度影响该有机发光装置的操作电压和发光度。混合区域38可以含有多于一层。例如，混合区域38可经选择性形成以包含两层、三层或甚至更多层独立的层。
阴极42含有任何适合的金属，包含高功函数的组成，具有，例如，从约4.0电子伏特至约6.0电子伏特的功函数，或低功函数的组成，例如具有，从约2.5电子伏特至约4.0电子伏特的功函数的金属。
虽然图1标出OLED的基本结构，但图1所示结构的变异是已知的。此类变异在例如美国专利第4,356,429号、美国专利第5,593,788号、美国专利第5,408,109号、美国专利第6,255,774号以及美国专利第6,402,579号等专利中公开，其在此通过引用全文的方式并入本文中。
用来制造层36、38和40的有机发光材料对于污染物、氧化和湿气是敏感的。此外，在某些OLEDs中，电极34和42对于污染物、氧化和湿气也是敏感的。在先前技术中，保护层44实际上包含玻璃或金属盖，其是利用一连串UV固化树脂来附着在基板32上。此种封装技术是不足的，例如，对于对角线尺寸大于12厘米的封装盖来说，就需要额外的支撑装置或支座。
核准予Haskal等的美国专利第5,952,778号试图满足技术中对于封装OLEDs的需求以延长装置使用寿命。Haskal等揭示一种三层的保护覆盖物。最接近阴极的第一层，是由例如金、银、铝或铟等稳定的金属构成，其是利用薄膜沉积技术来沉积。第二层含有例如氧化硅或氮化硅等利用热或化学气相沉积法沉积的介电材料。该保护覆盖物的第三层包含一疏水性高分子，例如硅氧烷(siloxane)或铁弗龙(Teflon)。但是，Haskal等所描述的三层保护覆盖物仍嫌不足，因为制造Haskal等所描述的覆盖物相当耗时。
因此，技术中仍然有对于用来封装例如OLEDs和PLEDs的有机电激发光装置的技术和方法的需求。
发明内容
本发明提供具有改良封装特性的有机电激发光装置。本发明进一步提供用来封装此种装置的改良方法。在本发明某些实施例中，采用的是一种多层封装方法。在某些实施例中，每一个封装层都具有相同的特性。在其它实施例中，第一封装层是经最佳化以附着在该装置的一电极层上。其后的封装层帮助保护装置免受例如湿气等环境因素的伤害。在某些实施例中，该第一(内)封装层是一富含硅的氮化硅薄膜，而一或多层外封装层则是具有低蚀刻速率的氮化硅薄膜。本发明的富含硅的氮化硅薄膜具有良好的附着特性。此外，本发明提供一种改进对于电激发光装置的阴极层的附着性的方法。
氮化硅的沉积通常是在一PECVD反应室中，以会导致该电激发光装置的有机层损伤的温度执行的。但是，使用本发明的技术，电激发光装置是利用PECVD或相关技术来封装，但不会损伤该电激发光装置的有机层。这有一部份是通过在一主动沉积状态和一非主动冷却状态的间循环该沉积制程来达成。该非主动冷却状态使该装置基板可以冷却，因此，该装置的有机层的集积度不会降低。
本发明的一观点提供一种制造有机电激发光装置的方法。在该方法中，是对该装置的阴极层施以氢气等离子体处理。然后，在该阴极层上沉积一或多层保护层，例如氮化硅层。在某些实施例中，该有机电激发光装置是一有机发光二极管或一高分子发光二极管。在某些实施例中，该阴极层是在一等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室中经氢气等离子体处理四分钟至七分钟的时间。
本发明的另一观点提供一种有机电激发光装置，其包含基板、位于该基板上的阳极层、位于该阳极层上的有机层以及位于该有机层上的阴极层。此外，在阴极层上沉积一或多层保护层之前先对该阴极层施以氢气等离子体处理。在某些实施例中，该有机电激发光装置是一有机发光二极管或一高分子发光二极管。在某些实施例中，在一等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室中沉积保护层于该装置的阴极层之前，是先将该阴极层暴露在氢气等离子体中多至十分钟的时间来对阴极层施以氢气等离子体处理。在某些实施例中，在一PECVD反应室中沉积一或多层保护层于阴极层之前，是通过让阴极层暴露在氢气等离子体中四至七分钟的时间来对阴极层施以氢气等离子体处理。在某些实施例中，在至少一部分的暴露过程中，该PECVD反应室的RF功率是介于约0.025瓦/平方厘米(watts/cm2)和约0.5瓦/平方厘米之间，该PECVD反应室的压力是介于约0.3托耳和约1托耳之间，并且氢气是以每分钟约100标准立方厘米(sccm)至每分钟约10标准厘米的流速供应至该PECVD反应室中。
本发明的又另一个观点是一种有机电激发光装置，其包含基板，位于基板上的阳极层、位于阳极层上的有机层、位于有机层上的阴极层、位于阴极层上的内封装层以及位于内封装层上的外封装层。在根据本发明的此观点的某些实施例中，该内封装层与该外封装层有相同的特性。在根据本发明的此观点的其它实施例中，该内封装层与该外封装层有不同的特性。在一实施例中，例如，该内封装层是经最佳化以附着在该阴极层上，并且该外封装层是经最佳化以得到湿气保护。在某些实施例中，内封装层是折射率约1.95或更高的氮化硅薄膜，而外封装层是折射率约1.9或更低的氮化硅薄膜。在某些实施例中，该内及/或外封装层在约25EC时具有小于5×10-3克/平方米/日(g/m2/day)的水穿透率(water transmission rate)。在本发明的某些实施例中，该内封装层是在一PECVD反应室中以含有至少重复下述步骤一次的沉积制程沉积在该阴极层上：(i)主动步骤，其中该PECVD反应室中的功率约为C1×1500瓦至约C1×2500瓦，其中C1＝[该PECVD载座的尺寸/200,000平方公厘]，并且进入PECVD反应室的硅烷气体的流速是1相对单位(relative unit)，进入PECVD反应室的氨气的流速是小于5相对单位，并且进入PECVD反应室的氮气的流速是至少5相对单位，(ii)冷却步骤，其中，该PECVD反应室中的功率是小于C1×1500。在某些实施例中，主动步骤的每一个实例都具有约5至约20秒的持续时间，而非主动步骤的每一个实例都具有约5秒或更久的持续时间。
本发明的另一个观点提供一种封装具有阴极层的有机电激发光装置的方法。该方法包含(A)在该阴极层上沉积一内封装层(B)在该内封装层上沉积一外封装层。在根据本发明的此观点的某些实施例中，内封装层和外封装层具有相同或相似的物理特性。在根据本发明的此观点的其它实施例中，内封装层是经最佳化以附着在阴极层上，而外封装层帮助防止该装置受潮。在某些实施例中，内封装层是折射率约1.95或更高的氮化硅薄膜。在某些实施例中，沉积步骤(A)是在PECVD反应室中或化学气相沉积(CVD)反应室中以约1.O托耳至约1.4托耳的操作压力执行。在某些实施例中，沉积步骤(A)是在PECVD反应室中执行，并且步骤(A)中的PECVD反应室内的功率是约C1×1500瓦至约C1×2500，其中C1＝[该PECVD载座的尺寸/200,000平方公厘]。在某些实施例中，沉积步骤(A)是在PECVD反应室中执行。此外，在某些实施例中，在至少一部份的沉积步骤(A)期间，进入该PECVD反应室的硅烷气体的流速是1相对单位。此外，在至少一部份的沉积步骤(A)期间，进入该PECVD反应室的氨气的流速是小于5相对单位，并且在至少一部份的沉积步骤(A)期间，进入PECVD反应室的氮气的流速是至少5相对单位。
在某些实施例中，内封装层的厚度约0.5至约2.5微米，并且外封装层的厚度约0.07至约0.22微米。在某些实施例中，该有机电激发光装置是一有机发光二极管或一高分子发光二极管。在某些实施例中，有机电激发光装置包含一由氧化铟锡(ITO)、氧化锡、金、铂、导电碳、B共轭高分子(B-conjugated polymer)、或其混合物所形成的阳极层。在本发明的某些实施例中，电激发光装置中的有机层包含聚苯胺(polyaniline)、聚咯(polypyrrole)、聚苯乙烯(poly(phenylene vinylene))、紫质衍生物(porphyrin derivatives)、铜花青(copper phthalocyanine)、铜四甲基花青(copper tetramethyl phthalocyanine)、锌花青(zinc phthalocyanine)、二氧化钛花青(titanium oxide phthalocyanine)、镁花青(magnesiumphtalocyanine)、芳香三级胺类(aromatic tertiary amines)、多核芳香胺类(polynuclear aromatic amines)或其混合物。
附图说明
上述的详细说明和附图结合时，本发明的其它目的和特征立即变得更显而易见，其中：
图1标出根据先前技术的一有机发光二极管(OLED)。
图2标出根据本发明的一有机电激发光装置。
图3标出根据先前技术的一等离子体辅助化学气相沉积反应室。
附图标记说明：
30   有机发光装置            32   基板
34   阳极                    36   电洞传输区域
38   混合区域                40   电子传输区域
42   阴极                    44   保护层
200  电激发光装置            204  有机层
208  第一封装层              210  第二封装层
310  PECVD反应器             312  沉积反应室
314  上壁                    316  第一电极
318  载座                    320  轴
322  下壁                    324  升起板
326  升起拴                  328  孔洞
330  排气口                  332  侧壁
336  电源                    342  进气管
具体实施方式
本发明提供封装电激发光装置的方法，以保护其免受例如湿气等因素的伤害。此外，本发明提供改善对电激发光装置的阴极层的附着的方法。更明确地说，在沉积材料至该阴极层上以完成电激发光装置之前，先使该阴极层受一段时间的氢气等离子体处理。代表性的电激发光装置包含有机发光二极管(OLEDs)和高分子发光二极管。通常，电激发光装置是用在例如车用收音机、移动电话、数码相机、摄影机以及个人数字助理等装置中。
根据本发明的典型的电激发光装置(例如OLED)是示于图2中。电激发光装置200包含基板32、位于基板32上的阳极34、有机层204、位于有机层204上的阴极层42、第一封装层208以及第二封装层210。在某些实施例中，有机层204包含一电洞传输区域、一混合区域以及一电子传输区域，如在图1中所示的。但是，并非所有的电激发光装置都精确地具有在图1的有机层中所示的层。因此，如上所注，在此所运用的“有机层”一词包含多层有机结构，例如图1中所示的(例如，区域36、38和40)以及与图1的区域36、38和40相同的可在有机电激发光装置中找到的所有一或多层结构。在应用电流时，有机电激发光装置200会发射出由位于用来制造有机层204的有机材料内的电子和电洞再结合所产生的光线。
5.1沉积有机层204前的阳极层34的氢气等离子体处理本发明的第一观点提供具有弹性基板的电子装置的上层一新颖的氢气等离子体处理。在本发明的某些实施例中，此上层是有机电激发光装置200的阴极层42(图2)。无意间发现以氢气等离子体预处理具有弹性基板的电子装置的上层时(例如，有机电激发光装置200的阴极层42)会促进随后沉积的保护层44的附着性。
更明确地说，在本发明的一实施例中，无意间发现在沉积氮化硅保护涂层前使阴极层42受氢气等离子体处理可避免该氮化硅层剥离。在某些实施例中，阴极层42是覆盖有现有的保护涂层，例如铝。在此种实施例中，铝在沉积氮化硅保护涂层前经受氢气等离子体处理。
由于无意间发现在沉积氮化硅保护涂层前暴露在氢气等离子体中可避免该保护涂层后来的剥离，本发明的一观点提供一种制造例如OLED的有机电激发光装置的方法。该方法包含一氢气等离子体暴露步骤。在该方法的整个说明中，应了解的是无论是该阴极层42或是已经覆盖有保护层(例如铝)的阴极层42都受到氢气等离子体处理。在第一步骤中，将一阳极材料沉积至基板32上。基板32可由任何适合的材料构成，例如玻璃或石英。在一实施例中，基板32是由低温、低钠的玻璃构成。在某些实施例中，基板32含有例如高分子、玻璃、石英及诸如此类的透光材料。适合的高分子包含，但不限于，MYLAR、聚碳酸酯(polycarbonates)、聚丙烯酸酯(polyacrylates)、聚甲基丙烯酸酯(polymethacrylates)以及聚(polysulfones)。也可以使用这些不同材料的混合物来形成基板32。在某些实例中，基板32是一透明或基本上透明的玻璃板或塑料薄膜。
在某些实施例中，用来形成阳极层34的材料含有适合的正电荷注入电极材料，例如氧化铟锡(ITO)或锡。其它适合做为阳极34的材料包含，但不限于，导电碳、B共轭高分子，例如聚苯胺(polyaniline)、以及聚咯(polypyrrole)。在某些实例中，阳极层34是一涂覆在基板32上的导电薄层。阳极层34(以及阴极层42)的其它适合型式在美国专利第4,885,211号和美国专利第6,392,339号中公开，其全文合并于此以供参考。
在形成阳极层34后，施加一有机层204至阳极层34。在某些实施例中，有机层204含有位于阳极层34上的由电洞传输材料(HTM)所构成的电洞传输区域、位于该电洞传输区域上含有电洞传输材料和电子传输材料的混合物的混合区域以及位于该混合区域上由电子传输材料(ETM)所构成的电子传输区域。在某些实施例中，用来形成该电洞传输区域和该混合区域的电洞传输材料是导电材料，例如聚苯胺(polyaniline)、聚咯(polypyrrole)、聚苯乙烯(poly(phenylene vinylene))、在美国专利第4,356,429号中所公开的紫质衍生物(porphyrin derivatives)，其全文合并于此以供参考，铜花青(copper phthalocyanine)、铜四甲基花青(coppertetramethyl phthalocyanine)、锌花青(zinc phthalocyanine)、二氧化钛花青(titanium oxide phthalocyanine)、镁花青(magnesium phtalocyanine)或其混合物。其它电洞传输材料包含芳香三级胺类(aromatic tertiaryamines)、多核芳香胺类(polynuclear aromatic amines)以及在美国专利第4,539,507号和美国专利第6,392,339号中所公开的其它化合物，其全文合并于此以供参考。该电洞传输材料可以利用，例如，等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)、常压化学气相沉积(CVD)、溅镀或旋转涂布法来沉积在阳极34上。见，例如，凡·赞特(Van Zant)的微芯片制造(MicrochipFabrication)，麦格罗·西尔出版公司(McGraw-Hill)，2000年。
可用在混合区域和电子传输区域中的电子传输材料的例示实例包含，但不限于，8-羟基(8-hydroxyquinoline)的金属螯合物，如在美国专利第4,539,507号、第5,151,629号、第5,150,006号以及第5,141,671号中所公开的，每一篇都合并于此以做参考。用在电子传输区域40中的另一种电子传输材料包含二苯乙烯(stilbene)衍生物，例如在美国专利第5,516,577号中所公开的那些，在此通过引用全文的方式并入本文中。另一种电子传输材料是金属有机硫氧化合物(thioxinoid)，在美国专利第5,846,666号中说明，在此通过引用全文的方式并入本文中。又另一种适合用来形成电子传输区域40和混合区域38的电子传输材料是在美国专利第6,392,339号中所公开的恶二唑(oxadiazole)金属螯合物，其全文合并于此以做参考。
在有机层204已形成在阳极层34上之后，将阴极层42沉积在有机层204上。阴极层42含有任何适合的金属，包含高功函数的组成，具有，例如，从约4.0电子伏特至约6.0电子伏特的功函数，或低功函数的组成，具有，例如，从约2.5电子伏特至约4.0电子伏特的功函数的金属。阴极42可以由低功函数(小于约4电子伏特)金属以及至少一种其它金属的化合物构成。低功函数金属对该第二或其它金属的有效比例是从低于约0.1重量百分比至约99.9重量百分比。低功函数金属的例示实例包含，但不限于，例如锂或钠的碱金属、例如铍、镁、钙或钡的2A族或碱土金属以及包含稀土金属和例如钪、钇、镧、铈、铕或锕的锕族金属的III族金属。锂、镁和钙是较佳的低功函数金属。用来构成阴极层42的其它材料在美国专利第4,885,211号、美国专利第5,429,884号以及美国专利第6,392,339号中公开，其全文合并于此以供参考。
在阴极层42已经沉积后，使该层受氢气等离子体处理一段时间。在某些实施例中是将一保护涂层(例如铝涂层)沉积在阴极层42上。在此种实施例中，该保护涂层经受氢气等离子体处理。
可以使用等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应器来使阴极层经受氢气等离子体处理。此种反应器在凡·赞特(Van Zant)的微芯片制造(Microchip Fabrication)，麦格罗·西尔出版公司(McGraw-Hill)，纽约，2000年中公开。根据本发明可用的例示PECVD反应器包含筒状辐射加热式PECVDs、水平管状式PECVDs以及高密度等离子体CVDs。此外，可使用业凯科技(AKT)的PECVD系统，包含1600PECVD(例如业凯科技PECVD 1600B机型，基板尺寸400×500)、3500PECVD、4300PECVD、5500PECVD、PECVD 10K、PECVD 15K以及PECVD 25K(应用材料公司，圣塔芭芭拉，加州)。
图3标出根据本发明的方法可用的例示PECVD反应器310。反应器310包含一沉积反应室312，其具有一横越上壁314的开口以及位于该开口内的第一电极316。在某些实施例中，电极316是一进气歧管，而在其它实例中，壁314是固体并且电极316是邻接于上壁314的内表面。
在反应室312中有一与电极316平行延伸的平板式载座318。载座318接地，因此可作为一第二电极。载座318架设在一垂直延伸通过沉积反应室312的下壁322的轴320末端。轴320可垂直移动，因此使载座318可以朝向和远离电极316做垂直移动。一升起板324在载座318和基本上与载座318平行的沉积反应室312的下壁322间平行延伸。升起拴326从升起板324垂直向上伸出。升起拴326安置为能够延伸通过载座318内的孔洞328，并且长度是比载座的厚度稍微长一点。
一排气口330延伸通过沉积反应室312的侧壁332。排气口330连接至装置(未示出)以排空沉积反应室312。一进气管342延伸通过沉积反应室312的第一电极或进气歧管316，并且连接通过一气体开关网络(未示出)至各种气体的来源(未示出)。电极316是连接至一电源336。电源336通常是一射频电源。
在操作PECVD反应器310时，先将基板32加载沉积反应室312中，并利用一迁移板(未示出)安置在载座318上。有机电激发光装置基板的一种基板尺寸是400毫米乘500毫米的玻璃板。但是，沉积设备310处理的基板32事实上可以是任何尺寸，例如550毫米乘650毫米、650毫米乘830毫米、1000毫米乘1200毫米或更大。
阴极层42(或已经覆盖有例如铝的材料的保护层的阴极层42)经受氢气等离子体处理的时间长度取决于阴极层42的确切规格。裾了解，以促进电激发光装置制造的观点来说，在氢气等离子体中的有效短暂暴露以更长时间的氢气暴露为佳。因此，在一实施例中，阴极层42是在一PECVD反应室内暴露在氢气等离子体中一段多至十分钟的时间。在其它实施例中，阴极层42是在一PECVD反应室内暴露在氢气等离子体中一段约四分钟至约七分钟的时间。但是，在氢气等离子体中暴露的任何时间长度在本发明中都是预期的，倘若此种暴露对于避免随后应用在阴极层42上的保护层44的剥离是有效的，因此，该暴露不会损伤装置。例示的保护层包含，但不限于氮化硅。
在使用PECVD反应室来将阴极层42暴露在氢气等离子体中的实施例中，使用射频诱导辉光放电或其它等离子体源在氢气中诱导一等离子体场。在使用射频诱导辉光放电来产生氢气等离子体的实施例中，在至少一部分的暴露步骤期间的射频(RF)功率是介于约50瓦至约1千瓦之间，当基板尺寸为400毫米×500毫米时(即0.025瓦/平方厘米至0.5瓦/平方厘米)。在某些实施例中，用来维持RF氢气等离子体的RF功率是在约100瓦至约500瓦范围内，当基板尺寸是400毫米×500毫米时。更大的基板尺寸会需要更大的功率，例如0.5、1、1.5或2瓦/平方厘米或更多。
在使用PECVD反应室来将阴极层42暴露在氢气等离子体中的实施例中，该反应室的压力是低于常压。事实上，在本发明的一实施例中，在阴极层42暴露在氢气等离子体中的时间的至少一部份期间，PECVD反应室的压力是小于10托耳。更明确地说，压力是介于约1托耳和约4托耳或更小之间。在某些实施例中，压力是介于约0.3托耳和约1托耳之间。在使用PECVD反应室来将阴极层42暴露在氢气等离子体中的实施例中，在阴极层42暴露在氢气等离子体中的时间的至少一部份期间，氢气是以每分钟约100标准立方厘米至每分钟约10标准升的流速供应至该反应室中。在一实施例中，氢气是以每分钟约4标准升的流速供应至该反应室。在一特定实施例中，阴极层42是暴露在氢气等离子体中持续一段2至7分钟的时间，并且氢气是以每分钟约1至6升的流速传送至该反应室。
在阴极层42经受氢气等离子体处理后，一或多层封装层(图1，组件44；图2，组件208、210)是经选择性地沉积在该有机电激发光装置上。这些封装层保护该装置，使之不会暴露湿气的环境中，并可延长装置生命。适合的封装层的更多细节在后面关于本发明的其它观点中揭示。
5.2使用氢气等离子体来制造有机电激发光装置
根据本发明的用来制造有机电激发光装置200的制造步骤是经揭示。因此，本发明的一观点提供一种有机电激发光装置200，其含有基板32、位于基板32上的阳极层34、位于阳极层34上的有机层204、位于有机层204上的阴极层42以及选择性地，位于阴极层上的一或多层保护层(封装层)。在本发明的此观点中，阴极层42在沉积一或多层保护层之前经受氢气等离子体处理。在某些实施例中，阴极层42是覆盖有一保护覆盖物，例如铝铸物。在此种实施例中，该保护覆盖物经受氢气等离子体处理，并且一或多层保护层(封装层)是覆盖在该保护覆盖物上。代表性的保护层包含，但不限于，氮化硅层。此外，在某些实施例中，有机层204是利用PECVD、常压CVD、溅镀或旋转涂布法来沉积在阴极层42上。在某些实施例中，阴极层42在沉积一或多层保护层之前在一PECVD反应室中通过将阴极层42暴露在氢气等离子体下一段多至10分钟的时间来经受氢气等离子体处理。在其它实施例中，阴极层42是暴露在氢气等离子体中持续四分钟至七分钟。
5.3多层封装有机电激发光装置的制程方法
本发明的第二观点提供用来封装有机电激发光装置的新颖方法，例如有机发光二极管或高分子发光二极管。本发明的第二观点会参考图2来叙述。在本发明的此观点中，一或多层第一封装层208(图2)是经设计以附着在阴极层42上。接着，一或多层第二封装层210是经最佳化以提供该装置额外的湿气保护。在某些实施例中，阴极层42是利用上面5.1节中所述的技术来经受氢气等离子体处理，在沉积第一和第二封装层之前。在某些实施例中，阴极层42是覆盖有一保护涂层，例如铝涂层。在此种实施例中，该保护涂层可利用上面5.1节中所述的技术，在沉积第一和第二封装层之前先选择性地施以氢气等离子体处理。
根据本发明的此观点的某些实施例提供用来封装具有阴极层42的有机电激发光装置200的方法。一种此类实施例包含(A)在阴极层42上沉积内封装层208，以及(B)在内封装层208上沉积外封装层210。在某些实施例中，内封装层208和外封装层210具有相同的物理特性。在其它实施例中，内封装层208是经最佳化以附着在阴极层42上，并且外封装层210提供装置200额外的湿气保护。在某些实施例中，当封装层208附着在阴极层42上而不剥离时，内封装层208最佳是附着在阴极层42上。
5.3.1内封装层
在某些实施例中，内封装层是一富含硅的氮化硅薄膜。已判定富含硅的氮化硅薄膜具有合适的附着特性。富含硅的氮化硅薄膜具有比标准氮化硅薄膜高的硅含量。因为较高的硅含量，富含硅的氮化硅薄膜的折射率比标准氮化硅薄膜高。标准氮化硅薄膜的折射率约在1.8至1.9。相反地，富含硅的氮化硅薄膜的折射率约为1.95或更高。因此，在本发明的一实施例中，经过最佳化以附着在阴极层42上的一例示内封装层208是折射率约为1.95或更高的氮化硅薄膜。
在本发明的某些实施例中，内封装层208的厚度约为0.5微米至约2.5微米。为了完全覆盖住下方阴极层42上存在的任何特征(例如粗糙度)，此厚度是预期的。在阴极层42非常平滑的有机电激发光装置中，可使用较薄的封装层208。
以富含硅的氮化硅薄膜来封装有机电激发光装置通常是在特定的制程条件下执行，因为在有机层204(图2)中使用的材料对于温度是敏感的。事实上，常用在有机层204中的材料无法忍受超过100EC的持续温度。但对于使用PECVD沉积氮化硅来说，100EC是非常低的制程温度。然而，本发明提供用来将富含硅的氮化硅封装层沉积在对温度敏感的有机电激发光装置上的制程条件，利用PECVD反应室，例如业凯科技(AKT)的PECVD 1600B机型(4×5)(应用材料公司，加州圣塔芭芭拉市)。这些制程条件包含压力、功率、基板间隔(substrate spacing)、温度、沉积速率以及相对气流。
为获得富含硅的氮化硅薄膜，沉积该薄膜期间的压力约为1.0托耳至约1.4托耳。该薄膜的沉积通常在PECVD沉积反应室中发生。在富含硅的氮化硅薄膜至少一部分的沉积期间，在该PECVD反应室内使用的功率约是C1×1500瓦至约C1×2500瓦，其中C1＝[该PECVD载座的尺寸/200,000平方公厘]。因此，若载座318(图3)的尺寸是200,000平方公厘的话，C1的值是”1”，并且在富含硅的氮化硅封装薄膜一部份的沉积期间，功率约为1500瓦至约2500瓦。
制程参数”基板间隔”表示基板38(图3)和喷头316(图3)之间的距离。通常，在业凯科技PECVD 1600B机型(400毫米×500毫米)中，基板间隔可以调整而使其介于400密尔和2000密尔(1厘米至5厘米)之间。为沉积任何特定的富含硅的碳化硅薄膜所采用的精确基板间隔取决于应用，并且取决于沉积反应室，因此对于任何特定的有机电激发光装置来说，必须根据反复试验来最佳化。
如上所述，在沉积该富含硅的氮化硅薄膜期间的PECVD反应室温度受限于用来制造有机层204的材料的物理特性。因为许多有机电激发光装置无法忍受超过100EC的温度，在本发明的许多实施例中，富含硅的氮化硅的沉积受限于不超过100EC的制程温度。在本发明的某些实施例中，因为用在本发明的制程条件中的大量功率(C1×1500瓦至约C1×2500瓦)，故不需要预热载座318来达到预期的制程温度。预期的制程温度是接近有机层204的最高耐受温度的。更明确地说，应用至喷头(第一电极)的功率密度会使基板32的温度超过100EC，但不会加热载座318。此问题在本发明的一实施例中通过在沉积氮化硅薄膜在有机层204上的主动周期以及容许该有机电激发光装置冷却下来的非主动周期之间循环来处理。该实施例在后面做更详细的叙述。
在本发明的某些实施例中，内封装层208是以每分钟约0.2微米至每分钟约0.4微米的沉积速率来沉积。在本发明的一实施例中，内封装层208是以每分钟约0.3微米的沉积速率来沉积。
通常，氮化硅薄膜是通过在控制速率下通入硅烷气体、氨气、氮气以及氢气至PECVD或CVD反应室中来在一PECVD或CVD反应室内沉积。这些气体的每一个的相对气体流速最终决定该氮化硅薄膜的特性。在现有技术中已知富含硅的氮化硅薄膜可通过降低氨气流速来获得。使用业凯科技PECVD 1600B机型(基板尺寸400毫米×500毫米)做为基准，标准(非富含硅)的氮化硅薄膜的硅烷对氨的相对气流是1.5(相对单位)(Si∶NH3)。在其它PECVD反应室中，硅烷对氨的相对气流是1.6、1.7、1.8，或甚至更低的硅烷对氨比例，例如1∶10。与标准氮化硅薄膜相反，富含硅的氮化硅薄膜是通过将氨在PECVD 1600B中的气流设定为低于5相对单位来制造。如在此所定义的，“相对单位”是硅烷在氮化硅沉积期间流入PECVD反应室中的气体流速。在某些实施例中，在沉积该富含硅的氮化硅薄膜期间没有使用氨气或氢气。PECVD反应室内氨气的耗尽使氮气成为氮离子的唯一来源。因为氮气的解离能比氨的解离能高很多，需要如上所述的高功率密度来获得氮自由基，这在形成氮化硅薄膜上来说是必要的。
在本发明的一实施例中，沉积该富含硅的氮化硅薄膜期间所使用的流速如下：
硅烷气体        1相对单位
氨气低于        5相对单位
氮气至少        5相对单位
在一特定实施例中，硅烷气体的流速是每分钟500标准立方厘米(sccm)。因此，在此实例中，1相对单位是经定义为500sccm。此外，在此实例中，氨气的流速小于2500sccm，并且氮气的流速至少是2500sccm。在一较佳实施例中，硅烷的流速是1相对单位，氮气的流速是19相对单位，并且不使用氨气以形成该富含硅的氮化硅薄膜。在另一个实施例中，进入该PECVD反应室中的氨气流速是低于一个标准单位，其中同样的，一个标准单位是定义为硅烷气体的流速。
在又另一个特定实施例中，硅烷气体的流速是1相对单位，氮气的流速是19相对单位，并且在沉积该富含硅的氮化硅薄膜期间不使用氢气或氨气。在此特定实施例中，使用业凯科技PECVD 1600B机型(基板尺寸400毫米×500毫米)(应用材料公司，加州圣塔芭芭拉市)。沉积期间的功率是1800瓦，将压力设定为1.2托耳，并且载座间隔是962密尔(2.44厘米)。
5.3.2外封装层
在本发明的某些实施例中，外封装层210与内封装层208有相同的物理特性。事实上，某些实施例有多于两层的封装层。在不受限于任何特定理论下，坚信在某些实施例中多重封装层是有利的，因为任何形成在组成的封装层内的针孔都不会毁坏多个封装层所提供的封装。甚至在第一针孔形成在内封装层208并且第二针孔形成在外封装层210的情况中，由内和外封装层合并所提供的封装都不会被破坏。这是因为在内封装层208内的第一针孔和在外封装层210内的第二针孔对准在相同点上的可能性是微乎其微的。因此，在本发明的某些实施例中，每一个封装层具有相同或相似的特性。
在某些实施例中，外封装层210可能与内封装层208有不同的特性。例如，在某些实施例中，外封装层210不是富含硅的氮化硅薄膜。在某些实施例中，内封装层208及/或外封装层210有低的湿蚀刻速率。在一实施例中，内封装层208及/或外封装层210是湿蚀刻速率在每分钟约0.27微米至每分钟约0.33微米范围内的氮化硅层，如利用缓冲的氧化物蚀刻剂6∶1测定者。缓冲的氧化物蚀刻剂6∶1包含氟化氢铵(ammonium hydrogenfluoride)、氟化铵(ammonium floride)以及水，且其是由供货商如AirProducts Electronic Chemicals(加州Carlsbad市)所上市的。如现有领域已熟知的，缓冲的氧化物蚀刻剂6∶1测定可测量氮化硅层的蚀刻速率。在测定中，氮化硅晶圆的厚度在将该晶圆浸入缓冲的氧化物蚀刻剂6∶1内一段控制的时间之前和之后做测量。在本发明的某些实施例中，内封装层及/或外封装层210具有每分钟约3微米的低湿蚀刻速率。
虽然以现有温度执行的氧化硅制程会产生比每分钟0.3微米低许多的湿蚀刻速率，但是因为有机层204对温度的敏感性，通常不可能用现有温度来沉积外封装层210。更明确地说，沉积温度受限在不超过100EC的持续温度下。对于在此种温度限制下沉积的层来说，每分钟约0.27微米至每分钟约0.33微米的湿蚀刻速率被认为是低的湿蚀刻速率。在某些实施例中，外封装层210的折射率约为1.90或更低。在某些实施例中，外封装层210的厚度约为0.07微米至约0.22微米。
本发明提供用来将外封装层沉积在内封装层上的制程条件。这些制程条件包含压力、功率、基板间隔、温度、沉积速率以及相对气流。在本发明的某些实施例中，内封装层及/或外封装层210的沉积是在PECVD反应室或CVD反应室中在约0.7托耳至约0.9托耳的压力下执行。在某些实施例中，沉积外封装层210的功率需求与内封装层208所需者相比少许多。在本发明的某些实施例中，外封装层210是在PECVD反应室中沉积，并且在至少一部分的此沉积期间，PECVD反应室内的功率约为C1×700瓦至约C1×900瓦，其中C1＝[该PECVD载座的尺寸/200,000平方公厘]。
在某些实施例中，使用业凯科技PECVD 1600B机型(基板尺寸400毫米×500毫米)来执行外层210的沉积。在此种实施例中，基板间隔是经调整以使其介于400密尔和2000密尔(1厘米至5厘米)之间。为沉积任何特定外层210所采用的精确基板间隔取决于应用，因此对于任何特定的有机电激发光装置来说，常常根据反复试验最佳化的基础来最佳化。在一实施例中，沉积外层210期间的基板间隔是900密尔(2.29厘米)。
因为有机电激发光装置200内的有机层204对温度的敏感性，沉积外封装层210期间的温度受限于该有机电激发光装置内的有机层的物理限制。在某些实施例中，外封装层210的沉积是在不超过100EC的持续温度下执行。通常，沉积外封装层210的功率需求与内封装层208所需的相比少许多。因为降低的功率需求，基板32的加热一般不会存在与沉积内封装层208期间所发生的相同的问题。因此，外层210的沉积通常不会被冷却周期打断。
在本发明的某些实施例中，外封装层210是以每分钟约0.025微米至每分钟约0.08微米的沉积速率沉积。在本发明的一实施例中，外封装层是以每分钟约0.05微米的沉积速率沉积。
如上所述，氮化硅薄膜是通过在控制速率下通入硅烷气体、氨气、氮气以及氢气至PECVD或CVD反应室中来在一PECVD或CVD反应室内沉积。这些气体的每一个的相对气体流速最终决定该氮化硅薄膜的特性。在本发明的一实施例中，用来制造外封装层210的相对气体流速是1相对单位的硅烷气体、2相对单位或更多的氨气、5相对单位或更多的氮气以及10单位或更多的氢气。
在某些实施例中，内封装层208及/或外封装层210的水穿透率(watertransmission rate)低于MOCON(明尼亚波里市，明尼苏达州)侦测仪器的限制，例如MOCON 3/31或3/60(例如，在约25EC或约38EC下，5×10-3克/平方米/日(g/m2/day)。
在又另一个特定实施例中，硅烷气体的流速是1相对单位，氮气的流速是3相对单位，氮气的流速是1.5相对单位，并且氢气的流速是40相对单位。在此特定实施例中，使用的是业凯科技PECVD 1600B机型(基板尺寸400毫米×500毫米)(应用材料公司，加州圣塔芭芭拉市)。沉积期间的功率是800瓦，沉积期间的压力设定为0.8托耳，并且载座间隔是900密尔(2.29厘米)。
5.3.3控制基板温度的循环沉积
因为有机电激发光装置(例如OLEDs)对于温度的敏感性，在制程期间过度加热该基板会危及封装薄膜和装置本身的整合度。纵使利用低温制程技术，基板温度基本上还是有可能增加。特别是在沉积通常需要非常高的功率密度的内封装层208期间。在不受任何特定理论限制下，坚信该基板贮存来自用来沉积封装层208的高功率沉积制程的热能。此贮存的热能导致基板温度上升，甚至在不加热载座318的实例中。
本发明的一观点处理基板的温度问题。本发明的此观点提供一种利用PECVD或CVD反应室沉积内封装层208的方法。通常，新颖的沉积方法包含在应用功率至该沉积反应室的主动周期和降低或没有应用功率至该沉积反应室的冷却周期之间重复。在冷却周期期间，将沉积气流减少或除去。事实上，在某些实施例中应用冷却气流，例如氢气流。
在某些实施例中，在至少一部分的冷却周期期间沉积反应室内的压力与在主动周期期间沉积反应室内的压力不同。在某些实施例中，沉积反应室内的载座间隔在至少一部分的冷却期间增加，相对于在至少一部分的主动周期期间沉积反应室内的载座间隔。
既然本发明的此观点大致上的特征已经描述过，之后将会提出更详细的实施例。在本发明的一实施例中，新颖的沉积制程在PECVD反应室中执行。在此实施例中，沉积方法包含重复如下步骤：
(i)主动步骤，其中PECVD反应室中的功率约为C1×1500瓦至约C1×2500瓦，其中C1＝[PECVD载座的尺寸/200,000平方公厘]，并且进入PECVD反应室的硅烷气体的流速是1相对单位，进入该PECVD反应室的氨气的流速是低于5相对单位，并且进入PECVD反应室的氮气的流速是至少5相对单位；以及
(ii)冷却步骤，其中PECVD反应室中的功率是小于C1×1500瓦。相对单位表示硅烷气体在任何时间点的流速。
在某些实施例中，在沉积内封装层208期间重复主动步骤(i)和冷却步骤(ii)五次或更多次。在某些实施例中，主动步骤的每一个实例都具有约5至约20秒的持续时间，而冷却步骤的每一个实例都具有约5秒或更久的持续时间。其它时间间隔也是有可能的，并且所有此种时间间隔都在本发明范围内。例如，主动步骤可以介于4和12秒、8和16秒、3和40秒之间，并且冷却步骤可以是1秒、3秒、10秒、30秒、1分钟或更久。
5.4多层封装的电激发光装置
用来封装有机电激发光装置的制造步骤已经公开。参见图2，本发明的一观点提供一种具有基板32、位于基板32上的阳极层34、位于阳极层34上的有机层204、位于有机层204上的阴极层42、位于阴极层42上的内封装层208以及位于内封装层上的外封装层210的有机电激发光装置。在某些实施例中，内封装层208和外封装层210具有相同或相似的特性。在其它实施例中，内封装层208是经最佳化以附着在阴极层42上。虽然图2只示出一层内封装层208以及一层外封装层210，实际上，可能有多于一层的内封装层208及/或多于一层的外封装层210。
在某些实施例中，内封装层208是折射率约为1.95或更高的富含硅的氮化硅薄膜。在某些实施例中，外封装层210是折射率约为1.90或更低的氮化硅薄膜。在某些实施例中，内封装层及/或外封装层在约25EC或约38EC时具有低于5×10-3克/平方米/日(g/m2/day)的水穿透率。在某些实施例中，阳极层34是由氧化铟锡(ITO)、氧化锡、导电碳、B共轭高分子(B-conjugated polymer)或其混合物所形成。在某些实施例中，该B共轭高分子是聚苯胺(polyaniline)或聚咯(polypyrrole)。在某些实施例中，有机层204包含一种电洞传输材料。在某些例示实施例中，该电洞传输材料包含聚苯胺(polyaniline)、聚咯(polypyrrole)、聚苯乙烯(poly(phenylene vinylene)、紫质衍生物(porphyrin derivatives)、铜花青(copperphthalocyanine)、铜四甲基花青(copper tetramethyl phthalocyanine)、锌花青(zinc phthalocyanine)、二氧化钛花青(titanium oxide phthalocyanine)、镁花青(magnesium phtalocyanine)、芳香三级胺类(aromatic tertiaryamines)、多核芳香胺类(polynuclear aromatic amines)或其混合物。
6.其它实施例及引用的参考文献
在此引用的所有参考文献，文献的全文合并于此以做参考，若各刊物或专利或专利申请案有特定或单独指明其全文是经合并以作参考目的时，其则为相同涵盖范围的目的。虽然本发明已经参考一些特定实施例来描述，但描述是用来说明本发明，而不应理解为限制本发明。对那些熟知技术的人来说，可在不背离本发明的确实精神和范围下进行修饰与改动，但应以权利要求书所界定的为依据。

Claims (28)

1.一种电子装置，其特征在于，所述的电子装置至少包含：
一种有机电激发光装置，其中，该电子装置的一上层在沉积一保护涂层于该上层之前先施以一氢气等离子体处理。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述的上层是一阴极层或一铝涂层。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述的保护涂层是氮化硅。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述的有机电激发光装置至少包含：
一基板；
一位于该基板上的阳极层；
一位于该阳极层上的有机层；
一位于该有机层上的阴极层；以及
位于该阴极层上的保护涂层；其中
所述的有机电激发光装置的上层是所述的阴极层。
5.如权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述的阳极层是氧化铟锡(ITO)、氧化锡、导电碳、B共轭高分子或其混合物。
6.如权利要求4所述的电子装置，其特征在于，在一等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室中沉积该保护层之前，先通过暴露该阴极层在一氢气等离子体中一段长达十分钟的时间来对该阴极层施以氢气等离子体处理。
7.如权利要求4所述的电子装置，其特征在于，在一等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室中沉积该保护层之前，先通过暴露该阴极层在一氢气等离子体中一段介于四分钟和七分钟之间的时间来对该阴极层施以氢气等离子体处理。
8.如权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述的阴极层是暴露在该氢气等离子体中一段介于两分钟和七分钟之间的时间，并且其中在至少一部分的暴露期间，氢气是以每分钟约一至六升的流速传送至该PECVD反应室。
9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述的有机电激发光装置是一有机发光二极管或一高分子发光二极管。
10.一种有机电激发光装置，包含：
一基板；
一位于该基板上的阳极层；
一位于该阳极层上的有机层；
一位于该有机层上的阴极层；
一位于该阴极层上的内封装层，其中，该内封装层附着在该阴极层之上；以及
一位于该内封装层上的外封装层。
11.如权利要求10所述的有机电激发光装置，其特征在于，所述的内封装层是折射率为1.95或更高的氮化硅薄膜。
12.如权利要求10所述的有机电激发光装置，其特征在于，所述的内封装层是在一等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室或一化学气相沉积(CVD)反应室中沉积至该阴极层上，且其中在至少一部分的该内封装层沉积期间，该PECVD或CVD反应室中的压力是介于1.0托耳和1.4托耳之间。
13.如权利要求10所述的有机电激发光装置，其特征在于，所述的内封装层是在具有一载座(susceptor)的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室中沉积至该阴极层上，并且其中在至少一部分的内封装层沉积期间，该PECVD反应室内的功率约为C1×1500瓦至约C1×2500瓦，其中
C1＝[该PECVD载座的尺寸/200,000平方公厘]。
14.如权利要求10所述的有机电激发光装置，其特征在于，所述的内封装层是在一等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室中沉积至该阴极层上，并且其中在至少一部份的内封装层沉积期间，该PECVD反应室内的温度是受限于该有机电激发光装置中有机层的物理限制。
15.如权利要求10所述的有机电激发光装置，其特征在于，所述的内封装层是在一等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室中沉积至该阴极层上，且其中：
在至少一部份的内封装层沉积期间，进入该PECVD反应室中的硅烷气体流速是1相对单位；
在至少一部份的内封装层沉积期间，进入该PECVD反应室中的氨气流速是低于5相对单位；以及
在至少一部份的内封装层沉积期间，进入该PECVD反应室中的氮气流速至少是5相对单位。
16.如权利要求10所述的有机电激发光装置，其特征在于，所述的外封装层是在具有一载座(susceptor)的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室中沉积至该内封装层上，并且，其中在至少一部分的外封装层沉积期间，该PECVD反应室内的功率约为C1×700瓦至约C1×900瓦，其中
C1＝[该PECVD载座的尺寸/200,000平方公厘]。
17.一种制造一电子装置的方法，至少包含：
对该电子装置的一上层施以一氢气等离子体处理；以及
在该上层上沉积一保护涂层，其中，所述的电子装置包含一有机层。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述的上层是一阴极层或一铝涂层。
19.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述的电子装置是一有机电激发光装置。
20.如权利要求17所述的方法，其特征在于，在施以等离子体处理之前，该方法包含：
在一基板上沉积一阳极材料以形成一阳极层；
在该阳极层上沉积一有机层；以及
在该有机层上沉积一阴极层；其中，该上层是该阴极层。
21.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述的电子装置是一有机发光二极管或一高分子发光二极管。
22.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述的等离子体处理是在一等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室中通过暴露阴极层于氢气等离子体中一段多至十分钟的时间来执行。
23.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述的等离子体处理是在一等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室中通过暴露该阴极层于氢气等离子体中一段介于四分钟和七分钟之间的时间来执行。
24.如权利要求17所述的方法，其特征在于，在至少一部分的暴露步骤期间，氢气是以每分钟约100标准立方厘米至每分钟约10标准立方厘米的流速供应至该PECVD反应室。
25.一种封装一有机电激发光装置的方法，至少包含：
(A)在一阴极层上沉积一内封装层，其中，该内封装层是附着在该阴极层上；以及
(B)在该内封装层上沉积一外封装层。
26.如权利要求25所述的方法，其特征在于，所述的内封装层是一折射率约为1.95或更高的氮化硅薄膜。
27.如权利要求25所述的方法，其特征在于，所述的沉积步骤(A)是在具有一载座的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室或化学气相沉积(CVD)反应室中执行，且其中在至少一部分的沉积步骤(A)期间，该PECVD或CVD反应室中的压力是介于1.0托耳和1.4托耳之间。
28.如权利要求25所述的方法，其特征在于，所述的沉积步骤(A)是在具有一载座的PECVD反应室中执行，并且其中在至少一部分的沉积步骤(A)期间，该PECVD反应室内的功率约为C1×1500瓦至约C1×2500瓦，其中
C1＝[该PECVD载座的尺寸/200,000平方公厘]。
CNA2003801044933A 2002-12-11 2003-12-10 低温处理钝化应用的方法 Pending CN1717817A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/317,774 2002-12-11
US10/317,774 US7086918B2 (en) 2002-12-11 2002-12-11 Low temperature process for passivation applications

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008101339915A Division CN101350396A (zh) 2002-12-11 2003-12-10 低温处理钝化应用的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1717817A true CN1717817A (zh) 2006-01-04

Family

ID=32506214

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008101339915A Pending CN101350396A (zh) 2002-12-11 2003-12-10 低温处理钝化应用的方法
CNA2003801044933A Pending CN1717817A (zh) 2002-12-11 2003-12-10 低温处理钝化应用的方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008101339915A Pending CN101350396A (zh) 2002-12-11 2003-12-10 低温处理钝化应用的方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7086918B2 (zh)
JP (1) JP2006510170A (zh)
KR (1) KR20050084075A (zh)
CN (2) CN101350396A (zh)
TW (1) TW200421927A (zh)
WO (1) WO2004054010A2 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101689614B (zh) * 2007-06-21 2012-07-11 康宁股份有限公司 密封技术和气密密封的装置
CN105720207A (zh) * 2013-06-29 2016-06-29 艾克斯特朗欧洲公司 用于高性能涂层的沉积的方法以及封装的电子器件

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US7198832B2 (en) 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US7371467B2 (en) 2002-01-08 2008-05-13 Applied Materials, Inc. Process chamber component having electroplated yttrium containing coating
US8900366B2 (en) 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US8808457B2 (en) 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US7514359B2 (en) * 2003-01-14 2009-04-07 Alcatel-Lucent Usa Inc. Adhering layers to metals with dielectric adhesive layers
JP3877692B2 (ja) * 2003-03-28 2007-02-07 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US7648925B2 (en) 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
RU2261890C2 (ru) * 2003-11-21 2005-10-10 Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Электролюминесцентный полимерный нанокомпозитный материал
US20050238816A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-27 Li Hou Method and apparatus of depositing low temperature inorganic films on plastic substrates
US7214600B2 (en) * 2004-06-25 2007-05-08 Applied Materials, Inc. Method to improve transmittance of an encapsulating film
JP5848862B2 (ja) 2004-06-25 2016-01-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ カプセル化膜の遮水性能の改善
US7220687B2 (en) * 2004-06-25 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Method to improve water-barrier performance by changing film surface morphology
US20070020451A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings
US20070040501A1 (en) 2005-08-18 2007-02-22 Aitken Bruce G Method for inhibiting oxygen and moisture degradation of a device and the resulting device
US7829147B2 (en) * 2005-08-18 2010-11-09 Corning Incorporated Hermetically sealing a device without a heat treating step and the resulting hermetically sealed device
US7767498B2 (en) 2005-08-25 2010-08-03 Vitex Systems, Inc. Encapsulated devices and method of making
US20080006819A1 (en) * 2006-06-19 2008-01-10 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices
US20080250785A1 (en) * 2007-04-16 2008-10-16 Innovative Micro Technology Micromechanical device with gold alloy contacts and method of manufacture
US20090146264A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-11 Applied Materials, Inc. Thin film transistor on soda lime glass with barrier layer
US9797567B2 (en) * 2008-12-11 2017-10-24 Osram Oled Gmbh Organic-light-emitting diode and luminaire
US9337446B2 (en) 2008-12-22 2016-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output
US9184410B2 (en) 2008-12-22 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output
WO2010102254A2 (en) * 2009-03-06 2010-09-10 The Regents Of The University Of California Thin film vascular stent and biocompatible surface treatment
JP2010212594A (ja) * 2009-03-12 2010-09-24 Sanyo Electric Co Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法
CN102090142B (zh) * 2009-09-29 2013-08-28 夏普株式会社 有机el器件
US8590338B2 (en) 2009-12-31 2013-11-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Evaporator with internal restriction
US9142804B2 (en) 2010-02-09 2015-09-22 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device including barrier layer and method of manufacturing the same
KR101108166B1 (ko) * 2010-02-09 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 실리콘 산화물막과 실리콘 리치 실리콘 질화물막을 포함하는 배리어층을 포함하는 유기 발광 장치
KR102009804B1 (ko) * 2011-12-26 2019-08-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2013123431A1 (en) * 2012-02-15 2013-08-22 Applied Materials, Inc. Method for depositing an encapsulating film
KR101892433B1 (ko) * 2012-12-31 2018-08-30 생-고뱅 퍼포먼스 플라스틱스 코포레이션 유연성 기재 상의 박막 규소질화물 장벽 층들
KR20160036722A (ko) 2014-09-25 2016-04-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102393372B1 (ko) 2014-11-11 2022-05-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN104775107B (zh) * 2015-03-20 2017-12-26 深圳市圆梦精密技术研究院 合金材料加工刀具制造工艺
JP6548725B2 (ja) * 2015-05-11 2019-07-24 日本放送協会 有機薄膜および有機薄膜の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置、有機薄膜太陽電池、薄膜トランジスタ、塗料組成物
KR102504290B1 (ko) * 2015-12-04 2023-02-28 삼성전자 주식회사 수소 플라스마 어닐링 처리 준비 방법, 수소 플라스마 어닐링 처리 방법, 및 수소 플라스마 어닐링 장치
KR101991845B1 (ko) * 2016-03-24 2019-06-24 주식회사 엘지화학 음극 및 이의 제조방법
CN106449532B (zh) * 2016-11-03 2019-10-29 深圳瑞波光电子有限公司 一种钝化层及具有钝化层的部件
CN106711152A (zh) * 2017-01-03 2017-05-24 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其封装方法
GB2561865A (en) * 2017-04-25 2018-10-31 Univ Of The West Of Scotland Apparatus and methods for depositing durable optical coatings

Family Cites Families (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2286462A (en) * 1940-05-06 1942-06-16 Rafe C Chaffin Surgical suction drainage and irrigation tube
US2910981A (en) * 1954-01-08 1959-11-03 Volney C Wilson Replacement blood transfusion apparatus
US3144868A (en) * 1960-10-21 1964-08-18 Mario E Jascalevich Drainage and feeding cannulae
US3460255A (en) * 1967-10-03 1969-08-12 Clifford L Hutson Oral evacuator
US3710167A (en) * 1970-07-02 1973-01-09 Rca Corp Organic electroluminescent cells having a tunnel injection cathode
US4134402A (en) * 1976-02-11 1979-01-16 Mahurkar Sakharam D Double lumen hemodialysis catheter
US4072153A (en) * 1976-03-03 1978-02-07 Swartz William H Post hysterectomy fluid drainage tube
US4248224A (en) * 1978-08-01 1981-02-03 Jones James W Double venous cannula
US4309994A (en) * 1980-02-25 1982-01-12 Grunwald Ronald P Cardiovascular cannula
DE3010841A1 (de) * 1980-03-21 1981-10-08 Ulrich Dr.med. 6936 Haag Uthmann Katheder
US4405313A (en) * 1982-01-29 1983-09-20 Sisley James R Figure-eight, dual-lumen catheter and method of using
US4568329A (en) * 1982-03-08 1986-02-04 Mahurkar Sakharam D Double lumen catheter
US4692141A (en) * 1982-03-08 1987-09-08 Mahurkar Sakharam D Double lumen catheter
US4490138A (en) * 1982-09-13 1984-12-25 Steven Lipsky Pharyngeal suction device
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
NL8302648A (nl) * 1983-07-26 1985-02-18 Fundatech Sa Inrichting voor toe- en afvoer van een vloeibare substantie naar resp. uit de kaakholte.
US4642101A (en) * 1985-05-16 1987-02-10 Krolikowski F John Non-traumatic bulbous catheter
US4808155A (en) * 1986-02-27 1989-02-28 Mahurkar Sakharam D Simple double lumen catheter
US4820265A (en) * 1986-12-16 1989-04-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Tubing set
US5120299A (en) * 1987-05-22 1992-06-09 Kontron Instruments, Inc. Intra-aortic balloon assembly with hemostasis device
US4804359A (en) * 1987-10-23 1989-02-14 Research Medical, Inc. Cardiovascular cannula and obturator
CA1330285C (en) * 1987-12-22 1994-06-21 Geoffrey S. Martin Triple lumen catheter
US4925452A (en) * 1988-03-08 1990-05-15 Uresil Corporation Multiple conduit drainage device
US4895561A (en) * 1988-05-16 1990-01-23 Mahurkar Sakharam D Dual-lumen catheter-connecting system
US4951665A (en) * 1989-02-08 1990-08-28 Hollister Incorporated Insulating, anti-kinking Y connector for arthroscopic surgery and method of making
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5041101A (en) * 1989-06-05 1991-08-20 Helix Medical, Inc. Hysterectomy drain appliance
IL91918A0 (en) * 1989-10-06 1990-06-10 Rosenberg Lior Fluid drain system for wounds
GB8924946D0 (en) * 1989-11-04 1989-12-28 Shiu Man F Support system for catheter
US5256509A (en) 1989-11-20 1993-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image-forming member for electrophotography and manufacturing method for the same
US5209723A (en) * 1990-01-08 1993-05-11 The Curators Of The University Of Missouri Multiple lumen catheter for hemodialysis
US5569182A (en) * 1990-01-08 1996-10-29 The Curators Of The University Of Missouri Clot resistant multiple lumen catheter and method
US5405320A (en) * 1990-01-08 1995-04-11 The Curators Of The University Of Missouri Multiple lumen catheter for hemodialysis
US5221255A (en) * 1990-01-10 1993-06-22 Mahurkar Sakharam D Reinforced multiple lumen catheter
CA2013877C (en) * 1990-04-04 2000-09-19 Geoffrey S. Martin Pre-curved dual lumen catheter
US5279599A (en) * 1990-05-30 1994-01-18 Wilk Peter J Evacuator assembly's method of use having selectively removable covers
DE4039275A1 (de) * 1990-09-24 1992-04-02 Vogelsang Ernst Gmbh Co Kg Kabelfuehrungsrohrbuendel aus einer mehrzahl von kunststoffrohren
US5120304A (en) * 1991-07-24 1992-06-09 Truman Sasaki Surgical flushing and aspiration device
US5273534A (en) * 1992-02-27 1993-12-28 Knoepfler Dennis J Laparoscopic T-tube, drain and securing instrument and method therefor
US5318517A (en) * 1992-03-30 1994-06-07 Reiman James A Multiple lumen thoracostomy catheter and method for administering anesthesia
US5458582A (en) * 1992-06-15 1995-10-17 Nakao; Naomi L. Postoperative anesthetic delivery device and associated method for the postoperative treatment of pain
US5405341A (en) * 1993-06-03 1995-04-11 Med-Pro Design, Inc. Catheter with multiple lumens
US5338308A (en) * 1993-06-30 1994-08-16 Wilk Peter J Method and apparatus for inhibiting catheter sepsis
JP3170542B2 (ja) * 1993-12-08 2001-05-28 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子
US5599304A (en) * 1994-05-10 1997-02-04 Mount Sinai School Of Medicine Of The City University Of New York Sinonasal suction apparatus
US5476453A (en) * 1994-05-20 1995-12-19 Mehta; Sameer Catheter for simultaneous right and left coronary cannulization
US5695457A (en) * 1994-07-28 1997-12-09 Heartport, Inc. Cardioplegia catheter system
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5718692A (en) * 1995-06-06 1998-02-17 Twineath, L.L.C. Self-retaining single insertion double catheter assembly and method for making double catheter systems
US5713853A (en) * 1995-06-07 1998-02-03 Interventional Innovations Corporation Methods for treating thrombosis
FR2738154B1 (fr) * 1995-09-05 1997-12-26 Pourchez Thierry Catheter multiconduits, notamment d'hemodialyse
US5624413A (en) * 1996-02-23 1997-04-29 Medical Components, Inc. Method for inserting a multiple catheter assembly
US5904670A (en) * 1996-04-03 1999-05-18 Xrt Corp. Catheters and methods for guiding drugs and other agents to an intended site by deployable grooves
US5688245A (en) * 1996-05-02 1997-11-18 Runge; Thomas M. Cannula system for a biventricular cardiac support system or a cardiopulmonary bypass system
JP3957760B2 (ja) * 1996-07-10 2007-08-15 統寶光電股▲ふん▼有限公司 有機発光素子用のカプセル封入材としてのシロキサンおよびシロキサン誘導体
US6099513A (en) * 1996-08-27 2000-08-08 Allegiance Corporation Wound drain with alternating perimetrically arranged lumens and ducts
GB2332094A (en) 1996-09-04 1999-06-09 Cambridge Display Tech Ltd Electrode deposition for organic light-emitting devices
DE69724129T2 (de) 1996-09-04 2004-02-26 Cambridge Display Technology Ltd. Lichtemittierende organische vorrichtungen mit verbesserter kathode
FR2754718B1 (fr) * 1996-10-18 1998-11-13 Synthelabo Catheter a corps souple allonge
US5776111A (en) * 1996-11-07 1998-07-07 Medical Components, Inc. Multiple catheter assembly
US5807311A (en) * 1996-11-29 1998-09-15 Palestrant; Aubrey M. Dialysis catheter having rigid and collapsible lumens and related method
US5720735A (en) * 1997-02-12 1998-02-24 Dorros; Gerald Bifurcated endovascular catheter
US5952778A (en) * 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
FR2761891B1 (fr) * 1997-04-14 1999-09-24 Synthelabo Drain chirurgical souple pourvu d'une pluralite de conduits individuels
US6337492B1 (en) 1997-07-11 2002-01-08 Emagin Corporation Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer
US5947953A (en) * 1997-08-06 1999-09-07 Hemocleanse, Inc. Splittable multiple catheter assembly and methods of inserting the same
US5989206A (en) * 1997-10-31 1999-11-23 Biolink Corporation Apparatus and method for the dialysis of blood
US6156016A (en) * 1998-01-06 2000-12-05 Maginot Vascular Systems Catheter systems and associated methods utilizing removable inner catheter or catheters
DE69927198T2 (de) * 1998-03-19 2006-06-29 Hitachi, Ltd. Rundfunk-Informationsversorgungssystem
US5957912A (en) * 1998-04-16 1999-09-28 Camino Neurocare, Inc. Catheter having distal stylet opening and connector
US6117117A (en) * 1998-08-24 2000-09-12 Advanced Cardiovascular Systems, Inc. Bifurcated catheter assembly
JP2000077183A (ja) 1998-08-31 2000-03-14 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法
US6781305B1 (en) * 1998-12-25 2004-08-24 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent device having negative electrode containing a selective combination of elements
JP3817081B2 (ja) 1999-01-29 2006-08-30 パイオニア株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
GB2367692A (en) * 1999-06-09 2002-04-10 Cambridge Display Tech Ltd Method of producing organic light-emissive devices
US6392339B1 (en) 1999-07-20 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices including mixed region
US6552488B1 (en) 1999-08-24 2003-04-22 Agilent Technologies, Inc. Organic electroluminescent device
US6450988B1 (en) * 1999-12-29 2002-09-17 Advanced Cardiovascular Systems, Inc. Centering catheter with improved perfusion
US6436222B1 (en) * 2000-05-12 2002-08-20 Eastman Kodak Company Forming preformed images in organic electroluminescent devices
US6482169B1 (en) * 2000-06-08 2002-11-19 William G. Kuhle Double-lumen catheter
US6392250B1 (en) 2000-06-30 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices having improved performance
US6770562B2 (en) * 2000-10-26 2004-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus and film formation method
JP4116764B2 (ja) 2000-10-27 2008-07-09 松下電工株式会社 有機電界発光素子の作製方法
US20020099326A1 (en) * 2001-01-24 2002-07-25 Wilson Jon S. Multi-lumen catheter with attachable hub
US6692326B2 (en) * 2001-06-16 2004-02-17 Cld, Inc. Method of making organic electroluminescent display
US7098069B2 (en) * 2002-01-24 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
JP4046512B2 (ja) * 2002-01-25 2008-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TWI254591B (en) * 2002-05-07 2006-05-01 Au Optronics Corp Organic electroluminescence device
US6743524B2 (en) * 2002-05-23 2004-06-01 General Electric Company Barrier layer for an article and method of making said barrier layer by expanding thermal plasma

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101689614B (zh) * 2007-06-21 2012-07-11 康宁股份有限公司 密封技术和气密密封的装置
CN105720207A (zh) * 2013-06-29 2016-06-29 艾克斯特朗欧洲公司 用于高性能涂层的沉积的方法以及封装的电子器件
CN105720207B (zh) * 2013-06-29 2017-09-15 艾克斯特朗欧洲公司 用于高性能涂层的沉积的方法以及封装的电子器件

Also Published As

Publication number Publication date
US7086918B2 (en) 2006-08-08
US20040113542A1 (en) 2004-06-17
WO2004054010A3 (en) 2004-11-18
KR20050084075A (ko) 2005-08-26
JP2006510170A (ja) 2006-03-23
WO2004054010A2 (en) 2004-06-24
CN101350396A (zh) 2009-01-21
TW200421927A (en) 2004-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1717817A (zh) 低温处理钝化应用的方法
CN101512728B (zh) 增加封装膜透光度的方法
US9449809B2 (en) Interface adhesion improvement method
US7651741B2 (en) Processes for forming a support and organic electroluminescence element including the support
US20060158101A1 (en) Organic light-emitting diode
TWI303667B (en) Method and apparatus of depositing low temperature inorganic films on plastic substrates
WO2013172359A1 (ja) ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス
TWI237514B (en) Method of fabricating organic electroluminescent display
EP2141962A1 (en) Surface light emitting body
JP4508219B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示素子の封止方法
CN107785501B (zh) 柔性oled面板的封装方法及封装结构
CN108511616A (zh) 一种钙钛矿膜层及钙钛矿发光二极管器件的制备方法
CN1492723A (zh) 发光装置
JP2007273094A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
CN1662109A (zh) 有机电致发光装置及其制造方法、其所用基板及电子机器
CN100444699C (zh) 双面显示装置
CN1816912A (zh) 有机电子器件
CN1893747A (zh) 有机电激发光显示器模块及其制作方法
JP4154898B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示素子の封止方法
JP5768652B2 (ja) バリアーフィルムの製造方法
JP2004111386A (ja) 製造装置、発光装置、および有機化合物を含む層の作製方法
CN1567554A (zh) 电子元件的封装方法
JP2013052569A (ja) 水蒸気バリアフィルムの製造方法、水蒸気バリアフィルム及び電子機器
Kim et al. Thin film passivation characteristics in OLED using in-situ passivation
KR100953372B1 (ko) 저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층의 형성방법 및 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
AD01 Patent right deemed abandoned

Effective date of abandoning: 20060104

C20 Patent right or utility model deemed to be abandoned or is abandoned