CN1637100A - 用于化学机械抛光氧化硅和氮化硅的组合物和方法 - Google Patents

用于化学机械抛光氧化硅和氮化硅的组合物和方法

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CN1637100A CNA2004100963918A CN200410096391A CN1637100A CN 1637100 A CN1637100 A CN 1637100A CN A2004100963918 A CNA2004100963918 A CN A2004100963918A CN 200410096391 A CN200410096391 A CN 200410096391A CN 1637100 A CN1637100 A CN 1637100A
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Abstract

本发明提供了适用于抛光半导体晶片上的氧化硅和氮化硅的水性组合物，该组合物包含0.001至1wt％的季铵化合物，0.001至1wt％的邻苯二甲酸和它的盐，0.01至5wt％的羧酸聚合物，0.01至5wt％的研磨剂和余量的水。

Description

用于化学机械抛光氧化硅和氮化硅的组合物和方法
技术领域
本发明涉及半导体晶片材料的化学机械平坦化(CMP)，且更具体地，涉及在浅槽隔离(STI)工艺中用来从半导体晶片上抛光氧化硅和氮化硅的CMP组合物和方法。
背景技术
在微电子电路中减小器件尺寸和增加集成密度要求隔离结构在尺寸上的相应减小。这种减小对于可提供有效隔离而只占最少量的基底表面的结构的重复形成增加了额外的费用。
STI技术是广泛使用的半导体加工方法，该方法用来形成隔离结构以便在电学上隔离集成电路中形成的各种有源元件。使用STI技术相对于常规的LOCOS(硅局部氧化)技术的一个主要优点是在亚微米等级的集成加工下对CMOS(互补金属氧化物半导体)IC器件具有高的可量测性。另一个优点是STI技术有助于防止所谓的鸟喙侵蚀(bird’s beak)的出现，该鸟喙侵蚀是LOCOS形成隔离结构的特征。
在STI技术中，第一步是通常使用各向异性腐蚀在基底中的预定位置形成多个沟槽。随后，在这些沟槽的每一个中沉积氧化硅。然后通过CMP抛光氧化硅直到氮化硅(停止层)以便形成STI结构。为获得有效的抛光，抛光浆料必须提供高的涉及氧化硅相对于氮化硅的去除速率(“选择性”)的选择性。
Kido等人在美国专利申请公开No.2002/0045350中公开了一种用于抛光半导体器件的已知研磨剂组合物，该组合物包括氧化铈和水溶性有机化合物。虽然没有明确说明，该组合物可以选择包含粘度调节剂，缓冲剂，表面活性剂和螯合剂。虽然Kido的组合物可提供足够的选择性，微电子电路中不断增加的集成密度需要改良的组合物和方法。
因此，存在对可以在浅槽隔离工艺中用于化学机械抛光氧化硅和氮化硅且具有改良选择性的组合物和方法的需求。
发明内容
第一方面，本发明提供了用于抛光半导体晶片上的氧化硅和氮化硅的水性组合物，该组合物包含0.001至1wt％的季铵化合物，0.001至1wt％的邻苯二甲酸和它的盐，0.01至5wt％的羧酸聚合物，0.01至5wt％的研磨剂和余量的水。
第二方面，本发明提供了用于抛光半导体晶片上的氧化硅和氮化硅的水性组合物，该组合物包含0.001至1wt％的氢氧化四甲基铵，0.001至1wt％的邻苯二甲酸氢铵，0.01至5wt％的聚丙烯酸，0.01至5wt％的氧化铈和余量的水，其中该组合物具有4至7的pH。
第三方面，本发明提供了用于抛光半导体晶片上的氧化硅和氮化硅的方法，该方法包括：使晶片上的氧化硅和氮化硅与抛光组合物接触，该抛光组合物包含0.001至1wt％的季铵化合物，0.001至1wt％的邻苯二甲酸和它的盐，0.01至5wt％的羧酸聚合物，0.01至5wt％的研磨剂和余量的水；和使用抛光垫对该氧化硅和氮化硅进行抛光。
具体实施方式
本组合物和方法提供了相对氮化硅去除氧化硅的意想不到的选择性。该组合物有利地依靠螯合剂或选择性增强剂来相对于氮化硅对氧化硅进行选择性抛光，以便进行浅槽隔离工艺。特别地，该组合物包含季铵化合物以便在应用的pH下相对于氮化硅对氧化硅进行选择性抛光。
本发明的季铵化合物包含如下结构：
Figure A20041009639100051
其中R1，R2，R3和R4是具有1至15个碳原子的碳链长度的有机化合物。更优选地，R1，R2，R3和R4具有1至10的碳链长度。最优选地，R1，R2，R3和R4具有1至5个碳原子的碳链长度。R1，R2，R3和R4的有机化合物可以是取代或未取代芳基，烷基，芳烷基，或烷芳基。典型的阴离子包括硝酸根，硫酸根，卤离子(例如溴离子，氯离子，氟离子和碘离子)，柠檬酸根，磷酸根，草酸根，苹果酸根，葡萄糖酸根，氢氧根，乙酸根，硼酸根，乳酸根，硫氰酸根，氰酸根，磺酸根，硅酸根，过卤酸根(per-halides)(例如，过溴酸根，高氯酸根和高碘酸根)，铬酸根，和包含前述阴离子中至少一种的混合物。
优选的季铵化合物包括，氢氧化四甲基铵，氢氧化四乙基铵，氢氧化四丙基铵，氢氧化四异丙基铵，氢氧化四环丙基铵，氢氧化四丁基铵，氢氧化四异丁基铵，氢氧化四叔丁基铵，氢氧化四仲丁基铵，氢氧化四环丁基铵，氢氧化四戊基铵，氢氧化四环戊基铵，氢氧化四己基铵，氢氧化四环己基铵，和它们的混合物。最优选的季铵化合物使氢氧化四甲基铵。
该组合物优选包含0.001至1wt％的季铵化合物以便相对于氮化硅选择性去除氧化硅。该组合物优选包含0.01至0.5wt％的季铵化合物。
除季铵化合物以外，该组合物优选包含0.001至1wt％的配位剂。该组合物优选包含0.01至0.5wt％的配位剂。典型的配位剂包括羰基化合物(例如乙酰丙酮化物等)，简单的羧酸盐(例如乙酸盐，芳基羧酸盐等)，包含一个或多个羟基的羧酸盐(例如羟基乙酸盐，乳酸盐，葡萄糖酸盐，棓酸及其盐，等等)，二羧酸盐，三羧酸盐，和多羧酸盐(例如草酸盐，邻苯二甲酸盐，柠檬酸盐，丁二酸盐，酒石酸盐，苹果酸盐、乙二胺四乙酸盐(如EDTA二钠)，和它们的混合物等等)，包含一个或多个磺酸基和/或膦酸基的羧酸盐。此外，其它适合的配位剂包括例如，二元醇，三元醇，或多元醇(例如乙二醇，邻苯二酚，连苯三酚，丹宁酸等等)和包含磷酸盐的化合物(例如鏻盐和膦酸)。该配位剂优选是邻苯二甲酸和它的盐。优选的邻苯二甲酸盐包括邻苯二甲酸氢铵和邻苯二甲酸氢钾，和它们的混合物。
优选地，该新型抛光组合物包含约0.01至5wt％的羧酸聚合物。该抛光组合物优选包含约0.05至3wt％的羧酸聚合物。此外，该聚合物优选具有约20,000至1,500,000的数均分子量。另外，可以使用较高数均分子量和较低数均分子量的羧酸聚合物的共混物。这些羧酸聚合物通常存在于溶液中但也可以在水性分散体中。通过GPC(凝胶渗透色谱)测定前述聚合物的数均分子量。
由不饱和单羧酸和不饱和二羧酸形成该羧酸聚合物。典型的不饱和单羧酸单体包含3至6个碳原子且包括丙烯酸，低聚丙烯酸，甲基丙烯酸，巴豆酸和乙烯基乙酸。典型的不饱和二羧酸包含4至8个碳原子且包括它们的酸酐，其中包括例如顺丁烯二酸，顺丁烯二酸酐，反丁烯二酸，戊二酸，亚甲基丁二酸，亚甲基丁二酸酐，和环己烯二羧酸。此外，也可以使用前述酸的水溶性盐。
另外，可以使用包含羧酸的共聚物和三聚物，其中该羧酸组分占该聚合物的5-75wt％。这种聚合物的实例是(甲基)丙烯酸和丙烯酰胺或甲基丙烯酰胺的聚合物；(甲基)丙烯酸和苯乙烯和其它乙烯基芳香单体的聚合物；(甲基)丙烯酸烷基酯(丙烯酸或甲基丙烯酸的酯)和单羧酸或二羧酸例如丙烯酸或甲基丙烯酸或亚甲基丁二酸的聚合物；取代乙烯基芳香单体和不饱和单羧酸或二羧酸和(甲基)丙烯酸烷基酯的聚合物，该取代乙烯基芳香单体包含例如卤素即氯、氟、溴，硝基，氰基，烷氧基，卤代烷基，羧基，氨基，氨基烷基的取代基；包含氮环的单烯键式不饱和单体例如乙烯吡啶，烷基乙烯吡啶，乙烯基丁内酰胺，乙烯基己内酰胺与不饱和单羧酸或二羧酸的聚合物；烯烃例如丙烯，异丁烯，或具有10至20个碳原子的长链烷基烯烃与不饱和单羧酸或二羧酸的聚合物；乙烯醇酯如乙酸乙烯酯和硬脂酸乙烯酯或卤乙烯如氟乙烯，氯乙烯，偏二氟乙烯，或乙烯基腈化物如丙烯腈和甲基丙烯腈与不饱和单羧酸或二羧酸的聚合物；在烷基中包含1-24个碳原子的(甲基)丙烯酸烷基酯与不饱和单羧酸例如丙烯酸或甲基丙烯酸的聚合物。这些只是可以用于本发明的新型抛光组合物的许多聚合物中的几个实例。此外，还可以使用可生物降解，可光降解或通过其它方式可降解的聚合物。这种可生物降解的组合物的实例是包含聚(丙烯酸酯-共-2-氰基丙烯酸甲酯)链断的聚丙烯酸聚合物。
该抛光组合物优选包含0.01至5wt％的研磨剂以便促进氧化硅的去除。在这个范围之内，希望使研磨剂的存在量大于或等于0.1wt％。同时，在这个范围内希望其量小于或等于3wt％。
该研磨剂具有50至200纳米(nm)的平均颗粒尺寸。对本说明书而言，颗粒尺寸是指该研磨剂的平均颗粒尺寸。更优选地，希望使用具有80至150nm的平均颗粒尺寸的研磨剂。将研磨剂的尺寸减小到小于或等于80nm时，趋向于提高该抛光组合物的平坦化程度(planarization)，但其同时趋向于降低去除速率。
典型的研磨剂包括无机氧化物，无机氢氧化物，金属硼化物，金属碳化物，金属氮化物，聚合物颗粒和包含前述研磨剂中至少一种的混合物。适合的无机氧化物包括，例如氧化硅(SiO2)，氧化铝(Al2O3)，氧化锆(ZrO2)，氧化铈(CeO2)，氧化锰(MnO2)，或包含前述氧化物中至少一种的组合。如果需要也可以使用这些无机氧化物的改良形式，例如聚合物包覆无机氧化物颗粒和无机包覆颗粒。适合的金属碳化物，硼化物和氮化物包括，例如碳化硅，氮化硅，碳氮化硅(SiCN)，碳化硼，碳化钨，碳化锆，硼化铝，碳化钽，碳化钛，或包含前述金属碳化物，硼化物，氮化物中至少一种的组合。如果需要也可以使用金刚石作为研磨剂。可选的研磨剂还包括聚合物颗粒和包覆的聚合物颗粒。优选的研磨剂是氧化铈。
该化合物可以在包含余量水的溶液中在宽的pH范围上提供效力。该溶液的有用pH范围是至少4至7。另外，该溶液优选依靠余量的去离子水来限制附带的杂质。本发明的抛光流体的pH优选为4.5至6.8，更优选为5至6.5的pH。用来调节本发明组合物的pH的酸是例如硝酸，硫酸，盐酸，磷酸等。用来调节本发明组合物的pH的典型碱是例如氢氧化铵和氢氧化钾。
因此，本发明提供了用于抛光晶片上的氧化硅和氮化硅以便进行浅槽隔离工艺的组合物。该组合物优选包含季铵化合物以便提高的选择性。特别地，本发明提供了适用于抛光半导体晶片上的氧化硅和氮化硅的水性组合物，该组合物包含季铵化合物，邻苯二甲酸和它的盐，羧酸聚合物，研磨剂和余量的水。该组合物在4至7的pH范围上显示出显著提高的选择性。
实施例
在实施例中，数字代表本发明的实施例而字母代表对照实施例。所有的示例溶液均包含1.8wt％的氧化铈，0.18wt％的聚丙烯酸和0.21wt％邻苯二甲酸氢铵。
实施例1
本试验测定半导体晶片上氧化硅相对于氮化硅的选择性。特别地，测定季铵化合物对氧化硅相对于氮化硅的选择性的影响。使用IPEC 472DE200mm抛光机并利用IC1000TM聚氨酯抛光垫(Rodel，Inc.)在约5psi的下压力条件和150cc/min的抛光液流速，52RPM的工作台转速和50RPM的托架转速下对试样进行平坦化。该抛光液具有使用硝酸调节至6和7的pH(分别为实施例1和2)。所有的溶液均包含去离子水。
表1
 测试   研磨剂(wt.％)   TMAH(wt.％)     PAA(wt.％)     AHP(wt.％)   pH   TEOS(/min)     SiN(/min) 选择性
  A     1.8   0.04     0.18     0.21   6   2645     128   21
  1     1.8   0.12     0.18     0.21   6   3052     127   24
如表1所示，季铵化合物的添加可提高该组合物的选择性。特别地，添加氢氧化四甲基铵可以将测试1的组合物关于TEOS相对氮化硅的选择性从21(测试A)提高到24。应注意，适中的选择性增加至少是由于测试A中存在0.04wt％的氢氧化四甲基铵，这增加了TEOS的去除速率。
实施例2
在这个实施例中，将氢氧化四甲基铵的浓度提高到0.18wt％。测试B不包含任何氢氧化四甲基铵。此外将pH提高到7。所有其它参数与实施例1中的相同。
表2
测试  研磨剂(wt.％)    TMAH(wt.％)     PAA(wt.％)     AHP(wt.％)   pH     TEOS(/min)     SiN(/min)   选择性
  B   1.8     -     0.18     0.21   7     2637     107     25
  2   1.8     0.18     0.18     0.21   7     3284     53     62
如上面的表2所示，增加的氢氧化四甲基铵的浓度可提供提高的选择性数值。特别地，相比测试B的25，测试2提供了62的选择性。应注意，该选择性相对于不包含任何氢氧化四甲基铵的测试B(相比上述的实施例1，实施例1在对照实施例中包含氢氧化四甲基铵)的选择性显著提高。另外，pH从6(实施例1)增加到7表现出选择性的提高。
因此，本发明提供了用于抛光晶片上的氧化硅和氮化硅以便进行浅槽隔离工艺的组合物。该组合物优选包含季铵化合物以便在抛光期间提高选择性。特别地，本发明提供了用于抛光半导体晶片上的氧化硅和氮化硅的水性组合物，该组合物包含季铵化合物，邻苯二甲酸和它的盐，羧酸聚合物，研磨剂和余量的水。

Claims (10)

1.用于抛光半导体晶片上的氧化硅和氮化硅的水性组合物，该组合物包含0.001至1wt％的季铵化合物，0.001至1wt％的邻苯二甲酸和它的盐，0.01至5wt％的羧酸聚合物，0.01至5wt％的研磨剂和余量的水。
2.权利要求1的组合物，其中该季铵化合物选自：氢氧化四甲基铵，氢氧化四乙基铵，氢氧化四丙基铵，氢氧化四异丙基铵，氢氧化四环丙基铵，氢氧化四丁基铵，氢氧化四异丁基铵，氢氧化四叔丁基铵，氢氧化四仲丁基铵，氢氧化四环丁基铵，氢氧化四戊基铵，氢氧化四环戊基铵，氢氧化四己基铵，氢氧化四环己基铵，和它们的混合物。
3.权利要求1的组合物，其中该邻苯二甲酸盐选自：邻苯二甲酸氢铵和邻苯二甲酸氢钾。
4.权利要求1的组合物，其中该研磨剂是氧化铈。
5.权利要求4的组合物，其中该氧化铈具有50-200nm的平均颗粒尺寸。
6.权利要求5的组合物，其中该氧化铈具有80-150nm的平均颗粒尺寸。
7.权利要求1的组合物，其中该水性组合物具有4至7的pH。
8.用于抛光半导体晶片上的氧化硅和氮化硅的水性组合物，该组合物包含0.001至1wt％的氢氧化四甲基铵，0.001至1wt％的邻苯二甲酸氢铵，0.01至5wt％的聚丙烯酸，0.01至5wt％的氧化铈和余量的水，其中该组合物具有4至7的pH。
9.用于抛光半导体晶片上的氧化硅和氮化硅的方法，该方法包括：
使晶片上的氧化硅和氮化硅与抛光组合物接触，该抛光组合物包含0.001至1wt％的季铵化合物，0.001至1wt％的邻苯二甲酸和它的盐，0.01至5wt％的羧酸聚合物，0.01至5wt％的研磨剂和余量的水；和
使用抛光垫对该氧化硅和氮化硅进行抛光。
10.权利要求9的方法，其中该季铵化合物选自：氢氧化四甲基铵，氢氧化四乙基铵，氢氧化四丙基铵，氢氧化四异丙基铵，氢氧化四环丙基铵，氢氧化四丁基铵，氢氧化四异丁基铵，氢氧化四叔丁基铵，氢氧化四仲丁基铵，氢氧化四环丁基铵，氢氧化四戊基铵，氢氧化四环戊基铵，氢氧化四己基铵，氢氧化四环己基铵，和它们的混合物。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101346804B (zh) * 2005-12-21 2010-05-26 旭硝子株式会社 研磨用组合物、研磨方法及半导体集成电路用铜配线的制造方法
CN101085902B (zh) * 2006-06-05 2010-09-08 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 具有改进的终点检测能力、用来对二氧化硅和氮化硅进行化学机械抛光的组合物
CN102888208A (zh) * 2011-07-20 2013-01-23 日立化成工业株式会社 研磨剂及基板的研磨方法
CN110520493A (zh) * 2017-04-17 2019-11-29 嘉柏微电子材料股份公司 自停止性抛光组合物及用于块状氧化物平坦化的方法
CN111471401A (zh) * 2019-01-24 2020-07-31 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 具有增强的缺陷抑制的酸性抛光组合物和抛光衬底的方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4954462B2 (ja) * 2004-10-19 2012-06-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 窒化シリコン膜選択的研磨用組成物およびそれを用いる研磨方法
KR101345555B1 (ko) * 2005-07-12 2013-12-27 삼성코닝정밀소재 주식회사 슬러리 조성물
KR100880107B1 (ko) * 2006-01-25 2009-01-21 주식회사 엘지화학 Ｃｍｐ 슬러리 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼의 연마 방법
US20070210278A1 (en) * 2006-03-08 2007-09-13 Lane Sarah J Compositions for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride
KR101256551B1 (ko) 2008-03-06 2013-04-19 주식회사 엘지화학 Ｃｍｐ 슬러리 및 이를 이용한 연마 방법
US8232208B2 (en) * 2010-06-15 2012-07-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Stabilized chemical mechanical polishing composition and method of polishing a substrate
KR101252390B1 (ko) * 2011-06-28 2013-04-08 주식회사 케이씨텍 폴리실리콘막 연마용 슬러리 조성물
KR101406763B1 (ko) * 2012-12-04 2014-06-19 주식회사 케이씨텍 슬러리 조성물 및 첨가제 조성물

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2472601A1 (fr) * 1979-12-27 1981-07-03 Rhone Poulenc Ind Procede de fabrication de compositions de polissage a base de cerium
US4462188A (en) * 1982-06-21 1984-07-31 Nalco Chemical Company Silica sol compositions for polishing silicon wafers
US4588421A (en) * 1984-10-15 1986-05-13 Nalco Chemical Company Aqueous silica compositions for polishing silicon wafers
FR2617153B1 (fr) * 1987-06-26 1991-04-05 Rhone Poulenc Chimie Procede d'obtention d'un oxyde cerique et oxyde cerique a nouvelles caracteristiques morphologiques
FR2617154B1 (fr) * 1987-06-29 1990-11-30 Rhone Poulenc Chimie Procede d'obtention d'oxyde cerique et oxyde cerique a nouvelles caracteristiques morphologiques
US5139571A (en) * 1991-04-24 1992-08-18 Motorola, Inc. Non-contaminating wafer polishing slurry
US5389352A (en) * 1993-07-21 1995-02-14 Rodel, Inc. Oxide particles and method for producing them
US5460701A (en) * 1993-07-27 1995-10-24 Nanophase Technologies Corporation Method of making nanostructured materials
US5503662A (en) * 1994-03-29 1996-04-02 Multiform Desiccants, Inc. Canister with porous plastic ends
TW274625B (zh) * 1994-09-30 1996-04-21 Hitachi Seisakusyo Kk
AU4866496A (en) * 1995-02-24 1996-09-18 Intel Corporation Polysilicon polish for patterning improvement
US5614444A (en) * 1995-06-06 1997-03-25 Sematech, Inc. Method of using additives with silica-based slurries to enhance selectivity in metal CMP
KR100360787B1 (ko) * 1996-02-07 2003-01-29 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 산화세륨연마제,반도체칩및반도체장치,그들의제조법및기판의연마법
US5769689A (en) * 1996-02-28 1998-06-23 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing silica, silicates, and silicon nitride
US5993686A (en) * 1996-06-06 1999-11-30 Cabot Corporation Fluoride additive containing chemical mechanical polishing slurry and method for use of same
US20020111024A1 (en) * 1996-07-25 2002-08-15 Small Robert J. Chemical mechanical polishing compositions
US5962343A (en) * 1996-07-30 1999-10-05 Nissan Chemical Industries, Ltd. Process for producing crystalline ceric oxide particles and abrasive
US6132637A (en) * 1996-09-27 2000-10-17 Rodel Holdings, Inc. Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride
US5738800A (en) * 1996-09-27 1998-04-14 Rodel, Inc. Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride
EP2164095A1 (en) * 1996-09-30 2010-03-17 Hitachi Chemical Co., Ltd. Cerium oxide abrasive and method of polishing substrates
US5938505A (en) * 1997-01-10 1999-08-17 Texas Instruments Incorporated High selectivity oxide to nitride slurry
US5770103A (en) * 1997-07-08 1998-06-23 Rodel, Inc. Composition and method for polishing a composite comprising titanium
US5891205A (en) * 1997-08-14 1999-04-06 Ekc Technology, Inc. Chemical mechanical polishing composition
JPH11181403A (ja) * 1997-12-18 1999-07-06 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
US6143662A (en) * 1998-02-18 2000-11-07 Rodel Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing composition and method of polishing a substrate
TW510917B (en) * 1998-02-24 2002-11-21 Showa Denko Kk Abrasive composition for polishing semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device using same
JP4113282B2 (ja) * 1998-05-07 2008-07-09 スピードファム株式会社 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法
JP3787438B2 (ja) * 1998-09-28 2006-06-21 キヤノン株式会社 光磁気記録媒体とその製造方法
US6435948B1 (en) * 2000-10-10 2002-08-20 Beaver Creek Concepts Inc Magnetic finishing apparatus
US6046112A (en) * 1998-12-14 2000-04-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Chemical mechanical polishing slurry
JP3983949B2 (ja) * 1998-12-21 2007-09-26 昭和電工株式会社 研磨用酸化セリウムスラリー、その製造法及び研磨方法
US6176763B1 (en) * 1999-02-04 2001-01-23 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for uniformly planarizing a microelectronic substrate
TWI227726B (en) * 1999-07-08 2005-02-11 Eternal Chemical Co Ltd Chemical-mechanical abrasive composition and method
JP4273475B2 (ja) * 1999-09-21 2009-06-03 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US6258140B1 (en) * 1999-09-27 2001-07-10 Fujimi America Inc. Polishing composition
JP2003517194A (ja) * 1999-12-14 2003-05-20 ロデール ホールディングス インコーポレイテッド 半導体基盤用研磨組成物
US6299795B1 (en) * 2000-01-18 2001-10-09 Praxair S.T. Technology, Inc. Polishing slurry
JP2003530227A (ja) * 2000-04-07 2003-10-14 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 統合化学機械研磨
DE10022649B4 (de) * 2000-04-28 2008-06-19 Qimonda Ag Polierflüssigkeit und Verfahren zur Strukturierung von Metalloxiden
JP4123685B2 (ja) * 2000-05-18 2008-07-23 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体
US6385520B1 (en) * 2000-08-10 2002-05-07 Ford Global Technologies, Inc. Control strategy and method for independently controlling friction element actuators for an automatic transmission
TWI272249B (en) * 2001-02-27 2007-02-01 Nissan Chemical Ind Ltd Crystalline ceric oxide sol and process for producing the same
US6540935B2 (en) * 2001-04-05 2003-04-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Chemical/mechanical polishing slurry, and chemical mechanical polishing process and shallow trench isolation process employing the same
US7005382B2 (en) * 2002-10-31 2006-02-28 Jsr Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing process, production process of semiconductor device and material for preparing an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101346804B (zh) * 2005-12-21 2010-05-26 旭硝子株式会社 研磨用组合物、研磨方法及半导体集成电路用铜配线的制造方法
CN101085902B (zh) * 2006-06-05 2010-09-08 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 具有改进的终点检测能力、用来对二氧化硅和氮化硅进行化学机械抛光的组合物
CN102888208A (zh) * 2011-07-20 2013-01-23 日立化成工业株式会社 研磨剂及基板的研磨方法
CN102888208B (zh) * 2011-07-20 2015-02-25 日立化成工业株式会社 研磨剂及基板的研磨方法
CN110520493A (zh) * 2017-04-17 2019-11-29 嘉柏微电子材料股份公司 自停止性抛光组合物及用于块状氧化物平坦化的方法
CN111471401A (zh) * 2019-01-24 2020-07-31 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 具有增强的缺陷抑制的酸性抛光组合物和抛光衬底的方法

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