CN1550855A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 84
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 83
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 17
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical group C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- VVTQWTOTJWCYQT-UHFFFAOYSA-N alumane;neodymium Chemical compound [AlH3].[Nd] VVTQWTOTJWCYQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
Abstract
一种液晶显示装置的阵列基板包括：一个基板；基板上的栅极线；与栅极线交叉限定象素区的数据线，象素区包括透射部分和反射部分，数据线被划分成第一和第二分支线，第一和第二分支线彼此分开并且分别设置在相邻象素区的反射部分内；连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；对应着反射部分并且覆盖第一和第二分支线的反射电极；以及对应着透射部分并且连接到反射电极的透明电极。
Description
本申请要求享有2003年5月12日在韩国递交的韩国专利申请P2003-29824号的权益，该申请可供参考。
技术领域
本发明涉及一种显示装置和一种显示装置的制造方法，具体地说，涉及具有高孔径比和高亮度的一种液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
透射反射液晶显示(LCD)装置一般都能按照使用者的选择从使用透射光的透射模式切换到使用反射光的反射模式。由于透射反射LCD装置采用来自背光单元的光和人造环境或自然光，透射反射LCD装置不受环境光的限制，并具有低功耗和高亮度的优点。
图1是按照现有技术的一种透射反射液晶显示装置的分解透视图。在图1中，透射反射液晶显示(LCD)装置11包括第一基板21和第二基板15，以及介于二者之间的液晶层23。第一基板21和第二基板15彼此分开，并且包括具有透射部分“A”和反射部分“C”的多个象素区“P”。在第二基板15上形成黑色矩阵16和包括红、绿、蓝色分滤色片的一个滤色片层17。在黑色矩阵16和滤色片层17上形成一个公共电极13。
在第一基板21上形成一个透明象素电极46和一个反射电极40。透明象素电极46和反射电极40分别对应着透射部分“A”和反射部分“C”。在第一基板21上形成的栅极线25与数据线27交叉限定一个象素区“P”。按照矩阵来设置连接到栅极线25和数据线27的一个开关元件的薄膜晶体管(TFT)“T”。
对应着栅极线25、数据线27和TFT“T”的黑色矩阵16是按对准余量(alignment margin)设计的。在对准余量之内能够补偿第一基板21和第二基板15之间的对准误差。因此要扩大黑色矩阵16来调节对准余量。
图2是沿图1中“II-II”线提取的示意性截面图，而图3是图2中一个部分“E”的放大截面图。在图2和3中，在第一基板21上形成包括栅极8、有源层30、电阻接触层32、源极34和漏极36的薄膜晶体管(TFT)“T”。第一象素区“P1”和第二象素区“P2”都包含透射部分“A”和反射部分“C”。形成的透明象素电极46同时对应着透射部分“A”和反射部分“C”。对应着反射部分“C”形成反射电极40。在反射部分“C”和第二象素区“P2”之间的部分形成数据线27。尽管图2和3中没有表示，但是栅极线与数据线27交叉。
在面对第一基板21的第二基板15上的象素区“P1”和“P2”内，形成包括红色子滤色片17a、绿色子滤色片17b和蓝色子滤色片17c的滤色片层17。对应着数据线27形成一个黑色矩阵16。如果数据线27上方相邻反射电极40之间的空间具有第一距离“a”，而反射电极40与数据线27重叠的部分具有第二距离“b”，黑色矩阵16的宽度就是“a+2b”。
均匀的电场不足以施加在对应着相邻反射电极40之间间隔的液晶层上。因此，即使对正常白色(normally white)模式的LCD装置的透明象素电极46(见图2)施加对应着黑色图像的电压，图2中对应着相邻反射电极40之间间隔的液晶层仍会漏光。这样，对应着相邻反射电极40之间空隙的液晶层23(图2)会受到黑色矩阵16的屏蔽。另外，由于第一基板21和第二基板15之间可能存在对准误差，为此设计的黑色矩阵有一个具有对应着对准余量的第二距离“b”的部分。这样会扩大黑色矩阵16并缩小反射部分“C”的有效面积，致使孔径比和亮度降低。
发明内容
为此，本发明提出了一种液晶显示装置和一种制造液晶显示装置的方法，能够基本上消除因现有技术的局限和缺点造成的这些问题。
本发明的一个目的是提供一种能改善孔径比和亮度的液晶显示装置。
本发明的另一目的是提供一种能改善孔径比和亮度的液晶显示装置的制造方法。
以下要说明本发明的附加特征和优点，有些内容可以从说明书中看出，或者是通过对本发明的实践来学习。采用说明书及其权利要求书和附图中具体描述的结构就能实现并达到本发明的这些和其他优点。
为了按照本发明的意图实现这些和其他优点，以下要具体和广泛地说明，一种液晶显示装置的阵列基板包括：一个基板；基板上的栅极线；与栅极线交叉限定象素区的数据线，象素区包括透射部分和反射部分，数据线被划分成第一和第二分支线，第一和第二分支线彼此分开并且分别设置在相邻象素区的反射部分内；连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；对应着反射部分并且覆盖第一和第二分支线的反射电极；以及对应着透射部分并且连接到反射电极的透明电极。
按照另一方面，一种液晶显示装置阵列基板的制造方法包括：在一个基板上形成栅极线；形成与栅极线交叉的数据线，从而限定包括透射部分和反射部分的象素区，数据线被划分成第一和第二分支线，第一和第二分支线彼此分开并且分别设置在相邻象素区的反射部分内；形成连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；形成对应着反射部分并且覆盖第一和第二分支线的反射电极；以及形成对应着透射部分并且连接到反射电极的透明电极。
按照再一方面，一种液晶显示装置包括：彼此分开的第一和第二基板；第一基板上的栅极线；与栅极线交叉限定象素区的数据线，象素区包括透射部分和反射部分，数据线被划分成第一和第二分支线，第一和第二分支线彼此分开并且分别设置在相邻象素区的反射部分内；连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；对应着反射部分并且覆盖第一和第二分支线的反射电极；以及对应着透射部分并且连接到反射电极的透明电极；第二基板上的滤色片层；滤色片层上的公共电极；以及反射电极和公共电极之间的液晶层。
按照又一方面，一种液晶显示装置包括：彼此分开的第一和第二基板；第一基板上的栅极线；与栅极线交叉限定象素区的数据线，象素区包括透射部分和反射部分，数据线被划分成第一和第二分支线，第一和第二分支线彼此分开并且分别设置在相邻象素区的反射部分内；连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；对应着反射部分并且覆盖第一和第二分支线的反射电极；对应着透射部分并且连接到反射电极的透明电极；反射电极上的滤色片层；第二基板上的公共电极；以及滤色片层和公共电极之间的液晶层。
按照另一方面，一种液晶显示装置的制造方法包括：在第一基板上形成栅极线；形成与栅极线交叉的数据线，从而限定包括透射部分和反射部分的象素区，数据线被划分成第一和第二分支线，第一和第二分支线彼此分开并且分别设置在相邻象素区的反射部分内；形成连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；形成对应着反射部分并且覆盖第一和第二分支线的反射电极；形成对应着透射部分并且连接到反射电极的透明电极；在第二基板上形成滤色片层；在滤色片层上形成公共电极；粘接第一和第二基板，使得反射电极面对公共电极；并且在反射电极和滤色片层之间形成液晶层。
按照再一方面，一种液晶显示装置的制造方法包括：在第一基板上形成栅极线；形成与栅极线交叉的数据线，从而限定包括透射部分和反射部分的象素区，数据线被划分成第一和第二分支线，第一和第二分支线彼此分开并且分别设置在相邻象素区的反射部分内；形成连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；形成对应着反射部分并且覆盖第一和第二分支线的反射电极；形成对应着透射部分并且连接到反射电极的透明电极；在反射电极上形成滤色片层；在第二基板上形成公共电极；粘接第一和第二基板，使得滤色片层面对公共电极；并且在滤色片层和公共电极之间形成液晶层。
应该意识到以上对本发明的概述和下文的详细说明都是示例性和解释性的描述，都是为了进一步解释所要求保护的发明。
附图说明
所包括的用来便于理解本发明并且作为本申请一个组成部分的附图表示了本发明的实施例，连同说明书一起可用来解释本发明的原理。
图1是按照现有技术的一种透射反射液晶显示装置的分解透视图；
图2是沿图1中“II-II”线提取的示意性截面图；
图3是图2中一个部分“E”的放大截面图；
图4是按照本发明第一实施例的液晶显示装置的一个截面图；
图5是本发明第一实施例的液晶显示装置阵列基板的一个平面图；
图6A到6D是沿图5中“VI-VI”线提取的截面图，表示按照本发明第一实施例的液晶显示装置阵列基板的制造方法；
图7是按照本发明第二实施例的液晶显示装置的截面图；以及
图8是按照本发明第三实施例的液晶显示装置的一个截面图。
具体实施方式
以下要具体描述本发明的最佳实施例，在附图中表示了这些例子。
图4是按照本发明第一实施例的液晶显示装置的截面图。如图4所示，第一基板100和第二基板200可以面对面并且彼此分开地设置。在第一基板100的内表面上形成具有栅极102、有源层110源极114和漏极116的薄膜晶体管(TFT)“T”。并在第一基板100的内表面上形成包括第一分支线118a和第二分支线118b的数据线118和栅极线(未表示)。数据线18被连接到源极114，并且在第一基板100的端部被划分成第一分支线118a和第二分支线118b。第一分支线118a和第二分支线118b彼此分开从而限定了一个空间“D”。第一分支线118a的宽度与第二分支线118b宽度相同。栅极线被连接到栅极102。栅极线和数据线118彼此交叉限定了第一象素区“P1”和第二象素区“P2”。
在具有TFT“T”和数据线118的第一基板100的整个表面上形成第一钝化层120。在第一钝化层120上对应着第一分支线118a和第二分支线118b之间的空间“D”形成一个透明电极122。在透明电极122上形成第二钝化层124。
在第二钝化层124上形成连接到漏极116和透明电极122的一个反射电极132。反射电极132所包括的凹凸结构(unevenness)能沿着一个倾斜角提高亮度，并且防止镜面反射。可以通过在第二钝化层124的表面上形成一个凹凸部“F”来间接获得这种凹凸结构。
反射电极132包括第一象素区“P1”内的第一反射电极132a和毗邻第一象素区“P1”的第二象素区“P2”内的第二反射电极132b。分别在第一反射电极132a和第二反射电极132b下面形成第一分支线118a和第二分支线118b。由于连接到漏极116的透明电极122形成在第一分支线118a和第二分支线118b之间的间隔“D”内，来自第一基板100下面的背光单元(未表示)的光透过空间“D”向外发射。这样，空间“D”和反射电极132就分别对应着透射部分“A”和反射部分“C”。每个象素区“P1”和“P2”包括透射部分“A”和反射部分“C”。第二钝化层124上可以形成对应着用于双重盒间隙的透射部分“A”的一个沟槽130。
在第二基板200的内表面上形成包括红色子滤色片202a、绿色子滤色片202b和蓝色子滤色片202c的滤色片层202，并在滤色片层202上形成一个透明公共电极204。在反射电极132和公共电极204之间形成一个液晶层190。如果第二钝化层124具有对应着透射部分“A”的沟槽130，液晶层190就能在透射部分“A”内具有第一厚度“2d”，而在反射部分“C”内具有第二厚度“d”，其中的第一厚度“2d”大约是第二厚度“d”的二倍。
在第一实施例中，由于数据线118是形成在第一象素区“P1”和第二象素区“P2”的反射部分“C”内的反射电极132下面，在第二基板200上可以不形成对应着数据线118的黑色矩阵。另外，由于透明电极122被形成在第一分支线118a和第二分支线118b之间的空间“D”内，不需要对应着空间“D”的黑色矩阵。另外，由于第一分支线118a和第二分支线118b之间的空间“D”被用作透射部分“A”，孔径比得以进一步改善。
图5是本发明第一实施例的液晶显示装置阵列基板的一个平面图。如图5所示，栅极线106和数据线118彼此交叉所限定的第一区“P1”和第二区“P2”各自分别包括透射部分“A”和反射部分“C”。数据线118在基板100的一端被划分成第一分支线118a和第二分支线118b。在栅极线106和数据线118的交叉点附近形成包括栅极102、有源层110、源极114和漏极116的薄膜晶体管(TFT)“T”。栅极102被连接到栅极线106，而源极114被连接到数据线118。源极114和漏极116彼此分开。
对应着第一象素区“P1”和第二象素区“P2”的透射部分“A”形成透明电极122。对应着反射部分“C”形成具有凹凸结构(未表示)的反射电极132。反射电极132通过漏极接触孔126连接到漏极116。反射电极132还通过透明电极接触孔128连接到透明电极122。第一分支线118a和第二分支线118b分别形成在第一象素区“P1”和第二象素区“P2”内的反射电极下方。第一分支线118a和第二分支线118b的宽度可以这样来确定，即，使得第一分支线118a和第二分支线118b的总宽度基本上等于上文参照现有技术的LCD装置的图2所述的数据线27的宽度，从而不会影响数据线118的电阻。另外，第一分支线118a的宽度基本上等于第二分支线118b的宽度。第一分支线118a和第二分支线118b还可以有至少一个连接图形(未表示)来连接一条数据线118的第一分支线118a和第二分支线118b。这种连接图形可以与栅极线106重叠。
在第一实施例中，由于数据线118是形成在第一象素区“P1”和第二象素区“P2”双方的反射部分“C”内的反射电极132下方，因此可以省略对应着数据线118的黑色矩阵。另外，由于透明电极122是形成在第一分支线118a和第二分支线118b之间的空间“D”内，因此也可以省略对应着空间“D”的黑色矩阵。另外，由于第一分支线118a和第二分支线118b之间的空间“D”被用作透射部分“A”，孔径比和亮度得以进一步改善。
图6A到6D是沿图5中“VI-VI”线提取的截面图，表示按照本发明第一实施例的液晶显示装置阵列基板的一种制造方法。如图6A所示，在基板100上形成参照图5所述的栅极线106和栅极102。由于栅极线106的电阻会造成RC(电阻-电容)延迟，栅极线106可以采用具有低电阻的材料。例如可以用铝(Al)来减少RC延迟。然而，纯铝(Al)的耐化学性较差，在此后的高温处理中会造成小丘(hillock)等线路缺陷。因此，对栅极线106可以采用铝钕(AlNd)等铝合金以及包括一层铝的多层，例如是铝/钼(Al/Mo)。
在包括栅极线106和栅极102的基板100的整个表面上形成一个栅极绝缘层108。栅极绝缘层可以包括诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)等无机材料。在栅极绝缘层108上依次形成一个非晶硅(a-Si：H)的有源层110的一个掺杂杂质的非晶硅(n+a-Si：H)的电阻接触层112。有源层110和电阻接触层112具有岛状形状。
如图6B所示，在电阻接触层112上通过淀积包括铬(Cr)、钼(Mo)、锑(Sb)、钛(Ti)在内的一组导电金属中的一种并且对其进行构图而形成源极114和漏极116。同时，可以在栅极绝缘层108上形成数据线118。数据线118连接到源极114，并且与栅极线106交叉限定各自包括透射部分“A”和反射部分“C”的第一象素区“P1”和第二象素区“P2”。数据线118在基板100的一端被划分成第一分支线118a和第二分支线118b。第一分支线118a和第二分支线118b分别设置在相邻的第一象素区“P1”和第二象素区“P2”的反射部分“C”内。第一分支线118a和第二分支线118b可以有至少一个连接图形(未表示)来连接一条数据线118的第一分支线118a和第二分支线118b。这种连接图形可以与栅极线106重叠。
在包括源极114、漏极116和数据线118的基板100的整个表面上形成有机绝缘材料的第一钝化层120，例如是苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂。在第一钝化层120上通过淀积一种透明导电材料例如是铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)并且对其进行构图而形成一个透明电极122。形成的透明电极122可以对应着由第一分支线118a和第二分支线118b之间的空间所限定的透射部分“A”。透明电极122延伸使得透明电极122的一侧被形成在反射部分“C”内。
如图6C所示，在包括透明电极122的基板100的整个表面上形成诸如苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂等有机绝缘材料的第二钝化层124。第二钝化层124在对应着反射部分“C”的表面上具有凹凸部分“F”。可以通过多种工艺获得凹凸部分“F”。例如是通过淀积一种光敏树脂并且对其进行构图而形成一种截面图具有矩形形状的第一凹凸图形。第一凹凸图形可以弯曲变成截面图具有半球形状的第二凹凸图形。
通过对第一钝化层120和第二钝化层124构图而形成暴露出漏极116的漏极接触孔126，暴露出反射部分“C”内的透明电极122的透明电极接触孔128，以及暴露出透射部分“A”内的透明电极122的一个沟槽130。所形成的对应着透射部分“A”的沟槽130获得一个双重盒间隙，其中如上文参照图4所述在透射部分“A”内的第一厚度“2d”(即第一盒间隙)大致为同样如上文参照图4所述(即第二盒间隙“d”)在反射部分“C”内的第二盒间隙“d”的二倍。在具有双重盒间隙的结构中，由于透明部分的偏振特性变成与反射部分相似，透射部分和反射部分之间的色差被减小了。
如图6D所示，在反射部分“C”内的第二钝化层上通过淀积一种反射导电金属例如是铝(Al)和银(Ag)并且对其进行构图而形成反射电极132。反射电极132同时连接到漏极116和透明电极122。由于反射电极132具有对应着第二钝化层124的凹凸部分“F”的凹凸结构，能够获得高反射率并能防止镜面反射。通过调节第一分支线118a和第二分支线118b之间的空间可以改变透射部分“A”对反射部分“C”的比例。
图7是按照本发明第二实施例的一种液晶显示装置的示意性截面图。如图7所示，第一基板300和第二基板400彼此分开。在第一基板300的内表面上形成包括栅极302、有源层310、源极314和漏极316的一个薄膜晶体管(TFT)“T”。连接到栅极302的栅极线(未表示)和连接到源极314的数据线318交叉限定了第一象素区“P1”和第二象素区“P2”。数据线318在基板300的一端被划分成第一分支线318a和第二分支线318b。第一分支线318a的宽度可以和第二分支线318b的宽度相同。
在包括TFT“T”和数据线318的基板300的整个表面上形成第一钝化层320。在第一钝化层320上对应着第一分支线318a和第二分支线318b之间的空间“D”形成透明电极322。在透明电极322上形成第二钝化层324，并在第二钝化层324上形成连接到漏极316和透明电极322的反射电极332。反射电极332可以有一凹凸结构，从而能沿着一个倾斜角提高亮度，并且防止镜面反射。可以通过在第二钝化层324的表面上形成凹凸部分“F”来间接获得这种凹凸结构。
第一分支线318a和第二分支线318b分别形成在第一象素区“P1”和第二象素区“P2”内的反射电极332下方。由于连接到漏极316的透明电极322形成在第一分支线318a和第二分支线318b之间的空间“D”内，因此来自第一基板300下方的背光单元(未表示)的光透过空间“D”并向外发射。这样，空间“D”和反射电极332就分别对应着透射部分“A”和反射部分“C”。各个象素区“P1”和象素区“P2”包括透射部分“A”和反射部分“C”。
在反射电极332和对应着透射部分“A”的第二钝化层324上形成包括红色分滤色片336a、绿色分滤色片336b和蓝色分滤色片336c的滤色片层336。红色分滤色片336a、绿色分滤色片336b和蓝色分滤色片336c之一对应着一个象素区“P1”和“P2”。由于滤色片层336是形成在第一基板300上，不需要用于粘接误差的对准余量。孔径比因而得到进一步改善。在第二基板400的内表面上形成一个透明公共电极402。在滤色片层336和公共电极402之间形成一个液晶层390。
图8是按照本发明第三实施例的液晶显示装置的一个截面图。为了在透射部分和反射部分中获得相等的色彩特性，可以采用包括一个双重厚度滤色片层的液晶显示装置。如图8所示，第一基板300和第二基板400彼此分开。在第一基板300的内表面上形成包括栅极302、有源层310、源极314和漏极316的一个薄膜晶体管(TFT)“T”。连接到栅极电极302的栅极线(未表示)和连接到源极314的数据线318交叉限定了第一象素区“P1”和第二象素区“P2”。数据线318在基板300的一端被划分成第一分支线318a和第二分支线318b。第一分支线318a的宽度可以和第二分支线318b的宽度相同。
在包括TFT“T”和数据线318的第一基板300的整个表面上形成第一钝化层320，并在第一钝化层320上对应着第一分支线318a和第二分支线318b之间的空间“D”形成透明电极322。在透明电极322上形成第二钝化层324，并在第二钝化层324上形成连接到漏极316和透明电极322的反射电极332。反射电极332可以有一凹凸结构，从而能沿着一个倾斜角提高亮度，并且防止镜面反射。可以通过在第二钝化层324的表面上形成凹凸部分“F”来间接获得这种凹凸结构。
第一分支线318a和第二分支线318b分别形成在第一象素区“P1”和第二象素区“P2”内的反射电极332下方。由于连接到漏极316的透明电极322形成在第一分支线318a和第二分支线318b之间的空间“D”内，因此来自第一基板300下方的背光单元(未表示)的光透过空间“D”并向外发射。这样，空间“D”和反射电极332就分别对应着透射部分“A”和反射部分“C”。各个象素区“P1”和象素区“P2”包括透射部分“A”和反射部分“C”。
第二钝化层324有一个对应着透射部分“A”的沟槽326。在反射电极332和对应着透射部分“A”的第二钝化层324上形成包括红色分滤色片336a、绿色分滤色片336b和蓝色分滤色片336c的滤色片层336。红色分滤色片336a、绿色分滤色片336b和蓝色分滤色片336c之一对应着一个象素区“P1”和“P2”。滤色片层336填充第二钝化层324的沟槽326，使得滤色片层336在透射部分“A”中的第一厚度“2t”大致等于滤色片层336在反射部分“C”中的第二厚度“t”的二倍。这样就能在透射部分“A”和反射部分“C”中获得一致的色纯度特性，并且获得一种具有高级显示质量的LCD装置。在第二基板400的内表面上形成一个透明公共电极402。在滤色片层336和公共电极402之间形成一个液晶层390。
在按照本发明第二和第三实施例的LCD装置中，由于数据线318被形成在第一和第二象素区“P1”和“P2”的反射部分“C”内的反射电极332下方，可以省略对应着数据线318的黑色矩阵。另外，由于连接到漏极316的透明电极322是形成在第一分支线318a和第二分支线318b之间的空间“D”内，也可以省略对应着空间“D”的黑色矩阵。另外，由于第一分支线318a和第二分支线318b之间的空间被用作透射部分“A”，孔径比和亮度得以进一步改善。另外，由于滤色片层336形成在第一基板300上，不需要用来调节粘接误差的对准余量，且孔径比得以进一步改善。在按照本发明第三实施例的LCD装置中，由于滤色片层具有双重厚度，使得在透射部分“A”中的第一厚度大致等于在反射部分“C”中的第二厚度的二倍，这样就能在透射部分“A”和反射部分“C”中获得一致的色纯度特性，由此获得一种具有高级显示质量的LCD装置。
在按照本发明的LCD装置中，数据线被划分成第一和第二分支线，且第一和第二分支线被设置在相邻象素区的反射部分内。这样，通过利用第一和第二分支线之间的空间作为透射部分就能省略对应着数据线的黑色矩阵。这样能够改善孔径比和亮度。另外，如果LCD装置在透射部分中包括一个沟槽，液晶层可以在透射部分中具有第一厚度(即第一盒间隙)，并在反射部分中具有第二厚度(即第二盒间隙)，使得第一厚度大致成第二厚度的二倍。在具有双重盒间隙结构的LCD装置中，由于在透射部分和反射部分获得的光学特性是一致的，就能获得高级显示质量。另外，由于滤色片层是形成在阵列基板上，不需要用来调节粘接误差的对准余量，且孔径比得以进一步改善。另外，若是形成的滤色片层使得滤色片层在透射部分中的第一厚度大致等于滤色片层在反射部分中的第二厚度的二倍，就能获得一种在透射部分和反射部分中具有一致的色度特性和高级显示质量的LCD装置。
显然，本领域的技术人员无需脱离本发明的原理和范围还能对本发明的液晶显示装置及其制造方法作出各种各样的修改和变更。因此，本发明的意在覆盖所附权利要求书及其等效物范围内对本发明的修改和变更。
Claims (39)
1.一种液晶显示装置的阵列基板，包括：
一基板；
基板上的栅极线；
与栅极线交叉限定象素区的数据线，象素区包括透射部分和反射部分，数据线被划分成第一和第二分支线，第一和第二分支线彼此分开并且分别设置在相邻象素区的反射部分内；
连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；
对应着反射部分并且覆盖第一和第二分支线的反射电极；以及
对应着透射部分并且连接到反射电极的透明电极。
2.按照权利要求1的阵列基板，其特征在于，第一分支线的宽度大致等于第二分支线的宽度。
3.按照权利要求1的阵列基板，其特征在于，薄膜晶体管包括连接到栅极线的栅极、有源层、连接到数据线的源极、以及连接到反射电极的漏极。
4.按照权利要求3的阵列基板，其特征在于，有源层包括非晶硅(a-Si：H)。
5.按照权利要求1的阵列基板，其特征在于，反射电极具有至少一种银(Ag)、铝(Al)和铝(Al)合金。
6.按照权利要求1的阵列基板，其特征在于，反射电极的表面具有凹凸结构。
7.按照权利要求1的阵列基板，其特征在于，透明电极具有一种铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)。
8.按照权利要求1的阵列基板，其特征在于，第一和第二分支线之间的空间对应着透射部分。
9.按照权利要求1的阵列基板，其特征在于，进一步包括透明电极和反射电极之间的钝化层。
10.按照权利要求9的阵列基板，其特征在于，钝化层包括对应着透射部分的沟槽。
11.按照权利要求1的阵列基板，其特征在于，进一步包括反射电极上的滤色片层。
12.按照权利要求11的阵列基板，其特征在于，滤色片层中红、绿、蓝色分滤色片之一对应着象素区。
13.按照权利要求11的阵列基板，其特征在于，滤色片层在透射部分内具有第一厚度，在反射部分内具有第二厚度，第一厚度大致等于第二厚度的二倍。
14.按照权利要求11的阵列基板，其特征在于，进一步包括透明电极和反射电极之间的钝化层。
15.按照权利要求14的阵列基板，其特征在于，钝化层包括对应着透射部分的沟槽。
16.一种液晶显示装置阵列基板的制造方法，包括：
在一基板上形成栅极线；
形成与栅极线交叉的数据线，从而限定包括透射部分和反射部分的象素区，将数据线划分成第一和第二分支线，第一和第二分支线彼此分开并且分别设置在相邻象素区的反射部分内；
形成连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；
形成对应着反射部分并且覆盖第一和第二分支线的反射电极；以及
形成对应着透射部分并且连接到反射电极的透明电极。
17.按照权利要求16的方法，其特征在于，第一分支线的宽度大致等于第二分支线的宽度。
18.按照权利要求16的方法，其特征在于，薄膜晶体管包括连接到栅极线的栅极、有源层、连接到数据线的源极、以及连接到反射电极的漏极。
19.按照权利要求16的方法，其特征在于，反射电极具有至少一种银(Ag)、铝(Al)和铝(Al)合金。
20.按照权利要求16的方法，其特征在于，反射电极的表面具有凹凸结构。
21.按照权利要求16的方法，其特征在于，透明电极具有一种铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)。
22.按照权利要求16的方法，其特征在于，第一和第二分支线之间的空间对应着透射部分。
23.按照权利要求16的方法，其特征在于，进一步包括在透明电极和反射电极之间形成钝化层。
24.按照权利要求23的方法，其特征在于，钝化层包括对应着透射部分的沟槽。
25.按照权利要求16的方法，其特征在于，进一步包括在反射电极上形成滤色片层。
26.按照权利要求25的方法，其特征在于，滤色片层中红、绿、蓝色分滤色片之一对应着象素区。
27.按照权利要求25的方法，其特征在于，滤色片层在透射部分内具有第一厚度，在反射部分内具有第二厚度，第一厚度大致等于第二厚度的二倍。
28.按照权利要求25的方法，其特征在于，进一步包括在透明电极和反射电极之间形成钝化层。
29.按照权利要求28的方法，其特征在于，钝化层包括对应着透射部分的沟槽。
30.一种液晶显示装置，包括：
彼此分开的第一和第二基板；
第一基板上的栅极线；
与栅极线交叉限定象素区的数据线，象素区包括透射部分和反射部分，数据线被划分成第一和第二分支线，第一和第二分支线彼此分开并且分别设置在相邻象素区的反射部分内；
连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；
对应着反射部分并且覆盖第一和第二分支线的反射电极；
对应着透射部分并且连接到反射电极的透明电极；
第二基板上的滤色片层；
滤色片层上的公共电极；以及
反射电极和公共电极之间的液晶层。
31.一种液晶显示装置，包括：
彼此分开的第一和第二基板；
第一基板上的栅极线；
与栅极线交叉限定象素区的数据线，象素区包括透射部分和反射部分，数据线被划分成第一和第二分支线，第一和第二分支线彼此分开并且分别设置在相邻象素区的反射部分内；
连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；
对应着反射部分并且覆盖第一和第二分支线的反射电极；
对应着透射部分并且连接到反射电极的透明电极；
反射电极上的滤色片层；
第二基板上的公共电极；以及
滤色片层和公共电极之间的液晶层。
32.按照权利要求31的装置，其特征在于，进一步包括透明电极和反射电极之间的钝化层，钝化层包括对应着透射部分的沟槽。
33.按照权利要求32的装置，其特征在于，液晶层在透射部分内具有第一厚度，在反射部分内具有第二厚度，第一厚度大致等于第二厚度的二倍。
34.按照权利要求33的装置，其特征在于，滤色片层在透射部分内具有第三厚度，在反射部分内具有第四厚度，第三厚度大致等于第四厚度的二倍。
35.一种液晶显示装置的制造方法，包括：
在第一基板上形成栅极线；
形成与栅极线交叉的数据线，从而限定包括透射部分和反射部分的象素区，数据线被划分成第一和第二分支线，第一和第二分支线彼此分开并且分别设置在相邻象素区的反射部分内；
形成连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；
形成对应着反射部分并且覆盖第一和第二分支线的反射电极；
形成对应着透射部分并且连接到反射电极的透明电极；
在第二基板上形成滤色片层；
在滤色片层上形成公共电极；
粘接第一和第二基板，使得反射电极面对公共电极；并且
在反射电极和滤色片层之间形成液晶层。
36.一种液晶显示装置的制造方法，包括：
在第一基板上形成栅极线；
形成与栅极线交叉的数据线，从而限定包括透射部分和反射部分的象素区，数据线被划分成第一和第二分支线，第一和第二分支线彼此分开并且分别设置在相邻象素区的反射部分内；
形成连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；
形成对应着反射部分并且覆盖第一和第二分支线的反射电极；
形成对应着透射部分并且连接到反射电极的透明电极；
在反射电极上形成滤色片层；
在第二基板上形成公共电极；
粘接第一和第二基板，使得滤色片层面对公共电极；并且
在滤色片层和公共电极之间形成液晶层。
37.按照权利要求36的方法，其特征在于，进一步包括在透明电极和反射电极之间形成钝化层，钝化层包括对应着透射部分的沟槽。
38.按照权利要求37的方法，其特征在于，液晶层在透射部分内具有第一厚度，在反射部分内具有第二厚度，第一厚度大致等于第二厚度的二倍。
39.按照权利要求38的方法，其特征在于，滤色片层在透射部分内具有第三厚度，在反射部分内具有第四厚度，第三厚度大致等于第四厚度的二倍。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0029824A KR100524620B1 (ko) | 2002-12-31 | 2003-05-12 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| KR20030029824 | 2003-05-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1550855A true CN1550855A (zh) | 2004-12-01 |
| CN1324382C CN1324382C (zh) | 2007-07-04 |
Family
ID=33411680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004100296878A Expired - Fee Related CN1324382C (zh) | 2003-05-12 | 2004-03-31 | 液晶显示装置及其制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7072012B2 (zh) |
| JP (1) | JP3868433B2 (zh) |
| CN (1) | CN1324382C (zh) |
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- 2004-03-31 CN CNB2004100296878A patent/CN1324382C/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060221279A1 (en) | 2006-10-05 |
| US7567329B2 (en) | 2009-07-28 |
| US20040227877A1 (en) | 2004-11-18 |
| JP3868433B2 (ja) | 2007-01-17 |
| US7072012B2 (en) | 2006-07-04 |
| CN1324382C (zh) | 2007-07-04 |
| JP2004341499A (ja) | 2004-12-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee |
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
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|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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|
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