CN1472580A - 反射型液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种反射型液晶显示装置及其制造方法。该反射型液晶显示装置包括：具有像素区域的基板；位于基板上的栅极线；与栅极线和数据线连接的薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有栅极、有源层、源极和漏极；与漏极连接的第一和第二反射电极，该第一和第二反射电极完全覆盖数据线并且由间隙隔开；和与栅极线相交叉的数据线；其中数据线具有包括第一、第二和第三部分的弯曲形状，并且与数据线平行的第一部分将第二和第三部分连接，第二和第三部分分别形成在第一和第二反射电极下面。

Description

反射型液晶显示装置及其制造方法
本申请要求以2002年7月31日在韩国提交的韩国专利申请No.P2002-045132作为优先权，在此引用其全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置，并且更具体地，涉及一种反射型液晶显示装置及其制造方法。尽管本发明适合于很宽的应用范围，但它特别适合于改善液晶显示装置的对比度(contrast ratio)。
背景技术
通常，液晶显示(LCD)装置根据所使用的光源分成两种类型：使用背光的透射型LCD装置和使用外部自然光和/或环境光源的反射型LCD装置。在透射型LCD装置中背光消耗超过大约三分之二的总功率，在反射型LCD装置中，由于没有背光，改善了功率消耗。
在反射型LCD装置中，采用黑色矩阵来改善对比度。但是，由于黑色矩阵降低了反射区域而降低了对比度。
图1是根据现有技术的反射型液晶显示装置的展开视图。在图1中，第一和第二基板6和23相互面对并且彼此间隔。数据线17和栅极线5形成在第一基板6的内表面上。每个数据线17和栅极线5彼此相互交叉并且限定一个像素区域“P”。薄膜晶体管(TFT)“T”形成在位于数据线17和栅极线5之间的每个交叉点处。像素电极(即反射电极18)形成在像素区域“P”中。反射电极18由例如具有优良传导率和反射率的铝(AL)和铝合金等导电材料制成。黑色矩阵21以矩阵形式形成在第二基板23的内表面上。包括子滤色器层22a、22b和22c的滤色器层22形成在对应于像素区域“P”的矩阵的内部区域中。透明共用电极24形成在第二基板23的整个表面上。液晶层20插入在第一和第二基板6和23之间。
黑色矩阵21形成在对应于数据线17、栅极线5和薄膜晶体管“T”的区域中。黑色矩阵21的设计考虑到在第一和第二基板6和23的连接步骤中产生的不重合的边缘。因此，黑色矩阵21的面积增大。
图2是沿着图1中的直线II-II的剖面图。图3是图2中的区域“A”的放大的剖面图。
如图2和3中所示，数据线17形成在第一基板6的内表面上的相邻像素区域“P1”和“P2”之间。对应于数据线17的黑色矩阵21和对应于像素区域“P1”和“P2”的包括子滤色器层22a、22b和22c的滤色器层22形成在第二基板23的内表面上。当数据线17上方的两个相邻反射电极18之间的第一距离是“a”，而重叠在数据线17上的反射电极18部分的第二距离是“b”时，黑色矩阵21的宽度变成“a+2b”。与反射电极18上不同，由于均匀电场没有充分地作用到对应于第一距离“a”的液晶层(图中没有示出)上，即使当对应于黑色状态的像素区域“P”的电压以通常的白模式作用时，光线通过对应于第一距离“a”的液晶层而泄漏。因此，黑色矩阵21应当屏蔽对应于第一距离“a”的区域。另外，“2b”的大小对应于在第一和第二基板6和23的连接步骤过程中产生的不重合的边缘。因此，黑色矩阵21的面积增大，从而减小有效反射面积，这一点不适合于需要高亮度的反射型液晶显示装置。
在反射型LCD装置中，如上所述，由于使用在反射电极处受到反射的环境光代替背光来显示图像，因此重要的是改善亮度和对比度。改善对比度的黑色矩阵能够防止对应于数据线的区域中的光泄漏。但是，黑色矩阵和数据线的重叠区域将减小有效反射面积，从而降低亮度。
发明内容
因此，本发明旨在一种反射型液晶显示装置及其制造方法，其基本上克服了由于现有技术的局限和缺点而存在的一个或多个问题。
本发明的另一个目的在于提供一种反射型液晶显示装置，用于改善由于黑色矩阵而产生的有效反射面积的减小和用于增大亮度。
下面的说明书中将会提出本发明的其他特征和优点并且一部分会清楚地在本说明书中说明，或者可以通过对本发明的实践中学习到。通过在书面的说明书、权利要求书以及所附附图中具体指出的结构将会实现和获得本发明的目的和其他优点。
为了实现这些和其它优点并且根据本发明的目的，如具体表达和概括描述的一种反射型液晶显示装置，包括：具有像素区域的基板；位于基板上的栅极线；与栅极线和数据线连接的薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有栅极、有源层、源极和漏极；与漏极连接的第一和第二反射电极，该第一和第二反射电极完全覆盖数据线并且由间隙隔开；和与栅极线相交叉的数据线；其中数据线具有包括第一、第二和第三部分的弯曲形状，并且与数据线平行的第一部分将第二和第三部分连接，第二和第三部分分别形成在第一和第二反射电极下面。
在本发明的另一部分中，一种用于制造反射型液晶显示装置的方法，包括：在基板上形成栅极线；形成与栅极线交叉的数据线从而限定出像素区域，其中栅极线具有包括第一、第二和第三部分的弯曲形状，和与栅极线平行的第一部分将第二和第三部分连接，并且第二和第三部分分别形成在第一和第二反射电极的下面；形成与栅极线和数据线连接的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极；并且形成与漏极连接的第一和第二反射电极，第一和第二反射电极完全覆盖数据线并且在第一和第二反射电极之间具有间隙。
在本发明的另一部分中，一种反射型液晶显示装置包括：具有像素区域的基板；位于基板上的栅极线；与栅极线和数据线连接的薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有栅极、有源层、源极和漏极；与漏极电连接的第一和第二反射电极，该第一和第二反射电极完全覆盖数据线并且在第一和第二反射电极之间具有第一间隙；和与栅极线相交叉的数据线，该数据线包括由第二间隙分开并且分别形成在第一和第二反射电极下面的第一和第二支线。。
在本发明的另一部分中，一种用于制造反射型液晶显示装置的方法，包括：在基板上形成栅极线；在基板上形成与栅极线交叉的数据线并且限定出像素区域，该数据线包括由第一间隙隔开的第一和第二支线；形成与栅极线和数据线连接的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极；并且形成与漏极连接的第一和第二反射电极，该第一和第二反射电极完全覆盖数据线并且在第一和第二反射电极之间具有第二间隙。
应当理解前面概要性的解释和以下作为示例的详细说明和解释都将为本发明的权利要求提供进一步的解释。
附图说明
结合所附附图解释本发明的实施例并且与说明书一起来解释本发明的原理，这些附图来进一步地理解发明并且合并在其中和构成本说明书的一部分。
在这些附图中：
图1是根据现有技术的反射型液晶显示装置的展开视图；
图2是沿着图1中的直线II-II的剖面图；
图3是图2中的“A”部分的放大的剖面图；
图4是根据本发明的第一个实施例的反射型液晶显示装置的剖面图；
图5是根据本发明的第一个实施例的反射型液晶显示装置的阵列基板的简要平面图；
图6A至6D是沿着图5的直线V-V的剖面图，表示用于制造根据本发明的第一个实施例的反射型液晶显示装置的阵列基板的工艺步骤；
图7A和7B是根据本发明的第二个实施例的反射型液晶显示装置的阵列基板的简要平面图；
图8是根据本发明的第三个实施例的反射型液晶显示装置的阵列基板的简要平面图；
图9是根据本发明的第四个实施例的反射型液晶显示装置的阵列基板的简要平面图；
图10A至10E是沿着图9中的直线X-X的剖面图，用来表示制造根据本发明的第四个实施例的反射型液晶显示装置的阵列基板的工艺步骤；和
图11A至11D是沿着图9中的直线XI-XI的剖面图，用来表示制造根据本发明的第四个实施例的反射型液晶显示装置的阵列基板的工艺步骤。
具体实施方式
现在详细解释本发明的实施例，具体的例子在所附附图中给出。在尽可能的情况下，在所有附图中采用相同的附图标记表示相同或类似的部分。
在根据本发明的反射型液晶显示(LCD)装置中，通过更改数据线消除或减小黑色矩阵，从而使得由于黑色矩阵与数据线之间的重叠部分而产生的有效反射面积的减小最小化。
图4是根据本发明的第一个实施例的反射型液晶显示装置的剖面图。
在图4中，第一和第二基板100和140彼此正对并且相互分开。薄膜晶体管(TFT)“T”、数据线118和栅极线(图中没有示出)形成在第一基板100的内表面上。薄膜晶体管“T”具有栅极102、有源层110、源极114和漏极116。数据线118和栅极线分别与源极114和栅极102连接。通过彼此相互交叉的栅极线和数据线118限定出多个像素区域“P1”和“P2”。钝化层126形成在薄膜晶体管“T”和数据线118上。相邻反射电极124a和124b分别在相邻像素区域“P1”和“P2”处形成在钝化层126上。反射电极124a与漏极116连接。为了增大亮度，反射电极124a可以具有不均匀的形状。通常，不均匀的图案形成在钝化层126的上表面上，并且反射电极124a由于钝化层126的不均匀图案而具有不均匀形状。在上面的结构中，数据线118在下基板100的一端处分成第一和第二支线118a和118b。第一和第二支线118a和118b分别在相邻反射电极124a和124b的下面形成和延伸。
包括红色、绿色和蓝色子滤色器层134a、134b和134c的滤色器层134形成在面向下基板100的第二基板140的内表面上。每个子滤色器层134a、134b和134c对应于每个像素区域“P1”和“P2”。透明共用电极132形成在滤色器层134上。
在上述反射型液晶显示装置中，环境光在相邻反射电极124a和124b处受到反射，并且与此同时，穿过位于第一和第二支线118a和118b之间的空间。与现有技术中的结构不同，在相邻反射电极124a和124b之间的区域“E”中不发生光泄漏。因此，不需要在对应于相邻反射电极124a和124b的区域上形成黑色矩阵(图中没有示出)。因此，由于只在对应于栅极线的区域上形成黑色矩阵，黑色矩阵的有效面积可以减小，并且能够得到高亮度和高对比度。
图5是表示根据本发明的第一个实施例的反射型液晶显示装置的阵列基板的简要平面图。
如图5中所示，栅极线106和数据线118彼此交叉限定出相邻像素区域“P1”和“P2”。包括栅极102、有源层110、源极114和漏极116的薄膜晶体管(TFT)“T”设置在栅极线106和数据线118的交叉点处。栅极102和源极114分别与栅极线106和数据线118连接。这里，源极114和漏极116彼此分开。与漏极116连接的相邻反射电极124a和124b分别形成在相邻像素区域“P1”和“P2”中。
数据线118在第一基板100的一端分成第一支线118a和第二支线118b。第一和第二支线118a和118b分别在相邻反射电极124a和124b下面形成和延伸。考虑到电阻，数据线设计成使得第一和第二支线118a和118b的总宽度与现有技术的反射型LCD装置的数据线的宽度相同。
由于在相邻反射电极124a和124b之间的区域“E”中没有数据线，不需要在对应于第二基板上(图中没有示出)的相邻反射电极124a和124b之间的区域“E”的部分上形成黑色矩阵。因此，黑色矩阵130仅仅形成在第二基板上的栅极线106的第二部分上。
图6A至6D是沿着图5中的直线V-V的剖面图，表示用来制造图5中的反射型液晶显示装置的阵列基板的工艺步骤。
在图6A中，栅极102和栅极线106(图5中示出)形成在基板100上。为了降低电阻-电容(RC)延迟，栅极102和栅极线106(图5中所示)由具有低阻抗的铝(Al)制成。纯铝具有较低的化学阻抗并且在后面的高温处理的过程中由于小丘现象而使得导线产生缺陷。因此，可以采用包括铝层例如铝/钼(Al/Mo)的多层结构用来作为栅极102和栅极线106(图5中所示)。
如图6B中所示，通过沉积无机绝缘材料例如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)，将栅极绝缘层108形成在栅极102和栅极线106(图5中所示)上，其中的栅极和栅极线形成在基板100的整个表面上。随后，由非晶硅(a-Si：H)制成的有源层110和由掺杂质的非晶硅(n+a-Si：H)制成的欧姆接触层112继续形成在位于栅极102上的栅极绝缘层108上。
在图6C中，通过沉积和构图(pattering)导电金属材料例如铬(Cr)、钼(Mo)、锑(Sb)和钛(Ti)，在欧姆接触层112上形成源极114和漏极116。与此同时，与源极114连接的数据线118形成在栅极绝缘层108上。与栅极线106(图5中所示)相交叉，数据线118限定出相邻像素区域“P1”和“P2”。此外，数据线118在基板100的一端处分成第一和第二支线118a和118b。第一和第二支线118a和118b分别形成在相邻像素区域“P1”和“P2”处，在垂直方向中延伸。
通过沉积有机绝缘材料例如苯环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂，在源极114、漏极116和数据线118上形成钝化层120。从而，通过蚀刻钝化层120，形成使得部分漏极116曝光的漏极接触孔122。钝化层120的上表面具有带凹入和凸起结构的不均匀上表面。
在图6D中，与漏极116连接的相邻反射电极124a和124b分别形成在相邻象素区域“P1”和“P2”处。反射电极124可以由例如铝和铝合金等导电和反射金属材料制成。由于其形成在钝化层120的不均匀结构上，因此反射电极124具有不均匀形状，从而获得高反射率。
图7A和7B是表示根据本发明的第二个实施例的反射型液晶显示装置的阵列基板的平面图。
在图7A中，栅极线205和数据线217彼此交叉从而限定出相邻像素区域“P1”和“P2”。具有栅极208、有源层212、源极214和漏极215的薄膜晶体管(TFT)“T”设在栅极线205与数据线217的交叉点处。栅极208和源极214分别与栅极线205和数据线217连接。这里，源极214和漏极215彼此分开。与漏极215连接的相邻反射电极218a和218b分别形成在相邻像素区域“P1”和“P2”中。
数据线217具有包括第一、第二和第三部分217a、217b和217c的弯曲形状。与栅极线205相连接的第一部分217a与第二和第三部分217b和217c连接。第二和第三部分217b和217c分别形成在相邻反射电极218a和218b下面。第二部分217b具有与第三部分217c相同的面积，从而使得由于流过数据线217的信号的极性(“+”或“-”)而在反射电极218上产生的效果得到分散和最小化。由于第二部分217b具有与第三部分217c相同的宽度，第二部分217b的长度“d1”等于第三部分217c的长度“d2+d3”。形成黑色矩阵221a、221b和221c用来覆盖位于相邻反射电极218a与218b之间的区域“E”处的第一部分217a和栅极线205。由于位于相邻反射电极218a与218b之间的区域“E”处的第一部分217a具有很小的面积，能够除去第一部分217a上的黑色矩阵221a和221b。因此，黑色矩阵的面积减小从而使得有效反射面积得到扩大。
图7B是根据本发明的第二个实施例的一个变形的反射型液晶显示装置的阵列基板的平面图。
在图7B中，栅极线205和数据线220彼此交叉从而限定出相邻像素区域“ P1”和“P2”。具有栅极208、有源层212、源极214和漏极216的薄膜晶体管(TFT)“T”设在栅极线205与数据线220的交叉点处。栅极208和源极214分别与栅极线205和数据线220连接。源极214和漏极216彼此分开。与漏极216连接的相邻反射电极218a和218b分别形成在相邻像素区域“P1”和“P2”中。
数据线220具有包括第一、第二和第三部分220a、220b和220c的弯曲形状，其中弯曲部分形成直角(90°)。与栅极线205平行的第一部分220a与第二和第三部分220b和220c连接。第二和第三部分220b和220c分别形成在相邻反射电极218a和218b下面。第二部分220b具有与第三部分220c相同的面积，从而使得由于流过数据线220的信号的极性(“+”或“-”)而在反射电极218上产生的效果得到分散和最小化。由于第二部分220b具有与第三部分220c相同的宽度，第二部分220b的长度“d4+d5”等于第三部分220c的长度“d6”。形成黑色矩阵221a、221b和221c用来覆盖位于相邻反射电极218a与218b之间的区域“E”处的第一部分220a和栅极线205。由于位于相邻反射电极218a与218b之间的区域“E”处的第一部分220a具有很小的面积，能够除去第一部分220a上的黑色矩阵221a和221b。因此，黑色矩阵的面积减小从而使得有效反射面积得到扩大。
作为选择，数据线可以交替地形成在多个像素区域中。在这种情况中，数据线具有第一、第二和第三部分并且每个第一、第二和第三部分的数量为1。
图8是表示根据本发明的第三个实施例的反射型液晶显示装置的阵列基板的平面图。
在图8中，栅极线305和数据线317彼此交叉从而限定出相邻像素区域“P1”和“P2”。具有栅极308、有源层312、源极314和漏极316的薄膜晶体管(TFT)“T”设在栅极线305与数据线317的交叉点处。栅极308和源极314分别与栅极线305和数据线317连接。源极314和漏极316彼此分开。与漏极316连接的相邻反射电极318a和318b分别形成在相邻像素区域“P1”和“P2”中。
数据线317具有包括第一、第二和第三部分317a、317b和317c的弯曲形状，其中弯曲部分形成直角(90°)。与栅极线305平行的第一部分317a与第二和第三部分317b和317c连接。第二和第三部分317b和317c分别形成在相邻反射电极318a和318b下面。第二部分317b具有与第三部分317c相同的面积，从而使得由于流过数据线317的信号的极性(“+”或“-”)而在反射电极318上产生的效果得到分散和最小化。由于第二部分317b具有与第三部分317c相同的宽度，第二部分317b的长度“d1”等于第三部分317c的长度“d2”。形成黑色矩阵321a和321b用来覆盖位于相邻反射电极318a与318b之间的区域“E”处的第一部分317a和栅极线305。由于位于相邻反射电极318a与318b之间的区域“E”处的第一部分317a具有很小的面积，能够除去第一部分317a上的黑色矩阵321a。因此，黑色矩阵的面积减小从而使得有效反射面积得到扩大。
作为选择，数据线可以交替地形成在多个像素区域中。在这种情况中，数据线具有第一、第二和第三部分并且每个第一、第二和第三部分的数量为1。
图9是表示根据本发明的第四个实施例的反射型液晶显示装置的阵列基板的平面图。
在图9中，栅极线406和数据线420形成在第一基板400上。栅极线406和数据线420彼此交叉从而限定出第一、第二、第三和第四像素区域“P1”、“P2”、“P3”和“P4”。将位于第一和第二像素区域“P1”和“P2”之间的第一区域“E1”的宽度和位于第三和第四像素区域“P3”和“P4”之间的第二区域“E2”的宽度最小化。数据线420在第一基板400的一端处分成第一和第二支线420a和420b。第一支线420a设置在第一和第三像素区域“P1”和“P3”处，而第二支线420b设置在第二和第四像素区域“P2”和“P4”处。第一和第二支线420a和420b通过连接图案421彼此连接。连接图案421在栅极线406与数据线420的交叉区域“K”处形成在栅极线406上。栅极线406在交叉区域“K”可以具有最小宽度。
栅极线406具有第一和第二突出部分402和408。向第一和第二像素区域“P1”和“P2”伸出的第一突出部分402用来作为栅极，而向第三和第四像素区域“P3”和“P4”伸出的第二突出部分408用来作为存储电容“CST”的第一电容电极。第一支线420a设置成在位于栅极线406与第一电容电极408之间的连接区域“J”上经过。
包括栅极420、有源层412、源极416和漏极418的薄膜晶体管(TFT)“T”设置在栅极线406与第二支线420b的交叉点处。与第二支线420b连接的源极416与漏极418分开。漏极418具有穿过位于每个像素区域“P1”、“P2”、“P3”和“P4”处的伸出部分422在第一电极电容408上延伸的第三突出部分424。第三突出部分424用来作为存储电容的第二电容电极。因此，第一和第二电容电极408和424形成具有夹在第一和第二电容电极408和424之间的绝缘层(图中没有示出)的存储电容“CST”。
反射电极430形成在每个像素区域“P1”、“P2”、“P3”和“P4”中。由于反射电极430与第二电容电极424连接，图像信号从漏极418作用给反射电极430。反射电极430完全覆盖数据线420、栅极线406和栅极402。由于数据线420形成在每个像素区域中间隔开的反射电极430的下面，所以不需要覆盖由数据线反射的光的黑色矩阵。如果第一支线420a没有设在位于栅极线406与数据线420之间的连接区域“J”处并且连接图案421没有设在栅极线406与数据线420的交叉区域“K”处，则应当在第二基板(图中没有示出)上形成对应于露出的第一支线420a和露出的连接图案421的额外的黑色矩阵，用来防止光泄漏。位于连接区域“J”的第一支线420a和位于交叉区域“K”的连接图案421暴露出来。但是，第一支线420a和连接图案421的露出来的面积很小，因此不需要对应于露出来的第一支线420a和连接图案421的黑色矩阵。因此，可以获得高亮度和高孔径比。尽管第一支线420a与位于连接区域“J”的第一电容电极408的重叠部分可能改变存储电容“CST”的电容，在小尺寸的反射型液晶显示装置中这种电容的变化可以最小化。
图10A至10E是沿着图9中的直线X-X的剖面图，图11A至11D是沿着图9中的直线XI-XI的剖面图，表示用来制造根据本发明的第四个实施例的反射型液晶显示装置的阵列基板的工艺步骤。
在图10A和11A中，栅极线406、栅极402和第一电容电极408形成在第一基板400上。栅极402是从栅极线406伸出的第一突出部分，而第一电容电极408是从栅极线406伸出的第二突出部分。栅极线406、栅极402和第一电容电极408由具有低电阻的铝(Al)制成，从而降低电阻-电容(RC)延迟。纯铝具有较低的化学阻抗(chemical resistance)并且在后面的高温处理的过程中由于小丘现象而使得导线产生缺陷。因此，可以采用包括铝层例如铝/钼(Al/Mo)的多层结构作为栅极线406、栅极402和第一电容电极408。如图10A中所示，通过沉积无机绝缘材料例如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)，将栅极绝缘层410形成在栅极线406、栅极402和第一电容电极408上。
在图10B中，由非晶硅(a-Si：H)制成的有源层412和由掺杂质的非晶硅(n+a-Si：H)制成的欧姆接触层414继续形成在位于栅极402上的栅极绝缘层410上。
在图10C和11B中，通过沉积和构图(patterning)导电金属材料例如铬(Cr)、钼(Mo)、锑(Sb)和钛(Ti)，在欧姆接触层414上形成源极416和漏极418。与此同时，与源极416连接的数据线420形成在栅极绝缘层410上。数据线420与栅极线406限定出相邻像素区域“P3”和“P4”。此外，伸出部分422和第二电容电极424形成在栅极绝缘层410上。第二电容电极424形成在第一电容电极408上，并且伸出部分422与第二电容电极424和漏极418连接。第一和第二电容电极408和424形成具有夹在第一和第二电容电极408和424之间的绝缘层410的存储电容“CST”。
数据线420在基板400的一端处分成第一和第二支线420a和420b。第一和第二支线420a和420b通过位于栅极线406和数据线420的交叉区域“K”的连接图案421彼此连接。连接图案421形成为覆盖栅极线406。第一支线420a设在位于栅极线406和第一电容电极408之间的连接区域“J”处。由于位于连接区域“J”的第一支线420a的面积和位于交叉区域“K”的连接图案421的面积很小，因此不需要对应于第一支线420a和连接图案421的黑色矩阵。
在图10D和11C中，通过沉积有机绝缘材料例如苯环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂，在源极416、漏极418、数据线420和第二电容电极424上形成钝化层426。从而，通过蚀刻钝化层426，形成使得部分第二电容电极424曝光的电容接触孔428。
在图10E和11D中，反射电极430形成在钝化层426上。反射电极430位于像素区域“P4”中并且穿过接触孔428与第二电容电极424连接。反射电极430由例如铝和铝合金等反射金属材料制成。作为选择，阵列基板具有一种结构使得浮动的反射基板形成在像素区域中并且与第二电容电极连接的透明电极形成在浮动反射基板之上或之下。
由于不需要对应于相邻反射电极之间的空间的黑色矩阵，因此可以减少黑色矩阵的总面积并且能够改善亮度。此外，由于环境光没有受到反射而穿过位于相邻反射电极之间的空间，因此能够防止相邻反射电极之间的色彩混合现象并且能够获得高的对比度。
因此，在根据本发明的阵列基板中，由于数据线形成在反射电极的下面，能够防止由于环境光在数据线的散射而引起的光泄漏。另外，由于环境光穿过位于相邻反射电极之间的空间而没有受到反射，因此不需要对应于该区域的额外的黑色矩阵。因此，改善了孔径比，并且能够获得高亮度和高对比度。
对于本领域技术人员来讲，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，本发明的反射型液晶显示装置及其制造方法可以做出各种变形和改进。因此，本发明要求覆盖本发明的这些改进和变形，只要它们位于所附权利要求及其等价物的范围内。

Claims (32)

1.一种反射型液晶显示装置，包括：
具有像素区域的基板；
位于基板上的栅极线；
与栅极线和数据线连接的薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有栅极、有源层、源极和漏极；
与漏极连接的第一和第二反射电极，该第一和第二反射电极完全覆盖数据线并且由间隙隔开；和
与栅极线相交叉的数据线，其中数据线具有包括第一、第二和第三部分的弯曲形状，并且与数据线平行的第一部分将第二和第三部分连接，第二和第三部分分别形成在第一和第二反射电极下面。
2.根据权利要求1的反射型液晶显示装置，其中数据线的第二部分具有与第三部分相同的面积。
3.根据权利要求1的反射型液晶显示装置，其中栅极和源极分别与栅极线和数据线连接。
4.根据权利要求1的反射型液晶显示装置，其中第一和第二反射电极由铝或铝合金制成。
5.根据权利要求1的反射型液晶显示装置，其中第一和第二反射电极具有不均匀形状。
6.根据权利要求1的反射型液晶显示装置，其中位于第一和第二反射电极之间的间隙小于数据线的第一部分的长度。
7.一种用于制造反射型液晶显示装置的方法，包括：
在基板上形成栅极线；
形成与栅极线交叉的数据线从而限定出像素区域，其中栅极线具有包括第一、第二和第三部分的弯曲形状；并且与栅极线平行的第一部分将第二和第三部分连接，并且第二和第三部分分别形成在第一和第二反射电极的下面；
形成与栅极线和数据线连接的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极；和
形成与漏极连接的第一和第二反射电极，第一和第二反射电极完全覆盖数据线并且在第一和第二反射电极之间具有间隙。
8.根据权利要求7的方法，其中位于第一和第二反射电极之间的间隙小于数据线的第一部分的长度。
9.根据权利要求7的方法，其中第二部分具有与第三部分相同的面积。
10.根据权利要求7的方法，其中栅极和源极分别与栅极线和数据线连接。
11.根据权利要求7的方法，其中第一和第二反射电极由铝或铝合金制成。
12.根据权利要求7的方法，其中第一和第二反射电极具有不均匀形状。
13.一种反射型液晶显示装置，包括：
具有像素区域的基板；
位于基板上的栅极线；
与栅极线和数据线连接的薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有栅极、有源层、源极和漏极；
与漏极电连接的第一和第二反射电极，该第一和第二反射电极完全覆盖数据线并且在第一和第二反射电极之间具有第一间隙；和
与栅极线相交叉的数据线，该数据线包括由第二间隙分开并且分别形成在第一和第二反射电极下面的第一和第二支线。
14.根据权利要求13的反射型液晶显示装置，其中第一间隙等于或者小于第二间隙。
15.根据权利要求13的反射型液晶显示装置，其中栅极和源极分别与栅极线和第二支线连接。
16.根据权利要求15的反射型液晶显示装置，进一步包括从栅极线向像素区域延伸的第一电容电极，和从漏极伸出的第二电容电极，该第二电容电极形成在第一电容电极上。
17.根据权利要求13的反射型液晶显示装置，其中第一和第二反射电极由铝或铝合金制成。
18.根据权利要求13的反射型液晶显示装置，进一步包括将第一和第二支线连接的连接图案，该连接图案位于栅极线上。
19.根据权利要求13的反射型液晶显示装置，其中第一支线形成在栅极线和第一电容电极上。
20.根据权利要求13的反射型液晶显示装置，其中第一和第二电容电极形成存储电容。
21.根据权利要求13的反射型液晶显示装置，其中第一和第二支线具有基本上彼此相同的宽度。
22.根据权利要求13的反射型液晶显示装置，其中第一和第二反射电极完全覆盖栅极线。
23.一种用于制造反射型液晶显示装置的方法，包括：
在基板上形成栅极线；
在基板上形成与栅极线交叉的数据线并且限定出像素区域，该数据线包括由第一间隙隔开的第一和第二支线；
形成与栅极线和数据线连接的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极；和
形成与漏极连接的第一和第二反射电极，第一和第二反射电极完全覆盖数据线并且在第一和第二反射电极之间具有第二间隙。
24.根据权利要求23的方法，进一步包括在基板上形成第一和第二电容电极，其中第一电容电极从栅极线伸出，和第二电容电极从漏极伸出并且位于第一电容电极上。
25.根据权利要求23的方法，其中栅极和源极分别与栅极线和第二支线连接。
26.根据权利要求23的方法，其中第一和第二反射电极由铝或铝合金制成。
27.根据权利要求23的方法，进一步包括形成将第一和第二支线连接的连接图案，该连接图案位于栅极线上。
28.根据权利要求23的方法，其中第一支线形成在栅极线和第一电容电极上。
29.根据权利要求24的方法，其中第一和第二电容电极形成存储电容。
30.根据权利要求23的方法，其中第一间隙等于或者大于第二间隙。
31.根据权利要求23的方法，其中第一和第二支线具有基本上彼此相同的宽度。
32.根据权利要求23的方法，其中第一和第二反射电极完全覆盖栅极线。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1324382C (zh) * 2003-05-12 2007-07-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN1758126B (zh) * 2004-10-06 2010-05-05 三星电子株式会社 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板
CN102667596A (zh) * 2009-12-16 2012-09-12 夏普株式会社 液晶显示装置
CN103066078A (zh) * 2012-10-31 2013-04-24 友达光电股份有限公司 显示面板及其制造方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100870522B1 (ko) * 2002-09-17 2008-11-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100460979B1 (ko) * 2002-12-31 2004-12-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP2006030889A (ja) * 2004-07-21 2006-02-02 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置
KR100583138B1 (ko) * 2004-10-08 2006-05-23 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치
US7830488B2 (en) 2006-06-13 2010-11-09 Samsung Electronics Co., Ltd Liquid crystal display
TWI337671B (en) * 2006-08-31 2011-02-21 Au Optronics Corp Transflective lcd panel, transmission lcd panel, and reflection lcd panel
KR20080053644A (ko) * 2006-12-11 2008-06-16 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR101490477B1 (ko) * 2008-03-07 2015-02-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101389923B1 (ko) * 2008-04-21 2014-04-29 삼성디스플레이 주식회사 고개구율 어레이 기판, 액정 표시 장치 및 이들의 제조방법
GB0811811D0 (en) * 2008-06-27 2008-07-30 Liquavista Bv Electrowetting display device
CN102422208A (zh) * 2009-04-30 2012-04-18 凸版印刷株式会社 液晶显示装置
US20100328590A1 (en) * 2009-06-29 2010-12-30 Jiangsu Lexvu Electronics Co., Ltd. Back substrate and reflective liquid crystal display
JP5685923B2 (ja) * 2010-12-20 2015-03-18 大日本印刷株式会社 トランジスタアレイの連結方法
JP5623982B2 (ja) * 2011-06-09 2014-11-12 株式会社ジャパンディスプレイ 半透過型表示装置及び電子機器
CN106647081B (zh) * 2017-02-22 2020-03-10 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、液晶显示面板和液晶显示装置
TWI628493B (zh) * 2017-07-14 2018-07-01 友達光電股份有限公司 面板的製造方法及陣列基板
TWI754833B (zh) 2019-08-30 2022-02-11 凌巨科技股份有限公司 畫素結構
CN113805392A (zh) * 2020-06-12 2021-12-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示基板的制作方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2585167B1 (fr) 1985-07-19 1993-05-07 Gen Electric Structures conductrices redondantes pour affichages a cristaux liquides commandes par des transistors a effet de champ en couche mince
US5075674A (en) * 1987-11-19 1991-12-24 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate for liquid crystal display
KR920008056B1 (ko) * 1988-11-30 1992-09-22 주식회사 금성사 박막액정칼라티브이의 박막액티브매트릭스의 구조
DE69220643T2 (de) * 1991-09-10 1998-01-22 Sharp Kk Flüssigkristall-Anzeigegerät vom Reflexionstyp und Verfahren zu dessen Herstellung
JPH08122823A (ja) 1994-10-28 1996-05-17 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
JPH0926603A (ja) * 1995-05-08 1997-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
EP0845812B1 (en) * 1996-11-28 2009-10-28 Casio Computer Co., Ltd. Display apparatus
JPH10253988A (ja) 1997-03-11 1998-09-25 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP3386701B2 (ja) * 1997-10-17 2003-03-17 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置
US5953088A (en) * 1997-12-25 1999-09-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display with shield electrodes arranged to alternately overlap adjacent pixel electrodes
JPH11337961A (ja) 1998-05-26 1999-12-10 Sharp Corp 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JP4180690B2 (ja) * 1998-06-05 2008-11-12 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
KR100474529B1 (ko) * 1998-11-27 2005-07-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형액정표시장치및그제조방법
TW526355B (en) 1999-07-14 2003-04-01 Sanyo Electric Co Reflection type liquid crystal display device
JP2001083547A (ja) * 1999-07-14 2001-03-30 Sanyo Electric Co Ltd 反射型液晶表示装置
JP4718717B2 (ja) * 2000-05-12 2011-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 携帯用情報機器
US6698681B1 (en) * 2002-10-04 2004-03-02 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Apparatus and method for winding paper
KR100460979B1 (ko) * 2002-12-31 2004-12-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1324382C (zh) * 2003-05-12 2007-07-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN1758126B (zh) * 2004-10-06 2010-05-05 三星电子株式会社 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板
US7852444B2 (en) 2004-10-06 2010-12-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel usable with the liquid crystal display
US8300192B2 (en) 2004-10-06 2012-10-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel usable with the liquid crystal display
US8477279B2 (en) 2004-10-06 2013-07-02 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel usable with the liquid crystal display
CN102667596A (zh) * 2009-12-16 2012-09-12 夏普株式会社 液晶显示装置
CN103066078A (zh) * 2012-10-31 2013-04-24 友达光电股份有限公司 显示面板及其制造方法
CN103066078B (zh) * 2012-10-31 2015-06-24 友达光电股份有限公司 显示面板及其制造方法

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Publication number Publication date
KR100862240B1 (ko) 2008-10-09
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JP2004070315A (ja) 2004-03-04

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