CN1461296A - 双(4-疏基苯基)硫醚衍生物、其制备方法以及电子部件 - Google Patents

双(4-疏基苯基)硫醚衍生物、其制备方法以及电子部件 Download PDF

Info

Publication number
CN1461296A
CN1461296A CN01815962A CN01815962A CN1461296A CN 1461296 A CN1461296 A CN 1461296A CN 01815962 A CN01815962 A CN 01815962A CN 01815962 A CN01815962 A CN 01815962A CN 1461296 A CN1461296 A CN 1461296A
Authority
CN
China
Prior art keywords
monomer
mentioned
electronic unit
film
general formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN01815962A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1214005C (zh
Inventor
越后纪康
本田和义
贝义明
小田桐优
立原久明
松田英树
胜部淳
岩冈和男
杉本高则
砂流伸树
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2000222713A external-priority patent/JP3441425B2/ja
Priority claimed from JP2000222712A external-priority patent/JP2002037770A/ja
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1461296A publication Critical patent/CN1461296A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1214005C publication Critical patent/CN1214005C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C323/00Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups
    • C07C323/10Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and singly-bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton
    • C07C323/18Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and singly-bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton having the sulfur atom of at least one of the thio groups bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring of the carbon skeleton
    • C07C323/19Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and singly-bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton having the sulfur atom of at least one of the thio groups bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring of the carbon skeleton with singly-bound oxygen atoms bound to acyclic carbon atoms of the carbon skeleton
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/003Thick film resistors
    • H01C7/005Polymer thick films
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C323/00Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups
    • C07C323/10Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and singly-bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton
    • C07C323/11Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and singly-bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton having the sulfur atoms of the thio groups bound to acyclic carbon atoms of the carbon skeleton
    • C07C323/12Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and singly-bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton having the sulfur atoms of the thio groups bound to acyclic carbon atoms of the carbon skeleton the carbon skeleton being acyclic and saturated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F22/00Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof
    • C08F22/10Esters
    • C08F22/12Esters of phenols or saturated alcohols
    • C08F22/24Esters containing sulfur
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/301Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in group H01B3/302
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/44Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins
    • H01B3/442Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins from aromatic vinyl compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06573Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the permanent binder
    • H01C17/06586Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the permanent binder composed of organic material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/14Organic dielectrics
    • H01G4/18Organic dielectrics of synthetic material, e.g. derivatives of cellulose

Abstract

本发明提供以下通式(1)所示的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物。该衍生物是可以形成适用于电子部件的电介质膜的单体。本发明还提供该衍生物的制备方法以及在高湿度下或高温度下特性优良的电子部件。

Description

双(4-巯基苯基)硫醚衍生物、其制备方法以及电子部件
技术领域
本发明涉及双(4-巯基苯基)硫醚衍生物、其制备方法以及电子部件。
背景技术
以前,电容器等所用的电介质膜使用树脂膜。如特公昭63-32929号、特开平11-147272号公报和USP 5,125,138号中所示,这类电介质膜是通过向衬底上蒸镀的单体照射电子束、紫外线,使单体发生反应而形成的。作为形成电介质膜的单体,使用了例如二羟甲基三环癸烷二丙烯酸酯或1,9-壬二醇二丙烯酸酯等。
但是,使用上述单体形成的电介质膜的电子部件存在特性不充分的问题。特别是,使用上述单体形成的电介质膜的电子部件存在高湿度或高温度下的特性不充分的问题。
为了解决上述问题,本发明的目的是提供可以形成适用于电子部件的电介质膜的单体及其制备方法,以及在高湿度或高温度下特性优良的电子部件。
发明的公开
为了达到上述目的,本发明者们进行了深入的研究,结果发现了新的单体。即,本发明的单体是以下通式(1)所示的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物:
Figure A0181596200051
(式中R表示氢或甲基,n表示1-4且包括1和4的整数)。
上述本发明的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物适合作为形成用于电子部件的电介质膜的单体。
上述本发明的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物中,R可以为氢,n可以为2。根据该结构,可以得到特别合适的形成用于电子部件的电介质膜的单体。
本发明的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物的制备方法的特征在于包括:第一步骤,通过使以下化学式(2)所示双(4-巯基苯基)硫醚与碳原子数至多为4的ω-卤代烷醇反应,制备以下通式(3)所示有机化合物;第二步骤,通过使丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯与上述通式(3)所示有机化合物反应,制备以下通式(1)所示双(4-巯基苯基)硫醚衍生物。
Figure A0181596200061
(式中n表示1-4且包括1和4的整数)(式中R表示氢或甲基,n表示1-4且包括1和4的整数)
根据上述本发明的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物的制备方法,可以容易地制备通式(1)所示单体。
上述本发明的制备方法中,第一步骤中所述ω-卤代烷醇为2-卤代乙醇,第二步骤中丙烯酸甲酯也可以与上述通式(3)所示化合物反应。根据该构成,可以容易地制备作为形成用于电子部件的电介质膜的单体特别合适的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物。
上述本发明的制备方法中,第一步骤可以在碱性催化剂碱金属碳酸盐的存在下进行;第二步骤可以在酯交换反应的催化剂烷氧基钛或有机锡化合物的存在下进行。根据该构成,可以高效地制备双(4-巯基苯基)硫醚衍生物。
本发明的电子部件是具有电介质膜的电子部件,其特征在于:所述电介质膜是在形成了含至少一种以上单体的薄膜后,通过使上述薄膜中的上述单体发生聚合反应而形成的膜;上述单体具有硫与芳环共价结合的分子结构或者硫与芳环通过亚烷基结合的分子结构。根据上述本发明的电子部件,可以得到即使在高湿度或高温度下仍具有良好特性的电子部件。
上述本发明的电子部件还可以具有一对夹有上述电介质膜的至少一部分并相向布置的电极。根据该结构,可以得到即使在高湿度或高温度下仍具有优良特性的电子部件,例如电容器等。
优选上述本发明的电子部件的上述单体包含一种或多种以下通式(1)、通式(4)、化学式(5)或化学式(6)所示的单体。
Figure A0181596200071
(式中R表示氢或甲基,n表示1-4并包括1和4的整数)
Figure A0181596200072
(式中R表示氢或甲基)
Figure A0181596200073
根据该结构,可以得到在高湿度或高温度下仍具有极为优良的特性的电子部件。
在上述本发明的电子部件中,上述薄膜还可以含有添加剂。可以使用抗氧化剂作为上述添加剂。这样的组成可以防止电介质膜的氧化。
附图简述
图1A是本发明的电子部件即电容器的一个例子的剖面图,图1B是本发明的电子部件即电容器的另一个例子的剖面图。
图2A-D是本发明的电子部件即电容器的制备方法的一个例子的工序图。
图3是表示图2所示制备工序的过程图。
图4A是本发明的电子部件即电容器的另一个例子的剖面图,图4B是其透视图。
图5是制备电子部件所用的本发明单体的一个例子双(4-丙烯酰氧基亚乙基硫代苯基)硫醚的IR光谱图。
图6是制备电子部件所用的本发明单体的一个例子1,4-双(甲基丙烯酰氧基亚乙基硫代甲基)苯的IR光谱图。
实施发明的最佳方式
以下参照附图说明本发明的实施方式。在以下的描述中,有时省略对相同部分带有同一符号的重复说明。
(实施方式1)
在实施方式1中对本发明的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物进行说明。
本发明的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物由以下通式(1)表示。
Figure A0181596200081
(式中R表示氢或甲基,n表示1-4且包括1和4的整数)
通式(1)的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物可以根据实施方式2描述的方法制备。
通式(1)的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物可以用作形成用于电子部件的电介质膜(树脂膜)的单体。在用该单体形成电介质膜的情况下,首先形成含该单体的薄膜,向该薄膜照射电子束、紫外线即可。通过使用该单体,可以形成适用于电子部件的电介质膜。特别是,通过使用包括其中R为氢、n为2的通式(1)所示双(4-巯基苯基)硫醚衍生物的单体形成电容器的电介质膜,可以得到即使在高湿度和高温度下仍具有优良特性的电容器。
从其他观点来看,本发明是将通式(1)所示有机化合物用作树脂的单体的发明。
(实施方式2)
在实施方式2中对实施方式1所述的通式(1)所示双(4-巯基苯基)硫醚衍生物的制备方法进行说明。
首先,用碱作为催化剂,使以下化学式(2)所示双(4-巯基苯基)硫醚与ω-卤代烷醇在60-120℃下反应4-8小时,由此制备以下通式(3)所示有机化合物(第一步骤)。
Figure A0181596200091
(式中n表示1-4并包括1和4的整数)
化学式(2)所示双(4-巯基苯基)硫醚由住友精化株式会社以商品名MPS销售。
上述第一步骤中所用的ω-卤代烷醇具有1-4个碳的直链碳链,该碳链一端的碳上带有羟基、另一端的碳上带有卤素。具体地说,例如可以使用2-氯乙醇、3-氯-1-丙醇、4-氯-1-丁醇、2-溴乙醇、3-溴-1-丙醇、2-碘乙醇等。ω-卤代烷醇的碳原子数为通式(1)的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物的n。例如在使用2-氯乙醇的情况下,通式(1)中的n为2。
上述第一步骤中所用的碱性催化剂中,Na2CO3或K2CO3等碱金属碳酸盐、CaCO3或MgCO3等碱土金属碳酸盐、碱金属醇盐等是合适的。其中优选碱金属碳酸盐。作为上述碱性催化剂的溶剂,甲基乙基酮、甲基异丁基酮等酮类;四氢呋喃、二噁烷等醚类是合适的。
上述第一步骤之后,通过使丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯与通式(3)所示有机化合物在酯交换反应催化剂的存在下回流6-10小时,可以制备上述通式(1)的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物(第二步骤)。
在上述第二步骤中,通过使用丙烯酸烷基酯(由通式CH2=CHCOOR′表示,烷基R′可以使用例如甲基、乙基、丙基、丁基等)、优选丙烯酸甲酯,可以得到R为氢的通式(1)所示双(4-巯基苯基)硫醚衍生物。或者,通过使用甲基丙烯酸烷基酯(由通式CH2=C(CH3)COOR″表示,烷基R″可以使用例如甲基、乙基、丙基、丁基等)、优选甲基丙烯酸甲酯,可以得到R为甲基的通式(1)所示双(4-巯基苯基)硫醚衍生物。
作为上述第二步骤所用的酯交换反应催化剂,钛酸四丁酯等烷氧基钛或氧化二丁锡、氧化二辛锡、二乙酸二丁锡、二月桂酸二丁锡等有机锡化合物等是合适的。其中优选钛酸四丁酯或氧化二丁锡。第二步骤中优选丙烯酸烷基酯(或甲基丙烯酸烷基酯)的加料量相对于1重量份(质量份)通式(3)的有机化合物为3-10重量份。
在上述制备方法中,第一步骤的ω-卤代烷醇是2-卤代乙醇,第二步骤中优选使丙烯酸甲酯与通式(3)所示化合物反应。
根据上述实施方式2的制备方法,可以容易地制备实施方式1所述的通式(1)的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物。
(实施方式3)
在实施方式3中对本发明的电子部件电容器的一个例子进行说明。实施方式3的电容器10的剖面图如图1A所示。本发明电容器的形状也可以如图1B所示的电容器10a。
参照图1A,电容器10具有支承体11、在支承体11上形成的下部电极膜12、主要布置在下部电极膜12上的电介质膜13以及主要布置在电介质膜13上的上部电极膜14。这里电介质膜13是树脂膜(树脂膜中还可以含有添加剂等)。也就是说,电容器10具有电介质膜13和一对夹有电介质膜13并相向布置的电极(下部电极膜12和上部电极膜14)。
支承体可以使用各种材料。具体地说,例如可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(以下有时称为PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚亚苯基硫醚(PPS)、聚酰胺(PA)或聚酰亚胺(PI)等高分子薄膜。对支承体11的厚度没有限定,一般来说为1μm-75μm的情况较多。在下部电极膜12兼作支承体的情况下,不需要支承体11。在形成下部电极膜12、电介质膜13和上部电极膜14之后,可以除去支承体11。即本发明的电容器可以没有支承体。
下部电极膜12和上部电极膜14可以使用具有导电性的膜,例如可以使用金属膜。具体地说,可以使用铝、锌、铜等为主要成分的金属膜。对电极膜的膜厚没有特别限制,例如可以使用膜厚10nm-150nm的膜,优选可以使用膜厚20nm-50nm的膜。电容器10的下部电极膜12与上部电极膜14分别与电路连接。作为与电路连接的方法,可以使用例如锡焊、金属喷镀、压接(クランプ)等方法。
电介质膜13是在形成了含至少一种以上单体的薄膜后,通过使上述薄膜中的单体发生聚合反应而形成的树脂膜。上述单体具有硫与芳环共价结合的分子结构或者硫与芳环通过亚烷基结合的分子结构。上述薄膜可以含有一种或多种单体。
通过聚合反应成为电介质膜13的薄膜13a(参照图2B)除上述单体外,还可以含有添加剂。这类添加剂有例如聚合引发剂、抗氧化剂、增塑剂、表面活性剂、粘合性增强剂等。聚合引发剂可以使用例如2-苄基-2-二甲氨基-1-(4-吗啉基苯基)-丁酮-1、双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)-苯膦氧化物、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉基丙-1-酮(它们分别是チバスペシャルティケミカルズ生产的ィルガキュァ369、819和907)。抗氧化剂可以使用例如十八烷基-3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯、苯丙酸、3,5-双(1,1-二甲基乙基)-4-羟基C7-C9侧链烷基酯、4,6-双(辛基硫代甲基)-邻甲酚(它们分别是チバスペシャルティケミカルズ生产的IR GANOX-1076、1135和1520L)。
在薄膜13a含有聚合引发剂的情况下,优选聚合引发剂的含量为0.5%重量(%质量)-10%重量,特别优选1%重量-3%重量。通过使聚合引发剂的含量为至少0.5%重量,可以加快薄膜13a的硬化速度。通过使聚合引发剂的含量为至多10%重量,可以防止单体31(参照图3)的贮存期变得过短。通过使聚合引发剂的含量为1%重量-3%重量,在加快硬化速度的同时,防止单体31的贮存期变短,可以容易地制备电容器10。
在薄膜13a含有抗氧化剂的情况下,优选抗氧化剂的含量为0.1%重量-10%重量,特别优选0.5%重量-5%重量。通过使抗氧化剂的含量为至少0.1%重量,可以防止电介质膜13的氧化。通过使抗氧化剂的含量为至多10%重量,可以使薄膜13a的硬化速度达到实用值。通过使抗氧化剂的含量为至少0.5%重量,可以显著防止电介质膜13的氧化。通过使抗氧化剂的含量为至多5%重量,可以使薄膜13a的硬化速度达到优选值。
薄膜13a中所含的上述单体可以使用例如以下通式(1)、(4)和化学式(5)、(6)所示单体。(式中R表示氢或甲基,n表示1-4且包括1和4的整数)(式中R表示氢或甲基)
Figure A0181596200132
通式(1)的单体可以用实施方式2所述方法制备。通式(4)的单体可以通过下述方法制备。化学式(5)和(6)的单体分别由住友精化株式会社以商品名MPV和MPSMA销售。
特别优选通式(1)的单体中R为氢、n为2。薄膜13a可以任意比例含有通式(1)、(4)和化学式(5)、(6)的单体,例如含有至少50%重量通式(1)的单体,还可以含有通式(4)的单体。
以下对通式(4)的单体的制备方法进行说明。首先,与通式(1)的单体的制备方法中的第一步骤一样,使对二氯二甲苯与2-巯基乙醇反应,制备以下化学式(7)所示中间产物。
Figure A0181596200133
之后,与通式(1)的单体的制备方法中的第二步骤一样,使该中间产物与丙烯酸甲酯或甲基丙烯酸甲酯反应,可以容易地合成通式(4)的单体。
接下来,对电容器10的制备方法进行说明。图2A-D表示制备步骤的一个例子。
参照图2A,首先在支承体11上形成下部电极膜12。下部电极膜12可以用电子束蒸镀、电阻加热蒸镀、感应加热蒸镀等真空蒸镀法,离子镀法,溅射法或电镀法等形成。为了使下部电极膜12形成一定的形状,可以使用金属掩模、光刻或蚀刻等技术。
接下来,如图2B所示,在下部电极膜12上形成含单体的薄膜13a。薄膜13a是由于聚合反应而成为电介质膜13的膜,含有上述通式(1)、(4)和化学式(5)、(6)所示单体或添加剂。如图3所示,薄膜13a可以通过在真空下将装有形成薄膜13a的单体31的容器32与下部电极膜12相向布置,加热容器32使单体蒸发而形成。为了使薄膜13a形成一定的形状,可以使用金属掩模(未示出)。
接下来,如图2C所示,通过使单体在薄膜13a中发生聚合反应,可以形成电介质膜13。聚合反应(硬化)可以通过例如向薄膜13a照射紫外线或电子束来引发。
接下来,如图2D所示,通过与下部电极膜12相同的方法,形成上部电极膜14。这样可以制备电容器10。也可以用同样的制备方法制备电容器10a。
上述实施方式3的电容器中的电介质膜13即使在高湿度或高温度下也难以变质,因此可以得到在高湿度、高温度下仍具有优良特性的电容器。
(实施方式4)
在实施方式4中对本发明的电子部件电容器的另一个例子进行说明。实施方式4中电容器40的剖面图如图4A所示,透视图如图4B所示。对与实施方式3所述部分相同的部分不再重复说明。
参照图4A和4B,电容器40具有电介质膜41(省略剖面线)、布置在电介质膜41中的多个电极42a和与电极42a相向布置的电极42b、分别与电极42a和42b连接的外部电极43a和43b。也就是说,电容器40具有至少一对夹有电介质膜41的至少一部分并相向布置的电极。电容器40还具有在电介质膜41中的布置在电极42a和42b外侧的金属薄膜44。在电容器40中,多个电极42a和与电极42a相向布置的电极42b存在的部分为元件层40a。电容器40中,金属薄膜44形成的部分为补强层40b。电容器40中,仅电介质膜41的部分为保护层40c。补强层40b和保护层40c是防止元件层40a由于热负荷、外力作用而损伤的层。也可以是没有补强层40b或保护层40c的电容器。
电介质膜41与实施方式3所述电介质膜13相同,可以用同样的制备方法制备。
电容器40可以用实施方式3所述方法制备。但是,在制备电容器40时,需要电介质膜与电极42a或42b相互层压这一点和需要形成外部电极43a和43b这一点与实施方式3所述制备方法不同。外部电极43a和43b可以通过例如金属喷镀法、バンプ电极形成法或导电胶涂布法等形成。
实施方式4的电容器40中的电介质膜41即使在高湿度或高温度下也难以变质,因此可以得到在高湿度或高温度下仍具有优良特性的电容器。
(实施例)
以下通过实施例更详细地说明本发明。
(实施例1)
实施例1对制备通式(1)所示双(4-巯基苯基)硫醚衍生物中R为氢、n为2的单体的一个例子进行说明。还对制备通式(1)所示双(4-巯基苯基)硫醚衍生物中R为甲基、n为4的单体的一个例子进行说明。
首先,将25.0g(0.10摩尔)上述化学式(2)所示双(4-巯基苯基)硫醚、16.1g(0.20摩尔)2-氯乙醇、27.6g(0.20摩尔)碳酸钾和300ml甲基异丁基酮收集到容量为1升的烧瓶中,通过在回流下持续搅拌6小时使它们发生反应。反应结束后,边搅拌边向得到的溶液中缓慢加入50ml 5%的盐酸水溶液,之后再加入300ml甲苯。用蒸馏水反复洗涤由此得到的溶液,直到pH为7。然后,将洗涤后的溶液用无水硫酸钠干燥后,馏去溶剂,得到32g以下化学式(8)所示中间产物。
Figure A0181596200161
接下来,向32g化学式(8)所示中间产物中加入320g丙烯酸甲酯和0.32g钛酸四丁酯(相对于中间产物为1%重量份)以及0.16g聚合抑制剂对甲氧基苯酚(相对于中间产物为5/1000重量份),回流10小时后,馏去丙烯酸甲酯。将由此得到的反应产物溶解于300mL甲苯之后,用50ml 5%的苛性钠水溶液与50ml 5%的盐酸水溶液顺序洗涤该溶液。再将上述溶液用蒸馏水洗涤至pH 7,之后用无水硫酸钠干燥。向该溶液中追加0.16g对甲氧基苯酚,馏去溶剂得到熔点为20℃的半固体。对该半固体进行红外光谱分析和凝胶渗透色谱(GPC)测定。
红外光谱分析的测定结果如图5所示。由图5可以看到基于丙烯酸酯的1725cm-1处的吸收峰。GPC未检测到原料、中间产物和副产物。由此可以判断最终得到的半固体是以下化学式(9)所示双(4-丙烯酰氧基亚乙基硫代苯基)硫醚。
Figure A0181596200162
下面对制备通式(1)所示有机化合物中R为甲基、n为4的双(4-甲基丙烯酰氧基亚丁基硫代苯基)硫醚的一个例子进行说明。
在这种情况下,只需要改变制备化学式(9)所示双(4-丙烯酰氧基亚乙基硫代苯基)硫醚的步骤中所用的原料,可以采用与上述制备方法相同的方法进行制备。具体地说,使用4-氯-1-丁醇代替2-氯乙醇,使用甲基丙烯酸甲酯代替丙烯酸甲酯即可。由此可以得到以下化学式(10)所示双(4-甲基丙烯酰氧基亚丁基硫代苯基)硫醚。
Figure A0181596200171
(实施例2)
实施例2对制备通式(4)所示单体中R为甲基的单体的一个例子进行说明。
首先,将17.5g(0.10摩尔)对二氯二甲苯、15.6g(0.20摩尔)2-巯基乙醇、27.6g(0.20摩尔)碳酸钾和300ml甲基异丁基酮收集到容量为1升的烧瓶中,通过在回流下持续搅拌6小时使它们发生反应。反应结束后,与实施例1同样处理所得溶液,得到23g以下化学式(7)所示中间产物。
Figure A0181596200172
接下来,向23g化学式(7)所示中间产物中加入230g甲基丙烯酸甲酯和0.23g钛酸四丁酯(相对于中间产物为1%重量份)以及0.12g聚合抑制剂对甲氧基苯酚(相对于中间产物为5/1000重量份),回流10小时后,馏去甲基丙烯酸甲酯。与实施例1同样处理由此得到的反应产物,得到淡黄色的透明液体。对该液体进行红外光谱分析和GPC测定。
红外光谱分析的测定结果如图6所示。由图6可以看到基于甲基丙烯酸酯的1725cm-1处的吸收峰。GPC未检测到原料、中间产物和副产物。由此可以判断最终得到的液体是以下化学式(11)所示1,4-双(甲基丙烯酰氧基亚乙基硫代甲基)苯。
Figure A0181596200173
通过使用丙烯酸甲酯代替甲基丙烯酸甲酯,与化学式(7)所示中间产物反应,可以与上述制备方法同样的方法制备通式(4)的R为氢的单体。
(实施例3)
实施例3对照图2A-D,对制备本发明的电子部件、图1A所示电容器的一个例子进行说明。
首先,准备厚度为25μm的PET衬底11,以100nm/秒的堆积速度向该PET衬底11上蒸镀包括铝的下部电极膜12(厚30nm)。
之后通过向下部电极膜12上蒸镀单体,形成包括单体的薄膜13a(厚度200nm)(参照图2B)。具体地说,进行加热,使如图3所示的装有单体31的容器32的蒸镀速度为500nm/秒,在露出下部电极膜12的一部分的位置形成薄膜13a。
之后,通过用-15kV的加速电子以50μA/cm2的密度照射上述薄膜2秒钟,使上述薄膜中的单体聚合,形成电介质膜13(参照图2C)。
之后,以100nm/秒的堆积速度在电介质膜13的上方与下部电极膜12不相接触的位置蒸镀包括铝的上部电极膜14(参照图2D)。
实施例3中使用化学式(9)的单体、化学式(11)的单体、添加了3%重量抗氧化剂IRGANOX1520L的化学式(11)的单体、化学式(5)的单体以及化学式(6)的单体,制备5种不同的电容器。由此得到实施样品1-5。
作为比较例,用以下化学式(A)和(B)所示单体制备2种电容器(比较样品1和2)。
测定以上7种电容器的(i)吸湿容量变化率与(ii)高温负荷容量变化率。对于使用化学式(9)、(A)及(B)的电容器,研究(iii)电容器浸渍在温水中时厚度的变化。评价方法如下所述。评价结果如表1所示。
(表1)
单体 抗氧化剂   吸湿容量变化率(%)     高温负荷容量变化率 厚度变化
实施样品1 化学式(9) 未添加     +5.5     -1%至0%   无变化
实施样品2 化学式(11) 未添加     +7.0     -2%   -
实施样品3 化学式(11) 3%质量     +7.0     -1%至0%   -
实施样品4 化学式(5) 未添加     +1.0     -1%至0%   -
实施样品5 化学式(6) 未添加     +6.4     -1%至0%   -
比较样品1 化学式(A) 未添加     +18     -5%   2-3倍
比较样品2 化学式(B) 未添加     +8.0     ≤-10%   2-3倍
由表1可以看出,在对实施样品1-5的电容器的吸湿容量变化率和高温负荷容量变化率的评价中,它们都表现出优于比较样品1和2的电容器的特性。也就是说,通过使用具有硫与芳环共价结合的分子结构或者硫与芳环通过亚烷基结合的分子结构的本发明单体来形成电容器的电介质膜,可以得到在高湿度下和高温度下仍具有优良特性的电容器。
以下对表1所示特性的评价方法进行详述。
(i)如下评价吸湿容量变化率。首先,将电容器在105℃的环境下干燥10小时,测定初期容量C11。测定向电容器施加频率1kHz、电压1Vrms的正弦波时的容量。之后,将电容器在温度60℃、相对湿度95%的环境下放置100小时,在与初期容量同样的条件下测定放置后的容量(吸湿时的容量)C12。吸湿容量变化率为(C12-C11)/C11×100(%)表示的值。吸湿容量变化率越小,在湿度环境下的容量稳定性越高,是优选的制品。因此,使该吸湿容量变化率尽可能小是特别重要的。
(ii)如下评价高温负荷容量变化率。首先,将电容器在105℃的环境下干燥10小时,测定初期容量C21。测量向电容器施加频率1kHz、电压1Vrms的正弦波时的容量。之后,在温度105℃的环境下向电容器外加16V直流电的状态下放置50000小时,在与初期容量同样的条件下测定放置后的容量C22。高温负荷容量变化率为(C22-C21)/C21×100(%)表示的值。高温负荷容量变化率的绝对值越小,表示在高温时越难氧化,是优选的制品。特别是,近年来伴随着CPU的高速化电子部件的耐高温性变得重要,高温负荷容量变化率的绝对值小成为评价电容器的重要指标。
(iii)如下评价在温水中浸渍后厚度的变化。首先,测定电容器的厚度。接下来,将电容器在90℃的温水中浸渍3.5小时,之后将电容器从温水中取出,再次测定厚度。然后,将温水浸渍前的厚度与浸渍后的厚度进行比较。该厚度变化越大,表示电介质膜吸湿,与包括金属的电极膜的粘合性降低。因此,厚度的变化越小,电介质膜与电极膜的粘合性越高,是优选的制品。
评价各样品的介电损耗因数(tanδ),结果显示实施样品1-5的电容器表现出与比较样品1和2的电容器同等或更高的特性。向电容器施加频率1kHz、电压1Vrms的正弦波,测定介电损耗因数(tanδ)。介电损耗因数越小,电容器自身消耗的电力越小,是优选的制品。
上述实施方式和实施例对本发明的电子部件为电容器的情况进行了说明,但本发明的电子部件并不限于此,只要具有上述实施方式中所述的电介质膜,则可以是任何电子部件。具体地说,可以用作例如线圈、电阻、电容性电池、其他电子部件的支承件等。
以上举例对本发明的实施方式进行了说明,但本发明不限于上述实施方式,可以适用于基于本发明技术思想的其他实施方式。
产业上的可利用性
如上所述,本发明提供上述通式(1)所示的新的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物。通式(1)所示本发明的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物可用于电子部件,特别是例如电容器、线圈、电阻、电容性电池、其他电子部件的支承件等。通过用本发明的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物形成电介质膜,并将其用于电子部件,可以得到在高湿度下和高温度下仍具有优良特性的电子部件。
根据本发明的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物的制备方法,可以容易地制备上述通式(1)所示的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物。
由本发明的电子部件可以得到即使在高湿度下或高温度下仍具有优良特性的电子部件。特别是,通过将本发明用于电容器,可以得到由环境引起的特性变化少的高质量电容器。

Claims (14)

1.以下通式(1)所示的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物:
Figure A0181596200021
(式中R表示氢或甲基,n表示1-4且包括1和4的整数)。
2.权利要求1的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物,其中所述R为氢,所述n为2。
3.双(4-巯基苯基)硫醚衍生物的制备方法,其特征在于包括:
第一步骤,通过使以下化学式(2)所示双(4-巯基苯基)硫醚与碳原子数至多为4的ω-卤代烷醇反应,制备以下通式(3)所示有机化合物;和
第二步骤,通过使丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯与上述通式(3)所示有机化合物反应,制备以下通式(1)所示双(4-巯基苯基)硫醚衍生物,(式中n表示1-4且包括1和4的整数)(式中R表示氢或甲基,n表示1-4且包括1和4的整数)。
4.权利要求3的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物的制备方法,其中上述第一步骤中所述ω-卤代烷醇为2-卤代乙醇,上述第二步骤中使丙烯酸甲酯与上述通式(3)所示有机化合物反应。
5.权利要求3的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物的制备方法,其中上述第一步骤在碱性催化剂碱金属碳酸盐的存在下进行。
6.权利要求3的双(4-巯基苯基)硫醚衍生物的制备方法,其中上述第二步骤在酯交换反应催化剂烷氧基钛或有机锡化合物的存在下进行。
7.具有电介质膜的电子部件,其特征在于:
所述电介质膜是在形成了含至少一种以上单体的薄膜后,通过使上述薄膜中的上述单体发生聚合反应而形成的膜;
上述单体具有硫与芳环共价结合的分子结构或者硫与芳环通过亚烷基结合的分子结构。
8.权利要求7的电子部件,它还具有一对夹有上述电介质膜的至少一部分并相向布置的电极。
9.权利要求7的电子部件,其中所述单体包含以下通式(1)所示单体(式中R表示氢或甲基,n表示1-4并包括1和4的整数)。
10.权利要求7的电子部件,其中所述单体包含以下通式(4)所示单体(式中R表示氢或甲基)。
11.权利要求7的电子部件,其中所述单体包含以下化学式(5)所示单体
Figure A0181596200041
12.权利要求7的电子部件,其中所述单体包含以下化学式(6)所示单体
13.权利要求7的电子部件,其中所述薄膜还包含添加剂。
14.权利要求13的电子部件,其中所述添加剂包含抗氧化剂。
CNB018159621A 2000-07-24 2001-07-23 双(4-巯基苯基)硫醚衍生物、其制备方法以及电子部件 Expired - Fee Related CN1214005C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP222713/2000 2000-07-24
JP2000222713A JP3441425B2 (ja) 2000-07-24 2000-07-24 コンデンサ
JP222712/2000 2000-07-24
JP2000222712A JP2002037770A (ja) 2000-07-24 2000-07-24 ビス(4−メルカプトフェニル)スルフィド誘導体およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1461296A true CN1461296A (zh) 2003-12-10
CN1214005C CN1214005C (zh) 2005-08-10

Family

ID=26596572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB018159621A Expired - Fee Related CN1214005C (zh) 2000-07-24 2001-07-23 双(4-巯基苯基)硫醚衍生物、其制备方法以及电子部件

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7006344B2 (zh)
KR (1) KR100556214B1 (zh)
CN (1) CN1214005C (zh)
DE (1) DE10196442B4 (zh)
GB (1) GB2388840B (zh)
MY (1) MY141740A (zh)
TW (1) TWI245034B (zh)
WO (1) WO2002008180A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102385985A (zh) * 2011-08-05 2012-03-21 贵州大学 金属薄膜电容及其制备方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008101806A2 (en) * 2007-02-20 2008-08-28 Basf Se High refractive index monomers, compositions and uses thereof
SG11201507619PA (en) 2013-03-15 2015-10-29 Ct For Drug Res And Dev Cytotoxic and anti-mitotic compounds, and methods of using the same
CN106255513B (zh) 2013-12-27 2022-01-14 酵活有限公司 用于药物偶联物的含磺酰胺连接系统
CA2960899C (en) 2014-09-17 2021-08-17 Zymeworks Inc. Cytotoxic and anti-mitotic compounds, and methods of using the same
JP6005313B1 (ja) * 2016-02-10 2016-10-12 古河電気工業株式会社 導電性接着フィルムおよびこれを用いたダイシング・ダイボンディングフィルム
JP6005312B1 (ja) 2016-02-10 2016-10-12 古河電気工業株式会社 導電性接着フィルムおよびこれを用いたダイシング・ダイボンディングフィルム
JP5989928B1 (ja) 2016-02-10 2016-09-07 古河電気工業株式会社 導電性接着フィルムおよびこれを用いたダイシング・ダイボンディングフィルム
JP5972489B1 (ja) 2016-02-10 2016-08-17 古河電気工業株式会社 導電性接着フィルムおよびこれを用いたダイシング・ダイボンディングフィルム
JP5972490B1 (ja) 2016-02-10 2016-08-17 古河電気工業株式会社 導電性接着剤組成物ならびにこれを用いた導電性接着フィルムおよびダイシング・ダイボンディングフィルム

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2636022A (en) * 1950-09-14 1953-04-21 Sprague Electric Co Dielectric compositions
US4046744A (en) * 1976-07-28 1977-09-06 Rohm And Haas Company Thermosetting coatings based on ketoxime-blocked isocyanates and oxazolidines
JPS57187327A (en) 1981-05-13 1982-11-18 Toray Ind Inc Poly-p-phenylene sulfide film
EP0147696B1 (en) 1983-12-19 1991-07-10 SPECTRUM CONTROL, INC. (a Pennsylvania corporation) Miniaturized monolithic multi-layer capacitor and apparatus and method for making
US5125138A (en) * 1983-12-19 1992-06-30 Spectrum Control, Inc. Miniaturized monolithic multi-layer capacitor and apparatus and method for making same
JPS61272917A (ja) * 1985-05-29 1986-12-03 東レ株式会社 コンデンサ
JPS6331929A (ja) 1986-07-25 1988-02-10 Toshiba Corp 部品の間歇供給装置
US5013823A (en) * 1988-12-02 1991-05-07 Kureha Kagaku Kogyo K.K. Poly(arylene sulfide) sheet and production process thereof
JPH02247212A (ja) 1989-03-20 1990-10-03 Showa Denko Kk 硬化性組成物
JPH02258819A (ja) 1989-03-31 1990-10-19 Showa Denko Kk 新規な重合性単量体
US5191061A (en) * 1990-10-24 1993-03-02 Misubishi Petrochemical Co., Ltd. Resin for high-refraction lens containing a sulfur-containing aromatic(meth)acrylate and a mercapto compound
JPH06151652A (ja) 1992-11-16 1994-05-31 Nitto Denko Corp 半導体装置
JPH06291346A (ja) 1993-04-02 1994-10-18 Toray Ind Inc 光起電力素子
US5859145A (en) * 1993-07-13 1999-01-12 Chevron Chemical Company Compositions having ethylenic backbone and benzylic, allylic, or ether-containing side-chains, oxygen scavenging compositions containing same, and process for making these compositions by esterification or transesterification of a polymer melt
EP0952466A3 (en) * 1994-10-18 2000-05-03 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Lens sheet
JP3557012B2 (ja) * 1994-11-01 2004-08-25 住友精化株式会社 硬化性樹脂組成物
JPH08157320A (ja) 1994-12-06 1996-06-18 Mitsui Toatsu Chem Inc 歯科用材料及び歯科用樹脂組成物
US5880170A (en) * 1996-03-13 1999-03-09 Tokuyama Corporation Photopolymerizable composition and transparent cured product thereof
JP3509468B2 (ja) 1996-05-31 2004-03-22 三菱化学株式会社 透明導電性シート
JP3482815B2 (ja) 1996-05-31 2004-01-06 三菱化学株式会社 透明導電性シート
JPH1039111A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Nippon Sheet Glass Co Ltd 平板型マイクロレンズ
JPH10151676A (ja) 1996-11-25 1998-06-09 Mitsubishi Chem Corp 光硬化させた架橋樹脂シートの切断方法
JP3391677B2 (ja) 1997-11-18 2003-03-31 松下電器産業株式会社 積層体及びコンデンサ
JPH11322897A (ja) 1998-05-20 1999-11-26 Nippon Kayaku Co Ltd 光カチオン重合性エポキシ樹脂系固形組成物及び物品
JP2000218738A (ja) 1999-02-01 2000-08-08 Toray Ind Inc 二軸配向ポリフェニレンスルフィド積層フィルムおよびそれを用いてなるコンデンサ
JP3785012B2 (ja) 1999-03-24 2006-06-14 富士通株式会社 感光性高誘電体組成物、その組成物からなる感光性高誘電体膜のパターン形成方法、及びその組成物を用いて製造したコンデンサ内蔵型多層回路基板
JP2001064364A (ja) 1999-08-26 2001-03-13 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2001064363A (ja) 1999-08-26 2001-03-13 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2001310911A (ja) * 2000-04-28 2001-11-06 Sumitomo Seika Chem Co Ltd 誘電体形成物質及び誘電体フィルム
JP2002020508A (ja) 2000-07-04 2002-01-23 Toray Ind Inc ポリフェニレンスルフィドフィルムおよびコンデンサー
JP2002037770A (ja) 2000-07-24 2002-02-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd ビス(4−メルカプトフェニル)スルフィド誘導体およびその製造方法
US6541591B2 (en) * 2000-12-21 2003-04-01 3M Innovative Properties Company High refractive index microreplication resin from naphthyloxyalkylmethacrylates or naphthyloxyacrylates polymers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102385985A (zh) * 2011-08-05 2012-03-21 贵州大学 金属薄膜电容及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE10196442T1 (de) 2003-07-10
GB2388840B (en) 2004-09-08
KR20030029634A (ko) 2003-04-14
TWI245034B (en) 2005-12-11
US7006344B2 (en) 2006-02-28
CN1214005C (zh) 2005-08-10
US20030189808A1 (en) 2003-10-09
KR100556214B1 (ko) 2006-03-03
GB0303935D0 (en) 2003-03-26
DE10196442B4 (de) 2011-03-31
WO2002008180A1 (fr) 2002-01-31
GB2388840A (en) 2003-11-26
MY141740A (en) 2010-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1219807C (zh) 新颖的聚噻吩分散液
TWI325007B (en) Conductive composition and production method thereof, antistatic coating material, antistatic coating, antistatic film, optical filter, and optical information recording medium, and capacitors and production method thereof
TWI310044B (en) Conductive composition and production method thereof, antistatic coating material, antistatic coating, antistatic film, optical filter, and optical information recording medium, and capacitors and production method thereof
CN1214005C (zh) 双(4-巯基苯基)硫醚衍生物、其制备方法以及电子部件
DE2747233C3 (de) Verfahren zur Herstellung von mit (Meth)Acrylsäureestern modifizierten Organopolysiloxanen
CN100335484C (zh) 制备中性聚亚乙二氧基噻吩及其相应物的方法
CN1194767C (zh) 醛除臭剂组合物
CN1260811A (zh) 低有机含量的有机氢化硅氧烷树脂
TW200832452A (en) Conductive film
CN1765986A (zh) 芳族液晶聚酯组合物以及其薄膜
TW200832468A (en) Solid electrolytic capacitor and forming method for the same
JP5745881B2 (ja) 固体電解コンデンサ
DE2346419C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Umsetzungsprodukten von Epoxysilicium-Verbindungen und hydroxyaromatischen Verbindungen und diese enthaltende Überzugsmittel
CN1608296A (zh) 导电性组合物、导电性覆膜和导电性覆模的形成方法
CN1863858A (zh) 基于二甘醇酯的增塑剂组合物及使用该组合物的聚氯乙烯树脂
CN1606110A (zh) 固体电解电容器
CN101952901B (zh) 制备基于聚噻吩及其衍生物呈现增加传导性的涂层之方法
JP2021176704A (ja) はく離フィルム、セラミック部品シート、はく離フィルムの製造方法、セラミック部品シートの製造方法、及び積層セラミックコンデンサの製造方法
JP2014080555A (ja) 熱硬化性組成物及び熱硬化性導電性ペースト
TW202120581A (zh) 有機溶劑中之聚噻吩
CN1243034C (zh) 一种耐热浸渍树脂及其制备方法和应用
JP4225857B2 (ja) 新規なポリビニルエーテル
JPH07292081A (ja) 可溶性で加工可能なドープされた導電性ポリマーおよびその導電性ポリマーブレンド
JP2021134279A (ja) 導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント溶液、導電性高分子およびその製造方法、並びに電解コンデンサおよびその製造方法
JP2004352875A (ja) 層間絶縁膜用樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20050810

Termination date: 20150723

EXPY Termination of patent right or utility model