CN1442740A - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提供一种具有在不特别地增加步骤的情况下形成的凹凸不平结构的透明电极的透射反射型液晶显示装置，在制造该透射反射型液晶显示装置中，在衬底上形成非晶透明导电膜，在该非晶透明导电膜中形成晶体部分以由此形成含有晶体部分的透明导电膜，去除含有晶体部分的透明导电膜表面的非晶部分以由此形成具有通过保留薄膜表面处的晶体部分形成的凹凸不平形状的透明导电膜，并且通过在具有凹凸不平形状的透明电极之上形成反射导电膜来形成具有凹凸不平形状的反射电极。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明涉及无源矩阵型和有源矩阵型的液晶显示装置。具体地，本发明涉及一种具有透射型和反射型两种功能的透射反射(transflective)型液晶显示装置的电极结构。
背景技术
近年来，随着以移动电话为代表的便携式信息终端的爆炸式发展，需要一种能够满足轻重量的构成、保存功耗和使用环境改变的显示器。
此外，从薄膜构成和轻重量的构成的观点出发，液晶显示装置或有机EL显示装置表现出最有前途。
透射型显示装置仅用于驱动显示器的功耗是微不足道的。然而，液晶自身不发光，因此就需要用于显示的背光作为显示器。对于移动电话的使用，通常采用EL背光，然而，背光独立地需要功率并且特别用于液晶的保存功耗的特性没有得以完全利用，这就在保存功耗上存在缺点。此外，尽管在黑暗的环境中，以良好的对比度观看显示器的显示；但在通常明亮的环境中，就不能很好地观看显示器，并在上发射型和下发射型两种情况下都存在根据使用环境的适应性上的缺点。
此外，有机EL显示装置的特征在于显示器自身发光。尽管它的功耗变得比反射型液晶显示装置的功耗更大，但功耗比透射型液晶显示装置(具有背光)的功耗更小。然而，与透射型液晶显示装置的情况类似，尽管在黑暗的环境中能很好地观看显示器的显示，但在通常明亮的环境中就不能很好地观看显示，因此在上发射型和下发射型两种情况下仍然存在根据使用环境的适应性上的缺点。
此外，反射型液晶显示装置利用来自环境的外侧光作为用于显示的光。在显示器一侧，就基本上不需要背光，仅需要用于驱动液晶和驱动电路的功率，因此就获得了功耗的积极保存。此外，与前面两种完全相反，尽管在明亮的环境中也能够很好地观看显示器的显示器，但在黑暗的环境中，不能很好地观看显示器。考虑到便携式信息终端的用途，便携式信息终端主要用于室外并频繁地处于在比较明亮的环境中观看显示器的情况，然而，这仍然不足以满足使用环境的适应性。因此，集成有正面光的反射型液晶显示装置已局部地上市以致甚至在黑暗的环境中也可以进行显示。
因此，对通过组合装置而具有透射型和反射型液晶显示装置两者的优点的透射反射型液晶显示器给予了关注。在明亮的环境中，利用反射型保存功耗和在环境下光学识别性能优良的特性，同时在黑暗的环境中，通过背光利用透射型提供的优良对比度的特性。
在JP11-101992中公开了一种透射反射型液晶显示装置。该装置是一种具有一种可以用作反射和透射型液晶显示装置的构成的反射和透射型(透射反射型)液晶显示装置，其中将用于反射外部光的反射部分和用于透射来自背光的透射部分制造为包含在单个显示器平板中，当环境完全变黑时，通过利用来自背光穿过透射部分透射的光并通过由具有较高反射率的薄膜形成的反射部分反射的光进行显示，并可以用作反射型液晶显示装置，其中当外侧的光明亮时，通过利用由具有较高光反射率的薄膜形成的反射部分来反射的光进行显示。
此外，上述的透射反射型液晶显示装置提供特别是在用于通过反射进行显示的反射部分具有光漫射性能的特殊的凹凸不平结构。因为考虑到结构，反射电极仅将表面上以某一入射角从某一方向入射的光反射到具有在一个具体方向(Snell定律)上具体的发射角度的位置，因此，当表面平坦时，确定发射光的方向和角度相对于光的入射恒定。当在这种状态下制造显示器时，就生产出具有非常差的光学识别性能的显示器。
透射反射型液晶显示器可被认为是一种非常适合于便携式信息终端的特殊使用条件的显示器。特别地，在它用于移动电话时，可以预见在未来将出现相当大的需求。因此，为了确保稳定的需求或满足巨大的需求，明显地存在实现进一步降低成本的需要。
然而，为了形成上面示出的凹凸不平结构，就需要一种附加在反射电极之下的层的凹凸不平形状并随后在其上形成反射电极的方法。
此外，不考虑上述实例，为了制造透射反射型液晶显示装置，就需要用于在反射电极和构成像素电极的透射电极的任何一个表面或两个表面上或在像素电极之下的层处形成凹凸不平结构的构图操作，因此增加了大量步骤。大量步骤的增加会带来产量减少、工艺时间延长或成本增加的缺点。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种具有在不特别增加步骤的情况下形成的凹凸不平结构的透明电极的透射反射型液晶显示装置。
为了解决上述问题，在制造透射反射型液晶显示装置中，本发明的特征在于在不特别增加仅用于在制造工艺中在像素电极表面处提供凹凸不平形状的构图步骤的情况下提供一种凹凸不平形状。
本发明的液晶显示装置是一种液晶显示装置，其特征在于包括衬底之上的透明电极和反射电极；透明导电膜，它通过在衬底之上形成非晶透明导电膜、在非晶透明导电膜中形成晶体部分以由此形成包含晶体部分的透明导电膜、并在包含晶体部分的透明导电膜的薄膜表面处去除非晶部分由此构成由在薄膜表面处保留的晶体部分而形成的凹凸不平形状而形成；以及通过在具有凹凸不平形状的透明导电膜上形成反射导电膜提供的反射电极。
此外，在上述结构中，虽然包含晶体部分的透明导电膜可以通过烧结(加热)非晶透明导电膜形成，但是含有晶体部分的透明导电膜还可以通过采用其它公知的方法形成。此外，在去除包含晶体部分的透明导电膜的薄膜表面处的非晶部分时，可以采用通过在包含晶体部分的透明导电膜的表面上涂覆酸性溶液的腐蚀方法。
此外，通过叠置以便形成包括在透明电极上的反射导电膜的反射电极，该透明电极包括在表面处具有凹凸不平形状的透明导电膜，反射电极的表面由凹凸不平形状构成，因此反射电极提供有散射入射光的功能。此外，在透明电极上没有提供反射电极并且透明电极暴露在表面的部分，构成具有透射光的性能的透明电极。因此，本发明形成具有这样的电极作为像素电极的透射反射型液晶显示装置，该电极具有反射性能和透射性能的两种特性。那就是，根据本发明的像素电极包括反射电极和透射电极并提供有凹凸不平形状。
此外，作为根据本发明的反射导电膜，采用波长范围400至800nm(可见光区)内的垂直反射特性的反射系数等于或大于75％的导电膜。对于这样的材料，可以采用铝(Al)和银(Ag)以及由其作为主要成分构成的合金材料。
通过采用上述方法，通常可以减少在形成凹凸不平形状中采用的光刻步骤，因此可以实现相当大的成本降低并提高生产率。
此外根据本发明的其它结构的液晶显示装置是这样一种液晶显示装置，其特征在于包含薄膜晶体管、透明导电电极和反射导电电极，其中透明导电电极和反射导电电极通过绝缘膜电连接到薄膜晶体管；这样形成透明导电电极，通过在绝缘膜的表面处形成非晶透明导电膜，通过烧结非晶透明导电膜形成包含晶体部分的透明导电膜，并且通过酸性溶液来腐蚀包含晶体部分的透明导电膜的表面由此在表面处构成凹凸不平形状；以及在具有凹凸不平形状的透明导电膜上形成反射导电膜。
根据该结构，通过在具有凹凸不平形状的透明电极上形成反射导电膜，不仅形成具有凹凸不平形状的反射电极而且可以同时形成电连接反射电极和薄膜晶体管的导线。
此外，以随机形状和随机排列形成透明电极表面的凹凸不平形状并电连接到连续地形成的反射电极。
此外，在像素部分，特征在于通过在用于形成透明电极的透明导电膜上叠置形成的反射导电膜所占的面积比是像素部分面积的50至90％。
此外，本发明的液晶显示装置是一种液晶显示装置，其特征在于包括：包括第一透明导电电极和反射导电电极的第一衬底；包括第二透明导电电极的第二衬底和液晶，其中这样形成第一透明导电电极，在衬底上形成非晶透明导电膜、通过烧结非晶透明导电膜形成包含晶体部分的透明导电膜并通过酸性溶液来腐蚀包含晶体部分的透明导电膜的表面由此在表面处构成凹凸不平形状；在具有凹凸不平形状的透明导电膜上形成反射导电膜，第一衬底的薄膜形成面和第二衬底的薄膜形成面彼此相对排列并且液晶置于第一衬底和第二衬底之间。
此外，本发明的液晶显示装置是一种液晶显示装置，其特征在于包括：第一衬底，包括薄膜晶体管，第一透明导电电极和反射导电电极；包括第二透明导电电极的第二衬底和液晶，其中第一透明导电电极和反射导电电极通过绝缘膜电连接到薄膜晶体管，这样形成第一透明导电电极，在绝缘膜的表面处形成非晶透明导电膜，通过烧结非晶透明导电膜形成包含晶体部分的透明导电膜并通过酸性溶液腐蚀包含晶体部分的透明导电膜由此在表面处构成凹凸不平形状；在具有凹凸不平形状的透明导电膜上形成反射导电膜，第一衬底的薄膜形成面和第二衬底的薄膜形成面彼此相对排列并且液晶置于第一衬底和第二衬底之间。
根据上述各种结构，进行非晶透明导电膜的烧结以致出现一种状态，其中混合有其中通过加热晶体生长的晶体部分和其中尚未形成晶体的非晶部分。具体地，尽管通过在150℃至250℃下烧结可以形成非晶透明导电膜，更优选在200℃、60分钟下烧结非晶透明导电膜。
此外，在上述各种结构中，在烧结非晶透明导电膜后可以抛光透明导电膜表面处的非晶部分。此外，作为抛光方法，可以采用除公知的机械抛光方法或化学抛光方法之外的CMP方法(化学机械抛光)。
此外，在上述各种结构中，作为酸性溶液，可以优选采用氢氟酸、硝酸、硫酸、盐酸等强酸。此外，通过在烧结处理之后在透明导电膜上涂覆酸性溶液进行腐蚀，去除透明导电膜表面处大部分非晶部分并保留晶体部分。
通过上面的描述，可以在透明导电膜表面上形成包含具有颗粒形状的晶体部分的透明导电膜的凹凸不平形状。
附图说明
图1A-1D是用于解释根据本发明在电极表面上制造凹凸不平形状的步骤图；
图2A和2B是用于解释根据本发明的电极表面的凹凸不平形状的视图；
图3A-3D是用于解释根据本发明制造液晶显示装置的步骤图；
图4是用于解释根据本发明制造液晶显示装置的步骤图；
图5是用于解释根据本发明制造液晶显示装置的步骤图；
图6是用于解释根据本发明制造液晶显示装置的步骤图；
图7是用于解释根据本发明制造液晶显示装置的步骤图；
图8A-8D是用于解释根据本发明制造液晶显示装置的步骤视；
图9是用于解释根据本发明制造液晶显示装置的步骤图；
图10是用于解释根据本发明制造液晶显示装置的步骤图；
图11是用于解释根据本发明的液晶显示装置的结构图；
图12A和12B是透明导电膜表面的AFM照片；
图13A和13B是透明导电膜表面的AFM照片；
图14A和14B是透明导电膜表面的AFM照片；
图15是用于解释能够在本发明中采用的电路结构图；
图16是用于解释能够在本发明中采用的电路结构图；
图17是用于解释根据本发明的液晶显示装置的外观图；
图18A-18F是示出电子装置的实例视图。
具体实施方式
将参照图1A-1D解释本发明的一个实施例。在衬底101上形成非晶透明导电膜102(图1A)。
此外，采用氧化铟锡(ITO)薄膜或混合有2至20％的氧化锌(ZnO)的氧化铟的薄膜作为用于形成透明导电膜的材料，并形成100至200nm膜厚的薄膜。
随后，通过在200℃、60分钟下烧结非晶透明导电膜102，晶化透明导电膜的一部分。由此，在烧结的透明导电膜中就使非晶状态区域a103和晶体状态区域b 104混合(图1B)。
在此状态下，抛光透明导电膜的表面。作为抛光方法，还可以通过采用除公知的机械抛光方法或化学抛光方法之外的CMP方法来抛光表面。进一步地，这里通过抛光透明导电膜的表面，就在薄膜的表面处暴露晶体状态下的颗粒。这是因为非晶状态与晶体状态比较，由于晶体状态提供有晶体结构，晶体状态的抛光速率就小于非晶状态的抛光速率。因此，就具有易于在后续处理中形成透明导电膜的薄膜表面的凹凸不平形状的优点，然而，根据本发明，不必要必须进行抛光处理，因此可以省略抛光处理。
随后，通过在混合有非晶状态和晶体状态的透明导电膜的薄膜表面上涂覆酸性溶液，就可以只在薄膜的表面处只保留晶体状态的部分，并且可以去除非晶状态的部分。此外，作为酸性溶液，可以采用氢氟酸、硝酸、硫酸或盐酸。通过酸性溶液的这种方式使晶体状态的颗粒保留在透明导电膜的薄膜表面上，可以在透明导电膜的薄膜表面上形成凹凸不平形状。即，可以通过包含晶体状态的透明导电膜105在薄膜表面上形成凹凸不平形状(图1C)。
此外，图12A和12B示出通过上述处理的具有凹凸不平形状的透明导电膜表面的状态。图12A示出通过AFM(原子力显微镜)观测衬底的结果，其中作为非晶透明导电膜形成的ITO膜在200℃、60分钟下烧结并通过0.5％的氢氟酸处理5秒钟，图12B示出通过AFM观测衬底的结果，其中ITO膜在200℃、60分钟下烧结、随后通过CMP抛光并通过0.5％的氢氟酸处理5秒钟。当比较两个样品时，在两个样品中都观测到在ITO膜表面上具有凹凸不平形状的状态，已经知道插入CMP处理的图12B的样品在表面的突出部分提供有更圆形的(凸出)形状。通过圆形形状就可以使凹凸不平形状(凸出和凹陷)的斜率分布更宽，因此根据本发明，更优选的方法是插入CMP处理。
此外，图13A和13B示出观测一种情况的结果，在该情况中通过氢氟酸的处理时间不同于图12A和12B的处理时间。此外，图13A示出通过AFM观测衬底的结果，其中作为非晶透明导电膜形成的ITO膜在200℃、60分钟下烧结并通过0.5％的氢氟酸处理15秒钟，图13B示出通过AFM观测衬底的结果，其中ITO膜在200℃、60分钟下烧结、随后通过CMP抛光并通过0.5％的氢氟酸处理15秒钟。
比较图13A和13B中所示的ITO膜表面和图12A和12B中所示的ITO膜表面，图13A和13B示出通过0.5％的氢氟酸处理15秒钟ITO膜的结果的情况下比图12A和12B示出通过0.5％的氢氟酸处理5秒钟ITO膜的结果的情况下的表面更加平坦。因此，尽管根据本发明通过氢氟酸进行处理15秒钟或更少时间可以形成凹凸不平形状，但更加优选进行5秒钟处理以便通过此后形成的反射膜提供优良的散射特性。
此外，比较图14A和14B以及图12A和12B，图14A示出通过AFM观测衬底的结果，其中烧结作为非晶透明导电膜形成的ITO膜的温度改变为250℃，在250℃、60分钟下烧结ITO膜，此后，通过0.5％的氢氟酸处理ITO膜5秒钟，图14B示出通过AFM观测衬底的结果，其中在250℃、60分钟下烧结、此后通过CMP抛光并通过0.5％的氢氟酸、5秒钟处理ITO膜。
比较图14A和14B中所示的ITO膜表面和图12A和12B中所示的ITO膜表面，已经知道图14A和14B中的ITO表面几乎没有提供有凹凸不平形状。似乎是通过在200℃、60分钟下烧结ITO膜在ITO膜表面上形成晶体状态和非晶状态，因此当通过氢氟酸进行处理时，只保留晶体状态部分以便形成凹凸不平状态，然而，通过在250℃、60分钟下烧结ITO膜，几乎所有的ITO膜表面出现晶体状态，因此，即使当通过氢氟酸处理表面时，就很难去除表面，因此就不能形成凹凸不平状态。
如上所述，通过在200℃、60分钟下烧结作为非晶透明导电膜形成的ITO膜并通过0.5％的氢氟酸、5秒钟处理ITO膜完成本发明。此外，更加优选在进行氢氟酸处理之前进行CMP方法。
随后，在含有晶体状态的透明导电膜105上形成反射导电膜106。此外，尽管形成反射导电膜以至与形成的含有晶体状态的透明导电膜重叠，根据本发明，因为通过结合透明电极和反射电极来形成像素电极就形成透射反射型液晶显示器，该透明电极包括包含晶体状态的透明导电膜105，该反射电极包括反射导电膜106，在像素部分形成反射导电膜106以便构成包含晶体状态的透明导电膜105所占据面积的50至90％(图1D)。
此外，通过在包含具有凹凸不平形状的晶体状态的透明导电膜105上形成反射导电膜106，还可以由凹凸不平形状构成反射导电膜106的薄膜表面。以此方式，不必采用特殊的用于形成凹凸不平形状的光刻步骤就可以形成具有凹凸不平形状的反射导电膜。此外，通过由凹凸不平形状构成反射导电膜106的薄膜表面，就可以获得散射表面上入射的光的功能。
此外，图2A示出根据本发明的透明电极和反射电极的部分剖面图，并且图2B是对应于图2A所示的部分顶视图。
根据本发明的结构，如图2A和图2B所示，在透明电极202上形成包括反射导电膜106的反射电极203，透明电极202包括衬底201之上的图1D所示的含有晶体状态的透明导电膜105。
此外，尽管通过构成由反射电极203表面上的凹凸不平形状反射的光来散射在反射电极203上的入射光，但是在没有形成反射电极203并暴露透明电极202的部分上的入射光就可以构成透射光以便通过透明电极202透射并发射到底板201一侧。因此，根据本发明的结构，不用增加TFT工艺就可以提高显示器的光学识别性能。
此外，通过彼此面向其电极形成面来耦合在实施例中解释的衬底之上具有TFT的元件衬底(图10)和未示出的具有相对电极的相对衬底并在其间提供液晶就可以形成透射反射型液晶显示器。
(实例)
下面将解释本发明的实施例。
(实例1)
根据本实例，将示出具有顶栅型TFT的有源矩阵衬底的制造步骤的实例。此外，将采用图3A至图7示出的一部分像素部分的顶视图和剖面图来用于解释。
首先，在具有绝缘表面的衬底301上形成非晶半导体层。这里，采用石英衬底作为衬底301并形成10至100nm膜厚的非晶半导体层。
此外，除石英衬底之外可以采用玻璃衬底或塑料衬底。当采用玻璃衬底时，玻璃衬底可以在低于玻璃应变点大约10至20℃的温度下进行热处理。此外，可以在用于形成TFT的衬底301表面上形成包括氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜的绝缘膜的基底膜以防止杂质从衬底301扩散。
通过LPCVD方法形成60nm膜厚的非晶硅膜作为非晶半导体层。随后，晶化非晶半导体层。这里，通过采用JP8-78329中描述的技术晶化非晶半导体层。根据公开文件中描述的技术，非晶硅膜选择地添加有助于晶化非晶硅膜的金属元素，并进行热处理以便由此通过添加的区域构成起点扩展形成晶体硅膜。这里，采用镍作为用于帮助结晶化的金属元素，并且在用于脱氢(450℃、1小时)的热处理之后，进行用于结晶化(600℃、12小时)的热处理。此外，尽管这里采用在公开文件中描述的技术用于结晶化，本发明不特别限制于该技术而可以采用公知的晶化方法(激光晶化方法、热晶化方法)。
此外，为了提高晶化率并消除保留在晶体颗粒中的缺陷需要辐射激光束(XeCl：波长308nm)。采用具有波长等于或小于400nm的准分子激光束或YAG激光器的二次谐波或三次谐波作为激光束。无论如何，可以采用具有大约10至1000Hz的重复频率的脉冲激光束，通过光学系统可以将激光束聚焦到100至400mJ/cm2、以90至95％的重叠率幅照并扫描硅膜表面。
接着，从构成TFT的有源层的区域吸收Ni。这里，将示出利用包含稀有气体元素的半导体层的实例作为吸杂方法。除了通过辐射激光束形成的氧化膜之外，通过臭氧水处理表面120秒形成包括1至5nm总厚度的氧化膜的阻挡层。接着，通过溅射方法在阻挡层上形成含有氩元素构成吸杂点的150nm膜厚的非晶硅膜。根据通过实例的溅射方法的薄膜形成条件，薄膜形成压力设置为0.3Pa，气体(Ar)流速设置为50(sccm)，薄膜形成功率设置为3kW并且衬底温度设置为150℃。此外，在上述条件下，在非晶硅膜中含有的氩元素的原子浓度落入3×1020/cm3至6×1020/cm3的范围，并且氧的原子浓度落入1×1019/cm3至3×1019/cm3的范围。此后，通过采用灯退火设备进行650℃、3分钟热处理的吸杂。此外，可以采用电炉替代灯退火设备。
接着，通过由阻挡层构成腐蚀停止物，选择地去除含有氩元素构成吸杂点的非晶硅膜，此后通过稀释的氢氟酸选择地去除阻挡层。此外，在吸杂中，由于镍趋向于移动到具有高浓度氧的区域，因此在吸杂之后优选去除包括氧化膜的阻挡层。
在通过臭氧水在具有提供的晶体结构的硅膜(还称为多晶硅膜)表面上形成薄氧化膜之后，形成包括抗蚀剂的掩模，腐蚀硅膜为所需的形状，并形成隔离为岛形形状的半导体层305。在形成半导体层305之后，去除包括抗蚀剂的掩模，形成覆盖半导体层305的100nm膜厚的栅绝缘膜306，此后进行热氧化。
接着，在它的整个表面上或选择地进行沟道掺杂步骤，即将低浓度的P型或N型杂质元素添加到用于构成TFT的沟道区的区域。沟道掺杂步骤是一种控制TFT阈值电压的步骤。此外，已经知道周期定律第13族的元素例如硼(B)、铝(Al)或镓(Ga)作为给予半导体P型的杂质元素。此外，已经知道属于周期定律第15族的元素典型为磷(P)和砷(As)将作为给予半导体n型的杂质元素。此外，这里通过等离子体激活离子掺杂方法而不用将乙硼烷(B2H6)进行质量分离来添加硼。事实上，可以采用进行质量分离的离子注入方法。
接着，形成并构图第一导电膜，由此形成栅电极307和电容导线308。采用氮化钽(TaN)(膜厚30nm)和钨(膜厚370nm)的叠层结构。这里，在本实例中构成双栅结构。此外，通过电容导线308和构成一部分半导体层305的区域(305a)、通过由栅绝缘膜306构成的电介质体构成存储电容器。
随后，通过由栅电极307和电容导线308构成的掩模以低浓度自对准地添加磷。低浓度添加有磷的区域的磷浓度控制为落入1×1016/cm3至5×1018/cm3的范围，典型地为3×1017/cm3至3×1018/cm3。
随后，形成掩模(未示出)并高浓度添加磷，由此形成用于形成源区302或漏区303的高浓度杂质区。高浓度杂质区的磷浓度控制为落入1×1020/cm3至1×1021/cm3的范围(典型地，2×1020/cm3至5×1020/cm3)。此外，半导体层305与栅电极307重叠的区域就成为沟道形成区304并且由掩模覆盖它的区域就成为低浓度杂质区以构成LDD区311。此外，没有被栅电极307、电容导线308和掩模任何之一覆盖的区域就成为包括源区302和漏区303的高浓度杂质区。
此外，根据本实例，在相同衬底上形成像素部分的TFT和驱动电路的TFT，并且在驱动电路的TFT中，可以在沟道形成区两侧上的源和漏区之间提供具有杂质浓度低于源和漏区杂质浓度的低浓度杂质区，或者可以在它的一侧上提供低浓度杂质区。然而，不是必须在两侧上提供低浓度杂质区，并且进行本实例的人员可以适当地设计掩模。
接着，尽管这里未说明，为了形成在衬底上形成的驱动电路中采用的与像素中的一样的p沟道型TFT，通过掩模覆盖用于构成n沟道型TFT的区域，添加硼，形成源区或漏区。
随后，在去除掩模之后，形成用于覆盖栅电极307和电容导线308的第一绝缘膜309。这里，形成50nm膜厚的氧化硅膜，并进行激活以各自的浓度添加到半导体层305的n型或p型杂质元素的热处理。这里，在850℃、30分钟下进行热处理(图3A)。此外，图4示出这种情况下的顶视图。图4中的虚线A-A｀表示的剖面图对应于图3A。
随后，在进行了氢化处理之后，形成包括有机树脂材料的第二绝缘膜317。这里，可以通过采用1μm膜厚的丙烯酸树脂膜来使第二绝缘膜317的表面平坦。由此，就可以避免由第二绝缘膜317之下的层上形成的图形产生的台阶差的影响。接着，在第二绝缘膜317之上形成掩模并形成到达半导体层305的接触孔312(图3B)。此外，在形成接触孔312之后，去除掩模。此外，图5示出此情况下的像素的顶视图。在图5中，虚线A-A｀切割的剖面图对应于图3B。
随后，通过溅射方法形成非晶状态下的120nm的透明导电膜(这里，氧化铟锡(ITO)膜)，此后用清洁的烘箱进行200℃、60分钟的热处理。由此，非晶状态和晶体状态就混合在形成的非晶透明导电膜中。通过采用光刻技术以矩形形状构图薄膜。此外，在进行了湿法腐蚀处理之后，去除掩模。
随后，通过CMP方法抛光透明导电膜表面。这里，通过利用在ITO膜中混合的非晶部分和晶体部分之间的抛光速率显著不同的事实进行处理，因此可使存在于透明导电膜表面处的晶体状态的颗粒保留，并且可以特别选择地去除非晶状态的部分。
根据本实施例，抛光衬垫(pad)(此后，在本说明书中，通常称为衬垫)贴在台板或抛光板上，通过确定的恒定压力将衬底的抛光表面压紧台板上的衬垫，在衬底上形成的ITO膜和衬垫之间提供料浆、分别旋转或摇动台板和衬底、以至由此通过化学和机械的组合操作来抛光工件的表面或ITO膜的表面。此外，采用并以100cc/分钟的流速提供含有大约120nm颗粒尺寸的硅石研磨颗粒的氨水作为料浆。此外，台板的旋转数设置为30rpm，衬底的旋转数设置为30rpm，抛光中的抛光压力设置为300g/cm2并进行抛光时间为0.3分钟的抛光。
随后，通过将酸性溶液涂覆到透明导电膜表面上进行腐蚀。此外，在本实例中，采用0.5％的氢氟酸作为酸性溶液并通过旋涂方法涂覆化学溶液以由此进行腐蚀。此外，尽管可以进行15秒或更短的腐蚀作为通过化学溶液腐蚀的时间段，根据本实施例，时间段设置为5秒。此外，通过采用纯水清洁衬底表面来去除酸性溶液。
由此，在表面处就形成了包括具有凹凸不平形状的透明导电膜的透明电极313(图3C)。此外，图6示出此情况下的像素的顶视图。在图6中，虚线A-A｀切割的剖面图对应于图3C。
随后，通过形成第二导电膜并构图第二导电膜，除了在透明电极313上形成的反射电极314之外，形成构成源极线的导线315和用于电连接TFT310和透明电极313的导线316。此外，在此形成的第二导电膜是一种用于形成根据本发明的反射电极的反射导电膜，并且优选采用铝、银或由它们的主要元素形成的合金金属。
根据本实施例，采用通过溅射方法由50nm的Ti膜和含有Si的500nm的铝膜连续地形成的两层结构的叠层膜作为第二导电膜。
此外，采用光刻技术作为构图方法，在与透明电极313重叠的位置处形成反射电极314和导线315和316。此外，采用干法腐蚀作为这里采用的腐蚀方法。此外，由于根据本发明的液晶显示装置是一种透射反射型液晶显示装置，与透明电极313重叠而形成的反射电极314的面积构成透明电极313所占据的面积的50至90％。
由此当已经形成反射电极314和导线315和316时，去除抗蚀剂并提供图3D所示的结构。此外，图7示出此情况下的像素的顶视图。在图7中，虚线A-A｀切割的剖面图对应于图3D。
此外，通过在透明电极313上形成反射电极314，在透明电极313和反射电极314形成重叠的部分，由反射电极314反射光，并且在没有形成反射电极314的部分处暴露透明电极313到表面，光传输通过透明电极313的内部并发射到衬底301一侧。
在这种方式下，就可以在相同衬底上形成具有双栅结构的n沟道型TFT和控制电容的像素部分以及具有n沟道型TFT和p沟道型TFT的驱动电路。在本说明书中，这种衬底方便地称为有源矩阵衬底。
此外，本实例只是一个实例，并且本发明不会自然地限制于本实施例的步骤。例如，可以采用选自由钽(Ta)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)和硅(Si)组成的组中的元素或结合此元素的合金(典型地，Mo-W合金、Mo-Ta合金)的薄膜作为各导电膜。此外，可以采用氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、有机树脂材料(聚酰亚胺、丙烯酸树脂、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺脂(polyimideamide)、BCB(苯并环丁烯(benzocyclobutene))等)的薄膜作为各绝缘膜。
此外，根据在本实施例中所示的步骤，可以在图3C中形成的表面上形成具有凹凸不平形状的透明电极，因此如图3C所示，可以由凹凸不平形状构成在透明电极313上形成的反射电极的表面。通过进行上述方法在用于形成透明电极的透明导电膜处形成凹凸不平形状，因此不增加光刻步骤或光刻掩模的数量就能形成凹凸不平形状。
如上所述，通过实施本实施例，可以容易地由凹凸不平形状构成反射电极的表面，因此可以提高显示器平板的光学识别性能。
(实施例2)
在本实例中，将参照图8A至图10详细地解释具有与实例1不同结构的透射反射型液晶显示装置的制造方法。
首先，如图8A所示，在衬底801上形成非晶半导体膜，晶化非晶半导体膜，此后通过构图形成分离为岛状形状的半导体层805。此后，在半导体层805上形成包括绝缘膜的栅绝缘膜806。此外，直到形成栅绝缘膜806的制造方法与实例1所示的制造方法相同，因此可以参考实例1。此外，类似地，形成覆盖半导体层805的绝缘膜，此后，进行热氧化并形成栅绝缘膜806。
随后，在它的整个面上或选择地进行将p型和n型杂质元素以低浓度添加到用于构成TFT的沟道区的区域的沟道掺杂步骤。
此外，通过在栅绝缘膜806上形成导电膜并构图该导电膜，就可以形成栅电极807、电容导线808和用于构成源极线的导线809。此外，通过将50至100nm厚度形成的TaN(氮化钽)和100至400nm厚度形成的W(钨)叠置形成根据本实施例的第一导电膜。
此外，尽管通过采用TaN和W的叠层膜形成导电膜，本发明不特别限制于此，而可以通过选自Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu组成的组中选择的元素或该元素为主要成分构成的合金材料或化合物材料形成导电膜。此外，可以采用掺杂有磷等杂质元素的多晶硅膜来代表的半导体膜。
随后，通过由栅电极807和电容导线808构成的掩模以低浓度自对准地添加磷。以低浓度添加有磷的区域的磷浓度控制为落入1×1016至5×1018/cm3的范围，典型地为3×1017至3×1018/cm3。
随后，通过形成掩模(未示出)以高浓度添加磷，形成用于构成源区802或漏区803的高浓度杂质区。高浓度杂质区的磷浓度控制为落入1×1020至1×1021/cm3的范围(典型地，2×1020至5×1020/cm3)。此外，半导体层805与栅电极807重叠的区域就构成沟道形成区804并且由掩模覆盖的区域就成为低浓度杂质区以构成LDD区811。此外，没有被栅电极807、电容导线808和掩模任何之一覆盖的区域就成为包括源区802和漏区803的高浓度杂质区。
此外，在本实例中，与实例1类似，为了在与像素相同的衬底上形成的驱动电路中形成p沟道TFT，还由掩模覆盖用于构成n沟道TFT的区域并添加硼以至由此形成源区或漏区。
随后，在去除掩模之后，形成覆盖栅电极807、电容导线808和导线(源极线)809的第一绝缘膜810。这里，形成50nm膜厚的氧化硅膜，并进行激活以各自的浓度添加到半导体层805的n型或p型杂质元素的热处理步骤。这里，在850℃、30分钟下进行热处理(图8A)。
随后，在进行了氢化处理之后，形成包括有机区域材料的第二绝缘膜813。这里，可以通过采用1μm膜厚的丙烯酸树脂膜来使第二绝缘膜813的表面平坦。由此，就可以避免由第二绝缘膜813之下的层上形成的图形产生的台阶差的影响。接着，在第二绝缘膜813上形成掩模，并通过腐蚀形成到达半导体层805的接触孔812(图8B)。此外，在形成接触孔812之后，去除掩模。
随后，在通过溅射方法形成120nm的透明导电膜(这里，氧化铟锡(ITO)膜)后，由清洁的烘箱进行200℃、60分钟的热处理。由此，非晶状态和晶体状态就混合在形成的非晶透明导电膜中。通过采用光刻技术以矩形形状构图薄膜。此外，在进行了湿法腐蚀处理之后，去除掩模。
随后，通过CMP方法抛光透明导电膜表面。这里，通过采用在ITO膜中混合的非晶部分和晶体部分之间的抛光速率显著不同的事实进行处理，因此可使存在于透明导电膜表面处的晶体状态的颗粒保留，并且可以部分选择地去除非晶状态的部分。
根据本实施例，抛光衬垫(此后，在本说明书中，通常称为衬垫)贴在台板或抛光板上，通过恒定压力将衬底的抛光表面压紧台板上的衬垫，在衬底上形成的ITO膜和衬垫之间提供料浆、分别旋转或锁定台板和衬底、以至由此通过化学和机械的组合操作来抛光工件的表面或ITO膜的表面。此外，采用并由100cc/分钟的流速提供含有大约120nm颗粒尺寸的硅石研磨颗粒的氨水作为料浆。此外，台板的旋转数设置为30rpm，衬底的旋转数设置为30rpm，抛光中的抛光压力设置为300g/cm2并进行抛光时间为0.3分钟的抛光。
随后，通过将酸性溶液涂覆到透明导电膜表面进行腐蚀。此外，根据本实例，采用0.5％的氢氟酸作为酸性溶液并通过旋涂方法涂覆化学溶液来进行腐蚀。此外，尽管可以进行15秒或更短的腐蚀作为通过化学溶液腐蚀的时间段，根据本实施例，时间段设置为5秒。此外，此后，通过采用纯水清洁衬底表面来去除酸性溶液。
通过上面的描述，可形成包括在表面处具有凹凸不平形状的透明导电膜的透明电极813(图8C)。此外，图9示出此情况下的像素的顶视图。在图9中，虚线A-A｀切割的剖面图对应于图8C。
随后，通过形成第二导电膜并构图第二导电膜，除了在透明电极813上形成的反射电极814之外，形成用于电连接导线(源极线)809和TFT810的源区的导线815、用于形成到TFT810的漏区接触的导线816和用于电连接TFT810的漏区和透明电极813的导线817。此外，在此形成的第二导电膜是一种用于形成根据本实施例的电极的反射导电膜，并且优选采用含有铝、银的金属材料或含有这些金属元素的金属材料。
根据本实施例，采用通过溅射方法由50nm的Ti膜和含有Si的500nm的铝膜连续地形成的两层结构的叠层膜作为第二导电膜。
此外，采用光刻技术作为构图方法，形成反射电极814和导线815、816和817。这里，采用干法腐蚀作为腐蚀方法。
通过上面的描述，当已经形成了反射电极814和导线815、816和817时，去除抗蚀剂以提供图8D所示的结构。此外，图10示出此情况下的像素的顶视图。在图10中，虚线A-A｀切割的剖面图对应于图8D。
此外，如图10所示，通过在透明电极813上形成反射电极814，在透明电极813和反射电极814形成重叠的部分，由反射电极814反射光，并且在没有形成反射电极814的部分处暴露透明电极813于表面，光传输通过透明电极813的内部并发射到衬底801一侧。
如上所述，在本实施例中，还在相同衬底上形成具有双栅结构的n沟道型TFT和存储电容器的像素部分和具有n沟道型TFT和p沟道型TFT的驱动电路的有源矩阵衬底。
此外，根据本实施例所示的步骤，可以在图8C中形成的表面上形成具有凹凸不平形状的透明电极，因此如图8D所示，还可以由凹凸不平形状构成在透明电极313上形成的反射电极的表面。通过进行上述方法在用于形成透明电极的透明导电膜处就形成凹凸不平形状，因此可以不增加光刻步骤或光刻掩模的数量形成凹凸不平形状。
由此，通过实施本实例，可以容易地由凹凸不平形状构成反射电极的表面，因此，可以提高显示器平板的光学识别性能。
(实例3)
根据本实施例，在下面将解释从实施例1制造的有源矩阵衬底制造透射反射型液晶显示装置的步骤。利用图11的剖面图进行解释。
首先，如图11所示，在提供根据实例1的图3D的有源矩阵衬底之后，在有源矩阵衬底上形成对准膜1119并进行摩擦处理。此外，根据本实施例，在形成对准膜1119之后，在衬底的整个表面之上分散用于保持衬底之间的间隔的球形垫1121。此外，代替球形垫1121，可以通过构图丙烯酸树脂等的有机树脂薄膜在所需的位置处形成柱状垫。
随后，制备衬底1122。在衬底1122上形成彩色层1123(1123a、1123b)和平坦化层1124。此外，形成红色的彩色层1123a、蓝色的彩色层1123b和绿色的彩色层(未示出)作为彩色层1123。此外，尽管这里未示出，可以通过部分地重叠红色的彩色层1123a和蓝色的彩色层1123b或部分重叠红色的彩色层1123a和绿色的彩色层(未示出)形成光阻挡部分。
此外，在用于构成像素部分的位置处在平坦化膜1124上形成包括透明导电膜的相对电极1125，在衬底1122的整个面上形成对准膜1126，进行摩擦处理以至由此提供相对衬底1128。
此外，在表面上形成有对准膜1119的有源矩阵衬底和相对衬底1128通过密封剂(未示出)粘贴在一起。密封剂混合有填充料，其间由填充料和球形垫以均匀间隔(优选，2.0至3.0μm)将两块衬底粘贴在一起。此后，在两衬底之间注入液晶材料1127并由密封剂(未示出)完全密封。可以采用公知的液晶材料用于液晶材料1127。以此方式，完成图11所示的透射反射型液晶显示装置。此外，根据需要，可以将有源矩阵衬底或相对衬底1128分割成所需的形状。此外，通过采用公知的技术适当提供偏振器等。此外，通过采用公知的技术将FPC贴在其上。
将参照图15的顶视图解释以此方式提供的液晶模块结构。像素部分1504排列在有源矩阵衬底1501的中心。用于驱动源极信号线的源极信号线驱动电路1502排列在像素部分1504的上侧。用于驱动栅极信号线的栅极信号线驱动电路1503排列在像素部分1504的左侧和右侧。尽管根据本实例示出的实例，栅极信号线驱动电路1503对称排列在像素部分的左侧和右侧，栅极信号线驱动电路1503可以只排列在它的一侧，并且设计者可以考虑液晶模块等的衬底尺寸而适当地选择侧面。然而，考虑操作可靠性和电路的驱动效率优选图15中所示的左侧和右侧的对称排列。
从柔性印刷电路(FPC)1505将信号输入到各自的驱动电路。根据FPC1505，在层间绝缘膜和树脂膜中开出到达衬底1501的预定位置处排列的导线的接触孔并形成连接电极(未示出)之后，通各向异性导电膜等将FPC1505压上。根据本实例，采用ITO形成连接电极。
在驱动电路和像素部分的四周，沿衬底的外围涂覆密封剂1507，并以保持恒定间隙(衬底1501和相对衬底1506之间的间隔)的状态粘贴相对衬底1506，通过预先在有源矩阵衬底上形成的垫构成恒定间隙。此后，从没有涂覆密封剂1507的部分处注入液晶元件，并且由密封剂1508密闭地密封衬底。通过上述步骤完成液晶模块。此外，尽管这里示出在衬底上形成所有驱动电路的实例，可以在部分驱动电路处使用几片IC。由此，完成有源矩阵型液晶显示装置。
(实例4)
图16和17示出采用本发明制造的电光装置的方框图。此外，图16示出用于进行模拟驱动的电路结构。本实施例示出具有源侧驱动电路90、像素部分91和栅侧驱动电路92的电光装置。此外，在本说明书中，驱动电路通常指源侧驱动电路和栅侧驱动电路。
源侧驱动电路90提供有移位寄存器90a、缓冲器90b和取样电路(转移栅极)90c。此外，栅侧驱动电路92提供有移位寄存器92a、电平移位器92b和缓冲器92c。此外，根据需要，可以在取样电路和移位寄存器之间提供电平移位器电路。
此外，像素部分91包括多个像素并且多个像素的每一个包含TFT元件。
此外，尽管未示出，可以在相对于栅侧驱动电路92的插入像素部分91的一侧进一步提供栅侧驱动电路。
此外，如图17所示，在进行数字驱动中，替代取样电路，可以提供锁存器(A)93b和锁存器(B)93c。源侧驱动电路93提供有移位寄存器93a、锁存器(A)93b、锁存器(B)93c、D/A转换器93d和缓冲器93e。此外，栅侧驱动电路95提供有移位寄存器95a、电平移位器95b和缓冲器95c。此外，根据需要，可以在锁存器(B)93c和D/A转换器93d之间提供电平移位器电路。
此外，根据实例1或实例2中所示的制造步骤可以实现上述结构。此外，尽管根据本实施例，只示出像素部分和驱动电路的结构，但是根据本发明的制造步骤可以形成存储器或微处理器。
(实施例5)
在各种电光装置中可以采用实施本发明制造的透射反射型液晶显示装置。此外，本发明可应用于集成有电光装置作为显示介质的所有电子装置。
作为通过采用由本发明制造的液晶显示装置制造的电子装置，应当指出摄像机、数字照相机、导航系统、声音再现装置(汽车音响、音响部件)、笔记本型个人计算机、游戏机、便携信息终端(移动计算机、移动电话、便携游戏机或电子图书)、具有记录介质(特别地，数字视频磁盘(DVD))和具有能够显示图像的显示装置的的图像再现装置的再现记录介质的装置。图18A、18B、18C、18D、18E和18F示出电子装置的具体实例。
图18A是一种数字静物相机，其包括主体2101、显示部分2102、图像接收部分2103、操作键2104和外连端口2105和快门2106。通过采用由本发明制造的液晶显示装置制造数字静物相机的显示部分2102。
图18B是一种笔记本型个人计算机，其包括主体2201、机壳2202、显示部分2203、键盘2204、外连端口2205和指针式鼠标2206。通过采用由本发明制造的液晶显示装置制造笔记本型个人计算机的显示部分2203。
图18C示出一种移动计算机，其包括主体2301、显示部分2302、开关2303、操作键2304和红外线端口2305。通过采用由本发明制造的液晶显示装置制造移动计算机的显示部分2302。
图18D示出一种具有记录介质(特别地，DVD再现装置)的便携图像再现装置，其包括主体2401、机壳2402、显示部分A2403、显示部分B2404、记录介质(DVD等)读出部分2405、操作键2406、和扬声器部分2407。显示部分A2403主要显示图像信息，显示部分B2404主要显示字符信息，并且通过采用由本发明制造的液晶显示装置制造图像再现装置的显示部分A、B2403、2404。此外，具有记录介质的图像再现装置包括用于家庭使用的游戏机。
图18E示出一种摄像机，其包括主体2601、显示部分2602、机壳2603、外连端口2604、遥控接收部分2605、图像接收部分2606、电池2607、声音输入部分2608、操作键2609和目镜部分2610。通过采用由本发明制造的液晶显示装置制造摄像机的显示部分2602。
这里，图18F示出一种移动电话，其包括主体部分2701、机壳2702、显示部分2603、声音输入部分2704、声音输出部分2705、操作键2706、外连端口2707和天线2708。通过采用由本发明制造的液晶显示装置制造移动电话的显示部分2703。此外，显示部分2703可以通过在黑色背景下显示白色的字符来限制移动电话的功耗。
如上所述，本发明制造的液晶显示装置的应用范围非常广泛并且可以制造所有领域中的电子装置。此外，通过采用进行实例1至实例4制造的液晶显示装置能够制造本实施例的电子装置。
通过上面的描述，通过实施本发明，在制造透射反射型液晶显示装置中，可以由凹凸不平形状形成构成像素电极的透明电极的表面并且还能够由凹凸不平形状构成反射电极的表面。由此，可以减少在像素电极表面上形成凹凸不平形状所需的构图中采用的光刻步骤和掩模。因此，不仅可以提高显示器的光学识别性能，而且与现有技术制造凹凸不平结构的方法相比能够实现相当的成本降低并能够实现产量的提高。

Claims (62)

1.一种液晶显示装置，包括：
衬底上的具有凹凸不平表面的透明电极；
在该透明电极上形成的反射电极；以及
在该透明电极和该反射电极之上的液晶。
2.根据权利要求1的液晶显示装置，其中通过在衬底上形成非晶透明导电膜、在该非晶透明导电膜中形成晶体部分、并且去除在含有该晶体部分的该透明导电膜表面的非晶部分，形成具有凹凸不平表面的该透明电极。
3.根据权利要求1的液晶显示装置，其中通过在衬底上形成非晶透明导电膜、通过烧结在该非晶透明导电膜中形成晶体部分、并且通过腐蚀去除在含有该晶体部分的该透明导电膜表面的非晶部分，形成具有凹凸不平表面的该透明电极。
4.根据权利要求3的液晶显示装置，其中在150至200℃下进行该烧结步骤。
5.根据权利要求3的液晶显示装置，其中通过采用选自由氢氟酸、硝酸、硫酸和盐酸组成的组中的一种或多种酸性溶液来进行该腐蚀步骤。
6.根据权利要求1的液晶显示装置，其中通过在衬底上形成非晶透明导电膜、通过烧结在该非晶透明导电膜中形成晶体部分、抛光含有该晶体部分的该透明导电膜、并且腐蚀含有该晶体部分的该透明导电膜，形成具有凹凸不平表面的该透明电极。
7.根据权利要求6的液晶显示装置，通过CMP进行该抛光步骤。
8.根据权利要求1的液晶显示装置，其中该反射电极所占面积的比是该透明电极所占面积的50至90％。
9.根据权利要求1的液晶显示装置，其中该液晶显示装置被应用到选自由数字静物相机、笔记本型个人计算机、移动计算机、具有记录介质的便携图像再现装置、摄像机和移动电话组成的组中的电子装置中。
10.一种液晶显示装置，包括：
在衬底之上形成的薄膜晶体管；
在该薄膜晶体管之上的具有凹凸不平表面的透明电极；
在该透明电极上形成的反射电极；以及
在该透明电极和该反射电极之上的液晶，
其中该薄膜晶体管电连接到该透明电极和该反射电极。
11.根据权利要求10的液晶显示装置，其中通过在衬底上形成非晶透明导电膜、在该非晶透明导电膜中形成晶体部分、并且去除在含有该晶体部分的该透明导电膜表面的非晶部分，形成具有凹凸不平表面的该透明电极。
12.根据权利要求10的液晶显示装置，其中通过在衬底上形成非晶透明导电膜、通过烧结在该非晶透明导电膜中形成晶体部分、并且通过腐蚀去除在含有该晶体部分的该透明导电膜表面的非晶部分，形成具有凹凸不平表面的该透明电极。
13.根据权利要求12的液晶显示装置，其中在150至200℃下进行该烧结步骤。
14.根据权利要求12的液晶显示装置，其中通过采用选自由氢氟酸、硝酸、硫酸和盐酸组成的组中的一种或多种酸性溶液来进行该腐蚀步骤。
15.根据权利要求10的液晶显示装置，其中通过在衬底上形成非晶透明导电膜、通过烧结在该非晶透明导电膜中形成晶体部分、抛光含有该晶体部分的该透明导电膜、并且腐蚀含有该晶体部分的该透明导电膜，形成具有凹凸不平表面的该透明电极。
16.根据权利要求15的液晶显示装置，通过CMP进行该抛光步骤。
17.根据权利要求10的液晶显示装置，其中该反射电极所占面积的比是该透明电极所占面积的50至90％。
18.根据权利要求10的液晶显示装置，其中该液晶显示装置被应用到选自由数字静物相机、笔记本型个人计算机、移动计算机、具有记录介质的便携图像再现装置、摄像机和移动电话组成的组中的电子装置中。
19.一种液晶显示装置，包括：
第一衬底，包括具有凹凸不平表面的第一透明电极和在该第一透明电极上形成的反射电极；
第二衬底，包括第二透明电极；以及
液晶；
其中该第一衬底的电极形成面和该第二衬底的电极形成面彼此相对排列，并且该液晶插入该第一衬底和该第二衬底之间。
20.根据权利要求19的液晶显示装置，其中通过在衬底上形成非晶透明导电膜、在该非晶透明导电膜中形成晶体部分、并且去除在含有该晶体部分的该透明导电膜表面的非晶部分，形成具有凹凸不平表面的该透明电极。
21.根据权利要求19的液晶显示装置，其中通过在衬底上形成非晶透明导电膜、通过烧结在该非晶透明导电膜中形成晶体部分、并且通过腐蚀去除在含有该晶体部分的该透明导电膜表面的非晶部分，形成具有凹凸不平表面的该透明电极。
22.根据权利要求21的液晶显示装置，其中在150至200℃下进行该烧结步骤。
23.根据权利要求21的液晶显示装置，其中通过采用选自由氢氟酸、硝酸、硫酸和盐酸组成的组中的一种或多种酸性溶液来进行该腐蚀步骤。
24.根据权利要求19的液晶显示装置，其中通过在衬底上形成非晶透明导电膜、通过烧结在该非晶透明导电膜中形成晶体部分、抛光含有该晶体部分的该透明导电膜、并且腐蚀含有该晶体部分的该透明导电膜，形成具有凹凸不平表面的该透明电极。
25.根据权利要求24的液晶显示装置，通过CMP进行该抛光步骤。
26.根据权利要求19的液晶显示装置，其中该反射电极所占面积的比是该透明电极所占面积的50至90％。
27.根据权利要求19的液晶显示装置，其中该液晶显示装置被应用到选自由数字静物相机、笔记本型个人计算机、移动计算机、具有记录介质的便携图像再现装置、摄像机和移动电话组成的组中的电子装置中。
28.一种液晶显示装置，包括：
第一衬底，包括薄膜晶体管、在该薄膜晶体管之上的具有凹凸不平表面的第一透明电极和在该第一透明电极上形成的反射电极；
第二衬底，包括第二透明电极；以及
液晶；
其中该第一衬底的电极形成面和该第二衬底的电极形成面彼此相对排列，并且该液晶插入该第一衬底和该第二衬底之间，
其中该薄膜晶体管电连接到该第一透明电极和该反射电极。
29.根据权利要求28的液晶显示装置，其中通过在衬底上形成非晶透明导电膜、在该非晶透明导电膜中形成晶体部分、并且去除在含有该晶体部分的该透明导电膜表面的非晶部分，形成具有凹凸不平表面的该透明电极。
30.根据权利要求28的液晶显示装置，其中通过在衬底上形成非晶透明导电膜、通过烧结在该非晶透明导电膜中形成晶体部分、并且通过腐蚀去除在含有该晶体部分的该透明导电膜表面的非晶部分，形成具有凹凸不平表面的该透明电极。
31.根据权利要求30的液晶显示装置，其中在150至200℃下进行该烧结步骤。
32.根据权利要求30的液晶显示装置，其中通过采用选自由氢氟酸、硝酸、硫酸和盐酸组成的组中的一种或多种酸性溶液来进行该腐蚀步骤。
33.根据权利要求28的液晶显示装置，其中通过在衬底上形成非晶透明导电膜、通过烧结在该非晶透明导电膜中形成晶体部分、抛光含有该晶体部分的该透明导电膜、并且腐蚀含有该晶体部分的该透明导电膜，形成具有凹凸不平表面的该透明电极。
34.根据权利要求24的液晶显示装置，通过CMP进行该抛光步骤。
35.根据权利要求28的液晶显示装置，其中该反射电极所占面积的比是该透明电极所占面积的50至90％。
36.根据权利要求28的液晶显示装置，其中该液晶显示装置被应用到选自由数字静物相机、笔记本型个人计算机、移动计算机、具有记录介质的便携图像再现装置、摄像机和移动电话组成的组中的电子装置中。
37.一种制造液晶显示装置的方法，包括：
在衬底上形成非晶透明导电膜；
在该非晶透明导电膜中形成晶体部分；
去除含有该晶体部分的该透明导电膜表面的非晶部分；
在含有该晶体部分的该透明导电膜上形成反射电极；
在含有该晶体部分的该透明导电膜和该反射电极之上形成液晶层。
38.根据权利要求37的方法，其中该反射电极所占面积的比是该透明电极所占面积的50至90％。
39.根据权利要求37的方法，其中该液晶显示装置被应用到选自由数字静物相机、笔记本型个人计算机、移动计算机、具有记录介质的便携图像再现装置、摄像机和移动电话组成的组中的电子装置中。
40.一种制造液晶显示装置的方法，包括：
在衬底上形成非晶透明导电膜；
通过烧结在该非晶透明导电膜中形成晶体部分；
通过腐蚀去除含有该晶体部分的该透明导电膜表面的非晶部分；
形成在含有该晶体部分的该透明导电膜上形成的反射电极；以及
在含有该晶体部分的该透明导电膜和该反射电极之上形成液晶层。
41.根据权利要求3的方法，其中在150至200℃下进行该烧结步骤。
42.根据权利要求40的方法，其中通过采用选自由氢氟酸、硝酸、硫酸和盐酸组成的组中的一种或多种酸性溶液来进行该腐蚀步骤。
43.根据权利要求40的液晶显示装置，其中该反射电极所占面积的比是该透明电极所占面积的50至90％。
44.根据权利要求40的液晶显示装置，其中该液晶显示装置被应用到选自由数字静物相机、笔记本型个人计算机、移动计算机、具有记录介质的便携图像再现装置、摄像机和移动电话组成的组中的电子装置中。
45.一种制造液晶显示装置的方法，包括：
在衬底上形成非晶透明导电膜；
通过烧结在该非晶透明导电膜中形成晶体部分；
抛光含有该晶体部分的该透明导电膜；
腐蚀含有该晶体部分的该透明导电膜；
形成在含有该晶体部分的该透明导电膜上形成的反射电极；以及
在含有该晶体部分的该透明导电膜和该反射电极之上形成液晶层。
46.根据权利要求45的方法，其中在150至200℃下进行该烧结步骤。
47.根据权利要求45的方法，其中通过采用选自由氢氟酸、硝酸、硫酸和盐酸组成的组中的一种或多种酸性溶液来进行该腐蚀步骤。
48.根据权利要求6的方法，通过CMP进行该抛光步骤。
49.根据权利要求1的方法，其中该反射电极所占面积的比是该透明电极所占面积的50至90％。
50.根据权利要求1的方法，其中该液晶显示装置被应用到选自由数字静物相机、笔记本型个人计算机、移动计算机、具有记录介质的便携图像再现装置、摄像机和移动电话组成的组中的电子装置中。
51.一种制造液晶显示装置的方法，包括：
在衬底之上形成薄膜晶体管；
在该薄膜晶体管之上形成非晶透明导电膜；
在该非晶透明导电膜中形成晶体部分；
去除含有该晶体部分的该透明导电膜表面的非晶部分；
在含有该晶体部分的该透明导电膜上形成反射电极；以及
在含有该晶体部分的该透明导电膜和该反射电极之上形成液晶层，
其中该薄膜晶体管电连接到含有该晶体部分的该透明导电膜和该反射电极。
52.根据权利要求51的方法，其中通过烧结进行在该非晶透明导电膜中形成晶体部分的步骤。
53.根据权利要求52的液晶显示装置，其中在150至200℃下进行该烧结步骤。
54.根据权利要求51的液晶显示装置，其中通过腐蚀进行该去除步骤。
55.根据权利要求54的方法，其中通过采用选自由氢氟酸、硝酸、硫酸和盐酸组成的组中的一种或多种酸性溶液来进行该腐蚀步骤。
56.根据权利要求51的液晶显示装置，其中该液晶显示装置被应用到选自由数字静物相机、笔记本型个人计算机、移动计算机、具有记录介质的便携图像再现装置、摄像机和移动电话组成的组中的电子装置中。
57.一种制造液晶显示装置的方法，包括：
在衬底上形成包括非晶部分和晶体部分的透明导电膜；
去除该透明导电膜表面的该非晶部分；
在该透明导电膜上形成反射电极；以及
在该透明导电膜和该反射电极之上形成液晶层。
58.根据权利要求57的方法，其中通过烧结进行形成包括非晶部分和晶体部分的透明导电膜的步骤。
59.根据权利要求58的液晶显示装置，其中在150至200℃下进行该烧结步骤。
60.根据权利要求57的液晶显示装置，其中通过腐蚀进行该去除步骤。
61.根据权利要求60的方法，其中通过采用选自由氢氟酸、硝酸、硫酸和盐酸组成的组中的一种或多种酸性溶液来进行该腐蚀步骤。
62.根据权利要求57的液晶显示装置，其中该液晶显示装置被应用到选自由数字静物相机、笔记本型个人计算机、移动计算机、具有记录介质的便携图像再现装置、摄像机和移动电话组成的组中的电子装置中。
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