CN1399165B - 显示器件 - Google Patents

显示器件 Download PDF

Info

Publication number
CN1399165B
CN1399165B CN021268932A CN02126893A CN1399165B CN 1399165 B CN1399165 B CN 1399165B CN 021268932 A CN021268932 A CN 021268932A CN 02126893 A CN02126893 A CN 02126893A CN 1399165 B CN1399165 B CN 1399165B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
display device
tft
film transistor
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN021268932A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1399165A (zh
Inventor
山崎舜平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of CN1399165A publication Critical patent/CN1399165A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1399165B publication Critical patent/CN1399165B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield

Abstract

一种显示器件,包括:衬底;开关元件,包含至少一个形成在所述衬底上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:形成在所述衬底上的由晶体硅构成的半导体岛区,所述半导体岛区具有至少一对掺杂区和位于所述一对掺杂区之间的沟道区;形成在所述半导体岛区上的栅绝缘膜;形成在所述沟道区上的栅电极,所述栅绝缘膜位于所述栅电极和所述沟道区之间;形成在所述开关元件上由氮化硅构成的第一绝缘膜;形成在所述第一绝缘膜上的有机树脂膜;和形成在所述有机树脂膜上的像素电极,电连接到所述掺杂区之一。此结构可防止掩蔽膜与薄膜晶体管之间产生电容的问题。

Description

显示器件
本申请是申请日为1996年11月17日、申请号为96123320.6、发明名称为“显示器件”的发明专利申请的分案申请。
发明领域
本发明涉及显示器件。
背景技术
传统已知的平板显示器包括有源矩阵液晶显示器,其结构中,为按矩阵形状设置的大量象素中的每一个提供用于开关的薄膜晶体管,并由该薄膜晶体管控制电荷进入各个象素电极和从各个象素电极出来。
在这种结构中,必须设置掩蔽装置(光屏蔽装置),用以避免光进入在象素区设置的薄膜晶体管。
从杂质弥散和稳定性的角度出发,通常选用金属膜作为掩蔽装置(光屏蔽装置)。而且,设置这类用于薄膜晶体管掩蔽装置通常还起到黑色矩阵的作用,覆盖象素电极的外围边缘区域。
这类结构具有如下问题。第一个问题是在掩蔽膜与薄膜晶体管之间产生电容,这对薄膜晶体管的工作有不利影响。第二个问题是因为掩蔽膜通常形成在不平整的衬底上,可能使掩蔽功能不充分。
与掩蔽功能相关的问题同样影响为与象素边缘搭接而设置的黑色矩阵。
发明内容
本说明书公开的发明的目的在于提供一种能解决与用于遮蔽薄膜晶体管的掩蔽膜相关的问题的结构,以达到作为有源矩阵显示器的高性能。
本发明提供了一种显示器件,包括:一个衬底;一个开关元件,包含至少一个形成在所述衬底上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:形成在所述衬底上的由晶体硅构成的半导体岛区,所述半导体岛区具有至少一对掺杂区和位于所述一对掺杂区之间的沟道区;形成在所述半导体岛区上的栅绝缘膜;形成在所述沟道区上的栅电极,所述栅绝缘膜位于所述栅电极和所述沟道区之间;形成在所述开关元件上由氮化硅构成的第一绝缘膜;形成在所述第一绝缘膜上的有机树脂膜;和形成在所述有机树脂膜上的像素电极,电连接到所述掺杂区之一。
本发明还提供了一种显示器件,包括:一个衬底;一个开关元件,包含至少一个形成在所述衬底上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:形成在所述衬底上的由晶体硅构成的半导体岛区,所述半导体岛区具有至少一对掺杂区和位于所述一对掺杂区之间的沟道区;形成在所述半导体岛区上的栅绝缘膜;形成在所述沟道区上的栅电极,所述栅绝缘膜位于所述栅电极和所述沟道区之间;形成在所述开关元件上由氧化硅构成的第一绝缘膜;形成在所述第一绝缘膜上由氮化硅构成的第二绝缘膜;形成在所述第二绝缘膜上的有机树脂膜;和形成在所述有机树脂膜上的像素电极,电连接到所述掺杂区之一。
本发明还提供了一种显示器件,包括:一个衬底;一个开关元件,包含至少一个形成在所述衬底上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:形成在所述衬底上的由晶体硅构成的半导体岛区,所述半导体岛区具有至少一对掺杂区和位于所述一对掺杂区之间的沟道区;形成在所述半导体岛区上的栅绝缘膜;形成在所述沟道区上的栅电极,所述栅绝缘膜位于所述栅电极和所述沟道区之间;形成在所述开关元件上由氮氧化硅构成的绝缘膜;形成在所述绝缘膜上的有机树脂膜;和形成在所述有机树脂膜上的像素电极,电连接到所述掺杂区之一。
其中所述显示器件是液晶显示器或EL显示器。
其中所述有机树脂膜是选自聚酰亚胺树脂和丙烯酸树脂之一的材料。
附图说明
图1A-1D展示了有源矩阵电路的象素部分的制造工序。
图2A-2C展示了有源矩阵电路的象素部分的制造工序。
图3A-3C展示了有源矩阵电路的象素部分的制造工序。
图4A-4C展示了有源矩阵电路的象素部分的制造工序。
图5A-5D展示了有源矩阵电路的象素部分的制造工序。
具体实施方式
以下将说明本发明的第一实施例。图1A-1D和图2A-2C展示了本实施例所述有源矩阵液晶显示器的象素部分的制造工序。
如图1A所示,采用等离子体CVD工艺,在玻璃衬底101上首先形成厚度为3000的氧化硅膜102作为背膜。
接着,形成非晶硅膜(未示出),之后将作为由薄膜半导体制成的起始膜,用于形成薄膜晶体管的有源层。
采用CVD工艺形成厚为500的非晶硅膜(未示出)。
然后采用加热处理或者用激光来照射或者采用加热处理与微光来照射相结合的工艺,使非晶硅膜晶化,制取结晶硅膜(未示出)。
对结晶硅膜(未示出)刻图,制成薄膜晶体管的有源层103。
接着,进行等离子体CVD处理,形成厚1000的氧化硅膜104,通过覆盖有源层103,用作栅绝缘膜,如图1A所示。因此,获得如图1A所示的状态。
接着,采用溅射工艺形成含0.1wt%钪的铝膜(未示出),厚度为4000。此铝膜将用作栅电极层。
形成铝膜之后,在其表面上形成厚100
Figure G021268932D00035
的致密阳极氧化膜(未示出)。用氨水对含3%的酒石酸的乙二醇溶液进行中和,在由此获得的电解液中,以铝膜作为阳极,进行阳极氧化。
另外,通过设置光刻胶掩模(未示出)来刻图。作为刻图的结果,形成栅电极105。
形成栅电极105之后,利用设置就位的光刻胶掩模(未示出)再次进行阳极氧化。此次阳极氧化采用含3%乙二酸的水溶液作为电解液。
由于剩余的光刻胶掩模(未示出),所以此次阳极氧化仅在栅电极105的侧面选择地发生。本工序中形成的阳极氧化膜具有多孔结构。
因此,在栅电极105侧面形成多孔阳极氧化膜106。此多孔阳极氧化膜可生长至几个微米的数量级。由阳极氧化的持续时间可控制此生长的尺寸。
这里,阳极氧化膜106的厚度是6000
接着,利用氨水对含3%酒石酸的乙二醇溶液进行中和,采用由此获得的电解液再次进行阳极氧化。在本次阳极氧化工序中,由于电解液渗入多孔阳极氧化膜106,所以围绕栅电极105形成致密的阳极氧化膜107。
此致密阳极氧化膜107的厚度为500。此致密阳极氧化膜107的主要功能是覆盖栅电极,防止在后续工序中产生小丘和晶须。
而且还具有保护栅电极105的作用,在以后去涂多孔阳极氧化膜106的同时以免其受到腐蚀。
其作用还助于偏移栅区的形成,在后续工序中利用多孔氧极氧化膜106作为掩模来形成偏移栅区。
因此,实现了图1B所示的状态。
此状态下,注入杂质离子。这里,注入P(磷)离子来获得N沟道型薄膜晶体管。
当在图1B所示状态进行杂质离子的注入时,把杂质离子选择地注入在由108和111所表示的区域。亦即,区108和111成为高浓度杂质区。
由于栅电极105起掩模作用,所以杂质离子不注入到栅电极105正下方的区109。此区109用作沟道形成区。
由于多孔阳极氧化膜105和致密阳极氧化膜107起掩模作用,杂质离子也不注入由110所表示的区。
由107表示的区用作偏移栅区,其作用既不是源/漏区也不是沟道形成区。
尤其是,偏移栅区具有缓和沟道形成区与漏区之间形成的电场强度的功能。偏移栅区的存在可使薄膜晶体管的截止电流降低并且能抑制其性能变坏。
因此,在自对准的基础上形成108表示的源区、109表示的沟道形成区、110表示的偏移栅区和111表示的漏区。
完成杂质离子注入之后,选择地去除多孔阳极氧化膜106。之后,通过激光来照射进行退火处理。由于激光来可以被引入高浓度杂质区与偏移栅区之间的界面,所以已被杂质离子的注入所损坏的结部位可以有效地被退火。
当实现了图1B所示状态时,形成厚2000的氧化硅膜112作为第一层绝缘膜。
氮化硅膜或者由氧化硅膜和氮化硅膜组成的多层膜可以用作此第一层绝缘膜。
接着,在第一层绝缘膜112中形成接触孔,以此形成与薄膜晶体管源区接触的源电极113。因此,实现了图1C所示状态。
然后,采用透明聚酰亚胺树脂或者丙烯酸树脂形成第二层绝缘膜114。把树脂材料制成的层绝缘膜114形成为平坦表面。因此,实现了图1D所示状态。
接着,如图2A所示,形成铬膜并刻图成为掩蔽膜115,其起掩蔽膜作用和用于薄膜晶体管的黑色矩阵作用。
选择相对介电常数等于或小于3的材料作为形成第二层绝缘膜114的树脂材料。该膜制成厚达几个微米。树脂材料适宜于这种应用,因为即使制成较厚也不会延长制造工序所需的时间。
这种结构可以防止铬制成的掩蔽膜115与位于其下方的薄膜晶体管之间产生电容。
此外,如果用树脂材料制作,则第二层绝缘膜114表面可以容易地平面化。这可以防止因表面不平整而发生光泄漏。
当实现了图2A所示状态后,使用树脂材料、氧化硅膜或氮化硅膜形成第三层绝缘膜116。这里,采用与第二层绝缘膜114相同的树脂材料用作第三层绝缘膜116。
采用树脂材料作为第三层绝缘膜有利于解决后续工序将要形成的象素电极与掩蔽膜115之间产生电容的问题,并使其上将要形成象素电极的表面平整。
因此,实现了图2B所示状态。接着,通过形成接触孔、形成构成象素电极的ITO电极以及进行刻图,来形成象素电极117。
由此完成了图2C所示结构。在图2C所示结构中,可使设置于薄膜晶体管(尤其是源电极113)与掩蔽膜(和/或黑色矩阵)115之间的层绝缘膜形成为具有小的相对介电常数和大的厚度。这可以防止产生不必要的电容。
上述结构是可以实现的,因为形成厚的树脂膜的工艺简单,不涉及处理时间增多的问题。
以下将说明本发明的第二实施例。
本实施例的特征在于,其采用的结构是对第一实施例所述结构的改进,从而提供更高的可靠性。
如上所述,使用金属材料如铬作为掩蔽膜和黑色矩阵。但是,从长期可靠性来看,与来自金属材料的杂质弥散和金属材料与其它电极或导线之间的短路存在相关性。
特别是,如果图2C所示状态的层绝缘膜中存在针孔,则会产生如下问题,在掩蔽膜115(可同时作为黑色矩阵)与象素电极117之间发生短路。
消除存在于层绝缘膜116的针孔的影响的可能方法是形成层绝缘膜116作为特别的多层膜。
然而,这种方法是不适宜的,因为会增加制造工序的数量及生产成本。
根据本实施例的结构按下列方式在第一实施例所述结构中,采用可以阳极氧化的材料用于掩蔽膜,以便遮蔽薄膜晶体管,而且在其上形成阳极氧化膜。
采用铝或者钽作为可以阳极氧化的材料。
尤其是,作用铝将可提供良好的掩蔽膜,因为采用用于工业产品如铝框的阳极氧化技术,可使阳极氧化膜染成黑色或类似的暗色。
图3A-3C示意地展示了根据本实施例的制造工序。首先,通过图1A-1D的工序实现图1D所示的状态。然后,如图2A所示,形成掩蔽膜115。
这里,使用铝作为掩蔽膜115。在电解液中进行阳极氧化,在掩蔽膜115表面上形成阳极氧化膜301,如图3A所示。
图3A展示了作用遮蔽薄膜晶体管的掩蔽膜的掩蔽膜301。但是,一般还要再延伸形成黑色矩阵。
当实现图3A所示状态后,利用氧化硅膜或氮化硅膜或者由树脂材料来形成第三层绝缘膜116,如图3B所示。
此外,采用ITO形成象素电极117,如图3C所示。
即使层绝缘膜116中存在针孔,阳极氧化膜301的存在也可防止象素电极117和掩蔽膜115发生短路。
另外,由于阳极氧化膜301化学性质稳定,从长期可靠性角度来看,其在以下方面是良好的,即可防止掩蔽膜115中的杂质向其邻近部位扩散。
以下将说明本发明的第三实施例。
本实施涉及的结构中象素的孔径比得以改善。对于象素结构通常要求其孔径比应尽可能地大。为了获得象素的大孔径比,必须提供面积尽可能宽的象素电极。
但是,对于这种企求存在几方面的限制,如果象素电极与薄膜晶体管或导线搭接,则在其间产生电容。
本实施例提供的结构减少了产生电容的问题。
图4A-4C展示了根据本实施例的结构的生产工序。图4A和4B所示工序与图3A和3B相同。
首先,形成由铝制成的掩蔽膜115,如图4A所示。在掩蔽膜115表面上形成由301表示的阳极氧化膜。
而且,形成第三层绝缘膜116,如图4B所示。用树脂材料形成层绝缘膜116。
然后采用ITO形成象素电极117,如图4C所示。象素电极117覆盖在薄膜晶体管上。这使象素的孔径比最大。
按图4C的结构,可由树脂材料形成具有小的相对介电常数(与氧化硅膜或氮化硅膜相比)且厚度增大的层绝缘膜114和116。由此可减少上述的电容问题。
而且,可以增大象素电极的面积,以此获得大的象素孔径比。
在上述实施例中尽管采用了顶栅极式薄膜晶体管,但在本实施例4中,说明了制造底栅极式薄膜晶体管的方法,其中栅极比有源层更为靠杰衬底。
根据本实施例4的制造工序如图5A-5D所示。首先,如图5A所示,通过溅射在玻璃衬底201上形成氧化硅膜202作为基膜。然后,用铝形成栅电极203。
在此栅电极中,铝中含有0.18wt%的钪。其它杂质浓度应尽可能地低。这是为了抑制因后续工序中铝的异常生长而形成的所谓小丘或晶须等突起的形成。
然后,通过等离子体CVD形成厚500的氧化硅膜204,起栅绝缘膜的作用。
之后,通过等离子体CVD形成图中未示出的非晶硅膜(后面成为结晶硅膜205),作为形成薄膜晶体管的有源层的起始膜。也可采用低压热CVD来代替等离子体CVD。
随后,通过激光照射,使图中未示出的非晶硅膜结晶化。于是获得结晶硅膜205。由此,获得图5A所示结构。
获得图5A所示结构之后,通过刻图来形成有源层206。
接着,形成图中未示出的氮化硅膜,利用栅电极通过从衬底的背表面一侧照射光,形成氮化硅膜制成的掩膜图形207。
按如下方式形成掩模图形207。
首先,利用栅电极图形,通过从衬底201的背表面侧照射光,形成光刻胶掩模图形。而且,通过去胶对光刻胶掩模图形再加工。通过利用图中未示出的再加工的光刻胶掩模图形,对氮化硅膜刻图,获得由参考标号207表示的图形。因此,获得图5B所示结构。
之后,利用掩模图形207进行掺杂。例如,使用P(磷)作为掺杂剂,采用等离子体掺杂作为掺杂方法。
在此工序中,区208和209用P掺杂。区210不用P掺杂。
完成掺杂之后,从上方进行激光照射,以便激活掺杂区,并对因掺杂剂离子的撞击而引起的损伤进行退火。
因此,如图5C所示,形成区208作为源区。而且,形成区209作为漏区。形成区210作为沟道区。
之后,通过等离子体CVD形成厚度为2000的氮化硅膜作为第一层间绝缘膜211。
可以采用氧化硅膜、氮氧化硅膜或者由氧化硅膜和氮化硅膜(其中任一种可以形成于另一种之上)组成的多层膜,来代替氮化硅单膜,作为此处所用的第一层间绝缘膜。
然后,在第一层间绝缘膜211中形成用于源区208的接触孔,形成源电极提供与源区208的接触。由此获得图5C所示结构。
之后,如图5D所示,用透明聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂形成具有平坦表面的第2层间绝缘膜213。例如,膜形成方法可采用旋涂法。
接着,在第二层间绝缘膜213上形成铬膜,并刻图形成光屏蔽膜214,其作用是用于薄膜晶体管的光屏蔽膜和黑色矩阵。之后,用相同的树脂材料形成第三层间绝缘膜215,作为第二层间绝缘膜213。
在第一至第三层间绝缘膜211、213、215中形成到达漏区209的接触孔。接着,在第三层间绝缘膜215表面上形成ITO(氧化铟锡)膜,并刻成象素电极216图形。
通过上述工序完成图5D所示薄膜晶体管。
使用本说明书所公开的本发明,在有源矩阵显示器的象素结构中设置有效的掩蔽膜,可以构成具有高性能的有源矩阵显示器。本说明书公开的发明不仅适用于有源矩阵液晶显示器,而且也适用于EL式显示器和类似的有源矩阵式显示器。
虽然已经展示和说明了本发明的特定实施例,但是显然对于本领域的技术人员来说,在不偏离本发明的条件下,根据其概括性概念可做出各种变型及改进。因此,本申请的权利要求书将使这些处于本发明的精髓和范围之内的所有变型及改进包括在其范围内。

Claims (17)

1.一种显示器件,包括:
一个衬底;
一个开关元件,包含至少一个形成在所述衬底上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:
与所述衬底相邻的由晶体硅构成的半导体岛区,所述半导体岛区具有至少一对掺杂区和位于所述一对掺杂区之间的沟道区;
与所述半导体岛区相邻的栅绝缘膜;
与所述沟道区相邻的栅电极,所述栅绝缘膜位于所述栅电极和所述沟道区之间;
形成在所述开关元件上由氮化硅构成的第一绝缘膜;
形成在所述第一绝缘膜上的有机树脂膜;
形成在所述有机树脂膜上的掩蔽膜;
形成在所述掩蔽膜上的第三绝缘膜;和
形成在所述第三绝缘膜上的像素电极,电连接到所述掺杂区之一。
2.根据权利要求1的显示器件,其中所述显示器件是液晶显示器。
3.根据权利要求1的显示器件,其中所述显示器件是EL显示器。
4.根据权利要求1的显示器件,其中所述有机树脂膜是选自聚酰亚胺树脂和丙烯酸树脂之一的材料。
5.一种显示器件,包括:
一个衬底;
一个开关元件,包含至少一个形成在所述衬底上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:
与所述衬底相邻的由晶体硅构成的半导体岛区,所述半导体岛区具有至少一对掺杂区和位于所述一对掺杂区之间的沟道区;
与所述半导体岛区相邻的栅绝缘膜;
与所述沟道区相邻的栅电极,所述栅绝缘膜位于所述栅电极和所述沟道区之间;
包括氮化硅和氧化硅的一个多层绝缘膜;
形成在所述多层绝缘膜上的有机树脂膜;
形成在所述有机树脂膜上的掩蔽膜;
形成在所述掩蔽膜上的第三绝缘膜;和
形成在所述第三绝缘膜上的像素电极,电连接到所述掺杂区之一。
6.根据权利要求5的显示器件,其中所述显示器件是液晶显示器。
7.根据权利要求5的显示器件,其中所述显示器件是EL显示器。
8.根据权利要求5的显示器件,其中所述有机树脂膜是选自聚酰亚胺树脂和丙烯酸树脂之一的材料。
9.一种显示器件,包括:
一个衬底;
一个开关元件,包含至少一个形成在所述衬底上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:
形成在所述衬底上的由晶体硅构成的半导体岛区,所述半导体岛区具有至少一对掺杂区和位于所述一对掺杂区之间的沟道区;
与所述半导体岛区相邻的栅绝缘膜;
与所述沟道区相邻的栅电极,所述栅绝缘膜位于所述栅电极和所述沟道区之间;
形成在所述开关元件上由氮氧化硅构成的绝缘膜;
形成在所述绝缘膜上的有机树脂膜;
形成在所述有机树脂膜上的掩蔽膜;
形成在所述掩蔽膜上的第三绝缘膜;和
形成在所述第三绝缘膜上的像素电极,电连接到所述掺杂区之一。
10.根据权利要求9的显示器件,其中所述显示器件是液晶显示器。
11.根据权利要求9的显示器件,其中所述显示器件是EL显示器。
12.根据权利要求9的显示器件,其中所述有机树脂膜是选自聚酰亚胺树脂和丙烯酸树脂之一的材料。
13.根据权利要求1的显示器件,其中所述薄膜晶体管是顶栅极式薄膜晶体管。
14.根据权利要求1的显示器件,其中所述薄膜晶体管是底栅极式薄膜晶体管。
15.根据权利要求5的显示器件,其中所述薄膜晶体管是底栅极式薄膜晶体管。
16.根据权利要求5的显示器件,其中所述薄膜晶体管是顶栅极式薄膜晶体管。
17.根据权利要求9的显示器件,其中所述薄膜晶体管是底栅极式薄膜晶体管。
CN021268932A 1995-11-17 2002-07-20 显示器件 Expired - Lifetime CN1399165B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32367495 1995-11-17
JP323674/1995 1995-11-17
JP323674/95 1995-11-17

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB961233206A Division CN1137519C (zh) 1995-11-17 1996-11-17 显示器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1399165A CN1399165A (zh) 2003-02-26
CN1399165B true CN1399165B (zh) 2010-05-26

Family

ID=18157350

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB961233206A Expired - Lifetime CN1137519C (zh) 1995-11-17 1996-11-17 显示器件
CN021268940A Expired - Lifetime CN1399166B (zh) 1995-11-17 2002-07-20 显示器件
CN021268932A Expired - Lifetime CN1399165B (zh) 1995-11-17 2002-07-20 显示器件

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB961233206A Expired - Lifetime CN1137519C (zh) 1995-11-17 1996-11-17 显示器件
CN021268940A Expired - Lifetime CN1399166B (zh) 1995-11-17 2002-07-20 显示器件

Country Status (4)

Country Link
US (5) US5952708A (zh)
KR (1) KR100309629B1 (zh)
CN (3) CN1137519C (zh)
TW (3) TWI228625B (zh)

Families Citing this family (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09146108A (ja) 1995-11-17 1997-06-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその駆動方法
US6800875B1 (en) 1995-11-17 2004-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer
TWI228625B (en) * 1995-11-17 2005-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
US5940732A (en) * 1995-11-27 1999-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Method of fabricating semiconductor device
US6294799B1 (en) * 1995-11-27 2001-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating same
TW309633B (zh) * 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US6288764B1 (en) * 1996-06-25 2001-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device or electronic device having liquid crystal display panel
JP3126661B2 (ja) * 1996-06-25 2001-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JPH10104663A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置およびその作製方法
JP4242461B2 (ja) * 1997-02-24 2009-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6927826B2 (en) * 1997-03-26 2005-08-09 Semiconductor Energy Labaratory Co., Ltd. Display device
JPH10268360A (ja) * 1997-03-26 1998-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP3856901B2 (ja) 1997-04-15 2006-12-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP3844561B2 (ja) * 1997-06-10 2006-11-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6680223B1 (en) * 1997-09-23 2004-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
TW486581B (en) * 1998-01-06 2002-05-11 Seiko Epson Corp Semiconductor device, substrate for electro-optical device, electro-optical device, electronic equipment, and projection display apparatus
JPH11307782A (ja) 1998-04-24 1999-11-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP3592535B2 (ja) * 1998-07-16 2004-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6246070B1 (en) * 1998-08-21 2001-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device provided with semiconductor circuit made of semiconductor element and method of fabricating the same
US7126161B2 (en) 1998-10-13 2006-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having El layer and sealing material
US6274887B1 (en) 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US7141821B1 (en) * 1998-11-10 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an impurity gradient in the impurity regions and method of manufacture
US7022556B1 (en) 1998-11-11 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Exposure device, exposure method and method of manufacturing semiconductor device
US6277679B1 (en) 1998-11-25 2001-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor
US7697052B1 (en) 1999-02-17 2010-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic view finder utilizing an organic electroluminescence display
US7821065B2 (en) 1999-03-02 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a thin film transistor comprising a semiconductor thin film and method of manufacturing the same
US6475836B1 (en) * 1999-03-29 2002-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6680487B1 (en) 1999-05-14 2004-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor comprising a TFT provided on a substrate having an insulating surface and method of fabricating the same
JP4298131B2 (ja) 1999-05-14 2009-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
TWI232595B (en) * 1999-06-04 2005-05-11 Semiconductor Energy Lab Electroluminescence display device and electronic device
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
JP4666723B2 (ja) 1999-07-06 2011-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6952020B1 (en) * 1999-07-06 2005-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW480722B (en) * 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
JP4776769B2 (ja) * 1999-11-09 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US6646287B1 (en) 1999-11-19 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with tapered gate and insulating film
JP2001175198A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US20010053559A1 (en) * 2000-01-25 2001-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating display device
US6924594B2 (en) * 2000-10-03 2005-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6664732B2 (en) * 2000-10-26 2003-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
TW522577B (en) * 2000-11-10 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6717181B2 (en) 2001-02-22 2004-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device having thin film transistor
US7294517B2 (en) * 2001-06-18 2007-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of fabricating the same
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US8415208B2 (en) 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
TW558743B (en) * 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
TWI225177B (en) * 2001-09-12 2004-12-11 Hannstar Display Corp Manufacturing method of thin film transistor (TFT) liquid crystal display (LCD)
US6852997B2 (en) 2001-10-30 2005-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7042024B2 (en) * 2001-11-09 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
US6903377B2 (en) * 2001-11-09 2005-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
TW586091B (en) 2001-12-07 2004-05-01 Sharp Kk Display device comprising bidirectional two-terminal element and method of fabricating the same
JP3705264B2 (ja) * 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
JP4101511B2 (ja) * 2001-12-27 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US6953735B2 (en) 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
TWI270919B (en) * 2002-04-15 2007-01-11 Semiconductor Energy Lab Display device and method of fabricating the same
TWI272556B (en) 2002-05-13 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Display device
US7256421B2 (en) 2002-05-17 2007-08-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Display device having a structure for preventing the deterioration of a light emitting device
TW588571B (en) * 2002-05-24 2004-05-21 Sanyo Electric Co Electroluminescence display device
US7230271B2 (en) * 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
AU2003264515A1 (en) 2002-09-20 2004-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US20040124421A1 (en) * 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
GB2396244B (en) * 2002-12-09 2006-03-22 Lg Philips Lcd Co Ltd Array substrate having color filter on thin film transistor s tructure for LCD device and method of fabricating the same
KR100956338B1 (ko) * 2002-12-11 2010-05-06 삼성전자주식회사 X-ray 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판
US7307301B2 (en) * 2002-12-17 2007-12-11 General Electric Company Imaging array
JP3744521B2 (ja) * 2003-02-07 2006-02-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US7314785B2 (en) * 2003-10-24 2008-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
CN100358157C (zh) * 2003-10-28 2007-12-26 统宝光电股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法
US7495644B2 (en) * 2003-12-26 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
US7202504B2 (en) 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
US7554265B2 (en) * 2004-06-25 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8003449B2 (en) 2004-11-26 2011-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device having a reverse staggered thin film transistor
JP5066836B2 (ja) * 2005-08-11 2012-11-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR101397571B1 (ko) * 2005-11-15 2014-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그의 제조방법
CN100426519C (zh) * 2006-09-11 2008-10-15 友达光电股份有限公司 低反射率的自发光单元显示器的像素单元结构
JP2008153427A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Hitachi Displays Ltd 高感度光センサ素子及びそれを用いた光センサ装置
JP5208591B2 (ja) 2007-06-28 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、及び照明装置
JP5704790B2 (ja) * 2008-05-07 2015-04-22 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ、および、表示装置
US8219408B2 (en) * 2008-12-29 2012-07-10 Motorola Mobility, Inc. Audio signal decoder and method for producing a scaled reconstructed audio signal
KR102195170B1 (ko) 2009-03-12 2020-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI556323B (zh) 2009-03-13 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法
US8766269B2 (en) 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
TWI589042B (zh) * 2010-01-20 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置,撓性發光裝置,電子裝置,照明設備,以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法
US9000442B2 (en) * 2010-01-20 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device
TWI535032B (zh) 2011-01-12 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US8643007B2 (en) * 2011-02-23 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014054569A1 (ja) 2012-10-03 2014-04-10 シャープ株式会社 半導体装置及び表示装置
KR20150120376A (ko) 2013-02-20 2015-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 반도체 장치, 및 박리 장치
KR20180132181A (ko) 2013-12-02 2018-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제조방법
CN105793957B (zh) 2013-12-12 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 剥离方法及剥离装置
CN103728780A (zh) * 2013-12-31 2014-04-16 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示装置及其制造方法
US10586817B2 (en) 2016-03-24 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and separation apparatus
US10185190B2 (en) 2016-05-11 2019-01-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, module, and electronic device
KR102554183B1 (ko) 2016-07-29 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
TW201808628A (zh) 2016-08-09 2018-03-16 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
US10852258B2 (en) 2017-07-17 2020-12-01 James S. Medford Apparatus and method for analyzing flaws in a tubular member
CN107611181A (zh) * 2017-10-26 2018-01-19 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、显示装置
CN111524911A (zh) * 2020-04-30 2020-08-11 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置

Family Cites Families (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS525010B2 (zh) * 1971-12-24 1977-02-09
US3840695A (en) 1972-10-10 1974-10-08 Westinghouse Electric Corp Liquid crystal image display panel with integrated addressing circuitry
US4103297A (en) * 1976-12-20 1978-07-25 Hughes Aircraft Company Light-insensitive matrix addressed liquid crystal display system
US4226898A (en) 1978-03-16 1980-10-07 Energy Conversion Devices, Inc. Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors produced by a glow discharge process
JPS5842448B2 (ja) 1978-08-25 1983-09-20 セイコーエプソン株式会社 液晶表示パネル
US4239346A (en) 1979-05-23 1980-12-16 Hughes Aircraft Company Compact liquid crystal display system
US5091334A (en) 1980-03-03 1992-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US4342617A (en) * 1981-02-23 1982-08-03 Intel Corporation Process for forming opening having tapered sides in a plasma nitride layer
JPS58101439A (ja) * 1981-12-12 1983-06-16 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS58144888A (ja) * 1982-02-23 1983-08-29 セイコーインスツルメンツ株式会社 行列形液晶表示装置
US4557036A (en) 1982-03-31 1985-12-10 Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. Semiconductor device and process for manufacturing the same
JPS59137931A (ja) 1983-01-28 1984-08-08 Fuji Photo Film Co Ltd カラ−光プリンタヘツド
JPS601846A (ja) * 1983-06-18 1985-01-08 Toshiba Corp 多層配線構造の半導体装置とその製造方法
US4636038A (en) * 1983-07-09 1987-01-13 Canon Kabushiki Kaisha Electric circuit member and liquid crystal display device using said member
JPS6045219A (ja) * 1983-08-23 1985-03-11 Toshiba Corp アクテイブマトリクス型表示装置
US4523370A (en) 1983-12-05 1985-06-18 Ncr Corporation Process for fabricating a bipolar transistor with a thin base and an abrupt base-collector junction
JPH0693166B2 (ja) * 1984-09-05 1994-11-16 株式会社日立製作所 液晶素子
WO1986004688A1 (en) 1985-02-05 1986-08-14 Kyodo Printing Co., Ltd. Color filter and method of producing the same
US4673623A (en) 1985-05-06 1987-06-16 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Layered and homogeneous films of aluminum and aluminum/silicon with titanium and tungsten for multilevel interconnects
EP0217406B1 (en) 1985-10-04 1992-06-10 Hosiden Corporation Thin-film transistor and method of fabricating the same
JPS62271418A (ja) 1986-05-20 1987-11-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非晶質シリコン半導体素子の製造方法
US4827118A (en) 1986-07-10 1989-05-02 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Light-sensitive device having color filter and manufacturing method thereof
JPS6437585A (en) * 1987-08-04 1989-02-08 Nippon Telegraph & Telephone Active matrix type display device
JPS6450028A (en) * 1987-08-21 1989-02-27 Nec Corp Thin film transistor substrate
US5327001A (en) 1987-09-09 1994-07-05 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor array having single light shield layer over transistors and gate and drain lines
US5032883A (en) 1987-09-09 1991-07-16 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
US5229644A (en) * 1987-09-09 1993-07-20 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor having a transparent electrode and substrate
US5166085A (en) 1987-09-09 1992-11-24 Casio Computer Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor
US4934791A (en) 1987-12-09 1990-06-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Color filter
JPH01156725A (ja) * 1987-12-15 1989-06-20 Seiko Epson Corp 表示装置
US4949141A (en) * 1988-02-04 1990-08-14 Amoco Corporation Vertical gate thin film transistors in liquid crystal array
JP2653099B2 (ja) * 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル,投写型表示装置及びビューファインダー
JPH02109341A (ja) 1988-10-19 1990-04-23 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
CA1313563C (en) 1988-10-26 1993-02-09 Makoto Sasaki Thin film transistor panel
EP0371398B1 (en) 1988-11-26 1995-05-03 Toppan Printing Co., Ltd. Color filter for multi-color liquid-crystal display panel
DE68915524T2 (de) 1988-12-26 1994-12-08 Sharp Kk Flüssigkristallanzeigevorrichtung.
US5051570A (en) * 1989-01-20 1991-09-24 Nec Corporation Liquid crystal light valve showing an improved display contrast
JPH0824191B2 (ja) 1989-03-17 1996-03-06 富士通株式会社 薄膜トランジスタ
NL8900989A (nl) * 1989-04-20 1990-11-16 Philips Nv Halfgeleiderinrichting met een in een kunststof omhulling ingebed halfgeleiderlichaam.
GB2235326A (en) 1989-08-16 1991-02-27 Philips Electronic Associated Active matrix liquid crystal colour display devices
JPH03143996A (ja) 1989-10-30 1991-06-19 Tonen Corp 潤滑油組成物
US5227900A (en) 1990-03-20 1993-07-13 Canon Kabushiki Kaisha Method of driving ferroelectric liquid crystal element
JPH04174541A (ja) * 1990-03-28 1992-06-22 Nec Corp 半導体集積回路及びその製造方法
JP2976483B2 (ja) * 1990-04-24 1999-11-10 日本電気株式会社 液晶表示素子用薄膜トランジスタの製造方法
EP0456199B1 (en) * 1990-05-11 1997-08-27 Asahi Glass Company Ltd. Process for preparing a polycrystalline semiconductor thin film transistor
US5162933A (en) 1990-05-16 1992-11-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Active matrix structure for liquid crystal display elements wherein each of the gate/data lines includes at least a molybdenum-base alloy layer containing 0.5 to 10 wt. % of chromium
US5056895A (en) 1990-05-21 1991-10-15 Greyhawk Systems, Inc. Active matrix liquid crystal liquid crystal light valve including a dielectric mirror upon a leveling layer and having fringing fields
EP0459832B1 (en) * 1990-05-31 1996-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal colour display device and method for producing the same
US5182624A (en) 1990-08-08 1993-01-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Solid state electromagnetic radiation detector fet array
JPH0824193B2 (ja) * 1990-10-16 1996-03-06 工業技術院長 平板型光弁駆動用半導体装置の製造方法
US5514879A (en) * 1990-11-20 1996-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gate insulated field effect transistors and method of manufacturing the same
KR950013784B1 (ko) * 1990-11-20 1995-11-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 반도체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법과 박막트랜지스터
US5849601A (en) 1990-12-25 1998-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
KR950001360B1 (ko) * 1990-11-26 1995-02-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 전기 광학장치와 그 구동방법
KR920010885A (ko) 1990-11-30 1992-06-27 카나이 쯔또무 박막반도체와 그 제조방법 및 제조장치 및 화상처리장치
KR960010723B1 (ko) 1990-12-20 1996-08-07 가부시끼가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 전기광학장치
US5474941A (en) 1990-12-28 1995-12-12 Sharp Kabushiki Kaisha Method for producing an active matrix substrate
DE69125260T2 (de) * 1990-12-28 1997-10-02 Sharp Kk Ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilm-Transistors und eines Aktive-Matrix-Substrates für Flüssig-Kristall-Anzeige-Anordnungen
EP0499979A3 (en) 1991-02-16 1993-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
KR960014823B1 (ko) 1991-03-15 1996-10-21 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 액정표시장치
JP2794499B2 (ja) 1991-03-26 1998-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3143996B2 (ja) 1991-10-08 2001-03-07 ソニー株式会社 液晶表示装置
US5442237A (en) * 1991-10-21 1995-08-15 Motorola Inc. Semiconductor device having a low permittivity dielectric
SG81187A1 (en) * 1991-11-29 2001-06-19 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device and manufacturing method therefor
US5459595A (en) 1992-02-07 1995-10-17 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal display
US5206183A (en) * 1992-02-19 1993-04-27 Micron Technology, Inc. Method of forming a bit line over capacitor array of memory cells
US5424244A (en) * 1992-03-26 1995-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for laser processing and apparatus for use in the same
CN100442532C (zh) * 1992-07-06 2008-12-10 株式会社半导体能源研究所 有源矩阵显示器件
JP2924506B2 (ja) * 1992-10-27 1999-07-26 日本電気株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造
JP3253383B2 (ja) 1992-12-17 2002-02-04 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
GB2274723B (en) 1992-12-24 1996-09-25 Gold Star Co Liquid crystal display and the manufacturing method thereof
DE69332142T2 (de) 1992-12-25 2003-03-06 Sony Corp Substrat mit aktiver Matrix
KR100294194B1 (ko) 1993-02-05 2001-09-17 김순택 액정표시소자
US5411909A (en) * 1993-02-22 1995-05-02 Micron Technology, Inc. Method of forming a planar thin film transistor
JPH07175084A (ja) * 1993-12-21 1995-07-14 Hitachi Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP2860226B2 (ja) * 1993-06-07 1999-02-24 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US5488000A (en) * 1993-06-22 1996-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor using a nickel silicide layer to promote crystallization of the amorphous silicon layer
US5470801A (en) 1993-06-28 1995-11-28 Lsi Logic Corporation Low dielectric constant insulation layer for integrated circuit structure and method of making same
JP2789293B2 (ja) 1993-07-14 1998-08-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
JP2894165B2 (ja) * 1993-07-24 1999-05-24 ヤマハ株式会社 半導体装置
US5492843A (en) 1993-07-31 1996-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device and method of processing substrate
JP3214186B2 (ja) * 1993-10-07 2001-10-02 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US5529951A (en) * 1993-11-02 1996-06-25 Sony Corporation Method of forming polycrystalline silicon layer on substrate by large area excimer laser irradiation
US5654203A (en) * 1993-12-02 1997-08-05 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film transistor using catalyst elements to promote crystallization
KR100319332B1 (ko) * 1993-12-22 2002-04-22 야마자끼 순페이 반도체장치및전자광학장치
JP3109967B2 (ja) 1993-12-28 2000-11-20 キヤノン株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法
US5565384A (en) * 1994-04-28 1996-10-15 Texas Instruments Inc Self-aligned via using low permittivity dielectric
JPH07302912A (ja) 1994-04-29 1995-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR950034755A (zh) * 1994-05-27 1995-12-28
EP0689085B1 (en) 1994-06-20 2003-01-29 Canon Kabushiki Kaisha Display device and manufacture method for the same
US5714968A (en) * 1994-08-09 1998-02-03 Nec Corporation Current-dependent light-emitting element drive circuit for use in active matrix display device
JP3059915B2 (ja) * 1994-09-29 2000-07-04 三洋電機株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
JP3240858B2 (ja) * 1994-10-19 2001-12-25 ソニー株式会社 カラー表示装置
US5684365A (en) 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
JP2900229B2 (ja) * 1994-12-27 1999-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法および電気光学装置
US6331475B1 (en) 1995-01-12 2001-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and manufacturing semiconductor device
TW344901B (en) 1995-02-15 1998-11-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk Active matrix display device
JP3364081B2 (ja) * 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW529773U (en) 1995-06-01 2003-04-21 Semiconductor Energy L B Semiconductor device
US6372534B1 (en) * 1995-06-06 2002-04-16 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines
SE504616C2 (sv) 1995-07-25 1997-03-17 Centritech Hb Anordning och förfarande för diskontinuerlig separering av partiklar ur en vätska genom centrifugalsedimentering
JP3744980B2 (ja) * 1995-07-27 2006-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP3184771B2 (ja) * 1995-09-14 2001-07-09 キヤノン株式会社 アクティブマトリックス液晶表示装置
US6800875B1 (en) 1995-11-17 2004-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer
TWI228625B (en) * 1995-11-17 2005-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
US6294799B1 (en) 1995-11-27 2001-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating same
TW309633B (zh) * 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US6204101B1 (en) * 1995-12-15 2001-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TW319912B (zh) * 1995-12-15 1997-11-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3563877B2 (ja) * 1996-06-21 2004-09-08 三菱電機株式会社 半導体装置
TW386238B (en) * 1997-01-20 2000-04-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US6169293B1 (en) 2001-01-02
TWI228625B (en) 2005-03-01
US5952708A (en) 1999-09-14
US6239470B1 (en) 2001-05-29
TW384412B (en) 2000-03-11
US20110147750A1 (en) 2011-06-23
CN1399166A (zh) 2003-02-26
US20080315202A1 (en) 2008-12-25
CN1160927A (zh) 1997-10-01
CN1399165A (zh) 2003-02-26
TW439003B (en) 2001-06-07
CN1399166B (zh) 2010-05-26
US7855381B2 (en) 2010-12-21
US8203147B2 (en) 2012-06-19
KR100309629B1 (ko) 2002-08-13
CN1137519C (zh) 2004-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1399165B (zh) 显示器件
US9640559B2 (en) Low temperature poly-silicon array substrate and forming method thereof
US5060036A (en) Thin film transistor of active matrix liquid crystal display
EP0531124B1 (en) Liquid crystal display device
US7206053B2 (en) Electro-optical device
KR100675631B1 (ko) 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
US6137551A (en) Liquid crystal display, thin film transistor array, and method of fabricating same with storage capacitor providing high aspect ratio
US6800873B2 (en) Semiconductor device and electronic device
KR100526731B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
US6088071A (en) Auxiliary capacitor for a liquid crystal display device
CN111587453B (zh) 显示装置
KR101131793B1 (ko) 폴리 실리콘형 박막트랜지스터 및 이를 갖는 박막트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
US7008830B2 (en) Poly-crystalline thin film transistor and fabrication method thereof
CN1379482A (zh) 半导体装置及有源矩阵型显示装置
JPH1041519A (ja) 液晶表示装置の製造方法及びその製造方法による液晶表示装置
CN1697994A (zh) 液晶显示装置的制造方法
EP0468711B1 (en) Matrix-addressed type display device
CN105870132A (zh) Tft阵列基板及其制作方法
US6278502B1 (en) Pixel capacitor formed from multiple layers
KR20070109162A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법
US6737294B1 (en) Method of reducing surface leakage currents of a thin-film transistor substrate
KR101147266B1 (ko) 폴리형 박막 트랜지스터 기판 및 제조 방법
KR100508057B1 (ko) 박막트랜지스터기판및박막트랜지스터액정표시장치제조방법
JP4631300B2 (ja) 表示装置の製造方法
JP2022090361A (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20100526

EXPY Termination of patent right or utility model