CN1392615A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

发光装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1392615A
CN1392615A CN02122668A CN02122668A CN1392615A CN 1392615 A CN1392615 A CN 1392615A CN 02122668 A CN02122668 A CN 02122668A CN 02122668 A CN02122668 A CN 02122668A CN 1392615 A CN1392615 A CN 1392615A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dielectric film
light
substrate
emitting device
multilayer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN02122668A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100350633C (zh
Inventor
山崎舜平
高山彻
秋叶麻衣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of CN1392615A publication Critical patent/CN1392615A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100350633C publication Critical patent/CN100350633C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明的目的是提供一种发光装置，它包括塑料基底上形成的OLED，能够防止由于湿气和氧气进入造成老化。在塑料基底上提供多层薄膜用于防止氧气和湿气进入OLED中的有机发光层(以后叫做隔离膜)、应力小于隔离膜的薄膜(以后叫做应力松弛膜)、隔离膜之间的薄膜。由于多层隔离膜的分层结构，即使一层隔离膜发生了开裂，其它隔离膜仍然能够有效地防止湿气和氧气进入有机发光层。此外，应力小于隔离膜的应力松弛膜夹在隔离膜之间，从而减小整层密封膜的应力。结果很难因为应力而发生开裂。

Description

发光装置及其制造方法
1.发明领域
本发明涉及制造半导体装置的一种方法，具体而言，涉及一种发光装置，包括发光元件，例如，在塑料基底上形成的有机发光二极管(OLED)。本发明还涉及一种OLED模块，其中有一个控制器之类的IC安装在一个OLED板上。在本说明中，OLED板和OLED模块一般都叫做发光装置。本发明还涉及这种采用这种发光装置的电器。
2.相关技术
近来，在基底上形成TFT(薄膜晶体管)的技术取得了显著的进展，人们正在继续研究将它应用于有源阵列显示器。特别是采用多晶硅薄膜的TFT能够以很高的速度工作，因为这样的TFT比采用传统非晶硅薄膜的TFT具有更高的场效应迁移率。因此，以前用基底外驱动电路进行的像素控制，现在可以用形成像素的同一块基底上的驱动电路来进行。
这样一种有源阵列显示器包括同一基底上形成的各种电路或者元件。由于采用了这样一种结构，这种有源阵列显示器具有多个优点，比如生产成本低，显示器体积小，产量高，吞吐率高。
此外，人们还对包括OLED作为自发光元件的有源阵列发光装置(以后简称为发光装置)进行了积极研究。这种发光装置也叫做有机EL显示(OELD)或者有机发光二极管。
这种OLED特别适合于减小发光装置的厚度，因为它能够自发光因而具有很高的可见度，不需要液晶显示器(LCD)必不可少的背光。此外，OLED对于视角没有限制。由于具有这些优点，采用OLED的发光装置作为替换CRT或者LCD的显示装置引起了人们注意。
OLED包括有机化合物(有机发光材料；以后将这样的层叫做有机发光层)层、阳极层和阴极层。有机发光层通过在阳极和阴极之间施加一个电场发出冷光(电致发光)。有机化合物产生的电致发光包括：从单重激励态返回基态引起的发光(荧光)；以及从三重激励态返回基态引起的发光(磷光)。本发明的发光装置可以利用上述发光类型中的任意一种类型，也可以同时采用上述两种发光类型。
在这一说明中，OLED阴极和阳极之间的所有层一般都被定义为有机发光层。具体而言，发光层、空穴注入层、电子注入层、空穴传递层、电子传递层之类全部包括在有机发光层这一大类中。OLED的结构按顺序基本上是阳极、发光层和阴极。除了这一结构以外，一些OLED的结构按顺序包括阳极、空穴注入层、发光层和阴极，其它OLED的结构中按顺序包括阳极、空穴注入层、发光层、电子传递层、阴极之类。
人们预期这种发光装置适合于各种应用。特别是因为它的厚度很小，需要将这种发光装置用于便携式设备，这样能够减轻重量。为了这一目的，已经有人尝试在柔性塑料薄膜上形成OLED。
在塑料薄膜这种柔性基底上形成OLED发光装置的优点不仅仅在于它厚度小、重量轻，还在于它能够用作弯曲表面、橱窗之类上进行显示。因此，它的应用范围特别广，并不限于便携式设备。
但是一般而言，湿气或者氧气能够通过塑料制成的基底。由于湿气和氧气会加速有机发光层的老化，湿气和氧气的穿透会缩短发光装置的寿命。作为这个问题的传统解决办法，在塑料基底和OLED之间采用氮化硅薄膜或者氮氧化硅薄膜这样的绝缘膜，防止湿气和氧气进入有机发光层。
但是总的来说，塑料薄膜这样的基底很容易受热影响。在形成氮化硅薄膜或者氮氧化硅薄膜这种绝缘膜的时候，特别高的薄膜形成温度会导致基底变形。相反，特别低的薄膜形成温度会影响薄膜质量，使它很难充分地防止湿气和氧气渗透。
此外，如果增加氮化硅薄膜或者氮氧化硅薄膜这种绝缘膜的厚度来防止湿气和氧气穿透，会相应地增大应力，从而很容易导致薄膜开裂。另外，随着厚度增加，基底弯曲的时候绝缘膜很容易开裂。
发明简述
考虑到以上问题，本发明的一个目的是提供一种发光装置，它包括在塑料基底上形成的OLED，能够减缓湿气或者氧气透过引起的老化。
本发明在塑料基底上形成多层薄膜，防止氧气和湿气进入OLED的有机发光层(以后将它叫做隔离膜)，还形成应力比隔离膜小的一层(以后将它叫做应力松弛膜)，夹在隔离膜之间。在本说明中，隔离膜和应力松弛膜层压形成的薄膜叫做密封膜。
具体而言，用无机材料制作两层或者多层隔离膜(以后简称为隔离膜)。此外，在隔离膜之间形成包括树脂的一层应力松弛膜(以后简称为应力松弛膜)。然后在这些三层或者多层绝缘膜上形成OLED。将这个OLED密封起来形成一个发光装置。
本发明将多层隔离膜重叠起来。通过这种方式，即使这些隔离膜中的一层发生开裂，其它隔离膜也能够有效地防止湿气和氧气进入有机发光层。此外，即使由于薄膜形成温度太低而导致隔离膜质量下降，重叠起来的多层隔离膜也能够有效地阻挡湿气和氧气进入有机发光层。
更进一步，将应力小于隔离膜的一层应力松弛膜夹在隔离膜之间，减小密封膜的总应力。这样，跟厚度相同的单层隔离膜相比，在多层隔离膜上很难因为应力而发生开裂，其中应力松弛膜夹在隔离膜之间。
因此，跟厚度相同的单层隔离膜相比，多层薄膜能够有效地防止湿气和氧气进入有机发光层。另外，这样的多层隔离膜很难因为应力而发生开裂。
还有，隔离膜和应力松弛膜的叠层结构能够使装置的柔软性更好，从而防止由于基底弯曲发生开裂。
另外，本发明中基底上形成的OLED密封膜(以后叫做密封膜)也可以具有上述多层结构。利用这种结构能够有效地防止湿气和氧气进入有机发光层。此外，能够防止弯曲基底的时候发生开裂。结果能够获得更加柔软的发光装置。
附图简述
在附图中：
图1A-1C说明本发明中发光装置的制造方法；
图2A-2B说明本发明中发光装置的制造方法；
图3A-3D说明本发明中发光装置的制造方法；
图4A-4C说明本发明中发光装置的制造方法；
图5A说明本发明中发光装置的外观；图5B是FPC连接部分的一个放大图；图5C是连接部分的一个剖面图；
图6A是本发明中发光装置弯曲状态的一个示意图；图6B是它的剖面图；
图7说明本发明中发光装置跟FPC连接的那一部分的剖面结构；
图8A-8D说明本发明中发光装置的制造方法；
图9A-9C说明本发明中发光装置的制造方法；
图10A-10C说明包括在本发明发光装置中的TFT和OLED的制造步骤；
图11A-11C说明包括在本发明发光装置中的TFT和OLED的制造步骤；
图12A-12B说明包括在本发明发光装置中的TFT和OLED的制造步骤；
图13是本发明中发光装置的一个剖面图；
图14说明如何用水流喷射方法去掉粘合层；
图15说明如何通过溅射形成一个有机发光层；
图16A是像素的顶视图；图16B是像素的电路图；
图17是发光装置电路结构的一个原理图；
图18A-18D分别说明采用本发明的发光装置的电器；和
图19说明采用卷装进出方法的密封膜形成设备。
优选实施方案
下面参考附图介绍本发明的实施方案模式。图1A-4C说明像素部分和驱动电路的制造步骤。
实施方案模式1
在图1A中第一基底101上用非晶硅薄膜形成厚度是100-500纳米(在这个实施方案模式中是300纳米)的第一粘合层102。虽然在这个实施方案模式中将玻璃基底作为第一基底101，但是也可以采用石英基底、金属基底或者陶瓷基底。可以将任意材料用作第一基底101，只要它能够承受后续制造步骤中的处理温度。
作为形成第一粘合层102的一种方法，可以采用低压热CVD法、等离子体CVD法、溅射法或者蒸发法。在第一粘合层102上，用氧化硅薄膜形成厚度为200纳米的一层绝缘膜103。作为形成绝缘膜103的方法，可以采用低压热CVD法、等离子体CVD法、溅射法或者蒸发法。当第一粘合层102被剥离第一基底101的时候，绝缘膜103用于保护第一基底101上形成的元件。
下一步在绝缘膜103上形成元件(图1B)。该元件是半导体元件(通常是TFT)或者是MIM元件，用作有源阵列发光装置中像素、OLED之类的开关元件。对于无源发光装置，这个元件是OLED。在图1B中，将驱动电路106中的TFT 104a、像素部分中的TFT 104b和104c以及OLED 105作为元件代表。
然后，形成一层绝缘膜108，覆盖上述元件。在形成以后，上述绝缘膜108最好有一个平坦的表面。绝缘膜108是必不可少的。
接下来，如图1C所示，通过第二粘合层109将第二基底110粘合到第一基底101上。在这个实施方案模式中，将塑料基底用作第二基底110。具体而言，可以采用PES(聚醚砜)、PC(聚碳酸脂)、PET(聚对苯二甲酸乙酯)或者PEN做成的厚度是10微米或者更厚的树脂基底。
作为第二粘合层109的材料，有必要使用在以后的步骤中要去掉第一粘合层102的时候能够提供足够选择余地的这种材料。一般而言，可以将树脂做成的绝缘膜用作第二粘合层109。虽然在这个实施方案模式中将聚酰亚胺用作第二粘合层109的材料，但是也可以使用丙烯、聚酰胺或者环氧树脂。从OLED看过去的时候，如果第二粘合层109在观看者一侧(发光装置用户一侧)，就需要一种材料来发射光。
此外，在这个实施方案模式中，在第二基底110上形成两层或者多层隔离膜。然后在两层隔离膜之间形成一层应力松弛膜。结果，在第二基底110和第二粘合层109之间形成具有隔离膜和应力松弛膜这种叠层结构的一层密封膜。
例如，在这个实施方案模式中，通过在第二基底110上进行溅射形成一层氮化硅薄膜作为隔离膜111a；在隔离膜111a上形成包括聚酰亚胺的一层应力松弛膜111b；通过在应力松弛膜111b上进行溅射形成一层氮化硅膜作为隔离膜111c。隔离膜111a、应力松弛膜111b和隔离膜111c形成的一层分层膜一起叫做密封膜111。然后通过第二粘合层109将其上形成密封膜111的第二基底110粘合在第一基底101上形成的元件上。
提供两层或者多层隔离模是足够了的。可以将氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝或者氮氧化铝硅(AlSiON)用作隔离膜的材料。
由于氮氧化铝硅具有较高的导热率，将它用作隔离膜能够有效地散除元件中产生的热。
可以将透光树脂用作应力松弛膜111b。一般而言可以使用聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚酰胺、环氧树脂之类。还可以采用除了以上树脂以外的树脂。在这个实施方案模式中，利用可聚合聚酰亚酰胺然后进行烘烤来形成应力松弛膜。
在大约0.4Pa的溅射压力和150摄氏度的基底温度下利用氩形成氮化硅薄膜。除了氩以外还利用氮和氢，将硅作为靶子形成薄膜。对于氮氧化硅，在大约0.4Pa的溅射压力和150摄氏度的基底温度下，通过引入氩形成薄膜。将硅作为靶子，除了氩以外通过引入氮、二氧化氮和氢，形成薄膜。也可以将氧化硅作为靶子。
每层隔离膜111a和111c的厚度都需要在50纳米到3微米的范围内。在这个实施方案模式中，形成厚度为1微米的氮化硅薄膜。
形成隔离膜的方法不限于溅射；薄膜的形成方法可以由实现本发明的人确定。例如，隔离膜可以用LPCVD法、等离子体CVD法等等来形成。
应力松弛膜111b的厚度应该在200纳米到2微米之间。在这个实施方案模式中，形成1微米的聚酰亚胺薄膜作为应力松弛膜。
对于隔离膜111a和111c以及应力松弛膜111b，有必要选择这样的材料，在以后的步骤中去掉第一粘合层102的时候它应当提供足够选择余地。
由于图1A所示的步骤，OLED能够跟空气完全隔离。结果，由于氧气导致的有机发光材料的老化能够被完全抑制，明显地提高OLED的可靠性。
下一步，如图2A所示，将第一基底101、第二基底110、它们之间形成的所有元件和整个薄膜暴露在包括氟化卤的气体中，从而去掉第一粘合层102。在这个实施方案模式中，将三氟化氯(ClF3)用作氟化卤，而将氮气用作稀释气体。也可以将氩、氦或者氖用作稀释气体。可以将两种气体的流速设置为500sccm(8.35×10-6m3/s)，将反应压力设置为1-10乇(1.3×102-1.3×103Pa)。处理温度可以是室温(通常是20-27摄氏度)。
在这种情况下，对硅薄膜进行腐蚀，而不对塑料薄膜、玻璃基底、聚酰亚胺薄膜和二氧化硅薄膜进行腐蚀。具体而言，暴露在三氟化氯中以后，有选择性地腐蚀掉第一粘合层102，使之完全腐蚀掉。由于类似地用硅层做成的TFT的有源层没有暴露在外界，因此，有源层没有暴露在三氟化氯中，因而没有被腐蚀。
在这个实施方案模式中，从它暴露的边缘部分逐渐地腐蚀掉第一粘合层102。当第一粘合层102被完全去掉的时候，第一基底101和绝缘膜103被完全分开。每个都包括多层薄膜的这些TFT和OLED留在第二基底上。
第一块基底101的尺寸最好是不太大，因为腐蚀是从第一粘合层102的边缘开始，因此完全去掉第一粘合层102所需要的时间随着基底尺寸增大而变长。所以在这个实施方案模式中，第一基底101的对角线应该是3英寸或者更小(最好是1英寸或者更小)。
通过这种方式剥离了第一基底101以后，按照图2B的方式形成第三粘合层113。然后通过第三粘合层113将第三基底112粘合到第二基底110上。通过这种方式，将一个塑料基底用作第三基底112。具体而言，可以将厚度为10微米或者更厚的树脂基底，例如PES(聚醚砜)基底、PC(聚碳酸脂)、PET(聚对苯二甲酸乙酯)或者PEN，用作第三基底112。
可以将树脂(一般是聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺或者环氧树脂)做成的绝缘膜用作第三粘合层113。从OLED看过去，当第三粘合层113在观看者一侧的时候(发光装置用户一侧)，需要能够透光的材料。
在这个实施方案模式中，在第三基底112上形成两层或者多层隔离膜。然后在这两层隔离膜之间做一层应力松弛膜。结果，在第二基底112和第三粘合层113之间形成具有隔离膜和应力松弛膜形成的叠层结构的一层密封膜。
例如，在这个实施方案模式中，在第三基底110上通过溅射形成一层氮化硅薄膜作为隔离膜114a；在隔离膜114a上形成包括聚酰亚胺的一层应力松弛膜114b；通过在应力松弛膜114b上进行溅射形成一层氮化硅薄膜作为隔离膜114c。隔离膜114、应力松弛膜114b和隔离膜114c形成的分层膜一起叫做密封膜114。然后在它上面形成密封膜114的第三基底112，通过第三粘合层113粘合到固定在第二基底110上的元件上去。
提供两层或者多层隔离膜足够了。隔离膜的材料可以采用氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化氯、氮氧化铝或者氮氧化铝硅(AlSiON)。
由于氮氧化铝硅的导热率较高，将它用作隔离膜能够有效地散发元件产生的热。
可以将能够透光的树脂用作应力松弛膜114b。一般而言可以使用聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、环氧树脂之类。在这个实施方案模式中，应力松弛模是通过使用可热聚合聚酰亚胺然后进行烘烤形成的。
氮化硅薄膜是在大约0.4Pa的溅射压力下，在150摄氏度的基底温度上引入氩形成的。薄膜是通过将硅作为靶子，除了氩以外还要引入氮和氢形成的。氮氧化硅是在大约0.4Pa的溅射压力下，在150摄氏度的基底温度下引入氩形成的。为了形成薄膜，将硅作为靶子，除了氩以外，还引入了氮、二氧化氮和氢。也可以将二氧化硅用作靶子。
隔离膜114a和114c的厚度应该在50纳米到3微米之间。在这个实施方案模式中，氮化硅薄膜的厚度是1微米。
形成隔离膜的方法不限于溅射；薄膜形成方法可以由实现本发明的人决定。例如，隔离膜可以用LPCVD法、等离子体CVD法等等形成。
应力松弛膜114b的厚度应该在200纳米到2微米之间。在这个实施方案模式中，用作应力松弛膜的聚酰亚胺薄膜的厚度是1微米。
通过这种方式，能够获得两层柔性基底110和112之间的一个柔性发光装置。将同一材料用作第二基底110和第三基底112，基底110和112会具有相同的热膨胀系数。结果，基底110和112很难受温度变化产生的应力应变的影响。
按照这一实施方案模式制造的发光装置允许用半导体制造元件(例如TFT)而不会受到塑料基底热阻的影响。这样就能够获得性能非常好的发光装置。
虽然在这个实施方案模式中第一粘合层102是用非晶硅制作的，并且是用包括氟化卤的气体去掉的，但是本发明并不限于这种结构。可以由实现本发明的人来决定第一粘合层102采用哪种材料以及采用哪种去除方法。为第一粘合层102找到合适的材料和去除方法是非常重要的，这样才能保证除了第一粘合层102以外不需要去除的基底、元件和薄膜不被去除，同时又能够去除第一粘合层102，而不影响发光装置的工作。第一粘合层102的材料不会在第一粘合层102的去除步骤以外的步骤中被去除也是非常重要的。
例如，可以将一种有机材料用作第一粘合层102，它是用激光束照射，从而全部或者部分地蒸发的。另外，这种材料应该能够吸收激光光束能量，例如它是有颜色的，或者是黑色材料(例如有黑色素的树脂材料)，这样才能够在采用YAG激光二次谐波的时候，只有第一粘合层102能够有效地吸收激光束能量。将元件形成步骤的热处理过程中不会蒸发的一种材料用作第一粘合层102。
第一、第二和第三粘合层中的每一层既可以是单层的，也可以是多层的。可以在粘合层和基底之间采用非晶硅薄膜或者DLC薄膜。
第一粘合层102可以用非晶硅薄膜形成，第一基底可以在以后的步骤中将激光束照射到第一粘合层102上来剥离。在这种情况下，为了方便第一基底的剥离，最好是采用包括大量氢的非晶硅薄膜。非晶硅薄膜中包括的氢在受到激光束照射的时候会蒸发，因而能够很容易地剥离第一基底。
为了获得激光束，可以采用脉冲振荡或者是连续波激发物激光器、YAG激光器或者YVO4激光器。通过第一基底将激光束照射到第一粘合层，从而只蒸发第一粘合层，将它剥离第一基底。因此，第一基底最好是能够透过激光束的基底，例如玻璃基底、石英基底等等，它的厚度大于第二和第三基底的厚度。
在本发明中，为了让激光束能够透过第一基底，应该适当地选择激光束和第一基底。例如，将石英基底用作第一基底的时候，用YAG激光器(基波(1064纳米)、二次谐波(532纳米)、三次谐波(355纳米)、四次谐波(266纳米))或者激发物激光器(波长：308纳米)形成直光束，它能够透过石英基底。激发物激光束不能通过玻璃基底。因此，将玻璃基底用作第一基底的时候，用YAG激光器的基波、二次谐波或者三次谐波，最好是二次谐波(波长532纳米)，形成一个直光束，它能够通过玻璃基底。
也可以采用将一种液体(加压液体或者气体)喷射到第一粘合层上分离第一基底的一种方法(一般是水流喷射法)。
如果第一粘合层是用非晶硅薄膜做成的，就可以用联氨去掉第一粘合层。
也可以采用Hei 8-288522号日本专利申请中描述的通过腐蚀分离第一基底的方法。具体而言，将氧化硅薄膜(SOG)用作第一粘合层，然后用氟化氢将它去除。在这种情况下，不需要去除的氧化硅薄膜通过溅射法或者CVD法具有一种精细结构是非常重要的，这样，通过氟化氢去除第一粘合层的时候，氧化硅薄膜能够提供足够的选择余地。
利用这样的结构，即使是使用非常薄的基底，具体而言是50到300微米，最好是150到200微米，也能够获得高可靠性的发光装置。用传统的制造设备很难在这样薄的基底上形成元件。但是，既然这一元件是粘合到第一基底上的，就可以采用利用薄基底的制造设备，而不需要改变现有设备。
利用包括多层绝缘膜的密封膜，能够有效地防止湿气和氧气渗透导致的老化。此外，能够防止弯曲基底的时候发生开裂。结果能够获得更加柔软的发光装置。
实施方案模式2
下面描述本发明中不同于第一个实施方案模式的另一个实施方案模式。
在图3A中，在第一基底201上用非晶硅薄膜做成厚度是100-500纳米(在这个实施方案模式中是300纳米)的第一粘合层202。虽然在这个实施方案模式中将玻璃基底用作第一基底201，但是也可以采用石英基底、硅基底、金属基底或者陶瓷基底。第一基底201可以是任意材料，只要它能够承受后续处理步骤中的热处理。
形成第一粘合层202的方法可以是低压热CVD法、等离子体CVD法、溅射法或者蒸发法。在第一粘合层202上，用氧化硅薄膜形成厚度是200纳米的一层绝缘膜203。形成绝缘膜203的方法可以是低压热CVD法、等离子体CVD法、溅射法或者蒸发法。绝缘膜203用于从第一基底201上剥离第一粘合层202的时候保护第一基底201上形成的元件。
下一步在绝缘膜203上形成一个元件(图3B)。这里的这个元件是一个半导体元件(一般是一个TFT)或者是一个MIM元件，在有源阵列发光装置中用作像素的开关元件，或者是一个OLED之类。对于无源发光装置，这个元件是一个OLED。在图3B中，将驱动电路206中的TFT 204a、像素部分中TFT 204b和204c以及OLED 205作为元件实例。
然后形成一层绝缘膜208，覆盖上述元件。形成以后绝缘膜208最好有一个平坦表面。绝缘膜208不是必需的。
如图3C所示，下一步通过第二粘合层209将第二基底210粘合到第一基底201上去。虽然在这个实施方案模式中将玻璃基底用作第二基底210，但是也可以采用石英基底、硅基底、金属基底或者陶瓷基底。第二基底210可以采用任何材料，只要这种材料能够承受后续处理步骤中的热处理。
第二粘合层209的材料必须能够在后续步骤中去掉第一粘合层202的时候能够提供足够的选择余地。此外，对于第二粘合层209，去掉第二粘合层的时候粘合第三基底的第三粘合层必须不被去掉，不导致第三基底剥落。在这个实施方案模式中采用公开的第Hei 5-315630号日本专利申请中描述的聚酰胺酸溶液，它是聚酰亚胺树脂的前期产品。具体而言，用聚酰胺酸溶液形成厚度是10-15微米的第二粘合层209的时候，它是一种未经硬化的树脂，第二基底210和中间层绝缘膜208通过热压粘合互相粘在一起。然后加热，暂时将树脂硬化。
在这个实施方案模式中第二粘合层209的材料不限于聚酰胺酸溶液。可以采用任何材料，只要它能够在后续步骤中去掉第一粘合层202的时候提供足够的选择余地，去掉第二粘合层209的时候粘合第三基底的第三粘合层不被去掉，不导致第三基底脱落就行。第二粘合层209的材料在去掉第二粘合层209以外的步骤中不被去掉是非常重要的。
如图3D所示，下一步将第一基底201、第二基底210和所有元件以及它们之间形成的整个薄膜暴露在包括氟化卤的气体中，去掉第一粘合层202。在这个实施方案模式中，三氟化氯(ClF3)被用作氟化卤，将氮用作稀释气体。也可以将氩、氦或者氖用作稀释气体。两种气体的流速都可以是500sccm(8.35×10-6m3/S)，反应压力可以是1-10托(1.3×102-1.3×103Pa)。处理温度可以是室温(一般是20-27摄氏度)。
在这种情况下腐蚀硅薄膜，而塑料薄膜、玻璃基底、聚酰亚胺薄膜和氧化硅薄膜则不被腐蚀。具体而言，暴露在三氟化氯气体中，有选择地腐蚀掉第一粘合层202，将它完全剥落。既然同样是由硅薄膜形成的TFT的有源层没有暴露在外面，有源层就没有暴露在三氟化氯气体中，因而没有被腐蚀。
在这个实施方案模式中，第一粘合层202从它暴露的边缘部分开始被逐渐腐蚀。第一粘合层202被完全去掉以后，第一基底201和绝缘膜203被互相分离。去掉第一粘合层202以后，各自都包括薄膜叠层的TFT和OLED都保留在第二基底210上。
将大块基底用作第一基底201不是最佳的，因为第一粘合层202是从它的边缘开始逐渐地被腐蚀掉的，完全去掉第一粘合层202所需要的时间随着它的尺寸变大而延长。因此，在这个实施方案模式中个基底201的对角线应该是3英寸或者更小(最好是1英寸或者更小)。
通过这种方式去掉第一基底201以后，形成第三粘合层213，如图4A所示。然后通过第三粘合层213将第三基底212粘合到第二基底212上。在这个实施方案模式中，将塑料基底用作第三基底212。具体而言，可以将厚度为10微米或者更厚的树脂基底用作第三基底212，例如用PES(聚醚砜)制作的基底、PC(聚碳酸脂)、PET(聚对苯二甲酸乙酯)或者PEN。
用树脂(一般是聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺或者环氧树脂)制作的绝缘膜可以被用作第三粘合层213。如果从OLED看过去的时候第三粘合层213在观看者一侧(发光装置用户一侧)，这种材料就应该透光。
此外，在这个实施方案模式中，在第三基底212上形成两层或者多层隔离膜。然后，在两层隔离膜之间产生一个应力松弛薄。结果，在第三基底212和第三粘合层213之间形成具有隔离膜和应力松弛膜分层结构的一层密封膜。
例如，在这个实施方案模式中，在第三基底212上通过溅射形成一层氮化硅薄膜作为一层隔离膜214a；在隔离膜214a上形成包括聚酰亚胺的一层应力松弛膜214b；在应力松弛膜214b上通过溅射形成一层氮化硅薄膜作为隔离膜214C。隔离膜214a、应力松弛膜214b和隔离膜214c形成的分层膜一起叫做密封膜214。然后通过第三粘合层213将上面形成了密封膜214的第三基底212粘合在固定于第二基底210的元件上。
提供两层或者多层隔离膜足够了。隔离膜的材料可以采用氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝或者氮氧化铝硅(AlSiON)。
由于氮氧化铝硅的导热率较高，因此用它作为隔离膜能够有效地散去元件产生的热。
透光树脂能够被用作应力松弛膜214b。一般而言，可以采用聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚酰胺、环氧树脂之类。在这个实施方案模式中，通过采用丙烯，然后进行烘烤，形成应力松弛膜。
在大约0.4Pa的溅射压力和150摄氏度的基底温度下通过引入氩形成氮化硅薄膜。薄膜是通过将硅作为靶子，除了氩以外，还引入氮和氢形成的。对于氮氧化硅，是在大约0.4Pa的溅射压力和150摄氏度的基底温度下，通过引入氩形成薄膜。薄膜是通过使用硅作为靶子，同时除了氩以外，还引入氮、二氧化氮和氢来形成的。也可以将氧化硅用作靶子。
隔离膜214a和214c的厚度应该在50纳米到3微米之间。在这个实施方案模式中，氮化硅薄膜的厚度为1微米。
隔离膜的形成方法不限于溅射；可以由实现本发明的人来决定采用什么样的薄膜形成方法。例如，可以用LPCVD法、等离子体CVD法之类形成隔离膜。
应力松弛膜214b的厚度应该在200纳米到2微米之间。在这个实施方案模式中，丙烯薄膜的厚度为1微米。
下一步，如图4B所示，将第二粘合层209剥离第二基底210。具体而言，通过浸入水中大约1个小时，去掉第二粘合层209，从而剥离第二基底210。
根据第二粘合层209的材料、元件或者薄膜的材料、基底材料等等选择剥离方法非常重要。
下一步，如图4C所示，在剥离第二基底210的一侧，也就是通过OLED跟第三基底相对的一侧，提供两层或者多层中的隔离膜。然后在两层隔离膜之间提供一层应力松弛膜。
例如在这个实施方案模式中，在绝缘膜208跟接触第二基底210的一侧相对的一侧，通过溅射形成一层氮化硅薄膜作为隔离膜215a；在隔离膜215a上形成包括聚酰亚胺的一层应力松弛膜215b；在应力松弛膜215b上通过溅射形成一层氮化硅薄膜作为隔离膜215c。隔离膜215a、应力松弛膜215b和隔离膜215c一起叫做密封膜215。
提供两层或者多层隔离膜足够了。隔离膜的材料可以采用氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝或者氮氧化铝硅(AlSiON)。
由于氮氧化铝硅的导热率较高，将它用作隔离膜能够有效地散去元件产生的热。
透光树脂可以被用作应力松弛膜215b。一般而言可以使用聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、环氧树脂之类。在这个实施方案模式中，应力松弛膜是通过采用丙烯，然后进行烘烤形成的。
在大约0.4Pa的溅射压力和150摄氏度的基底温度下通过引入氩形成氮化硅薄膜。薄膜形成是通过除了氩以外引入氮和氢，将硅作为靶子形成的。对于氮氧化硅，在大约0.4Pa的溅射压力和150摄氏度的基底温度下通过引入氩形成薄膜。薄膜是通过除了氩以外引入氮、二氧化氮和氢，将硅作为靶子而形成的。也可以将氧化硅用作靶子。
隔离膜215a和215c的厚度应该在范围50纳米到3微米之间。在这个实施方案模式中，氮化硅薄膜的厚度为1微米。
形成隔离膜的方法不限于溅射；可以由实现本发明的人决定采用什么样的薄膜形成方法。例如，薄膜可以用LPCVD法、等离子体CVD法等等形成。
应力松弛膜215b的厚度应该在200纳米到2微米之间。在这个实施方案模式中，丙烯薄膜的厚度为1微米。
通过这种方式可以利用单个塑料基底获得柔性发光装置。
由于可以用半导体形成元件(例如TFT)而不会受到塑料基底热阻的限制，按照本发明能够制造高性能的发光装置。
虽然本发明第一个实施方案模式中第一粘合层202是用非晶硅做成的，并且是用包括氟化卤的气体去掉的，但是本发明并不限于这一结构。可以由实现本发明的人去决定第一粘合层202采用什么材料和去除方法。第一粘合层202的材料和去除方法能够保证除了第一粘合层202以外不需要去除的基底、其它粘合层、元件和薄膜不会在去除第一粘合层202的时候被去除掉，从而不影响发光装置的工作，这一点是非常重要的。第一粘合层202的材料使得去除第一粘合层202的步骤以外的其它步骤里它不被去除掉同样重要。
虽然聚酰胺酸溶液被用作第二粘合层209然后用水去掉，它是聚酰亚胺树脂的前一级产品，但是本发明的结构并不限于此。第二粘合层209的材料和去除方法可以由实现本发明的人来确定。第二粘合层209的材料和去除方法能够保证除了第二粘合层209以外不需要去除的基底、其它粘合层、元件和薄膜在去除第二粘合层的时候不被去除掉，从而不影响发光装置的工作，这一点是非常重要的。第二粘合层209的材料使得它在去除第二粘合层209的步骤以外的其它步骤里不被去除掉同样重要。
例如，可以将用激光束照射能够全部或者部分蒸发的有机材料用作第一和第二粘合层202和209。另外，应该采用能够吸收激光束能量的材料，例如有色材料或者黑色材料(例如包括黑色素的树脂材料)，从而在使用YAG激光器的二次谐波的时候，只有第一和第二粘合层202和209有效地吸收激光束的能量。采用在元件形成步骤的热处理过程中不被蒸发的第一和第二粘合层202和209。
第一、第二、第三粘合层中的每一层既可以是单层的，也可以是多层的。可以在粘合层和基底之间提供一层非晶硅薄膜或者一层DLC薄膜。
第一粘合层202或者第二粘合层209可以用非晶硅薄膜形成，可以通过在以后的步骤里将一束激光照射在第一粘合层202或者第二粘合层209上将这一基底剥离。在这种情况下，为了方便第一基底剥离，最好是采用包括大量氢的非晶硅薄膜。非晶硅中包括的氢在激光束的照射下被蒸发，从而能够很容易地剥离这一基底。
激光束可以采用脉冲振荡或者连续波激发物激光器、YAG激光器或者YVO4激光器。剥离第一基底的时候，通过第一基底将激光束照射到第一粘合层上，从而只蒸发第一粘合层，将第一基底剥离。要剥离第二基底的时候，通过第二基底将激光束照射到第二粘合层上，从而只蒸发第二粘合层，剥离第二基底。因此，第一或者第二基底最好是厚度大于第三基底的基底，它至少允许激光束通过，一般情况下它能够透过光，例如玻璃基底、石英基底之类。
在本发明中，为了让激光束通过第一或者第二基底，需要正确地选择激光束的类型和第一基底的类型。例如，将石英基底用作第一基底的时候，用YAG激光器(基波(1064纳米)、二次谐波(532纳米)、三次谐波(355纳米)、四次谐波(266纳米))或者激发物激光器(波长：308纳米)形成直光束，它能够透过石英基底。激发物激光束不能通过玻璃基底。因此，采用玻璃基底的时候，用YAG激光器的基波、二次谐波或者三次谐波，最好是二次谐波(波长532纳米)，形成一个直光束，它能够通过玻璃基底。
也可以采用例如将一种液体(加压流体或者气体)喷射到第一粘合层上分离第一基底的方法(通常是喷射水流法)。
如果第一粘合层是用非晶硅薄膜做成的，第一粘合层就可以用氢去除。
另外，也可以采用公开的第Hei 8-288522号日本专利申请上描述的腐蚀方法分离第一基底。具体而言，可以将使用的氧化硅薄膜(SOG)用作第一或者第二粘合层，然后用氟化氢清除掉。在这种情况下，不需要去除的氧化硅薄膜通过溅射或者CVD法具有精细结构是非常重要的，这样，用氟化氢去除第一或者第二粘合层的时候氧化硅薄膜能够提供足够的选择余地。
利用这样的结构，即使将非常薄的基底用作第三基底，具体而言是50-300微米，最好是150-200微米，也能够获得高可靠性的发光装置。利用传统的制造设备很难在这样薄的基底上形成元件。但是既然元件是通过粘合到第一和第二基底上形成的，就能够使用采用薄基底的制造设备而不需要改变这些设备。
利用包括多层绝缘膜的密封膜，能够有效地缓解由于湿气或者氧气渗透而导致老化。此外还能够防止弯曲基底的时候发生开裂。结果是能够获得更加柔软的发光装置。
在第一个和第二个实施方案模式中，OLED的阳极和阴极都可以被用作像素电极。
实施方案
下面将描述本发明的实施方案。
实施方案1
在实施方案1中描述本发明中发光装置的外观以及它如何跟FPC连接。
图5A是实施方案模式1所描述的本发明的发光装置的一个顶视图实例。第二基底301和第三基底302都是柔软的塑料基底。像素部分303和驱动电路(源侧驱动电路304和栅侧驱动电路305)在第二基底301和第三基底302之间。
在图5A中画出了一个实例，其中源侧驱动电路304和栅侧驱动电路305是在同时形成像素部分303的基底上形成的。但是，源侧驱动电路304和栅侧驱动电路305代表的驱动电路可以在不同于形成像素部分303的基底上形成。在这种情况下，驱动电路可以通过一个FPC之类跟像素部分303连接。
源侧驱动电路304和栅侧驱动电路305的编号和布局可以不同于图5A所示的结构。
编号306表示一个FPC，通过它，来自包括控制器的IC的信号或者源电压被施加在像素部分303、源侧驱动电路304和栅侧驱动电路305上。
图5B是图5A中虚线围起来的那一部分的一个放大图，在那里，FPC 306和第二基底301互相连接。图5C是沿着图5B中直线A-A’的一个剖面图。
在第二基底301和第三基底302之间有导线310，它们能够提供信号或者源电压给像素部分303、源侧驱动电路304和栅侧驱动电路305。为FPC 306准备了端子311。
用激光束之类将第二基底301和延伸的导线310之间密封膜和绝缘膜这样的各种薄膜以及第二基底301部分地去除，从而提供接触孔313。因此，多根延伸的导线310通过接触孔313暴露出来，通过各向异性导电树脂312分别跟端子311连接。
虽然在图5A-5C的这个实例中延伸的导线310从第二基底301部分地暴露出来，但是本发明并不限于此。延伸的导线也能够部分地从第三基底302暴露出来。
图6A画出了图5A所示发光装置的弯曲状态。由于实施方案模式1中的发光装置的第二基底和第三基底都是柔性的，这个发光装置能够象图6A所示的一样弯曲一定的角度。这样，这种发光装置具有广泛的用途，因为它能够用于弯曲表面、橱窗中进行显示。此外，不仅是实施方案模式1中描述的发光装置能够弯曲，实施方案模式2中描述的发光装置也能够弯曲。
图6B是图6A所示发光装置的一个剖面图。在第二基底301和第三基底302之间形成了多个元件。在这里代表性地画出了TFT 303a、303b和303c以及OLED 304。虚线309表示第二基底301和第三基底302之间的一条中心线。
在第二基底301和多个元件之间有一层隔离膜306a、一层应力松弛膜306b和一层隔离膜306c(它们一起叫做密封膜306)。在第三基底302和多个元件之间有隔离膜307a、应力松弛膜307b和隔离膜307c(一起叫做密封膜307)。
此外，在密封膜306和多个元件之间有第二粘合层305，密封膜307和多个元件之间有第三粘合层308。
下一步描述实施方案模式2中描述的发光装置跟FPC的连接。图7是一个剖面图，说明实施方案模式2中描述的发光装置跟FPC连接的部分。
第三基底401上有导线403。形成一层密封膜402，从而覆盖第三基底401上的导线403和多个元件。虽然图7中的密封膜402是单层膜，但是这一密封膜实际上包括多层密封膜和其间的一层应力松弛膜。
用激光束之类去掉第三基底401和延伸的导线403之间密封膜402和绝缘膜这样的各种薄膜从而产生一个接触孔。因此，通过接触孔将延伸的导线403暴露出来，通过各向异性导电树脂406跟FPC 404中包括的端子405实现电连接。
虽然在这个实例中延伸的导线从图7中的密封膜402部分地暴露出来，但是本发明并不限于此。延伸的导线可以从第三基底一侧部分地暴露出来。
实施方案2
在实施方案2中描述本发明中实施方案模式1的一个实例。
在图8A中，用氧化硅薄膜(SOG)在第一基底501上做成厚度是100-500(在这个实施方案中是300纳米)纳米的第一粘合层502。虽然在这个实施方案中将玻璃基底用作第一基底501，但是也可以采用石英基底、硅基底、金属基底或者陶瓷基底。第一基底501可以采用任意材料，只要它能够承受后续制造步骤中的处理温度就行。
形成SOG薄膜的方法是通过旋涂将碘溶液添加到SOG溶液中去，然后干燥，使之释放出其中的碘。然后在大约400摄氏度的热处理中形成SOG薄膜。在这个实施方案中，形成厚度为100纳米的SOG薄膜。形成SOG薄膜作为第一粘合层502的方法不限于上述方法。既可以将有机SOG用作SOG，也可以将无机SOG用作SOG；可以采用任何SOG，只要能够在后续步骤中用氟化氢将它去除。不需要去除的氧化硅薄膜通过溅射或者CVD方法形成具有精细结构是非常重要的，这样才能够用氟化氢去除第一粘合层的时候能够提供足够的选择余地。
下一步用低压热CVD法、等离子体CVD法、溅射法或者蒸发法在第一粘合层502上形成一层铝保护膜。在这个实施方案中，通过溅射在第一粘合层502上用铝形成厚度为200纳米的一层保护膜503。
虽然在这个实施方案中将铝作为保护膜503的材料，但是本发明并不限于此。在去掉第一粘合层502的时候，以及在除了去掉保护膜503的步骤以外的其它处理步骤中，这样的材料不被去除是非常重要的。此外，在去掉保护膜503的步骤中这样的材料不会导致其它薄膜和基底被去除掉也是非常重要的。保护膜503用于去掉第一粘合层502的时候保护第一基底501上形成的元件不被剥离第一基底501。
下一步在保护膜503上形成一个元件(图8B)。在图8B中，将驱动电路中的TFT 504a和504b用作代表性的元件。
在这个实施方案中，TFT 504a是一个n沟道的TFT，而TFT 504b则是一个p沟道的TFT。TFT 504a和504b形成一个CMOS。
TFT 504a包括保护膜503上形成的第一个电极550、覆盖第一个电极550的绝缘膜551、跟绝缘膜551接触的半导体膜552、跟半导体薄膜552接触的绝缘膜553以及跟绝缘膜553接触的第二个电极554。
TFT 504b包括第一个电极560、覆盖第一个电极560的绝缘膜551、跟绝缘膜551接触的半导体薄膜562、跟半导体薄膜562接触的绝缘膜553以及跟绝缘膜553接触的第二个电极564。
在保护膜503上跟第一个电极550一起同时形成了一个端子570。
然后形成一层绝缘膜565，盖住TFT 504a和504b。通过穿透绝缘膜565、551和553形成的接触孔形成跟半导体薄膜552和端子570接触的导线571、跟半导体薄膜552和562接触的导线572以及跟半导体薄膜562接触的导线573。
形成绝缘膜574覆盖导线571、572和573以及绝缘膜565。虽然图中没有画出，但是在绝缘膜574上形成了一个OLED。
然后形成一层绝缘膜508，盖住这些元件。形成以后绝缘膜508最好具有平坦的表面。没有必要形成绝缘膜508。
下一步如图8C所示，通过第二粘合层509将第二基底510粘合到第一基底上。在这个实施方案中将塑料基底用作第二基底510。具体而言，可以将例如厚度为10纳米或者更厚的树脂基底、PES(聚醚砜)、PC(聚碳酸脂)、PET(聚对苯二甲酸乙酯)或者PEN用作第二基底510。
第二粘合层509的材料应该能够保证在后续步骤中去掉第一粘合层502的时候能够提供足够的选择余地。一般而言可以采用树脂制作的绝缘膜。虽然在这个实施方案中采用聚酰亚胺，但是也可以采用丙烯、聚酰胺或者环氧树脂。当第二粘合层590放在从OLED看过去的观看者一侧(发光装置用户一侧)的时候，这种材料应该能够透光。
此外，在这个实施方案中，在第二基底510上形成两层或者多层隔离膜。然后在两层隔离膜之间形成一层应力松弛膜。结果，在第二基底510和第二粘合层509之间形成隔离膜和应力松弛膜构成一层密封膜。
例如，在这个实施方案中，通过在第二基底510上进行溅射形成一层氮化硅薄膜作为隔离膜51；在隔离膜511a上形成包括聚酰亚胺的一层应力松弛膜511b；在应力松弛膜511b上通过溅射形成一层氮化硅薄膜作为隔离膜511c。隔离膜511a、应力松弛膜511b和隔离膜511c一起叫做密封膜511。然后，通过第二粘合层509将形成密封膜511的第二基底510粘合在第一基底上形成的元件上。
提供两层或者多层隔离膜足够了。隔离膜的材料可以是氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝或者氮氧化铝硅(AlSiON)。
可以将能够透光的树脂用作应力松弛膜511b。一般而言，可以采用聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、环氧树脂之类。在这个实施方案中，应力松弛模是通过采用热可聚合聚酰亚胺然后进行烘烤形成的。
在0.4Pa的溅射压力和150摄氏度的基底温度下通过引入氩形成一层氮化硅薄膜。形成薄膜的时候将硅作为靶子，除了氩以外同时引入氮和氢。对于氮氧化硅，在0.4Pa的溅射压力和150摄氏度的基底温度下通过引入氩形成一层薄膜。形成薄膜的时候将硅作为靶子，除了氩以外，同时引入氮、二氧化氮和氢。也可以将氧化硅作为靶子。
每层隔离膜511a和511c的厚度都应该在50纳米到3微米之间。在这个实施方案中，氮化硅薄膜的厚度为1微米。
形成隔离膜的方法不限于溅射法；可以由实现本发明的人决定采用什么样的薄膜形成方法。例如，可以用LPCVD法、等离子体CVD法等等来形成薄膜。
应力松弛膜511b的厚度应该在200纳米到2微米之间。在这个实施方案中，聚酰亚胺薄膜的厚度是1微米。
对于第一个和第二个隔离层511a和511c以及应力松弛层511b，采用的材料在后续步骤去除第一粘合层502的时候应该能够提供足够的选择余地。
由于图8C所示的过程，OLED能够跟空气完全隔离。结果，能够充分延缓由于氧化而导致有机发光材料的老化，从而显著地提高OLED的可靠性。
下一步，如图8D所示，用氟化氢去除第一粘合层502。在这个实施方案中，将第一和第二基底501和510、它们之间形成的所有元件和整个薄膜浸入缓冲氢氟酸(HF/NH4F＝0.01-0.2，例如0.1)，去掉第一粘合层502。
由于不应该去掉的氧化硅薄膜是通过溅射或者CVD法用精细薄膜形成的，因此用氟化氢只去掉第一粘合层。
对于这个实施方案，从暴露的边缘部分逐渐地腐蚀掉第一粘合层502。完全去掉第一粘合层502的时候，第一基底501和保护膜503被互相隔离。去掉第一粘合层502以后，每个都包括许多薄膜的TFT和OLED保留在第二基底510上。
将大基底用作第一基底501不是最佳的，因为随着第一基底的尺寸变大，从边缘开始完全去掉第一粘合层502所需要的时间会越来越长。因此，这个实施方案中第一基底501的对角线应该是3英寸或者更短(最好是1英寸或者更短)。
下一步去掉保护膜503，如图9A所示。在这个实施方案中，用磷酸类型的腐蚀剂进行湿腐蚀去掉铝做成的保护膜503，从而暴露出端子570和第一个电极550和560。
然后，如图9B所示，形成导电树脂做成的各向异性的第三粘合层513。通过第三粘合层513，将第三基底512接合到暴露出端子570和第一个电极550和560的一侧。
在这个实施方案中，将塑料基底用作第三基底512。具体而言，可以将厚度为10微米或者更厚的树脂基底，例如，PES(聚醚砜)、PC(聚碳酸脂)、PET(聚对苯二甲酸乙酯)或者PEN做成的基底，用作第三基底512。
第三粘合层513可以采用树脂(一般而言是聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺或者环氧树脂)做成的绝缘膜。如果从OLED看过去，第三粘合层513在观看者一侧，这种材料就必须透光。
在这个实施方案中，在第三基底512上形成两层或者多层隔离膜。然后，在这两层隔离膜之间形成一层应力松弛膜。结果，在第三基底512和第三粘合层513之间形成隔离膜和应力松弛膜形成的一个叠层结构的一层密封膜。
例如，在这个实施方案中，通过在第三基底512上进行溅射形成一层氮化硅薄膜作为隔离膜514a；在隔离膜514a上形成包括聚酰亚胺的一层应力松弛膜514b；在应力松弛膜514b上通过溅射形成一层氮化硅薄膜作为隔离膜514c。隔离膜514a、应力松弛膜514b和隔离膜514c形成的叠层膜一起叫做密封膜514。然后，通过第三粘合层513将上面形成密封膜514的第三基底512粘合到固定在第二基底510上的元件上。
提供两层或者多层隔离膜足够了。隔离膜的材料可以采用氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝或者氮氧化铝硅(AlSiON)。
应力松弛膜51b可以采用透光的树脂。一般而言，可以使用聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、环氧树脂之类。在这个实施方案中，应力松弛模是通过采用热可聚合聚酰亚胺然后进行烘烤来形成。
在大约0.4Pa的溅射压力和150摄氏度的基底温度下通过引入氩来形成氮化硅薄膜。除了氩以外，还引入氮和氢，并且将硅作为靶子来形成薄膜。至于氮氧化硅，是在大约0.4Pa溅射压力和150摄氏度的基底温度下通过引入压来形成薄膜的。薄膜的形成是通过引入除了氩以外的氮、二氧化氮和氢，并且将硅作为靶子来实现的。也可以将氧化硅用作靶子。
每层隔离膜514a和514c的厚度都应该在50纳米到3微米之间。在这个实施方案中，氮化硅薄膜的厚度是1微米。
形成隔离膜的方法不限于溅射；薄膜形成方法可以由实现本发明的人来确定。例如，可以用LPCVD法、等离子体CVD法等等来形成薄膜。
应力松弛膜514b的厚度应该在200纳米到2微米之间。在这个实施方案中，聚酰亚胺薄膜的厚度为1微米。
然后，利用激光束照射，通过第三基底512和密封膜形成接触孔。在第三基底512上形成接触孔的地方及其周围蒸发上铝，在第三基底512的相应表面上形成端子580和581，它们之间互相有电连接。形成端子580和581的方法不限于上述结构。
在第三基底512上形成的端子580通过第三粘合层513跟端子570实现连接，这个端子570是跟第一个电极550和560同时形成的。
通过这种方式能够获得塑料基底510和512之间的柔性发光装置。第二基底510和第三基底512采用同样的材料，基底510和512具有同样的热膨胀系数。结果，基底510和512很难因为温度变化而受到影响。
如图9C所示，这样形成不会跟第三粘合层513接触，但是会跟第三基底512连接的端子581和FPC 590中包括的端子591通过各向异性导电树脂做成的第四个粘合层592互相连接。
按照本发明制造的发光装置允许采用半导体制作元件(例如TFT)而不会受到塑料基底热阻的限制。这样就能够获得具有特别高性能的发光装置。
虽然在这个实施方案中的粘合层502是用SOG做成的，并且最终用氟化氢去除掉，但是本发明并不限于这一结构。第一粘合层502的材料和去除方法可以由实现本发明的人来确定。第一粘合层502的材料和去除方法应该保证在去除第一粘合层502的时候，不会去掉不需要去掉的基底、元件和第一粘合层502以外的其它薄膜，同时不会影响发光装置的工作。此外，第一粘合层502的材料在去除第一粘合层502的步骤以外的步骤中不会被去除掉也是非常重要的。
例如，通过激光束照射部分或者全部蒸发的有机材料可以被用作第一粘合层502。另外，应该采用能够吸收激光束的材料例如有色材料或者黑色材料(例如包括黑色色素的树脂材料)，这样才能够保证采用来自YAG激光器的二次谐波的时候，只有第一粘合层502才有效地吸收激光束的能量。采用在元件形成步骤中的热处理过程里不会被蒸发的第一粘合层502。
第一、第二和第三粘合层都可以是单层的，也可以是多层的。在粘合层和基底之间可以采用非晶硅薄膜或者DLC薄膜。
第一粘合层502可以用非晶硅薄膜形成，在以后的步骤中，第一基底可以通过用激光束照射第一粘合层502而剥离。在这种情况下，为了方便第一基底的剥离，采用包括大量氢的非晶硅薄膜。通过激光束照射蒸发非晶硅里的氢，从而很容易地剥离第一基底。
激光束可以是脉冲或者连续波激发物激光器、YAG激光器或者YVO4激光器。通过第一基底将激光束照射在第一粘合层上，只蒸发第一粘合层，从而剥离第一基底。因此，第一基底最好是采用厚度大于第二和第三基底的基底，它至少能够透过照射的激光，通常是具有透光性的基底，例如玻璃基底、石英基底等等。
在本发明中，为了让激光束通过第一基底，需要正确地选择激光束和第一基底的类型。例如，将石英基底用作第一基底的时候，用YAG激光器(基波(1064纳米)、二次谐波(532纳米)、三次谐波(355纳米)、四次谐波(266纳米))或者激发物激光器(波长：308纳米)形成直光束，它能够透过石英基底。激发物激光束不能通过玻璃基底。因此，将玻璃基底用作第一基底的时候，用YAG激光器的基波、二次谐波或者三次谐波，最好是二次谐波(波长：532纳米)来形成直光束，它能够通过玻璃基底。
另外，可以采用通过将流体(加压流体或者气体)喷射到第一粘合层分离第一基底的方法(通常是喷射水流法)，或者采用结合该方法的方法。
如果第一粘合层是用非晶硅薄膜做成的，第一粘合层就可以用联氨去除。
另外，可以采用JP 8-288522 A中描述的通过腐蚀分离第一基底的方法。具体而言，将氧化硅薄膜(SOG)用作第一粘合层，用氟化氢去除它。此时，通过溅射或者CVD法，不需要去除的氧化硅薄膜具有精细结构，从而用氟化氢去除第一粘合层的时候氧化硅薄膜能够提供足够的选择余地是非常重要的。
利用这样一种结构，即使第二和第三基底采用非常薄的基底，具体而言50-300微米，最好是150-200微米，仍然能够获得高可靠性的发光装置。利用已知的制造设备也很难在这样薄的基底上形成元件。但是，由于元件是粘合到第一基底上去的，因此可以利用厚基底制造设备而不需要改变设备。
利用包括多层绝缘膜的密封膜，能够有效地缓解湿气或者氧气透过而引起老化。此外还能够防止基底弯曲的时候发生开裂。结果是能够获得更加柔软的发光装置。
实施方案3
利用这个实施方案，详细介绍形成像素部分周围驱动电路(源信号线驱动电路和栅信号线驱动电路)TFT和像素部分的一种方法。在这个实施方案中，仅仅是将CMOS电路作为驱动电路的一个基本单元来加以简要介绍。
首先，如图10A所示，用非晶硅薄膜在玻璃，比方说CORNING公司的第7059号和第1737号玻璃，鹏硅酸钡玻璃或者硼酸硅铝玻璃，形成的第一基底上形成第一粘合膜5001，它的厚度为100-500纳米(最好是300纳米)。可以用低压CVD法、等离子体法、溅射法或者蒸发法形成第一粘合膜5001。在这个实施方案中用溅射法形成第一粘合膜5001。
下一步在第一粘合膜5001上形成氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜或者氮氧化硅薄膜这样的绝缘膜形成的一层基薄膜5002。基薄膜5002能够在去掉第一粘合层5001的时候防止基底5000上形成的元件从基底5000上剥离。例如，用等离子体CVD法从SiH4、NH3和N2O形成厚度为10-200纳米(最好是50-100纳米)的氮氧化硅薄膜。同样，在它的上面利用SiH4和N2O叠上厚度为50-200纳米(最好是100-150纳米)的氮氧化硅薄膜。在这个实施方案中，这个基薄膜5002有两层，但是也可以用上述绝缘膜之一形成一个单层薄膜，或者是用上述绝缘膜形成两层以上的多层膜。
在非晶半导体薄膜上采用激光结晶或者已知的热结晶方法获得结晶半导体薄膜，从这样的结晶半导体薄膜形成岛屿一样的半导体层5003-5006。这些岛屿一样的半导体层5003-5006的厚度在25-80纳米(最好是30-60纳米)之间。没有对结晶半导体薄膜的材料进行任何限制，但是这种结晶半导体薄膜最好是用硅、锗化硅(SiGe)合金等等形成。
用激光结晶法制造结晶半导体薄膜的时候，采用脉冲类型或者连续发光类型的激发物激光器、YAG激光器和YVO4激光器。采用这些激光器的时候，最好是采用一种方法，用光学系统将激发光装置发射的激光束汇聚成一条直线，然后照射到半导体薄膜上。由操作员选择合适的结晶条件。采用激发物激光器的时候，将脉冲振荡频率设置为300赫兹，将激光能量密度设置为100-400毫焦耳每平方厘米(一般是200-300毫焦耳每平方厘米)。采用YAG激光器的时候，脉冲振荡频率最好是设置成30-300kHz，采用它的二次谐波，激光能量密度最好是300-600毫焦耳每平方厘米(一般是350-500毫焦耳每平方厘米)。汇聚成直线形状，宽度为100-1000微米，例如400微米，的激光光束，照射到整个基底表面。此时，直线激光光束的重叠比被设置为50-90％。
下一步形成覆盖岛屿一样的半导体层5003-5006的一个栅绝缘膜5007。这个栅绝缘膜5007是利用包括硅，厚度为40-150纳米，采用CVD法或者溅射法形成的。在这个实施方案中，栅绝缘膜5007是从120纳米厚的氮氧化硅形成的。但是，栅绝缘膜并不限于这样的氮氧化硅薄膜，而是可以是包括其它东西，单层或者多层的绝缘膜。例如，采用氧化硅薄膜的时候，用等离子体CVD法混合TEOS和O2，反应压力为40Pa，基底温度为300-400摄氏度，采用0.5-0.8W/cm2的高频(13.56MHz)功率密度放电。这样就可以通过放电形成氧化硅薄膜。在400-500摄氏度的退火温度下，通过这种方式制造的氧化硅薄膜能够使栅绝缘膜获得良好的特性。
形成栅电极的第一导电膜5008和第二导电膜5009是在栅绝缘膜5007上形成的。在这个实施方案中，用Ta形成厚度为50-100纳米的第一导电膜5008，用W形成厚度为100-300纳米的第二导电膜5009。
采用溅射方法形成Ta薄膜，Ta的靶子被Ar溅射。此时，Ar中添加适当量的Xe和Kr的时候，Ta薄膜的内部应力被释放，因而能够防止该薄膜剥落。α相Ta薄膜的电阻是大约20μΩcm，这个Ta薄膜可以被用作栅电极。但是，β相Ta薄膜的电阻是大约180μΩcm，这个Ta薄膜不适合用作栅电极。事先形成晶体结构接近Ta薄膜的α相的结构，并且厚度为10-50纳米的氮化钽，作为Ta薄膜的基，形成α相Ta薄膜的时候，就能够很容易地获得α相Ta薄膜。
将钨作为靶子，采用溅射方法形成钨薄膜。此外，可以利用六氟化钨(WF6)采用热CVD法形成钨薄膜。无论如何，要将这个薄膜用作栅电极，都要减小它的电阻。需要将钨薄膜的电阻设置成等于或者小于20μΩcm。当钨的晶体颗粒变大的时候，能够减小钨薄膜的电阻。但是，当钨薄膜中有许多杂质，比方说氧气等等的时候，就能够防止结晶，电阻会增大。因此，对于溅射法，采用纯度为99.9999％或者99.99％的钨靶，形成薄膜的时候充分注意不要将杂质从气相混合到钨薄膜中，就能够形成这个钨薄膜。这样就能够实现9-20μΩcm的电阻。
在这个实施方案中，第一导电膜5008是用Ta形成的，第二导电膜5009是用钨形成的。但是，本发明并不限于这种情况。这些导电薄膜中的每一个也可以用Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu或这一这些元素为主要组成的合金材料或者化合物材料来制作。还有，也可以采用掺杂了磷这种杂质的多晶硅薄膜代表的半导体薄膜。除了这个实施方案说明的以外的其它组合实例包括：用氮化钽(TaN)形成的第一导电膜5008、用W形成的第二导电膜的组合；第一导电膜5008是用氮化钽(TaN)、第二导电膜5009是用Al形成的一个组合；以及第一导电膜5008是用氮化钽(TaN)，第二导电膜5009是用Cu形成的一个组合。
下面用抗蚀剂形成一个模板，进行第一次腐蚀形成电极和导线。在这个实施方案中，采用ICP(电感耦合等离子体)腐蚀法，将CF4和Cl2跟一种气体混合起来进行腐蚀。在1Pa的压力下，将500W的RF(13.56MHz)功率施加到线圈类型的电极上，产生等离子体。同时将100W的RF(13.56MHz)功率施加到基底一侧(样本级)施加基本上是负电压的一个自偏置电压。CF4和Cl2混合的时候，将W薄膜和Ta薄膜腐蚀到同样程度。
在上述腐蚀条件下，通过将抗蚀剂形成的模板做成适当的形状，利用加在基底一侧的偏置电压，将第一导电层和第二导电层的末端部分做成锥形。锥子部分的角度为15到45度。延长腐蚀时间10-20％比较好，这样就能够完成腐蚀而不会在栅绝缘膜上留下残留物。由于氮氧化硅到W薄膜的选择比为2-4(通常是3)，氮氧化硅薄膜暴露的表面被过腐蚀过程腐蚀掉20-50纳米。这样，第一个腐蚀过程形成第一和第二导电层形成的第一个形状的导电层5011-5016(第一导电层5011a-5016a和第二导电层5011b-5016B)。在栅绝缘膜5007上将第一个形状的导电层5011-5016没有覆盖的区域腐蚀大约20-50纳米(见图10A)。
然后，进行第一次掺杂，添加杂质元素，得到n型导体。掺杂方法可以是离子掺杂法或者离子植入法。离子掺杂法的条件是剂量为1×1013-5×1014个原子每平方厘米，电子电压为60-100keV。属于第15族的元素，通常是磷(P)或者砷(As)被用作杂质元素来获得n型导体。但是在这里使用磷(P)。此时，导电层5011-5015被用作杂质元素模板，形成n型导体，用自对准方法形成第一杂质区5017-5025。以1×1020-1×1021个原子每立方厘米的密度将给出n型导体的杂质添加到第一个杂质区5017-5025。(见图10B)
下一步进行第二次腐蚀过程，而不去掉抗蚀剂模板，如图10C所示。用CF4、Cl2和O2有选择地腐蚀W薄膜。用第二个腐蚀过程形成第二个形状的导电层5026-5031(第一导电层5026a-5031a和第二导电层5026b-5031b)。进一步将第二个形状的导电层5026-5031没有覆盖的栅绝缘膜5007的区域腐蚀大约20-50纳米，从而形成一个薄区域。
利用CF4和Cl2混合气体和Ta薄膜腐蚀W薄膜的腐蚀反应可以利用产生的蒸汽压力和离子以及反应产品来实现。将W和Ta的氟和氯化物蒸汽压力进行比较的时候，作为W的氟化物的WF6蒸汽压力特别高，其它WCl5、TaF5和TaCl5的蒸汽压力互相相等。因此，用CF4和Cl2的混合气体腐蚀W薄漠和Ta薄膜。但是，将适当量的O2添加到这种混合气体中去的时候，CF4和O2发生反应，成CO和F，于是产生大量的F原子团或者F离子。结果，氟化物蒸汽压力非常高的W薄膜的腐蚀速度加快。与此相反，增加F的时候Ta薄膜腐蚀速度的增加非常小。由于跟W比，Ta很容易氧化，所以Ta薄膜的表面通过添加O2而氧化。由于没有任何Ta的氧化物跟氟或者氯化物反应，Ta薄膜的腐蚀速度进一步降低。因此，有可能使W薄膜和Ta薄膜的腐蚀速度出现差别，使W薄膜的腐蚀速度比Ta薄膜的腐蚀速度高。
如图11A所示，进行第二次掺杂。在这种情况下，通过将剂量减小到低于第一次掺杂过程的剂量，用于给出n型导电性的杂质元素的量比第一次掺杂过程的少，加速电压更高。例如，加速电压被设置成70-120keV，剂量是1×1013个原子每平方厘米。这样，在图10B所示的岛屿一样的半导体层内形成的第一个杂质区内形成一个新的杂质区。掺杂的时候，第二种形状的导电层5026-5030被用作杂质元素的模板，进行掺杂从而使得杂质元素也被添加到第一导电层5026a-5030a下面的区域。这样就形成第三个杂质区5032-5041。第三个杂质区5032-5036包括磷(P)，密度梯度比较小，跟第一导电层5026a-5030a的锥形部分的厚度梯度相吻合。在重叠第一导电层5026a-5030a的锥形部分的半导体层中，杂质密度在中心略微低于第一导电层5026a-5030a的锥形部分的边缘部分。但是这种差别很小，整个半导体层几乎是具有相同的杂质密度。
然后进行第三次腐蚀处理，如图11B所示。将CHF6用作腐蚀气体，采用反应离子腐蚀(RIE)技术。通过第三次腐蚀处理，第一导电层5026a-5031a的锥形部分被部分地腐蚀，缩小第一导电层重叠半导体层的区域。这样形成的是第三种形状的导电层5037-5042(第一导电层5037a-5042a和第二导电层5037b-5042b)。此时，第三种形状的导电层5037-5042没有覆盖的栅绝缘膜5007的区域被进一步腐蚀，削薄到大约20-50纳米。
通过第三次腐蚀处理形成第三个杂质区5032-5036。第三个杂质区5032a-5036a分别重叠第一导电层5037a-5041a，第二个杂质区5032b-5036b每个都在第一个杂质区和第三个杂质区之间形成。
如图11C所示，在岛屿一样的半导体层5004和5006中形成跟第一个导电类型相反的第四个杂质区5043-5054，形成p沟道TFT。第三种形状的导电层5038b和5041b被用作杂质元素的模板，以一种自对准方式形成杂质区。在这一点上，用于形成n沟道TFT和导线部分5042的岛屿一样的半导体层5003和5005全部被抗蚀剂模板5200覆盖。杂质区5043-5054已经掺杂了不同密度的磷。杂质区5043-5054通过离子掺杂掺杂了乙硼烷(B2H6)，从而使每个区域内乙硼烷比磷多，每个区域都包括密度为2×1020-2×1021个原子每立方厘米的杂质元素。
通过以上步骤，在岛屿一样的半导体层中形成杂质区。覆盖岛屿一样的半导体层的第三种形状的导体层5037-5041被用作栅电极。数字5042说明的部分被用作岛屿一样的源信号线。
去掉抗蚀剂模板5200以后，激活添加到岛屿一样的半导体层中的杂质元素，控制导电类型。这一工艺是利用一个熔炉进行炉内退火通过热退火方法完成的。也可以采用激光退火法或者快速热退火法(RTA法)。在热退火法中，这一工艺是在400-700摄氏度，通常是500-600摄氏度的温度，在氮气中，其中氧气浓度等于或者小于1ppm，最好是等于或者小于0.1ppm的情况下完成的。在这个实施方案中，在500摄氏度的温度下进行4个小时的热处理。当第三种形状的导电层5037-5042里使用的导电材料抗不住热的时候，最好是在形成一个中间层绝缘膜(将硅作为基本组成)以后进行激活，以便保护导线等等。
此外，在包括3-100％氢的气体内，在300-450摄氏度的温度下进行1-12个小时的热处理，使岛屿一样的半导体层被氢化。这个步骤是利用热激活的氢终止半导体层的不饱和键。等离子体氢化(利用等离子体激活的氢)可以作为另一种氢化手段。
下一步，如图12A所示，用100-200纳米厚的氮氧化硅薄膜形成第一个层间绝缘膜5055。在第一个层间绝缘膜的上面用有机绝缘材料形成第二个层间绝缘膜。然后，通过第一个层间绝缘膜5055、第二个层间绝缘膜5056和栅绝缘膜5007形成接触孔。形成每根导线(包括连接线和信号线)5057-5062以及5064的图案。然后形成跟连接导线5062连接的像素电极5063的图案，并形成它。
以有机树脂为材料的薄膜被用作第二个层间绝缘膜5056。聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸、BCB等等可以被用作这一有机树脂。具体而言，由于第二个层间绝缘膜5056主要是用于平面化，能够使薄膜平整的丙烯酸是最好的。在这个实施方案中，形成厚度足以平整TFT造成的差异的一层丙烯酸薄膜。它的薄膜厚度最好是1-5微米(设置成2-4微米更好)。
在接触孔的形成过程中，形成到达n型杂质区5017、5018、5021和5023或者p型杂质区5043-5054的接触孔，到达导线5042的接触孔，到达电源线的接触孔(图中没有画出)，以及到达栅电极的接触孔(没有画出)。
此外，按照需要的形状形成一个三层结构，用作导线(包括连接线和信号线)5057-5062、5064。在这个三层结构中，用溅射方法形成厚度为100纳米的Ti薄膜，厚度为300纳米包括Ti的铝薄膜，以及厚度为150纳米的Ti薄膜。但是也可以使用另一个导电薄膜。
在这个实施方案中，形成厚度是110纳米的一个ITO薄膜，作为像素电极，在它上面形成图案。通过这个像素电极5063跟连接电极5062接触，跟这个连接导线5062重叠，而形成接触。此外，也可以使用混合2-20％氧化锌(ZnO)和氧化铟得到的透明导电膜。这个像素电极5063成为OLED的阳极(见图12A)。
如图12B所示，形成包括硅，厚度为500纳米的绝缘膜(在这个实施方案中是氧化硅薄膜)。形成第三个层间绝缘膜5065，其中的开孔跟像素电极5063的位置相对应。形成开孔的时候，利用湿腐蚀法能够很容易地使开孔的侧壁成为锥形。当开孔的侧壁不够平缓的时候，不平坦引起有机发光层的性能下降成为一个严重的问题。
下一步利用真空蒸发法而不暴露在空气中，连续形成一个有机发光层5066和一个阴极(MgAg电极)5067。有机发光层5066的厚度为80-200纳米(一般是100-120纳米)，阴极5067的厚度是180-300纳米(一般是200-250纳米)。
在这个过程中，顺序地形成对应于红色、绿色和蓝色像素的有机发光层。在这种情况下，由于有机发光层对溶液的抗蚀能力不够，因此必须单独为每一种颜色形成有机发光层，而不是采用光刻技术。因此，最好是用金属模板覆盖一部分，除了需要的像素以外，从而只在需要的部分有选择地形成有机发光层。
换言之，首先做成一个模板，覆盖除了对应于红色的像素以外的所有部分，用这个模板有选择地形成发射红光的有机发光层。下一步做成一个模板，覆盖除了对应于绿色像素以外的所有部分，用这个模板有选择地形成发射绿光的有机发光层。接下来，做成一个模板，覆盖除了对应于蓝光像素以外的所有部分，用这个模板有选择地形成发射蓝光的有机发光层。在这里采用不同的模板，但是也可以重复使用同一个模板。
在这里采用形成对应于RGB的三种OLED的一个系统。但是也可以采用结合了发射白光的OLED和滤色片的系统，OLED发射蓝光或者蓝绿光结合了荧光物质的系统(荧光色转换层：CCM)，利用透明电极等等将对应于R、G、B的OLED跟阴极重叠的系统。
可以将一种已知的材料用作有机发光层5066。使用有机材料的时候最好考虑驱动电压。例如，最好是将包括空穴注入层、空穴传递层、发光层和电子注入层的一个四层结构用作有机发光层。
在像素(同一条线上的像素)旁边形成阴极5067，包括用金属模板将栅电极跟同一个栅信号线连接的开关TFT。这个实施方案将MgAg用作阴极5067，但是并不限于此。也可以将其它材料用作阴极5067。
最后形成厚度为300纳米，用氮化硅薄膜形成的一个平面化薄膜5068。实际上，平面化薄膜5068起到了保护有机发光层5066不受水汽等影响的作用。但是，可以通过形成平面化薄膜5068进一步提高OLED的可靠性。
这样就完成了图12B所示的状态。虽然图中没有说明，但是按照实施方案模式1的制造方法，利用第二粘合层将提供密封膜的第二基底跟平面化薄膜5068粘合起来。另外，可以按照实施方案模式1所示的方法执行以下步骤。按照实施方案模式2的制造方法，成为密封膜的第二基底利用第二粘合层跟平面化薄膜5068粘合起来。另外，可以按照实施方案模式2的方法执行以下步骤。
在这个实施方案中形成发光装置的过程里，为了电路结构简单和工艺过程方便，源信号线是用Ta和W形成的，它们是栅电极的材料，栅信号线是从Al形成的，它们是源和漏极的导线材料。
这个实施方案中的发光装置具有很高的可靠性，除了像素部分以外，在驱动电路部分安排最佳结构的TFT，改进了工作特性。另外，在结晶工艺中，通过增加Ni这样的金属催化剂，还提高了结晶度。这样，源信号线驱动电路的驱动频率可以达到10MHz甚至更高。
首先，将其结构能够减少热载流子注入，从而尽可能地不降低工作速度的TFT用作形成驱动电路的CMOS电路的n沟道TFT。在这里，驱动电路包括移位寄存器、缓冲器、电平变换器、行顺序驱动中的锁存器、点顺序驱动中的传输栅。
对于这个实施方案，n沟道TFT的活动层包括源区、漏区、通过栅绝缘膜跟栅电极重叠的重叠LDD(Lov区域)、不通过栅绝缘膜跟栅电极重叠的偏移LDD区(Loff区域)和沟道形成区。
CMOS电路的p沟道TFT中的热载流子注入引起的性能变坏几乎是可以忽略的。因此在这种n沟道TFT中不需要形成LDD区域。但是，跟n沟道TFT相似，LDD区可以用作热载流子的防范措施。
此外，当这个驱动电路中采用CMOS电路，通过沟道形成区双向流过电流，也就是CMOS电路中源区和漏区的角色颠倒，的时候，构成CMOS电路的n沟道TFT最好是形成LDD区，从而使沟道形成区夹在LDD区中间。作为它的一个实例，给出点顺序驱动中使用的一个传输栅。驱动电路中使用尽可能地减小截止状态电流所需要的CMOS电路的时候，形成CMOS电路的n沟道TFT最好有一个Lov区。点顺序驱动中使用的传输栅也可以作为它的一个实例。
实际上，按照实施方案模式1或者2做出发光装置的时候，最好是采用一层保护膜(分层膜、紫外可修复树脂膜)对它进行封装(密封)，该保护膜具有很好的气密性，不允许除气和半透明密封膜，以便防止暴露给外界空气。在这种情况下，OLED的可靠性通过在密封膜内部填充惰性气体，放置稀释材料(例如氧化钡)而得以提高。
此外，通过封装等等增强气密性以后，用一个连接器(柔性印刷电路：FPC)使这个装置成为一个产品。连接器用于跟外部信号端子连接。这种状态的装置已经能够装运，在这里将它叫做自发射装置。
此外，根据这个实施方案中的工艺，可以减少制造发光装置所需要的遮光膜的数量。结果减少了过程，从而降低了成本，提高了产量。
要注意可以将实施方案1-2结合起来成为实施方案3。
实施方案4
在实施方案4中介绍本发明中采用逆参差类型TFT的发光装置的结构。
图13是本发明中发光装置的一个剖面图。在柔性第三基底601上形成一层密封膜601。密封膜601包括一层隔离膜601a、一层应力松弛膜601b和一层隔离膜601c。
在柔性第二基底606上形成一层密封膜608。密封膜608包括隔离膜608a、应力松弛膜608b和隔离膜608c。
在密封膜601和608之间形成TFT、OLED和其它元件。在这个实施方案中，将驱动电路610中包括的TFT 604a和像素部分611中包括的TFT 604b和604c作为代表性的实例。
OLED 605包括一个像素电极640、一个有机发光层641和一个阴极642。
TFT 604a包括栅电极613和614、形成用来跟栅电极613和614接触的绝缘膜612以及形成用来跟绝缘膜612接触的半导体膜615。TFT 604b包括栅电极620和621、形成用来跟栅电极620和621接触的绝缘膜612以及形成用来跟绝缘膜612接触的半导体膜622。TFT604c包括栅电极630、形成用来跟栅电极630接触的绝缘膜612和形成用来跟绝缘膜612接触的半导体膜631。
虽然在这个实例中逆参差类型的TFT被用于按照实施方案模式1制造的发光装置里，但是本发明的结构并不限于此。逆参差类型的TFT可以用于按照实施方案模式2制造的发光装置中。
实施方案4可以跟实施方案1随意结合。
实施方案5
在实施方案5中，描述通过喷射流体去掉粘合层的一个实例。
作为喷射流体的一种方法，可以从喷嘴将高压水流喷向物体(叫做喷射水流法)，或者将高压气流喷向物体。如果是喷射水流法，可以用有机溶剂、酸溶液或者碱溶液替代水。对于气流，可以采用空气、氮气、二氧化碳气体或者稀有气体。此外，也可以采用从这些气体获得的等离子体。根据不希望被去除的薄膜和基底的材料和粘合层的材料来选择适当的流体是非常重要的，这样才能够在去掉粘合层的时候不会去掉这些薄膜和基底。
作为粘合层，可以采用添加了氢气、氧气、氮气或者稀有气体的多孔硅层或者硅层。在采用多孔硅层的情况下，可以对非晶硅薄膜或者多晶硅薄膜进行阳极化处理，增强它们的多孔性。
图14说明如何用喷射水流法去掉粘合层。在基底603和606之间有OLED 604。OLED 604覆盖了一层绝缘膜603。在绝缘膜603和基底606之间有包括多层绝缘膜的密封膜609。
在基底603和OLED 604之间提供绝缘膜603和粘合层606。粘合层606跟基底603接触。虽然图14中只是将OLED作为代表，但是在绝缘膜605和603之间常常采用TFT和其它元件。
粘合层606的厚度为0.1-900微米(最好是0.5-10微米)。在实施方案5中，将厚度为1微米的SOG薄膜用作粘合层606。
从喷嘴608将流体607喷向粘合层606。为了将流体607有效地喷射到粘合层606暴露的整个部分，建议喷射流体的时候，让粘合层606沿着垂直于基底601的一个中心线旋转，如图14所示。
用压力为1×107-1×109pa(最好是3×107-5×108Pa)的流体607从喷嘴608喷向粘合层606暴露的部分。由于这个样本在旋转，流体607对着粘合层606暴露的表面喷过去。
从喷嘴608喷射出来的流体喷向粘合层606的时候，粘合层由于较脆弱而破裂，然后被清除掉，或者被化学方法清除掉。结果，粘合层606被去掉，将基底603和绝缘膜605互相分开。如果是通过破碎粘合层606分开的，剩下的粘合层就可以用腐蚀法去除。
流体607可以采用水、有机溶剂、酸溶液或者碱溶液。也可以采用空气、氮气、二氧化碳气体或者稀有气体。还可以采用从这些气体获得的等离子体。
实施方案5可以跟实施方案1-4结合起来使用。
实施方案6
在这个实施方案中，可以利用有机发光材料显著地提高外部发光量子效率，利用它可以采用三重激子发出的磷光来发射光。于是能够降低OLED消耗的功率，延长OLED的寿命，减轻OLED的重量。
在下面的报告中用三重激子提高外部发光量子效率(T.Tsutsui，C.Adachi，S.Saito，有机分子系统中的磷化学工艺，K.Honda编辑(Elsvier Sci.Pub.，东京，1991)第437页)。
以上文章报告的有机发光材料(香豆素颜料)的分子是可以表示为：化学式1
(M.A.Baldo，D.F.O Brien，Y.You，A.Shoustikov，S.Sibley，M.E.Thompson，S.R.Forrest，自然杂质395(1998)第151页)
以上文章报道的EL材料(Pt合成物)的分子式表示为：化学式2
(M.A.Baldo，S.Lamansky，P.E.Burrows，M.E.Thompson，S.R.Forrest，应用物理通信，75(1999)第4页)(T.Tsutsui，M.-J.Yang，M.Yahiro，K.Nakamura，T. Watanabe，T.Tsuji，Y.Fukuda，T.Wakimoto，S.Mayaguchi，日本应用物理，38(12B)(1999)L1502)。
以上文章报告的EL材料(Ir合成物)的分子式如下：
Figure A0212266800502
化学式3
如上所述，如果三重激子发出的磷光可以投入实用，从原理上讲，它可以将外部发光量子效率提高到单重激子荧光的三到四倍。
这个实施方案的结构能够自由地跟实施方案1-5的结构结合起来使用。
实施方案7
有机发光材料薄膜一般是用喷墨法、旋涂法或者蒸发法形成的。在实施方案7中介绍形成有机发光层的方法中以上方法以外的一种方法。
在这个实施方案中，利用其中散布了构成有机发光材料的分子团的胶体溶液(也叫做溶胶)进行溅射，在惰性气体中的基底上形成包括有机发光材料的分子团的一个薄膜。这种有机发光材料是作为颗粒存在的，每一个颗粒都有液体中的几个分子的一团。
图15说明如何在惰性气体(在这个实施方案里是氮气)里从喷嘴(没有画出)喷洒合成物形成有机发光层650。这种合成物是通过在甲苯中喷洒三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)获得的，它是一种铱化合物，用作有机发光材料，以及浴铜灵(BCP)，它是一种有机发光材料，用作一种基质(以后将它叫做基质材料)。
在图15中，用模板651有选择地形成厚度为25-40纳米的有机发光层650。铱化合物和BCP都不溶于甲苯。
实际上，有时将有机发光层作为单层形式来使用，有时将它作为多层来使用。如果有机发光层具有多层结构，就以类似的方式在形成有机发光层650以后形成另一种(其它)有机发光层。此时，沉积的所有有机发光层一起叫做有机发光层。
这个实施方案里的薄膜形成法能够形成薄膜，即使液体中的有机发光材料处于任意状态。具体而言，利用很难溶解的有机发光材料，这种方法允许形成的有机发光层具有良好的质量。还有，由于薄膜是通过利用运载气体溅射包括有机发光材料的液体来形成的，因此能够在很短的时间内形成薄膜。产生包括有机发光材料的液体用来喷洒的方法能够大大地简化。更进一步，在这个实施方案中用一个模板来形成具有所需图案的薄膜，从而使薄膜的形成是通过模板的开孔来进行的。此外，除了有效地利用昂贵的有机发光材料以外，还有可能将附着在模板上的有机发光材料收集起来重新使用。
喷墨法和旋涂法有一个局限性，那就是不能使用易溶于溶剂的有机发光材料。蒸发的局限性是有机发光材料，它在蒸发之前分解，因而不能使用。但是，这个实施方案中的薄膜形成方法没有以上局限性。
适合于这个实施方案中的薄膜形成方法的有机发光材料有二羟基喹啉并吖啶、三(2-苯基吡啶)铱、浴铜灵、聚(1，4-二乙烯基苯)、聚(1，4-二乙烯基萘)、聚(2-苯基-1，4-二乙烯基苯)、聚噻吩、聚(3-苯基噻吩)、聚(1，4-亚苯基)、聚(2，7-芴)等等。
实施方案7的结构可以跟实施方案1-6中的任意一个自由结合。
实施方案8
这个实施方案更加详细地描述本发明中获得的发光装置的像素部分。像素部分的顶部结构如图16A所示，它的电路图在图16B中给出。图16A和16B采用相同的引用符号。
开关TFT 802的源跟源导线815连接，它的漏跟漏导线805连接。漏导线805跟电流控制TFT 806的栅电极有电连接。电流控制TFT 806的源跟电源线816有电连接，漏跟漏导线817有电连接。漏导线817跟虚线所示的像素电极(阴极)818有电连接。
在区域819形成存储电容。电容存储器819包括跟电源线816连接的半导体薄膜820、跟栅绝缘薄莫在同一层上的绝缘膜(没有画出)和栅电极807。包括栅电极807、第一个中间层绝缘膜所在的那一层(没有画出)和电源线816的电容也可以用作存储电容。
这个实施方案8可以跟实施方案1-7结合使用。
实施方案9
这个实施方案参考图17描述发光装置的一个电路结构实例。这个实施方案中的电路结构是用于数字驱动的。这个实施方案中的结构有源一侧驱动电路901、像素部分906和栅一侧的驱动电路907。
源一侧的驱动电路901有一个移位寄存器902、一个锁存器(A)903、一个锁存器(B)904和一个缓冲器905。对于模拟驱动，用采样电路(传输门)替换锁存器(A)和(B)。栅一侧的驱动电路907有移位寄存器908和缓冲器909。但是，不必总是有缓冲器909。
在这个实施方案中，像素部分906包括多个像素，每个像素都有OLED。最好是OLED的阴极跟电流控制TFT的漏连接。
源一侧的驱动电路901和栅一侧的驱动电路907包括按照实施方案2-4获得的n沟道TFT或者p沟道TFT。
虽然没有说明，在栅一侧的驱动电路907对面跨过像素部分906增加另一个栅一侧驱动电路。此时，两个栅一侧的驱动电路具有相同的结构，共享同一跟栅导线，于是另一个可以发送一个栅信号替代分开的，让像素部分正常工作。
这个实施方案能够跟实施方案1-8结合起来使用。
实施方案10
在实施方案10中描述柔性塑料基底上形成密封膜的卷装进出方法。
图19简单地画出了实施方案10中薄膜形成设备的结构。图19所示的本发明的薄膜形成设备包括通过溅射形成隔离膜的两个空间804和890，用于控制两个空间804和809内空气压力的空间805-808，使用树脂的机构820以及固化所用树脂的机构813。
用于通过溅射形成隔离膜空间804包括一个滚筒801，用于展开基底802，还包括有一个靶子的电压电极810，以及同时用作电极的一个加热器811。用于通过溅射形成隔离膜的空间809包括用于卷基底802的一个滚筒803、有一个靶子的一个电压电极814和同时用作电极的一个加热器815。
基底802从展开滚筒801展开，由卷基底的滚筒803卷起来。
在这个实施方案中，在空间804中形成氮化硅薄膜。具体而言，用涡轮分子泵之类将空间804内的空气压力维持在0.4Pa。在这种状态下，应用流速为10sccm的氩、35sccm的氮和5sccm的氢。
在空间804内在它上面形成氮化硅薄膜的基底802连续地通过空间805和806，然后暴露在大气压力内。用机构820将树脂812涂在基底802上。用涡轮分子泵之类将空间805和806抽成真空，使空间804中的空气压力维持在需要的水平，而不受大气压力的影响。虽然采用了两个空间805和806来防止大气压力的影响，一个空间也许就足够了，具体看情形而定。如果需要，还可以提供三个或者更多的空间。
在这个实施方案中，树脂812采用热可聚合聚乙烯。涂上树脂812以后，用卤素灯813加热基底802，固化涂上的树脂812。
具体而言，在这个实施方案中，加热基底的卤素灯作为固化所用树脂的机构813。如果要用加热方式固化树脂，加热装置不限于卤素灯；也可以采用红外灯、金属卤化物灯、氙弧灯、碳弧灯、高压钠灯或者高压水银灯。此外，加热装置也不限于灯；可以用加热器之类进行加热。如果树脂不是可以用热固化的而是可以用紫外线固化的，树脂就可以通过用紫外线照射而固化。
将上面形成树脂薄膜的基底802送进空间807和808，最终到达空间809。空间807和808用涡轮分子泵之类抽成真空，使空间809内的空气压力为需要的压力而不受到大气压力的影响。虽然采用了两个空间807和808来防止大气压力影响，但是一个空间也许就足够了，具体看情形而定。需要的时候可以采用三个或者多个空间。
在空间809中形成氮氧化硅薄膜。具体而言，用涡轮分子泵之类保持空间809内的空气压力为0.4Pa，同时采用流速为10sccm的氩、31sccm的氮、5sccm的氢和4sccm的N2O。
形成氮氧化硅薄膜的基底802由卷基底的滚筒803卷好。
上述结构能够用于大批量生产柔性塑料基底，它在两层隔离膜之间有包括一层应力松弛膜的一层密封膜。
虽然在这个实施方案中描述了用于形成密封膜的薄膜形成设备包括氮化硅薄膜、聚乙烯薄墨盒氮氧化硅薄膜，但是隔离膜的材料不限于此。另外，应力松弛膜不限于聚乙烯；可以采用比隔离膜的应力小的任意树脂材料。
虽然在这个实施方案中形成了两层隔离膜，但是也可以形成三层或者多层隔离膜。在这种情况下，按照适合于每个薄膜形成的方式提供一个溅射空间、一个防止大气压力影响的空间、应用树脂的一个机构以及固化所用树脂的机构足够了。
此外，通过将基底802卷到滚筒803上以后重复用展开滚筒801展开卷起来的基底，可以形成包括隔离膜和应力松弛膜的多层密封膜。
实施方案10可以跟实施方案1-9中的任意一个结合起来使用。
实施方案11
跟液晶显示器相比，利用发光元件，能够自己照明的发光装置在明亮的地方有更好的能见度和更大的视角。因此，这种发光装置可以用于各种电器的显示装置。
采用按照本发明制造的发光装置的电器的实例有摄像机、数码相机、眼镜一样的显示器(头带式显示器)、导航系统、音频重放装置(比方说汽车音频和音频部件)、笔记本计算机、游戏机、便携式信息终端(比方说移动计算机、蜂窝电话、便携式游戏机和电子图书)以及配备了记录媒介的图像重现装置(具体而言是配置了显示器的装置，它能够再现记录在数字光盘(DVD)这样的记录媒介上的数据显示数据的图像)。视角广是非常重要的，特别是对于便携式信息终端，因为看它们的时候它们常常是斜着的。因此，便携式信息终端最好是采用利用发光元件的发光装置。这些电器的具体实例在图18A-18H中给出。
图18A画出了一个数码相机，它包括主体2101、显示单元2102、图像接受单元2103、控制键2104、外部连接口2105和快门按钮2106等等。按照本发明制造的发光装置可以用于显示单元2102。
图18B画出了一个移动计算机，它包括主体2301、显示单元2302、开关2303、控制键2304、红外口2305等等。按照本发明制造的发光装置可以用于显示单元2302。
图18C画出了一个眼镜式显示器(头带式显示器)，它包括主体2501、显示单元2502和眼镜腿2503。按照本发明制造的发光装置能够用于显示单元2502。
图18D画出了一个蜂窝电话，它包括主体2701、外壳2702、显示单元2703、音频输入单元2704、音频输出单元2705、控制键2706、外部连接口2707、天线2708等等。按照本发明制造的发光装置能够用于显示单元2703。如果显示单元2703在黑色背景上显示白字母，蜂窝电话消耗的电力更小。
如果将来增强了有机材料发射的光的强度，这种发光装置就能够用于投影机或者背投机，通过透镜之类放大包括图像信息的光，将光投射出去。
这些电器越来越频繁地用来显示通过因特网和CATV(有线电视)这样的通信线路发送的信息，特别是动画信息。由于有机材料具有很高的响应速度，因此这种发光装置适合于动画显示。
在这种发光装置里，发光部分会消耗功率，因此最好是用一种方式来显示信息，从而需要较少的发光部分。将发光装置用于便携式信息终端的显示单元，特别是主要显示文本信息的蜂窝电话和音频再现装置，的时候，最好是这样来驱动这一装置，使得不发射光的部分构成背景，发射光的部分构成文本信息。
如上所述，按照本发明的沉积装置制造的发光装置的应用范围如此之广，它可以用于所有领域的电器。这个实施方案的电器可以采用实施方案1-10中的任意发光装置。
根据本发明，由于存在多层隔离膜形成的叠层结构，因此即使是一层隔离膜发生了开裂，其它的隔离膜仍然能够有效地防止湿气或者氧气进入有机发光层。此外，即使隔离膜的质量由于膜的形成温度太低而下降，多层隔离膜的叠层结构仍然能够有效地防止湿气和氧气进入有机发光层。
此外，在隔离膜之间插入了比隔离膜薄的应力松弛膜，因此能够减小整层绝缘膜的应力。这样，跟单层隔离膜相比，将应力松弛膜夹在其中的隔离膜很少会因为应力而发生开裂，即使是多层隔离膜的总厚度跟单层隔离膜一样。
因此，跟单层隔离膜比较，多层隔离膜能够有效地防止湿气和氧气进入有机发光层，即使是多层隔离膜的总厚度跟单层隔离膜一样。还有，这样的多层隔离膜很少因为应力而发生开裂。

Claims (102)

1.一种发光装置，包括：
第一基底；
第二基底；
在第一基底和第二基底之间形成的发光元件；
在第一基底和发光元件之间形成的多层第一绝缘膜；
在多层第一绝缘膜之间的每个空间内形成的至少一层第二绝缘膜；
在第二基底和发光元件之间形成的多层第三绝缘膜；和
在多层第三绝缘膜之间的每一个空间里形成的至少一层第四绝缘膜，
其中的第一基底和第二基底是用塑料形成的，和
其中至少一层第二绝缘膜的应力小于多层第一绝缘膜中每一层的应力，至少一层第四绝缘膜的应力小于多层第三绝缘膜中每一层的应力。
2.权利要求1的发光装置，其中第一基底和第二基底中的至少一层是柔性的。
3.权利要求1的发光装置，其中的塑料包括从聚醚砜、聚碳酸脂、聚对苯二甲酸乙酯和聚苯二甲酸乙二醇酯这一群中选中的任意一个。
4.权利要求1的发光装置，其中多层第一绝缘膜和多层第三绝缘膜中的至少一层包括从氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝和氮氧化铝硅这一群中选出来的任意一层。
5.权利要求1的发光装置，其中的第二绝缘膜和第四绝缘膜包括从聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺氨、苯并环丁烯和环氧树脂这一群中选择出来的任意一层。
6.包括权利要求1的发光装置的一种电器，其中的电器是从摄像机、数码相机、眼镜式显示器、汽车导航系统、个人计算机和便携式信息终端这一群中选择出来的。
7.一种发光装置，包括：
第一基底；
第二基底；
在第一基底和第二基底之间形成的发光元件和薄膜晶体管；
在第一基底和发光元件和薄膜晶体管之间形成的多层第一绝缘膜；
在多层第一绝缘膜之间的每个空间里形成的至少一层第二绝缘膜；
在第二基底、发光元件和薄膜晶体管之间形成的多层第三绝缘膜；和
在多层第三绝缘膜之间的每一个空间里形成的至少一层第四绝缘膜，
其中的第一基底和第二基底是用塑料形成的，和
其中至少一层第二绝缘膜的应力小于多层第一绝缘膜中每一层的应力；至少一层第四绝缘膜的应力小于多层第三绝缘膜中每一层的应力。
8.权利要求7的发光装置，其中第一基底和第二基底中的至少一层是柔性的。
9.权利要求7的发光装置，其中的塑料包括聚醚砜、聚碳酸脂、聚对苯二甲酸乙酯和聚苯二甲酸乙二醇酯这一群中选中的任意一层。
10.权利要求7的发光装置，其中多层第一绝缘膜和多层第三绝缘膜中的至少一层包括从氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝和氮氧化铝硅这一群中选出来的任意一个。
11.权利要求7的发光装置，其中的第二绝缘膜和第四绝缘膜中的至少一层包括从聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺氨、苯丙环丁烯和环氧树脂这一群中选择出来的任意一个。
12.包括权利要求7的发光装置的一种电器，其中的电器是从摄像机、数码相机、眼镜式显示器、汽车导航系统、个人计算机和便携式信息终端这一群中选择出来的。
13.一种发光装置，包括：
一个基底；
一个发光元件；
在基底和发光元件之间形成的多层第一绝缘膜；
在多层第一绝缘膜之间的每个空间里形成的至少一层第二绝缘膜；
多层第三绝缘膜；和
在多层第三绝缘膜之间的每一个空间里形成的至少一层第四绝缘膜，
其中的发光元件是在多层第三绝缘膜和基底之间形成的，
其中的基底是用塑料形成的，和
其中至少一层第二绝缘膜的应力小于多层第一绝缘膜中每一层的应力；至少一层第四绝缘膜的应力小于多层第三绝缘膜中每一层的应力。
14.权利要求13的发光装置，其中基底是柔性的。
15.权利要求13的发光装置，其中的塑料包括聚醚砜、聚碳酸脂、聚对苯二甲酸乙酯和聚苯二甲酸乙二醇酯这一群中选中的任意一个。
16.权利要求13的发光装置，其中多层第一绝缘膜和多层第三绝缘膜中的至少一层包括从氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝和氮氧化铝硅这一群中选出来的任意一个。
17.权利要求13的发光装置，其中的第二绝缘膜和第四绝缘膜中的至少一层包括从聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺氨、苯丙环丁烯和环氧树脂这一群中选择出来的任意一个。
18.包括权利要求13的发光装置的一种电器，其中的电器是从摄像机、数码相机、眼镜式显示器、汽车导航系统、个人计算机和便携式信息终端这一群中选择出来的。
19.一种发光装置，包括：
一个基底；
一个发光元件和一个薄膜晶体管；
在基底、发光元件和薄膜晶体管之间形成的多层第一绝缘膜；
在多层第一绝缘膜之间的每个空间里形成的至少一层第二绝缘膜；
多层第三绝缘膜；和
在多层第三绝缘膜之间的每一个空间里形成的至少一层第四绝缘膜，
其中的发光元件和薄膜晶体管是在多层第三绝缘膜和基底之间形成的，
其中的基底是用塑料形成的，和
其中至少一层第二绝缘膜的应力小于多层第一绝缘膜中每一层的应力；至少一层第四绝缘膜的应力小于多层第三绝缘膜中每一层的应力。
20.权利要求19的发光装置，其中基底是柔性的。
21.权利要求19的发光装置，其中的塑料包括聚醚砜、聚碳酸脂、聚对苯二甲酸乙酯和聚苯二甲酸乙二醇酯这一群中选中的任意一个。
22.权利要求19的发光装置，其中多层第一绝缘膜和多层第三绝缘膜中的至少一层包括从氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝和氮氧化铝硅这一群中选出来的任意一个。
23.权利要求19的发光装置，其中的第二绝缘膜和第四绝缘膜中的至少一层包括从聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺氨、苯丙环丁烯和环氧树脂这一群中选择出来的任意一个。
24.包括权利要求19的发光装置的一种电器，其中的电器是从摄像机、数码相机、眼镜式显示器、汽车导航系统、个人计算机和便携式信息终端这一群中选择出来的。
25.一种发光装置，包括：
第一基底；
第二基底；
在第一基底和第二基底之间形成的发光元件；
在第一基底和发光元件之间形成的多层第一绝缘膜；
在多层第一绝缘膜之间的每个空间内形成的至少一层第二绝缘膜；
在第一基底和多层第一绝缘膜之间形成的多层第一粘合层；和
在第二基底和发光元件之间形成的多层第三绝缘膜；
在多层第三绝缘膜之间的每一个空间里形成的至少一层第四绝缘膜；和
在第二基底和多层第三绝缘膜之间形成的第二粘合层，
其中的第一基底和第二基底是用塑料形成的，和
其中至少一层第二绝缘膜的应力小于多层第一绝缘膜中每一层的应力，至少一层第四绝缘膜的应力小于多层第三绝缘膜中每一层的应力。
26.权利要求25的发光装置，其中第一基底和第二基底中的至少一层是柔性的。
27.权利要求25的发光装置，其中的塑料包括聚醚砜、聚碳酸脂、聚对苯二甲酸乙酯和聚苯二甲酸乙二醇酯这一群中选中的任意一个。
28.权利要求25的发光装置，其中多层第一绝缘膜和多层第三绝缘膜中的至少一层包括从氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝和氮氧化铝硅这一群中选出来的任意一个。
29.权利要求25的发光装置，其中的第二绝缘膜和第四绝缘膜中的至少一层包括从聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺氨、苯丙环丁烯和环氧树脂这一群中选择出来的任意一个。
30.包括权利要求25的发光装置的一种电器，其中的电器是从摄像机、数码相机、眼镜式显示器、汽车导航系统、个人计算机和便携式信息终端这一群中选择出来的。
31.制造发光装置的一种方法，包括：
在第一基底上形成第一粘合层；
在第一粘合层上形成第一绝缘膜；
在第一绝缘膜上形成发光元件和薄膜晶体管；
形成第二绝缘膜，覆盖发光元件和薄膜晶体管；
通过第二粘合层将第二基底中包括的多层第四绝缘膜跟第二绝缘膜互相粘合起来，多层第四绝缘膜至少夹住一层第三绝缘膜；
去掉第一基底，通过去掉第一粘合层暴露出第一绝缘膜；和
通过第三粘合层将第三基底中包括的多层第六绝缘膜和第一绝缘膜互相粘合起来，这多层第六绝缘膜至少夹住一层第五绝缘膜，
其中第二基底和第三基底是用塑料形成的，和
其中至少一层第三绝缘膜的应力小于多层第四绝缘膜中每一层的应力，至少一层第五绝缘膜的应力小于多层第六绝缘膜中每一层的应力。
32.权利要求31中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是通过在它上面喷射流体而去除的。
33.权利要求31中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层包括硅。
34.权利要求33中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是用氟化卤去除的。
35.权利要求31中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层包括SOG。
36.权利要求35中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是用氟化氢去除的。
37.权利要求31中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是用激光束去除的。
38.权利要求37中制造发光装置的方法，其中的激光束是从脉冲振荡激发物激光器、连续波激发物激光器、YAG激光器和YVO4激光器中的任意一个发射出来的。
39.权利要求37中制造发光装置的方法，其中的激光束是YAG激光器发射的基波、二次谐波和三次谐波中的任意一个。
40.权利要求31中制造发光装置的方法，其中至少一层第三绝缘膜和至少一层第五绝缘膜中的一层包括聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺氨、苯丙环丁烯和环氧树脂这一群中选择出来的任意一个。
41.权利要求31中制造发光装置的方法，其中多层第四绝缘膜和多层第六绝缘膜中的一些包括从氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝和氮氧化铝硅这一群中选出来的任意一个。
42.权利要求31中制造发光装置的方法，其中的塑料包括从聚醚砜、聚碳酸脂、聚对苯二甲酸乙酯和聚苯二甲酸乙二醇酯这一群中选中的任意一个。
43.制造发光装置的一种方法，包括：
在第一基底上形成第一粘合层；
在第一粘合层上形成第一绝缘膜；
在第一绝缘膜上形成发光元件、薄膜晶体管和导线；
形成第二绝缘膜，覆盖发光元件、薄膜晶体管和导线；
通过第二粘合层将第二基底中包括的多层第四绝缘膜跟第二绝缘膜互相粘合起来，多层第四绝缘膜至少夹住一层第三绝缘膜；
去掉第一基底，通过去掉第一粘合层暴露出第一绝缘膜；和
通过第三粘合层将第三基底中包括的多层第六绝缘膜和第一绝缘膜互相粘合起来，这多层第六绝缘膜至少夹住一层第五绝缘膜，
部分地去掉第二基底、第二绝缘膜、至少一层第三绝缘膜、多层第四绝缘膜和第二粘合层，部分地暴露出导线，从而利用各向异性的导电树脂使部分导线和FPC中包括的端子互相实现电连接，
其中第二基底和第三基底是用塑料形成的，和
其中至少一层第三绝缘膜的应力小于多层第四绝缘膜中每一层的应力，至少一层第五绝缘膜的应力小于多层第六绝缘膜中每一层的应力。
44.权利要求43中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是通过在它上面喷射流体而去除的。
45.权利要求43中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层包括硅。
46.权利要求45中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是用氟化卤去除的。
47.权利要求43中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层包括SOG。
48.权利要求47中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是用氟化氢去除的。
49.权利要求43中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是用激光束去除的。
50.权利要求49中制造发光装置的方法，其中的激光束是从脉冲振荡激发物激光器、连续波激发物激光器、YAG激光器和YVO4激光器中的任意一个发射出来的。
51.权利要求49中制造发光装置的方法，其中的激光束是YAG激光器发射的基波、二次谐波和三次谐波中的任意一个。
52.权利要求43中制造发光装置的方法，其中至少一层第三绝缘膜和至少一层第五绝缘膜中的一层包括聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺氨、苯丙环丁烯和环氧树脂这一群中选择出来的任意一个。
53.权利要求43中制造发光装置的方法，其中多层第四绝缘膜和多层第六绝缘膜中的一些包括从氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝和氮氧化铝硅这一群中选出来的任意一个。
54.权利要求43中制造发光装置的方法，其中的塑料包括从聚醚砜、聚碳酸脂、聚对苯二甲酸乙酯和聚苯二甲酸乙二醇酯这一群中选中的任意一个。
55.制造发光装置的一种方法，包括：
在第一基底上形成第一粘合层；
在第一粘合层上形成第一绝缘膜；
在第一绝缘膜上形成发光元件、薄膜晶体管和导线；
形成第二绝缘膜，覆盖发光元件、薄膜晶体管和导线；
通过第二粘合层将第二基底中包括的多层第四绝缘膜跟第二绝缘膜互相粘合起来，多层第四绝缘膜至少夹住一层第三绝缘膜；
去掉第一基底，通过去掉第一粘合层暴露出第一绝缘膜；和
通过第三粘合层将第三基底中包括的多层第六绝缘膜和第一绝缘膜互相粘合起来，这多层第六绝缘膜至少夹住一层第五绝缘膜，
部分地去掉第三基底、第一绝缘膜、至少一个第五绝缘膜、多层第六绝缘膜和第三粘合层，部分地暴露出导线，从而利用各向异性的导电树脂使部分导线和FPC中包括的端子互相实现电连接，
其中第二基底和第三基底是用塑料形成的，和
其中至少一层第三绝缘膜的应力小于多层第四绝缘膜中每一层的应力，至少一层第五绝缘膜的应力小于多层第六绝缘膜中每一层的应力。
56.权利要求55中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是通过在它上面喷射流体而去除的。
57.权利要求55中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层包括硅。
58.权利要求57中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是用氟化卤去除的。
59.权利要求55中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层包括SOG。
60.权利要求59中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是用氟化氢去除的。
61.权利要求55中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是用激光束去除的。
62.权利要求61中制造发光装置的方法，其中的激光束是从脉冲振荡激发物激光器、连续波激发物激光器、YAG激光器和YVO4激光器中的任意一个发射出来的。
63.权利要求61中制造发光装置的方法，其中的激光束是YAG激光器发射的基波、二次谐波和三次谐波中的任意一个。
64.权利要求55中制造发光装置的方法，其中至少一层第三绝缘膜和至少一层第五绝缘膜中的一层包括聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺氨、苯丙环丁烯和环氧树脂这一群中选择出来的任意一个。
65.权利要求55中制造发光装置的方法，其中多层第四绝缘膜和多层第六绝缘膜中的一些包括从氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝和氮氧化铝硅这一群中选出来的任意一个。
66.权利要求55中制造发光装置的方法，其中的塑料包括从聚醚砜、聚碳酸脂、聚对苯二甲酸乙酯和聚苯二甲酸乙二醇酯这一群中选中的任意一个。
67.制造发光装置的一种方法，包括：
在第一基底上形成第一粘合层；
在第一粘合层上形成第一绝缘膜；
在第一绝缘膜上形成发光元件和薄膜晶体管；
形成第二绝缘膜，覆盖发光元件和薄膜晶体管；
通过第二粘合层将第二基底跟第二绝缘膜互相粘合起来；
去掉第一基底，通过去掉第一粘合层暴露出第一绝缘膜；
通过第三粘合层将第三基底中包括的多层第四绝缘膜和第一绝缘膜互相粘合起来，这多层第四绝缘膜至少夹住一层第三绝缘膜；
去掉第二基底，通过去掉第二绝缘膜，暴露出第二绝缘膜；
形成多个第六绝缘膜，其间夹住至少一层第五绝缘膜，多层第六绝缘膜跟第二绝缘膜接触，
其中第三基底是用塑料形成的，和
其中至少一层第三绝缘膜的应力小于多层第四绝缘膜中每一层的应力，至少一层第五绝缘膜的应力小于多层第六绝缘膜中每一层的应力。
68.权利要求67中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层和第二粘合层之一是通过在它上面喷射流体而去除的。
69.权利要求67中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层包括硅。
70.权利要求69中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是用氟化卤去除的。
71.权利要求67中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层包括SOG。
72.权利要求71中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是用氟化氢去除的。
73.权利要求67中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层和第二粘合层之一是用激光束去除的。
74.权利要求73中制造发光装置的方法，其中的激光束是从脉冲振荡激发物激光器、连续波激发物激光器、YAG激光器和YVO4激光器中的任意一个发射出来的。
75.权利要求73中制造发光装置的方法，其中的激光束是YAG激光器发射的基波、二次谐波和三次谐波中的任意一个。
76.权利要求67中制造发光装置的方法，其中至少一层第三绝缘膜和至少一层第五绝缘膜中的一层包括聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺氨、苯丙环丁烯和环氧树脂这一群中选择出来的任意一个。
77.权利要求67中制造发光装置的方法，其中多层第四绝缘膜和多层第六绝缘膜中的一些包括从氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝和氮氧化铝硅这一群中选出来的任意一个。
78.权利要求67中制造发光装置的方法，其中的塑料包括从聚醚砜、聚碳酸脂、聚对苯二甲酸乙酯和聚苯二甲酸乙二醇酯这一群中选中的任意一个。
79.制造发光装置的一种方法，包括：
在第一基底上形成第一粘合层；
在第一粘合层上形成第一绝缘膜；
在第一绝缘膜上形成发光元件、薄膜晶体管和导线；
形成第二绝缘膜，覆盖发光元件、薄膜晶体管和导线；
通过第二粘合层将第二基底跟第二绝缘膜互相粘合起来；
去掉第一基底，通过去掉第一粘合层暴露出第一绝缘膜；和
通过第三粘合层将第三基底中包括的多层第四绝缘膜和第一绝缘膜互相粘合起来，这多层第四绝缘膜至少夹住一层第三绝缘膜，
去掉第二粘合层，从而去掉第二基底，暴露出第二绝缘膜；
形成多层第六绝缘膜，其间至少夹住一层第五绝缘膜，多层第六绝缘膜跟第二绝缘膜接触；和
部分地去掉第二绝缘膜、至少一层第五绝缘膜和多层第六绝缘膜，部分地暴露出导线，从而利用各向异性导电树脂使部分导线和FPC中包括的端子互相实现电连接，
其中第三基底是用塑料形成的，和
其中至少一层第三绝缘膜的应力小于多层第四绝缘膜中每一层的应力，至少一层第五绝缘膜的应力小于多层第六绝缘膜中每一层的应力。
80.权利要求79中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层和第二粘合层之一是通过在它上面喷射流体而去除的。
81.权利要求79中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层包括硅。
82.权利要求81中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是用氟化卤去除的。
83.权利要求79中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层包括SOG。
84.权利要求83中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是用氟化氢去除的。
85.权利要求79中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层和第二粘合层中的一层是用激光束去除的。
86.权利要求85中制造发光装置的方法，其中的激光束是从脉冲振荡激发物激光器、连续波激发物激光器、YAG激光器和YVO4激光器中的任意一个发射出来的。
87.权利要求85中制造发光装置的方法，其中的激光束是YAG激光器发射的基波、二次谐波和三次谐波中的任意一个。
88.权利要求79中制造发光装置的方法，其中至少一层第三绝缘膜和至少一层第五绝缘膜中的一层包括聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺氨、苯丙环丁烯和环氧树脂这一群中选择出来的任意一个。
89.权利要求79中制造发光装置的方法，其中多层第四绝缘膜和多层第六绝缘膜中的一些包括从氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝和氮氧化铝硅这一群中选出来的任意一个。
90.权利要求79中制造发光装置的方法，其中的塑料包括从聚醚砜、聚碳酸脂、聚对苯二甲酸乙酯和聚苯二甲酸乙二醇酯这一群中选中的任意一个。
91.制造发光装置的一种方法，包括：
在第一基底上形成第一粘合层；
在第一粘合层上形成第一绝缘膜；
在第一绝缘膜上形成发光元件、薄膜晶体管和导线；
形成第二绝缘膜，覆盖发光元件、薄膜晶体管和导线；
通过第二粘合层将第二基底跟第二绝缘膜互相粘合起来；
去掉第一基底，通过去掉第一粘合层暴露出第一绝缘膜；和
通过第三粘合层将第三基底中包括的多层第四绝缘膜和第一绝缘膜互相粘合起来，这多层第四绝缘膜至少夹住一层第三绝缘膜，
去掉第二基底，通过去掉第二粘合层暴露出第二绝缘膜；
形成多层第六绝缘膜，其间至少夹住一层第五绝缘膜，多层第六绝缘膜跟第二绝缘膜接触；和
部分地去掉第三基底、第一绝缘膜、至少一层第三绝缘膜、多层第四绝缘膜和第三粘合层，部分地暴露出导线，从而利用各向异性导电树脂使部分导线和FPC中包括的端子互相实现电连接，
其中第三基底是用塑料形成的，和
其中至少一层第三绝缘膜的应力小于多层第四绝缘膜中每一层的应力，至少一层第五绝缘膜的应力小于多层第六绝缘膜中每一层的应力。
92.权利要求91中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层和第二粘合层之一是通过在它上面喷射流体而去除的。
93.权利要求91中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层包括硅。
94.权利要求93中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是用氟化卤去除的。
95.权利要求91中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层包括SOG。
96.权利要求95中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层是用氟化氢去除的。
97.权利要求91中制造发光装置的方法，其中的第一粘合层和第二粘合层中的一层是用激光束去除的。
98.权利要求97中制造发光装置的方法，其中的激光束是从脉冲振荡激发物激光器、连续波激发物激光器、YAG激光器和YVO4激光器中的任意一个发射出来的。
99.权利要求97中制造发光装置的方法，其中的激光束是YAG激光器发射的基波、二次谐波和三次谐波中的任意一个。
100.权利要求91中制造发光装置的方法，其中至少一层第三绝缘膜和至少一层第五绝缘膜中的一层包括聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺氨、苯丙环丁烯和环氧树脂这一群中选择出来的任意一个。
101.权利要求91中制造发光装置的方法，其中多层第四绝缘膜和多层第六绝缘膜中的一些包括从氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝和氮氧化铝硅这一群中选出来的任意一个。
102.权利要求91中制造发光装置的方法，其中的塑料包括从聚醚砜、聚碳酸脂、聚对苯二甲酸乙酯和聚苯二甲酸乙二醇酯这一群中选中的任意一个。
CNB021226687A 2001-06-20 2002-06-20 发光装置及其制造方法 Expired - Lifetime CN100350633C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001187351 2001-06-20
JP187351/01 2001-06-20
JP187351/2001 2001-06-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1392615A true CN1392615A (zh) 2003-01-22
CN100350633C CN100350633C (zh) 2007-11-21

Family

ID=19026650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021226687A Expired - Lifetime CN100350633C (zh) 2001-06-20 2002-06-20 发光装置及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (8) US6849877B2 (zh)
KR (2) KR100913927B1 (zh)
CN (1) CN100350633C (zh)
TW (1) TW548860B (zh)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100442534C (zh) * 2003-02-24 2008-12-10 索尼株式会社 显示装置和制造该显示装置的方法
US7554121B2 (en) 2003-12-26 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor device
US7994617B2 (en) 2004-02-06 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102279468A (zh) * 2009-12-09 2011-12-14 X盘D公司 具有oled光阀的主动式三维眼镜
CN103280256A (zh) * 2013-06-26 2013-09-04 汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司 一种透明导电薄膜
CN103456896A (zh) * 2012-05-30 2013-12-18 三星显示有限公司 显示装置
CN103489880A (zh) * 2013-10-12 2014-01-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置
CN104485351A (zh) * 2014-12-31 2015-04-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种柔性有机发光显示器及其制作方法
CN104752438A (zh) * 2013-12-26 2015-07-01 英特尔公司 用于柔性电子通信设备的方法和装置
CN105552225A (zh) * 2016-01-20 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 用于制造柔性基板的方法、柔性基板和显示装置
CN105655373A (zh) * 2014-11-28 2016-06-08 乐金显示有限公司 柔性有机发光显示器及其制造方法
CN107611120A (zh) * 2013-02-20 2018-01-19 株式会社日本显示器 显示装置及其制造方法
CN108511487A (zh) * 2017-02-28 2018-09-07 三星显示有限公司 显示设备
CN110649175A (zh) * 2013-05-16 2020-01-03 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器、包括其的电子装置及其制造方法
CN110992832A (zh) * 2019-12-18 2020-04-10 厦门天马微电子有限公司 一种可拉伸显示面板和可拉伸显示装置
US11621407B2 (en) 2012-05-09 2023-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having first to third supports
US11930668B2 (en) 2008-10-16 2024-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible light-emitting device and EL module including transparent conductive film

Families Citing this family (212)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3256084B2 (ja) * 1994-05-26 2002-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路およびその作製方法
JP2002340989A (ja) * 2001-05-15 2002-11-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 測定方法、検査方法及び検査装置
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) * 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TW546857B (en) * 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
US7038377B2 (en) 2002-01-16 2006-05-02 Seiko Epson Corporation Display device with a narrow frame
US7098069B2 (en) 2002-01-24 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
US7164155B2 (en) * 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7230271B2 (en) * 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
CN100565902C (zh) * 2002-10-09 2009-12-02 株式会社半导体能源研究所 发光装置的制造方法
CN1176565C (zh) * 2002-11-25 2004-11-17 清华大学 一种有机电致发光器件的封装层及其制备方法和应用
AU2003284470A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and its fabricating method
KR100895313B1 (ko) * 2002-12-11 2009-05-07 삼성전자주식회사 유기 발광 표시판
US7710019B2 (en) 2002-12-11 2010-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes
JP2004220874A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌ素子、およびその製造方法
TWI351548B (en) 2003-01-15 2011-11-01 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of liquid crystal display dev
US7436050B2 (en) 2003-01-22 2008-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a flexible printed circuit
JP3972825B2 (ja) * 2003-01-28 2007-09-05 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置の製造方法
TWI260944B (en) * 2003-01-29 2006-08-21 Au Optronics Corp Display device with passivation structure
TW582099B (en) * 2003-03-13 2004-04-01 Ind Tech Res Inst Method of adhering material layer on transparent substrate and method of forming single crystal silicon on transparent substrate
JP4526771B2 (ja) * 2003-03-14 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4417027B2 (ja) * 2003-05-21 2010-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8665247B2 (en) * 2003-05-30 2014-03-04 Global Oled Technology Llc Flexible display
US6989336B2 (en) * 2003-09-24 2006-01-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for laminating a dielectric layer onto a semiconductor
US7902747B2 (en) 2003-10-21 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide
WO2005041249A2 (en) * 2003-10-28 2005-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing optical film
TWI372462B (en) * 2003-10-28 2012-09-11 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
KR101219748B1 (ko) * 2004-03-22 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 집적회로 제작방법
JP4116587B2 (ja) * 2004-04-13 2008-07-09 浜松ホトニクス株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
US7202504B2 (en) 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
US8040469B2 (en) 2004-09-10 2011-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing the same
JP2006082260A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Oki Data Corp 半導体複合装置、半導体複合装置の製造方法、半導体複合装置を使用したｌｅｄヘッド及びこのｌｅｄヘッドを用いた画像形成装置
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
US8344410B2 (en) * 2004-10-14 2013-01-01 Daktronics, Inc. Flexible pixel element and signal distribution means
US7868903B2 (en) 2004-10-14 2011-01-11 Daktronics, Inc. Flexible pixel element fabrication and sealing method
US7893948B1 (en) 2004-10-14 2011-02-22 Daktronics, Inc. Flexible pixel hardware and method
US7736964B2 (en) * 2004-11-22 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and method for manufacturing the same
US20060132030A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Zhanjun Gao Display element stress free at the critical layer
US7355204B2 (en) * 2004-12-30 2008-04-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic device with environmental protection structure
CN1822385B (zh) 2005-01-31 2013-02-06 株式会社半导体能源研究所 显示装置及含有其的电子设备
KR20060104531A (ko) * 2005-03-30 2006-10-09 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치의 제조방법
TW200642109A (en) * 2005-05-20 2006-12-01 Ind Tech Res Inst Solid light-emitting display and its manufacturing method
GB0510721D0 (en) * 2005-05-25 2005-06-29 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent device
US7829394B2 (en) * 2005-05-26 2010-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
CN100419817C (zh) * 2005-05-27 2008-09-17 财团法人工业技术研究院 固态发光显示器及其制法
US7605056B2 (en) 2005-05-31 2009-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device including separation by physical force
KR20060124940A (ko) * 2005-06-01 2006-12-06 삼성전자주식회사 가요성 표시 장치의 제조 방법
DE102005032741A1 (de) * 2005-07-08 2007-01-18 Samsung Sdi Germany Gmbh OLED-Bauelement, Aktiv-Matrix-OLED-Display und Verfahren zu deren Herstellung
US20070020451A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings
US8138502B2 (en) * 2005-08-05 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
JP5167580B2 (ja) * 2005-08-23 2013-03-21 日本電気株式会社 電子デバイス
KR100730168B1 (ko) * 2005-11-22 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR100721957B1 (ko) * 2005-12-13 2007-05-25 삼성에스디아이 주식회사 다결정 실리콘층, 상기 다결정 실리콘층을 이용한 평판표시 장치 및 이들을 제조하는 방법
KR100774950B1 (ko) * 2006-01-19 2007-11-09 엘지전자 주식회사 전계발광소자
US20070202917A1 (en) * 2006-02-27 2007-08-30 Andrew Phelps Display and speaker module
US8173519B2 (en) 2006-03-03 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8222116B2 (en) 2006-03-03 2012-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US20070246717A1 (en) * 2006-04-21 2007-10-25 Ng Kee Y Light source having both thermal and space efficiency
US20080006819A1 (en) * 2006-06-19 2008-01-10 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices
JP5204959B2 (ja) 2006-06-26 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI424499B (zh) * 2006-06-30 2014-01-21 Semiconductor Energy Lab 製造半導體裝置的方法
US20080121907A1 (en) * 2006-08-08 2008-05-29 Way-Jze Wen Light emitting diode and fabricating method thereof
TWI570900B (zh) 2006-09-29 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US8137417B2 (en) 2006-09-29 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device
JP5110851B2 (ja) * 2006-11-01 2012-12-26 キヤノン株式会社 有機発光素子
US7498603B2 (en) * 2006-12-06 2009-03-03 General Electric Company Color tunable illumination source and method for controlled illumination
JP4963419B2 (ja) * 2007-01-31 2012-06-27 キヤノン株式会社 フレキシブル表示装置
US7968382B2 (en) 2007-02-02 2011-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
KR100889677B1 (ko) * 2007-06-19 2009-03-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
US7763502B2 (en) 2007-06-22 2010-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor substrate, method for manufacturing semiconductor substrate, semiconductor device, and electronic device
JP5208591B2 (ja) 2007-06-28 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、及び照明装置
US8354674B2 (en) * 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
US8049253B2 (en) * 2007-07-11 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20090009612A (ko) * 2007-07-20 2009-01-23 엘지디스플레이 주식회사 스퍼터링을 통한 무기절연막 형성방법
JP5074129B2 (ja) * 2007-08-21 2012-11-14 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
US8236668B2 (en) * 2007-10-10 2012-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing SOI substrate
JP5464843B2 (ja) * 2007-12-03 2014-04-09 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｓｏｉ基板の作製方法
KR20090078446A (ko) * 2008-01-15 2009-07-20 삼성전자주식회사 유기 발광 장치 및 그 제조방법
JP5232498B2 (ja) 2008-02-25 2013-07-10 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置及びその製造方法
JP2009245893A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Toshiba Corp 発光装置封止構造及びその製造方法
KR100941858B1 (ko) * 2008-04-03 2010-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계 발광 표시장치
KR101588576B1 (ko) 2008-07-10 2016-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
JP5216716B2 (ja) * 2008-08-20 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
KR101678206B1 (ko) * 2008-11-17 2016-11-22 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
US8610155B2 (en) 2008-11-18 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone
JP5586920B2 (ja) * 2008-11-20 2014-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 フレキシブル半導体装置の作製方法
TWI654754B (zh) 2008-11-28 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
WO2010071089A1 (en) 2008-12-17 2010-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
US8189292B2 (en) * 2008-12-24 2012-05-29 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for manufacturing a magnetic write head having a write pole with a trailing edge taper using a Rieable hard mask
KR20100097513A (ko) * 2009-02-26 2010-09-03 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI401635B (zh) * 2009-04-13 2013-07-11 Innolux Corp 顯示面板及應用該顯示面板的影像顯示系統
KR101155907B1 (ko) * 2009-06-04 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US8576209B2 (en) 2009-07-07 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN101989018B (zh) * 2009-08-05 2012-09-05 群康科技(深圳)有限公司 薄膜晶体管基板
JP5707058B2 (ja) * 2009-09-01 2015-04-22 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子、有機電界発光素子の製造方法、表示装置及び照明装置
US9101005B2 (en) * 2009-09-15 2015-08-04 Industrial Technology Research Institute Package of environmental sensitive element
KR101084230B1 (ko) * 2009-11-16 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101065318B1 (ko) * 2009-12-03 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101097321B1 (ko) * 2009-12-14 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법
US9000442B2 (en) * 2010-01-20 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device
TWI589042B (zh) * 2010-01-20 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置，撓性發光裝置，電子裝置，照明設備，以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法
KR101745644B1 (ko) * 2010-05-28 2017-06-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101783781B1 (ko) * 2010-07-05 2017-10-11 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
JP5970198B2 (ja) 2011-02-14 2016-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
US8764504B2 (en) 2011-02-25 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device and method for manufacturing the same
EP2503621A1 (en) * 2011-03-24 2012-09-26 Moser Baer India Ltd. A barrier layer and a method of manufacturing the barrier layer
JP5352620B2 (ja) * 2011-04-26 2013-11-27 日東電工株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置
TWI433625B (zh) 2011-07-04 2014-04-01 Ind Tech Res Inst 軟性電子元件的製法
KR101773088B1 (ko) 2011-09-22 2017-08-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN103035663B (zh) * 2011-10-04 2016-08-10 乐金显示有限公司 显示器件
KR101868148B1 (ko) * 2011-11-01 2018-07-19 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조 방법
CN102646676B (zh) * 2011-11-03 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种tft阵列基板
US9496255B2 (en) 2011-11-16 2016-11-15 Qualcomm Incorporated Stacked CMOS chipset having an insulating layer and a secondary layer and method of forming same
JP2013161023A (ja) * 2012-02-08 2013-08-19 Sony Corp 表示装置および電子機器
JP2013251255A (ja) 2012-05-04 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
US9379350B2 (en) * 2012-05-22 2016-06-28 Electronics And Telecommunications Research Institute Dual mode display apparatus and method of manufacturing the same
KR102086545B1 (ko) 2012-07-19 2020-03-10 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR102114212B1 (ko) * 2012-08-10 2020-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US20140061610A1 (en) * 2012-08-31 2014-03-06 Hyo-Young MUN Organic light emitting device and manufacturing method thereof
US8941128B2 (en) * 2012-11-21 2015-01-27 Intel Corporation Passivation layer for flexible display
US9586291B2 (en) 2012-11-28 2017-03-07 Globalfoundries Inc Adhesives for bonding handler wafers to device wafers and enabling mid-wavelength infrared laser ablation release
US20140144593A1 (en) * 2012-11-28 2014-05-29 International Business Machiness Corporation Wafer debonding using long-wavelength infrared radiation ablation
TWI492374B (zh) * 2012-12-03 2015-07-11 Au Optronics Corp 電激發光顯示面板
KR102000051B1 (ko) * 2012-12-17 2019-10-01 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20140091346A (ko) * 2013-01-11 2014-07-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JPWO2014141330A1 (ja) * 2013-03-13 2017-02-16 パナソニック株式会社 電子デバイス
JP6490901B2 (ja) 2013-03-14 2019-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
CN104058363B (zh) * 2013-03-22 2016-01-20 上海丽恒光微电子科技有限公司 基于mems透射光阀的显示装置及其形成方法
JP6026331B2 (ja) * 2013-03-22 2016-11-16 富士フイルム株式会社 有機ｅｌ積層体
CN107768408A (zh) * 2013-04-15 2018-03-06 株式会社半导体能源研究所 发光装置
KR102199217B1 (ko) * 2014-03-06 2021-01-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US9178178B2 (en) * 2013-05-16 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display having improved adhesion and damage resistance characteristics, an electronic device including the same, and method of manufacturing the organic light-emitting diode display
KR102071629B1 (ko) * 2013-05-27 2020-01-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN103296013B (zh) * 2013-05-28 2017-08-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 射频器件的形成方法
KR102134845B1 (ko) * 2013-07-12 2020-07-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
KR102054991B1 (ko) * 2013-07-31 2019-12-12 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
TWI610374B (zh) 2013-08-01 2018-01-01 格芯公司 用於將搬運器晶圓接合至元件晶圓以及能以中段波長紅外光雷射燒蝕釋出之接著劑
US9269914B2 (en) 2013-08-01 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, and lighting device
TWD161478S (zh) * 2013-08-06 2014-07-01 璨圓光電股份有限公司 半導體發光元件之部分
TWD161479S (zh) * 2013-08-06 2014-07-01 璨圓光電股份有限公司 半導體發光元件之部分
TWD164808S (zh) * 2013-08-06 2014-12-11 璨圓光電股份有限公司 半導體發光元件之部分
TWI642094B (zh) 2013-08-06 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 剝離方法
TWI663722B (zh) 2013-09-06 2019-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 發光裝置以及發光裝置的製造方法
KR102092707B1 (ko) * 2013-09-17 2020-03-25 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
KR20150043890A (ko) 2013-10-15 2015-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102180037B1 (ko) 2013-11-06 2020-11-18 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6513929B2 (ja) 2013-11-06 2019-05-15 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離方法
KR101504117B1 (ko) * 2013-11-14 2015-03-19 코닝정밀소재 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102239367B1 (ko) * 2013-11-27 2021-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
KR102102911B1 (ko) 2013-11-29 2020-04-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그의 제조방법
CN106663391B (zh) 2013-12-02 2019-09-03 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
TWI514564B (zh) * 2013-12-10 2015-12-21 Au Optronics Corp 顯示面板及其製作方法
KR102334815B1 (ko) * 2014-02-19 2021-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 박리 방법
KR102355403B1 (ko) 2014-03-06 2022-01-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
KR102292148B1 (ko) * 2014-03-13 2021-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기의 제작 방법
TWI687143B (zh) * 2014-04-25 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
US20150371905A1 (en) * 2014-06-20 2015-12-24 Rf Micro Devices, Inc. Soi with gold-doped handle wafer
WO2015198183A1 (en) * 2014-06-23 2015-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
CN105280590B (zh) * 2014-07-14 2019-06-14 旺宏电子股份有限公司 半导体结构及其制造方法
JP6636736B2 (ja) 2014-07-18 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、電子機器の作製方法、及び発光装置
US9799829B2 (en) 2014-07-25 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, light-emitting device, module, and electronic device
US20160049729A1 (en) * 2014-08-12 2016-02-18 Rainsun Co., Ltd. Antenna structure
US9933812B2 (en) * 2014-09-05 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, and data processor
KR102472238B1 (ko) 2014-10-17 2022-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 모듈, 전자 기기, 및 발광 장치의 제작 방법
WO2016088382A1 (ja) 2014-12-05 2016-06-09 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置
TWI696108B (zh) 2015-02-13 2020-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 功能面板、功能模組、發光模組、顯示模組、位置資料輸入模組、發光裝置、照明設備、顯示裝置、資料處理裝置、功能面板的製造方法
JPWO2016132460A1 (ja) * 2015-02-17 2017-11-24 パイオニア株式会社 発光装置
CN104966696B (zh) * 2015-05-06 2017-11-28 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及其结构
CN104851892A (zh) * 2015-05-12 2015-08-19 深圳市华星光电技术有限公司 窄边框柔性显示装置及其制作方法
JP2017009725A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置
CN105118844A (zh) * 2015-07-01 2015-12-02 深圳市华星光电技术有限公司 一种柔性显示面板的制备方法及柔性显示面板
KR102427672B1 (ko) 2015-08-11 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP2017040859A (ja) * 2015-08-21 2017-02-23 株式会社ジャパンディスプレイ 画像表示装置
US10600823B2 (en) * 2015-09-02 2020-03-24 Facebook Technologies, Llc Assembly of semiconductor devices
GB2541970B (en) 2015-09-02 2020-08-19 Facebook Tech Llc Display manufacture
GB2544728B (en) 2015-11-17 2020-08-19 Facebook Tech Llc Redundancy in inorganic light emitting diode displays
GB2549734B (en) 2016-04-26 2020-01-01 Facebook Tech Llc A display
CN105552247B (zh) * 2015-12-08 2018-10-26 上海天马微电子有限公司 复合基板、柔性显示装置及其制备方法
CN106981498A (zh) * 2016-01-19 2017-07-25 上海和辉光电有限公司 显示器件结构、显示器件制备方法
JP6822858B2 (ja) 2016-01-26 2021-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離の起点の形成方法及び剥離方法
KR102643637B1 (ko) * 2016-03-02 2024-03-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102340066B1 (ko) 2016-04-07 2021-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법 및 플렉시블 디바이스의 제작 방법
JP6863803B2 (ja) 2016-04-07 2021-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102568632B1 (ko) * 2016-04-07 2023-08-21 삼성디스플레이 주식회사 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
US10522574B2 (en) 2016-05-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display device and manufacturing method of electronic device
JP2017212365A (ja) * 2016-05-26 2017-11-30 株式会社Ｊｏｌｅｄ 半導体装置用基板および表示装置
KR102389537B1 (ko) 2016-07-29 2022-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
TWI753868B (zh) 2016-08-05 2022-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 剝離方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
TWI730017B (zh) 2016-08-09 2021-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
WO2018042284A1 (en) 2016-08-31 2018-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6981812B2 (ja) 2016-08-31 2021-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US10369664B2 (en) 2016-09-23 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
CN106384743B (zh) * 2016-10-20 2019-12-24 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示器及其制作方法
WO2018235206A1 (ja) 2017-06-21 2018-12-27 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
US10490758B2 (en) * 2017-10-30 2019-11-26 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible OLED display panel and manufacturing method thereof
JP7086582B2 (ja) * 2017-12-11 2022-06-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN108281466B (zh) * 2018-01-19 2020-11-20 上海天马微电子有限公司 可卷曲显示模组和可卷曲显示装置
KR102593533B1 (ko) 2018-02-28 2023-10-26 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치용 기판의 제조방법 및 디스플레이 장치의 제조 방법
US10879489B2 (en) * 2018-05-21 2020-12-29 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Organic device having protective film and method of manufacturing the same
KR20190137458A (ko) * 2018-06-01 2019-12-11 삼성전자주식회사 Led를 이용한 디스플레이 모듈 제조방법
KR102595915B1 (ko) 2018-06-18 2023-10-31 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
TWI669815B (zh) * 2018-06-26 2019-08-21 智晶光電股份有限公司 柔性基板側向薄膜封裝
TW202101732A (zh) * 2018-12-27 2021-01-01 日商索尼半導體解決方案公司 半導體元件
JP6814230B2 (ja) * 2019-01-11 2021-01-13 株式会社Ｊｏｌｅｄ 発光パネル、発光装置および電子機器
CN109979977A (zh) * 2019-03-28 2019-07-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
TWI693460B (zh) * 2019-05-24 2020-05-11 友達光電股份有限公司 畫素結構
KR20210028316A (ko) * 2019-09-03 2021-03-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7415561B2 (ja) * 2020-01-06 2024-01-17 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
JP7419821B2 (ja) 2020-01-06 2024-01-23 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
KR20220007754A (ko) * 2020-07-09 2022-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치
KR20220121274A (ko) * 2021-02-24 2022-09-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (282)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4489481A (en) 1982-09-20 1984-12-25 Texas Instruments Incorporated Insulator and metallization method for VLSI devices with anisotropically-etched contact holes
US4599538A (en) 1982-09-30 1986-07-08 Gte Prod Corp Electroluminescent display device
JPS625597A (ja) 1985-07-01 1987-01-12 シャープ株式会社 薄膜ｅｌ素子
JPH0613180Y2 (ja) 1986-09-08 1994-04-06 日本板硝子株式会社 板ガラス立て掛け用吸着反転装置
JPH0765950B2 (ja) 1986-10-07 1995-07-19 ティーディーケイ株式会社 蛍光ｘ線分析方法及びその装置
JPH0414440Y2 (zh) 1987-06-08 1992-03-31
JPS6459791A (en) * 1987-08-28 1989-03-07 Toray Industries Electroluminescence element
JP2742057B2 (ja) * 1988-07-14 1998-04-22 シャープ株式会社 薄膜ｅｌパネル
US5189405A (en) * 1989-01-26 1993-02-23 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film electroluminescent panel
JP2859288B2 (ja) 1989-03-20 1999-02-17 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置及びその製造方法
JPH0329291A (ja) * 1989-06-27 1991-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 有機分散型ｅｌランプ用捕水フィルム
JPH0362497A (ja) 1989-07-31 1991-03-18 Ricoh Co Ltd 薄膜エレクトロルミネッセント素子
JPH0362497U (zh) 1989-10-24 1991-06-19
US5244820A (en) 1990-03-09 1993-09-14 Tadashi Kamata Semiconductor integrated circuit device, method for producing the same, and ion implanter for use in the method
JPH0414440A (ja) 1990-05-07 1992-01-20 Toray Ind Inc 積層フィルム
US5347154A (en) * 1990-11-15 1994-09-13 Seiko Instruments Inc. Light valve device using semiconductive composite substrate
JP2875076B2 (ja) 1990-11-29 1999-03-24 三井化学株式会社 フレキシブル配線基板
US5206749A (en) * 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
US5946561A (en) * 1991-03-18 1999-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
US5396100A (en) * 1991-04-05 1995-03-07 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device having a compact arrangement of SRAM cells
JP2838338B2 (ja) * 1991-05-21 1998-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置の駆動方法
JP2650519B2 (ja) 1991-07-25 1997-09-03 株式会社日立製作所 横型絶縁ゲートトランジスタ
US5317433A (en) * 1991-12-02 1994-05-31 Canon Kabushiki Kaisha Image display device with a transistor on one side of insulating layer and liquid crystal on the other side
JP3181712B2 (ja) 1992-04-28 2001-07-03 東北パイオニア株式会社 Ｅｌ表示モジュール
TW214603B (en) * 1992-05-13 1993-10-11 Seiko Electron Co Ltd Semiconductor device
JP2975766B2 (ja) 1992-05-13 1999-11-10 三洋電機株式会社 可撓性のある薄膜太陽電池の製造方法
CN1196184C (zh) * 1992-07-06 2005-04-06 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其形成方法
US5633176A (en) * 1992-08-19 1997-05-27 Seiko Instruments Inc. Method of producing a semiconductor device for a light valve
US5652067A (en) 1992-09-10 1997-07-29 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device
TW250618B (zh) * 1993-01-27 1995-07-01 Mitsui Toatsu Chemicals
JPH06296023A (ja) * 1993-02-10 1994-10-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜状半導体装置およびその作製方法
DE4325885A1 (de) 1993-08-02 1995-02-09 Basf Ag Elektrolumineszierende Anordnung
DE69426208T2 (de) * 1993-08-05 2001-05-17 Matsushita Electronics Corp Halbleiterbauelement mit Kondensator und dessen Herstellungsverfahren
JPH0765950A (ja) * 1993-08-31 1995-03-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 分散型ｅｌ発光素子
US5455625A (en) 1993-09-23 1995-10-03 Rosco Inc. Video camera unit, protective enclosure and power circuit for same, particularly for use in vehicles
JPH07109573A (ja) * 1993-10-12 1995-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ガラス基板および加熱処理方法
US5448020A (en) 1993-12-17 1995-09-05 Pendse; Rajendra D. System and method for forming a controlled impedance flex circuit
JPH07192866A (ja) 1993-12-26 1995-07-28 Ricoh Co Ltd 有機薄膜型電界発光素子
JP3254072B2 (ja) * 1994-02-15 2002-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3256084B2 (ja) 1994-05-26 2002-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路およびその作製方法
JP3093604B2 (ja) * 1994-06-20 2000-10-03 キヤノン株式会社 液晶表示装置
JP3637078B2 (ja) 1994-08-29 2005-04-06 三井化学株式会社 ガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基板およびその用途
US5962962A (en) 1994-09-08 1999-10-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Method of encapsulating organic electroluminescence device and organic electroluminescence device
JP3561302B2 (ja) 1994-10-11 2004-09-02 Ｔｄｋ株式会社 光源一体型固体撮像装置
US5627364A (en) * 1994-10-11 1997-05-06 Tdk Corporation Linear array image sensor with thin-film light emission element light source
JP3578417B2 (ja) 1994-10-21 2004-10-20 出光興産株式会社 有機ｅｌデバイス
DE4438359C2 (de) 1994-10-27 2001-10-04 Schott Glas Behälter aus Kunststoff mit einer Sperrbeschichtung
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
US5684365A (en) 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
DE69623443T2 (de) 1995-02-06 2003-01-23 Idemitsu Kosan Co Vielfarbige lichtemissionsvorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3471966B2 (ja) 1995-03-16 2003-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜半導体装置の作製方法
US5834327A (en) 1995-03-18 1998-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing display device
JP3454965B2 (ja) 1995-03-22 2003-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその作製方法
KR100265179B1 (ko) 1995-03-27 2000-09-15 야마자끼 순페이 반도체장치와 그의 제작방법
US5771562A (en) * 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
JP3613294B2 (ja) 1995-07-24 2005-01-26 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 液晶表示パネル
JP3107743B2 (ja) * 1995-07-31 2000-11-13 カシオ計算機株式会社 電子放出性電極およびその製造方法、並びにそれを用いた冷陰極蛍光管およびプラズマディスプレイ
JPH0982476A (ja) 1995-09-14 1997-03-28 Casio Comput Co Ltd 有機電界発光素子
TW439003B (en) 1995-11-17 2001-06-07 Semiconductor Energy Lab Display device
US5686360A (en) 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
US5811177A (en) * 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
TW309633B (zh) 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US6195142B1 (en) 1995-12-28 2001-02-27 Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element
JPH09232475A (ja) 1996-02-22 1997-09-05 Nitto Denko Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH09260059A (ja) 1996-03-18 1997-10-03 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子の電極接続構造，その電極の取り出し方法，及び有機薄膜ｅｌ装置
EP0807980B1 (en) 1996-05-17 2006-06-21 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device and process for the production thereof
EP0842592B1 (en) 1996-05-28 2001-10-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Organic electroluminescent device
DE19627071A1 (de) 1996-07-05 1998-01-08 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen
US5693956A (en) * 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
US5817366A (en) 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
JP4619462B2 (ja) 1996-08-27 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜素子の転写方法
KR100500520B1 (ko) 1996-08-27 2005-07-12 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전사 방법 및 액티브 매트릭스 기판 제조 방법
JP3809681B2 (ja) 1996-08-27 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 剥離方法
US6127199A (en) 1996-11-12 2000-10-03 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
JP2762993B2 (ja) 1996-11-19 1998-06-11 日本電気株式会社 発光装置及びその製造方法
JP3392672B2 (ja) * 1996-11-29 2003-03-31 三洋電機株式会社 表示装置
JP3281848B2 (ja) * 1996-11-29 2002-05-13 三洋電機株式会社 表示装置
JP3297619B2 (ja) 1996-12-18 2002-07-02 ティーディーケイ株式会社 有機ｅｌカラーディスプレイ
US6046543A (en) 1996-12-23 2000-04-04 The Trustees Of Princeton University High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same
US5990629A (en) 1997-01-28 1999-11-23 Casio Computer Co., Ltd. Electroluminescent display device and a driving method thereof
US5757139A (en) 1997-02-03 1998-05-26 The Trustees Of Princeton University Driving circuit for stacked organic light emitting devices
US5990615A (en) 1997-02-03 1999-11-23 Nec Corporation Organic electroluminescent display with protective layer on cathode and an inert medium
US6049167A (en) 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
US5952778A (en) * 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
US5953094A (en) 1997-04-04 1999-09-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Liquid crystal display device
AU6853898A (en) * 1997-04-17 1998-11-11 Kureha Kagaku Kogyo K.K. Moisture-proofing film and electroluminescent device
JP3290375B2 (ja) 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
JPH10321374A (ja) 1997-05-20 1998-12-04 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
US6198220B1 (en) * 1997-07-11 2001-03-06 Emagin Corporation Sealing structure for organic light emitting devices
JP3529989B2 (ja) * 1997-09-12 2004-05-24 株式会社東芝 成膜方法及び半導体装置の製造方法
KR100254536B1 (ko) 1997-09-29 2000-05-01 정선종 두개의실릴기를갖는용해가능한피피브이유도체의합성방법및이를이용한전기발광소자
JPH11168263A (ja) * 1997-09-30 1999-06-22 Canon Inc 光デバイス装置及びその製造方法
KR100249784B1 (ko) * 1997-11-20 2000-04-01 정선종 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법
US5998805A (en) * 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
JPH11212047A (ja) * 1998-01-21 1999-08-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子機器
JPH11218777A (ja) 1998-01-30 1999-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示パネル
JP3809733B2 (ja) 1998-02-25 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの剥離方法
JPH11243209A (ja) 1998-02-25 1999-09-07 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
JP4126747B2 (ja) 1998-02-27 2008-07-30 セイコーエプソン株式会社 ３次元デバイスの製造方法
JPH11329719A (ja) 1998-04-08 1999-11-30 Lg Electronics Inc 有機電界発光素子
US6226862B1 (en) 1998-04-30 2001-05-08 Sheldahl, Inc. Method for manufacturing printed circuit board assembly
TW410478B (en) * 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US6252253B1 (en) 1998-06-10 2001-06-26 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Patterned light emitting diode devices
JP3215822B2 (ja) 1998-07-13 2001-10-09 住友特殊金属株式会社 磁気ヘッド用ウエハ及び磁気ヘッド
JP2000048951A (ja) 1998-07-24 2000-02-18 Oputeku:Kk 発光素子
US6172459B1 (en) 1998-07-28 2001-01-09 Eastman Kodak Company Electron-injecting layer providing a modified interface between an organic light-emitting structure and a cathode buffer layer
US6146225A (en) * 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
JP2000058256A (ja) 1998-08-07 2000-02-25 Canon Inc 有機発光素子
JP3785821B2 (ja) 1998-08-12 2006-06-14 セイコーエプソン株式会社 液晶表示パネルの検査装置および検査方法
JP2000068050A (ja) 1998-08-24 2000-03-03 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子及びその製造方法
US6111361A (en) * 1998-09-11 2000-08-29 Motorola, Inc. Light emitting apparatus and method of fabrication
JP4269195B2 (ja) 1998-09-25 2009-05-27 ソニー株式会社 発光又は調光素子、及びその製造方法
CN1139837C (zh) 1998-10-01 2004-02-25 三星电子株式会社 液晶显示器用薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
US6343171B1 (en) 1998-10-09 2002-01-29 Fujitsu Limited Systems based on opto-electronic substrates with electrical and optical interconnections and methods for making
JP2000133450A (ja) 1998-10-20 2000-05-12 Rohm Co Ltd 有機ｅｌパネル
JP3782245B2 (ja) 1998-10-28 2006-06-07 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造装置及び製造方法
US6214631B1 (en) 1998-10-30 2001-04-10 The Trustees Of Princeton University Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask
US6274887B1 (en) 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US6909114B1 (en) 1998-11-17 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having LDD regions
JP4159712B2 (ja) 1998-11-17 2008-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、アクティブマトリクス型表示装置、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクタ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータ又は携帯型情報端末
JP3899499B2 (ja) 1998-11-18 2007-03-28 ソニー株式会社 非水電解質電池
JP2000174282A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US6420988B1 (en) * 1998-12-03 2002-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Digital analog converter and electronic device using the same
EP1145338B1 (en) 1998-12-16 2012-12-05 Samsung Display Co., Ltd. Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
US6274412B1 (en) * 1998-12-21 2001-08-14 Parelec, Inc. Material and method for printing high conductivity electrical conductors and other components on thin film transistor arrays
JP4004672B2 (ja) * 1998-12-28 2007-11-07 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びその製造方法
US6380558B1 (en) * 1998-12-29 2002-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
DE60027483T2 (de) 1999-01-15 2007-05-03 3M Innovative Properties Co., Saint Paul Materialstrukturierungsverfahren
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
TW460927B (en) 1999-01-18 2001-10-21 Toshiba Corp Semiconductor device, mounting method for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device
US6573195B1 (en) * 1999-01-26 2003-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device by performing a heat-treatment in a hydrogen atmosphere
KR100654927B1 (ko) * 1999-03-04 2006-12-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그의 제작방법
JP2001009963A (ja) 1999-04-26 2001-01-16 Toyo Ink Mfg Co Ltd 積層体、その製造方法およびその利用
TW543341B (en) 1999-04-28 2003-07-21 Du Pont Flexible organic electronic device with improved resistance to oxygen and moisture degradation
JP2000323273A (ja) 1999-05-07 2000-11-24 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子
JP4664455B2 (ja) 1999-05-11 2011-04-06 株式会社東芝 非水電解液二次電池
JP3838331B2 (ja) 1999-05-14 2006-10-25 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP2000323276A (ja) 1999-05-14 2000-11-24 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子およびインク組成物
JP2001052864A (ja) 1999-06-04 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置の作製方法
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
JP4730994B2 (ja) 1999-06-04 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置及びその作製方法並びに電子装置
TW527735B (en) 1999-06-04 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
US6770975B2 (en) 1999-06-09 2004-08-03 Alliedsignal Inc. Integrated circuits with multiple low dielectric-constant inter-metal dielectrics
JP2000357585A (ja) 1999-06-14 2000-12-26 Futaba Corp 有機ｅｌ素子
JP3666305B2 (ja) 1999-06-14 2005-06-29 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、電気光学装置及び半導体装置の製造方法
US6541294B1 (en) * 1999-07-22 2003-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW504941B (en) 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
JP3804349B2 (ja) 1999-08-06 2006-08-02 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および電気光学装置
JP2001057286A (ja) 1999-08-20 2001-02-27 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP4472073B2 (ja) * 1999-09-03 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
JP2001085156A (ja) 1999-09-14 2001-03-30 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法と表示装置
US6660409B1 (en) 1999-09-16 2003-12-09 Panasonic Communications Co., Ltd Electronic device and process for producing the same
JP3942770B2 (ja) * 1999-09-22 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置及び電子装置
TW540251B (en) * 1999-09-24 2003-07-01 Semiconductor Energy Lab EL display device and method for driving the same
US6833668B1 (en) 1999-09-29 2004-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display device having a desiccant
TW480722B (en) 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
JP4780826B2 (ja) 1999-10-12 2011-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置の作製方法
JP2001118674A (ja) 1999-10-19 2001-04-27 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 有機ｅｌ表示装置
US7198832B2 (en) 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6573652B1 (en) 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6413645B1 (en) * 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
US6548912B1 (en) 1999-10-25 2003-04-15 Battelle Memorial Institute Semicoductor passivation using barrier coatings
US6623861B2 (en) 2001-04-16 2003-09-23 Battelle Memorial Institute Multilayer plastic substrates
US20070196682A1 (en) 1999-10-25 2007-08-23 Visser Robert J Three dimensional multilayer barrier and method of making
US6587086B1 (en) * 1999-10-26 2003-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
US6580094B1 (en) * 1999-10-29 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro luminescence display device
JP2001148291A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
JP4727029B2 (ja) * 1999-11-29 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置、電気器具及びｅｌ表示装置用の半導体素子基板
TW587239B (en) * 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
US6197663B1 (en) 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
CN1217417C (zh) * 1999-12-10 2005-08-31 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
TW465122B (en) 1999-12-15 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
JP3409762B2 (ja) 1999-12-16 2003-05-26 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6606080B2 (en) * 1999-12-24 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device and electronic equipment
JP2001185346A (ja) 1999-12-24 2001-07-06 Victor Co Of Japan Ltd 自発光式デバイス
JP4478268B2 (ja) 1999-12-28 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイスの製造方法
TW473800B (en) * 1999-12-28 2002-01-21 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
JP4748859B2 (ja) 2000-01-17 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US7060153B2 (en) * 2000-01-17 2006-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US6747638B2 (en) 2000-01-31 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor
TW494447B (en) * 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2001217423A (ja) * 2000-02-01 2001-08-10 Sony Corp 薄膜半導体装置及び表示装置とその製造方法
US6559594B2 (en) 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US7098884B2 (en) * 2000-02-08 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device and method of driving semiconductor display device
JP4434411B2 (ja) 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
TW525305B (en) * 2000-02-22 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Self-light-emitting device and method of manufacturing the same
KR100685312B1 (ko) * 2000-02-25 2007-02-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시패널 및 그의 제조방법
TWI282697B (en) 2000-02-25 2007-06-11 Seiko Epson Corp Organic electroluminescence device
US6882012B2 (en) * 2000-02-28 2005-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and a method of manufacturing the same
JP4542659B2 (ja) 2000-03-07 2010-09-15 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
US6838696B2 (en) * 2000-03-15 2005-01-04 Advanced Display Inc. Liquid crystal display
US6872607B2 (en) * 2000-03-21 2005-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP2001338755A (ja) 2000-03-21 2001-12-07 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
TWI226205B (en) * 2000-03-27 2005-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and method of manufacturing the same
TW521226B (en) * 2000-03-27 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
JP2001284592A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその駆動方法
JP2001282123A (ja) 2000-03-30 2001-10-12 Toshiba Corp 表示装置およびその製造方法
TW493282B (en) * 2000-04-17 2002-07-01 Semiconductor Energy Lab Self-luminous device and electric machine using the same
US7525165B2 (en) * 2000-04-17 2009-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
TW447138B (en) * 2000-04-28 2001-07-21 Unipac Optoelectronics Corp Manufacturing method of thin-film transistor
US7579203B2 (en) * 2000-04-25 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6611108B2 (en) * 2000-04-26 2003-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and driving method thereof
TW531901B (en) * 2000-04-27 2003-05-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
TW442979B (en) * 2000-04-28 2001-06-23 Unipac Optoelectronics Corp Manufacturing method of thin-film transistor
US6515310B2 (en) 2000-05-06 2003-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electric apparatus
US6989805B2 (en) * 2000-05-08 2006-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
TW554637B (en) * 2000-05-12 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Display device and light emitting device
US8610645B2 (en) * 2000-05-12 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US6692845B2 (en) * 2000-05-12 2004-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP3783099B2 (ja) 2000-05-16 2006-06-07 株式会社豊田中央研究所 有機電界発光素子
TW521256B (en) * 2000-05-18 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device and method of driving the same
JP2001326071A (ja) 2000-05-18 2001-11-22 Stanley Electric Co Ltd 有機ｌｅｄ素子のパッシベーション膜成膜方法
JP2001332741A (ja) 2000-05-25 2001-11-30 Sony Corp 薄膜トランジスタの製造方法
TW483038B (en) * 2000-05-26 2002-04-11 Koninkl Philips Electronics Nv Display device
US7339317B2 (en) * 2000-06-05 2008-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers
US6872604B2 (en) * 2000-06-05 2005-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a light emitting device
US6729922B2 (en) * 2000-06-05 2004-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device for inspecting element substrates and method of inspection using this device
JP2001357973A (ja) 2000-06-15 2001-12-26 Sony Corp 表示装置
GB0014962D0 (en) * 2000-06-20 2000-08-09 Koninkl Philips Electronics Nv Matrix array display devices with light sensing elements and associated storage capacitors
US7503975B2 (en) * 2000-06-27 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method therefor
US6738034B2 (en) 2000-06-27 2004-05-18 Hitachi, Ltd. Picture image display device and method of driving the same
JP3840926B2 (ja) 2000-07-07 2006-11-01 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、並びに電子機器
TW577813B (en) * 2000-07-10 2004-03-01 Semiconductor Energy Lab Film forming apparatus and method of manufacturing light emitting device
US6828950B2 (en) * 2000-08-10 2004-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving the same
JP3501218B2 (ja) 2000-08-11 2004-03-02 日本電気株式会社 フラットパネル表示モジュール及びその製造方法
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
WO2002017689A1 (fr) 2000-08-23 2002-02-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Afficheur electroluminescent organique
TW463393B (en) * 2000-08-25 2001-11-11 Ind Tech Res Inst Structure of organic light emitting diode display
US6739931B2 (en) 2000-09-18 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
TW466888B (en) * 2000-09-29 2001-12-01 Ind Tech Res Inst Pixel device structure and process of organic light emitting diode display
US6924594B2 (en) 2000-10-03 2005-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6664732B2 (en) 2000-10-26 2003-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4116764B2 (ja) 2000-10-27 2008-07-09 松下電工株式会社 有機電界発光素子の作製方法
TW522577B (en) 2000-11-10 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6515428B1 (en) * 2000-11-24 2003-02-04 Industrial Technology Research Institute Pixel structure an organic light-emitting diode display device and its manufacturing method
GB0028877D0 (en) * 2000-11-28 2001-01-10 Koninkl Philips Electronics Nv Liquid crystal displays
US6583440B2 (en) * 2000-11-30 2003-06-24 Seiko Epson Corporation Soi substrate, element substrate, semiconductor device, electro-optical apparatus, electronic equipment, method of manufacturing the soi substrate, method of manufacturing the element substrate, and method of manufacturing the electro-optical apparatus
US6646284B2 (en) * 2000-12-12 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US6624839B2 (en) * 2000-12-20 2003-09-23 Polaroid Corporation Integral organic light emitting diode printhead utilizing color filters
US6825496B2 (en) * 2001-01-17 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6639360B2 (en) * 2001-01-31 2003-10-28 Gentex Corporation High power radiation emitter device and heat dissipating package for electronic components
JP4831874B2 (ja) * 2001-02-26 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
JP4147008B2 (ja) 2001-03-05 2008-09-10 株式会社日立製作所 有機ｅｌ素子に用いるフィルム及び有機ｅｌ素子
JP3608613B2 (ja) * 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
US6624568B2 (en) * 2001-03-28 2003-09-23 Universal Display Corporation Multilayer barrier region containing moisture- and oxygen-absorbing material for optoelectronic devices
JP4801278B2 (ja) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US6734463B2 (en) 2001-05-23 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a window
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4244120B2 (ja) 2001-06-20 2009-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP2003086356A (ja) 2001-09-06 2003-03-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
US7211828B2 (en) * 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW546857B (en) 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
JP2003017244A (ja) 2001-07-05 2003-01-17 Sony Corp 有機電界発光素子およびその製造方法
JP3879463B2 (ja) * 2001-09-19 2007-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示パネル，液晶表示装置、及び液晶テレビ
US6737753B2 (en) 2001-09-28 2004-05-18 Osram Opto Semiconductor Gmbh Barrier stack
KR20010106343A (ko) * 2001-10-25 2001-11-29 윤차랑 미세 전류사용 도난 경보 장치 및 그 방법
US6852997B2 (en) 2001-10-30 2005-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4019690B2 (ja) 2001-11-02 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US6822264B2 (en) 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6731064B2 (en) * 2001-11-20 2004-05-04 International Business Machines Corporation Yield enchancement pixel structure for active matrix organic light-emitting diode displays
KR100483988B1 (ko) 2001-11-29 2005-04-15 삼성에스디아이 주식회사 투명도전막의 투과도 변형방법
JP3705264B2 (ja) 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
JP2003203771A (ja) 2002-01-09 2003-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機発光素子、表示装置及び照明装置
KR100563675B1 (ko) 2002-04-09 2006-03-28 캐논 가부시끼가이샤 유기 발광소자 및 유기 발광소자 패키지
US6819044B2 (en) 2002-04-10 2004-11-16 Tdk Corporation Thin-film EL device and composite substrate
US6835950B2 (en) 2002-04-12 2004-12-28 Universal Display Corporation Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer
US6728278B2 (en) 2002-05-23 2004-04-27 Eastman Kodak Company Organic vertical cavity laser array device
US6792333B2 (en) 2002-06-04 2004-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Product management method, program for performing product management, and storage medium having recorded the program therein
US7230271B2 (en) 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
US6911772B2 (en) 2002-06-12 2005-06-28 Eastman Kodak Company Oled display having color filters for improving contrast
KR100473591B1 (ko) 2002-07-18 2005-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
GB0217900D0 (en) 2002-08-02 2002-09-11 Qinetiq Ltd Optoelectronic devices
US6710542B2 (en) 2002-08-03 2004-03-23 Agilent Technologies, Inc. Organic light emitting device with improved moisture seal
TWI304706B (zh) 2002-08-30 2008-12-21 Au Optronics Corp
JP2004207084A (ja) 2002-12-25 2004-07-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
TWI228941B (en) 2002-12-27 2005-03-01 Au Optronics Corp Active matrix organic light emitting diode display and fabricating method thereof
US7692378B2 (en) 2004-04-28 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including an insulating layer with an opening
US7202504B2 (en) 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
DE102009026478A1 (de) 2009-05-26 2010-12-02 Hilti Aktiengesellschaft Befestigungselement mit einem Grundkörper für den Einsatz im Berg- und Tunnelbau

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100442534C (zh) * 2003-02-24 2008-12-10 索尼株式会社 显示装置和制造该显示装置的方法
US7554121B2 (en) 2003-12-26 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor device
US7749804B2 (en) 2003-12-26 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor device and method for manufacturing the same
CN1797807B (zh) * 2003-12-26 2010-09-29 株式会社半导体能源研究所 有机半导体器件和其制造方法
US8575740B2 (en) 2004-02-06 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN1918708B (zh) * 2004-02-06 2013-07-17 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US7994617B2 (en) 2004-02-06 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US11930668B2 (en) 2008-10-16 2024-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible light-emitting device and EL module including transparent conductive film
CN102279468A (zh) * 2009-12-09 2011-12-14 X盘D公司 具有oled光阀的主动式三维眼镜
US11621407B2 (en) 2012-05-09 2023-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having first to third supports
US11839106B2 (en) 2012-05-09 2023-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
CN103456896A (zh) * 2012-05-30 2013-12-18 三星显示有限公司 显示装置
US10976580B2 (en) 2013-02-20 2021-04-13 Japan Display Inc. Display device
US11409145B2 (en) 2013-02-20 2022-08-09 Japan Display Inc. Display device
US11656488B2 (en) 2013-02-20 2023-05-23 Japan Display Inc. Display device
CN107611120A (zh) * 2013-02-20 2018-01-19 株式会社日本显示器 显示装置及其制造方法
CN110649175A (zh) * 2013-05-16 2020-01-03 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器、包括其的电子装置及其制造方法
CN103280256A (zh) * 2013-06-26 2013-09-04 汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司 一种透明导电薄膜
US9444061B2 (en) 2013-10-12 2016-09-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, manufacturing method thereof and flexible display device
CN103489880B (zh) * 2013-10-12 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置
CN103489880A (zh) * 2013-10-12 2014-01-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置
CN104752438B (zh) * 2013-12-26 2019-01-11 英特尔公司 用于柔性电子通信设备的方法和装置
CN104752438A (zh) * 2013-12-26 2015-07-01 英特尔公司 用于柔性电子通信设备的方法和装置
CN105655373A (zh) * 2014-11-28 2016-06-08 乐金显示有限公司 柔性有机发光显示器及其制造方法
CN105655373B (zh) * 2014-11-28 2019-01-11 乐金显示有限公司 柔性有机发光显示器及其制造方法
US9680114B2 (en) 2014-12-31 2017-06-13 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Flexible organic light emitting display and method for manufacturing the same
US10096664B2 (en) 2014-12-31 2018-10-09 Shenzhen China Star Optoelectronics Co., Ltd. Flexible organic light emitting display manufacturing method
CN104485351A (zh) * 2014-12-31 2015-04-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种柔性有机发光显示器及其制作方法
WO2017124682A1 (zh) * 2016-01-20 2017-07-27 京东方科技集团股份有限公司 用于制造柔性基板的方法、柔性基板和显示装置
CN105552225B (zh) * 2016-01-20 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 用于制造柔性基板的方法、柔性基板和显示装置
US10319924B2 (en) 2016-01-20 2019-06-11 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for manufacturing flexible substrate, flexible substrate and display device
CN105552225A (zh) * 2016-01-20 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 用于制造柔性基板的方法、柔性基板和显示装置
CN108511487B (zh) * 2017-02-28 2023-10-24 三星显示有限公司 显示设备
US11812644B2 (en) 2017-02-28 2023-11-07 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus including conductive pattern in substrate and method of manufacturing the same
CN108511487A (zh) * 2017-02-28 2018-09-07 三星显示有限公司 显示设备
CN110992832A (zh) * 2019-12-18 2020-04-10 厦门天马微电子有限公司 一种可拉伸显示面板和可拉伸显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20080303408A1 (en) 2008-12-11
US20050127371A1 (en) 2005-06-16
US9166180B2 (en) 2015-10-20
US20140077199A1 (en) 2014-03-20
KR100975800B1 (ko) 2010-08-16
US8134149B2 (en) 2012-03-13
KR20090033861A (ko) 2009-04-06
CN100350633C (zh) 2007-11-21
US8415660B2 (en) 2013-04-09
US20120187388A1 (en) 2012-07-26
US20130228763A1 (en) 2013-09-05
US9276224B2 (en) 2016-03-01
KR100913927B1 (ko) 2009-08-27
KR20020097028A (ko) 2002-12-31
US20110233557A1 (en) 2011-09-29
US6849877B2 (en) 2005-02-01
US7952101B2 (en) 2011-05-31
TW548860B (en) 2003-08-21
US9178168B2 (en) 2015-11-03
US7420208B2 (en) 2008-09-02
US20140346488A1 (en) 2014-11-27
US20030034497A1 (en) 2003-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100350633C (zh) 发光装置及其制造方法
CN100350634C (zh) 发光装置以及制造发光装置的方法
CN1240106C (zh) 薄膜形成装置和薄膜形成方法
CN1263153C (zh) 半导体器件及其制作方法
CN1236504C (zh) 用于膜淀积的方法和设备
CN1286347C (zh) 制造和/或者修复发光设备的方法
CN1268008C (zh) 发光器件及其制造方法
CN1227714C (zh) 薄膜形成器件,形成薄膜的方法和自发光器件
CN1251332C (zh) 发光器件
CN1245763C (zh) 自发光器件及采用自发光器件的电气设备
CN1893145A (zh) 发光器件的制造方法
CN1248547C (zh) 有机电致发光显示装置及其制造方法
CN1170458C (zh) 有源驱动型有机el显示装置及其制造方法
CN1271725C (zh) 显示装置
CN1409581A (zh) 发光设备及其制造方法
CN1458812A (zh) 显示器件
CN1319892A (zh) 光电器件
CN1822384A (zh) 半导体器件及其制造方法
CN1409373A (zh) 剥离方法及半导体器件的制造方法
CN1679375A (zh) 制造系统,发光装置以及含有有机化合物层的制造方法
CN1422104A (zh) 发光器件
CN1819300A (zh) 发光器件
CN1779984A (zh) 显示器件及其制造方法
CN1449229A (zh) 发光装置和制造这种发光装置的方法
CN1703121A (zh) 显示装置和电子装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20071121

CX01 Expiry of patent term