CN1343905A - 电光装置、电子装置、电光装置用基板和电光装置用基板的制造方法以及遮光膜 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题是提供作成遮光膜111的、具有优良的遮光性能的遮光膜,其中,上述遮光膜111具有阻挡层B1和金属层M1,上述阻挡层B1由高熔点金属的氮化物、硅化物、钨化物、钨、硅中的1种构成,上述金属层M1由如果变成氧化物则可看到遮光性的恶化的金属单质或金属化合物中的某一方构成。

Description

电光装置、电子装置、电光装置用基板和电光装置用基板             的制造方法以及遮光膜
发明背景
发明领域
本发明涉及电光装置、电子装置、电光装置用基板和电光装置用基板的制造方法以及遮光膜，特别是涉及具有适合用于投影型液晶显示装置等的优良的遮光性能的遮光膜的结构。
相关技术描述
图15是示出了液晶装置的一例的剖面图。该液晶装置中，在玻璃基板、石英基板等的透明的2片基板间封入了液晶，该液晶装置具备构成一片基板的薄膜晶体管(以下，简称为TFT)阵列基板10和构成与其相对地配置的另一片基板的对置基板20。
在TFT阵列基板10上以矩阵状形成了多个像素电极9a和用来控制该像素电极9a的像素开关用TFT30，供给图像信号的数据线6a通过接触孔5与该TFT30的源区1d导电性地连接。此外，扫描线3a与TFT30的栅导电性地连接，构成为以规定的时序以脉冲方式依次对扫描线3a施加扫描信号。像素电极9a通过接触孔8与像素开关用TFT30的漏区1e导电性地连接，通过只在一定期间内关闭该开关、即关闭作为开关元件的像素开关用TFT30，以规定的时序写入从数据线6a供给的图像信号。
经像素电极9a写入到液晶上的规定电平的图像信号在与对置基板20上形成的对置电极21之间在一定的期间内被保持，但通常为了防止被保持的图像信号发生漏泄，与像素电极9a和对置电极21之间形成的液晶电容并列地附加了存储电容。在此，作为形成存储电容的方法，设置了作为电容形成用的布线的电容线3b。此外，在像素电极9a上设置了被进行了摩擦处理等的规定的取向处理的取向膜16。
如图15中所示，在与TFT阵列基板10表面的各像素开关用TFT30对应的位置上设置了由WSi(硅化钨)构成的第1遮光膜11a。
该第1遮光膜11a是为了防止来自TFT阵列基板10一侧的返回光等入射到像素开关用TFT30的沟道区1a’或LDD区1b、1c上的情况而设置的。
此外，在第1遮光膜11a与像素开关用TFT30之间设置了使半导体层1a与第1遮光膜11a电绝缘的第1层间绝缘膜(绝缘体层)12。此外，在扫描线3a上、在包含绝缘膜2的TFT阵列基板10上形成了第2层间绝缘膜4，在该第2层间绝缘膜4上分别形成了通往高浓度源区1d的接触孔5和通往高浓度漏区1e的接触孔8。再者，在数据线6a上和在第2层间绝缘膜4上形成了第3层间绝缘膜7，在该第3层间绝缘膜7上形成了通往高浓度漏区1e的接触孔8。
此外，在该液晶装置中，从与扫描线3a相对的位置起延伸地设置绝缘薄膜2，作为电介质膜来使用，延伸地设置半导体膜1a，作成第1存储电容电极1f，通过将与其相对的电容线3b的一部分作成第2存储电容电极，构成了存储电容70。
另一方面，在对置基板20上，在其整个面上设置了对置电极(共用电极)21，在其下侧设置了被进行了摩擦处理等的规定的取向处理的取向膜22。再者，在对置基板20上，在各像素的显示区域以外的区域上设置了第2遮光膜23。该第2遮光膜23用来防止来自对置基板20一侧的入射光侵入到像素开关用TFT30的半导体层1a的沟道区1a’、源区1b、1d、漏区1c、1e等中，也被称为黑色矩阵。
各基板为这样的结构，在以像素电极9a与对置电极21对置的方式配置的TFT阵列基板10与对置基板20之间封入液晶，形成了液晶层50。
发明概述
但是，在使用了由这样的WSi构成的第1遮光膜11a的液晶装置中，希望有遮光性高的遮光膜。
在具有开关元件的液晶装置中，发生起因于返回光的开关元件的光漏泄电流，对元件的开关特性产生不良影响，使器件的特性恶化，这样的情况正在成为问题。特别是，在用于投影仪等的使用强光源的装置的情况下，由于容易发生起因于返回光的光漏泄电流，故这一点正在成为问题。
为了解决该问题，提出了使用具有优良的遮光性的材料、即Ti(钛)来形成第1遮光膜11a。但是，在第1遮光膜11a形成后，如果进行形成绝缘膜或形成开关元件时的退火处理那样的超过500℃的高温处理工序等，则作为第1遮光膜11a的Ti与包含面对Ti的氧元素的SiO2等的绝缘膜发生化学反应而形成氧化膜。由于该氧化膜的生成，产生了Ti的遮光性能下降那样的不良情况。因此，存在即使使用Ti也不能得到充分的遮光性能的情况。
本发明是为了解决上述的课题而进行的，其目的在于提供具有优良的遮光性能的遮光膜。
此外，其目的在于提供具备上述遮光膜的电光装置用基板、电光装置用基板的制造方法、电光装置和电子装置。
(1)为了达到上述的目的，在具有夹持电光物质的一对基板、在一片基板上设置的开关元件以及在与上述开关元件相对的位置上设置的遮光膜的电光装置中，其特征在于：上述遮光膜具有作为高熔点的金属单质或金属化合物的金属层以及由在上述金属层的至少一个面上被层叠的无氧系列的高熔点的金属或金属化合物构成的阻挡层。
按照该电光装置，即使在形成了遮光膜后进行高温处理，也可利用由面对包含氧元素的SiO2等的绝缘膜的遮光膜的无氧系列的高熔点的金属或金属化合物构成的阻挡层来抑制遮光膜的金属层的氧化现象的发生，其结果，可确保遮光膜的遮光性能。
此外，关于遮光膜的膜厚，与使用了现有的单独的WSi的遮光膜比较，可减薄膜厚。由此，可减少在形成遮光膜的区域与不形成遮光膜的区域中台阶差变大的情况。
(2)本发明的电光装置中的上述遮光膜的特征在于：被配置在上述一片基板与上述开关元件之间，上述遮光层的上述阻挡层面对上述开关元件一侧。
按照该结构，即使在阻挡层上形成绝缘膜后进行高温的热处理，也可防止金属层氧化而使透过性下降。
(3)此外，本发明的电光装置中的上述遮光膜的特征在于：被配置在上述电光物质一侧的上述开关元件上。
按照该结构，可防止来自一片基板一侧的光照射到开关元件上。
(4)此外，本发明的电光装置中的上述遮光膜的金属层的特征在于：由遮光性的金属层和光吸收性的金属层构成，上述光吸收性的金属层面对上述开关元件一侧。
按照该结构，可用遮光性的金属层来防止光照射到开关元件上，同时可抑制由开关元件一侧的光吸收性的金属层吸收光而发生内部反射。
(5)此外，本发明的电光装置中的上述金属层的特征在于：被上述阻挡层夹住。
按照该结构，在制造电光装置时，即使进行高温的热处理，由于可用阻挡层来防止金属层的氧化，故也可维持金属层本来的遮光性。
(6)此外，本发明的电光装置的特征在于：在另一片基板上具有遮光膜，该遮光膜定义像素的显示区域，该遮光膜由作为高熔点的金属单质或金属化合物的金属层和阻挡层形成，该阻挡层由在上述金属层的至少一个面上被层叠的无氧系列的高熔点的金属或金属化合物构成。
按照该结构，可进一步提高对来自另一片基板的遮光性能。
(7)此外，本发明的电光装置的特征在于：将上述遮光膜连接到固定电位上。
按照该结构，由于可使上述遮光膜的电位处于低电位，故可防止噪声施加到开关元件上。
(8)此外，本发明的电光装置的上述阻挡层希望由氮化物、硅化物、钨化物、钨、硅中的1种构成。
(9)此外，本发明的电光装置的上述阻挡层希望是WSi。
(10)此外，本发明的电光装置的上述金属层希望是Ti。
(11)此外，本发明的电光装置的上述阻挡层的特征在于：在上述金属层的上表面和下表面上被形成，上表面一侧的阻挡层的膜厚比下表面一侧的阻挡层的膜厚厚。
按照该结构，在上表面一侧的阻挡层上形成绝缘膜，即使进行高温的热处理，也可防止金属层的氧化，同时可防止遮光膜的厚度增厚到必要的厚度以上。
(12)作为其代表性的例子，希望上述金属层的膜厚为30nm至50nm，上述上表面一侧的阻挡层的膜厚为30nm至100nm，上述下表面一侧的阻挡层的膜厚为10nm至20nm。
(13)此外，本发明的电光装置可作为电子装置来应用。
通过作成这样的电子装置，可作成即使在使用强的光源的情况下也难以发生光漏泄电流的电子装置。
(14)本发明的电光装置用基板的特征在于：在具有在上述绝缘性基板上设置的遮光膜的电光装置用基板中，上述遮光膜具有：作为高熔点的金属单质或金属化合物的金属层；以及由在上述金属层的至少一个面上被层叠的无氧系列的高熔点的金属或金属化合物构成的阻挡层。
按照该结构，即使在形成了遮光膜后进行高温处理，也可利用由面对包含氧元素的SiO2等的绝缘膜的遮光膜的无氧系列的高熔点的金属或金属化合物构成的阻挡层来抑制遮光膜的金属层的氧化现象的发生，其结果，可确保遮光膜的遮光性能。
(15)本发明的电光装置用基板的制造方法的特征在于：在具有在上述绝缘性基板上设置的遮光膜的电光装置用基板的制造方法中，具有下述工序：在上述绝缘性基板上使高熔点的金属单质或金属化合物成膜以形成金属层的工序；在上述金属层上使无氧系列的高熔点的金属或金属化合物成膜以形成阻挡层的工序；以及在上述阻挡层上使绝缘材料成膜以形成绝缘膜的工序。
按照该结构，即使在形成了遮光膜后进行高温处理，也可利用由面对包含氧元素的SiO2等的绝缘膜的遮光膜的无氧系列的高熔点的金属或金属化合物构成的阻挡层来抑制遮光膜的金属层的氧化现象的发生。
此外，关于遮光膜的膜厚，与现有的使用了WSi的遮光膜相比，可减薄膜厚。由此，按照本发明的遮光膜，与现有的遮光膜相比，可缩短遮光膜的成膜工序中的刻蚀时间，同时可谋求延长形成遮光膜时使用的成膜靶的寿命和减少气体量。
(16)此外，本发明的电光装置用基板的制造方法的特征在于：在形成上述金属层之前，具有在上述绝缘性基板上使无氧系列的高熔点的金属或金属化合物成膜以形成阻挡层的工序。
按照该结构，即使进行高温的热处理，由于可用阻挡层来防止金属层的氧化，故也可维持金属层本来的遮光性。
(17)此外，本发明的电光装置用基板的制造方法的形成上述绝缘膜的工序的特征在于：包含进行500℃以上至1100℃以下的热处理的工序。
按照该结构，不会使遮光膜的遮光性下降，可降低绝缘膜的刻蚀率。
(18)本发明的遮光膜的特征在于：具备作为高熔点的金属单质或金属化合物的金属层以及由在上述金属层的至少一个面上被层叠的无氧系列的高熔点的金属或金属化合物构成的阻挡层。
按照该遮光膜，即使在形成了遮光膜后进行高温处理，也可利用由面对包含氧元素的SiO2等的绝缘膜的遮光膜的无氧系列的高熔点的金属或金属化合物构成的阻挡层来抑制遮光膜的金属层的氧化现象的发生，其结果，可确保遮光膜的遮光性能。
此外，关于遮光膜的膜厚，与现有的使用了WSi的遮光膜相比，可减薄膜厚。由此，按照本发明的遮光膜，与现有的遮光膜相比，可缩短遮光膜的成膜工序中的刻蚀时间，同时可谋求延长形成遮光膜时使用的成膜靶的寿命和减少气体量。
(19)此外，本发明的遮光膜中的上述阻挡层希望由氮化物、硅化物、钨化物、钨、硅中的1种构成。
(20)此外，本发明的遮光膜中的上述阻挡层的氮化物希望是SiN、TiN、WN、MoN、CrN中的某一种。
(21)此外，本发明的遮光膜中的上述阻挡层的硅化物希望是TiSi、WSi、MoSi、CoSi、CrSi中的某一种。
(22)此外，本发明的遮光膜中的上述阻挡层的钨化物希望是TiW、MoW中的某一种。
在本发明的遮光膜中，通过分别将构成上述阻挡层的上述高熔点金属的氮化物、上述硅化物、上述钨化物作成上述的材料，可进一步有效地抑制形成金属层的材料与面对遮光膜的绝缘膜的氧化现象的发生。由此，可提供即使对于更高的高温处理也难以产生遮光性能下降的遮光膜。
(23)此外，本发明的遮光膜中的上述金属层的金属单质希望是Ti、W、Mo、Co、Cr、Hf、Ru中的某一种。
(24)此外，本发明的遮光膜中的上述金属层的金属化合物希望是TiN、TiW、MoW中的某一种。
在本发明的遮光膜中，通过分别将上述金属单质和上述金属化合物作成上述的材料，可成为在遮光性能方面更优良的遮光膜。
(25)此外，本发明的遮光膜中的上述阻挡层的膜厚希望是1～200nm。
通过作成这样的遮光膜，可充分地防止因高温处理引起的遮光性能下降。特别是，如果厚度为150nm以下，则可提供对于基板的翘曲量少的高品质的遮光膜。此外，在非掺杂的多晶硅中，即使是150nm以上的膜厚也难以发生翘曲。
(26)此外，本发明的遮光膜中的上述金属层的膜厚的特征在于：是10～200nm。
按照该结构，可提供膜厚薄的遮光膜。特别是在液晶装置中，可减少因遮光膜的高度引起的取向膜表面的台阶差，可减少液晶的取向不良。
(27)此外，本发明的遮光膜中的上述金属层的特征在于：在其两面上层叠了上述阻挡层。
在本发明的遮光膜中，其特征在于：在上述金属层的两面上层叠了上述阻挡层。
通过作成这样的遮光膜，可利用阻挡层保护金属层的两面，可更进一步有效地抑制形成金属层的材料变成氧化物。因而，可作成难以产生因更进一步的高温处理引起的遮光性能的下降的遮光膜。
(28)此外，本发明的遮光膜中的上述金属层的特征在于：由光反射性的金属层和光吸收性的金属层构成。
通过作成这样的遮光膜，可提供具有光反射性和光吸收性的功能的遮光膜。
(29)此外，本发明的遮光膜中的上述光吸收性的金属层希望是氮化物。
(30)此外，本发明的遮光膜中的上述遮光性的金属层可在其两面上层叠上述光吸收性的金属层而构成。
(31)此外，本发明的遮光膜可具备作为高熔点的金属单质或金属化合物的金属层以及由保护在上述金属层的至少一个面上被层叠的上述金属层使之不被氧化的高熔点的金属或金属化合物构成的保护层。
附图的简单说明
图1是示出在构成液晶装置的一实施例中的图像形成区域的矩阵状的多个像素中设置的各种元件、布线等的等效电路图。
图2是形成了液晶装置的一实施例中的数据线、扫描线、像素电极、遮光膜等的TFT阵列基板的相邻的多个像素组的平面图。
图3是图2的A-A’线剖面图。
图4是用来说明本发明的遮光膜的另一例的图。
图5是用来说明本发明的遮光膜的另一例的图。
图6是用来说明本发明的遮光膜的另一例的图。
图7是用来说明本发明的遮光膜的另一例的图。
图8是与在其上形成的各构成要件一起从对置基板一侧看液晶装置的一实施例中的TFT阵列基板的平面图。
图9是图8的H-H’线剖面图。
图10是作为使用了液晶装置的电子装置的一例的投影型显示装置的结构图。
图11是示出了阻挡层的膜厚与透射率的关系的曲线图。
图12是示出了阻挡层的膜厚与透射率的关系的曲线图。
图13是示出了阻挡层的膜厚与透射率的关系的曲线图。
图14是示出了阻挡层的膜厚与透射率的关系的曲线图。
图15是示出了现有的液晶装置的像素部内的剖面结构的图。
优选实施例的详细说明
以下，参照图1至图3说明本发明的第1实施例。
本发明的第1实施例是将本发明的遮光膜应用于液晶装置的例子作为本发明的遮光膜和具备本发明的遮光膜的电光装置用基板和电光装置的一例。
图1是构成液晶装置的图像形成区域(像素部)的被形成为矩阵状的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路。此外，图2是放大地示出形成了数据线、扫描线、像素电极、遮光膜等的TFT阵列基板的相邻接的多个像素组的平面图。此外，图3是图2的A-A’线剖面图。再有，在图3中，为了使各层和各构件成为在图面上可识别的程度的大小，对于各层和各构件，使其比例尺各不相同。
在图1中，构成本实施例的液晶装置的图像形成区域(像素部)的被形成为矩阵状的多个像素由被形成为矩阵状的多个像素电极9a和控制像素电极9a用的TFT(晶体管元件)30构成，被供给图像信号的数据线6a与TFT30的源导电性地连接。写入到数据线6a中的图像信号S1、S2、…、Sn按该顺序以线顺序的方式供给，也可对于相邻接的多条数据线6a相互间，以各个组来供给。此外，扫描线3a与TFT30的栅导电性地连接，构成为以脉冲方式并以线顺序的方式按下述顺序对扫描线3a施加扫描信号G1、G2、…、Gm。像素电极9a与TFT30的漏导电性地连接，通过只在一定的期间内关闭该开关、即关闭作为开关元件的TFT30、以规定的时序写入从数据线6a供给的图像信号S1、S2、…、Sn。
经像素电极9a写入到液晶上的规定电平的图像信号S1、S2、…、Sn在与对置基板(后述)上形成的对置电极(后述)之间在一定期间内被保持。通过利用被施加的电压电平使液晶的分子集合的取向和向序变化，对光进行调制，可进行灰度显示。如果是常白模式，则根据被施加的电压，使朝向液晶部分的入射光的透过光量减少，如果是常黑模式，则根据被施加的电压，使朝向液晶部分的入射光的透过光量增加，作为整体，从液晶装置出射具有与图像信号对应的对比度的光。在此，为了防止被保持的图像信号漏泄，与在像素电极9a与对置电极之间被形成的液晶电容并列地附加存储电容70。例如，利用存储电容70，在比对数据线施加了电压的时间长3个数量级的时间内保持像素电极9a的电压。由此，可更加改善保持特性，可实现对比度高的液晶装置。在本实施例中，特别是为了形成这样的存储电容70，利用与后面所述的扫描线为同一的层或导电性的遮光膜，设置了低电阻的电容线3b。
其次，根据图2，详细地说明TFT阵列基板的像素部(图像显示区域)内的平面结构。如图2中所示，在液晶装置的TFT阵列基板上的像素部内，以矩阵状设置了多个透明的像素电极9a(用虚线部9a’示出了轮廓)，分别沿像素电极9a的纵横的边界，设置了数据线6a、扫描线3a和电容线3b。数据线6a经接触孔5与单晶硅层的半导体层1a中的源区导电性地连接，像素电极9a经接触孔8与半导体层1a中的漏区导电性地连接。此外，这样来配置扫描线3a，使其与半导体层1a中的沟道区(图中右下的斜线区域)相对，扫描线3a起到栅电极的功能。
电容线3b具有沿扫描线3a大致以直线状延伸的主线部(即，在平面上看，沿扫描线3a形成的第1区域)和从与数据线6a交叉的部位开始沿数据线6a向前级(图中，向上)突出的突出部(即，在平面上看，沿数据线6a延伸而设置的第2区域)。
而且，在图中用右上的斜线示出的区域中，设置了多个第1遮光膜111。更具体地说，第1遮光膜111分别被设置在从TFT阵列基板一侧看覆盖在像素部中包含半导体层1a的沟道区的TFT的位置上，再者，具有与电容线3b的主线部相对地沿扫描线3a以直线状延伸的主线部和从与数据线6a交叉的部位开始向沿数据线6a邻接的后段(图中，向上)突出的突出部。第1遮光膜111的各级(像素行)中的朝下的突出部的前端在数据线6a下与下一级中的电容线3b的朝上的突出部的前端重叠。在该已重叠的部位上设置了互相导电性地连接第1遮光膜111与电容线3b的接触孔13。即，在本实施例中，第1遮光膜111利用接触孔13导电性地连接到前级或后级的固定电位的电容线3b上。
在本实施例中，关于第1遮光膜111，不仅在像素部内，而且在不必遮光的像素部的外侧的区域(像素部的周边区域)、即涂敷用来贴合对置电极基板的密封材料的密封区域或形成了用来连接输入输出信号线的安装端子的端子焊区等中，也以二维方式展开的形状形成了同样的图形。由此，在对在第1遮光膜111上形成的绝缘体层进行研磨使其平坦化时，由于在像素部内和像素部的周边区域的凹凸状态大致相同，故可均匀地实现平坦化，能以良好的状态贴合单晶硅层。
其次，根据图9，说明液晶装置的像素部内的剖面结构。如图9中所示，该液晶装置具备构成光透过性基板的一例的TFT阵列基板10和与其相对地配置的透明的对置基板20。TFT阵列基板10例如由石英基板或硬玻璃构成，对置基板20例如由玻璃基板或石英基板构成。在TFT阵列基板10上设置了像素电极9a，在其上侧，设置了进行了摩擦处理等的规定的取向处理的取向膜16。像素电极9a例如由IT0膜(氧化铟锡膜)等透明导电性膜构成。此外，取向膜16例如由聚酰亚胺膜等的有机膜构成。
另一方面，在对置基板20的整个面上设置了对置电极(共用电极)21，在其下侧，设置了进行了摩擦处理等的规定的取向处理的取向膜22。对置电极21例如由ITO膜等透明导电性膜构成。此外，取向膜22例如由聚酰亚胺膜等的有机膜构成。
在TFT阵列基板10上，如图9所示，在与各像素电极9a邻接的位置上设置了对各像素电极9a进行开关控制的像素开关用TFT30。
此外，在对置基板20上，如图9中所示，在各像素部的开口区域以外的区域上设置了第2遮光膜23。第2遮光膜23用来防止入射光从对置基板20一侧侵入到像素开关用TFT30的半导体层1a的沟道区1a，或LDD(轻掺杂漏)区域1b和1c内。再者，第2遮光膜23具有提高对比度、防止着色剂的混色等的功能。
在以这种方式构成的、配置成使像素电极9a与对置电极21相对的TFT阵列基板10与对置基板20之间，在由密封材料52包围的空间内封入液晶，形成液晶层50。液晶层50在没有被施加来自像素电极9a的电场的状态下，由取向膜16和22取规定的取向状态。液晶层50由例如混合了一种或几种向列液晶的液晶构成。密封材料52是用来在其周边贴合TFT阵列基板10与对置基板20的、由例如光固化性树脂或热固化性树脂构成的粘结剂，混入了用来使两基板的距离为规定值的玻璃纤维或玻璃珠等的衬垫。
如图3中所示，在TFT阵列基板10表面的与各像素开关用TFT30对应的位置上，设置了第1遮光膜111。第1遮光膜111由在TFT阵列基板10上设置的金属层M1和在金属层M1上设置的阻挡层B1构成。
阻挡层B1由没有氧元素的无氧系列的高熔点金属或金属化合物构成。该阻挡层B1由氮化物、硅化物、钨化物、钨、硅中的1种构成。
作为氮化物，最好使用SiN(氮化硅)、TiN(氮化钛)、WN(氮化钨)、MoN(氮化钼)、CrN(氮化铬)等。此外，作为硅化物，最好使用TiSi(硅化钛)、WSi(硅化钨)、MoSi(硅化钼)、CoSi(硅化钴)、CrSi(硅化铬)等。此外，作为钨化物，最好使用TiW(钨化钛)、MoW(钨化钼)等。此外，作为上述硅，最好使用非掺杂的硅。
阻挡层B1的膜厚希望为1至200nm。如果为30～50nm，则在以薄的膜厚起到阻挡的功能的同时，可抑制漫反射。在阻挡层B1的膜厚不到3nm的情况下，存在不能充分地防止因高温处理引起的金属层的氧化导致的遮光性能的下降的趋势。另一方面，在阻挡层B1的膜厚超过150nm的情况下，存在TFT阵列基板10的翘曲量变大的趋势。只要不对液晶装置的显示品位有影响，也可以是200nm。该阻挡层B1也是保护金属层使之不被氧化的保护层。
此外，金属层M1是具有遮光性的金属单质或金属化合物，由如果因与SiO2的绝缘层的化学反应而变成氧化合物则可看到遮光性恶化的金属单质或金属化合物的某一方构成。
作为上述金属单质，最好使用Ti(钛)、W(钨)、Mo(钼)、Co(钴)、Cr(铬)、Hf(铪)、Ru(钌)等。此外，作为上述金属化合物，最好使用TiN(氮化钛)、TiW(钨化钛)、MoW(钨化钼)等。
金属层M1的膜厚希望为10～200nm。在金属层M1的膜厚不到10nm的情况下，由于存在遮光性能变为不充分的可能性，是不理想的。另一方面，在金属层M1的膜厚超过200nm的情况下，TFT阵列基板10的翘曲量变大，由于产生使液晶装置的品质下降的可能性，是不理想的。
此外，在第1遮光膜111与多个像素开关用TFT30之间设置了第1层间绝缘膜(绝缘体层)12。第1层间绝缘膜12是为了使构成像素开关用TFT30的半导体层1a与第1遮光膜111电绝缘而设置的。再者，在TFT阵列基板10的整个面上形成了第1层间绝缘膜12，为了消除第1遮光膜111图形的台阶差，对表面进行研磨，进行了平坦化处理。
第1层间绝缘膜12例如由NSG(非掺杂硅化玻璃)、PSG(磷硅玻璃)、BSG(硼硅玻璃)、BPSG(硼磷硅玻璃)等的高绝缘性玻璃或氧化硅膜、氮化硅膜等构成。利用第1层间绝缘膜12也可事先防止第1遮光膜111污染像素开关用TFT30等的情况。
在本实施例中，通过从与扫描线3a相对的位置开始延伸地设置栅绝缘膜2作为电介质膜来使用、且延伸地设置半导体膜1a，作成第1存储电容电极1f，还将与其相对的电容线3b的一部分作为第2存储电容电极，构成了存储电容70。
更详细地说，半导体层1a的高浓度漏区1e被延伸地设置在数据线6a和扫描线3a之下，经绝缘膜2与沿相同的数据线6a和扫描线3a延伸的电容线3b部分相对地配置，作成第1存储电容电极(半导体层)1f。特别是，既然作为存储电容70的电介质的绝缘膜2为利用高温氧化在单晶硅层上形成的TFT30的栅绝缘膜2，故可作成薄且高耐压的绝缘膜，能以较小的面积作为大容量的存储电容来构成存储电容70。
再者，在存储电容70中，如从图2和图3可知，第1遮光膜111通过在作为第2存储电容电极的电容线3b的相反一侧经第1层间绝缘膜12作为第3存储电容电极与第1存储电容电极1f相对地配置(参照图3右侧的存储电容70)，进一步增加了存储电容。即，在本实施例中，构筑了在两侧夹住第1存储电容电极1f提供以增加存储电容的二重存储电容结构，进一步增加存储电容。于是，提高了防止该液晶装置具有的在显示图像中的闪烁或鬼影的功能。
其结果，可有效地利用数据线6a下的区域和沿扫描线3a发生液晶的旋错的区域(即，形成了电容线3b的区域)这样的开口区域之外的空间，可增加像素电极9a的存储电容。
在本实施例中，第1遮光膜111(和与其导电性地连接的电容线3b)与恒定电位源导电性地连接，第1遮光膜111和电容线3b的电位为恒定电位。因而，对于与第1遮光膜111相对地配置的像素开关用TFT30来说，第1遮光膜111的电位变动不会产生不良影响。此外，电容线3b作为存储电容70的第2存储电容电极可良好地发挥其功能。此时，作为恒定电位源，可举出供给用来驱动该液晶装置的外围电路(例如，扫描线驱动电路、数据线驱动电路等)的负电源、正电源等的恒定电位源、接地电源、供给对置电极21的恒定电位源等。如果以这种方式利用外围电路等的电源，则没有必要设置专用的电位布线或外部输入端子，可使第1遮光膜111和电容线3b的电位为恒定电位。
此外，如图2和图3中所示，在本实施例中，除了在TFT阵列基板10上设置第1遮光膜111之外，构成为第1遮光膜111经接触孔13与前级或后级的电容线3b导电性地连接。因而，与各第1遮光膜111与下一级的电容线导电性地连接的情况相比，沿像素部的开口区域的边缘与数据线6a重叠，可减少对于形成电容线3b和第1遮光膜111的区域之外的区域的台阶差。如果以这种方式减少沿像素部的开口区域的边缘的台阶差，则可减少对应于该台阶差而引起的液晶的旋错(取向不良)，可扩展像素部的开口区域。
此外，在第1遮光膜111中，如上所述，在从以直线状延伸的主线部突出的突出部上开出接触孔13。在此，作为接触孔13的开孔部位，已判明了，越靠近边缘，由于应力从边缘发散等原因，裂纹越难以产生。因而，根据以怎样的程度靠近突出部的前端来开出接触孔13(最好根据阳大容限尽可能靠近前端)，可减缓制造工艺中对第1遮光膜111施加的应力，可更有效地防止裂纹，可提高成品率。
此外，电容线3b和扫描线3a由同一多晶硅膜构成，存储电容70的电介质膜与TFT30的栅绝缘膜2由同一高温氧化膜构成，第1存储电容电极1f、TFT30的沟道区1a’和源区1d、漏区1e等由同一半导体层1a构成。因此，可使TFT阵列基板10上形成的层叠结构变得单纯，再者，在液晶装置的制造方法中，可用同一薄膜形成工序来同时形成电容线3b和扫描线3a，可同时形成存储电容70的电介质膜与TFT30的栅绝缘膜2。
再者，如图2中所示，第1遮光膜111分别沿扫描线3a延伸，而且，相对于沿数据线6a的方向，分割成多个条纹状。因此，例如与在各像素部的开孔区域的周围配置了一体地形成的栅格状的遮光膜的情况相比，在由第1遮光膜111、扫描线3a和电容线3b、数据线6a、层间绝缘膜等构成的该液晶装置的层叠结构中，可较大地减缓起因于各层膜的物理性质的差别的伴随制造工艺中的加热冷却而发生的应力。因此，可谋求防止在第1遮光膜111等中的裂纹的发生及提高成品率。
再有，在图2中，第1遮光膜111中的直线状的主线部分被形成为与电容线3b的直线状的主线部分大致重叠，但如果第1遮光膜111被设置在覆盖TFT30的沟道区的位置上且在某个部位与电容线3b重叠以便能形成接触孔13，则可发挥对于TFT的遮光功能和对于电容线的降低电阻的功能。因而，也可在位于相邻接的扫描线3a与电容线3b之间的沿扫描线的长条状的间隙区域上或在与扫描线3a有若干重叠的位置上设置该第1遮光膜111。
经在第1层间绝缘膜12中开了孔的接触孔13、确切地且具有高的可靠性地导电性地连接电容线3b与第1遮光膜111，但可在每个像素中开出这样的接触孔13，也可在每个由多个像素构成的像素组中开出这样的接触孔13。
在每个像素中开出接触孔13的情况下，可促进由第1遮光膜111导致的电容线3b的低电阻化，再者，可提高两者间的冗余结构的程度。另一方面，在每个由多个像素构成的像素组(例如，每2个像素或每3个像素)中开出接触孔13的情况下，既可斟酌电容线3b或第1遮光膜111的薄层电阻、驱动频率、所要求的规格等，又可适度地平衡由第1遮光膜111导致的电容线3b的低电阻化和由冗余结构导致的利益与因开出多个接触孔13而导致的制造工序的复杂化或该液晶装置的不良化等的弊病，因此，在实践上很有利。
此外，从对置基板20一侧来看，在数据线6a下开出了这样的在每个像素中或在每个像素组中设置的接触孔13。因此，由于接触孔13偏离像素部的开口区域，而且被设置在没有形成TFT30或第1存储电容电极1f的第1层间绝缘膜12的部分上，故既可谋求像素部的有效利用，又可防止因接触孔13的形成导致的TFT30或其它布线等的不良化。
此外，在图3中，像素开关用TFT30具有LDD(轻掺杂漏)结构，具备：扫描线3a；利用来自该扫描线3a的电场形成沟道的半导体层1a的沟道区1a’；使扫描线3a与半导体层1a绝缘用的栅绝缘膜2；数据线6a；半导体层1a的低浓度源区(源侧LDD区域)1b和低浓度漏区(漏侧LDD区域)1c；半导体层1a的高浓度源区1d以及高浓度漏区1e。
多个像素电极9a中的对应的一个与高浓度漏区1e连接。此外，源区1b、1d和漏区1c、1e，如后述那样，根据是形成n型或形成p型，对半导体层1a掺规定浓度的n型用或p型用的掺杂剂来形成。n型沟道的TFT具有工作速度快的优点，大多作为像素的开关元件、即像素开关用TFT30来使用。数据线6a由A1等的金属膜或金属硅化物等的合金膜等的遮光性薄膜构成。此外，在扫描线3a、栅绝缘膜2和第1层间绝缘膜12上形成了第2层间绝缘膜4，在该第2层间绝缘膜4上分别形成了通往高浓度源区1d的接触孔5和通往高浓度漏区1e的接触孔8。数据线6a经通往该高浓度源区1d的接触孔5与高浓度源区1d导电性地连接。再者，在数据线6a和第2层间绝缘膜4上形成了第3层间绝缘膜7，在该第3层间绝缘膜7形成了通往高浓度漏区1e的接触孔8。像素电极9a经该通往高浓度漏区1e的接触孔8与高浓度漏区1e导电性地连接。上述的像素电极9a被设置在这样形成的第3层间绝缘膜7的上表面上。此外，像素电极9a和高浓度漏区1e也可以与数据线6a为同一的A1膜或与扫描线3b为同一的多晶硅膜为中继进行导电性的连接。
像素开关用TFT30如上所述，最好具有LDD结构，但可具有不对低浓度源区1b和低浓度漏区1c进行杂质离子注入的偏移结构，也可以是自对准型的TFT，其中，以栅电极3a作为掩模，以高浓度注入杂质离子，以自对准的方式形成高浓度源区和漏区。
此外，虽然作成了在源区-漏区1b与1e之间只配置了1个像素开关用TFT30的栅电极(扫描线3a)的单栅结构，但也可在其间配置2个以上的栅电极。此时，对各自的栅电极施加同一信号。如果以这种方式用双栅或三栅以上构成TFT，则可防止沟道与源-漏区接合部的漏泄电流，可降低关断时的电流。如果将这些栅电极的至少1个作成LDD结构或偏移结构，则可进一步降低关断电流，可得到稳定的开关元件。
在此，一般来说，如果光入射到半导体层1a的沟道区1a’、低浓度源区1b和低浓度漏区1c等的单晶硅层，则由于具有硅的光电变换效应而发生光电流，像素开关用TFT30的晶体管特性发生变化，但在本实施例中，由于由A1等的遮光性的金属薄膜形成了数据线6a以便从上侧覆盖扫描线3a，故至少可有效地防止朝向半导体层1a的沟道区1a’、和LDD区域1b、1c的入射光的入射。此外，如上所述，由于在像素开关用TFT30的下侧设置了第1遮光膜111，故至少可有效地防止朝向半导体层1a的沟道区1a’和LDD区域1b、1c的返回光的入射。再有，像素开关用TFT30的半导体材料具有多晶结构或单晶结构。在形成单晶半导体的情况下，可使用在贴合了单晶衬底与支撑衬底后使单晶衬底一侧薄膜化的贴合方法。将在绝缘层上形成了这样的薄膜硅单晶的结构称为SOI(绝缘体上的硅)。此外，将这样的衬底称为贴合S0I。
再有，在本实施例中，由于连接了在相邻的前级或后级的像素中设置的电容线3b与第1遮光膜111，故对于最上级或最下级的像素，必须有对第1遮光膜111供给恒定电位用的电容线3b。因此，将电容线3b的数目设置成比垂直像素的数目多1条即可。
其次，说明具有以上那样的结构的液晶装置的制造工艺。
首先，准备由石英基板、硬玻璃等构成的TFT阵列基板10，利用溅射，在其整个面上从下开始按顺序形成金属层M1和阻挡层B1。接着，利用光刻，形成与第1遮光膜111的图形(参照图2)对应的抗蚀剂掩模，通过经该抗蚀剂掩模对金属层M1和阻挡层B1进行刻蚀，形成图2中示出的图形的第1遮光膜111。其后，利用与以往同样的方法，形成图3中示出的各层，形成TFT阵列基板10。
其次，说明具体的例子。
在作为石英的绝缘基板的TFT阵列基板10上形成了Ti膜M1作为金属层后，形成WSi膜B1作为阻挡层，以形成第1遮光膜111。然后，在第1遮光膜111上层叠NSG的第1层间绝缘膜12。
在500℃以上、例如在约680℃下，在第1遮光膜111上使NSG的第1层间绝缘膜成膜，其后，为了增密起见，在1100℃以下、例如在约1000℃的高温下，进行热处理而被形成。在该工序中，Ti膜M1与石英的绝缘基板10中的氧元素结合，另一方面，由于在作为相反一侧的无氧系列的金属化合物的WSi膜B1中不存在氧元素，故可抑制Ti与氧元素结合的氧化现象的发生。于是，可防止Ti膜M1的透射率较大地下降。假定，如果在Ti膜M1上不形成WSi膜B1，则在形成NSG的过程中发生氧化现象。由于该氧化现象与在石英的TFT阵列基板10上层叠Ti膜的情况相比，其化学反应变得活泼，故Ti膜M1的透射率较大地下降。
另一方面，关于对置基板20，首先准备玻璃基板等，例如在溅射了金属铬后，经过光刻工序、刻蚀工序来形成第2遮光膜23。其后，利用与以往同样的方法等，形成图3中示出的各层，形成对置基板20。
最后，以取向膜16与22面对面的方式利用密封材料贴合如上所述地形成了各层的TFT阵列基板10与对置基板20，利用真空吸引等，例如将混合了多种向列液晶而构成的液晶吸引到两基板的空间内，形成规定层厚的液晶层50。
(液晶装置的整体结构)
参照图8和图9，说明如上所述构成的本实施例的液晶装置的整体结构。此外，图8是从对置基板20一侧看TFT阵列基板10以及在其上被形成的各构成要件的平面图，图9是包含对置基板20而示出的图7的H-H’剖面图。
在图8中，在TFT阵列基板10上沿对置基板20的边缘设置了密封材料52，与其内侧并行地设置了例如由与第2遮光膜23相同的或不同的材料构成的、作为周边边框的第3遮光膜53。在密封材料52的外侧的区域中，沿TFT阵列基板10的一边设置了数据线驱动电路101和安装端子102，沿与该边邻接的2边设置了扫描线驱动电路104。如果供给扫描线3a的扫描信号延迟不成为问题，则当然也可将扫描线驱动电路104设置在单侧。
此外，也可沿图像显示区域的边将数据线驱动电路101配置在两侧。例如，奇数列的数据线6a可从沿图像显示区域的一方的边配置的数据线驱动电路供给图像信号，偶数列的数据线可从沿上述图像显示区域的相反一侧的边配置的数据线驱动电路供给图像信号。如果以这种方式以梳齿状来驱动数据线6a，则可扩展数据线驱动电路的占有面积，因此，可构成复杂的电路。
再者，在TFT阵列基板10的剩下的一边上设置了多条布线105，用来连接设置在图像显示区域的两侧的扫描线驱动电路104之间，再者，又可在作为周边边框的第3遮光膜53下隐蔽地设置预充电电路。此外，在对置基板20的角部的至少1个部位上设置了导通材料106，用来在TFT阵列基板10与对置基板20之间进行导电性地导通。而且，如图9中所示，利用该密封材料52将具有与图8中示出的密封材料52大致相同的轮廓的对置基板20固定粘接在TFT阵列基板10上。
在以上的液晶装置的TFT阵列基板10上，还可形成用于检查制造过程中或出厂时的该液晶装置的品质、缺陷等的检查电路等。此外，可经设置在TFT阵列基板10的周边区域上的各向异性导电膜以导电性的方式和机械方式与例如安装在TAB(带式自动键合)基板上的驱动用LSI连接，来代替在TFT阵列基板10上设置数据线驱动电路101和扫描线驱动电路104。此外，在对置基板20的投射光入射一侧和TFT阵列基板10的出射光出射一侧，根据例如TN(扭曲向列)模式、STN(超TN)模式、D-STN(双扫描-STN)模式等的工作模式及常白模式/常黑模式的区别，分别在规定的方向上配置偏振膜、延迟膜、偏振片等。
在将以上已说明的液晶装置例如应用于彩色液晶投影仪(投影型显示装置)的情况下，分别使用3片液晶装置作为RGB用的光阀，使分别通过RGB色分解用的分色镜被分解的各色的光作为投射光分别入射到各面板上。因而，此时，如上述实施例中所示，在对置基板20上没有设置滤色片。但是，也可在对置基板20上在与没有形成第2遮光膜23的像素电极9a相对的规定区域上与其保护膜一起形成RGB的滤色片。如果这样做，可将上述实施例的液晶装置应用于液晶投影仪以外的直视型或反射型的彩色液晶电视机等的彩色液晶装置。再者，也可在对置基板20上以每一个像素对应1个的方式形成微透镜。如果这样做，通过提高入射光的聚光效率，可实现明亮的液晶装置。再者，可通过在对置基板20上淀积几层折射率不同的干涉层，利用光的干涉，形成发出RGB色的分色滤光片。按照带有该分色滤光片的对置基板，可实现更明亮的彩色液晶装置。
在以上已说明的实施例的液晶装置中，与以往同样，从对置基板20一侧使入射光入射，但由于在TFT阵列基板10上设置了第1遮光膜111，故也可从TFT阵列基板10一侧使入射光入射，从对置基板20一侧出射。即，即使以这种方式将液晶装置安装到液晶投影仪上，也能防止光入射到半导体层1a的沟道区1a’、低浓度源区1b及低浓度漏区1c上，可显示高品质的图像。在此，以往为了防止在TFT阵列基板10的背面一侧的反射，另外配置覆盖了防止反射用的AR(抗反射)膜的偏振片，或有必要粘贴AR膜。但是，在上述的实施例中，由于在TFT阵列基板10的表面与半导体层1a的至少沟道区1a’和低浓度源区1b与低浓度漏区1c之间形成了第1遮光膜111，故没有必要使用覆盖了这样的AR膜的偏振片或AR膜，或使用经过AR处理的TFT阵列基板10本身。因而，按照上述实施例，可削减材料成本，此外，不会因偏振片的粘贴时由于尘埃、划伤的缘故使成品率下降，这是很有利的。此外，由于在耐光性方面良好，故即使使用明亮的光源或即使利用偏振光光束分离器进行偏振光变换而提高了光利用效率，也不产生因光引起的串扰等图像品质的恶化。
此外，在这样的液晶装置中，由于具备具有金属层M1和阻挡层B1的第1遮光膜111，故难以发生因第1遮光膜111的遮光性能不充分而导致的光漏泄电流，可作成能很好地使用于具有强光源的电子装置的液晶装置。
即，由于第1遮光膜111在像素开关用TFT30一侧具有阻挡层B1，故在形成了第1遮光膜111后，即使进行第1层间绝缘膜12的形成或形成像素开关用TFT30时的退火处理等的高温处理，也可用金属层M1的阻挡层B1一侧的表面不包含氧元素的阻挡层B1来抑制金属层M1与第1层间绝缘膜12的氧化现象的发生，可防止因形成金属层M1的材料变成氧化物而引起的遮光性能的下降，可确保第1遮光膜111的遮光性能。
由此，可用遮光性能高的、例如Ti等的材料来形成金属层M1，可得到具有优良的遮光性能的第1遮光膜111。
此外，由于第1遮光膜111具有难以产生因高温处理而导致的遮光性能的下降的、优良的遮光性能，故与现有的遮光膜相比，可减薄膜厚。由此，与现有的遮光膜相比，可缩短第1遮光膜111的成膜工序中的刻蚀时间，同时可谋求延长形成第1遮光膜111时使用的成膜靶的寿命和减少气体量。
在第1遮光膜111中，通过分别将作为形成阻挡层B1的材料的高熔点金属的氮化物、硅化物、钨化物、硅定为上述的较为理想的材料，成为能更有效地抑制形成金属层M1的材料变成氧化物的阻挡层B1，可作成更难以产生因高温处理而导致的遮光性能的下降的第1遮光膜111。
此外，通过分别将作为形成金属层M1的材料的金属单质或金属化合物定为上述的较为理想的材料，可作成在遮光性能方面更优良的第1遮光膜111。
特别是，将形成阻挡层B1的材料定为WSi、MoSi、TiSi、CoSi、CrSi中的某一种、将形成金属层M1的材料定为Ti、Mo、W中的某一种的情况下，由于形成阻挡层的材料起到释放出Si的施主的作用、形成金属层M1的材料起到接受Si的受主的作用，可减缓起因于金属层M1与阻挡层B1的物理性质的差异的应力，金属层M1与阻挡层B1的关系变得稳定，故可更有效地抑制形成金属层M1的材料变成氧化物，可作成更难以产生因高温处理而导致的遮光性能的下降的第1遮光膜111。
此外，由于金属层M1与阻挡层B1的关系稳定，故在第1遮光膜111中难以发生因制造工艺中的加热冷却而导致的裂纹，可谋求提高成品率。
再者，通过将阻挡层B1的膜厚定为1～200nm，可使TFT阵列基板10的翘曲量较少，同时可充分地防止因高温处理而导致的遮光性能的下降。因而，可作成更优良的第1遮光膜111。
再者，通过将金属层M1的膜厚定为10～200nm，可使TFT阵列基板10的翘曲量较少，同时可具备充分的遮光性能，可作成更优良的第1遮光膜111。
〔第2实施例〕
以下，参照图4，说明本发明的第2实施例。
本实施例与上述的第1实施例的不同之处在于，具备在TFT阵列基板10一侧设置了阻挡层B2、在阻挡层B2上设置了金属层M1的图4中示出的第1遮光膜112，来代替图3中示出的液晶装置中所具备的第1遮光膜111。
如上所述，由于本实施例与第1实施例的不同之处只在于第1遮光膜，故在图4中只示出TFT阵列基板和第1遮光膜，省略与第1实施例相同的其它部分。
在图4中，符号10表示TFT阵列基板10。在该TFT阵列基板10上设置了由阻挡层B2和在阻挡层B2上设置的金属层M2构成的第1遮光膜112。
该第1遮光膜112的阻挡层B2和金属层M2可用与上述的第1实施例中示出的第1遮光膜111的阻挡层B1和金属层M1同样的材料和膜厚来形成。
为了制造这样的液晶装置，首先，准备由石英基板、硬玻璃等构成的TFT阵列基板10，利用溅射、CVD法，在其整个面上从下开始按顺序形成阻挡层B2和金属层M2。其后，利用与第1实施例同样的方法等，形成TFT阵列基板10。再者，利用与第1实施例同样的方法等，形成对置基板20，与TFT阵列基板10贴合，作成液晶装置。
由于该液晶装置中所具备的第1遮光膜112具有阻挡层B2，故即使在形成了第1遮光膜112后进行高温处理，由于阻挡层B2抑制了金属层M2的阻挡层B2一侧、即TFT阵列基板10一侧的表面变成氧化物，故可防止因形成金属层M2的材料变成氧化物引起的遮光性能的下降，可确保第1遮光膜112的遮光性能。因而，对于金属层M2，有可能使用虽然具有优良的遮光性能但因高温处理而产生遮光性能的下降这一点成为问题的材料，可利用在遮光性能方面优良的材料来形成金属层M2。因此，成为具有优良的遮光性能的第1遮光膜112。
此外，在使用硅作为阻挡层B2的情况下，可以是非掺杂的多晶硅或已掺杂的多晶硅。如果是非掺杂的多晶硅，则难以发生阻挡层B2的剥离。于是，可以比200nm厚。在已掺杂的多晶硅中，即使膜厚为1nm，也可防止因金属层的氧化导致的遮光性能的下降。
此外，由于本实施例的液晶装置具备具有阻挡层B2和金属层M2的第1遮光膜112，故难以发生因第1遮光膜112的遮光性能不充分而导致的光漏泄电流，可作成能很好地使用于具有强光源的电子装置的液晶装置。
〔第3实施例〕
以下，参照图5，说明本发明的第3实施例。
本实施例与上述的第1实施例的不同之处在于，具备在2层的阻挡层B3、B4之间设置了金属层M3的图5中示出的第1遮光膜113，来代替图3中示出的液晶装置中所具备的第1遮光膜111。
如上所述，由于本实施例与第1实施例的不同之处只在于第1遮光膜，故在图5中只示出TFT阵列基板和第1遮光膜，省略与第1实施例相同的其它部分。
在图5中，符号10表示TFT阵列基板10。在该TFT阵列基板10上设置了由阻挡层B4、在阻挡层B4上设置的金属层M3和在金属层M3上设置的阻挡层B3构成的第1遮光膜113。
该第1遮光膜113的阻挡层B3、B4最好用与上述的第1实施例中示出的第1遮光膜111的阻挡层B1同样的材料来形成。此外，阻挡层B3、B4分别可用与上述的第1实施例中示出的第1遮光膜111的阻挡层B1同样的膜厚来形成。
此外，该第1遮光膜113的金属层M3可用与上述的第1实施例中示出的第1遮光膜111的金属层M1同样的材料和膜厚来形成。
为了制造这样的液晶装置，首先，准备由石英基板、硬玻璃等构成的TFT阵列基板10，利用溅射，在其整个面上从下开始按顺序形成阻挡层B4、金属层M3和阻挡层B3。其后，利用与第1实施例同样的方法等，形成TFT阵列基板10。再者，利用与第1实施例同样的方法等，形成对置基板20，与TFT阵列基板10贴合，作成液晶装置。
在该液晶装置中所具备的第1遮光膜113中，由于成为金属层M3被夹在2层的阻挡层B3、B4之间的状态，故即使在形成了第1遮光膜113后进行高温处理，由于阻挡层B3、B4抑制金属层M3的TFT阵列基板10一侧和与TFT阵列基板10相反一侧的两侧的表面变成氧化物，故可更有效地防止因形成金属层M3的材料变成氧化物而引起的遮光性能的下降，可确保第1遮光膜113的遮光性能。因而，对于金属层M3，有可能使用虽然具有优良的遮光性能但因高温处理而产生遮光性能的下降这一点成为问题的材料，可利用在遮光性能方面优良的材料来形成金属层M3。因此，成为具有优良的遮光性能的第1遮光膜113。
其次，作为具体的例子，说明使用Ti膜M3作为金属层、使用WSi膜B3、B4作为上下的阻挡层的第1遮光膜113的情况。
为了提高遮光性，通过在Ti膜M3的上下形成WSi膜B3、B4来提高遮光性。但是，由于作为遮光膜而增加膜厚，故如果层叠像素开关用TFT30或数据线6a等的布线，则在取向膜16的表面上产生台阶差，与显示品位的下降有关。
因此，最好将Ti膜M3的膜厚定为30nm～50nm、将下侧即TFT阵列基板10一侧的WSi膜B4的膜厚定为10nm～20nm、将上侧的WSi膜B3的膜厚定为30nm～100nm。由于将下侧的WSi膜B4的膜厚定为10nm～20nm，故即使与将膜厚200nm的WSi膜作成单独的遮光膜的结构相比，也有光吸收性，遮光性得到提高。此外，虽然上侧的WSi膜B3的膜厚越厚遮光性越得到提高，但即使是50nm～100nm的膜厚也可确保遮光性。此外，按照这样的第1遮光膜113，由于能可靠地对具有约400nm以下的波段的光进行遮光，故可减少因蓝色的波长分量导致的液晶的恶化。
此外，由于本实施例的液晶装置具备第1遮光膜113，故更难以发生因第1遮光膜113的遮光性能不充分而导致的光漏泄电流，可作成能很好地使用于具有更强光源的电子装置的液晶装置。
〔第4实施例〕
以下，参照图6，说明本发明的第4实施例。
本实施例与上述的第3实施例的不同之处在于，将图5中示出的液晶装置中所具备的第1遮光膜113的金属层M3作成如图6中示出的3层结构。
如上所述，由于本实施例与第3实施例的不同之处只在于第1遮光膜，故在图6中只示出TFT阵列基板和第1遮光膜，与图5中示出的第3实施例相同，省略与第1实施例相同的其它部分。
在图6中，符号10表示TFT阵列基板10。在该TFT阵列基板10上设置了第1遮光膜115，在第1遮光膜115中从下开始按顺序设置了阻挡层B4、金属层M6、金属层M5、金属层M4、阻挡层B3。
金属层M5、M6由与第1实施例的金属层相同的具有光反射性的金属单质或金属化合物构成。夹住金属层M5的金属层M4、M6由光吸收性的TiN等的金属化合物构成。
最好以与上述的第1实施例中示出的第1遮光膜111的金属层M1相同的膜厚来形成该第1遮光膜115的金属层M4、M5、M6的膜厚的总和。
此外，该第1遮光膜115的阻挡层B3、B4可用与上述的第3实施例中示出的第1遮光膜113的阻挡层B3、B4同样的材料和膜厚来形成。
再者，更为理想的是，作为形成阻挡层B3、B4的材料，使用WSi、MoSi、TiSi、CoSi中的某一种，作为形成由3层构成的金属层M4、M5、M6中的金属层M4、M6的材料，使用Ti、Mo、W中的某一种，作为形成位于金属层的中央的金属层M5的材料，使用氮化合物和硅化合物。由此，在膜的形成中，可防止金属层M4、M6发生裂纹等的因机械性的反应引起的收缩或伸长导致的破损。关于金属层M5，例如即使是W也能得到同样的效果。
为了制造这样的液晶装置，首先，准备由石英基板、硬玻璃等构成的TFT阵列基板10，利用溅射、CVD法，在其整个面上从下开始按顺序形成阻挡层B4、光反射性的金属层M6、光反射性的金属层M5、光吸收性的金属层M4和阻挡层B3。其后，利用与第1实施例同样的方法等，形成TFT阵列基板10。再者，利用与第1实施例同样的方法等，形成对置基板20，使之与TFT阵列基板10贴合，作成液晶装置。
在该液晶装置中所具备的第1遮光膜115中，由于成为金属层M4、M5、M6被夹在2层的阻挡层B3、B4之间的状态，故即使在形成了第1遮光膜115后进行高温处理，与第3实施例相同，可确保第1遮光膜115的遮光性能。因而，成为具有优良的遮光性能的第1遮光膜115。
再者，由于在像素开关用TFT30一侧用光吸收性的金属层M4形成了金属层，故入射到金属层M4上的光被吸收，不会使其反射到像素开关用TFT30上。此外，由于在TFT阵列基板10一侧用光反射性的金属层M6形成了金属层，故可反射从TFT阵列基板10一侧入射的光。这样，可作成进一步抑制TFT的光漏泄量的第1遮光膜115。
此外，由于阻挡层B3、B4与金属层M4、M5、M6的关系是稳定的，故难以在第1遮光膜115中发生因制造工艺中的加热冷却导致的裂纹，可谋求提高成品率。
再者，在作为形成阻挡层B3、B4的材料，使用了WSi、MoSi、TiSi、CoSi中的某一种，作为形成由3层构成的金属层M4、M5、M6中的位于中央的金属层M5的材料，使用了Ti、Mo、W中的某一种，作为形成位于阻挡层B3、B4一侧的金属层M6、M4的材料，使用了位于中央的金属层M5中使用的材料的氮化物的情况下，进一步减少因各层的物理性质的差异而产生的应力，各层的关系变得更为稳定，因此，可进一步提高因将金属层作成3层结构得到的效果。
此外，由于本实施例的液晶装置具备第1遮光膜115，故更难以发生因第1遮光膜115的遮光性能不充分而导致的光漏泄电流，可作成能很好地使用于具有更强光源的电子装置的液晶装置。
再有，也可不形成金属层M6。此外，在像素开关用TFT上形成由2层金属层构成的遮光膜的情况下，将TFT一侧的金属层形成为光吸收性的金属层即可。
〔第5实施例〕
以下，参照图7，说明本发明的第5实施例。
本实施例与上述的第3实施例的不同之处在于，如图7中所示，具备第1遮光膜114来代替图5中示出的液晶装置中所具备的第1遮光膜113，在上述第1遮光膜114中，在与金属层M3的TFT阵列基板10一侧相反的一侧(在图7中，为上侧)设置的阻挡层B5覆盖金属层M3的TFT阵列基板10一侧(在图7中，为下侧)设置的阻挡层B4的侧面和金属层M3的侧面，延伸到TFT阵列基板10上而被形成。
如上所述，由于本实施例与第3实施例的不同之处只在于第1遮光膜，故在图7中只示出TFT阵列基板和第1遮光膜，与图5中示出的第3实施例相同，省略与第1实施例相同的其它部分。
在图7中，符号10表示TFT阵列基板10。在该TFT阵列基板10上设置了第1遮光膜114，上述第1遮光膜114由阻挡层B4、在阻挡层B4上设置的金属层M3和覆盖在金属层M3上、阻挡层B4的侧面和金属层M3的侧面并延伸到TFT阵列基板10上而被形成的阻挡层B5构成。
该第1遮光膜114的阻挡层B4、B5和金属层M3可用与上述的第3实施例中示出的第1遮光膜113的阻挡层B3、B4和金属层M3同样的材料和膜厚来形成。
为了制造这样的液晶装置，首先，准备由石英基板、硬玻璃等构成的TFT阵列基板10，利用溅射，在其整个面上从下开始按顺序形成阻挡层B4、金属层M3。接着，利用光刻，形成与第1遮光膜114的图形对应的抗蚀剂掩模，经该抗蚀剂掩模对金属层M3和阻挡层B4进行刻蚀。然后，通过溅射，形成覆盖在金属层M3上、金属层M3的侧面和阻挡层B4的侧面并延伸到TFT阵列基板10上的阻挡层B5，使其覆盖由以这种方式形成的金属层M3和阻挡层B4构成的膜。接着，通过用光刻对阻挡层B5的延伸到TFT阵列基板10上的部分中的多余的部分进行刻蚀，形成图7中示出的第1遮光膜114。其后，利用与第1实施例同样的方法等，形成TFT阵列基板10。再者，利用与第1实施例同样的方法等，形成对置基板20，使之与TFT阵列基板10贴合，作成液晶装置。
在该液晶装置所具备的第1遮光膜114中，由于成为金属层M3被夹在2层的阻挡层B4、B5之间的状态，故在形成了第1遮光膜114后进行高温处理的情况下，与第3实施例相同，可确保第1遮光膜114的遮光性能。
再者，由于阻挡层B5覆盖在金属层M3上、阻挡层B4的侧面和金属层M3的侧面并延伸到TFT阵列基板10上而被形成，故在形成了第1遮光膜114后进行高温处理的情况下，由于阻挡层B5抑制了金属层M3的侧面变成氧化合物，故可更有效地防止因形成金属层M3的材料变成氧化物引起的遮光性能的下降。因而，成为具有优良的遮光性能的第1遮光膜114。
此外，由于本实施例的液晶装置具备第1遮光膜114，故更难以发生因第1遮光膜114的遮光性能不充分而导致的光漏泄电流，可作成能很好地使用于具有更强光源的电子装置的液晶装置。
再有，本发明的遮光膜如第5实施例中所示那样，可作成在阻挡层B5与TFT阵列基板10之间设置了金属层M3和阻挡层B4的结构，但也可设置在例如第1～第4实施例中已示出的第1遮光膜111、112、113、115来代替图7中示出的金属层M3与阻挡层B4的2层。
此时，第1遮光膜111、112、113、115上和侧面被阻挡层B5覆盖，可更有效地防止因形成金属层M的材料变成氧化物而引起的遮光性能的下降，因而，成为具有更优良的遮光性能的第1遮光膜。
此外，本发明的遮光膜如上述的例子中所示那样，可很好地作为液晶装置的第1遮光膜来使用，但也可作为第2遮光膜来使用。
此外，也可将第1～第5实施例中示出的遮光层形成为在像素开关用TFT上、例如在像素开关用TFT与数据线之间的层。
此外，连接到固定电位上的遮光层可连接到阻挡层和金属层中的任一层上。
(电子装置)
作为使用了上述实施例的液晶装置的电子装置的一例，参照图10，说明投影型显示装置的结构。图10中示出该投影型显示装置的光学系统的概略结构图，在该图中的投影型显示装置1100中，准备3个液晶装置，分别作为RGB用的液晶装置962R、962G和962B使用。在本例的投影型显示装置的光学系统中，采用了光源装置920和均匀照明光学系统923。而且，投影型显示装置具备：作为色分离装置的色分离光学系统924，将从该均匀照明光学系统923出射的光束W分离为红(R)、绿(G)、蓝(B)；3个光阀925R、925G、925B，作为对各色光束R、G、B进行调制的调制装置；色合成棱镜910，作为对调制后的色光束进行再合成的色合成装置；以及投射透镜单元906，作为将合成后的光束放大并投射到投射面100的表面上的投射装置。此外，还具备将蓝色光束B引导到对应的光阀925B上的导光系统927。
均匀照明光学系统923具备2个透镜板921、922和反射镜931，被配置成夹住反射镜931且2个透镜板921、922呈正交的状态。均匀照明光学系统923的2个透镜板921、922分别具备以矩阵状配置的多个矩形透镜。从光源装置920出射的光束被第1透镜板921的矩形透镜分割为多个部分光束。然后，利用第2透镜板922的矩形透镜将这部分光束在3个光阀925R、925G、925B附近重叠。因而，通过使用均匀照明光学系统923，即使在光源装置920在出射光束的剖面内具有不均匀的照度分布的情况下，也能以均匀的照明光对3个光阀925R、925G、925B进行照明。
各色分离光学系统924由反射蓝绿的分色镜941、反射绿的分色镜942和反射镜943构成。首先，在反射蓝绿的分色镜941中，以直角方式反射在光束W中包含的蓝色光束B和绿色光束G，朝向反射绿的分色镜942一侧。红色光束R通过该分色镜941，被后方的反射镜943以直角方式反射，从红色光束R的出射部944向棱镜单元910一侧出射。
其次，在反射绿的分色镜942中，以直角方式只反射在反射蓝绿的分色镜941中被反射的蓝色、绿色光束B、G中的绿色光束G，从绿色光束G的出射部945向色合成光学系统一侧出射。通过了反射绿的分色镜942的蓝色光束B从蓝色光束B的出射部946向导光系统927一侧出射。在本例中，设定为从均匀照明光学元件的光束W的出射部到色分离光学系统924中的各色光束的出射部944、945、946的距离大致相等。
在色分离光学系统924的红色、绿色光束R、G的出射部944、945的出射侧，分别配置了聚光透镜951、952。因而，从各出射部出射的红色、绿色光束R、G入射到这些聚光透镜951、952上并被平行化。
以这种方式被平行化的红色、绿色光束R、G入射到光阀925R、925G上被调制，被附加与各色光对应的图像信息。即，利用图中未示出的驱动装置根据图像信息对这些液晶装置进行开关控制，由此，进行通过这里的各色光的调制。另一方面，蓝色光束B通过导光系统927被引导到对应的光阀925B上，在该处，同样根据图像信息进行调制。再者，本例的光阀925R、925G、925B是分别由入射侧偏振装置960R、960G、960B；出射侧偏振装置961R、961G、961B；以及被配置在这些装置之间的液晶装置962R、962G、962B构成的液晶光阀。
导光系统927由下述部分构成：配置在蓝色光束B的出射部946的出射侧的聚光透镜954；入射侧反射镜971；出射侧反射镜972；配置在这些反射镜之间的中间透镜973；以及配置在光阀925B的当前侧的聚光透镜953。从聚光透镜946出射的蓝色光束B通过导光系统927被引导到液晶装置962B上进行调制。各色光束的光路长度、即从光束W的出射部到各液晶装置962R、962G、962B的距离中，蓝色光束B的光路最长，因而，蓝色光束B的光量损耗最多。但是，由于介入导光系统927，可抑制光量损耗。
通过各光阀925R、925G、925B而被调制的各色光束R、G、B被入射到色合成棱镜910上，在该处被合成。然后，被该色合成棱镜910合成的光通过投射透镜单元906被放大并投射到位于规定的位置上的投射面100的表面上。
在本例中，在液晶装置962R、962G、962B中，由于在TFT的下侧设置了遮光层，故即使基于来自该液晶装置962R、962G、962B的投射光的液晶投影仪内的投射光学系统的反射光、投射光通过时的来自TFT阵列基板表面的反射光、从其它液晶装置出射后穿过投射光学系统来的投射光的一部分等作为返回光从TFT阵列基板一侧入射，也可充分地进行对于像素电极的开关用的TFT的沟道的遮光。因而，即使在使用强的光源的情况下，也可作成难以发生光漏泄电流的电子装置。
再有，即使将适合于小型化的棱镜单元用于投射光学系统，在各液晶装置962R、962G、962B与棱镜单元之间，也不需要另外配置防止返回光用的膜，或对偏振装置进行防止返回光的处理，因此，在结构小型化且简易化方面，是很有利的。
此外，在本实施例中，由于可抑制因返回光引起的对TFT的沟道区的影响，故可不将进行了防止返回光处理的偏振装置961R、961G、961B直接粘贴到液晶装置上。因此，可离开液晶装置来形成偏振装置，更具体地说，可将一方的偏振装置961R、961G、961B粘贴到棱镜单元910上，将另一方的偏振装置960R、960G、960B粘贴到聚光透镜953、945、944上。这样，通过将偏振装置粘贴到棱镜单元或聚光透镜上，由于偏振装置的热被棱镜单元或聚光透镜吸收，故可防止液晶装置的温度上升。
此外，虽然省略了图示，但通过分离地形成液晶装置和偏振装置，由于可在液晶装置与偏振装置之间形成空气层，故通过设置冷却装置，在液晶装置与偏振装置之间送入冷风，可进一步防止液晶装置的温度上升，可防止因液晶装置的温度上升引起的误操作。
【试验例】
以下，示出本发明的试验例，详细地进行说明。
〔试验例1：阻挡层的膜厚与透射率的关系〕
在图11中示出试验例。
该试验例中，在绝缘基板上形成由WSi的下层阻挡层、由Ti构成的金属层和WSi的上方阻挡层构成的遮光膜，在遮光膜上层叠了绝缘层。而且，将上方阻挡层的膜厚定为25nm、将金属层的膜厚定为50nm、使下层阻挡层的膜厚在0～40nm的范围内变化来进行试验。再有，在层叠了绝缘层、进行了1020℃的退火处理后测定透射率(Y值：550nm)，研究了下层阻挡层的厚度与透射率(Y值：550nm)的关系。
在下层阻挡层的厚度为0nm的情况下，金属层由于与绝缘基板的氧化现象，在金属层上形成氧化膜，透射率为1.6％。
如果将下层阻挡层的厚度定为5nm，则透射率为1.0％，如果将下层阻挡层的厚度定为25nm，则透射率为0.6％，可确认遮光性能是优良的。此外，如果将下层阻挡层的膜厚定为3nm，则该遮光膜的整体的厚度为78nm，即使下层阻挡层的膜厚定为40nm，整体的厚度为115nm，因此，与WSi的遮光膜相比，可较大地减薄膜厚。于是，也可确认，能减少TFT阵列基板的取向膜的台阶差，减少液晶的取向不良。
〔试验例2：第1实施例的结构中的金属层的膜厚与透射率的关系〕
在图12中示出试验例。
该试验例中，在绝缘基板上形成由Ti的金属层和WSi的阻挡层构成的遮光膜，在遮光膜上层叠了绝缘层。而且，以遮光膜的厚度为200nm的方式使金属层的膜厚在50～150nm的范围内变化来进行试验。再有，在层叠了绝缘层、进行了680℃的退火处理后测定透射率(Y值：550nm)，研究了金属层厚度与透射率(Y值：550nm)的关系。此外，透射率的测定以面内各5点来进行，也求出其平均值。
即使只在金属层的被施加高温处理的绝缘膜一侧的面上形成阻挡层，也显示了在金属层的膜厚为50nm时透射率为0.005％左右这样的优良的遮光性。而且，如果金属层的膜厚为100nm以上，则显示了透射率为接近于0的值。
〔试验例3：第2实施例的结构中的金属层的膜厚与透射率的关系〕
在图13中示出试验例。
该试验例中，在绝缘基板上形成由WSi的阻挡层和Ti的金属层构成的遮光膜，在遮光膜上层叠了绝缘层。而且，以遮光膜的厚度为200nm的方式使金属层的膜厚在50～150nm的范围内变化来进行试验。再有，在层叠了绝缘层、进行了680℃的退火处理后测定透射率(Y值：550nm)，研究了金属层厚度与透射率(Y值：550nm)的关系。此外，透射率的测定以面内各5点来进行，也求出其平均值。
即使只在金属层的绝缘基板一侧的面上形成阻挡层，也显示了在金属层的膜厚为50nm时透射率为0.015％左右的、比200nm的WSi的遮光膜优良的遮光性。而且，如果金属层的膜厚为150nm，则显示了透射率为接近于0的值。
〔试验例4：第3实施例的结构中的金属层的膜厚与透射率的关系〕
在图14中示出试验例。
该试验例中，在绝缘基板上形成由WSi的下层阻挡层、由Ti构成的金属层和WSi的上方阻挡层构成的遮光膜，在遮光膜上层叠了绝缘层。而且，将上方阻挡层和下层阻挡层的膜厚定为50nm、使金属层的膜厚在10～100nm的范围内变化来进行试验。再有，在层叠了绝缘层、进行了680℃的退火处理后测定透射率(Y值：550nm)，研究了下层阻挡层的厚度与透射率(Y值：550nm)的关系。此外，透射率的测定以面内各5点来进行，也求出其平均值。
显示了金属层的膜厚为10nm时透射率为0.020％左右、金属层的膜厚为50nm以上时透射率为接近于0的值那样的优良的遮光性。
在以上所述的的各试验例中，得到了本遮光膜是具有比由WSi构成的遮光膜优良的遮光性能的遮光膜的结果。此外，也得到了因为能减薄遮光膜的厚度故遮光膜对于绝缘膜的翘曲少的结果。
如以上详细地说明了的那样，在本发明的遮光膜中，即使在形成了遮光膜后进行高温处理，也可利用由面对包含氧元素的SiO2等的绝缘膜的遮光膜的无氧系列的高熔点的金属或金属化合物构成的阻挡层来抑制遮光膜的金属层的氧化现象的发生，其结果，可确保遮光膜的遮光性能。
特别是，通过在本发明的电光装置用基板和电光装置中具备上述的遮光膜，可抑制像素开关元件的光漏泄电流的发生，而且可减少因遮光膜引起的台阶差，因此，可提供显示品质高的电光装置用基板和电光装置。

Claims (31)

1.一种电光装置，其特征在于：
具有：
夹持电光物质的一对基板；
在一片基板上设置的开关元件；以及
在与上述开关元件相向的位置上设置的遮光膜，
上述遮光膜具有：
作为高熔点的金属单质或金属化合物的金属层；以及
由在上述金属层的至少一个面上被层叠的无氧系列的高熔点的金属或金属化合物构成的阻挡层。
2.如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于：
上述遮光膜被配置在上述一片基板与上述开关元件之间，上述遮光层的上述阻挡层面对上述开关元件一侧。
3.如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于：
上述遮光膜被配置在上述电光物质一侧的上述开关元件上。
4.如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于：
上述遮光膜的金属层由遮光性的金属层和光吸收性的金属层构成，上述光吸收性的金属层面对上述开关元件一侧。
5.如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于：
上述金属层被上述阻挡层夹住。
6.如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于：
在另一片基板上具有遮光膜，该遮光膜定义像素的显示区域，该遮光膜由作为高熔点的金属单质或金属化合物的金属层和阻挡层形成，该阻挡层由在上述金属层的至少一个面上被层叠的无氧系列的高熔点的金属或金属化合物构成。
7.如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于：
将上述遮光膜连接到固定电位上。
8.如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于：
上述阻挡层由氮化物、硅化物、钨化物、钨、硅中的1种构成。
9.如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于：
上述阻挡层是WSi。
10.如权利要求9中所述的电光装置，其特征在于：
上述金属层是Ti。
11.如权利要求10中所述的电光装置，其特征在于：
上述阻挡层在上述金属层的上表面和下表面上被形成，上表面一侧的阻挡层的膜厚比下表面一侧的阻挡层的膜厚厚。
12.如权利要求11中的所述的电光装置，其特征在于：
上述金属层的膜厚为30nm至50nm，上述上表面一侧的阻挡层的膜厚为30nm至100nm，上述下表面一侧的阻挡层的膜厚为10nm至20nm。
13.一种电子装置，其特征在于：
具备权利要求1中记载的电光装置。
14.一种电光装置用基板，其特征在于：
具有：
绝缘性基板；以及
在上述绝缘性基板上设置的遮光膜，
上述遮光膜具有：
作为高熔点的金属单质或金属化合物的金属层；以及
由在上述金属层的至少一个面上被层叠的无氧系列的高熔点的金属或金属化合物构成的阻挡层。
15.一种电光装置用基板的制造方法，其特征在于，具有下述工序：
在绝缘性基板上使高熔点的金属单质或金属化合物成膜以形成金属层的工序；
在上述金属层上使无氧系列的高熔点的金属或金属化合物成膜以形成阻挡层的工序；以及
在上述阻挡层上使绝缘材料成膜以形成绝缘膜的工序。
16.如权利要求15中所述的电光装置用基板的制造方法，其特征在于：
在形成上述金属层之前，具有在绝缘性基板上使无氧系列的高熔点的金属或金属化合物成膜以形成阻挡层的工序。
17.如权利要求15中所述的电光装置用基板的制造方法，其特征在于：
形成上述绝缘膜的工序包含进行500℃以上至1100℃以下的热处理的工序。
18.一种遮光膜，其特征在于，具备：
作为高熔点的金属单质或金属化合物的金属层；以及
由在上述金属层的至少一个面上被层叠的无氧系列的高熔点的金属或金属化合物构成的阻挡层。
19.如权利要求18中所述的遮光膜，其特征在于：
上述阻挡层由氮化物、硅化物、钨化物、钨、硅中的1种构成。
20.如权利要求19中所述的遮光膜，其特征在于：
上述阻挡层的氮化物是SiN、TiN、WN、MoN、CrN中的某一种。
21.如权利要求19中所述的遮光膜，其特征在于：
上述阻挡层的硅化物是TiSi、WSi、MoSi、CoSi、CrSi中的某一种。
22.如权利要求19中所述的遮光膜，其特征在于：
上述阻挡层的钨化物是TiW、MoW中的某一种。
23.如权利要求18中所述的遮光膜，其特征在于：
上述金属层的金属单质是Ti、W、Mo、Co、Cr、Hf、Ru中的某一种。
24.如权利要求18中所述的遮光膜，其特征在于：
上述金属层的金属化合物是TiN、TiW、MoW中的某一种。
25.如权利要求18中所述的遮光膜，其特征在于：
上述阻挡层的膜厚是1～200nm。
26.如权利要求18中所述的遮光膜，其特征在于：
上述金属层的膜厚是10～200nm。
27.如权利要求18中所述的遮光膜，其特征在于：
在上述金属层的两面上层叠了上述阻挡层。
28.如权利要求18中所述的遮光膜，其特征在于：
上述金属层由光反射性的金属层和光吸收性的金属层构成。
29.如权利要求28中所述的遮光膜，其特征在于：
上述光吸收性的金属层是氮化物。
30.如权利要求28中所述的遮光膜，其特征在于：
在上述遮光性的金属层的两面上层叠上述光吸收性的金属层而构成。
31.一种遮光膜，其特征在于，具备：
作为高熔点的金属单质或金属化合物的金属层；以及
由保护在上述金属层的至少一个面上被层叠的上述金属层使之不被氧化的高熔点的金属或金属化合物构成的保护层。
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