CN1283282A - 微结构的分立元调光器件 - Google Patents

微结构的分立元调光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN1283282A
CN1283282A CN98810677A CN98810677A CN1283282A CN 1283282 A CN1283282 A CN 1283282A CN 98810677 A CN98810677 A CN 98810677A CN 98810677 A CN98810677 A CN 98810677A CN 1283282 A CN1283282 A CN 1283282A
Authority
CN
China
Prior art keywords
prominent
drum
light
electrode
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN98810677A
Other languages
English (en)
Inventor
亚历山大·B·罗曼诺夫斯基
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Optical Communications Corp
Original Assignee
Optical Communications Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Optical Communications Corp filed Critical Optical Communications Corp
Publication of CN1283282A publication Critical patent/CN1283282A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
    • G02F1/315—Digital deflection, i.e. optical switching based on the use of controlled internal reflection
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
    • G02F1/055—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic
    • G02F1/0551—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04Q—SELECTING
    • H04Q11/00—Selecting arrangements for multiplex systems
    • H04Q11/0001—Selecting arrangements for multiplex systems using optical switching
    • H04Q11/0003—Details
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12133—Functions
    • G02B2006/12145—Switch
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/35—Optical coupling means having switching means
    • G02B6/354—Switching arrangements, i.e. number of input/output ports and interconnection types
    • G02B6/3554—3D constellations, i.e. with switching elements and switched beams located in a volume
    • G02B6/3556—NxM switch, i.e. regular arrays of switches elements of matrix type constellation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/0009—Materials therefor
    • G02F1/0054—Structure, phase transitions, NMR, ESR, Moessbauer spectra
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
    • G02F1/055—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
    • G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
    • G02F1/3137—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/12—Function characteristic spatial light modulator

Abstract

一种具有许多由电光材料制成的分立的鼓突(16)的光调制或切换阵列(10),其中每个鼓突都是与其它鼓突电光隔离的。鼓突(16)具有定义的顶面(20)、底面(30)、第一和第二侧面(26、28)、正面(26)和背面(28)。还有许多电极(34)与每个鼓突(16)缔合,这些电极可以在电光材料中感生电场,以便独立地调制入射在鼓突(16)的各个面(22、24、26、28、30)上的众多光束。电光材料可以是 PLZT型的,或者是电光晶体、多晶的电光陶瓷、电光半导体、电光玻璃和电光活性聚合物。还揭示了一种电光材料基体(136)型的光调制阵列(10),在基体(136)中镶嵌着许多相邻的电极(134)。这些电极(134)可以在电光材料中感生电场,以便独立地调制入射在电光材料基体(134)上的众多光束。这个基体(134)可以用各种各样的方法构成,包括溶胶一凝胶法。此外,还揭示了一种把调光阵列(10)用于调制入射光束(42)并且把它们分成众多数据信道(94、96)的系统(11)。

Description

微结构的分立元调光器件
本发明所属技术领域
本发明一般地涉及调光器和照明开关，更具体地说涉及电光调制器。发明人预计这项发明虽然可以在光学转接器、远程通信和平板显示器中使用，但是它更可能被应用于高速打印和图像处理。
与本发明相关的背景技术
虽然人们在数年前就对电光调制器技术已有所了解，但是就多信道应用而言它们还有一些不足。现有技术的调制器阵列通常是由一块电光活性材料的膜片制成的，表面电极附着在该膜片上以便形成借助光学膜片内的电力线定义的信道。串音即信道之间的干扰已经是一个问题，因为这些电光调制器至少在两个水平上是容易受损的。由于这些信道除了受电力线限制之外不受任何限制，所以在一个信道内的活动可能很容易在邻近的信道中诱发电光干扰。除了通常的电串音之外，这是近距离耦合的无屏蔽电触点所经历的。再者，现有的电光调制器和照明开关往往依赖产生电力线的表面沉积电极，而不是开设通道和引导。由于在材料内部的电场强度呈指数型衰减，驱使材料产生所需的电光效应可能需要非常高的电压。
电光材料(如LiNbO3)价格昂贵而且可能需要高驱动电压。液晶调制器也已经可以使用，但是这种非常缓慢的调制器响应时间通常在毫秒数量级上。再者，材料呈现的电光效应依据不同的材料可能相差几个数量级。一阶效应(被称为普克效应)对外加电压的增加呈线性响应。二阶效应(被称为克尔效应)的响应是二次的，因此相对于电压的增加，响应的增加可能更大。从理论上说这可能允许在以克尔响应为主的材料上外加较小的驱动电压就能产生与以普克效应为主的材料相当的电光效应。
用镧掺杂的多晶钛酸锆酸铅(PLZT)陶瓷材料是一种比较便宜的光学透明陶瓷材料，这种陶瓷材料可以被制成呈现二次的克尔效应或呈现线性的普克效应，取决于组成，并且易于制成膜片和用在溶胶-凝胶模塑中。镧的浓度(即掺杂)是可变的，并且可以导致不同的材料特征。市售的PLZT通常是由产生非常高的介电常数κ的“配方”制成的。非常高的κ值产生高电容值C，该电容随后产生高功率要求，因为功率(P)正比于CV2／2，其中V=电压。高功耗随后产生热量，以致某些需要高电压的调制器还可能需要冷却。如果调整材料中的镧掺杂物(或其它成分)的比例，可以改变介电常数值和电光常数值以及电光效应的类型(克尔型或普克型)，最终将影响电容和功耗。
就一般地用阵列调光而言，现有技术发明会遇到多信道光电系统碰到的一些共同的问题，其中包括信道未被适当地隔离。正象前面讨论过的那样，在邻近的信道中很容易产生干扰，从而导致破坏图像清晰度和响应数据传输可靠性的串音。此外，许多现有技术需要使用与TTL级电源不兼容的高驱动电压。
Moulin在美国专利第4，746，942号中揭示了一种装有大量表面电极的PLZT电光陶瓷材料的膜片。这项发明虽然有试图通过使用大电极和增加电光窗的间隔减少串音的讨论，但是仍然有信道之间存在串音的缺点。这导致该材料不能有效使用。虽然没有给出典型的驱动电压，但是由于材料面积大，为了在膜片中提供必要的电场强度，施加较高的电压是必不可少的。
Bennion等人在美国专利第4，867，543号中介绍一种用电光材料(如PLZT)的固体片层制作的空间调光器，该调光器具有成对的表面电极。这种调光器的缺点是需要大约20伏的电压才能使PI发光体产生相位滞后。Mir等人在美国专利第4，406，521号中揭示了一种用电极定义象素区的电光材料板。据说，它使用在100至200伏范围内的电压。Brown等人在美国专利第5，033，814号中还展示一种电光材料单板，它需要150伏的驱动电压。Oakley在美国专利第5，528，414号中揭示一种带电极安装表面的普克晶体单一膜片，它需要70伏的驱动电压。除了与TTL电压水平明显地不兼容之外，这些发明都没有任何约束电力线的机构。再者，使用较高的驱动电压通常将在电光材料中产生热量，这意味着可能需要冷却系统。
Collings在美国专利第5，220，643号中讨论一种嵌入神经网络的调光器阵列。虽然提到使用PLZT，但是这些调光器大多数是液晶型的。Sprague在美国专利第4，560，994号中展示一种带有建立散射电场的电极阵列但不开设通道的电光材料单板。Sarraf的美国专利第5，521，748号还展示一种调制器阵列，其中镜状器件在施加静电力时反射或变形。授权给Varner的美国专利第4，367，946号还讨论一种光阀阵列，其中一种特别优选的材料是PLZT。但是，这四项发明都可能有同样的串音问题，这正是本发明的设计试图消除的问题。
由于上述的理由，需要一种几乎没有串音并且能够在TTL电压水平下高速运行的分立的调光元件阵列，这种调光阵列可以用于产生小象素或者通过群基形成较大的象素和大二维板或膜片。
本发明的概述
因此，本发明的目的是提供一种电光材料的分立调制元件阵列。
本发明的另一个目的是提供一种能够用TTL电压驱动并因此与标准的TTL电源兼容的电光调制器阵列。
本发明的第三个目的是提供一种信道之间的串音非常小的电光调制器阵列。
本发明的第四个目的是提供一种响应速度非常快切换时间非常短暂的阵列。
本发明的第五个目的是提供一种象素阵列，该象素可以具有非常小的尺寸，以便减少光学显示中的重叠失真问题。
本发明的第六个目的是提供用非常便宜的常规方法制造调光阵列。
简要地说，本发明的一个优选实施方案是有许多由电光材料制成的分立的鼓突的调光阵列，其中每个鼓突都是其它鼓突电光隔离的。这些鼓突每个都可以被看成具有顶面、底面、第一和第二侧面、正面和背面。每个阵列还具有许多与每个鼓突缔合的电极，这些电极可以在电光材料中诱发电场，以便独立地调制众多在鼓突某个面上入射的光束。鼓突可以由许多种电光材料制成，包括电光晶体、多晶电光陶瓷、电光活性聚合物、电光半导体和电光玻璃。鼓突可以与基材膜片制成一个整体，或者在第二种材料的基材上形成。电极可以附着在不同的位置上，包括附着在侧面、顶面和底面上，如果使用带孔的电极，还可以附着在正面和背面上。
本发明的第二个优选实施方案是具有许多由电光材料制成的分立鼓突的调光阵列，其中每个鼓突都被制成棱柱形状并且与其它鼓突电光隔离。每个鼓突都具有顶面、底面、正面和背面。每个阵列还具有许多与每个鼓突缔合的电极，这些电极能够在电光材料中诱发电场，以便独立地调制众多入射光束。每个棱柱形鼓突相对众多光束的取向致使每个入射在每个鼓突的正面上的光束在不施加电压将该鼓突电光激活时都进入该鼓突沿第一路径传播并且以第一角度从鼓突的背面射出。但是，当鼓突通过施加适当的电压被电光激活时，每个光束沿着第二路径传播并且以第二角度从该鼓突的背面射出。
本发明的第三个优选实施方案是具有电光材料基体的调光阵列，其中每个基体都包含许多相邻的镶嵌电极。这些电极每个都能够在电光材料中诱发电场，以便独立地调制入射在电光材料基体上的众多光束。
本发明的第四个优选实施方案是一种调光系统，该系统具有许多由电光材料制成的分立鼓突和许多电极(如上所述)。该系统还包括能提供足够的电压的电源，以便在进入鼓突的偏振光束中诱发从第一偏振取向到第二偏振取向所需的偏振相移。还包括一个开关用于控制通过导体给电极施加电压，和一个分离器，用于把第一偏振取向的光线与第二偏振取向的光线分开。该分离器可以是许多种机械装置中的任何一种，例如光束分离器、正交偏振器等。
本发明的优点是可以在TTL电压或更低的电压下运行。
本发明的另一个优点是由于只需要低电压所以减少了元件发热，因此对冷却的要求被降低到最少。
本发明的第三个优点是可以生产非常小的元件，因此可以为非常精细的图像分辨创造条件。
本发明的第四个优点是几乎完全消除了信道之间的串音。
本发明的第五个优点是可以使用标准的微量切削操作从而为降低制造成本创造了条件。
本发明的第六个优点是可以使用溶胶-凝胶法制造非常便宜的阵列。
本发明的第七个优点是可以使用溶胶-凝胶法制造既薄又柔韧的显示器。这些模塑方法可以以非常低的成本快速生产具有大量元件的阵列。
鉴于有关目前已知的实现本发明的最佳模式和在此介绍的优选实施方案在工业中的应用的介绍以及几张附图的图解说明，本发明的这些和其它目的以及优点对于熟悉这项技术的人将变得清晰起来。
附图简要说明
从下面结合附图的详细说明本发明的目的和优点将是显而易见的，其中：
图1是使用调光阵列调制和切换光束的系统的透视图，说明入射光束的调制；
图2是调制器阵列透视图，并且说明电路中的导电垫定位在另一种位置；
图3是调制器阵列透视图，并且说明电路中的元件安装在不同材料的基材上；
图4是调制器阵列透视图，并且说明电路的电极附着在膜片的顶部和底部表面上；
图5是调制器阵列透视图，并且说明电路中的导电垫在又一个位置；
图6是调制器阵列和电极的一个可选实施方案的透视图；
图7是调制器阵列和电极的又一个可选实施方案的透视图；
图8是用于调制和切换光束的系统的透视图，该系统使用调制器阵列和光束分离器把经过调制的光束和未调制的光束分成不同的信道；
图9是用于调制和切换光束的系统的平面图，它说明调制器阵列的单一元件用作把经过调制的和未调制的光束分成不同信道的另一种机构；
图10是用于调制和切换光束的系统的平面图，它说明不同类型的调制器阵列的单一元件用作把经过调制的和未调制的光束分成不同信道的另一种机构；
图11是调制器阵列的透视图，其中电极的设置是为了产生与光线传播方向共线的电场；以及
图12是镶嵌在电光材料的溶胶-凝胶基体中的电极阵列的截面图。
本发明的详细叙述
本发明的优选实施方案是光调制和切换的微机构器件阵列。本发明通过使用镧掺杂的钛酸锆酸铅晶体(PLZT)解决了许多现有技术中的问题，其中所述PLZT是一种在施加适当的电压时变成双折射的光学上透明的陶瓷。PLZT对电压的增加具有二次的电光响应，因此允许较低的驱动电压。此外，本发明使用最佳组成的“配方”，在该配方中镧掺杂物与基体诸元素的比例是为产生低介电常数κ、较高的电光效率以及低功耗而设计的。此外，该电光元件是3维的并且是小尺寸的，通常在光线传播方向上是10μm至200μm，这取决于设计。这允许在这些元件中可以使用较低的电压(包括TTL级的大约5伏或更低)产生场强非常高的电场。这有优点，因为已经配备成TTL级数字元件的电源也可以为电光调制器供电。通过使用用空气或其它介电材料填充的沟槽或区域几乎消除了串音。这些至少使一部分元件物理分离，因而可以把电力线更密集地引导到若干个信道中。PLZT以及其它电光材料还允许皮秒级的响应，因此在理论上允许高达100GHz或更高的高切换频率。
使用镶嵌电极在元件中产生更均匀的电场强度。这允许低得多的驱动电压和更易于预测和控制的电场。
本发明在使用介电常数已被最小化的标准的电光材料配方时以及使用各种各样的不同于PLZT的其它电光材料时也是有用的。电光材料通常分成5个范畴：1)电光晶体；2)多晶的电光陶瓷；3)电光活性聚合物；4)电光半导体；5)电光玻璃。虽然这些材料的电光性质依据组成可以变化，但是本发明可以用其中3个范畴中的任何材料来实现。可以使用的电光材料的特定实例除了PLZT之外还包括但不限于LiNbO3、LiTaO3、BSN、PBN、KTN、KDP、KD*P、BaTiO3、Ba2NaNb5O15、GaAs、InP、CdS、AgGaS2和ZnGeP2。元件的尺寸非常小导致元件的电容非常低，即使在使用介电常数κ比较高的材料时也是如此。
正象在本文中各张附图中图解说明的那样，具体地参照图本发明的这个优选实施方案的形式是用参考文字10表示的。
图1说明调光微机构的阵列10以及在许多独立的信道中调制和切换光线的系统11。在这个优选实施方案中，阵列10是由PLZT膜片制成的。选择PLZT是因为就薄膜片而言它的电光效应强而且吸收小。
如果采用PLZT，镧掺杂物在陶瓷中的相对比例在确定元件所需要的驱动电压方面可能是非常重要的。在确定透明度、晶粒尺寸和孔眼尺寸、速度、功耗和工作温度等光学性质方面以及在使材料的线性的和二次的电光系数最大化方面也是重要的。适合PLZT的工业配方大量地使用镧，其浓度为9．0％至12％。如果镧的浓度在PLZT陶瓷的8．5％至9．0％范围内变化而锆和钛的浓度保持65／35的典型比例不变，在镧掺杂物浓度接近8．5％时在PLZT中获得较高的二次电光系数(R)是可能的。就PLZT组成物而言，如果锆和钛的浓度保持65／35的比例而镧(La)的总百分比发生变化，那么：
La=9．5％，R=1．5×10-16m2／V2；中占
La=9．0％，R=3．8×10-16m2／V2。
众所周知，如果La＜8．0％，PLZT失去二次的电光性质。所以人们希望La在8．5％左右时R应当有大约(5-40)×10-16m2／V2的最大值。
这个电光系数的增强值提供了许多优点。它将允许器件需要较低的驱动电压，因此降低了该器件的功耗并因此减少了器件放热。这反过来允许以相当高的的频率驱动该器件，甚至不需要外部冷却。再者，使用浓度较低的La(它是自由电子供体)将导致降低的“电荷屏蔽”效应。总结果是由这种材料制造的器件具有较高的调制效率。
膜片12具有由膜片12的原始厚度18形成的沟槽14，以便产生鼓突16。可以借助任何手段形成沟槽14，例如用微型锯机械切削、使用光刻胶掩膜进行化学蚀刻、或激光烧蚀、或者用多晶陶瓷通过模塑成型制作该阵列等等。沟槽14在阵列10的诸信道之间提供隔离，其作用是将电光材料中的电力线引导到信道中并且允许该阵列在几乎没有串音的条件下运行。
每个鼓突16具有顶面20、第一侧面22和第二侧面24、正面26和背面28。沟槽14可以通过膜片12的整个厚度18被切割出来，在这种情况下鼓突将具有独立的底面30，如果沟槽不是通过整个原始厚度18切割的，那么底面30将与膜片12构成一个整体，如图1中的虚线所示。
膜片32的各个面在形成沟槽14之前或之后可以抛光，以防止光线进入和离开膜片12时发生散射。电极34以任何方式附着在鼓突16上，但是一种优选的方法是把电极34包埋起来，因为这样可以产生更均匀的电场。用电极34的材料填充沟槽14也是可能的。金或某种其它金属或导电材料制成的导电垫34被用于使电导线38附着在电极34上并把它们依次连接在供电电源40上。因此，建立起相对入射光线42的方向横向取向的电场。在电极34配置的这种构型中，沟槽14之间鼓突16中电光材料的宽度形成电极间隙44。
为了易于说明，包含鼓突16、附着电极34和导电垫36的组件将被称为“元件”。膜片12、鼓突16和电极间隙44的尺寸将取决于选定的材料和待使用的外加电压范围。特定材料的元件所呈现的电光效应取决于那个元件内的电场强度。场强将依次取决于外加电压的大小、选定的材料和包含电场的元件的实际尺寸。使用非常小的元件允许使用较低的到中等的电压产生较高的电场强度。在本发明中，为了使用TTL范围内的电压(大约5伏)，我们估计如果元件是由PLZXT制成的，元件的实际尺寸将大约为20μm×20μm×200μm。沟槽14可以做得非常小并且确实可以通过用于加工它们的刀具尺寸加以限制。使用锯口尺寸大约为25μm的微型锯切削已经实现了串音几乎为零的最佳结果。有效地减少信道之间的串音可以通过象5μm这样小的沟槽来实现。
这样微小的元件可以产生尺寸非常小的调制光束，从而产生裸眼不能区分的精细的图像分辨率。它可能应用于需要显微图像的场合或者应用于用5或10个元件组成的元件组将多重光束合并在显示设备上形成1个象素的场合。
元件的尺寸还将取决于光束究竟是通过元件透射还是被背面反射，在后一种情况下为了产生同样程度的调制，长度或驱动电压可以削减大约一半。电光性质较小的材料要实现适当的调制结果可能需要较大的尺寸或增大外加电压。
在图1中，展示了第一元件46和第二元件48，在这个优选实施方案中将假定它们是由PLZT构成的。在第一元件46与电源线之间，展示了一个打开的开关50，表示元件46没有施加电压、处于未被激活的状态。当然，不应当理解为为了实现本发明只需要做象扳动开关那样原始的事情。很可能是采用电压适当的频率非常高的(或许高达100GHz或更高)方波，但是在本文中使用开关作为说明外加电压的犬态的简易手段。
已进入线偏振状态54的入射光束42照射在元件46和48上，其中所述偏振状态与相对垂线左侧成45°的箭头一致(这种偏振状态被称为“R”偏振)。这种入射光线可以是线偏振的激光光束、或者是最初不偏振的光束，或许甚至包括来自白炽灯泡已经通过偏振片透射产生线偏振的光束。第一元件46未被激活，因此第一元件46输出的偏振状态56没有变化。它通过R取向的偏振片60被光敏感元件即光检测器62检测，或许被确认为数字“1”。
反之，连接第二元件48的开关52是闭合的，因此电源电压加在元件48上，于是元件48被激活。元件48在外加电场的作用下变成双折射的。双折射作用使相对外加电场方向呈45°线偏振的入射光束42分成两个正交的分量，这两个分量分别平行于和垂直于电力线。这两个分量沿着同一路径但以不同的速度传播。因此，电光效应是由于一个分量落后于另一个分量所以在两个分量之间引起相移。在通过元件48之后，两个分量再次合并，其结果是出射光束58的偏振状态发生变化。如果外加电压足以使偏振状态发生的偏移，那么该偏振状态将相对其原始方向旋转90°。在图1中，假设为了得到线偏振的输出光束58已经施加了产生90°相移的λ／2电压(5伏)，其中所述输出光束58的取向现在相对垂线右侧成45°(这种偏振状态被称为“S”偏振)。现在，这种S偏振的光线被R取向的偏振片60阻断，不允许它到达检测器62。这可以被数字器件确认为“0”。
如果外加电压引起λ／4的旋转，那么出射光束的偏振状态58将变成圆偏振，因为最终电场矢量的尖在它传播时将画一个圆。中间的电压值将导致椭圆偏振。这些光线将部分地被只允许R取向的分量通过的偏振片60阻断。因此，检测器62所看到的光线理论上可以被控制在没有衰减的入射强度到全部衰减的范围内的任何位置，以便在施加适当的控制电压时产生模拟型的输出信号。
图2图解说明调制器阵列10的一种不同的变型。所展示的膜片12具有附着的或镶嵌的电极34，并且在这个优选实施方案中导电垫36的定位使连接电导线38的配置方式有所不同。
图3图解说明调制器阵列10的另一种不同的变型，其中沟槽14已完全贯穿膜片的原始厚度18。图中的元件64是由膜片12的鼓突16部分以及它们各自的附着或镶嵌电极22和导电垫24(见图1)组成的。在与底面30接触的由不同材料制成的基材66上已经形成了许多元件64。这种基材66优选没有电光活性的介电常数低的材料，例如SiO2就是许多实例之一。鼓突16可以在机械加工之前或在使电极34和导电垫36附着之前就附着或粘接在基材66上，元件64也可以在附着到基材66上之前完成组装。
图4展示调制器阵列10的又一种不同的变型。在这个实施方案中，电极34附着在鼓突16的顶面20上，并且有单一的大电极68定位在膜片12的底面70上。应当理解可以使用许多适当地配置在膜片12的底面70上的独立电极来代替在本图和图5中描绘的单一的大电极68。导电垫36附着在顶部电极34和底部电极68上作为电导线38的附着点。正面26象前面指出的那样是抛光的，并且展示了入射光束42以便表明取向。偏振方向没有示出，因为相位滞后的原则仍然与在图1中一样起作用，λ／2的相移产生90°旋转等。这样放置电极34、68产生不同的横向电场取向，但是仍然保留现有技术中没有的信道分离和串音最小的优点。
图5展示图4所示构型的变化，其中上导电垫36的定位相对膜片12具有不同的取向。为了产生横向电场，顶部和底部的电极34、68象在图4中那样定位。为了取向，再次展示抛光的正面26和入射光束42。
虽然在这里没有画出，但是应当理解如果基材具有适当的导电性以图3提出的方式定位在不同的基材66上的元件可以与在图4和图5中看到的这种顶部电极和底部电极布局以及导电垫位置变化一起使用。元件直接附着在一个底部大电极上也是可能的，其中大电极作为基材支撑着在该电极上定位的诸元件。另外，可以将电极附着或镶嵌在电光材料的两个侧面上，然后直接将组装元件安装到基材上。
图6展示改进的鼓突72阵列10的另一种变型，其中鼓突72或者是在原始膜片12上形成的，或者是以类似于图3所示实施方案的方式单独地在光学透明的不同的基材66上形成的。所展示的鼓突72是用它们的长边平行于膜片12或基材66的长边定向的，
但是应当理解它们也可以通过鼓突72的长边与膜片12或基材66的长边横交来定向。入射的偏振光束42从膜片12或基材66的底面进入，借助带角度的第一侧面74和带角度的第二侧面76的内反射，再次从膜片12的底面70射出。如果给电极78施加适当的电压，出射光束80最终的偏振状态将通过上述的方式得到调制。各个面的角度是选定的，以便获得全内反射，但是应当理解如果在各个面上施加反射涂层也可以使用各种各样的其它角度。
图7图解说明调制器阵列10的另一种变型，其中鼓突82已经以另一种方式得到改进，以致每个鼓突的第二侧面84所形成的角度将出射光束86引导到从每个鼓突82的顶面20射出。与图6所示的实施方案一样，这些鼓突可以按横向定向、可以使用不同的基材、以及可以将反射涂层施于各个反射面。
图8展示用于调制和切换光束的系统11，该系统采用与图1所示构型完全相同的调制器阵列10。偏振状态为“R”的入射线偏振光束42进入由于开关50断开未被激活的第一元件46，所以出射光束的偏振状态56没有变化。这个光束进入光束分离器88，该分离器的位置致使R偏振的光线将以角度Φ从光束分离器反射出去，如反射光束90所示。在被激活的第二元件中，假定外加电压产生λ／2的相移，于是偏振状态被旋转90°，变成“S”取向，这个光束通过光束分离器88，如未被反射的光束92所示。这些光束可以用于携带分开的数字信息并且可以被指定为“信道1”94和“信道2”96。应当理解光束分离器可以作为信道分离器件与本文中阐明的各种实施方案一起使用。
图9展示另一种使用不同类型的调光阵列10调制和切换光束的系统11的俯视平面图。所展示的单一鼓突16由折射指数为N1的第一部分材料98和折射指数为N2的第二部分材料100组成。在两部分材料的接合部形成边界102。两部分之一(在这个实例中是第一部分98)具有顶部电极和顶部电极104。第一部分98是由电光材料组成的，以致在电极104未充电时该电光材料没有活性并且N1=N2。在对电极104施加电压时，第一部分98被激活并且就与电力线一致的偏振分量而言折射指数发生变化，以致就这种偏振状态而言N1＞N2。当第一部分未被激活时入射光束106以对法线的入射角ε照射在第一部分98上，以致该光束通过两部分98、100之间的边界并且作为未经反射的光线108射出。当第一部分被激活时其折射指数增加致使全内反射(TIR)发生，于是该光束在边界102处被反射回第一部分98并且作为反射光束110射出。这两个出射光束108和110被角度δ分开，该角度在这里被大大地夸大了。这些分开的光束108和110可以借助敏感元件112检测，因此可以用于数据传输以便实现信道分离。
另外，鼓突16可以由一块完整的材料制成，该材料已被电光分割成若干部分。第一部分98有附着电极104以便在这个部分中诱发不同的折射指数。如上所述，入射光束106将在被激活部分98与未被激活部分100之间的界面被全内反射。这个界面即边界102可以通过具有厚度不同于第一部分98的第二部分100更明确地建立。这样做的目的是更好地引导电力线，以致产生更少的散射和建立更敏锐的边界界面102。
图10展示另一种用于调制和切换光束的系统11的透视图，该系统使用调光阵列10的又一种变型来完成信道分离。所展示的单一的棱柱形鼓突114可以通过电极116被电光激活，以增加其折射指数。这使光束在材料是无活性状态时入射方向略有微不同就朝法线弯曲。因此，当该元件有活性时光束将遵循第一路径118并且在离开该元件将以相对法线略有不同的角度射出，因此遵循第一出射路径120。反之，当该元件没有活性时光线进入时遵循第二路径122，然后遵循第二出射路径124。这两种出射路径在图10中用虚线表示。第一和第二出射路径120、124被角度分开，并且可以借助镜面126进一步被引向敏感元件128以产生分开的信道。在图10中路径分离以及分离角已经被夸大了。
图11图解说明本发明的调光阵列10的又一种变型，其中两端安装的个个都有孔的电极130已经附着在鼓突16的正面20和背面28上。在这种构型中，电力线与入射光束42的方向相同。施加适当的外加电压将导致以类似于前面讨论的方式改变偏振的输出。应当理解可以使用上述方法把输出信道分开，或者利用外部的偏振片和敏感元件把输出信道分开，以及元件可以安装在不同的基材上而且导电垫的配置可以有种种变化。
有发光元件(如二极管激光器)也是可能的，其中调制元件实际附着在该激光器的输出端，以便形成单一的集成元件。
该优选实施方案的另一个变型使用溶胶-凝胶处理，以形成固定在挠性媒介中的元件阵列。溶胶-凝胶处理是一种以化学为基础的在比较低的温度下(400至800℃)进行处理的方法，这种方法可以产生比在较高的温度下(2000℃)进行的常规方法更纯更均匀的陶瓷和玻璃。
在使用模塑法时，两种方法都是可能的。在第一种方法中，首先用非电光材料制备光学上透明的或不透明的基体。然后，将电极淀积在侧壁上。接下来，用柔软的可固化的溶胶凝胶型或聚合物树脂型的电光材料填充该基体。然后，使它固化，以产生被非电光材料在空间上隔开的电光材料阵列。
在第二种方法中，首先用固体或挠性材料制备有电光活性的基体。然后将电极淀积在侧壁上。接下来，用光学上透明的或不透明的溶胶凝胶型的或聚合物树脂型的柔软的可固化的非电光材料填充该基体。然后，使它固化，以产生被非电光材料在空间上隔开的电光调制器阵列。
就通过溶胶凝胶法制备的在毗邻的镶嵌电极之间留有1至2微米间隔的PLZT薄膜而言，λ／2电压从适合0．5μm薄膜厚度的20至30伏变化到适合1至2微米薄膜厚度的TTL级(4至5伏)。
这个理念对于大面积的平板显示器应用是非常有吸引力的，这种显示器具有类似于CRT管并且可以用它们成功地实现的功能。因为要实现低驱动电压必须使电极间隔非常小，所以最终的象素尺寸也非常小，从而使这个实施方案对于高分辨的平板显示器或空间调光器变得非常理想。这种精细的象素结构在典型的人眼分辨本领以下，所以就消费品应用而言亚微米和微米尺寸的子结构可以被聚集起来以产生标准尺寸的象素(通常是数打或数百个微米)。为了简化制造过程和使它与现有的平板技术兼容，象素尺寸可以做得更大。在这种情况下，每个象素代表一种嵌入快门电极的PLZT的叉指图。
图12展示由包含在溶胶凝胶基体136中的嵌入电极134组成的调制器阵列10的俯视平面图。箭头线表示电力线138。电极134的高度(绘图平面之外)是由薄膜厚度定义的。在这张图中，光线也沿着垂直于绘图平面的方向传播。对于非偏振光，调制器阵列10放在两个正交的偏振片(未示出)之间。
电极结构可以在完成溶胶凝胶薄膜淀积之前或在其之后利用标准的蚀刻技术或微量切削技术完成它的配置。采用蚀刻技术和模塑方法，电极134的高度可以高得多，在电极之间的间隔同样是1至2微米的情况下可以高达10微米或更多。在这种情况下可以用溶胶凝胶填充电极134之间的间隔而且薄膜仍然可以足够薄(几微米)以保证同样的制造方法和类似的工艺条件。这将为TTL级(4至5伏)或更低级别(1至3伏，甚至更低)的驱动电压或切换电压创造条件。这样制造的阵列可以在透射模式或反射模式中使用。此外，溶胶凝胶材料既可以完全填充电极之间的间隙，又可以作为涂层淀积在电极的侧面。如果作为涂层使用，那么可以在溶胶凝胶涂层的外侧上添加附加电极，以便制作完整的元件，每个元件都通过间隙或沟槽与其相邻元件分开。
除了上述的实例之外，在不脱离本发明的情况下对发明的器件10作出各种其它的改进方案和替代方案。因此，上述的揭示不被看作是限制，而权利要求书才真正包容本发明的精神和完整范围。
工业应用
本发明的器件10将很好地适合在使用调光器和高速的光开关器件的各个领域中的应用，例如高速打印、图像处理和远程通信。本发明的器件10还基本上适合在平板显示器和投影电视中使用。
虽然前面讨论的基本阵列结构10是一维线性构型，但是这些构型的结构设计可以用于形成二维的大尺寸膜片。此外，通过溶胶凝胶法的运用可以把它们做成几乎象织物一样的柔软的薄型显示材料，这种材料可以用于覆盖三维的轮廓，或许甚至可以做衣服。
目前在平板显示器中使用的材料对显示信息中的变化反应非常慢。这导致通常观察到的问题，特别是在便携式计算机的平板显示器中更为明显，其中移动物体的显示由于显示响应中的滞后将把拖尾留在后面。与之相比，本发明能够提供100GHz或更高的切换速度，从而产生如此迅速的响应以致它超出人眼的寄存能力无法感觉运动显示中的独立步骤。
现有技术的显示器还可能出现重影问题，或由于数字显示中象素尺寸相当大有时在显示物体周围可以看到粗糙的边缘。通过对比，本发明的元件10可以做成横截面比1μm×1μm还小，每个元件能够产生独立的信号。因此，每个元件就可能是一个象素。使用本发明完全消除了重影问题，使重影降到显微尺寸。人眼确实不能分辨这样小的元件。因此，按人裸眼观看的比例使用，元件可以组合成较大的象素，这种象素的总尺寸仍然能提供远远优于目前可用的图像分辨率。还有一些应用，在这些应用中象素的显微尺寸是有利的，例如制作适合于微型芯片制造的显微光掩膜。
本发明中未编组的象素特别适合于这种用途。
元件的尺寸非常小，为使用低驱动电压产生必不可少的电场场强以诱发所需的电光效应创造条件。TTL级的电压可以与某些材料一起使用。使用TTL级的电压具有许多重要的优点。多年来TTL级的供电电源已经得到长足的发展并且通常是市售的“成品”。因此，对于利用本发明10的系统很容易获得供电电源，不需要提供定制的供电电源。这还为比较容易地将本发明10引入使用TTL器件并且已有适当的本地供电电源的设备创造了条件。
现有技术的调光器和光学开关是在没有任何有利的特征为电力线开设信道的普通膜片上制造的，这类器件通常都有信道之间串音的问题。这将影响图像的清晰度并且可能破坏传输的数据。相比之下，通过利用本发明的分立元件10，信道之间的串音实际上已经消除，从而导致产生比较清晰的图像并且提高了数据传输的准确性和完整性。这在各种各样的设备(例如打印机、远程通信和显示屏)中具有非常多的工业应用。
此外，就远程通信应用而言，已经使用的现有技术的二极管激光器通常有“间歇噪音”问题，这是在快速调制给二极管激光器提供的电压时可能产生的干扰。相比之下，本发明的器件10调制的是光学输出而不是二极管激光器本身。这大大减少了干扰并且能够消除间歇噪音问题。就远程通信而言这可能是重要的优点。
本发明的器件10特别符合工业应用要求的另一个特征是它容易制造和低成本。它可以利用现有技术借助不同的方法(如微量切削、激光烧蚀、在电场中有选择地蚀刻和借助常规方法或利用溶胶凝胶法模塑)制造出来。就微量切削而言，目前用于精加工硅片的微型锯同样可以用于形成凸起之间的狭缝。
另一种制造调光阵列10的方法是使用溶胶-凝胶处理建立固定在挠性媒体中的元件阵列。溶胶-凝胶处理是一种以化学为基础的温度比较低的处理方法，这种方法可以产生比温度较高的常规处理方法更纯更均匀的陶瓷和玻璃。溶胶-凝胶法的另一个有吸引力的特征是有能力生产不可能用常规方法生产的组合物。
用溶胶-凝胶法制作的PLZT电光材料的薄膜与用粉末制备的PLZT陶瓷相比具有许多优点。可以创造具有非常一致的(均匀的)材料结构的大表面积的薄膜。小晶粒尺寸是能实现的，它在数十纳米范围内，并且与由粉末制备的PLZT陶瓷相比孔隙率也小得多。可以生产厚度从几纳米到几微米的各种薄膜。
溶胶-凝胶制造本身还易于适合大批量生产。它适合制造廉价的、大面积的空间调光器或平板显示器并且能利用工业中标准的微量切削制作方法。它可以用于色泽鲜明的超高速的平板显示器或适合计算机互连和视角非常宽的高速远程通信的空间调光器，它可能最终被用于代替阴极射线管。
由于上述的和其它的理由，我们预期本发明的器件10将具有广泛的工业适用性。所以，我们预期本发明的工业实用性将是广泛而持久的。

Claims (21)

1．一种调光阵列，该阵列包括：
许多由电光材料制成的分立的鼓突，每个分立的鼓突都是与其它鼓突电光隔离的，所述的鼓突进一步定义顶面、底面、第一和第二侧面、正面和背面；以及
许多与每个所述鼓突缔合的电极，所述电极能够在所述的电光材料中诱发电场，以便独立地调制入射在所述鼓突的所述面之一的一个或多个光束。
2．根据权利要求1所述的调光阵列，其中：
所述鼓突是由单一的电光材料膜片制成的并且所述鼓突的所述底面与所述膜片成一整体。
3．根据权利要求1所述的调光阵列，其中：
所述鼓突是在独立的基材层上形成的。
4．根据权利要求1所述的调光阵列，其中：
所述鼓突被介电材料区隔开。
5．根据权利要求1所述的调光阵列，其中：
每个所述第一侧面都有角度，以便引导入射光束从所述鼓突射出。
6．根据权利要求5所述的调光阵列，其中：
每个所述第二侧面都有角度，以便引导入射光束从所述鼓突射出。
7．根据权利要求6所述的调光阵列，其中：
所述第一和第二带角度的面都包括反射装置。
8．根据权利要求1所述的调光阵列，其中：
所述电光材料选自电光晶体、多晶的电光陶瓷、电光活性聚合物和电光玻璃。
9．根据权利要求8所述的调光阵列，其中：
所述电光材料是镧在总组成中占8．5％至9．0％的PLZT。
10．根据权利要求1所述的调光阵列，其中：
所述电极附着在所述鼓突的所述第一和第二侧面上。
11．根据权利要求1所述的调光阵列，其中：
所述电极附着在所述正面和所述背面上并且所述电极包括适合光束通过的孔。
12．根据权利要求2所述的调光阵列，其中：
所述膜片包括底部表面；以及
所述电极附着在每个所述鼓突的每个所述顶面上并且有一个或多个电极接触所述膜片。
13．根据权利要求3所述的调光阵列，其中：
电极附着在每个所述鼓突的每个所述顶面上并且所述基材层包括与阵列中每个鼓突的所述底面接触的一个或多个电极。
14．根据权利要求1所述的调光阵列，其中：
每个所述鼓突包括与许多电极缔合的所述电光材料第一部分，并且每个所述鼓突进一步包括在不施加电压电光激活所述第一部分时折射指数与所述第一部分相匹配的第二部分，但是在通过施加适当的电压将所述第一部分电光激活时所述第二部分的所述折射指数小于所述第一部分的折射指数；
所述的第一和第二部分彼此紧密结合，以致在所述的第一和第二部分的结合部形成一条边界；以及
每个所述鼓突相对一个或多个光束的取向致使所述的每个光束进入每个鼓突的每个第一部分并且以某个角度照射在所述的第一和第二部分之间的边界上，以致在施加足够的电压将所述的第一部分电光激活时每个光束都被内反射，但是在所述第一部分未被电光激活时所述光束将不反射，全部通过所述边界。
15．一种调光阵列，该阵列包括：
许多由电光材料制成的分立的鼓突，每个分立的鼓突都是与其它鼓突电光隔离的，所述的鼓突进一步被制成具有底面、底面、正面和背面的棱柱形；
许多与每个所述鼓突缔合的电极，所述电极能够在所述的电光材料中诱发电场，以便独立地调制一个或多个入射光束；以及
每个棱柱形鼓突相对一个或多个光束的取向致使在不施加电压电光激活所述鼓突时入射在所述鼓突的所述正面的每个光束都进入每个鼓突沿着第一路径传播并且以第一角度从所述鼓突的所述背面射出，但是通过施加适当的电压将所述鼓突电光激活时每个光束沿着第二路径传播并且以第二角度从所述鼓突的所述背面射出。
16．一种调光阵列，该阵列包括：
电光材料的基体；以及
所述基体包含许多毗邻的镶嵌电极，所述电极能够在所述的电光材料中诱发电场，以便独立地调制入射在所述电光材料基体上的一个或多个光束。
17．根据权利要求16所述的调光阵列，其中：
所述电极借助选自溶胶-凝胶淀积、模塑、蚀刻基体后再放置电极和微量切削基体的方法镶嵌在所述基体材料中。
18．一种调光系统，该系统包括：
一个或多个由电光材料制成的鼓突，每个分立的鼓突都是与其它鼓突电光隔离的，所述鼓突具有定义的顶面、底面、一个或多个侧面、正面和背面；
许多与每个所述鼓突缔合的电极，所述电极能够在所述的电光材料中诱发电场，以便独立地调制一个或多个入射在所述鼓突的所述面之一上的光束，这些光束按第一偏振取向线性偏振；
电源，该电源能够提供足够的电压，以便在进入所述鼓突的偏振光束中诱发从第一偏振取向到第二偏振取向所需的偏振相移；
适合从所述电源向所述的众多电极输电的导电装置；
适合控制通过所述导电装置向所述电极施加电压的切换装置；以及
适合将第一偏振取向的光线与第二偏振取向的光线分离的分离装置。
19．根据权利要求18所述的调光系统，其中：
所述导电装置包括连接所述电极的导电垫，导电垫的配置选自在每个鼓突的顶面上两个导电垫、在每个鼓突的顶面上一个导电垫以及在与每个鼓突的底部缔合的每个电极上一个导电垫。
20．根据权利要求18所述的调光系统，其中：
所述分离装置是具有某种偏振取向的输出偏振片，所述偏振片的位置适合透射来自偏振取向与所述输出偏振片相同的所述鼓突的线性偏振光。
21．根据权利要求18所述的调光系统，其中：
所述分离装置是光束分离器，所述的光束分离器的位置允许第一偏振取向的光线通过所述光束分离器而第二偏振取向的光线被反射。
CN98810677A 1997-10-29 1998-10-27 微结构的分立元调光器件 Pending CN1283282A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/959,778 US6310712B1 (en) 1997-10-29 1997-10-29 Discrete element light modulating microstructure devices
US08/959,778 1997-10-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1283282A true CN1283282A (zh) 2001-02-07

Family

ID=25502396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN98810677A Pending CN1283282A (zh) 1997-10-29 1998-10-27 微结构的分立元调光器件

Country Status (10)

Country Link
US (7) US6310712B1 (zh)
EP (1) EP1032864A1 (zh)
JP (1) JP2001521207A (zh)
KR (1) KR20010031568A (zh)
CN (1) CN1283282A (zh)
AU (1) AU1282699A (zh)
BR (1) BR9815201A (zh)
CA (1) CA2307880A1 (zh)
IL (1) IL135849A0 (zh)
WO (1) WO1999022266A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100353214C (zh) * 2005-06-06 2007-12-05 浙江大学 共面电极型压电陶瓷材料光圆偏振调制器
CN101881883A (zh) * 2010-06-04 2010-11-10 中国科学院上海光学精密机械研究所 集成模块化电光控制激光光束扫描器
CN103149707A (zh) * 2013-02-25 2013-06-12 京东方科技集团股份有限公司 相位延迟装置及其驱动方法、显示装置
CN103534635A (zh) * 2011-01-26 2014-01-22 马克·亚历山大·布夫罗 基于巨电光系数材料且结构精细的块体电光元件及其制造方法
CN112867962A (zh) * 2018-09-11 2021-05-28 恩耐公司 电光调制器及其用于三维成像的使用和制造方法

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6310712B1 (en) 1997-10-29 2001-10-30 Teloptics Corporation Discrete element light modulating microstructure devices
US6768572B2 (en) 1997-10-29 2004-07-27 Teloptics Corporation Solid state free space switch array on a substrate
US6816296B2 (en) 1997-10-29 2004-11-09 Teloptics Corporation Optical switching network and network node and method of optical switching
US6486996B1 (en) 1998-10-27 2002-11-26 Teloptics Corporations Discrete element light modulating microstructure devices
US6525867B1 (en) * 1999-07-07 2003-02-25 Lots Technology, Inc. Fast response micro-modulator arrays
WO2001040849A2 (en) * 1999-11-05 2001-06-07 Teloptics Corporation Electro-optic switching assembly and method
JP2004508587A (ja) * 2000-09-11 2004-03-18 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 表示装置
US20050174639A1 (en) * 2001-01-22 2005-08-11 Zeev Zalevsky Fast all-optical switches and attenuators
US6694082B2 (en) 2001-04-05 2004-02-17 Lucent Technologies Inc. Polycrystalline ferroelectric optical devices
US6963441B2 (en) * 2001-05-04 2005-11-08 Teloptics, Corporation Deactivated electro-optic material and method of forming the same
US6528339B1 (en) * 2001-10-01 2003-03-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of imparting birefringence in a III-V compound semiconductor
GB0126640D0 (en) * 2001-11-06 2002-01-02 Denselight Semiconductors Pte Optical space switch
US6567206B1 (en) * 2001-12-20 2003-05-20 St. Clair Intellectual Property Consultants, Inc. Multi-stage optical switching device
US7113320B2 (en) * 2003-02-06 2006-09-26 Evans & Sutherland Computer Corporation GLV based fiber optic transmitter
US7325929B2 (en) 2003-12-31 2008-02-05 Symbol Technologies, Inc. Method and apparatus for controllably modulating a laser in a laser projection display
US7447397B1 (en) 2004-06-14 2008-11-04 Dynamic Method Enterprises Limited Optical switch matrix
US7177494B1 (en) 2005-01-14 2007-02-13 St. Clair Intellectual Property Consultants, Inc. Optical control device and method
US7760979B2 (en) * 2005-02-17 2010-07-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. System and method for low loss waveguide bends
US7382522B2 (en) * 2005-04-29 2008-06-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Grooved substrate
GB2430271A (en) * 2005-09-16 2007-03-21 Univ Surrey Optoelectronic device
TW200735458A (en) * 2006-03-14 2007-09-16 Mitac Technology Corp Built-in antenna structure
US7564419B1 (en) 2006-04-14 2009-07-21 Lockheed Martin Corporation Wideband composite polarizer and antenna system
EP2104930A2 (en) 2006-12-12 2009-09-30 Evans & Sutherland Computer Corporation System and method for aligning rgb light in a single modulator projector
US8400703B2 (en) * 2007-06-19 2013-03-19 Nec Corporation Optical switch
US7974505B2 (en) 2007-10-17 2011-07-05 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Method for fabricating selectively coupled optical waveguides on a substrate
JP4908387B2 (ja) * 2007-12-04 2012-04-04 日本電信電話株式会社 光変調器
US8358317B2 (en) 2008-05-23 2013-01-22 Evans & Sutherland Computer Corporation System and method for displaying a planar image on a curved surface
US8702248B1 (en) 2008-06-11 2014-04-22 Evans & Sutherland Computer Corporation Projection method for reducing interpixel gaps on a viewing surface
US7656571B1 (en) 2008-07-31 2010-02-02 Eastman Kodak Company Balanced light valve
US8077378B1 (en) 2008-11-12 2011-12-13 Evans & Sutherland Computer Corporation Calibration system and method for light modulation device
US8023170B1 (en) * 2010-03-24 2011-09-20 Eastman Kodak Company Total internal reflection modulator
US8111444B2 (en) * 2010-03-24 2012-02-07 Eastman Kodak Company Total internal reflection light valve
JP5722657B2 (ja) * 2011-02-17 2015-05-27 日本電信電話株式会社 空間光位相変調器
US9641826B1 (en) 2011-10-06 2017-05-02 Evans & Sutherland Computer Corporation System and method for displaying distant 3-D stereo on a dome surface
TWI450004B (zh) * 2011-10-26 2014-08-21 Benq Materials Corp 圖案化相位延遲膜及其製造方法
KR101342805B1 (ko) * 2011-11-11 2013-12-18 한국과학기술원 도파로를 이용한 광변조기
US9529158B2 (en) * 2014-02-18 2016-12-27 The George Washington University Silicon-based, broadband, waveguide-integrated electro-optical switch
JP6998395B2 (ja) 2017-12-05 2022-01-18 浜松ホトニクス株式会社 反射型空間光変調器、光観察装置及び光照射装置
US11391970B2 (en) * 2017-12-05 2022-07-19 Hamamatsu Photonics K.K. Reflective spatial light modulator, optical observation device, and light irradiation device
JP7226993B2 (ja) * 2018-12-28 2023-02-21 浜松ホトニクス株式会社 光変調器及びその製造方法
CN110989216B (zh) * 2019-12-30 2021-05-25 北京邮电大学 一种新型石墨烯光调制器结构设计

Family Cites Families (125)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3458247A (en) 1965-12-17 1969-07-29 Gen Telephone & Elect Electro-optic prism beam deflection apparatus
US3497286A (en) 1966-11-23 1970-02-24 Bell Telephone Labor Inc Variable reflectance display device
US3584223A (en) 1969-02-24 1971-06-08 Itek Corp Optical readout of electric fields by detecting reflected and/or refracted radiation which is incident within the range of variation of the critical angle
US3873187A (en) * 1973-10-29 1975-03-25 Trw Inc Light modulator array and method of making it
US3958862A (en) 1974-06-14 1976-05-25 Scibor Rylski Marek Tadeusz Vi Electro-optical modulator
DE2442723A1 (de) 1974-09-06 1976-03-18 Siemens Ag Steuerbarer elektrooptischer gitterkoppler
DE2443038C2 (de) 1974-09-09 1984-01-12 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektrooptischer Schalter und Modulator für sich kreuzende oder verzweigende optische Wellenleiter
GB1557484A (en) 1976-07-09 1979-12-12 Xerox Corp Electro optic modulator deflector
US4125318A (en) 1976-07-30 1978-11-14 Xerox Corporation TIR modulator
US4181399A (en) 1978-01-03 1980-01-01 Sperry Rand Corporation Optical internal reflectance switchable coupler
US4201442A (en) 1978-10-02 1980-05-06 Sperry Corporation Liquid crystal switching coupler matrix
US4283113A (en) 1979-03-23 1981-08-11 Eden Dayton D Optical modulation with vanadium oxide thin films
US4281904A (en) 1979-06-21 1981-08-04 Xerox Corporation TIR Electro-optic modulator with individually addressed electrodes
US4278327A (en) 1979-11-26 1981-07-14 Sperry Corporation Liquid crystal matrices
US4563059A (en) 1983-01-10 1986-01-07 Clark Noel A Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices
US4385799A (en) 1980-06-26 1983-05-31 Sperry Corporation Dual array fiber liquid crystal optical switches
US4396252A (en) 1980-09-17 1983-08-02 Xerox Corporation Proximity coupled electro-optic devices
US4367946A (en) 1981-01-29 1983-01-11 Eastman Kodak Company Light valve imaging apparatus having improved optical configuration
US4406521A (en) 1981-01-29 1983-09-27 Eastman Kodak Company Light valve imaging apparatus having improved addressing electrode structure
US4645293A (en) 1981-03-25 1987-02-24 Taizo Yoshida Optical waveguide coupler having a grating electrode
US4560994A (en) 1981-10-08 1985-12-24 Xerox Corporation Two dimensional electro-optic modulator for printing
US4410823A (en) 1981-11-13 1983-10-18 Zenith Radio Corporation Surface acoustic wave device employing reflectors
US4669831A (en) 1982-11-05 1987-06-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Total internal reflection modulator/deflector
JPS5987436A (ja) 1982-11-11 1984-05-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光バルブ
US4451123A (en) * 1982-12-20 1984-05-29 Gte Laboratories Incorporated High frequency light modulation device
US4739520A (en) 1983-09-14 1988-04-19 The Ohio State University Optical switching system
US4514739A (en) 1983-11-02 1985-04-30 Xerox Corporation Cross scan beam positioner for multiple channel laser ROS
EP0161683B1 (en) 1984-05-17 1993-08-11 Nec Corporation Optical switch circuit
GB8423430D0 (en) 1984-09-17 1984-10-24 British Telecomm Optical switching means
JPS61118724A (ja) * 1984-11-14 1986-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光シヤツタ−アレイ素子
US4585301A (en) 1985-04-23 1986-04-29 Utah State Universtiy Foundation Optically actuated optical switch apparatus and methods
JPS6285219A (ja) * 1985-10-03 1987-04-18 Fuji Photo Film Co Ltd 光シヤツタアレイ
US4746942A (en) 1985-11-23 1988-05-24 Michel Moulin Photocomposing machine and method
GB2186990B (en) 1985-12-24 1990-03-21 Herzl Laor Integrated optic switch
US4728167A (en) 1986-02-24 1988-03-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force. Electrically controlled integrated optical switch
US4693547A (en) 1986-02-24 1987-09-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Optically controlled integrated optical switch
NL8600782A (nl) 1986-03-26 1987-10-16 Nederlanden Staat Elektro-optisch geinduceerde optische golfgeleider, en actieve inrichtingen waarvan zulk een golfgeleider deel uitmaakt.
JPS62267719A (ja) * 1986-05-15 1987-11-20 Nec Corp 光シヤツタアレイ
GB2191014B (en) 1986-05-28 1990-07-04 Plessey Co Plc Spatial light modulator
JPS6319621A (ja) 1986-07-11 1988-01-27 Shojiro Kawakami 光スイツチ
US4887104A (en) * 1986-11-19 1989-12-12 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Electrooptical light shutter device and printer apparatus using same
JPS63197195A (ja) 1987-02-10 1988-08-16 Nec Corp 光マトリクススイツチ
GB8704016D0 (en) 1987-02-20 1987-04-15 British Telecomm Optical space switch
JP2582066B2 (ja) 1987-03-19 1997-02-19 株式会社日立製作所 光機能性デバイス
US4842368A (en) 1987-08-17 1989-06-27 American Telephone And Telegraph Company N×N single-mode optical waveguide coupler
US4802741A (en) * 1987-10-09 1989-02-07 Eastman Kodak Company In-depth electrode light valve array devices and improved fabrication method therefor
US4813771A (en) 1987-10-15 1989-03-21 Displaytech Incorporated Electro-optic switching devices using ferroelectric liquid crystals
JP2590988B2 (ja) * 1987-12-11 1997-03-19 ミノルタ株式会社 光シャッタアレイ
US4919522A (en) 1988-02-25 1990-04-24 Geo-Centers, Inc. Optical switch having birefringent element
NL8801377A (nl) 1988-05-30 1989-12-18 Nederland Ptt Electro-optische component en een methode ten behoeve van de vervaardiging ervan.
US5006285A (en) 1988-07-28 1991-04-09 Lockheed Missiles & Space Company, Inc. Electro-optic channel waveguide
US4865406A (en) 1988-11-09 1989-09-12 Hoechst Celanese Corp. Frequency doubling polymeric waveguide
US4993811A (en) * 1988-12-08 1991-02-19 Eastman Kodak Company Ridge array light valve device
US5103492A (en) 1989-01-03 1992-04-07 Lockheed Missiles & Space Company, Inc. Electro-optic channel switch
EP0478548B1 (en) 1989-02-01 1998-03-18 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method of controlling regions of ferroelectric polarization domains in solid state bodies
US5033814A (en) 1989-04-10 1991-07-23 Nilford Laboratories, Inc. Line light source
US4991924A (en) 1989-05-19 1991-02-12 Cornell Research Foundation, Inc. Optical switches using cholesteric or chiral nematic liquid crystals and method of using same
GB2231989B (en) 1989-05-24 1993-10-06 Stc Plc Neural networks
US4973121A (en) 1989-08-09 1990-11-27 Eastman Kodak Company Scanner
US5031978A (en) * 1989-08-18 1991-07-16 Ricoh Company, Ltd. Recording optical system
US5078478A (en) * 1990-05-14 1992-01-07 Radiant Technologies, Inc. Light actuated optical switching device
GB9012162D0 (en) * 1990-05-31 1990-07-18 Kodak Ltd Optical article for reflection modulation
US5090824A (en) 1990-07-31 1992-02-25 Geo-Centers, Inc. Fast optical switch having reduced light loss
US5182665A (en) 1990-09-07 1993-01-26 Displaytech, Inc. Diffractive light modulator
US5061028A (en) 1990-10-23 1991-10-29 Hoechst Celanese Corporation Polymeric waveguides with bidirectional poling for radiation phase-matching
US5040864A (en) 1990-11-13 1991-08-20 Rockwell International Corporation Optical crosspoint switch module
US5337183A (en) * 1991-02-01 1994-08-09 Yeda Research And Development Co. Ltd. Distributed resonant cavity light beam modulator
JPH055922A (ja) * 1991-06-26 1993-01-14 Ricoh Co Ltd 平板型光学素子を集積した光集積光学系及びその製法
US5153770A (en) 1991-06-27 1992-10-06 Xerox Corporation Total internal reflection electro-optic modulator
US5369718A (en) 1991-10-15 1994-11-29 The Furukawa Electric Co., Ltd. Total internal reflection-type optical waveguide switch
FR2683054B1 (fr) 1991-10-25 1993-12-03 Commissariat A Energie Atomique Modulateur electrooptique integre et procede de fabrication de ce modulateur.
US5221989A (en) * 1991-11-13 1993-06-22 Northrop Corporation Longitudinal plzt spatial light modulator
FR2684772B1 (fr) 1991-12-10 1994-08-26 Thomson Csf Reseau d'indice optique commandable electriquement.
US5189548A (en) 1991-12-31 1993-02-23 Xerox Corporation Electrooptic TIR light modulator image bar having multiple electrodes per pixel
JPH05188337A (ja) 1992-01-09 1993-07-30 Minolta Camera Co Ltd 光シャッタアレイ
US5260719A (en) * 1992-01-24 1993-11-09 Polaroid Corporation Laminar electrooptic assembly for modulator and printer
US5305136A (en) 1992-03-31 1994-04-19 Geo-Centers, Inc. Optically bidirectional fast optical switch having reduced light loss
US5267336A (en) 1992-05-04 1993-11-30 Srico, Inc. Electro-optical sensor for detecting electric fields
US5274246A (en) 1992-05-04 1993-12-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Optical modulation and switching with enhanced third order nonlinearity multiple quantum well effects
US5347377A (en) 1992-06-17 1994-09-13 Eastman Kodak Company Planar waveguide liquid crystal variable retarder
US5255332A (en) 1992-07-16 1993-10-19 Sdl, Inc. NxN Optical crossbar switch matrix
US5278924A (en) 1993-02-04 1994-01-11 Hughes Aircraft Company Periodic domain reversal electro-optic modulator
JPH06350050A (ja) * 1993-06-08 1994-12-22 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子の電荷蓄積部の誘電体絶縁膜の形成方法
JPH0720499A (ja) * 1993-07-05 1995-01-24 Seiko Epson Corp 非線形素子およびその製造方法と非線形素子を備えた電気光学装置用素子基板並びに電気光学装置
US5570180A (en) * 1993-08-27 1996-10-29 Minolta Co., Ltd. Spectrometer provided with an optical shutter
US5367584A (en) 1993-10-27 1994-11-22 General Electric Company Integrated microelectromechanical polymeric photonic switching arrays
US5367585A (en) 1993-10-27 1994-11-22 General Electric Company Integrated microelectromechanical polymeric photonic switch
US5412743A (en) 1993-12-06 1995-05-02 Eastman Kodak Company Method and apparatus for amplitude modulation of a laser beam
US5528414A (en) 1994-05-05 1996-06-18 Lots Technology Two dimensional electro-optic modulator array
US5519802A (en) 1994-05-09 1996-05-21 Deacon Research Method for making devices having a pattern poled structure and pattern poled structure devices
US5444801A (en) 1994-05-27 1995-08-22 Laughlin; Richard H. Apparatus for switching optical signals and method of operation
TW265419B (zh) 1994-06-07 1995-12-11 Philips Electronics Nv
US5521748A (en) 1994-06-16 1996-05-28 Eastman Kodak Company Light modulator with a laser or laser array for exposing image data
US5504772A (en) 1994-09-09 1996-04-02 Deacon Research Laser with electrically-controlled grating reflector
US5586206A (en) 1994-09-09 1996-12-17 Deacon Research Optical power splitter with electrically-controlled switching structures
US5835458A (en) 1994-09-09 1998-11-10 Gemfire Corporation Solid state optical data reader using an electric field for routing control
US5703710A (en) 1994-09-09 1997-12-30 Deacon Research Method for manipulating optical energy using poled structure
US5630004A (en) 1994-09-09 1997-05-13 Deacon Research Controllable beam director using poled structure
US5544268A (en) 1994-09-09 1996-08-06 Deacon Research Display panel with electrically-controlled waveguide-routing
US5581642A (en) 1994-09-09 1996-12-03 Deacon Research Optical frequency channel selection filter with electronically-controlled grating structures
US5647036A (en) 1994-09-09 1997-07-08 Deacon Research Projection display with electrically-controlled waveguide routing
EP0783724B1 (en) 1994-09-30 2000-03-22 Cambridge University Technical Services Limited Optical switch
US5581643A (en) 1994-12-08 1996-12-03 Northern Telecom Limited Optical waveguide cross-point switch
WO1998007279A1 (en) 1996-08-12 1998-02-19 National Research Council Of Canada High efficiency projection displays having thin film polarizing beam-splitters
US5555327A (en) 1995-06-07 1996-09-10 Laughlin; Richard H. Frustrated total internal reflection device
JPH09159980A (ja) 1995-09-05 1997-06-20 Eastman Kodak Co 両面型電子光学変調アレイ
US5870159A (en) 1995-10-30 1999-02-09 Kaj Switchable achromatic polarization rotator
US5978125A (en) 1995-11-30 1999-11-02 Yao; X. Steve Compact programmable photonic variable delay devices
US5909303A (en) * 1996-01-04 1999-06-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Optical modulator and optical modulator array
US5699462A (en) 1996-06-14 1997-12-16 Hewlett-Packard Company Total internal reflection optical switches employing thermal activation
US5734763A (en) 1996-09-04 1998-03-31 Hewlett-Packard Company Compact two-by-n optical components based on bierfringent walk-off crystals
JP2001504945A (ja) 1996-09-06 2001-04-10 オプティカル スイッチ コーポレイション 減衰内部全反射装置
US6327019B1 (en) 1997-02-07 2001-12-04 Tellium, Inc. Dual liquid-crystal wavelength-selective optical switch
US6144779A (en) 1997-03-11 2000-11-07 Lightwave Microsystems Corporation Optical interconnects with hybrid construction
US5970186A (en) 1997-03-11 1999-10-19 Lightwave Microsystems Corporation Hybrid digital electro-optic switch
US6022671A (en) 1997-03-11 2000-02-08 Lightwave Microsystems Corporation Method of making optical interconnects with hybrid construction
IL121138A (en) 1997-06-23 2001-11-25 Chiaro Networks Ltd An integrated device for optical components for beam deflection
US5862276A (en) 1997-07-28 1999-01-19 Lockheed Martin Corp. Planar microphotonic circuits
AU8489498A (en) 1997-09-04 1999-03-22 U.S.A. Kaifa Technology, Inc. Multiport non-reciprocal optical device
US6310712B1 (en) 1997-10-29 2001-10-30 Teloptics Corporation Discrete element light modulating microstructure devices
KR100249788B1 (ko) 1997-11-17 2000-03-15 정선종 피아이엔 다이오드를 이용한 광-유기 전기-광학 오실레이터
US6057955A (en) 1997-12-08 2000-05-02 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optical modulator and drive method thereof
US6111633A (en) 1998-02-12 2000-08-29 Spectraswitch, Inc. Polarization independent optical switching device
US5966493A (en) 1998-02-20 1999-10-12 Molecular Optoelectronics Corporation Fiber optic attenuators and attenuation systems
JP2000028978A (ja) 1998-07-15 2000-01-28 Minolta Co Ltd 光シャッタ装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100353214C (zh) * 2005-06-06 2007-12-05 浙江大学 共面电极型压电陶瓷材料光圆偏振调制器
CN101881883A (zh) * 2010-06-04 2010-11-10 中国科学院上海光学精密机械研究所 集成模块化电光控制激光光束扫描器
CN103534635A (zh) * 2011-01-26 2014-01-22 马克·亚历山大·布夫罗 基于巨电光系数材料且结构精细的块体电光元件及其制造方法
CN103534635B (zh) * 2011-01-26 2016-08-31 马克·亚历山大·布夫罗 基于巨电光系数材料且结构精细的块体电光元件及其制造方法
CN103149707A (zh) * 2013-02-25 2013-06-12 京东方科技集团股份有限公司 相位延迟装置及其驱动方法、显示装置
WO2014127556A1 (zh) * 2013-02-25 2014-08-28 京东方科技集团股份有限公司 相位延迟装置及其驱动方法和显示装置
CN103149707B (zh) * 2013-02-25 2016-05-18 京东方科技集团股份有限公司 相位延迟装置及其驱动方法、显示装置
CN112867962A (zh) * 2018-09-11 2021-05-28 恩耐公司 电光调制器及其用于三维成像的使用和制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20010004294A1 (en) 2001-06-21
US6288822B2 (en) 2001-09-11
US6614574B2 (en) 2003-09-02
CA2307880A1 (en) 1999-05-06
US6381060B1 (en) 2002-04-30
BR9815201A (pt) 2000-11-14
JP2001521207A (ja) 2001-11-06
US20020118433A1 (en) 2002-08-29
US6297899B1 (en) 2001-10-02
US6310712B1 (en) 2001-10-30
AU1282699A (en) 1999-05-17
EP1032864A1 (en) 2000-09-06
IL135849A0 (en) 2001-05-20
US20020057482A1 (en) 2002-05-16
US20030151790A1 (en) 2003-08-14
KR20010031568A (ko) 2001-04-16
WO1999022266A1 (en) 1999-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1283282A (zh) 微结构的分立元调光器件
CN102053421B (zh) 液晶显示装置
CN101114055A (zh) 2d-3d可转换自动立体显示装置
CN107918233A (zh) 一种显示装置
CN102231020A (zh) 一种新型立体显示器系统
TW201307899A (zh) 顯示方法，顯示器裝置，電子系統，及照明單元
CN101802702A (zh) 光束定形设备
CN110471216A (zh) 显示装置和背光单元
CN109541838A (zh) 液晶显示模块及液晶显示装置
CN109239833B (zh) 背光单元和包括该背光单元的显示装置
CN206096710U (zh) 一种显示装置
US6356323B1 (en) Color display using cholesteric liquid crystals
KR20110045803A (ko) 액정표시장치
US6486996B1 (en) Discrete element light modulating microstructure devices
CN102681267A (zh) 显示器及其驱动方法,以及屏障装置及其制造方法
CN108020977A (zh) 显示装置及其显示方法
EP3853657A1 (en) Three-dimensional display apparatuses
KR20080014430A (ko) 전기 영동 표시 장치
US5835120A (en) Double-resolution optical system for electrophotographic printer
CN100343717C (zh) 带有自限制微型机械元件的双层介质反射空间光调制器
CN109239993A (zh) 一种用于光学相控阵扫描的液晶光开关
US6433362B1 (en) Semiconductor device with insulating and transparent original substrate
KR20160080977A (ko) 편광 제어 필름 및 이를 이용한 입체 표시 장치
JPH1020304A (ja) 反射型液晶表示装置
EP0104003A2 (en) Liquid crystal display

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication