CN1257313C - 腐蚀剂和具有用腐蚀剂蚀刻之铜线的阵列式基片 - Google Patents

腐蚀剂和具有用腐蚀剂蚀刻之铜线的阵列式基片 Download PDF

Info

Publication number
CN1257313C
CN1257313C CNB011444959A CN01144495A CN1257313C CN 1257313 C CN1257313 C CN 1257313C CN B011444959 A CNB011444959 A CN B011444959A CN 01144495 A CN01144495 A CN 01144495A CN 1257313 C CN1257313 C CN 1257313C
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
double
etching reagent
metal
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB011444959A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1417383A (zh
Inventor
曺奎哲
蔡基成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Philips LCD Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=19703341&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN1257313(C) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by LG Philips LCD Co Ltd filed Critical LG Philips LCD Co Ltd
Publication of CN1417383A publication Critical patent/CN1417383A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1257313C publication Critical patent/CN1257313C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
    • H01L29/458—Ohmic electrodes on silicon for thin film silicon, e.g. source or drain electrode

Abstract

一种腐蚀剂包括：过氧化氢(H2O2)、过氧化氢稳定剂和包含有机酸、无机酸以及中性盐中至少一种物质的混合溶液。

Description

腐蚀剂和具有用腐蚀剂蚀刻之铜线的阵列式基片
本发明要求2000年12月20日在韩国申请的第2000-79355号韩国专利申请的权益。
发明领域
本发明涉及电子设备中使用的阵列式基片。更确切地说，本发明涉及一种腐蚀剂和适用于具有铜(Cu)线的液晶显示装置的蚀刻方法。
背景技术
电子设备中的金属线的主要作用是向电子元件提供信号。金属线有助于降低生产成本和增加电子设备的稳定性。因此，要求形成金属线的材料价格低、具有较低的电阻和较高的耐腐蚀性。
通常在液晶显示(LCD)装置中使用阵列式基片。阵列式基片的性能特征和运行特性部分取决于形成阵列式基片各元件的材料。例如，阵列式基片的栅极线和数据线对阵列式基片的性能特征和运行特性有明显影响。虽然在小尺寸LCD装置用于形成栅极线和数据线的材料电阻率比较小，但是大尺寸特别是超过18英寸的LCD装置中栅极线和数据线的电阻率则决定着图象质量。因此，在具有高分辨率的大LCD装置中，用于形成栅极线和数据线的材料包括铝(Al)或铝合金，这是因为这些材料的电阻较低。
然而，当进行酸性处理时，纯铝的化学性质较弱，而且可能在高温处理期间在栅极线和栅极的表面上形成蚀丘。此外，出现蚀丘会使栅极线和栅极上形成的栅极绝缘层产生异常生长。这样，栅极绝缘层可能遭到破坏，而且栅极和栅极绝缘层上形成的活性层之间可能产生电短路。因此，用纯铝制成的具有栅极线和栅极的薄膜晶体管(TFTs)不能充分起到开关装置的作用。
为了克服这些问题，采用诸如钕化铝(AlNd)等铝合金作为栅极线和栅极。此外，用多层铝结构作为栅极线和栅极。具体地说，将铝(Al)层与具有高耐蚀性和耐久性的钼(Mo)层叠在一起。然而，如果用多层铝结构作为栅极线，则需要有其它制造工艺。因此，建议用价格低且具有低电阻的铜(Cu)作为栅极线，由此可减少制造工艺的总数量。
图1是示意性局部平面图，其表示按照已有技术所述用于液晶显示装置中的阵列式基片，图2是沿图1中的II-II剖切的剖面图。在图1和图2中，阵列式基片10包括象素区“P”，象素区内设有相应的薄膜晶体管(TFT)“T”和象素电极42。栅极线13布置在横向上而数据线15布置在纵向上，从而每一对栅极线13和数据线15形成象素区“P”。TFT“T”包括栅极32、源极34、漏极36和半导体层38。TFT“T”的栅极32从栅极线13延出，而TFT“T”的源极34从数据线15延出。基片10上形成的栅极绝缘层24盖住栅极32和栅极线13。漏极36与源极34彼此隔开，而且在栅极绝缘层24上具体地说是在栅极32上方设置半导体层38。半导体层38分成活性层38a，和欧姆接触层38b。活性层38a用纯非晶硅制作，而欧姆接触层38b用含杂质的非晶硅制作。由于欧姆接触层38b附着在源极34和漏极36上，所以欧姆接触层38b降低了活性层38a、源极34和漏极36之间的接触电阻。源极34和漏极36分别与栅极32的相对端部交叠。在基片10的整个表面上设置钝化层39以便保护TFT“T”和数据线15。钝化层39上具有处在漏极36上方的漏极接触孔40，其使得一部分象素电极42交叠在一部分漏极36上，并通过漏极接触孔40与漏极36电性接触。
在图1和图2所述活性阵列式液晶显示(AM-LCD)装置的结构和布局中，通常用铝(Al)作为栅极线13以减少RC滞后。
图3是图表，其表示按照已有技术所述电子设备中作为布线使用的金属的特征。在图3所示的金属材料中，用铝(Al)或铬(Cr)作为传统阵列式基片中的金属线。然而，虽然铝(Al)的电阻较低而且具有优良的粘接强度，但是铝在暴露于热和酸的条件下易受到损害。因此，建议用具有低电阻且价格低的铜(Cu)作为阵列式基片中的金属线。
在用铜(Cu)形成栅极线时，通常用过硫酸铵((NH4)2S2O8)作为腐蚀剂来腐蚀铜层以形成Cu栅极线。然而，用铜(Cu)形成数据线时存在一些问题。首先，当用铜(Cu)形成数据线时，源极和漏极也要用铜(Cu)制作。但是，相应的半导体层的硅元件与源极和漏极的Cu元件相互反应，从而在Cu制源极和漏极以及半导体硅层之间形成中间层。中间层对相应的薄膜晶体管(TFT)的电特性有负面影响。
其次，如果在Cu层和半导体层之间设置钛(Ti)或钼(Mo)等其它金属来克服上述问题，则腐蚀剂必须同时腐蚀两个金属层(Cu-Ti或Cu-Mo)。为了腐蚀双层金属层(Cu-Ti或Cu-Mo)，广泛公知的是，通常用氟化氢(HF)或氧基腐蚀溶液作为腐蚀剂。然而，HF腐蚀剂不仅腐蚀双层金属层，而且还腐蚀玻璃基片和用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成的绝缘层。结果，HF腐蚀剂对绝缘层产生明显损害，进而危及由绝缘层保护的栅极线和栅极的性能特征。因此，用铜(Cu)制作数据线、源极和漏极是十分困难的。
发明概述
因此，本发明在于提供一种腐蚀剂和具有铜线的阵列式基片，所述铜线是用腐蚀剂蚀刻而成的，本发明基本上消除了因已有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的目的是提供一种同时蚀刻双层金属层的腐蚀剂。
本发明的另一个目的是提供一种形成带有铜线的阵列式基片和电极的方法。
本发明的其它特征和优点将体现在以下的描述中，这些特征和优点的一部分将能从说明中明显得出，或是通过本发明的实践而悟出。通过书面说明及其权利要求以及所附附图中特别指出的结构将能实现和达到本发明的目的和其它优点。
正如以上概括和广义描述的那样，为了实现这些和其它优点并按照本发明的目的，腐蚀剂和带有用腐蚀剂蚀刻之铜线的阵列式基片包括含有过氧化氢(H2O2)的腐蚀剂，过氧化氢稳定剂和包含有机酸、无机酸以及中性盐中至少一种的混合溶液。
另一方面，在薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)装置中使用的形成阵列式基片的方法包括在基片上形成第一金属层，在第一金属层上形成图形以便得到栅极线和从栅极线延出的栅极，在基片上形成栅极绝缘层以便盖住已构成图形的第一金属层，在栅极绝缘层上并在栅极的上方形成活性层，在活性层上形成欧姆接触层，在栅极绝缘层上形成第二金属层以盖住欧姆接触层和活性层，在第二金属层上形成第三金属层，用腐蚀剂同时在第二金属层和第三金属层上构成图形以便形成双层数据线，双层源极和双层漏极，所述腐蚀剂包括过氧化氢(H2O2)，H2O2稳定剂，和有机酸、无机酸以及中性盐中的至少一种，并形成与双层漏极接触的象素电极。
显然，上述一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且意在对本发明所要求的权利作进一步说明。
附图简述
本说明书中所包含的有助于进一步理解本发明和与说明书相结合并作为说明书一部分的附图用于解释本发明并与说明书一起解释本发明的原理。附图中：
图1是示意性局部平面图，其表示已有技术的液晶显示装置使用的阵列式基片；
图2是取自图1所示已有技术中II-II处的剖面图；
图3是表示金属特性的表格，所述金属在已有技术中作为电子设备中的导线使用；
图4是曲线图，其表示按照本发明所述铜层的蚀刻时间和过氧化氢(H2O2)与硫酸(H2SO4)的摩尔比之间的示例性关系；
图5是曲线图，其表示按照本发明所述蚀刻速率和过氧化氢(H2O2)浓度之间的另一种示例性关系；和
图6A-6C是取自图1中VI-VI处的剖面图，其表示按照本发明所述的示例性制造工艺。
优选实施例的详细描述
下面将详细说明本发明的优选实施例，这些实施例的实例示于附图中。在附图中将尽可能地用同样的参考标记表示类似的部件。
在本发明中，例如可以用铜-钼双层结构制成阵列式基片的数据线以及薄膜晶体管的源极和漏极。此外，按照本发明，可以用下面将要说明的腐蚀剂来腐蚀Cu-Mo双层结构。
在本发明中，腐蚀剂可以是过氧化氢(H2O2)、H2O2稳定剂、和有机酸、无机酸以及中性盐中一种物质的混合溶液，该腐蚀剂可以同时腐蚀Cu-Mo双层结构。腐蚀剂中的Mo和H2O2的反应机理如下：
         ……………………………(1)
如式(1)的结果所示，可以产生MoO3。然而，由于MoO3在水(H2O)中容易溶解，所以产生MoO3不会出现问题。因此，可以完成Mo层的腐蚀。此外，也可以仅用过氧化氢(H2O2)腐蚀Mo层。
而腐蚀剂中Cu和H2O2的反应机理可以用下式表示：
            ……………………………(2)
在式(2)中，虽然可以产生铜的化合物CuO，但是反应产物(即，氧化铜(CuO))可以与包含在腐蚀剂中的有机酸、无机酸或中性盐的阴离子发生反应。因此，按照本发明，可以通过腐蚀剂形成铜的化合物CuO和H2O。此外，可以产生氧化金属或金属离子。
为了腐蚀Cu层，需要H2O2和有机酸、无机酸以及中性盐中的一种物质。而且，当腐蚀金属层时，腐蚀剂需要H2O2稳定剂来防止H2O2的自分解。
在本发明中，包含乙酸(CH3COOH)等有机酸的第一腐蚀剂例如H2O2和H2O2稳定剂与铜(Cu)产生以下反应：
 ……(3)
此外，按照本发明，当腐蚀剂中包含无机酸时，第二腐蚀剂可以包含H2O2、H2O2稳定剂，和硫酸(H2SO4)、硝酸(HNO3)、盐酸(HCl)以及磷酸(H3PO4)中的一种。因此，第二腐蚀剂可以与铜(Cu)产生以下反应。
在第二腐蚀剂包含硫酸(H2SO4)的情况下：
    …………(4)
在第二腐蚀剂包含硝酸(HNO3)的情况下：
        …………(5)
在第二腐蚀剂包含盐酸(HCl)的情况下：
           …………(6)
在第二腐蚀剂包含磷酸(H3PO4)的情况下：
  …………(7)
此外，按照本发明，当腐蚀剂中包含中性盐时，第三腐蚀剂可以包括H2O2、H2O2稳定剂，和氯化钾(KCl)、氯化钠(NaCl)、硫酸氢钾(KHSO4)、以及偏高碘酸钾(KIO4)中的一种。因此，具有例如硫酸氢钾(KHSO4)的第三腐蚀剂与铜(Cu)产生用下式表示的反应：
    …………(8)
如上所述，按照本发明的腐蚀剂根据它们各自的成分可以分成第一、第二和第三腐蚀剂。因此，本发明的腐蚀剂可以包括有机酸、无机酸和中性盐中的至少一种。此外，当腐蚀剂包括无机酸时，可以将两种或三种无机酸与腐蚀剂混合。当腐蚀剂中包含中性盐时，可以将两种或三种中性盐与腐蚀剂混合。
图4是曲线图，其表示按照本发明所述铜(Cu)层的蚀刻时间和过氧化氢(H2O2)与硫酸(H2SO4)的摩尔比之间的示例性关系，图5是表示蚀刻速率和过氧化氢(H2O2)浓度之间的另一种示例性关系的曲线图。
在图4中，Cu层的厚度约为1,000埃(Δ)而硫酸(H2SO4)的重量百分比约为5％(重量)。如图4所示，随着过氧化氢(H2O2)摩尔量的增加，Cu层的蚀刻时间也增加。具体地说，随着腐蚀剂中过氧化氢(H2O2)摩尔量的增加，氧化铜(CuO)的产量也增加。因此，需要花费更长的时间使氧化铜(CuO)与硫酸(H2SO4)反应。
在图5中，随着过氧化氢(H2O2)浓度的增加，钼的蚀刻速率也增加。然而，在H2O2达到一定浓度之后，Mo的蚀刻速率变成连续增加。因此，当将过氧化氢(H2O2)的量控制在一定值时可以对Cu层和Mo层进行同时蚀刻。另外，由于氧化钼(MoO3)溶解在水(H2O)中，所以即使是将有机酸、无机酸和中性盐加到腐蚀剂中，蚀刻速率也不会改变。此外，在其它具有Cu层的电子设备中也可以采用这种腐蚀剂和使用腐蚀剂的方法。
图6A-6C是沿图1中的VI-VI剖切的剖面图，其表示本发明的示例性生产工艺。
在图6A中，将第一金属层置于基片100上，接着完成构图以形成多条栅极线(图1中的13)和多个栅极132。第一金属层可以包括铝(Al)、钕化铝(AlNd)等铝合金、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)或铜(Cu)。可以将多条栅极线布置在横向上，而使每个栅极132从基片100上的每条栅极线上延出。此后，在基片100的表面上形成栅极绝缘层124以盖住形成构图的第一金属层。栅极绝缘层124可以包括例如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)等无机材料，或是例如苯并环丁烯(BCB)或丙烯酰基树脂等有机材料。在基片100上形成盖住构成图形的第一金属层的栅极绝缘层124之后，在栅极绝缘层124上尤其是在栅极132上方依次形成包含纯非晶硅(a-Si:H)的活性层138a和包含带添加剂的非晶硅(n+a-Si:H)的欧姆接触层138b。因此，半导体层138包括活性层138a和欧姆接触层138b。活性层138a在薄膜晶体管起动时起活性沟道的作用。欧姆接触层138b可以减小活性层138a和后序步骤中形成的电极之间的接触电阻。
在图6B中，在栅极绝缘层124的整个表面上形成第二金属层，由此盖住活性层138a和欧姆接触层138b。然后，在第二金属层上顺序形成第三金属层。第二金属层可以由例如钼(Mo)构成，而第三金属层可以由例如铜(Cu)或铜合金构成。第二金属层可以防止第三金属层与半导体层138的硅成分产生化学反应。如果第三金属层与半导体138产生反应，将会在第三金属层和半导体层之间形成中间层，由此将会使薄膜晶体管的工作特性变坏。
此外在图6B中，可以用上述腐蚀剂对第二和第三金属层进行同时构图。具体地说，在将H2O2、H2O2稳定剂，和有机酸、无机酸以及中性盐中的一种合成后，腐蚀剂对双金属层(Mo-Cu层)同时进行蚀刻和构成图形以形成双层数据线115、双层源极134和双层漏极130。可以将双层数据线115布置得垂直于栅极线(图1中的13)从而形成带有双层数据线115的象素区“P”(图1)。双层源极134可以从双层数据线115上延出，而且双层漏极136可以与双层源极134彼此分开。双层源极134和双层漏极136可以分别与栅极132的相对端部交叠。此外，设置在活性层138a上的一部分欧姆接触层138b可以用源极134和漏极136作为掩膜进行蚀刻，由此在源极134和漏极136之间的活性层138b内形成沟道区。
在图6C中，在TFT“T”和栅极绝缘层124上形成钝化层139。钝化层139可以包括例如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)等无机材料，或是例如苯并环丁烯(BCB)或丙烯酰基树脂等有机材料。随后，可以在钝化层139上进行构图以形成漏极接触孔140从而露出一部分双层漏极136。接着，在已构图的钝化层139上设置透明导电材料。透明导电材料可以包括例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。然后，在象素区“P”对透明导电材料进行构图以形成象素电极142。一部分象素电极142可以通过漏极接触孔140与一部分漏极136交叠并与漏极136电性接触。尽管上述方法中仅用Mo-Cu层作为数据线、源极和漏极，但是也可以在栅极线和栅极中采用Mo-Cu层。
对于本领域的普通技术人员来说很显然，在不脱离本发明构思或范围的情况下可以对腐蚀剂和带有用腐蚀剂蚀刻之铜线的阵列式基片作出各种改进和变型。因此，本发明的意图在于覆盖在后附权利要求及其等同物所能包容的范围内对本发明作出的改进和变型。

Claims (16)

1.一种腐蚀剂，包括：
过氧化氢；
过氧化氢稳定剂；和
包含有机酸、无机酸以及中性盐中至少一种物质的混合溶液。
2.如权利要求1所述的腐蚀剂，其中腐蚀剂能腐蚀包含铜层和钼层的双层金属层。
3.如权利要求1所述的腐蚀剂，其中腐蚀剂能腐蚀包含铜合金层和钼层的双层金属层。
4.如权利要求1所述的腐蚀剂，其中有机酸包括乙酸。
5.如权利要求1所述的腐蚀剂，其中从包括硫酸、硝酸、盐酸和磷酸的一组物质中选择无机酸。
6.如权利要求1所述的腐蚀剂，其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。
7.制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层；
在第二金属层上形成第三金属层；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂，和有机酸、无机酸以及中性盐中至少一种的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极。
8.如权利要求7所述的方法，其中第一金属由铜构成。
9.如权利要求7所述的方法，其中第二金属由钼构成。
10.如权利要求7所述的方法，其中第三金属由铜构成。
11.如权利要求7所述的方法，其中第三金属由铜合金构成。
12.如权利要求7所述的方法，其中双层数据线、双层源极和双层漏极由铜层和钼层构成。
13.如权利要求7所述的方法，其中双层数据线、双层源极和双层漏极由铜合金层和钼层构成。
14.如权利要求7所述的方法，其中有机酸包括乙酸。
15.如权利要求7所述的方法，其中从包括硫酸、硝酸、盐酸和磷酸的一组物质中选择无机酸。
16.如权利要求7所述的方法，其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。
CNB011444959A 2000-12-20 2001-12-19 腐蚀剂和具有用腐蚀剂蚀刻之铜线的阵列式基片 Expired - Lifetime CN1257313C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR200079355 2000-12-20
KRP200079355 2000-12-20
KR10-2000-0079355A KR100379824B1 (ko) 2000-12-20 2000-12-20 식각용액 및 식각용액으로 패턴된 구리배선을 가지는전자기기용 어레이기판

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1417383A CN1417383A (zh) 2003-05-14
CN1257313C true CN1257313C (zh) 2006-05-24

Family

ID=19703341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011444959A Expired - Lifetime CN1257313C (zh) 2000-12-20 2001-12-19 腐蚀剂和具有用腐蚀剂蚀刻之铜线的阵列式基片

Country Status (6)

Country Link
US (3) US6780784B2 (zh)
JP (1) JP4282927B2 (zh)
KR (1) KR100379824B1 (zh)
CN (1) CN1257313C (zh)
DE (1) DE10162576B4 (zh)
GB (1) GB2370251B (zh)

Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002266087A (ja) * 2001-03-07 2002-09-18 Hitachi Chem Co Ltd 銅のエッチング液およびそれを用いたプリント配線板の製造方法
KR100459271B1 (ko) * 2002-04-26 2004-12-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리 단일막 또는 구리 몰리브덴막의 식각용액 및 그식각방법
KR100853216B1 (ko) * 2002-06-25 2008-08-20 삼성전자주식회사 배선용 식각액, 이를 이용한 배선의 제조 방법, 그 배선을포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR100866976B1 (ko) * 2002-09-03 2008-11-05 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법
KR100883769B1 (ko) * 2002-11-08 2009-02-18 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR100536593B1 (ko) * 2002-12-05 2005-12-14 삼성전자주식회사 선택적인 막 제거를 위한 세정 용액 및 그 세정 용액을사용하여 실리사이드 공정에서 막을 선택적으로 제거하는방법
KR100505328B1 (ko) * 2002-12-12 2005-07-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법
KR100905053B1 (ko) * 2003-02-05 2009-06-30 엘지디스플레이 주식회사 구리배선을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR100905052B1 (ko) * 2003-02-26 2009-06-30 엘지디스플레이 주식회사 몰리브덴/구리 배선의 제조 방법
KR100971950B1 (ko) * 2003-06-30 2010-07-23 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법
KR100938885B1 (ko) * 2003-06-30 2010-01-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법
US7455787B2 (en) * 2003-08-01 2008-11-25 Sunpower Corporation Etching of solar cell materials
US7063800B2 (en) * 2003-11-10 2006-06-20 Ying Ding Methods of cleaning copper surfaces in the manufacture of printed circuit boards
KR100635065B1 (ko) * 2004-05-17 2006-10-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US7276453B2 (en) * 2004-08-10 2007-10-02 E.I. Du Pont De Nemours And Company Methods for forming an undercut region and electronic devices incorporating the same
KR101171175B1 (ko) * 2004-11-03 2012-08-06 삼성전자주식회사 도전체용 식각액 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법
US7166860B2 (en) * 2004-12-30 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device and process for forming same
KR101191405B1 (ko) 2005-07-13 2012-10-16 삼성디스플레이 주식회사 식각액 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법
KR20070017762A (ko) * 2005-08-08 2007-02-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 식각액 조성물, 이를 이용한 도전막의 패터닝 방법 및평판표시장치의 제조 방법
KR101152139B1 (ko) 2005-12-06 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치용 세정제 및 이를 사용하는 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법
SG133443A1 (en) * 2005-12-27 2007-07-30 3M Innovative Properties Co Etchant formulations and uses thereof
KR101266077B1 (ko) * 2006-05-08 2013-06-04 주식회사 동진쎄미켐 알루미늄, 몰리브덴, 인듐 틴 옥사이드를 식각하기 위한식각액
KR101347446B1 (ko) * 2006-05-25 2014-01-16 동우 화인켐 주식회사 금속배선 형성을 위한 저점도 식각용액
KR101473964B1 (ko) * 2006-05-29 2014-12-17 엘지디스플레이 주식회사 알루미늄, 몰리브덴, 인듐-틴-옥사이드를 식각하기 위한식각액
US20080041813A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-21 Atmel Corporation Methods and compositions for wet etching
US8012883B2 (en) * 2006-08-29 2011-09-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Stripping method
TWI378989B (en) * 2006-09-01 2012-12-11 Taiwan Tft Lcd Ass Etchant for patterning composite layer and method of fabricating thin film transistor using the same
CN101139713B (zh) * 2006-09-07 2010-06-09 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会 蚀刻液以及使用此蚀刻液的图案化导电层的制造方法
CN100466182C (zh) * 2007-01-04 2009-03-04 北京京东方光电科技有限公司 金属导线、电极及薄膜晶体管阵列基板的制造方法
TWI348766B (en) * 2007-10-04 2011-09-11 Taiwan Tft Lcd Ass Method of fabricating thin film transistor
KR101345171B1 (ko) * 2007-11-14 2013-12-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
TW200938660A (en) * 2007-11-22 2009-09-16 Idemitsu Kosan Co Etching solution composition
KR101294694B1 (ko) * 2007-12-04 2013-08-08 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR101495683B1 (ko) * 2008-09-26 2015-02-26 솔브레인 주식회사 액정표시장치의 구리 및 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄합금 전극용 식각조성물
JP2009041112A (ja) * 2008-10-16 2009-02-26 Hitachi Chem Co Ltd 銅のエッチング液およびそれを用いたプリント配線板の製造方法
WO2010073824A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 シャープ株式会社 表示パネル用の基板、及びそれを備えた表示パネル
JP5604056B2 (ja) * 2009-05-15 2014-10-08 関東化学株式会社 銅含有積層膜用エッチング液
CN102471688A (zh) * 2009-08-13 2012-05-23 东友Fine-Chem股份有限公司 用于形成铜互连的蚀刻组合物
US8980121B2 (en) 2010-01-28 2015-03-17 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Etching liquid for a copper/titanium multilayer thin film
CN102762770B (zh) * 2010-02-15 2014-07-16 三菱瓦斯化学株式会社 包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液
KR101913657B1 (ko) * 2010-02-26 2018-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
US8270178B2 (en) * 2010-03-22 2012-09-18 Au Optronics Corporation Active device array substrate
KR101825493B1 (ko) * 2010-04-20 2018-02-06 삼성디스플레이 주식회사 금속 배선용 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법
KR101749634B1 (ko) 2010-06-18 2017-06-21 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 구리층 및 몰리브덴층을 포함하는 다층 구조막용 에칭액
TWI416498B (zh) 2010-12-30 2013-11-21 Au Optronics Corp 液晶顯示裝置與其驅動方法
JP5735811B2 (ja) 2011-01-25 2015-06-17 関東化学株式会社 銅を主成分とする金属薄膜のエッチング液組成物
CN102286288B (zh) * 2011-05-23 2014-06-11 江阴润玛电子材料股份有限公司 一种醋酸系ito蚀刻液和制备工艺
CN103717787B (zh) 2011-07-26 2016-08-24 三菱瓦斯化学株式会社 铜/钼系多层薄膜用蚀刻液
KR101776923B1 (ko) 2011-08-05 2017-09-11 삼성디스플레이 주식회사 식각액 조성물, 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 및 표시 기판의 제조 방법
US8858755B2 (en) 2011-08-26 2014-10-14 Tel Nexx, Inc. Edge bevel removal apparatus and method
CN103014708A (zh) * 2011-09-21 2013-04-03 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司 一种单晶叶片表面晶粒腐蚀方法
CN102629591B (zh) * 2012-02-28 2015-10-21 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示器
CN102703902B (zh) * 2012-06-26 2014-01-01 深圳市华星光电技术有限公司 Tft阵列基板铜导线的蚀刻液
CN102891108B (zh) * 2012-10-24 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制造方法
CN103000627A (zh) * 2012-12-06 2013-03-27 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
JP6418156B2 (ja) 2013-07-09 2018-11-07 三菱瓦斯化学株式会社 インジウム、ガリウム、亜鉛、および酸素からなる酸化物（ｉｇｚｏ）の表面より銅を含む付着物を洗浄・除去する液体組成物、およびその液体組成物を用いたｉｇｚｏ表面の洗浄方法、並びにその洗浄方法により洗浄される基板
TWI510676B (zh) * 2013-07-10 2015-12-01 Daxin Materials Corp Metal etchant compositions for etching copper and molybdenum and their use for etching Metal etching method for copper and molybdenum
US9276128B2 (en) * 2013-10-22 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and etchant used for the same
JP6128404B2 (ja) * 2013-11-25 2017-05-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 多層膜用エッチング液とエッチング濃縮液およびエッチング方法
TWI536464B (zh) * 2014-01-15 2016-06-01 友達光電股份有限公司 電晶體及其製造方法
CN104109908B (zh) * 2014-07-23 2016-08-24 深圳市宇顺电子股份有限公司 蓝宝石玻璃蚀刻液及蓝宝石玻璃蚀刻方法
CN104152902A (zh) * 2014-08-01 2014-11-19 东莞劲胜精密组件股份有限公司 一种多孔金属处理液及复合体材料的制备方法
KR102255577B1 (ko) * 2014-08-25 2021-05-25 엘지디스플레이 주식회사 식각액 조성물
JP6494254B2 (ja) 2014-11-18 2019-04-03 関東化學株式会社 銅、モリブデン金属積層膜エッチング液組成物、該組成物を用いたエッチング方法および該組成物の寿命を延ばす方法
KR102293675B1 (ko) * 2015-03-24 2021-08-25 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
CN104934330A (zh) * 2015-05-08 2015-09-23 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板
JP6454605B2 (ja) 2015-06-01 2019-01-16 東芝メモリ株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP6337922B2 (ja) 2015-08-03 2018-06-06 三菱瓦斯化学株式会社 銅層およびチタン層を含む多層薄膜をエッチングするためのエッチング液およびこれを用いたエッチング方法、並びに該エッチング方法を用いて得られた基板
JP2017139295A (ja) 2016-02-02 2017-08-10 東芝メモリ株式会社 基板処理装置、基板処理方法、および基板処理液
CN106498398A (zh) * 2016-12-01 2017-03-15 深圳市华星光电技术有限公司 用于铜/钼膜层的金属蚀刻液及其蚀刻方法
CN108754497A (zh) * 2018-07-02 2018-11-06 景瓷精密零部件（桐乡）有限公司 一种钼栅极产品的刻蚀液配方及生产方法
KR102577915B1 (ko) 2021-02-23 2023-09-14 주식회사 이엔에프테크놀로지 금속막 식각액 조성물

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE425007B (sv) * 1976-01-05 1982-08-23 Shipley Co Stabil etslosning omfattande svavelsyra och veteperoxid samt anvendning av densamma
US4140772A (en) * 1978-02-21 1979-02-20 Dart Industries Inc. Stabilized hydrogen peroxide solutions
US4220706A (en) * 1978-05-10 1980-09-02 Rca Corporation Etchant solution containing HF-HnO3 -H2 SO4 -H2 O2
US4306933A (en) * 1980-02-11 1981-12-22 Chemline Industries Tin/tin-lead stripping solutions
US4410772A (en) * 1981-04-23 1983-10-18 Olympus Optical Company Limited Superminiature microphone device
US4378270A (en) * 1981-10-29 1983-03-29 Learonal, Inc. Method of etching circuit boards and recovering copper from the spent etch solutions
JPS58197277A (ja) * 1982-05-08 1983-11-16 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 金属の化学的溶解処理液
US4401509A (en) * 1982-09-07 1983-08-30 Fmc Corporation Composition and process for printed circuit etching using a sulfuric acid solution containing hydrogen peroxide
US4462861A (en) * 1983-11-14 1984-07-31 Shipley Company Inc. Etchant with increased etch rate
JPS61591A (ja) * 1984-06-13 1986-01-06 Fujitsu Ltd 銅のエツチング方法
NL8701184A (nl) 1987-05-18 1988-12-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
SU1458430A1 (ru) 1987-07-30 1989-02-15 Ярославское научно-производственное объединение "Электронприбор" Раствор дл фотохимического фрезеровани меди и медных сплавов
US5250471A (en) * 1988-12-26 1993-10-05 The Furukawa Electric Co. Method for manufacturing compound semiconductor devices including a step where the semiconductor is etched without exposure to light
GB8922504D0 (en) 1989-10-05 1989-11-22 Interox Chemicals Ltd Hydrogen peroxide solutions
JP2869893B2 (ja) * 1989-11-07 1999-03-10 カシオ計算機株式会社 半導体パネル
DE4100839A1 (de) 1991-01-14 1992-07-16 Basf Ag Waessriges saures bad zur entfernung von zinn- und zinn/blei-schichten von kupferoberflaechen
US5248386A (en) * 1991-02-08 1993-09-28 Aluminum Company Of America Milling solution and method
EP0539973A3 (en) * 1991-11-01 1995-07-12 Furukawa Electric Co Ltd A surface-protection method during etching
JP2585936B2 (ja) * 1991-11-15 1997-02-26 住友電気工業株式会社 弗素樹脂被覆物の製造方法
JPH0613608A (ja) * 1992-06-25 1994-01-21 Sharp Corp 薄膜アクテイブ素子
GB9425090D0 (en) * 1994-12-12 1995-02-08 Alpha Metals Ltd Copper coating
JP2793515B2 (ja) 1995-01-30 1998-09-03 富山日本電気株式会社 銅及び銅合金の表面処理剤
EP0733931B1 (en) * 1995-03-22 2003-08-27 Toppan Printing Co., Ltd. Multilayered conductive film, and transparent electrode substrate and liquid crystal device using the same
US5800726A (en) * 1995-07-26 1998-09-01 International Business Machines Corporation Selective chemical etching in microelectronics fabrication
JP2923524B2 (ja) * 1995-08-01 1999-07-26 メック株式会社 銅および銅合金のマイクロエッチング剤並びにマイクロエッチング方法
JP2809153B2 (ja) * 1995-09-28 1998-10-08 日本電気株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR100219118B1 (ko) * 1996-08-30 1999-09-01 구자홍 박막트랜지스터 액정표시장치 및 그 제조방법
US5731216A (en) * 1996-03-27 1998-03-24 Image Quest Technologies, Inc. Method of making an active matrix display incorporating an improved TFT
TW374802B (en) * 1996-07-29 1999-11-21 Ebara Densan Ltd Etching composition, method for roughening copper surface and method for producing printed wiring board
GB9620877D0 (en) * 1996-10-07 1996-11-27 Solvay Interox Ltd Metal surface treatment
US5954997A (en) * 1996-12-09 1999-09-21 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US6157430A (en) * 1997-03-24 2000-12-05 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal device including brush-clearable multiple layer electrodes and a method of manufacturing the same
CN1114566C (zh) * 1997-06-13 2003-07-16 Cfmt公司 处理半导体晶片的方法
JPH1129883A (ja) 1997-07-08 1999-02-02 Mec Kk 銅および銅合金のマイクロエッチング剤
JP2000082588A (ja) * 1997-09-22 2000-03-21 Fuji Electric Co Ltd 有機発光素子およびその製造方法
KR100476622B1 (ko) * 1997-10-13 2005-08-23 삼성전자주식회사 몰리브덴-텅스턴합금을사용한배선을이용한액정표시장치및그제조방법
KR100257812B1 (ko) * 1997-10-17 2000-06-01 구본준 액정표시장치 금속막의 에칭방법
US6015505A (en) * 1997-10-30 2000-01-18 International Business Machines Corporation Process improvements for titanium-tungsten etching in the presence of electroplated C4's
JP3654485B2 (ja) * 1997-12-26 2005-06-02 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3107055B2 (ja) * 1998-09-03 2000-11-06 日本電気株式会社 アクティブマトリクス基板
KR100356452B1 (ko) * 1998-10-02 2002-10-18 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP3974305B2 (ja) * 1999-06-18 2007-09-12 エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド エッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法と電子機器
US6630433B2 (en) * 1999-07-19 2003-10-07 Honeywell International Inc. Composition for chemical mechanical planarization of copper, tantalum and tantalum nitride
CA2300492A1 (en) 2000-03-13 2001-09-13 Henkel Corporation Removal of "copper kiss" from pickling high copper alloys
KR100396696B1 (ko) * 2000-11-13 2003-09-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 저저항 배선을 갖는 액정 디스플레이 패널

Also Published As

Publication number Publication date
GB2370251A (en) 2002-06-26
US20040242000A1 (en) 2004-12-02
US7850866B2 (en) 2010-12-14
US20100116781A1 (en) 2010-05-13
DE10162576B4 (de) 2014-09-04
GB2370251B (en) 2003-12-03
US6780784B2 (en) 2004-08-24
JP4282927B2 (ja) 2009-06-24
US8236704B2 (en) 2012-08-07
KR20020050020A (ko) 2002-06-26
JP2002302780A (ja) 2002-10-18
US20020081847A1 (en) 2002-06-27
GB0130263D0 (en) 2002-02-06
CN1417383A (zh) 2003-05-14
DE10162576A1 (de) 2002-07-04
KR100379824B1 (ko) 2003-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1257313C (zh) 腐蚀剂和具有用腐蚀剂蚀刻之铜线的阵列式基片
US7977128B2 (en) Etchant for etching double-layered copper structure and method of forming array substrate having double-layered copper structures
CN1075201C (zh) 液晶显示器件及其制造方法
JP4859469B2 (ja) エッチング液組成物及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法
CN102315166B (zh) 具有低电阻总线结构的薄膜晶体管基板及其制造方法
JP2008123002A (ja) 低抵抗配線を有する液晶ディスプレイパネル
CN1510169A (zh) 用于多层铜和钼的蚀刻溶液及使用该蚀刻溶液的蚀刻方法
CN101335294A (zh) 使用a1合金膜的低接触电阻型电极及其制造方法和表示装置
CN101626034A (zh) 薄膜晶体管及其制造方法
JP2008536295A (ja) 銀被覆電極を有するｌｃｄ装置
KR20230037016A (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴과 박막 트랜지스터 기판 제조 방법
CN1945813A (zh) 薄膜晶体管阵列面板的制造方法
US7476936B2 (en) Substrate, liquid crystal display having the substrate, and method for producing substrate
CN1299251C (zh) 液晶显示器及其装配方法
KR20100019233A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
CN101139713A (zh) 蚀刻液以及使用此蚀刻液的图案化导电层的制造方法
CN1577434A (zh) 薄膜半导体器件和薄膜半导体器件的制造方法
JP2007189120A (ja) Ｔｆｔ基板及びその製造方法
CN1540717A (zh) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN101034235A (zh) 显示装置及其制造方法
KR20140091401A (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR20070088886A (ko) 표시 기판 및 이의 제조 방법
CN102736333B (zh) 一种阵列基板、液晶显示装置和阵列基板的制作方法
KR19990074547A (ko) 인듐 틴 옥사이드용 식각액 및 이를 이용한액정 표시 장치의제조 방법
KR102068964B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: LG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: LG. PHILIP LCD CO., LTD.

CP03 Change of name, title or address

Address after: Seoul, South Kerean

Patentee after: LG Display Co.,Ltd.

Address before: Seoul

Patentee before: LG Philips LCD Co., Ltd.

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20060524