CN1223062C - 超宽带掺铒放大器 - Google Patents

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Abstract

在一种在很宽波段范围放大光输入信号的方法中，将光输入信号加到一个由掺有稀土元素的非晶态氧化铝钇材料(如掺铒的非晶态氧化铝钇材料)构成的光波导(810)。该光输入信号包括波长短于1,520纳米的光信号和波长长于1,610纳米的光信号。泵浦光加载到光波导(810)后该波导使光输入信号形成光增益。光增益使光信号在波导内放大从而在一个扩展了的范围内提供放大了的光信号，该扩展了的范围是从约1,480纳米到约1,650纳米，特别是波长短于1,520纳米的光信号和波长长于1,610纳米的光信号。

Description

超宽带掺铒放大器
相关申请
根据35 U.S.C.§119(e)本申请请求1999年7月30日申请的美国临时申请No.60/146,709以及1999年8月18日申请的美国临时申请No.60/149,806的优先权。
技术领域
本发明涉及光学放大器，其特别涉及包括一段具有有源掺杂光纤的光学放大器，该有源掺杂可响应于泵浦光而发出光。
背景技术
掺铒光纤放大器(EDFA)作为全光转发器和前置放大器广泛用于商用上的光纤通讯系统中。信息编码信号在经过长距离的通讯光纤(通常为几十公里)后会因光纤衰减而大大削弱，掺铒光纤放大器(EDFA)的作用就是将该信号放大到一个合理能量水平上。现在，EDFA在能量效率上优化后所需泵浦能量已达到最小点处(这一点很有价值)。EDFA在噪声性能方面进一步优化后其噪声现在可接近理论上的最低限3dB。优化后的EDFA的增益平稳度在几十纳米波宽范围内现已超过几十dB。EDFA现在在设计上可使其增益对输入信号偏振状态的依赖性很小。
目前，EDFA仍很活跃的一个研究领域为增益带宽。增益带宽这个参数非常重要，这是因为给定EDFA所能放大的不同波长信号的数量是由该参数最终确定。带宽越宽，可被放大的信号数量越大，这样可由单根光纤承载的带宽也就越高(单位时间的信息比特)。由于基质会影响到铒离子的光谱，一直以来在对多种光纤基质材料包括硅石、氟锆酸盐玻璃以及硫族化物进行研究以确定出一种基质，其能对Er3+转换的4I13/2→4I15/2提供更大的增益带宽。在硅石基玻璃中，带宽通常被分成公知的C波段和L波段。按照一个近似的定义，C波段为光谱中低于约1,565纳米的部分，而所谓的L波段为光谱中高于约1,565纳米的部分。在石英光纤中，C波段和L波段的总带宽大约为80纳米，而且该值目前还是在两个EDFA级联的条件下才能获得。(这里举例参见：Y.Sun等人在1997年11月的Electronics Letters，卷33，号23，第1965-1967页的80nm ultra-wideband erbium-doped silica fibreamplifier)。这种情况类似于氟锆酸盐基质。(这里举例参见：S.Kawai等人在1999年2月的Proceedings of Optical Fiber CommunicationOFC’99，Paper FC3，第56-58页的Wide bandwidth and long distanceWDM transmission using highly gain-flattened hybrid amplifier)。在亚碲酸盐玻璃光纤中，总带宽也在80纳米左右，但其可用一根光纤来实现。(这里举例参见：Y.Ohishi等人在1997的NTT R&D，卷46，号7，第693-698页的Optical fiber amplifiers for WDM transmission；以及Y.Ohishi等人在1998年2月的Optics Letters，卷23，号4，第274-276页的Gain characteristics of tellurite-based erbium-doped fiberamplifiers for 1.5um broadband amplification。)
图1为一例标准EDFA的配置100，其包括掺铒光纤(EDF)110。光信号通过一个第一光隔离器120和波分复用(WDM)耦合器122输入到掺铒光纤110。来自光泵浦源124的光泵浦信号也经WDM耦合器122输入到掺铒光纤110。来自掺铒光纤110的、放大后的输出信号经一个第二光隔离器126输出。光隔离器126和120分别用来防止从输出口到掺铒光纤110中以及从掺铒光纤110到输入口的反向反射光。如图1所示，掺铒光纤110可沿正向或反向(图中未示出)或者沿这两个方向进行泵浦。由于光纤增益介质的宽谱特性，图1的配置可在很宽的波带范围形成增益。比如，掺铒碲基光纤以及掺铒硫族物光纤就已经用于图1的配置中。正如Y.Ohishi等人在1998年2月的OpticsLetters，卷23，号4，第274-276页的Gain characteristics of tellurite-basederbium-doped fiber amplifiers for 1.5um broadband amplification所提到的，采用碲基光纤所形成的增益带宽在80纳米左右。
当光纤基质为硅石基玻璃时，采用一根光纤将不能在整个带宽范围内(大约1,525纳粹到约1,610纳米)获得增益。增益需在两个邻近波谱区域内形成，然后将增益后形成的输出合并。获得更宽增益带宽的通用方法是采用混合放大器，这种放大器中由不同基质构成的两个或多个放大器相互连接起来，这些放大器在设计上应使其所提供的波谱相互之间互为补充从而使所形成的整体带宽大于其中任一个的带宽。这种方法成功地应用于硅石基EDFA以及氟化物基的EDFA，其可形成0.5dB的17纳米带宽。(参见P.F.Wysocki等人在1996年11月Optics Letters，卷21，第1744-1746页的Dual-stage erbium-doped，erbium/ytterbium-codoped fiber amplifier with up to+26-dBm outputpower and a 17-nm flat spectrum。)最近，一个类似的概念用于二氟化物基EDFA。(参见，Y.Sun等人在1997年11月的Electronics Letters，卷33，号23，第1965-1967页的80nm ultra-wideband erbium-dopedsilica fibre amplifier)。
图2所示为一例配置200，其具有两个EDFA 210和220。一个EDFA(下面的EDFA 210)设计成放大C波段(从约1,525纳米到1,565纳米)，同时另一个EDFA(上面的EDFA 220)设计成放大L波段(从约1,565纳米到1,620纳米)。如图1所示，这两个EDFA 210和220最好包括各自的泵浦源(图中未示出)，其采用各自的WDM耦合器连成掺铒光纤。输入信号，其具有不同的波长λI并按一定量隔开，用WDM耦合器230分成两支，并且放大后的输出信号在输出耦合器232合并起来。输入光隔离器240和输出光隔离器242的操作如上。由于WDM耦合器230的作用，波长约小于1,565纳米的信号连到下面的支路从而通过C波段EDFA 210，同时波长约大于1,565纳米的信号连到下面的支路从而通过L波段EDFA 220。(实际上，在C波段和L波段之间存在一个很窄的保护段以避免两支信号的重叠。)比如，可将一个硅石基EDFA设计成具有L波段的增益光谱，该增益光谱在1,568纳米到1,602纳米的范围内的平稳度在0.5dB之内。增益平稳度可通过例如选取合适的光纤长度或采用过滤器来部分实现。这两种方法都是现有的公知技术。
C波段EDFA 210和L波段EDFA 220可由相同的掺铒光纤或者不同的光纤或者不同的基质材料构成。C波段和L波段EDFA 210、220在各个的设计可以不同，特别是在泵浦波长、泵浦配置以及光纤长度上可不同。
通常L波段EDFA 220的上限约为1,610纳米。研究中人们一直在努力通过调整基质材料来提高这限值。进一步扩展该限值的困难在于碲基玻璃在超过1,620纳米左右时、硅石玻璃在超过1,610纳米左右时会出现信号激励态吸收(ESA)的现象。该ESA形成了不希望的信号衰减机制。基于这些结果，现有的硅石基EDFA(上述Y.Sun等人的)以及氟化物基EDFA(上述S.Kawai的)的带宽记录在80-85纳米左右(即，类似于Y.Ohishi等人在上面两篇文章所述的碲基EDFA)。
发明内容
本发明的一个方面是一种在很宽波段范围放大光输入信号的方法。其中将光输入信号加到一个由掺有稀土元素的非晶态氧化铝钇材料(如掺铒的非晶态氧化铝钇材料)构成的光波导。该光输入信号的波长最短到约1,480纳米最长到约1,650纳米。泵浦光加载到光波导从而使该波导为光输入信号提供光增益。光增益使光信号在波导内放大从而提供一个放大了的、波长范围在约1,480纳米到约1,650纳米之间的光信号。作为选择，光输入信号的波长也可在约1,480纳米到1,565纳米的范围内。作为进一步的选择，光输入信号的波长也可在约1,565纳米到1,650纳米的范围内。
本发明的另一方面是一种放大光输入信号的方法。该方法包括：将光输入信号输入到一个包含一种掺有稀土元素的非晶态氧化铝钇材料(如掺铒的非晶态氧化铝钇材料)的光波导。该光输入信号包括至少一个波长小于1,520纳米的第一光信号以及至少一个波长大于1,610纳米的第二光信号。该方法进一步包括将泵浦光加载到光波导从而使波导为光输入信号提供光增益，从而至少放大第一光信号和第二光信号。该方法优选包括：提供的光增益能够放大波长从约1,480纳米到约1,650纳米的光信号。
本发明的另一方面是一种放大光输入信号的方法。该方法包括：将光输入信号输入到一个包含一种掺有稀土元素的非晶态氧化铝钇材料(如掺铒的非晶态氧化铝钇材料)的光波导。该光输入信号包括至少一个波长小于1,520纳米的光信号。该方法进一步包括将泵浦光加载到光波导从而使波导为该光输入信号提供光增益，这样至少将上述的一个光信号放大。
本发明的另一方面是一种放大光输入信号的方法。该方法包括：将光输入信号输入到一个包含一种掺有稀土元素的非晶态氧化铝钇材料(如掺铒的非晶态氧化铝钇材料)的光波导。该光输入信号包括至少一个波长大于1,610纳米的光信号。该方法进一步包括将泵浦光加载到光波导从而使波导为该光输入信号提供光增益，这样至少将上述一个光信号放大。
本发明的另一方面是一种放大光输入信号的光学放大器。该光学放大器包括一个提供泵浦光的光泵浦源。该光学放大器进一步包括一个包含一种掺有稀土元素的非晶态氧化铝钇材料(如掺铒的非晶态氧化铝钇材料)的光波导。对该光波导进行光耦合以便从光泵浦源接收泵浦光。该光波导接收具有多个波长的光输入信号。该光输入信号包括至少一个波长小于1,520纳米的第一光信号以及至少一个波长大于1,610纳米的第二光信号。泵浦光具有一个泵浦波长以及该泵浦波长下的强度，其可使波导提供光增益，从而至少放大第一光信号和第二光信号。该波导优选提供光增益从而放大波长短到约1,480纳米、长到约1,650纳米的光信号。
本发明的另一方面是一种放大光输入信号的光学放大器。该光学放大器包括一个提供泵浦光的光泵浦源。该光学放大器进一步包括一个包含一种掺有稀土元素的非晶态氧化铝钇材料(如掺铒的非晶态氧化铝钇材料)的光波导。对该光波导进行光耦合以便从光泵浦源接收泵浦光。该光波导接收具有多个波长的光输入信号。该光输入信号至少包括一个波长小于1,520纳米的光信号。泵浦光具有一个泵浦波长以及该泵浦波长下的强度，其可使波导提供光增益，从而至少放大所述的一个光信号。该波导优选提供光增益从而放大波长短到约1,480纳米、长到约1,565纳米的光信号。
本发明的另一方面是一种放大光输入信号的光学放大器。该光学放大器包括一个提供泵浦光的光泵浦源。该光学放大器进一步包括一个包含一种掺有稀土元素的非晶态氧化铝钇材料(如掺铒的非晶态氧化铝钇材料)的光波导。对该光波导进行光耦合以便从光泵浦源接收泵浦光。该光波导接收具有多个波长的光输入信号。该光输入信号至少包括一个波长大于1,610纳米的光信号。泵浦光具有一个泵浦波长以及该泵浦波长下的强度，其可使波导提供光增益，从而至少放大所述的一个光信号。该波导优选提供光增益从而放大波长短到约1,565纳米、长到约1,650纳米的光信号。
在前述方法和装置所选实施例中，稀土元素优选铒和钇。在进一步选择的实施例中，最好用镧原子取代光波导中的一部分钇原子。
附图说明
下面将结合附图来描述本发明的这些和其它方面，其中：
图1为一例标准的包括掺铒光纤的EDFA的配置；
图2为一例具有两个EDFA的配置，其中一个EDFA放大C波段，另一个EDFA放大L波段；
图3所示是在980纳米、泵浦功率约45毫瓦时，在掺有各种浓度铒的非晶态YAG光纤和非晶态镧取代YAG光纤中测得的正向荧光光谱；
图4所示是在非晶态YAG光纤和非晶态镧取代YAG光纤中测得的反向荧光光谱；
图5所示为铒摩尔浓度增加对掺铒非晶态YAG和掺铒非晶态镧取代YAG的正向和反向荧光带宽的影响；
图6A为掺铒1％的非晶态YAG光纤发出的荧光随时间衰减(驰豫)的情况；
图6B为掺铒5％的非晶态YAG光纤发出的荧光随时间衰减(驰豫)的情况；
图7所示为铒浓度对掺铒非晶态YAG光纤荧光快速成分(下面曲线中的方形标记)和慢速成分(上面曲线的圆形标记)的作用；
图8为用以实施本发明方法第一实施例的放大器的第一种配置；
图9为用以实施本发明方法第二实施例的放大器系统的第二种配置；
图10为一正向L波段放大器，其包括单个长度的掺铒非晶态YAG光纤；
图11所示放大器配置类似于图8所示的配置，其不同在于将一根更长的掺铒非晶态YAG光纤用作L波段放大器；
图12所示为L波段放大器的一个配置，其中在两个WDM耦合器之间布置有一根掺铒非晶态YAG光纤，这两个耦合器分别接收泵浦光从而在前后两个方向泵浦掺铒非晶态YAG光纤；
图13所示为L波段放大器的一个配置，其包括两个经WDM耦合器串联的掺铒非晶态YAG光纤，并且泵浦光正向泵浦通过第二光纤；
图14所示为一个放大器配置，其包括一个第一掺铒非晶态YAG光纤和一个第二掺铒非晶态YAG光纤，两者经一个WDM耦合器串联，并且泵浦光反向泵浦通过第一光纤；
图15所示为从图6A和图6B的荧光曲线测出的荧光强度的1/e衰减时间常数，其中1/e时间常数表示的是快慢时间常数的平均值；以及
图16-23为申请日1997年1月9日、国际申请号PCT/US97/00466、公开日1997年7月17日、公开号WO97/25284的国际申请中的附图，该申请的附图和说明在这里包含在本文中，以说明用来实施本发明的光纤的制造方法，其中：
图16所示为根据一种光纤制造方法的光纤拉拔系统的示意图；
图17所示为根据WO97/25284原理的一例方法，其由过冷并浮起的熔体反向拉制光纤；
图18所示为根据WO97/25284原理的一例方法，其由过冷熔体拉制光纤，并且该熔体保持在锥形喷嘴悬置器中；
图19展示的是直径0.3cm富铝红柱石样品的典型冷却曲线，其悬浮并熔在气声悬置器中；
图20所示为硅酸铝典型的三相图；
图21所示为一例由过冷熔体拉制光纤的方法，其中过冷熔体非等温容器中；
图22所示硅酸铝非典型三相图的一部分，其展示了富铝红柱石在接近熔点处的特性；以及
图23为含富铝红柱石的玻璃光纤的典型的拉制测试结果曲线。
具体实施方式
本发明意在一种能在更宽增益带宽范围放大光信号的方法。该方法部分取决于所采用的具有更宽荧光带宽的光纤。特别是，最近Containerless Research Inc(CRI)公司所研制的一种用材料制取光纤和小体积样品的方法，该材料在固态的平衡熔点处形成近乎非粘性的液体。(参见J.K.R.Weber等人在1998年Nature，卷393第769-771页发表的Glass fibers of pure and erbium or neodymium-dopedyttria-alumina compositions；以及1997年7月17公开的、Paul C.Nordine等人的WIPO国际申请WO97/25284——Fiber Drawing fromUndercooled Molten Materials。)该WIPO国际申请WO97/25284在这里以参考的形式并入本文，其中的详细说明作为本申请公开的一部分。
该方法涉及在晶体材料的平衡熔点处或之上将固体完全熔化以形成组分均匀的液体。为了获得支撑光纤拉制所需的粘性，将液体进行过冷(即冷到其平衡熔点之下)。通过过冷来提高粘性是该方法中的一个基本步骤。然后将玻璃光纤由该过冷的粘性液体拉出。
该光纤合成方法的一例是采用非承装加工技术，其可避免与固体容器器壁接触而产生异种晶核，并能更深地过冷到晶体初级材料熔点之下。该非承装加工技术可消除由于与外部对象(如熔炉)接触而形成的液体污染。该技术还可用来用各种氧化材料合成直径在2-3毫米的玻璃球。(参见J.K.R.Weber等人在1993年J.Am.Ceram.Soc.卷76号9第2139-2141页发表的Enhanced Formation of Calcia-Gallia Glassby Containerless Processing；J.K.R.Weber等人在1994年Rev.Sci.Instrumen.卷65第456-465页发表的Aero-acoustic levitation-Amethod for containerless liquid-phase processing at high temperatures。)这种新的光纤制造方法已应用于各种氧化材料，这些材料中要么含有二氧化硅(硅石)要么是其它任何的玻璃形成氧化物，这些氧化物通常都是采用传统光纤制造工艺制取的玻璃光纤的组成成分。这种方法生产出的光纤直径通常为10到30微米，长度可到1米。
该方法所能获得的一种原型材料为Y3Al5O12组分的玻璃。本申请中所讨论的材料都是用镧(La)、镱(Yb)和/或铒(Er)取代材料中的钇(Y)原子形成的组分的改型。这些材料都是由Y2O3、Al2O3、La2O3、Yb2O3和Er2O3这些纯氧化物按重量混合后合成而得，其中在约0.5克的总质量中，每一成分的重量误差为0.5毫克。这种纯组分氧化物的纯度为99.999％，粉末颗粒小于325目，并且可从Wisconsin州Milwaukee市的Cerac获得。对于组分中含有0.5％(摩尔)或更少Er2O3的情况，可用一种Yb2O3∶Er2O3为9∶1的“母合金”来使掺剂的重量更易掌握。这些组分氧化物的混合物在一个激光熔炉中熔化，首先将0.5克的样本熔合并均质化，然后从该熔合质中分出再熔件以获得大约3毫米的球状体。(例如可参见J.K.R.Weber等人在1996年Rev.Sci.Instrumen.卷67第522-524页发表的Laser hearth meltprocessing of ceramic materials。)然后将球状体在一个空气声音悬置器中通过激光束加热来悬置并熔化(例如，如J.K.R.Weber等人在1994年Rev.Sci.Instrumen.卷65第456-465页发表的Aero-acousticlevitation-A method for containerless liquid-phase processing at hightemperatures所述。)或者在一个锥形喷嘴悬置器中悬置并熔化(可参见J.P.Coutures等人1986年12月2-5日在法国Bordeaux的Proc.6thEuropean Symposium on Materials under Microgravity Conditions第427-430页发表的Contactless Treatments of Liquides in a LargeTemperature Range by an Aerodynamic Levitation Device under LaserHeating；J.K.R.Weber等人1995年在Microgravity Sci.Technol.卷7第279-282页发表的Containerless LiqiudPhase Processing of CeramicMaterials；S.Krishnan等人1997年在Rev.Sci.Instrumen.卷68第3512-3518页发表的Levitation apparatus for structural studies of hightemperature liquids using synchrotron radiation。)
关闭用于加热的激光束源使液体样本在非承装的条件下快速冷却到室温从而制备出玻璃球。将加热激光的功率减少到液体温度到达1,600°K-1,700°K以制备玻璃光纤，这里液体的粘度足以进行光纤的拉制。然后将一根钨刺线(tungsten stinger wire)快速插入到熔体中并以100cm/s的恒定速度拉出从而由熔体拉出光纤。上面的工艺部分在1997年7月17公开的、Paul C.Nordine等人的WIPO国际申请WO97/25284——Fiber Drawing from Undercooled Molten Materials进行了描述，其中一部分在这里公开。
晶体形式的纯Y3Al5O12公知为钇铝石榴石或简称YAG。这里所用到的“YAG”即为这种晶体材料。掺有钕离子(Nd3+)的YAG是一种最先采用的也是最成功的激光材料。掺钕-YAG(Nd:YAG)激光器在商用上存在已超过25年了，并且它们至今仍是一种最有效的、功率最高的、使用最广泛的激光器。作为对比，这里讨论的由Y3Al5O12组分构成的非晶态光纤则被称为非晶态YAG，而镧取代的Y3Al5O12光纤则被称为非晶态镧取代(或La取代)YAG光纤。
在YAG和这里所讨论的材料之间有两个主要的不同。第一，这里讨论的材料相对于YAG不同在于其是非晶态玻璃材料，而YAG是晶体材料。第二，这里讨论的材料用镧(La)原子、镱(Yb)原子和/或铒(Er)原子取代Y3Al5O12组分中的一些钇(Y)原子。这里所讨论的材料被称为掺铒非晶体YAG、掺镱式非晶体YAG、非晶体镧取代YAG或非晶体YAG。这些术语来自于铒原子、镱原子以及用镧原子取代钇原子的不同目的。铒原子和镱原子是取代到玻璃基质材料中的光活性掺剂。
元素钇、镧、铒和镱均是稀土元素家族的成员，即具有原子量为21、39以及57到71的元素。稀土元素通常为+3价，尽管一些稀土元素特别是镱也表现出+2价。本文中合成的所有材料的分子式可通写成RE3Al5O12，这里“RE”的下标“3”是指Y、La、Er和Yb的总含量。含有镧和/或铒的玻璃球可在空气中、纯氩气中、纯氧气中制取。尽管这里所述是相对前述的稀土元素进行的，但我们可以想到也可采用其它稀土元素。
由镧、铒以及用镱原子取代钇原子合成的非晶体YAG组分材料的化学组成如下表I：
                化学组成，摩尔百分比 形成的玻璃材料
  Al2O3   Y2O3    La2O3     Er2O3  Yb2O3   光纤    球体
  62.5   37.5     0     0     0     X     X
  62.5   37.49     0     0.01     0     X
  62.5   37.45     0     0.05     0     X     X
  62.5   37.4     0     0.1     0     X     X
  62.5   37.2     0     0.3     0     X     X
  62.5   37.0     0     0.5     0     X     X
  62.5   36.5     0     1.0     0     X     X
  62.5   35.5     0     2.0     0     X     X
  62.5   32.5     0     5.0     0     X     X
  62.5   29.5     0     8.0     0     X     X
  62.5   12.5     12.5     12.5     0     X     X
  62.5   17.75     17.75     2.0     0     X     X
  62.5   17.75     11.75     8.0     0     X     X
  62.5   32.0     0     0.5     5.0     X
                              表I
掺杂或取代后的非晶体YAG材料的一个最吸引人的特点是它们可掺上非常高浓度的Er3+、Yb3+或其它稀土元素的离子。玻璃中可获得的最大浓度取决于该玻璃中Er2O3的溶解度。如果玻璃熔体中置入的稀土元素氧化物的浓度太高并且溶解度过度，晶体氧化物颗粒会沉淀到基质中。这些晶体颗粒通常都对激光器以及放大器的材料特性有害。第二个现象是溶解后的掺杂剂离子在基质材料中以团状分布，这就限制了掺杂剂在某些材料中的浓度，特别是在硅石基玻璃中的浓度，这种现象发生在浓度小于氧化物颗粒沉淀所需的浓度时。
与均匀分布在基质中的铒离子不同，团状分布的铒离子有害于已知的交叉弛豫工艺。(例如，参见J.L.Wagener等人在1994年3月的Optics Letters，卷19，第347-349页的Modeling of ion pairs inerbium-doped fiber amplifiers。)通过该工艺，当两个离子被光激励到它们的亚稳态(激光)，一个离子将能量快速传给另一个离子，这就导致不希望的粒子数反转损失以在光增益的急骤减少。在硅石基玻璃中，在该作用变得比较明显前，铒的最大浓度为100个/每百万(ppm)摩尔Er2O3。为了避免这种作用，大部分石英光纤激光器和放大器都采用500ppm摩尔的Er2O3。该值在荧光基光纤中会明显的高一些，其中可获得几千ppm的浓度。(例如，参见J.S.Sanghera等人于1993年纽约M.J.F.Digonnet，Ed.，Marcel Dekker Inc.公司Rare Earth Doped Fiberlasers and Amplifiers中发表的Rare earth doped heavy-metal fluorideglass fibers。)在碲光纤中，该值在数千ppm的量级上，即几十分之一摩尔百分数。(例如，可参见Y.Ohishi等人在1998年2月的OpticsLetters，卷23，号4，第274-276页的Gain characteristics of tellurite-basederbium-doped fiber amplifiers for 1.5um broadband amplification。)这些浓度限值的主要结果是单位长度上只有这些离子在光纤中形成，因此需要很长的光纤才能制造出一台有用的设备，因此该设备价格昂贵并且体积庞大。比如，通常的硅基EDFA需要几十米长的掺杂光纤。
已经对这些新型的掺Er3+的玻璃材料的光谱特性进行了初始的实验研究。这种研究的一个目的在于对这些以球状或光纤形式存在的材料总结出一些基本的光学特性。这种研究特别针对：材料交叉段的吸收和发射特性、是否会出现堆积(以及交叉弛豫)以及在什么浓度出现、以及荧光光谱的带宽(其反映出材料的增益带宽)。
为了总结出光学特性，将很短长度的掺铒非晶体YAG光纤插入到毛细管中，然后再绑上UV固化树脂，再将端部打光。特别地，通过将四到五根具有相同基质和掺铒浓度的光纤安装到一根毛细管中。制备出几根毛细管，每一根都用于一种浓度(0.5、1、2、5以及8摩尔百分比的Er2O3)。该光纤为裸露光纤。光纤外径范围从约30微米到约15微米或更小，光纤长度在打光后要么约为5mm要么约为10mm。已经测试了两种新的氧化物玻璃基质组分——非晶体YAG(Y3Al5O12，用Er取代Y的)和非晶体镧取代YAG光纤，其中50％的钇由镧取代(La1.5Y1.5Al5O12，用Er取代La和Y)。对于所有的测试，光纤从商用上可获得的尾光纤式激光二极管中泵浦50mW功率的980纳米的光。
光纤吸收测试是通过测取输出与泵浦功率输入的比来进行，然后假定泵浦100％耦合到光纤中并在每一根光纤端部进行费涅(Fresnel)反射校正(大约8.3％)。费涅反射的计算是在假定材料的折射系数与晶体YAG相同的条件下进行的，其折射系数在这些波长处为1.8左右。由这些数据，吸收系数αa以及吸收截面σa＝αa/N0即可推出，这里N0为光纤中铒的浓度。两种浓度下几个样本测得的平均值为σa＝2.4×10-21cm2，与掺铒石英光纤通常的2.2×10-21cm2相比好一些。
图3所示是在980纳米、泵浦功率约450毫瓦时，在掺有各种浓度铒的非晶态YAG光纤和非晶态镧取代YAG光纤中测得的正向荧光光谱，其中光纤长为0.5cm到1.0cm、直径约为30微米。这些光谱为正向测得，即该光谱表示沿光纤泵浦的正向发射的荧光。所有光谱都很宽，并且没有典型掺铒晶体所具有的精细过渡线。该结果证实了X线衍射分析的结果，该结果显示由带有YAG组分的过冷液体拉出的光纤为非晶体。(例如，参见J.K.R.Weber等人在1998年，Nature，卷393，第769-771页发表的Glass fibers of pure and erbium orneodymium-doped yttria-alumina compositions。)在低浓度铒的光纤中，光谱表现出在其它氧化物玻璃中Er3+典型的低功率荧光光谱，即峰值在1,530纳米左右，而平台值在1,550纳米左右。在更高的浓度上，基本没有这些特征，并且光谱向波长更长的方向移动，这是因为泵浦功率不足以激励所有的铒离子，基态吸收过滤出1,530-1,550纳米的波段(C波段)。因此，在这些光纤中L波段(波长大于约1,565纳米)更为明显。这种材料的L波段非常宽，在1cm长、掺剂为8％的光纤中，L波段可延伸到1,653纳米。对1cm长、掺剂为5％的非晶体YAG光纤观察所得的3dB荧光带宽达116纳米。该值远远高于之前所报导的、在任何基质中铒变所具有带宽。以标准掺铒石英光纤在1,650纳米的点为对比点，荧光功率通常会从1,530的峰值处下降50dB。作为对比，在本发明的非晶体YAG光纤中，荧光功率仅下降约12dB(见图3)。这可解释为荧光光谱比掺铒石英光纤在20纳米到40纳米的范围内进一步向更长的波长方向延伸。
图4中所示反向荧光光谱如预期一样更多地表现为C波段特性，但这里光谱也是非常宽。该反向光谱中最大的3dB带宽出现在0.5cm长、掺剂为8％的YAG光纤中，为121纳米。
如图5所示，正向和反向荧光的带宽通常随着浓度的增加而提高。菱形表示掺铒非晶体YAG，而圆圈表示掺铒非晶体镧取代YAG。正向与反向荧光分别由实心或空心符号表示。在实验误差范围内，两种材料具有几乎相同的性能。
在输入泵浦波束的路径上放置一个80MHz的声光调制器，将泵浦强度调制成20毫秒长、下降时间短(约5微秒)的方波脉冲，即可测出荧光的驰豫时间特性。每个泵浦脉冲后，光纤发射出的荧光的时间衰减特性可通过一个快速光电探测器记录下来。在铒浓度低时，驰豫曲线表现为单指数衰减，如图6A所示的掺铒1％的非晶体YAG光纤。在铒浓度高时，驰豫曲线不再为单指数，而是带有一个随时间增加而增加的时间常数的指数衰减，如图6B所示的掺铒5％的非晶体YAG光纤。该曲线的衰减在开始时带有一个时间常数τ1，随着时间的增加，该常数也增加(坡度变小)，该时间常数在衰减曲线的末端达到一个渐近值τ2(大于τ1)。
明显地从图6A和图6B的另一个重要结论是这些光纤基本不存在铒堆积，甚至在很高深度时也没有铒堆积。如果存在堆积，驰豫曲线首先会由于堆积的离子而形成一个快速驰豫部分，然后由于未堆积的离子再出现一个慢驰豫部分。(例如，参见P.F.Wysocki等人在1993年SPIE Proceedings on Fiber Laser Sources and Amplifiers IV，卷1789，第66-79页发表的Evidence and modeling of paired ions and other lossmechanisms in erbium-doped silica fibers。)在其它材料中，这种快速部分通常比发射时间小2-3个数量级(即，其在小于100微秒的范围内)。如果观察不到这种部分则表示在这两种新的基质中铒离子的堆积可忽略不计，这两种基质的非晶体YAG中掺剂浓度最高为8％，比无堆积浓度的硅石基玻璃约高600倍。
在所有可获得浓度下测得的衰减曲线的衰减期τ1和τ2打印在图7中。方块表示快速部分(τ1)的衰减期，圆圈部分表示慢速部分(τ2)的衰减期，而实心和空心符号则分别表示非晶体YAG基质光纤和非晶体镧取代的YAG基质光纤。与其它基质中观察的结果一样，这两个衰减期几乎是随着铒浓度的增加而单调下降。慢速部分τ2为发射时间。所测得的最低发射时间出现在5％和8％的YAG光纤中，约为4毫秒；而最短的衰减期则在0.6-1.0毫秒之间(也在这些材料中)。作为对比，碲玻璃中铒的衰减期在几个毫秒范围内，而在硅石基玻璃中，其通常为8到10毫秒，其中碲玻璃现在正考虑作为一种基质用于商用EDFA。
为了更好地评估这两种材料的相关性能，图15展示出荧光功率的1/e衰减时间常数，其由图6A和图6中的荧光衰减曲线测得。1/e时间常数表示快慢时间常数的平均值，在含义上其用来测量铒离子激励态的平均寿命(特别是，该平均寿命可部分控制放大器的动态和饱和性能)。从图15可以看出：1/e衰减期随着铒浓度的增加单调减少；此外，镧取代的材料中铒的衰减期稍微低一些，尽管两种材料间的这种区别在实验误差范围之内。结论是：两种材料中的铒表现为相同的带宽和相同的衰减期，略优于非晶体YAG。
现有的玻璃光纤中也有掺杂多种稀土离子以利用两种或多种掺剂相互作用的有利结果。比如，有的掺铒光纤也同时掺有Yb3+从而在接近1.06微米处泵浦铒离子。(这里举例参见：J.E.Townsend等人在1991年Electronics Letters，卷10，号21，第1958-1959页的Yb3+ sensitisedEr3+doped silica optical fibre with ultrahigh transfer efficiency and gain)。进行这种研究的原因在于：在接近1.06微米处，其在某些方面优于泵浦EDFA(以及其它掺铒光纤设备)；与现在用作泵浦源的980纳米和1,480纳米激光二极管相比，能以更高功率和更低成本由商用Nd:YAG激光器或覆层泵浦式掺钕光纤激光器获得更宽的激光波长。Er3+在1.06微米附近并不表现出吸收波段，但Yb3+则呈现有吸收波段。在同时掺有Er3+和Yb3+的并在1.06微米附近泵浦的光纤中，泵浦能量由Yb3+吸收。由于Yb3+(2F5/2)的激励态能量接近于Er3+的4I11/2能级，激励后的Yb3+离子的能量将很快转移到邻近Er3+离子4I11/2的能级。从4I11/2能级驰豫可将铒离子带入其激励基态(4I13/2能级)。实际上，镱离子通过吸收泵浦能量并将所需能量转移到铒离子而充当媒介物。在那些与掺有镱铒的非晶体YAG光纤(其与上述表I最后一条的一致)类似的光纤中，该原理可用于相同目的。
具有潜在商用的其它光纤及波导设备已在掺有除Er3+之外稀土离子的玻璃光纤中证实。特别是连续波(CW)、Q开关、锁模光纤激光器已经证实可在紫外波到远红外波的任一波长下进行操作。(例如，参见1993年纽约M.J.F.Digonnet，Ed.，Marcel Dekker Inc.公司的RareEarth Doped Fiber lasersand Amplifiers。)上述实验结果已与Er3+离子的4I13/2→4I11/2转换结合起来，但它们的通用性不应忽略。
这里所述的掺铒非晶体YAG光纤的特性最好用于提供一种比现有装置和方法能够在更宽的波带范围放大输入信号的方法。通过用掺铒非晶体YAG光纤取代已知的硅石基掺铒光纤，类似的放大器配置就可在一个更宽波带上进行放大，该波带可延伸到约1,650纳米，而以前已知的放大器的上限约为1,620纳米。
图8为采用本发明方法的第一种配置800。除了用掺铒非晶体YAG光纤810代替传统的掺铒光纤110之外，图8类似于图1。结合上面图1所述的理由，第一光隔离器820、波分复用(WDM)耦合器822、第二光隔离器824以及光泵浦源830包括在其中。
结合图8，本发明方法的操作类似于图1中EDFA100的操作。然而与图1的配置的操作方法相比，加载到图8实施例的光信号包括从约1,610纳米到约1,653纳米的L波段上限范围内的波长。由于掺铒非晶体YAG光纤810荧光波带的延长，波长在1,610-1,653纳米范围内的光信号可在掺铒非晶体YAG光纤810中放大。图8中配置的操作方法相对于以前配置的操作方法具有更大的增益带宽。作为选择，除了从反向送入泵浦外或正向和反向送入泵浦外，可采用与图8相同的配置。
图3显示出非晶体YAG材料和非晶体镧取代的YAG材料的C波段非常宽，并且C波段可向上延伸到约1,481纳米(3dB点)。例如，在直径0.5cm、掺铒8％的非晶体YAG光纤中，主要包含4I13/2→4I15/2转换波谱短波长部分的反向荧光波谱大约从1,482纳米延伸到1,603纳米(3dB点)。本发明的另一方面是一种操作C波段放大器以放大波长大约从1,480纳米到1,565纳米的多个信号的方法，其中的放大器采用图8的配置。该波长范围的下端即大约1,480纳米明显低于Er3+在其它已知基质中进行相同转换的已报导的下端值。
图9为采用本发明方法的另一配置900。图9中的配置900类似于图2中的配置200并包括一个下端C波段EDFA 910和一个上端L波段EDFA 920。输入的光信号通过一个WDM耦合器930耦合到两个EDFA 910、920的输入端。两个EDFA 910、920的输出端在一个WDM耦合器932相连，并且连接后的输出提供给一个输出端口。每一个EDFA 910、920都具有一个或多个泵浦源(图中未示出)。在图9中，上端(L波段)EDFA 920包括一个上述的掺铒非晶体YAG光纤940。下端(C波段)EDFA 910最好也包括一个掺铒非晶体YAG光纤950。然而，下端EDFA 910和上端EDFA 920中也可有一个采用传统硅石基或其它玻璃基光纤的传统的EDFA。第一个光隔离器960可防止EDFA 910、920的反向反射进入到输入口中。第二个光隔离器962可防止输出口的反向反射进入到EDFA 910、920中。
本发明通过加载波长从约1,481纳米或更低到约1,653纳米或更高的输入光信号来操作图9的配置900。WDM耦合器930将输入光信号分开从而使波长小于1,565纳米的输入光信号耦合到下端的EDFA910，同时波长约大于1,565纳米的输入光信号耦合到上端的EDFA920。下端的EDFA 910放大波长从约1,481纳米到约1,565纳米的信号，并将放大后的输出信号通过耦合器932送到输出口。上端的EDFA 920放大波长从约1,565纳米到约1,653纳米的信号，并将放大后的输出信号经耦合器932送到输出口。本领域普通技术人员都知道在输入光信号中有一个静带在1,565纳米左右，从而避免该波长处的信号被EDFA910和920同时放大。如前所述，在上端EDFA 920或下端EDFA 910或两个EDFA中采用掺铒非晶体YAG光纤940可以在宽于先前所能获得的波带范围上进行放大。
图9中的上端(L波段)EDFA 920最好配置成图10-14所述实施例中的一种。
图10所示为正向L波段放大器1000，如上所述，其包括一根单长度的掺铒非晶体YAG光纤1010。该光纤1010由一光泵浦源1020经第一WDM耦合器1022的一个输入而泵浦。输入口1030上的输入光信号经一个第一光隔离器1032和第一WDM耦合器1022的一个第二输入而加到光纤1010上。光纤1010的输出经第二光隔离器1036送到输出口1034。图10中放大器1000的输入口1030与图9中WDM耦合器930的上端输出口相连，并且输出口1034与图9中耦合器932的上端输出口相连。图10中，光泵浦源1020包括一个第一光泵浦1050以及一个第二光泵浦1052，第一光泵浦1050以第一光泵浦波长λp1提供泵浦光，第二光泵浦1052以第二光泵浦波长λp2提供泵浦光。两个泵浦1050和1052的输出在第二WDM耦合器1054合并。第二WDM耦合器1054的输出则作为复合泵浦信号提供给第一WDM耦合器1022的第一输入。这两个泵浦信号也可以其它公知的方法叠加。在一优选的操作方法中，第一光泵浦波长λp1要么为980纳米，要么为1,480纳米(或者优选没有泵浦激发态吸收的Er3+的另一泵浦波长)，并且第二光泵浦波长λp2大约为1,555纳米。这些泵浦信号可用半导体激光器或者其它固态激光器生成。这两个波长λp1和λp2可由第一WDM耦合器1022注入到光纤1010中。第一光泵浦波长λp1与C波段EDFA中的泵浦波长的作用相同，特别是，第一光泵浦波长λp1在光纤1010中形成大量的反转并因此提供增益。然而，增益光谱最大出现在C波段，L波段的增益相对要弱一些。结果，C波段的自发发射强烈放大，形成一个很强的C波段放大了的自发发射，其耗尽了光纤1010整个增益波宽上的增益，这其中也耗尽了L波段上的增益。这样，L波段上的增益减少，并且L波段上的增益通常会低到无法使用。为了提高L波段的增益，需将C波段的ASE减少。在图10配置的操作方法中，C波段ASE的减少是通过λp2波长的第二泵浦实现的。第二泵浦的波长大约选择在1,555纳米，从而与C波段的高增益区重合。泵浦波长λp2在注入到光纤1010后被强烈放大，其可耗尽C波段和L波段的增益，但泵浦波长λp2还会明显地减少C波段ASE的功率(例如，参见J.F.Massicott等人在1992年9月Electronics Letters，卷28，号20，第1924-1925页发表的Low noise operation of Er3+ doped silica fibre amplifier around1.6um。)C波段ASE减少了的功率可提高两段的增益。这两种相对的作用中，后者更为主要，这样L波段的增益提高，而超过C波段的增益。这种L波段放大器具有很好(低)的噪声特性，但增益的效率较低(其要求很高的泵浦功率才能形成特定的增益。
图11展示的配置1100类似于图8中的配置。配置1100包括一个正向泵浦掺铒非晶体YAG光纤1110。该光纤1110可经WDM耦合器1130从光泵浦源1120泵浦波长980纳米或1,480纳米的光束(或是另一个掺铒无泵浦ESA的泵浦波长)。第一和第二光隔离器1140、1142的操作如上所述。
图11所示的配置为正向泵浦式，也可是反向泵浦式或双向泵浦式。铒在C波段具有很强的基态吸收性(GSA)，但在L波段GSA性能却很小或根本没有。其GSA随着L波段内波长的增加而减少，因此随着光纤1110长度的增加，对于一个给定的泵浦功率，在C波段波长某一点处的GSA会大到C波段中没有增益，而是损耗。另一方面，L波段中没有什么GSA，从而获得增益。因此，一种通用的、L波段内具有合适增益放大器的设计方法是选择的光纤1110具有足够的长度，比如两倍于同类型光纤内C波段放大器所需的长度。这种方法消除了C波段内的增益，并显著地减少了C波段内的ASE。因此，图11中的配置即为L波段放大器，其可并入到图9配置的上支中。
图12类似于图11所示的放大器，为另一例L波段放大器的配置1200。配置1200在两个WDM耦合器1220、1222之间包括一个掺铒非晶体YAG光纤1210。第一WDM耦合器1220经一个第一光隔离器1232耦合到输入口1230上，而第二WDM耦合器1222经一个第二光隔离器1242耦合到输出口1240上。第一光泵浦源1250经第一WDM耦合器1220耦合到光纤1210从而使泵浦光在光纤1210中从第一WDM耦合器1220向第二WDM耦合器1222传播。第二光泵浦源1252经第二WDM耦合器1222耦合到光纤1210从而使泵浦光在光纤1210中从第二WDM耦合器1222向第一WDM耦合器1220传播。这样来自两个源的泵浦光在光纤1210中双向传播。例如，H.Ono等人在1997年5月的IEEE Photonics Technology Letters卷9号5第596-598页发表的Gain-flattened Er3+-doped fiber amplifier for a WDM signal in the1.57-1.60um wavelength region中也描述了一种类似的、采用传统掺铒光纤的双向配置，其展示了一种类似的、采用传统掺铒石英光纤的实施例。图12这种配置的操作类似于图11的配置。提供反向泵浦光的第二泵浦源1252用来调节增益波谱。特别是通过适当调节反向泵浦功率，可以使增益波谱在很宽的L波段波宽范围内变平。
图13所示为另一例L波段放大器的配置1300。该配置1300包括两个掺铒非晶体YAG光纤1310、1312，这两根光纤通过一个WDM耦合器1320串联。特别是在第一光纤1310的一端经一个第一光隔离器1332连着一个输入口1330，第一光纤1310的另一端与WDM耦合器1320的一个输入口相连。泵浦源1340与WDM耦合器1320第二个输入口相连。WDM耦合器1320的输出与第二光纤1312的一端相连，第二光纤1312的另一端通过一个第二光隔离器1352与输出口1350相连。泵浦源1340所提供的泵浦光的波长最好在980纳米或1,480纳米左右。泵浦源1340泵浦第二光纤1312，在第二光纤1312中形成增益。第二光纤1312在反向，形成放大了的自发发射(ASE)，即向着WDM耦合器1320发射。来自第二光纤1312的ASE通过WDM耦合器1320耦合到第一光纤1310中。这种ASE的中心处于1,550纳米左右(C波段)，并且被第一光纤1310吸收。因此第一光纤1310在L波段区域内光泵浦并形成增益。例如可参见J.Lee等人于1999年1月在IEEEPhotonics Technology Letters，卷11，号1，第42-44页发表的Enhancement of the power conversion efficiency for an L-band EDFA witha secondary pumping effect in the unpumped EDF section，其展示了一例类似的、采用传统掺铒石英光纤的实施例。
图14展示的一例配置1400类似于图13的配置1400。该配置1400包括一根第一非晶体YAG光纤1410和一根与之通过一个WDM复用器1420串联的第二非晶体YAG光纤1412。特别是在第一光纤1410的一端经一个第一光隔离器1432与一个输入口1430相连，第一光纤1410的另一端与WDM耦合器1420的一个输入口相连。泵浦源1440与WDM耦合器1420第二个输入口相连，然而与图13实施例不同的是，泵浦源1440是与一个与WDM耦合器1420第一输入相对的第二输入口相连。WDM耦合器1420的输出与第二光纤1412的一端相连，第二光纤1412的另一端通过一个第二光隔离器1452与输出口1450相连。在配置1400中，来自泵浦源1440的泵浦光导向第一光纤1410，并且第一光纤1410的ASE输出为第二光纤1412提供1,555纳米左右的泵浦光。图14的反向泵浦式双EDFA在效率上比图13的正向泵浦式EDFA略高一些。例如可参见J.Lee等人于1999年1月在IEEEPhotonics Technology Letters，卷11，号1，第42-44页发表的Enhancement of the power conversion efficiency for an L-band EDFA witha secondary pumping effect in the unpumped EDF section，其展示了一例类似的、采用传统掺铒石英光纤的实施例。
显然，在该技术中上述这些不同配置在效率和噪声特性以及尺寸、复杂性、成本、加工的重复性等方面具有一定的优点。此外，一种特定的配置可优选适用于一个确定类型的应用场合，而另一种配置则优选适于另一个应用场合。
本发明方法相对于已知的、采用其它光纤或波导如硅石、氟锆酸盐、碲等类似物的放大器的方法具有许多优点。例如：该方法的一个优点是C波段的带宽大于铒用于其它已知宽带材料中的带宽。在某些材料组分中所观察到的荧光向下可到1,481纳米(3dB点)，这意味着C波段短波的尾部上具有延伸的带宽。这样，在这些非晶体YAG组分材料中，增益带宽在C波段的短波尾部显著变宽。
本发明的第二个特点是L波段的带宽大于铒用于其它已知宽带材料中的宽度。在某些材料组分中所观察到的荧光向上可到1,653纳米(3dB点)，这意味着L波段长波的尾部上具有延伸的带宽。这种L波段带宽比铒用于其它已知宽带材料中的宽度高于约60％。
本发明的第三个特点在于通过图9或图8所示的回路将前述的L波段放大器和前述的C波段放大器组合，由于所形成的放大器能够在一个比铒用于其它已知宽带材料更宽的宽度上提供C波段加L波段的增益。例如，采用图9的回路时，所观察到的荧光范围从1,481纳米到1,653纳米，或者说大约172纳米的3dB带宽，其大约是铒用于其它已知宽带材料中所观察到的最大荧光带宽的两倍。
本发明的第四个特点在于本方法可用很短的L波段和C波段光纤放大器实现，这是一种具有很多好处的特征例如结构紧凑、成本低。另一个技术优点在于本方法中不利的非线性作用减少而非线性作用，这是已知L波段放大器的一个重要问题。在任何光纤中，当传送的信号强度与信号传送长度的乘积太大时，将会产生某些非线性作用例如受激布里渊散射(SBS)以及相位交错调制(XPM)。这些作用，都对EDFA的运行有害。SBS将正向传送的信号光以一相关的频移转换成反向传送的信号光发生。反向传送的光和频移都是有害的。XPM效应可使一个信号中编码的信息部分转移到另一个信号中，从而引起不希望的串话。SBS和XPM效应在光纤连接的通讯部分和EDFA自身上都会发生。通讯光纤非常长(数十公里)，而通讯光纤的方式字段相对较大(即，对于给定的泵浦功率来说强度较低)，这会减少通讯光纤中XPM和SBS效应。另一方面，一个EDFA所涉及的光纤长度非常短，但其模场通常来说相对更小(即，掺铒光纤比通讯光纤承载着更高的信号强度)。这样XPM效应在EDFA特别是在传统的L波段EDFA中很强，传统的L波段EDFA比传统的C波段EDFA涉及更长的掺铒光纤。本发明方法所用的掺铒非晶体YAG材料通过减少铒浓度比中大概所需的光纤长度来避免这些问题，其中的铒浓度比通常为系数100或更多。因此，光纤中XPM和SBS效应的系数也会由于光纤长度的减少而减少。
对于这里所述的每一种配置，不同掺铒光纤的长度、不同泵浦的功率以及其它参数可采用现有文献和现有技术中的理论模型和实验手段从理论和实验上估算出来，从而优化特定的EDFA参数如增益、增益轮廓、噪声特性、泵浦效率等。
尽管本发明方法在上面是结合掺铒非晶体YAG光纤进行的论述，显然本发明还可用平面波导技术来实现。特别是，当平面通道式波导用掺铒非晶体YAG材料构成时，本发明方法还可用平面通道式波导来实现。
本发明方法是部分由非晶体YAG中Er的4I13/2→4I15/2转换所具有的荧光波段极宽这一发现而来的，该宽度在掺有8％铒的光纤中大约为121纳米；同时本发明方法也部分由Er浓度越高(或许其它的稀土元素离子)荧光带宽也就越大并且光增益波谱越宽这一发现而来。
申请人描述了一种用于L波段掺铒光纤放大器的放大方法，其采用了一族新的材料，这些材料比其它已知任何材料能产生更宽的、Er3+离子4I13/2→4I15/2转换的L波段波谱。申请人还描述了一种用于C波段掺铒光纤放大器的放大方法，其采用了一族新的材料，这些材料比其它已知的任何材料能产生更宽的、Er3+离子4I13/2→4I15/2转换的C波段波谱。
                国际申请WO97/25284的说明
实施本发明的一例光纤加工方法最好是Paul C.Nordine等人在公开日为1997年7月17日、公开号为WO97/25284的WIPO国际申请Fiber Drawing from Undercooled Molten Materials中公开的方法。该方法的全文在这是以参考的形式并入本申请。其详细说明在下面结合附图16-23进行，这些附图对应于WO97/25284的附图1-8。
根椐公开号为WO97/25284的国际申请，Paul C.Nordine等人惊奇地发现过冷状态下的特定液态熔体在控制条件下能形成具有足够粘性的熔体从而可使光纤在大量液体不出现再结晶的条件下拉制出来，这包括那些熔点太低以致不能进行这种操作的熔体。这里所描述的是几个由过冷的氧化物熔体拉制光纤的例子。对于这些材料来说，是不能从熔点或熔点之上的熔体拉出光纤的。当采用WO97/25284的方法时，光纤可在最高为平衡熔点温度以下20％多的过冷温度下轻易地从熔体拉制光纤。更令人惊奇的是，玻璃光纤可从过冷的、其中化学组分中添加剂浓度高于现有技术的熔体中拉制光纤。此外，值得注意的是，根据WO97/25284拉制的光纤具有出人意料的高抗拉强度，这假定是由于WO97/25284的光纤表面相对更加完美的结果。
WO97/25284的方法采用一根“刺体”来启动拉制。光纤的成长性会受到刺体的物理性能以及刺体的几个使用条件影响，如刺体的材料、尺寸、表面光洁度、刺尖在液体中插入的深度以及开拉前刺体在液体中的滞留时间。这些性能条件及工艺的控制会影响刺体表面的浸润性及粘性并能大量控制光纤的拉制工艺。
简单地说，WO97/25284的方法包括以下步骤：(i)在非承装条件下将所选材料样本熔化成悬浮的液滴，或者在承装条件下如在熔炉中熔化所选材料样本；(ii)将液体冷却到一个低于熔点的温度，即使液体过冷；以及(iii)使过冷液体与刺体探头接触并在所需条件下拉出探头从而由液体拉出光纤。
在任何时候，光纤直径的控制都是通过以下条件控制来实现的：(i)液体的粘度(通过改变熔化温度和/或气体环境来实现)；以及(ii)拉制光纤的速率。下面实验中所用的气体举例包括：氧气、空气和氩气，当然也可采用其它的气体如氮气、氦气、一氧化碳、二氧化碳、氢气以及水蒸气。通常拉制速率越快并且/或粘性越低拉出的光纤直径越细。光纤直径的上限由拉制的最小速率确定，该速率是指在大量过冷熔体中不出现结晶时的最小速率。光纤直径的下限由最大拉制速率确定，该速率是指在不拉断光纤或不会将光纤从熔体中拉出时的最大速率。
此外，将WO97/25284拉出的光纤加热到玻璃体特定的结晶温度就可将该光纤转换成晶体光纤。
WO97/25284中所述的方法可由多种材料加工出高纯度的光纤，这些材料都是那些已知具有高强度和硬度、低蠕变率、很高的抗氧化能力、或者组成材料的组分在高温下具有化学相容性。这就使光纤可由那些具有低电磁辐射吸收性的材料形成，例如但并非限于电讯领域中所用的那些材料，并且可用作光纤的光学光导设备，并且还可由高纯度材料形成。WO97/25284中所公开的方法还能合成均质的玻璃光纤，该光纤可包含高浓度的掺杂元素以用于诸如但并不限于光纤激光器以及光纤激光放大器。根据WO97/25284，光纤的拉制很快，这可使生产成本降低；光纤可结晶以形成稳定的材料，该材料例如可用在抗氧化性复合材料中，该复合材料可用于高温结构体如涡轮燃烧腔的衬体和射流偏向器中。WO97/25284的方法还可用来合成具有更好抗拉强度和硬度的光纤以用于聚合母体的复合材料中。此外，WO97/25284还可用生物相容材料来形成光纤以便于在医疗中使用。因此，WO97/25284的方法大大地扩展了通过拉制由液态熔体制作光纤的材料范围。
例1----光纤拉制设备
图16描述了一例采用WO97/25284中公开的原理在承装条件或非承装熔体条件下由过冷熔体拉制光纤的优选布置。值得注意的是WO97/25284中刺体设备的一个新的关键特性在于：光纤在形成之后并非拉制通过一个模压成型设备或类似的设备。该例中，尽管其原理以及光纤的拉制方法也可采用拉制光纤所需的任何熔体，这也包括承载的熔体，但该例的特征是在非承装的条件下。
图16中展示的非承装的条件可通过一个空声悬置器(aero acousticlevitator---AAL)将拉制光纤的液滴悬置来获得。该方法采用气体喷嘴32的气动力，并利用三维声波定位系统33产生的声波力来使悬置稳定。根据WO97/25284，这种装置以及其它悬置样品的装置已在现有技术中进行了描述，任何悬置过冷样品方法的使用都在WO97/25284的范围之中。这类方法包括如电磁悬置和静电悬置。这类装置涉及熔体在高度真空的条件下进行并保持悬置，这里的真空条件可使WO97/25284的光纤拉制方法应用于金属、合金以及那些容易与空气或气体环境中气体元素反应的材料。
悬置的液滴1是用CO2激光器发出的激光束加热并熔化样品而形成的，显然其它任何加热装置均在WO97/25284的保护范围之中，如白炽灯或弧光灯、微波加热、感应加热、在炉膛中加热或在热气流中悬置。此外，任何一种可为样品提供足够热量的激光束均可用于WO97/25284的方法。在本特定实施例中，CO2激光束被分成两束34，这两束分别聚焦在悬置样品的相对侧上使样品熔化。然后将熔体保持在高温中直到完全熔化，接着切断或减少入射的加热功率来形成并保持熔滴的过冷状态。
刺体和光纤拉制设备31由一根与杆3相连的直径为0.01cm的钨丝刺体构成，杆3由电磁致动器4操作，刺体和光纤拉制设备31在位置上可使钨丝刺体的尖在启动电磁线圈时插到悬置的液滴1中。钨丝刺体与过冷熔体的接触必须精细控制以避免在过冷的熔体中由于同剌体的接触而形成异质晶核。尽管WO97/25284的光纤拉制操作通常不会导致异质晶核的形成，但如果将先前形成的玻璃光纤用作刺体材料，那么可减少形成异质晶核的问题。尽管本实施例中采用钨丝作为刺体，但WO97/25284指出各种材料、尺寸的刺体均可使用，这取决于熔体的成分、粘性以及所需的光纤特性，并且这样的其它刺体也在WO97/25284的保护范围之中。
在本实施例中，一个弹簧式拉制机构5提供拉力以拉制出确定长度的光纤，当然，其它的光纤拉制装置也在WO97/25284的保护范围之中。弹簧的拉力调节到其弹力系统在k＝0.1-0.25lb/in的范围内。光纤的拉速进一步由摩擦减震器6控制。控制电路7用来启动电磁致动器并使剌体在其释放进行光纤拉制操作之前在液滴中保持一预定的时间。快速高温仪35用来监视悬置的样品温度，该温度可实时显示在计算机屏幕上，比如显示一条温度与时间的曲线。熔滴的温度可通过增加或减少激光束的强度或激光束照射样品的时间来保持在所需的过冷温度。
当然，其目的在于根据需要调节弹簧的弹力常数从而调节光纤的拉制速率以获得所需尺寸的光纤。此外，需要注意的是，光纤拉制装置可以是任何合适的装置如机轮组件，并且拉力可根据所需光纤的物理特性和拉制光纤的方法进行调节。
开始拉制光纤时，先挡住用于加热的激光束并监视液滴冷却时的温度(作为一幅温度与时间图显示在计算机屏幕上)。当温度达到预定值时，手动激活电磁致动器4，其中的预定值优选在最佳拉制温度范围内。在本特定实施例中，电磁线圈设计成在刺入样品后自动关闭。然后拉制机构的作用抽回刺体，光纤即由液滴拉出。液滴的温度控制是WO97/25284的关键部分。当温度高于拉制光纤的最佳温度范围时，刺体从液滴拉出时将不能拉出光纤。当温度低于拉制光纤的最佳温度范围时，液体的粘性会高到使刺体在液滴上所施加的拉力超过悬置设备的保持力，刺体的运动会将液滴推拉出悬置位置，而不会从液体中拉出光纤。此外，如果熔体温度太低，所形成的光纤会短于所需的长度。在一个适中的过冷温度下，可形成各种长度的光纤，其直径可从小于1微米到大于60微米。
尽管本实施例中记载了一个特定的光纤尺寸范围，但我们知道也可制造出具有更宽尺寸范围的光纤，这取决于拉制的条件。拉制的速度越低，光纤的直径越大，拉制的速度越高，光纤的直径越小。光纤的长度受两个因素限制。第一，当温度低到一定程度，液滴上的力最终会将液滴拉出悬置位置。第二，当温度高到一定程度，光纤直径随着拉制速率的提高而减少，以至于拉力不再克服表面张力，而使从液体拉伸光纤终止。在适当的拉制温度范围内，可以拉制出很长的光纤，例如，拉制一根10微米直径的光纤，当液滴直径从0.35cm减少到0.25cm时，所形成的光纤超过18,000cm。
图17所示为根据WO97/25284原理的一个优选方法，其是在非承装的条件下从一个以上的方向上从悬着的液滴拉出光纤。在该方法中，一悬置的液滴15初始形成于一个悬置喷嘴16中，也可采用另一种悬置熔化技术悬置液滴。光纤17通过机轮18或其它拉制设备从液滴的相对侧沿着相反的方向同时拉出，机轮18或其它拉制设备可用来控制刺体的运行和光纤的拉制速率。这两个拉力相反并可控制成近乎相等并相对，这样液滴上的合力会减少，液滴不会从其初始位置拉跑。该图还展示出利用激光束19或其它辐射热源来进行加热，其通过一个透镜20聚焦到悬置液滴的顶面。受热区域的温度可保持在熔点之上，而液滴其它区域的温度会减少并在液滴的两侧过冷到足以拉制光纤。在辐射加热区中加入并熔化固体材料21，以补充从液滴中拉出的光纤材料，该固体材料可以粉沫流的形式或以一个或多个细杆状固体材料的形式按控制速率加到悬置的液体中。通过对光纤拉制速率、辐射加热区添加并熔化材料、以及便拉制光纤的区域保持过冷----这些操作进行控制即可生产出长而连续的光纤。当然，WO97/25284中公开的方法还考虑到从一个方向拉制单根光纤或从多个位置多个方向拉制多根光纤，这些位置不会使熔体从其悬置位置发生明显的位移。
刺体的状态和操作包括：在其用来从过冷的熔体拉制光纤之前将该刺体与温度高于熔点的熔体接触从而使刺体准备待用；刺体能与熔化液滴相接触的时间(通常为1-50微秒，当然准备的时间可根据刺体、熔体的组成以及熔体的粘性而有所不同)；刺体插到熔体深度和刺体插入的速率；以及拉出熔体速率。如果温度太高，那么快速插入并拉出刺体可避免刺体形成晶核，但拉出的速度不能高到无法从熔体拉出光纤的地步。在适当的过冷温度下，熔体的粘性会增加到能够拉出光纤，并且结晶速率减少到一个比材料熔点附近所观察到结晶速率还低的速率。
例2----采用锥形喷嘴悬置器拉制光纤
图18所示布置是采用机轮组件和锥形喷嘴悬置(CNL)设备从熔体拉制光纤的布置。尽管可根据样品的表面张力和密度而采用更大的样品，但该布置是悬置直径0.25-0.40cm的样品并从中拉制光纤的。悬置气流8穿过增压室9和喷嘴10流到悬置的样品11，CO2激光束12经ZnSe透镜13聚焦于样品的顶面从而加热并熔化悬置的样品。样品的温度可通过任何信号阻挡装置挡住激光加热束或者通过激光功率的改变来控制。用钨丝刺体77从过冷的熔体底面拉出光纤76，该钨丝刺体77由可逆式步进机轮组件14驱动并送过喷嘴。刺体包括一根与转轮相连的长钨丝，在拉制光纤时其绕在转轮上。当然，也可采用其它的激光器来加热样品，如连续波钕钇铝石榴石(Nd-YAG)激光器。当然也可采用除激光器之外的其它加热方法，只要其能有效地熔化材料、不干扰拉制操作就行。显然，除了上述的例1中的刺体方法和步进式机轮组件之外，也可采用其它任何拉制动力装置。
机轮组件14的方向和加速度是由计算机控制从而能有效操作刺体、改变光纤抽拉的加速度以及获得恒定的光纤拉制速率。采用一个快速高温仪来监视样品温度并观测冷却过程。刺体和所得的光纤不需经过其它机械处理如拉过一个型模而直接绕在与电机14相连的转轮上。在本实施例中，尽管光纤拉制速度取决于所用的不同拉制驱动装置(这里为机轮)，但光纤拉制速度最高为120cm/s。刺体的加速度为计算机控制，尽管WO97/25284指出可根据拉制的特定材料和所需的光纤特性而采用其它的加速度，但这里所用的加速度为1200cm/s2。本装置最高可拉制出60cm长直径为5-20微米的均匀光纤，当然也可采用不同的拉制条件而获得其它长度和直径的光纤。刺入和入拉制光纤的操作通常在不到0.6秒的时间内完成，当然这个时间也可根据熔的粘度、结晶速率以及光纤拉制速率而不同。开始抽拉光纤时的速率必须保证熔体与刺体之间的接触不会使熔体的结晶。
采用CNL设备拉制光纤时，其启动和持续操作所需的温度可低于采用上面例1所述AAL设备所需的温度，这是因为当拉制力很大时液体样品不会被光纤拉跑。但低温时熔体的粘性很大，拉制速率越高，光纤的拉制力也越大，拉制力会大到使熔体移动以至于使熔体与悬置喷嘴的侧壁相接触。这种与喷嘴的接触会使熔体结晶，但光纤的拉制会继续进行，直至熔体结晶到光纤拉制点上。在拉制力大到使熔体与喷嘴接触的温度处，晶体成长速率通常低得能使样品中心在足够长的时间内保持液态从而能连续地拉出长度超过60cm的光纤。
例如，当温度低到多铝红柱石组分的液滴或钇铝石榴石(YAG)组分的液滴在120cm/s的拉制速率下移动并与喷嘴接触的程度时，晶体成长速率大大小于1cm/s。液体与喷嘴之间的接触点与拉制光纤点之间的距离大约为0.2cm。因此，与喷嘴接触后，光纤的拉制还能持续超过0.2秒，从而生产出24cm到60cm长度的光纤。这种允许过冷液体在光纤拉制力下产生位移并与机械约束设备接触的方法可用来拉出可用长度的光纤。令人奇怪的是，由于与机械约束设备接触而形成的结晶成核其成长速率有限并且直到这些晶体长至光纤拉出液体的那一点，也不会影响光纤的连续拉出。
抽丝的冷却速率可被估算出来，例如，对于一根直径为10微米、在空气中采用CNL设备以100cm/s拉出的光纤，冷却速率计算如下。
例如，假定氧化物液滴的温度为1500℃，液滴的热边界层厚度大大小于在悬置气流驻点处的样品直径，该驻点也是光纤从液体中拉出的那一点。通常在液滴直径0.3cm、拉制速率100cm/s的条件下，光纤材料拉过边界层的时间小于0.003秒。假定光纤材料与气体保持热平衡，那么冷却速率将在500,000℃/s的量级上。该冷却速率是在光纤表面的热通量大约为700W/cm2的条件下出现的。该热通量是根据比如氧化铝的热特性由10微米直径光纤表面单位面积上的焓变速率计算出来的。
现在假定光纤保持高热状态，1500℃光纤与环境凉气之间的对流换热率q″由下式给出：
q ′ ′ = Nu h k f ( T f - T a ) d
这里，
Tf和Ta为光纤和环境温度，
kf为气体在平均气“膜”温度等于(Tf+Ta)/2时的导热系数，
d为光纤直径，以及
Nuh为换热的Nu数。
在该假定条件下，kf大约为4×10-4W/(cm℃)，Nuh大约为1，q″大约为600W/cm2。因此光纤不冷的假定条件将导致热流高于同环境气体保持热平衡所需的热流。因此，在光纤直径为10微米时，CNL光纤拉制方法所拉出光纤的冷却速率为几个100,000℃/s。光纤直径越大，冷却速率越小，其基本上与光纤直径的平方成正比。因此直径50微米的光纤，其冷却速率超过4,000℃/s。
例3----从多铝红柱石熔体拉制光纤
图19所示为采用WO97/25284的光纤拉制方法将光纤从多铝红柱石组分的过冷熔体拉出的时间和温度条件，其中多铝红柱石组分中Al2O3∶SiO2的摩尔比为60∶40。
图19展示出悬置样品在光纤拉制实验中典型的温度-时间曲线，图中由光学高温仪测得的温度是作为时间的函数。在所示的时间段之前，样品用CO2激光束熔化，同时在AAL设备的氩气流中悬置并保持在一恒定的温度。拉制光纤的温度范围是由例1和图16所述的光纤刺拉设备在各种温度下拉制光纤确定出来的。在所记录的0到2.0秒的时间周期内，温度随着时间的增加而不断降低，这是液体在挡住激光束后不断地冷却。该图说明：在此冷却周期内，在该温度范围内，光纤可从过冷的液体中连续地拉出。图中所示，在约2.0-2.2秒的时间内，温度很快上升到样品的熔点。在过冷液体自发结晶时，温度会上升。结晶所释放的能量足以交样品加热到熔点，并且在熔点处尽管继续结晶但温度保持大体不变。最后，在耗尽所有的液体后，由于热量从固体样品不断损失，温度下降。
来看图22，与较高温度液体保持平衡的多铝红柱石晶体不在多铝红柱石的低温相区中。因此该图说明与取高温度液体保持平衡的多铝红柱石在较低温度下其热力状态并不稳定，与取高温度液体保持平衡的多铝红柱石会含有过量的氧化铝，当多铝红柱石冷却或用于低温场合时，该氧化铝会凝结出第二相态。作为对比，根据WO97/25284原理所形成的玻璃光纤的组分可独立地选择在所需温度的多铝红柱石相区中。该玻璃光纤可加热转换成纯的多铝红柱石晶体光纤，其相对于使用温度下的第二相态凝结更为稳定。
还可在许多情况下拉制光纤，这些情况中能观察到再炽热现象(结晶所释放的热量导致温度升到熔点)。例如按本实施例描述所得到的多铝红柱石组分的玻璃光纤就可观察到再炽热现象。
例4----采用承装系统从过冷熔体拉出光纤
WO97/25284的说明还考虑了在承载系统中拉制光纤的情况。图21展示的一例优选实施例是一种采用容器来支撑液体的方法，其有利于光纤从过冷熔体拉出而不会出现结晶。该方法的一个重要特征包括在容器中建立并保持一个温度梯度，这样熔化的部分物质处于过冷状态。在该方法中，需将相关材料30置于一个开口的容器22如炉缸中，该容器保持在熔点温度之上，同样保持在熔点温度之上的盖体25在开始时置于容器上从而使容器内获得热平衡并将材料完全熔化。然后将盖提起或去掉使热量散失并使熔体表面冷却。控制熔体表面23的传热条件从而使暴露的熔体表面的中心区域过冷，以便于光纤从过冷的液体拉出。容器的内壁28和一小部分紧靠着容器壁的液体可保持在熔化温度之上，这样器壁上不会出现异质晶核。
从图21可以看出几根光纤24比如在机轮26或其它拉制装置的作用下，从加热炉缸22和熔化材料30拉出，并穿过提起的盖体25中的开口或者穿过不同引导件的开口，其中盖体的开口大于光纤。在熔体上温度高于熔点区域处加入并熔化固体材料，以补充从熔体中用掉的光纤材料。如上面例1所述用一个或多个刺体(图中未示出)通过机轮组件或其它拉制装置的作用来启动拉制。
液体及炉缸顶面的温度作为炉缸及其所含液体顶面横向位置的函数示意性地展示在图21的底部。平衡温度在图21这部分的坐标上用Tm表示。炉缸的温度以及炉壁附近的那部分液体的温度高于Tm，而远离容器壁的液体表面温度则减少到低于Tm。裸露液面的中心温度可如下估算出来：假定容器的直径远大于液体的深度，这样热量就由底面传导到表面；为了估算出温度梯度的大小，再假定对流热损失忽略不计，从液体表面损失的热量仅为辐射，并且该辐射热不再反射回液体表面；这样，液体温度的降低大体由如下等式给出，这里右侧给出的是从低面到液体顶面的热流，其由炉缸温度保持，左侧给出的是从液体表面辐射出的热损失。
σϵ T S 4 = k T c - T s h
这里σ＝5.67×10-12W/(cm2K4)，斯蒂芬-玻尔兹曼常数(Stefan-Boltzmann)ε对于液体氧化物来说大约为0.8，液体表面的发射率Ts为液体的表面温度，Tc为炉缸的温度，h为液体层的深度。
通常，高温氧化物的导热系数k在0.02到0.2W/(cm℃)。
以多铝红柱石为例，Tc＝1,900℃(略高于熔点)并且Ts＝1,670℃(过冷度大约为200℃)，Nordine等人所得的h＝0.045到0.45cm，这取决于k的实际值。
从上述计算可以看出估算的液体深度小于0.5，这足以使容器中的液体的表面得到深度过冷，其中的容器保持在熔点之上。该深度小得完全满足液体深度远小于容器直径这个假定。
例5----气体环境和再炽热的作用
现已发现，过冷度、膨胀玻璃体的形成以及拉制光纤的条件取决于气体环境。本例中，在三种不同气体环境下来拉制光纤：空气、纯氧、纯氩气。显然也可采用其它的气体，例如氮气、氦气、一氧化碳、二氧化碳、氢气、水蒸汽以及其它气体。
在氩气环境下，在不发生结晶的情况下可形成Y3Al5O12组分的膨胀玻璃。而在空气及氧气中，液体Y3Al5O12组分在过冷时会自发结晶。第二例为纯氧化铝，此种液体在自发结晶前，在氩气中可冷却到熔点以下450℃，而在空气或氧气中仅能冷却到熔点以下360℃。结晶放出的热形成再炽热。在熔体冷却时，只要有膨胀玻璃样品形成没有结晶出现就可拉制玻璃光纤。在观察到再炽热现象时，在许多情况下通常都可拉制玻璃光纤。例如在氧气环境中，在观察到再炽热现象时，还可获得多铝红柱石组分的玻璃光纤。这些光纤都是在高于熔体形成晶核并自发结晶的温度下拉出来的。
膨胀液体在过冷液体自发结晶形成再炽热的条件下其冷却速率通常在100-500℃/s。我们知道如果冷却速率超过形成玻璃的结晶冷却速率就会形成玻璃。因此如果观察到了再炽热现象就意味着膨胀液体中没有达到临界的冷却速率。然而，在液体温度大于自发结晶温度时仍可通过拉制光纤而获得玻璃光纤。这些结果说明拉制光纤的过程会在光纤中形成一个超过液滴自由冷却速率的冷却速率。
例6----新的光纤组分
表II列出了一些新的光纤的组分，这些光纤均可由WO97/25284的方法获得。表II所列光纤可用不同的方法拉制，这些方法包括例行所述的刺体和拉制设备、例2图18所述的机轮组件。熔体可用任何悬置设备悬置，这包括上述的AAL和CNL设备，熔体例如也可如上面例4所述承装起来。固体样品由纯的氧化材料经激光熔炉融化，这种方法是现有的公知技术。添加剂钕或铒与50∶50的Al2O3∶SiO2、63∶37的Al2O3∶Y2O3以及其它材料同时使用。
当温度超过熔点时，悬置熔体中所观察到的摆动和流体流动说明熔体的粘性相对于氧化铝液体的粘性来说很低，并大大低于玻璃成形材料如纯的二氧化硅或富硅石熔体通常的粘性。这些熔体的粘性很低还可从光纤无法从熔点之上的熔体中拉出这一现象看出。然而，在上面所述的所有情况中，均可采用WO97/25284的方法从过冷熔体中拉出玻璃光纤。并且在所有情况下拉出的光纤在外观都是均匀的。显微镜下的目检表明光纤中没有二相凝结。
通过把Nd2O3和Er2O3加到Al2O3∶SiO2为50∶50和Al2O3∶Y2O3为63∶37的材料中，就可合成出具有高浓度光活性掺杂剂的玻璃光纤。所用的添加剂浓度远远大于现有技术光纤中典型的1％或少于1％的浓度。WO97/25284的方法通过将材料首先加热到一个使所有组分形成一个完整熔合液的温度而获得这些具有高浓度添加剂的光纤。过冷时，其粘性会提高到足以从熔体中拉出光纤的程度。由于过冷的熔体不会结晶，因此该熔体保持均质使形成的玻璃光纤具有高浓度的添加剂。
此外，还可合成出很高纯度的光纤和具有极小浓度添加剂的光纤。采用非承装条件保持熔体可使熔体的纯化采用以下方式进行：(i)蒸发杂质；(ii)杂质的反应气化。比如，初始约含有0.0005摩尔百分数铬(每百万中有5份铬)的氧化铝可通过非承装熔化并将液体加热到最高2400℃而纯化。分析后发现铬的浓度在几分钟后减少到百万分之一。同样，许多的氧化物均可采用现有的公知装置来蒸发纯化。当材料在容器中以很高温度处理时，容器的材料会熔解到熔体中从而无法使液体纯化。因此，通过非承装条件来纯化液体，所形成的光纤中杂质的含量少于0.0001摩尔百分数(百万分之一)。同样，通过首先对液体进行纯化，可使由该液体拉出的光纤中添加剂的浓度可控，该浓度范围为从小于0.0001的摩尔百分数到50的摩尔百分数。
根据WO97/25284的方法，可在非承装的条件下将熔体过冷到足以拉出光纤的程度从而合成具有化学成分CaAl2O4的玻璃光纤。这种抽拉光纤的方法在图18中进行了描述，并且悬置在氧气中。光纤是从过冷到材料熔化温度以下大约200℃的熔体中拉出的。在进一步过冷时，不会出现结晶并能获得CaAl2O4的膨胀玻璃样品。显然，也可采用其它的光纤拉制方法，例如图16中所示的刺体拉制设备，能够形成抽拉光纤的任何方法均在WO97/25284的范围之中。
采用WO97/25284的方法可以从CaO-Al2O3熔体合成出玻璃光纤，该光纤可用作生物相容性的结构材料，如美国专利5,552,213所公开的那样，如果该材料被吸入人体，其不会引起硅肺病。该专利的内容在这里并入本申请。
采用WO97/25284的方法还可形成具有镁橄榄石Mg2SiO4化学成分的玻璃光纤。这种矿石与顽辉石Mg2Si2O6热力相容，而顽辉石在现有技术中是一种公知的用来强化复合材料的相间弱化膜。镁橄榄石光纤可用图16所示的光纤刺体设备由锥形喷嘴悬置设备的悬置过冷熔体形成。
图20所示为硅铝石系统的相平衡图，其展示了从纯氧化硅到氧化铝整个范围的组分。从表II可以看出WO97/25284中公开的工作可在很宽的组分范围上形成玻璃光纤，该组分范围包括纯多铝红柱石在较低温度时稳定的组分。
例7——光纤的结晶
根据WO97/25284所制成的光纤还可结晶。表III为多铝红柱石组分玻璃光纤如Al2O3∶SiO2为60∶40的玻璃光纤在1100℃和1200℃下结晶的表。这些结果表明从过冷熔体拉制光纤接着再加热到一个中间温度的方法可形成具有所控化学成分的晶体光纤，该化学成分在中间温度下性能稳定。
通常可控制光纤的拉制速率使其超过过冷熔体的结晶速度，并且所得光纤的冷却速率通常大于在材料中形成玻璃的临界冷却速率，该材料用来拉制光纤。用来形成玻璃的结晶速度或临界冷却速率并非精确地与温度成函数关系。对于多铝红柱石光纤来说，30cm/s的光纤拉制速率足可避免熔体结晶。多铝红柱石在熔点之下200K时的结晶速度大约为3cm/s。
液态钇-铝的结晶速度大于液态多铝红柱石组分的结晶速度。采用图18所示的机轮组件，在纯氩气流的条件下，几个毫米长的钇铝玻璃光纤的拉制速度为30cm/s，60cm长光纤的拉制速度为100cm/s。该液体大约冷却熔点以下200℃。
如例2所示，光纤的冷却速率会随着光纤直径的增加而减少。给定直径光纤的拉制速率也随着光纤直径的增加而减少。因此在拉制大直径光纤时，光纤的冷却速率会小于玻璃形成的临界冷却速率。然后，在这种条件下得到的光纤至少含有某些结晶材料。此外，如果光纤拉制条件下的结晶速度超过了光纤拉制速率，光纤中形成的晶体将在光纤中发展从而使拉制光纤的过冷液体结晶，结果光纤的拉制被终止。
表III所示为：由过冷熔体拉出的玻璃光纤以及加热空气中拉出的光纤而形成的晶体光纤的张力测试数据。我们很高兴地看到拉制的光纤都具有很高的抗拉强度。商用上可获得的、具有类似组分的现有光纤的抗拉强度都小于3GPa，而根据WO97/25284原理获得的多铝红柱石组分的光纤中，其抗拉强度最高可到6.4GPa。
表II从过冷熔体拉出的玻璃光纤的化学组分
    化学组分，摩尔分数   添加剂
    硅铝材料：
    0.50Al2O3+0.50SiO20.50Al2O3+0.50SiO20.50Al2O3+0.50SiO20.60Al2O3+0.40SiO20.67Al2O3+0.33SiO20.69Al2O3+0.31SiO20.70Al2O3+0.30SiO20.71Al2O3+0.29SiO2 接重量加入1％到20％的Nd2O3接重量加入1％到20％的Er2O3
    钇铝材料：
    0.63Al2O3+0.37Y2O30.63Al2O3+0.37Y2O3 用5％mol的Nd2O3取代成Y2O3
    其它材料：
    0.50Al2O3+0.50CaO0.30Al2O3+0.70CaO0.67MgO+0.33SiO2(镁橄榄石)0.50Al2O3+0.50La2O30.35Al2O3+0.35LiO+SiO2
表III多铝红柱石组分的光纤的特性
    光纤条件     光纤直径，m 拉断强度，Gpa
    拉制拉制拉制拉制拉制在1100℃结晶     32.020.532.730.533.019.0     6.454.685.216.145.550.78
    在1200℃结晶在1200℃结晶     8.028.0     1.000.66
尽管这里所述是结合光学光纤放大器进行，但本发明的放大光学信号的方法还可采用整体式光学放大器来实现，这种光学放大器可通过本领域中几种公知的技术由非晶体YAG批量样品生产出来。

Claims (36)

1、一种在宽光学带宽范围放大光输入信号的方法，所述方法包括：
将所述光输入信号输入到一个光波导，该光波导包含一种掺有稀土元素的非晶态铝钇氧化物材料，所述光输入信号包括至少一个波长小于1,520纳米的第一光信号以及至少一个波长大于1,610纳米的第二光信号；以及
将泵浦光加载到所述光波导从而使所述波导为所述光输入信号提供光增益，从而至少放大所述的第一光信号和所述的第二光信号。
2、如权利要求1所述的方法，包括所提供的光增益能够放大波长从约1,480纳米到约1,650纳米的光信号。
3、如权利要求2所述的方法，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒。
4、如权利要求2所述的方法，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒和镱。
5、如权利要求1所述的方法，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒。
6、如权利要求1所述的方法，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒和镱。
7、如权利要求1所述的方法，其中用镧原子取代所述光波导中的一部分钇原子。
8、一种放大光输入信号的方法，所述方法包括：
将所述光输入信号输入到一个光波导，该光波导包含一种掺有稀土元素的非晶态铝钇氧化物材料，所述光输入信号包括至少一个波长小于1,520纳米的光信号；以及
将泵浦光加载到所述光波导从而使所述波导为所述光输入信号提供光增益，从而至少放大所述的一个光信号。
9、如权利要求8所述的方法，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒。
10、如权利要求8所述的方法，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒和镱。
11、如权利要求8所述的方法，其中用镧原子取代所述光波导中的一部分钇原子。
12、一种放大光输入信号的方法，所述方法包括：
将所述光输入信号输入到一个光波导，该光波导包含一种掺有稀土元素的非晶态铝钇氧化物材料，所述光输入信号包括至少一个波长大于1,610纳米的光信号；以及
将泵浦光加载到所述光波导从而使所述波导为所述光输入信号提供光增益，从而至少放大所述的一个光信号。
13、如权利要求12所述的方法，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒。
14、如权利要求12所述的方法，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒和镱。
15、如权利要求12所述的方法，其中用镧原子取代所述光波导中的一部分钇原子。
16、一种在宽光学带宽范围放大光输入信号的光学放大器，所述光学放大器包括：
一个提供泵浦光的光泵浦源；以及
一个光波导，其包含一种掺有稀土元素的非晶态铝钇氧化材料，所述的光波导光学耦合以便从所述光泵浦源接收所述泵浦光，所述光波导接收具有多个波长的光输入信号，所述光输入信号包括至少一个波长小于1,520纳米的第一光信号以及至少一个波长大于1,610纳米的第二光信号，所述泵浦光具有一个泵浦波长以及该泵浦波长下的强度，其可使所述光波导提供光增益，从而至少放大所述第一光信号和所述第二光信号。
17、如权利要求16所述的光学放大器，其中所述波导提供光增益从而放大波长短到约1,480纳米、长到约1,650纳米波长范围的光信号。
18、如权利要求17所述的光学放大器，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒。
19、如权利要求17所述的光学放大器，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒和镱。
20、如权利要求16所述的光学放大器，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒。
21、如权利要求16所述的光学放大器，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒和镱。
22、如权利要求16所述的光学放大器，其中用镧原子取代所述光波导中的一部分钇原子。
23、一种放大光输入信号的光学放大器，所述光学放大器包括：
一个提供泵浦光的光泵浦源；以及
一个光波导，其包含一种掺有稀土元素的非晶态铝钇氧化材料，所述的光波导光耦合以便从所述光泵浦源接收所述泵浦光，所述光波导接收具有多个波长的光输入信号，所述光输入信号包括至少一个波长小于1,520纳米的光信号，所述泵浦光具有一个泵浦波长以及该泵浦波长下的强度，其可使所述光波导提供光增益，从而至少放大所述的一个光信号。
24、如权利要求23所述的光学放大器，其中所述波导提供光增益从而放大波长短到约1,480纳米、长到约1,565纳米波长范围的光信号。
25、如权利要求24所述的光学放大器，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒。
26、如权利要求24所述的光学放大器，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒和镱。
27、如权利要求23所述的光学放大器，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒。
28、如权利要求23所述的光学放大器，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒和镱。
29、如权利要求23所述的光学放大器，其中用镧原子取代所述光波导中的一部分钇原子。
30、一种放大光输入信号的光学放大器，所述光学放大器包括：
一个提供泵浦光的光泵浦源；以及
一个光波导，其包含一种掺有稀土元素的非晶态铝钇氧化材料，所述的光波导光耦合以便从所述光泵浦源接收所述泵浦光，所述光波导接收具有多个波长的光输入信号，所述光输入信号包括至少一个波长大于1,610纳米的光信号，所述泵浦光具有一个泵浦波长以及该泵浦波长下的强度，其可使所述光波导提供光增益，从而至少放大所述的一个光信号。
31、如权利要求30所述的光学放大器，其中所述波导提供光增益从而放大波长短到约1,565纳米、长到约1,650纳米波长范围的光信号。
32、如权利要求31所述的光学放大器，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒。
33、如权利要求31所述的光学放大器，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒和镱。
34、如权利要求30所述的光学放大器，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒。
35、如权利要求30所述的光学放大器，其中所述非晶体钇铝氧化物材料掺有铒和镱。
36、如权利要求30所述的光学放大器，其中用镧原子取代所述光波导中的一部分钇原子。
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