CN1222718A - 反射液晶显示装置 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 77
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 52
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 38
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 38
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- -1 acryl Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 150000007516 brønsted-lowry acids Chemical class 0.000 description 3
- 150000007528 brønsted-lowry bases Chemical class 0.000 description 3
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 108010022579 ATP dependent 26S protease Proteins 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N ammonium oxalate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)C([O-])=O VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 210000004276 hyalin Anatomy 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
Abstract
一种反射液晶显示装置,包括:基片、面对基片的透明基片和夹在基片和透明基片之间的液晶层,还包括第一透明电极、电气绝缘隔离层和反射薄膜,它们在基片的向内的表面上依序形成,还包括第二透明电极,它被包含在透明基片向内的表面内。电气绝缘隔离层在实际上和电气上将由A1制成的反射薄膜和第一透明电极隔开,从而改善了处理中对耐受化学制剂的能力和可靠性。
Description
本发明涉及一种反射液晶显示装置，其中反射表面设置在液晶单元中。
在国际互联网(Internet)的快速普及的同时，便于在任何地方和任何时候存取和发送数据的基本结构正在进行着。目前，“个人数字辅助器”(下面缩写为PDA)起着界面装置的主要作用。
希望移动使用的PDA薄、轻以及功耗低。不需后照光的反射液晶显示装置(下面缩写为LCD)对这个目的来说最为适合。因此，PDA的大部分产品采用反射LCD。
PDA要和手提计算机、笔记本型个人计算机、网络计算机、数字照相机等等功能相协调。还希望作为移动商务工具(它是“移动办公室”主要装置)，建立大市场“移动办公室”已经被建议为与底层结构(诸如高速通信系统、移动通信操作系统等)平行的新的商业环境。
虽然目前大都使用黑白反射LCD，但想要彩色反射LCD。在这一领域中已经积极进行了研究和开发。因此作为移动商务工具的关键装置，预期对彩色反射LCD有很大的需求。
虽然研究和开发了各种类型的反射LCD，单偏振器型被认为是可代替双偏振器型的一种实现明亮显示的有前途的类型。在LCD中，有两种类型，一种是有源矩阵型，而另一种是单个矩阵型。前者用于着重性能的场合，而后者用于着重成本的场合。
例如在下述出版物中示出单偏振器LCD的结构：
1)关于黑白反射LCD，
I.Fukada,M.Kitamura,Y.Kotani:ASIA DISPLAY‘95 pp.881-884(1995)。
2)关于彩色反射LCD，
H.Zamaguchi,S.Fujita,N.Naito,H.Mizuno,T.Otani,T.Sekime,T.Ogawa,N.Wakita,N.Wakita:SID 97 DIGST pp.647-650(1997)。
图10示出传统的单偏振器彩色LCD的典型例子。在基片201上，形成带状反射电极207a-207f。在基片201和其面对的透明电极208之间，夹着液晶层。对液晶层206，使用“扭曲向列相”(下面缩写为TN)液晶或者“超扭向列相”(下面缩写为STN)液晶。在大多数情况下，TN液晶用于有源矩阵型，而STN液晶被用于单个矩阵型。在透明基片208的向内的表面上，相应于反射电极207a-207f而形成滤色器203a-203f，还形成有带状透明电极205，其间夹着保护层204，将透明电极的条带指向和反射电极207a-207f的条带成直角的方向。在透明基片的向外的表面处从外面依序接合透明基片、偏振器211、相位补偿片210和散射片209。
和双偏振器反射LCD相比，因为光线通过偏振器的频度从四次降低为两次，故单个偏振器反射LCD提供了一种更明亮的显示。还有，在单个偏振器型中，反射电极207a-207f可以建立在液晶单元内，从而可以得到视差更小的显示。尤其在采用滤色器的彩色反射LCD中，单偏振器型可以将进来的光和出去的光通过不同彩色区域的可能性减小到最小，这也提供了高色纯度和更亮的显示。
为了得到良好的LCD的对准，需要平面的电极表面。但是，在平面反射电极中，由于强的镜面反射，反射的亮度(除了某些方向之外)变得非常小，从而直接观看反射LCD不能实现。为了克服这个问题，将散射片209设置在光传播路径中。在单偏振器反射LCD中，不同于双偏振器反射LCD(它在背侧具有散射反射片)，如此形成光学系统，从而散射功能与反射功能分离。
在大多数情况下，铝(下面缩写为Al)用于反射电极207a-207f，因为Al更便宜，并具有波长相依性很小的高反射特性。
但是这种传统的反射LCD具有下面的问题。由于要使反射电极207a-207f通过检查步骤，从而露出其表面，故容易发生擦伤。因此，处理较困难。
还有，由于反射电极207a-208f在单元装配过程中露出，对酸、碱或溶剂的耐受能力不够，从而担心被这些化学物品腐蚀。
还有，由于反射电极207a～207f直接接触液晶，故较难保持对腐蚀的耐受能力。特别的，在高温和高湿度的条件下，在恒定电压负载实验中难以保持可靠性。
当使用Al时，上述问题特别地可能发生。本发明的目的是以较简单的结构提供一种明亮和视差较小的反射LCD，它在处理和可靠性方面也是出众的。
一种反射LCD，包括基片、面对基片的透明基片和夹在基片和透明基片之间的液晶层。反射LCD还包含第一透明电极、电气绝缘隔离层和反射薄膜，它们在基片向内的表面处从液晶层侧按此顺序形成。第二透明电极包含在透明基片向内的表面上。电气绝缘隔离层将反射薄膜在电气上和实际上和第一透明电极隔开。
在这种结构中，反射薄膜的表面，由隔离层覆盖和保护，而且反射薄膜设置在液晶单元中，从而保留了单偏振器型的优点。在处理和可靠性方面是极好的，视差较小并导致明亮的显示。
在实际应用中，第一和第二透明电极包括：一组透明电极，或单个透明电极、或一组象素电极(它与有源矩阵阵列组合而成)。还有，通过在反射薄膜的表面上形成附加的绝缘层，改善了对酸和碱的耐受能力。绝缘层可以通过对反射薄膜的阳极氧化而形成。绝缘层还可以通过在反射薄膜上由溅射形成绝缘薄膜而形成。反射薄膜的主要成分可以是Al。
图1示出根据本发明的第一例示实施例的反射LCD的截面图。
图2示出根据本发明的第二例示实施例的反射LCD的截面图。
图3示出根据本发明的第三和第四例示实施例的反射LCD的截面图。
图4示出根据本发明的第五例示实施例的反射LCD的截面图。
图5示出根据本发明的第六例示实施例的反射LCD的截面图。
图6是示出根据本发明的第六例示实施例的反射LCD的有源矩阵阵列的结构的平面图。
图7示出根据本发明的第七例示实施例的反射LCD的截面图。
图8示出根据本发明的第八例示实施例的反射LCD的截面图。
图9示出根据本发明的第九例示实施例的反射LCD的截面图。
图10示出传统的反射LCD的截面图。
第一例示实施例
下面，参照图1(它示出该例示实施例的截面图)解释本发明的第一实施例的反射LCD。
在由诸如玻璃等材料制成的基片101上，最好由Al制成的反射薄膜102有选择地形成在几乎与显示部分相应的范围。
在反射薄膜102上形成电绝缘的隔离层120，在其上有选择地形成多个带状的第一透明电极105。对第一透明电极，使用氧化铟锡。形成隔离层120以在实示上和电气上将反射薄膜102与第一透明电极105绝缘。如果ITO和Al电气连接，则当ITO的图案由湿式腐蚀制成时，ITO由电化学腐蚀。这样的腐蚀被上述的结构抑制。具有良好的透明度和电气绝缘的丙烯酸树脂用于隔离层120。
在基片101和其面对的透明基片108(由玻璃之类的材料制成)之间夹着液晶层106。STN液晶层用于液晶层106。
在透明基片108的向内的表面处，有选择地形成用于带状第二透明电极107a-107f的ITO，使第二透明电极的条带指向和第一透明电极105的条带成直角的方向。
在透明基片108的向外的表面处，设置偏振器111、相位补偿片110和散射片109，使它们自外侧依序接合。
在上述反射LCD中，液晶可以通过在第一透明电极105和第二透明电极107a-107f之间施加电位而驱动。这就是所谓的单矩阵驱动(sngle matrix driving)。
在这种结构中，由于反射薄膜102的表面由隔离层120覆盖，在装配的过程中几乎不发生擦伤，而检查和处理也容易。
还有，即使Al(它对酸或碱的抵抗力很弱)被用于反射薄膜102，因为反射薄膜102由隔离层120覆盖，它们在液晶单元的装配过程中抵抗化学制剂的耐受能力是良好的，而且在高温和高湿度条件下，恒定电压负荷实验中的可靠性也是良好的。
另一方面，由于反射表面设置在液晶单元中，故保留单偏振器类型，从而实现了视差较小和高亮度单色反射LCD。
第二例示实施例
下面，参照附图2(示出该例示实施例的截面图)，解释本发明的第二实施例的反射LCD。对于具有和图1(示出第一例示实施例)中所示功能相同的构造元件，使用相同的标号而省略解释。
在基片101上，用于反射薄膜102的Al选择地形成在几乎相应于显示部分区域处。
在反射薄膜102上，有选择地形成电气绝缘的带状滤色器103a-103f，并由电气绝缘的保护层覆盖，然后第一透明层105选择地形成在其上。即，由滤色器103a-103f和保护层104起第一例示实施例中隔离层120的作用，从而抑制了在形成透明电极105的图案中由电化学反应引起的腐蚀。氧化铟锡(ITO)用于透明电极105。具有良好透明度及电气绝缘的液晶用于保护层。
在基片101和其面对的透明基片108之间，夹着液晶层106。STN液晶用于液晶层106。
在透明电极108的向内的表面处，相应于滤色器103a-103f有选择地形成第二透明电极107a-107f。
在透明基片108向外的表面上，自外部依序接合偏振器111、相位补偿片110和散射片109。
在上述的反射LCD中，可以通过在第一透明电极105和第二透明电极107a-107f之间施加电位而驱动液晶。
在上述结构中，由于反射薄膜102完全由滤色器103a-103f，还有保护层104覆盖，故在装配过程中几乎不发生擦伤(在传统反射电极中可看到)，而且检查和处理也容易。
还是在这个实施例中，由于滤色器和保护层也具有隔离层的功能，故可以省略形成隔离层的过程。
还有，即使Al(它对酸和碱的抵抗很弱)用于反射薄膜102，在液晶单元的装配程序中抵抗化学制剂的耐受能力是良好的，而且还可以得到在高温和高湿度下恒定电压负载实验中的可靠性。
另一方面，由于反射表面设置在单元中，故保留单偏振器类型的特点，从而实现视差很小、亮度更高和色纯度更高的彩色反射LCD。
第三例示实施例
下面，参照图3(示出该列示实施例的截面图)解释本发明的第三实施例的反射LCD。对具有如示出第二例示实施例的图2中相同功能的元件，使用相同的标号，从而省略了解释。
和第二例示实施例的不同之处在于新的绝缘层112设置在反射薄膜的表面上。即，如图3中所示，绝缘层112位于反射薄膜102和滤色器103-103f之间，而且反射薄膜102的整个表面由绝缘层112覆盖。
在实际应用中，最好把溅射的氧化钽(TaOx)用于绝缘层112，从而进一步提高了反射薄膜102对化学制剂和腐蚀的耐受能力。
第四例示实施例
下面，参照示出例示实施例的截面图的图3解释本发明的第四例示实施例的反射LCD。这个实施例和第三实施例的不同之处在于绝缘层112的组成。在第四实施例中，图3中的绝缘层112由Al的阳极氧化形成(Al被用于反射薄膜102)。
在基片101上有选择地形成了Al之后，通过在草酸铵和乙二醇的混合液体中将反射薄膜102设置为一侧的电极进行阳极氧化而形成氧化铝(AlOx)。
在由这种阳极氧化形成的绝缘层中，根据其原理，出现针孔的可能性极小，从而大大改善了对于溶剂及水的隔离效果。因此，反射薄膜对化学制剂和腐蚀的耐受能力又第二实施例中的有进一步提高。
第五例示实施例
下面，参照示出实施例的截面图的图4解释本发明的第五实施例的反射LCD。对于构成具有示出第一例示实施例的图1中相同的功能的元件，设置相同的标号，从而省略了解释。在这个例示实施例中，滤色器提供在透明基片102侧。
在基片101上，用于反射薄膜102的Al有选择地形成在几乎相应于显示部分的区域处。
在反射薄膜102上，形成电气绝缘的隔离层120，而且其上有选择地形成多个带状的第一透明电极105a-105f。氧化铟锡(ITO)用于第一透明电极105a-105f，形成隔离层120以使反射薄膜102和第一透明电极105a-105f电气绝缘。通过使反射薄膜102和第一透明电极105a-105f电气绝缘，抑制了在形成第一透明电极105a-105f的图案中由电化学反应引起的腐蚀。具有良好透明度而且电气绝缘的丙烯酸树脂用于隔离层120。
在基片101和其面对的透明基片108之间，夹着液晶层106。STN液晶用于液晶层106。
在透明基片108的向内的表面上有选择地形成电气绝缘的带状滤色器113a-113f。然后，它们由电气绝缘的保护层114覆盖，然后有选择地形成多个带状第二透明电极107，使这些条带指向和第一透明电极105a-105f的条带成直角的方向。在必要的情况下，将黑色矩阵(matrix)加到滤色器。
在透明基片108的向外的表面上，从外面依序接合偏振器111、相位补偿片110和散射片109。
在上述反射LCD中，可以通过在第一透明电极105a-105f和第二透明电极107之间提供电位而驱动液晶。
采用上述结构中，也保留单个偏振器型的特点，从而实现了视差较小和亮度更高彩色反射LCD，它对化学制剂和腐蚀的耐受能力也很好。
在上述的每一个实施例中，第一和第二透明电极是带状的，而且平面图示出条带设置得相互成直角，并组成相应于显示部分的区域。即，示出所谓的单矩阵型的例子。即使第一或第二透明电极是单个透明电极(遍及显示部分它都是平坦的)，也得到相同的效果，这就是所谓的分段显示型。
第六例示实施例
下面参照示出例示实施例的截面图的图5和示出平面图的图6，解释本发明的第六实施例的反射LCD。对对具有与示出第五例示实施例的图4中功能相同的元件，使用相同的标号，从而省略了解释。
在这个实施例中，解释基片101上形成有源矩阵阵列的反射LCD。有源矩阵阵列意味着象素设置成矩阵，而且每一个象素通过开关(它是有源元件)连接到地址线。在有源矩阵阵列所适用的LCD中，施加给每一个象素的电压独立地由开关控制，从而和单矩阵型相比图像质量不会被诸如串话之类的现象破坏，从而在彩色LCD情况下得到更高质量和更高色纯度的显示。
在这个实施例中，示出将薄膜晶体管(TFT)用于有源元件的类型。即，如图6中所示，在基片101上，多个象素电极，即，第一透明电极105a-105f(下面缩写为105)设置成矩阵，而每个TFT137a-137c(下面缩写为137，图中标记为“TFT”)连接到每一个象素电极。氧化铟锡(ITO)用于第一透明电极。参照示出图6(它示出这个实施例的平面图)沿点线A-A的部分的截面图的图5，进行下面的解释。TFT137包括：栅级132a-132c(下面缩写为132，图中标记为“G”)；形成在其上，并由氮化硅制成的栅极绝缘薄膜133；由氢化非晶硅制成的半导体134a等、包含钼(Mo)合金的源极135a-135c(图中标记为“S”)和漏极136a(图中标记为“D”)等等。有时，在半导体和源极或漏极之间，为了形成较好的电连接能，提供由非晶硅制成的N型掺杂(含磷)的层。漏极136a连接到第一透明电极105a。每一行中的栅极132a-132c相互连接，并形成栅极地址线。每一列的源极135a-135c相互连接，并形成源极地址线。
如图5和6所示，在相应于第一透明电极105的区域上有选择地形成用于反射薄膜102a-102c的Al。在反射薄膜102上，形成栅极绝缘薄膜133。然后，在栅极绝缘薄膜上，形成第一透明电极105。因此，第一透明电极105由栅极绝缘薄膜133与反射薄膜102电气上和实际上绝缘。
在这个例示实施例中，反射薄膜102和栅极132形成在相同的高度处，两者使用相同的材料Al，从而有不增加生产过程就可生产反射LCD的优点。
在基片101和其面对的透明基片108之间，夹着液晶层106。
适合有源矩阵阵列的YN液晶用于液晶层106。
在透明基片108向内的表面处，相应于第一透明电极105a-105c，有选择地形成带状滤色器113a-113c。然后，在每条滤色器的之间的空间中，形成黑色矩阵131a-131c以阻断光线。在这些滤波器的向内的表面处，形成第二透明电极107。在这个例示实施例中，第二透明电极遍及显示区域均匀地形成。当需要提高表面的平滑度时，保护层位于滤色器和第二透明电极之间。
在透明基片108的向外的表面处，有偏振器111、相位补偿片110和散射片109。当采用TN液晶时，相位补偿片110不是必要的，但最好采用它以增加视角。
在上述反射LCD中，可以通过在第一透明电极105和第二透明电极107之间施加电位而激励液晶。尤其是在这个例示实施例中，可以施加精确地相应于显示图案的电压。即，当栅极电压为“高”的期间，源极和漏极相互导通。于是源电压传递到象素电极，即，至第一透明电极105。然后，当栅极电压变“低”时，源极和漏极相互绝缘，从而电压(它是即将成为隔离状态之前传递给透明电极105的)一直维持到栅极电压下次变为“高”为止。然后，如众所周知的，通过从外部驱动电路适当地控制施加给栅极和源极的电压，可以将严格相应于显示图案的电压施加给每一个象素电极。
在这个结构(它不同于传统的反射电极)中，在装配过程中几乎不发生划伤现象，而且检查和处理也容易。还有，即使Al(它抵御酸和碱的能力很弱)用于反射薄膜102，在液晶单元的装配过程中对化学制剂的耐受能力良好，而且在高温高湿度的条件下在恒定电压负载实验中的可靠性良好。
还有，通过有源矩阵，保留单个偏振器型特点，可实现更高质量的显示。
第七例示实施例
下面，参照示出例示实施例截面图的图7，解释本发明的第七实施例。对具有图5(示出第六实施例)中相同功能的元件，使用相同的标号，从而省略了解释。
在这个例示实施例中，有源矩阵阵列也形成在基片101上。由于有源矩阵阵列的结构和功能和第六实施例的相同，故省略了解释。和第六实施例的不同之处在于是层内绝缘薄膜138被新施加到反射薄膜102上。即，在这个例示实施例中，反射薄膜102和栅电极132形成在不同的高度处，从而用于栅极132的材料(它们是栅极阵列的组成元件)和用于反射薄膜102的材料可以独立地选择。因此可以采用执行每个功能的更合适的材料，因而实现更高性能的反射LCD。在图7中，反射薄膜102由每一个象素分开，但是薄膜可以遍及显示区域均匀地形成以简化过程。
至于其它组成元件(诸如透明基片和液晶层)的布置和前面的实施例相同。因此，省略了解释。
在这个例示实施例的结构中，反射薄膜102的表面由层内绝缘薄膜138和栅极绝缘薄膜133两者覆盖，从而保护反射薄膜102的效果较高，因而也可以进一步改善显示质量。
第八例示实施例
下面，参照示出例示实施例的截面图的图8，解释本发明的第八实施例的反射LCD。对具有和示出第六实施例的图5中相同的功能的元件，使用相同的标号，并省略解释。
在这个例示实施例中，有源矩阵阵列也形成在基片101上。结构和第六实施例中的相同，除了在这个例示实施例中，滤色器103a-103c(下面缩写为103)和黑色矩阵131a-131c形成在有源矩阵阵列上，即，在这个实施例中采用所谓的阵列上的滤色器(CFOA)的结构。然后，在滤色器上，形成象素电极，即，第一透明电极105a-105c(下面缩写为105)。第一透明电极105和漏极136a等等通过经滤色器开口的接触窗口连接。为了改善平滑度，并增加隔离的效果，可以在滤色器103和第一透明电极105之间放置保护层。
如图8中所示，在相应于每一个象素电极，(即，第一透明电极105)的区域，有选择地形成用于反射薄膜102a-102c(下面缩写为102)的Al。在反射薄膜102上，形成栅极绝缘薄膜133。然后，在其上，形成滤色器103a-103c和黑色矩阵131a-131c。然后，在其上，形成第一透明电极105，从而第一透明电极105和反射薄膜102电气上和实际上完全隔开。
然后，在基片101和其面对的透明基片108之间，夹着液晶层106。TN液晶用于透明液晶层106。
在透明基片108的向内的表面上，形成第二透明电极107。遍及显示区域形成第二透明电极107。
在向外的表面108处，接合偏振器111、相位补偿片110和散射片109。
在如上所述的反射LCD中，滤色器设置在基片101(它包含反射薄膜102)上，从而显示质量不会被视差破坏。还有，由于由有源矩阵施加恰合的电压，故可实现更好显示质量，而且对化学制剂的耐受力和可靠性也高。
第九例示实施例
下面参照示出例示实施例的截面图的图9，解释本发明的第九实施例的反射LCD。对具有如示出第八实施例的图8中相同功能的元件，使用相同的标号，从而省略了解释。在这个例示实施例中，有源矩阵阵列形成在透明基片侧。
在基片101上，在相应于显示部分的区域处有选择地形成用于反射薄膜102的Al。
然后，在反射薄膜102上，有选择地形成带状滤色器103a-103c和黑色矩阵131a-131c，而在其上，形成透明电极105。遍及显示区域均匀地形成第一透明电极105。如有需要，在形成第一透明电极之前，由保护层覆盖滤色器。反射薄膜102和第一透明电极105通过滤色器103a-103c和黑色矩阵131a-131c电气绝缘，从而抑制了在形成透明电极105的过程中电化学反应引起的腐蚀。
在基片101和其面对的透明基片108之间夹着液晶层106。适宜于有源矩阵阵列的TN液晶用于液晶层106。
这个例示实施例和第六实施例的不同之处在于，有源矩阵阵列形成在透明基片108的向内的表面处，而滤色器设置在基片101侧。其结构和第六实施例中的相同。即，如图9所示，有源矩阵阵列包括：栅极132a-132c；栅极绝缘薄膜133；氢化非晶硅半导体134a-134c；源极135a-135c和漏极136a-136c。而且，TFT的每一个漏极连接到每一个象素电极(即，至每一个第二透明电极107a-107c)。象素电极(即，第二透明电极107a-107c)设置在相应于形成在基片101上的滤色器103a-103c的位置处。
在透明基片108的向外的表面上，接合偏振器111、相位补偿片110和散射片109。
上述结构也提供了一种反射彩色LCD，它具有单个偏振器型的特点，并具有较高的显示质量，较高的亮度和较高色纯度，这些是有源矩阵的优点，还具有精良的处理及对化学制剂的耐受能力和可靠性等特点。
在上述的每一个例示实施例中，非晶硅TFT用于有源矩阵阵列的有源元件。但是，在本发明中，有源元件不限于这些，也可以使用多晶硅TFT。而且，在上述例示实施例中，栅极位于半导体下面，即，它是所谓的“底部栅极型”，然而，它可以是“顶部栅极型”，(其中栅极位于半导体的上侧)或共面型。对于有源元件，也可用金属-绝缘体-金属(MIM)型二极管。
如上所述，本发明的反射LCD是液晶被夹在基片和其面对的透明基片之间的LCD。而且在基片向内的表面处形成第一透明电极，还形成隔离层或相同功能的滤色器或栅极绝缘薄膜以及反射薄膜。在透明基片的向内的表面上，形成第二透明电极。并且反射薄膜和第一透明电极电气上和实际上的隔离。反射薄膜的反射表面位于单元内，从而保留了单个偏振器型的特点。还有，由于反射薄膜被保护层覆盖，不同于传统的类型，故在装配过程中几乎不发生擦伤，而且检查和处理容易，而且对耐受化学制剂的能力和可靠性极好。通过和有源矩阵结合，和传统型的相比，可实现更高亮度和更高显示质量的反射LCD。
Claims (17)
1．一种反射液晶显示装置，其特征在于包括：
基片，
透明基片，
在所述基片和所述透明基片之间的液晶层，
第一透明电极，在所述液晶层和所述基片之间依序至少形成一个电气绝缘隔离层和反射薄膜，及
第二透明电极，包含在所述透明基片和所述液晶层之间，
其中所述电气绝缘隔离层使所述反射薄膜和所述第一透明电极实际上和电气上隔离。
2．如权利要求1所述的反射液晶显示装置，其特征在于所述电气绝缘隔离层包含滤色器。
3．如权利要求1所述的反射液晶显示装置，其特征在于多个滤色器被包含在所述透明基片和所述液晶层之间。
4．如权利要求1所述的反射液晶显示装置，其特征在于所述电气绝缘隔离层由丙烯酸树脂制成。
5．如权利要求1所述的反射液晶显示装置，其特征在于所述第一透明电极、有源矩阵列和反射薄膜依序形成在所述液晶层和所述基片之间。
6．如权利要求5所述的反射液晶显示装置，其特征在于还包含滤色器，它在所述透明基片和所述液晶层之间。
7．如权利要求5所述的反射液晶显示装置，其特征在于，还包含在所述基片和所述液晶层之间的滤色器。
8．如权利要求1所述的反射液晶显示装置，其特征在于，
在所述液晶层侧和所述基片之间，依序形成所述第一透明电极、所述多个滤色器和所述反射薄膜；
在所述液晶层侧和所述透明基片之间，依序形成所述第二透明电极和有源矩阵阵列，及
所述滤色器把所述反射薄膜和所述第一透明电极在实际上和电气上隔开。
9．如权利要求2、7或8中任何一条所述的反射液晶显示装置，其特征在于还包含在所述滤色器和所述第一透明电极之间的电气绝缘保护层。
10．如权利要求3或6所述的反射液晶显示装置，其特征在于还包含在所述多个滤色器和所述第二透明电极之间的电气绝缘保护层。
11．如权利要求2、3、6、7或8任何一条所述的反射液晶显示装置，其特征在于所述滤色器还包括多个黑色矩阵。
12．如权利要求5、6或7任何一条所述的反射液晶显示装置，其特征在于所述有源矩阵阵列包括栅极、栅极绝缘薄膜和半导体，其中所述栅极绝缘薄膜把所述反射薄膜和所述第一透明电极在实际上和电气上隔开。
13．如权利要求12所述的反射液晶显示装置，其特征在于所述栅极和所述反射薄膜由相同的材料制成，并形成在相同的高度上。
14．如权利要求12所述的反射液晶显示装置，其特征在于所述反射薄膜形成在和所述栅极不同的高度上，其间夹层内绝缘薄膜。
15．如权利要求1所述的反射液晶显示装置，其特征在于所述电气绝缘隔离层包含绝缘层，它由所述反射薄膜经阳极氧化制成。
16．如权利要求1所述的反射液晶显示装置，其特征在于
所述电气绝缘隔离层包含在所述反射薄膜上溅射而形成的绝缘层。
17．如权利要求1所述的反射液晶显示装置，其特征在于所述反射薄膜包含铝。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP251201/1997 | 1997-09-17 | ||
| JP251201/97 | 1997-09-17 | ||
| JP25120197 | 1997-09-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1222718A true CN1222718A (zh) | 1999-07-14 |
| CN1198248C CN1198248C (zh) | 2005-04-20 |
Family
ID=17219200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB981195148A Expired - Lifetime CN1198248C (zh) | 1997-09-17 | 1998-09-17 | 反射液晶显示装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6122027A (zh) |
| EP (1) | EP0903613B1 (zh) |
| JP (2) | JP3417312B2 (zh) |
| KR (1) | KR19990029903A (zh) |
| CN (1) | CN1198248C (zh) |
| DE (1) | DE69810408T2 (zh) |
| TW (1) | TW546512B (zh) |
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| WO2017008343A1 (zh) * | 2015-07-14 | 2017-01-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 反射式tft阵列面板及其制备方法和液晶显示器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69810408D1 (de) | 2003-02-06 |
| EP0903613A1 (en) | 1999-03-24 |
| CN1198248C (zh) | 2005-04-20 |
| JPH11160698A (ja) | 1999-06-18 |
| US6122027A (en) | 2000-09-19 |
| EP0903613B1 (en) | 2003-01-02 |
| TW546512B (en) | 2003-08-11 |
| KR19990029903A (ko) | 1999-04-26 |
| JP2003075830A (ja) | 2003-03-12 |
| JP3417312B2 (ja) | 2003-06-16 |
| DE69810408T2 (de) | 2003-09-25 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
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|
| CP03 | Change of name, title or address |
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|
| CX01 | Expiry of patent term | ||
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