CN1163799C - 电子照相的光电导体 - Google Patents

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Abstract

一电子照相光电导体有一导电基层和一光敏层。该光敏层被层压在该导电基层上并至少包含作为一光电导材料的酞菁化合物。在该光敏层内，除了该酞菁化合物外，对于每一摩尔的该酞菁化合物该邻苯二甲腈聚合物的含量在100毫微摩尔到200毫摩尔的范围内。因此，该电子照相光电导体有一极好的表面电荷保留率。

Description

电子照相的光电导体
本发明涉及到使用电子照相法在打印机，复印机，传真机等上使用的一种电子照相的光电导体。本发明尤其涉及到通过改进用作光电导体的光敏层的光电导材料而具有极好的表面电荷保留率的一种电子照相光电导体。
通常，电子照相光电导体所要求的技术特征包括在黑暗处保持表面电荷、通过接收光产生电荷和通过接收光转换该电荷的能力。该电子照相光电导体可以分为两种不同类型：一种是单层型，另一种是所谓的多层型。该单层型光电导体有一单独层、在这一单独层上合并了上述的各种能力，而多层型有几个功能分开的层压层，包括用于产生电荷的第一层和用于在黑暗处保持表面电荷并用于在接收光时转移电荷的第二层。
可以使用上述的一种光电导体，以电子照相法为基础，在图像成形上应用卡尔逊法。该卡尔逊法包括以下步骤：在无光存在时通过空气电离引起电晕放电，对该光电导体的表面均匀地充电；形成特征、图像和原始文件一类东西的一潜像(一个在光电导体上反映有待变成实像的信息的电荷分布图)；用在该光电导体上的该电荷产生的电场，通过将调色剂颗粒粘到该潜像上来显影该潜像；通过电晕作用使该纸的背面带有与该调色剂颗粒的电荷相反的电荷，将在该光电导体上的显影了的调色剂颗粒转移到纸上，并通过将该调色剂熔化到该纸表面而永久地把图像固定在该纸上；放电，并且电晕，灯，刷子和/或刮刀除去光电导体上任何过量的调色剂，以便该光电导体重复使用。
至今，上述电子照相光电导体已使用了下述的光电导材料。该光电导材料包括通过将一种无机光电导材料例如硒，硒合金，氧化锌，或硫化镉分散到一种树脂粘合剂中所制备的一种化合物和通过将一种有机的光电导材料例如聚-N-乙烯基缩二氨基脲，聚乙烯基蒽，酞菁化合物，或双偶氮化合物分散在一种树脂粘合剂中所制备的一种化合物，或用真空沉积法代替分散法来制备。
作为上述有机光电导材料之一的酞菁化合物的纯化过程已经在许多参考文献中用各种方法进行了研究，这些参考文献包括A.W.Snow等人在Macromorecules，17(8)，1614(1984)上发表的文章。这些参考文献描述了2，4，6-三(2’-氰基苯基)-1，3，5-三嗪(以下，将它缩写为三嗪)，它是一种特别是除了酞菁化合物之外的作为邻苯二甲腈的聚合产物的三聚物(以下，将该产品缩写为邻苯二甲腈聚合物)。
正如上面所描述的那样，已知的事实是：本领域普通技术人员使用酞菁化合物作为电子照相的光电导体的光电导材料。另外，用于纯化该酞菁化合物的过程也已经用各种方法进行了研究。顺便说说，虽然做了大量工作，但是某些邻酞菁聚合产物可能被限定为决定该光电导体的电子照相特性的材料。然而，在这种情况下，它们未被限定为在目前情况下令人满意的程度。这就是说，虽然指出了酞菁化合物的各种研究实例和用于纯化该酞菁化合物的各种制备过程，但是与制备酞菁化合物的过程有关的材料和电子照相特性，尤其是光电导体的表面电荷保留率之间的关系没有很好地被确定。
本发明的目的是使上述关系更清楚，以提供一种具有极好的电子照相特性，尤其是具有极好的表面电荷保留率的电子照相光电导体。
本发明提供了一种电子照相光电导体，该光电导体包括一个导电基层和一个光敏层，其中该光敏层被层压在该导电基层上并至少包括作为一种光电导材料的酞菁化合物，其中除了该酞菁化合物外，该光敏层中对于每一摩尔的该酞菁化合物中含有100毫微摩尔到200毫摩尔的邻苯二甲腈聚合物。
此处，该酞菁化合物可以是非金属酞菁化合物，优选的是X-型非金属酞菁化合物。
该酞菁化合物可以是钛氧基氧酞菁，除了钛氧基氧酞菁外，优选的是该钛氧基氧酞菁和该邻苯二甲腈聚合物的混合物，在通过用X-射线衍射法获得的X-射线衍射光谱上，至少在布拉格角(2θ)为27.3°±0.2°处观察到该混合物的衍射强度的清晰峰。
该酞菁化合物可以是钛氧基氧酞菁，较好是钛氧基氧酞菁和邻苯二甲腈聚合物除了钛氧基氧酞菁外的混合物，在X-射线衍射光谱上，在9.6°的布拉格角(2θ±0.2°)处，观察到该混合物最大衍射强度和分别在7.2°，9.6°，11.6°，13.4°，14.9°，18.3°，23.6°，24.1°和27.3°处观察到了该混合物衍射强度的清晰的峰。
该酞菁化合物的中心金属可以从锆、钒、铌、镓、铟、锗和锡组中选出。
在该导电基片和该光敏层之间可以设置一内涂层。
该光敏层可以包括一电荷产生层和一层压在该电荷产生层上的电荷转移层，以及在该电荷产生层中可以包括该酞菁化合物。
下面通过结合附图对实施方案的描述，本发明的上述和其他目的、效果、特点和优点将变得更明显了。
图1是作为本发明的实施方案之一的电子照像的光电导体的横剖面图。
图2是有待用在该电子照相的光电导体上的钛氧基氧(oxy-)酞菁晶体的X射线衍射光谱图样。
下文将参考图1具体地描述本发明的电子照相的光电导体。
有三种电子照相的光电导体。即，充负电的层压型，充正电的层压型和充正电的单层型。但，在下面的描述中并不仅限于此，该充负电的层压型光电导体将被用作本发明的一个例子。用于该光电导体的制造或制备方法中的各成分、各方法等，除了与邻苯二甲腈聚合物有关的那些外，必要时都可以从公知的各成分、各方法等中适当地选用。
如图1所示，一电子照相的光电导体10具有充负电的层压结构型，并包括一导电基层1，一内涂层2和一光敏层3。如图所示，层2和层3依次层压在导电基层1上。在这种情况下，该光敏层3用作功能上特异类型的层，该层具有一电荷产生层4和一电荷转移层5(后者是在前者之上形成的)。
该导电基层1不仅被用作该光电导体的一个电极，而且被用作支承上述层压层中的每一层的支承构件。该导电基层1可以是由如铝、不锈钢或镍诸类的金属材料，或由将导电材料涂布在例如玻璃材料或树脂诸类的电绝缘材料上而制成的圆柱形、板形、薄膜形等一类形状的材料。
该内涂层2可以是从可溶于醇的聚酰胺，可溶于溶剂的芳香族聚酰胺、热固性尿烷树脂等各组化合物中选出。该可溶于醇的聚酰胺包括共聚化合物例如尼龙-6，尼龙-8，尼龙-12，尼龙-66，尼龙-610和尼龙-612和N-烷基变性的或N-烷氧基烷基变性的尼龙。示范的具体化合物是商业上可买得到的，例如AMILANCM-8000(共聚合的尼龙6/66/610/12，由Toray有限公司提供)，ELBAMIDE9061(共聚合的尼龙6/66/612，由Dupont日本有限公司提供)和DIAMIDE T-170(以共聚合的尼龙为基的尼龙12，由DAICEL-HULZ有限公司提供)。
而且，TiO2，氧化铝，碳酸钙，硅石等无机粉末可以附加地包含在该内涂层2的成分中。
该电荷产生层4是用于通过接收光来产生电荷。该层4可以通过有机光电导体材料的真空淀积或将有机的光电导材料粉末分散到一树脂粘合剂中所制备的材料的涂层来形成。该电荷产生层4的重要特点包括产生电荷的高效率和将该产生的电荷注入到电荷转移层的能力。优选的该电荷产生层对电场有一点依赖性，以及该注入是可在不管什么样的较低的电场下都能极好地完成。
在本发明的电荷产生层中，必须至少包括酞菁化合物作为一电荷产生材料。可以包括从例如各种偶氮、醌、靛蓝、花青、角鲨烯、甘菊蓝化合物的颜料或染料组中选出一种另一类电荷产生材料结合在一起或单独地使用。而且，在本发明的电荷产生层中，在每一摩尔的酞菁化合物中，邻苯二甲腈聚合物的含量在100毫微摩尔到200毫摩尔的范围内，较好范围为200毫微摩尔到10毫摩尔之间，导致该表面电荷保留率大大的增加。该增加的作用机理还没有完全地弄清楚，但下述的考虑可能是合适的。
如果该邻苯二甲腈聚合物的含量小于100毫微摩尔，表面电荷保留率的下降可能是由于该酞菁化合物过分的纯化使它的晶体过量的增长或酞菁化合物的分散性能降低造成的。另一方面，如果该含量超过200毫摩尔，表面电荷保留率的下降也可能是用于该酞菁化合物的经过多的不规则的晶体排列或该邻苯二甲腈聚合物本身的影响造成的。
一个众所周知的制备酞菁化合物的方法，例如在“1983年，F.H.Moser等人在(CRC Press)上所述的酞菁”等公开了一种方法，可以在本发明中使用。
该酞菁化合物可以具有改进的电子照相特性，包括感光性和残留的电位。优选的是一种非金属的酞菁化合物，更优选的是一种X-型的非金属酞菁化合物。
从光谱的感光性这点考虑，优选使用钛氧基氧酞菁作为酞菁。更优选的是一种钛氧基氧酞菁和邻苯二甲腈聚合物的混合物，在通过使用一种X-射线衍射法得到的X-射线衍射光谱上，在9.6°的布拉格角(2θ±0.2°)处观察到该钛氧基氧酞菁和邻苯二甲腈聚合物的混合物有最大的衍射强度并分别在7.2°，9.6°，11.6°，13.4°，14.9°，18.3°，23.6°，24.1°，和27.3°处观察到该混合物的清楚的衍射强度峰。这个光谱图案与1996.5.13申请的美国专利申请号08/645,322，1995所公开的钛氧基氧酞菁晶体的X-射线衍射光谱图案在某些方面有共同之处，而上述专利是1995.11.22申请的美国专利申请号为08/562,  348的一个继续申请。这篇继续申请的整个的叙述在此处作为本发明的叙述的一部分。图2表示上面所参考文献的钛氧基氧酞菁晶体的X-射线衍射光谱图案。正如在图中所示的，分别在7.22°±0.2°，9.60°±0.2°，11.60°±0.2°，13.40°±0.2°，14.88°±0.2°，18.34°±0.2°，23.62°±0.2°，24.14°±0.2°，和27.32°±0.2°处观察到衍射强度的清晰的峰。而且，使用X-射线的结构分析的结果指出上述的钛氧基氧酞菁晶体被归类为具有以下晶格常数的三斜晶体：该常数分别为：
a＝16.3058A，b＝23.078A，c＝8.7155A，
α＝101.352°，β＝23.078°，以及γ＝117。530°，
允许的误差为±1％的范围内。
根据本发明的钛氧基氧酞菁的结构用下面的通式(I)表示。
Figure C9711412200081
其中X1，X2，X3和X4代表氯或溴，n，m，l，和k代表从0到4的整数。
而且，在本发明中，上述酞菁化合物的中心金属可以从锌，钒，钕、镓，铟，锗，和锡组中选出。该酞菁化合物中每一种的选择要考虑到与在该电荷转移层里的电荷转移材料相对于在电荷产生层里的该酞菁化合物的电荷注入该电荷转移层的特性相适合。
在本发明中可以应用各种邻苯二甲腈聚合物。该邻苯二甲腈聚合物包括了3-链节，5-链节，7-链节，9-链节，11-链节，等。该3-链节的聚合物可通过上述参考文献所描述的方法来制备。质谱分析显示出：包括该3-链节的那些聚合物是在制备该酞菁化合物时作为副产品而产生的。该付产品可以溶解在环己烷中，使得该付产品可以通过蒸馏过程或环己烷纯化方法而被分离出来。而且，在合成时作为付产品产生的邻苯二甲腈聚合物不需任何改变就可以被使用。
在该电荷产生层4上层叠了该电荷转移层5，使得该电荷产生层4的厚度由该电荷产生材料的光吸收系数确定。通常，该层4的厚度是5μm或小于5μm，更好是1μm或小于1μm。使用该电荷产生层4也可以主要包括附加有电荷转移材料和其他材料的电荷产生材料。
该电荷产生层的树脂粘合剂可以从形成高电绝缘薄膜的憎水性高分子聚合物或共聚物组中选出。更具体地，该粘合剂可从以下的化合物中选出一个或选出一个或更多个的混合物，这些化合物包括：酚醛树脂，聚酯树脂，醋酸乙烯酯树脂，聚碳酸酯树脂，多肽树脂，纤维素树脂，聚乙烯吡咯烷酮，聚环氧乙烷，聚氯乙烯树脂，聚偏二氯乙烯树脂，聚苯乙烯树脂，聚醋酸乙烯酯，苯乙烯-丁二烯共聚物，偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物，氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，氯乙烯-醋酸乙烯酯-马来酐共聚物，硅-醇酸树脂，酚醛树脂，苯乙烯-醇酸树脂，聚乙烯醇，丙烯酸共聚物树脂，甲基丙烯共聚物树脂，硅酮树脂，甲基丙烯腈共聚物树脂，聚乙烯醇缩丁醛，聚偏二氯乙烯树脂等。通常，对于每100份重量的树脂粘合剂，该电荷产生材料的含量以重量计为10至5000份，更好为以重量计50到1000份。
该电荷转移层5是通过分散各种腙化合物，苯乙烯基化合物，胺化合物和它们的衍生物或混合物所制备的一种材料制成的一层涂膜。该电荷转移层5被作为一绝缘膜以在一黑暗位置在该光敏层里截获电荷，同时也被作为具有以下能力的一层，在接收光时具有从该电荷产生层转移待注入的电荷的能力。用于该电荷转移层的该粘合剂树脂可以从聚碳酸酯，聚酯，聚苯乙烯和甲基丙烯酸酯聚合物和共聚物中选出。然而，在这种情况下，选择该化合物时，考虑该化合物的机械、化学和物理稳定性，接触性和与该电荷转移材料的相容性是很重要的。对于每100份重量的树脂粘合剂，该电荷转移材料的含量以重计是20到500份，更好是以重量计为30到300份。该电荷转移层的厚度可以是3到50μm，更优选可以是15到40μm。
<例子>
现在我们解释根据本发明的具体实例，但本发明不限于那些实例。
实例1到10和对照实例1到4
实例1
用于制备内涂层的过程
一内涂层是通过以下过程制备的，该过程包括用70份重量的聚酰胺树脂(由Toray有限公司提供的AMILAN CM8000)与930份重量的甲醇(由Wako纯化学工业有限公司提供)混合制备内涂层的涂布液的步骤和通过使用一浸涂法将该内涂布液涂布在铝基层上的步骤，干燥后就得到了厚度为0.5μm的内涂层。
用于制备电荷产生层的过程
通过参考上述方法制备的该非金属酞菁先用环己烷(由Wako纯化学工业有限公司提供)纯化，然后，用真空蒸馏的方法纯化，接着用环己烷进行第二次纯化，最后进行干燥。把根据参考所制备的三嗪，以100毫微摩尔前者对1摩尔后者的比例加入到该非金属酞菁中。所获得的该化合物在球磨机法中得到进一步的改进，以根据该参考的方法将该非金属酞菁改变成X-型的一种。然后通过将10份量量的该X-型非金属酞菁，10份重量的氯乙烯树脂(由Nippon ZEON有限公司提供的MR-110)，686份重量的二氯甲烷(由Wako纯化学工业有限公司提供)，和294份重量的1，2-二氯乙烷(由wako纯化学工业有限公司提供)混合制备一种混合物。该混合物再受到超声波分散作用，以制备一种用于形成一层电荷产生层的溶液。然后将该溶液浸涂在该内涂层上，经干燥后，就形成了具有0.2μm厚度的一层电荷产生层。
形成一层电荷转移层
用于该电荷转移层的一种涂布液是通过将100份重量的4-(二苯胺)苯醛苯基(2-噻嗯基甲基)腙(作为一种尝试的化合物而被提供)，100份重量的聚碳酸酯(由Teijin化学有限公司提供的PANLITE K-1300)，800份重量的二氯甲烷，和1份重量的硅烷偶合剂(由shinetsu化学有限公司提供的KP-340)放在一起混合制备的。然后将所得到的涂布液通过使用浸涂法加到该电荷产生层上。干燥后，就形成了厚度为20μm的该电荷转移层，得到一光电导体作为最终的产品。
实例2
除了在每1摩尔的非金属酞菁中三嗪的含量变为10微摩尔外，用与实例1同样的方法来制备一光电导体。
实例3
除了在每一摩尔的非金属酞菁中三嗪的含量变为1毫摩尔外，用与实例1相同的方法来制备一光电导体。
实例4
除了在每一摩尔的非金属酞菁中三嗪的含量变为100毫摩尔外，用与实例1相同的方法来制备一光电导体。
实例5
除了在每1摩尔非金属酞菁中三嗪的含量变为200毫摩尔外，用与实例1相同的方法来制备一光电导体。
实例6
除了在加三嗪后，用浓硫酸(由Kanto Kagaku kogyo有限公司制备)在实例6中进行酸上浆处理，接着通过在水中进行洗涤，并干燥外，用与实例1相同的方法来制备一光电导体。
实例7
除了在每1摩尔非金属酞菁中三嗪的含量变为10微摩尔外，用与实例6相同的方法来制备一光电导体。
实例8
除了在每1摩尔非金属酞菁中三嗪的含量变为1毫摩尔外，用与实例6相同的方法来制备一光电导体。
实例9
除了在每1摩尔非金属酞菁中三嗪的含量变为100毫摩尔外，用与实例6相同的方法来制备一光电导体。
实例10
除了在每1摩尔非金属酞菁中三嗪的含量变为200毫摩尔外，用与实例6相同的方法来制备一光电导体。
对照实例1
除了在每1摩尔非金属酞菁中三嗪的含量变为50毫微摩尔外，用与实例1相同的方法来制备一光电导体。
对照实例2
除了在每1摩尔非金属酞菁中三嗪的含量变为300毫摩尔外，用与实例1相同的方法来制备一光电导体。
对照实例3
除了在每1摩尔非金属酞菁中三嗪的含量变为50毫微摩尔外，用与实例6相同的方法来制备一光电导体。
对照实例4
除了在每1摩尔非金属酞菁中三嗪的含量变为300毫摩尔外，用与实例6相同的方法来制备一光电导体。
在实例1至9和对照实例1到4中，由这样所得到的光电导体特性，通过使用由Kawaguchi Electric Works有限公司制造的一静电记录纸试验装置EPA-8100进行评价。
在黑暗中通过-Corotron系统的电晕放电，对该光电导体的表面进行了充电。在此情况下，调整一放电电压，使得以-600V的充电电位，对该光电导体的表面充电。然后切断该电晕放电，以及在黑暗中再将该光电导体放置5秒。在此时间内，测量该表面电荷保留量的百分数，并将结果列在表1中。
表1
  实例(EX.)或对照实例(com.)     表面电荷保留率(％)
    实例1     97.3
    实例2     96.1
    实例3     96.9
    实例4     96.2
    实例5     97.1
    实例6     96.9
    实例7     96.4
    实例8     96.1
    实例9     97.4
    实例10     97.2
    对照实例1     90.3
    对照实例2     88.1
    对照实例3     90.7
    对照实例4     89.5
如表1所示，实例1至10中的每一个光电导体都显示出具有极好的表面电荷保留率。另一方面，对照实例1到4中每一个的表面电荷保留率均比实例的低些。
实例11到20和对照实例5到8
实例11
形成内涂层
通过包括以下步骤的过程来制备一内涂层，该过程包括将70份重量的聚酰胺树脂(由AMIRAN Toray有限公司提供)与930份重量的甲醇(wako纯化学工业有限公司提供)混合在一起制备内涂层的涂布液的步骤，和使用浸涂法将该内涂布液涂布在一铝基层上的步骤，经干燥后就得到了厚度为0.5μm的内涂层。
形成电荷产生层
将800克邻苯二甲二腈(由Tokyo kasei kogyo有限公司提供)与1.8升喹啉(由Kanto kagaku有限公司提供)放在一反应器中在搅拌下进行混合。然后，将297克四氯化钛(由Kishida kagaku有限公司提供)在氮气气氛下，在搅拌的情况下滴加到该混合物中。滴完后，将该混合物在加热到180℃的条件下继续搅拌15小时。
该反应混合物被自然地冷却到130℃，然后进行过滤。这样所得到的沉淀用3升N-甲基-2Pyrrolidinone(由kanto kagaku有限公司提供)来洗涤。在氮气气氛下，湿滤饼悬浮在1.8升N-甲基-2-pyrrolidinone中，在160℃下搅拌1小时。然后，冷却并过滤该混合物。所得到的该沉淀分别用3升N-甲基-2-pyrrolidinon，2升丙酮(由kanto kagaku有限公司提供)，2升甲醇(由kanto kagau有限公司提供)和4升热水顺序地洗涤。这样得到的钛氧基氧酞菁的湿滤饼在用4升水和360毫升36％盐酸混合而成的稀盐酸中再一次悬浮，并在80℃下搅拌加热1小时。然后，将该混合物进行冷却，过滤，用4升热水洗涤并干燥。
用环己烷(由wako纯化学工业有限公司提供)纯化该混合物，然后用真空蒸馏方法进一步纯化，接着干燥由环己烷再一次纯化后所得到的产品。
将该干燥后的产品200克加入到4千克96％硫酸(由KantoKagaku有限公司提供)中，在搅拌下冷却到-5℃或-5℃以下。然后，将该混合物在-5℃的条件下搅拌维持1小时。此后，将所得到的硫酸溶液加入到具有5千克冰的35升水中搅拌1小时，使得温度保持在10℃或10℃以下。对得到的该溶液进行过滤，再用10升热水洗涤。
此外，该沉淀被悬浮在10升水和770毫升36％盐酸混合物中，在80℃搅拌1小时。然后，将所得到的溶液进行冷却并过滤。在用10升热水洗涤后，干燥该所得到的产品。
然后，按在每1摩尔的钛氧基氧酞菁中，加入100毫微摩尔的比例将三嗪加入到所得到的该产品中。
将所得到的产品，0.5升水，和1.5毫升邻-二氯苯(由KantoKagaku有限公司提供)放入具有8毫米直径的氧化锆球6.6千克的一球磨机装置中球磨24小时。在球磨后，用1.5升丙酮和1.5升甲醇来回收所得到的该产品。将回收的该产品进行过滤，然后用1.5升水洗涤，接着进行干燥。
含三嗪的钛氧基氧酞菁化合物受到X-射线衍射系统的处理(Macscience，Mxp18VA系统)，然后测量它的X-射线衍射光谱。因此，在通过使用X-射线衍射法获得的X-射线衍射光谱上，至少分别在布拉格角(2θ±0.2°)为7.2°，9.6°，11.6°，13.4，°14.9°，18.3°，23.6°，24.1°，和27.3°(在9.6°为最大值)处观察到衍射强度的清晰的峰。
将10份重量的含三嗪的钛氧基氧酞菁化合物，10份重量的氯乙烯树脂(由Nippon Zeon有限公司提供的MR-110)，686份重量的二氯甲烷，和294份重量的1，2-二氯乙烷混合并用超声波分散，以制备一种电荷产生层的涂布液。将所得到的该涂布液用浸涂法涂布在该内涂层的表面上。因此，在干燥后就得到了厚度为0.2μm的电荷产生层。
形成一电荷转移层
用于该电荷转移层的一涂布液是通过将100份重量的4-(二苯胺)苯醛苯基(2-噻嗯基甲基)腙(作为一种尝试的化合物被提供)，100份重量的聚碳酸酯(Teijin化学有限公司提供的PANLITE)，800份重量的二氯甲烷，和1份重量的硅烷偶合剂(由shinetsu化学有限公司提供的KP-340)混合在一起制备的。然后将所得到的涂布液用浸涂法涂布在该电荷产生层上。干燥后，形成了厚度为20μm的电荷转移层，就得到了作为最终产品的光电导体。
实例12
除了在每一摩尔的钛氧基氧酞菁中三嗪的含量变为10微摩尔外，按与实例11所述的相同的方法来制备一光电导体。
实例13
除了在每一摩尔的钛氧基氧酞菁中三嗪的含量变为1毫摩尔外，按与实例11所述的相同的方法来制备一光电导体。
实例14
除了在每一摩尔的钛氧基氧酞菁中三嗪的含量变为100毫摩尔外，按与实例11所述的相同的方法来制备一光电导体。
实例15
除了在每一摩尔的钛氧基氧酞菁中三嗪的含量变为200毫摩尔外，按与实例1所述的相同的方法来制备一光电导体。
实例16
形成一内涂层
通过包括以下步骤的过程来制备一内涂层，该步骤为用70份重量的聚酰胺树脂(由Toray有限公司提供的AMILAN CM-8000)与930份重量的甲醇(由wako纯化学工业有限公司提供)混合制备一内涂层的涂布液的步骤和通过使用一浸涂法将该内涂液涂布在一铝基片上的步骤，在干燥后，得到厚度为0.5μm的内涂层。
形成一电荷产生层
在一反应器中，将800克邻苯二甲二腈(由TOKYO Kasei Kogyo有限公司提供)与1.8升喹啉(由Kanto Kagaku有限公司提供)搅拌混合。然后，在氮气气氛下，在搅拌下将297克四氯化钛(KishidaKagaku有限公司提供)滴加到该混合物中。滴完后，将该混合物在加热到180℃的条件下继续搅拌15小时。
该反应混合物被自然地冷却到130℃，然后被过滤。所得到的该沉淀用3升N-甲基-2-Pyrrolidinone(由kanto kagaku有限公司提供)洗涤。在氮气气氛下，湿滤饼悬浮在1.8升N-甲基-2-pyrrolidinon中，在160℃下搅拌1小时，然后使该混合物冷却和过滤。所得到的该沉淀依次用3升N-甲基-2-pyrrolidinone，2升丙酮(由kantokagaku有限公司提供)，2升甲醇(由kanto kagaku有限公司提供)，和4升热水洗涤。这样所得到的钛氧基氧酞菁的湿滤饼再进一步被悬浮在由4升水和360毫升36％的盐酸的混合物形成的一稀盐酸中，并加热到80℃下搅拌1小时。然后，将该混合物冷却，过滤，用4升热水洗涤，并干燥。
该混合物用环己烷来纯化(由wako纯化学工业有限公司提供的环己烷)，然后用真空蒸馏的方法进一步地纯化，接着干燥用环己烷再一次纯化该产品后所得到的产品。
然后，按在每一摩尔的钛氧基氧酞菁中，加入100毫微摩尔的量将三嗪加入到所得到的该产品中。
将200克具有三嗪的干产品加入到4千克96％硫酸(由KantoKagaku有限公司提供)中，在搅拌下冷却到-5℃或-5℃以下。然后将该混合物保持在-5℃搅拌1小时。此后，将所得到的该硫酸溶液加入含5千克冰的35升水中搅拌1小时，以便将它保留在10℃或10℃以下的温度下。将所得到的该溶液过滤并用10升热水进行洗涤。
此外，将该沉淀悬浮在10升水和770毫升36％盐酸混合物中，在80℃的温度下搅拌1小时。然后，将所得到的该溶液进行冷却并过滤。在用10升热水洗涤后，对所得到的该产品进行干燥。
将所得到的该产品，0.5升水和1.5升邻二氯苯(由Kanto Kagaku有限公司提供)放在具有8毫米直径的氧化锆球6.6千克的一球磨机装置中球磨24小时。球磨后，用1.5升丙酮和1.5升甲醇来回收所得到的该产品。过滤回收的该产品，然后用1.5升水洗涤，接着进行干燥。
将含三嗪的一钛氧基氧酞菁化合物使用一X-射线衍射系统(Macsience，MXP18VA)处理，然后测量它的X-射线衍射光谱。因此，在使用X-射线衍射法所得到的-X-射线衍射光谱中，分别在布拉格角(2θ±0.2°)为7.2°，9.6°，11.6°，13.4°，14.9°，18.3°，23.6°，24.1°，和27.3°(最大值在9.6°处)处，观察到衍射强度的清晰的峰。
将10份重量的含三嗪的钛氧基氧酞菁化合物，10份重量的氯乙烯树脂(由Nippon Zeon有限公司提供的MR-110)，686份重量的二氯甲烷和294份重量的1，2-二氯乙烷混合在一起，并用超声波分散以制备一电荷产生层的涂布液。用浸涂法将所得到的涂布液涂布在该内涂层的表面上。因此，在干燥后就得到了厚度为0.2μm的电荷产生层。
形成一电荷转移层
用于该电荷转移层的一涂布液是通过将100份重量的4-(二苯胺)苯醛苯基(2-噻嗯基甲基)腙(作为一尝试的化合物而被提供)，100份重量的聚碳酸酯(由Teijin化学有限公司提供的PANLITE)，800份重量的二氯甲烷，和1份重量的硅烷偶合剂(由shinetsu KagakuKogyo提供的KP340)混合在一起制备的。然后，使用浸涂法将所得到的该涂布液涂布在该电荷产生层上。干燥后，就形成了厚度为20μm的该电荷转移层，就得到了一个作为最终产品的光电导体。
实例17
除了在每一摩尔的钛氧基氧酞菁中三嗪的含量变为10微摩尔外，用与实例16所述的相同的方法来制备光电导体。
实例18
除了在每一摩尔的钛氧基氧酞菁中三嗪的含量变为1毫摩尔外，用与实例16所述的相同的方法来制备光电导体。
实例19
除了在每一摩尔的钛氧基氧酞菁中三嗪的含量变为100毫摩尔外，和与实例16所述的相同的方法来制备光电导体。
实例20
除了在每一摩尔的钛氧基氧酞菁中三嗪的含量变为200毫摩尔外，和与实例16所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例5
除了在每一摩尔的钛氧基氧酞菁中三嗪的含量变为50毫微摩尔外，按与实例11所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例6
除了在每一摩尔的钛氧基氧酞菁中三嗪的含量变为300毫摩尔外，按与实例11所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例7
除了在每一摩尔的钛氧基氧酞菁中三嗪的含量变为50毫微摩尔外，用与实例16所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例8
除了在每一摩尔的钛氧基氧酞菁中三嗪的含量变为300毫摩尔外，和与实例16所述的相同的方法来制备光电导体。
光电导体的电特性用Kawaguchi Electric Works有限公司制备的一静电记录纸试验设备EPA-8100来评估。
在黑暗处，依靠corotron系统的电晕放电，对光电导体的表面充电。在这种情况下，调整放电电压，使得在-600V的充电电位下，对该光电导体的表面充电。然后切断该电晕放电，并将该光电导体再放在黑暗中5秒。在此期间，测定该表面电荷保留率(％)，并将该结果列于表2中。
表2
    实例(EX.)或对照实例(Com.)     表面电荷保留率(％)
    实例11     98.1
    实例12     97.0
    实例13     97.7
    实例14     97.6
    实例15     97.3
    实例16     97.8
    实例17     97.7
    实例18     97.2
    实例19     97.6
    实例20     98.0
    对照实例5     91.1
    对照实例6     89.5
    对照实例7     91.4
    对照实例8     89.9
如表2所示，实例11至20的各个光电导体都显示出极好的表面电荷保留率。另一方面，该对照实例5到8的各个表面电荷保留率都比实例给出的值低些。
实例21到30和对照实例9到12
实例21
形成一内涂层
将70份重量的聚酰胺树脂(由Toray有限公司提供的AMILANCM-8000)与930份重量的甲醇(由wako纯化学工业有限公司提供)混合就得到了一涂布液。将所获得的该液体用浸涂法涂布在一铝基层上，干燥后就得到了厚度为0.5μm的内涂层。
形成一电荷产生层
用常规的方法制备的锆酞菁用环己烷来纯化。此后，再用真空蒸馏法纯化该锆酞菁，然后再用环己烷来纯化。干燥纯化过的该化合物。
以100毫微摩尔比1摩尔的比例将三嗪加入到该纯化过的锆酞菁中。
将10份重量的含三嗪的锆酞菁化合物，10份重量的氯乙烯树脂(由Nippon Zeon有限公司提供的MR-110)，686份重量的二氯甲烷和294份重量的1，2-二氯乙烷混合在一起，并用超声分散以制备电荷产生层的一涂布液。将所得到的涂布液用浸涂法涂布在该内涂层的表面上。因此，干燥后就获得了厚度为0.2μm的电荷产生层。
形成一电荷转移层
用于该电荷转移层的涂布液是通过将100份重量的4-(二苯胺)苯醛苯基(2-噻嗯基甲基)腙(作为一尝试的化合物被提供)，100份重量的聚碳酸酯(由Teijin Chemicals K-1300提供的PANLITE K-1300)，800份重量的二氯甲烷，和1份重量的硅烷偶合剂(由ShinetsuKagaku Kogyo有限公司提供的KP-340)，混合在一起制备的。然后将所得到的该涂布液用浸涂法涂布在该电荷产生层上。干燥后，就形成了厚度为20μm的电荷转移层，从而得到了作为最终产品的光电导体。
实例22
除了在每一摩尔的锆酞菁中的三嗪含量变为10微摩尔外，用与实例21所述的相同的方法来制备光电导体。
实例23
除了在每一摩尔的锆酞菁中三嗪含量变为1毫摩尔外，用与实例21所述的相同的方法来制备光电导体。
实例24
除了在每一摩尔的锆酞菁中三嗪含量变为100毫摩尔外，用与实例21所述的相同的方法来制备光电导体。
实例25
除了在每一摩尔的锆酞菁中三嗪的含量变为200毫摩尔外，用与实例21所述的相同的方法来制备光电导体。
实例26
除了在加三嗪后用96％硫酸进行酸上浆处理，接着在水中洗涤并干燥外，用与实例21所述的相同的方法来制备光电导体。
实例27
除了在每一摩尔的锆酞菁中三嗪含量变为10微摩尔外，用与实例26所述的相同的方法来制备光电导体。
实例28
除了在每一摩尔的锆酞菁中三嗪含量变为100毫摩尔外，用与实例26所述的相同的方法来制备光电导体。
实例29
除了在每一摩尔的锆酞菁中三嗪含量变为100毫摩尔外，用与实例26所述的相同的方法来制备光电导体。
实例30
除了在每一摩尔的锆酞菁中三嗪的含量变为200毫摩尔外，用与实例26所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例9
除了在每一摩尔的锆酞菁中三嗪的含量变为50毫微摩尔外，用与实例21所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例10
除了在每一摩尔的锆酞菁中三嗪的含量变为300毫摩尔外，用与实例21所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例11
除了在每一摩尔的锆酞菁中三嗪的含量变为50毫微摩尔外，用与实例26所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例12
除了在每一摩尔的锆酞菁中三嗪的含量变为300毫摩尔外，用与实例26所述的相同的方法来制备光电导体。
光电导体的该电特性通过使用由Kawaguchi Electric works有限公司制造的静电记录纸试验设备EPA-8100来评估。
在黑暗处用Corotron系统的电晕放电法对该光电导体的表面进行充电。在这种情况下，调节放电电压，使得在充电电位为-600V处，对该光电导体的表面充电。然后切断该电晕放电，并将该光电导体再一次放在黑暗中5秒钟。在此期间，测量该表面电荷保留率(％)，并将测量结果列于表3中。
表3
    实例(EX.)或对照实例(Com.)     表面电荷保留率(％)
    实例21     96.1
    实例22     95.3
    实例23     95.4
    实例24     96.1
    实例25     95.8
    实例26     95.4
    实例27     95.8
    实例28     95.2
    实例29     96.3
    实例30     96.5
    对照实例9     88.8
    对照实例10     89.4
    对照实例11     89.5
    对照实例12     88.3
如表3所示，实例21到30中的各光电导体都显示了极好的表面电荷保留率。另一方面，对照实例9到12中的各个的表面电荷保留率都比实例的低些。
实例31到40和对照实例13到16
实例31
除了用常规方法制备的钒酞菁来代替实例21中的锆酞菁外，用与实例21所述的相同的方法来制备光电导体。
实例32
除了在每一摩尔的钒酞菁中三嗪的含量变为10微摩尔外，用与实例31所述的相同的方法来制备光电导体。
实例33
除了在每一摩尔的钒酞菁中三嗪的含量变为1毫摩尔外，用与实例31所述的相同的方法来制备光电导体。
实例34
除了在每一摩尔的钒酞菁中三嗪的含量变为100毫摩尔外，用与实例21所述的相同的方法来制备光电导体。
实例35
除了在每一摩尔的钒酞菁中三嗪的含量变为200毫摩尔外，用与实例31所述的相同的方法来制备光电导体。
实例36
除了在加三嗪后用96％硫酸进行酸上浆处理，接着在水中洗涤并干燥外，用与实例31所述的相同的方法来制备光电导体。
实例37
除了在每一摩尔的钒酞菁中三嗪的含量变为10微摩尔外，用与实例36所述的相同的方法来制备光电导体。
实例38
除了在每一摩尔的钒酞菁中三嗪的含量变为1毫摩尔外，用与实例36所述的相同的方法来制备光电导体。
实例39
除了在每一摩尔的钒酞菁中三嗪的含量变为100毫摩尔外，用与实例36所述的相同的方法来制备光电导体。
实例40
除了在每一摩尔的钒酞菁中三嗪含量变为200毫摩尔外，用与实例36所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例13
除了在每一摩尔钒酞菁中三嗪含量变为50毫微摩尔外，和与实例31所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例14
除了在每一摩尔的钒酞菁中三嗪的含量变为300毫摩尔外，和与实例31所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例15
除了在每一摩尔的钒酞菁中三嗪的含量变为50毫微摩尔外，和与实例36所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例16
除了在每一摩尔的钒酞菁中三嗪的含量变为300毫摩尔外，和与实例36所述的相同的方法来制备光电导体。
该光电导体的电特性用Kawaguchi Electric works有限公司制备的静电记录纸试验设备EPA-8100来评估。
在黑暗处，用-Corotron系统的电晕放电，对该光电导体的表面进行充电。在这种情况下，调节放电电压，使得在-600V的充电电位处，对该光电导体的表面充电。然后切断该电晕放电，并在黑暗处，将该光电导体再放置5秒钟。在此期间，测量该表面电荷保留率(％)，并将测量结果列于表4中。
表4
    实例(EX.)或对照实例(Com.)     表面电荷保留率(％)
    实例31     96.3
    实例32     95.2
    实例33     95.9
    实例34     95.8
    实例35     95.6
    实例36     95.2
    实例37     95.4
    实例38     94.9
    实例39     95.9
    实例40     96.0
    对照实例13     88.6
    对照实例14     89.1
    对照实例15     88.9
    对照实例16     87.8
如表4所示，实例31到40中的各光电导体都显示了极好的表面电荷保留率。另一方面，对照实例13到16中的每一个的表面电荷保留率都比实例的低些。
实例41到50和对照实例17到20
实例41
除了用常规法制备的铌酞菁来代替实例21的锆酞菁外，用与实例21所述的相同的方法来制备光电导体。
实例42
除了在每一摩尔铌酞菁中三嗪的含量变为10微摩尔外，用与实例41所述的相同的方法来制备光电导体。
实例43
除了在每一摩尔铌酞菁中三嗪的含量变为1毫摩尔外，用与实例41所述的相同的方法来制备光电导体。
实例44
除了在每一摩尔铌酞菁中三嗪的含量变为100毫摩尔外，用与实例41所述的相同的方法来制备光电导体。
实例45
除了在每一摩尔铌酞菁中三嗪的含量变为200毫摩尔外，用与实例41所述的相同的方法来制备光电导体。
实例46
除了在加三嗪后，用96％硫酸进行酸上浆处理，接着用水洗涤并干燥外，用与实例41所述的相同的方法来制备光电导体。
实例47
除了在每一摩尔铌酞菁中三嗪含量变为10微摩尔外，用与实例46所述的相同的方法来制备光电导体。
实例48
除了在每一摩尔铌酞菁中三嗪的含量变为1毫摩尔外，用与实例46所述的相同的方法来制备光电导体。
实例49
除了在每一摩尔铌酞菁中三嗪的含量变为100毫摩尔外，用与实例46所述的相同的方法来制备光电导体。
实例50
除了在每一摩尔铌酞菁中三嗪的含量变为200毫摩尔外，用与实例46所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例17
除了在每一摩尔铌酞菁中三嗪的含量变为50毫微摩尔外，用与实例41所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例18
除了在每一摩尔铌酞菁中三嗪的含量变为300毫摩尔外，用与实例41所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例19
除了在每一摩尔铌酞菁中三嗪的含量变为50毫摩尔外，用与实例46所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例20
除了在每一摩尔铌酞菁中三嗪的含量变为300毫摩尔外，用与实例46所述的相同的方法来制备光电导体。
该光电导体的电特性是用由Kawaguchi Electric works有限公司制造的静电记录纸试验设备EPA-8100评估的。
在黑暗中，用Corotron系统的电晕放电，对该光电导体的表面进行充电。在这种情况下，调节放电电压，使得在-600V的充电电位下，对该光电导体的表面充电。然后切断电晕放电并在黑暗处将该光电导体再放置5秒钟。在此期间，测量该表面电荷保留率(％)，并将测量结果列于表5中。
表5
    实例(EX.)或对照实例(Com.)     表面电荷保留率(％)
    实例41     96.1
    实例42     95.5
    实例43     95.8
    实例44     96.2
    实例45     95.4
    实例46     95.5
    实例47     95.0
    实例48     94.7
    实例49     96.2
    实例50     95.6
    对照实例17     88.1
    对照实例18     89.5
    对照实例19     88.7
    对照实例20     87.6
如表5所示，实例41到50中的各光电导体都显示了极好的表面电荷保留率。另一方面，对照实例17到20中每一个的表面电荷保留率都比各实例中的低些。
实例51到60和对照实例21到24
实例51
除了用常规的方法制备的镓酞菁代替实例21的锆酞菁外，用与实例21所述的相同的方法来制备光电导体。
实例52
除了在每一摩尔镓酞菁中的三嗪含量变为10微摩尔外，用与实例51所述的相同的方法来制备光电导体。
实例53
除了在每一摩尔镓酞菁中的三嗪含量变为1毫摩尔外，用与实例51所述的相同的方法来制备光电导体。
实例54
除了在每一摩尔镓酞菁中的三嗪含量变为100毫摩尔外，用与实例51所述的相同的方法来制备光电导体。
实例55
除了在每一摩尔镓酞菁中的三嗪含量变为200毫摩尔外，用与实例51所述的相同的方法来制备光电导体。
实例56
除了在加入三嗪后，用96％硫酸进行酸上浆处理，接着用水洗涤并干燥外，用与实例51所述的相同的方法来制备光电导体。
实例57
除了在每一摩尔镓酞菁中的三嗪含量变为10微摩尔外，用与实例56所述的相同的方法来制备光电导体。
实例58
除了在每一摩尔镓酞菁中的三嗪含量变为1毫摩尔外，用与实例56所述的相同的方法来制备光电导体。
实例59
除了在每一摩尔镓酞菁中的三嗪含量变为100毫摩尔外，用与实例56所述的相同的方法来制备光电导体。
实例60
除了在每一摩尔镓酞菁中的三嗪含量变为200毫摩尔外，用与实例56所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例21
除了在每一摩尔镓酞菁中三嗪的含量变为50毫微摩尔外，用与实例51所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例22
除了在每一摩尔镓酞菁中三嗪的含量变为300毫摩尔外，用与实例51所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例23
除了在每一摩尔镓酞菁中三嗪的含量变为50毫微摩尔外，用与实例56所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例24
除了在每一摩尔镓酞菁中三嗪的含量变为300毫摩尔外，用与实例56所述的相同的方法来制备光电导体。
光电导体的电特性用Kawaguchi Electric works有限公司制造的静电记录纸试验设备EPA-8100来评估。
在黑暗处，用Corotron系统的电晕放电，对该光电导体的表面充电。在这种情况下，调节一放电电压，使得在-600V的充电电位下，对该光电导体的表面充电。然后切断该电晕放电，并在黑暗处，将该光电导体再放置黑暗中5秒钟。在此期间，测量该表面电荷保留率(％)，并将测量结果列于表6中。
表6
  实例(EX.)或对照实例(Com.)     表面电荷保留率(％)
    实例51     96.3
    实例52     95.9
    实例53     95.6
    实例54     95.8
    实例55     95.6
    实例56     95.6
    实例57     94.9
    实例58     94.6
    实例59     96.0
    实例60     95.5
    对照实例21     88.4
    对照实例22     89.6
    对照实例23     88.2
    对照实例24     87.4
如表6所示，实例51到60中的各光电导体都显示了极好的表面电荷保留率。另一方面，对照实例21到24中每个的表面电荷保留率都比实例中的各个的低些。
实例61到70和对照实例25到28
实例61
除了用常规的方法制备的铟酞菁代替实例21的锆酞菁外，用与实例21所述的相同的方法来制备光电导体。
实例62
除了在每一摩尔铟酞菁中的三嗪含量变为10微摩尔外，用与实例61所述的相同的方法来制备光电导体。
实例63
除了在每一摩尔铟酞菁中的三嗪含量变为1毫摩尔外，用与实例61所述的相同的方法来制备光电导体。
实例64
除了在每一摩尔铟酞菁中的三嗪含量变为100毫摩尔外，用与实例61所述的相同的方法来制备光电导体。
实例65
除了在每一摩尔铟酞菁中的三嗪含量变为200毫摩尔外，用与实例61所述的相同的方法来制备光电导体。
实例66
除了在加入三嗪后，用96％硫酸进行酸上浆处理，接着在水中洗涤并干燥外，用与实例61所述的相同的方法来制备光电导体。
实例67
除了在每一摩尔铟酞菁中的三嗪含量变为10微摩尔外，用与实例66所述的相同的方法来制备光电导体。
实例68
除了在每一摩尔铟酞菁中三嗪的含量变为1毫摩尔外，用与实例66所述的相同的方法来制备光电导体。
实例69
除了在每一摩尔铟酞菁中的三嗪含量变为100毫摩尔外，用与实例66所述的相同的方法来制备光电导体。
实例70
除了在每一摩尔铟酞菁中三嗪的含量变为200毫摩尔外，用与实例66所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例25
除了在每一摩尔铟酞菁中三嗪的含量变为50毫微摩尔外，用与实例61所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例26
除了在每一摩尔铟酞菁中三嗪的含量变为300毫摩尔外，用与实例61所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例27
除了在每一摩尔铟酞菁中三嗪的含量变为50毫微摩尔外，用与实例66所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例28
除了在每一摩尔铟酞菁中三嗪的含量变为300毫摩尔外，用与实例66所述的相同的方法来制备光电导体。
该光电导体的电特性用Kawaguchi Electric works有限公司制造的静电记录纸试验设备EPA-8100来评估。
在黑暗处，用Corotron系统的电晕放电，对该光电导体的表面进行充电。在这种情况下，调节一放电电压，使得在-600V的充电电位下，对该光电导体的表面充电。然后切断该电晕放电，并在黑暗中，将该光电导体再放置黑暗5秒钟。在这个期间，测量该表面电荷保留率(％)，并将测量结果列于表7中。
表7
  实例(EX.)或对照实例(Com.)     表面电荷保留率(％)
    实例61     96.4
    实例62     95.7
    实例63     95.8
    实例64     95.6
    实例65     95.7
    实例66     95.8
    实例67     95.2
    实例68     94.9
    实例69     95.8
    实例70     95.4
    对照实例25     89.3
    对照实例26     88.9
    对照实例27     87.9
    对照实例28     88.3
如表7所示，实例61到70中的各光电导体都显示了极好的表面电荷保留率。另一方面，对照实例25到28中各个的该表面电荷保留率都比各实例的低些。
实例71到80和对照实例29到32
实例71
除了用常规的方法制备的锗酞菁代替实例21的锆酞菁外，用与实例21所述的相同的方法来制备光电导体。
实例72
除了在每一摩尔锗酞菁中的三嗪含量变为10微摩尔外，用与实例71所述的相同方法来制备光电导体。
实例73
除了在每一摩尔锗酞菁中的三嗪含量变为1毫摩尔外，用与实例71所述的相同的方法来制备光电导体。
实例74
除了在每一摩尔锗酞菁中的三嗪含量变为100毫摩尔外，用与实例71所述的相同的方法来制备光电导体。
实例75
除了在每一摩尔锗酞菁中的三嗪含量变为200毫摩尔外，用与实例71所述的相同方法来制备光电导体。
实例76
除了在加入三嗪后，用96％硫酸进行酸上浆处理，接着在水中洗涤并干燥外，用与实例71所述的相同方法来制备光电导体。
实例77
除了在每一摩尔锗酞菁中的三嗪含量变为10微摩尔外，用与实例76所述的相同方法来制备光电导体。
实例78
除了在每一摩尔锗酞菁中的三嗪含量变为1毫摩尔外，用与实例76所述的相同方法来制备光电导体。
实例79
除了在每一摩尔锗酞菁中的三嗪含量变为100毫摩尔外，用与实例76所述的相同方法来制备光电导体。
实例80
除了在每一摩尔锗酞菁中的三嗪含量变为200毫摩尔外，用与实例76所述的相同的方法来制备光电导体。
对照实例29
除了在每一摩尔镓酞菁中的三嗪含量变为50毫微摩尔外，用与实例71所述的相同方法来制备光电导体。
对照实例30
除了在每一摩尔镓酞菁中的三嗪含量变为300毫摩尔外，用与实例71所述的相同方法来制备光电导体。
对照实例31
除了在每一摩尔镓酞菁中三嗪含量变为50毫微摩尔外，用与实例76所述的相同方法来制备光电导体。
对照实例32
除了在每一摩尔镓酞菁中三嗪含量变为300毫摩尔外，用与实例76所述的相同的方法来制备光电导体。
光电导体的电特性通过使用由Kawaguchi Electric works有限公司制造的静电记录纸试验设备EPA-8100来评估。
在黑暗处，用Corotron系统的电晕放电，对该光电导体的表面进行充电。在这种情况下，调节一放电电压，使得在-600V的充电电位下，对该光电导体的表面充电。然后切断该电晕放电，并在黑暗处，将该光电导体再放置黑暗中5秒钟。在这个期间，测量该表面电荷保留率(％)，并将测量结果列于表8中。
表8
    实例(EX.)或对照实例(Com.)     表面电荷保留率(％)
    实例71     95.7
    实例72     96.1
    实例73     95.7
    实例74     95.1
    实例75     96.2
    实例76     95.7
    实例77     95.5
    实例78     94.9
    实例79     95.4
    实例80     95.6
    对照实例29     89.7
    对照实例30     89.2
    对照实例31     88.4
    对照实例32     87.9
如表8所示，实例71到80中的各光电导体都显示了极好的表面电荷保留率。另一方面，对照实例29到32中每个的表面电荷保留率都比各实例中的低些。
实例81到90和对照实例33到36
实例81
除了通过用常规的方法制备的锡酞菁代替实例21的锆酞菁外，用与实例21所述的相同的方法来制备光电导体。
实例82
除了在每一摩尔锡酞菁中的三嗪含量变为10微摩尔外，用与实例81所述的相同方法来制备光电导体。
实例83
除了在每一摩尔锡酞菁中的三嗪含量变为1毫摩尔外，用与实例81所述的相同方法来制备光电导体。
实例84
除了在每一摩尔锡酞菁中的三嗪含量变为100毫摩尔外，用与实例81所述的相同的方法来制备光电导体。
实例85
除了在每一摩尔锡酞菁中的三嗪含量变为200毫摩尔外，用与实例81所述的相同方法来制备光电导体。
实例86
除了在加三嗪后，用96％硫酸进行酸上浆处理，接着用水中洗涤并干燥外，用与实例81所述的相同的方法来制备光电导体。
实例87
除了在每一摩尔锡酞菁中的三嗪含量变为10微摩尔外，用与实例86所述的相同方法来制备光电导体。
实例88
除了在每一摩尔锡酞菁中的三嗪含量变为1毫摩尔外，用与实例86所述的相同的方法来制备光电导体。
实例89
除了在每一摩尔锡酞菁中的三嗪含量变为100毫摩尔外，用与实例86所述的相同方法来制备一光电导体。
实例90
除了在每一摩尔锡酞菁中的三嗪含量变为200毫摩尔外，用与实例86所述的相同方法来制备光电导体。
对照实例33
除了在每一摩尔锡酞菁中三嗪含量变为50毫微摩尔外，用与实例81所述的相同的方法来制备一光电导体。
对照实例34
除了在每一摩尔锡酞菁中三嗪的含量变为300毫摩尔外，用与实例81所述的相同方法来制备一光电导体。
对照实例35
除了在每一摩尔锡酞菁中三嗪含量变为50毫微摩尔外，用与实例86所述的相同方法来制备一光电导体。
对照实例36
除了在每一摩尔锡酞菁中三嗪含量变为300毫摩尔外，用与实例86所述的相同方法来制备一光电导体。
各光电导体的电特性通过使用由Kawaguchi Electric works有限公司制造的静电记录纸试验设备EPA-8100来评估。
在黑暗处，用Corotron系统的电晕放电，对该光电导体的表面进行充电。在这种情况下，调节一放电电压，使得在-600V的充电电位下，对该光电导体的表面充电。然后切断该电晕放电，并在黑暗处，将该光电导体再放置5秒钟。在此期间，测量该表面电荷保留率(％)，并将测量结果列于表9中。
表9
    实例(EX.)或对照实例(Com.) 表面电荷保留率(％)
    实例81     96.4
    实例82     96.0
    实例83     95.5
    实例84     95.6
    实例85     96.2
    实例86     96.1
    实例87     95.8
    实例88     95.5
    实例89     95.7
    实例90     95.4
    对照实例33     88.1
    对照实例34     88.3
    对照实例35     88.7
    对照实例36     89.1
如表9所示，实例81到90中的各光电导体都显示了极好的表面电荷保留率。另一方面，对照实例33到36中的各个的表面电荷保留率都比实例中的低些。
从上述实例明显看出，当在光敏层中，对于每一摩尔的酞菁化合物，邻苯二甲腈聚合物的含量在100毫微摩尔到200毫摩尔范围内，就可得到具有极好的表面电荷保留率的电子照相光电导体。已注意到该光敏层可能是单层结构或层压结构，但不限于这些类型中的任一个。
已经相对于较好实施方案详细地描述了本发明，显然从上述描述中本领域的普通技术人员可以在较广的方面进行各种改变和改进，但不会超出本发明范围，因此，使所附的权利要求复盖所有落在本发明的真正的精神范围之内的各种改变和改进。

Claims (9)

1.一种电子照相光电导体，包括导电基层和光敏层，其中所述的光敏层被层压在所述的导电基层上，该光敏层至少包括作为光电导材料的酞菁化合物，其中
所述的光敏层中除了含所述的酞菁化合物外，对于每一摩尔的所述的酞菁化合物还含邻苯二甲腈聚合物100毫微摩尔到200毫摩尔。
2.如权利要求1所述的电子照相光电导体，其中所述的酞菁化合物是非金属酞菁化合物。
3.如权利要求2所述的电子照相光电导体，其中所述的非金属酞菁化合物是X-型非金属酞菁化合物。
4.如权利要求1所述的电子照相光电导体，其中所述酞菁化合物是钛氧基氧酞菁。
5.如权利要求4所述的电子照相光电导体，其中
所述的钛氧基氧酞菁和所述的邻苯二甲腈聚合物的混合物，在通过用X-射线衍射法所获得的X-射线衍射光谱上，至少在布拉格角为27.3°±0.2°处观察到衍射强度的清晰的峰。
6.如权利要求5所述的电子照相光电导体，其中
所述的钛氧基氧酞菁和所述的邻苯二甲腈聚合物的混合物，在X-射线衍射光谱上，在布拉格角(2θ±0.2°)为9.6°处观察到最大衍射强度，在7.2°，9.6°，11.6°，13.4°，14.9°，18.3°，23.6°，24.1°，和27.3°处观察到了衍射强度的清晰的峰。
7.如权利要求1所述的电子照相光电导体，其中所述的酞菁化合物的中心金属是从锆，钒，铌，镓，铟，锗和锡中选出的。
8.如权利要求1所要求的电子照相光电导体，其中内涂层被设置在所述的导电基层和所述的光敏层之间。
9.如权利要求1所述的电子照相光电导体，其中所述的光敏层包括电荷产生层和电荷转移层，该电荷转移层被层压在所述的电荷产生层上，所述的酞菁化合物被包含在所述的电荷产生层内。
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