CN103917912B

CN103917912B - 用于机电系统反射式显示装置的匹配层薄膜

Info

Publication number: CN103917912B
Application number: CN201280053895.4A
Authority: CN
Inventors: 约翰·元丘·洪; 吉安·J·马; 塔利斯·扬·张; 琼·厄克·李
Original assignee: Qualcomm MEMS Technologies Inc
Current assignee: Nujira Ltd
Priority date: 2011-11-04
Filing date: 2012-10-24
Publication date: 2016-08-24
Anticipated expiration: 2032-10-24
Also published as: US20140218784A1; JP5642912B1; WO2013066689A1; TW201527795A; US20130114121A1; CN103917912A; JP2014534474A; TWI484218B; KR101506977B1; US9081188B2; TW201329505A; US8736939B2; KR20140089572A

Abstract

本发明提供用于机电系统反射式显示装置的系统、方法及设备。在一个方面中，机电系统显示装置包含反射层及吸收器层。所述吸收器层与所述反射层间隔开以在所述吸收器层与所述反射层之间界定腔。所述吸收器层能够将光透射到所述腔中、吸收光及反射光，且包含金属层。多个匹配层在所述吸收器层的背对所述腔的表面上，所述多个匹配层包含安置于所述吸收器层上的第一匹配层及安置于所述第一匹配层上的第二匹配层。

Description

用于机电系统反射式显示装置的匹配层薄膜

相关申请案

本申请案主张对标题为“用于机电系统反射式显示装置的匹配层薄膜(MATCHINGLAYER THIN-FILMS FOR AN ELECTROMECHANICAL SYSTEMS REFLECTIVE DISPLAY DEVICE)”且在2011年11月4日申请的第13/289,937号美国专利申请案(代理人档案号QUALP088/102674)的优先权，所述专利申请案特此引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明一般来说涉及机电系统(EMS)反射式显示装置，且更特定来说涉及EMS反射式显示装置的吸收器层上的材料层。

背景技术

机电系统(EMS)包含具有电及机械元件、致动器、换能器、传感器、光学组件(包含镜)及电子器件的装置。可以多种尺寸制造机电系统，包含但不限于微米尺寸及纳米尺寸。举例来说，微机电系统(MEMS)装置可包含具有介于从大约一微米到数百微米或更大的范围内的大小的结构。纳米机电系统(NEMS)装置可包含具有小于一微米的大小(举例来说，包含小于数百纳米的大小)的结构。可使用沉积、蚀刻、光刻及/或蚀刻掉衬底及/或所沉积材料层的部分或添加层以形成电装置及机电装置的其它微机械加工工艺形成机电元件。

一种类型的EMS装置称作干涉式调制器(IMOD)。如本文中所用，术语干涉式调制器或干涉式光调制器是指使用光学干涉原理选择性地吸收及/或反射光的装置。在一些实施方案中，干涉式调制器可包含一对导电板，所述对导电板中的一者或两者可为全部或部分透明的及/或反射的且能够在施加适当电信号时相对运动。在实施方案中，一个板可包含沉积于衬底上的固定层且另一板可包含通过气隙与所述固定层分离的反射膜。一个板相对于另一板的位置可改变入射于干涉式调制器上的光的光学干涉。干涉式调制器装置具有广泛的应用，且预期用于改进现有产品及形成新产品，尤其是具有显示能力的那些产品。

IMOD装置或其它EMS反射式显示装置的一层(例如，固定层及/或反射膜)上的额外材料层可改变所述层的光学性质。举例来说，可借助所述额外材料层修改一层的反射及/或吸收特性。

发明内容

本发明的系统、方法及装置各自具有数个创新性方面，所述方面中的单个方面均不单独地决定本文中所揭示的所要属性。

本发明中所描述的标的物的一个创新性方面可实施于一种包含反射层、吸收器层及多个匹配层的设备中。所述吸收器层可与所述反射层间隔开以在所述吸收器层与所述反射层之间界定腔。所述吸收器层可能够将光透射到所述腔中、吸收光及反射光。所述吸收器层可包含金属层。所述多个匹配层可在所述吸收器层的背对所述腔的表面上。所述多个匹配层可包含安置于所述吸收器层上的第一匹配层及安置于所述第一匹配层上的第二匹配层。

在一些实施方案中，所述第一匹配层可具有第一厚度且所述第二匹配层可具有第二厚度。所述第一厚度及所述第二厚度可经配置以修改所反射光及所透射光的振幅及相位中的至少一者以更改所述设备的红色-绿色-蓝色色彩饱和度。

在一些实施方案中，所述第一匹配层可包含具有第一折射率的第一材料，且所述第二匹配层可包含具有第二折射率的第二材料。所述第二折射率可大于所述第一折射率。

本发明中所描述的标的物的另一创新性方面可实施于一种包含反射层、吸收器层、第一匹配层及第二匹配层的设备中。所述吸收器层可与所述反射层间隔开以在所述吸收器层与所述反射层之间界定腔。所述吸收器层可能够将光透射到所述腔中、吸收光及反射光。所述吸收器层可包含金属层。所述第一匹配层可具有第一折射率且安置于所述吸收器层上。所述第二匹配层可具有第二折射率且安置于所述第一匹配层上。所述第二折射率可大于所述第一折射率。

在一些实施方案中，所述金属层可包含钒、铬、钨、镍或钼-铬合金中的至少一者。在一些实施方案中，所述反射层可经配置而可移动以使所述腔的厚度变化。

本发明中所描述的标的物的另一创新性方面可实施于一种包含反射层、吸收器层及多个匹配层的设备中。所述吸收器层可与所述反射层间隔开以在所述吸收器层与所述反射层之间界定腔。所述吸收器层可能够将光透射到所述腔中、吸收光及反射光。所述吸收器层可包含金属层。所述反射层可经配置而可移动以使所述腔的厚度变化。所述多个匹配层可在所述吸收器层的背对所述腔的表面上。所述多个匹配层可包含安置于所述吸收器层上的第一匹配层及安置于所述第一匹配层上的第二匹配层。

在一些实施方案中，所述金属层可包含钒、铬、钨、镍或钼-铬合金中的至少一者。在一些实施方案中，所述第一匹配层可包含二氧化硅、氟化镁、氧化铝或塑料中的至少一者。在一些实施方案中，所述第二匹配层可包含氮化硅、氧氮化硅、二氧化钛、二氧化锆、氧化钽或氧化锑中的至少一者。

在随附图式及以下描述中阐明本说明书中所描述的标的物的一或多个实施方案的细节。虽然主要就基于机电系统(EMS)及微机电系统(MEMS)的显示器描述本发明中所提供的实例，但本文中所提供的概念可适用于其它类型的显示器，例如，液晶显示器、有机发光二极管(“OLED”)显示器及场发射显示器。根据所述描述、图式及权利要求书将明了其它特征、方面及优点。注意，以下各图的相对尺寸可能并未按比例绘制。

附图说明

图1展示描绘干涉式调制器(IMOD)显示装置的一系列像素中的两个邻近像素的等角视图的实例。

图2展示图解说明并入有3×3干涉式调制器显示器的电子装置的系统框图的实例。

图3展示图解说明图1的干涉式调制器的可移动反射层位置对所施加电压的图的实例。

图4展示图解说明当施加各种共用电压及分段电压时干涉式调制器的各种状态的表的实例。

图5A展示图解说明在图2的3×3干涉式调制器显示器中的显示数据帧的图的实例。

图5B展示可用于写入图5A中所图解说明的显示数据帧的共用信号及分段信号的时序图的实例。

图6A展示图1的干涉式调制器显示器的部分横截面的实例。

图6B到6E展示干涉式调制器的不同实施方案的横截面的实例。

图7展示图解说明用于干涉式调制器的制造工艺的流程图的实例。

图8A到8E展示制作干涉式调制器的方法中的各种阶段的横截面示意性图解的实例。

图9及10展示EMS反射式显示装置的一部分的横截面示意图的实例。

图11展示图解说明用于EMS反射式显示装置的匹配层的制造工艺的流程图的实例。

图12A及12B展示针对由EMS反射式显示装置产生的调色板的色彩空间图。

图13展示由两个EMS反射式显示装置(一个不包含匹配层且一个包含匹配层)产生的红色色彩的光谱的曲线图。

图14A及14B展示图解说明包含多个干涉式调制器的显示装置的系统框图的实例。

在各个图式中，相似的参考编号及标示指示相似的元件。

具体实施方式

以下描述出于描述本发明的创新性方面的目的而针对于某些实施方案。然而，所属领域的技术人员将容易认识到，可以多种不同方式应用本文中的教示。所描述的实施方案可在可经配置以显示图像(无论是处于运动(例如，视频)还是静止的(例如，静止图像)，且无论是文本、图形的还是图片的)的任一装置或系统中实施。更特定来说，本发明预期：所描述的实施方案可包含于以下多种电子装置中或可与所述电子装置相关联：例如(但不限于)，移动电话、具有多媒体因特网能力的蜂窝式电话、移动电视接收器、无线装置、智能电话、装置、个人数据助理(PDA)、无线电子邮件接收器、手持式或便携式计算机、上网本、笔记本计算机、智能本、平板计算机、打印机、复印机、扫瞄仪、传真装置、GPS接收器/导航器、相机、MP3播放器、摄录像机、游戏控制台、手表、钟表、计算器、电视监视器、平板显示器、电子阅读装置(即，电子阅读器)、计算机监视器、汽车显示器(包含里程表及速度表显示器等等)、驾驶舱控制件及/或显示器、相机视图显示器(例如，车辆的后视相机的显示器)、电子照片、电子告示牌或标牌、投影仪、建筑结构、微波炉、冰箱、立体声系统、盒式录音机或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、无线电设备、便携式存储器芯片、洗衣机、干衣机、洗衣机/干衣机、停车计时器、封装(例如，在机电系统(EMS)、微机电系统(MEMS)及非MEMS应用中)、美学结构(例如，一件珠宝上的图像显示器)及多种EMS装置。本文中的教示还可用于非显示应用中，例如(但不限于)：电子切换装置、射频滤波器、传感器、加速计、陀螺仪、运动感测装置、磁力计、消费型电子器件的惯性组件、消费型电子产品的部件、变容二极管、液晶装置、电泳装置、驱动方案、制造工艺及电子测试设备。因此，所述教示并不打算限制于仅描绘于各图中的实施方案，而是具有所属领域的技术人员将容易明了的宽广适用性。

EMS反射式显示装置的吸收器层本身可不具有适当电磁性质以实现EMS反射式显示装置的理想光谱选择性吸收性质。由于所述吸收器层的色散特性，所述吸收器层的电磁阻抗可随光的波长变化(例如，消光系数及折射率可随光的波长变化)。特定来说，所述吸收器层的电磁阻抗的无功部分可赋予来自吸收器层的反射/穿过吸收器层的透射的变化，此转换为来自EMS反射式显示装置的反射的光谱滤光特性的劣化。

本文中所描述的一些实施方案涉及EMS反射式显示装置的吸收器层上的材料层。在一些实施方案中，两个或两个以上材料层(也称为匹配层)可形成于EMS反射式显示装置的吸收器层上。在一些实施方案中，安置于吸收器层上的第一匹配层可为低折射率材料。安置于第一匹配层上的第二匹配层可为高折射率材料。

举例来说，在本文中所描述的一些实施方案中，EMS装置包含反射层及吸收器层。所述吸收器层可与所述反射层间隔开以在所述吸收器层与所述反射层之间界定腔。取决于光的波长及所述反射层与所述吸收器层之间的间隔，所述吸收器层可完全、部分或根本不吸收光。所述吸收器层还可包含可提供所述吸收器层的吸收特性的金属层。多个匹配层可在所述吸收器层的背对所述腔的表面上。所述多个匹配层可包含安置于所述吸收器层上的第一匹配层及安置于所述第一匹配层上的第二匹配层。

可实施本发明中所描述的标的物的特定实施方案以实现以下潜在优点中的一或多者。EMS反射式显示装置的吸收器层的表面上的两个或两个以上匹配层可改进EMS反射式显示装置的特定原色或完整原色集(即，红色-绿色-蓝色(RGB)色彩集)的色彩饱和度。两个或两个以上匹配层还可允许改进EMS反射式显示装置的白色状态。

在吸收器层上面及下面包含匹配层的另一优点可为在修整吸收器层的阻抗性质时提供额外设计自由度。所述匹配层还可允许通过将色散引入到间隙中而调整反射峰值之间的光谱间隔及振幅的某一自由度。此方面与实现高纯度的红色色彩有关，因为红色反射光谱通常涉及从光谱的蓝色部分的某一泄漏。

所描述的实施方案可适用于的适合EMS或MEMS装置的实例为反射式显示装置。反射式显示装置可并入有用以使用光学干涉原理选择性地吸收及/或反射入射于其上的光的干涉式调制器(IMOD)。IMOD可包含吸收器、可相对于所述吸收器移动的反射器及界定于所述吸收器与所述反射器之间的光学共振腔。所述反射器可移动到两个或两个以上不同位置，此可改变光学共振腔的大小且借此影响所述干涉式调制器的反射比。IMOD的反射光谱可形成可跨越可见波长移位以产生不同色彩的相当宽的光谱带。可通过改变光学共振腔的厚度(即，通过改变反射器的位置)来调整所述光谱带的位置。

图1展示描绘干涉式调制器(IMOD)显示装置的一系列像素中的两个邻近像素的等角视图的实例。所述IMOD显示装置包含一或多个干涉式MEMS显示元件。在这些装置中，MEMS显示元件的像素可处于亮或暗状态。在亮(“松弛”、“打开”或“接通”)状态中，所述显示元件将入射可见光的一大部分反射到(例如)用户。相反地，在暗(“激活”、“关闭”或“关断”)状态中，所述显示元件反射甚少的入射可见光。在一些实施方案中，可反转接通与关断状态的光反射性质。MEMS像素可经配置以主要在特定波长下反射，从而允许除黑色及白色以外还进行彩色显示。

IMOD显示装置可包含行/列IMOD阵列。每一IMOD可包含一对反射层，即，可移动反射层及固定部分反射层，所述对反射层以彼此相距可变且可控的距离进行定位以形成气隙(还称作光学间隙或腔)。所述可移动反射层可在至少两个位置之间移动。在第一位置(即，松弛位置)中，可移动反射层可定位于距固定部分反射层相对大的距离处。在第二位置(即，激活位置)中，可移动反射层可更靠近于部分反射层而定位。取决于可移动反射层的位置，从两个层反射的入射光可以相长或相消方式干涉，从而产生每一像素的总体反射或非反射状态。在一些实施方案中，IMOD可在不被激活时处于反射状态，从而反射在可见光谱内的光，且可在被激活时处于暗状态，从而反射在可见范围之外的光(例如，红外光)。然而，在一些其它实施方案中，IMOD可在不被激活时处于暗状态且在被激活时处于反射状态。在一些实施方案中，引入所施加电压可驱动像素改变状态。在一些其它实施方案中，所施加电荷可驱动像素改变状态。

图1中所描绘的像素阵列部分包含两个邻近的干涉式调制器12。在左侧(如所图解说明)的IMOD 12中，将可移动反射层14图解说明为处于距包含部分反射层的光学堆叠16预定距离处的松弛位置。跨越左侧IMOD 12施加的电压V₀不足以致使可移动反射层14激活。在右侧的IMOD 12中，将可移动反射层14图解说明为处于接近或邻近光学堆叠16的激活位置。跨越右侧IMOD 12施加的电压V_bias足以使可移动反射层14维持处于激活位置。

在图1中，用指示入射于像素12上的光13及从左侧IMOD 12反射的光15的箭头大体图解说明像素12的反射性质。虽然未详细地图解说明，但所属领域的技术人员将理解，入射于像素12上的光13的大部分将穿过透明衬底20朝向光学堆叠16透射。入射于光学堆叠16上的光的一部分将透射穿过光学堆叠16的部分反射层，且一部分将往回反射穿过透明衬底20。光13的透射穿过光学堆叠16的部分将在可移动反射层14处往回朝向(且穿过)透明衬底20反射。从光学堆叠16的部分反射层反射的光与从可移动反射层14反射的光之间的干涉(相长性或相消性)将确定从IMOD 12反射的光15的波长。

光学堆叠16可包含单个层或数个层。所述层可包含电极层、部分反射且部分透射层及透明电介质层中的一或多者。在一些实施方案中，光学堆叠16为导电、部分透明且部分反射的，且可(举例来说)通过将以上层中的一或多者沉积到透明衬底20上来制作。所述电极层可由多种材料形成，例如各种金属，举例来说，氧化铟锡(ITO)。所述部分反射层可由多种部分反射的材料形成，例如各种金属，例如铬(Cr)、半导体及电介质。所述部分反射层可由一或多个材料层形成，且所述层中的每一者可由单一材料或材料的组合形成。在一些实施方案中，光学堆叠16可包含单个半透明厚度的金属或半导体，其充当光学吸收器及导体两者，同时(例如光学堆叠16或IMOD的其它结构的)不同的更多层或部分可用于在IMOD像素之间运送信号。光学堆叠16还可包含覆盖一或多个导电层或导电/吸收层的一或多个绝缘或电介质层。

在一些实施方案中，可将光学堆叠16的层图案化成若干平行条带，且其可在显示装置中形成行电极，如下文进一步描述。如所属领域的技术人员将理解，术语“图案化”在本文中用于指掩蔽以及蚀刻工艺。在一些实施方案中，可将高度导电且反射的材料(例如铝(Al))用于可移动反射层14，且这些条带可在显示装置中形成列电极。可移动反射层14可形成为用以形成沉积于柱18及在柱18之间沉积的介入牺牲材料的顶部上的列的一个或若干所沉积金属层的一系列平行条带(正交于光学堆叠16的行电极)。当蚀刻掉所述牺牲材料时，可在可移动反射层14与光学堆叠16之间形成经界定间隙19或光学腔。在一些实施方案中，柱18之间的间隔可为约1um到1000um，而间隙19可小于

在一些实施方案中，所述IMOD的每一像素(无论是处于激活状态还是松弛状态)基本上均为由固定反射层及移动反射层形成的电容器。当不施加电压时，可移动反射层14保持处于机械松弛状态，如图1中左侧的IMOD 12所图解说明，其中可移动反射层14与光学堆叠16之间具有间隙19。然而，当向选定行及列中的至少一者施加电位差(例如，电压)时，在对应像素处的行电极与列电极的相交点处形成的电容器变得被充电，且静电力将所述电极拉在一起。如果所施加的电压超过阈值，那么可移动反射层14可变形且移动而接近或抵靠光学堆叠16。光学堆叠16内的电介质层(未展示)可防止短路且控制层14与16之间的分离距离，如图1中右侧的经激活IMOD 12所图解说明。不管所施加电位差的极性如何，行为均相同。虽然在一些实例中可将阵列中的一系列像素称作“行”或“列”，但所属领域的技术人员将容易理解，将一个方向称作“行”且将另一方向称作“列”是任意的。重申，在一些定向中，可将行视为列，且将列视为行。此外，显示元件可均匀地布置成正交的行与列(“阵列”)，或布置成非线性配置，举例来说，相对于彼此具有某些位置偏移(“镶嵌块”)。术语“阵列”及“镶嵌块”可指代任一配置。因此，虽然将显示器称作包含“阵列”或“镶嵌块”，但在任一实例中，元件本身不需要彼此正交地布置或安置成均匀分布，而是可包含具有不对称形状及不均匀分布元件的布置。

图2展示图解说明并入有3×3干涉式调制器显示器的电子装置的系统框图的实例。所述电子装置包含可经配置以执行一或多个软件模块的处理器21。除执行操作系统以外，处理器21还可经配置以执行一或多个软件应用程序，包含web浏览器、电话应用程序、电子邮件程序或其它软件应用程序。

处理器21可经配置以与阵列驱动器22通信。阵列驱动器22可包含将信号提供到(例如)显示阵列或面板30的行驱动器电路24及列驱动器电路26。图2中的线1-1展示图1中所图解说明的IMOD显示装置的横截面。虽然为清晰起见，图2图解说明3×3 IMOD阵列，但显示阵列30可含有极大数目个IMOD且可在列中具有与在行中不同数目的IMOD，且反之亦然。

图3展示图解说明图1的干涉式调制器的可移动反射层位置对所施加电压的图的实例。对于MEMS干涉式调制器，行/列(即，共用/分段)写入程序可利用图3中所图解说明的这些装置的滞后性质。举例来说，干涉式调制器可需要大约10伏电位差来致使可移动反射层或镜从松弛状态改变为激活状态。当电压从所述值减小时，随着电压回降到低于(例如)10伏，所述可移动反射层维持其状态，然而，所述可移动反射层直到电压下降到低于2伏才会完全松弛。因此，如图3中所展示，存在约3伏到7伏的电压范围，在所述电压范围内存在所施加电压窗，在所述窗内，装置稳定在松弛状态或激活状态中。在本文中将此窗称作“滞后窗”或“稳定窗”。对于具有图3的滞后特性的显示阵列30，行/列写入程序可经设计以一次寻址一或多个行，使得在对给定行的寻址期间使经寻址行中待激活的像素暴露于大约10伏的电压差，并使待松弛的像素暴露于接近零伏的电压差。在寻址之后，使像素暴露于稳定状态或约5伏的偏置电压差使得其保持在先前选通状态中。在此实例中，在被寻址之后，每一像素经历在大约3伏到7伏的“稳定窗”内的电位差。此滞后性质特征使得例如图1中所图解说明的像素设计能够在相同所施加电压条件下保持稳定在激活状态或松弛预存状态中。由于每一IMOD像素(无论是处于激活状态还是松弛状态)基本上均为由固定反射层及移动反射层形成的电容器，因此此稳定状态可保持在滞后窗内的稳定电压下而实质上不消耗或损失电力。此外，如果所施加的电压电位保持实质上固定，那么基本上有甚少或无电流流动到IMOD像素中。

在一些实施方案中，可通过根据给定行中的像素的状态的所要改变(如果有的话)沿着所述组列电极以“分段”电压的形式施加数据信号来形成图像的帧。可依次寻址所述阵列的每一行，使得一次一行地写入所述帧。为了将所要数据写入到第一行中的像素，可将对应于所述第一行中的像素的所要状态的分段电压施加于列电极上，且可将呈特定“共用”电压或信号形式的第一行脉冲施加到第一行电极。接着，可使所述组分段电压改变为对应于第二行中的像素的状态的所要改变(如果有的话)，且可将第二共用电压施加到第二行电极。在一些实施方案中，第一行中的像素不受沿着列电极施加的分段电压的改变影响，且保持于在第一共用电压行脉冲期间其被设定到的状态。可以循序方式针对整个系列的行或替代地针对整个系列的列重复此过程，以产生图像帧。可通过以每秒某一所要数目的帧不断地重复此过程来刷新所述帧及/或用新的图像数据更新所述帧。

跨越每一像素所施加的分段与共用信号的组合(即，跨越每一像素的电位差)确定了每一像素的所得状态。图4展示图解说明当施加各种共用电压及分段电压时干涉式调制器的各种状态的表的实例。如所属领域的技术人员将容易理解，可将“分段”电压施加到列电极或行电极，且可将“共用”电压施加到列电极或行电极中的另一者。

如在图4中(以及在图5B中所展示的时序图中)所图解说明，当沿着共用线施加释放电压VC_REL时，沿着共用线的所有干涉式调制器元件将被置于松弛状态(或者称作释放或未激活状态)中，而不管沿着分段线所施加的电压(即，高分段电压VS_H及低分段电压VS_L)如何。特定来说，当沿着共用线施加释放电压VC_REL时，在沿着所述像素的对应分段线施加高分段电压VS_H及低分段电压VS_L两者时，跨越调制器的电位电压(或者称作像素电压)在松弛窗(参见图3，也称作释放窗)内。

当将保持电压(例如高保持电压VC_{HOLD_H}或低保持电压VC_{HOLD_L})施加于共用线上时，干涉式调制器的状态将保持恒定。举例来说，松弛IMOD将保持处于松弛位置，且激活IMOD将保持处于激活位置。所述保持电压可经选择使得在沿着对应分段线施加高分段电压VS_H及低分段电压VS_L两者时，像素电压将保持在稳定窗内。因此，分段电压摆幅(即，高VS_H与低分段电压VS_L之间的差)小于正稳定窗或负稳定窗的宽度。

当将寻址或激活电压(例如高寻址电压VC_{ADD_H}或低寻址电压VC_{ADD_L})施加于共用线上时，可通过沿着相应分段线施加分段电压选择性地将数据写入到沿着所述线的调制器。所述分段电压可经选择使得所述激活取决于所施加的分段电压。当沿着共用线施加寻址电压时，施加一个分段电压将导致稳定窗内的像素电压，从而致使所述像素保持不被激活。相比之下，施加另一分段电压将导致超出所述稳定窗的像素电压，从而导致所述像素的激活。致使激活的特定分段电压可取决于使用了哪一寻址电压而变化。在一些实施方案中，当沿着共用线施加高寻址电压VC_{ADD_H}时，施加高分段电压VS_H可致使调制器保持处于其当前位置，而施加低分段电压VS_L可致使所述调制器激活。作为推论，当施加低寻址电压VC_{ADD_L}时，分段电压的影响可为相反的，其中高分段电压VS_H致使所述调制器激活，且低分段电压VS_L对所述调制器的状态无影响(即，保持稳定)。

在一些实施方案中，可使用跨越调制器始终产生相同极性电位差的保持电压、寻址电压及分段电压。在一些其它实施方案中，可使用使调制器的电位差的极性交替的信号。跨越调制器的极性的交替(即，写入程序的极性的交替)可减少或抑制在单个极性的重复写入操作之后可能发生的电荷积累。

图5A展示图解说明图2的3×3干涉式调制器显示器中的显示数据帧的图的实例。图5B展示可用于写入图5A中所图解说明的显示数据帧的共用信号及分段信号的时序图的实例。可将所述信号施加到图2的(例如)3×3阵列，此将最终产生图5A中所图解说明的线时间60e的显示布置。图5A中的经激活调制器处于暗状态，即，其中反射光的实质部分在可见光谱之外，以便给(例如)观看者产生暗外观。在写入图5A中所图解说明的帧之前，所述像素可处于任一状态，但图5B的时序图中所图解说明的写入程序假定在第一线时间60a之前每一调制器已被释放且驻存于未激活状态中。

在第一线时间60a期间，将释放电压70施加于共用线1上；施加于共用线2上的电压以高保持电压72开始且移动到释放电压70；且沿着共用线3施加低保持电压76。因此，沿着共用线1的调制器(共用1，分段1)、(1,2)及(1,3)在第一线时间60a的持续时间内保持处于松弛或未激活状态，沿着共用线2的调制器(2,1)、(2,2)及(2,3)将移动到松弛状态，且沿着共用线3的调制器(3,1)、(3,2)及(3,3)将保持处于其先前状态。参考图4，沿着分段线1、2及3施加的分段电压将对干涉式调制器的状态无影响，因为在线时间60a期间，共用线1、2或3中的任一者均未暴露于致使激活的电压电平(即，VC_REL-松弛及VC_{HOLD_L}-稳定)。

在第二线时间60b期间，共用线1上的电压移动到高保持电压72，且由于未将寻址或激活电压施加于共用线1上，因此不管所施加的分段电压如何，沿着共用线1的所有调制器均保持处于松弛状态。沿着共用线2的调制器因释放电压70的施加而保持处于松弛状态，且当沿着共用线3的电压移动到释放电压70时，沿着共用线3的调制器(3,1)、(3,2)及(3,3)将松弛。

在第三线时间60c期间，通过将高寻址电压74施加于共用线1上来寻址共用线1。由于在施加此寻址电压期间沿着分段线1及2施加低分段电压64，因此跨越调制器(1,1)及(1,2)的像素电压大于调制器的正稳定窗的高端(即，电压差超过预定义阈值)，且激活调制器(1,1)及(1,2)。相反地，由于沿着分段线3施加高分段电压62，因此跨越调制器(1,3)的像素电压小于调制器(1,1)及(1,2)的像素电压，且保持在所述调制器的正稳定窗内；调制器(1,3)因此保持松弛。此外，在线时间60c期间，沿着共用线2的电压减小到低保持电压76，且沿着共用线3的电压保持处于释放电压70，从而使沿着共用线2及3的调制器处于松弛位置。

在第四线时间60d期间，共用线1上的电压返回到高保持电压72，从而使沿着共用线1上的调制器处于其相应经寻址状态。将共用线2上的电压减小到低寻址电压78。由于沿着分段线2施加高分段电压62，因此跨越调制器(2,2)的像素电压低于所述调制器的负稳定窗的较低端，从而致使调制器(2,2)激活。相反地，由于沿着分段线1及3施加低分段电压64，因此调制器(2,1)及(2,3)保持处于松弛位置。共用线3上的电压增加到高保持电压72，从而使沿着共用线3的调制器处于松弛状态中。

最后，在第五线时间60e期间，共用线1上的电压保持处于高保持电压72，且共用线2上的电压保持处于低保持电压76，从而使沿着共用线1及2的调制器处于其相应经寻址状态。共用线3上的电压增加到高寻址电压74以寻址沿着共用线3的调制器。在将低分段电压64施加于分段线2及3上时，调制器(3,2)及(3,3)激活，而沿着分段线1所施加的高分段电压62致使调制器(3,1)保持处于松弛位置。因此，在第五线时间60e结束时，3×3像素阵列处于图5A中所展示的状态，且只要沿着共用线施加保持电压就将保持处于所述状态，而不管可能在正寻址沿着其它共用线(未展示)的调制器时发生的分段电压的变化如何。

在图5B的时序图中，给定写入程序(即，线时间60a到60e)可包含高保持及寻址电压或低保持及寻址电压的使用。一旦已针对给定共用线完成写入程序(且将共用电压设定为具有与激活电压相同的极性的保持电压)，所述像素电压便保持在给定稳定窗内，且不通过松弛窗，直到将释放电压施加于所述共用线上为止。此外，由于每一调制器是在寻址所述调制器之前作为写入程序的一部分而释放，因此调制器的激活时间而非释放时间可确定必要线时间。具体来说，在其中调制器的释放时间大于激活时间的实施方案中，可将释放电压施加达长于单个线时间，如在图5B中所描绘。在一些其它实施方案中，沿着共用线或分段线所施加的电压可变化以考虑到不同调制器(例如不同色彩的调制器)的激活及释放电压的变化。

根据上文所阐明的原理操作的干涉式调制器的结构的细节可广泛变化。举例来说，图6A到6E展示包含可移动反射层14及其支撑结构的干涉式调制器的不同实施方案的横截面的实例。图6A展示图1的干涉式调制器显示器的部分横截面的实例，其中金属材料条带(即，可移动反射层14)沉积于从衬底20正交延伸的支撑件18上。在图6B中，每一IMOD的可移动反射层14的形状为大体正方形或矩形且在拐角处或接近拐角处经由系链32附接到支撑件。在图6C中，可移动反射层14的形状为大体正方形或矩形且悬挂于可变形层34上，可变形层34可包含柔性金属。可变形层34可围绕可移动反射层14的周界直接或间接地连接到衬底20。这些连接在本文中称作支撑柱。图6C中所展示的实施方案具有源于可移动反射层14的光学功能与其机械功能(其由可变形层34来实施)解耦合的额外益处。此解耦合允许用于反射层14的结构设考虑到材料与用于可变形层34的结构设考虑到材料彼此独立地进行优化。

图6D展示IMOD的另一实例，其中可移动反射层14包含反射子层14a。可移动反射层14靠在支撑结构(例如，支撑柱18)上。支撑柱18提供可移动反射层14与下部固定电极(即，所图解说明的IMOD中的光学堆叠16的一部分)的分离，使得(举例来说)当可移动反射层14处于松弛位置时，在可移动反射层14与光学堆叠16之间形成间隙19。可移动反射层14还可包含可经配置以充当电极的导电层14c及支撑层14b。在此实例中，导电层14c安置于支撑层14b的远离衬底20的一侧上，且反射子层14a安置于支撑层14b的接近于衬底20的另一侧上。在一些实施方案中，反射子层14a可为导电的且可安置于支撑层14b与光学堆叠16之间。支撑层14b可包含电介质材料(举例来说，氧氮化硅(SiON)或二氧化硅(SiO₂))的一或多个层。在一些实施方案中，支撑层14b可为若干层的堆叠，例如，SiO₂/SiON/SiO₂三层堆叠。反射子层14a及导电层14c中的任一者或两者可包含(例如)具有大约0.5％铜(Cu)的铝(Al)合金或另一反射金属材料。在电介质支撑层14b上方及下方采用导体层14a、14c可平衡应力且提供增强的传导性。在一些实施方案中，可出于多种设计目的(例如实现可移动反射层14内的特定应力分布曲线)而由不同材料形成反射子层14a及导电层14c。

如在图6D中所图解说明，一些实施方案还可包含黑色掩模结构23。黑色掩模结构23可形成于光学非作用区(例如在像素之间或在柱18下方)中以吸收环境光或杂散光。黑色掩模结构23还可通过抑制光从显示装置的非作用部分反射或透射穿过所述部分借此增加对比度来改进所述显示器的光学性质。另外，黑色掩模结构23可为导电的且经配置以充当电运送层。在一些实施方案中，可将行电极连接到黑色掩模结构23以减小所连接行电极的电阻。可使用包含沉积及图案化技术的多种方法来形成黑色掩模结构23。黑色掩模结构23可包含一或多个层。举例来说，在一些实施方案中，黑色掩模结构23包含充当光学吸收器的钼-铬(MoCr)层、SiO₂层及充当反射器及运送层的铝合金，其分别具有在大约到到及到的范围中的厚度。可使用多种技术来图案化所述一或多个层，包含光刻及干蚀刻，举例来说，所述干蚀刻包含用于MoCr及SiO₂层的四氟化碳(CF₄)及/或氧气(O₂)以及用于铝合金层的氯气(Cl₂)及/或三氯化硼(BCl₃)。在一些实施方案中，黑色掩模23可为标准具或干涉式堆叠结构。在此些干涉式堆叠黑色掩模结构23中，导电吸收器可用于在每一行或列的光学堆叠16中的下部固定电极之间传输或运送信号。在一些实施方案中，间隔件层35可用于将吸收器层16a与黑色掩模23中的导电层大体电隔离。

图6E展示IMOD的另一实例，其中可移动反射层14为自支撑的。与图6D相比，图6E的实施方案不包含支撑柱18。而是，可移动反射层14在多个位置处接触下伏光学堆叠16，且可移动反射层14的曲率提供足够的支撑使得可移动反射层14在跨越干涉式调制器的电压不足以致使激活时返回到图6E的未激活位置。为清晰所见，此处将可含有多个数种不同层的光学堆叠16展示为包含光学吸收器16a及电介质16b。在一些实施方案中，光学吸收器16a可充当固定电极及部分反射层两者。

在例如图6A到6E中所展示的实施方案的实施方案中，IMOD充当直视装置，其中从透明衬底20的前侧(即，与其上布置有调制器的侧相对的侧)观看图像。在这些实施方案中，可对所述装置的背面部分(即，所述显示装置的在可移动反射层14后面的任一部分，举例来说，包含图6C中所图解说明的可变形层34)进行配置及操作而不影响或负面地影响显示装置的图像质量，因为反射层14光学屏蔽所述装置的所述部分。举例来说，在一些实施方案中，可在可移动反射层14后面包含总线结构(未图解说明)，其提供将调制器的光学性质与调制器的机电性质(例如电压寻址及由此寻址产生的移动)分离的能力。另外，图6A到6E的实施方案可简化处理(例如，图案化)。

图7展示图解说明用于干涉式调制器的制造工艺80的流程图的实例，且图8A到8E展示此制造工艺80的对应阶段的横截面示意性图解的实例。在一些实施方案中，除图7中未展示的其它框以外，制造工艺80也可经实施以制造(例如)图1及6A到6E中所图解说明的一般类型的干涉式调制器。参考图1、6A到6E及7，工艺80在框82处开始，其中在衬底20上方形成光学堆叠16。图8A图解说明在衬底20上方形成的此光学堆叠16。衬底20可为透明衬底(例如玻璃或塑料)，其可为柔性的或相对刚性且不易弯曲的，且可能已经受先前准备工艺，例如，用以促进有效地形成光学堆叠16的清洁。如上文所论述，光学堆叠16可为导电、部分透明且部分反射的且可(举例来说)通过将具有所要性质的一或多个层沉积到透明衬底20上来制作。在图8A中，光学堆叠16包含具有子层16a及16b的多层结构，但在一些其它实施方案中可包含更多或更少的子层。在一些实施方案中，子层16a、16b中的一者可经配置而具有光学吸收及导电性质两者，例如组合式导体/吸收器子层16a。另外，可将子层16a、16b中的一或多者图案化成若干平行条带，且其可在显示装置中形成行电极。可通过掩蔽及蚀刻工艺或此项技术中已知的另一适合工艺来执行此图案化。在一些实施方案中，子层16a、16b中的一者可为绝缘或电介质层，例如沉积于一或多个金属层(例如，一或多个反射及/或导电层)上方的子层16b。另外，可将光学堆叠16图案化成形成显示器的行的个别且平行条带。

工艺80在框84处继续在光学堆叠16上方形成牺牲层25。稍后移除牺牲层25(例如，在框90处)以形成腔19且因此在图1中所图解说明的所得干涉式调制器12中未展示牺牲层25。图8B图解说明包含形成于光学堆叠16上方的牺牲层25的经部分制作的装置。在光学堆叠16上方形成牺牲层25可包含以经选择以在随后移除之后提供具有所要设计大小的间隙或腔19(还参见图1及8E)的厚度沉积二氟化氙(XeF₂)可蚀刻材料，例如钼(Mo)或非晶硅(Si)。可使用例如物理气相沉积(PVD，例如，溅镀)、等离子增强化学气相沉积(PECVD)、热化学气相沉积(热CVD)或旋涂等沉积技术来实施牺牲材料的沉积。

工艺80在框86处继续形成支撑结构，例如如图1、6A到6E及8C中所图解说明的柱18。形成柱18可包含以下步骤：图案化牺牲层25以形成支撑结构孔口，接着使用例如PVD、PECVD、热CVD或旋涂等沉积方法将材料(例如，聚合物或无机材料，例如二氧化硅)沉积到所述孔口中以形成柱18。在一些实施方案中，形成于牺牲层中的支撑结构孔口可延伸穿过牺牲层25及光学堆叠16两者而到达下伏衬底20，使得柱18的下部端接触衬底20，如在图6A中所图解说明。或者，如在图8C中所描绘，形成于牺牲层25中的孔口可延伸穿过牺牲层25，但不穿过光学堆叠16。举例来说，图8E图解说明支撑柱18的下部端与光学堆叠16的上部表面接触。可通过将支撑结构材料层沉积于牺牲层25上方并进行图案化以移除支撑结构材料的位于远离牺牲层25中的孔口处的部分来形成柱18或其它支撑结构。所述支撑结构可位于所述孔口内，如在图8C中所图解说明，但还可至少部分地延伸到牺牲层25的一部分上方。如上文所提及，牺牲层25及/或支撑柱18的图案化可通过图案化及蚀刻工艺来执行，但也可通过替代蚀刻方法来执行。

工艺80在框88处继续形成可移动反射层或膜，例如图1、6A到6E及8D中所图解说明的可移动反射层14。可通过采用一或多个沉积工艺(例如，反射层(例如，铝、铝合金)沉积)连同一或多个图案化、掩蔽及/或蚀刻工艺来形成可移动反射层14。可移动反射层14可为导电的且称作导电层。在一些实施方案中，可移动反射层14可包含如图8D中所展示的多个子层14a、14b、14c。在一些实施方案中，所述子层中的一或多者(例如子层14a、14c)可包含针对其光学性质选择的高度反射子层，且另一子层14b可包含针对其机械性质选择的机械子层。由于牺牲层25仍存在于在框88处形成的经部分制作的干涉式调制器中，因此可移动反射层14在此阶段处通常不可移动。在本文中还可将含有牺牲层25的经部分制作的IMOD称作“未释放”IMOD。如上文结合图1所描述，可将可移动反射层14图案化成形成显示器的列的个别且平行条带。

工艺80在框90处继续形成腔，例如，如图1、6A到6E及8E中所图解说明的腔19。可通过将牺牲材料25(在框84处沉积)暴露于蚀刻剂来形成腔19。举例来说，可通过干化学蚀刻(例如，通过将牺牲层25暴露于气态或蒸气蚀刻剂，例如得自固体XeF₂的蒸气)达有效地移除所要的材料量的时间周期来移除可蚀刻牺牲材料(例如Mo或非晶Si)，通常相对于环绕腔19的结构选择性地移除所述牺牲材料。还可使用可蚀刻牺牲材料与蚀刻方法的其它组合，例如，湿蚀刻及/或等离子蚀刻。由于在框90期间移除了牺牲层25，因此可移动反射层14在此阶段之后通常可移动。在移除牺牲层25之后，在本文中可将所得的经完全或部分制作的IMOD称作“经释放”IMOD。

IMOD或其它EMS反射式显示装置的反射光谱可形成可跨越可见光谱的波长移位以产生不同色彩的相对宽光谱带。可见光谱(即，人类可感知的波长范围)介于从约390纳米(nm)到约750nm的范围内。在可见光谱内，光谱中的色彩的近似波长如下：红色，约700nm到635nm；橙色，约635nm到590nm；黄色，约590nm到560nm；绿色，约560nm到490nm；蓝色，约490nm到450nm；及紫色，约450nm到400nm。如上文所提及，可通过改变光学腔的厚度来调整光谱带的针对IMOD或其它EMS反射式显示装置的位置。此可通过改变可移动反射层的位置来实现。

取决于吸收器层(也称为部分反射层)的材料，可存在在IMOD或其它EMS反射式显示装置的原色设定(即，红色、绿色及蓝色(RGB))下增加色域且产生良好饱和度的吸收器层的厚度。色域指代可潜在地由装置显示的色彩的各种水平。饱和度指代色彩中的色相的优势度或指代色彩的纯度如何。举例来说，完全饱和蓝色可为纯蓝色色彩。

然而，由一些EMS反射式显示装置造成的一个问题是不良红色色彩(即，约700nm到635nm)性能。举例来说，为了借助EMS反射式显示装置获得红色色彩，可定位反射层使得由透射穿过吸收器层的光及从反射层反射的光形成的驻波具有其中定位吸收器层的处于红色色彩波长的一半(即，700nm到635nm的约一半)的第一节点。红色色彩波长可经历最小吸收且显示器可反射红色色彩。然而，红色色彩波长的第一节点与蓝色色彩的第二节点的一部分重合，此可损坏由EMS反射式显示装置产生的红色色彩的饱和度。

一或多个匹配层可包含于吸收器层上且可改进EMS反射式显示装置的红色色彩性能。借助一或多个匹配层中的每一者的特定厚度，可修改由EMS反射式显示装置产生的光干涉。举例来说，一或多个匹配层可减少来自吸收器层的外来反射。此可增加可通过所反射光与所透射光之间的相消干涉损坏所要色彩的饱和度的色彩的吸收(且因此，减少反射)。因此，可实现特定原色或完整原色集(即，RGB色彩集)的色彩饱和度的增强。

当单个匹配层包含于吸收器层上时，可使所述匹配层的厚度变化以修改光的振幅及相位两者。此可减少来自EMS反射式显示装置的“损坏”色彩的反射(且因此，增加吸收)。在单个匹配层的情况中，所述匹配层的折射率可为约(n₁×n₂)^1/2，其中n₁为吸收器层的折射率且n₂为所述匹配层上面的入射介质(例如，玻璃或空气)的折射率。然而，使单个匹配层的厚度变化可不提供优化光的振幅及相位两者的充分自由度。

吸收器层上的两个或两个以上匹配层可提供用于修改光的振幅及相位的额外自由度。在一个以上匹配层的情况中，可在吸收器层上沉积高折射率匹配层及低折射率匹配层。在一些实施方案中，低折射率匹配层可与吸收器接触且高折射率匹配层可与入射介质(例如，玻璃或空气)接触。

图9及10展示EMS反射式显示装置的一部分的横截面示意图的实例。首先转向图9，EMS反射式显示装置900包含反射层902及吸收器层906，其中反射层902及吸收器层906界定腔或间隙904。第一匹配层908安置于吸收器层906的背对所述腔的表面上。第二匹配层910安置于第一匹配层908上。

EMS反射式显示装置900的吸收器层906可由部分吸收且部分反射的多种材料形成，例如各种金属，包含铬(Cr)、钨(W)、镍(Ni)、钒(V)及钼-铬(MoCr)合金。在一些实施方案中，吸收器层906可小于约20nm厚。在一些其它实施方案中，吸收器层906可比约20nm厚。在一些实施方案中，吸收器层可包含染料或嵌入于主体基质中的纳米粒子。

在一些其它实施方案中，吸收器层906可包含借助电介质间隔件分离的部分吸收且部分反射的两种材料。此吸收器层的厚度可为与包含部分吸收且部分反射的单个材料层的吸收器层约相同的厚度。可调整此吸收器层(例如，吸收器层的材料及材料的厚度)以对EMS反射式显示装置的反射特性做出小的改变。

在EMS反射式显示装置900的一些实施方案中，第一匹配层908可包含低折射率材料且第二匹配层910可包含高折射率材料。也就是说，在一些实施方案中，第二匹配层910的材料可具有大于第一匹配层908的材料的折射率的折射率。材料的折射率是对所述材料中的光速的度量。低折射率材料的实例包含氧化硅(SiO₂)、氟化镁(MgF₂)、氧化铝(Al₂O₃)、其它电介质材料及不同塑料。低折射率塑料的实例包含各种聚合物材料，包含如丙烯酸酯。高折射率材料的实例包含氧化钛(TiO₂)、氧氮化硅(SiON)、氮化硅(Si₃N₄)、二氧化锆(ZrO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化锑(Sb₂O₃)及其它电介质材料。

匹配层中的每一者具有一厚度。可规定所述匹配层的厚度使得修改从吸收器层906反射的光的振幅及相位以及透射穿过吸收器层906的光的振幅及相位以更改或改进EMS反射式显示装置900的RGB色彩饱和度。在一些实施方案中，第一匹配层908及第二匹配层910的光学厚度可为第一匹配层中的所关注波长的约四分之一以减少来自吸收器层的菲涅耳反射。在一些实施方案中，可规定第一匹配层908及第二匹配层910的厚度以通过相消干涉抑制乱真波长(即，并非所关注的或在可见光谱的优选范围之外的波长)。在一些实施方案中，可规定第一匹配层908及第二匹配层910的厚度以通过相长干涉增加所关注波长。因此，匹配层的厚度部分地取决于所述匹配层的折射率。对于可见光，在一些实施方案中，第一匹配层908及第二匹配层910的厚度中的每一者可为约4nm到120nm或约120nm到170nm。

第一匹配层908及第二匹配层910的厚度还可取决于吸收器层906的色散性质及厚度以及匹配层908及910中的每一者的色散性质。此外，匹配层908及910中的每一者的厚度可取决于EMS装置的设计，包含反射层902及吸收器层906上的任何钝化层(如果存在)的厚度及色散性质。名义上，在考虑匹配层的折射率之后，匹配层的厚度可为所关注波长的约四分之一。

匹配层的这些厚度可减少来自吸收器层的菲涅耳反射。在一些其它实施方案中，匹配层的厚度可大于或小于匹配层中的所关注波长的四分之一。此可由于相消干涉可包含所有反射，且匹配层的这些厚度可减少特定波长带的乱真反射。可在考虑到匹配层的色散以及吸收器层本身的色散之后确定用于匹配层的适当厚度。

现转到图10，图10展示EMS反射式显示装置的一部分的横截面示意图的另一实例。EMS反射式显示装置1000包含反射层1002及吸收器层1006。反射层1002及吸收器层1006界定腔或间隙1004。第一匹配层1008安置于吸收器层1006的背对所述腔的表面上。第二匹配层1010安置于第一匹配层1008上。

所述EMS反射式显示装置进一步包含安置于吸收器层1006的面向所述腔的表面上的电介质层1012。在一些实施方案中，电介质层1012可为氧化铝(Al₂O₃)。在一些其它实施方案中，电介质层1012可为Ta₂O₅、氧化铪(HfO₂)或氮化铝(AlN)。在一些实施方案中，电介质层1012可小于约5nm厚、约9nm厚或约5nm到15nm厚。在一些实施方案中，电介质层1012可用于钝化吸收器层1006或有助于防止EMS反射式显示装置1000中的静摩擦。电介质层1012还可用于保护吸收器层1006免受用于从EMS反射式显示装置1000移除牺牲材料的蚀刻剂的影响及/或充当在EMS反射式显示装置的制造工艺期间的蚀刻停止件。

在一些实施方案中，包含电介质层1012、吸收器层1006、第一匹配层1008及第二匹配层1010的吸收器组合件可在衬底1014上。衬底1014可为透明衬底，例如，玻璃(例如，显示玻璃或硼硅玻璃)或塑料，且衬底1014可为柔性的或相对刚性且不易弯曲的。在一些实施方案中，玻璃衬底可为约400微米到1000微米厚，或约700微米厚。

在一些实施方案中，吸收器层1006可为可约7.5nm厚的钒(V)。关于此吸收器层1006，第一匹配层1008可为约27nm厚的SiO₂层。第二匹配层1010可为约22nm厚的Si₃N₄层。规定钒吸收器层与第一SiO₂匹配层1008及第二Si₃N₄匹配层1010的组合的这些厚度以改进EMS反射式显示装置1000的RGB色彩饱和度。吸收器层1006、第一匹配层1008及第二匹配层1010的此组合可(例如)通过当腔1004在用于反射红色光的位置中时减少乱真蓝色-绿色光来改进红色色彩饱和度。在一些其它实施方案中，其它材料可用于第一匹配层1008及第二匹配层1010。此类材料可包含上文所列的用于EMS反射式显示装置900中的匹配层的材料。当其它材料用于第一匹配层1008及第二匹配层1010时，可调整这些层的厚度以实现所要光学响应，因为所述匹配层的厚度取决于所述匹配层中的每一者的折射率。

在一些实施方案中，反射层1002可为Al。在一些实施方案中，反射层1002可包含反射层的表面上的电介质层。如图10中所展示，反射层1002包含安置于反射层1002的面向腔的表面上的第一电介质层1016。第二电介质层1018安置于第一电介质层1016的表面上。在一些实施方案中，第一电介质层1016可包含低折射率材料且第二电介质层1018可包含高折射率材料。举例来说，在一些实施方案中，第一电介质层1016可为具有约50nm到90nm或约72nm的厚度的SiON层。在一些实施方案中，第二电介质层1018可为具有约15nm到35nm或约24nm的厚度的TiO₂层。在一些其它实施方案中，第一电介质层1016可包含SiO₂、MgF₂或不同塑料且第二电介质层1018可包含Si₃N₄、Ta₂O₅、ZrO₂或其它电介质材料。电介质层1016及1018可用于减少用于实现良好白色色彩的不同波长的驻波一阶节点的空间分离。在一些实施方案中，电介质层1016及1018还可充当钝化层以有助于防止EMS反射式显示装置1000中的静摩擦。电介质层1016及1018也可用于保护反射层1002免受用于从EMS反射式显示装置1000移除牺牲材料的蚀刻剂的影响及/或充当在EMS反射式显示装置的制造工艺期间的蚀刻停止件。

在吸收器层上的匹配层的进一步实施方案中，可包含两个或两个以上匹配层。举例来说，在一些实施方案中，第一匹配层可安置于吸收器层的表面上，第二匹配层可安置于第一匹配层上，且第三匹配层可安置于第二匹配层上。第三匹配层可提供修改光的振幅及相位的进一步自由度。举例来说，在一些实施方案中，第三匹配层可包含本文中所描述的低折射率材料或高折射率材料中的任一者。在一些实施方案中，第三匹配层可为约5nm到50nm厚。当在吸收器层上包含三个匹配层时，可规定所述匹配层中的每一者的厚度使得修改从吸收器层反射的光的振幅及相位以及透射穿过吸收器层的光的振幅及相位以更改或改进其中并入有吸收器层的EMS反射式显示装置的RGB色彩饱和度。

在上文所描述的实施方案中，第一匹配层可包含安置于吸收器层的背对腔的表面上的低折射率材料且第二匹配层可包含安置于第一匹配层上的高折射率材料。在一些其它实施方案中，第一匹配层可包含安置于吸收器层的背对腔的表面上的高折射率材料且第二匹配层可包含安置于第一匹配层上的低折射率材料。举例来说，第一匹配层可包含高折射率材料，且当第一匹配层包含具有不均匀吸收性质的金属时，第二匹配层可包含安置于第一匹配层上的低折射率材料。

图11展示图解说明用于EMS反射式显示装置的匹配层的制造工艺的流程图的实例。图11中的制造工艺1100可为在EMS反射式显示装置的衬底上方形成光学堆叠的制造工艺的部分，如关于图7中的工艺80的框82所描述。

以框1102开始，在衬底上方形成第一匹配层。可使用包含PVD工艺、CVD工艺、液相沉积工艺及原子层沉积(ALD)工艺的沉积工艺来形成所述第一匹配层。在框1104处，在所述第一匹配层上形成第二匹配层。可使用可用于形成第一匹配层的包含PVD工艺、CVD工艺、液相沉积工艺及ALD工艺的类似沉积工艺来形成所述第二匹配层。在框1106处，在所述第二匹配层上形成吸收器层。所述吸收器层可为金属且可使用包含PVD工艺、CVD工艺、液相沉积工艺及ALD工艺的沉积工艺来形成。在其中第一匹配层或第二匹配层为塑料的实施方案中，可使用基于有机材料的薄膜技术来形成第一匹配层或第二匹配层。

用于EMS反射式显示装置的制造工艺可包含与衬底相关联的进一步操作，如上文参考图7所描述。在于框82处形成光学堆叠之后，用于EMS反射式显示装置的制造工艺可继续在框84处的操作，如上文参考图7所描述。

图12A及12B中展示吸收器层上包含匹配层的EMS反射式显示装置对吸收器层上不具有匹配层的EMS反射式显示装置的性能的改进的实例。EMS反射式显示装置包含在玻璃衬底上的具有约7.5nm的厚度的V吸收器层。对于包含匹配层的显示装置，具有约27nm厚的厚度的第一SiO₂匹配层在V吸收器层上且具有约22nm的厚度的第二Si₃N₄匹配层在SiO₂匹配层上，其中Si₃N₄匹配层也在玻璃衬底上。可使用适当厚度的其它吸收器层及其它匹配层来获得类似结果。

图12A及12B展示针对由EMS反射式显示装置产生的调色板的国际照明委员会(CIE)xy色度图。图12A展示由不包含匹配层的EMS反射式显示装置产生的调色板1201。图12B展示由包含匹配层的EMS反射式显示装置产生的调色板1202。在CIE xy色度图中的每一者上还展示CIE 1931色彩空间的边界1210及标准RGB(sRGB)色彩空间的边界1220(即，由sRGB原色形成的三角形)。CIE 1931色彩空间为数学上定义的色彩空间。sRBG色彩空间为常与计算应用(包含监视器、打印机、电子阅读器、平板装置、智能电话及因特网应用)一起使用的色彩空间。对于sRGB色彩空间，点1232对应于红色色彩，点1234对应于蓝色色彩且点1236对应于绿色色彩。延伸到CIE 1931色彩空间的边界1210的边缘的调色板将具有最饱和色彩。

比较图12A及12B，图12A中所展示的调色板1201(不具有匹配层的EMS反射式显示装置)不延伸到sRBG色彩空间的红色色彩1232，而图12B中所展示的调色板1202(具有匹配层的EMS反射式显示装置)延伸到sRBG色彩空间的红色色彩1232。此外，与图12A中所展示的调色板1201相比，图12B中所展示的调色板1202延伸到更靠近蓝色色彩1234且超过绿色色彩1236。因此，对于包含匹配层的EMS反射式显示装置，图12B中所展示的调色板1202具有RGB色彩饱和度的改进，其中具有蓝色及绿色色彩饱和度的稍微改进以及红色色彩饱和度的大的改进。

图13展示由关于图12A及12B所论述的两个EMS反射式显示装置(即，一个不包含匹配层(12A)且一个包含匹配层(12B))产生的红色色彩的光谱的曲线图。实线为反射光谱且虚线为吸收光谱。灰色线为不具有匹配层的EMS反射式显示装置的反射及吸收光谱。黑色线为具有匹配层的EMS反射式显示装置的反射及吸收光谱。比较EMS反射式显示装置在约400nm到550nm的波长下的反射光谱，与不具有匹配层的EMS反射式显示装置的反射光谱相比，具有匹配层的EMS反射式显示装置的反射光谱减少。约400nm到500nm的波长范围包含色彩紫色(约400nm到450nm)及蓝色(约450nm到490nm)。图12B对图12A中所展示的红色色彩饱和度的改进是抑制在约400nm到550nm的波长下的反射的结果。

对于光学装置，光波长的反射、透射及吸收将通常考虑到所述光波长与所述装置的所有相互作用。因此，光波长的反射、透射及吸收的和将通常等于1，即，所述光波长的反射、透射及吸收将考虑到所述光波长与所述装置的所有或100％相互作用。因此，比较EMS反射式显示装置在约400nm到550nm的波长范围下的吸收光谱，与不具有匹配层的EMS反射式显示装置的吸收光谱相比，具有匹配层的EMS反射式显示装置的吸收光谱增加(例如，当光波长的透射保持约相同时，减少反射将增加所述光波长的吸收)。约400nm到500nm的波长范围包含色彩紫色(约400nm到450nm)及蓝色(约450nm到490nm)。图12B对图12A中所展示的红色色彩饱和度的改进也为增加在约400nm到550nm的波长下的吸收的结果。

关于可见光谱(即，从约390nm到约750nm的波长范围)描述了本文中所描述的IMOD及其它EMS反射式显示装置的实施方案。举例来说，安置于吸收器层上的匹配层也可经修整以供在IMOD及与不同波长的电磁辐射(例如，红外光或紫外光)一起作用的其它EMS反射式显示装置中使用。

图14A及14B展示图解说明包含多个干涉式调制器的显示装置40的系统框图的实例。举例来说，显示装置40可为智能电话、蜂窝式或移动电话。然而，显示装置40的相同组件或其轻微变化形式也为对各种类型的显示装置的说明，例如，电视、平板计算机、电子阅读器、手持式装置及便携式媒体播放器。

显示装置40包含外壳41、显示器30、天线43、扬声器45、输入装置48及麦克风46。外壳41可由多种制造工艺中的任一者形成，包含注射模制及真空形成。另外，外壳41可由多种材料中的任一者制成，包含(但不限于)：塑料、金属、玻璃、橡胶及陶瓷或其组合。外壳41可包含可装卸部分(未展示)，其可与其它不同色彩或含有不同标识、图片或符号的可装卸部分互换。

显示器30可为多种显示器中的任一者，包含本文中所描述的双稳态或模拟显示器。显示器30还可经配置以包含平板显示器(例如等离子显示器、EL、OLED、STN LCD或TFTLCD)或非平板显示器(例如CRT或其它管式装置)。另外，显示器30可包含干涉式调制器显示器，如本文中所描述。

在图14B中示意性地图解说明显示装置40的组件。显示装置40包含外壳41，且可包含至少部分地包封于其中的额外组件。举例来说，显示装置40包含网络接口27，网络接口27包含耦合到收发器47的天线43。收发器47连接到处理器21，处理器21连接到调节硬件52。调节硬件52可经配置以对信号进行调节(例如，对信号进行滤波)。调节硬件52连接到扬声器45及麦克风46。处理器21还连接到输入装置48及驱动器控制器29。驱动器控制器29耦合到帧缓冲器28且耦合到阵列驱动器22，阵列驱动器22又耦合到显示阵列30。在一些实施方案中，电力供应器50可向特定显示装置40设计中的实质上所有组件提供电力。

网络接口27包含天线43及收发器47，使得显示装置40可经由网络与一或多个装置通信。网络接口27还可具有一些处理能力以减轻(举例来说)处理器21的数据处理要求。天线43可发射及接收信号。在一些实施方案中，天线43根据包含IEEE 16.11(a)、(b)或(g)的IEEE 16.11标准或包含IEEE 802.11a、b、g、n的IEEE 802.11标准及其进一步实施方案发射及接收RF信号。在一些其它实施方案中，天线43根据蓝牙标准发射及接收RF信号。在蜂窝式电话的情况中，天线43经设计以接收码分多址(CDMA)、频分多址(FDMA)、时分多址(TDMA)、全球移动通信系统(GSM)、GSM/通用包无线电服务(GPRS)、增强型数据GSM环境(EDGE)、地面中继无线电(TETRA)、宽带CDMA(W-CDMA)、演进数据优化(EV-DO)、1×EV-DO、EV-DO修订版A、EV-DO修订版B、高速包接入(HSPA)、高速下行链路包接入(HSDPA)、高速上行链路包接入(HSUPA)、演进高速包接入(HSPA+)、长期演进(LTE)、AMPS或用于在无线网络内(例如利用3G或4G技术的系统)通信的其它已知信号。收发器47可预处理从天线43接收的信号使得其可由处理器21接收及进一步操纵。收发器47还可处理从处理器21接收的信号使得其可经由天线43从显示装置40发射。

在一些实施方案中，可由接收器来替换收发器47。另外，在一些实施方案中，可由图像源来替换网络接口27，所述图像源可存储或产生待发送到处理器21的图像数据。处理器21可控制显示装置40的总体操作。处理器21从网络接口27或图像源接收数据(例如经压缩图像数据)，且将所述数据处理成原始图像数据或处理成容易被处理成原始图像数据的格式。处理器21可将经处理数据发送到驱动器控制器29或发送到帧缓冲器28以供存储。原始数据通常指代识别图像内的每一位置处的图像特性的信息。举例来说，此些图像特性可包含色彩、饱和度及灰度级。

处理器21可包含用以控制显示装置40的操作的微控制器、CPU或逻辑单元。调节硬件52可包含用于向扬声器45发射信号及从麦克风46接收信号的放大器及滤波器。调节硬件52可为显示装置40内的离散组件，或可并入于处理器21或其它组件内。

驱动器控制器29可直接从处理器21或从帧缓冲器28取得由处理器21产生的原始图像数据，且可适当地将原始图像数据重新格式化以供高速发射到阵列驱动器22。在一些实施方案中，驱动器控制器29可将原始图像数据重新格式化成具有光栅状格式的数据流，使得其具有适合于跨越显示阵列30进行扫描的时间次序。接着，驱动器控制器29将经格式化的信息发送到阵列驱动器22。虽然驱动器控制器29(例如LCD控制器)通常作为独立的集成电路(IC)与系统处理器21相关联，但可以许多方式实施此些控制器。举例来说，可将控制器作为硬件嵌入于处理器21中、作为软件嵌入于处理器21中或与阵列驱动器22完全集成在硬件中。

阵列驱动器22可从驱动器控制器29接收经格式化的信息且可将视频数据重新格式化成一组平行波形，所述组平行波形每秒许多次地施加到来自显示器的x-y像素矩阵的数百条且有时数千条(或更多)引线。

在一些实施方案中，驱动器控制器29、阵列驱动器22及显示阵列30适于本文中所描述的显示器类型中的任一者。举例来说，驱动器控制器29可为常规显示器控制器或双稳态显示器控制器(例如，IMOD控制器)。另外，阵列驱动器22可为常规驱动器或双稳态显示器驱动器(例如，IMOD显示器驱动器)。此外，显示阵列30可为常规显示阵列或双稳态显示阵列(例如，包含IMOD阵列的显示器)。在一些实施方案中，驱动器控制器29可与阵列驱动器22集成在一起。此实施方案在高度集成系统(举例来说，移动电话、便携式电子装置、手表或小面积显示器)中可为有用的。

在一些实施方案中，输入装置48可经配置以允许(举例来说)用户控制显示装置40的操作。输入装置48可包含小键盘(例如QWERTY键盘或电话小键盘)、按钮、开关、摇杆、触敏屏、与显示阵列30集成的触敏屏或者压敏或热敏膜。麦克风46可配置为显示装置40的输入装置。在一些实施方案中，可使用通过麦克风46所做的话音命令来控制显示装置40的操作。

电力供应器50可包含多种能量存储装置。举例来说，电力供应器50可为可再充电电池，例如镍-镉电池或锂离子电池。在使用可再充电电池的实施方案中，可再充电电池可使用来自(举例来说)壁式插座或光伏装置或阵列的电力充电。或者，可再充电电池可以无线方式充电。电力供应器50还可为可再生能源、电容器或太阳能电池，包含塑料太阳能电池或太阳能电池涂料。电力供应器50还可经配置以从壁式插口接收电力。

在一些实施方案中，控制可编程性驻存于驱动器控制器29中，驱动器控制器29可位于电子显示系统中的数个位置中。在一些其它实施方案中，控制可编程性驻存于阵列驱动器22中。上文所描述的优化可以任何数目个硬件及/或软件组件且以各种配置实施。

可将结合本文中所揭示的实施方案描述的各种说明性逻辑、逻辑块、模块、电路及算法步骤实施为电子硬件、计算机软件或两者的组合。已就功能性大体描述且在上文所描述的各种说明性组件、框、模块、电路及步骤中图解说明了硬件与软件的可互换性。此功能性是以硬件还是软件实施取决于特定应用及对总体系统强加的设计约束。

可借助通用单芯片或多芯片处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或经设计以执行本文中所描述的功能的其任一组合来实施或执行用于实施结合本文中所揭示的方面所描述的各种说明性逻辑、逻辑块、模块及电路的硬件及数据处理设备。通用处理器可为微处理器或任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。还可将处理器实施为计算装置的组合，例如DSP与微处理器的组合、多个微处理器、一或多个微处理器与DSP核心的联合或任何其它此种配置。在一些实施方案中，可通过给定功能特有的电路来执行特定步骤及方法。

在一或多个方面中，可以硬件、数字电子电路、计算机软件、固件(包含本说明书中所揭示的结构及其结构等效物)或以其任一组合来实施所描述的功能。本说明书中所描述的标的物的实施方案还可实施为编码于计算机存储媒体上以用于由数据处理设备执行或控制数据处理设备的操作的一或多个计算机程序，即，一或多个计算机程序指令模块。

所属领域的技术人员可容易明了对本发明中所描述的实施方案的各种修改，且本文中所定义的类属原理可应用于其它实施方案，此并不背离本发明的精神或范围。因此，权利要求书并非打算限制于本文中所展示的实施方案，而是被赋予与本发明、本文中所揭示的原理及新颖特征相一致的最宽广范围。词语“示范性”在本文中专用于意指“用作实例、例子或图解说明”。在本文中描述为“示范性”的任何实施方案未必解释为比其它可能性或实施方案优选或有利。另外，所属领域的技术人员将容易了解，术语“上部”及“下部”有时为了便于描述各图而使用，且指示对应于图在经恰当定向的页面上的定向的相对位置，且可能不反映如所实施的IMOD的恰当定向。

还可将在本说明书中在单独实施方案的背景中描述的某些特征以组合形式实施于单个实施方案中。相反地，还可将在单个实施方案的背景中描述的各种特征单独地或以任一适合子组合的形式实施于多个实施方案中。此外，虽然上文可将特征描述为以某些组合的形式起作用且甚至最初如此主张，但在一些情况中，可从所主张的组合去除来自所述组合的一或多个特征，且所主张的组合可针对子组合或子组合的变化形式。

类似地，尽管在图式中以特定次序描绘操作，但所属领域的技术人员将容易认识到，为实现所要结果，无需以所展示的特定次序或以循序次序执行此些操作或无需执行所有所图解说明的操作。此外，所述图式可以流程图的形式示意性地描绘一个以上实例性工艺。然而，可将其它并未描绘的操作并入于示意性地图解说明的实例性工艺中。举例来说，可在所图解说明的操作中的任一者之前、之后、同时或之间执行一或多个额外操作。在某些情况中，多任务化及并行处理可为有利的。此外，不应将上文所描述的实施方案中的各种系统组件的分离理解为在所有实施方案中均需要此分离，且应理解，一般来说，可将所描述的程序组件及系统一起集成于单个软件产品中或封装成多个软件产品。另外，其它实施方案在以上权利要求书的范围内。在一些情况中，可以不同次序执行权利要求书中所叙述的动作且其仍实现所要的结果。

Claims

1.一种反射式显示设备，其包括：

反射层；

吸收器层，其与所述反射层间隔开以在所述吸收器层与所述反射层之间界定腔，其中所述吸收器层能够将光透射到所述腔中、吸收光及反射光，所述吸收器层包含金属层；

堆叠，其安置于所述反射层的面向所述腔的表面上，所述堆叠包含第一电介质层和第二电介质层，所述第一电介质层包含低折射率材料且所述第二电介质层包含高折射率材料；及

多个匹配层，其在所述吸收器层的背对所述腔的表面上，所述多个匹配层包含安置于所述吸收器层上的第一匹配层及安置于所述第一匹配层上的第二匹配层。

2.根据权利要求1所述的反射式显示设备，所述第一匹配层具有第一厚度，所述第二匹配层具有第二厚度，所述第一厚度及所述第二厚度经配置以修改所反射光及所透射光的振幅及相位中的至少一者以更改所述设备的红色-绿色-蓝色色彩饱和度。

3.根据权利要求1所述的反射式显示设备，其中所述第一匹配层包含具有第一折射率的第一材料，其中所述第二匹配层包含具有第二折射率的第二材料，且其中所述第二折射率大于所述第一折射率。

4.根据权利要求1所述的反射式显示设备，其中所述金属层包含钒、铬、钨、镍或钼-铬合金中的至少一者。

5.根据权利要求1所述的反射式显示设备，其中所述第一匹配层包含二氧化硅、氟化镁、氧化铝或塑料中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的反射式显示设备，其中所述第二匹配层包含氮化硅、氧氮化硅、二氧化钛、二氧化锆、氧化钽或氧化锑中的至少一者。

7.根据权利要求1所述的反射式显示设备，其中所述反射层经配置成可移动的，以使所述腔的厚度变化。

8.根据权利要求1所述的反射式显示设备，其中所述多个匹配层进一步包含安置于所述第二匹配层上的第三匹配层。

9.根据权利要求1所述的反射式显示设备，其进一步包含安置于所述吸收器层的面向所述腔的表面上的电介质层。

10.根据权利要求1所述的反射式显示设备，其进一步包括：

显示器；

处理器，其经配置以与所述显示器通信，所述处理器经配置以处理图像数据；及

存储器装置，其经配置以与所述处理器通信。

11.根据权利要求10所述的反射式显示设备，其进一步包括：

驱动器电路，其经配置以将至少一个信号发送到所述显示器；及

控制器，其经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路。

12.根据权利要求10所述的反射式显示设备，其进一步包括：

图像源模块，其经配置以将所述图像数据发送到所述处理器，其中所述图像源模块包含接收器、收发器及发射器中的至少一者。

13.根据权利要求10所述的反射式显示设备，其进一步包括：

输入装置，其经配置以接收输入数据并将所述输入数据传递到所述处理器。

14.一种反射式显示设备，其包括：

反射层；

堆叠，其安置于所述反射层的面向所述腔的表面上，所述堆叠包含第一电介质层和第二电介质层，所述第一电介质层包含低折射率材料且所述第二电介质层包含高折射率材料；

第一匹配层，其具有第一折射率，其安置于所述吸收器层上；及

第二匹配层，其具有第二折射率，其安置于所述第一匹配层上，所述第二折射率大于所述第一折射率。

15.根据权利要求14所述的反射式显示设备，所述第一匹配层具有第一厚度，所述第二匹配层具有第二厚度，所述第一厚度及所述第二厚度经配置以修改所反射光及所透射光的振幅及相位中的至少一者以更改所述设备的红色-绿色-蓝色色彩饱和度。

16.根据权利要求14所述的反射式显示设备，其中所述金属层包含钒、铬、钨、镍或钼-铬合金中的至少一者。

17.根据权利要求14所述的反射式显示设备，其中所述反射层经配置成可移动的，以使所述腔的厚度变化。

18.一种反射式显示设备，其包括：

反射层；

吸收器层，其与所述反射层间隔开以在所述吸收器层与所述反射层之间界定腔，其中所述吸收器层能够将光透射到所述腔中、吸收光及反射光，所述吸收器层包含金属层，其中所述反射层经配置成可移动的，以使所述腔的厚度变化；

19.根据权利要求18所述的反射式显示设备，所述第一匹配层具有第一厚度，所述第二匹配层具有第二厚度，所述第一厚度及所述第二厚度经配置以修改所反射光及所透射光的振幅及相位中的至少一者以更改所述设备的红色-绿色-蓝色色彩饱和度。

20.根据权利要求18所述的反射式显示设备，其中所述金属层包含钒、铬、钨、镍或钼-铬合金中的至少一者。

21.根据权利要求18所述的反射式显示设备，其中所述第一匹配层包含二氧化硅、氟化镁、氧化铝或塑料中的至少一者。

22.根据权利要求18所述的反射式显示设备，其中所述第二匹配层包含氮化硅、氧氮化硅、二氧化钛、二氧化锆、氧化钽或氧化锑中的至少一者。

23.一种反射式显示设备，其包括：

反射层；

堆叠，其接近于所述反射层，所述堆叠包含用于减少不同波长的光的驻波一阶节点的空间分离的装置；

用于修改所反射光及所透射光的振幅及相位中的至少一者以更改所述设备的红色-绿色-蓝色色彩饱和度的装置。

24.根据权利要求23所述的反射式显示设备，其中所述修改装置包含在所述吸收器层的背对所述腔的表面上的多个匹配层，所述多个匹配层包含安置于所述吸收器层上的第一匹配层及安置于所述第一匹配层上的第二匹配层。

25.根据权利要求23所述的反射式显示设备，其中所述堆叠包含第一电介质层和第二电介质层，所述第一电介质层包含低折射率材料且所述第二电介质层包含高折射率材料。