CN103502873A

CN103502873A - 机械层及其制造方法

Info

Publication number: CN103502873A
Application number: CN201280020381.9A
Authority: CN
Inventors: 陶诣; 李镐瑨; 钟帆
Original assignee: Qualcomm MEMS Technologies Inc
Current assignee: Qualcomm MEMS Technologies Inc
Priority date: 2011-04-25
Filing date: 2012-04-19
Publication date: 2014-01-08
Also published as: WO2012148777A1; JP2014519050A; US8659816B2; KR20140027324A; US20120268430A1; TW201248292A

Abstract

本发明提供机械层及其形成方法。在一个方面中，形成像素的方法包含：在衬底上沉积黑色掩模；在所述黑色掩模上方沉积光学堆叠；及在所述光学堆叠上方形成机械层。所述黑色掩模沿着所述像素的一侧的至少一部分而安置，且所述机械层界定所述机械层与所述光学堆叠之间的腔。所述机械层包含反射层、电介质层及帽盖层，且所述电介质层安置于所述反射层与所述帽盖层之间。所述方法进一步包含沿着所述像素的所述侧在所述机械层的所述电介质层中形成凹口，以便减少所述电介质层与所述黑色掩模沿着所述像素的所述侧的重叠。

Description

机械层及其制造方法

技术领域

本发明涉及机电系统。

背景技术

机电系统包含具有电元件及机械元件、致动器、转换器、传感器、光学组件(例如，镜子)及电子器件的装置。机电系统可以多种尺度制造，包含但不限于微尺度及纳米尺度。例如，微机电系统(MEMS)装置可包含具有从约一微米到几百微米或更大变化的大小的结构。纳米机电系统(NEMS)装置可包含具有小于一微米的大小的结构，包含例如小于几百纳米的大小。机电元件可使用将衬底及/或沉积的材料层的部分蚀除或添加层以形成电及机电装置的沉积、蚀刻、微影及/或其它微加工过程而建立。

一种类型的机电系统装置称为干涉测量调制器(IMOD)。如本文中所使用，术语干涉测量调制器或干涉测量光调制器指代使用光学干涉原理选择性地吸收及/或反射光的装置。在一些实施方案中，干涉测量调制器可包含一对导电板，所述对导电板的一者或两者可为完全或部分透明及/或具反射性，且在施加适当电信号之后可相对运动。在实施方案中，一块板可包含沉积于衬底上的固定层，且另一板可包含通过空气间隙与所述固定层分离的反射膜。一块板相对于另一块板的位置可改变入射于所述干涉测量调制器上的光的光学干涉。干涉测量调制器装置具有广泛应用范围，且预期用于改善现存产品及创造新产品，尤其是具有显示能力的产品。

在干涉测量装置的制造期间，可使用牺牲层以确定反射膜与固定层之间的间隙高度。然而，在移除牺牲层之后，残余机械应力可导致所述反射膜弯曲或扭曲。残余机械应力可来自多种源，例如源自下伏于反射膜的结构的拓扑变动的反射膜中的边缘。需要具有改善镜面平坦度的干涉测量装置。此外，需要具有改善暗状态及/或改善切换速度的干涉测量装置。

发明内容

本发明的系统、方法及装置各自具有若干创新方面，仅仅其中的单一者无法造就本文中揭示的期望属性。

本发明中揭示的标的物的一个创新方面可在设备中实施，所述设备包含衬底及以阵列配置于所述衬底上的多个像素。每一像素包含沿着每一像素的一侧的至少一部分而安置于衬底上的黑色掩模、安置于所述衬底上方及所述黑色掩模的至少一部分上方的光学堆叠及安置于所述光学堆叠上方的机械层。所述机械层包含反射层、帽盖层及安置于所述反射层与所述帽盖层之间的电介质层。每一像素进一步包含在所述机械层与所述光学堆叠之间的腔，且所述机械层可透过所述腔而在致动位置与松弛位置之间移动。所述机械层包含电介质层中沿着每一像素的侧的凹口，且所述凹口减少电介质层与黑色掩模沿着像素的侧的重叠。

在一些实施方案中，所述反射层及所述帽盖层延伸超过所述电介质层的一部分，且在所述凹口的至少一部分中彼此电接触。

在一些实施方案中，所述机械层中的凹口沿着每一像素的侧延伸穿过所述反射层、所述电介质层及所述帽盖层的每一者。

在一些实施方案中，所述凹口具有沿着像素的侧延伸在约2μm与约30μm之间的长度尺寸。在一些实施方案中，所述凹口具有从机械层的边缘延伸到所述机械层中的约0.5μm与约5μm之间的宽度尺寸。

本发明中揭示的标的物的另一创新方面可以形成具有多个像素的机电装置的方法实施。所述方法包含在衬底上沉积黑色掩模，所述黑色掩模沿着每一像素的一侧的至少一部分而安置。所述方法进一步包含在所述衬底上方及所述黑色掩模的至少一部分上方沉积光学堆叠，且在所述光学堆叠上方形成机械层。形成所述机械层包含提供反射层、在所述反射层上方的电介质层及在支撑层上方的帽盖层。所述方法进一步包含在所述机械层与所述光学堆叠之间形成腔，所述机械层可透过所述腔而在致动位置与松弛位置之间移动。所述方法进一步包含沿着每一像素的侧在所述机械层的电介质层中形成凹口，所述凹口减少电介质层与黑色掩模沿着所述像素的侧的重叠。

在一些实施方案中，所述方法进一步包含沿着每一像素的侧而在所述机械层的帽盖层及反射层中形成凹口。

在一些实施方案中，所述反射层及所述帽盖层经形成以延伸超过所述电介质层的一部分，且在所述凹口的至少一部分中彼此电接触。

本发明中揭示的标的物的另一创新方面可在包含衬底及以阵列配置于所述衬底上的多个像素的设备中实施。每一像素包含用于吸收衬底上的光的装置，所述光吸收装置包含沿着每一像素的侧而安置的一部分。每一像素进一步包含安置于所述衬底上方及所述光吸收装置的至少一部分上方的光学堆叠及安置于所述光学堆叠上方的机械层。所述机械层包含反射层、电介质层及帽盖层，且所述电介质层安置在所述反射层与所述帽盖层之间。每一像素进一步包含在所述机械层与所述光学堆叠之间的腔。所述机械层可透过所述腔而在致动位置与松弛位置之间移动。所述机械层进一步包含用于减少沿着每一像素的侧的重叠的装置，所述重叠减少装置减少所述电介质层与所述光吸收装置沿着所述像素的侧的重叠。

在一些实施方案中，所述重叠减少装置进一步经配置以减少反射层及帽盖层与所述光吸收装置的重叠。

在一些实施方案中，所述反射层及所述帽盖层延伸超过所述电介质层且在所述重叠减少装置的至少一部分中彼此电接触。

本说明书中描述的标的物的一个或一个以上实施方案的细节在随附图式及下文的描述中阐明。其它特征、方面及优点将从描述、图式及权利要求书而变得显而易见。请注意，以下图的相对尺寸可能不按比例绘制。

附图说明

图1展示描绘干涉测量调制器(IMOD)显示装置的一系列像素中的两个邻近像素的等距视图的实例。

图2展示说明并入3x3干涉测量调制器显示器的电子装置的系统框图的实例。

图3展示说明图1的干涉测量调制器的可移动反射层位置相对于所施加电压的图的一实例。

图4展示说明当施加多种共同及分段电压时干涉测量调制器的多种状态的表的实例。

图5A展示说明在图2的3x3干涉测量调制器显示器中的显示数据的帧的图的实例。

图5B展示可用于写入图5A中说明的显示数据的帧的共同及分段信号的时序图的实例。

图6A展示图1的干涉测量调制器显示器的一部分截面图的实例。

图6B到图6E展示干涉测量调制器的变化实施方案的截面图的实例。

图7展示说明干涉测量调制器的制造过程的流程图的实例。

图8A到图8E展示在制造干涉测量调制器的方法中的多种阶段的截面示意图的实例。

图9展示说明干涉测量调制器的制造过程的流程图的实例。

图10展示干涉测量调制器阵列的平面图示意图的实例。

图11A到图11H展示在制造图10的干涉测量调制器阵列的方法中的多种阶段沿着线111-111获取的截面示意图的实例。

图12A到图12C展示图10的干涉测量调制器阵列的变化实施方案沿着线112-112获取的截面的实例。

图13A为图10的干涉测量调制器阵列的机械层沿着线113-113获取的实例截面图。

图13B为说明于图13A中的机械层的截面的实例电阻器-电容器(RC)电路模型的电路图。

图14展示干涉测量调制器阵列的平面图示意图的实例。

图15A及图15B展示说明包含多个干涉测量调制器的显示装置的系统框图的实例。

多种图式中的相同参考数字及名称指示相同元件，所述元件根据某些实施方案可具有某些结构或特性差异。

具体实施方式

下文详细描述出于描述创新方面的目的而主要探讨某些实施方案。然而，本文中的教示可以多种不同方式应用。所描述的实施方案可在经配置以显示无论运动(例如，视频)或固定(例如，静态图像)且无论文字、图形或图片的图像的任何装置中实施。更特定来说，预期所述实施方案可在多种电子装置中实施或与多种电子装置关联，例如但不限于移动电话、启用多媒体因特网的蜂窝式电话、移动电视接收器、无线装置、智能电话、蓝牙装置、个人数据助理(PDA)、无线电子邮件接收器、手持或便携式计算机、上网本、笔记本电脑、智能型笔记本电脑、打印机、复印机、扫描仪、传真机、GPS接收器/导航器、相机、MP3播放器、摄录像机、游戏机、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、电子书阅读装置(例如，电子阅读器)、计算机监视器、自动显示器(例如，里程仪显示器等等)、驾驶舱控制装置及/或显示器、摄影机取景显示器(例如，汽车后视摄影机显示器)、电子照片、电子广告牌或招牌、投影机、建筑结构、微波、电冰箱、立体音响系统、卡带录音机或放音机、DVD播放器、CD播放器、VCR、收音机、便携式存储器芯片、洗衣机、干衣机、洗衣/干衣机、停车定时器、封装(例如，MEMS及非MEMS)、美学结构(例如，一件珠宝上的图像显示)及多种机电系统装置。本文中的教示也可用于非显示应用中，例如但不限于电子切换装置、射频滤波器、传感器、加速度计、陀螺仪、运动传感装置、磁力计、消费电子器件的惯性组件、消费电子产品的零件、可变电抗器、液晶装置、电泳装置、驱动方案、制造过程、电子测试设备。因此，所述教示并不意欲限制于单纯在图中描绘的实施方案，而是具有广泛适用性，如对于所属领域的一般技术人员将容易地显而易见。

揭示包含形成于衬底上的像素阵列且具有黑色掩模结构及机械层的显示装置。所述黑色掩模结构可沿着所述阵列中的像素的侧而安置，以帮助遮蔽机电装置的光学非活性部分。非活性部分可包含例如支撑所述机械层的结构、信号总线及并非经设计以反射光以在像素阵列上显示信息的其它结构。所述机械层可安置于形成于所述衬底上的像素阵列的部分上方，且可包含镜面层、帽盖层及定位于镜面层与帽盖层之间的电介质层。所述电介质层可包含沿着所述阵列中的像素的至少一部分的一个或一个以上侧的凹口，借此减少所述黑色掩模结构及所述电介质层沿着像素侧的重叠且改善所述镜面层的平坦度。在一些实施方案中，帽盖层及镜面层保留于所述凹口中并延伸超过所述电介质层且沿着像素侧彼此接触(例如，其经电连接)。电连接所述凹口中的镜面层及帽盖层可减小所述机械层的电阻，借此增加可致动所述机械层的最大频率且提高显示帧速率。

本发明中描述的标的物的特定实施方案可经实施以在移除牺牲层之后改善镜面层的平坦度。此外，一些实施方案可增加可在致动位置与松弛位置之间切换机械层的速率，及/或改善所述机械层从所述致动位置的释放。此外，根据许多实施方案，可改善显示器的光学性质，例如暗状态、对比度、色域及/或色彩饱和度。

可应用所描述的实施方案的适宜MEMS装置的实例为反射性显示装置。反射性显示装置可并入干涉测量调制器(IMOD)以使用光学干涉原理而选择性地吸收及/或反射入射于其上的光。IMOD可包含吸收器、可相对于所述吸收器移动的反射器及界定于所述吸收器与所述反射器之间的光学谐振腔。所述反射器可移动到两个或两个以上不同位置，这可改变所述光学谐振腔的大小且借此影响所述干涉测量调制器的反射比。IMOD的反射比光谱可建立相当宽的光谱带，其可跨可见波长而移位以产生不同色彩。光谱带的位置可通过改变所述光学谐振腔的厚度(即，通过改变所述反射器的位置)而调整。

图1展示描绘在干涉测量调制器(IMOD)显示装置的一系列像素中的两个邻近像素的等距视图的实例。所述IMOD显示装置包含一个或一个以上干涉测量MEMS显示元件。在这些装置中，所述MEMS显示元件的像素可处在亮状态或暗状态中。在亮(“松弛”、“打开”或“开启”)状态中，显示元件将大部分入射可见光反射到(例如)用户。相反，在暗(“致动”、“闭合”或“关闭”)状态中，所述显示元件反射较少入射可见光。在一些实施方案中，可颠倒开启及关闭状态的光反射比性质。MEMS像素可经配置而主要以特定波长反射，从而允许除黑色及白色之外的色彩显示。

IMOD显示装置可包含IMOD的行/列阵列。每一IMOD可包含一对反射层(即，可移动反射层及固定部分反射层)，所述反射层定位成彼此相距一可变及可控制距离以形成空气间隙(也称为光学间隙或腔)。所述可移动反射层可在至少两个位置之间移动。在第一位置(即，松弛位置)中，所述可移动反射层可定位在距所述固定部分反射层一相对较大距离处。在第二位置(即，致动位置)中，所述可移动反射层可定位成更接近所述部分反射层。从所述两个层反射的入射光可取决于所述可移动反射层的位置而相长干涉或相消干涉，从而针对每一像素产生总体反射或非反射状态。在一些实施方案中，所述IMOD在未致动时可处于反射状态，反射可见光谱内的光，且在未经致动时可处于暗状态，反射可见范围之外的光(例如，红外光)。然而，在一些其它实施方案中，IMOD在未致动时可处于暗状态，且在致动时处于反射状态。在一些实施方案中，引入施加电压可驱动像素改变状态。在一些其它实施方案中，施加的电荷可驱动像素改变状态。

图1中的像素阵列的所描绘部分包含两个邻近干涉测量调制器12。在左边的IMOD12中(如所说明)，可移动反射层14说明为处在距光学堆叠16预定距离的松弛位置中，所述光学堆叠16包含部分反射层。跨在左边的IMOD12施加的电压V₀不足以引起可移动反射层14的致动。在右边的IMOD12中，所述可移动反射层14说明为处在接近或邻近所述光学堆叠16的致动位置中。跨右边的所述IMOD12施加的电压V_bias足以将可移动反射层14保持于所述致动位置中。

在图1中，像素12的反射性质一般用箭头13说明，箭头13指示光入射于所述像素12上且光15从左边的像素12反射。尽管未详细说明，但所属领域的一般技术人员应理解，入射于像素12上的光13的大部分将朝向光学堆叠16而透射穿过透明衬底20。入射于光学堆叠16上的光的一部分将透射穿过光学堆叠16的部分反射层，且一部分将被反射回来穿过所述透明衬底20。透射穿过所述光学堆叠16的光13的部分将在所述可移动反射层14处朝向透明衬底20被反射回来(并通过透明衬底20)。从光学堆叠16的部分反射层反射的光与从可移动反射层14反射的光之间的(相长或相消)干涉将确定从像素12反射的光15的(多个)波长。

所述光学堆叠16可包含单一层或若干层。所述(若干)层可包含电极层、部分反射及部分透射层及透明电介质层的一者或一者以上。在一些实施方案中，光学堆叠16为导电、部分透明及部分反射，且可例如通过将一个或一个以上上述层沉积于透明衬底20上而制造。所述电极层可由多种材料(例如多种金属，例如铟锡氧化物(ITO))形成。所述部分反射层可由具有部分反射性的多种材料(例如多种金属，例如铬(Cr)、半导体及电介质)形成。所述部分反射层可由一个或一个以上材料层形成，且所述层的每一者可由一单一材料或材料的组合而形成。在一些实施方案中，光学堆叠16可包含用作光学吸收器及导体两者的单一半透明金属或半导体厚度，而(例如，IMOD的光学堆叠16或其它结构的)不同、导电性更强的层或部分可用于在IMOD像素之间载送信号。光学堆叠16还可包含覆盖一个或一个以上导电层或导电/吸收层的一个或一个以上绝缘或电介质层。

在一些实施方案中，光学堆叠16的(多个)层可图案化为平行条状物且可形成显示装置中的行电极，如在下文进一步描述。如所属领域的技术人员将了解，术语“图案化”本文中用于指代遮蔽以及蚀刻过程。在一些实施方案中，高度导电及反射材料(例如铝(Al))可用于可移动反射层14，且这些条状物可形成显示装置中的列电极。可移动反射层14可形成为一沉积金属层或多个沉积金属层的一系列平行条状物(正交于光学堆叠16的行电极)，以形成沉积于柱18的顶部上的列及沉积于柱18之间的中介牺牲材料。当所述牺牲材料被蚀除时，可在可移动反射层14与光学堆叠16之间形成经界定间隙19或光学腔。在一些实施方案中，柱18之间的间距可为约1um到1,000um，而间隙19可为约1um到1,000um，而间隙19可为约1,000埃

到10,000埃

在一些实施方案中，IMOD的每一像素(无论处在致动状态还是松弛状态)本质上为由固定反射层及移动反射层形成的电容器。当未施加电压时，可移动反射层14保持处于机械松弛状态中，如由图1中左边的像素12所说明，可移动反射层14与光学堆叠16之间具有间隙19。然而，当将电势差(例如，电压)施加于选定行及列的至少一者时，形成于对应像素处的行电极与列电极的交叉处的电容器开始充电，且静电力将所述电极拉到一起。如果所施加的电压超出阈值，那么可移动反射层14可变形，且接近或抵靠光学堆叠16而移动。光学堆叠16内的电介质层(未展示)可防止短路且控制所述层14与16之间的分离距离，如由图1中右边的致动像素12所说明。无关于所施加的电势差的极性，行为均相同。尽管阵列中的一系列像素在一些例子中可称为“行”或“列”，然所属领域的一般技术人员将容易了解，将一个方向称为“行”且将另一方向称为“列”是任意的。换言之，在一些定向中，行可视为列，且列可视为行。此外，显示元件可均匀地配置于正交行及列(“阵列”)中或配置于(例如)相对于彼此具有某些位置偏移的非线性配置(“马赛克”)中。术语“阵列”及“马赛克”可指代任一配置。因此，尽管显示器称为包含“阵列”或“马赛克”，然而在任何例子中，元件自身无需配置成彼此正交或安置成平均分布，而是可包含具有不对称形状及不均匀分布元件的配置。

图2展示说明并入3x3干涉测量调制器显示器的电子装置的系统框图的实例。所述电子装置包含可经配置以执行一个或一个以上软件模块的处理器21。除执行操作系统之外，处理器21还可经配置以执行一个或一个以上软件应用程序，包含网页浏览器、电话应用程序、电子邮件程序或任何其它软件应用程序。

处理器21可经配置以与阵列驱动器22通信。阵列驱动器22可包含行驱动器电路24及列驱动器电路26，其将信号提供到例如显示阵列或面板30。图1中说明的IMOD显示装置的截面由图2中的线1-1所展示。尽管为清晰起见，图2说明IMOD的3x3阵列，但是显示阵列30可含有大量IMOD，且在行中可含有与在列中不同数目的IMOD，且反之亦然。

图3展示说明图1的干涉测量调制器的可移动反射层位置相对于所施加电压的图的实例。对于MEMS干涉测量调制器，行/列(即，共同/分段)写入程序可利用图3中说明的这些装置的磁滞性质。干涉测量调制器可能需要例如约10伏特电势差，以引起可移动反射层或镜面从松弛状态改变到致动状态。当电压从所述值减小时，随着电压下降回到例如10伏特以下，所述可移动反射层保持其状态，然而，所述可移动反射层直到电压下降到2伏特以下才完全松弛。因此，如图3中所展示，存在约3伏特到7伏特的电压范围，在所述电压范围中存在施加电压窗，在所述施加电压窗内，装置稳定在松弛状态中或致动状态中。这在本文中称为“磁滞窗”或“稳定性窗”。对于具有图3的磁滞特性的显示阵列30，所述行/列写入程序可经设计以一次寻址一个或一个以上行，使得在给定行的寻址期间，所寻址行中的待致动的像素暴露于约10伏特的电压差，且待松弛的像素暴露于接近零伏特的电压差。在寻址之后，将所述像素暴露于稳定状态或约5伏特的偏压电压差，使得其保持于先前选通状态中。在此实例中，在经寻址之后，每一像素经历约3伏特到7伏特的“稳定性窗”内的电势差。此磁滞性质特征使得例如图1中说明的像素设计能够在相同的施加电压条件下在致动或松弛的现成状态中保持稳定。因为每一IMOD像素(无论在致动状态中还是松弛状态中)本质上为由固定反射层及移动反射层形成的电容器，所以此稳定状态可在不实质上消耗或损耗功率的情况下保持在磁滞窗内的稳定电压处。此外，如果所施加电压的电势保持实质上固定，那么基本上很少或无电流流入IMOD像素中。

在一些实施方案中，根据给定行中的像素状态的所要变化(如果有)，可通过沿着列电极集合以“分段”电压的形式施加数据信号而建立图像的帧。可轮流寻址所述阵列的每一行，使得一次一行写入帧。为将所要数据写入到第一行中的像素，可将对应于所述第一行中的像素的所要状态的分段电压施加于列电极上，且可将呈特定“共同”电压或信号的形式的第一行脉冲施加到所述第一行电极。接着，可改变分段电压集合以对应于第二行中的像素状态的所要变化(如果有)，且可将第二共同电压施加到第二行电极。在一些实施方案中，所述第一行中的像素不受沿着列电极施加的分段电压的变化影响，且保持于其在第一共同电压行脉冲期间所设定的状态。可针对整个系列的行或列以循序方式重复此程序，以产生图像帧。可使用新图像数据通过以每秒某一所要数目个帧不断重复此过程而刷新及/或更新所述帧。

跨每一像素而施加的分段及共同信号的组合(即，跨每一像素的电势差)确定每一像素的所得状态。图4展示说明当施加多种共同及分段电压时的干涉测量调制器的多种状态的表的实例。如所属领域的一般技术人员将容易理解，“分段”电压可施加于列电极或行电极，且“共同”电压可施加于列电极或行电极的另一者。

如图4中(以及图5B中展示的时序图)所说明，当释放电压VC_REL沿着共同线而施加时，无关于沿着分段线施加的电压(即，高分段电压VS_H及低分段电压VS_L)，沿着所述共同线的所有干涉测量调制器将被置于松弛状态，或者称为释放或未致动状态。特定来说，当所述释放电压VC_REL沿着共同线施加时，跨调制器的电势电压(或者称为像素电压)在高分段电压VS_H及低分段电压VS_L沿着所述像素的对应分段线施加时处于松弛窗(见图3，也称为释放窗)内。

当保持电压(例如，高保持电压VC_{HOLD_H}或低保持电压VC_{HOLD_L})施加于共同线时，所述干涉测量调制器的状态将保持恒定。例如，松弛IMOD将保持于松弛位置中，且致动IMOD将保持于致动位置中。所述保持电压可经选择使得当高分段电压VS_H及低分段电压VS_L沿着对应分段线施加时像素电压将保持在稳定性窗内。因此，分段电压摆动(即，高分段电压VS_H与低分段电压VS_L之间的差)小于正或负稳定性窗的宽度。

当寻址或致动电压(例如，高寻址电压VC_{ADD_H}或低寻址电压VC_{ADD_L})施加于共同线时，可沿着所述线通过沿着相应分段线施加分段电压而将数据选择性地写入调制器。所述分段电压可经选择使得取决于所施加的分段电压而致动。当沿着共同线施加寻址电压时，施加一个分段电压将导致像素电压处于稳定性窗内，从而引起所述像素保持未致动。相比之下，施加另一分段电压将导致像素电压超出所述稳定性窗，进而导致所述像素的致动。引起致动的特定分段电压可取决于使用哪一个寻址电压而改变。在一些实施方案中，当沿着共同线施加高寻址电压VC_{ADD_H}时，施加高分段电压VS_H可引起调制器保持处于其当前位置，而施加低分段电压VS_L可引起调制器致动。作为推论，当施加一低寻址电压VC_{ADD_L}时，分段电压的效果可为相反的，其中高分段电压VS_H引起调制器致动，且低分段电压VS_L对调制器的状态没有影响(即，保持稳定)。

在一些实施方案中，可使用跨调制器始终产生相同极性电势差的保持电压、寻址电压及分段电压。在一些其它实施方案中，可使用使调制器的电势差的极性交替的信号。跨调制器的极性的交替(即，写入程序的极性的交替)可减小或抑制在单一极性的重复写入操作之后可能出现的电荷累积。

图5A展示说明图2的3x3干涉测量调制器显示器中的显示数据帧的图的实例。图5B展示可用于写入图5A中说明的显示数据帧的共同及分段信号的时序图的实例。所述信号可施加到例如图2的3x3阵列，这最终将导致图5A中说明的线时间60e显示配置。图5A中致动的调制器处在暗状态中，即，所反射光的大部分是在可见光谱之外，以便导致对(例如)观看者的暗外观。在将图5A中说明的帧写入之前，像素可处在任何状态中，但图5B的时序图中说明的写入程序假定在第一线时间60a之前每一调制器已被释放且驻留在未致动状态中。

在所述第一线时间60a期间：将释放电压70施加于共同线1上；施加于共同线2上的电压始于高保持电压72且移动到释放电压70；及沿着共同线3施加低保持电压76。因此，在第一线时间60a的持续时间之内，沿着共同线1的调制器(共同1，分段1)、(1，2)及(1，3)保持于松弛或未致动状态中，沿着共同线2的调制器(2，1)、(2，2)及(2，3)将移动到松弛状态，且沿着共同线3的调制器(3，1)、(3，2)及(3，3)将保持于其先前状态中。参考图4，沿着分段线1、2及3施加的分段电压将对干涉测量调制器的状态没有影响，这是因为在线时间60a期间共同线1、2或3未被暴露于引起致动的电压电平(即，VC_REL-松弛，且VC_{HOLD_L}-稳定)。

在第二线时间60b期间，共同线1上的电压移动到高保持电压72，且无论所施加的分段电压如何，沿着共同线1的所有调制器均保持于松弛状态中，这是因为在共同线1上未施加寻址或致动电压。由于施加释放电压70，沿着共同线2的调制器保持于松弛状态中，且当沿着共同线3的电压移动到释放电压70时，沿着共同线3的调制器(3，1)、(3，2)及(3，3)将松弛。

在第三线时间60c期间，通过在共同线1上施加高寻址电压74而寻址共同线1。因为在施加此寻址电压期间沿着分段线1及2施加低分段电压64，所以跨调制器(1，1)及(1，2)的像素电压大于所述调制器的正稳定性窗的高端(即，电压差超出预定义阈值)，且致动所述调制器(1，1)及(1，2)。相反地，因为沿着分段线3施加高分段电压62，所以跨调制器(1，3)的像素电压小于调制器(1，1)及(1，2)的像素电压且保持于所述调制器的正稳定性窗内；因此调制器(1，3)保持松弛。又在线时间60c期间，沿着共同线2的电压下降到低保持电压76，且沿着共同线3的电压保持于释放电压70，从而使沿着共同线2及3的调制器保持在松弛位置中。

在第四线时间60d期间，共同线1上的电压返回到高保持电压72，使沿着共同线1的调制器保持在其相应所寻址的状态中。共同线2上的电压下降到低寻址电压78。因为高分段电压62沿着分段线2而施加，所以跨调制器(2，2)的像素电压低于所述调制器的负稳定性窗的低端，从而引起所述调制器(2，2)致动。相反地，因为低分段电压64沿着分段线1及3而施加，所以调制器(2，1)及(2，3)保持于松弛位置中。共同线3上的电压增加到高保持电压72，使沿着共同线3的调制器保持在松弛状态中。

最后，在第五线时间60e期间，共同线1上的电压保持于高保持电压72，且共同线2上的电压保持于低保持电压76，使沿着共同线1及2的调制器保持在其相应所寻址的状态中。共同线3上的电压增加到高寻址电压74，以寻址沿着共同线3的调制器。随着低分段电压64施加于分段线2及3上，调制器(3，2)及(3，3)致动，而沿着分段线1施加的高分段电压62引起调制器(3，1)保持于松弛位置中。因此，在第五线时间60e结束时，3x3像素阵列处在图5A中展示的状态中，且只要保持电压沿着共同线而施加便将保持于所述状态中，无关于当寻址沿着其它共同线的调制器(未展示)时可出现的分段电压的变动。

在图5B的时序图中，给定写入程序(即，线时间60a到60e)可包含使用高保持电压及高寻址电压、或低保持电压及低寻址电压。一旦已对给定共同线完成写入程序(且将共同电压设定为与致动电压具有相同极性的保持电压)，像素电压便保持于给定稳定性窗内，且并不通过松弛窗直到释放电压施加于所述共同线。此外，因为每一调制器在寻址调制器之前作为写入程序的一部分而释放，所以调制器的致动时间(而非释放时间)可确定必要线时间。明确来说，在调制器的释放时间大于致动时间的实施方案中，可施加释放电压达长于单一线时间，如图5B中所描绘。在一些其它实施方案中，可改变沿着共同线或分段线施加的电压以解决不同调制器(例如不同色彩的调制器)的致动电压及释放电压的变动。

根据上文阐明的原理而操作的干涉测量调制器的结构细节可能大不相同。例如，图6A到图6E展示干涉测量调制器的变化实施方案的截面的实例，包含可移动反射层14及其支撑结构。图6A展示图1的干涉测量调制器显示器的一部分截面的实例，其中金属材料的条状物(即，可移动反射层14)沉积于从衬底20正交延伸的支撑件18上。在图6B中，每一IMOD的可移动反射层14的形状大致为正方形或矩形且在角隅处或角隅附近附接到支撑件的系链32上。在图6C中，所述可移动反射层14的形状大致为正方形或矩形，且从可包含可挠性金属的可变形层34上悬挂下来。可变形层34可围绕可移动反射层14的外围而直接或间接地连接到衬底20。这些连接件在本文中称为支撑柱。图6C中展示的实施方案具有得自可移动反射层14的光学功能与其机械功能(其可由可变形层34实行)的去耦合的额外益处。此去耦合允许用于反射层14的结构设计及材料及用于可变形层34的结构设计及材料独立于彼此而最佳化。

图6D展示IMOD的另一实例，其中可移动反射层14包含反射子层14a。可移动反射层14搁在例如支撑柱18的支撑结构上。支撑柱18提供可移动反射层14与下固定电极(即，所说明的IMOD中的光学堆叠16的部分)的分离，使得(例如)当可移动反射层14处在松弛位置中时在可移动反射层14与所述光学堆叠16之间形成间隙19。可移动反射层14还可包含导电层14c(其可经配置以用作电极)及支撑层14b。在此实例中，导电层14c安置于支撑层14b远离衬底20的一侧上，且反射子层14a安置于支撑层14b接近衬底20的另一侧上。在一些实施方案中，反射子层14a可导电且可安置于支撑层14b与光学堆叠16之间。支撑层14b可包含电介质材料(例如氮氧化硅(SiON)或二氧化硅(SiO₂))的一个或一个以上层。在一些实施方案中，支撑层14b可为层的堆叠，例如SiO₂/SiON/SiO₂三层堆叠。反射子层14a及导电层14c的任一者或两者可包含例如具有约0.5％铜(Cu)的铝(Al)合金或另一反射金属材料。在电介质支撑层14b上方及下方采用导电层14a、14c可平衡应力及提供增强导电。在一些实施方案中，反射子层14a及导电层14c可出于多种设计目的(例如在可移动反射层14内实现特定应力轮廓)而由不同材料形成。

如图6D中所说明，一些实施方案还可包含黑色掩模结构23。黑色掩模结构23可形成于光学非活性区域中(例如，在像素之间或在柱18下方)以吸收环境光或杂散光。黑色掩模结构23还可通过抑制光从显示器的非活性部分反射或透射穿过所述显示器的非活性部分而改善显示装置的光学性质，借此增加对比度。此外，黑色掩模结构23可导电且经配置以作用为电汇流层。在一些实施方案中，可将行电极连接到黑色掩模结构23以减小所连接的行电极的电阻。黑色掩模结构23可使用多种方法形成，包含沉积及图案化技术。黑色掩模结构23可包含一个或一个以上层。例如，在一些实施方案中，黑色掩模结构23包含用作光学吸收器的钼-铬(MoCr)层、二氧化硅(SiO₂)层及用作反射器及汇流层的铝合金，所述层分别具有在约到到

及

到

的范围内的厚度。可使用多种技术图案化所述一个或一个以上层，包含光微影术及干式蚀刻(包含例如用于MoCr及SiO₂层的四氟化物(CF₄)及/或氧气(O₂)及用于铝合金层的氯气(Cl₂)及/或三氯化硼(BCl₃))。在一些实施方案中，黑色掩模23可为标准量具或干涉测量堆叠结构。在这些干涉测量堆叠黑色掩模结构23中，可使用导电吸收器以在每一行或列的光学堆叠16中的下固定电极之间发射或载送信号。在一些实施方案中，间隔物层35可用于将吸收器层16a与黑色掩模23中的导电层大体上电隔离。

图6E展示IMOD的另一实例，其中可移动反射层14为自支撑的。与图6D相比，图6E的实施方案并不包含支撑柱18。而是，可移动反射层14在多个位置处接触下伏光学堆叠16，且当跨干涉测量调制器的电压不足以引起致动时，可移动反射层14的曲率提供足够支撑使得可移动反射层14返回到图6E的未致动位置。为明确起见，在此将可能含有多个若干不同层的光学堆叠16展示为包含光学吸收器16a及电介质16b。在一些实施方案中，光学吸收器16a可用作固定电极及部分反射层两者。

在例如图6A到图6E中展示的实施方案中，IMOD作用为直视装置，其中图像从透明衬底20的前侧(即，与其上布置调制器的侧相对的侧)观看。在这些实施方案中，所述装置的背部(即，所述显示装置在可移动反射层14后方的任何部分，包含例如图6C中说明的可变形层34)可在不影响所述显示装置的图像质量或不对所述显示装置的图像质量产生负面影响的情况下配置且操作，这是因为反射层14光学地屏蔽所述装置的所述部分。例如，在一些实施方案中，可移动反射层14后方可包含总线结构(未说明)，所述总线结构提供将调制器的光学性质与调制器的机电性质(例如电压寻址及源自此寻址的移动)分离的能力。此外，图6A到图6E的实施方案可简化例如图案化等处理。

图7展示说明干涉测量调制器的制造过程80的流程图的实例，且图8A到图8E展示此制造过程80的对应阶段的截面示意图的实例。在一些实施方案中，除图7中未展示的其它块之外，所述制造过程80还可经实施以制造例如图1及图6中说明的一般类型的干涉测量调制器。参考图1、图6及图7，过程80始于块82，其中在衬底20上方形成光学堆叠16。图8A说明形成于衬底20上方的此光学堆叠16。衬底20可为透明衬底，例如玻璃或塑料，其可为可挠性或相对较硬及不可弯曲，且可已经历先前制备过程，例如清洗，以促进光学堆叠16的有效形成。如上文所论述，光学堆叠16可导电、部分透明及具部分反射性，且可例如通过将具有所要性质的一个或一个以上层沉积于透明衬底20上而制造。在图8A中说明的实施方案中，光学堆叠16包含具有子层16a及16b的多层结构，然而一些其它实施方案中可包含更多或更少个子层。在一些实施方案中，子层16a、16b的一者可经配置而具有光学吸收性质及导电性质两者，例如组合的导体/吸收器子层16a。此外，一个或一个以上子层16a、16b可图案化为平行条状物，且可形成显示装置中的行电极。此图案化可通过遮蔽及蚀刻过程或本技术中已知的另一适宜过程执行。在一些实施方案中，子层16a、16b的一者可为绝缘层或电介质层，例如沉积于一个或一个以上金属层(例如，一个或一个以上反射层及/或导电层)上方的子层16b。此外，光学堆叠16可图案化为形成显示器的行的个别及平行条状物。

所述过程80在块84继续，其中在光学堆叠16上方形成牺牲层25。稍后(例如，在块90)移除牺牲层25以形成腔19，且因此在图1中说明的所得干涉测量调制器12中未展示牺牲层25。图8B说明包含形成于光学堆叠16上方的牺牲层25的部分制造装置。在光学堆叠16上方形成牺牲层25可包含以经选择以在随后移除之后提供具有所要设计大小的间隙或腔19(也参见图1及图8E)的厚度沉积二氟化氙(XeF₂)可蚀刻材料，例如钼(Mo)或非晶硅(a-Si)。牺牲材料的沉积可使用例如物理气相沉积(PVD，例如，溅镀)、等离子增强化学气相沉积(PECVD)、热化学气相沉积(热CVD)或旋涂的沉积技术而实行。

所述过程80在块86继续，其中形成支撑结构，例如图1、图6及图8C中说明的柱18。柱18的形成可包含图案化牺牲层25以形成支撑结构孔隙，接着使用例如PVD、PECVD、热CVD或旋涂的沉积方法而将材料(例如，聚合物或无机材料，例如氧化硅)沉积于所述孔隙中以形成柱18。在一些实施方案中，形成于所述牺牲层中的支撑结构孔隙可延伸穿过牺牲层25及光学堆叠16两者而到下伏衬底20使得柱18的下端接触衬底20，如图6A中说明。或者，如图8C中所描绘，形成于牺牲层25中的孔隙可延伸穿过牺牲层25，但不穿过光学堆叠16。例如，图8E说明支撑柱18的下端与光学堆叠16的上表面接触。柱18或其它支撑结构可通过在牺牲层25上方沉积支撑结构材料层且图案化定位成远离牺牲层25中的孔隙的支撑结构材料的部分而形成。如图8C中所说明，所述支撑结构可定位于孔隙内，但也可至少部分延伸在牺牲层25的一部分上方。如上文所述，牺牲层25及/或支撑柱18的图案化可通过图案化及蚀刻过程执行，但也可由替代蚀刻方法执行。

所述过程80在块88继续，其中形成可移动反射层或膜，例如图1、图6及图8D中说明的可移动反射层14。可移动反射层14可通过采用例如反射层(例如，铝、铝合金)沉积的一个或一个以上沉积步骤连同一个或一个以上图案化、遮蔽及/或蚀刻步骤一起形成。可移动反射层14可导电且称为导电层。在一些实施方案中，可移动反射层14可包含多个子层14a、14b、14c，如图8D中所展示。在一些实施方案中，子层的一者或一者以上(例如子层14a、14c)可包含针对其光学性质而选择的高反射子层，且另一子层14b可包含针对其机械性质而选择的机械子层。因为牺牲层25仍然存在于在块88处形成的部分制造干涉测量调制器中，所以可移动反射层14在此阶段通常不可移动。含有牺牲层25的部分制造IMOD在本文中也可称为“未释放”IMOD。如上文结合图1所描述，可移动反射层14可图案化为形成显示器的列的个别及平行条状物。

所述过程80在块90继续，其中形成腔，例如图1、图6及图8E中说明的腔19。腔19可通过将牺牲材料25(在块84处沉积)暴露到蚀刻剂而形成。例如，可通过干式化学蚀刻，例如，通过将牺牲层25暴露到气态或汽态蚀刻剂(例如得自固体二氟化氙XeF₂的蒸气)达可有效移除(通常相对于围绕腔19的结构选择性地移除)所要量的材料的时段而移除可蚀刻牺牲材料(例如钼(Mo)或非晶硅(a-Si))。也可使用其它蚀刻方法，例如，湿式蚀刻及/或等离子蚀刻。因为牺牲层25是在块90期间被移除，所以可移动反射层14在此阶段之后通常为可移动的。在移除牺牲层25之后，所得的完全或部分制造IMOD在本文中可称为“释放”IMOD。

改善机电装置的机械层的平坦度及尤其所述机械层在像素的活性区域中的部分可改善所述装置的光学性质。例如，在干涉测量调制器实施方案中，在将机械层置于松弛状态中时使像素具有相对平坦机械层可改善跨所述像素的特定光色彩的反射的均匀度。类似地，当所述装置处于致动状态中时增加所述机械层的平坦度改善减少反射性质的均匀度，使得所述像素可呈现例如均匀黑色。在本文中揭示经配置以具有改善机械层平坦度的机电装置。所述装置可包含沿着安置(或布置)于像素阵列中的一个或一个以上像素的至少一侧(或边缘)而安置的黑色掩模结构(为简洁起见，在本文中有时称为“黑色掩模”)。

所述装置可进一步包含安置在衬底上方的机械层。所述机械层可包含多个层，例如镜面层、帽盖层及定位于所述镜面层与所述帽盖层之间的电介质层。所述电介质层可经形成以包含沿着所述阵列中的一些或所有像素的一个或一个以上侧的凹口。所述凹口具有沿着像素的边缘延伸的长度尺寸及从所述机械层的边缘延伸到所述机械层中的宽度尺寸(例如，所述凹口可从所述机械层的边缘上的一点朝向所述像素的内部向内延伸某一宽度距离)。所述电介质层中的凹口减少所述黑色掩模与所述电介质层沿着所述像素的边缘的重叠，且当所述机械层处于未致动位置中时可改善所述镜面层的平坦度。在一些实施方案中，镜面层及帽盖层可保留于所述凹口部分中，以容许所述镜面层及所述帽盖层沿着像素侧电接触、电连接，借此减小机械层电阻且容许所述机械层以增加速率在致动位置与松弛位置之间切换。

图9展示说明干涉测量调制器的制造过程100的流程图的实例。过程100始于块91。在块92，于衬底上方形成黑色掩模结构。所述衬底可为例如透明衬底，包含玻璃或透明聚合材料，其容许透过衬底观看图像。所述黑色掩模结构可吸收在光学非活性像素区域(例如像素侧及角隅)中的光，且可包含沿着干涉测量调制器的像素的一侧而安置的一部分。

所述黑色掩模结构也可导电，且可经配置以作用为电汇流层。例如，所述黑色掩模结构可电连接到所述阵列的行电极，以帮助减小行电阻。所述黑色掩模结构可包含多个层。在一些实施方案中，在所述黑色掩模结构上方安置电介质层，且在所述电介质层中提供开口以容许随后沉积层电接触所述黑色掩模结构。

所述过程100在块93继续，其中在所述衬底上方形成光学堆叠。所述光学堆叠可导电、部分透明及具部分反射性，且可例如通过将一个或一个以上层沉积于透明衬底上而制造。在一些实施方案中，所述层图案化为平行条状物，且可形成显示装置中的行电极，所述行电极可电连接到所述黑色掩模结构以减小行电阻，如上文所描述。如本文中所使用，术语“图案化”在本文中为用以指代遮蔽以及蚀刻过程。

图9中说明的过程100在块94继续，其中在所述光学堆叠上方形成牺牲层。稍后移除所述牺牲层以形成间隙，如在下文中将论述。在所述光学堆叠上方形成牺牲层可包含以经选择以在随后移除之后提供具有所要大小的间隙的厚度沉积氟可蚀刻材料，例如钼(Mo)或非晶硅(a-Si)。可沉积多个牺牲层以实现多个间隙大小。例如对于IMOD阵列，每一间隙大小可表示不同反射色彩。

在块95中，在所述牺牲层上方形成机械层。所述机械层可经图案化以形成阵列的列，且所述机械层可包含安置于电介质层的相对侧上的电介质层及镜面层以及帽盖层。所述镜面层可反射光，且所述帽盖层可包含于所述机械层中以对所述机械层提供对称性，借此平衡所述镜面层的机械应力且改善镜面平坦度。此外，所述镜面层及/或帽盖层可导电且可用于控制所述机械层的电势，以帮助在致动位置与松弛位置之间切换所述机械层。所述电介质层可对所述机械层提供支撑，且可包含沿着所述像素的侧的凹口，以减少电介质层与黑色掩模结构沿着像素侧的重叠。因为所述黑色掩模结构可建立跨阵列的拓扑变动，所以减少所述电介质层与所述黑色掩模结构沿着像素侧的重叠可改善镜面平坦度。在一些实施方案中，反射层及帽盖层的部分保留于凹口区域中且沿着像素的侧电连接，借此减小所述阵列的列电极的电阻且改善采用所述装置的显示器的帧速率。

图9中说明的过程100在块96继续，其中形成腔或间隙。所述间隙可通过将在块94沉积的牺牲层暴露于蚀刻剂而形成。例如，可通过干式化学蚀刻移除牺牲材料，例如钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)或多晶硅(poly-Si)或非晶硅(a-Si)。在移除所述牺牲层之后，通常释放机械层，且可通过在固定电极与机械层之间施加电压而凭借静电力使所述机械层在致动位置与松弛位置之间移动。图9中说明的过程100在块99结束。所述方法的额外细节可如下文所描述。可在所说明序列之前、之中间或之后采用额外步骤，但为明确起见而省略所述额外步骤。

图10展示干涉测量调制器阵列110的平面图示意图的实例。干涉测量调制器阵列110包含布置成一阵列的多个像素，且可代表经类似配置的大得多的像素阵列。阵列110包含第一像素115、第二像素116、第三像素117及第四像素118。干涉测量调制器阵列110进一步包含黑色掩模结构23及电介质层122，电介质层122为机械层的一部分。尽管为明确起见在图10中未说明，但是干涉测量调制器阵列110包含其它结构。例如，所述机械层可进一步包含安置于所述电介质层122的相对侧上的镜面层及帽盖层。光学堆叠可安置于黑色掩模结构23上方，且所述光学堆叠及所述镜面层可由操作为干涉测量腔的空气间隙分离。在一些实施方案中，干涉测量调制器阵列110的像素可为具有不同间隙大小的像素，其经选择以干涉测量地增强不同色彩。例如，第一像素115可为经配置以干涉测量地增强蓝色的高间隙像素，第二像素116可为经配置以干涉测量地增强红色的中等间隙像素，且第三像素117可为经配置以干涉测量地增强绿色的低间隙像素。

黑色掩模结构23可电连接到所述光学堆叠的固定电极，以形成阵列的行电极。此外，镜面层及帽盖层可安置于电介质层122的相对侧上以形成可操作为所述阵列的列电极的机械层。

如图10中所展示，黑色掩模结构23安置于所述干涉测量调制器阵列110的像素的每一角隅处且沿着像素的每一侧的一部分而安置，以吸收像素之间(例如在所述阵列的光学非活性区域中)的光。因为具有较大宽度尺寸的黑色掩模结构23可减小干涉测量调制器阵列110的填充因子，所以黑色掩模结构23可经形成以具有经选择以提供所要行电阻的相对较大厚度。黑色掩模结构23的厚度可建立拓扑，其可影响保形地沉积于所述黑色掩模结构上方的层，例如机械层的电介质层122及/或其它层。当所述机械层沿着像素侧沉积于黑色掩模结构23上方时，由所述黑色掩模引起的拓扑变动可在所述机械层(包含镜面层及帽盖层)中建立边缘。

机械层中沿着像素的侧安置的边缘可(如果不是相对平坦)降低显示器的性能。例如，所述机械层中的非平坦边缘可产生光学假影(例如彩色环)，此可降低图像质量。此外，所述机械层中的边缘可减小镜面平坦度，且阻碍所述机械层在致动状态与松弛状态之间的致动。

为帮助减小黑色掩模结构23的拓扑影响，机械层的电介质层122已经图案化以包含沿着所述阵列中的像素侧的凹口114。例如，像素118包含沿着每一像素侧的凹口。凹口114可经设定尺寸以减少电介质层122与黑色掩模结构23的重叠，借此改善镜面平坦度，如在下文中将更详细描述。

凹口114可具有任何适宜大小。在一个实施方案中，凹口114各自具有延伸到像素的电介质层122中的宽度尺寸d₁，所述宽度尺寸d₁的范围在约0.5μm到约5μm之间。凹口114可具有沿着像素的边缘的任何适宜长度。例如，凹口114可各自具有沿着像素的侧延伸的长度尺寸d₂，所述长度尺寸d₂的范围在约2μm到约30μm之间。

图10说明其中电介质层122包含沿着所述阵列中的每一像素的每一侧的凹口的配置。然而，在一些实施方案中，电介质层122不包含在每一像素侧上的凹口。此外，凹口114无需沿着每一像素侧相同地塑形或沿着像素的每一侧具有相同尺寸。例如，安置于像素的特定侧上的凹口可沿着所述像素侧相对于黑色掩模结构23的形状而设定尺寸。

图11A到图11H展示在制造图10的干涉测量调制器阵列110的方法中的多种阶段沿着线111-111获取的截面示意图的实例。虽然特定部件及步骤被描述为适宜于干涉测量调制器实施方案，但是对于其它机电系统实施方案，可使用不同材料或修改、省略或添加部件。

在图11A中，黑色掩模结构23已提供于衬底20上方。衬底20可包含多种透明材料，如上文所描述。在形成黑色掩模结构23之前，可于所述衬底上提供一个或一个以上层。例如，可在沉积黑色掩模结构23之前提供蚀刻停止层，以当图案化所述黑色掩模时用作蚀刻停止。在一个实施方案中，所述蚀刻停止层为具有在约

到

的范围内(例如约

)的厚度的氧化铝层(AlO_x)。黑色掩模结构23可包含多个层，以帮助吸收光且作为电汇流层，如上文所描述。

图11B说明在衬底20上方提供成形结构102。成形结构102可包含缓冲氧化物层，例如二氧化硅(SiO₂)层。成形结构102可经形成以具有经选择约等于黑色掩模结构23的高度的高度，以通过填充黑色掩模结构23之间的间隙而帮助维持跨衬底20的相对平面轮廓。然而，成形结构102可重叠黑色掩模结构23的一部分，以帮助在所述机械层中形成扭结，如随后在下文中详细描述。特定来说，可于成形结构102及任何介入层上方沉积一个或一个以上层(包含机械层)，借此实质上复制成形结构102的几何特征。例如，如图11B中所说明，成形结构102可重叠黑色掩模结构23以形成突出物103，突出物103可在随后沉积的机械层中产生向上延伸波或扭结。尽管本文中说明的多种机电系统装置经展示及描述为包含成形结构102，但是如本文中所描述的形成机械层的方法可适用于缺少所述成形结构102的过程。

图11C说明提供且图案化电介质层35。电介质层35可包含例如二氧化硅(SiO₂)、氮氧化硅(SiON)及/或四乙基正硅酸盐(TEOS)。在一个实施方案中，电介质层35的厚度为在约

到的范围内。然而，电介质层35可取决于所要光学性质而具有多种厚度。可在黑色掩模结构23上(“上”在此指代黑色掩模结构23与衬底20相对的侧)的一部分上方移除所述电介质层，以便容许形成通孔120以将固定电极电连接到黑色掩模结构23，如将在下文中详细描述。

图11D说明在电介质结构35上方提供且图案化光学堆叠16。光学堆叠16可包含多个层，例如固定电极层、透明电介质层及蚀刻停止层(其用以在随后牺牲层蚀刻及/或释放过程期间保护所述透明电介质层)。在一个实施方案中，光学堆叠16包含具有在约到

的范围内的厚度的钼-铬(MoCr)固定电极层、具有在约

到

的范围内的厚度的二氧化硅(SiO₂)透明电介质层及具有在约

到的范围内的厚度的氧化铝(A1O_x)蚀刻停止层。如图11D中所说明，光学堆叠16的一个或一个以上层可物理接触及电接触图11C的通孔120中的黑色掩模结构23。将黑色掩模结构23电连接到光学堆叠16的固定电极层可帮助减小像素阵列中的行电阻。

图11E说明在光学堆叠16上方提供且图案化牺牲层25。通常，稍后移除牺牲层25以形成间隙。在光学堆叠16上方形成牺牲层25可包含沉积步骤，如上文参考图9所描述。此外，牺牲层25可经选择以包含一个以上层或包含变化厚度的层，以帮助形成具有大量谐振光学间隙的显示装置。对于IMOD阵列，每一间隙大小可表示不同反射色彩。如图11E中所说明，牺牲层25可图案化于黑色掩模结构23上方以形成可帮助形成支撑柱的支撑柱孔隙119，如将在下文中描述。

图11F说明在牺牲层25上方提供且图案化支撑层以形成支撑柱18。支撑柱18可(例如)由二氧化硅(SiO₂)及/或氮氧化硅(SiON)形成，且所述支撑层可经图案化以通过多种技术(例如使用包含四氟化碳(CF₄)及/或氧气(O₂)的干式蚀刻)形成支撑柱18。如图11F中所说明，支撑柱18可定位于像素角隅处。

图11G说明在牺牲层25上方提供且图案化机械层14。机械层14包含反射层或镜面层121、电介质层122及帽盖层或导电层123。机械层14已图案化于支撑柱18上方，以帮助形成像素阵列的列。尽管图11G中未说明，但是也可沿着像素侧图案化电介质层122以形成凹口，如将在下文中参考图12A到图12C而更详细描述。

镜面层121可为任何适宜反射材料，包含例如金属，例如铝合金。在一个实施方案中，镜面层121包含具有在约0.3重量％到1.0重量％的范围内(例如，约0.5重量％)的铜的铝-铜(AlCu)。镜面层121的厚度可为任何适宜厚度，例如在约到

的范围内(例如，约)的厚度。

电介质层122可为例如氮氧化硅(SiON)的电介质层，且电介质层122可具有任何适宜厚度，例如在约

到的范围内的厚度。然而，电介质层122的厚度可取决于多种因素而选择，包含例如电介质层122的所要硬度，这可帮助对于彩色显示应用的不同大小的空气间隙实现相同的像素致动电压。

如图11G中所说明，帽盖层或导电层123可保形地提供于电介质层122上方，且类似于镜面层121的图案而图案化。导电层123可为金属材料，包含例如与镜面层121相同的铝合金。在一个实施方案中，导电层123包含具有在约0.3重量％到1.0重量％的范围内(例如，约0.5重量％)的铜的铝-铜(AlCu)，且导电层123的厚度经选择以在约到

的范围内，例如，约

镜面层121及导电层123可经选择以具有类似厚度及组合物，借此帮助平衡所述机械层中的应力且通过减小间隙高度对温度的敏感度而改善镜面平坦度。

图11H说明在图11G移除牺牲层25以形成间隙19之后的干涉测量装置。此时可使用多种方法移除牺牲层25，如上文参考图9所描述。

在移除所述牺牲层25之后，机械层14可变得从衬底20转移开发射高度，且可出于多种理由而在此时改变形状或曲率，例如镜面层121、电介质层122及/或帽盖层123中的残余机械应力。如上文所描述，帽盖层123可通过对机械层14提供对称性而帮助平衡镜面层121的应力，借此改善在释放之后机械层14的平坦度。此外，在成形结构102上方且尤其在突出物103上方提供机械层14已在机械层14中形成扭结104。扭结104的几何形状可影响机械层14的残余应力，因此影响释放之后的镜面平坦度。扭结104的几何特征可通过改变成形结构102的厚度及/或通过控制成形结构102与黑色掩模结构23的重叠而控制。

图12A到图12C展示图10的干涉测量调制器阵列110的变化实施方案沿着线112-112获取的截面的实例。所说明的截面各自包含衬底20、成形结构102、电介质结构35、光学堆叠16、间隙19及包含镜面层121、电介质层122及帽盖层123的机械层14。这些层的额外细节可如上文所描述。

在图12A的截面中，已在凹口114中移除电介质层122，但尚未在凹口114中移除镜面层121及帽盖层123。而是，镜面层121及帽盖层123在每一凹口中延伸超过电介质层122的一部分，且彼此电接触。允许镜面层121及帽盖层123在凹口114中电接触减小由机械层14形成的列电极的电阻。减小机械层14的电阻可增加所述机械层可在致动位置与松弛位置之间切换的最大频率，借此改善显示器的最大帧速率。

在图12B中，机械层14的镜面层121、电介质层122及帽盖层123已各自在凹口114中被移除。如图12B中所展示，在凹口114中移除机械层的所述层可减少或消除机械层14与黑色掩模结构23的重叠，借此避免在机械层14中沿着像素的侧形成边缘。因为沿着所述像素的侧的边缘可减小镜面平坦度且使显示性能降级，所以在所述机械层中提供凹口114可改善阵列的光学性质。在一个实施方案中，从机械层14的边缘到所述凹口114中的黑色掩模结构23的边缘的距离d₃经选择以在约0μm到约1μm的范围内。

在图12C中，已在凹口114中移除电介质层122及帽盖层123的一部分，但尚未在凹口114中移除镜面层121。所说明的截面展示镜面层121及帽盖层123在凹口114中无需具有相同形状。例如，镜面层114可在每一凹口中延伸超过帽盖层123达范围在约0μm到约1.5μm之间的距离d₄。

图13A为图10的干涉测量调制器阵列110的机械层沿着线113-113获取的实例截面。机械层14的截面对应于已在凹口114中保留镜面层121及帽盖层123的实施方案，例如在图12A的截面中。机械层14包含与第一像素115相关联的第一部分、与第二像素116相关联的第二部分及与第三像素117相关联的第三部分。如图10中所展示，所述第一、第二及第三像素115到117安置于列中，且机械层14的说明截面可表示像素阵列的列电极的一部分。

机械层14的镜面层121及帽盖层123展示为电连接到阵列驱动器22，其可用于控制所述机械层14的电势，以便帮助在致动状态与松弛状态之间切换机械层14。如图13A中所展示，镜面层121及帽盖层123在凹口114中彼此电接触，这可帮助减小列电极电阻，如将在下文中描述。

图13B为说明于图13A中的机械层14的截面的实例电阻器-电容器(RC)电路模型的电路图。所说明的电路包含第一多个电阻器131到136、第二多个电阻器137到142、第三多个电阻器143到145及多个电容器150到155。如图13B中所说明，阵列驱动器22电连接到机械层14的一端且可用于改变机械层14的电压，以便帮助在致动位置与松弛位置之间切换机械层14。

所说明的电路图为基于使用分布式RC pi模型模型化导电镜面层121及帽盖层123的机械层14的延迟的电路时序模型。例如，所述第一多个电阻器131到136端对端串联电连接，且可表示帽盖层123跨由机械层14形成的列电极的第一、第二及第三像素115到117的电阻。同样，第二多个电阻器137到142端对端串联电连接，且可表示镜面层121跨所述列电极的第一、第二及第三像素115到117的电阻。所述导电镜面层及帽盖层121、123通过非导电电介质层122的分离可在镜面层121与帽盖层123之间建立电容，所述电容可使用第一多个电容器150到155模型化。

在凹口114中电连接镜面层121及帽盖层123可增加阵列驱动器22可转变由机械层14形成的列电极的电压的频率。例如，凹口114中的镜面层121与帽盖层123之间的电连接可由第三多个电阻器143到145表示，这可通过减小阵列驱动器22与电容器151到155的每一者之间的电阻而减小从阵列驱动器22所见的机械层14的RC延迟。通过减小机械层14的电阻，阵列驱动器22可以增加的频率改变列电极的电势，借此容许显示器以更高帧速率操作。

图14展示干涉测量调制器阵列200的平面图示意图的实例。干涉测量调制器阵列200包含布置成一阵列的多个像素，且可表示经类似配置的大得多的像素阵列。在一些实施方案中，干涉测量调制器阵列200的像素可为经选择以干涉测量地增强不同色彩的不同间隙大小的像素。干涉测量调制器阵列200包含黑色掩模结构23及包含镜面层121、电介质层122及帽盖层123的机械层。尽管为明确起见未说明于图14中，但是干涉测量调制器阵列110包含其它结构。例如，光学堆叠可安置于黑色掩模结构23上方，且光学堆叠及镜面层121可由操作为干涉测量腔的空气间隙分离。所述光学堆叠可包含可电连接到黑色掩模结构23的固定电极，以形成所述阵列的行电极。

如图14中所展示，黑色掩模结构23安置于干涉测量调制器阵列200的像素的每一角隅处且沿着像素的每一侧的一部分而安置以吸收在像素之间的光。黑色掩模结构23的厚度可建立拓扑，其可影响保形地沉积于所述黑色掩模结构上方的层，包含例如用于形成所述机械层的层。

为帮助减小黑色掩模结构23的拓扑影响，机械层的电介质层122已经图案化以不具有与黑色掩模结构23的重叠。例如，每一像素的电介质层122已与黑色掩模层23隔开一距离d₅。所述距离d₅可为任何适宜距离，且在一些实施方案中经选择以在约0μm到约5μm的范围内。通过以此方式配置电介质层122，避免电介质层122与黑色掩模结构23的重叠，且可改善机械层平坦度。

如图14中所展示，镜面层121及帽盖层123可跨所述阵列200在一方向上延伸，以便操作为所述阵列中的列电极。镜面层121及帽盖层123可在所述机械层不包含电介质层122的部分中彼此电连接。由镜面层121及帽盖层123形成的所说明列电极可具有相对较小的RC延迟，且因此所说明的列电极的电势可以与高帧速率显示器相关联的相对较高频率改变。镜面层121及帽盖层123也可帮助支撑所述机械层。例如，支撑结构可安置于像素角隅处，且镜面层121及帽盖层123可接触在像素角隅处的支撑结构，以将所述机械层支撑在干涉测量间隙上方。尽管图14中的所说明阵列200展示其中镜面层121及帽盖层123经配置以在机械层中不包含电介质层122的机械层的部分中彼此电接触的实施方案，但是镜面层121及帽盖层123在这些区域中无需彼此电接触。例如，可采用类似于图12B中所展示的配置的配置。

图15A及图15B展示说明包含多个干涉测量调制器的显示装置40的系统框图的实例。显示装置40可例如为蜂窝式电话或移动电话。然而，显示装置40的相同组件或其轻微变动也例证多种类型的显示装置，例如电视机、电子阅读器及便携式媒体播放器。

显示装置40包含外壳41、显示器30、天线43、扬声器45、输入装置48及麦克风46。外壳41可由多种制造过程的任何者形成，包含射出成型及真空成形。此外，外壳41可由多种材料的任一者制成，包含但不限于：塑料、金属、玻璃、橡胶及陶瓷或其组合。外壳41可包含可与不同色彩或含有不同标志、图像或符号的其它可移除部分互换的可移除部分(未展示)。

显示器30可为多种显示器的任一者，包含双稳态或模拟显示器，如本文中所描述。显示器30也可经配置以包含平板显示器(例如等离子、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD)或非平板显示器(例如CRT或其它显像管装置)。此外，显示器30可包含干涉测量调制器显示器，如本文中所描述。

显示装置40的组件示意性说明于图15B中。显示装置40包含外壳41，且可包含至少部分围封于所述外壳41中的额外组件。例如，显示装置40包含网络接口27，网络接口27包含耦接到收发器47的天线43。收发器47连接到处理器21，处理器21连接到调节硬件52。调节硬件52可经配置以调节信号(例如，过滤信号)。调节硬件52连接到扬声器45及麦克风46。处理器21也连接到输入装置48及驱动器控制器29。驱动器控制器29耦接到帧缓冲器28及阵列驱动器22，阵列驱动器22继而耦接到显示阵列30。电力供应器50可提供电力到如特定显示装置40设计所需的所有组件。

网络接口27包含天线43及收发器47，使得显示装置40可经由网络与一个或一个以上装置通信。网络接口27还可具有一些处理能力，以减轻例如处理器21的数据处理要求。天线43可发射及接收信号。在一些实施方案中，天线43根据IEEE16.11标准(包含IEEE16.11(a)、(b)或(g))或IEEE802.11标准(包含IEEE802.11a、b、g或n)发射及接收RF信号。在一些其它实施方案中，天线43根据蓝牙标准发射及接收RF信号。在蜂窝式电话的情况中，天线43经设计以接收码分多址(CDMA)、频分多址(FDMA)、时分多址(TDMA)、全球移动通信系统(GSM)、GSM/通用包无线电服务(GPRS)、增强型数据GSM环境(EDGE)、陆地中继无线电(TETRA)、宽带CDMA(W-CDMA)、演进数据最优化(EV-DO)、1xEV-DO、EV-DO Rev A、EV-DO Rev B、高速包存取(HSPA)、高速下行链路包存取(HSDPA)、高速上行链路包存取(HSUPA)、演进型高速包存取(HSPA+)、长期演进(LTE)、AMPS或用于在无线网络(例如利用3G或4G技术的系统)内通信的其它已知信号。收发器47可预处理从天线43接收的信号，使得可由处理器21接收且进一步操纵信号。收发器47也可处理从处理器21接收的信号，使得所述信号可经由天线43而从显示装置40发射。

在一些实施方案中，收发器47可由接收器替代。此外，网络接口27可由图像源替代，所述图像源可存储或产生将要发送到处理器21的图像数据。处理器21可控制显示装置40的整体操作。处理器21可从网络接口27或图像源接收数据(例如压缩图像数据)且将数据处理为原始图像数据或容易处理成原始图像数据的格式。处理器21可将所处理的数据发送到驱动器控制器29或发送到帧缓冲器28以进行存储。原始数据通常指代识别在图像内的每一位置处的图像特性的信息。例如，此类图像特性可包含色彩、饱和度及灰度等级。

处理器21可包含用以控制显示装置40的操作的微控制器、CPU或逻辑单元。调节硬件52可包含用于将信号发射到扬声器45及用于从麦克风46接收信号的放大器及滤波器。调节硬件52可为显示装置40内的离散组件，或可并入处理器21或其它组件内。

驱动器控制器29可直接从处理器21或从帧缓冲器28获取由处理器21产生的原始图像数据，且可适当地重新格式化所述原始图像数据以使其高速发射到阵列驱动器22。在一些实施方案中，驱动器控制器29可将所述原始图像数据重新格式化为具有类光栅格式的数据流，使得所述原始图像数据具有适宜于跨显示阵列30扫描的时序。接着，驱动器控制器29将格式化的信息发送到阵列驱动器22。尽管驱动器控制器29(例如LCD控制器)通常作为独立式集成电路(IC)而与系统处理器21相关联，然而此类控制器可以许多方式实施。例如，控制器可作为硬件嵌入于处理器21中，作为软件嵌入于处理器21中，或与阵列驱动器22完全整合于硬件中。

阵列驱动器22可从所述驱动器控制器29接收格式化信息，且可将视频数据重新格式化为一组平行波形，所述组平行波形为每秒多次地施加到源自显示器的x-y像素矩阵的数百个及有时数千个(或更多)引线。

在一些实施方案中，驱动器控制器29、阵列驱动器22及显示阵列30为适宜于本文中描述的任何类型的显示器。例如，驱动器控制器29可为常规显示控制器或双稳态显示控制器(例如，IMOD控制器)。此外，阵列驱动器22可为常规驱动器或双稳态显示驱动器(例如，IMOD显示驱动器)。此外，显示阵列30可为常规显示阵列或双稳态显示阵列(例如，包含IMOD的阵列的显示器)。在一些实施方案中，驱动器控制器29可与阵列驱动器22整合。此实施方案在高度整合的系统(例如蜂窝式电话、手表及其它小面积显示器)中为常见的。

在一些实施方案中，输入装置48可经配置以例如允许用户控制显示装置40的操作。输入装置48可包含小键盘(例如QWERTY键盘或电话小键盘)、按钮、开关、游戏杆、触敏屏幕或压敏或热敏膜。麦克风46可配置为显示装置40的输入装置。在一些实施方案中，透过麦克风46的语音命令可用于控制显示装置40的操作。

所述电力供应器50可包含如此项技术中熟知的多种能量存储装置。例如，电力供应器50可为可充电电池，例如镍-镉电池或锂离子电池。电力供应器50也可为可再生能源、电容器或太阳能电池，包含塑料太阳能电池或太阳能电池漆。电力供应器50也可经配置以从壁式插座接收电力。

在一些实施方案中，控制可编程性驻留在可位于电子显示系统中的若干位置中的驱动器控制器29中。在一些其它实施方案中，控制可编程性驻留在阵列驱动器22中。可以任何数目个硬件及/或软件组件且以多种配置实施上文描述的最佳化。

结合本文中揭示的实施方案进行描述的多种阐释性逻辑、逻辑块、模块、电路及演算步骤可实施为电子硬件、计算机软件或两者的组合。已在功能性方面大体上描述且于上文描述的多种阐释性组件、块、模块、电路及步骤中说明硬件及软件的可互换性。是否在硬件或软件中实施此功能性取决于特定应用及加诸整个系统的设计限制。

可使用以下每一者实施或执行用于实施结合本文中揭示的方面进行描述的多种阐释性逻辑、逻辑块、模块及电路的硬件及数据处理装置：通用单芯片或多芯片处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散栅极或晶体管逻辑、离散硬件组件或其经设计以执行本文中描述的功能的任何组合。通用处理器可为微处理器，或任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可实施为计算装置的组合(例如，DSP与微处理器的组合)、多个微处理器、结合DSP核心的一个或一个以上微处理器或任何其它此类配置。在一些实施方案中，可由专用于给定功能的电路执行特定步骤及方法。

在一个或一个以上方面中，所描述的功能可以硬件、数字电子电路、计算机软件、固件而实施，包含本说明书中揭示的结构及其结构等效者或其任何组合。本说明书中描述的标的物的实施方案还可实施为在计算机存储媒体上编码以由数据处理装置执行或控制数据处理装置的操作的一个或一个以上计算机程序，即，计算机程序指令的一个或一个以上模块。

所属领域的技术人员可容易明白本发明中描述的实施方案的多种修改，且本文中定义的一般原理在未脱离本发明的精神或范围的情况下可应用于其它实施方案。因此，本发明并非意欲限制于本文中展示的实施方案，而是符合与本文中揭示的权利要求书、原理及新颖特征一致的最广范围。字词“示范性”在本文中为专用于表示“用作为实例、例子或图解”。本文中描述为“示范性”的任何实施方案不一定要诠释为比其它实施方案优选或有利。此外，所属领域的一般技术人员将容易了解，术语“上”及“下”有时出于容易描述图式的目的而使用，且指示在适当定向的页面上对应于图式的定向的相对位置，且可能并不反映如所实施的IMOD的适当定向。

在本说明书中于个别实施方案的背景内容下描述的某些特征也可在单一实施方案中组合实施。相反地，在单一实施方案的背景内容下描述的多种特征也可在多个实施方案中单独实施或以任何适宜子组合实施。此外，尽管特征可在上文中描述为以某些组合起作用且即使最初如此主张，但是在一些情况中，来自主张的组合的一个或一个以上特征可从所述组合切除，且所主张的组合可关于子组合或子组合的变动。

类似地，虽然在图中以特定次序描绘操作，但是此不应理解为要求此类操作以所展示的特定次序或以循序次序执行，或执行所有说明的操作以实现所要结果。此外，图式可以流程图的形式示意性描绘一个或一个以上实例过程。然而，并未描绘的其它操作可并入示意性说明的实例过程中。例如，可在所说明的操作的任何者之前、之后、之同时或之间执行一个或一个以上额外操作。在某些情形中，多重任务处理及并行处理可为有利的。此外，在上文描述的实施方案中的多种系统组件的分离不应理解为在所有实施方案中要求此分离，且应理解，所描述的程序组件及系统通常可一起整合在单一软件产品中，或可封装到多个软件产品中。此外，其它实施方案为在所附权利要求书的范围内。在一些情况中，权利要求书中叙述的动作可以一不同次序执行且仍实现所要结果。

Claims

1.一种设备，其包括：

衬底；及

多个像素，其以阵列配置于所述衬底上，每一像素包含

黑色掩模，其沿着每一像素的一侧的至少一部分而安置于所述衬底上，

光学堆叠，其安置于所述衬底上方及所述黑色掩模的至少一部分上方，

机械层，其安置于所述光学堆叠上方，所述机械层包含反射层、帽盖层及电介质层，所述电介质层安置于所述反射层与所述帽盖层之间，

腔，其介于所述机械层与所述光学堆叠之间，所述机械层可透过所述腔而在致动位置与松弛位置之间移动，

其中所述机械层包含所述电介质层中沿着每一像素的所述侧的凹口，所述凹口减少所述电介质层与所述黑色掩模沿着所述像素的所述侧的重叠。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述反射层及所述帽盖层延伸超过所述电介质层的一部分，且在所述凹口的至少一部分中彼此电接触。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述机械层中的所述凹口沿着每一像素的所述侧而延伸穿过所述反射层、所述电介质层及所述帽盖层的每一者。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述反射层及所述帽盖层各自包含铝-铜(AlCu)。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述电介质层包含氮氧化硅(SiON)。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述凹口具有沿着所述像素的所述侧延伸的约2μm与约30μm之间的长度尺寸。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述凹口具有从所述机械层的边缘延伸到所述机械层中的约0.5μm与约5μm之间的宽度尺寸。

8.根据权利要求1所述的设备，其中每一像素包含多个侧，且所述黑色掩模沿着每一侧的至少一部分安置，且其中所述机械层包含所述电介质层中沿着所述多个像素的每一者的每一侧的凹口。

9.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括定位于所述衬底与所述腔之间的固定电极。

10.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括：

显示器；

处理器，其经配置以与所述显示器通信，所述处理器经配置以处理图像数据；及

存储器装置，其经配置以与所述处理器通信。

11.根据权利要求10所述的设备，其进一步包括驱动器电路，所述驱动器电路经配置以将至少一信号发送到所述显示器。

12.根据权利要求11所述的设备，其进一步包括控制器，所述控制器经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路。

13.根据权利要求12所述的设备，其进一步包括图像源模块，所述图像源模块经配置以将所述图像数据发送到所述处理器。

14.一种形成具有多个像素的机电装置的方法，所述方法包括：

于衬底上沉积黑色掩模，所述黑色掩模沿着每一像素的一侧的至少一部分而安置；

于所述衬底上方及所述黑色掩模的至少一部分上方沉积光学堆叠；

在所述光学堆叠上方形成机械层，其中形成所述机械层包含提供反射层、所述反射层上方的电介质层及支撑层上方的帽盖层；

在所述机械层与所述光学堆叠之间形成腔，所述机械层可透过所述腔而在致动位置与松弛位置之间移动，及

沿着每一像素的所述侧而在所述机械层的所述电介质层中形成凹口，所述凹口减少所述电介质层与所述黑色掩模沿着所述像素的所述侧的重叠。

15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括在形成所述机械层之前沉积牺牲层，且在沉积所述机械层之后移除所述牺牲层，以形成所述像素的所述腔，其中所述牺牲层具有经选择以界定所述腔的高度的厚度。

16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括在所述牺牲层中形成孔，且在沉积所述机械层之前于所述孔中沉积支撑柱。

17.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括沿着每一像素的所述侧而在所述机械层的所述帽盖层及反射层中形成凹口。

18.根据权利要求14所述的方法，其中所述反射层及所述帽盖层经形成以延伸超过所述电介质层的一部分，且在所述凹口的至少一部分中彼此电接触。

19.根据权利要求14所述的方法，其中所述反射层及所述帽盖层各自包含铝-铜(AlCu)。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述电介质层包含氮氧化硅(SiON)。

21.根据权利要求14所述的方法，其中所述凹口具有沿着所述像素的所述侧延伸的约2μm与约30μm之间的长度尺寸。

22.根据权利要求14所述的方法，其中所述凹口具有延伸到所述像素的所述机械层中的约0.5μm与约5μm之间的宽度尺寸。

23.根据权利要求14所述的方法，其中每一像素包含多个侧，且所述黑色掩模沿着所述多个像素的每一者的每一侧的至少一部分而沉积。

24.根据权利要求23所述的方法，其进一步包括沿着所述像素的每一侧而在所述机械层的所述电介质层中形成凹口。

25.一种设备，其包括：

衬底；及

多个像素，其以阵列配置于所述衬底上，每一像素包含

装置，其用于吸收所述衬底上的光，所述光吸收装置包含沿着每一像素的一侧而安置的一部分，

光学堆叠，其安置于所述衬底上方及所述光吸收装置的至少一部分上方，

机械层，其安置于所述光学堆叠上方，所述机械层包含反射层、电介质层及帽盖层，所述电介质层安置于所述反射层与所述帽盖层之间，

其中所述机械层进一步包含用于减少沿着每一像素的所述侧的重叠的装置，所述重叠减少装置减少所述电介质层与所述光吸收装置沿着所述像素的所述侧的所述重叠。

26.根据权利要求25所述的设备，其中所述重叠减少装置包含所述机械层的所述电介质层中沿着每一像素的所述侧的凹口，所述凹口经设定尺寸以便减少所述电介质层与所述光吸收装置沿着每一像素的所述侧的所述重叠。

27.根据权利要求25所述的设备，其中所述光吸收装置包含黑色掩模。

28.根据权利要求25所述的设备，其中所述反射层及所述帽盖层延伸超过所述电介质层，且在所述重叠减少装置的至少一部分中彼此电接触。

29.根据权利要求25所述的设备，其中所述重叠减少装置进一步经配置以减少所述反射层及帽盖层与所述光吸收装置的所述重叠。

30.根据权利要求25所述的设备，其中所述反射层及所述帽盖层包括铝-铜(AlCu)。

31.根据权利要求25所述的设备，其中所述电介质层包括氮氧化硅(SiON)。