CN1023450C - 对经液体处理后的基片进行清洁干燥的方法和装置 - Google Patents

对经液体处理后的基片进行清洁干燥的方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1023450C
CN1023450C CN90100958A CN90100958A CN1023450C CN 1023450 C CN1023450 C CN 1023450C CN 90100958 A CN90100958 A CN 90100958A CN 90100958 A CN90100958 A CN 90100958A CN 1023450 C CN1023450 C CN 1023450C
Authority
CN
China
Prior art keywords
liquid
substrate
groove
steam
organic solvent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN90100958A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1045539A (zh
Inventor
阿德里安·弗朗西斯卡斯·玛丽亚·李纳斯
杰克·朱尔斯·范奥凯尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of CN1045539A publication Critical patent/CN1045539A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1023450C publication Critical patent/CN1023450C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Abstract

对经液体处理后的基片进行清洁、干燥的方法和装置。把基片(1)浸入盛有液体(3)的槽(2)中一段时间,然后再缓慢地从液体中取出,使液体实际上仍全部留在槽(2)中。根据本发明,基片(1)从液体(3)中一出来就立即和来自导管(17)的排气喷嘴(18)的、不在基片上凝结的、且由易与液体混合的物质组成的蒸汽接触,接触后生成表面张力于该液体的混合物。已发现经处理后的基片(1)上不存在有机或金属残余物,或者其它污染物的干迹。

Description

本发明涉及一种处理基片的方法。这些基片先放在盛有液体的槽中浸入一段时间,然后再非常慢地从槽中取出,而使液体在实际上仍全部留有槽中。该发明还涉及到实现这一方法的一个装置。
例如,在各种基片上制造电子线路时,比如,某些半导体晶片(如硅片)上的集成电路,透明玻璃或石英板上的液晶显示的激励电路,或合成材料板(各种线路板)上的电子线路的制造过程中,可用此方法处理基片。该方法还可用在显象管的荫罩屏或激光唱片(CD)或长时间放映(VLP)的录象磁带生产过程中。在所有这些情况下,基片都要在盛有液体的槽中多次浸入一段时间,如浸入淀积金属的电镀槽,浸入在金属层或半导体材料上蚀刻图形的蚀刻槽,浸入将曝了光的感光漆层显影的显影槽,以及浸入清洗各种基片的清洗槽。在经这些液体槽处理后,要将基片从液体中取出并干燥。因为要将它们要从液体中提起、即取出,所以,液体就会从槽中流失。
美国专利No.4,722,752公开了一种方法,根据这种方法,为了清洗,硅片要在高温(90℃)的去离子水中浸入一段时间,接着,再将硅片以大约为5厘米/分的速度从水中慢慢提起。这样低的速度足以保证硅片在离开槽时实际上已处于干燥状态。那时液体的表面张力将会起作用。
实际上已发现,用这种干燥方法,液体中的污物可能会存留在基片上。还发现,利用所述的已知方法时,硅片上仍留有几微米厚的水膜。
接着这层水膜迅速蒸发,但这会引起所谓的“干迹”。在干燥期间,水膜会收缩,以致于水中的污物(往往是些有机物质或金属物质)局部集聚在晶片上。倘若晶片还必需进行蚀刻处理,则这样的残余物会产生很大的阻碍。它们会局部延缓蚀刻,甚至阻止蚀刻处理。当然,在水膜中的灰尘粒子也残留在晶片上。
为此,该发明的目的就是对经液体处理后的基片提供一种清洁、干燥的方法和装置,采用这种方法和装置可以克服上述的缺点。
根据本发明方法的特征在于:基片一从液体中出来就立即与不会在基片上凝结的蒸汽接触,这种蒸汽是可与液体混合的,混合后,产生一种表面张力低于槽中液体的混合物。因而,意外地发现,以这种方式干燥的基片上,已不再有干迹和污物。此外,一些实验已表明,即使在基片上还存在液膜,其厚度也必定小于30
Figure 90100958X_IMG1
可以推断,使用本发明的方法,通过马兰格尼(Marangonl)效应得到了更为令人满意的干燥效果,残留在基片上的液体量要少得多,甚至没有。如果把一亲液的基片部分地浸入液体中,那么这液体会在基片处形成一凹月面。于是在基片是就会呈现一个沿液体槽方向的厚度增加的液体膜。如果把这样的液体膜和不会在基片凝结的、含有易与该液体混合的物质的蒸汽接触,于是该蒸汽中的物质就会和膜中的液体混合,那地方的浓度就沿该液体槽方向开始降低。因而,在液体膜中该物质的浓度呈现了一个梯度。因为,在和液体混合时,该物质生成了表面张力低于该液体的混合物,所以这种浓度梯度导致了液体膜的表面张力梯度。由于这一梯度,沿液体槽方向就有一个力作用在液体膜上(马兰格尼效应)。因此,最终基片获得了更加满意的干燥效果。
在本发明的方法中,蒸汽不会在基片上凝结。如果存在这种情况,则从液体中取出后的基片上就会复盖一凝结蒸汽层。当然,这层凝结蒸汽一定会除去,但干燥过程要经较长的时间。再说,这种层会和基片起 化学反应。比如,如果这一层含有机溶剂,或基片上具有感光漆图形就是这种情况。实际上,在基片干燥后其上还留有较多的尘粒。用在基片上凝结的蒸汽做试验表明,在基片上凝结的蒸汽与在基片上不凝结的蒸汽相比,基片上残留的尘粒要高出10多倍。在槽和基片的温度下,在基片上不凝结的蒸汽压是不饱和的,而在基片上凝结的蒸汽的蒸汽压是饱和的。
正如上面已述的那样,基片可在不同的液体槽中处理。但实际上,这些槽几乎都盛有水。在这种情况下,最好用有机溶剂作为易和该液体混合的物质。已知有很多,如酒精类、乙二醇类、醛类和酮类,不过象四氢呋喃这种有机溶剂也能确保基片有满意的干燥效果。如果所述的槽中盛有其它种类的液体(如酒精),本发明方法也能成功地利用。为了获得满意的干燥效果,可以把基片从酒精中一提出就立即与有机溶剂1,1,1-三氟三氯乙烷蒸汽接触。
如果要把基片浸入其中一段时间的槽中盛有水,则根据本发明要求,所用有机溶剂在水中的溶解度最好大于1克/升,且其蒸汽压在25至25,000帕斯卡之间。一些实验已表明,在这些条件下,可获得满意的干燥效果。如果在水中的溶解度低于上述量,显然,因为液体得到的蒸汽太少,以致于不能产生足够大的表面张力梯度,因而得不到所期望的干燥效果。如果蒸汽压低于上述蒸汽压的下限,显然液体也不能得到足够量的蒸汽。如果蒸汽压高于上述蒸汽压的上限,则液体得到的蒸汽量太大,显然,在这种情况下所得到的表面张力梯度也非常小,因而也不能获得所期望的干燥效果。
如果按本发明要求,用乙基乙二醇、1-丙醇、2-丙醇和四氢呋喃这类有机溶剂中的一种,则基片能以较快的速度(高达1.5厘米/秒)从水中取出。
如果把敷有感光漆的基片从水中取出(如显影后),则最好用2-丙醇 作为有机溶剂。实际上感光漆不会和这种蒸汽起化学反应。
最好,用载气来混合蒸汽,把这一混合气体排放到液体上,然后使基片接触蒸汽。这样一来,蒸汽就能在局部以高浓度和基片接触。然后,蒸汽压的选择要使在基片上的所述凝结容易避免。
当基片(如硅晶片)借助于浸在液体中的升举机构将其部分地从液体中取出液面,并如上述要求,与适当的蒸汽接触时,则基片升出液面的那部分将被干燥。如果那时抓住基片的干燥部分,并进一步把它从液体中提出,那么液滴就会附着在最后离开液体的那部分基片上。干燥基片边缘的这种液滴不一定是有害的,但可能引起上面已提到的问题。人们意外地发现,当把基片从液体中取出时,基片最后离开液体的那些部分在离开液体的时候由刃形构件支撑,只要按本发明的方法做,这种液滴的形成就避免了。这样,所述液滴就顺着刃形构件流走了。所以若用刃形构件将基片从液体中提出是特别有效的。
本发明还涉及到实现本发明方法的装置。该装置备有把基片提升出液面的升举机构,和抓住液面上基片干燥部分的机构。
美国专利No.4,722    752叙述了这一装置。它的升举机构先把基片从液体中升出一部分,随后抓住基片的干燥部分,进而通过基片盒将其从液体中全部提出。然后升举机构仍留在水中,以便在基片湿的部分离开液体时,既不和升举机构接触,也不和基片盒接触。在这种接触面上的液滴就会被留下。
为了使基片得到满意的干燥效果,就要像如上所述,基片一被提出液体就立即和其不在基片上凝结的蒸汽物质接触,该蒸汽物质在和液体混合后,生成一种表面张力低于液体表面张力的混合物。为此目的,本发明的装置备有一组带排气喷嘴的导管,以使该蒸汽和基片进行所要求的接触。
在已知装置中,从液体中提出的基片的下边粘附着液滴。为避免这 种液滴,本发明的装置装备了一刃形构件。当基片从液体中提起时,它支撑着基片的最后离开液体的那部分,于是上述液滴就经刃形构件流走了。
把刃形构件装在升举机构上是最可取的,这样便可用刃形构件从液体中提升出基片,于是就得到了一种既实用又简易的装置。
现在,通过举例,参考附图和几个实施例来更充分叙述本发明。图中:
图1    是本发明装置的纵向剖视图。
图2    是图1所示装置沿Ⅰ-Ⅰ线所取的截面图。
图3-6用图示法表明了借助于图1和2所示装置来实现本发明方法的几个步骤。
图1和2用图示表明了应用这种方法来处理基片1的装置。其中,要把这些基片浸入盛有液体3的槽2中一段时间,然后再从槽中慢慢地提出,速度要慢到使液体3实际上仍全部被留在槽2中。虽然该方法可用来处理各种基片,如玻璃板、石英板或合成材料板等,但在这一例子中处理的是硅晶片。如果要在这样的晶片上制造半导体器件,如三极管、二极管或集成电路,那么这些晶片就要多次地在盛有液体的槽中浸入一段时间,比如浸入蚀刻槽,显影槽或清洗槽。在经这些处理后,晶片1就要从液体3中拿出干燥。
在图1和2所示的装置中,基片被浸入液体3中。基片是放在聚四氟乙烯盒4中的,盒4的侧壁5上有容纳基片1的凹槽6,侧壁5通过横向壁7相互连接。实际上盒子4所能容纳的基片数往往比图中所示的大得多,但是为了清楚起见,没有把图中所示的盒子塞满基片。盒子4被两个支撑杆8支承在液体中,它能借助于传动轴9向上运动。传动轴9穿过槽2的底10,由驱动装置(图中没有示出)驱动,这样盒子4就能提升出液体3。在液体3上面安放了一辅助盒11,其侧壁12设有凹槽 13,用它来容纳基片1。这些侧壁12通过横向壁14相互连接。辅助盒11可上下竖直运动,并通过导杆导向,为清楚起见图中没有示出导杆。如图1和2所示,辅助盒11位于最低于位置,这时离液体3的距离最近。
此外,该装置还包括一个升举机构15,它能借助于传动轴16向上移动,该传动轴16穿过槽2的底10,由驱动装置(图中没有示出)驱动,于是基片1就能从盒子4滑入辅助盒11中。
该装置还包括一个带排气喷嘴18的气体导管17。当基片1从盒4滑入辅助盒11时,带排气喷嘴18的气体导管17使离开液体3后的基片1立即和能与该液体混合的物质组成的蒸汽进行接触,在混合后,产生了表面张力低于液体3的混合物。于是基片便以干燥状态从液体中提升起,并在液体3上方被辅助盒11抓住。
图3到6用图示表明了利用上述装置实现本发明方法的几个步骤。
图3再一次显示了已经由图1和2所示装置中所表明的步骤。基片1被放在的盒子4中,置于液体3下。基片1在浸入液体3中一段时间后从液体中提升出,然后运用升举机构15把基片从盒4滑入辅助盒11中,正如图4和图5指出的那样。接着盒4被从液体中提升出来,沿着辅助盒11的方向,盒11是可垂直移动的,正如图6所指出的。由疏水性材料制成的盒4地离开液体时是干燥的,因此能带着干燥基片1一起移走。
基片1以非常慢的速度离开液体3,所以在实际上液体仍被全部留在槽中。依照本发明,从液体3中出来的基片1立即与不在基片上凝结的、由与该液体易混合的物质组成蒸汽进行接触。在接触混合后,生成表面张力低于液体表面张力的混合物。事实上已发现,基片1上没有出现干迹或其它污物,假如基片1借助于上述装置从盛有水的槽中取出,不使用上述蒸汽,已发现,基片1上会残留几微米厚的水膜。不错,该膜会迅速蒸发,但来自水膜中的干迹和其它污物则仍残留在基片上。一 般讲,干迹是由有机残余物和金属残余物组成。当基片需进一步处理时,就可能造成很大的阻碍。
在实践中,槽2中的液体3往往是水。因此,用有机溶剂作为和液体易混合的物质是更可取的。已知多种有机溶剂可用,如酒精类、醛类、酯类和酮类,例如四氢呋喃也能使基片产生满意的干燥效果。而且,最好采用在水中的溶解度高于1克/升、蒸汽压在25到25,000帕斯卡之间的有机溶剂。如实施例所要表明的那样,会得到满意的干燥效果。如果溶解度低于上述量或蒸汽压在上述范围之外,干燥效果就不大满意,干燥表面可在经处理后的基片上观察到。
若按本发明要求,有机溶剂选自乙基乙二醇、1-丙醇、2-丙醇和四氢呋喃组,则基片就能迅速地从水中取出(速度高达1.5厘米/秒)。
如果涂感光漆层的基片从水中(如从显影槽中)取出,那么最好用2-丙醇作为有机溶剂。这样感光漆实际上不会起化学反应。
和基片1接触的蒸汽最好以常规方法和载气混合,然后将混合物经由导管17和排气喷嘴18在液体3上方流过。这样,蒸汽就被局部以高浓度供给,且在基片1上不会发生蒸汽的凝结。
从这些图中可见,当基片1从液体3中取出时,最后离开液体3的那部分在离开时,被刃形构件19支撑。依据本发明,刃形构件19构成升举机构15的部件,并用它来把基片从液体中提起。刃形构件19由石英玻璃等制成,并且有小于100°的顶角。当基片从液体3中提出时,液体通过该刃形构件19全部流走了。如果现在处于本方法图4所示步骤阶段,基片1的干燥部分应当被抓住,进而从液体3中提起,一液滴就会附着在基片1上。正是这最后一滴经刃形构件19流走了。另外,这些图还要表明,在基片1离开液体3时,这些基片湿的部分和盒4及辅助盒11没有接触。如果有接触,则在有接触的地方就会有液滴附着。
实施例:
在以上所述方法中,硅晶片以常规方法在低压(U.V.)臭氧室中清洁后,再浸入水中,然后再以大约1毫米/秒的速度提升。该水被故意强污染成1克分子的氯化钠溶液。基片一离开液体就立即与由易与水溶合的不同溶剂组成的,不会在基片上凝结的蒸汽进行接触,于是生成表面张力低于水表面张力的混合物。在此,氮气大约以每秒0.5升的速度经过盛着有机溶剂的洗气瓶,接着这气体混合物经导管17和排气喷嘴18流经液体上方。下表表明了这些实验结果。在“结果”栏,“+”表明使用放大率为500倍的显微镜看不到基片上有干迹。而“-”表示能见到干迹。此外,检验有机溶剂的蒸汽压和溶解度也列于表中。已发现,为使基片得到满意的干燥效果,这两个量都必需在前面已指出的范围内,表中所述的完全溶解度是指:混合物中有机溶剂的浓度可在0到100%之间。
溶剂    蒸汽压(巴)    水中溶解度    结果
(克/升)
乙二醇    6    完全    -
乙基乙二醇    500    完全    +
1-丙醇    1,870    完全    +
2-丙醇    4,300    完全    +
四氢呋喃    20,000    完全    +
4-羟基-4-甲基    100    完全    +
-2-Penthamone
1-丁醇    670    790    +
2-丁醇    1,730    125    +
乙醚    58,700    12    -
四氯化碳    12,000    0.8    -
辛烷    1,500    0.1    -

Claims (11)

1、一种经液体处理后的基片的清洁、干燥的方法,把基片在盛有液体的槽中浸入一段时间后,再把它非常缓慢地从槽中取出时,使液体实际上仍全部留在槽中,这种处理基片方法的特征在于:基片从液体中一出来就立即与不在基片上凝结的、由易和该液体溶合的物质组成的蒸汽接触,接触混合后,蒸汽物质生成表面张力低于该液体表面张力的混合物。
2、如权利要求1所述的方法,其特征在于:用有机溶剂作为易和液体溶合的物质。
3、如权利要求2所述的方法,其特征在于:所用有机溶剂在水中的溶解度高于1克/升,其蒸汽压在25到25,000帕斯卡之间。
4、如权利要求3所述的方法,其特征在于:有机溶剂选自乙基乙二醇、1-丙醇、2-丙醇和四氢呋喃组。
5、如权利要求4所述的方法,其特征在于:使用2-丙醇作为有机溶剂。
6、如前述权利要求的任一要求所述的方法,其特征在于:使基片与蒸汽接触,该蒸汽先与载气混合,然后通到液体上方。
7、如权利要求1所述的方法,其特征在于:当基片从液体中取出时,基片最后离开液体的那些部分在离开液体的时候是由刃形构件支撑着。
8、如权利要求7所述的方法,其特征在于:基片是借助于刃形构件从液体中提起的。
9、实现权利要求1所述方法的装置,该装置包括:盛装所述液体的槽,将所述基片在该槽中浸入一段时间;一个将基片从该槽中提升起来的升举机构;在所述槽上面的干燥基片夹持机构,
该装置的特征在于:它还配备了一组带排气喷嘴的气体导管,在基片离开液体时,用来使基片立即和不在基片上凝结的、由易与该液体溶合的物质组成的蒸汽接触,在接触混合后,生成表面张力低于该液体的混合物。
10、如权利要求9所述装置,其特征在于:所述升举机构包括一刃形构件,在基片从液体中提起时,用它来支撑基片,将基片从液体中提升出来。
11、如权利要求10所述的装置,其特征在于:所述刃形构件是由石英玻璃制成的,并具有小于100°的顶角。
CN90100958A 1989-02-27 1990-02-24 对经液体处理后的基片进行清洁干燥的方法和装置 Expired - Lifetime CN1023450C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8900480A NL8900480A (nl) 1989-02-27 1989-02-27 Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
NL8900480 1989-02-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1045539A CN1045539A (zh) 1990-09-26
CN1023450C true CN1023450C (zh) 1994-01-12

Family

ID=19854214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN90100958A Expired - Lifetime CN1023450C (zh) 1989-02-27 1990-02-24 对经液体处理后的基片进行清洁干燥的方法和装置

Country Status (7)

Country Link
US (4) US6012472A (zh)
EP (1) EP0385536B1 (zh)
JP (1) JP3009699B2 (zh)
KR (1) KR0173449B1 (zh)
CN (1) CN1023450C (zh)
DE (1) DE69012373T2 (zh)
NL (1) NL8900480A (zh)

Families Citing this family (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8900480A (nl) * 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
JPH06103686B2 (ja) * 1989-11-24 1994-12-14 シー エフ エム テクノロジーズ,インコーポレイテッド 表面乾燥処理方法および装置
NL9000484A (nl) * 1990-03-01 1991-10-01 Philips Nv Werkwijze voor het in een centrifuge verwijderen van een vloeistof van een oppervlak van een substraat.
JPH04215878A (ja) * 1990-03-14 1992-08-06 Seiko Epson Corp 液中ジェット洗浄方法及び洗浄装置
JP3209426B2 (ja) 1991-10-04 2001-09-17 シーエフエムティ インコーポレイテッド 複雑な形状を有するマイクロパーツの洗浄
JP2639771B2 (ja) * 1991-11-14 1997-08-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置
JPH06196472A (ja) * 1992-12-22 1994-07-15 Soltec:Kk ウェットエッチング方法及びウェット洗浄方法
JP3347814B2 (ja) * 1993-05-17 2002-11-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置
US5911837A (en) * 1993-07-16 1999-06-15 Legacy Systems, Inc. Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5464480A (en) * 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
EP0739252B2 (en) 1993-09-22 2004-10-06 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
JP2888409B2 (ja) * 1993-12-14 1999-05-10 信越半導体株式会社 ウェーハ洗浄槽
DE4413077C2 (de) * 1994-04-15 1997-02-06 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten
DE4428169C2 (de) * 1994-08-09 1996-07-11 Steag Micro Tech Gmbh Träger für Substrate
US5849104A (en) * 1996-09-19 1998-12-15 Yieldup International Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks
US5634978A (en) * 1994-11-14 1997-06-03 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor method
US5772784A (en) * 1994-11-14 1998-06-30 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner
US5958146A (en) * 1994-11-14 1999-09-28 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids
US5571337A (en) * 1994-11-14 1996-11-05 Yieldup International Method for cleaning and drying a semiconductor wafer
DE19546990C2 (de) * 1995-01-05 1997-07-03 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur chemischen Naßbehandlung
DE19549490C2 (de) * 1995-01-05 2001-01-18 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur chemischen Naßbehandlung
JPH08211592A (ja) * 1995-02-07 1996-08-20 Nikon Corp 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置
DE19517573C2 (de) * 1995-05-12 2000-11-02 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Naßbehandlung von Substraten in einem Behälter
US5714203A (en) * 1995-08-23 1998-02-03 Ictop Entwicklungs Gmbh Procedure for the drying of silicon
DE19531031C2 (de) * 1995-08-23 1997-08-21 Ictop Entwicklungsgesellschaft Verfahren zum Trocknen von Silizium
DE19541436C2 (de) * 1995-11-07 1998-10-08 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur Behandlung von Gegenständen in einem Prozeßtank
TW322605B (zh) * 1995-12-07 1997-12-11 Tokyo Electron Co Ltd
TW310452B (zh) 1995-12-07 1997-07-11 Tokyo Electron Co Ltd
EP0784336A3 (en) 1995-12-15 1998-05-13 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to the fabrication and processing of semiconductor devices
DE19800584C2 (de) * 1998-01-09 2002-06-20 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten
DE19613620C2 (de) 1996-04-04 1998-04-16 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten
DE19637875C2 (de) 1996-04-17 1999-07-22 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur Naßbehandlung von Substraten
DE19703646C2 (de) * 1996-04-22 1998-04-09 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
JP4421686B2 (ja) 1996-06-24 2010-02-24 インテルウニフェルシテール ミクロエレクトロニカ セントルム フェライニジンク ゾンダ ウィンストベヤーク 平坦な基材を湿式でクリーニングまたはエッチングするための装置および方法
US6045624A (en) * 1996-09-27 2000-04-04 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
DE19640848C2 (de) * 1996-10-03 1998-07-16 Steag Microtech Gmbh Pliezhaus Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
DE19706072C1 (de) * 1997-02-17 1998-06-04 Steag Microtech Gmbh Pliezhaus Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
US6350322B1 (en) 1997-03-21 2002-02-26 Micron Technology, Inc. Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure
US6164297A (en) * 1997-06-13 2000-12-26 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying apparatus for objects to be processed
JP3151613B2 (ja) 1997-06-17 2001-04-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄・乾燥処理方法及びその装置
JPH1126423A (ja) * 1997-07-09 1999-01-29 Sugai:Kk 半導体ウエハ等の処理方法並びにその処理装置
KR100707107B1 (ko) * 1997-07-17 2007-12-27 동경 엘렉트론 주식회사 세정.건조처리방법및장치
US5884640A (en) * 1997-08-07 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for drying substrates
DE69833847T2 (de) * 1997-09-24 2006-12-28 Interuniversitair Micro-Electronica Centrum Vzw Verfahren zum Entfernen von Teilchen und Flüssigkeit von der Oberfläche eines Substrats
US5807439A (en) * 1997-09-29 1998-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for improved washing and drying of semiconductor wafers
JP3043709B2 (ja) 1997-11-19 2000-05-22 株式会社カイジョー 基板の乾燥装置
JPH11176798A (ja) * 1997-12-08 1999-07-02 Toshiba Corp 基板洗浄・乾燥装置及び方法
CN1107970C (zh) * 1997-12-10 2003-05-07 Cfmt公司 电子元件制造用的湿法处理方法
DE19800949A1 (de) * 1998-01-13 1999-07-15 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen eines Gegenstandes
DE19800951A1 (de) * 1998-01-13 1999-07-15 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zur Naßbehandlung von Substraten
DE19802579A1 (de) * 1998-01-23 1999-07-29 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Behandlung von Substraten
SG81975A1 (en) 1998-04-14 2001-07-24 Kaijo Kk Method and apparatus for drying washed objects
US6047717A (en) * 1998-04-29 2000-04-11 Scd Mountain View, Inc. Mandrel device and method for hard disks
US6273100B1 (en) 1998-08-27 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Surface cleaning apparatus and method
US6216709B1 (en) 1998-09-04 2001-04-17 Komag, Inc. Method for drying a substrate
US6571806B2 (en) 1998-09-04 2003-06-03 Komag, Inc. Method for drying a substrate
DE19859468C2 (de) * 1998-12-22 2002-01-17 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln und Handhaben von Substraten
US6328814B1 (en) 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates
US6495215B1 (en) 1999-05-26 2002-12-17 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for processing substrate
DE19924302A1 (de) * 1999-05-27 2000-12-07 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Trocknen von Substraten
US6192600B1 (en) * 1999-09-09 2001-02-27 Semitool, Inc. Thermocapillary dryer
US6355111B1 (en) 1999-11-24 2002-03-12 International Business Machines Corporation Method for removing contaminants from a workpiece using a chemically reactive additive
DE19960241A1 (de) * 1999-12-14 2001-07-05 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten
US6293616B1 (en) * 2000-01-10 2001-09-25 Ford Global Technologies, Inc. Modular rail for roof and windshield
JP2001291698A (ja) * 2000-04-10 2001-10-19 Nec Corp 処理装置および処理方法
US7364625B2 (en) * 2000-05-30 2008-04-29 Fsi International, Inc. Rinsing processes and equipment
EP1168422B1 (en) * 2000-06-27 2009-12-16 Imec Method and apparatus for liquid-treating and drying a substrate
US6508014B2 (en) 2001-02-16 2003-01-21 International Business Machines Corporation Method of drying substrates
DE10122669A1 (de) * 2001-05-10 2002-12-12 Mattson Wet Products Gmbh Vorrichtung zum Nassreinigen von scheibenförmigen Substraten
JP4296090B2 (ja) * 2001-11-02 2009-07-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 枚葉式のウエハ乾燥装置及び乾燥方法
US7513062B2 (en) * 2001-11-02 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
US20030136429A1 (en) * 2002-01-22 2003-07-24 Semitool, Inc. Vapor cleaning and liquid rinsing process vessel
DE10215283B4 (de) * 2002-04-05 2004-06-03 Astec Halbleitertechnologie Gmbh Vorrichtung zur Aufnahme von Substraten
US20040031167A1 (en) 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
KR100480606B1 (ko) * 2002-08-01 2005-04-06 삼성전자주식회사 아이피에이 증기 건조 방식을 이용한 반도체 웨이퍼 건조장치
US6875289B2 (en) * 2002-09-13 2005-04-05 Fsi International, Inc. Semiconductor wafer cleaning systems and methods
US20040129297A1 (en) * 2003-01-03 2004-07-08 Settlemyer Kenneth T. Method and system for reducing effects of halfpitch wafer spacing during wet processes
KR20050015411A (ko) * 2003-08-05 2005-02-21 삼성전자주식회사 세정 장치 및 이를 이용한 세정 방법
US6977215B2 (en) * 2003-10-28 2005-12-20 Nec Electronics America, Inc. Tungsten plug corrosion prevention method using gas sparged water
DE10359320A1 (de) * 2003-12-17 2005-07-21 Scp Germany Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Trocknen von Substraten
JP2006080420A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Ses Co Ltd 基板処理法及び基板処理装置
DE102004058386B4 (de) * 2004-12-03 2007-06-21 Alfing Montagetechnik Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Unterkühlen von Montageteilen
DE102004060980A1 (de) * 2004-12-17 2006-07-06 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zur Trocknung von Substraten
US8070884B2 (en) * 2005-04-01 2011-12-06 Fsi International, Inc. Methods for rinsing microelectronic substrates utilizing cool rinse fluid within a gas enviroment including a drying enhancement substance
TWI364524B (en) * 2005-05-13 2012-05-21 Lam Res Ag Method for drying a surface
JP4553939B2 (ja) * 2005-06-28 2010-09-29 カナン精機株式会社 表面改質された部材、表面処理方法および表面処理装置
US8635784B2 (en) 2005-10-04 2014-01-28 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for drying a substrate
US8388762B2 (en) * 2007-05-02 2013-03-05 Lam Research Corporation Substrate cleaning technique employing multi-phase solution
US20110195579A1 (en) * 2010-02-11 2011-08-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Scribe-line draining during wet-bench etch and clean processes
US9508582B2 (en) 2011-06-03 2016-11-29 Tel Nexx, Inc. Parallel single substrate marangoni module
US9396912B2 (en) * 2011-10-31 2016-07-19 Lam Research Corporation Methods for mixed acid cleaning of showerhead electrodes
DE102013102545A1 (de) 2012-04-27 2013-10-31 Awt Advanced Wet Technologies Gmbh Verfahren zum Behandeln von zumindest einem Substrat in einem flüssigen Medium
DE102014207266A1 (de) 2014-04-15 2015-10-15 Siltronic Ag Verfahren zum Trocknen von scheibenförmigen Substraten undScheibenhalter zur Durchführung des Verfahrens
JP6489524B2 (ja) * 2015-08-18 2019-03-27 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP7241568B2 (ja) * 2019-03-04 2023-03-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP7281925B2 (ja) * 2019-03-07 2023-05-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
CN110544654B (zh) * 2019-08-27 2022-04-15 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种硅片处理装置和处理方法
EP3840021B1 (en) 2019-12-18 2022-10-19 Siltronic AG Improved device for drying semiconductor substrates
EP3840022B1 (en) 2019-12-18 2022-10-05 Siltronic AG Improved device for drying semiconductor substrates
EP3840023B1 (en) 2019-12-18 2022-10-19 Siltronic AG Improved device for drying semiconductor substrates

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4463774A (en) * 1983-01-28 1984-08-07 The Boeing Company Fuselage-mounted valve for condensate drainage and cabin-air pressurization
JPS60223130A (ja) * 1984-04-19 1985-11-07 Sharp Corp 基板の洗滌乾燥方法及びその装置
JPH0673352B2 (ja) * 1984-05-18 1994-09-14 松下電器産業株式会社 高圧ジェット洗浄方法
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
US4633893A (en) * 1984-05-21 1987-01-06 Cfm Technologies Limited Partnership Apparatus for treating semiconductor wafers
US4778532A (en) * 1985-06-24 1988-10-18 Cfm Technologies Limited Partnership Process and apparatus for treating wafers with process fluids
US4577650A (en) * 1984-05-21 1986-03-25 Mcconnell Christopher F Vessel and system for treating wafers with fluids
JPS6263422A (ja) * 1985-09-13 1987-03-20 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコンウエ−ハ処理用治具
US4746397A (en) * 1986-01-17 1988-05-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Treatment method for plate-shaped substrate
US4722752A (en) * 1986-06-16 1988-02-02 Robert F. Orr Apparatus and method for rinsing and drying silicon wafers
JPH0789547B2 (ja) * 1986-07-02 1995-09-27 松下電器産業株式会社 乾燥方法
JPS6315048U (zh) * 1986-07-16 1988-02-01
JPS6327576A (ja) * 1986-07-22 1988-02-05 Toshiba Ceramics Co Ltd 研磨プレ−ト用接着剤
NL8601939A (nl) * 1986-07-28 1988-02-16 Philips Nv Werkwijze voor het verwijderen van ongewenste deeltjes van een oppervlak van een substraat.
JPS6356921A (ja) * 1986-08-28 1988-03-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の処理方法
JPH0695514B2 (ja) * 1986-12-25 1994-11-24 株式会社トクヤマ 乾燥方法
JPS63182818A (ja) * 1987-01-26 1988-07-28 Hitachi Ltd 乾燥装置
US5105556A (en) * 1987-08-12 1992-04-21 Hitachi, Ltd. Vapor washing process and apparatus
US4828751A (en) * 1987-08-28 1989-05-09 Pcr, Inc. Solvent composition for cleaning silicon wafers
US4902350A (en) * 1987-09-09 1990-02-20 Robert F. Orr Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers
US5129955A (en) * 1989-01-11 1992-07-14 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Wafer cleaning method
NL8900480A (nl) * 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.

Also Published As

Publication number Publication date
NL8900480A (nl) 1990-09-17
EP0385536A1 (en) 1990-09-05
CN1045539A (zh) 1990-09-26
US6170495B1 (en) 2001-01-09
DE69012373T2 (de) 1995-04-20
US6533872B1 (en) 2003-03-18
JPH02291128A (ja) 1990-11-30
KR0173449B1 (ko) 1999-04-01
EP0385536B1 (en) 1994-09-14
KR900013597A (ko) 1990-09-06
US6012472A (en) 2000-01-11
DE69012373D1 (de) 1994-10-20
US6139645A (en) 2000-10-31
JP3009699B2 (ja) 2000-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1023450C (zh) 对经液体处理后的基片进行清洁干燥的方法和装置
KR102031814B1 (ko) 기판의 표면을 처리하기 위한 조성물, 방법 및 장치
CN1279586C (zh) 制造半导体器件的方法和用于清洗衬底的设备
KR960013142B1 (ko) 기판 표면의 바람직하지 않은 입자 제거 방법
US5823210A (en) Cleaning method and cleaning apparatus
CN1135604C (zh) 半导体器件清洗装置和清洗半导体器件的方法
CN1776531A (zh) 湿浸式光刻系统中用于清洗半导体衬底的方法和设备
US8828144B2 (en) Process for cleaning wafers
US20030192570A1 (en) Method and apparatus for wafer cleaning
CN1708362A (zh) 光致抗蚀剂去除用超临界二氧化碳/化学制剂
CN1934221A (zh) 用于从离子注入的图案化光致抗蚀剂晶片去除底部抗反射涂层的组合物
EP0496899A1 (en) Method for cleaning
US9228120B2 (en) Liquid chemical for forming protecting film
CN1708572A (zh) 用于去除灰化和未灰化铝蚀刻后残留物的超临界二氧化碳化学制剂
CN1250226A (zh) 制造半导体器件的方法
CN1902297A (zh) 采用超临界流体/化学制剂去除mems牺牲层
CN104091771A (zh) 增强的晶片清洗方法
EP0273628A1 (en) Process for production of semiconductor devices
CN1628000A (zh) 清洁微电子结构的方法
US6401353B2 (en) Substrate dryer
CN1638882A (zh) 基片毛细干燥法
CN1226998A (zh) 用于半导体衬底的清洗水溶液
CN1402311A (zh) 清洗具有接触孔或介层洞的芯片清洗装置与方法
KR0155305B1 (ko) 웨이퍼 건조방법
JPH056884A (ja) シリコンウエハーの洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C53 Correction of patent of invention or patent application
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: PATENTEE; FROM: N.V. PHILIPS OPTICAL LAMP MANUFACTURING COMPANY TO: N.V. PHILIPS OPTICALLAMP LTD., CO.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Patentee after: Philips Electronics N. V.

Patentee before: N.V. Philips' Gloeipenfabrieken

C53 Correction of patent of invention or patent application
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: PATENTEE; FROM: N.V. PHILIPS OPTICAL LAMP LTD., CO. TO: ROYAL PHILIPS ELECTRONICS CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Patentee after: Koninklike Philips Electronics N. V.

Patentee before: Philips Electronics N. V.

C15 Extension of patent right duration from 15 to 20 years for appl. with date before 31.12.1992 and still valid on 11.12.2001 (patent law change 1993)
OR01 Other related matters
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: NXP CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: ROYAL PHILIPS ELECTRONICS CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Holland Ian Deho Finn

Patentee after: Koninkl Philips Electronics NV

Address before: Holland Ian Deho Finn

Patentee before: Koninklike Philips Electronics N. V.

C17 Cessation of patent right
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 19940112