CN102187461A - 具有嵌入的芯片驱动部的显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示装置包括：基板；一个或更多个像素，其被设置在所述基板上，每一个像素包括控制电极；布线层，其位于所述基板上，该布线层中形成有连续线和非连续贯通线。该有源矩阵装置包括至少一个小芯片，该至少一个小芯片位于所述基板上并包括第一连接垫、第二连接垫、第三连接垫以及控制连接垫，该控制连接垫包括：控制线，其将所述控制连接垫电连接到所述控制电极；所述非连接贯通线的第一端，其连接到所述第一连接垫；以及所述非连续贯通线的第二端，其连接到所述第二连接垫；电路，其将所述第一连接垫与所述第二连接垫电连接；以及所述连续线，其电连接到所述第三连接垫，其中，所述连续线延伸至所述小芯片的相对的边。
Description
技术领域
本发明涉及具有基板的显示装置，该基板具有分布式的独立控制元件，具体地说，本发明涉及这些控制元件在基板上的最优排列。
背景技术
平板显示装置广泛地在便携式装置中与计算装置一起被使用，并且用于诸如电视机的娱乐装置。这样的显示器通常采用在基板上分布的多个像素，以显示图像。各像素包含被统称为子像素的多个不同颜色的发光元件，这些发光元件通常发出红光、绿光和蓝光，以表示各个图像元素。已知各种平板显示技术，例如，等离子体显示器、液晶显示器和发光二极管显示器。有源矩阵元件不必限于显示器，并且可以分布在基板上，并被用于需要空间分布式控制的其它应用中。
包含形成发光元件的发光材料的薄膜的发光二极管(LED)在平板显示装置中具有很多优点，并且在光学系统中是有用的。2002年5月7日授权给Tang等人的美国专利No.6,384,529示出了包括有机LED发光元件的阵列的有机LED彩色显示器。另选地，可以采用无机材料，并且这些无机材料可以包括多晶半导体矩阵形式的磷光晶体(phosphorescent crystal)或量子点(quantum dot)。还可以采用有机材料或无机材料的其它薄膜，以控制对发光薄膜材料的电荷注入、传输或阻断(blocking)，并且有机材料或无机材料的其它薄膜是本领域中公知的。这些材料被设置在电极之间的基板上并具有封装覆盖层或板。当电流经过发光材料时，从像素发出光。所发出的光的频率取决于所使用的材料的性质。在这种显示器中，光可通过基板(底部发射器)或通过封装覆盖物(顶部发射器)或者这两者被发出。
LED装置可以包括经构图的发光层，其中，不同的材料被用在该图案中，以在电流经过这些材料时发出不同颜色的光。另选地，可以采用单个发射层(例如，白光发射器)与滤色器一起用于形成全彩色显示器，如Cok的名为“Stacked OLED Display having Improved Efficiency”的美国专利6,987,355中所教导的。还公知的是，采用不包括滤色器的白色子像素，例如Cok等人的名为“Color OLED Display with Improved Power Efficiency”的美国专利6,919,681中所教导的。已经提出了采用未经构图的白色发射器以及四色像素的设计(该四色像素包括红色、绿色和蓝色滤色器和子像素以及未经滤色的白色子像素)，以提高该LED装置的效率(参见例如2007年6月12日授权给Miller等人的美国专利7,230,594)。
通常已经知道用于控制平板显示装置中的像素的两种不同的方法：有源矩阵控制和无源矩阵控制。在有源矩阵装置中，控制元件分布在平板基板上。通常，每一个子像素由一个控制元件来控制，并且每一个控制元件包括至少一个晶体管。例如，在简单的有源矩阵有机发光(OLED)显示器中，每一个控制元件包括两个晶体管(选择晶体管和电力(power)晶体管)以及用于存储指定子像素的亮度的电荷的一个电容器。各个发光元件通常采用独立的控制电极和公共电极。
现有技术的有源矩阵控制元件通常包括通过光刻工艺形成为晶体管和电容器的诸如硅的薄膜半导体材料。该薄膜硅可以是非晶硅或者多晶硅。由非晶硅或多晶硅制成的薄膜晶体管相对较大，并具有比由晶体硅晶片制成的常规的晶体管低的性能。而且，这些薄膜器件通常展示出局部或大面积的非均匀性，这导致采用这些材料的显示器中的可觉察的非均匀性。虽然在制造和材料工艺方面得到提高，但是制造工艺昂贵，并且薄膜器件的性能持续地比晶体硅器件的性能低。
Matsumura等人在美国专利申请2006/0055864中描述了与LCD显示器一起使用的晶体硅基板的一种现有技术的说明。该申请描述了一种用于将由第一半导体基板制成的像素控制装置选择性地转移和固定在第二平面显示基板上的方法。示出了像素控制装置中的布线互连以及从总线(buss)和控制电极到该像素控制装置的连接。但是，没有关于使显示器的孔径比最优的教导，也没有关于使这些像素控制装置与显示装置协作的成本最小化的教导。
因此，仍然存在针对用于控制有源矩阵装置中的发光元件或光响应元件的改进方法的需要，具体地说，存在针对发光显示器的改进方法的需要。
发明内容
在本发明的一个实施方式中通过一种显示装置满足了该需要，该显示装置包括：
a)基板；
b)一个或更多个像素，其被设置在所述基板上，每一个像素包括控制电极；
c)布线层，其位于所述基板上，该布线层中形成有连续线和非连续贯通(pass-thru)线；以及
d)至少一个小芯片(chiplet)，其位于所述基板上并包括第一连接垫、第二连接垫、第三连接垫以及控制连接垫，该控制连接垫包括：
i)控制线，其将所述控制连接垫电连接到所述控制电极；
ii)所述非连续贯通线的第一端，其连接到所述第一连接垫；以及所述非连续贯通线的第二端，其连接到所述第二连接垫；
iii)电路，其将所述第一连接垫与所述第二连接垫电连接；以及
iv)所述连续线，其电连接到所述第三连接垫，其中，该连续线延伸至所述小芯片的相对的边。
优点
本发明具有的优点在于其改进了平板基板中的控制元件的性能、降低了成本，并且增大了面板孔径比。
附图说明
图1A是根据本发明的实施方式的具有控制元件的基板的一部分的平面图；
图1B是根据本发明的实施方式的具有图1A所示的控制元件的基板的一部分的截面图；
图2是根据本发明的另选实施方式的具有控制元件的基板的一部分的平面图；
图3是相对于图1A具有一个另选的布局的控制元件的平面图；以及
图4是相对于图1A具有第二另选的布局的控制元件的平面图。
具体实施方式
参照图1A的平面图和图1B的沿图1A的线A截取的截面图，根据本发明的实施方式，有源矩阵装置包括基板10和设置在基板10上的一个或更多个像素50。各个像素50包括控制电极51。布线层20位于基板10上并且基本上与基板10平行，布线层20中形成有连续线26、28和非连续贯通线22、23。控制电极51可以在布线层20中，或者另选地，控制电极51可以在与布线层20分开的层中。
至少一个小芯片40位于基板10上，并包括电路42、44、第一连接垫30、第二连接垫32、第三连接垫36、38以及控制连接垫34。控制线24将控制连接垫34电连接到像素50的控制电极51。非连续贯通线22、23的一端22A、23A连接到第一连接垫30，并且非连续贯通线22、23的第二端22B、23B连接到第二连接垫32。电路42、44将第一连接垫30与第二连接垫32电连接。连续线26、28电连接到第三连接垫36、38，其中，连续线延伸至小芯片40的相对的长边40A、40B。连续线26、28和贯通线22、23可以用作电力总线或控制信号，例如，电力总线和接地(ground)总线或者数据信号和选择信号。
如本文所使用的，像素是基板上的任意发光元件或光响应元件。例如，在本发明的一个实施方式中，如本文所意指的，发出任意颜色的光并形成在基板上的单个有机发光二极管元件或无机发光二极管元件是像素。术语“像素”、“子像素”或发光元件或光响应元件都是指如本文所使用的像素。可以在显示器中找到这些发光像素的阵列。在本发明的另选的实施方式中，光响应元件(例如，光敏二极管或光敏晶体管)可以是像素。在图像传感器或太阳能电池中可以找到这些光敏像素的阵列。像素通常包括形成在发光材料或光响应材料的任意一面上的一对电极。在一些实施方式(例如，显示器)中，在第二控制电极51仅形成在各个像素50的有源区域上的同时，一个电极被公共地电连接且在基板的有源区域上未经构图。
布线层20基本上与基板10平行。基本上平行意味着布线层20与基板10之间的距离可以在基板区域上有些变化，但是布线层20与基板10之间的平均距离在尺寸方面对于一个或多个像素的区域是均匀的。贯通线(例如，22、23)被描述为非连续的。如本文所意指的，贯通线在布线层20中是物理非连续的，即，它们形成一系列线段。但是，由于布线层20中的贯通线段通过小芯片40中的连接垫30、32和电路44电连接，所以布线层20中的贯通线段是电连续的。
如本文所意指的，有源矩阵装置是这样的装置：其包括多个分布式控制元件，例如，形成在基板上的薄膜控制电路的阵列，其中，各个控制电路响应于控制信号和电力总线来控制发光元件。但是，根据本发明，分布式控制元件是小芯片。小芯片与基板10相比是相对较小的集成电路，并且包括一个电路，该电路包括形成在独立的基板上的布线、连接垫、无源组件(例如，电阻器或电容器)，或有源组件(例如，晶体管或二极管)。小芯片与显示基板分开制造，并且接着应用到显示基板。优选地利用用于制造半导体器件的公知工艺来使用硅或绝缘体上硅(SOI)制造小芯片。接着，各个小芯片在附接到显示基板之前被分开。因此，各个小芯片的晶体基底(base)可以被认为是与装置的基板分开、并且其上面设置有小芯片的电路的基板。因此，多个小芯片40具有与装置的基板10分开并且彼此分开的对应多个基板。具体地说，独立基板与上面形成有像素的基板10分开，并且独立的多个小芯片基板合起来的面积比装置的基板10的面积小。小芯片可以具有晶体基板，以提供比例如在薄膜非晶或多晶硅器件中所发现的更高性能的有源组件。小芯片可以优选地具有100um或更小的厚度，更优选地为20um或更小。这利于在小芯片上形成粘合和平坦化材料12，接着可以利用常规的旋涂(spin-coating)技术来涂敷该粘合和平坦化材料12。根据本发明的一个实施方式，形成在晶体硅基板上的小芯片被设置为几何阵列并且利用粘合和平坦化材料12粘接到基板(例如，10)。小芯片40的表面上的连接垫30、32、34、36、38被用于利用贯通线22、23和连续线26、28将各个小芯片40连接到控制信号和电力总线，并且通过在基板10上形成的控制线布线24来驱动像素50。小芯片40可以控制一个、多个或者许多个像素50。但是，优选的是，各个小芯片40控制至少两个像素50。
由于小芯片40形成在半导体基板中，所以可以使用现代光刻工具来形成小芯片的电路。利用这些工具，0.5微米或更小的特征尺寸是容易获得的。例如，现代半导体制造线可以实现90nm或45nm的线宽度，并且可以用于制作本发明的小芯片。因此，小芯片的用于驱动像素的电路(诸如，各个像素的两个晶体管)可以被制造得很小。但是，小芯片还需要连接垫，用于在组装到显示基板上时电连接到设置在小芯片上的布线层。连接垫必须基于显示基板上使用的光刻工具的特征尺寸(例如，5um)以及小芯片对于布线层的对准(例如，+/-5um)来调节尺寸。因此，连接垫可以是例如15um宽，并且连接垫之间的间隔为5um。这意味着连接垫通常将明显比形成在小芯片中的晶体管电路大。
这些连接垫通常可以形成在小芯片上的在晶体管上方的金属化层中。期望使小芯片具有尽可能小的表面面积，以实现低的制造成本。因此，通常，是连接垫的尺寸和数目而不是晶体管的尺寸和数目限制了小芯片的尺寸。
当通过连接垫30、32、34、36和38的尺寸和数目来限制小芯片40的尺寸时，本发明是尤其有益的。当在这种情况下时，在不减少连接垫的数目、不减小连接垫的尺寸、或者不减少限制连接垫的间隔的设计规则的情况下，无法减小小芯片40的尺寸。例如，如图1A和图1B所示，减少电路42、44不能减小小芯片40的尺寸。
当针对连接到第一连接垫30、第二连接垫32和第三连接垫36、38的贯通线22、23和连续线26、28设置单个布线层20时，本发明也是有益的。通过设置单个布线层，例如，减少了用于对贯通线22、23和连续线26、28进行构图的光刻步骤，并且也降低了成本。针对多个布线层使用多层金属增加了构图成本，并且需要形成通孔(via)。本发明对于对同一布线层20中的控制线24和控制电极51进行构图也是有用的，但不是必须的。
本发明对于使小芯片40的厚度最小化也是有用的。小芯片40通常利用粘合剂固定到基板10并且被平坦化层12覆盖(overcoat)。平坦化层用于使小芯片的边缘处的器件的表面状况(topography)平滑。如果小芯片的边缘处的台阶高度太大或太尖锐，则布线层可能不以连续的方式形成，导致了开路缺陷。但是，有用的平坦化层12的厚度可以被它们的粘性和沉积技术(例如，旋涂或喷涂)所限制，由此限制小芯片40的厚度或者对小芯片40的后续处理。如果平坦化层12太薄，则布线层中的布线(例如，贯通线22、23和连续线26、28)可以直接短路到一起，或者通过小芯片40本身间接地短路。有用的小芯片40的厚度是20微米或更小，以使得市场上可获得的材料(例如，苯并环丁烯)能够有效地粘合小芯片40、封装小芯片40以及使小芯片40平坦化。通孔16可以形成在平坦化粘合剂中，以实现布线层20中的连接垫30、32、34、36、38与贯通线22、23、控制线24和连续线26、28之间的电连接。
按照在小芯片40和基板10这两者上形成的优选的设置示出布线层20。该设置便于在布线层20与小芯片40之间形成高质量的电连接。在一个实施方式中，该单个布线层用于在水平(行)方向和竖直(列)方向提供所有需要的贯通线22、23、控制线24和连续线26、28。这样，不需要多个布线层，并且降低了生产显示装置的成本。另选地，布线层20可以位于小芯片40与基板10之间。这些实施方式在形成例如顶部发射显示装置或底部发射显示装置时是有用的。
在本发明的一个方便的实施方式中，在基板10上按照规则的矩形阵列形成像素50。贯通线22、23可以与连续线26、28正交。小芯片40可以具有高的纵横比(aspect ratio)，即，相邻的边具有非常不同的长度。在这些高纵横比的实施方式中，小芯片40是矩形的并具有分别限定长维度(dimension)和短维度的两条相对的较长的边40A和40B以及两条相应的相对的较短的边40C和40D。在本发明的一个实施方式中，如图1A和图1B所例示，非连续贯通线22、23可以与小芯片40的长维度对准(即，长边和非连续贯通线22、23在同一维度中具有最大长度)。而且，如图1A和图1B所例示，连续线26、28可以与小芯片40的短维度对准(即，短边和连续线26、28在同一维度中具有最大长度)。而且，如图1A和图1B所例示，小芯片40可以定位在基板10上，使得第三连接垫36、38更靠近小芯片40的中心而不是更靠近短边，第三连接垫38在短维度或者长维度中位于小芯片40的中心，或者第三连接垫38在短维度和长维度这二者中位于小芯片40的中心(图2)。在这二者中的任一情况下，控制连接垫34可以在第一连接垫30与第三连接垫38之间，或者在第二连接垫32与第三连接垫38之间。
在该实施方式中，通过电路44(例如，小芯片40中的布线或金属层)来维持第一连接垫30与第二连接垫32之间的电连接，由此维持贯通线22、23的电连续性。为了简化贯通线的布局，第一连接垫30可以与任意其它连接垫(例如，34、36、38)一样靠近一条短边40C，或者比任意其它连接垫(例如，34、36、38)更靠近一条短边40C，并且第二连接垫32可以与任意其它连接垫(例如，34、36、38)一样靠近另一条短边40D，或者比任意其它连接垫(如，34、36、38)更靠近另一条短边40D(如图1A和图1B所例示)。
不同数目的线可以用于本发明的装置中。如图1A和图1B所例示，采用两条贯通线22、23和三条连续线26、28，例如提供选择信号和数据信号以及电力连接，如在常规的薄膜有源矩阵电路中所看到的。但是，可以采用大于零的任意数目的非连续线或者连续线。在本发明的一个有用的实施方式中，非连续线的数目等于连续线的数目。这种设置可以提供经改进的寻址能力。另选地，贯通线的数目可以小于或等于连续线的数目。当如上所讨论的，连接垫的数目、尺寸和间隔限制了小芯片的尺寸时，这种设置可以使小芯片的尺寸最小化。尤其有用的是，采用多条连续线中的一条连续线作为电力总线，以降低通过连接垫的电压降或小芯片内的电压降，由此提高装置的电力分配均匀性。电力总线是在显示器工作期间从外部电源向发光元件提供电流源的线。这样，电力总线必须能够高效地传送比其它类型的线相对大量的电流。其它(多个)连续信号线可以承载数据控制信号，而贯通线可以承载选择控制信号，或者，另选地，连续线可以承载选择控制信号，而贯通线可以承载数据控制信号。选择控制信号线是激活一行像素的线，而数据控制信号线是承载像素的亮度信息的线。因此，按照正交方向设置选择控制信号线和数据控制信号线。使用贯通线的设置在小芯片中采用金属连接，以实现该正交设置，同时避免需要多个布线层。为了有助于鲁棒的(robust)构架，线(尤其是连续线)可以具有多个或更大的连接垫(例如，连接垫36、38可以更大或者在图1A中的连接垫行中被复制)。
如图1A和图1B所例示，小芯片40在短维度中仅具有两个连接垫，而在长维度中形成两行连接垫。在图2所示的另选的实施方式中，小芯片可以在短维度中仅具有一个连接垫，而在长维度中形成一行连接垫(图2在图的底部示出了第二个这种小芯片的一部分)。在另选的实施方式中，单个行可以具有更多个控制连接垫，例如，九个连接垫，其中四个控制连接垫可以用于为四个像素提供连接。
本发明提供了具有经改进的性能的分布式控制装置。通过采用具有独立基板(例如，包括晶体硅)(该独立基板具有的电路的性能比直接形成在基板(例如，非晶硅或多晶硅)上的电路的性能高)的小芯片，提供了具有更高的性能的装置。由于多晶硅不仅具有更高的性能，还具有小得多的有源元件(例如，晶体管)，所以大大减小了电路的尺寸，使得通过对装置进行控制或者供电所需的连接垫的数目和间隔来确定小芯片的尺寸。也可以利用微机电(MEMS)结构来形成有用的小芯片，例如，如Yoon、Lee、Yang和Jang的“A novel use of MEMs switches in driving AMOLED”(Digest of Technical Papers of the Society for Information Display，2008年，3.4，第13页)中所描述的。
根据本发明，通过提供按照正交方向通过小芯片和连续线安排路线的非连续贯通线，减小了小芯片的尺寸，降低了小芯片的成本，还降低了布线的复杂程度。而且，可以提高装置的孔径比，提高效率并延长使用期限。通过实现具有单个布线层的装置，进一步降低了成本。
下表例示了本发明与现有技术中提出的另选的方案相比的优点。计算假设连接垫的尺寸为4(按照任意单位)、间隔为1。设计A(本发明)采用了三条连续线(例如，一条电力总线和两条数据控制信号线)、两条贯通线(例如，选择控制信号线)和四条控制线，如图1A所示(具有11个连接垫)。应当注意，在不改变小芯片的尺寸的情况下，用于连续线36、38的连接垫可以更大。如在现有技术中提出的，设计B采用位于小芯片的周边的连接垫(图3)，并且没有假设任何连续线。设计C(图4)使用与设计B不同的纵横比。利用这些参数，针对各维度：
式1：总的垫宽度＝垫的数目×4
式2：总间隔宽度＝垫的数目+1
式3：总宽度＝总的垫宽度+总间隔宽度
式4：总面积＝总宽度(长维度)×总宽度(短维度)
表1：示例1
在第二示例中，将采用两条连续线(例如，一条电力总线和一条数据线)、两条贯通线(例如，选择线)和四条控制线(10个连接垫)的设计与示例1的类似的另选设计进行比较。
表2：示例2
在第三示例中，将图2的本发明的设计与前两个示例的类似的另选设计进行比较。
表3：示例3
如从表中可以看到的，如本发明所要求保护的采用贯通线与连续线的组合的设计为小芯片提供了经减小的面积。而且，线的线路安排在一些实施方式中经常被简化，提高了装置(例如，底部发射器)的孔径比。通过使用贯通连接垫仅最靠近小芯片的长维度中的端部的高纵横比的设计，进一步优化了布局效率并且降低了成本。
基板10可以包括在利用现有技术中公知的光刻技术进行构图的平坦化层(例如，树脂)上形成的玻璃和由蒸发金属或喷溅金属(例如，铝或银)制成的布线层。可以使用集成电路工业中已经确立的常规技术来形成小芯片40。
在一个发光实施方式中，本发明可以如下工作。小芯片40的有源矩阵控制元件包含电路(例如，42、44)，该电路包括：电荷存储元件(例如，电容器)；有源元件(例如，晶体管)，其响应于针对电荷存储元件中的电荷沉积的信号；电力总线；以及驱动元件，其用于控制来自电力总线的电流或电压。驱动元件(例如，电力晶体管)响应于电荷存储元件，以通过控制线来驱动电流。这些电路在本领域中公知用来例如驱动有机发光二极管或无机发光二极管装置。参照图1A，线22、23、26(例如，数据控制信号线和选择控制信号线)设置有信号，以将电荷沉积在电荷存储元件中。驱动晶体管响应于该电荷存储元件，以通过控制线24将电流驱动到控制电极51和像素50。有用的信号和控制方法在本领域中是公知的。这种操作在例如有机LED显示装置或无机LED显示装置中是有用的。
在另选的光响应实施方式中，本发明可以如下工作。像素可以包括光敏二极管或晶体管。小芯片40的有源矩阵控制元件包含连接到控制信号和电力总线的电路。当该像素的光敏二极管或晶体管暴露于光时，电流经过多条线至小芯片40，并且可以被存储在电荷存储元件(例如，电容器)中。接着，电荷可以通过多条线被转移到外部控制器。有用的信号和控制方法在本领域中是公知的。这种操作在例如大面积图像感测应用中是有用的。
本发明可以用在需要有源矩阵基础架构的装置中。当增大孔径比、改进有源矩阵的性能以及降低成本很重要时，本发明提供了多个优点。具体地说，本发明可以与有机有源矩阵LED装置或无机有源矩阵LED装置一起实施，并且在信息显示装置中尤其有用。在优选的实施方式中，本发明用在由小分子或聚合OLED组成的平板OLED装置中，如1988年9月6日授权给Tang等人的美国专利No.4,769,292和1991年10月29日授权给VanSlyke等人的美国专利No.5,061,569中所公开的，但并不限于这些。可以采用无机装置，该无机装置例如采用在多晶半导体基中形成的量子点(例如，如在Kahen的美国公开2007/0057263中所教导的)并采用有机电荷控制层或无机电荷控制层，或者可以采用混合的有机/无机装置。有机发光显示器或无机发光显示器的许多组合和变型可以用于制造这种装置，该装置包括具有顶部发射器构造或底部发射器构造的有源矩阵显示器。
部件列表
A：横截面线
10：基板
12：粘合和平坦化层
16：通孔
20：布线层
22：贯通线
23：贯通线
22A：端部
22B：端部
23A：端部
23B：端部
24：控制线
26：连续线
28：连续线
30：第一连接垫
32：第二连接垫
34：控制连接垫
36：第三连接垫
38：第三连接垫
40：小芯片
40A：长边
40B：长边
40C：短边
40D：短边
42：电路
44：电路
50：像素
51：控制电极
Claims (20)
1.一种显示装置，该显示装置包括：
a)基板；
b)一个或更多个像素，其被设置在所述基板上，每一个像素包括控制电极；
c)布线层，其位于所述基板上，该布线层中形成有连续线和非连续贯通线；以及
d)至少一个小芯片，其位于所述基板上并包括第一连接垫、第二连接垫、第三连接垫以及控制连接垫，该控制连接垫包括：
i)控制线，其将所述控制连接垫电连接到所述控制电极；
ii)所述非连接贯通线的第一端，其连接到所述第一连接垫；以及所述非连续贯通线的第二端，其连接到所述第二连接垫；
iii)电路，其将所述第一连接垫与所述第二连接垫电连接；以及
iv)所述连续线，其电连接到所述第三连接垫，其中，所述连续线延伸至所述小芯片的相对的边。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，通过所述连接垫的尺寸和数目来限制所述小芯片的尺寸。
3.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，该有源矩阵装置还包括用于信号和电力分配的总线线路，并且其中，所有所述总线线路被形成在所述布线层内。
4.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，所述小芯片具有比20微米小的厚度。
5.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，所述小芯片是矩形的并具有分别限定长维度和短维度的两条相对的较长的边以及两条相对的较短的边，并且其中，所述贯通线与所述小芯片的所述长维度对准。
6.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，所述小芯片是矩形的并具有两条相对的较长的边以及两条相对的较短的边，并且其中，所述小芯片定位在所述基板上，使得所述第一连接垫与任意其它连接垫一样靠近一条短边，或者比任意其它连接垫更靠近一条短边，并且所述第二连接垫可以与任意其它连接垫一样靠近另一条短边，或者比任意其它连接垫更靠近另一条短边。
7.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，所述小芯片是矩形的并具有分别限定长维度和短维度的两条相对的较长的边以及两条相对的较短的边，并且所述小芯片定位在所述基板上，使得所述连续线与所述小芯片的所述短维度对准。
8.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，所述小芯片是矩形的并具有分别限定长维度和短维度的两条相对的较长的边以及两条相对的较短的边，其中，所述小芯片定位在所述基板上，使得所述第三连接垫更靠近所述小芯片的中心而不是更靠近所述短边，所述第三连接垫在所述短维度或者所述长维度中位于所述小芯片的中心，或者所述第三连接垫在所述短维度和长维度这两者中位于所述小芯片的中心。
9.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，贯通线的数目小于或等于连续线的数目。
10.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，所述小芯片是矩形的并具有分别限定长维度和短维度的两条相对的较长的边以及两条相对的较短的边，并且其中，所述小芯片在所述短维度中仅具有两个连接垫，而在所述长维度中形成两行连接垫。
11.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，所述小芯片是矩形的并具有分别限定长维度和短维度的两条相对的较长的边以及两条相对的较短的边，并且其中，所述小芯片在所述短维度中仅具有一个连接垫，而在所述长维度中形成一行连接垫。
12.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，所述贯通线与所述连续线正交。
13.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，所述小芯片位于所述布线层与所述基板之间。
14.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，所述布线层位于所述小芯片与所述基板之间。
15.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，所述控制连接垫在所述第一连接垫与所述第三连接垫之间或者在所述第二连接垫与所述第三连接垫之间。
16.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，所述多条连续线中的一条连续线是电力线。
17.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，所述连续线承载数据信号而所述贯通线承载选择信号，或者其中，所述连续线承载选择信号而所述贯通线承载数据信号。
18.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，所述像素包括有机发光二极管或无机发光二极管、光敏二极管或光敏晶体管。
19.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，所述控制电极在所述布线层中。
20.根据权利要求1所述的有源矩阵装置，其中，所述控制电极在与所述布线层不同的层中。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |