CN102131958B - 形成微结构的方法 - Google Patents

形成微结构的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102131958B
CN102131958B CN2009801328646A CN200980132864A CN102131958B CN 102131958 B CN102131958 B CN 102131958B CN 2009801328646 A CN2009801328646 A CN 2009801328646A CN 200980132864 A CN200980132864 A CN 200980132864A CN 102131958 B CN102131958 B CN 102131958B
Authority
CN
China
Prior art keywords
textured surface
surface zone
fluid composition
zone
base material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2009801328646A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102131958A (zh
Inventor
马修·S·斯泰
米哈伊尔·L·佩库罗夫斯基
克里斯汀·E·莫兰
马修·H·弗雷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
3M Innovative Properties Co
Original Assignee
3M Innovative Properties Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 3M Innovative Properties Co filed Critical 3M Innovative Properties Co
Publication of CN102131958A publication Critical patent/CN102131958A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102131958B publication Critical patent/CN102131958B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/06—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/107—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form
    • B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
    • B32B3/30—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer formed with recesses or projections, e.g. hollows, grooves, protuberances, ribs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/52—Electrically conductive inks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/08—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1258—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by using a substrate provided with a shape pattern, e.g. grooves, banks, resist pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0094—Shielding materials being light-transmitting, e.g. transparent, translucent
    • H05K9/0096—Shielding materials being light-transmitting, e.g. transparent, translucent for television displays, e.g. plasma display panel
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28—Sensitising or activating
    • C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/153—Constructional details
    • G02F1/155—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/22—Antistatic materials or arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0284—Details of three-dimensional rigid printed circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09036—Recesses or grooves in insulating substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09827—Tapered, e.g. tapered hole, via or groove
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24612—Composite web or sheet
    • Y10T428/2462—Composite web or sheet with partial filling of valleys on outer surface

Abstract

本发明描述了制品和形成微结构的方法。所述方法包括提供具有结构化表面区域的基材，所述结构化表面区域包括一个或多个具有凹面的凹陷结构。所述结构化表面区域为基本上不含平台。所述方法包括将包含功能性材料和液体的流体组合物设置到所述结构化表面区域上。所述方法包括从所述流体组合物蒸发液体。所述功能性材料在所述凹面上聚集，使得所述结构化表面区域的其余部分基本上不含所述功能性材料。

Description

形成微结构的方法
相关专利申请
本申请要求2008年6月30日提交的美国临时申请序列号61/076,731的优先权。
技术领域
本发明涉及形成微结构的方法。
背景技术
具有导电材料网格的聚合物膜有多种商业应用。在一些应用中，希望具有肉眼不可见或几乎不可见且支承在透明聚合物基材上的导电网格。透明导电片材可应用于电阻加热窗、电磁干扰(EMI)屏蔽层、静电消散元件、天线、用于计算机显示器的触摸屏，和用于电致变色光窗的表面电极、光伏器件、电致发光器件和液晶显示器。
以上描述了具有导电结构的基材。基于光刻技术的在基材上的微米特征的图案化已导致不一致的图案化和图案尺寸的上限，特别是对于柔性基材而言。特别是对于具有小结构尺寸的大图案以及特别是对于柔性基材而言，需要以一致的方式在基材上选择性地形成微米结构而无需使用光刻。
发明内容
本发明描述了用于形成微结构的制品和方法。更具体地讲，提供了选择性地将功能性材料设置到具有结构化表面区域的基材上的方法。
在一个方面，提供了形成微结构的方法。该方法包括提供具有结构化表面区域的基材，结构化表面区域包括一个或多个具有凹面的凹陷结构。结构化表面区域为基本上不含平台。该方法包括将包含功能性材料和液体的流体组合物设置到结构化表面区域上。该方法包括从流体组合物蒸发液体并收集凹面上的功能性材料，使得结构化表面区域的其余部分基本上不含功能性材料。
在另一方面，提供了形成微结构的方法。该方法包括提供具有金属化结构化表面区域的基材，金属化结构化表面区域具有设置在结构化表面区域的表面上的金属层。金属化结构化表面区域包括一个或多个具有凹面的凹陷结构。金属化结构化表面区域为基本上不含平台。该方法包括将含有抗蚀材料和液体的流体组合物设置到金属化结构化表面区域上。该方法包括从流体组合物蒸发液体并收集凹面上的抗蚀材料，使得金属化结构化表面区域的其余部分基本上不含抗蚀材料。
在另一方面，提供了具有微结构的制品。该制品包括具有主表面的透明基材，主表面具有结构化表面区域。结构化表面区域包括一个或多个具有凹面的凹陷结构，并且基本上不含平台。该制品包括与结构化表面区域的凹面的导电材料相邻并接触。该制品包括基本上不含导电材料的结构化表面区域的其余部分。该制品包括粘合剂或折射率匹配材料。粘合剂或折射率匹配材料具有第一表面和第二表面。第一表面接触结构化表面区域，第二表面平行于主表面。
附图说明
图1为具有结构化表面区域的基材的示意图。
图2A-D为结构化表面区域的示意图。
图3A1-B1分别为包括平台的双层结构化表面区域和包括具有涂覆涂层的平台的双层结构化表面区域的示意图。
图3A2-B2分别为结构化表面区域和具有涂覆涂层的结构化表面区域的示意图。
图4A-D为在结构化表面区域上形成微结构的方法的示意图。
图5A-E为在结构化表面区域上形成微结构的方法的示意图。
图6A-F为在结构化表面区域上形成微结构的方法的示意图。
图7A-G为在结构化表面区域上形成微结构的方法的示意图。
图8为具有结构化表面区域的制品(如柔韧片)的示意图。
图9为具有微结构和回填材料的制品的示意图。
图10为在具有双层结构的结构化表面区域上的微结构的剖面的光学显微图。
图11为在图12的结构化表面区域上的微结构的剖面的光学显微图。
图12为在图11的结构化表面区域上的微结构的光学显微图。
图13为在结构化表面区域上的微结构的光学显微图。
图14为包含具有折射率匹配材料的图13的微结构的制品的光学显微图。
图15为在结构化表面区域上的微结构的光学显微图。
图16为使用金属蚀刻法的结构化表面区域上的微结构的光学显微图。
图17为使用导电性油墨的结构化表面区域上的微结构的光学显微图。
具体实施方式
虽然本文以具体的实施例来描述了本发明，但对于本领域的技术人员而言将显而易见的是，可在不脱离本发明的精神的前提下做出各种修改、重组和替换。因此本发明的范围仅受本文所附权利要求书的限制。
由端值表述的数值范围包括包含在该范围内的所有数值(如，1至5包括1、1.5、2、2.75、3、3.8、4和5)。
如本说明书和所附权利要求书中所包括，除非所述内容另外明确决定，否则单数形式“一个”和“所述”包括多个指代物。因此，例如，提及的包含“化合物”的组合物包括两种或更多种化合物的混合物。如本说明书和所附权利要求书中所用，除非所述内容另外明确决定，否则采用的术语“或”的含义通常包括“和/或”的含义。
除非另外指明，否则本说明书和权利要求中使用的表述量或成分、特性测量等的所有数字在所有情况下都应理解为附有修饰词“约”。因此，除非有相反的指示，否则在上述说明书和所附权利要求中列出的数值参数均为近似值，该数值参数可根据本领域的技术人员利用本发明的教导而寻求获得的所需特性而改变。在最低程度上，每一个数值参数应当至少按照记录的有效位数并通过应用惯常的四舍五入法来理解。尽管示出本发明的广大范围的数值范围和参数是近似值，但对具体实例示出的数值尽可能精确地进行记录。然而，任何数值本身包含由存在于各自的试验测定过程中的标准偏差不可避免地引起的误差。
可用于形成本发明的微结构的基材具有具有一个或多个带有凹面的凹陷结构的结构化表面区域，该结构化表面区域为基本上不含平台。将流体组合物设置在基材的结构化表面区域上。流体组合物包含液体和功能性材料。液体的至少一部分从流体组合物蒸发，使得功能性材料收集在凹面上。当流体组合物的体积在结构化表面区域上减少时，其余的结构化表面区域的部分为基本上不含功能性材料。流体组合物和基材的结构化表面区域的组合可引起流体组合物在液体从流体组合物蒸发时去湿到凹陷结构中。
图1显示具有结构化表面区域10、15的基材5。在一些实施例中，基材5可具有设置在基材5的不同区域中的结构化表面区域10、15。基材5包含具有主表面轮廓25的主表面20。
具有结构化表面区域的基材可为(例如)膜、片、网、带、辊、鼓、条或其他三维形状或结构等。基材可(例如)由聚合物材料、金属材料、陶瓷材料或它们的组合形成。选择用于基材的材料通常具有适用于特定应用的性质。这些性质中的一些包括物理、化学、光学、电学和热性质。用于基材的合适的聚合物材料包括(例如)热塑性塑料，例如聚(甲基)丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚酯、聚烯烃、聚酰亚胺等等。合适的金属材料包括(例如)铟、银、金、铅等等。合适的陶瓷材料包括(例如)氧化物、氮化物、溴化物、碳化物等等。
基材的结构化表面区域通常可以平均高度进行描述。结构化表面区域的平均高度可定义为与下述相关的假想表面：i)缺少凸起结构或侵入结构，ii)平行于结构化表面区域中的基材的主表面轮廓，和iii)位于在结构化表面区域的投影面积内的高度处，该高度等于可以定义附近凸起结构和侵入结构的点计算得到的平均高度。基材的主表面轮廓可称为基材表面的表面形状，而无论结构化表面区域的凸起结构和侵入结构的形状如何。例如，平膜具有为平片形式的平面的主表面轮廓。在本发明中，在基材的结构化表面区域内的平均高度可定义为区域内的点的高度之和(如，任何点的高度被定义为其沿着正交于基材平面的坐标的位置)除以点的数目。
结构化表面区域包括凸起结构和侵入结构。结构化表面区域的凸起结构可通常描述为具有位于结构化表面区域的平均高度以上的表面点的结构。结构化表面区域的侵入结构(如凹陷结构)可通常描述为具有位于结构化表面区域的平均高度以下的表面点的结构。在一些实施例中，平均高度与结构化表面区域的表面本身的交叉可通常描述为介于凸起结构与侵入结构之间的边界。
图2A-D示出具有平均高度分别为27、43、58、69的结构化表面区域31、41、56、66A的基材10、40、55、66的一些实例。平均高度27、43、58、69为介于位于凸起结构30、50、65、67上的点的高度和位于相邻的侵入结构35、45、60、68上的点的高度之间。更具体地讲，图2A示出具有棱柱或锥形型凸起结构30的结构化表面区域31。图2B示出具有半球状凸起结构50等等的结构化表面区域41。图2C示出具有子弹状凸起结构65的结构化表面区域56。图2D示出具有凸起平台结构68的双层结构化表面区域66A。
在某些情况下，具有结构化表面区域的基材可具有相对无曲率的结构(如平坦结构)。相对无曲率的结构本文称为平坦。一些平坦结构也可通常描述为平行于基材的主表面轮廓。后者平坦结构本文称为“平坦且平行”。在其它实施例中，平坦结构可相对于主表面轮廓为倾斜的或通常非平行的。平坦结构的一些部分的曲率通常可小于100m-1、小于1m-1、或甚至小于0.1m-1。
在一些实施例中，结构化表面区域可描述为具有与凸起结构结合的平坦且平行的延伸区域，使得平坦且平行的区域可称为着陆区域。延伸意思是平坦且平行的着陆区域沿着多个凸起结构的底部边缘而存在。在一些实施例中，延伸的平坦且平行的着陆区域围绕一个或多个凸起结构，如(例如)围绕以大于D的维度间隔的直径为D的六边形阵列的凸起半球中的每一个的平坦着陆区域的可能情况。在一些实施例中，基材的结构化表面区域可描述为具有与侵入结构或凹陷结构结合的平坦且平行的延伸区域。在一些实施例中，结构化表面区域可通常描述为缺少平坦且平行的部分，使得表面具有曲率或相对于主表面轮廓倾斜。在其它实施例中，具有曲率以及相对于主表面轮廓倾斜的表面的组合可描述用于通常缺少平坦且平行部分的结构化表面区域。通常，具有平坦且平行的部分或表面区域的凸起结构本文描述为“平台”。
具有结构化表面区域的基材通常具有凸起结构和侵入结构的组合。这些结构中的一些可起到排除、保持或提供排除或保持设置到结构化表面区域上的流体组合物的组合的作用。凸起或侵入结构的表面可为平滑的、部分平滑的、纹理的或它们的组合。结构可为纳复制型、微复制型、宏观复制型的结构等等。一些结构化表面区域可具有与美国专利No.6,649,249(Engle等人)和美国专利No.7,105,809(Wood等人)中所述类似的纳复制型、微复制型和宏观复制型的结构和图案。在一些实施例中，基材的结构化表面区域可包括规则的或无规的结构。这些结构可在空间上位于整个结构化表面区域。
具有侵入结构的结构化表面区域可称为凹陷结构或凹部。凹陷结构(例如)可称为凹部、凹槽、孔穴、区域、窝口(pockets)、通道等等。具有凹面的凹陷结构提供了在液体蒸发之后在结构化表面区域内或结构化表面区域上保持流体组合物和功能性材料的位置。凹陷结构可具有带有维度(例如直径、半径、高度、宽度和长度)的体积。流体组合物可通过位于结构化表面区域上或结构化表面区域内的壁和其他结构而保留下来。凹陷结构的底部(如最低高度)可通常是指具有离平均高度最远的点的凹陷结构内的位置。在一些实施例中，凹陷结构可通过相邻的凸起结构而与另一个凹陷结构独立地定位。
在一些实施例中，结构化表面区域包括中间凹陷结构(如具有中间高度的凹陷结构)。中间凹陷结构可通常描述为具有位于平均高度以下的点，并相对于一个或多个凹陷结构的高度具有中间高度的凸起结构。例如，结构化表面区域可提供具有第一高度的第一凹陷结构和具有第二高度的第二凹陷结构。第一高度可与第二高度区别，使得第一高度大于第二高度。第二凹陷结构的第二高度可为中间凹陷结构。
结构化表面区域的凸起结构可为表示背离或偏离另外的平坦表面区域的结构。结构化表面区域的凸起结构可影响流体组合物流动和递送到基材上。在一些实施例中，凸起结构分隔凹陷结构，并可在液体从流体组合物蒸发时导向流体组合物移动至凹陷结构中或为流体组合物提供移动至凹陷结构中的方向。基本上不含平台的结构化表面区域可影响流体组合物的流动，以及后续的功能性材料聚集到凹陷结构中。在结构化表面区域上或在结构化表面区域内的凸起结构的一些实例包括(例如)峰、结、柱、团块、脊等等、或它们的组合。脊的实例包括具有圆形顶部的凸起的线性结构，例如，如通过将半圆柱体、矩形平坦面向下排列在平坦表面上所定义。脊的一些其他实例包括具有尖顶和两个面的凸起的线性结构，如通过将三棱柱、平坦面向下排列在平坦表面上所定义。
结构化表面区域“基本上不含平台”可通常是指缺少或基本上缺少凸起结构，该凸起结构包括其平坦且平行的(如上所定义)表面区域的一部分。在一个优选的实施例中，结构化表面区域不含平台。结构化表面区域“基本上不含平台”对于控制包含于流体组合物中的功能性材料设置到凹面上是特别有效的。本发明的结构化表面区域可结合流体组合物进行选择，使得当液体从流体组合物蒸发时，流体组合物流动至或被导入凹陷结构中。当流体组合物的体积从结构化表面区域的凸起结构减少或去湿时，功能性材料可由凸起所导向而在凹陷结构的凹面上聚集。本领域的技术人员应当了解，不是平台的凸起结构可包括一定标度(例如原子标度)的其平坦且平行表面的一部分，只要凸起结构起到将流体组合物的功能性材料分离至凹陷结构的作用。
已描述了结构化表面区域。具有凸起结构和侵入结构的组合的结构化表面区域的一些合适的实例包括线性棱柱、棱锥、半椭圆体、锥、非线性棱柱等等、或它们的组合。在一些实施例中，线性棱柱可包括(例如)三棱柱、五棱柱等等、或它们的组合。在一些实施例中，棱锥可包括(例如)四棱锥、五棱锥、六棱锥等等、或它们的组合。表面具有线性棱柱的描述意思是表面形貌可能是线性棱柱融合到平坦表面所引起，每一个线性棱柱与平坦表面的接触表面为平行于棱柱的轴的表面。表面具有棱锥的描述意思是表面形貌可能是棱锥融合到平坦表面所引起，棱锥的接触表面为棱锥的表面。
在一些实施例中，可将结构化表面区域的几何形状描述为分层的。例如，在结构化表面区域内，凹陷结构可具有设置在凹陷结构的表面或壁上、设置在凹陷结构的凸起区域上、以及设置在凹陷结构内的无规的、部分无规的或精确间隔的结构。例如，凹陷结构的表面可包括比凹陷结构本身的特性更小长度的凸起结构。在本文某些上下文中，凸起结构和侵入结构为通常称为表面特征的结构。
不是平台的凸起结构的曲率或在顶端处的锐度可以是变化的。锐度的范围可高达一个极值，该极值可描述为由(例如)以小于120度、甚至小于90度、甚至小于45度、或甚至小于20度的角度在顶端会聚的两个或更多个面定义的凸起结构所引起的结果。锐度的范围可低达另一个极值，其中凸起在其顶端处具有曲率为(例如)大约150m-1(曲率半径为大约6.7mm)的圆柱体、球体或椭圆体的形状。不是平台的凸起结构的顶端的锐度可以在上述极值之间存在。
凹陷结构的其他实例包括具有角凹陷、平面凹陷的锥形凹陷结构，和具有角壁、平面壁的截棱锥凹陷结构。在一些实施例中，结构化表面区域的凹陷结构可与凸起结构彼此分开设置，并且基本上不含平台。凸起结构和侵入结构的组合可促进和导向流体组合物的去湿。当液体被移除时，功能性材料可在凹陷结构的凹面上聚集，其余的结构化表面区域的部分(如凸起区域)可基本上不含功能性材料。
结构化表面区域的结构中的一些可以纳标度、微标度、宏观标度等等形成或设置。相似地，可在表面上提供的结构有凸起结构、侵入结构等等、或它们的组合。一般来讲，结构化表面区域包括结构，使得该结构的至少两个维度为微观维度。微观结构足够小，从而需要光学辅助工具协助肉眼测定它们的形状。在一些实施例中，表面特征的维度的三个可能的维度(结构化表面区域的平面内/外，并且沿着结构化表面区域的平面的每一个方向)中的至少两个的范围可高达约1毫米或更小。在其它实施例中，表面特征的维度的三个可能的维度中的至少两个的范围可高达约500微米。在其它实施例中，表面特征的维度的三个可能的维度中的至少两个的范围可高达约250微米。
在一些实施例中，优选的是作为结构化表面区域的部分的表面特征的一个或多个维度小于所需的量级。例如，在一些实施例中，优选的是通道形式的凹陷结构的宽度为小于100微米、更优选小于50微米、甚至更优选小于25微米、且最优选小于10微米。
表面特征可以具有所需的特性长度(例如沿着给定方向测得的长度)和所需的特征密度(每单位结构化表面区域的投影面积的结构)。在一些实施例中，特征可为使得其在三个正交方向(如垂直于结构化表面区域的平面，以及沿着结构化表面区域的平面的两个正交方向中的每一个)上的维度相等，因此均等于其特性长度。在一些实施例中，特征可为使得在一个或多个方向上的特性长度比其在其他方向上的维度一定程度地较长或甚至长得多。在一些实施例中，特征可为使得在一个或多个方向上的特性长度比其在其他方向上的维度一定程度地较短或甚至短得多。表面特征的特性长度的实例包括通道的长度、通道的宽度、半球凸起的宽度、脊的长度、脊的宽度、锥形凸起结构的高度、和半球凸起结构的高度。
在一些实施例中，结构化表面区域的表面特征具有在一个或多个方向上为500微米或更小的特性长度。在其它实施例中，特性长度为100微米或更小，且在其它实施例中，在一个或多个方向上的特性长度为10微米或更小。在一些实施例中，在一个或多个方向上的特性长度为至少1纳米。在其它实施例中，在一个或多个方向上的特性长度为至少10纳米，且在另一个实施例中，特性长度为至少100纳米。在一些实施例中，结构化表面区域的一个或多个表面特征在一个或多个方向上的特性长度在约500微米至约1纳米的范围内，在其它实施例中，该特性长度在约100微米至约10纳米的范围内，且在其它实施例中，该特性长度在约10微米至约100纳米的范围内。由具有上述特性长度的上述数值或数值范围以及形状描述(如脊、通道、半球和棱锥的宽度、长度和高度)产生不同的实施例。
在一些实施例中，结构化表面区域的表面特征密度可为至少每平方毫米(mm2)10个结构或更大。在一些实施例中，结构化表面区域的表面特征密度可大于100个结构/mm2或更大，在其它实施例中，结构化表面区域的表面特征密度可大于1,000个结构/mm2或更大，且在其它实施例中，结构化表面区域的表面特征密度可大于10,000个结构/mm2。作为表面特征密度的实例，在两个重复方向上具有间隔为115微米的100微米的半球凸起结构的方形阵列的结构化表面区域的凸起特征密度为大约75个凸起结构/mm2。对于相同的几何形状，在相邻半球之间的窄凹陷通道的密度为大约150/mm2。
在一些实施例中，表面特征在整个结构化表面区域上作为阵列分布(如一维阵列或二维阵列，例如方形阵列或六边形阵列)。在这种实施例中的一些中，优选的是结构化表面区域的表面特征的维度的均匀度(如可重复性)高。作为均匀度的量度，重复结构的特定维度的长度的标准偏差优选小于该长度的平均量级的25％、更优选小于10％、甚至更优选小于5％。在一些这种实施例中，优选的是结构化表面区域的表面特征的密度的均匀度高。作为在结构化表面区域中的表面特征的密度的高均匀度的量度，对具有不大于结构化表面区域本身的投影面积1/10的分区所测得的表面特征的密度的标准偏差优选小于25％、更优选小于10％、最优选小于5％。
在一些实施例中，结构化基材区域的结构可以规则重复的方式、以无规的方式等等、或它们的组合而存在。在其它实施例中，结构可存在于结构化表面区域的整个区域的一部分、或存在于结构化表面区域的整个区域上。在一些实施例中，结构可存在于结构化表面区域的凹陷结构中、存在于结构化表面区域的凸起结构等等、或它们的组合上。
在一些实施例中，结构化表面区域包括一个或多个侵入结构(如凹陷结构)，使得侵入结构和凸起结构通常为均匀的。在一些实施例中，结构化表面区域的侵入结构和凸起结构是不均匀的。例如，结构化表面区域可具有在整个结构化表面区域的一部分上具有不同维度的侵入结构和凸起结构。在一些实施例中，第一组侵入结构和凸起结构可具有第一组维度，且第二组侵入结构和凸起结构可具有第二组维度。第一组侵入结构和凸起结构以及第二组侵入结构和凸起结构可在整个基材的结构化表面区域上均匀分布或无规分布。在一些实施例中，流体组合物可位于具有适用于保持流体组合物的维度的凹陷结构的一部分中。
在一个实施例中，具有结构化表面区域的基材可为在美国专利申请No.11/283,307(Richard等人)中描述的增亮薄膜(BEF)。在另一个实施例中，具有结构化表面区域的基材可为在美国专利申请No.11/193,052(US20070024994)中描述的具有包含棱锥的表面的聚合物膜。在另一个实施例中，具有结构化表面区域的基材可为可以商品名MICRO OPTICS MICROLENS ARRAY购自Leister ProcessTechnologies，Axetris Microsystems Division of Riedstrasse(Switzerland)的微透镜膜。微透镜阵列在美国专利No.5,300,263(Hoopman等人)、美国专利No.5,439,621(Hoopman)和美国专利申请公开No.2006/0072199(Morishita等人)中已经有所描述。在一个实施例中，基材包括微复制型的基材。
可选择具有结构化表面区域的基材具有促进或提供流体组合物流入凹陷结构中的结构。当液体从设置在结构化表面区域上的流体组合物蒸发时，由于毛细管压力梯度，流体组合物可从结构化表面区域的凸起结构去湿。毛细管压力梯度可由于当流体组合物在结构化表面区域上干燥时所形成的弯曲的空气-液体界面所导致形成。流体组合物从凸起结构的去湿可通过调节流体组合物的流变性(如粘度)和表面张力以及基材的表面能而进行操控。在液体从流体组合物蒸发过程中，由流体组合物所占据的体积可减少，留下功能性材料沉积在具有凹面的凹陷结构内。
在本发明的方法中，将流体组合物设置到具有结构化表面区域的基材上。流体组合物包含功能性材料和液体。液体通常不与功能性材料反应。液体从流体组合物蒸发，使得流体组合物的体积相对于将其最初设置在结构化表面区域上时的流体组合物的体积减少，而功能性材料的浓度增加。流体组合物从结构化表面区域的凸起区域去湿。流体组合物流入凹陷结构的至少一部分中，从而从凸起区域流动或被导向离开凸起区域。在液体蒸发过程中，功能性材料收集在凹陷结构的凹面的至少一部分上。其余的结构化表面区域的部分为基本上不含功能性材料。
在一些实施例中，可配制流体组合物使得流体组合物的表面张力与基材的结构化表面区域的表面能相匹配。这可导致流体组合物在基材的结构化表面区域上的接触角小，并且润湿到基材的结构化表面区域上的效果强。因此，当液体蒸发时，流体组合物往往会从凸起区域(如峰)流走，从而留下基本上不含流体组合物的凸起区域。术语“基本上不含”是指在蒸发之后，小于5重量％的流体组合物的其余部分位于基材的凸起区域上。在一些实施例中，小于1％的流体组合物可位于基材的凸起区域上。当液体蒸发时，功能性材料可收集在结构化表面区域的凹陷结构的凹面上。
合适的流体组合物的液体包括适用于溶解、分散或悬浮功能性材料的液体。液体的一些实例可包括酮、酯、醚、醇、芳香烃等等、以及它们的混合物。液体可为可流动材料，或(例如)在23℃下或高于23℃下的熔融固体。流体组合物的流变性和表面能通常足以将流体组合物设置到结构化表面区域上。液体具有使得液体可从流体组合物蒸发的沸点。
在一些实施例中，液体可为存在于流体组合物中的一种或多种液体的混合物。液体通常能够溶解、悬浮或分散功能性材料以足以将流体组合物施用至结构化表面区域上。
流体组合物的功能性材料可为适用于结构化基材区域的化学或物理改性的材料。功能性材料可包括(但不限于)金属、金属前体、化学镀催化剂、化学镀催化剂前体、掩模材料、生物材料、天然油、脂族烃等等、或它们的组合。
可基于多个因素选择功能性材料在流体组合物中的浓度。应考虑的这些因素中的一些包括(但不限于)流体组合物的表面张力、在结构化表面区域的凹陷结构中所需的功能性材料的厚度、结构化表面区域上的表面特征的维度，以及结构化表面区域的表面能。功能性材料可包括单一材料或多种材料。
可通过不同的技术将流体组合物设置到或施用至基材的结构化表面区域上。合适的技术包括(例如)饱和或浸渍技术、喷涂、帘式涂布、坡流涂布、溢流涂布、模具涂布、辊涂、沉积，或利用其他已知的涂布或施用方法。可选择将流体组合物以选择性填充或部分填充凹陷结构的量均匀地或非均匀地设置到结构化表面区域的一部分上的技术。
在一些实施例中，设置到结构化表面区域上的流体组合物填充凹陷结构并淹没结构化表面区域的其余(即凸起结构)。在其它实施例中，将流体组合物设置到结构化表面区域上，并填充凹陷结构的一部分。在另一个实施例中，流体组合物占据具有凹面的凹陷结构的一部分，使得在介于凹面的至少一部分与设置在凹陷结构内的流体组合物之间存在空气隙。结构化表面区域的表面特征(包括凹陷结构和凸起结构)可具有能够接收全部或仅接收流体组合物的一部分的相异的维度。在一些实施例中，结构化表面区域的表面特征的一部分可为流体组合物的空隙。
流体组合物可包含至少50重量％的液体、至少60重量％的液体、或至少70重量％的液体。在一些实施例中，流体组合物可包含高达99重量％的液体、高达98重量％的液体、或高达至97重量％的液体。流体组合物的液体可在50重量％至99重量％、60重量％至98重量％的范围内、或在70重量％至97重量％的范围内。
液体从设置到基材的结构化表面区域上的流体组合物蒸发。当液体从流体组合物移除时，流体组合物的体积减少，并且功能性材料在凹陷结构的凹面上聚集。即使功能性材料仍然分散于接触凹面的另一介质(其他介质的实例为聚合物粘合剂)中，该功能性材料仍可在凹陷结构的凹面上聚集。当液体从流体组合物蒸发时，功能性材料可在凹陷结构的凹面上聚集，并且结构化表面区域的其余部分可基本上不含功能性材料。术语“蒸发液体”是指从流体组合物移除液体的至少一部分或移除基本上全部液体。从流体组合物蒸发的液体可为流体组合物中的液体总重量的至少40重量％、至少45重量％、或至少50重量％。在一些实施例中，从流体组合物蒸发的液体可高达99重量％、高达98重量％、或高达97重量％。以流体组合物中的液体的总重量计，从流体组合物蒸发的液体可在50重量％至99重量％的范围内、在60重量％至98重量％的范围内、或在70重量％至97重量％的范围内。流体组合物的液体可在环境条件下在较低温度下易于移除，或其可在高温下移除。
图3A1示出在涂布和电镀之前具有包括平台73和凹陷结构75的结构化表面区域71的基材70。图3B1示出在用包含液体和功能性材料的流体组合物涂布、蒸发液体、然后电镀以形成微结构76之后的基材70。微结构76位于平台73上和结构化表面区域的凹陷结构75中。光学显微图图10示出具有设置在基材的平台和凹部上的功能性材料的双层基材的剖面。
图3A2示出具有包含凸起结构83以及凹陷结构86的凹面85的结构化表面区域81的基材80。图3B2示出在用包含液体和功能性材料的流体组合物涂布、蒸发液体、然后电镀功能性材料以用于形成微结构88之后的基材80。微结构88位于凹陷结构86中和凹面85上。在涂布和电镀之后凸起结构83基本上不含微结构88。光学显微图图11示出具有设置在增量膜的凹陷结构中的功能性材料的实例1(图12)的剖面。
图3B1和图10示出位于结构化表面区域的平台上和凹陷结构内的功能性材料。相比之下，图3B2和图11示出位于如本发明所述的基本上不含平台的结构化表面区域的凹陷结构内的功能性材料。
液体可通过不同的技术从流体组合物蒸发。一些合适的用于移除液体的蒸发方法包括(例如)对流、减压、加热或其他已知方法。
在本发明的方法的一个实施例中，功能性材料为金属或金属前体。金属或金属前体可用于形成基材的结构化表面区域上的导电性微结构。一些金属的合适实例包括(例如)银、镍、铂、金、钯、铜、铟、锡、铝、锌、铁、钨、钼、钌、铅、铋、和类似的金属。一些可用的合适的金属前体包括(例如)上述金属的羧酸酯、醇盐或组合。在加工消除配体过程中，金属前体可转化成金属、金属氧化物或混合的金属氧化物。
在一个实施例中，流体组合物包含导电性油墨。导电性油墨可包括金属或金属前体。合适的导电性油墨包括金属、金属合金或它们的混合物的液体或液体分散体。可用于导电性油墨的金属和金属合金的一些实例包括(例如)银、锡、铝、铜、镍、锌和它们的组合，如与美国专利公开No.2003/0108664(Kodas等人)所述类似。
导电性油墨可包括(例如)平均粒度小于500nm、小于400nm、小于250nm、小于100nm、或小于50nm的纳米粒子。纳米粒子通常优选为非凝聚的。纳米粒子可任选为经表面处理的。表面处理可用于防止纳米粒子的聚集和成簇，有助于导电性油墨的稳定性和设置到结构化表面区域上。
在一些实施例中，导电性油墨还包含聚合物材料。在一些实施例中，聚合物材料可包括不止一种或更多种聚合物、共聚物或共混聚合物。合适的聚合物材料可为热塑性或热固性聚合物。聚合物材料可包括(例如)导电性聚合物、非导电性聚合物或它们的组合。合适的导电性聚合物包括(例如)聚(3，4-亚乙基二氧基噻吩)(PEDOT)、聚苯胺(PAni)、聚吡咯(PPy)、聚噻吩(PT)、聚二乙炔、聚乙炔(PAc)、聚异硫代环烷(PITN)、聚杂亚芳基-亚乙烯基(PArV)(其中杂亚芳基可例如为噻吩、呋喃或吡咯)、聚对亚苯基(PpP)、聚苯硫醚(PPS)、聚周萘(PPN)、聚酞菁(PPc)和它们的衍生物、它们的共聚物等等、和它们的物理混合物。合适的热塑性聚合物包括(例如)聚酰亚胺、聚烯烃、丙烯酸酯、苯乙烯、和它们的组合。合适的热固性聚合物包括(例如)聚酰胺、聚环氧化物、酚醛聚合物、聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物、聚氨酯和有机硅聚合物。在一些实施例中，可使用导电性聚合物与热固性和/或热塑性聚合物的混合物。
在一些实施例中，导电性油墨包含足以(例如)分散金属纳米粒子和溶解聚合物的量的液体。合适的液体包括(例如)水、有机液体(如一-、二-、或三-乙二醇或更高的乙二醇、丙二醇、1，4-丁二醇或这种二醇的醚、硫二甘醇、甘油及其醚和酯、聚甘油、一-、二-、和三-乙醇胺(enanolamine)、丙醇胺、N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、1，3-二甲基咪唑啉酮、甲醇、乙醇、异丙醇、正丙醇、双丙酮醇、丙酮、甲乙酮、碳酸丙烯酯)等等、和它们的组合。其他有机液体可包括(例如)酯、乙酸酯等等、或它们的组合。在一些实施例中，液体为酮。在一些实施例中，液体为醇。
在一些实施例中，在从流体组合物蒸发液体之后，聚合物材料被固化。聚合物材料可通过移除液体、硬化、或通过交联聚合物材料而被“固化”。在一些实施例中，聚合物材料可包含交联剂或添加剂以有利于聚合物材料的链伸长和/或交联。
在一些实施例中，具有设置在凹陷结构内的导电性油墨的结构化表面区域可用添加剂或折射率匹配材料回填。“回填”通常是指用材料填充凹陷结构。
回填可包括填充未被功能性材料占据的凹陷结构的体积。在其它实施例中，回填包括填充凹陷结构的一部分，且在另外的实施例中，回填包括过度填充结构化表面区域的凹陷结构和凸起结构(如峰)。在将功能性材料置于凹陷结构中之后，回填结构化表面区域可存在若干原因。就透明基材而言，可能有利的是当光穿透基材的结构化表面区域时避免折射或反射效应。这可通过用具有与基材相同或类似的折射率(即折射率匹配)的材料回填结构化表面区域而实现。可任选地是，回填材料可与限定结构化表面区域的基材的材料相同。或者，可能可用的是回填结构化表面区域，以便保护功能性材料(例如)免于环境降解。最后，可能有利的是回填结构化表面区域，以便使包含具有结构化表面区域的基材的最终制品的表面平滑。
可将可用于回填的粘合剂或折射率匹配材料施用至包含导电性油墨、具有聚合物材料的导电性油墨、或具有固化的聚合物材料的导电性油墨的结构化表面区域。粘合剂或折射率匹配材料通常具有与基材折射率相同或基本上相同的折射率，因此存在很少或不存在穿透具有结构化表面区域的基材的光的反射或折射。在一些实施例中，具有回填凹陷结构的基材是透明的。合适的材料(例如粘合剂或折射率匹配材料)可包括在整个所需光波长范围内为透明的热塑性或热固性聚合物。
基材与粘合剂或折射率匹配材料之间的折射率差值可为高达0.2、高达0.1、高达0.05或高达0.01。基材与粘合剂或折射率匹配材料之间的折射率差值优选低至0.005、更优选低至0.001、更优选低至0.0005、甚至更优选低至0.0001。在一些实施例中，基材与粘合剂或折射率匹配材料之间的折射率差值可在0.0001至0.2、0.0005至0.1、0.001至0.05的范围内、或在0.005至0.01的范围内。
这些回填材料可为无定形、结晶或半结晶，并可包括(例如)均聚物/共聚物或其共混物。合适的材料包括(但不限于)：聚(碳酸酯)(PC)；间同立构(不以光学各向同性的形式使用)和全同立构聚(苯乙烯)(PS)；C1-C8烷基苯乙烯；烷基、芳族和脂族含环(甲基)丙烯酸酯，包括聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)和PMMA共聚物；乙氧基化和丙氧基化的(甲基)丙烯酸酯；多官能(甲基)丙烯酸酯；丙烯酸改性环氧树脂；环氧树脂；和其他烯键式不饱和材料；环状烯烃和环状烯属共聚物；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)；苯乙烯-丙烯腈共聚物(SAN)；环氧树脂；聚(乙烯基环己烷)；PMMA/聚(氟乙烯)共混物；聚(苯醚)合金；苯乙烯嵌段共聚物；聚酰亚胺；聚砜；聚(氯乙烯)；聚(二甲基硅氧烷)(PDMS)；聚氨酯；饱和聚酯；聚(乙烯)，包括低双折射率聚乙烯；聚(丙烯)(PP)；聚(对苯二甲酸烷基酯)，例如聚(对苯二甲酸乙二酯)(PET)；聚(萘二甲酸烷基酯)，例如聚(萘二甲酸乙二酯)(PEN)；聚酰胺；离聚物；乙酸乙烯酯/聚乙烯共聚物；醋酸纤维素；乙酸丁酸纤维素；含氟聚合物；聚(苯乙烯)-聚(乙烯)共聚物；PET和PEN共聚物，包括多烯属PET和PEN；和聚(碳酸酯)/脂族PET共混物。术语(甲基)丙烯酸酯定义为对应的甲基丙烯酸酯或丙烯酸酯化合物。
图4A示出具有结构化表面区域105的基材100。图4B示出具有设置在结构化表面区域105上的包含液体和金属或金属前体的流体组合物110的基材100。图4C示出在蒸发液体使得流体组合物110的金属或金属前体收集在凹陷结构115的凹面112上之后，具有流体组合物110的金属或金属前体的基材。图4D示出用粘合剂或折射率匹配材料120回填包封了流体组合物110的金属或金属前体或衍生自流体组合物110的金属前体的金属的基材100，从而提供了粘合剂或折射率匹配材料120与流体组合物110的金属或金属前体或衍生自流体组合物110的金属前体的金属的界面125。
在一些实施例中，收集在凹陷结构内的导电性油墨、包含聚合物材料的导电性油墨、或包含固化的聚合物材料的导电性油墨被化学镀。在本发明范围内描述化学镀如下。
在一些实施例中，收集在凹陷结构内的导电性油墨、包含聚合物材料的导电性油墨、或包含固化的聚合物材料的导电性油墨被电镀。电镀在以下内容中有所描述：Mohler，J.B.，Electroplating and Related  Processes，Chemical Publishing公司(New York)(1969)；美国专利No.5137611(Roberts等人)；和美国专利No.6,632,343(Farnsworth等人)。
在一些实施例中，可如上所述用粘合剂或折射率匹配材料回填化学镀导电性油墨、化学镀具有聚合物材料的导电性油墨、或化学镀具有固化的聚合物材料的导电性油墨的结构化表面区域。
在本发明的方法的一些实施例中，功能性材料为化学镀催化剂。在其它实施例中，功能性材料为化学镀催化剂前体。一些合适的化学镀催化剂包括(例如)：钯、铂、铑、银、金、铜、镍、钴、铁和锡，以及所述元素彼此的合金和化合物或所述元素与其他元素的合金和化合物。在一些实施例中，化学镀催化剂包括银、铂等等、或它们的组合。
在一些实施例中，功能性材料为化学镀催化剂前体。合适的化学镀催化剂前体包括(例如)：钯、铂、铑、银、金、铜、镍、钴、铁和锡的醇盐、羧酸酯、和卤化物，以及所述元素彼此的合金和化合物或所述元素与其他元素的合金和化合物。在一些实施例中，化学镀催化剂前体包括乙酸钯。在一些实施例中，化学镀催化剂前体包括金属有机钯化合物，包括二酮钯，例如二(乙酰丙酮)钯(II)。化学镀催化剂前体可通过如下所述的转化步骤转化成化学镀催化剂。
可将包含化学镀催化剂的流体组合物设置到结构化表面区域上。如上所述，液体从流体组合物蒸发，功能性材料收集在凹陷结构的凹面上。收集在凹陷结构的凹面上的化学镀催化剂可用导电材料化学镀。
在一些实施例中，收集在凹陷结构的凹面上的化学镀催化剂用(例如)化学镀槽进行化学镀。化学镀或沉积是指导电材料(例如金属)的自催化镀层的方法。该方法通常涉及使用含有可溶形式的沉积金属和还原剂一起的化学镀溶液。可溶形式的沉积金属通常为离子物质或金属络合物(即配位至一个或多个配体的金属物质)。无电沉积无需将电流施加至被涂布的工件。化学镀的方法由Mallory和J.B.Hajdu在Electroless Plating-Fundamentals and Applications，ed.G.O.Norwich(1990)中描述。
在化学镀中涉及的步骤中的一些包括制备具有催化表面的结构化表面区域(即化学镀催化剂)，以及将具有结构化表面区域的基材浸入适当的镀槽中。化学镀催化剂的催化表面催化金属从化学镀溶液沉积。一旦开始，镀层就通过由其自身金属表面催化的溶液金属源的持续还原而进行，因此为术语“自催化”。可使用化学镀形成的金属沉积物包括(例如)：铜、镍、金、银、钯、铑、钌、锡、钴、锌，以及这些金属彼此的合金或这些金属与磷或硼的合金，以及这些金属彼此的化合物或这些金属与磷或硼的化合物。合适的还原剂包括(例如)甲醛、肼、氨基硼烷、和次磷酸盐。化学镀的金属和收集在基材的结构化表面区域上的化学镀催化剂的金属可相同或不同。化学镀还在美国专利No.7,160,583(Frey等人)中有所描述。
在一些实施例中，流体组合物包含化学镀催化剂前体。在从流体组合物蒸发液体之后，加热化学镀催化剂前体，以用于形成化学镀催化剂。可用于加热化学镀催化剂前体的技术包括(例如)对流、辐射、和它们的组合。在一些实施例中，化学镀催化剂前体可发生光解分解，以形成化学镀催化剂。在一些实施例中，所得化学镀催化剂可如上所述被化学镀，以形成化学镀的结构化表面区域。
在一些实施例中，化学镀的结构化表面区域可如上所述用粘合剂或折射率匹配材料回填。
在一些实施例中，流体组合物包含聚合物材料。适用于具有化学镀催化剂的流体组合物的聚合物材料包括(例如)热塑性聚合物，例如聚酰亚胺、聚烯烃、丙烯酸树脂、苯乙烯等等、或它们的组合。一些合适的热固性聚合物包括(例如)聚酰胺、聚环氧化物、酚醛聚合物、聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物、聚氨酯、硅树脂聚合物等等、或它们的组合。
存在于具有化学镀催化剂的流体组合物中的聚合物材料可被固化。聚合物材料可通过移除液体、硬化、或通过交联聚合物材料而被固化。在一些实施例中，聚合物材料可包含交联剂或添加剂，以有利于聚合物材料的链伸长和/或交联。与流体组合物的固化的聚合物材料结合的化学镀催化剂可如上所述被化学镀。
图5A示出具有结构化表面区域155的基材150。图5B示出具有设置在结构化表面区域155上的包含液体和化学镀催化剂或化学镀催化剂前体的流体组合物160的基材150。图5C示出，在液体从流体组合物160蒸发，使得化学镀催化剂或化学镀催化剂前体163收集在凹陷结构154的凹面152上之后，保留化学镀催化剂或化学镀催化剂前体163的基材150。图5D示出置于化学镀催化剂163上的金属170。图5E示出包封金属170和化学镀催化剂163的粘合剂或折射率匹配材料180，从而提供了介于金属170和粘合剂或折射率匹配材料180之间的界面165。
在本发明的方法的一些实施例中，功能性材料为掩模材料。掩模材料是指施用至基材的材料，从而在加工过程中提供对基材的保护，并可随后被移除以露出基材。掩模材料可用于掩盖金属层或在基材的结构化表面区域上的含金属微结构。掩模材料包括(例如)聚合物材料、无机材料、粒子填充的复合材料、或它们的组合。合适的聚合物材料包括(例如)聚丙烯酸酯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺等等、或它们的组合。在结构化表面区域的化学或物理改性之前，聚合物材料可提供结构化表面区域的保护或隔离。聚合物材料可包括(例如)一种或多种聚合物、共聚物或共混聚合物。粒子填充的复合材料可包括与纤维素材料、聚合物粘合剂等等结合的微粒、纳米粒子、或它们的组合。粒子可为氧化物粒子、表面改性的粒子等等、或它们的组合。
在一个实施例中，掩模材料为聚合物材料。存在于流体组合物中的聚合物掩模材料(如聚合物材料)可在液体从流体组合物蒸发之后被固化。在一些实施例中，掩模材料为粒子填充的复合材料。
在一些实施例中，金属层可沉积在收集在凹陷结构的凹面上的掩模材料上、以及基本上不含掩模材料的结构化表面区域的其余部分上。金属层可通过物理或化学气相沉积技术(包括(例如)溅法或蒸镀法)沉积。
在一些实施例中，可移除在位于凹陷结构的凹面上的掩模材料上沉积的金属层。在本文所述的方法中，可以将掩模当作剥离掩模。金属层可留在结构化表面区域(即没有掩模材料的区域)的其余(如凸起区域)上。掩模材料和沉积在掩模材料上的金属层可通过溶解、加热、降解或它们的组合而从结构化表面区域上移除。
在一些实施例中，可用粘合剂或折射率匹配材料回填具有位于结构化表面区域的其余部分上的金属层的结构化表面区域。
图6A示出具有结构化表面区域205的基材200。图6B示出具有设置在结构化表面区域205上的包含掩模材料和液体的流体组合物210的基材200。图6C示出，在蒸发液体使得掩模材料211收集在凹陷结构215的凹面212上之后，保留流体组合物210的基材200。图6D示出在以下物质上蒸镀或溅镀的金属220：i)具有第一界面219的掩模材料211；和ii)具有第二界面221的结构化表面区域205的凸起结构218。图6E示出已移除掩模材料211和沉积在掩模材料211上的金属220，并具有位于结构化表面区域205的第二界面221处的凸起结构218上的金属220的基材200。图6F示出包封金属220和基材200的结构化表面区域205的粘合剂或折射率匹配材料230，其中所述结构化表面区域具有凹陷结构215的凹面212与粘合剂或折射率匹配材料230之间的第三界面245。第四界面240位于介于金属220与粘合剂或折射率匹配材料230之间。
在另一方面，本发明提供了形成微结构的方法。该方法包括提供具有金属化结构化表面区域的基材，该金属化结构化表面区域包括设置在结构化表面区域的表面上的金属层。该金属化结构化表面区域包括一个或多个具有凹面的凹陷结构。该金属化结构化表面区域为基本上不含平台。该方法包括：将含有抗蚀材料和液体的流体组合物设置到金属化结构化表面区域上；从流体组合物蒸发液体；将抗蚀材料收集在凹陷结构的凹面上，使得金属化结构化表面区域的其余部分基本上不含抗蚀材料。
金属化意思是结构化表面区域包括含金属材料层。术语含金属材料层与术语金属层本文可交换使用。用于金属化结构化表面区域的含金属材料的一些实例包括：元素金属、金属合金、金属混合物、金属间化物、金属氧化物、金属硫化物、金属碳化物、金属氮化物、和它们的组合。示例性的金属包括(例如)：金、银、钯、铂、铑、铜、镍、铁、铟、锡、钽、钛、铬、钨。
流体组合物的抗蚀材料可收集在一个或多个凹陷结构的凹面(其为金属化表面)上。如本文所用，“抗蚀材料”是指用作保护含金属层免于化学和/或物理作用(如减成法的金属蚀刻)的含金属层的涂层的材料。抗蚀材料的合适的实例包括聚合物材料、无机材料等等、或它们的组合。抗蚀材料在美国专利No.6,077,560(Moshrefzadeh等人)中有所描述。
商用抗蚀材料的一些实例包括光致抗蚀剂，例如以商品名SHIPLEY RESIST 1400-37得自Shipley公司(Marlborough，Massachusetts)的抗蚀材料；以商品名RONASCREEN 2400得自LeaRonal(Freeport，New York)的抗蚀材料；和以商品名DANOCURE1173(丙烯酸异冰片酯与光引发剂)得自UCB Chemicals Corporation(Smyrna，Georgia)的另一种光致抗蚀剂。
无机抗蚀材料的一些实例包括(例如)金属氧化物和金属氮化物、无机半导体、金属等等。可用的金属氧化物和金属氮化物的代表性实例包括(例如)氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化钛、氮化硅、钛酸钡、钛酸钡锶、锆钛酸钡等等。
在一些实施例中，抗蚀材料在从流体组合物蒸发液体之后可被固化。也可使用可沉积并随后固化(如UV或电子束固化)的单体前体(反应性单体)。此外，可使用小分子物质，例如有机玻璃、结晶有机物等等。
可使用减成法以移除金属化结构化表面区域的暴露的含金属材料层。用于移除金属化结构化表面区域的暴露的含金属材料层的一些可用的减成法包括(例如)湿法化学蚀刻、使用液体材料、干法蚀刻(如等离子体/反应性离子蚀刻)、和激光烧蚀。湿法化学蚀刻通常涉及通过以下方法移除材料：将金属化基材浸入化学蚀刻剂的液体槽中；或用与金属化结构化表面区域上的含金属材料层反应的化学蚀刻剂喷涂金属化结构化表面区域。蚀刻剂的代表性实例包括(例如)：用于硅的HF、HF:NH4F、KOH、乙二胺邻苯二酚(EDP)、CsOH、NaOH、和肼(N2H4-H2O)；用于金属的HCl:甘油、碘、KI:I2-H2O、和HNO3；和用于金属氧化物或氮化物的HF和HCl。含金属材料层的液体移除通常涉及将金属化结构化表面区域暴露于液体，层在该液体中为可溶解的。可用的液体包括(例如)水性和有机溶液，例如基于水、丙酮、甲苯、己烷、庚烷、环己烷等等、以及它们的混合物的溶液。干法蚀刻或通过等离子体或反应性离子进行。干法蚀刻通常涉及将待移除的金属化结构化表面区域的含金属材料层暴露于反应性等离子体，反应性等离子体通过物理和化学过程的组合蚀刻含金属材料层。可使用例如为射频能量、微波能量、或与磁约束结合的微波能量的技术，在蚀刻剂气体中产生等离子体。可用的蚀刻剂气体包括(例如)：氯代烃(例如CFCl3、CF2Cl2、和CF3Cl)、卤代烃(例如CCl4、CF4、CHCl3、和CHF3)、氟基气体(例如SF6、NF3、和SiF4)、氯基气体(如Cl2、BCl3、和SiCl4)、和溴基气体(例如Br2和HBr)。激光烧蚀涉及通过将金属部分暴露于激光而直接移除金属层，所述激光具有足以分解金属的强度和波长。通常，使用紫外(UV)激光；然而，照明可为任何类型的光，例如红外光或可见光。可使用任何类型的合适的激光，例如为CO2激光或准分子激光。准分子激光特别有用。可使用任何类型的准分子激光(例如F2、ArF、KrCl、XeCl、或KrF)。所选的减成法可取决于所用的金属化结构化表面区域和抗蚀材料。所选的减成法可取决于特定的减成法在介于移除金属层和移除抗蚀材料之间的选择性程度(即，移除法应当选择性地移除金属化结构化表面区域的金属层而不是抗蚀材料)，该选择性程度在WO 2005061752(Theiss)中有所描述。适当的减成法对于本领域的技术人员而言将显而易见。
在一些实施例中，抗蚀材料在从流体组合物蒸发液体之后可被固化。抗蚀材料的固化可通过移除液体、干燥抗蚀材料、或通过交联而进行。
在一些实施例中，金属化结构化表面区域的凹陷结构或凹陷结构的至少一部分包含收集在凹陷结构的凹面上的抗蚀材料、或抗蚀材料和聚合物材料、或抗蚀材料和固化的聚合物材料。金属化结构化表面区域的其余部分基本上不含抗蚀材料。可通过从金属化结构化表面区域移除金属层的至少一部分而蚀刻金属化结构化表面区域的其余的金属层。已描述了用于移除或蚀刻金属化结构化表面区域的金属层的其余的材料。在凹陷结构的凹面上的抗蚀材料在蚀刻程序过程中保护设置在抗蚀材料之下的金属层。
在一些实施例中，流体组合物包含抗蚀材料和聚合物材料，或流体组合物包含抗蚀材料和固化的聚合物材料，该固化的聚合物材料在从金属化结构化表面区域的其余蚀刻金属层之后，可从金属化结构化表面区域的凹陷结构的凹面上移除。移除凹陷结构的抗蚀材料时，金属化结构化表面区域的金属层可在凹陷结构内暴露。抗蚀材料可通过加热、溶解、降解或本领域的技术人员已知的其他方法移除。
在一些实施例中，具有含金属材料层和在蚀刻之后残留于凹陷结构中的抗蚀材料的结构化表面区域可用粘合剂或折射率匹配材料回填。在其它实施例中，具有残留于凹陷结构中的含金属材料层并已移除抗蚀材料的结构化表面区域可用粘合剂或折射率匹配材料回填。
图7A示出具有结构化表面区域305的基材300。图7B示出具有沉积在具有金属-基材界面315的结构化表面区域305上的金属层310的基材300。图7C示出设置在金属层310上的含有抗蚀材料和液体的流体组合物320。图7D示出具有沉积在结构化表面区域305上的金属层310的基材300，使得当液体从流体组合物320蒸发时，抗蚀材料321收集在具有介于抗蚀材料321和金属层310之间的界面325的金属化凹陷结构327的金属化凹面312上。图7E示出从凸起区域318选择性地蚀刻金属层310，从而留下流体组合物320的抗蚀材料和金属化凹陷结构327的金属化凹面312。图7F示出在移除抗蚀材料321之后，具有剩余的金属化凹陷结构327的金属层310的基材300。图7G示出包封金属化凹陷结构327的金属层310和基材300的结构化表面区域305的粘合剂或折射率匹配材料340。形成金属-粘合剂或折射率匹配材料界面350和基材-粘合剂或折射率匹配材料界面330。
在一些实施例中，提供了制品。制品包括：透明基材，其具有结构化表面区域；功能性材料，其为导电的材料(导电材料)，选择性地置于结构化表面区域的凹陷结构中；和粘合剂或折射率匹配材料的找平层，其回填结构化表面区域的凹陷结构。结构化基材区域为基本上不含平台。选择性地置于结构化表面区域的凹陷结构中，意思是导电材料存在于凹陷结构中并接触凹面，且不存在于结构化表面区域的其余部分的至少一部分，例如凸起结构的表面。
导电材料可以包括根据本发明的上述方法所留下的接触凹面的导电材料中的任何一种或多种。制品的基材材料可以选自透明的且可用于上述方法的上述基材材料中的任何者。特别有用的基材材料包括模塑聚合物基材，例如通过(例如)热压印或固化，用物理工具模塑聚合物膜而加工的具有结构化表面区域的基材材料。
回填材料，例如，粘合剂或折射率匹配材料，可以选自可用于上述方法中的本发明之前列出的那些。找平意思是粘合剂或折射率匹配材料采取以下行为：i)完全填充未被导电材料占据的结构化表面区域的凹陷结构的任何体积；ii)任选地覆盖结构化表面区域的凸起结构；且iii)具有其与结构化表面区域表面之间的界面相对的表面，该表面与基材的主表面轮廓平行。在一些实施例中，回填材料折射率与基材折射率之间的差值为小于或等于0.2。
可以根据可用于上述方法的基材的上文描述，选择制品基材结构化表面区域表面特征的几何形状。优选的用于制品的基材可以根据可用于上述方法的基材的上述优选，在表面特征的维度和形状、表面特征的均匀度、和表面特征的密度的均匀度方面进行选择。
除了优选基材的表面特征之外，可以就与凹面接触的导电材料的图案方面限定优选的制品。至少部分与凹陷结构的图案对准的导电材料的图案可包括重复几何特征，例如周期性间隔的线。导电材料可呈二维网络、网格、或网孔的形式。二维网络、网格、或网孔可具有规则、周期性的几何形状，或可具有无规的几何形状。导电材料可呈一系列平行线的形式。对于导电材料呈二维网络、网格、或网孔、或一系列平行线的形式的一些实施例，限定这些图案的线的宽度优选为均匀的，并优选在10纳米至500微米的范围内、更优选在50纳米至100微米的范围内、更优选在100纳米至25微米的范围内、更优选在250纳米至10微米的范围内、更优选在500纳米至5微米的范围内、且最优选在1微米至4微米的范围内。在对于导电材料呈线的二维网络、网格、或网孔、或一系列平行线的形式的一些实施例，由导电材料占据或覆盖的结构化表面区域的面积百分比优选在0.01％至50％之间、更优选在0.1％至25％之间、更优选在1％至15％之间。
图8示出根据一个实施例的制品500，该制品包括在剖面中显示的结构化表面区域515。制品500为柔韧片的形式，其主表面505具有主表面轮廓510。
图9示出包括具有结构化表面区域515的基材520的制品500，所述基材具有主表面轮廓510。结构化表面区域515包含凹陷结构530和凸起结构535。具有凹面525的凹陷结构530包含与凹面530接触的导电材料540和凹面525。结构化表面区域与在基材-回填材料界面550和导电材料-回填材料界面560处的回填材料545接触。回填材料也包括与主表面轮廓510平行的第一表面555。
本发明的微结构可在许多应用中使用。在一些实施例中，微结构包括肉眼不可见或几乎不可见的具有足够小的最小维度(如线的宽度)的导电结构。使用微结构的一些应用包括电子电路，例如柔性电路。使用微结构的其他应用包括需要电极的器件。电极的实例包括导电的并在大面积(如，大于1cm2、大于500cm2、或大于1m2的大面积)内透光的基本上平面的电极、柔性电极等等。包括电极的器件的一些实例包括电致变色光窗和显示器、电致发光灯、电阻加热窗、和触摸屏显示器。包括微结构的其他应用包括在屏蔽电磁辐射中的用途，例如电磁干涉(EMI)。后者的实例包括电子信息显示器，例如等离子体显示面板(PDP)。
本发明将通过以下实例得以进一步阐明，这些实例是示例性的，并且并非旨在限制本发明的范围。
实例
本发明在以下实例中进行更加具体的描述，这些实例仅仅旨在举例说明，因为对于本领域的技术人员来说，本发明范围内的许多修改和变型将显而易见。除非另外指明，否则以下实例提及的所有份数、百分比、和比率均是基于重量，并且实例中所用的所有试剂均获自或可得自如下所述的化学品供应商，或可以用常规技术合成。
实例1
制备预镀层溶液。将乙酸钯(Pd(OAc)2；0.24克；Alfa Aesar(WardHill，Massachusetts)和乙酸纤维素(1.36克；Sigma Aldrich(St.Louis，Missouri))溶解于丙酮(98.4克；Sigma Aldrich(St.Louis，Missouri))中，以形成预镀层溶液。用吸管将预镀层溶液沉积至可以商品名VIKUITI 90/24BRIGHTNESS ENHANCEMENT FILM II(3M公司Display and Graphics Division(Maplewood，Minnesota))购得的棱镜膜上。随后用线绕Meyer Rod(4密尔(100微米)；R.D.Specialties，Incorporated(Webster，New York))提取预镀层溶液，从而得到涂层。静置基材上的涂层，直至丙酮从涂层蒸发，使得基材为接触干燥的，从而形成样品。样品在室温和大气压下干燥约30秒。在样品干燥之后，将其置入含铜化学镀槽(M85-System；MacDermid Incorporated(Waterbury，Connecticutt))中约4分钟。将样品从化学镀槽中移出，用去离子水(Sigma Aldrich(St.Louis，Missouri))洗涤，并在室温和大气压下在空气中干燥。在干燥之后，用可以商品名3M EAGLE Resin(3M公司(St.Paul，Minnesota))购得的UV(紫外)-可固化丙烯酸酯树脂回填具有微结构的样品。通过层压介于聚对苯二甲酸乙二醇酯片((PET)；Eastman Chemical公司(Kingsport，Tennessee))和棱镜膜之间的UV-可固化丙烯酸酯树脂而回填棱镜膜的微结构，以形成分层结构。将分层结构置于Fusion UV固化室(Model MC-6RQN；Fusion UV Systems(Gaithersburg，Maryland))中。用UV辐射(H-灯泡)聚合UV可固化树脂丙烯酸酯。
将PET片从分层结构移除。用光显微镜(Leica Reichert Polyvar 2；Leica(Allendale，New Jersey))测定在棱镜膜的凹陷结构内的铜微结构(如微量铜)。设置在凹陷结构中的铜微结构的宽度或剖面为约4-8微米，如图11的光学显微图所示。铜微结构的2.54cm宽的阵列的片电阻测得在约0.25至约2.5Ω/平方范围内，如图12的光学显微图所示。
实例2
制备预镀层溶液。将乙酸钯(Pd(OAc)2；0.24克；Alfa Aesar(WardHill，Massachusetts)和乙酸纤维素(1.36克；Sigma Aldrich(St.Louis，Missouri))溶解于丙酮(98.4克；Sigma Aldrich(St.Louis，Missouri))中，以形成预镀层溶液。用吸管将预镀层溶液沉积在微透镜阵列膜上，类似于可以商品名MICRO OPTICS MICROLENS ARRAYS(LeisterProcess Technologies(Sarnen，Switzerland))购得的那个。随后用线绕Meyer Rod(4密尔(100微米)；R.D.Specialties，Incorporated(Webster，New York))提取预镀层溶液，从而得到涂层。静置基材上的涂层，直至丙酮从涂层蒸发，使得基材为接触干燥的，从而形成样品。样品在室温和大气压下干燥30秒。在样品干燥之后，将其置入含铜化学镀槽(M85-System；MacDermid Incorporated(Waterbury，Connecticut))大约4分钟。将样品从化学镀槽中移出，用去离子水(Sigma Aldrich(St.Louis，Missouri))洗涤，并在室温和大气压下在空气中干燥。光学显微图图13示出含有金属层的凹陷结构。在干燥之后，用可以商品名3MEAGLE Resin(3M公司(St.Paul，Minnesota))购得的UV(紫外)-可固化丙烯酸酯树脂回填具有微结构的样品。通过层压介于聚对苯二甲酸乙二醇酯片((PET)；Eastman Chemical公司(Kingsport，Tennessee))和微透镜阵列膜之间的UV-可固化丙烯酸酯树脂而回填微透镜阵列膜的微结构，以形成分层结构。将分层结构置于Fusion UV固化室(ModelMC-6RQN；Fusion UV Systems(Gaithersburg，Maryland))中。用UV辐射(H-灯泡)聚合UV可固化树脂丙烯酸酯。光学显微图图14示出在回填之后的图13的微透镜阵列基材。
将PET片从分层结构移除。用光显微镜(Leica Reichert Polyvar 2；Leica(Allendale，New Jersey))测定在微透镜阵列膜的凹陷结构内的铜微结构(如微量铜)。铜微结构的宽度为约5至15微米。微透镜阵列膜的铜微结构的片电阻测得为约0.25至2.5Ω/平方。
实例3
制备抵抗溶液。将Futurrex NR9-1000PY溶液(15克；Futurrex，Inc.(Franklin，New Jersey))溶解于甲乙酮((MEK)85克；Sigma Aldrich(St.Louis，Missouri))中，以形成抵抗溶液。通过将铜的均匀层蒸汽涂布至可以商品名VIKUITI 90/24BRIGHTNESS ENHANCEMENT FILM II(3M公司Display and Graphics Division(Maplewood，Minnesota))购得的棱镜膜上，以形成金属化棱镜膜，从而制备基材上的金属化结构化表面区域。片电阻测得为约0.5至约5.0Ω/平方。
将抵抗溶液模具涂布至上述金属化棱镜膜上。膜以2m/min的速率移动，抵抗溶液具有1.6cm3/分钟的流量。将抵抗溶液施用到约10.5cm的宽度。静置基材上的抵抗溶液直至MEK从涂层蒸发，使得基材为接触干燥的，从而在环境条件下形成样品。
通过将100克蚀刻剂(Microclean Etch；Rohm & Haas(Philadelphia，Pennsylvania))加入一升去离子水而制备水性蚀刻剂槽。搅拌水性蚀刻剂槽45秒，以在去离子水中混合蚀刻剂。在混合水性蚀刻剂槽之后，将金属化棱镜膜置于水性蚀刻剂槽中约20秒，以形成蚀刻的金属化棱镜膜。将蚀刻的金属化棱镜膜从水性蚀刻剂槽中移出，在去离子水中洗涤2分钟，并在室温和大气压下干燥。在干燥之后，用可以商品名3M EAGLE Resin(3M公司(St.Paul，Minnesota))购得的UV(紫外)-可固化丙烯酸酯树脂回填蚀刻的金属化棱镜膜。通过层压介于聚对苯二甲酸乙二醇酯片((PET)；Eastman Chemical公司(Kingsport，Tennessee))和蚀刻的金属化棱镜膜之间的UV-可固化丙烯酸酯树脂而回填蚀刻的金属化棱镜膜的微结构，以形成分层结构。将分层结构置于Fusion UV固化室(Model MC-6RQN；Fusion UV Systems(Gaithersburg，Maryland))中。用UV辐射(H-灯泡)聚合UV可固化树脂丙烯酸酯。
将PET片从分层结构移除。用光显微镜(Leica Reichert Polyvar 2；Leica(Allendale，New Jersey))测定在蚀刻的金属化棱镜膜的凹陷结构内的铜微结构(如微量铜)。铜微结构的宽度为约4至10微米，如光学显微图图15所示。铜微结构的1英寸(2.54cm)宽的阵列的片电阻测得为约4至约10Ω/平方。
实例4
制备抵抗溶液。将Futurrex NR9-1000PY溶液(25克；Futurrex，Inc.(Franklin，New Jersey))溶解于甲乙酮((MEK)85克；Sigma Aldrich(St.Louis，Missouri))中，以形成抵抗溶液。通过将铜的均匀层蒸汽涂布至包含中心至中心间距为85微米的半球形小透镜(如“小微透镜”)的基材上，从而制备基材上的金属化结构化表面区域。金属化基材的片电阻为约0.5Ω/平方至5Ω/平方。
将抵抗溶液模具涂布至上述金属化基材上。基材以约2m/min的速率移动。抵抗溶液的流量为约3.5cm3/min。甲乙酮在室温和常压下从涂层蒸发。
将金属化基材置于实例4的水性蚀刻剂槽中约2分钟，并在室温和常压下干燥。干燥的蚀刻的金属化表面用如上实例4所述的UV-可固化丙烯酸酯树脂回填。通过层压介于聚对苯二甲酸乙二醇酯片((PET)；Eastman Chemical公司(Kingsport，Tennessee))和蚀刻的金属化棱镜膜之间的UV-可固化丙烯酸酯树脂而回填蚀刻的金属化棱镜膜的微结构，以形成分层结构。将分层结构置于Fusion UV固化室(ModelMC-6RQN；Fusion UV Systems(Gaithersburg，Maryland))中。用UV辐射(H-灯泡)聚合UV可固化树脂丙烯酸酯。
将PET片从分层结构移除。用光显微镜(Leica Reichert Polyvar 2；Leica(Allendale，New Jersey))测定在蚀刻的金属化棱镜膜的凹陷结构内的铜微结构(如微量铜)，如光学显微图图16所示。存在于回填的基材的凹陷结构中的铜微结构的宽度为约5至15微米。
实例5
制备银墨溶液。将Cabot CCI-300银导电性油墨(1克；CabotSuperior MicroPowders(Albuquerque，New Mexico))与15克重量甲乙酮((MEK)85克；Sigma Aldrich(St.Louis，Missouri))混合，以形成银墨溶液。
用吸管将银墨溶液沉积至可以商品名VIKUITI 90/50BRIGHTNESS ENHANCEMENT FILM II(3M公司Display and GraphicsDivision(Maplewood，Minnesota))购得的棱镜膜上。随后用线绕MeyerRod(4密尔(100微米)；R.D.Specialties，Incorporated(Webster，NewYork))提取银墨溶液，从而得到涂布的棱镜膜。甲乙酮在室温和大气压下从膜蒸发大约1分钟。
在干燥涂布的棱镜膜之后，将基材加热至100℃达15分钟，以固化银墨。在干燥之后，用可以商品名3M EAGLE Resin(3M公司(St.Paul，Minnesota))购得的UV(紫外)-可固化丙烯酸酯树脂回填膜。通过层压介于聚对苯二甲酸乙二醇酯片((PET)；Eastman Chemical公司(Kingsport，Tennessee))和棱镜膜之间的UV-可固化丙烯酸酯树脂而回填棱镜膜的微结构，以形成分层结构。将分层结构置于Fusion UV固化室(Model MC-6RQN；Fusion UV Systems(Gaithersburg，Maryland))中。用UV辐射(H-灯泡)聚合UV可固化树脂丙烯酸酯。然后将分层构造置入Fusion UV固化室(Model MC-6RQN，Fusion UV Systems(Gaithersburg，MD))，并用由H-灯泡发射的UV辐射聚合丙烯酸酯。用光显微镜(Leica Reichert Polyvar 2，Leica(Allendale，NJ))测得的位于棱镜膜的凹陷结构中的银微结构的宽度为约10至25微米，如光学显微图图17所示。
预示性实例
公开了使用“剥离”程序形成微结构的方法。溶液含有如FuturrexNR9-1000PY(25克；Futurrex，Inc.(Franklin，New Jersey))的剥离材料，其溶解于甲乙酮((MEK)85克；Sigma Aldrich(St.Louis，Missouri))而形成剥离溶液。可将剥离溶液涂布至可以商品名VIKUITI 90/50BRIGHTNESS ENHANCEMENT FILM II(3M公司Display and GraphicsDivision(Maplewood，Minnesota))购得的棱镜膜上。可用线绕MeyerRod(4密尔(100微米)；R.D.Specialties，Incorporated(Webster，NewYork))提取银墨溶液，从而得到涂布的棱镜膜。甲乙酮可从膜蒸发，使得剥离材料位于膜的凹陷通道中。可通过蒸发涂布机将铜沉积至涂布的棱镜膜上。铜将共形地覆盖整个膜，所述膜包括沉积在棱镜膜的凹陷通道中的剥离材料。可用甲乙酮洗涤金属涂布的棱镜膜以溶解剥离材料和粘附至凹陷通道中的剥离材料的铜。铜层可保持在凸面(如不含剥离材料的表面)上。
在不脱离本发明范围和精神的前提下，对本发明的各种修改和更改对于本领域的技术人员来说将显而易见，而且应当理解，本发明不限于本文所示的示例性实施例。

Claims (23)

1.一种形成微结构的方法，包括：
提供具有结构化表面区域的透明基材，所述结构化表面区域包括一个或多个具有凹面的凹陷结构，所述结构化表面区域不含平台；
将包含功能性材料和液体的流体组合物设置到所述结构化表面区域上，其中所述功能材料包括化学镀催化剂、化学镀催化剂前体或它们的组合；
从所述流体组合物蒸发液体，所述功能性材料在所述凹面上聚集，使得所述结构化表面区域的其余部分不含所述功能性材料；
用导电材料化学镀所述功能性材料；以及
用粘合剂或透明的折射率匹配材料回填所述凹陷结构。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括化学镀所述结构化表面区域。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学镀催化剂包括：钯、铂、铑、银、金、铜、镍、钴、铁或锡。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述化学镀催化剂包括银或铂。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学镀催化剂前体包括：钯、铂、铑、银、金、铜、镍、钴、铁和锡的醇盐、羧酸酯和/或卤化物。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述化学镀催化剂前体包括钯。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学镀催化剂前体包括乙酸钯或者二（乙酰丙酮）钯(II)。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括在从所述流体组合物蒸发液体之后固化所述功能性材料。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括在从所述流体组合物蒸发液体之后加热所述化学镀催化剂前体。
10.根据权利要求1所述的方法，其中在从所述流体组合物蒸发液体之后，所述化学镀催化剂前体经历光解分解。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述透明的折射率匹配材料包括粘合剂。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述基材和所述透明的折射率匹配材料之间的折射率差值在0.0001至0.2的范围内。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电材料呈线的形式，所述线的宽度在50纳米至100微米的范围内。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构化表面区域的由导电材料覆盖的面积百分比在0.01%至50%的范围内。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电材料呈二维网络或一系列平行线的形式。
16.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电材料呈网格或网孔的形式。
17.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构化表面区域包括线性棱柱、半椭圆体、锥、非线性棱柱、或它们的组合。
18.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构化表面区域包括棱锥。
19.一种制品，包括：
透明基材，所述透明基材具有带主表面轮廓的主表面并具有结构化表面区域，所述结构化表面区域包括一个或多个具有凹面的凹陷结构，所述结构化表面区域不含平台；
导电材料，所述导电材料与所述凹面相邻并接触；和
粘合剂或折射率匹配材料，所述粘合剂或折射率匹配材料具有第一表面和第二表面，所述第一表面接触所述结构化表面区域，所述第二表面平行于所述透明基材的所述主表面轮廓，其中所述结构化表面区域的其余部分不含导电材料。
20.根据权利要求19所述的制品，其中所述导电材料为线的二维网络或一系列平行线，其中所述线的宽度为在10纳米至500微米的范围内。
21.根据权利要求19所述的制品，其中所述导电材料为线的二维网络形式，其中所述结构化表面区域的由导电材料覆盖的面积百分比在0.01%至50%的范围内。
22.根据权利要求19所述的制品，其中所述粘合剂或所述折射率匹配材料的折射率与所述基材的折射率的差值小于或等于0.2。
23.根据权利要求19所述的制品，其中所述透明基材为微复制型的聚合物膜。
CN2009801328646A 2008-06-30 2009-06-25 形成微结构的方法 Expired - Fee Related CN102131958B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US7673108P 2008-06-30 2008-06-30
US61/076,731 2008-06-30
PCT/US2009/048571 WO2010002679A2 (en) 2008-06-30 2009-06-25 Method of forming a microstructure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102131958A CN102131958A (zh) 2011-07-20
CN102131958B true CN102131958B (zh) 2013-12-25

Family

ID=41426242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009801328646A Expired - Fee Related CN102131958B (zh) 2008-06-30 2009-06-25 形成微结构的方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8703232B2 (zh)
EP (3) EP2623632A3 (zh)
JP (1) JP2011526844A (zh)
KR (1) KR20110049777A (zh)
CN (1) CN102131958B (zh)
WO (1) WO2010002679A2 (zh)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009070428A1 (en) 2007-11-26 2009-06-04 S.D. Warren Company Tip printing and scrape coating systems and methods for manufacturing electronic devices
EP2311301B1 (en) 2008-06-30 2012-04-25 3M Innovative Properties Company Method of forming a patterned substrate
KR20110049777A (ko) 2008-06-30 2011-05-12 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 미세구조체 형성 방법
US8551386B2 (en) 2009-08-03 2013-10-08 S.D. Warren Company Imparting texture to cured powder coatings
US8941395B2 (en) 2010-04-27 2015-01-27 3M Innovative Properties Company Integrated passive circuit elements for sensing devices
EP2580647A1 (en) 2010-06-11 2013-04-17 3M Innovative Properties Company Positional touch sensor with force measurement
WO2012054244A1 (en) * 2010-10-19 2012-04-26 Air Products And Chemicals, Inc. A conductive composition and conductive feature formed at low temperatures
US20120186080A1 (en) * 2011-01-26 2012-07-26 S.D. Warren Company Creating conductivized traces for use in electronic devices
TWI583276B (zh) 2011-02-02 2017-05-11 ３Ｍ新設資產公司 具暗化導體跡線之圖案化基材
CN102983391B (zh) * 2011-09-06 2016-09-07 数伦计算机技术（上海）有限公司 一种高光通透性天线
NL2007372C2 (en) * 2011-09-08 2013-03-11 Univ Delft Tech A process for the manufacture of a semiconductor device.
CN102312227A (zh) * 2011-09-15 2012-01-11 武汉理工大学 一种在聚合物材料表面制备金属银微图案的工艺方法
JP6193240B2 (ja) * 2011-10-14 2017-09-06 デジタル センシング リミテッドＤｉｇｉｔａｌ Ｓｅｎｓｉｎｇ Ｌｉｍｉｔｅｄ アレイおよびその製造方法
CN103158227B (zh) * 2011-12-15 2016-02-03 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 复合体及其制作方法
DE102011088793A1 (de) * 2011-12-16 2013-06-20 Tyco Electronics Amp Gmbh Elektrischer Steckverbinder mit mikrostrukturiertem Kontaktelement
US9360971B2 (en) 2012-02-10 2016-06-07 3M Innovative Properties Company Mesh patterns for touch sensor electrodes
CN102662305B (zh) * 2012-05-28 2013-09-25 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 微透镜模具结构及其制作方法
CN103064137B (zh) * 2013-01-09 2015-07-08 西安交通大学 一种非球面微透镜阵列的电场诱导压印方法
JP6136517B2 (ja) * 2013-04-18 2017-05-31 大日本印刷株式会社 導電性メッシュ、導電性メッシュシート、タッチパネル装置および画像表示装置
US20140353012A1 (en) * 2013-05-30 2014-12-04 Nanchang O-Film Tech Co., Ltd. Transparent conductive film
JP6275482B2 (ja) * 2013-06-03 2018-02-07 株式会社レグルス プラスチック製成形品への回路パターンの形成方法及びこれに用いる塗工液
US20160353578A1 (en) * 2013-11-26 2016-12-01 Jun Yang Printing Method for Fabrication of Printed Electronics
KR102107227B1 (ko) * 2013-12-02 2020-05-07 에스케이하이닉스 주식회사 블록 코폴리머를 이용한 패턴 형성을 위한 구조, 패턴 형성 방법, 및 이를 이용한 반도체소자 제조방법
JP6199820B2 (ja) * 2014-07-04 2017-09-20 日本電信電話株式会社 微小振動素子用ばねの製造方法
JPWO2016056434A1 (ja) * 2014-10-07 2017-08-17 シャープ株式会社 透明導電体、透明導電体の製造方法、及び、タッチパネル
JP6006822B2 (ja) * 2015-03-19 2016-10-12 富士重工業株式会社 樹脂部材
US10564780B2 (en) 2015-08-21 2020-02-18 3M Innovative Properties Company Transparent conductors including metal traces and methods of making same
CN108027457B (zh) 2015-09-16 2020-08-25 3M创新有限公司 外覆的图案化导电层和方法
CN105704273B (zh) * 2016-03-31 2019-05-21 努比亚技术有限公司 一种屏蔽框及终端
CN106373792B (zh) * 2016-08-30 2021-06-08 南通万德科技有限公司 一种高分子材料和金属的复合材料及其制备工艺
US10103056B2 (en) * 2017-03-08 2018-10-16 Lam Research Corporation Methods for wet metal seed deposition for bottom up gapfill of features
WO2019018585A1 (en) * 2017-07-18 2019-01-24 Q Umbono Llc MULTILAYER LENS AND MANUFACTURE THEREOF
US10173558B1 (en) * 2017-08-25 2019-01-08 Ford Global Technologies, Llc Vehicle seat assembly with deployable airbag
KR20200128408A (ko) * 2018-02-28 2020-11-12 매뉴팩터링 시스템즈 리미티드 촉매작용 장치 및 방법
CN108957768A (zh) * 2018-06-22 2018-12-07 张家港康得新光电材料有限公司 实现裸眼3d、2d/3d切换的结构及方法
CN112385321A (zh) 2018-06-28 2021-02-19 3M创新有限公司 在柔性基底上制备金属图案的方法
USD919327S1 (en) * 2018-09-19 2021-05-18 Damian Hagglund Massage mat
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
US20220063178A1 (en) * 2020-08-28 2022-03-03 Lumenco, Llc Antiviral and antimicrobial protective films with microstructure deterrents combined with thermally elastomeric and embedded chemical anti-bacterial or anti-viral agents
CN114573240B (zh) * 2022-02-24 2024-03-01 西安中易建科技有限公司 前板玻璃及其制备方法、光伏组件及光伏幕墙

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4403818A (en) * 1980-06-26 1983-09-13 General Motors Corporation Instrument panel for vehicles
CN1334927A (zh) * 1999-01-11 2002-02-06 3M创新有限公司 具有透明填料的立方角空腔型逆向反射片

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3322053A (en) 1964-04-30 1967-05-30 Minnesota Mining & Mfg Treating surfaces with fluids
US4394223A (en) * 1981-10-06 1983-07-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Tin and gold plating process
JPH0694592B2 (ja) 1986-04-22 1994-11-24 日産化学工業株式会社 無電解メッキ法
US5137542A (en) 1990-08-08 1992-08-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive printed with an electrically conductive ink
US5254390B1 (en) 1990-11-15 1999-05-18 Minnesota Mining & Mfg Plano-convex base sheet for retroreflective articles
US5137611A (en) 1991-11-01 1992-08-11 Armco Inc. Electrolytic plating one surface of conductive sheet
US5300263A (en) 1992-10-28 1994-04-05 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of making a microlens array and mold
US5439621A (en) 1993-04-12 1995-08-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of making an array of variable focal length microlenses
US5382317A (en) 1994-02-18 1995-01-17 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of selectively applying a coating to a bilevel substrate
EP0753550B1 (en) * 1995-01-11 2001-04-25 Sekisui Chemical Co., Ltd. Conductive coating composition
US5657162A (en) * 1995-07-26 1997-08-12 Reflexite Corporation Retroreflective articles with multiple size prisms in multiple locations
US5917664A (en) 1996-02-05 1999-06-29 3M Innovative Properties Company Brightness enhancement film with soft cutoff
US5825543A (en) 1996-02-29 1998-10-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Diffusely reflecting polarizing element including a first birefringent phase and a second phase
US6461678B1 (en) * 1997-04-29 2002-10-08 Sandia Corporation Process for metallization of a substrate by curing a catalyst applied thereto
US6280063B1 (en) 1997-05-09 2001-08-28 3M Innovative Properties Company Brightness enhancement article
US6431695B1 (en) 1998-06-18 2002-08-13 3M Innovative Properties Company Microstructure liquid dispenser
US6375871B1 (en) 1998-06-18 2002-04-23 3M Innovative Properties Company Methods of manufacturing microfluidic articles
US6290685B1 (en) 1998-06-18 2001-09-18 3M Innovative Properties Company Microchanneled active fluid transport devices
US6077560A (en) 1997-12-29 2000-06-20 3M Innovative Properties Company Method for continuous and maskless patterning of structured substrates
JP4347521B2 (ja) 1998-02-18 2009-10-21 スリーエム カンパニー 光学フィルム
NZ507729A (en) 1998-04-29 2003-05-30 3M Innovative Properties Co Receptor sheet for inkjet printing having an embossed surface
US6037005A (en) 1998-05-12 2000-03-14 3M Innovative Properties Company Display substrate electrodes with auxiliary metal layers for enhanced conductivity
US6521325B1 (en) 1999-06-01 2003-02-18 3M Innovative Properties Company Optically transmissive microembossed receptor media
US6649249B1 (en) 1999-06-01 2003-11-18 3M Innovative Properties Company Random microembossed receptor media
US7223364B1 (en) 1999-07-07 2007-05-29 3M Innovative Properties Company Detection article having fluid control film
US6451191B1 (en) 1999-11-18 2002-09-17 3M Innovative Properties Company Film based addressable programmable electronic matrix articles and methods of manufacturing and using the same
US6632343B1 (en) 2000-08-30 2003-10-14 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for electrolytic plating of surface metals
JP4232336B2 (ja) 2000-11-22 2009-03-04 株式会社デンソー 半導体ウエハの表面処理方法
US20050120902A1 (en) 2001-04-25 2005-06-09 David Adams Edge transfer lithography
US7244669B2 (en) 2001-05-23 2007-07-17 Plastic Logic Limited Patterning of devices
US20030108664A1 (en) 2001-10-05 2003-06-12 Kodas Toivo T. Methods and compositions for the formation of recessed electrical features on a substrate
RU2230391C2 (ru) 2002-03-21 2004-06-10 Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" Способ изготовления самосовмещенной встроенной медной металлизации интегральных схем
US7105809B2 (en) 2002-11-18 2006-09-12 3M Innovative Properties Company Microstructured polymeric substrate
US7245435B2 (en) 2002-12-16 2007-07-17 3M Innovative Properties Company Lens array sheet and molding method
JP2005012173A (ja) 2003-05-28 2005-01-13 Seiko Epson Corp 膜パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
US20050106360A1 (en) 2003-11-13 2005-05-19 Johnston Raymond P. Microstructured surface building assemblies for fluid disposition
US20050121782A1 (en) * 2003-12-05 2005-06-09 Koichiro Nakamura Selectively adherent substrate and method for producing the same
US20050130422A1 (en) 2003-12-12 2005-06-16 3M Innovative Properties Company Method for patterning films
US7160583B2 (en) 2004-12-03 2007-01-09 3M Innovative Properties Company Microfabrication using patterned topography and self-assembled monolayers
US7384173B2 (en) 2004-12-30 2008-06-10 3M Innovative Properties Company Brightness enhancement article
US20070220744A1 (en) 2005-03-22 2007-09-27 Cluster Technology Co., Ltd. Wiring Circuit Board Producing Method and Wiring Circuit Board
JP4237184B2 (ja) 2005-03-31 2009-03-11 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置の製造方法
US20070024994A1 (en) 2005-07-29 2007-02-01 3M Innovative Properties Company Structured optical film with interspersed pyramidal structures
US7777832B2 (en) 2005-11-18 2010-08-17 3M Innovative Properties Company Multi-function enhancement film
US20070134784A1 (en) 2005-12-09 2007-06-14 Halverson Kurt J Microreplicated microarrays
US20070231541A1 (en) 2006-03-31 2007-10-04 3M Innovative Properties Company Microstructured tool and method of making same using laser ablation
US20070235902A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 3M Innovative Properties Company Microstructured tool and method of making same using laser ablation
US20080095988A1 (en) * 2006-10-18 2008-04-24 3M Innovative Properties Company Methods of patterning a deposit metal on a polymeric substrate
KR20110049777A (ko) 2008-06-30 2011-05-12 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 미세구조체 형성 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4403818A (en) * 1980-06-26 1983-09-13 General Motors Corporation Instrument panel for vehicles
CN1334927A (zh) * 1999-01-11 2002-02-06 3M创新有限公司 具有透明填料的立方角空腔型逆向反射片

Also Published As

Publication number Publication date
US20140199523A1 (en) 2014-07-17
EP2304078B1 (en) 2015-04-15
WO2010002679A2 (en) 2010-01-07
EP2623632A3 (en) 2017-01-18
EP2620523A2 (en) 2013-07-31
CN102131958A (zh) 2011-07-20
JP2011526844A (ja) 2011-10-20
EP2620523A3 (en) 2017-01-18
EP2623632A2 (en) 2013-08-07
KR20110049777A (ko) 2011-05-12
WO2010002679A3 (en) 2010-06-03
US8703232B2 (en) 2014-04-22
US20110111182A1 (en) 2011-05-12
EP2620523B1 (en) 2018-06-13
EP2304078A2 (en) 2011-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102131958B (zh) 形成微结构的方法
CN102124825B (zh) 形成图案化基材的方法
WO2014034629A1 (ja) 防汚体、表示装置、入力装置、電子機器および防汚性物品
US9603257B2 (en) Pattern substrate, method of producing the same, information input apparatus, and display apparatus
US8895429B2 (en) Micro-channel structure with variable depths
WO2014038616A1 (ja) 防汚体、表示装置、入力装置および電子機器
TW201335616A (zh) 防污層、防污性基材、顯示裝置及輸入裝置
TW201349309A (zh) 透明導電性元件及其製造方法、輸入裝置、電子機器、及薄膜之圖形化方法
US20160066420A1 (en) Imprinted micro-wire rib structure
CN107850958A (zh) 图案化外覆层
CN106457858A (zh) 在后续处理期间实现精确配准的多种油墨的印刷
CN108027457B (zh) 外覆的图案化导电层和方法
US9061463B2 (en) Embossed micro-structure with cured transfer material method
US20120261172A1 (en) Structure and pattern forming method of transparent conductive circuit
CN107835974A (zh) 包括通孔的电子设备以及形成此类电子设备的方法
US20140251673A1 (en) Micro-channel connection method
US20140272313A1 (en) Embossed micro-structure with cured transfer material
US20140251660A1 (en) Variable-depth micro-channel structure
US20140251671A1 (en) Micro-channel with conductive particle

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20131225

Termination date: 20210625

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee