CN101939704A - 在刻印光刻技术中减少突出物 - Google Patents

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Abstract

位于能量源与刻印光刻模板之间的器件可以阻挡能量暴露于基板上所分配的可聚合的材料的多个部分。被阻挡从而不能暴露于上述能量的可聚合的材料的多个部分可以仍然是流体，而使其余的可聚合的材料固化。

Description

在刻印光刻技术中减少突出物
有关申请的交叉参照
本申请根据35U.S.C.§119(e)(1)要求2008年2月8日提交的美国临时申请61/027,153、2008年9月4日提交的美国临时申请61/094,092以及2009年2月6日提交的美国专利申请12/367,079的权益，这些申请引用在此作为参考。
背景信息
纳米制造包括制造非常小的结构，这种结构所具有的特征是在100纳米的量级或更小。纳米制造已具有相当大的影响的一种应用是在集成电路的处理过程中。半导体处理工业继续努力在增大基板上所形成的每单位面积的电路数目的同时获得更大的生产率，因此，纳米制造变得越来越重要。纳米制造提供了更大的处理控制，同时允许继续减小所形成的结构的最小特征尺寸。已使用纳米制造的其它开发领域包括生物技术、光学技术、机械系统等。
常常将目前所使用的典型纳米制造技术称为刻印光刻技术(imprint lithography)。在大量的出版物中详细描述了典型的刻印光刻工艺，比如美国专利公报2004/0065976、美国专利公报2004/0065252和美国专利6,936,194，这些文献引用在此作为参考。
上述美国专利公报和专利的每一个中所揭示的刻印光刻技术包括：在可成形的(可聚合的)层中形成凹凸图案；以及将该凹凸图案所对应的图案转移到下面的基板中。该基板可以耦合到移动平台以获得期望的定位从而使图案化处理更容易。该图案化处理使用了与基板分开的模板以及涂在模板与基板之间的可成形的液体。使该可成形的液体固化以形成一硬层，该硬层所具有的图案与接触该可成形的液体的模板的表面形状相一致。在固化之后，使模板与硬层分开，使得模板和基板分开了。然后，基板与经固化的层经受额外的处理，以将凹凸图像转移到基板中，凹凸图案对应于经固化的层中的图案。
附图说明
结合附图中所示的实施方式，提供了关于本发明各实施方式的描述，使得可以更详细地理解本发明。然而，注意到，附图仅仅示出了本发明的典型实施方式，因此并不考虑为限制本发明的范围。
图1示出了根据本发明一实施方式的光刻系统的简化侧视图。
图2示出了其上有图案化的层的、图1所示基板的简化侧视图。
图3示出了图1所示模板与基板的简化侧视图。
图4示出了在光刻系统中使用的示例性模板的简化侧视图。
图5A和5B示出了在光刻系统中使用的示例性掩蔽系统的简化侧视图。
图6示出了在刻印光刻期间使用掩蔽系统防止突出物(extrusion)形成的示例性方法的流程图。
图7A和7B示出了可在光刻系统中使用的示例性滤光系统。
图7C示出了使用滤光系统防止突出物形成的示例性方法的流程图。
图8A和8B示出了在光刻系统中使用的示例性滤光系统。
图9示出了使用滤光系统防止突出物形成的示例性方法的流程图。
图10A和10B示出了示例性滤光系统，用于阻挡能量到达基板的一个或多个弯曲的区域。
图11A和11B示出了台面上的示例性迷宫图案。
图12示出了用于在台面上形成沟槽的示例性迷宫图案。
图13示出了在台面上的示例性迷宫图案以及示例性沟道图案。
图14示出了具有多个阵列的示例性迷宫图案。
图15示出了具有多个阵列的示例性迷宫图案。
图16示出了使用迷宫图案来减少和/或防止突出物的形成的示例性方法的流程图。
图17A-C示出了在光刻系统中使用的示例性分形结构。
图18示出了使用分形结构来减少和/或防止突出物的形成的示例性方法的流程图。
具体实施方式
参照附图，特别是图1，示出了一种光刻系统10，被用于在基板12上形成凹凸图案。基板12可以耦合到基板卡盘14。如图所示，基板卡盘14是真空卡盘。然而，基板卡盘14可以是任何卡盘，包括但不限于真空型、引线型、凹槽型、静电型、电磁型等。美国专利6,873,087描述了典型的卡盘，该专利引用在此作为参考。
基板12和基板卡盘14可以进一步受到平台16的支撑。平台16可以提供沿着x、y和z轴的移动。平台16、基板12和基板卡盘14也可以位于基座(未示出)上。
与基板12分开的是模板18。模板18可以包括台面20，台面20从模板18朝着基板12延伸，在台面20上有图案化的表面22。此外，可以将台面20称为模子20。或者，可以形成模板18而无台面20。
可以由许多材料构成模板18和/或台面20，包括但不限于，熔融硅石、石英、硅、有机聚合物、硅氧烷聚合物、硼硅酸盐玻璃、碳氟化合物聚合物、金属、硬化的蓝宝石等。如图所示，图案化的表面22包括由多个间隔开的凹槽24和/或凸起26限定的特征，尽管本发明的实施方式并不限于这样的配置。图案化表面22可以定义任何原始的图案，这种原始图案构成了将要在基板12上形成的图案的基础。
模板18可以耦合到卡盘28。可以将卡盘28配置成，但不限于真空型、引线型、凹槽型、静电型、电磁型和/或其它相似的卡盘类型。美国专利6,873,087进一步描述了典型的卡盘，该专利引用在此作为参考。此外，卡盘28可以耦合到刻印头30，使得可以将卡盘28和/或刻印头30配置成使模板18的移动更容易。
系统10可以进一步包括流体分配系统32。可以用流体分配系统32将可聚合的材料34沉积在基板12上。通过使用诸如滴落分配、旋转涂敷、浸渍涂敷、化学汽相沉积(CVD)、物理汽相沉积(PVD)、薄膜沉积、厚膜沉积等技术，可以将可聚合的材料34放置到基板12上。例如，通过使用美国专利公报2005/0270312和美国专利公报2005/0106321中所描述的技术，可以将可聚合的材料34放置到基板12上，这两个专利公报引用在此作为参考。根据各种设计方面的考虑，在台面20和基板12之间限定了期望的体积之前和/或之后，就可以将可聚合的材料34置于基板12上。可聚合的材料34可以包括美国专利7,157,036和美国专利公报2005/0187339所描述的单体混合物，这些文献引用在此作为参考。
参照图1、2，系统10可以进一步包括为沿着路径42引导能量40而耦合的能量源38。可以配置刻印头30和平台16使模板18和基板12定位成与路径42重叠。系统10可以通过处理器54进行调节，处理器54与平台16、刻印头30、流体分配系统32和/或源38相连通，并且系统10可以在存储器56中所存储的计算机可读程序上运行。
刻印头30、平台16或这两者改变台面20和基板12之间的距离，以在模子与基板之间限定期望的体积，该期望的体积是用可聚合的材料34填充的。例如，刻印头30可以向模板18施力，使得台面20接触可聚合的材料34。在用可聚合的材料34填满该期望的体积之后，源38产生能量40，比如紫外辐射，从而使可聚合的材料34固化和/或交联，从而符合基板12的表面44以及图案化表面22的形状，由此在基板12上限定了图案化的层46。图案化的层46可以包括剩余层48以及多个特征(图示为凸起(protrusion)50和凹陷52)，凸起50的厚度是t1，剩余层的厚度是t2。
可以将上述系统和处理过程进一步用在下列文献所引用的刻印光刻工艺与系统中：美国专利6,932,934，美国专利公报2004/0124566，美国专利公报2004/0188381，美国专利公报2004/0211754，所有文献都引用在此作为参考。
参照图2、3，在形成图案化的层46期间，在基板12上期望的刻印区域A1之内，可聚合的材料34填充了模板18的特征24、26与台面20的边缘之间的体积。例如，期望的刻印区域A1可以是在台面20的边界之间。在某些情况下，可聚合的材料34可以流到区域A1之外并导致突出物(extrusion)的形成。例如，如果基板12上的液滴图案并未以模板18为中心，则可能在台面20的边界的边缘处产生突出物。突出物的形成可能在模板18与图案化的层46分离期间导致粒子飞溅。另外，突出物可能限制图案化的层46的尺寸，产生缺陷，减小模板18的贮藏寿命，和/或可能导致之后会有平整化的问题的非均匀的图案化的层46。可以单独使用或组合使用下面的系统和方法以减少和/或防止突出物。
改变尺寸
通过改变台面20和/或期望的刻印区域A1的尺寸，可以减少和/或防止突出物。
在一个示例中，可以改变台面20与其余的模板18(比如模板18的主体)之间的高度比。当可聚合的材料34填充模板18的特征24、26与台面20的边缘之间的体积时，可聚合的材料34可能在基板12的期望的刻印区域A1之外累积从而形成突出物。例如，可聚合的材料34的累积可以使可聚合的材料34上升到与台面20基本上一样的高度h1，从而形成突出物。通过增大台面20的高度h1，在基板12的期望的刻印区域A1之外可以减少可聚合的材料34的累积的影响。例如，台面20的高度h1可以增大一个因子10(例如，从大约15μm到大约135μm)。高度h1的增大可以延迟可聚合的材料34在基板12的期望的刻印区域之外的累积。这种延迟可以进一步增大在模板18需要去除和/或清洗之前可进行连续刻印的次数。
在另一个示例中，通过改变基板12的期望的刻印区域A1的至少一个尺寸与台面20的至少一个尺寸之比以形成一个或多个突出物区段60，就可以减少和/或防止突出物。例如，如图4所示，基板12的期望的刻印区域A1的长度L1可以小于台面20的长度L2，使得可以形成突出物区段60。突出物区段60可以具有约50μm到300μm的距离d1。例如，突出物区段60的距离d1可以约为300μm。应该注意到，通过改变台面20和/或期望的刻印区域A1的尺寸，可以形成具有相似和/或不同距离d1的多个突出物区段60。
掩蔽参照图1、5A和5B，在系统10中可以使用掩蔽系统100。掩蔽系统100可以减少和/或防止突出物的形成。掩蔽系统100包括掩模102和能量源38a。在路径42a中，能量源38a提供能量40a(比如紫外辐射)。模板18和基板12可以与路径42a重叠。应该注意到，能量源38a可以与图1所示的能量源38相似。或者，图1所示的能量源38可以与能量源38a一起或者替代能量源38a沿着路径42a提供能量40a。
掩模102可以在路径42a中阻挡能量40a的一部分。例如，可以制造掩模102，使得掩模102的长度L1小于台面20的长度L2，从而暴露条带104a内的可聚合的材料34。可以从保持基本上不被掩模102阻挡的台面20的至少一个边缘产生条带104a。条带104a可以具有约为2-10μm的最小宽度w1。例如，条带104a可以具有约为3μm的宽度w1。应该注意到，宽度w1可以更大点，这取决于应用和设计考虑。
掩模102阻挡除了条带104a内的可聚合的材料34以外的介于台面20和基板12之间的可聚合的材料34的暴露。这样，可以使条带104a内的可聚合的材料34固化，而台面20和基板12之间剩余的可聚合的材料34可以仍然是流体形式。条带104a内固化的可聚合的材料34由此能够将流体的可聚合的材料34限制在期望的刻印区域A 1之内(比如在台面20的边界之内)。接下来可以除去掩模102，可以如图5B所示那样使台面20的边界之内的可聚合的材料34固化。
应该注意到，通过掩模102的能量40a在其传播时可能发生反射和/或衍射。例如，通过掩模102的能量40a在其传播了掩模102和模板18之间的分离距离时可能发生衍射。这种反射和/或衍射可能导致模糊。这样，可以用光刻的投影光学器件来减少或消除模糊。例如，可以使用0.5μm光刻的投影光学器件。或者，可以将掩模102置于靠近模板18之处以减小和/或消除模糊。
图6示出了使用掩蔽系统100在刻印光刻期间防止突出物形成的示例性方法110的流程图。在步骤112中，可以将台面20放置成沿着路径42与基板12重叠。在步骤114中，可以将掩蔽系统100的掩模102置于能量源38a和台面20之间。掩模102的放置可以提供在台面20和基板12之间的条带104a，当能量源38a处于激活状态中时条带104a暴露于能量40a。条带104a可以基本上未受阻挡地暴露于能量40a。在步骤116中，可以将可聚合的材料34分配到基板12上。在步骤118中，可以减小模板18和基板12之间的距离，使得台面20接触可聚合的材料34。在步骤120中，能量源38a可以在路径42a中提供能量40a以使条带104a内的可聚合的材料34固化。在未阻挡的条带104之外介于台面20和基板12之间的可聚合的材料34可以保持流体形式。在步骤122中，可以除去掩模102。在步骤124中，可以使介于台面20和基板12之间的可聚合的材料34固化。
滤光
图7A和7B示出了可用在系统10中的示例性滤光系统130。滤光系统130可以减少和/或防止突出物的形成。滤光系统130可以包括第一滤光片132、第二滤光片134和能量源38b。能量源38b可以沿着路径42b提供能量40b。
能量40b可以具有一个或多个波长λ。本文所描述的波长λ可以是单个波长或波长范围。台面20和基板12可以与路径42b重叠。应该注意到，能量源38b可以与图2、5A所示的能量源38和/或38a相似。
滤光片132和134可以是任何合适的滤光片(比如光学滤光片)。例如，第一滤光片132和/或第二滤光片134可以是薄膜干涉滤光片。第一滤光片132能够透射具有波长λ1的能量40b，同时阻挡具有波长λ2的能量40b。第二滤光片134能够阻挡具有波长λ1的能量40b。在一些实施方式中，波长λ1和/或波长λ2可以是在约180nm到约430nm的波长范围中。例如，在一个示例中，波长λ1可以具有约310nm到约360nm的范围，波长λ2可以不大于约200nm。尽管仅描述了两个滤光片132、134，但是应该注意到，根据所描述的滤光系统130可以使用额外的滤光片。
可以将第二滤光片134包括在模板18中。例如，模板18可以是中空的，第二滤光片134位于台面20附近。或者，第二滤光片134可以位于模板18附近。
可以制造第一滤光片132，使得第一滤光片132的长度L3大于第二滤光片134的长度L4。例如，第二滤光片134的长度L4可以小于第一滤光片132的长度L3，从而产生条带104b。条带104b可以具有宽度w2。例如，条带104b的最小宽度w2可以约为2-10μm。应该注意到，宽度w2可以更大点，这取决于应用和设计考虑。
第一滤光片132相对于第二滤光片134的定位可以产生条带104b。例如，可以将第一滤光片132放置成沿着路径42b与第二滤光片134重叠，使得第一滤光片132可以阻挡具有波长λ2的能量40b，并且具有波长λ1的能量40b可以阻挡在台面20和基板12之间经第二滤光片134滤光的一区域从而产生条带104b。结果，在刻印期间，可以通过具有波长λ1的能量40b使可能扩散到条带104b中的可聚合的材料34固化。接下来可以除去第一滤光片132，以使所有剩下的可聚合的材料34暴露于具有波长λ2的能量40b。因为第二滤光片134可以透射具有波长λ2的能量40b，所以可以使台面20和基板12之间的可聚合的材料34固化。
图7C示出了在刻印光刻期间使用滤光系统130防止突出物形成的示例性方法150的流程图。在步骤152中，可以将台面20放置成沿着路径42b与基板12重叠。在步骤154中，可以将滤光片132和134置于能量源38b和台面20之间。滤光片132和134的放置可以提供在台面20和基板12之间的条带104b，当能量源38b处于激活状态中时，条带104b暴露于能量40b。例如，条带104b可以基本上未受阻挡地暴露于能量40b。在步骤156中，可以将可聚合的材料34分配到基板12上。在步骤158中，可以减小模板18和基板12之间的距离，使得台面20接触可聚合的材料34。在步骤160中，可以激活滤光片132和134。在步骤162中，能量源38b可以在路径42b中提供能量40b以使条带104b内的可聚合的材料34固化。在未阻挡的条带104b之外介于台面20和基板12之间的可聚合的材料34可以保持流体形式。在步骤164中，可以停用至少一个滤光片132和/或134。在步骤166中，可以使台面20和基板12之间的可聚合的材料34固化。
图8A和8B示出了可用在系统10中的示例性滤光系统200。滤光系统200可以减少和/或防止突出物的形成。滤光系统200包括至少一个电致变色窗口202、电压源204和能量源38d。通常，当施加来自电压源204的电压V时，电致变色窗口202可以变得不透明。一旦不透明，则电致变色窗口202就阻挡模板18和/或基板12的至少一部分使其不能暴露于能量40d。
电致变色窗口202可以根据电压使不透明性在着色的半透明状态和透明状态之间变化。可以用这种性质阻挡刻印场的一个区域，同时使另一个区域暴露于能量40d。
能量源38d沿着路径42d向模板18和/或基板12提供能量40d。通常，可以将模板18放置成与基板12重叠，并且能量40d是沿着路径42d提供的。能量源38d可以相似于能量源38a、38b和/或38c。或者，可以在系统200中使用能量源38a、38b和/或38c。
电致变色窗口202的至少一个区域206可以与基板12和/或模板18重叠。电致变色窗口202的区域206可以具有长度L5，长度L5小于基板12上期望的刻印区域的长度L6。电致变色窗口202的区域206的长度L5与基板12上期望的刻印区域的长度L6之间的差异可以形成条带104d。例如，该差异可以提供围绕着台面20的周长的条带104d。条带104d可以具有宽度w3。例如，条带104d可以具有约为2-10μm的宽度w3。应该注意到，宽度w3可以更大点，这取决于应用和/或设计考虑。
在刻印期间，当可聚合的材料34在基板12上扩散时，可以对电致变色窗口202施加电压V。电致变色窗口202的区域206可能变得不透明。当区域206不透明时，条带104d可能暴露于能量40d，而区域206挡着模板18与基板12之间的其余区域从而不暴露于能量40d。结果，可以使扩散到条带104d内的可聚合的材料34固化，而模板18和基板12之间剩余的可聚合的材料34可以仍然是流体。条带104d中固化的可聚合的材料34可以将仍然是流体的可聚合的材料34限定在台面20的边界之内。这可以防止流体形式的可聚合的材料34在刻印光刻期间从台面20的边界流出来从而形成突出物。可以关闭电致变色窗口202从而露出模板18和基板12之间剩余的区域，进而使所有剩余的可聚合的材料34暴露于能量40d，正如图8B所示那样。
图9示出了使用系统200防止突出物形成的示例性方法220的流程图。在步骤222中，可以使模板18和基板12重叠地放置在路径42d或能量源38d中。在步骤224中，可以使电致变色窗口202放置成与基板12重叠以形成条带104d。在步骤226中，可以将可聚合的材料34分配到基板12上。在步骤228中，可以对电致变色窗口202施加电压从而提供不透明区域206。在步骤230中，可以沿着路径42d施加能量40d以使条带104d中的可聚合的材料34固化。在步骤232中，可以除去电压V，以使其余的可聚合的材料34固化。
图10A和10B示出了一种示例性的系统250，用于阻挡基板12的一个或多个弯曲的区域252从而在边缘-场刻印期间提供步进-至-边缘曝光。通常，系统250包括电致变色膜254。电致变色膜254的至少一个区域256可以根据电压而变得对能量40不透明。例如，电致变色膜254的区域256可以根据电压变得不透明，并且阻挡基板12的边缘(比如圆形的晶片)使其不暴露于来自能量源38e的能量40e。另外，系统250可以包括透镜258的使用。可以将透镜258插在电致变色膜254和模板18之间。例如，可以将透镜258插在电致变色膜254和模板18之间以使阴影边缘更明锐。
迷宫图案
参照图1、2、11A-B，迷宫图案300的形成可以防止可聚合的材料34在刻印期间泄漏到台面20的边界之外。图11示出了在台面20上图案化的示例性迷宫图案300。通常，迷宫图案300包括特征304的阵列302。可以在台面20的边界上应用迷宫图案300，使得当可聚合的材料34到达迷宫图案300中的特征304时，特征304可以使可聚合的材料34的扩散减缓或停止。例如，与可聚合的材料在基板12上扩展期间较大的毛细力相比，相对较小的毛细力可以使可聚合的材料34的扩散减缓。另外，基于气体的扩散速率，陷在特征304中的大气泡(比如He)可以使扩散减缓。
特征304可以具有任何几何形状和/或奇特的形状。例如，图11示出了具有正方形特征304的迷宫图案300。正方形特征304具有长度L7(比如2μm)、宽度w7(比如2μm)以及高度h7(比如100nm)。特征304可以与其它特征间隔开一段距离d7(比如0.8μm)。特征304可以如图11A所示那样对齐，或者如图11B所示那样交错。可以使用，包括但不限于，刻印光刻的技术在基板12上使特征图案化。
通常，迷宫图案300可以具有填充因子f(比如50％)。通常，填充因子f是迷宫图案300的一部分之内的特征304的总面积与迷宫图案300的该部分的总面积之比。根据特征304，迷宫图案300可以具有正的或负的趋势。例如，如果特征304是凹陷的，则迷宫图案可以是正的。如果特征304在台面20上是突出的，则迷宫图案300可以是负的。如果可聚合的材料34具有小于或等于阈值体积VO的体积V，则具有正的趋势、填充因子f和高度h7的迷宫图案300可以形成剩余层48的最小或接近于零的厚度t2，其中阈值体积VO是：
VO＝h×f×S                [方程1]
其中S是模板18的面积。
在某些情况下，对于包括迷宫图案300的台面30的边界，可能不要求剩余层48的最小或接近于零的厚度t2(如图2所示)。例如，对于具有少量特征24和/或26的模板18，可能不要求最小厚度t2。在这些情况下，模板18可以具有低密度特征24和/或26或小特征24和/或26，这些特征可以按更快的速率进行填充。对于具有低密度特征24和/或26的模板18，可以要求更少量的可聚合的材料34。可以使用定时技术，以使可聚合的材料减少或停止扩散到台面20的边界之外。例如，模板18可以按7秒的速度进行填充。在该时间段内，迷宫图案300的特征304可以展示可聚合的材料的缓慢扩散，直到可聚合的材料34充满迷宫图案300。这样，在刻印过程的早期，迷宫图案300可以阻止可聚合的材料34的扩散。
例如，对于空白模板18，可以均匀地散布可聚合的材料34，并且可聚合的材料34的总体积形成了厚度t2小于50nm的剩余层。
可以用迷宫图案300来形成沟槽或者用一个或多个分离的凹槽(比如沟道)来保护沟槽。图12示出了用于形成沟槽310的示例性迷宫图案300a。迷宫图案300a包括阵列302a或特征304a(比如多个方块)。沟槽310可以进一步减少或防止可聚合的材料34扩散到台面20的边界之外。
除了迷宫图案300以外，还可以提供额外的特征以减少或防止沟槽310的污染。例如，图13示出了在沟槽310b的周长上使用了凹槽312。可以用美国专利7,309,225中所描述的技术形成凹槽312，该专利引用在此作为参考。
在某些情况下，凹槽312可能被污染，并且可能使可聚合的材料34泄漏到沟槽310b中。图14示出了示例性的迷宫图案300c，迷宫图案300c具有多个阵列302c和302d，这些阵列分别具有特征304c和304d。阵列302c和/或302d可以位于沟槽310c之内和/或围绕着一个或多个关键特征314(比如对齐标记)。特征304c和/或304d可以具有任何几何形状和/或奇特的形状。
台面20可以具有在其上图案化的多个阵列302。例如，图15示出了台面20，在台面20上有图案化的阵列302e-302h。多个阵列302可以减少和/或防止可聚合的材料34填充台面20的多个部分。
图16示出了使用一个或多个迷宫图案300来减少和/或防止突出物的形成的示例性方法400的流程图。在步骤402中，可以将迷宫图案施加到台面20的区域上。在步骤404中，可以将可聚合的材料散布到基板12上。在步骤406中，可以将模板18放置成与可聚合的材料34相接触。迷宫图案300可以减少和/或防止可聚合的材料34的扩散，这样，可以减少和/或防止可聚合的材料34泄漏到台面20的边界之外。
分形结构
参照图17A和17B，可以在系统10中使用分形结构500。例如，可以在模板台面20上使分形结构500图案化以在刻印期间减少和/或防止可聚合的材料34的扩散。通常，分形结构500可以减小或增大用于可聚合的材料34的所考虑区域中所有的特征502的周长的总长度，增大因增大/减小的毛细路径所导致的可聚合的材料34的表面能量，和/或吸收可聚合的材料34的过量体积V，从而减少了可聚合的材料34的扩散。例如，当与分形结构500相接触时，可聚合的材料34可以具有高表面能量。高表面能量可以提供排斥力效果，从而减少可聚合的材料34的扩散。
图17A示出了示例性的分形结构500a和500b。分形结构500a和500b包括特征502。特征502可以是任何几何形状和/或奇特的形状。例如，图17A中的特征502a-c是矩形的，图17B中的特征502d是正方形的。
可以反复迭代地形成特征502，每一次迭代都具有减小的尺寸。例如，分形结构500a的第一次迭代包括特征502a；分形结构500a的第二次迭代包括特征502b；以及分形结构500a的第三次迭代包括特征502c。当特征502的尺寸减小时(比如分形几何结构的固有特性)，多次迭代增大了特征502的总的外围长度。外围长度更大且间距更小的图案与外围长度更小且间距更大的图案之间的差异将导致不同的毛细力和流体传播动力。这样，可以用流体传播速率的变化来控制流体流动和/或突出物的形成。
分形结构500可以与气体结合使用，以减少和/或防止可聚合的材料34的扩散。例如，分形结构的边界可以形成一个或多个沟道。这些沟道可以俘获气泡。例如，如图17A和17C所示，分形结构500的特征502之间的桥504可以充当阻气层。结果，可以减少可聚合的材料34的扩散。此外，减小特征502的尺寸可以改善气体俘获。例如，图17A的分形图案500b提供了特征502的迭代，线性尺寸朝着中心逐渐减小。因毛细力更强，所以可聚合的材料34可以更快地填充更小的区域(比如材料以更快的速率填充中心区域)。这可能导致将气体俘获到更大的区域中，在这种区域中可聚合的材料34可能仍然是流动的。
图18示出了使用分形结构500来减少和/或防止突出物的形成的示例性方法550的流程图。在步骤552中，可以将分形结构500设置在台面20上。在步骤554中，可以将可聚合的材料34分配到基板12上。台面20上的分形结构500可以减小和/或防止可聚合的材料34的扩散，并且减小和/或防止可聚合的材料34扩散到台面20的边界之外。

Claims (34)

1.一种方法，包括：
将一器件置于能量源与刻印光刻模板的台面之间，所述能量源提供能量，并且所述器件能够阻挡第一波长的能量；
在基板上分配可聚合的材料；
对刻印光刻模板与基板进行定位，使得刻印光刻模板的台面接触可聚合的材料；
使刻印光刻模板暴露于所述能量，使得基板上的可聚合的材料的第一部分被固化，并且基板上的可聚合的材料的第二部分是流体。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
可聚合的材料的第一部分位于所述台面的周边。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，
可聚合的材料的第一部分包括约为2微米到10微米之间的宽度。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述器件的长度小于所述台面的长度。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述器件是能够选择性地阻挡和透射第一波长的能量的电致变色窗口。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，
使刻印光刻模板暴露于所述能量的步骤进一步包括激活电致变色窗口以阻挡第一波长的能量。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述器件是掩模。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述器件是滤光片。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，
使刻印光刻模板暴露于所述能量的步骤进一步包括激活滤光片以阻挡第一波长的能量。
10.如权利要求9所述的方法，还包括：
激活滤光片以透射第一波长的能量，使得基板上的可聚合的材料的第二部分被固化。
11.如权利要求7所述的方法，还包括：
将第二滤光片置于能量源与刻印光刻模板之间，第二滤光片能够选择性地透射第一波长的能量并且同时阻挡第二波长的能量。
12.如权利要求11所述的方法，还包括：
激活第二滤光片以透射第一波长的能量并阻挡第二波长的能量。
13.如权利要求11所述的方法，还包括：
激活第二滤光片以透射第一波长的能量和第二波长的能量。
14.如权利要求11所述的方法，其特征在于，
第一波长的能量是在约180nm到约430nm的波长范围中。
15.如权利要求11所述的方法，其特征在于，
第二波长的能量是在约180nm到约430nm的波长范围中。
16.如权利要求11所述的方法，其特征在于，
第一滤光片是薄膜干涉滤光片。
17.如权利要求11所述的方法，其特征在于，
第一滤光片耦合到刻印光刻模板。
18.一种方法，包括：
使第一迷宫图案在刻印光刻模板的台面上图案化；
在基板上分配可聚合的材料；以及
使刻印光刻模板的台面与基板相接触。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，
所述迷宫图案包括特征的阵列。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，
所述特征包括几何形状、奇特的形状、或它们的组合。
21.如权利要求19所述的方法，其特征在于，
所述迷宫图案包括正方形的周期性阵列，所述正方形具有约为2微米的宽度、约为2微米的长度和约为80-120nm的高度。
22.如权利要求19所述的方法，其特征在于，
所述迷宫图案包括多个特征的周期性阵列，所述多个特征间隔开一段距离。
23.如权利要求22所述的方法，其特征在于，
所述距离在约0.6-0.8微米之间。
24.如权利要求18所述的方法，其特征在于，
所述迷宫图案形成沟槽。
25.如权利要求24所述的方法，还包括：
使第二迷宫图案在所述台面上图案化，其中所述迷宫图案位于所述沟槽中。
26.如权利要求18所述的方法，其特征在于，
所述迷宫图案形成一区域，将所述区域设计成使基板上所分配的可聚合的材料的扩散减缓。
27.如权利要求26所述的方法，其特征在于，
所述区域包括管芯。
28.一种方法，包括：
使至少一个分形图案在刻印光刻模板的台面上图案化；
在基板上分配可聚合的材料；以及
使刻印光刻模板的台面与可聚合的材料相接触。
29.如权利要求28所述的方法，其特征在于，
所述分形图案至少包括第一特征的第一次迭代以及第二特征的第二次迭代。
30.如权利要求29所述的方法，其特征在于，
第一特征的特征尺寸大于第二特征的特征尺寸，使得第一次迭代和第二次迭代之间的可聚合的材料的流动减少了。
31.如权利要求29所述的方法，其特征在于，
第一次迭代的特征和第二次迭代的特征包括几何形状、奇特的形状、或它们的组合。
32.如权利要求30所述的方法，其特征在于，
可聚合的材料的流动因毛细力而减少了。
33.如权利要求29所述的方法，还包括：
在分配可聚合的材料时，向基板提供气体。
34.如权利要求33所述的方法，其特征在于，
可聚合的材料的流动因气体而减少了。
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